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TWI472267B - Plasma processing device - Google Patents

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TWI472267B
TWI472267B TW97143904A TW97143904A TWI472267B TW I472267 B TWI472267 B TW I472267B TW 97143904 A TW97143904 A TW 97143904A TW 97143904 A TW97143904 A TW 97143904A TW I472267 B TWI472267 B TW I472267B
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TW
Taiwan
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plasma processing
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Application number
TW97143904A
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TW200934307A (en
Inventor
Yohei Yamazawa
Naohiko Okunishi
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200934307A publication Critical patent/TW200934307A/zh
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Description

電漿處理裝置
本發明是有關使用高頻來對被處理體實施電漿處理的電漿處理裝置，特別是有關具備用以使不所望的高頻之雜訊衰減的濾波器電路之電漿處理裝置。
在使用電漿之半導體裝置或FPD(Flat Panel Display)的製造用的微細加工中，被處理基板(半導體晶圓，玻璃基板等)上的電漿密度分布的控制，基板的溫度乃至溫度分布的控制是非常重要的。若基板的溫度控制不被適當地進行，則將無法確保基板表面的製程均一性，半導體裝置或顯示裝置的製造良品率會降低。
一般，在電漿處理裝置，特別是在電容耦合型的電漿處理裝置的處理室內載置被處理基板的載置台或基座是具有：對電漿空間施加高頻之高頻電極的機能、及以靜電吸附等來保持基板之保持部的機能、及以傳熱來將基板控制於所定溫度之溫度控制部的機能。有關溫度控制機能，最好是能夠將因為電漿或來自處理室壁的輻射熱的不均一性所造成對基板的入熱特性的分布、或基板支持構造的熱分布予以適當地補正。
以往，為了控制基座上面的溫度(甚至基板的溫度)，大多是採用在基座或基座支持台的內部設置流動冷媒的冷媒通路，將由冷卻裝置所溫調後的冷媒予以循環供給至該冷媒通路的方式。然而，如此的冷卻方式難以使冷媒的溫度急速地變化，溫度控制的反應性低，因此具有不能高速進行溫度切換或昇降溫的弱點。就最近的製程例如電漿蝕刻的領域而言，會被要求在單一的處理室內連續加工被處理基板上的多層膜，而取代以往的多處理室方式。為了實現此單處理室方式，需要使載置台的高速昇降溫成為可能的技術。基於如此的情事，在基座中裝入藉由通電來發熱的發熱體，控制該發熱體所產生的焦耳熱，而可高速且精細地控制基座溫度甚至基板溫度的加熱器方式重新被關注。
可是，使由電漿控制的面來看連接高頻電源至基座的下部高頻施加方式及由溫度控制的面來看在基座設置發熱體的上述那樣的加熱器方式一起形成時，若從該高頻電源施加至基座的高頻的一部份成為雜訊而經過發熱體及加熱器給電線來進入加熱器電源，則加熱器電源的動作乃至性能恐會有受害之虞。特別是可高速控制的加熱器電源，因為使用SSR(Solid state Relay)等的半導體開關元件來進行高感度的開關控制或ON/OFF控制，所以一旦高頻的雜訊進入，則容易引起錯誤動作。於是，將用以使不所望的高頻充分衰減的濾波器電路設於加熱器給電線為通例。
一般，此種的濾波器電路是梯形地多段連接由1個的線圈(電感線圈)及1個的電容器所構成的LC低通濾波器。例如，若LC低通濾波器每一段的衰減率為1/10，則就2段連接而言可使高頻雜訊衰減至1/100，就3段連接而言可使衰減至1/1000。
[專利文獻1]特開2006-286733
如上述般，在以往的電漿處理裝置中，設於加熱器給電線上的濾波器電路的機能，由正常地保持加熱器電源側的動作乃至性能的觀點來看，主要目標是放在使從高頻電源經由基座進入而來的高頻之雜訊衰減，在濾波器電路內的各段的LC低通濾波器(low pass filter)是使用電感小的線圈及電容大的電容器。
然而，在基座併用下部高頻施加方式及加熱器方式的電漿處理裝置的開發‧評價中，本發明者發現像上述那樣的以往濾波器電路中由製程性能的面來看會有問題。亦即，從高頻電源施加至基座的高頻的電力損失與製程性能(例如蝕刻速率)之間有一定的相關性(RF電力損失越大製程性能越低的關係)為人所知，可知以往的濾波器電路是製程性能上不能無視的程度產生多量的RF電力損失。而且，即使是同機種的電漿處理裝置，1台1台的RF電力損失量也會偏差(機差(裝置間的偏差))，這可知會牽連製程性能的機差。在如此的問題意識下，累積許多的實驗及專研的結果，達成本發明。
亦即，本發明是為了解決上述那樣的以往技術的問題點者，其目的是在具備用以使不所望的高頻之雜訊衰減的濾波器電路之電漿處理裝置中，極力減少濾波器電路內的RF電力損失量及其機差(裝置間的偏差)，而使製程性能的再現性‧可靠度提升。
