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TWI463529B - An amorphous carbon film forming method and a film forming apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device using the film forming method, and a computer readable memory medium - Google Patents

An amorphous carbon film forming method and a film forming apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device using the film forming method, and a computer readable memory medium Download PDF

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Publication number
TWI463529B
TWI463529B TW096106524A TW96106524A TWI463529B TW I463529 B TWI463529 B TW I463529B TW 096106524 A TW096106524 A TW 096106524A TW 96106524 A TW96106524 A TW 96106524A TW I463529 B TWI463529 B TW I463529B
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TW
Taiwan
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film
amorphous carbon
substrate
carbon film
forming
Prior art date
Application number
TW096106524A
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English (en)
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TW200807498A (en
Inventor
野澤俊久
石川拓
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
日本瑞翁股份有限公司
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Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司, 日本瑞翁股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW200807498A publication Critical patent/TW200807498A/zh
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    • H10P14/20—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • H10P14/668—
    • H10P50/242—
    • H10P50/73—
    • H10P14/6336—
    • H10P14/6902—

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Description

非晶質碳膜之成膜方法與成膜裝置、及使用該成膜方法之半導體裝置之製造方法、以及電腦可讀取之記憶媒體
本發明係有關在製造半導體裝置之際，可理想做為遮罩之非晶質碳膜的成膜方法，及使用此之半導體裝置之製造方法。
半導體裝置之製程中，為了形成電路圖案，係將使用光微影技術來形成圖案之阻劑當作遮罩使用，來進行電漿蝕刻。在CD為45nm之時代裡，對應細微化係使用ArF阻劑做為遮罩，但是有對電漿耐性較弱的問題。做為克服此問題之技術，亦採用一種方法，使用在ArF阻劑之下層積有SiO2 膜與具有電漿耐性之阻劑的遮罩(多層阻劑)，也就是所謂乾顯影方法。
在此，45nm以後之細微化時代，ArF阻劑之膜厚會薄到200nm，此厚度則為乾顯影的基準。若調查可用此阻劑膜厚來進行電漿蝕刻的SiO2 膜厚、和可用該SiO2 膜厚來進行電漿蝕刻的下層阻劑的膜厚，則後者之膜厚的極限為300nm。此膜厚之下層阻劑，對於被蝕刻膜之膜厚並無法確保充分之電漿耐性，而不能達成高精確度的蝕刻。因此取代此種下層阻劑膜，係要求耐蝕刻性更高的膜。
然而日本特開2002-12972號公報中，揭示有一種技術，做為多層阻劑中所使用的SiO2 膜之替代品、或是做為反射防止層，係適用使用碳化氫氣體與惰性氣體而以 CVD堆積的非晶質碳膜。因此，係檢討將此種非晶質碳膜應用於上述用途。
日本特開2002-12972號公報中，非晶質碳膜之成膜溫度係記載為100~500℃。然而將此種溫度下所成膜之非晶質碳膜應用於上述用途的情況下，發現蝕刻耐性並不足夠。然後發現依據日本特開2002-12972號公報的技術，若要得到對上述用途具有充分蝕刻耐性的非晶質碳膜，則需要接近600℃的高溫。然而此種高溫，對具有銅配線之後端(Back End)製程並無法適用。
本發明係著眼於以上問題點，為了有效解決而研創者。本發明之目的，係提供一種耐電漿性高，且可低溫成膜之非晶質碳膜的成膜方法；以及適用此種非晶質碳膜之成膜方法的半導體裝置之製造方法。
本發明係一種非晶質碳膜之成膜方法，其特徵係具備：在處理容器內配置基板的工程；和對上述處理容器內供給包含有碳與氫與氧之處理氣體的工程；和藉由加熱上述處理容器內之基板，使上述處理氣體分解，而在該基板上堆積非晶質碳膜的工程。
若依本發明，則因為使用除了碳與氫之外還包含氧的 處理氣體，故成膜之際的反應性較高，即使在較低溫下也可形成堅固的碳網絡，而可成膜耐蝕刻性較高的非晶質碳膜。又，將以此方法成膜之非晶質碳膜當作蝕刻遮罩使用，來蝕刻蝕刻對象膜，可藉此得到對基底有較高選擇比的良好蝕刻形狀。尤其取代先前多層阻劑中之下層阻劑膜，而使用本發明之方法所形成的非晶質碳膜，可以將蝕刻對象膜加以更良好的蝕刻，而對半導體裝置之製造提供更大的優點。
處理氣體中碳與氧之原子數量比碳：氧，係3：1~5：1為佳。又，處理氣體中碳與氫之原子數量比碳：氫，係1：1~1：2為佳。
又，包含有碳與氫與氧之上述處理氣體，係包含碳化氫氣體與含氧氣體的混合氣體為佳。此時，例如上述碳化氫氣體係C2 H2 、C4 H6 及C6 H6 之最少一種。
或者，包含有碳與氫與氧之上述處理氣體，係包含在分子內具有碳與氫與氧的氣體為佳。此時，例如在分子內具有碳與氫與氧的上述氣體，係C4 H4 O、C4 H8 O之最少一種。
又，在於基板上堆積非晶質碳膜的工程中，基板溫度係在400℃以下為佳。
又，在於基板上堆積非晶質碳膜的工程中，上述處理氣體係被電漿化為佳。
又，本發明係一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具備：於基板上形成蝕刻對象膜的工程；和在上述蝕刻對 象膜上，依照具備上述任一項特徵之方法，來成膜非晶質碳膜的工程；和在上述非晶質碳膜形成蝕刻圖案的工程；和將上述非晶質碳膜當作蝕刻遮罩使用，來蝕刻上述蝕刻對象膜，而形成特定構造的工程。
