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TWI471314B - 製備對掌性３－三唑基亞碸衍生物之方法 - Google Patents

製備對掌性３－三唑基亞碸衍生物之方法 Download PDF

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TWI471314B
TWI471314B TW99123228A TW99123228A TWI471314B TW I471314 B TWI471314 B TW I471314B TW 99123228 A TW99123228 A TW 99123228A TW 99123228 A TW99123228 A TW 99123228A TW I471314 B TWI471314 B TW I471314B
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TW99123228A
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TW201116517A (en
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Stefan Antons
Norbert Lui
Wahed Ahmed Moradi
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Bayer Cropscience Ag
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    • C07D249/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
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    • C07D249/08—1,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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Description

製備對掌性3-三唑基亞碸衍生物之方法
本發明係有關製備呈鏡像異構物純型或鏡像異構物富集型之3-三唑基亞碸衍生物之催化方法。
3-三唑基亞碸類之化學合成法已見述於文獻，惟係導向產生消旋混合物(WO 1999/055668)。
鏡像異構物純型對掌性亞碸類及對應衍生物在製藥及農業化學工業上具極大重要性。此等化合物可進一步處理，俾使專一性地提供藥劑或化學作物保護劑之生物活性之鏡像異構物；如此不僅排除製備過程中之廢料，亦避免會從不為所欲之鏡像異構物產生潛在有害之副作用(Nugent et al.,Science 1993 ,259 ,479；Noyori et al.,CHEMTECH 1992 ,22 ,360)。
對掌性亞碸類之鏡像選擇合成法已於文獻中敘述。敘述此方法之回顧文章見述於，例如，H. B. Kagan之"Catalytic Asymmetric Synthesis"；I. Ed. VCH: New York1993 ,203-226；Ojima N. Khiar之Chem .Rev .2003 ,103 ,3651-3705；K. P. Bryliakov之Current Organic Chemistry 2008 ,12 ,386-404。除了習知用於合成對掌性亞碸類之金屬催化法外，文獻中亦敘述酵素及層析法製程(K. Kaber之"Biotransformations in Organic Synthesis",Springer Ed. 3rd ed.1997 ；H. L. Holland,Nat. Prod. Rep .,2001 ,18 ,171-181)。彼等酵素法明顯地具基質專一性，此外，於工業上實施時極為價昻且不方便。舉例而言，單加氧酶與過氧化酶係能將許多硫化物催化成為亞碸類之重要酵素類別(S. Colonna et al.,Tetrahedron Asymmetry 1993 ,4 ,1981)。然而，已發現該酵素氧化反應之立體化學成果主要取決於硫化物結構。