為了達成上述的目的，本發明的第1觀點之電漿處理裝置，係設置用以使在第1及第2給電線上從上述發熱體進來的高頻之雜訊衰減的濾波器電路，該第1及第2給電線係用以電性連接輸出第1高頻至配設於可減壓的處理容器內的第1電極之第1高頻電源，且電性連接設於上述第1電極的發熱體與加熱器電源，其特徵為：
在上述第1及第2給電線上由上述發熱體來看在上述濾波器電路的初段分別設有第1及第2空芯線圈，
上述第1及第2空芯線圈係彼此同軸，具有大致相等的卷線長。
在上述的裝置構成中，因為濾波器電路的初段線圈為空芯線圈，所以在使其電感形成非常大的值之下，相較於電感小的線圈或放入肥粒鐵(ferrite)等磁芯的線圈，可顯著地減少高頻的電力損失。而且，構成初段線圈的第1及第2空芯線圈是彼此同軸，且具有大致相等的卷線長，因此可確實地防止乃至抑制在濾波器電路的實電阻成份的頻率特性之中出現不定的異常增大，藉此可使製程性能的再現性提升。
在上述的裝置構成中，第1及第2空芯線圈的卷線長的比是越接近1越好，嚴格來講最好是1。並且，在第1及第2空芯線圈之間，為了取得同一自我電感，較理想是使兩空芯線圈的直徑形成相等，為了取得最大的相互電感，較理想是將兩空芯線圈配置成同心狀。
本發明的第2觀點之電漿處理裝置，係設置用以使在第1及第2給電線經由上述發熱體進來的高頻之雜訊衰減的濾波器電路，該第1及第2給電線係用以電性連接輸出第1高頻至配設於可減壓的處理容器內的第1電極之第1高頻電源，且電性連接設於上述第1電極的發熱體與加熱器電源，其特徵為：
在上述第1及第2給電線上由上述發熱體來看在上述濾波器電路的初段分別設有第1及第2空芯線圈，
分別構成上述第1及第2空芯線圈的第1及第2線圈導線係沿著共通的線軸的外周面一邊並進一邊以大致相等的卷線長來卷成螺旋狀。
在上述的裝置構成中，因為濾波器電路的初段線圈為空芯線圈，所以在使其電感形成非常大的值之下，相較於電感小的線圈或放入肥粒鐵等磁芯的線圈，可顯著地減少高頻的電力損失。又，由於分別構成作為初段線圈而設置的第1及第2空芯線圈之第1及第2線圈導線是沿著共通的線軸的外周面一邊並進一邊以大致相等的卷線長來卷成螺旋狀，因此可確實地防止乃至抑制在濾波器電路的實電阻成份的頻率特性之中出現不定的異常增大，藉此可使製程性能的再現性提升。
在上述的裝置構成中，不僅線圈大小的效率性，連由電感極大化的面來看，也是第1及第2線圈導線交替重疊於線軸的軸方向為理想。又，由短路防止的面來看，較理想是第1及第2線圈導線的至少一方為絕緣體所被覆，由雙重空芯線圈組裝體的高密度化及安定性的面來看，較理想是以平角或薄板的銅線來形成第1及第2線圈導線。
又，為了提高濾波器機能的安定化，較佳的一態樣是初段線圈收容或配置於接地電位的導電性外箱(casing)內。此情況，更理想是初段線圈在上述外箱內空間性地並置，且被分割成電性串連的複數個空芯線圈單體。藉由如此的分割方式，可有限的外箱．空間內增大初段線圈全體的電感。又，為了縮小初段線圈全體的合成浮遊電容，最好儘可能增多位於最初段的空芯線圈單體的卷數，儘可能縮小該空芯線圈單體的浮遊電容。
又，較佳的一態樣是發熱體經由絕緣體來埋入至第1電極的主面。最好是可在構成靜電吸盤的電介體中封入的形式下設置發熱體。並且，在處理容器內設有隔著所望的間隙來與第1電極平行對向的第2電極。亦可在該第2電極電性連接第2高頻電源，其係輸出比第1高頻(例如13.56MHz以下)更高頻率(例如40MHz以上)的第2高頻。
本發明的第3觀點之電漿處理裝置，係為了在可減壓的處理容器內使用高頻的電漿處理，具有設於上述處理容器外的電力系或信號系的外部電路，其係經由第1及第2線路來電性連接至設於上述處理容器內的所定電氣零件，藉由設於上述第1及第2線路上的濾波器電路使經由上述電氣零件進入上述第1及第2線路而來的高頻之雜訊衰減，其特徵為：
在上述第1及第2給電線上由上述電氣零件來看在上述濾波器電路的初段分別設有第1及第2空芯線圈，
上述第1及第2空芯線圈係彼此同軸，具有大致相等的卷線長。
在上述的裝置構成中也是因為濾波器電路的初段線圈為空芯線圈，所以在使其電感形成非常大的值之下，相較於電感小的線圈或放入肥粒鐵等磁芯的線圈，可顯著地減少高頻的電力損失。而且，構成初段線圈的第1及第2空芯線圈是彼此同軸，且具有大致相等的卷線長，因此可確實地防止乃至抑制在濾波器電路的實電阻成份的頻率特性之中出現不定的異常增大，藉此可使製程性能的再現性提升。
又，第1及第2空芯線圈的卷線長的比是越接近1越好，嚴格來講最好是1。並且，在第1及第2空芯線圈之間，為了取得同一自我電感，較理想是使兩空芯線圈的直徑形成相等，為了取得最大的相互電感，較理想是將兩空芯線圈配置成同心狀。
本發明的第4觀點之電漿處理裝置，係為了在可減壓的處理容器內使用高頻的電漿處理，具有設於上述處理容器外的電力系或信號系的外部電路，其係經由第1及第2線路來電性連接至設於上述處理容器內的所定電氣零件，藉由設於上述第1及第2線路上的濾波器電路使經由上述電氣零件進入上述第1及第2線路而來的高頻之雜訊衰減，其特徵為：
在上述第1及第2給電線上由上述電氣零件來看在上述濾波器電路的初段分別設有第1及第2空芯線圈，
分別構成上述第1及第2空芯線圈的第1及第2線圈導線係沿著共通的線軸的外周面一邊並進一邊以大致相等的卷線長來卷成螺旋狀。
在上述的裝置構成中也是因為濾波器電路的初段線圈為空芯線圈，所以在使其電感形成非常大的值之下，相較於電感小的線圈或放入肥粒鐵等磁芯的線圈，可顯著地減少高頻的電力損失。又，由於分別構成作為初段線圈而設置的第1及第2空芯線圈之第1及第2線圈導線是沿著共通的線軸的外周面一邊並進一邊以大致相等的卷線長來卷成螺旋狀，因此可確實地防止乃至抑制在濾波器電路的實電阻成份的頻率特性之中出現不定的異常增大，藉此可使製程性能的再現性提升。
並且，不僅線圈大小的效率性，連由電感極大化的面來看，也是第1及第2線圈導線交替重疊於線軸的軸方向為理想。又，由短路防止的面來看，較理想是第1及第2線圈導線的至少一方為絕緣體所被覆，由雙重空芯線圈組裝體的高密度化及安定性的面來看，較理想是以平角或薄板的銅線來形成第1及第2線圈導線。
