TWI462205B - 接合體及其製造方法 - Google Patents

Description

接合體及其製造方法

本發明係關於經由異方性導電薄膜，使基板與配線材料連接所成的接合體及其製造方法。

以往在將LCD面板、PDP面板等之基板，與FPC、COF、TCP等之配線材料，使用異方性導電薄膜連接時，根據該配線材料所形成的光阻層之位置，在該配線材料中的配線，會有裸露的狀態存在。在此狀態下，當折彎該配線材料使用時，會有斷線，或在裸露狀態之配線部，有污染(灰塵)等侵入，而發生短路的問題。

為了解決該問題，例如提出一種使用封閉劑，以保護該裸露狀態之配線部的方法，但是除了封閉用之裝置在其他途徑為必要之外，由於相當耗費成本，故目前一般並不使用。

相對於此，例如在專利文獻1有提案一種方法，其藉由使FPC中的絕緣保護層(光阻層)滑入至顯示面板之內側為止並予以按壓，以保護裸露的配線而防止斷線的方法，此方法在某些面板製造商已經被實用化。

但是，在此技術中，係藉由使該絕緣保護層侵入該顯示面板之內側，而使得異方性導電黏接劑之流動被阻塞(blocked)，發生短路，或因該絕緣保護層之存在，而在按壓時，無法充分地加壓於連接部，造成連接不良的問題。

又，在專利文獻2，係提出一種方法，其藉由延長ACF帶至TAB零件之光阻防銲劑部為止，而予貼合，以被覆TAB零件之配線露出部的方法。

但是，在該技術中，自顯示面板與TAB零件之連接部所隆起的ACF帶，來自熱風槍(heat tool)之熱難以傳導，由於ACF帶成為完全未硬化狀態，故會有折彎等耐久性劣化的問題。

【先前技術文獻】

【專利文獻1】日本特開2002-358026號公報。

【專利文獻2】日本特開2003-66479號公報。

本發明之課題係為了解決以往的前述各種問題，而達成以下目的。亦即，本發明之目的係提供一種可抑制連接不良之發生，導通可靠度優異，而且耐久性良好的接合體及其製造方法。

該解決課題之手段方面，係如下述，亦即：

＜1＞一種接合體之製造方法，其係藉由異方性導電薄膜，使基板與配線材料連接所成的接合體之製造方法，其特徵為至少含有：定位步驟，其係在該基板上所形成的第一電極區域上，配置該異方性導電薄膜成為：該薄膜之一端相較於該基板之倒角部內側端更朝向該基板之外側突出的狀態、及位於該倒角部內側端的位置的狀態之任一狀態後，在配線板中，將位於與該第二電極區域的境界位置的該光阻區域之端部配置於該基板之倒角部上，該配線板具有：形成於該配線材料上，且其一部份被覆於光阻層的光阻區域；及不被覆於該光阻層的第二電極區域，及電極連接步驟，其係藉由自該配線材料側加熱及加壓該異方性導電薄膜，且使該異方性導電薄膜熔融而流動至該光阻區域側，而被覆該第二電極區域，使該第一電極區域與該第二電極區域電性連接。

＜2＞如＜1＞之接合體之製造方法，其中定位步驟係在異方性導電薄膜之一端，與位於與第二電極區域之境界位置的光阻區域之端部設置間隙，在該第二電極區域形成配線露出部。

＜3＞如＜1＞或＜2＞之接合體之製造方法，其中在異方性導電薄膜中，自基板的倒角部內側端之突出幅寬為該異方性導電薄膜幅寬之0%至50%。

＜4＞如＜1＞至＜3＞中任一項之接合體之製造方法，其中異方性導電薄膜之最低熔融黏度為5.0×10¹ Pa‧s至1.0×10⁵ Pa‧s，其厚度為第一電極區域中的端子及第二電極區域中的端子之合計高度的120%至400%。

＜5＞如＜1＞至＜3＞中任一項之接合體之製造方法，其中異方性導電薄膜具有：絕緣層，其含有絕緣性樹脂；及導電層，其含有該絕緣性樹脂及導電性粒子，該絕緣層之最低熔融黏度為5.0×10¹ Pa‧s至1.0×10⁵ Pa‧s，該導電層之最低熔融黏度相較於該絕緣層之最低熔融黏度更大10倍以上。

