TWI470365B - A moving body device, an exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method - Google Patents

Description

移動體裝置、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法

本發明係關於移動體裝置、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法，進一步詳言之，係關於包含可沿二維平面移動之移動體之移動體裝置、包含該移動體裝置之曝光裝置及利用移動體裝置之曝光方法、以及使用前述曝光裝置或曝光方法之元件製造方法。

一直以來，於製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等電子元件(微元件)之微影製程，主要係使用步進重複(step ＆ repeat)方式之投影曝光裝置(所謂之步進機)、步進掃描(step ＆ scan)方式之投影曝光裝置(所謂之掃描步進機(亦稱掃描機))等。

此種曝光裝置，一般，皆係使用雷射干涉儀來測量用以保持待轉印、形成圖案之晶圓或玻璃板等基板(以下，統稱為晶圓)2維移動之微動載台之位置。然而，隨著近年來半導體元件高積體化之圖案微細化，要求具有更進一步之高精度的微動載台之位置控制性能，其結果，變得無法忽視雷射干涉儀之光束路上之環境氣氣氛之温度變化及/或温度梯度之影響所產生之空氣波動所造成之測量值之短期變動。

作為改良上述不良之方法，提出有各種採用與雷射干涉儀同程度以上之測量分解能力之編碼器來作為微動載台之位置測量裝置之曝光裝置相關之發明(例如，參照國際公開第2007/097379號)。然而，國際公開第2007/097379號(對應美國專利申請公開第2008/0088843號說明書)等所揭示之液浸曝光裝置，仍存在因液體蒸發時汽化熱等之影響導致晶圓載台(設在晶圓載台上面之光柵)變形之虞等，待改善之處。

為改善上述情形，於例如國際公開第2008/038752號(對應美國專利申請公開第2008/0094594號說明書)中之第5實施形態，揭示了一種具備在以光透射構件構成之晶圓載台上面設置光柵，從配置在晶圓載台下方之編碼器本體將測量光束射入晶圓載台以照射光柵，並藉由接收於光柵產生之之繞射光，來測量於光柵週期方向之晶圓載台之變位之編碼器系統的曝光裝置。此裝置中，由於光柵係被覆罩玻璃(cover glass)所覆蓋，因此不易受汽化熱等之影響，能進行高精度之晶圓載台之位置測量。

惟，係在透過懸吊支承構件懸吊支承於投影光學系統平台之載台平台設置編碼器本體，曝光裝置在曝光中之振動經由投影光學系統平台及懸吊支承構件傳至載台平台而導致編碼器讀頭之光軸傾斜等，而有因此降低編碼器系統之測量精度之虞。

然而，國際公開第2008/038752號之第5實施形態之曝光裝置所採用之編碼器本體之配置，在使用於平台上移動之粗動載台、與保持晶圓在粗動載台上相對粗動載台移動之微動載台加以組合之所謂粗微動構造之載台裝置，來測量微動載台之位置資訊之情形時，由於係在微動載台與平台之間配置粗動載台，因此不易採用此構成。

又，使用掃描機等之曝光裝置所使用之作為曝光對象之晶圓或玻璃板片等之基板，日漸的(例如，晶圓是每10年)大型化。現在雖以直徑300mm之300mm晶圓為主流，但使用直徑450mm之450mm晶圓時代之到來亦日漸接近。一旦採用450mm之晶圓時，能從一片晶圓擷取之晶粒(晶片)數量將為現行300mm晶圓之2倍以上，對成本之降低有非常大的貢獻。再者，就能源、水及其他資源之有效利用而言，亦可減少1晶片所需使用之所有資源，而被賦予高度之期待。

惟，隨著晶圓之大型化，保持晶圓移動之晶圓載台亦將大型化、且重量化。晶圓載台之重量化，特別是例如美國專利第5.646.413號說明書等所揭示之在標線片載台與晶圓載台之同步移動中進行曝光(標線片圖案之轉印)之掃描機之情形，易招致晶圓載台之位置控制性能惡化，晶圓載台之大型化將招致裝置設置面積之増加。因此，保持晶圓移動之移動構件最好是能薄型化、輕量化。然而，其厚度並非與晶圓尺寸成正比增加，450mm晶圓與300mm晶圓相較，強度非常的弱，在使移動構件薄型化之情形下，移動構件將因晶圓重量及本身重量而變形，其結果，此移動構件所保持之晶圓變形，而有對該晶圓之圖案轉印精度等惡化之虞。

因此，皆期待一種能因應450mm晶圓之新系統之出現。

本發明係在上述情形下完成，第1觀點之一種移動體裝置，具備：第1移動構件，至少可沿包含彼此正交之第1軸及第2軸之二維平面移動；第2移動構件，被保持於該第1移動構件，至少可在與該二維平面平行之面内相對該第1移動構件移動，在與該二維平面實質平行之一面設有測量面；第1測量系統，具有對該測量面照射至少一條第1測量光束、並接收該第1測量光束之來自該測量面之光之讀頭部，根據該讀頭部之輸出測量該第2移動構件於至少該二維平面内之位置資訊；以及驅動系統，根據以該第1測量系統測量之該位置資訊，單獨的或與該第1移動構件一體驅動該第2移動構件。

根據此發明，第1移動構件所保持之第2移動構件於二維平面内之位置資訊之測量，係使用包含與在第2移動構件之與二維平面實質平行之一面所設之測量面對向配置、對該該測量面照射至少一條第1測量光束之讀頭部的第1測量系統。第2移動構件藉由驅動系統根據以第1測量系統測量之位置資訊，單獨的或與第1移動構件一體被驅動。此場合，可將讀頭部配置在接近第2移動構件(測量面)處。如此，即能高精度的以第1測量系統進行第2移動構件之位置資訊之測量，進而高精度的以驅動系統進行第2移動構件之驅動。

本發明第2觀點之第1曝光裝置，係藉由能量束之照射於物體形成圖案，其具備：該物體裝載於該第2移動構件上之本發明之移動體裝置；以及對該第2移動構件上所裝載之該物體照射該能量束之圖案化裝置。

根據此裝置，由於能以良好精度驅動構成移動體裝置之第2移動構件，因此能以良好精度驅動此第2移動構件所裝載之物體，藉由圖案化裝置對該物體照射能量束據以在物體上以良好精度形成圖案。

本發明第3觀點之第2曝光裝置，係藉由能量束之照射於物體形成圖案，其具備：第1移動構件，至少可沿包含彼此正交之第1軸及第2軸之二維平面移動；第2移動構件，與該第2軸平行之方向之一端部及另一端部分別被支承於該第1移動構件，而能保持該物體在與該二維平面平行之面内相對該第1移動構件移動；以及驅動系統，包含使驅動力作用於該第2移動構件之該一端部之第1驅動部、與使驅動力作用於該另一端部之第2驅動部，單獨的或與該第1移動構件一體驅動該第2移動構件；該第1及第2驅動部，可將在與該第1軸及第2軸平行之方向、與該二維平面正交之方向、以及繞與該第1軸平行之軸之旋轉方向，其大小及產生方向可分別獨立控制之驅動力分別作用於該第2移動構件之該一端部及另一端部。

根據此裝置，第2移動構件係以能保持物體、在與二維平面平行之面内相對第1移動構件移動之方式，其與第2軸平行方向之一端部及另一端部分別被支承於第1移動構件。此外，藉由構成驅動系統之一部分之第1及第2驅動部，將在與第1軸及第2軸平行之方向、與該二維平面正交之方向、以及繞與第1軸平行之軸之旋轉方向之驅動力(能分別獨立控制大小及產生方向之驅動力)，分別作用於第2移動構件與第2軸平行方向之一端部及另一端部。因此，不僅能藉由第1及第2驅動部將第2移動構件驅動於與第1軸及第2軸平行之方向、與該二維平面正交之方向，亦能藉由使第1及第2驅動部同時繞相反方向之與第1軸平行之軸之旋轉方向之驅動力作用於保持構件之一端部及另一端部，據以使第2移動構件(及其所保持之物體)往從與第1軸平行方向所視(在與第1軸垂直之面内)變形為凹形或凸形。換言之，在第2移動構件(及其所保持之物體)因自重等而變形之情形時，抑制此變形。

本發明第4觀點之第3曝光裝置，係藉由能量束使物體曝光，其具備：第1、第2移動體，能在二維平面内獨立移動；曝光站，係用以對以能相對移動之方式支承於該第1移動體之保持構件所保持之物體進行照射該能量束之曝光處理；測量站，係與該曝光站於該二維平面内之第1軸方向之一側分離配置，用以對以能相對移動之方式被支承於該第2移動體之保持構件所保持之物體進行測量處理；第1驅動系統，係使驅動力作用於該第1移動體所保持之該保持構件與該第2軸平行方向之一端部與另一端部；以及第2驅動系統，係使驅動力作用於該第2移動體所保持之該保持構件與該第2軸平行方向之一端部與另一端部；該第1及第2驅動系統，係將能分別在該第1軸及第2軸平行之方向、與該二維平面正交之方向、以及繞與該第1軸平行之軸之旋轉方向之大小及產生方向可分別獨立控制之驅動力，作用於該各保持構件之該一端部及另一端部。

根據此裝置，可藉由對可分別相對移動的支承於第1、第2移動體之各保持構件之與第2軸平行方向之一端部及另一端部，以第1及第2驅動系統作用彼此逆向之繞第1軸旋轉方向之力，據以修正在曝光站之曝光對象物體及保護此物體之保持構件之彎曲，且亦能修正在測量站之測量時之保持構件及保持與此之物體之彎曲。因此，可進行物體之高精度測量處理、與使用此測量結果之物體之高精度曝光處理。

本發明第5觀點之元件製造方法，其包含：使用本發明之第1～第3曝光裝置中任一種之曝光裝置使物體曝光之動作；以及使該曝光後物體顯影之動作。

本發明第6觀點之第1曝光方法，係藉由能量束之照射於物體形成圖案，其包含：將該物體裝載於第2移動構件之步驟，該第2移動體被保持在至少能沿包含彼此正交之第1軸及第2軸之二維平面移動之第1移動構件，而能在至少與該二維平面平行之面内相對該第1移動構件移動，且在與該二維平面實質平行之一面設有測量面；以及根據對該測量面照射至少一條第1測量光束、並接收該第1測量光束來自該測量面之光之讀頭部之輸出，測量該第2移動構件之至少該二維平面内之位置資訊，根據所測量之該位置資訊將該第2移動構件驅動於該二維平面内之掃描方向，據以相對該能量束掃描該物體之步驟。

根據此方法，能於掃描曝光時以高精度驅動第2移動構件，進行物體之高精度曝光。

本發明第7觀點之第2曝光方法，係藉由能量束之照射於物體形成圖案，其包含：在至少能沿包含彼此正交之第1軸及第2軸之二維平面移動之第1移動構件，以能在與該二維平面平行之面内相對該第1移動構件移動之方式，分別支承保持該物體之第2移動構件之與該第2軸平行方向之一端部及另一端部；以及將能分別獨立控制大小及產生方向之與該第1軸及第2軸平行之方向、與該二維平面正交之方向、以及繞與該第1軸平行之軸之旋轉方向之驅動力，分別作用於該第2移動構件之該一端部及另一端部。

根據此方法，保持物體之保持構件係以能保持物體、在與二維平面平行之面内相對第1移動構件移動之方式，其與第2軸平行方向之一端部及另一端部分別被支承於第1移動構件。此外，藉由構成驅動系統之一部分之第1及第2驅動部，將在與第1軸及第2軸平行之方向、與該二維平面正交之方向、以及繞與第1軸平行之軸之旋轉方向之驅動力(能分別獨立控制大小及產生方向之驅動力)，分別作用於第2移動構件與第2軸平行方向之一端部及另一端部。因此，不僅能藉由第1及第2驅動部將第2移動構件驅動於與第1軸及第2軸平行之方向、與該二維平面正交之方向，亦能藉由使第1及第2驅動部同時繞相反方向之與第1軸平行之軸之旋轉方向之驅動力作用於保持構件之一端部及另一端部，據以使第2移動構件(及其所保持之物體)往從與第1軸平行方向所視(在與第1軸垂直之面内)變形為凹形或凸形。換言之，在第2移動構件(及其所保持之物體)因自重等而變形之情形時，抑制此變形。

本發明第8觀點之元件製造方法，其包含：使用本發明第1、第2曝光方法之任一者使物體曝光之動作；以及使該曝光後物體顯影之動作。

以下，根據圖1～圖15(C)說明本發明之一實施形態。

圖1中概略顯示了一實施形態之曝光裝置100之構成。此曝光裝置100係步進掃描(step ＆ scan)方式之投影曝光裝置、即所謂之掃描機。如後所述，本實施形態，設有投影光學系統PL，以下，將與此投影光學系統PL之光軸AX平行之方向設為Z軸方向、在與此正交之面内標線片與晶圓相對掃描之方向設為Y軸方向、與Z軸及Y軸正交之方向設為X軸方向，並以繞X軸、Y軸及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別為θx、θy及θz方向來進行說明。

曝光裝置100，如圖1所示，具備照明系統10、標線片載台RST、投影單元PU、局部液浸裝置8、具有微動載台WFS之載台裝置50、及此等之控制系統等。圖1中，於微動載台WFS上裝載有晶圓W。

照明系統10，係例如美國專利申請公開第2003/025890號說明書等所揭示，包含光源、含光學積分器等之照度均勻化光學系統、及具有標線片遮簾等(皆未圖示)之照明用光學系統。照明系統10，將標線片遮簾(亦稱為遮罩系統)所規定之標線片R上之狹縫狀照明區域IAR，藉照明用光(曝光用光)IL以大致均勻之照度加以照明。此處，作為照明用光IL，例如係使用ArF準分子雷射光(波長193nm)。

於標線片載台RST上，其圖案面(圖1之下面)形成有電路圖案等之標線片R被以例如真空吸附方式加以固定。標線片載台RST，可藉由例如包含線性馬達等之標線片載台驅動系統11(圖1中未圖示，參照圖4)於XY平面内微幅驅動，且於掃描方向(圖1中紙面内左右方向之Y軸方向)以既定掃描速度驅動。

標線片載台RST之XY平面内之位置資訊(含θz方向之旋轉資訊)，係以標線片雷射干涉儀(以下，稱「標線片干涉儀」)13，透過固定於標線片載台RST之移動鏡15(實際上，係設置具有與Y軸方向正交之反射面之Y移動鏡(或復歸反射器)及具有與X軸方向正交之反射面之X移動鏡)以例如0.25nm程度之分解能力隨時加以檢測。標線片干涉儀13之測量值被送至主控制裝置20(圖1中未圖示，參照圖4)。又，亦可例如美國專利申請公開第2007/0288121號等之揭示，以編碼器系統測量標線片載台RST之位置資訊。

投影單元PU配置在標線片載台RST之圖1中下方。投影單元PU包含鏡筒40、與被保持在鏡筒40内之投影光學系統PL。投影光學系統PL，係使用例如由沿與Z軸方向平行之光軸AX排列複數個光學元件(透鏡元件)所構成之折射光學系統。投影光學系統PL係例如兩側遠心、且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍等)。因此，當以照明系統10照明標線片R上之照明區域IAR時，藉由通過圖案面與投影光學系統PL之第1面(物體面)大致一致配置之標線片R之照明用光IL，透過投影光學系統PL(投影單元PU)將該照明區域IAR内之標線片R之電路圖案之縮小像(電路圖案之部分縮小像)，即形成在配置於投影光學系統PL之第2面(像面)側、表面塗有光阻(感應劑)之晶圓W上與前述照明區域IAR共軛之區域(以下，亦稱曝光區域)IA。並藉由標線片載台RST與微動載台WFS之同步驅動，相對照明區域IAR(照明用光IL)使標線片R移動於掃描方向(Y軸方向)，並相對曝光區域IA(照明用光IL)使晶圓W移動於掃描方向(Y軸方向)，以進行晶圓W上之1個照射區域(區劃區域)之掃描曝光，於該照射區域轉印標線片R之圖案。亦即，本實施形態，係以照明系統10、標線片R及投影光學系統PL於晶圓W上生成圖案，以照明用光IL使晶圓W上之感應層(光阻層)曝光以在晶圓W上形成該圖案。此處，投影單元PU係保持於主框架，本實施形態中，主框架BD係被分別透過防振機構配置於設置面(地面等)之複數(例如3個或4個)支承構件支承為大致水平。又，該防振機構亦可配置在各支承構件與主框架BD之間。此外，亦可例如國際公開第2006/038952號小冊子之揭示，將投影單元PU懸吊支承於配置在投影單元PU上方之未圖示之主框架構件、或標線片基座等。