又，本發明係一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具備：於基板上形成蝕刻對象膜的工程；和在上述蝕刻對象膜上，依照具備上述任一項特徵之方法，來成膜非晶質碳膜的工程；和在上述非晶質碳膜上形成矽系薄膜的工程；和在上述矽系薄膜上形成光阻劑膜的工程；和將上述光阻劑膜圖案化的工程；和將上述光阻劑膜當作蝕刻遮罩使用，來蝕刻上述矽系薄膜的工程；和將上述矽系薄膜當作遮罩使用，來蝕刻上述非晶質碳膜，而轉印上述光阻劑膜之圖案的工程；和將上述非晶質碳膜當作遮罩使用，來蝕刻上述蝕刻對象膜的工程。
又，本發明係一種電腦可讀取之記憶媒體，係記憶有要在電腦執行控制程式的軟體；其特徵係上述控制程式在執行時，係以進行具備上述任一項特徵之方法的方式，來控制成膜裝置。
以下一邊參考附加圖示，一邊說明本發明之實施方式。
第1圖係表示可適用於本發明一種實施方式之非晶質碳膜之成膜方法之成膜裝置之一例的概略剖面圖。此成膜 裝置100，係具有略圓筒狀之處理室1。
在處理室1之內部配置有用以水平支撐被處理體亦即晶圓W的承受器2。承受器2係由設置於其中央部下方之圓筒狀支撐構件3所支撐。在承受器2之外邊部設置有用以導引晶圓W的導引環4。又，在承受器2係埋入有加熱器5。此加熱器5藉由來自加熱器電源6之供電，將被處理基板亦即晶圓W加熱到特定溫度。在承受器2更埋入有熱電偶7。藉由熱電偶7之檢測訊號，來控制加熱器5的輸出。在承受器2之表面附近，埋設有電極8，該電極8係接地。更且承受器2中，有用以支撐晶圓W使其升降之3支晶圓支撐針(未圖示)，設置為可對承受器2表面突出沒入。
在處理室1之天花板壁1a，係經由絕緣構件9而設置有淋洗頭10。此淋洗頭10係呈圓筒狀，內部具有氣體擴散空間20，上面具有用以導入處理氣體之氣體導入口11，下面具有多數氣體吐出口12。在淋洗頭10之氣體導入口11，係經由氣體配管13，連接有供給用以形成非晶質碳膜之處理氣體的氣體供給機構14。
在淋洗頭10係經由匹配器15而連接有高頻電源16。藉此，從高頻電源16對淋洗頭10供給高頻電力。藉由從高頻電源16供給高頻電力，可使經由淋洗頭10被供給到處理室1內之處理氣體電漿化。
在處理室1之底壁1b，連接有排氣管17。此排氣管17連接有包含真空泵之排氣裝置18。然後藉由使排氣裝 置18動作，可以將處理室1內減壓到特定真空度為止。在處理室1之側壁，設置有用以進行晶圓W之搬入搬出的搬入搬出口21、和開關該搬入搬出口21的閘閥22。
成膜裝置100之構造部，例如加熱器電源6、氣體供給機構14、高頻電源16、排氣裝置18等，係連接於包含CPU及其週邊電路的處理控制器30。然後成膜裝置100之構造部，係被處理控制器30所控制。
又，處理控制器30連接有使用者介面31，其由供工程管理者進行用以管理成膜裝置100之指令輸入操作等的鍵盤、或將成膜裝置100之工作狀況加以可見化顯示的顯示器等所構成。更且在處理控制器30，係連接有記憶部32，其收容有為了以處理控制器30之控制來實現成膜裝置100中所執行之各種處理的控制程式、或是為了配合處理條件而使成膜裝置100之各構造部執行處理的程式，亦即製法(recipe)。
製法可以記憶於硬碟或半導體記憶體，也可以在收容於CDROM、DVD等搬動性記憶媒體之狀態下，設置於記憶部32的特定位置。更且也可以從其他裝置經由例如專用線路，來適當傳送製法。然後因應必要，藉由來自使用者介面31之指示等，從記憶部32叫出任意製法，在處理控制器30執行之，則可在處理控制器30之控制下進行成膜裝置100中的期望處理。