硫醚類之鏡像選擇氧化反應常用方法為針對已知使用對掌性鈦錯合物進行Sharpless環氧化法(J. Am. Chem. Soc. 1984 ,106 ,8188-8193)之Kagan修飾方法。此包括使由Ti(OPri )4 與(+)-或(-)-二乙基酒石酸酯(DET)及一當量水組成之對掌性鈦錯合物"失活"，並催化芳烷基硫化物之鏡像選擇硫化物氧化反應。然而，使用具有Ti(OPri )4 /DET/H2 O混合比=1:2:1與有機過氧化物(例如氫過氧化第三丁基)之Kagan試劑可達成很好結果。所述鈦錯合物之良好鏡像選擇性伴隨著低催化活性(其描繪基質與觸媒間之必要比率)。利用此方法，可達成簡單芳烷基硫化物(例如芳基甲基硫化物)成為光學活性亞碸類之直接氧化反應。頃發現，於彼等條件下，例如官能化烷基硫化物之不對稱氧化以適度鏡像選擇性進行。
Pasini等人能以少量對掌性酮基鈦(IV)希夫(Schiff)鹼及過氧化氫氧化苯甲基硫化物，惟僅帶著貧乏之鏡像異構物過量(ee-值<20%)(Gaz. Chim. Ital. 1986 ,116 ,35-40)。Colona等人敘述使用N -柳基-L -胺基酸的對掌性鈦錯合物之類似經驗(Org. Bioorg. Chem. 1987 ,71-71)。此外，鈦催化方法造成很複雜之後續處理，就工業規模之經濟程序而言很不利。
另外的方法係基於以釩(IV)希夫鹼作為硫化物氧化反應之有效觸媒。該對掌性觸媒係以對掌性胺基醇類的希夫鹼之VO(acac)2 進行原位製備(Synlett 1998, 12 ,1327-1328；Euro. J. Chem. 2009 , 2607-2610)。然而，此方法僅侷限於簡單及未氟化之芳烷基硫醚，例如對甲苯基甲基硫化物。
迄今，以文獻方法呈消旋型獲得之3-三唑基亞碸類之鏡像異構物，係於對掌相上以HPLC利用複雜分離程序獲得。然而，於對掌性固定相上，鏡像異構物之層析分離通常不適用於相對大量，僅對相對少量活性成分有用。再者，尤其就製備規模而言，由於彼等材料成本高及大量投資時間，因此於對掌相上使用HPLC極為昂貴。
因此，對於特別是可以工業規模進行之催化方法存在急迫需求。本發明之目的因而在於提供此等催化方法，此方法除了工業施行性外，亦確保價廉、產量好及鏡像異構物比變異。
鑑於上述缺點及問題，對於簡化、於工業上及經濟上可施行、用於經取代、氟化之3-三唑基亞碸衍生物之鏡像選擇性硫化物氧化反應的催化方法有急迫需求。以此期盼方法製得之3-三唑基亞碸衍生物最好應以高產量及高純度獲得。更特別地，此期盼方法應賦能期盼之目標化合物不需以複雜純化方法(對掌性層析法)獲得。
鏡像異構物之分離以及呈鏡像異構物純型或呈鏡像異構物富集型之具對掌性亞碸基團之3-三唑基亞碸衍生物之合成迄今尚未見述。
根據本發明，藉由製備下述式(I)之3-三唑基亞碸衍生物之方法達成上述目的：
式中X1 與X2 各自獨立地為氟、氯、溴、氫、(C1 -C12 )烷基、(C1 -C12 )鹵烷基，Y1 與Y2 各自獨立地為氟、氯、溴、氫、(C1 -C12 )烷基、(C1 -C12 )鹵烷基，R1 與R2 各自獨立地為氫、(C1 -C12 )烷基、(C1 -C12 )鹵烷基、氰基、鹵素、硝基，R3 為氫、(C1 -C12 )烷基、胺基、硝基、NH(CO)(C1 -C12 )烷基、N=CR’R其中R、R’各自獨立地為氫、(C1 -C12 )烷基、芳基，其特徵為使式(II)之硫化物
式中X1 、X2 、Y1 、Y2 、R1 、R2 與R3 各如上文所界定於對掌性觸媒及氧化劑存在下被轉化。
上述式(I)中所示X1 、X2 、Y1 、Y2 、R1 、R2 與R3 基團之較佳、特佳及非常特佳之界定於下文。
X1 、X2 、Y1 與Y2 較佳為各自獨立地為氟、氯、氫、(C1 -C12 )烷基、(C1 -C12 )鹵烷基，R1 與R2 較佳為各自獨立地為氟、氯、氫、(C1 -C12 )烷基，R3 較佳為氫、(C1 -C12 )烷基、胺基，X1 與X2 、Y1 與Y2 更佳為各自獨立地為氟、氯、氫、(C1 -C12 )鹵烷基，R1 與R2 更佳為各自獨立地為氟、氫、(C1 -C6 )烷基，R3 更佳為氫、胺基，X1 與X2 、Y1 與Y2 最佳為各自獨立地為氟、氫、(C1 -C6 )鹵烷基。