局部液浸裝置8，係對應本實施形態之曝光裝置100為進行液浸方式之曝光而設。局部液浸裝置8，包含液體供應裝置5、液體回收裝置6(圖1中皆未圖示，參照圖4)及嘴單元32等。嘴單元32，如圖1所示，以圍繞構成投影光學系統PL之最像面側(晶圓W側)之光學元件、此處係圍繞保持透鏡(以下，亦稱「前端透鏡」)191之鏡筒40下端部周圍之方式，透過未圖示之支承構件懸吊支承於支承投影單元PU等之主框架BD。本實施形態中，主控制裝置20控制液體供應裝置5(參照圖4)透過嘴單元32將液體供應至前端透鏡191與晶圓W之間，並控制液體回收裝置6(參照圖4)透過嘴單元32從前端透鏡191與晶圓W之間回收液體。此時，主控制裝置20係以所供應之液體之量與所回收之液體之量恆相常之方式控制液體供應裝置5與液體回收裝置6。因此，在前端透鏡191與晶圓W之間隨時更換保持有固定量之液體Lq(參照圖1)。本實施形態中，上述液體係使用能使ArF準分子雷射光(波長193nm之光)透射之純水。又，ArF準分子雷射光對純水之折射率n約為1.44，於純水中，照明用光IL之波長即被短波長化為193nm×1/n=約134nm。

載台裝置50，如圖1所示，具備在地面上以防振機構(圖示省略)支承為大致水平之基盤12、保持晶圓W在基盤12上移動之晶圓載台WST、驅動晶圓載台WST之晶圓載台驅動系統53(參照圖4)及各種測量系統(16、70(參照圖4)等)等。

基盤12由具有平板狀外形之構件構成，其上面被製成具有非常高之平坦度，作為晶圓載台WST移動時之導引面。

晶圓載台WST，如圖1及圖2(A)等所示，藉由設於其底面之複數個非接觸軸承(例如空氣軸承(圖示省略))被懸浮支承於基盤12之上，具有以構成晶圓載台驅動系統53之一部分之粗動載台驅動系統51(參照圖4)驅動於XY二維方向之晶圓粗動載台(以下，簡稱為粗動載台)WCS、及以非接觸狀態支承於粗動載台WCS能相對粗動載台WCS移動之晶圓微動載台(以下，簡稱為微動載台)WFS。微動載台WFS可藉由構成晶圓載台驅動系統53之一部分之微動載台驅動系統52(參照圖4)相對粗動載台WCS被驅動於6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)。本實施形態中，包含粗動載台驅動系統51與微動載台驅動系統52來構成晶圓載台驅動系統53。

晶圓載台WST(粗動載台WCS)之XY平面内之位置資訊(含θz方向之旋轉資訊)以晶圓載台位置測量系統16加以測量。又，微動載台WFS之6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)之位置資訊則以微動載台位置測量系統70(參照圖4)加以測量。晶圓載台位置測量系統16及微動載台位置測量系統70之測量結果，為進行粗動載台WCS、微動載台WFS之位置控制而被送至主控制裝置20(參照圖4)。

包含上述各種測量系統之載台裝置50之構成各部之構成等，待後詳述。

曝光裝置100，在從投影單元PU之中心往+Y側相距既定距離之位置配置有晶圓對準系統ALG(圖1中未圖示，參照圖4)。晶圓對準系統ALG係使用例如影像處理方式之FIA(Field Image Alignment)系統。晶圓對準系統ALG，在主控制裝置20之控制下，於晶圓對準(例如全晶圓增強型對準(EGA))時，用於後述微動載台WFS上之測量板片上所形成之第2基準標記、或晶圓W上之對準標記之檢測。晶圓對準系統ALG之攝影訊號透過未圖示之訊號處理系統供應至主控制裝置20。主控制裝置20，根據晶圓對準系統ALG之檢測結果(攝影結果)、與檢測時之微動載台WFS(晶圓W)之位置資訊，算出對象標記對準時於座標系統之X、Y座標。

除此之外，於本實施形態之曝光裝置100，在投影單元PU之附近，設有與例如美國專利第5,448,332號說明書等所揭示之相同構成之斜入射方式之多點焦點位置檢測系統(以下，簡稱為多點AF系統)AF(圖1中未圖示，參照圖4)。多點AF系統AF之檢測訊號透過未圖示之AF訊號處理系統供應至主控制裝置20(參照圖4)。主控制裝置20根據多點AF系統AF之檢測訊號，檢測在多點AF系統AF之複數個檢測點之晶圓W表面之Z軸方向位置資訊(面位置資訊)，根據該檢測結果實施掃描曝光中晶圓W之所謂的聚焦調平控制。又，亦可在晶圓對準檢測系統ALG附近設置多點AF系統，於事前取得晶圓對準(EGA)時晶圓W表面之面位置資訊(凹凸資訊)，於曝光時使用該面位置資訊、與後述構成微動載台位置測量系統70之一部分之雷射干涉儀系統75(參照圖4)之測量值，實施晶圓W之所謂的聚焦調平控制。此外，不使用雷射干涉儀系統75，而將構成微動載台位置測量系統70之後述編碼器系統73之測量值，用於聚焦調平控制。

又，於標線片載台RST之上方，配置有例如美國專利第5,646,413號說明書等所詳細揭示之具有CCD等之攝影元件，將曝光波長之光(本實施形態中為照明用光IL)作為對準用照明用光之影像處理方式之一對標線片對準系統RA₁ 、RA₂ (圖1中，標線片對準系統RA₂ 隱藏在標線片對準系統RA₁ 之紙面內側)。一對標線片對準系統RA₁ 、RA₂ 係用在微動載台WFS上之後述測量板片緊挨在投影光學系統PL下方之狀態，由主控制裝置20透過投影光學系統PL檢測標線片R上所形成之一對標線片對準標記(圖示省略)之投影像、與對應測量板片上之一對第1基準標記，以檢測投影光學系統PL所形成之標線片R之圖案之投影區域中心與測量板片上之基準位置、亦即一對第1基準標記之中心的位置關係。標線片對準系統RA₁ 、RA₂ 之檢測訊號經由未圖示之訊號處理系統供應至主控制裝置20(參照圖3)。又，亦可不設置標線片對準系統RA₁ 、RA₂ 。此場合，最好是能例如美國專利申請公開第2002/0041377號等所揭示，於微動載台WFS搭載設有光透射部(受光部)之檢測系統以檢測標線片對準標記之投影像。

圖4中顯示了曝光裝置100之控制系統之主要構成。控制系統係以主控制裝置20為中心而構成。主控制裝置20包含工作站(或微電腦)等，統籌控制前述局部液浸裝置8、粗動載台驅動系統51、微動載台驅動系統52等、曝光裝置100之構成各部。

接著，詳述載台裝置50之構成等。於基盤12之内部，如圖1所示，收容有包含以XY二維方向為行方向、列方向配置成矩陣狀之複數個線圈14的線圈單元。

對應線圈單元，於粗動載台WCS之底面(後述粗動滑件部91之底面)，如圖2(A)所示，設有由以XY二維方向為行方向、列方向配置成矩陣狀之複數個永久磁石91a所構成之磁石單元。磁石單元，與基盤12之線圈單元一起構成例如美國專利第5,196,745號說明書等所揭示之羅倫茲電磁力驅動方式之平面馬達所構成之粗動載台驅動系統51(參照圖4)。供應至構成線圈單元之各線圈14之電流大小及方向以主控制裝置20加以控制(參照圖4)。粗動載台WCS藉由設置上述磁石單元之粗動滑件部91底面周圍所固定之前述空氣軸承，透過既定間隙、例如數μm程度之間隙懸浮支承在基盤12上方，透過粗動載台驅動系統51被驅動於X軸方向、Y軸方向及θz方向。又，粗動載台驅動系統51並不限於羅倫茲電磁力驅動方式之平面馬達，亦可使用例如可變磁阻驅動方式之平面馬達。除此之外，亦可以磁浮型平面馬達來構成粗動載台驅動系統51。此場合，可不在粗動滑件部91底面設置空氣軸承。

粗動載台WCS，如以Y軸方向之中心附近之XZ剖面概略顯示晶圓載台WST之圖2(A)及晶圓載台WST之俯視圖之圖2(B)所示，具備俯視(從＋Z方向所視)以X軸方向為長邊方向之長方形板狀之粗動滑件部91、以平行於YZ平面之狀態分別固定在粗動滑件部91之長邊方向一端部與另一端部上面且以Y軸方向為長邊方向之長方形板狀之一對側壁部92a、92b、以及分別固定在側壁部92a、92b上面之一對固定件部93a、93b。又，圖2(A)之剖面圖中，為使圖面易於觀察，省略了陰影線。粗動載台WCS，其全體為一具有上面之X軸方向中央部及Y軸方向兩側面開口之高度較低的箱形形狀。亦即，於粗動載台WCS之内部形成有貫通於Y軸方向之空間部。一對固定件部93a、93b分別由外形為板狀之構件構成，其内部收容有由用以驅動微動載台WFS之複數個線圈所構成之線圈單元CUa、CUb。供應至構成線圈單元CUa、Cub之各線圈之電流大小及方向由主控制裝置20加以控制。關於線圈單元CUa、Cub之構成，留待後述。

一對固定件部93a、93b，如圖2(A)及圖2(B)所示，分別具有以Y軸方向為長邊方向之矩形板狀之形狀。固定件部93a其+X側端部固定在側壁部92a上面，固定件部93b其-X側端部固定在側壁部92b上面。

微動載台WFS，如圖2(A)及圖2(B)所示，具備由俯視以X軸方向為長邊方向之八角形板狀構件構成之本體部81、以及分別固定在本體部81之長邊方向一端部與另一端部之一對可動件部82a、82b。

圖3中顯示了微動載台WFS之部分剖斷。如圖3所示，本體部81係由框部FR、以及無間隙的配置在該框部FR中央部之圓形開口内一體固定於框部FR之中心部CR的2部分所構成。

框部FR，具有頂板81u、框構件81c及底部81b。頂板81u具有俯視(從上方所視)X軸方向長度較Y軸方向長度長之八角形狀、且其中心形成有較晶圓W大一圈之圓形開口。框構件81c，具有與頂板81u之外形(輪廓)相同形狀之外壁81r₁ 、與框構件81c之圓形開口相同形狀之内壁81r₂ 、以及將外壁81r₁ 與内壁81r₂ 加以連結之複數個肋部81r₃ 。内壁81r₂ 之内側，由圖3可知，沿内周面形成有其下半部較上半部突出於内側之段部。

頂板81u固定在框構件81c之上面而使兩者一體化。此時，外壁81r₁ 與内壁81r₂ 係分別支承頂板81u之外緣與内緣。

底部81b係固定在框構件81c之底面。此場合，藉由頂板81u、框構件81c與底部81b，於框部FR之内部形成有以複數肋部81r₃ 所區劃之空間。底部81b，具有與頂板81u相同形狀之板狀部分、以及其X軸方向兩側之一對突出部(參照圖2(A))。

框部FR之至少一部分係由至少較構成中心部CR之後述透明板輕、強、且熱膨漲率低之材料構成。此種材質例如以陶瓷較佳。採用陶瓷時，可將框部FR作成為一體之物。此處，為補強框部(以具備高剛性)，可進一步增加肋部81r₃ 、或將複數肋部組合成格子狀等適當之形狀。此外，只要能獲得充分之強度的話，並不一定須設置底部81b(不過，上述突出部除外)。

中心部CR包含透明板81g、光柵RG、覆罩玻璃84。透明板81g，係由用以嵌合形成在框構件81c之内壁81r₂ 之内周面之段部的段部，形成在其外周面之圓盤狀構件構成。

此處，透明板81g具有較内壁81r₂ 之高度略厚之均一厚度，由於後述編碼器系統之測量光束(雷射光)需在其内部行進，因係以光能透射之構件(透明材料)形成。又，透明板81g為了降低在其内部之空氣波動對雷射光之影響，於本實施形態中係形成為中實(内部不具有空間)。此外，透明板81g以低熱膨漲率者較佳，本實施形態中，例如係使用合成石英(玻璃)等。此外，本體部81之全體亦可以透明材料構成。

光柵RG係固定(或形成)在透明板81g上面。作為光柵RG係使用包含以X軸方向為週期方向之反射型繞射光柵(X繞射光柵)、以及以Y軸方向為週期方向之反射型繞射光柵(Y繞射光柵)之2維光柵。本實施形態中，透明板81g上固定或形成2維光柵之區域(以下，稱形成區域)，舉一例而言，係較晶圓W大一圈之大圓形。再者，本實施形態中，光柵RG形成區域之直徑與内壁81r₂ 内周面之直徑相等。

覆罩玻璃84係用以保護光柵RG之保護構件，貼在光柵RG之上面。覆罩玻璃84具有與頂板81u之開口相同直徑之圓形，其表面形成為與頂板81u同一面。又，保護構件(覆罩玻璃84)雖可使用與透明板81g相同材料，但不限於此，例如亦可使用與框部81c相同之陶瓷或金屬。此外，雖以具有足以保護光柵RG之充分厚度之板狀保護構件較佳，但視材料亦可使用薄膜狀保護構件。又，本實施形態中，覆罩玻璃84雖係設置成覆蓋本體部81上面之大致全面，但亦可設置成僅覆蓋包含光柵RG之本體部81上面之一部分。

於覆罩玻璃84上面(微動載台WFS之本體部81上面中央)設有以真空吸附等方式保持晶圓W之晶圓保持具(未圖示)。本實施形態，係使用例如在環狀凸部(肋部)内形成有支承晶圓W之複數個支承部(銷構件)之所謂銷夾頭(pin chuck)方式之晶圓保持具，在一面(表面)為晶圓載置面之晶圓保持具之另一面(背面)側設有前述光柵RG等。又，晶圓保持具可與微動載台WFS一體形成，亦可相對本體部81，透過例如靜電夾頭機構或夾鉗(clamp)機構等、或以接著等方式加以固定。或著，亦可在晶圓保持具之背面一體固定光柵RG及透明板81g，將此晶圓保持具保持於微動載台WFS。又，在光柵RG之形成區域中、一部分突出至晶圓保持具周圍之情形時，在對應突出至晶圓保持具周圍之區域之覆罩玻璃84之一面，為避免照射於光柵RG之編碼器系統之測量光束透射過覆罩玻璃84，亦即，避免晶圓保持具背面區域之内外測量光束之強度產生大變動，例如設置覆蓋該形成區域之反射構件(例如薄膜等)較佳。

除此之外，亦可將一面固定或形成光柵RG之透明板81g之另一面接觸或靠近晶圓保持具背面配置，且於該透明板之一面側設置保護構件(覆罩玻璃84)、或、不設置保護構件(覆罩玻璃84)而將固定或形成光柵RG之透明板81g之一面接觸或靠近晶圓保持具背面配置。尤其是前者，可取代透明板而將光柵RG固定形成於陶瓷等之不透明構件、或將光柵RG固定或形成在晶圓保持具之背面。又，將晶圓保持具以中實玻璃構件加以形成，於該玻璃構件上面(晶圓載置面)配置光柵RG亦可。

本實施形態，由於微動載台WFS之本體部81(框部FR)内部形成有中空部而能謀求輕量化，因此能提升其位置控制性。此場合，亦可於形成在微動載台WFS之本體部81(框部FR)之中空部配置絕熱材。如此一蘭來，即能防止包含一對可動件部82a、82b内之後述磁石單元之微動載台驅動系統所產生之熱，對光柵RG造成不良影響。

進一步的，於本體部81上面(頂板81u上面)，在晶圓保持具(晶圓W之裝載區域)外側、如圖2(A)、圖2(B)及圖3所示，安裝有其中央形成有較晶圓W(晶圓保持具)大一圈之大圓形開口、且具有對應頂板81u之八角形外形(輪廓)之板件(撥液板)83。板件83表面施有對液體Lq之撥液化處理(形成有撥液面)。板件83係以其表面全部(或一部分)與晶圓W表面同一面高之方式固定在本體部81之上面。又，於板件83，如圖2(B)所示，在+X端部且-Y側端部附近形成有圓形之缺口，於此缺口内部以其表面與板件83表面、亦即與晶圓W表面大致同一面高之狀態埋入有測量板件86。於測量板件86表面，至少形成有以前述一對標線片對準檢測系統RA₁ 、RA₂ 分別檢測之一對第1基準標記、以及以晶圓對準系統ALG檢測之第2基準標記(第1及第2基準標記皆省略圖示)。又，亦可取代將板件83安裝於本體部81，而例如將晶圓保持具與微動載台WFS一體形成，將微動載台WFS之圍繞晶圓保持具之周圍區域(與板件83相同區域(考包含測量板件86表面)之上面加以撥液化處理來形成撥液面。