而且，在濾波器電路所應選擇性地衰減乃至遮斷的高頻之雜訊可為各種的選定，例如在處理容器內主要有助於處理氣體的電漿生成的高頻之雜訊，或在處理容器內主要有助於從電漿引入離子至被處理體的高頻之雜訊，或在處理容器內的電漿所發生的高次諧波或互調失真的高頻之雜訊。
若根據本發明的電漿處理裝置，則藉由上述那樣的構成及作用，在具備用以使不所望的高頻之雜訊衰減的濾波器電路之電漿處理裝置中，可極力減少濾波器電路內的RF電力損失量及其機差(裝置間的偏差)，可使製程性能的再現性‧可靠度提升。
以下，參照圖來說明本發明的較佳實施形態。
圖1是表示本發明之一實施形態的電漿處理裝置的構成。此電漿處理裝置是構成為上下部雙頻施加方式的電容耦合型電漿蝕刻裝置，具有例如鋁或不鏽鋼等金屬製的圓筒型處理室(處理容器)10。處理室10是被保持安全接地。
在處理室10內，圓板形狀的基座12會作為下部電極來水平配置，其係載置被處理體例如半導體晶圓W。此基座12是例如由鋁所構成，藉由從處理室10的底部垂直延伸至上方之例如陶瓷製的絕緣性筒狀支持部14來以非接地支持。沿著此絕緣性筒狀支持部14的外周從處理室10的底部垂直延伸至上方的導電性筒狀支持部16與處理室10的內壁之間形成有環狀的排氣路18，在該排氣路18的底部設有排氣口20。該排氣口20是經由排氣管22來連接排氣裝置24。排氣裝置24是具有渦輪分子泵等的真空泵，可將處理室10內的處理空間減壓至所望的真空度。在處理室10的側壁安裝有開閉半導體晶圓W的搬入出口之閘閥26。
第1高頻電源28是經由RF電纜30、下部匹配單元32及下部給電棒34來電性連接至基座12。在此，高頻電源28主要是輸出有助於引入離子至基座12上的半導體晶圓W之所定的頻率例如13.56MHz的第1高頻。RF電纜30是例如由同軸電纜所構成。在下部匹配單元32中收容有用以在高頻電源28側的阻抗與負荷(主要是電極、電漿)側的阻抗之間取得整合之整合電路，且亦具備自動匹配用的RF感測器、控制器、步進馬達等。
基座12是具有比半導體晶圓W更大一圈的直徑或口徑。基座12的主面亦即上面是在半徑方向上2分割成：與晶圓W大致同形狀(圓形)且大致同大小的中心區域亦即晶圓載置部、及延伸於該晶圓載置部的外側之環狀的周邊部，在晶圓載置部的上面載置處理對象的半導體晶圓W，在環狀周邊部的上面安裝具有比半導體晶圓W的口徑稍微大的內徑之對焦環36。此對焦環36是對應於半導體晶圓W的被蝕刻材，例如以Si，SiC，C，SiO2 之中的任一材質所構成。
在基座12上面的晶圓載置部設有晶圓吸附用的靜電吸盤38及發熱體40。靜電吸盤38是在基座12的上面一體形成或一體黏著的膜狀或板狀的電介體42中例如封入網目狀的導電體44，被配置於處理室10外之外裝的直流電源45是經由開關46、高電阻值的電阻48及DC高壓線50來電性連接至導電體44。可藉由從直流電源45施加之高壓的直流電壓，以庫倫力來將半導體晶圓W吸附保持於靜電吸盤38上。另外，DC高壓線50是被覆線，通過圓筒體的下部給電棒34中，由下貫通基座12來連接至靜電吸盤38的導電體44。
發熱體40是由與靜電吸盤38的導電體44一起封入電介體42中之例如螺旋狀的電阻發熱線所構成，就此實施形態而言，如圖3所示，在基座12的半徑方向上2分割成內側的發熱線40(IN)及外側的發熱線40(OUT)。其中，內側發熱線40(IN)是經由被絕緣被覆的給電導體52(IN)、濾波器單元54(IN)及電纜56(IN)來電性連接至被配置於處理室10外的專用加熱器電源58(IN)。外側發熱線40(OUT)是經由被絕緣被覆的給電導體52(OUT)、濾波器單元54(OUT)及電纜56(OUT)來電性連接至被配置於處理室10外的專用加熱器電源58(OUT)。其中，濾波器單元54(IN)，54(OUT)是此實施形態的主要特徵部份，有關其內部的構成及作用會在往後詳細說明。
在基座12的內部設有例如延伸於圓周方向的環狀冷媒通路60。在該冷媒通路60中流動有由外裝的冷卻單元(未圖示)經配管來供給之所定溫度的冷媒。可藉由冷媒的溫度來控制靜電吸盤38上的半導體晶圓W的溫度。又，為了更提高晶圓溫度的精度，來自傳熱氣體供給部(未圖示)的傳熱氣體例如He氣體會經由氣體供給管及基座12內部的氣體通路62來供給至靜電吸盤38與半導體晶圓W之間。
在處理室10的頂部設有與基座12平行相向兼作上部電極的淋浴頭64。此淋浴頭64是具有：與基座12相向的電極板66、及可由該電極板66的背後(上)來裝卸地支持的電極支持體68，在電極支持體68的內部設置氣體室70，且將由此氣體室70貫通至基座12側的多數個氣體吐出孔72形成於電極支持體68及電極板66。電極板66與基座12之間的空間S是形成電漿生成空間乃至處理空間。在設於氣體室70的上部之氣體導入口70a連接來自處理氣體供給部74的氣體供給管76。電極板66是例如由Si、SiC或C所構成，電極支持體68是例如由被防蝕鋁處理的鋁所構成。
在淋浴頭64與處理室10的上面開口緣部之間氣密地塞有例如由氧化鋁所構成的環形狀絕緣體78，淋浴頭64是以電性浮動狀態亦即非接地安裝於處理室10。第2高頻電源80會經由RF電纜82、上部匹配單元84及上部給電棒86來電性連接至淋浴頭64。在此，高頻電源80主要是輸出有助於電漿的生成之所定的頻率例如60MHz的第2高頻。RF電纜82是例如由同軸電纜所構成。在匹配單元84中收容有用以在高頻電源80側的阻抗與負荷(主要是電極、電漿)側的阻抗之間取得整合之整合電路，且亦具備自動匹配用的RF感測器、控制器、步進馬達等。
此電漿蝕刻裝置內的各部例如排氣裝置24、高頻電源28，80、直流電源45的開關46、加熱器電源58(IN)，58(OUT)、冷卻單元(未圖示)、傳熱氣體供給部(未圖示)及處理氣體供給部74等的各個動作及裝置全體的動作(程序)是藉由例如含微電腦的裝置控制部(未圖示)來控制。