R1 與R2 最佳為各自獨立地為氟、甲基，R3 最佳為氫。
令人驚奇地，式(I)之對掌性3-三唑基亞碸衍生物可於本發明條件下，以高產量高純度製備，亦即根據本發明之方法未具有與先前技藝相關敘述之缺點。
根據該等製備條件，以根據本發明方法形成鏡像異構物比為50.5:49.5至99.5:0.5(+):(-)-鏡像異構物或(-):(+)-鏡像異構物之式(I)化合物。
若需要，則可利用不同方法增加鏡像異構物純度。此等製程為熟習此項技藝者已知，且包括尤其是於有機溶劑或有機溶劑與水的混合物中之優先結晶法。
根據本發明之方法可利用下述反應圖式(I)說明：
反應圖式(I)
式中X1 、X2 、Y1 、Y2 、R1 、R2 、R3 各如上文所界定。
一般界定
於本發明上下文中，除非另行界定，否則"鹵素"(Hal)一詞涵蓋選自由氟、氯、溴與碘組成之組群之彼等元素，較佳為使用氟、氯與溴及特佳為使用氟與氯。
視需要經取代之基團可為經單取代或多取代，以及多取代之情形下，取代基可相同或不同。
經一或多個鹵原子(-Hal)取代之烷基為，例如，選自三氟甲基(CF3 )、二氟甲基(CHF2 )、CF3 CH2 、ClCH2 、CF3 CCl2 。
於本發明上下文中，除非另行界定，否則烷基基團為線型、分支鏈或環狀飽和烴基團。
"C1 -C12 -烷基"之界定涵蓋本文中烷基基團界定之最寬廣範圍。具體而言，此界定涵蓋，例如，甲基、乙基、正-、異-丙基、正-、異-、第二-與第三-丁基、正戊基、正己基、1,3-二甲基丁基、3,3-二甲基丁基、正庚基、正壬基、正癸基、正十一基、正十二基等意義。
於本發明上下文中，除非另行界定，否則芳基基團為可具有選自O、N、P與S之一、二或多個雜原子之芳族烴基團。
具體而言，此界定涵蓋，例如，環戊二烯基、苯基、環庚三烯基、環辛四烯基、萘基與蒽基(anthracenyl)；2-呋喃基、3-呋喃基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-吡咯基、3-吡咯基、3-異唑基、4-異唑基、5-異唑基、3-異噻唑基、4-異噻唑基、5-異噻唑基、3-吡唑基、4-吡唑基、5-吡唑基、2-唑基、4-唑基、5-唑基、2-噻唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、1,2,4-二唑-3-基、1,2,4-二唑-5-基、1,2,4-噻二唑-3-基、1,2,4-噻二唑-5-基、1,2,4-三唑-3-基、1,3,4-二唑-2-基、1,3,4-噻二唑-2-基與1,3,4-三唑-2-基；1-吡咯基、1-吡唑基、1,2,4-三唑-1-基、1-咪唑基、1,2,3-三唑-1-基、1,3,4-三唑-1-基；3-嗒基、4-嗒基、2-嘧啶基、4-嘧啶基、5-嘧啶基、2-吡基、1,3,5-三-2-基與1,2,4-三-3-基等意義。
於本發明上下文中，除非另行界定，否則烷芳基基團為經烷基取代且具有伸烷基鏈及於芳基骨架可具有一或多個選自O、N、P與S的雜原子之芳基基團。
可用於此反應之氧化劑不受任何特別規定；可使用能將對應之硫化合物氧化成為亞碸化合物之氧化劑。用於製備亞碸之適當氧化劑為，例如，無機過氧化物如過氧化氫，或有機過氧化物如烷基氫過氧化物與芳烷基氫過氧化物；較佳氧化劑為過氧化氫。氧化劑對硫化物之莫耳比在0.9:1至4:1之範圍內，較佳為介於1.2:1與2.5:1之間。
對掌性金屬-配位體錯合物係由對掌性配位體及過渡金屬化合物製備。
過渡金屬衍生物較佳為釩衍生物、鉬衍生物、鋯衍生物、鐵衍生物、錳衍生物與鈦衍生物，極較佳為釩衍生物。彼等衍生物，舉例而言，可呈過渡金屬(IV)鹵化物、過渡金屬(IV)烷氧化物或過渡金屬(IV)乙醯丙酮鹽使用。
對掌性配位體係能，例如，與釩衍生物反應之對掌性化合物。此等化合物較佳為選自對掌性醇類。較佳之對掌性配位體同樣地包括式(III)與(IV)之希夫鹼：