本體部81，由圖2(A)可知，係由形成有從長邊方向之一端部與另一端部之下端部向外側突出之突出部、全體為八角形板狀構件構成，於其底面之對向於光柵RG之部分形成有凹部。本體部81，其配置光柵RG之中央區域係形成為其厚度實質均勻之板狀。

於本體部81之+X側、-X側之突出部之上面，分別於Y軸方向、以各自之凸部89a、89b朝向外側之方式延設有剖面凸形狀之間隔件85a、85b。

可動件部82a，如圖2(A)及圖2(B)所示，包含Y軸方向尺寸(長度)及X軸方向尺寸(寬度)皆較固定件部93a短(一半程度)之二片俯視矩形之板狀構件82a₁ 、82a₂ 。此等二片板狀構件82a₁ 、82a₂ ，係隔著前述間隔件85a之凸部89a，在Z軸方向(上下)分開既定距離之狀態下皆與XY平面平行的固定於本體部81之長邊方向之+X側端部。此時，板狀構件82a₂ 係被間隔件85a與本體部81之+X側突出部挾持其-X側端部。二片板狀構件82a₁ 、82a₂ 之間，以非接觸方式插入粗動載台WCS之固定件部93a之-X側端部。於板狀構件82a₁ 、82a₂ 之内部設有後述磁石單元MUa₁ 、MUa₂ 。

可動件部82b，包含於間隔件85b之在Z軸方向(上下)維持既定間隔之二片板狀構件82b₁ 、82b₂ ，與可動件部82a為左右對稱之相同構成。於二片板狀構件82b₁ 、82b₂ 之間以非接觸方式插入粗動載台WCS之固定件部93b之+X側端部。於板狀構件82b₁ 、82b₂ 之内部，設有與磁石單元MUa₁ 、MUa₂ 同樣構成之磁石單元MUb₁ 、MUb₂ 。

此處，如前所述，由於粗動載台WCS之Y軸方向兩側面為開口，因此在將微動載台WFS裝著於粗動載台WCS時，只是使固定件部93a、93b分別位於二片板狀構件82a₁ 、82a₂ 及82b₁ 、82b₂ 之間，並進行微動載台WFS之Z軸方向定位後，使微動載台WFS移動於(滑動)於Y軸方向即可。

接著，說明用以相對粗動載台WCS驅動微動載台WFS之微動載台驅動系統52之構成。微動載台驅動系統52，包含具有前述可動件部82a之一對磁石單元MUa₁ 、MUa₂ 、具有固定件部93a之線圈單元CUa、具有可動件部82b之一對磁石單元MUb₁ 、MUb₂ 、以及具有固定件部93b之線圈單元CUb。

進一步詳述如後。從圖5及圖6(A)以及圖6(B)可知，在固定件部93a内部之-X側端部，複數個(此處為12個)俯視長方形狀之YZ線圈(以下，適當的簡稱為「線圈」)55、57於Y軸方向等間隔分別配置之2行線圈列，於X軸方向相距既定間隔配置。YZ線圈55，具有在上下方向(Z軸方向)重疊配置之俯視長方形狀之上部繞組55a與下部繞組55b。又，在固定件部93a之内部、上述2行線圈列之間，配置有以Y軸方向為長邊方向之細長俯視長方形狀之1個X線圈(以下，適當的簡稱「線圈」)56。此場合，2行線圈列與X線圈56係在X軸方向以等間隔配置。包含2行線圈列與X線圈56構成線圈單元CUa。

以下，使用圖5～圖7，說明一對固定件部93a、93b中、一方之固定件部93a及被此固定件部93a所支承之可動件部82a，而另一方(-X側)之固定件部93b及可動件部82b具有與該等同樣之構成、同樣之功能。因此，線圈單元CUb、磁石單元MUb₁ 、MUb₂ 與線圈單元CUa、磁石單元MUa₁ 、MUa₂ 同樣的構成。

在構成微動載台WFS之可動件部82a之一部分之+Z側之板狀構件82a₁ 内部，參照圖5及圖6(A)以及圖6(B)可知，以X軸方向為長邊方向之俯視長方形之複數個(此處為10個)之永久磁石65a、67a於Y軸方向等間隔配置而成之2行磁石列，於X軸方向相距既定間隔配置。2行磁石列分別與線圈55、57對向配置。

複數個永久磁石65a，如圖6(B)所示，係由上面側(+Z側)為N極而下面側(-Z側)為S極之永久磁石、與上面側(+Z側)為S極而下面側(-Z側)為N極之永久磁石，於Y軸方向交互排列。由複數個永久磁石67a構成之磁石列，與由複數個永久磁石65a構成之磁石列為同樣之構成。

又，於板狀構件82a₁ 之内部、上述2行磁石列之間，與線圈56對向配置有於X軸方向分離配置、以Y軸方向為長邊方向之一對(2個)永久磁石66a₁ 、66a₂ 。如圖6(A)所示，永久磁石66a₁ 其上面側(+Z側)為N極而下面側(-Z側)為S極，永久磁石66a₂ 則以上面側(+Z側)為S極下面側(-Z側)為N極。

藉由上述複數個永久磁石65a、67a及66a₁ 、66a₂ 構成磁石單元MUa₁ 。

於-Z側之板狀構件82a₂ 内部，如圖6(A)所示，亦以和上述+Z側板狀構件82a₁ 同樣之配置，配置有永久磁石65b、66b₁ 、66b₂ 、67b。藉由此等永久磁石65b、66b₁ 、66b₂ 、67b構成磁石單元MUa₂ 。此外，-Z側之板狀構件82a₂ 内之永久磁石65b、66b₁ 、66b₂ 、67b，於圖5中，係對永久磁石65a、66a₁ 、66a₂ 、67a於紙面內側重疊配置。

此處，微動載台驅動系統52，如圖6(B)所示，複數個永久磁石65及複數個YZ線圈55於Y軸方向之位置關係(各自之間隔)，係設定為於Y軸方向相鄰配置之複數個永久磁石(圖5(B)中，沿Y軸方向依序為永久磁石65a₁ ～65a₅ )在相鄰2個永久磁石65a₁ 及65a₂ 分別對向於YZ線圈55₁ 之繞組部時，與該等相鄰之永久磁石65a₃ 不對向於與上述YZ線圈55₁ 相鄰之YZ線圈55₂ 之繞組部(線圈中央之中空部、或捲繞線圈之鐵芯、例如與鐵芯對向)。又，如圖6(B)所示，各永久磁石65a₄ 及65a₅ 對向於與YZ線圈55₂ 相鄰之YZ線圈55₃ 之繞組部。永久磁石65b、67a、67b於Y軸方向之間隔亦相同(參照圖6(B))。

因此，微動載台驅動系統52，例如係在圖6(B)所示狀態下，如圖7(A)所示，對線圈55₁ 、55₃ 之上部繞組及下部繞組分別供應從+Z方向所視往右旋轉之電流時，即於線圈55₁ 、55₃ 作用出-Y方向之力(羅倫茲力)，而作為反作用於永久磁石65a、65b分別產生+Y方向之力。由於此等力之作用，微動載台WFS即相對粗動載台WCS往+Y方向移動。與上述情形相反的，對線圈55₁ 、55₃ 分別供應從+Z方向所視往左旋轉之電流時，微動載台WFS即相對粗動載台WCS往-Y方向移動。

藉由對線圈57之電流供應，能在與永久磁石67(67a、67b)之間進行電磁相互作用而將微動載台WFS驅動於Y軸方向。主控制裝置20，藉由控制對各線圈供應之電流，據以控制微動載台WFS之Y軸方向位置。

又，微動載台驅動系統52，例如在圖6(B)所示狀態下，對線圈55₂ 之上部繞組供應從+Z方向所視往左旋轉之電流、而對下部繞組供應從+Z方向所視往右旋轉之電流時，即分別於線圈55₂ 與永久磁石65a₃ 之間產生吸引力、於線圈55₂ 與永久磁石65b₃ 之間產生斥力，微動載台WFS藉由此等吸引力及斥力而相對粗動載台WCS往上方(+Z方向)、亦即往懸浮方向移動。主控制裝置20藉控制對各線圈供應之電流，以控制懸浮狀態之微動載台WFS之Z方向位置。

又，當在圖6(A)所示狀態下，如圖7(C)所示，對線圈56供應從+Z方向所視往右旋轉之電流時，於線圈56產生作用於+X方向之力(羅倫茲力)，而作為反作用分別於永久磁石66a₁ 、66a₂ 、及66b₁ 、66b₂ 產生作用於-X方向之力，微動載台WFS即相對粗動載台WCS移動於-X方向。又，與上述情形相反的，當對線圈56供應從+Z方向所視往左旋轉之電流時，於永久磁石66a₁ 、66a₂ 及66b₁ 、66b₂ 產生+X方向之力，微動載台WFS相對粗動載台WCS移動於+X方向。主控制裝置20，藉控制對各線圈供應之電流，據以控制微動載台WFS之X軸方向位置。

由上述說明可知，本實施形態中，主控制裝置20係對排列於Y軸方向之複數個YZ線圈55、57每隔1個供應電流，據以將微動載台WFS驅動Y軸方向。與此平行的，主控制裝置20對YZ線圈55、57中未使用於將微動載台WFS驅動於Y軸方向之線圈供應電流，據以使其產生與往Y軸方向驅動力不同之往Z軸方向之驅動力，使微動載台WFS從粗動載台WCS浮起。此外，主控制裝置20視微動載台WFS之Y軸方向位置依序切換電流供應對象之線圈，據以一邊維持微動載台WFS相對粗動載台WCS之懸浮狀態、亦即非接觸狀態、一邊將微動載台WFS驅動於Y軸方向。又，主控制裝置20亦能在使微動載台WFS從粗動載台WCS浮起之狀態下，除Y軸方向外亦能獨立的將其驅動於X軸方向。

又，主控制裝置20，例如圖8(A)所示，亦可藉由使微動載台WFS之+X側可動件部82a與-X側可動件部82b產生彼此不同大小之Y軸方向之驅動力(推力)(參照圖8(A)之黑箭頭)，據以使微動載台WFS繞Z軸旋轉(θz旋轉)(參照圖8(A)之白箭頭)。又，與圖8(A)相反的，亦可藉由使作用於+X側可動件部82a之驅動力大於-X側之驅動力，使微動載台WFS相對Z軸向左旋轉。

此外，主控制裝置20，可如圖8(B)所示，使彼此不同之浮力(參照圖8(B)之黑箭頭)作用於微動載台WFS之+X側可動件部82a與-X側可動件部82b，據以使微動載台WFS繞Y軸旋轉(θy驅動)(參照圖8(B)之白箭頭)。又，與圖8(B)相反的，亦可藉由使作用於+X側可動件部82a之浮力大於-X側，而使微動載台WFS相對Y軸往左旋轉。

進一步的，主控制裝置20，亦可如圖8(C)所示，使彼此不同浮力(參照圖8(C)之黑箭頭)作用於微動載台WFS之各可動件部82a、82b之Y軸方向之+側與-側，據以使微動載台WFS繞X軸旋轉(θx驅動)(參照圖8(C)白箭頭)。又，與圖8(C)相反的，亦可藉由使作用於可動件部82a(及82b)之-Y側部分之浮力小於作用於+Y側部分之浮力，使微動載台WFS相對X軸往左旋轉。

由以上說明可知，本實施形態，可藉由微動載台驅動系統52，將微動載台WFS相對粗動載台WCS以非接觸狀態加以懸浮支承，且相對粗動載台WCS以非接觸方式驅動於6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)。

又，本實施形態中，主控制裝置20在使浮力作用於微動載台WFS時，可藉由對配置在固定件部93a内之2行線圈55、57(參照圖5)供應彼此相反方向之電流，據以如圖9所示，與浮力(參照圖9之黑箭頭)同時將繞Y軸旋律之旋轉力(參照圖9之白箭頭)作用於可動件部82a。同樣的，主控制裝置20亦可在使浮力作用於微動載台WFS時，藉由對配置在固定件部93b内之2行線圈55、57供應彼此相反方向之電流，對可動件部82b與浮力同時的作用繞Y軸之旋轉力。

亦即，本實施形態，係藉由構成微動載台驅動系統52之一部分之線圈單元CUa、與磁石單元MUa₁ 、MUa₂ ，構成使Y軸方向、X軸方向、Z軸方向及θy方向、以及θx方向之驅動力分別作用於微動載台WFS之+X側端部之第1驅動部，藉由構成微動載台驅動系統52之一部分之線圈單元CUb、與磁石單元MUb₁ 、MUb₂ ，構成分別使Y軸方向、X軸方向、Z軸方向及θy方向、以及θx方向之驅動力作用於微動載台WFS之-X側端部之第2驅動部。

又，主控制裝置20，可藉由將彼此相反方向之繞Y軸旋轉之旋轉力透過上述第1、第2驅動部分別作用於一對可動件部82a、82b，使微動載台WFS之中央部彎向+Z方向或-Z方向(參照圖9之具影線箭頭)。因此，如圖9所示，藉由使微動載台WFS於X軸方向之中央部彎向+Z方向(成凸狀)，可抵消因晶圓W及本體部81之自重引起之微動載台WFS(本體部81)之X軸方向中間部分之彎曲，確保晶圓W表面對XY平面(水平面)之平行度。如此，在晶圓W直徑大而微動載台WFS大型化時等，尤能發揮效果。量入為出

又，當晶圓W因自重等而變形時，於照明用光IL之照射區域(曝光區域IA)内，微動載台WFS上所裝載之晶圓W之表面亦有不進入投影光學系統PL之焦深範圍内之虞。因此，主控制裝置20可與使上述微動載台WFS於X軸方向之中央部彎向+Z方向之情形同樣的，透過上述第1、第2驅動部藉由使彼此相反方向之繞Y軸旋轉之旋轉力分別作用於一對可動件部82a、82b，以使晶圓W變形為大致平坦，而能在曝光區域IA内晶圓W之表面進入投影光學系統PL之焦深範圍内。圖9中，雖顯示了使微動載台WFS彎曲於+Z方向(成凸形)之例，但亦可藉由控制對線圈之電流方向，以使微動載台WFS彎曲向與此相反之方向(成凹形)。

本實施形態之曝光裝置100，在進行對晶圓W之步進掃描(step & scan)方式之曝光動作時，微動載台WFS 之XY平面内之位置資訊(含θz方向之位置資訊)係由主控制裝置20使用後述微動載台位置測量系統70之編碼器系統73(參照圖4)加以測量。又，微動載台WFS與粗動載台WCS之間於XY平面内之相對位置資訊(含θz方向之相對位置資訊)，係由主控制裝置20使用後述相對載台位置測量系統17(參照圖4)加以測量。微動載台WFS之位置資訊及微動載台WFS與粗動載台WCS間之相對位置資訊被送至主控制裝置20，主控制裝置20根據此等位置資訊控制微動載台WFS及粗動載台WCS之位置。

相對於此，在晶圓載台WST位於微動載台位置測量系統70之測量區域外時，晶圓載台WST之位置資訊係由主控制裝置20使用晶圓載台位置測量系統16(參照圖4)加以測量。晶圓載台位置測量系統16，如圖1所示，包含對粗動載台WCS側面以鏡面加工形成之反射面照射測長光束以測量晶圓載台WST之XY平面内位置資訊之雷射干涉儀。此外，圖1中雖省略圖示，但實際上，於粗動載台WCS形成有垂直於Y軸之Y反射面與垂直於X軸之X反射面，並與此對應，雷射干涉儀亦設有對X反射面、Y反射面分別照射測長光束之X干涉儀、Y干涉儀。又，晶圓載台位置測量系統16，例如Y干涉儀亦可具有複數個測長軸，根據各測長軸之輸出，測量晶圓載台WST之θz方向之位置資訊(旋轉資訊)。再者，晶圓載台WST於XY平面内之位置資訊，可取代上述晶圓載台位置測量系統16而以其他測量裝置、例如編碼器系統加以測量。此場合，可於例如基盤12之上面配置2維標尺、於粗動載台WCS之底面設置編碼器讀頭。