在該電漿蝕刻裝置中，為了進行蝕刻，首先使閘閥26形成開狀態來將加工對象的半導體晶圓W搬入至處理室10內，載置於靜電吸盤38上。然後，由處理氣體供給部74來將蝕刻氣體(一般是混合氣體)以所定的流量導入至處理室10內，藉由排氣裝置24來使處理室10內的壓力形成設定值。而且，開啟第1及第2高頻電源28、80，使第1高頻(13.56MHz)及第2高頻(60MHz)分別以所定的功率輸出，且將該等的高頻經由RF電纜30，82、匹配單元32，84及給電棒34，86來分別供給至基座(下部電極)12及淋浴頭(上部電極)64。又，打開開關46，藉由靜電吸附力，在靜電吸盤38與半導體晶圓W之間的接觸界面關進傳熱氣體(He氣體)。然後，由冷卻單元來對基座12內的冷媒通路60供給被調溫至一定溫度的冷卻水，另一方面，打開加熱器電源58(IN)，58(OUT)，使內側發熱體40(IN)及外側發熱體40(OUT)分別以獨立的焦耳熱來發熱，將基座12上面的溫度乃至溫度分布控制於設定值。由淋浴頭64吐出的蝕刻氣體是在兩電極12，64間藉由高頻的放電來電漿化，利用在該電漿所生成的自由基(radical)或離子來將半導體晶圓W的主面的膜蝕刻成所定的圖案。
此電容耦合型電漿蝕刻裝置是對淋浴頭64施加60MHz之適於電漿生成的較高頻率的第2高頻，藉此使電漿在較佳的解離狀態下高密度化，即使在更低壓的條件下也能夠形成高密度電漿。同時，對基座12施加13.56MHz之適於離子引入的較低頻率的第1高頻，藉此可對基座12上的半導體晶圓W實施選擇性高的向異性蝕刻。另外，第2高頻可使用40MHz以上的任意頻率。
並且，在該電容耦合型電漿蝕刻裝置中，是對基座12同時賦予冷卻器的冷卻及加熱器的加熱，且在半徑方向的中心部及邊緣部獨立控制加熱器的加熱，因此高速的溫度切換或昇降溫可能，且可任意或多樣地控制溫度分布的輪廓。
其次，有關圖2~圖15是說明此實施形態的主要特徵部份的濾波器單元54(IN)，54(OUT)內的構成及作用。
圖2是表示用以對設於基座12的發熱體40供給電力之給電部的電路構成。此實施形態是分別對發熱體40的內側發熱線40(IN)及外側發熱線40(0UT)連接具有實質同一電路構成的個別給電部，可獨立控制內側發熱線40(IN)及外側發熱線40(OUT)的發熱量或發熱溫度。在以下的說明是敘述有關對內側發熱線40(IN)之給電部的構成及作用。對外側發熱線40(OUT)之給電部的構成及作用亦完全相同。
加熱器電源58(IN)是例如使用SSR來進行商用頻率的開關(ON/O FF)動作之交流輸出型的電源，以閉迴路(loop)的電路來與內側發熱體40(IN)連接。更詳細是加熱器電源58(IN)的一對輸出端子中，第1輸出端子是經由第1給電線(電源線)100(1)來電性連接至內側發熱線40(IN)的第1端子a，第2輸出端子是經由第2給電線(電源線)100(2)來電性連接至內側熱線40(IN)的第2端子b。
濾波器單元54(IN)是具有分別設於第1及第2給電線100(1)，100(2)的途中之第1及第2電源線濾波器102(1)，102(2)。兩電源線濾波器102(1)，102(2)是電路構成實質相同，圖示的例子是由內側發熱線40(IN)側來看分別將初段的LC低通濾波器104(1)，104(2)及次段的LC低通濾波器106(1)，106(2)縱連接成梯形。
更詳細，初段LC低通濾波器104(1)，104(2)是分別以初段線圈108(1)，108(2)與初段電容器110(1)，110(2)的直列電路所構成。初段線圈108(1)，108(2)的一方端子或濾波器端子T(1)，T(2)是經由一對的給電導體52(IN)來分別連接至內側發熱線40(IN)的兩端子a，b，在初段線圈108(1)，108(2)的另一方端子與接地電位部之間分別連接初段電容器110(1)，110(2)。
次段LC低通濾波器106(1)，106(2)是以次段線圈112(1)，112(2)與次段電容器114(1)，114(2)的直列電路所構成。次段線圈112(1)，112(2)的一方端子是分別連接至初段線圈108(1)，108(2)與初段電容器110(1)，110(2)之間的連接點m(1)，m(2)，在次段線圈112(1)，112(2)的另一方端子與接地電位部之間分別連接次段電容器114(1)，114(2)。次段線圈112(1)，112(2)與次段電容器114(1)，114(2)之間的連接點n(1)，n(2)是經由電纜(一對電纜)56(IN)來分別連接至加熱器電源58(IN)的第1及第2輸出端子。
在該構成的給電部中，由加熱器電源58(IN)所輸出的電流，就正極性的循環而言，是經過第1給電線100(1)亦即電纜56(IN)、次段線圈112(1)，初段線圈108(1)及給電導體52(IN)來從一方的端子a進入內側發熱線40(IN)，在內側發熱線40(IN)的各部使通電的焦耳熱產生，從另一方的端子b出去後是經過第2給電線100(2)亦即給電導體52(IN)、初段線圈108(2)、次段線圈112(2)及電纜56(IN)而返回。就負極性的循環而言，是在同電路與上述相反的方向流動電流。由於此加熱器交流輸出的電流是商用頻率，因此初段線圈108(1)，108(2)及次段線圈112(1)，112(2)的阻抗或電壓降下是可無視程度的小，且經過初段電容器110(1)，110(2)及次段電容器114(1)，114(2)來溜至接地的洩漏電流亦為可無視程度的少。
此實施形態的特徵之一是初段LC低通濾波器104(1)，104(2)的初段線圈108(1)，108(2)基於發熱防止的觀點是由空芯線圈所構成，為了設置空間(特別是縱方向空間)的小型化，較理想是如圖4所示以電性串連的複數個例如2個的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]來分別構成。而且，更進一步的特徵是該等複數個的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]為圖5~圖8所示的線圈卷線構造設於濾波器單元54(IN)。