其次，說明使用如以上所構成之成膜裝置100所執行的非晶質碳膜之成膜方法之一種實施方式。
首先，將晶圓W搬入處理室1內，放置於承受器2上。然後從氣體供給機構14經由氣體配管13及淋洗頭10供給例如氬氣，來做為電漿產生氣體，並一邊藉由排氣裝置18將處理室1內排氣，將處理室1內維持在特定減壓狀態。又，藉由加熱器5將承受器2加熱為400℃以下的特定溫度。然後從高頻電源16對淋洗頭10施加高頻電力，藉此在淋洗頭10與電極8之間產生高頻電場，使電漿產生氣體電漿化。
在此狀態下，從氣體供給機構14，經由氣體配管13及淋洗頭10對處理室1內導入非晶質碳膜成膜用之包含碳、氫及氧的處理氣體。
藉此，該處理氣體會藉由形成於該處理室1內之電漿而被激發，同時在晶圓W上被加熱而分解。然後在晶圓W表面就會堆積有具有堅固網絡構造的非晶質碳膜。
上述專利文件(日本特開2002-12972號公報)所記載之技術中，做為非晶質碳膜形成用之處理氣體，係使用碳化氫氣體與惰性氣體。然而若依本發明者所得到之發現，在此種條件下，碳之網絡化進行的速度較慢，於400℃以下之低溫會留下許多構造上較弱的部分，結果成為耐蝕刻性較低的膜。在此，若提高成膜溫度，則可達到某種程度之構造強化，提高蝕刻耐性，但是這麼做就難以適用於後端處理。
相對地，本實施方式中除了構成碳化氫氣體之碳及氫之外，還導入氧。藉此反應性會明顯提升，即使是400℃ 以下之低溫，膜也不會殘留構造較弱之部分，而可得到具有堅固碳網絡的非晶質碳膜。
做為包含碳、氫及氧的處理氣體，處理氣體中碳與氧之原子數量比碳：氧，係3：1~5：1為佳。若在此範圍內，則可理想控制反應性，而得到更理想的膜。
更且，處理氣體中碳與氫之原子數量比碳：氫，係1：1~1：2為佳。碳比此者更少之氣體，並沒有存在為實用的化合物。另一方面若氫比這範圍還多，則難以得到堅固的碳網絡。
做為包含碳與氫與氧之處理氣體，典型上可舉出碳化氫氣體與含氧氣體的混合氣體。此時做為碳化氫氣體，可適當舉出C3 H3 (乙炔)、C4 H6 (丁炔(包含1-丁炔、2-丁炔之二者))、C6 H6 (苯)等；可以將此等單獨使用，也可以將此等複合使用。又，做為含氧氣體，可適當使用O2 氣體。做為其他含氧氣體，也可使用CH3 -O-CH3 (二甲基醚)等醚化合物。
做為包含碳與氫與氧之處理氣體的其他例子，可舉出在分子內具有碳與氫與氧的氣體。做為此種氣體可適當舉出C4 H4 O(呋喃)、C4 H8 O(四氫化呋喃)；可以將此等單獨使用，也可以將此等複合使用。
做為處理氣體，除了包含碳與氫與氧之氣體以外，也可包含氬氣等惰性氣體。使用300mm晶圓時，氬氣之流量對於包含碳與氫與氧之氣體，以20~100%左右為佳。又，包含碳與氫與氧之氣體與惰性氣體的流量，雖依氣體 種類不同，但以250~350mL/min(sccm)左右為佳。更且成膜時之處理室內壓力，以6.65Pa(50mTorr)以下為佳。
非晶質碳膜成膜時之晶圓溫度(成膜溫度)，係以400℃以下為佳，100~300℃更佳。最理想為200℃左右。如上所述，若為400℃以下，則也可適用於含銅配線的後端處理。若依本實施方式，則即使在此種較低溫度下，也可得到具有多層阻劑中最下層所要求之高蝕刻耐性的非晶質碳膜。
施加於淋洗頭10之高頻電力的頻率及功率，係配合必要之反應性來適當設定即可。藉由如此施加高頻電力，可以在處理室1內形成高頻電場，使處理氣體電漿化，而可實現電漿CVD下的非晶質碳膜成膜。因為電漿化後之氣體其反應性較高，故可使成膜溫度更降低。另外做為電漿源，並不限於此種高頻電力下的電容耦合型，也可以是感應耦合型電漿源，也可經由波導管及天線將微波導入處理室1內來形成電漿。又，電漿產生並非必要。在反應性充分之情況下，也可由熱CVD來成膜。