其次，說明微動載台位置測量系統70(參照圖4)構成，此微動載台位置測量系統70包含微動載台WFS之XY平面内之位置資訊測量所使用之編碼器系統73、與微動載台WFS之Z、θx及θY方向之位置資訊測量所使用之雷射干涉儀系統75。微動載台位置測量系統70，如圖1所示，具備在晶圓載台WST位於投影光學系統PL下方之狀態下，插入設在粗動載台内部之空間部内的測量構件(測量臂)71。測量臂71，係透過支承部72懸臂(支承一端部附近)方式支承於曝光裝置100之主框架BD。又，在採用不妨礙晶圓載台移動之構成之情形時，測量構件並不限於懸臂支承，亦可以是於其長邊方向兩端部加以支承。

測量臂71，係以Y軸方向為長邊方向、具有高度方向(Z軸方向)尺寸大於寬度方向(X軸方向)之縱長長方形剖面之四角柱狀(亦即長方體狀)之構件，將可使光透射之相同材料、例如將玻璃構件予以貼合複數層所形成。測量臂71，除收容後述編碼器讀頭(光學系統)之部分外，形成為中實。測量臂71，如前所述，在晶圓載台WST被配置於投影光學系統PL下方之狀態下，前端部插入粗動載台WCS之空間部内，如圖1所示，其上面對向於微動載台WFS之下面(正確而言，係對向於本體部81(圖1中未圖示，參照圖2(A)等)下面)。測量臂71之上面，係在與微動載台WFS之下面之間形成有既定間隙、例如形成數mm程度之間隙之狀態下，配置成與微動載台WFS之下面大致平行。此外，測量臂71上面與微動載台WFS下面之間之間隙為數mm以上或以下皆可。

微動載台位置測量系統70，如圖4所示，具備測量微動載台WFS之X軸方向、Y軸方向及θz方向位置之編碼器系統73、與測量微動載台WFS之Z軸方向、θx方向及θY方向位置之雷射干涉儀系統75。編碼器系統73，包含測量微動載台WFS之X軸方向位置之X線性編碼器73x、測量微動載台WFS之Y軸方向位置之一對Y線性編碼器73ya、73yb(以下，適當的將此等合稱為Y線性編碼器73y)。編碼器系統73，係使用與例如美國專利第7,238,931號說明書、及國際公開第2007/083758號(對應美國專利申請公開第2007/288,121號說明書)等所揭示之編碼器讀頭(以下，適當的簡稱為讀頭)相同構成之繞射干涉型讀頭。不過，本實施形態中，讀頭係如後所述的，光源及受光系統(含光檢測器)配在測量臂71外部，僅有光學系統係在測量臂71内部、亦即配置成與光柵RG對向。以下，除非特別需要之情形外，將配置在測量臂71内部之光學系統稱為讀頭。

圖10(A)以立體圖顯示了測量臂71之前端部，圖10(B)則顯示了從+Z方向觀察測量臂71之前端部上面的俯視圖。編碼器系統73係以1個X讀頭77x(參照圖11(A)及圖11(B))測量微動載台WFS之X軸方向位置，以一對Y讀頭77ya、77yb(參照圖11(B))測量Y軸方向之位置。亦即，以使用光柵RG之X繞射光柵測量微動載台WFS之X軸方向位置之X讀頭77x構成前述X線性編碼器73x，以使用光柵RG之Y繞射光柵測量微動載台WFS之Y軸方向位置之一對Y讀頭77ya、77yb構成一對Y線性編碼器73ya、73yb。

此處，說明構成編碼器系統73之3個讀頭77x、77ya、77yb之構成。圖11(A)中，以3個讀頭77x、77ya、77yb代表性的顯示了X讀頭77x之概略構成。又，圖11(B)顯示了X讀頭77x、Y讀頭77ya、77yb分別於測量臂71内之配置。

如圖11(A)所示，X讀頭77x具有分離面與YZ平面平行之偏光分束器PBS、一對反射鏡R1a、R1b、透鏡L2a、L2b、四分之一波長板(以下，記載為λ/4板)WP1a、WP1b、反射鏡R2a、R2b、以及反射鏡R3a、R3b等，此等光學元件以既定之位置關係配置。Y讀頭77ya、77yb亦具有相同構成之光學系統。X讀頭77x、Y讀頭77ya、77yb，如圖11(A)及圖11(B)所示，分別被單元化固定在測量臂71之内部。

如圖11(B)所示，X讀頭77x(X線性編碼器73x)從設在測量臂71之-Y側端部上面(或其上方)之光源LDx於-Z方向射出雷射光束LBx₀ ，透過對XY平面成45°角度斜設之前述反射面RP1將其光路彎折為與Y軸方向平行。此雷射光束LBx₀ 於測量臂71内部之中實部分平行的行進於測量臂71之長邊方向(Y軸方向)，而到達圖11(A)所示之反射鏡R3a。接著，雷射光束LBx₀ 被反射鏡R3a將其光路彎折後射入偏光分束器PBS。雷射光束LBx₀ 被偏光分束器PBS偏光分離而成為二條測量光束LBx₁ 、LBx₂ 。透射過偏光分束器PBS之測量光束LBx₁ 經由反射鏡R1a到達形成在微動載台WFS之光柵RG，而被偏光分束器PBS反射之測量光束LBx₂ 則經由反射鏡R1b到達光柵RG。此處所謂之「偏光分離」，係指將入射光束分離為P偏光成分與S偏光成分。

藉由測量光束LBx₁ 、LBx₂ 之照射而從光柵RG產生之既定次數之繞射光束、例如1次繞射光束，分別經由透鏡L2a、L2b被λ/4板WP1a、WP1b轉換為圓偏光後，被反射鏡R2a、R2b反射而再度通過λ/4板WP1a、WP1b，反方向循著與來路相同之光路到達偏光分束器PBS。

到達偏光分束器PBS之2個1次繞射光束，其偏光方向各自相對原來方向旋轉90度。因此，先透射過偏光分束器PBS之測量光束LBx₁ 之1次繞射光束被偏光分束器PBS反射。先被偏光分束器PBS反射之測量光束LBx₂ 之1次繞射光束透射過偏光分束器PBS。據此，測量光束LBx₁ 、LBx₂ 之各1次繞射光束即被合成於同軸上成為合成光束LBx₁₂ 。合成光束LBx₁₂ 被反射鏡R3b將其光路彎折為平行於Y軸，與Y軸平行的行進於測量臂71之内部，透過前述反射面RP1被送至圖11(B)所示之配置在測量臂71之-Y側端部上面(或其上方)之X受光系統74x。

於X受光系統74x，被合成為合成光束LBx₁₂ 之測量光束LBx₁ 、LBx₂ 之1次繞射光束藉由未圖示之偏光件(檢光件)使其偏光方向一致，彼此干涉而成為干涉光，此干涉光被未圖示之光檢測器檢測出而被轉換為對應干涉光強度之電氣訊號。此處，當微動載台WFS移動於測量方向(此場合，為X軸方向)時，二光束間之相位差產生變化而使干涉光之強度變化。此干涉光之強度變化被供應至主控制裝置20(參照圖4)作為微動載台WFS於X軸方向之位置資訊。

如圖11(B)所示，於Y讀頭77ya、77yb分別射入從光源LDya、LDyb射出、被前述反射面RP1將光路彎折90°而與Y軸平行之雷射光束LBya₀ 、LByb₀ ，和前述同樣的，從Y讀頭77ya、77yb分別輸出被偏向分束器偏向分離之測量光束分別於光柵RG(之Y繞射光柵)之1次繞射光束之合成光束LBya₁₂ 、LByb₁₂ ，而回到Y受光系統74ya、74yb。此處，光源Ldya與受光系統74ya、光源Ldyb與受光系統74yb，如圖9(B)所示，係分別排列於Y軸方向配置。因此，從光源LDya、LDyb射出之雷射光束LBya₀ 、LByb₀ 與回到Y受光系統74ya、74yb之合成光束LBya₁₂ 、LByb₁₂ ，分別通過圖9(B)中於紙面垂直方向重疊之光路。又，如上所述，從光源射出之雷射光束LBya₀ 、LByb₀ 與回到Y受光系統74ya、74yb之合成光束LBya₁₂ 、LByb₁₂ ，於Y讀頭77ya、77yb係於其内部分別將光路適當的加以彎折(圖示省略)，以通過於Z軸方向分離之平行的光路。

如圖10(A)及圖10(B)所示，X讀頭77x係從位於距測量臂71之中央線CL等距離之與X軸平行之直線LX上之2點(參照圖10(B)之白圓圈)，對光柵RG上照射測量光束LBx₁ 、LBx₂ (圖10(A)中以實線所示)。測量光束LBx₁ 、LBx₂ 照射於光柵RG上之同一照射點(參照圖11(A))。測量光束LBx₁ 、LBx₂ 之照射點、亦即X讀頭77x之檢測點(參照圖10(B)中之符號DP)與照射於晶圓W之照明用光IL之照射區域(曝光區域)IA中心之曝光位置一致(參照圖1)。又，測量光束LBx₁ 、LBx₂ ，實際上雖會在本體部81與空氣層之界面等折射，但圖11(A)等中，予以簡化圖示。

如圖11(B)所示，一對Y讀頭77ya、77yb係分別配置在測量臂71之中央線CL之+X側、-X側。Y讀頭77ya，如圖10(A)及圖10(B)所示，配置在與Y軸平行之直線LYa上，從距直線LX相等距離之2點(參照圖10(B)之白圓圈)對光柵RG上之共通照射點分別照射圖10(A)中以虛線所示之測量光束LBya₁ 、LBya₂ 。測量光束LBya₁ 、LBya₂ 之照射點、亦即Y讀頭77ya之檢測點於圖10(B)中以符號Dpya顯示。

Y讀頭77yb與Y讀頭77ya同樣的，配置在距離測量臂71之中央線CL與直線Lya相同距離之與Y軸平行之直線LYb上，從距直線LX相等距離之2點(參照圖10(B)之白圓圈)對光柵RG上之共通照射點DPyb照射測量光束LByb₁ 、LByb₂ 。如圖10(B)所示，測量光束LBya₁ 、LBya₂ 及測量光束LByb₁ 、LByb₂ 之檢測點DPya、Dpyb分別配置在與X軸平行之直線LX上。此處，主控制裝置20，係根據2個Y讀頭77ya、77yb之測量值之平均來決定微動載台WFS之Y軸方向之位置。因此，本實施形態中，微動載台WFS之Y軸方向位置係以檢測點DPya、Dpyb之中點為實質之測量點加以測量。此外，Y讀頭77ya、77yb所測量之檢測點DPya、DPyb之中點與測量光束LBx₁ 、LBX₂ 之光柵RG上之照射點DP一致。亦即，本實施形態中，關於微動載台WFS之X軸方向及Y軸方向之位置資訊之測量，具有共通之檢測點，此檢測點與照射於晶圓W之照明用光IL之照射區域(曝光區域)IA中心之曝光位置一致。因此，本實施形態中，主控制裝置20可藉由編碼器系統73之使用，在將標線片R之圖案轉印至微動載台WFS上所裝載之晶圓W之既定照射區域時，微動載台WFS之XY平面内之位置資訊之測量，能恆在曝光位置之正下方(背側)進行。又，主控制裝置20根據分別測量微動載台WFS之Y軸方向位置之於X軸方向分離配置之一對Y讀頭77ya、77yb之測量值之差，測量微動載台WFS之θz方向之旋轉量。

雷射干涉儀系統75，如圖10(A)所示，將三條測長光束LBz₁ 、LBz₂ 、LBz₃ 從測量臂71之前端部射入微動載台WFS之下面。雷射干涉儀系統75，具有分別照射此等三條測長光束LBz₁ 、LBz₂ 、LBz₃ 之三個雷射干涉儀75a～75c(參照圖4)。

雷射干涉儀系統75，係將三條測長光束LBz₁ 、LBz₂ 、LBz₃ ，如圖10(A)及圖10(B)所示，從測量臂71之上面上不在同一直線上之三點分別與Z軸平行的射出。此處，三條測長光束LBz₁ 、LBz₂ 、LBz₃ ，如圖10(B)所示，係從重心與照射區域(曝光區域)IA中心之曝光位置一致之二等邊三角形(或正三角形)之各頂點位置分別照射。此場合，測長光束LBz₃ 之射出點(照射點)位於中央線CL上，其餘測長光束LBz₁ 、LBz₂ 之射出點(照射點)則距中央線CL等距離。本實施形態中，主控制裝置20使用雷射干涉儀系統75測量微動載台WFS之Z軸方向位置、θz方向及θY方向之旋轉量之資訊。又，雷射干涉儀75a～75c設在測量臂71之-Y側端部上面(或其上方)。從雷射干涉儀75a～75c往-Z方向射出之測長光束LBz₁ 、LBz₂ 、LBz₃ ，經由前述反射面RP1於測量臂71内沿Y軸方向行進，其光路分別被彎折而從上述三點射出。

本實施形態，於微動載台WFS之下面設有使來自編碼器系統73之各測量光束透射、阻止來自雷射干涉儀系統75之各測長光束透射之選波濾波器(圖示省略)。此場合，選波濾波器亦兼作為來自雷射干涉儀系統75之各測長光束之反射面。選波濾波器係使用具有波長選擇性之薄膜等，本實施形態中，係例如設於透明板81g)之一面，而光柵RG相對該一面配置在晶圓保持具側。

由以上說明可知，主控制裝置20可藉由微動載台位置測量系統70之編碼器系統73及雷射干涉儀系統75之使用，測量微動載台WFS之6自由度方向之位置。此場合，於編碼器系統73，由於測量光束在空氣中之光路長極短且大致相等，因此能幾乎忽視空氣波動之影響。因此，可藉由編碼器系統73高精度的測量微動載台WFS於XY平面内之位置資訊(亦含θz方向)。此外，編碼器系統73之X軸方向及Y軸方向之實質的光柵上之檢測點、及雷射干涉儀系統75於Z軸方向之微動載台WFS下面上之檢測點，分別與曝光區域IA之中心(曝光位置)一致，因此能將所謂阿貝誤差之產生抑制至實質上可忽視之程度。因此，主控制裝置20可藉由微動載台位置測量系統70之使用，在無阿貝誤差之情形下，高精度測量微動載台WFS之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向之位置。

其次，說明用於微動載台WFS與粗動載台WCS間之相對位置資訊之測量之相對載台位置測量系統17(參照圖4)。相對載台位置測量系統17係由第1編碼器系統17a與第2編碼器系統17b構成。

圖12中顯示構成第1編碼器系統17a之3個編碼器讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 、17Ya與光柵17Ga之配置。此處，光柵17Ga係包含以X軸方向為週期方向之反射型繞射光柵(X繞射光柵)、與以Y軸方向為週期方向之反射型繞射光柵(Y繞射光柵)之2維光柵。

如圖12所示，光柵17Ga係配置在固定於微動載台WFS(之本體部81)+X端部之可動件部82a(之板狀構件82a₁ )之-Z面。光柵17Ga具有以Y軸方向為長邊方向之矩形。此處，光柵17Ga於Y軸方向之長度，例如係與板狀構件82a₁ 之長度大致相等(略短)。另一方面，於X軸方向之寬度，則與微動載台WFS之本體部81之寬度與固定於粗動載台WCS之固定件部93a、93b之分離距離之差大致相等。

編碼器讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 及17Ya係分別以X軸方向及Y軸方向為測量方向之1維編碼器讀頭。此處，將編碼器讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 稱為X讀頭、將編碼器讀頭17Ya稱為Y讀頭。本實施形態中，X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 及Y讀頭17Ya係採用與圖11(A)所示之前述讀頭77x、77ya、77yb相同構成之讀頭。

如圖12所示，X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 及Y讀頭17Ya係將測量光束之射出部朝向+Z側，埋設配置在固定於粗動載台WCS之固定件部93a内。此處，在微動載台WFS被粗動載台WCS支承其大致中央之狀態下，Y讀頭17Ya係對向於光柵17Ga之中心。正確而言，Y讀頭17Ya之測量光束之照射點與光柵17Ga之中心一致。X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 則係分別於±Y側距Y讀頭17Ya相等距離。亦即，於光柵17Ga上，X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 之測量光束之照射點，係以Y讀頭17Ya之測量光束之照射點為中心，分別於±Y側分開相等距離。

