TWI462185B - 基板處理裝置，基板支持具及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

Description

基板處理裝置，基板支持具及半導體裝置之製造方法

本發明係關於一種加熱並處理基板的基板處理裝置、基板支持具及半導體裝置之製造方法。

習知，作為例如動態記憶體(DRAM)等半導體裝置製造方法之一步驟，係實施有例如藉由對加熱至所需溫度的基板上供應氣體，而對基板上進行薄膜之形成、灰化等各種處理的基板處理步驟。又，亦實施有加熱基板的退火處理等基板處理步驟。該基板處理步驟例如，係利用每次處理1片基板的單片式基板處理裝置所實施。此一基板處理裝置係具備有：用以處理基板的處理室、對處理室內供應處理氣體的氣體供應部、設置於處理室內且利用基板保持面保持基板的基板保持台、內包於基板保持台用以加熱基板的加熱部、以及排放處理室內的環境氣體之排氣部。另外，關於加熱並處理基板的基板處理裝置，例如揭示於專利文獻1。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2009-88347號公報

近年來於半導體裝置的製造步驟中，為提升半導體裝置的 生產效率，要求基板處理的高速化。作為提升生產效率的一個手段，例如有就更加提高基板處理溫度進行檢討。又，為提升生產效率，而要求基板處理的面內均勻性，並要求對基板面內均勻地加熱。而且，例如當進行在基板上形成薄膜的基板處理時，要求在同一批次內，於最初進行處理的基板、與最後進行處理的基板之間，在基板上所形成薄膜的品質(厚度等)不得有差異，即要求提高基板處理的重現性。

然而，於習知的基板處理裝置中，會有從下方支持基板保持台的支柱，係設置於基板保持面下方的情況。即，存在有支柱係設置於基板保持台所內包之加熱部下方的情況。當使用此一基板處理裝置進行基板的處理時，因為支柱位於加熱部下方，因此無法以使基板溫度成為面內均勻之方式進行加熱，會有導致基板處理的面內均勻性降低之情況。即，由於位於加熱部下方的支柱會吸收來自加熱部的熱，而發生局部性的熱逸散，而成為無法使保持於加熱部上方的基板之溫度加熱為面內均勻的情況。

本發明之目的在於提供一種可提升基板處理的面內均勻性，可進行具有較高重現性之基板處理的基板處理裝置、基板支持具、及半導體裝置之製造方法。

根據本發明一態樣所提供的基板處理裝置，係具備有：處理室，用以處理基板； 氣體供應部，其對上述處理室內供應處理氣體；基板保持台，其設置於上述處理室內，利用基板保持面保持上述基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內，用以加熱上述基板；複數根支柱，其自下方支持上述凸緣；以及排氣部，其用以排放上述處理室內的環境氣體；且其特徵在於，在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，設有支持部。

根據本發明另一態樣所提供的基板支持具，其具備有：基板保持台，其利用基板保持面保持基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內，用以加熱上述基板；以及複數根支柱，其自下方支持上述凸緣；且在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，設有支持部。

根據本發明再一態樣所提供的半導體裝置之製造方法，其包括有：將基板搬入處理室內的步驟；在基板保持具之上述基板保持面上保持上述基板的步驟，該基板保持具具備有：基板保持台，其設置於上述處理室內，利用基板保持面保持上述基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內；複數根支柱，其 自下方支持上述凸緣；以及支持部，其在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，至少支持上述凸緣；在將上述基板保持於上述基板保持面的狀態下，一邊利用排氣部進行上述處理室內之排氣，一邊利用上述加熱部加熱上述基板，並利用氣體供應部對上述處理室內供應處理氣體，而處理上述基板的步驟；以及將處理後的上述基板從上述處理室內搬出的步驟。