如以上所成膜之非晶質碳膜，如以上所述具有堅固碳網絡，耐蝕刻性較高。因此適合做為多層阻劑中的最下層。更且如以上所成膜之非晶質碳膜，在250nm左右以下之波長，係具有0.1~1.0左右的光吸收係數，故也可適用為反射防止膜。
其次，說明適用以上所製造之非晶質碳膜的半導體裝 置之製造方法。
如第2圖所示，在半導體晶圓(矽基板)W上，做為蝕刻對象膜而成膜有由碳化矽膜101、碳氧化矽膜(Low-k膜)102、碳化矽膜103、二氧化矽膜104、氮化矽膜105所構成的層積膜；在其上面，以上述方法成膜有非晶質碳(α-C)膜106。然後又在其上依序形成二氧化矽膜107、BARC(反射防止膜)108、ArF阻劑膜109；又更在其上以光微影法將ArF阻劑膜109圖案化。如上所述，形成了多層蝕刻遮罩。
此時，ArF阻劑膜109之厚度在200nm以下，例如180nm；BARC108之厚度在30~100nm，例如70nm；二氧化矽膜107之厚度在10~100nm，例如50nm；非晶質碳膜106之厚度在100~800nm，例如280nm。又，做為蝕刻對象膜之厚度，可例舉出碳化矽膜101：30nm，碳氧化矽膜(Low-k膜)102：150nm，碳化矽膜103：30nm，二氧化矽膜104：150nm，氮化矽膜105：70nm。另外取代二氧化矽膜107，也可使用碳氧化矽、碳氫化矽、碳氮化矽、碳氮氫化矽等其他矽系薄膜。
此狀態下，首先如第3圖所示，使用ArF阻劑膜109做為遮罩，使BARC108及二氧化矽膜107被電漿蝕刻，將ArF阻劑膜109之圖案轉印到二氧化矽膜107。此時因為ArF阻劑膜109之耐蝕刻性較低，故會因蝕刻而消失，而蝕刻到BARC108的一部分。
其次如第4圖所示，將二氧化矽膜107當作蝕刻遮罩 使用，來蝕刻非晶質碳膜106。藉此，ArF阻劑膜109之圖案會轉印到非晶質碳膜106。在此，以上述方法所成膜之非晶質碳膜106，耐蝕刻性較高。因此非晶質碳膜106會以良好之形狀性被蝕刻，亦即ArF阻劑膜109之圖案會正確地轉印到非晶質碳膜106。
之後如第5圖所示，將非晶質碳膜106當作蝕刻遮罩使用，以電漿蝕刻來依序蝕刻氮化矽膜105、二氧化矽膜104、碳化矽膜103、碳氧化矽膜102、及碳化矽膜101。此時，因為以上述方法所成膜之非晶質碳膜106其耐蝕刻性較高，故可用高選擇比來蝕刻基底亦即蝕刻對象膜。亦即在蝕刻對象膜被蝕刻之期間，非晶質碳膜106會充分殘留為蝕刻遮罩。藉此在蝕刻對象膜中，可得到沒有圖案變形的良好蝕刻形狀。
在蝕刻結束之時間點，二氧化矽膜107就已經消失。另外殘留之非晶質碳膜106可以由氫氣/氮氣來灰化，可較輕易去除。
其次針對依照本發明之方法所成膜之非晶質碳膜，實際評價其物理性與蝕刻耐性。
在此，做為包含碳與氫與氧之氣體，使用C4 H4 O(呋喃)氣體，基板溫度為200℃，以電漿CVD在晶圓上堆積膜。所得到之膜其中央部的電子繞射影像，如第6圖所示一般。第6圖中，沒有發現顯示結晶性之繞射斑點，故可確認所得到的膜為非晶質碳。
其次將如此得到之非晶質碳膜的耐蝕刻性，與熱氧化 膜(二氧化矽)之耐蝕刻性，以及當作下層阻劑使用之g線用光阻劑膜的耐蝕刻性作比較。蝕刻處理係使用平行平板型電漿蝕刻裝置，做為蝕刻氣體則使用C5 F8 氣體、氬氣、氧氣來進行。
結果各膜之蝕刻率為：二氧化矽膜：336.9nm/min
光阻劑膜：53.3nm/min
非晶質碳膜：46.4nm/min。亦即，光阻劑膜與非晶質碳膜對二氧化矽膜之選擇比分別為6.3及7.3。從此結果，可確認本發明之方法所得到之非晶質碳膜，對先前之光阻劑膜要更優良。
另外本發明並不限於上述實施方式，而可有各種變形。例如上述實施方式中，做為非晶質碳膜之處理氣體，係舉出碳化氫氣體及含氧氣體的混合氣體，或是分子中含有碳與氫與氧的氣體；但是並不限定於此。又，上述實施方式中，說明了將依照本發明所成膜之非晶質碳膜，適用於乾顯影技術中多層阻劑之下層的情況，但並不限定於此。也可以將非晶質碳膜形成於一般之光阻劑膜的正下方，當作具有反射防止功能的蝕刻遮罩使用。更且非晶質碳膜也可用於其他各種用途。