其中，於式(III)中，R4 與R5 各自獨立地為氫、(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷基苯基、苯基、鹵素、氰基、硝基、氰基(C1 -C6 )烷基、羥基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧羰基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧基(C1 -C6 )烷基，R6 為(C1 -C6 )烷基、經鹵素-、氰基-、硝基-、胺基-、羥基-或苯基-取代之(C1 -C6 )烷基、羧基、羰基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧羰基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧基、二(C1 -C6 )烷氧基(C1 -C6 )烷基，R7 為氫、(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷基苯基、芳基、芳基(C1 -C6 )烷基，較佳為第三丁基、苄基、苯基，及對掌性碳原子以*標出，其中，於式(IV)中，R8 為氫、(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷基苯基、苯基、鹵素、氰基、硝基、氰基(C1 -C6 )烷基、羥基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧羰基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧基(C1 -C6 )烷基，R9 與R10 各自為氫、(C1 -C6 )烷基，苯基，其中R9 與R10 可形成橋鍵，及對掌性碳原子以*標出。
彼等希夫鹼可形成對掌性金屬-配位體錯合物，已知為對掌性(salen)-金屬錯合物。該對掌性錯合物之化學計量可有所不同，且對本發明而言並不具關鍵性。
相較於硫化物，所用對掌性金屬-配位體錯合物之量在0.001至10莫耳%，較佳為0.1至5莫耳%，最佳為1至4莫耳%之範圍內。可能更多地使用對掌性金屬-配位體錯合物，但經濟上不可行。
對掌性過渡金屬錯合物係利用過渡金屬衍生物與對掌性錯合物配位體單獨或於硫化物存在下反應而獲得。
式(II)硫化物成為具式(I)之化合物之轉化反應可於溶劑存在下進行。適當溶劑包括，特別是：THF、二烷、二乙醚、二乙二醇二甲醚(diglyme)、甲基第三丁基醚(MTBE)、第三戊基甲基醚(TAME)、二甲醚(DME)、2-甲基-THF、乙腈、丁腈、甲苯、二甲苯類、三甲苯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、醇類例如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、鹵烴與芳族烴尤其是氯烴例如四氯乙烯、四氯乙烷、二氯丙烷、二氯甲烷、二氯丁烷、氯仿、四氯化碳、三氯乙烷、三氯乙烯、五氯乙烷、二氟苯、1,2-二氯乙烷、氯苯、溴苯、二氯苯、氯甲苯、三氯苯；4-甲氧苯、氟化之脂肪族與芳族例如三氯三氟乙烷、三氟甲苯、4-氯三氟甲苯、與水。亦可使用溶劑混合物。
此外亦有觀察指出，鏡像異構物比不僅可經由觸媒系調控，亦可經由溶劑調控。
影響鏡像異構物比之進一步因素，除了氧化劑，亦包括溫度。
測定鏡像異構物過量之適當方法為熟習此項技藝者所熟知。實例包括於對掌性固定相上進行HPLC及以對掌性位移試劑進行NMR研究。
反應通常在介於-80℃與200℃間，較佳為介於0℃與140℃間，最佳為介於10℃與60℃間之溫度下，及於至多達100巴之壓力，較佳為介於標準壓力與40巴間之壓力下進行。
式(II)硫醚之製備見述於，例如，WO 1999/055668中，或可以相似方法進行。
配位體係利用已知方法進行製備(Adv. Synth. Catal. 2005 ,347 ,1933-1936)。
具式(I)之所需化合物，舉例而言，可利用接續之萃取及再結晶予以分離。
利用隨後之實例詳細說明本發明，惟彼等實例不擬被解釋為對本發明有所侷限。
以根據本發明方法獲得之產物，其具有鏡像異構物比為50.5:49.5至99.5:0.5，較佳為60:40至95:5，更佳為75:25至90:10之(+):(-)-鏡像異構物或(-):(+)-鏡像異構物，最佳為(+):(-)-鏡像異構物。因此，根據本發明較佳者為具有過量(+)-鏡像異構物於詳述範圍內之鏡像異構物比者。
鏡像異構物過量因此可為介於0% ee與99% ee之間。鏡像異構物過量係化合物鏡像異構物純度之間接測定法，以及記述純鏡像異構物在混合物中之比率，其餘部分為化合物之消旋體。