X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 於Y軸方向之分離距離，例如係與光柵17Ga之長度之2倍、與微動載台WFS相對粗動載台WCS之移動行程之差大致相等(略短)。因此，如圖13(A)所示，在微動載台WFS相對粗動載台WCS被驅動於＋Y方向而到達移動行程之＋Y端時，X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 及Y讀頭17Ya即對向於光柵17Ga之-Y端部附近。又，如圖13(B)所示，在微動載台WFS相對粗動載台WCS被驅動於-Y方向而到達移動行程之-Y端時，X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 及Y讀頭17Ya即對向於光柵17Ga之＋Y端部附近。亦即，於微動載台WFS之全移動行程，X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 及Y讀頭17Ya一定對向於光柵17Ga。

X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 對對向之光柵17Ga照射測量光束，並接收來自光柵17Ga之返回光(繞射光)，據以測量微動載台WFS相對粗動載台WCS於X軸方向之相對位置資訊。同樣的，Y讀頭17Ya測量微動載台WFS相對粗動載台WCS於Y軸方向之相對位置資訊。此等測量結果被供應至主控制裝置20(參照圖4)。

主控制裝置20，使用被供應之測量結果求出微動載台WFS與粗動載台WCS間於XY平面内之相對位置資訊。此處，如前所述，X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 之測量光束於光柵17Ga上之照射點(亦即測量點)，係以Y讀頭17Ya之測量光束之照射點(亦即測量點)為中心，於±Y方向分離。因此，能從X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 之測量結果，求出以Y讀頭17Ya之測量點為基準點之微動載台WFS之X軸方向及θz方向之相對位置資訊。又，可從Y讀頭17Ya之測量結果求出微動載台WFS之Y軸方向之相對位置資訊。

第2編碼器系統17b亦與第1編碼器系統17a同樣的，由2個X讀頭與與1個Y讀頭與2維光柵構成。2個X讀頭與1個Y讀頭係固定在固定於粗動載台WCS之固定件部93b、2維光柵則係配置在固定於微動載台WFS(之本體部81)之-X端部之可動件部82b(之板狀構件82b₁ )之-Z面。此等配置，係與構成第1編碼器系統17a之X讀頭17Xa₁ 、17Xa₂ 、Y讀頭17Ya及光柵17Ga，就Y軸成對稱。

構成第2編碼器系統17b之2個X讀頭與1個Y讀頭之測量結果亦被供應至主控制裝置20(參照圖4)。主控制裝置20使用被供應之測量結果，求出微動載台WFS與粗動載台WCS間於XY平面内之相對位置資訊。主控制裝置20根據從第1及第2編碼器系統17a、17b之測量結果所求出之2個相對位置資訊，例如加以平均後，最終決定微動載台WFS相對於粗動載台WCS之位置資訊。又，作為微動載台WFS與粗動載台WCS之相對位置資訊，可取代XY平面内之相對位置資訊、或再加上就Z軸方向、θx方向及θy方向之至少1個方向測量之相對位置資訊。

主控制裝置20，從使用微動載台位置測量系統70所測量之微動載台WFS位置資訊、與使用相對載台位置測量系統17所測量之微動載台WFS與粗動載台WCS間之相對位置資訊，求出粗動載台WCS於XY平面内之位置資訊(含θz方向之位置資訊)。根據其結果，由主控制裝置20控制粗動載台WCS之位置。特別是在對晶圓W之步進掃描方式之曝光動作時，主控制裝置20係將粗動載台WCS步進驅動於非掃描方向。

以上述方式構成之本實施形態之曝光裝置100，於元件之製造時，首先，由主控制裝置20使用晶圓對準系統ALG檢測微動載台WFS之測量板片86上之第2基準標記。接著，由主控制裝置20使用晶圓對準系統ALG進行晶圓對準(例如美國專利第4,780,617號說明書等所揭示全晶圓增強型對準(EGA)等)等。又，本實施形態之曝光裝置100，由於晶圓對準系統ALG係配置在於Y軸方向與投影單元PU分離之處，因此在進行晶圓對準時，無法以微動載台位置測量系統70之編碼器系統(測量臂)進行微動載台WFS之位置測量。因此，曝光裝置100，將包含與上述微動載台位置測量系統70之測量臂71相同構成之測量臂的第2微動載台位置測量系統(圖示省略)設於晶圓對準系統ALG附近，使用此來進行在晶圓對準時之微動載台之XY平面内之位置測量。惟，不限於此，亦可透過前述晶圓載台位置測量系統16一邊測量晶圓W之位置、一邊進行晶圓對準。再者，由於晶圓對準系統ALG與投影單元PU係分離，因此主控制裝置20，將從晶圓對準之結果所得之晶圓W上各照射區域之排列座標，轉換為以第2基準標記為基準之排列座標。

主控制裝置20，於曝光開始前，使用前述一對標線片對準系統RA₁ 、RA₂ 、及微動載台WFS之測量板片86上之一對第1基準標記等，以一般掃描步進機相同之程序(例如，美國專利第5,646,413號說明書等所揭示之程序)進行標線片對準。之後，主控制裝置20根據標線片對準之結果、與晶圓對準之結果(以晶圓W上各照射區域之第2基準標記為基準之排列座標)進行步進掃描(step ＆ scan)方式之曝光動作，將標線片R之圖案分別轉印至晶圓W上之複數個照射區域。此曝光動作，係藉由交互的反複進行前述標線片載台RST與晶圓載台WST之同步移動的掃描曝光動作、以及將晶圓載台WST移動至為進行照射區域之曝光之加速開始位置的照射間移動(步進)動作據以進行。此場合，係進行液浸曝光之掃描曝光。本實施形態之曝光裝置100，在上述一連串之曝光動作中，由主控制裝置20使用微動載台位置測量系統70測量微動載台WFS(晶圓W)之位置，根據此測量結果控制晶圓W之位置。

又，上述掃描曝光動作時，雖需於Y軸方向以高加速度掃描晶圓W，但本實施形態之曝光裝置100，主控制裝置20於掃描曝光動作時，係如圖14(A)所示，原則上不驅動粗動載台WCS而僅將微動載台WFS驅動於Y軸方向(視需要亦包含其他5自由度方向)(參照圖14(A)之黑箭頭)，據以於Y軸方向掃描晶圓W。此係由於與驅動粗動載台WCS之情形相較，僅使微動載台WFS移動時之驅動對象之重量較輕，較有利於能以高加速度驅動晶圓W之故。又，如前所述，由於微動載台位置測量系統70之位置測量精度高於晶圓載台位置測量系統16，因此在掃描曝光時驅動微動載台WFS是較有利的。又，在此掃描曝光時，因微動載台WFS之驅動產生之反作用力(參照圖14(A)之白箭頭)之作用，粗動載台WCS被驅動往微動載台WFS之相反側。亦即，粗動載台WCS具有配衡質量之功能，而保存由晶圓載台WST全體構成之系統之運動量，不會產生重心移動，因此不致因微動載台WFS之掃描驅動而對基盤12產生偏加重等之不理想狀態。

另一方面，在進行X軸方向之照射間移動(步進)動作時，由於微動載台WFS往X軸方向之可移動量較少，因此主控制裝置20，如圖14(B)所示，藉由將粗動載台WCS驅動於X軸方向，以使晶圓W移動於X軸方向。此處，由於粗動載台WCS之位置資訊係使用微動載台位置測量系統70與相對載台位置測量系統17加以測量，因此能以和微動載台WFS之驅動控制精度大致同程度之精度進行粗動載台WCS之驅動控制。

接著，說明以晶圓保持具進行之晶圓之吸附保持及該吸附之解除。圖15(A)中概略顯示了微動載台WFS之構成。

如圖15(A)所示，於微動載台WFS之本體部81形成有吸引用開口部81a。吸引用開口部81a之位置並無特別限定，可形成在例如本體部81之側面、下面等。又，於本體部81内部，設有透過晶圓保持具WH底部所形成之開口部、及吸引用開口部81a，將外部空間與形成在晶圓保持具WH與晶圓W背面之間之減壓室88加以連通之管線構件87a。於管線構件87a之管路途中配置有止回閥CVa。止回閥CVa係藉由將管線構件87a内之氣體流動方向限制為從減壓室88朝向外部空間之單一方向(參照圖15(A)之黑箭頭)、亦即不使壓力較減壓室88内氣體高之氣體從外部空間流入減壓室88内，據以維持減壓室88之減壓狀態。

又，曝光裝置100具有在晶圓載台WST位於既定晶圓更換位置時，如圖15(B)及圖15(C)所示，被定位成透過吸引用開口部81a將其一端插入管線構件87a内之吸引用管線80a。吸引用管線80a之另一端連接於未圖示之真空泵。主控制裝置20(參照圖4)在晶圓W被未圖示之晶圓搬送裝置裝載於晶圓保持具WH上時，控制真空泵吸收減壓室88内之氣體。吸引用管線80a與管線構件87a之間以未圖示之O形環等加以密封。如此，減壓室88内之壓力即低於外部空間之壓力，晶圓W被吸附保持於晶圓保持具WH。又，當減壓室88内壓力達到既定壓力時，主控制裝置20即停止以真空泵進行之減壓室88之氣體吸引。之後，晶圓載台WST從晶圓更換位置移動而將吸引用管線80a從管線構件87a拔出，亦能以止回閥CVa將管線構件87a之管路途中加以密閉，因此能維持減壓室88之減壓狀態，從而維持晶圓W被吸附保持於晶圓保持具WH之狀態。因此，無需將例如用以吸收減壓室88内氣體之管線構件(例如tube)等連接於微動載台WFS。

又，若恆維持減壓室88之減壓狀態的話，晶圓W之卸載將變得困難，因此於本體部81，如圖15(A)所示，設有用以解除減壓室88之減壓狀態之管線構件87b。管線構件87b與管線構件87a同樣的，透過晶圓保持具WH底部所形成之開口部及形成於本體部81之解除用開口部81b，將減壓室88與外部空間加以連通。解除用開口部81b之位置無特別限定，可形成於例如本體部81之側面、下面等。於管線構件87b之管路途中配置有止回閥CVb。止回閥CVb將管線構件87b内氣體之流動方向限制為從外部空間朝向減壓室88之單一方向(參照圖15(A)之箭頭)。又，將止回閥CVb之閥構件(圖15(A)～圖15(C)中係例如球)彈壓向閉位置之彈簧，其彈簧常數係設定為在減壓室88為減壓空間之狀態下(圖15(A)所示狀態)閥構件不會移動至開位置(圖15(B)之狀態下止回閥不會打開)。

又，曝光裝置100具有在晶圓載台WST位於既定晶圓更換位置時，如圖15(B)及圖15(C)所示，被定位成其一端從解除用開口部81b插入管線構件87b内之氣體供應用管線80b。氣體供應用管線80b之另一端連接於未圖示之氣體供應裝置。晶圓W之卸載時，主控制裝置20(參照圖4)控制氣體供應裝置將高壓氣體噴出於管線構件87b内。如此，止回閥CVb成為開狀態、高壓氣體被導入減壓室88内，從而解除以晶圓保持具WH進行之晶圓W之吸附保持。又，從氣體供應裝置導入減壓室88之氣體，由於係從晶圓W下方朝晶圓W之背面噴出，因此抵消了晶圓W之自重。亦即，氣體供應裝置協助了晶圓搬送裝置將晶圓W從晶圓保持具WH舉起之動作。因此，可使晶圓搬送裝置裝小型化。

此處，實際上，在晶圓保持具WH背面且光柵之形成範圍外位置，形成有連通管線構件87a、87b之前述開口部。或者，亦可於晶圓保持具WH側面形成開口部以連接管線構件87a、87b。

又，作為晶圓保持具使用靜電吸附方式保持晶圓之晶圓保持具時，可於微動載台搭載可充電之電池，在既定晶圓更換位置同時進行晶圓更換與電池充電。此場合，於微動載台設置受電用端子，並在晶圓更換位置附近配置被定位成晶圓載台位於晶圓更換位置時，與上述受電用端子電氣連接之供電用端子較佳。

如以上之說明，根據本實施形態之曝光裝置100，微動載台WFS之XY平面内之位置資訊，係藉由主控制裝置20，使用具有測量臂71(與配置於微動載台WFS之光柵RG對向配置)之微動載台位置測量系統70之編碼器系統73加以測量。此場合，於粗動載台WCS其内部形成有空間部，微動載台位置測量系統70之各讀頭配置在此空間部内，因此微動載台WFS與該等讀頭之間僅存在空間。因此，能將各讀頭配置成接近微動載台WFS(光柵RG)，如此，即能以微動載台位置測量系統70高精度的測量微動載台WFS之位置資訊，進而高精度的以主控制裝置20透過粗動載台驅動系統51及/或微動載台驅動系統52進行之微動載台WFS之驅動。又，此場合，從測量臂71射出、構成微動載台位置測量系統70之編碼器系統73、雷射干涉儀系統75之各讀頭之測量光束於光柵RG上之照射點，與照射於晶圓W之照明用光IL之照射區域(曝光區域)IA之中心(曝光位置)一致。因此，主控制裝置20能在不受所謂阿貝誤差之影響之情形下，高精度的測量微動載台WFS之位置資訊。又，藉由將測量臂71配置在緊接著光柵RG之下方，可極力的縮短編碼器系統73之各讀頭之測量光束於大氣中之光路長，因此空氣波動之影響降低，就此點來看，亦能高精度的測量微動載台WFS之位置資訊。

又，根據本實施形態之曝光裝置100，係藉由構成晶圓載台驅動系統53之一部分之微動載台驅動系統52，正確而言，係藉由紛紛構成微動載台驅動系統52之一部分之第1及第2驅動部，以非接觸方式將微動載台WFS支承為能在與XY平面平行之面内相對粗動載台WCS移動。此外，藉由第1及第2驅動部，將Y軸方向及X軸方向、Z軸方向、以及θy方向及θx方向之驅動力分別作用於微動載台WFS之X軸方向之一端部及另一端部。各方向之驅動力，藉由主控制裝置20控制供應至前述線圈單元CU₁ 、CU₂ 之各線圈之電流大小及/或方向，據以分別獨立控制其大小及產生方向。因此，不僅能藉由第1及第2驅動部將微動載台WFS驅動於Y軸方向、X軸方向、Z軸方向、θz、θy及θx方向之6自由度方向，亦能以第1及第2驅動部同時將相反方向之θy方向之驅動力作用於微動載台WFS之X軸方向之一端部及另一端部，據以使微動載台WFS(及保持於此之晶圓W)在與Y軸垂直之面(XZ面)内變形為凹形或凸形。換言之，能在微動載台WFS(及保持於此之晶圓W)因自重等而變形之情形時，抑制此變形。

又，根據本實施形態之曝光裝置100，由於能以良好精度驅動微動載台WFS，因此能以良好精度同步驅動裝載於此微動載台WFS之晶圓W與標線片載台RST(標線片R)，藉由掃描曝光，以良好精度將標線片R之圖案轉印至晶圓W上。此外，由於亦能修正微動載台WFS及晶圓W之彎曲，因此於掃描曝光中，將包含晶圓W表面之照明用光IL之照射區域(曝光區域IA)之區域維持在投影光學系統PL之焦深範圍内，進行不會因散焦造成曝光不良之高精度的曝光。

又，不僅僅是自重彎曲之修正及/或聚焦調平之控制，在採用晶圓之照射區域内之既定點橫越過曝光區域IA之期間，於焦深範圍内變化該既定點之Z軸方向位置以實質增大焦深之超解析技術之情形時，亦能適用使微動載台WFS(及保持於此之晶圓W)在與Y軸垂直之面(XZ面)内變形為凹形或凸形之手法。

《第1變形例》

又，將微動載台WFS相對粗動載台WCS驅動之微動載台驅動系統52(第1、第2驅動部)之構成，並不限於上述實施形態所說明者。圖16中顯示了微動載台驅動系統之其他例。上述實施形態所說明之微動載台驅動系統52雖係使用共通之YZ線圈55、57將微動載台WFS驅動於Y軸方向及Z軸方向，但圖13所示之微動載台驅動系統152則設有用以將微動載台WFS驅動於Z軸方向之專用的Z驅動用線圈155、158、與用以將微動載台WFS驅動於Y軸方向之專用的Y驅動用線圈157。於微動載台驅動系統152，固定件部93a内之-X側端部附近沿Y軸方向配置有複數個第1Z驅動用線圈155，於此等之＋X側配置有用以將微動載台WFS驅動於X軸方向、以Y軸方向為長邊方向之1個X驅動用線圈156。又，於X驅動用線圈156之＋X側，沿Y軸方向配置有複數個Y驅動用線圈157，進一步的，於此等之＋X側沿Y軸方向配置有複數個第2Z驅動用線圈158。於微動載台WFS之板狀構件82a₁ 、82a₂ ，配置有與此等線圈155～158對向配置之永久磁石165a～168a、165b～168b(關於各永久磁石之配置，參照圖5、圖6(A)及圖6(B))。圖13所示之微動載台驅動系統152，由於能獨立的控制Z驅動用線圈155、158與Y驅動用線圈157，因此控制容易。此外，與微動載台WFS之Y軸方向無關的，能以一定之浮力懸浮支承微動載台WFS，因此晶圓W之Z軸方向位置安定。