根據本發明的基板處理裝置、基板支持具及半導體裝置之製造方法，可提升基板處理的面內均勻性，並可進行具有高重現性的基板處理。

<本發明之一實施形態>

以下，一邊參照圖式一邊針對本發明之一實施形態進行說明。

(1)基板處理裝置之構成

圖1係本實施形態的基板處理裝置之橫剖面圖。圖2係本實施形態的基板處理裝置之縱剖面圖。圖1與圖2係表示本發明實施形態的半導體製造裝置等之基板處理裝置10之概要。

如圖1所示，基板處理裝置10例如係以搬送室12為中心，配置有2個負載鎖(load lock)室14a、14b及2個處理室 16a、16b，並在負載鎖室14a、14b的上游側，配置有用以在與晶圓盒(cassette)等載具之間搬送基板的大氣搬送室(EFEM：Equipment Front End Module，設備前端模組)20。大氣搬送室20配置有3台例如可朝縱向以相隔一定間隔收容25片基板的前開式(FOUP，Front Openning Unified Pod)晶圓盒(未圖示)。又，在大氣搬送室20配置有在大氣搬送室20與負載鎖室14a、14b之間，每次搬送例如5片基板之未圖示的大氣機器人。例如搬送室12、負載鎖室14a、14b及處理室16a、16b係利用鋁(A5052)之單一零件所形成。

首先，針對負載鎖室14a、14b的構成進行說明。另外，關於負載鎖室14b的說明，雖與負載鎖室14a為左右對稱之構造，但由於構成相同，故省略其說明。

如圖2所示，在負載鎖室14a中例如設有朝縱向以相隔一定間隔收容25片晶圓等基板22的基板支持體(晶舟)24。基板支持體24例如係由碳化矽等所構成，具有將上部板26與下部板28連接的例如3根支柱30。在支柱30的長邊方向內側例如平行地形成有載置25個基板22的載置部32。又，基板支持體24係在負載鎖室14a內，以朝鉛直方向移動(朝上下方向移動)之方式設定，並且設定為以朝鉛直方向延伸的旋轉軸為軸進行旋轉。藉由使基板支持體24朝鉛直方向移動，自後述鉤爪(firger)對40每次同時移載2片基板22至分別設置於基板支持體24的3根支柱30的載置部32 之上表面。又，構成為藉由使基板支持體24朝鉛直方向移動，同時自基板支持體24朝鉤爪對40每次亦移載2片基板22。

在搬送室12，設有在負載鎖室14a與處理室16a之間搬送基板22的真空機器人36。真空機器人36係具備設有由上鉤爪38a與下鉤爪38b所構成之鉤爪對40的臂42。上鉤爪38a與下鉤爪38b例如為相同形狀，在上下方向相隔既定之間隔，且構成為從臂42分別近似水平地朝相同方向延伸，可同時分別支持基板22。臂42係構成為以朝鉛直方向延伸的旋轉軸為軸進行旋轉，並且構成可朝水平方向移動，構成為可同時搬送2片基板22。

(2)處理室之構成

接著，針對處理室16a、16b的構成，主要使用圖3~圖7進行說明。另外，關於處理室16b的說明，雖然與處理室16a為左右對稱之構造，但由於構成相同，故省略其說明。

圖3係本實施形態的基板處理裝置10所具備之處理室16a的縱剖面概略圖。圖4係本實施形態的基板處理裝置10所具備之處理室16a的立體圖。圖5係本實施形態的基板處理裝置所具備之處理室16a的橫剖面概略圖。圖6係表示本實施形態的基板保持銷之動作之概略圖。圖7所示係本實施形態的基板保持台之概略圖，(a)係基板保持台的縱剖面圖，(b)係(a)的局部放大圖。

如圖3~圖5所示，搬送室12與處理室16a係經由閘閥78相連通。處理室16a係具備有處理容器47。處理容器47係具備有：帽狀蓋體43、與下側容器48。蓋體43係藉由氣密地設置於下側容器48上而構成處理容器47。蓋體43係由例如氧化鋁或石英等非金屬材料等所構成，而下側容器48係由例如鋁等所構成。處理容器47內構成有收容基板22的反應室50。