若需要，則隨後使用或不用溶劑予以結晶化於相當程度上可增加鏡像異構物過量。此等方法為熟習此項技藝者已知，且包括尤其自有機溶劑或有機溶劑與水的混合物之較佳結晶法。
 製備例： 實例1:(+)-1-{2,4-二甲基-5-[(2,2,2-三氟乙基)亞磺醯基]苯基}-3-(三氟甲基)-1H-1,2,4-三唑之合成
於三頸燒瓶中，使10.3克(27.54毫莫耳，95%純度)1-{2,4-二甲基-5-[(2,2,2-三氟乙基)硫烷基]苯基}-3-(三氟甲基)-1H-1,2,4-三唑與145.8毫克(0.55毫莫耳)乙醯丙酮釩溶於36毫升氯仿中，並攪拌10分鐘。隨後，添加275.8毫克(0.825毫莫耳)(S)-(2,4-二-第三丁基-6-{(E)-[(1-羥基-3,3-二甲基丁-2-基)亞胺基]甲基}苯酚。10分鐘後，以6小時計量供給5.66克(50毫莫耳)30% H2 O2 。利用HPLC監測轉化進展。經4小時反應時間後，計量供給於4毫升氯仿中之另外145.8毫克(0.55毫莫耳)乙醯丙酮釩與275.8毫克(2,4-二-第三丁基-6-{(E)-[(1-羥基-3,3-二甲基丁-2-基)亞胺基]甲基}苯酚。隨後，相繼添加40毫升氯仿、20毫升水與20毫升硫代硫酸鹽溶液。移除水相後，有機相以水洗滌，並以Na2 SO4 乾燥，以及在減壓下蒸發溶劑。如此得到帶有2.81%碸含量之10.84克(+)-1-{2,4-二甲基-5-[(2,2,2-三氟乙基)亞磺醯基]苯基}-3-(三氟甲基)-1H-1,2,4-三唑(產率98%，HPLC純度93.1%)之灰褐色結晶。鏡像異構物過量經對掌相上之HPLC測定(Daicel Chiracel OJ-RH 150)，比值為16.34:83.66。
鏡像異構物比於，例如，以CHCl3 結晶化後，增進為3.39:96.61。
表1： 於不同條件下，1-{2,4-二甲基-5-[(2,2,2-三氟乙基)硫烷基]苯基}-3-(三氟甲基)-1H-1,2,4-三唑之氧化：
表2： 使用不同觸媒之1-{2,4-二甲基-5-[(2,2,2-三氟乙基)硫烷基]苯基}-3-(三氟甲基)-1H-1,2,4-三唑之氧化：
實例2：3-(二氟甲基)-1-{2,4-二甲基-5-[(2,2,2-三氟乙基)亞磺醯基]苯基}-1H-1,2,4-三唑
與實例1相似地，使用
3-(二氟甲基)-1-{2,4-二甲基-5-[(2,2,2-三氟乙基)硫烷基]苯基}-1H-1,2,4-三唑獲得
3-(二氟甲基)-1-{2,4-二甲基-5-[(2,2,2-三氟乙基)亞磺醯基]苯基}-1H-1,2,4-三唑。
鏡像異構物過量經對掌相上之HPLC測定(Daicel Chiracel OJ-RH 150)，比值為7.37:92.63。
實例3：1-{5-[(2,2-二氟乙基)亞磺醯基]-2,4-二甲基苯基}-3-(二氟甲基)-1H-1,2,4-三唑
與實例1相似地，使用
1-{5-[(2,2-二氟乙基)硫烷基]-2,4-二甲基苯基}-3-(二氟甲基)-1H-1,2,4-三唑獲得
1-{5-[(2,2-二氟乙基)亞磺醯基]-2,4-二甲基苯基}-3-(二氟甲基)-1H-1,2,4-三唑。
鏡像異構物過量經對掌相上之HPLC測定(Daicel Chiracel OJ-RH 150)，比值為19.97:80.03。

Claims (8)

  1. 一種用於製備式(I)3-三唑基亞碸之方法 式中X1 與X2 各自獨立地為氟、氯、溴、氫、(C1 -C12 )烷基、(C1 -C12 )鹵烷基，Y1 與Y2 各自獨立地為氟、氯、溴、氫、(C1 -C12 )烷基、(C1 -C12 )鹵烷基，R1 與R2 各自獨立地為氫、(C1 -C12 )烷基、(C1 -C12 )鹵烷基、氰基、鹵素、硝基，R3 為氫、(C1 -C12 )烷基、胺基、硝基、NH(CO)(C1 -C12 )烷基、N=CR’R其中R、R’各自獨立地為氫、(C1 -C12 )烷基、芳基，且其中該亞碸呈鏡像異構物純型或富含(+)或(-)鏡像異構物之鏡像異構物富集型，其包含 使式(II)之硫化物 式中X1 、X2 、Y1 、Y2 、R1 、R2 與R3 各如上文所界定，在溶劑中，於對掌性觸媒存在下及10℃至60℃間之反應溫度下與氧化劑反應，其中氧化劑為過氧化氫；且對掌性觸媒為對掌性金屬-位體錯合物，其包含過渡金屬及對掌性配位體，其中過渡金屬為釩、鐵或錳。