＜6＞一種接合體，其係經由異方性導電薄膜，使基板與配線材料連接而成，在該基板上所形成的第一電極區域上，該異方性導電薄膜具有其一端自該基板之倒角部內側端朝向該基板之外側突出的狀態，在配線板中，於該基板之倒角部上具有位於與該第二電極區域之境界的該光阻區域之端部，該配線板具有：形成於該配線材料上，且其一部份被覆於光阻層的光阻區域；及不被覆於該光阻層的第二電極區域，該第二電極區域係以該異方性導電薄膜被覆而成者。

根據本發明，係提供一種可解決以往該諸問題，抑制連接不良之發生，導通可靠度優異、而且耐久性良好的接合體及其製造方法。

(接合體之製造方法)

本發明接合體之製造方法係經由異方性導電薄膜，使基板與配線材料連接所成的接合體之製造方法，其至少含有定位步驟與電極連接步驟，進一步可因應需要含有適宜選擇的其他之步驟。

＜定位步驟＞

該定位步驟係在形成於基板上的第一電極區域上，使該異方性導電薄膜配置為：其一端相較於該基板之倒角部內側端更朝向該基板之外側突出的狀態、及位於該倒角部內側端位置的狀態之任一狀態後，在具有：形成於該配線材料上，且其一部份以光阻層所被覆的光阻區域；及不以該光阻層所被覆的第二電極區域的配線板中，將位於與該第二電極區域之境界位置的該光阻區域之端部配置於該基板之倒角部上的步驟。

-基板-

該基板方面，並無特別限制可因應目的而適宜選擇，可例舉如玻璃製之LCD基板(LCD面板)、玻璃製之PDP基板(PDP面板)、玻璃製之有機EL基板(有機EL面板)等。

在該基板係沿著該基板之緣實施去角，且自倒角部內側端朝向倒角部外側端(該基板之外緣)而具有邊緣。

又，在該基板係在相較於該倒角部內側端更於該基板之內側形成有第一電極區域。

-配線材料-

該配線材料方面，並無特別限制可因應目的而適宜選擇，可例舉如FPC、COF、TCP等。

在該配線材料，於其單面形成有配線板。

該配線板具有光阻區域與第二電極區域，該光阻區域係該配線板之一部份，該配線板係以光阻層(例如光阻防銲劑層)所被覆的區域，該第二電極區域係在該配線板中不以該光阻層所被覆的區域。

-異方性導電薄膜-

該異方性導電薄膜，就其構造、大小、厚度等，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇。

該構造方面，可為單層構造亦可為積層構造。

該異方性導電薄膜為單層構造時，該異方性導電薄膜係由含有導電性粒子的絕緣性樹脂層所構成。

該導電性粒子方面，並無特別限制，可利用以往異方性導電黏接劑所使用之物，例如可使用粒子直徑為1至50μm之金屬粒子或金屬被覆樹脂粒子。

該金屬粒子方面，可例舉鎳、鈷、銅等。以防止該等表面氧化為目的，在表面可使用塗覆金、鈀塗膜的粒子。進而亦可在表面使用金屬突起或以有機物實施絕緣皮膜之物。

在該金屬被覆樹脂粒子方面，可例舉以鎳、鈷、銅等之1種以上實施鍍敷的球狀(spherical)粒子。同様地，亦可在最外表面使用塗覆了金、鈀的粒子。進一步亦可在表面使用金屬突起或以有機物實施絕緣皮膜之物。

該絕緣性樹脂層中的絕緣性樹脂方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，可例舉如環氧樹脂、丙烯酸樹脂等。

該環氧樹脂方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，可例舉如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂等。該等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。

該丙烯酸樹脂方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，可例舉如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸環氧酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸二乙二醇酯、三丙烯酸三羥甲丙酯、二丙烯酸二羥甲三環癸酯、四丙烯酸伸丁乙二醇酯、2-羥基-1，3-二丙烯醯氧基丙烷、2，2-雙[4-(丙烯醯氧甲氧基)苯基]丙烷、2，2-雙[4-(丙烯醯氧乙氧基)苯基]丙烷、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸三環癸酯、三個(丙烯醯氧乙基)異三聚氰酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等。該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