更且，上述實施方式中雖例舉半導體晶圓做為被處理基板，但並不限定於此。也可適用於以液晶顯示裝置(LCD)為代表之平面顯示器(FPD)用的玻璃基板等其他基板。
1‧‧‧處理室
1a‧‧‧天花板壁
1b‧‧‧底壁
2‧‧‧承受器
3‧‧‧支撐構件
4‧‧‧導引環
5‧‧‧加熱器
6‧‧‧加熱器電源
7‧‧‧熱電偶
8‧‧‧電極
9‧‧‧絕緣構件
10‧‧‧淋洗頭
11‧‧‧氣體導入口
12‧‧‧氣體吐出口
13‧‧‧氣體配管
14‧‧‧氣體供給機構
15‧‧‧匹配器
16‧‧‧高頻電源
17‧‧‧排氣管
18‧‧‧排氣裝置
20‧‧‧氣體擴散空間
21‧‧‧搬入搬出口
22‧‧‧閘閥
30‧‧‧處理控制器
31‧‧‧使用者介面
32‧‧‧記憶部
100‧‧‧成膜裝置
101‧‧‧碳化矽膜
102‧‧‧碳氧化矽膜(Low-k膜)
103‧‧‧碳化矽膜
104‧‧‧二氧化矽膜
105‧‧‧氮化矽膜
106‧‧‧非晶質碳(α-C)膜
107‧‧‧二氧化矽膜
108‧‧‧反射防止膜
109‧‧‧ArF阻劑膜
W‧‧‧晶圓
〔第1圖〕表示可適用於本發明一種實施方式之非晶質碳膜之成膜方法之成膜裝置之一例的概略剖面圖。
〔第2圖〕表示用來製造由本發明一種實施方式之非晶質碳膜之成膜方法所得到之非晶質碳膜的半導體裝置所需之構造體的剖面圖。
〔第3圖〕表示在第2圖之構造體中，將被圖案化之ArF阻劑當作遮罩使用，將其下方之SiO2 膜蝕刻後狀態的剖面圖。
〔第4圖〕表示在第3圖之構造體中，將被圖案化之SiO2 膜當作遮罩使用，將其下方之非晶質碳膜蝕刻後狀態的剖面圖。
〔第5圖〕表示在第4圖之構造體中，將被圖案化之非晶質碳膜當作遮罩使用，將基底之蝕刻對象膜蝕刻後狀態的剖面圖。
〔第6圖〕表示實施例所得到之非晶質碳膜之電子繞射影像的圖。

Claims (12)

  1. 一種非晶質碳膜之成膜方法，其特徵係具備：在處理容器內配置基板的工程；和對上述處理容器內供給包含有碳與氫與氧之處理氣體的工程；和藉由加熱上述處理容器內之基板，使上述處理氣體分解，而在上述基板上堆積非晶質碳膜的工程，上述堆積非晶質碳膜的工程係將上述基板溫度設為400℃以下，將上述處理容器內的壓力設為6.65Pa以下，藉由生成上述處理氣體的電漿，在上述基板上堆積上述非晶質碳膜，而且，上述非晶質碳膜係在250nm以下之波長，具有0.1~1.0的光吸收係數。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之非晶質碳膜之成膜方法，其中，處理氣體中碳與氧之原子數量比係碳：氧為3：1~5：1。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之非晶質碳膜之成膜方法，其中，處理氣體中碳與氫之原子數量比係碳：氫為1：1~1：2。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項所記載之非晶質碳膜之成膜方法，其中，包含有碳與氫與氧之上述處理氣體，係包含碳化氫氣體與含氧氣體的混合氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之非晶質碳膜之成膜方法，其中，上述碳化氫氣體係C2 H2 、C4 H6 及C6 H6 之最 少一種。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項所記載之非晶質碳膜之成膜方法，其中，包含有碳與氫與氧之上述處理氣體，係包含在分子內具有碳與氫與氧的氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之非晶質碳膜之成膜方法，其中，在分子內具有碳與氫與氧的上述氣體，係C4 H4 O及C4 H8 O之最少一種。