在反應室50內配置有作為基板支持具的2個基板保持台44a、44b。即，基板保持台44a、44b分別設置於反應室50的同一空間內。在基板保持台44a、44b的上表面、即與基板保持台44a、44b之蓋體43對向的面上，設有保持基板22的基板保持面41a、41b。基板保持台44b從搬送室12觀察，係配置於隔著基板保持台44a之遠處。然後，反應室50係由具備有第1基板保持台44a的第1處理部59、與具備有第2基板保持台44b的第2處理部61所構成。在第1處理部59與第2處理部61之間的空間中，設有將水平方向之一部分進行隔間的隔間構件46。第1處理部59與第2處理部61係分別成為獨立的構造。第1處理部59與第2處理部61若從基板處理裝置10整體觀察，係朝與基板處理之流動方向相同的方向一列地配置。即，第2處理部61係配置於自搬送室12隔著第1處理部59之遠處。第1處理部59與第2處理部61係相連通。處理室16a內係構成為可升溫 至例如300℃。

而且，處理室16a係構成為經由真空機器人36將基板22分別載置於基板保持台44a、44b，藉此可在反應室50的相同空間內同時對2片基板22進行熱處理。

於此，隔間構件46係例如可對處理容器47裝卸自如的角柱狀構件。隔間構件46係由例如鋁(A5052或A5056等)、石英或氧化鋁等所構成。又，隔間構件46係以不會將反應室50內的空間完全隔離的方式，配置於反應室50內。

(基板支持具)

如上述，在反應室50的底側，配置有2個作為基板支持具之利用基板保持面41a、41b保持基板22的基板保持台44a、44b。第1基板保持台44a與第2基板保持台44b係在處理室16a內，藉由固定構件52分別固定於處理容器47。另外，基板保持台44a、44b係與處理容器47為電氣絕緣。

在基板保持台44a、44b，沿基板保持台44a、44b側面設有凸緣53a、53b。即，凸緣53a、53b的表面係分別與基板保持面41a、41b為不同的面，以使凸緣53a、53b的表面成為比基板保持面41a、41b的高度位置低之方式，設置凸緣53a、53b。藉此，在處理基板22的期間，如後述，可形成收納作為基板搬送裝置之機器臂64的存放空間。而且，基板保持台44a、44b係分別藉由設置從下方支持凸緣53a、53b的複數根支柱49所支持。另外，關於此支持構造係於 後述。

基板保持台44a、44b的高度係形成為比反應室50內的高度低。而且，藉由例如使用固定銷等固定構件52，分別固定於處理容器47。

基板保持台44a、44b係由例如鋁(例如A5052或A5056等)等具有高熱傳導率的材料所形成。如此，藉由利用例如如鋁般熱傳導率較高之材料構成基板保持台44a、44b，可將來自後述作為加熱部的加熱器45a、45b之熱，有效率且均勻地傳導至基板22。因此，在基板處理時，可以使基板22的溫度成為面內均勻之方式加熱，而可提升基板處理的面內均勻性。

基板保持台44a、44b，如上述，雖然較佳為由鋁所構成，但基板保持台44a、44b亦可由不鏽鋼(SUS)、或氮化鋁(AlN)等所構成。當由SUS構成基板保持台44a、44b的情況時，相較於由鋁所構成的情況，雖然熱傳導率會降低，但可提升耐熱性。又，當由AlN構成基板保持台44a、44b的情況時，相較於由鋁所構成的情況，雖然耐熱性會降低，但因為熱傳導率會提高，因此可有效率且均勻地將熱傳導至基板22。又，例如亦可在由SUS所構成基板保持台44a、44b之表面覆蓋鋁。藉此，雖然有時會因SUS與鋁間熱膨脹率的差距，而導致基板保持台44a、44b發生龜裂的情況，但可進一步提升基板保持台44a、44b的耐熱性。