《第2變形例》

又，前述實施形態中，亦可構成為例如與晶圓W上照射區域之X軸方向尺寸同距離以上，使微動載台WFS與粗動載台WCS於X軸方向相對移動。此場合，將微動載台WFS相對粗動載台WCS驅動之微動載台驅動系統52，基本上係與上述實施形態相同之構成，但只要是採用X軸方向之驅動行程長之構成即可。例如，構成磁石單元MUa₁ 之一部分之一對(2個)永久磁石66a₁ 、66a₂ 及構成磁石單元MUa₂ 之一部分之永久磁石66b₁ 、66b₂ ，採用X軸方向之長度(寬度)對應所欲驅動行程長度之磁石，而作為構成線圈單元CUa之一部分之X線圈56，則採用對應此等永久磁石66a₁ 、66a₂ 、66b₁ 、66b₂ 之尺寸之線圈。磁石單元MUb₁ 、MUb₂ 及線圈單元Cub採用相同之構成。除此之外，關於X軸方向亦與Y軸方向同樣的，作成由磁石列與線圈列之組合而成之線性馬達構成。

無論如何，在採用微動載台WFS與粗動載台WCS不僅是Y軸方向、針對X軸方向亦能相對移動既定距離以上之構成之場合，與使用微動載台驅動系統52將微動載台WFS驅動於Y軸方向時同樣的，於X軸方向之驅動時，粗動載台WCS亦發揮配衡質量之功能。此場合，不僅是掃描曝光動作，照射間移動(步進)動作亦能藉由驅動微動載台WFS(晶圓W)來進行，在任一動作時皆能維持由晶圓載台WST之全體構成之系統之動量守恆。

又，此場合，亦可如美國專利申請公開第2008/0143994號說明書之揭示，在晶圓W上之第1照射區域之加速開始位置，為了對粗動載台WCS賦予該第1照射區域所屬第1行之照射區域曝光時之微動載台WFS(晶圓W)之步進方向(例如為＋X方向)之初速v₀ ，主控制裝置20可對粗動載台WCS賦予下式(1)所代表之衝量Ft1。

Ftl=(M＋m)‧SD/T　……(1)

此處，M為粗動載台WCS之質量、m為包含晶圓W等之微動載台WFS之質量、亦即(M＋m)為由晶圓載台WST全體構成之系統之質量、SD為於步進方向(X軸方向)之相鄰照射區域中心彼此之間隔(亦即，步進移動動作時之步進距離)、T則係代表為進行某一照射曝光之微動載台WFS從掃描結束時點、至為進行於X軸方向相鄰之下一個照射區域之曝光之微動載台WFS之掃描結束時點為止之時間。

藉由衝量Ft1之作用，粗動載台WCS被賦予以下式(2)表示之初速v₀ 。

v₀ =(M＋m)‧SD/T/M　……(2)

本例之情形，將由包含微動載台WFS與粗動載台WCS之晶圓載台WST全體構成之系統之動量視為大致守恆是無影響的，因此，之後與因外力作用產生之動量相較，粗動載台WCS僅具有v₀ ‧M=Ft1之大動量。

此外，在第1照射區域所屬之第1行之照射區域之曝光藉由交互掃描進之期間，如上述美國專利申請公開第2008/0143994號說明書中亦詳細揭示，由晶圓載台WST全體構成之系統之重心，於＋X方向進行等速運動。亦即，本例中，初速v₀ 係使前述系統之重心進行等速運動之初速，根據粗動載台WCS之質量M與包含晶圓W等之微動載台WFS之質量m，定為前述之值，並為了將此初速v₀ 賦予粗動載台WCS，而設定前述衝量Ft1。

又，當屬於第1行之照射區域之曝光結束時，主控制裝置20將用以對粗動載台WCS賦予與上述相反(-X方向)且相同大小之初速v₀ 之衝量，賦予粗動載台WCS。之後，藉由完全交互掃描，在第2行之照射區域之曝光藉由交互掃描進行之期間，由晶圓載台WST之全體構成之系統之重心即往-X方向進行等速運動。

之後，在每次進行屬於第3行、第4行、……之照射區域之曝光時，由主控制裝置20將用以對粗動載台WCS賦予與前行相反且相同大小之初速v₀ 之衝量，賦予粗動載台WCS，由晶圓載台WST全體構成之系統之重心即往＋X方向、-X方向進行等速運動。

如以上之詳細說明，本例中，主控制裝置20在微動載台WFS例如移動於＋X方向(或-X方向)時，對粗動載台WCS賦予＋X方向(或-X方向)之初速v₀ ，因此被微動載台驅動系統52驅動之微動載台WFS往＋X方向(或-X方向)移動時，粗動載台WCS受到該驅動力之反力而遵守動量守恆定律往-X方向(或＋X方向)移動，但此時起因於前述初速之往＋X方向(或-X方向)之移動亦同時進行，因此，其結果，粗動載台WCS僅往-X方向(或＋X方向)移動從微動載台WFS往＋X方向(或-X方向)之驅動力之反力作用而遵循動量守恆定律之自由運動時粗動載台WCS之移動距離，減去因前述初速而往＋X方向之移動距離分的距離，其移動距離變短。

又，本例中，於步進時，微動載台WFS會伴隨加減速往例如＋X方向(或-X方向)移動，因此在微動載台WFS之減速時間中，粗動載台WCS往＋X方向(或-X方向)加速，據此，承受微動載台WFS往＋X方向(或-X方向)之驅動力之反力的粗動載台WCS往-X方向(或＋X方向)之移動距離，能進一步的縮短。

承上所述，根據本例，能縮短粗動載台WCS之移動所需之行程。尤其是微動載台WFS進行包含往＋X方向(或-X方向)之步進移動之動作、亦即微動載台WFS交互的重複進行於＋X方向(或-X方向)之加速與減速，因此將粗動載台WCS之移動所需之於X軸方向之行程縮至最短。

進一步的，本例中，主控制裝置20係對粗動載台WCS賦予前述初速，以使包含微動載台WFS與粗動載台WCS之系統重心進行於X軸方向之等速移動。其結果，在進行對晶圓W上同一行之複數照射區域進行曝光動作之期間，粗動載台WCS一邊交互的重複步進、停止，一邊相對往＋X方向(或-X方向)慢慢移動之微動載台WFS，以該微動載台WFS之位置為基準在一定範圍内(例如為±Δx)範圍内往復運動。因此，粗動載台WCS之行程，只要準備於2Δx加上若干餘裕之距離即足夠。若改變視點以粗動載台WCS為基準來考量的話，在步進時，如之前之說明，若將粗動載台WCS驅動於X軸方向的話，可將使包含微動載台WFS與粗動載台WCS之系統之重心於X軸方向進行等速移動之初速，賦予微動載台WFS。於此情形時，微動載台WFS之行程，只要準備於2Δx加上若干餘裕之距離即足夠。

又，在對粗動載台WCS(或微動載台WFS)賦予初速時，可使粗動載台WCS相對微動載台於該初速方向錯開Δx。此外，在將微動載台WFS驅動於Y軸方向時，主控制裝置20亦可與上述同樣的，對粗動載台WCS賦予與驅動方向相同方向之初速。

此外，上述實施形態中，雖係透過雷射干涉儀系統(未圖示)一邊測量晶圓W(微動載台WFS)之位置、一邊進行晶圓對準，但不限於此，亦可將與包含上述微動載台位置測量系統70之測量臂71相同構成之測量臂之第2微動載台位置測量系統設在晶圓對準系統ALG之附近，使用此來進行晶圓對準時之微動載台於XY平面内之位置測量。

《第3變形例》

圖17中顯示了具備此種第2微動載台位置測量系統之第3變形例之曝光裝置1000之構成。曝光裝置1000係具備配置有投影單元PU之曝光站(曝光處理部)200、與配置有對準系統ALG之測量站(測量處理部)300之雙晶圓載台型之曝光裝置。此處，與前述第1實施形態之曝光裝置100相同或同等構成部分係使用相同或類似之記號，且省略或簡化其說明。又，曝光站200與測量站300具有同等構件之情形時，於各構件之符號尾附加A、B以資識別。不過，2個晶圓載台之符號則分記為WST1，WST2。

曝光站200，如比較圖1與圖17可知，基本上，係與前述第1實施形態之曝光裝置100同樣的構成。又，於測量站300，配置有曝光站200側之微動載台位置測量系統70A、以及以左右對稱配置之微動載台位置測量系統70B。此外，於測量站300，取代對準系統ALG，以主機架BD懸吊之狀態安裝有對準裝置99。對準裝置99，係使用例如國際公開第2008/056735號所詳細揭示之具備5個FIA系統之5眼對準系統。

又，曝光裝置1000中，在基座盤12之曝光站200與測量站300之間之位置安裝有可上下動之中央台130。中央台130具備可藉由驅動裝置132(參照圖18)上下動之軸134、與固定在軸134上端俯視呈Y字形之台本體136。又，分別晶圓載台WST1、WST2之粗動載台WCS1、WCS2，分別以粗動滑件部91之長邊方向中央之分離線為交界，構成為可分離成第1部分與第2部分之2個部分。此外，於各粗動載台WCS1、WCS2之底面，形成有較軸134寬、含第1部分與第2部分之分離線全體為U字形之缺口。如此，晶圓載台WST1、WST2皆能將微動載台WFS1或WFS2搬送至台本體136之上方。

圖18之方塊圖，顯示了曝光裝置1000之控制系統之主要構成。

以此方式構成之曝光裝置1000，於曝光站200係對構成晶圓載台WST1之粗動載台WCS1所支承之微動載台WFS1上之晶圓W進行曝光，於此並行的，於測量站300則係對構成晶圓載台WST2之粗動載台WCS2所支承之微動載台WFS2上之晶圓W進行晶圓對準(例如EGA等)等。

此外，當曝光結束時，晶圓載台WST1即將保持已曝光晶圓W之微動載台WFS1搬送至台本體136之上方。接著，中央台130被驅動裝置132上昇驅動，藉由主控制裝置20控制晶圓載台驅動系統53A之粗動載台驅動系統將粗動載台WCS1分離為第1部分與第2部分。如此，微動載台WFS1即從粗動載台WCS1被交至台本體136。接著，在中央台130被驅動裝置132下降驅動後，粗動載台WCS1回到分離前之狀態(一體化)。之後，晶圓載台WST2從-Y方向接近或接觸一體化之粗動載台WCS1，保持已對準晶圓W之微動載台WFS2即從粗動載台WCS2被移載至粗動載台WCS1。此一連串之動作係由主控制裝置20控制晶圓載台驅動系統53B之粗動載台驅動系統與微動載台驅動系統據以進行。

之後，保持有微動載台WFS2之粗動載台WCS1移動至曝光站200，根據標線片對準、該標線片對準之結果、與晶圓對準之結果(晶圓W上各照射區域以第2基準標記為基準之排列座標)，進行步進掃描方式之曝光動作。

與此曝光並行，粗動載台WCS2往-Y方向退避，台本體136上所保持之微動載台WFS1即被未圖示之搬送系統搬送至既定位置，該微動載台WFS1所保持之已曝光晶圓W即藉由未圖示之晶圓更換機構被更換為新的晶圓W。此處，於晶圓更換位置，以微動載台WFS2之晶圓保持具(圖示省略)與晶圓W背面形成之減壓室(減壓空間)，透過未圖示之排氣管路及管線連接於真空泵，以主控制裝置20使此真空泵作動，將減壓室内之氣體經由排氣管路及管線排至外部，減壓室内成為負壓，而開始以晶圓保持具吸附晶圓W。接著，減壓室内成為既定壓力(負壓)時，由主控制裝置20停止真空泵。當真空泵停止時，藉由未圖示之止回閥之作用關閉排氣管路。因此，減壓室之減壓狀態獲得維持，即使不將用以真空吸引減壓室氣體之管等連接於微動載台WFS2，亦能將晶圓W保持於晶圓保持具。因此，可使微動載台WFS2從粗動載台分離而在無障礙之情形下加以搬送。

接著，將保持有新晶圓W之微動載台WFS1藉由搬送系統搬送至台本體136上，並進一步的從台本體136上交至粗動載台WCS2上。之後，即重複進行與上述同樣之處理。

承上所述，此變形例之曝光裝置1000，於曝光站200，進行晶圓W之曝光時之微動載台WFS1、WFS2於XY平面内之位置資訊，係以主控制裝置20使用具有測量臂71A之微動載台位置測量系統70A之編碼器系統，以和前述實施形態同樣的，高精度的加以測量。此外，可由主控制裝置20控制晶圓載台驅動系統53A(之微動載台驅動系統)，以和前述方式同樣的，進行對在曝光站200之曝光對象晶圓之彎曲修正。

除此之外，此變形例之曝光裝置1000，於測量站300進行晶圓W之對準時之微動載台WFS1、WFS2於XY平面内之位置資訊，係以主控制裝置20使用具有測量臂71B之微動載台位置測量系統70B之編碼器系統，和前述同樣的高精度的加以測量，如此，與透過雷射干涉儀系統一邊測量晶圓W(微動載台)之位置一邊進行晶圓對準之場合相較，能進行高精度之晶圓對準。並且，根據此晶圓對準之結果(例如將以EGA所得之晶圓W上各照射區域之排列座標，轉換為以第2基準標記為基準之座標的資訊)、及標線片對準之結果等，以步進掃描方式進行晶圓W之曝光。此外，在測量站300之晶圓對準時，可由主控制裝置20控制晶圓載台驅動系統53B(之微動載台驅動系統)，進行前述微動載台之彎曲修正、亦即進行晶圓之彎曲修正。此場合，能進行高精度之對準標記之位置測量。因此，根據變形例之曝光裝置1000，能進行根據高精度對準結果之更高精度之晶圓曝光。又，變形例中，與前述實施形態同樣的，於微動載台WFS1、WFS2之内部形成有中空部，能謀求輕量化、進而謀提升其位置控制性。

又，上述實施形態及變形例，係例舉將微動載台支承為能相對粗動載台移動，且作為將其驅動於6自由度方向之第1、第2驅動部，採用將線圈單元以一對磁石單元上下挾持之三明治構造之情形。然而，不限於此，第1、第2驅動部可以是將磁石單元以一對線圈單元從上下加以挾持之構造、亦可以不是三明治構造。此外，亦可將線圈單元配置於微動載台、將磁石單元配置於粗動載台。

又，上述實施形態及變形例，縮係藉由第1、第2驅動部將微動載台驅動於6自由度方向，但不一定必須驅動於6自由度。例如，第1、第2驅動部亦可於θx方向不驅動微動載台。

又，上述實施形態，雖係針對微動載台位置測量系統70係具備全體以玻璃形成、光可在内部行進之測量臂71之情形作了說明，但本發明不限定於此。例如，臂構件只要至少前述各測長光束、各雷射光束行進之部分係以光可透射之中實構件形成即可，其他部分可以是例如不會使光透射之構件，亦可以是中空構造。此外，例如作為臂構件，只要是能從對向於光柵之部分照射測量光束的話，亦可在例如臂構件之前端部內建光源或光檢測器等。此場合，無需使編碼器之測量光束在臂構件内部行進。

此外，測量臂之各雷射光束行進之部分(光束光路部分)亦可以是中空等。或者，採用光柵干涉型之編碼器系統來作為編碼器系統之場合，可將形成繞射光柵之光學構件，設在陶瓷或因鋼(invar)等低熱膨漲性之臂。此係因，尤其是編碼器系統為極力避免受到空氣波動之影響，而將光束分離之空間做的極窄(短)之故。再者，此場合，亦可將經温度控制之氣體供應至微動載台(晶圓保持具)與臂之間(及光束之光路)以謀求温度之安定化。