又可例舉使該丙烯酸酯成為甲基丙烯酸酯之物，該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

又，在該環氧樹脂及該丙烯酸樹脂，可因應需要亦可含有苯氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯樹脂等之熱塑性樹脂。

又，在該環氧樹脂及該丙烯酸樹脂可使用適應各種樹脂的硬化劑。

使用於該環氧樹脂的硬化劑方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，可例舉如咪唑、三乙胺等的有機胺類所代表之陰離子系硬化劑；鎓鹽、鎏鹽、鋁螯合劑、有機酸等所代表之陽離子系硬化劑。

使用於該丙烯酸樹脂的硬化劑方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，可例舉如二枯烯(cumenyl)過氧化物、三級丁基過氧化物、二月桂醯過氧化物、二苯甲醯基過氧化物等之有機過氧化物、及該等衍生物。

該絕緣性樹脂之硬化方法方面，可適宜選擇熱硬化或光硬化。

在該異方性導電薄膜為單層構造的情形，其最低熔融黏度較佳為5.0×10¹ 至1.0×10⁵ Pa‧s，更佳為1.0×10² 至1.0×10⁴ Pa‧s。

當該最低熔融黏度未達5.0×10¹ Pa‧s時，在製造將該異方性導電薄膜捲繞於捲盤上的捲盤狀製品之情形，藉由捲緊(winding tightness)，而會有該異方性導電薄膜隆起而產生阻塞，當超過1.0×10⁵ Pa‧s時，藉由加熱及加壓而連接該基板與該配線材料之際，並無法充分排除該異方性導電薄膜，會發生連接不良。

該最低熔融黏度可使用例如熔融黏度計(「HAAKE Rheo Stress RS-150」；Thermo Fisher Scientific公司製)來測定，該測定條件方面，可在例如升溫速度10℃/min、頻率1Hz、加壓力1N、及測定溫度30至180℃進行。

又，在前述厚度方面，較佳為該第一電極區域中端子及該第二電極區域中端子合計高度的120至400%，更佳為150至300%。

該厚度未達該合計高度之120%時，會有無法在該基板及該配線材料之端子間，充分填充該異方性導電薄膜之情況，當超過400%時，藉由加熱及加壓，而在該基板與該配線材料連接之際，並無法充分排除該異方性導電薄膜，會有連接不良發生，或在擠壓之前使該配線材料產生偏差，而有發生角度誤差(misalignment)之虞。

在該異方性導電薄膜屬積層構造時，該異方性導電薄膜宜為至少具有：含有絕緣性樹脂的絕緣層，與含有絕緣性樹脂及導電性粒子的導電層。在此情形，因以不含該導電性粒子的該絕緣層來被覆配線露出部，故可抑制短路之發生。

在該絕緣層中的該絕緣性樹脂方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，可使用與該異方性導電薄膜為單層構造的情形相同之物。

該絕緣層之最低熔融黏度方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，而宜為5.0×10¹ 至1.0×10⁵ Pa‧s，更宜為1.0×10² 至4.0×10⁴ Pa‧s。

該最低熔融黏度未達5.0×10¹ Pa‧s時，在製造使該異方性導電薄膜成為捲繞於捲盤上的捲盤狀之製品時，藉由捲緊，而會使該異方性導電薄膜隆起而產生阻塞，當超過1.0×10⁵ Pa‧s時，藉由加熱及加壓，而連接該基板與該配線材料之際，並無法充分排除該異方性導電薄膜，會發生連接不良。

在該導電層中的該絕緣性樹脂及該導電性粒子方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，例如可使用與該異方向性導電性薄膜為單層構造之情況相同之物。

該導電層之最低熔融黏度方面，並無特別限制，雖可因應目的而適宜選擇，而宜為較該絕緣層之最低熔融黏度更大，更宜為更大10倍以上。

當該導電層之最低熔融黏度為該絕緣層之最低熔融黏度之10倍以上時，可抑制該導電性粒子之流動，可減低因粒子堵塞所致短路之發生。

在該絕緣層及該導電層之厚度方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，而該等厚度之和(總厚度)，宜為在該第一電極區域中的端子及該第二電極區域中的端子合計高度之120至400%，更宜為150至300%。