如圖4所示，構成第1給電線100(1)的初段LC低通濾波器104(1)的初段線圈108(1)之2個的空芯線圈單體A(1)，B(1)是由內側發熱線40(IN)側來看依序電性串連，空芯線圈單體A(1)是處於最初段的位置，亦即最接近濾波器端子T(1)的位置。又，構成第2給電線100(2)的初段LC低通濾波器104(2)的初段線圈108(2)之2個的空芯線圈單體A(2)，B(2)也是由內側發熱線40(IN)側來看依序電性串連，空芯線圈單體A(2)是處於最初段的位置，亦即最接近濾波器端子T(1)的位置。
在圖5及圖6中，濾波器單元54(IN)是具有由導電板所構成的箱狀罩蓋或外箱120，在該外箱120中收容濾波器構成零件的全部。特別是分別構成初段線圈108(1)，108(2)的2個空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]佔了外箱內空間的大部份，初段電容器110(1)，110(2)及次段LC低通濾波器106(1)，106(2)是被配置於角落的小空間。外箱120的材質是以磁氣的遮蔽能力高且防鏽佳之比透磁率高的不鏽鋼為佳。
各個的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]是除了具有從加熱器電源52(IN)流動充分大(例如30A)的電流至內側發熱線40(IN)的給電線的機能以外，還基於防止發熱(功率損失)的觀點，為了不具肥粒鐵等的磁芯而以空芯來取得非常大的電感，具有粗的線圈線及違反到目前為止的常識那樣大的線圈大小(例如直徑為22~45mm，長度150~250mm)。
此實施形態是在外箱120內無論空間性或機能性皆是有效率地安裝2個的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]全體。更詳細是第1及第2給電線100(1)，100(2)的第1段空芯線圈單體A(1)，A(2)彼此同心狀地安裝於靠外箱120的周圍方向的一方側面而立設的絕緣體例如由樹脂所構成的圓筒或圓柱狀的線軸(bobbin)114A。
在此，兩空芯線圈單體A(1)，A(2)相互間的卷線構造為特徵。亦即，分別構成兩空芯線圈單體A(1)，A(2)的線圈導線是沿著共通的線軸114A的外周面如圖7所示重疊於線軸軸方向而一邊並進一邊以相等的卷線長來卷成螺旋狀。兩空芯線圈單體A(1)，A(2)的各個線圈導線，如圖8所示，較理想是由具有同一剖面積的薄板或平角的銅線所構成，為了防止兩者間的短路，而以絕緣被覆例如鐵氟龍(註冊商標)軟管120來包覆一方的空芯線圈單體A(2)的線圈導線。
另一方面，兩給電線100(1)，100(2)的第2段空芯線圈單體B(1)，B(2)彼此是被同心狀地安裝於外箱120內的大致中心部所立設的另一支持軸114B。兩空芯線圈單體B(1)，B(2)相互間的卷線構造亦與上述兩空芯線圈單體A(1)，A(2)相互間的卷線構造相同，各線圈導線是沿著共通的線軸114B的外周面來重疊於線軸軸方向而一邊並進一邊以相等的卷線長來卷成螺旋狀。
如圖6所示，在第1段空芯線圈單體A(1)，A(2)的上端安裝有濾波器端子T(1)，T(2)，第1段空芯線圈單體A(1)，A(2)與第2段空芯線圈單體B(1)，B(2)是在下端側經由連接器導體122來結線。並且，第2段空芯線圈單體B(1)，B(2)與初段電容器110(1)，110(2)是在上端側經由連接器導體124來結線。連接器導體122，124亦可就那樣利用構成各線圈單體的線圈導線。
如上述般，此實施形態在安裝於共通的線軸之2系統的空芯線圈之間是線圈卷線的螺旋方向相同。亦即，一起安裝於線軸114A的第1系統亦即第1給電線100(2)的第1段空芯線圈單體A(1)與第2系統亦即第2給電線100(2)的第1段空芯線圈單體A(2)是構成該等的線圈卷線的螺旋方向相同。藉此，在兩空芯線圈單體A(1)，A(2)，從基座12經過內側發熱腺40(IN)及給電導體52(IN)而傳來的2個給電線上的高頻電流會以相同的螺旋方向來流動於同方向。此時，亦即若在兩空芯線圈單體A(1)，A(2)同時流動高頻電流，則分別貫通兩線圈單體的磁束具有朝同方向的關係，可在兩空芯線圈單體A(1)，A(2)之間取得結合常數為正的相互電感。同樣的，一起被安裝於線軸114B的第2段空芯線圈單體B(1)，B(2)之間，構成該等的線圈卷線的螺旋方向相同，可取得結合常數為正的相互電感。
又，安裝於共通的線軸之2系統的空芯線圈彼此之間，線圈徑及卷線長相等。亦即，被安裝於線軸114A的第1段的兩空芯線圈單體A(1)，A(2)是由同一材質及同一大小(粗度，長度)的導線所構成，皆具有以線軸114A的外徑所規定的線圈徑。而且，兩空芯線圈單體A(1)，A(2)是各個的線圈導線會交替重疊於線軸軸方向。被安裝於線軸114B的第2段的兩空芯線圈單體B(1)，B(2)也是由同一材質及同一大小(粗度，長度)的導線所構成，皆具有以線軸114B的外徑所規定的線圈徑，各個的線圈導線會交替重疊於線軸軸方向。
在如此的線圈卷線構造中，是在第1段的兩空芯線圈單體A(1)，A(2)之間，自我電感相等，且可取得最大的相互電感。同樣，在第2段的兩空芯線圈單體B(1)，B(2)之間，也是自我電感相等，且可取得最大的相互電感。這如後述般，在降低濾波器單元120的RF電力損失上，甚至降低RF功率損失的機差上重要。
又，此實施形態在水平方向相鄰接的線軸114A，114B之間是使線圈卷線的螺旋方向在各自的線圈中心部所發生的軸方向的磁場方向成相反。例如，使空芯線圈單體A(1)，A(2)之中磁力線在軸方向由上往下貫穿時，是使相鄰的空芯線圈單體B(1)，B(2)之中磁力線在軸方向由下往上貫穿。藉此，在被串連的第1段空芯線圈單體A(1)與第2段空芯線圈單體B(1)之間及第1段空芯線圈單體A(2)與第2段空芯線圈單體B(2)之間是具有高頻的電流會空間性地以相反的螺旋方向來流動於相反方向之的關係，藉此在線軸114A側的線圈單體A(1)，A(2)與線軸114B側的線圈單體B(1)，B(2)之間可取得結合常數為正的相互電感。此情況亦有助於降低濾波器單元120的RF電力損失。