進一步的，測量臂之形狀並無特定。又，微動載台位置測量系統70並不一定必須具有測量臂，只要具有在粗動載台WCS之空間部内與光柵RG對向配置、對該光柵RG照射至少一條測量光束並接收該測量光束來自光柵RG之繞射光之讀頭，能根據該讀頭之輸出測量微動載台WFS至少於XY平面内之位置資訊的話，即足夠。

又，上述實施形態，雖係例示編碼器系統73具備X讀頭與一對Y讀頭之情形，但不限於此，例如亦可設置1個或2個以X軸方向及Y軸方向之2方向為測量方向之2維讀頭(2D讀頭)。設置2個2D讀頭之情形時，可設置成該等之檢測點在光柵上以曝光位置為中心，於X軸方向相距同一距離之2點。

又，微動載台位置測量系統70亦可不具備雷射干涉儀系統75，而僅以編碼器系統73測量微動載台於6自由度方向之位置資訊。此場合，例如可使用能測量於X軸方向及Y軸方向之至少一方與Z軸方向之位置資訊之編碼器。例如，可藉由對2維之光柵RG上不在同一直線上之3個測量點，從包含可測量於X軸方向與Z軸方向之位置資訊之編碼器、與可測量於Y軸方向與Z軸方向之位置資訊之編碼器之合計3個編碼器照射測量光束，並接收分別來自光柵RG之返回光，據以測量設在光柵RG之移動體之6自由度方向之位置資訊。又，編碼器系統73之構成不限於上述實施形態，任意皆可。

又，上述實施形態中，雖係於微動載台上面、亦即與晶圓對向之面配置光柵，但不限於此，光柵亦可形成於保持晶圓之晶圓保持具。此場合，即使曝光中產生晶圓保持具膨漲、或對微動載台之裝著位置產生偏差之情形，亦能加以追蹤(follow-up)而測量晶圓保持具(晶圓)之位置。又，光柵亦可配置在微動載台下面，此時，從編碼器讀頭照射之測量光束不在微動載台内部行進，因此無需將微動載台作成能使光透射之中實構件，而可將微動載台作成中空構造於其内部配置管路、線路等，使微動載台輕量化。

又，上述實施形態中，雖然微動載台WFS係藉由羅倫茲力(電磁力)之作用而以非接觸方式支承於粗動載台WCS，但不限於此，例如亦可於微動載台WFS設置真空加壓空氣靜壓軸承等，以對粗動載台WCS懸浮支承。此外，上述實施形態中，微動載台WFS雖能驅動於全6自由度方向，但不限於此，只要能至少在平行於XY平面之二維平面内移動即可。又，微動載台驅動系統52並不限於上述磁轉型者，亦可以是可動線圈型者。再者，微動載台WFS亦可以接觸方式支承於粗動載台WCS。因此，將微動載台WFS相對粗動載台WCS加以驅動之微動載台驅動系統52，亦可以是例如將旋轉馬達與滾珠螺桿(或進給螺桿)加以組合者。

又，上述實施形態中，雖係針對構成相對載台位置測量系統17之各第1編碼器系統17a與第2編碼器系統17b，係分別具備2個X讀頭與1個Y讀頭之情形作了例示，但不限於此，例如亦可裝備各2個以X軸方向及Y軸方向之2方向為測量方向之2維讀頭(2D讀頭)。此外，不限於光學式編碼器亦可使用磁氣式編碼器。

又，亦可將微動載台位置測量系統構成為能在晶圓載台WST之全移動範圍進行其位置測量。此場合即無需晶圓載台位置測量系統16。又，上述實施形態中，亦可將基盤12構成為能藉由晶圓載台驅動力之反作用力之作用而移動之配衡質量。此場合，無論將或不將粗動載台使用為配衡質量皆可，將粗動載台與上述實施形態同樣的使用為配衡質量時，亦能使粗動載台輕量化。

又，上述實施形態雖係針對曝光裝置為液浸型曝光裝置之情形作了說明，但不限於此，本發明亦非常適合應用於不透過液體(水)進行晶圓W之曝光之乾式曝光裝置。

又，上述實施形態雖係針對本發明應用於掃描步進機(scanning stepper)之情形作了說明，但不限於此，本發明亦能適用於步進機等之靜止型曝光裝置。即使是步進機等，藉由以編碼器測量裝載曝光對象物體之載台之位置，與使用干涉儀測量此載台之位置之情形不同的，能使空氣波動引起之位置測量誤差之產生幾乎為零，可根據編碼器之測量值以高精度定位載台，其結果，即能以高精度將標線片圖案轉印至物體上。又，本發明亦能適用於將照射區域與照射區域加以合成之步進接合(step ＆ stitch)方式之縮小投影曝光裝置。

又，上述實施形態之曝光裝置中之投影光學系統不限於縮小系統，可以是等倍及放大系統之任一者，而投影光學系統PL不限於折射系統，可以是反射系統及折反射系統之任一者，此投影像可以是倒立像及正立像之任一者。

又，照明用光IL不限於ArF準分子雷射光(波長193nm)，亦可以設KrF準分子雷射光(波長248nm)等之紫外光、或F₂ 雷射光(波長157nm)等之真空紫外光。亦可使用例如美國專利第7,023,610號說明書所揭示之，以摻雜有鉺(或鉺及鐿兩者)之光纖放大器，將從DFB半導體雷射或光纖雷射射出之紅外線區或可見區的單一波長雷射光予以放大作為真空紫外光，並以非線形光學結晶將其轉換波長成紫外光之諧波。

又，上述實施形態，作為曝光裝置之照明用光IL不限於波長100nm以上之光，當然亦可使用不滿波長100nm之光。本發明亦能適用於使用例如軟X線區域(例如5～15nm之波長帶)之EUV(Extreme Ultraviolet)光之EUV曝光裝置。除此之外，本發明亦能適用於使用電子束或離子束等帶電粒子束之曝光裝置。

又，上述實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示之電子光罩來代替此光罩，該電子光罩(亦稱為可變成形光罩、主動光罩、或影像產生器，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種之DMD(Digital Micro-mirror Device)等)係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。使用該可變成形光罩之情形時，由於裝載晶圓或玻璃板等之載台係相對可變成形光罩被掃描，因此使用編碼器系統及雷射干涉儀系統測量此載台之位置，即能獲得與上述實施形態同等之效果。

又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，藉由將干涉紋形成於晶圓上、而在晶圓W上形成等間隔線(line ＆ space)圖案之曝光裝置(微影系統)。

進一步的，例如亦能將本發明適用於例如美國專利第6,611,316號所揭示之將兩個標線片圖案透過投影光學系統在晶圓上合成，藉由一次掃描曝光來使晶圓上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光之曝光裝置。

此外，上述實施形態中待形成圖案之物體(能量束所照射之曝光對象之物體)並不限於晶圓，亦可係玻璃板、陶瓷基板、膜構件、或者光罩基板等其他物體。

曝光裝置之用途並不限定於半導體製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於例如用來製造將液晶顯示元件圖案轉印於方型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機器及DNA晶片等的曝光裝置。又，除了製造半導體元件等微型元件以外，為了製造用於光曝光裝置、EUV(極遠紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，亦能將本發明適用於用以將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。

又，本發明之移動體裝置，不僅限於曝光裝置，亦能廣泛的適用於其他基板處理裝置(例如，雷射修復裝置、基板檢查裝置及其他)、或其他精密機械中之試料之定位裝置、打線裝置等具備移動載台之裝置。

又，援用與上述說明中所引用之曝光裝置等相關之所有公報、國際公開、美國專利申請公開說明書及美國專利說明書之揭示作為本說明書記載之一部分。

半導體元件等之電子元件，係經由進行元件之功能、性能設計之步驟，由從矽材料形成晶圓之步驟，使用前述實施形態之曝光裝置(圖案形成裝置)將形成於光罩(標線片)之圖案轉印至晶圓之微影步驟，將曝光後晶圓加以顯影之顯影步驟，將殘存光阻之部分以外部分之露出構件以蝕刻加以去除之蝕刻步驟，去除經蝕刻後不要之光阻之光阻除去步驟，元件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、及檢查步驟等加以製造。此場合，由於係於微影製程，使用上述實施形態之曝光裝置實施前述曝光方法於晶圓上形成元件圖案，因此能以良好之生產性製造高積體度之元件。

如以上之說明，本發明之移動體裝置適合於既定平面内驅動移動體。又，本發明之曝光裝置適於對物體上照射能量束以在物體上形成圖案。此外，本發明之元件製造方法非常適於製造電子元件。

5．．．液體供應裝置

6．．．液體回收裝置

8．．．局部液浸裝置

10．．．照明系統

11．．．標線片載台驅動系統

12．．．基盤

13．．．標線片雷射干涉儀

14．．．線圈

15．．．移動鏡

16．．．晶圓載台位置測量系統

17．．．相對載台位置測量系統

17a、17b．．．第1、第2編碼器系統

17Xa₁ 、17Xa₂ 、17Ya．．．編碼器讀頭

17Ga．．．光柵

20．．．主控制裝置

32．．．嘴單元

40．．．鏡筒

50．．．載台裝置

51．．．粗動載台驅動系統

52、152．．．微動載台驅動系統

53、53A、53B．．．晶圓載台驅動系統

55、57．．．YZ線圈

55a．．．上部繞組

55b．．．下部繞組

55₁ ～55₃ ．．．YZ線圈

56．．．X線圈

65a、67a、67b、66a₁ 、66a₂ ．．．永久磁石

65a₁ ～65a₅ 、66b₁ ～66b₅ ．．．永久磁石

70、70A、70B．．．微動載台位置測量系統

71、71A、71B．．．測量構件(測量臂)

72．．．支承部

73．．．編碼器系統

73x．．．X線性編碼器

73ya、73yb．．．Y線性編碼器

74x．．．X受光系統

74ya、74yb．．．Y受光系統

75．．．雷射干涉儀系統

75a～75c．．．雷射干涉儀

77x．．．X讀頭

77ya、77yb．．．Y讀頭

80a．．．吸引用管線

80b．．．氣體供應用管線

81．．．微動載台本體部

81b．．．框部FR之底部

81c．．．框部FR之框構件

81g．．．中心部CR之透明板

81r₁ ．．．框構件81之外壁

81r₂ ．．．框構件81之內壁

81r₃ ．．．框構件81之肋部

81u．．．框部FR之頂板

82a、82b．．．微動載台之可動件部

82a₁ 、82a₂ ．．．板狀構件

82b₁ 、82b₂ ．．．板狀構件

83．．．板件(撥液板)

84．．．覆罩玻璃

85a、85b．．．間隔件

86．．．測量板

87a、87b．．．管線構件

88．．．減壓室

89a、89b．．．凸部

91．．．粗動滑件部

91a．．．永久磁石

92a、92b．．．側壁部

93a、93b．．．固定件部

99．．．對準裝置

100、1000．．．曝光裝置

130．．．中央台

132．．．驅動裝置

134．．．軸

136．．．台本體

155、158．．．Z驅動用線圈

157．．．Y驅動用線圈

165a～168a、165b～168b．．．永久磁石

191．．．前端透鏡

200．．．曝光站

300．．．測量站

AF．．．多點焦點位置檢測系統

ALG．．．晶圓對準系統

AX．．．光軸

BD．．．主框架

CL．．．測量臂之中央線

CR．．．微動載台本體部之中心部

CUa、Cub．．．線圈單元

CVa、CVb．．．止回閥

DP、DPya、DPyb．．．照射點

FR．．．微動載台本體部之框部

IA．．．與照明區域共軛之區域(曝光區域)

IAR．．．照明區域

IL．．．照明用光(曝光用光)

L2a、L2b．．．透鏡

LBx₀ 、LBx₁ 、LBx₂ ．．．測量光束

LBx₁₂ ．．．合成光束

LBya₀ 、LByb₀ ．．．平行Y軸之雷射光束

LBya₁ 、LBya₂ 、LByb₁ 、LByb₂ ．．．測量光束

LBya₁₂ 、LByb₁₂ ．．．測量光束

LBz₁ 、LBz₂ 、LBz₃ ．．．測長光束

LDx、LDya、LDyb．．．光源

Lq．．．液體

LX、LYa、LYb．．．直線

MUa₁ 、MUa₂ ．．．磁石單元

MUb₁ 、MUb₂ ．．．磁石單元

PBS．．．偏光分束器

PL．．．投影光學系統

PU．．．投影單元

R．．．標線片

R1a、R1b、R2a、R2b、R3a、R3b…．．．反射鏡

RA₁ 、RA₂ ．．．標線片對準系統

RG．．．光柵

RP1～RP3．．．反射面

RST．．．標線片載台

W．．．晶圓

WCS、WCS1、WCS2．．．粗動載台

WFS、WFS1、WFS2．．．微動載台

WH．．．晶圓保持具

WP1a、WP1b．．．四分之一波長板

WST、WST1、WST2．．．晶圓載台

圖1係概略顯示一實施形態之曝光裝置之構成的圖。

圖2(A)係從-Y方向所視、圖1之曝光裝置所具備之載台裝置的側視圖，圖2(B)係顯示載台裝置的俯視圖。

圖3係顯示構成圖2(A)及圖2(B)之載台裝置之一部分之微動載台構成的立體圖。

圖4係顯示圖1之曝光裝置之控制系統構成的方塊圖。

圖5係顯示構成微動載台驅動系統之磁石單元及線圈單元之配置的俯視圖。

圖6(A)係從-Y方向所視、構成微動載台驅動系統之磁石單元及線圈單元之配置的側視圖，圖6(B)係從＋X方向所視、構成微動載台驅動系統之磁石單元及線圈單元之配置的側視圖。

圖7(A)係用以說明將微動載台驅動於Y軸方向時之驅動原理的圖、圖7(B)係用以說明將微動載驅動台於Z軸方向時之驅動原理的圖、圖7(C)係用以說明將微動載台驅動於X軸方向時之驅動原理的圖。

圖8(A)係用以說明使微動載台相對粗動載台繞Z軸旋轉時之動作的圖，圖8(B)係用以說明使微動載台相對粗動載台繞Y軸旋轉時之動作的圖，圖8(C)係係用以說明使微動載台相對粗動載台繞X軸旋轉時之動作的圖。

圖9係用以說明使微動載台之中央部彎向＋Z方向時之動作的圖。

圖10(A)係顯示測量臂之前端部的立體圖，圖10(B)係從＋Z方向所視之測量臂前端部之上面的俯視圖。

圖11(A)係顯示X讀頭77x之概略構成的圖，圖11(B)係用以說明X讀頭77x、Y讀頭77ya、77yb分別在測量臂内之配置的圖。

圖12係顯示構成相對載台位置測量系統之編碼器讀頭與標尺之配置的俯視圖(其1)。

圖13(A)及圖13(B)係顯示構成相對載台位置測量系統之編碼器讀頭與標尺之配置的俯視圖(其2及其3)。

圖14(A)係用以說明掃描曝光時之晶圓驅動方法的圖，圖14(B)係用以說明步進時之晶圓驅動方法的圖。

圖15(A)～圖15(C)係概略顯示微動載台及晶圓保持具之構成的圖。

圖16係顯示第1變形例之微動載台驅動系統的圖。

圖17係顯示第3變形例之曝光裝置的圖。

圖18係顯示圖17之曝光裝置之控制系統之主要構成的方塊圖。

8．．．局部液浸裝置

10．．．照明系統

12．．．基盤

13．．．標線片雷射干涉儀

14．．．線圈

15．．．移動鏡

16．．．晶圓載台位置測量系統

32．．．嘴單元

40．．．鏡筒

50．．．載台裝置

70．．．微動載台位置測量系統

71．．．測量臂

72．．．支承部

100．．．曝光裝置

191．．．前端透鏡

AX．．．光軸

IA．．．與照明區域共軛之區域(曝光區域)

IAR．．．照明區域

IL．．．照明用光(曝光用光)

Lq．．．液體

PL．．．投影光學系統

PU．．．投影單元

R．．．標線片

RA₁ 、RA₂ ．．．標線片對準系統

RG．．．光柵

RST．．．標線片載台

W．．．晶圓

WCS．．．粗動載台

WFS．．．微動載台

WST．．．晶圓載台

Claims (55)