該總厚度未達該合計高度之120%時，在該基板及該配線材料之端子間，會有無法充分地填充該異方性導電薄膜之情形，在超過400%時，藉由加熱及加壓，而連接該基板與該配線材料之際，並無法充分地排除該異方性導電薄膜，會發生連接不良，或在擠壓之前使該配線材料產生偏差，而有發生角度誤差(misalignment)之虞。

在此使用圖示說明，在該定位步驟中所決定的該基板、該異方性導電薄膜、及該配線材料之位置關係的一例。

如第1A圖及1B圖所示，首先，在基板10上所形成之第一電極區域12上配置異方性導電薄膜20，使其一端(B)相較於基板10之倒角部內側端(A)更朝向基板10之外側呈突出的狀態。接著，在配線材料30所形成的配線板32中，在位於被光阻層34所被覆的光阻區域32A，及不被光阻層34所被覆的第二電極區域32B之境界位置的光阻區域32A之端部(C)則配置於基板10之倒角部上(自倒角部內側端(A)至倒角部外側端(D)之間)。

結果，在第1A圖中係自第1A圖中左側依照基板之倒角部內側端(A)、光阻區域32A之端部(C)、異方性導電薄膜20之一端(B)、及基板之倒角部外側端(D)之順序配置。此外，在第1A圖之態様中，亦可替換B與D之位置，而依照A、C、D、及B之順序配置。

又，在第1B圖中，係自第1B圖中左側依照基板之倒角部內側端(A)、異方性導電薄膜20之一端(B)、光阻區域32A之端部(C)、及基板之倒角部外側端(D)之順序配置。

在該異方性導電薄膜中，自該基板之倒角部內側端的突出幅寬方面，並無特別限制，可因應目的而適宜選擇，而宜為該異方性導電薄膜寬之0至50%，更宜為0至30%。

該突出幅寬未達0%，亦即，該異方性導電薄膜之一端在位於較該基板之倒角部內側端更位於內側位置時，該基板與該配線材料之接合後的該異方性導電薄膜之隆起，無法到達該配線板中的光阻層，會有無法保護該第二電極區域(配線露出部)之情況。一方面，該突出幅寬，在超過50%時，會有無法充分黏貼該異方性導電薄膜於該基板的情形。

又，如第1C圖所示，在基板10上所形成的第一電極區域12上，亦可配置異方性導電薄膜20，使其一端(B)位於基板10之倒角部內側端(A)位置的狀態。在此情形，在第1C圖中，在自左側使基板之倒角部內側端(A)與異方性導電薄膜20之一端(B)之相同位置上，接著，依照光阻區域32A之端部(C)、及基板之倒角部外側端(D)之順序配置。

再者，該定位步驟係在該異方性導電薄膜之一端、及位於與該第二電極區域之境界的光阻區域之端部設置間隙，亦可使配線露出部形成於該第二電極區域。亦即，如第1B圖及第1C圖所示，藉由使異方性導電薄膜20之一端(B)、與光阻區域32A之端部(C)拉離而配置，即可與第二電極區域32B產生間隙，而形成配線露出部N。在此情形，在該異方性導電薄膜之上面因無配置光阻層，故在後述電極連接步驟中，就可充分地加壓異方性導電薄膜，且就可抑制連接不良之發生的觀點觀之，極為有利。

此外，在電極連接步驟中，藉由將經加熱及加壓的異方性導電薄膜20予以熔融，而朝向光阻區域32A側流動，並侵入光阻層34之下側，而可使該配線露出部N被異方性導電薄膜20所被覆。

<電極連接步驟>

該電極連接步驟係藉由自該配線材料側加熱及加壓該異方性導電薄膜，使該異方性導電薄膜熔融，並朝向該光阻區域側流動，而被覆該第二電極區域，使該第一電極區域與該第二電極區域予以電性連接的步驟。

該加熱，因該絕緣性樹脂或該硬化劑之種類而異，一般而言，係在連接時間10秒以下、壓力2至6MPa進行。

藉由該電極連接步驟，而加熱及加壓該異方性導電薄膜時，即可使該異方性導電薄膜熔融而朝向該光阻區域側流動，以使該第二電極區域完全地被覆。結果，該第一電極區域與該第二電極區域為電性連接，以使該基板與該配線材料連接。