如此，被收容於外箱120內的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]具有大的自我電感及極大的相互電感，藉此在以該等的空芯線圈單體所構成的初段線圈108(1)，108(2)中可容易實現5μH以上的合成電感。
另外，在本發明中基於極力減少RF電力損失的觀點，特別是第1段的空芯線圈單體A(1)，A(2)具有大的電感為理想。因此，如圖6所示，使第1段的空芯線圈單體A(1)，A(2)的卷線數比後段的空芯線圈單體B(1)，B(2)的卷線數形成更多。
又，初段線圈108(1)，108(2)實際上當然具有浮遊電容及損失部份(電阻)。極力縮小浮遊電容也是在降低初段線圈108的電力損失上形成重要的。基於如此的觀點，此實施形態是使構成初段線圈108(1)，108(2)的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]全部離外箱120的內壁面(接地電位面)10mm以上，藉此可將初段線圈108(1)，108(2)與接地電位部間的合成浮遊電容亦即合成對地浮遊電容在30pF以下。
另外，當加總多段連接的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]的各個電感後的總和電感為相同的值時，第1段的空芯線圈單體A(1)，A(2)的卷數越多，則全體的對地浮遊電容越小。又，加總多段連接的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]的各個對地浮遊電容後的總和對地浮遊電容為相同的值時，第1段的空芯線圈單體A(1)，A(2)的浮遊電容越小，則全體的對地浮遊電容越小。這是本發明者在模擬及實驗下確認者。
如上述般，增多第1段的空芯線圈單體A(1)，A(2)的卷線，或縮小該等的對地浮遊電容，在縮小初段線圈108(1)，108(2)全體的合成對地浮遊電容上效果最大。其意味，例如在第1段的空芯線圈單體A(1)，A(2)與外箱120之間特別是設定大的離間距離為理想。或，使第1段的空芯線圈單體A(1)，A(2)的卷數比後段的空芯線圈單體B(1)，B(2)的卷數儘可能形成更多為理想。
如圖5及圖6所示，接近第2段空芯線圈單體B(1)，B(2)，在外箱120的側壁例如安裝樹脂製的盒子126，在此盒子126之中收容次段LC低通濾波器106(1)，106(2)的全部，在該盒子126之下配置初段電容器110(1)，110(2)。在第2段空芯線圈單體B(1)，B(2)與盒子126之間設有兼具電磁屏蔽之接地電位的導體板128，在該導體板128上安裝初段電容器110(1)，110(2)。
在此實施形態的電漿蝕刻裝置中，由第1高頻電源28施加至基座12的高頻的一部份會從內側發熱體40(IN)傳於第1及第2給電線100(1)，100(2)而進入濾波器電路102(1)，102(2)。進入濾波器電路102(1)，102(2)的高頻電流是在初段LC低通濾波器104(1)，104(2)例如衰減至1/10以下，流進次段LC低通濾波器106(1)，106(2)的高頻電流非常小。因此，次段線圈112(1)，112(2)的電力損失是幾乎可無視的程度，亦可以小型附磁芯的線圈來構成次段線圈112(1)，112(2)。由於次段線圈112(1)，112(2)與近接的第2段空芯線圈單體B(1)，B(2)磁氣性地結合是最不理想，因此以導體板128來遮蔽。此導體板128可為與外箱120相同的材質。
如上述般，從基座12側傳於給電線100(1)，100(2)而進入濾波器電路102(1)，102(2)的高頻幾乎會在初段LC低通濾波器104(1)，104(2)衰減消失，隨之，波器電路102(1)，102(2)內的RF電力損失幾乎會在初段LC低通濾波器104(1)，104(2)產生。
本發明者是在此實施形態的電漿蝕刻裝置中，分別取初段線圈108(1)，108(2)的合成電感(L)及合成對地浮遊電容(C)作為橫軸及縱軸，模擬求取在濾波器電路102(1)，102(2)所產生的RF電力損失的全高頻功率(高頻電源28的輸出功率)所佔的比例亦即濾波器功率損失率(%)時，取得圖9所示的等高線圖。另外，上述合成電感(L)及合成對地浮遊電容(C)是由發熱體40側所見時的初段線圈108(1)，108(2)的外表的合成電感及合成對地浮遊電容。
如圖9所示，可知電感(L)的值越大，且浮遊電容(C)的值越小，則濾波器功率損失率(%)越小，在L為5μH以上，C為30pF以下的區域(以點線框所示的區域)是即使L，C的值變動，濾波器功率損失率(%)也會一定收於未滿4%。另一方面，在上述區域以外，不僅難以或不可能將濾波器功率損失率(%)收於未滿4%，且對於L或C的小變化，濾波器功率損失率(%)會大變化。
可是，在一般的電漿蝕刻中，製程性能的代表性指標之蝕刻速率的再現性容許值是偏差大概2%以下，為此濾波器功率損失率(%)必須為其2倍以下亦即大概4%以下。因此，若各初段線圈108(1)，108(2)的電感(L)為5μH以上，浮遊電容(C)為30pF以下，則可確實地解決蝕刻速率的再現性容許值。
在此實施形態中，藉由將濾波器單元54(IN)設為上述那樣的構成，可符合如此的L，C的數值條件。特別是在初段LC低通濾波器104(1)，104(2)是採用在被分別安裝於共通的線軸114A，114B之一對的空芯線圈單體[A(1)，A(2)]，[B(1)，B(2)]之間，自我電感相等，相互電感形成最大那樣的線圈卷線構造。
本發明者是以等效電路的模擬來求取此實施形態的電漿蝕刻裝置中，在第1給電線100(1)的初段線圈108(1)與第2給電線100(2)的初段線圈108(2)之間將卷線長的比改變於0.6~1.2的範圍內時的兩線圈108(1)，108(2)的合成阻抗(Z)及實電阻成份(R)時，取得圖10~圖15所示那樣的結果。