  2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其特徵為鏡像異構物比為50.5：49.5至99.5：0.5(+)：(-)或(-)：(+)-鏡像異構物。
  3. 根據申請專利範圍第1及2項中任一項之方法，其特徵為鏡像異構物比為50.5：49.5至99.5：0.5(+)：(-)鏡像異構物。
  4. 根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵為X1 與X2 、Y1 與Y2 各自獨立地為氟、氯、氫、(C1 -C12 )鹵烷基，R1 與R2 各自獨立地為氟、氫、(C1 -C6 )烷基， R3 為氫、胺基。
  5. 根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵為X1 與X2 、Y1 與Y2 各自獨立地為氟、氫、(C1 -C6 )鹵烷基，R1 與R2 各自獨立地為氟、甲基，R3 為氫。
  6. 根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵為所用對掌性觸媒為對掌性金屬-配位體錯合物，其中該金屬係過渡金屬及該配位體係式(III)或(IV)之化合物 其中，於式(III)中，R4 與R5 各自獨立地為氫、(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷基苯基、苯基、鹵素、氰基、硝基、氰基(C1 -C6 )烷基、羥基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧羰基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧基(C1 -C6 )烷基，R6 為(C1 -C6 )烷基、經鹵素-、氰基-、硝基-、胺基-、羥基-或苯基-取代之(C1 -C6 )烷基、羧基、羰基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧羰基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧基、二(C1 -C6 )烷氧基(C1 -C6 )烷基， R7 為氫、(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷基苯基、芳基、芳基(C1 -C6 )烷基，較佳為第三丁基、苄基、苯基，及對掌性碳原子以*標出，其中，於式(IV)中，R8 為氫、(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷基苯基、苯基、鹵素、氰基、硝基、氰基(C1 -C6 )烷基、羥基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧羰基(C1 -C6 )烷基、(C1 -C6 )烷氧基(C1 -C6 )烷基，R9 與R10 各自為氫、(C1 -C6 )烷基，苯基，其中R9 與R10 可形成橋鍵，及對掌性碳原子以*標出。
  7. 根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵為於反應之後，在有機溶劑或有機溶劑與水混合物中進行結晶化。
  8. 一種鏡像異構物富集之式(I)3-三唑基亞碸， 式中X1 與X2 及Y1 與Y2 各自獨立地選自由氟、氫及(C1 -C6 )鹵烷 基組成之群組，R1 與R2 各自獨立地選自由氟及甲基組成之群組，且R3 為胺基，其中鏡像異構物比例為60：40至99.5：0.5(+)：(-)鏡像異構物，及其中該式(I)3-三唑基亞碸利用下述方法製備，該方法包含使式(II)之硫化物 式中X1 、X2 、Y1 、Y2 、R1 、R2 與R3 各如上文所界定，在溶劑中，於對掌性觸媒存在下及10℃至60℃間之反應溫度下與氧化劑反應，其中氧化劑為過氧化氫；且對掌性觸媒為對掌性金屬-位體錯合物，其包含過渡金屬及對掌性配位體，其中過渡金屬為釩、鐵或錳。
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