在此，該電極連接步驟後之狀態的一例係使用圖式加以說明。

如第2圖所示，在該電極連接步驟中，經加熱及加壓的異方性導電薄膜20進行熔融，朝向光阻區域32A側流動，並朝向光阻層34之下側侵入。結果可完全被覆第二電極區域32B，不使配線露出部存在，並可防止異物(污染)之混入所致短路之發生。

(接合體)

本發明之接合體，係經由異方性導電薄膜，使基板與配線材料連接而成的接合體，在基板上所形成之第一電極區域上，具有使該異方性導電薄膜之一端自該基板之倒角部內側端朝向該基板之外側突出的狀態，在具有：形成於該配線材料上，且其一部份被覆於光阻層的光阻區域；及不被覆於該光阻層的第二電極區域的配線板中，在該基板之倒角部上具有位於與該第二電極區域之境界的該光阻區域之端部，將該第二電極區域以該異方性導電薄膜被覆而成。

此外，該基板、該配線材料、及該基板等之詳細說明係如上述。

在本發明之該接合體中係如第2圖所示，光阻區域32A之端部(C)位於基板之倒角部上(自倒角部內側端(A)至倒角部外側端(D)之間)之位置。因此，導通可靠度高、抗彎強度等之耐久性亦優異。

亦即，光阻區域32A之端部(C)較倒角部內側端(A)更位於基板10之內側位置時，在該接合體之製造時，由於光阻層34之存在，而無法使異方性導電薄膜20充分地加壓，會成為發生連接不良的原因。又，光阻區域32A之端部(C)較基板之倒角部外側端(D)更位於外側位置時，異方性導電薄膜20亦與該位置一致而突出於基板10外側並接合，此時，在位於基板10外側的異方性導電薄膜20，由於無熱風槍之熱傳導，故成為完全未硬化狀態，會有折彎等之耐久性劣化。

試例舉實施例及比較例更具體說明本發明如下，然而本發明並非對下述實施例做任何限定。

(製造例1至5：異方性導電薄膜T1至T5)

在黏接劑中含有：苯氧基(phenoxy)樹脂(「PKHC」；巴工業公司製)50質量份、自由基聚合性樹脂(「EB-600」；Daicel‧Cytec公司製)45質量份、矽烷偶合劑(「KBM-503」；信越化學工業公司製)2質量份、增黏劑的疏水性二氧化矽(「AEROSIL972」；EVONIK公司製)3質量份、及反應引發劑(「PerhexaC」；日本油脂公司製)3質量份，將導電性粒子(「AUL704」；積水化學工業公司製)分散成為粒子密度5,000個/mm² ，使其成形，獲得各自厚度為8μm、10μm、15μm、30μm、及35μm之異方性導電薄膜T1至T5。

(製造例6至8：異方性導電薄膜V1至V3)

在黏接劑中含有：苯氧基樹脂(「PKHC」；巴工業公司製)50質量份、自由基聚合性樹脂(「EB-600」；Daicel‧Cytec公司製)45質量份、矽烷偶合劑(「KBM-503」；信越化學工業公司製)2質量份、及反應引發劑(「PerhexaC」；日本油脂公司製)3質量份，添加作為增黏劑的疏水性二氧化矽(「AEROSIL972」；EVONIK公司製)各0質量份、6質量份、及9質量份，使導電性粒子(「AUL704」；積水化學工業公司製)分散成為粒子密度5,000個/mm² ，獲得厚度15μm之異方性導電薄膜V1至V3。

(製造例9：二層構造之異方性導電薄膜D1)

在製造例1中，並不添加該導電性粒子，而將成形為厚度10μm的絕緣層(NCF)；及製造例7所調製，含有疏水性二氧化矽6質量份的黏接劑成形成為厚度5μm的導電層(ACF)，使用貼合機(laminator)予以貼合，獲得厚度15μm之二層構造的異方性導電薄膜D1。