由此模擬結果可知，卷線長比為1時與除此以外時是實電阻成份(R)的頻率特性有顯著的差異。亦即，卷線長比為1以外，亦即0.6(圖10B)，0.8(圖11)，0.9(圖12)，1.1(圖14)，1.2(圖15)時，一樣在9MHz附近可見實電阻成份(R)異常增大成角狀的特性(Q)，相對的，卷線長比為1時(圖13)那樣的實電阻成份(R)的異常增大(Q)全然看不到。正好卷線長比離1越遠，則在9MHz附近的實電阻成份(R)的異常增大(Q)的程度越大，因此可想像卷線長比越接近1，則如此的異常增大(Q)會逐漸減少。並且，在卷線長比為1以外時，出現實電阻成份(R)的異常增大(Q)的頻率區域，圖示的例子是在9MHz附近，但對應於周圍的其他零件的構成或該等的頻率特性來變動者，亦即具有機差(裝置間的偏差)的情況亦為本發明者以實驗等確認。
另外，在上述模擬的頻率特性(圖10~圖15)中，卷線長比無論是如何的值，一樣在16MHz附近實電阻成份(R)為角狀地增大是因為兩線圈108(1)，108(2)持有並列共振特性的當然現象，非不定(異常)的特性。
在濾波器單元54(IN)內的初段線圈108(1)，108(2)中可見實電阻成份(R)的頻率特性伴隨上述那樣的機差(裝置間的偏差)之不定的異常增大(Q)時，在濾波器功率損失率增大的方向上不定地變動，製程性能的再現性會降低。然而，此實施形態是如上述般在初段線圈108(1)，108(2)中採用安定確實地符合卷線長比1的條件之線圈卷線構造，因此可確實地防止在實電阻成份(R)的頻率特性出現不定的異常增大(Q)，將濾波器功率損失率壓制在容許值以下，進而能夠改善製程性能的再現性。
以上是說明有關較佳的實施形態，但本發明並非限於上述實施形態，可在其技術思想的範圍內實施各種的變形。
例如，圖16及圖17是表示本發明的線圈卷線構造的變形例。圖16所示的線圈卷線構造是在共通的線軸114上以同一線圈徑來裝著2系統的線圈A，B，且將兩線圈A，B的卷線長比設成1的點是與上述實施形態相同，但兩線圈A，B的線圈導線彼此並非是在線軸軸方向交替重疊的構成，在兩線圈A，B間不能取得最大的相互電感。又，圖17所示的線圈卷線構造是將2系統的線圈A，B裝著於共通的線軸114，且將兩線圈A，B的卷線長比設成1的點是與上述實施形態相同，但兩線圈A，B的直徑相異，且各個線圈導線彼此並非是在線軸軸方向交替重疊的構成。因此，兩線圈A，B的自我電感不同，相互電感非最大。
如圖16及圖17所示的線圈卷線構造，因為欠缺上述實施形態所應符合的要件的一部份，所以實電阻成份(R)的頻率特性或濾波器功率損失率甚至使製程性能的再現性提升的效果會降低或減半。
又，上述實施形態的電漿蝕刻裝置是在基座半徑方向將設於基座12的發熱體40予以2分割成內側的發熱線40(IN)及外側的發熱線40(OUT)，但亦可為非分割或一體型者，該情況加熱器電源及給電線也可為1系統。
又，上述實施形態是在濾波器單元54(IN)，54(OUT)中，將初段線圈108(1)，108(2)分別分割成2個的空芯線圈單體[A(1)，B(1)]，[A(2)，B(2)]。但，亦可將初段線圈108(1)，108(2)例如分別分割成3個的空芯線圈單體[A(1)，B(1)，C(1)]，[A(2)，B(2)，C(2)]，或亦可僅以1個的空芯線圈單體A(1)，A(2)來分別構成。
又，濾波器電路102(1)，102(2)的電路構成亦可為各種的變形，例如亦可為在次段的LC低通濾波器106(1)，106(2)的後段縱連接第3段的LC低通濾波器之構成。
上述實施形態是將電漿生成用的第2高頻(60MHz)施加於淋浴頭(上部電極)64，但將第2高頻重疊於第1高頻(13.56MHz)來施加於基座12的下部雙頻施加方式亦可適用本發明。而且，上部電極64未施加高頻，只對基座12施加第1高頻(13.56MHz)的下部單頻施加方式亦可。並且，施加於基座12的第1高頻並非限於13.56MHz，當然其他的頻率也可使用。使用於濾波器單元52的外箱120並非限於密閉的管體構造，一部份開口也無妨。
上述實施形態是有關用以在電性連接設於處理室10內的基座12的發熱體40與設於處理室10外的加熱器電源58之一對的加熱器給電線100(1)，100(2)中使離子引入用的第1高頻的雜訊衰減之濾波器電路。但，本發明決非限於如此的電源線濾波器，亦可適用於電性連接設於處理室內的所定電氣零件與設於處理室外的電力系或信號系的外部電路之一對的線路上所設置的任意濾波器電路。因此，藉由該濾波器電路所應衰減或遮斷的高頻也可任意地選定，例如可為主要有助於電漿生成的高頻，或作為非線形電路之自電漿發生的高次諧波或互調失真(IMD：intermodulation distortion)的高次諧波。
又，本發明並非限於電漿蝕刻裝置，亦可適用於電漿CVD、電漿氧化、電漿氮化、濺射等其他的電漿處理裝置。又，本發明的被處理基板並非限於半導體晶圓，亦可為平板顯示器用的各種基板、或光罩、CD基板、印刷基板等。
10．．．處理室(處理容器)
12．．．基座(下部電極)
24．．．排氣裝置
28．．．第1高頻電源
40．．．發熱體
40(IN)．．．內側發熱線
40(OUT)．．．外側發熱線
54(IN)，54(OUT)．．．濾波器單元
58(IN)，58(OUT)．．．加熱器電源
64．．．淋浴頭(上部電極)
74．．．處理氣體供給部
100(1)．．．第1給電線
100(2)．．．第2給電線
102(1)．．．第1電源線濾波器
102(2)．．．第2電源線濾波器
104(1)，104(2)．．．初段LC低通濾波器
106(1)，106(2)．．．次段LC低通濾波器
108(1)，108(2)．．．初段線圈
110(1)，110(2)．．．初段電容器
A(1)，A(2)．．．第1段空芯線圈單體
B(1)，B(2)．．．第2段空芯線圈單體
圖1是表示本發明之一實施形態的電漿處理裝置的構成縱剖面圖。
圖2是表示在實施形態中用以對基座的發熱體供給電力的給電部的電路構成。
圖3是表示實施形態的發熱體的構成例。
圖4是表示實施形態的初段線圈的電路構成。
圖5是表示實施形態的濾波器單元內的主要構成平面圖。
圖6是表示實施形態的濾波器單元內的主要構成的大致剖面圖。
圖7是表示在實施形態中被裝於共通的線軸之2系統的空芯線圈的線圈卷線構造的立體圖。