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載之非晶質碳膜之成膜方法，其中，上述成膜溫度係100~300℃以下。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具備：於基板上形成蝕刻對象膜的工程；和在上述蝕刻對象膜上，成膜非晶質碳膜的工程；和在上述非晶質碳膜形成蝕刻圖案的工程；和將上述非晶質碳膜作為蝕刻遮罩，來蝕刻上述蝕刻對象膜，而形成特定構造的工程，上述堆積非晶質碳膜的工程係具有：在處理容器內配置基板的工程；和對上述處理容器內供給包含有碳與氫與氧之處理氣體的工程；和藉由加熱上述處理容器內之基板，使上述處理氣體分解，而在上述基板上堆積非晶質碳膜的工程，將上述基板溫度設為400℃以下，將上述處理容器內的壓力設為6.65Pa以下，藉由生成上述處理氣體的電漿，在上述基板上堆積上述非晶質碳膜， 而且，上述非晶質碳膜係在250nm以下之波長，具有0.1~1.0的光吸收係數。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具備：於基板上形成蝕刻對象膜的工程；和在上述蝕刻對象膜上，成膜非晶質碳膜的工程；和在上述非晶質碳膜上形成矽系薄膜的工程；和在上述矽系薄膜上形成光阻劑膜的工程；和將上述光阻劑膜圖案化的工程；和將上述光阻劑膜作為蝕刻遮罩，來蝕刻上述矽系薄膜的工程；和將上述矽系薄膜作為遮罩，來蝕刻上述非晶質碳膜，而轉印上述光阻劑膜之圖案的工程；和將上述非晶質碳膜作為遮罩，來蝕刻上述蝕刻對象膜的工程，上述堆積非晶質碳膜的工程係具有：在處理容器內配置基板的工程；和對上述處理容器內供給包含有碳與氫與氧之處理氣體的工程；和藉由加熱上述處理容器內之基板，使上述處理氣體分解，而在上述基板上堆積非晶質碳膜的工程，將上述基板溫度設為400℃以下，將上述處理容器內的壓力設為6.65Pa以下，藉由生成上述處理氣體的電漿，在上述基板上堆積上述非晶質碳膜，而且，上述非晶質碳膜係在250nm以下之波長，具有 0.1~1.0的光吸收係數。
  11. 一種電腦可讀取之記憶媒體，記憶有使電腦執行控制程式的軟體，其特徵係：上述控制程式在執行時，係以進行非晶質碳膜之成膜方法的方式，來控制成膜裝置，該非晶質碳膜之成膜方法係具備：在處理容器內配置基板的工程；和對上述處理容器內供給包含有碳與氫與氧之處理氣體的工程；和藉由加熱上述處理容器內之基板，使上述處理氣體分解，而在上述基板上堆積非晶質碳膜的工程，上述堆積非晶質碳膜的工程係將上述基板溫度設為400℃以下，將上述處理容器內的壓力設為6.65Pa以下，藉由生成上述處理氣體的電漿，在上述基板上堆積在250nm以下之波長，具有0.1~1.0的光吸收係數的上述非晶質碳膜。
  12. 一種非晶質碳膜之成膜裝置，其特徵係具備：搬入基板的處理容器；和對上述處理容器內供給包含有碳與氫與氧之處理氣體的氣體導入部；和加熱上述基板的加熱手段；和將上述處理氣體電漿化的電漿生成手段；和將前述處理容器內進行排氣且與排氣裝置相連接的排氣管； 和控制部，其係進行控制成：在上述處理容器內配置基板，由上述氣體導入部對上述處理容器內供給包含有碳與氫與氧之處理氣體，藉由上述加熱手段來加熱上述基板，將上述基板溫度設為400℃以下，而且將上述處理容器內的壓力設為6.65Pa以下，藉由生成上述處理氣體的電漿，在上述基板上堆積在250nm以下之波長，具有0.1~1.0的光吸收係數的上述非晶質碳膜。
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