-熔融黏度之測定-

就所得異方性導電薄膜T1至T5、V1至V3、及D1測定熔融黏度。

首先使各異方性導電薄膜重疊(superimpose)，來製作厚度300μm之薄片。接著，就所得之薄片，使用熔融黏度計(「HAAKE RheoStress RS-150」；Thermo Fisher Scientific公司製)在升溫速度10℃/min、頻率1Hz、加壓力1N、及測定溫度範圍30至180℃之條件下，測定熔融黏度。結果如表1所示。

接著，就該異方性導電薄膜T1至T5、V1至V3、及D1切口成1.5mm寬，並各自製作捲繞成50M及100M的製品。

-隆起試驗-

在所得之100M捲盤品，於常溫環境下，懸吊50克之秤砝碼(scale weight)，進行異方性導電薄膜之膜強度試驗。接著，在經過24小時後，至最後可自捲盤拉出異方性導電薄膜者為「OK」；藉由在中途捲緊所致異方性導電薄膜之隆起，而無法正常地拉出者則為「NG」、並根據下述基準予以評價。結果如表1所示。

[評價基準]

◎：100M品及50M品均為「OK」。

○：100M品為「NG」，然而50M品為「OK」。

接著，ITO塗膜玻璃、COF、及異方性導電薄膜之位置關係是依照Z1至Z7來製造接合體。

在該位置關係Z1至Z7中，於ITO塗膜玻璃與COF之按壓前，ITO塗膜玻璃之倒角部內側端(A)、異方性導電薄膜之一端(B)、COF中的光阻防銲劑區域之端部(C)、及ITO塗膜玻璃之倒角部外側端(D)，在圖中係位於自左側至以下順序之位置。

[按壓前位置關係]

Z1(比較例；第3A圖)：B、A、C、D

Z2(實施例；第3B圖)：A、C、B、D

Z3(實施例；第3C圖)：A、B、C、D

Z4(比較例；第3D圖)：C、A、B、D

Z5(比較例；第3E圖)：A、B、D、C

Z6(實施例；第3F圖)：A=B、C、D

Z7(比較例；第3G圖)：A、D、C、B

(實施例1)

-接合體之製作-

進行該基板的ITO塗膜玻璃(評價用基材、全表面ITO塗佈、玻璃厚0.7mm、倒角0.3mm、端子高度4,000(0.4μm)；與該配線材料之COF(評價用基材、50μmP、Cu8μmt(端子高度8μm)-Sn鍍敷、光阻防銲劑：PI系、PI38μmt-S’perflex基材)之接合。

首先，依照該位置關係Z3(參照第3C圖)，在作為基板10之ITO塗膜玻璃上，異方性導電薄膜20係各自暫時貼合切口成1.5mm寬的異方性導電薄膜T2至T5、V1至V2、及D1，在其上暫時固定作為配線材料30的COF(上述定位步驟)。

接著，使用熱風槍1.5mm寬幅，緩衝材料100μmt鐵氟龍(登記商標)，在190℃、4MPa、10秒之條件下，自COF30側加熱及加壓異方性導電薄膜20。接著，使異方性導電薄膜20熔融，並朝向光阻區域32A側流動，且被覆第二電極區域32B，將第一電極區域12與第二電極區域32B予以電性連接(前述電極連接步驟)，獲得接合體。

(比較例1)

-接合體之製作-

在實施例1中異方性導電薄膜係使用製造例1所得之異方性導電薄膜T1及V3，除此以外，其他則與實施例1相同地製作接合體。

(實施例2及比較例2)

使用異方性導電薄膜T3，依照該位置關係Z1至Z7，改變ITO塗膜玻璃、COF、及異方性導電薄膜T3之位置關係，除此以外，其他則與實施例1相同地製作接合體。

關於所得接合體，確認在ITO塗膜玻璃與COF之按壓後，在ITO塗膜玻璃之倒角部內側端(A)、異方性導電薄膜之一端(B)、COF光阻防銲劑區域之端部(C)、及ITO塗膜玻璃之倒角部外側端(D)的位置關係，根據下述位置關係(圖中自左側的配置順序)予以評價。結果如表1及表2所示。

[按壓後位置關係]