圖8是表示實施形態的線圈卷線構造之一部份剖面立體圖。
圖9是表示實施形態的初段線圈的電感及浮遊電容與濾波器功率損失率(%)的關係。
圖10A是表示在實施形態的線圈卷線構造中將初段線圈的線圈卷線比設為0.6時的阻抗的頻率特性。
圖10B是表示在實施形態的線圈卷線構造中將初段線圈的線圈卷線比設為0.6時的實電阻成份的頻率特性。
圖11是表示在實施形態的線圈卷線構造中將初段線圈的線圈卷線比設為0.8時的阻抗及實電阻成份的頻率特性。
圖12是表示在實施形態的線圈卷線構造中將初段線圈的線圈卷線比設為0.9時的阻抗及實電阻成份的頻率特性。
圖13是表示在實施形態的線圈卷線構造中將初段線圈的線圈卷線比設為1時的阻抗及實電阻成份的頻率特性。
圖14是表示在實施形態的線圈卷線構造中將初段線圈的線圈卷線比設為1.1時的阻抗及實電阻成份的頻率特性。
圖15是表示在實施形態的線圈卷線構造中將初段線圈的線圈卷線比設為1.2時的阻抗及實電阻成份的頻率特性。
圖16是表示本發明的線圈卷線構造之一變形例。
圖17是表示本發明的線圈卷線構造的其他變形例。
56(IN)．．．電纜
110(1)，110(2)．．．初段電容器
114A．．．線軸
114B．．．支持軸
120．．．外箱
122，124．．．連接器導體
126．．．盒子
128．．．導體板
A(1)，A(2)．．．第1段空芯線圈單體
B(1)，B(2)．．．第2段空芯線圈單體
T(1)，T(2)．．．濾波器端子

Claims (17)

  1. 一種電漿處理裝置，係於第1及第2給電線設置用以使經由發熱體進入而來的高頻之雜訊衰減的濾波器電路，該第1及第2給電線係用以電性連接對配設於可減壓的處理容器內的第1電極輸出第1高頻的第1高頻電源，且電性連接設於上述第1電極的發熱體與加熱器電源，其特徵為：在上述第1及第2給電線上由上述發熱體來看在上述濾波器電路的初段分別設有第1及第2空芯線圈，分別構成上述第1及第2空芯線圈的第1及第2線圈導線係沿著共通的線軸的外周面一邊並進一邊以大致相等的卷線長來卷成螺旋狀，上述第1及第2線圈導線係交替重疊於上述線軸的軸方向。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，上述第1及第2線圈導線的至少一方係以絕緣體所被覆。
  3. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中，上述第1及第2線圈導線係由平角或薄板的銅線所構成。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之電漿處理裝置，其中，具有包圍或收容上述初段線圈而被接地的導電性外箱。
  5. 如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置，其中，上述初段線圈係於上述外箱內空間性地並置，被分割成電性串連的複數個空芯線圈單體。
  6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，其中，在上述複數個的空芯線圈單體之中，位於最初段的空芯線圈單體具有比其他所有的空芯線圈單體更大的電感。
  7. 如申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，其中，在上述複數個的空芯線圈單體之中，位於最初段的空芯線圈單體具有比其他所有的空芯線圈單體更小的浮遊電容。
  8. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之電漿處理裝置，其中，上述發熱體係經由絕緣體來埋入至上述第1電極的主面。
  9. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之電漿處理裝置，其中，上述第1電極為下部電極，在其上載置被處理體。
  10. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之電漿處理裝置，其中，在上述處理容器內具有隔著所望的間隙來與上述第1電極平行對向的第2電極。
  11. 如申請專利範圍第10項之電漿處理裝置，其中，輸出比上述第1高頻更高頻率的第2高頻之第2高頻電源係被電性連接至上述第2電極。
  12. 一種電漿處理裝置，係為了在可減壓的處理容器內使用高頻的電漿處理，具有設於上述處理容器外的電力系或信號系的外部電路，其係經由第1及第2線路來電性連接至設於上述處理容器內的所定電氣零件，藉由設於上述第1及第2線路上的濾波器電路使經由上述電氣零件進入上述第1及第2線路而來的高頻之雜訊衰減，其特徵 為：在上述第1及第2給電線上由上述電氣零件來看在上述濾波器電路的初段分別設有第1及第2空芯線圈，分別構成上述第1及第2空芯線圈的第1及第2線圈導線係沿著共通的線軸的外周面一邊並進一邊以大致相等的卷線長來卷成螺旋狀，上述第1及第2線圈導線係交替重疊於上述線軸的軸方向。
  13. 如申請專利範圍第12項之電漿處理裝置，其中，上述第1及第2線圈導線的至少一方係以絕緣體所被覆。
  14. 如申請專利範圍第13項之電漿處理裝置，其中，上述第1及第2線圈導線係由平角或薄板的銅線所構成。
  15. 如申請專利範圍第12~14項中的任一項所記載之電漿處理裝置，其中，上述濾波器電路係於上述處理容器內主要使有助於處理氣體的電漿生成的高頻之雜訊選擇性地衰減。
  16. 如申請專利範圍第12~14項中的任一項所記載之電漿處理裝置，其中，上述濾波器電路係於上述處理容器內主要使有助於從電漿引入離子至被處理體的高頻之雜訊選擇性地衰減。
  17. 如申請專利範圍第12~14項中的任一項所記載之電漿處理裝置，其中，上述濾波器電路係是在上述處理容 器內的電漿所發生的高次諧波或互調失真的高頻之雜訊選擇性地衰減。
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