1. 一種移動體裝置，具備：第1移動構件，至少可沿包含彼此正交之第1軸及第2軸之二維平面移動；第2移動構件，被保持於該第1移動構件，至少可在與該二維平面平行之面內相對該第1移動構件移動，在與該二維平面實質平行之一面設有測量面；第1測量系統，具有對該測量面自其下方照射至少一條第1測量光束、並接收該第1測量光束之來自該測量面之光之讀頭部，根據該讀頭部之輸出測量該第2移動構件於至少該二維平面內之位置資訊；以及驅動系統，根據以該第1測量系統測量之該位置資訊，單獨的或與該第1移動構件一體驅動該第2移動構件。
2. 如申請專利範圍第1項之移動體裝置，其中，於該測量面形成有光柵；該讀頭部接收該第1測量光束之來自該光柵之繞射光。
3. 如申請專利範圍第2項之移動體裝置，其中，該光柵包含分別以平行於該第1軸及第2軸之方向為週期方向之第1及第2繞射光柵；該讀頭部，作為該第1測量光束對該第1及第2繞射光柵分別照射對應之第1軸方向測量用光束及第2軸方向測量用光束，並接收該第1軸方向測量用光束及第2軸方向測量用光束之分別來自該光柵之繞射光，該第1測量系統根據該讀頭部之輸出，測量該第2移動構件在平行於該 第1軸及第2軸之方向之位置資訊。
4. 如申請專利範圍第3項之移動體裝置，其中，該讀頭部，作為該第1軸方向測量用光束，將在該第1繞射光柵上之照射點於該第2軸方向彼此相異之至少二條測量用光束照射於該第1繞射光柵。
5. 如申請專利範圍第4項之移動體裝置，其中，該至少二條測量用光束與該第2軸方向測量用光束，係分別照射於該光柵上與該第2軸平行之直線上之照射點。
6. 如申請專利範圍第1項之移動體裝置，其進一步具備對該第2移動構件照射複數條第2測量光束，並接收其反射光以測量該第2移動構件在與該二維平面正交方向及相對該二維平面之傾斜方向之位置資訊的第2測量系統；該驅動系統根據該第1及第2測量系統之輸出驅動該第2移動構件。
7. 如申請專利範圍第1項之移動體裝置，其中，該第2移動構件之一端部、及與該一端部隔著該測量面位於相反側之另一端部係分別支承於該第1移動構件；該驅動系統包含將驅動力作用於該第2移動構件之該一端部之第1驅動部、與將驅動力作用於該另一端部之第2驅動部。
8. 如申請專利範圍第7項之移動體裝置，其中，該第1及第2驅動部分別包含配置在該第1移動構件與該第2移動構件之一方之線圈單元、與配置在該第1移動構件與該第2移動構件之另一方之磁石單元，以非接觸驅動該第2 移動構件。
9. 如申請專利範圍第8項之移動體裝置，其中，該第1及該第2驅動部能在與該第1軸及第2軸平行之方向、與二維平面正交之方向、以及繞與該第1軸及第2軸分別平行之軸之旋轉方向產生驅動力，並能分別獨立的控制該驅動力之大小及產生方向。
10. 如申請專利範圍第9項之移動體裝置，其中，該第1移動構件係以非接觸方式支承在具有與該二維平面平行之上面的基座上。
11. 如申請專利範圍第10項之移動體裝置，其中，該驅動系統進一步包含於該基座上驅動該第1移動構件之第3驅動部；並進一步具備在透過該第1、第2驅動部，使該第2移動構件移動於與該第1軸或第2軸平行之方向中之第1方向時，透過該第3驅動部對該第1移動構件賦予該第1方向之初速之控制裝置。
12. 如申請專利範圍第11項之移動體裝置，其中，該控制裝置係以包含該第2移動構件與該第1移動構件之系統之重心於該第1方向進行等速移動之方式，對該第1移動構件賦予該初速。
13. 如申請專利範圍第1項之移動體裝置，其進一步具備用以測量該第1移動構件與該第2移動構件之至少於該二維平面內之相對位置資訊之第3測量系統；該驅動系統根據以該第1測量系統測量之該第2移動 構件之該位置資訊、與以該第3測量系統測量之該相對位置資訊，驅動該第1移動構件。
14. 一種曝光裝置，係藉由能量束之照射於物體形成圖案，其具備：該物體裝載於該第2移動構件上之申請專利範圍第1至13項中任一項之移動體裝置；以及對該第2移動構件上所裝載之該物體照射該能量束之圖案化裝置。
15. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該第2移動構件之至少一部分具有光可在其內部行進之中實部；該測量面係在該第2移動構件之該物體之裝載面側與該中實部對向配置；該讀頭部係在與該物體之裝載面相反側與該中實部對向配置。
16. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，從該讀頭部對該測量面照射之該第1測量光束之照射點中心之測量中心，與照射於該物體之該能量束之照射區域中心之曝光位置一致。
17. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該第1移動構件於內部具有空間部；該第1測量系統之讀頭部係於該第1移動構件之空間部內與該測量面對向配置。
18. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該第1移動構件係藉由所支承之該第2移動構件在與該第1軸及 第2軸平行之方向之驅動力之作用，依動量守恆定律往與該第2移動構件相反方向移動。
19. 一種曝光裝置，係透過投影光學系統藉由能量束將物體曝光，其具備：第1移動構件，至少可在垂直於該投影光學系統之光軸之二維平面內彼此正交之第1、第2方向移動；第2移動構件，以將該物體保持於上面側、且將形成反射型二維光柵之測量面設於下面側，成為可對該第1移動構件相對移動，且於該測量面下方形成空間之方式被支承於該第1移動構件；測量系統，具有配置於該投影光學系統下方且較該測量面為低之讀頭部，藉由將該第2移動構件定位成與該投影光學系統對向，透過配置於該空間內之該讀頭部，對該測量面自下方照射測量光束，測量該第2移動構件之位置資訊；以及驅動系統，根據以該測量系統測量之位置資訊，分別單獨地或一體驅動該第1、第2移動構件。
20. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其進一步具備：框構件，支承該投影光學系統；及測量構件，連接於該框構件，設有該讀頭部。
21. 一種曝光裝置，係透過投影光學系統藉由能量束將物體曝光，其具備：框構件，支承該投影光學系統； 第1移動構件，至少可在垂直於該投影光學系統之光軸之二維平面內彼此正交之第1、第2方向移動；第2移動構件，以將該物體保持於上面側、且將形成反射型二維光柵之測量面設於下面側，成為可對該第1移動構件相對移動之方式被支承於該第1移動構件；測量構件，連接於該框構件，一部分配置於該投影光學系統下方；測量系統，具有設於該測量構件的一部分且配置成較該測量面為低之讀頭部，藉由將該第2移動構件定位成與該投影光學系統對向，透過與該測量面對向之該讀頭部，對該測量面自下方照射測量光束，測量該第2移動構件之位置資訊；以及驅動系統，根據以該測量系統測量之位置資訊，分別單獨地或一體驅動該第1、第2移動構件。
22. 如申請專利範圍第20或21項之曝光裝置，其中，該測量系統透過該讀頭部與該測量構件之內部檢測被該測量面反射之該測量光束。
23. 如申請專利範圍第20或21項之曝光裝置，其中，該測量構件，具有設有該讀頭部且配置於該投影光學系統下方之第1構件，及連接於該框構件且支承該第1構件之第2構件。
24. 如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，該第1構件，以將該讀頭部定位於透過該投影光學系統被該能量束照射之曝光區域下方之方式延設於該第1方向，且以配 置於該測量面下方之方式被支承於該第2構件。
25. 如申請專利範圍第24項之曝光裝置，其中，該第1構件，於該第1方向在一側設有該讀頭部、且於該第1方向在另一側被該第2構件支承，對在該投影光學系統下方移動之該第2移動構件下方，於該第1方向從該一側進入。
26. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中，該第1構件，於該第1方向僅在該另一側被該第2構件支承。
27. 如申請專利範圍第19至21項中任一項之曝光裝置，其中，該測量系統，於該第1、第2方向，在透過該該投影光學系統被該能量束照射之曝光區域內，具有照射該測量光束之檢測點。
28. 如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，該檢測點在該曝光區域內與其中心一致。
29. 如申請專利範圍第28項之曝光裝置，其中，該測量系統將包含該測量光束之複數個測量光束照射於該測量面；該複數個測量光束，分別照射於在該曝光區域內於該第1、第2方向之至少一方位置不同之複數個檢測點。
30. 如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其中，該測量系統，於包含該第1、第2方向、及與該第1、第2方向正交之第3方向之6自由度方向測量該第2移動構件之位置資訊。
31. 如申請專利範圍第30項之曝光裝置，其進一步具備配置有該第1移動構件之基座； 該驅動系統，包含具有設於該基座之固定件與設於該第1移動構件之可動件之平面馬達，及相對該第1移動構件驅動該第2移動構件之致動器；該第2移動構件，透過該致動器以非接觸方式被支承於該第1移動構件，且該第1移動構件在該基座上以與其表面非接觸方式被支承。
32. 如申請專利範圍第14至21項中任一項之曝光裝置，其中，該第2移動構件，在該二維平面內彼此正交之第1、第2方向之中於該第2方向其一端部及另一端部分別被支承於該第1移動構件；該驅動系統，包含使驅動力作用於該第2移動構件之該一端部之第1驅動部、與使驅動力作用於該另一端部之第2驅動部；該第1及第2驅動部，可將在該第1及第2方向、與該二維平面正交之方向、以及繞該第1方向之軸之旋轉方向，其大小及產生方向可分別獨立控制之驅動力分別作用於該第2移動構件之該一端部及另一端部。
33. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其中，該第1及第2驅動部可將大小及產生方向分別獨立控制之繞該第2方向之軸之驅動力，進一步作用於該第2移動構件之該一端部及另一端部。
34. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其中，該第1及第2驅動部，分別具有：包含在該第1移動構件及該第 2移動構件之一方排列於該第2方向配置之2個線圈列的線圈單元、以及包含在該第1移動構件及該第2移動構件之另一方與該2個線圈列對應排列於該第2方向配置之2個磁石列的磁石單元，藉由該磁石單元與該線圈單元間之電磁相互作用所產生之電磁力，以非接觸方式驅動該第2移動構件。
35. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第14至34項中任一項之曝光裝置使物體曝光之動作；以及使該曝光後物體顯影之動作。
36. 一種曝光方法，係藉由能量束之照射於物體形成圖案，其包含：將該物體裝載於第2移動構件之步驟，該第2移動體被保持在至少能沿包含彼此正交之第1軸及第2軸之二維平面移動之第1移動構件，而能在至少與該二維平面平行之面內相對該第1移動構件移動，且在與該二維平面實質平行之一面設有測量面；以及根據對該測量面自其下方照射至少一條第1測量光束、並接收該第1測量光束來自該測量面之光之讀頭部之輸出，測量該第2移動構件之至少該二維平面內之位置資訊，根據所測量之該位置資訊將該第2移動構件驅動於該二維平面內之掃描方向，據以相對該能量束掃描該物體之步驟。
37. 如申請專利範圍第36項之曝光方法，其進一步包 含根據該讀頭部之輸出測量該第2移動構件之至少該二維平面內之位置資訊，並測量該第1移動構件與該第2移動構件之至少該二維平面內之相對位置資訊，根據所測量之該位置資訊及該相對位置資訊，將該第1移動構件步進驅動於該二維平面內之非掃描方向之步驟。
38. 一種曝光方法，係透過投影光學系統藉由能量束將物體曝光，其包含：以將該物體保持於上面側、且將形成反射型二維光柵之測量面設於下面側，於該測量面下方形成空間之方式，將被支承於至少可在與該投影光學系統之光軸垂直之二維平面內彼此正交之第1、第2方向移動之第1移動構件的第2移動構件，定位成與該投影光學系統對向之動作；藉由具有在該投影光學系統下方且配置成較該測量面為低之讀頭部，透過藉由該第2移動構件被定位成與該投影光學系統對向而配置於該空間內之該讀頭部對該測量面自下方照射測量光束之測量系統，測量該第2移動構件之位置資訊之動作；以及根據以該測量系統測量之位置資訊，驅動該第1、第2移動構件之至少一方之動作。
39. 如申請專利範圍第38項之曝光方法，其中，該讀頭部設於與支承該投影光學系統之框構件連接之測量構件。
40. 一種曝光方法，係透過投影光學系統藉由能量束將物體曝光，其包含： 以將該物體保持於上面側、且將形成反射型二維光柵之測量面設於下面側，將被支承於至少可在與該投影光學系統之光軸垂直之二維平面內彼此正交之第1、第2方向移動之第1移動構件的第2移動構件，定位成與該投影光學系統對向之動作；藉由具有配置成較該測量面為低且連接於支承該投影光學系統之框構件、一部分設於配置在該投影光學系統下方之測量構件的一部分之讀頭部，透過藉由該第2移動構件被定位成與該投影光學系統對向而與該測量面對向之該讀頭部對該測量面自下方照射測量光束之測量系統，測量該第2移動構件之位置資訊之動作；以及根據以該測量系統測量之位置資訊，驅動該第1、第2移動構件之至少一方之動作。
41. 如申請專利範圍第39或40項之曝光方法，其中，被該測量面反射之該測量光束透過該讀頭部與該測量構件之內部被檢測。
42. 如申請專利範圍第39或40項之曝光方法，其中，該測量構件，具有設有該讀頭部且配置於該投影光學系統下方之第1構件，及連接於該框構件且支承該第1構件之第2構件。
43. 如申請專利範圍第42項之曝光方法，其中，該第1構件，以將該讀頭部定位於透過該投影光學系統被該能量束照射之曝光區域下方之方式延設於該第1方向，且以配置於該測量面下方之方式被該第2構件支承。
44. 如申請專利範圍第43項之曝光方法，其中，該第1構件，於該第1方向在一側設有該讀頭部、且於該第1方向在另一側被該第2構件支承，對在該投影光學系統下方移動之該第2移動構件下方，於該第1方向從該一側進入。
45. 如申請專利範圍第44項之曝光方法，其中，該第1構件，於該第1方向僅在該另一側被該第2構件支承。
46. 如申請專利範圍第38至40項中任一項之曝光方法，其中，該測量光束，於該第1、第2方向，對透過該投影光學系統被該能量束照射之曝光區域內之檢測點照射。
47. 如申請專利範圍第46項之曝光方法，其中，該檢測點在該曝光區域內與其中心一致。
48. 如申請專利範圍第47項之曝光方法，其中，將包含該測量光束之複數個測量光束分別照射於該測量面；該複數個測量光束，分別照射於在該曝光區域內於該第1、第2方向之至少一方位置不同之複數個檢測點。
49. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其中，於包含該第1、第2方向、及與該第1、第2方向正交之第3方向之6自由度方向測量該第2移動構件之位置資訊。
50. 如申請專利範圍第49項之曝光方法，其中，藉由具有設於配置有該第1移動構件之基座之固定件與設於該第1移動構件之可動件之平面馬達，驅動該第1移動構件，且藉由與該平面馬達不同之致動器，相對該第1移動構件驅動該第2移動構件；該第2移動構件，透過該致動器以非接觸方式被支承 於該第1移動構件，且該第1移動構件在該基座上以與其表面非接觸方式被支承。
51. 如申請專利範圍第36至40項中任一項之曝光方法，其中，該第2移動構件，在該二維平面內彼此正交之第1、第2方向之中於該第2方向其一端部及另一端部分別被支承於該第1移動構件；將能分別獨立控制大小及產生方向之該第1及第2方向、與該二維平面正交之方向、以及繞與該第1方向之軸之旋轉方向之驅動力，分別作用於該第2移動構件之該一端部及另一端部。
52. 如申請專利範圍第51項之曝光方法，其中，在使該驅動力作用時，進一步將大小及產生方向能分別獨立控制之繞該第2方向之軸之驅動力，作用於該第2移動構件之該一端部及另一端部。
53. 如申請專利範圍第51項之曝光方法，其中，係以由線圈單元與磁石單元間之電磁相互作用所產生之電磁力作為各方向之驅動力，以非接觸方式驅動該第2移動構件；該線圈單元包含在該第1移動構件及該第2移動構件之一方在該第2方向排列配置之2個線圈列；該磁石單元包含在該第1移動構件及該第2移動構件之另一方，對應該2個線圈列在該第2方向排列配置之2個磁石列。
54. 如申請專利範圍第51項之曝光方法，其中，係根據該第2移動構件相對該二維平面之傾斜方向之位置資 訊，控制繞該第1方向之軸之旋轉方向之驅動力，以調整裝載該物體之該第2移動構件之彎曲。
55. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第36至54項中任一項之曝光方法使物體曝光之動作；以及使該曝光後物體顯影之動作。