Z1(比較例；第4A圖)：B、A、C、D

Z2(實施例；第4B圖)：A、C、B、D

Z3(比較例；第4C圖)：A、B、C、D

Z4(比較例；第4D圖)：C、A、B、D

Z5(比較例；第4E圖)：A、B、D、C

Z6(比較例；第4F圖)：A=B、C、D

Z7(比較例；第4G圖)：A、D、C、B

-導通電阻試驗-

就所得之各接合體，使用數位多功能電表(「數位多功能電表7555」；橫河電機公司製)，使用4端子法測定流經電流1mA時的導通電阻值。結果如表1及表2所示。

-短路試驗-

在實施例1至2及比較例1至2中，各自將ITO塗膜玻璃改為平板玻璃(plain glass)(評價用基材、玻璃厚0.7mm、倒角0.3mm)來製作接合體。

在所得之接合體中於平板玻璃之倒角部，撒上粒徑0.2μm之Ni粉末，以筆型振動器(pencil shaker)予以30秒振動後，在端子間外加15V之電壓，測定絕緣電阻，根據下述基準予以評價。結果如表1及表2所示。

[評價基準]

○：短路未發生

×：短路發生

-折彎試驗-

就實施例2及比較例2所製作的各接合體，係使COF中的光阻防銲劑，在折彎180°的狀態下固定COF以環繞玻璃背面。

接著，藉由折彎將膨脹的部分使用拉伸壓縮試驗機(「TENSILON RTG-1210」；A and D公司製)，以一定速度(200mm/sec)壓入不銹鋼製台座(stage)。在重複進行該作業20次後，使COF回復至原來狀態，測定導通電阻。結果如表2所示。

由表1可知，按壓前位置關係為Z3、且按壓後位置關係為Z2的本發明之接合體導通可靠度良好。

由於異方性導電薄膜V1的最低熔融黏度低，故易於發生阻塞，在隆起試驗，100M品之評價為「NG」。

異方性導電薄膜T1由於厚度薄，又，異方性導電薄膜V3因最低熔融黏度高，故異方性導電薄膜T1及V3之一端(B)在COF中流動至光阻防銲劑區域之端部(C)的流動量少，按壓後位置關係成為Z3，有配線露出部存在，而發生短路。

由表2可明白，當按壓前位置關係為Z2、Z3及Z6時，則按壓後位置關係成為Z2，導通可靠度優異、折彎試驗之結果亦為優異。

一方面，當按壓前位置關係為Z1、Z4、Z5及Z7時，即使使用異方性導電薄膜T3，按壓後位置關係均呈Z1及Z3至Z7。

按壓後位置關係在Z1、Z3、Z5及Z6之情形，由於COF配線露出，故不僅短路發生，即使在折彎試驗因強度不足而發生COF配線之斷線，且發生導通不良。

又，在按壓後位置關係為Z4的情形，在COF中的光阻防銲劑層，因係存在於ITO塗膜玻璃上，故其呈現高低差，在按壓時無法施加充分的壓力於連接部，而發生導通不良。

再者，在按壓後位置關係為Z7的情形，在黏貼於COF中的光阻防銲劑層之異方性導電薄膜T3，由於並不增加熱風槍之熱，故為完全未硬化狀態，在折彎試驗，難以補強配線，而發生斷線，呈導通不良。

又，就實施例2及比較例2所得之接合體，係沿著端子進行剖面研磨，確認按壓後之位置關係。其剖面照片係如第5A圖至第5D圖所示。

此外，在圖中S/R表示光阻防銲劑，ACF表示異方性導電薄膜，玻璃表示ITO塗膜玻璃。

吾人可知，在第5A圖至第5D圖各自表示Z1、Z2、Z4、及Z5之位置關係。

【產業上可利用性】

本發明之接合體之製造方法，可適當地使用於接合體的製造，該接合體可抑制連接不良之發生，導通可靠度優異，而且耐久性良好。本發明之接合體具有優異導通可靠度及耐久性。

10．．．基板

12．．．第1電極區域

20．．．異方性導電薄膜

30．．．配線材料

32．．．配線板

32A．．．光阻區域

32B．．．第二電極區域

34．．．光阻層

第1A圖係表示本發明接合體之製造方法中，定位步驟所致位置關係之一例的概略圖(其一)。

第1B圖係表示本發明之接合體之製造方法中，定位步驟所致位置關係之一例的概略圖(其二)。

第1C圖係表示本發明之接合體之製造方法中，定位步驟所致位置關係之一例的概略圖(其三)。

第2圖係表示由本發明之接合體之製造方法所製造的接合體之一例的概略圖。

第3A圖係表示按壓前位置關係Z1的概略圖。

第3B圖係表示按壓前位置關係Z2的概略圖。

第3C圖係表示按壓前位置關係Z3的概略圖。

第3D圖係表示按壓前位置關係Z4的概略圖。

第3E圖係表示按壓前位置關係Z5的概略圖。

第3F圖係表示按壓前位置關係Z6的概略圖。

第3G圖係表示按壓前位置關係Z7的概略圖。

第4A圖係表示按壓後位置關係Z1的概略圖。

第4B圖係表示按壓後位置關係Z2的概略圖。

第4C圖係表示按壓後位置關係Z3的概略圖。

第4D圖係表示按壓後位置關係Z4的概略圖。

第4E圖係表示按壓後位置關係Z5的概略圖。

第4F圖係表示按壓後位置關係Z6的概略圖。

第4G圖係表示按壓後位置關係Z7的概略圖。

第5A圖係表示按壓後位置關係為Z1的接合體之剖面照片。

第5B圖係表示按壓後位置關係為Z2的接合體之剖面照片。

第5C圖係表示按壓後位置關係為Z4的接合體之剖面照片。

第5D圖係表示按壓後位置關係為Z5的接合體之剖面照片。

10．．．基板

12．．．第1電極區域

20．．．異方性導電薄膜

30．．．配線材料

32．．．配線板

32A．．．光阻區域

32B．．．第二電極區域

34．．．光阻層

Claims (6)

1. 一種接合體之製造方法，其係經由異方性導電薄膜，使基板與配線材料連接所成的接合體之製造方法，其特徵為至少含有：定位步驟，其係在該基板上所形成的第一電極區域上，配置該異方性導電薄膜成為：該薄膜之一端相較於該基板之倒角部內側端更朝向該基板之外側突出的狀態；及位於該倒角部內側端的位置的狀態之任一狀態後，在配線板中，將位於與該第二電極區域的境界位置的該光阻區域之端部配置於該基板之倒角部上，該配線板具有：形成於該配線材料上，且其一部份被覆於光阻層的光阻區域；及不被覆於該光阻層的第二電極區域，及電極連接步驟，其係藉由自該配線材料側加熱及加壓該異方性導電薄膜，且使該異方性導電薄膜熔融而流動至該光阻區域側，而被覆該第二電極區域，使該第一電極區域與該第二電極區域電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項之接合體之製造方法，其中定位步驟係在異方性導電薄膜之一端，與位於與第二電極區域之境界位置的光阻區域之端部設置間隙，在該第二電極區域形成配線露出部。
3. 如申請專利範圍第1項之接合體之製造方法，其中在異方性導電薄膜中，自基板的倒角部內側端之突出幅寬為該異方性導電薄膜幅寬之0%至50%。
4. 如申請專利範圍第1項之接合體之製造方法，其中異方性導電薄膜之最低熔融黏度為5.0×10¹ Pa‧s至1.0×10⁵ Pa‧s，其厚度為第一電極區域中的端子及第二電極區域中的端子之合計高度的120%至400%。
5. 如申請專利範圍第1項之接合體之製造方法，其中異方性導電薄膜具有：絕緣層，其含有絕緣性樹脂；及導電層，其含有該絕緣性樹脂及導電性粒子，該絕緣層之最低熔融黏度為5.0×10¹ Pa‧s至1.0×10⁵ Pa‧s，該導電層之最低熔融黏度相較於該絕緣層之最低熔融黏度更大10倍以上。
6. 一種接合體，其係經由異方性導電薄膜，使基板與配線材料連接而成，在該基板上所形成的第一電極區域上，該異方性導電薄膜具有其一端自該基板之倒角部內側端朝向該基板之外側突出的狀態，配線板具有：形成於該配線材料上，且其一部份被覆於光阻層的光阻區域；及不被覆於該光阻層的第二電極區域；在該配線板中，於該基板之倒角部上具有位於與該第二電極區域之境界的該光阻區域之端部，該第二電極區域係以該異方性導電薄膜被覆而成者。