在基板保持台44a、44b，於基板保持面41a、41b的下方分別內包有作為加熱部的加熱器45a、45b，構成為可對基板22加熱。若對加熱器45a、45b供應電力，則基板22表面便會被加熱至既定溫度(例如300℃左右)為止。另外，在基板保持台44a、44b設有溫度感測器(省略圖示)。在加熱器45a、45b與溫度感測器係電氣連接有後述控制器77。控制器77係構成為根據由溫度感測器所檢測出的溫度資訊，分別控制對加熱器45a、45b的供應電力。

如圖6所示，在基板保持台44a的基板保持面41a及基板保持台44b的基板保持面41b之外周，例如分別設有朝鉛直方向貫穿之3根基板保持銷74。基板保持銷74係如圖6之箭頭所示，構成為在與基板保持台44a、44b非接觸之狀態下，可朝上下方向昇降。藉此，構成為從搬送室12經由真空機器人36等搬送至處理室16a內的基板22，在載置於基板保持銷74之後，藉由使基板保持銷74上下昇降，使基板22分別載置於第1基板保持台44a(即第1基板保持面41a)及第2基板保持台44b(即第2基板保持面41b)上。

再者，在基板保持台44a、44b，相對於基板保持面41a、41b，以使後述機器臂64所具有的突起部72可從上方朝下方移動的方式，於縱向(上下方向)分別設有溝部76。溝部76係在與機器臂64所具備突起部72對應的位置，設置與突起部72相同數目(於本實施形態中為3個)。

(支持部)

如圖7所示，在基板保持台44與支柱49之間，設有支持基板保持台44a、44b的支持部55。即，在基板保持台44a、44b的凸緣53a、53b的底面，分別設有支持部55。藉由支持部55支持基板保持台44a、44b之至少凸緣53a、53b的底面，可降低基板保持台44a、44b因曲撓等所造成的變形。藉此，可面內均勻地加熱基板22。又，在供應處理氣體的步驟中，可對基板22面內均勻地供應處理氣體，俾可提升基板處理的面內均勻性。又，可防止因基板保持台44a、44b的變形而導致周邊構件破損、或發生微塵，俾可進行更安定的基板處理。而且，可進行重現性較高的基板處理。即，例如當進行在基板上形成薄膜的基板處理時，在同一批次內，可使最先處理的基板、與最後處理的基板之間，在基板所進行形成薄膜的品質(例如膜厚等)為均勻。

尤其，因為凸緣53a、53b與基板保持台44a、44b的其他部分相比厚度較薄，因此在加熱基板22時，更容易變形。此時，藉由利用支持部55支持凸緣53a、53b的底面，即便基板保持台44a、44b被加熱而成為會變形的狀態，亦可抑制凸緣53a、53b的變形。

支持部55係由熱傳導率比構成基板保持台44a、44b的材料低，且即便高溫仍不易發生熱變形的材料(例如不鏽鋼(SUS)等)所構成。藉此，可減輕熱從基板保持台44a、44b 朝支持部55逃逸，俾可更均勻地加熱基板22。即，可提升加熱效率，俾可進一步提升基板處理的面內均勻性。

支持部55係形成沿凸緣53a、53b底面的環形狀。藉此，可使支持部55所吸收來自加熱部45a、45b的熱成為最小限度，俾可減少基板22的加熱效率降低之情形。又，可防止處理氣體等積留在支持部55與後述支柱49之間。另外，支持部55係一體型構造為佳，但亦可為分割成2~3個的構造。

在支持部55設有插入後述支柱49的插入孔55a。而且，構成為藉由使支柱49的上端從下方插入插入孔55a，而支持支持部55。

(支柱)

在基板保持台44a、44b，設有經由支持部55從下方支持凸緣53a、53b的複數根支柱49。支柱49分別固定於處理容器47。藉由使支柱49並非支持加熱器45a、45b的下方而是支持凸緣53a、53b，可防止局部性之熱逸散，俾可進一步提升基板處理的面內均勻性。而且，可進行重現性較高的基板處理。

再者，支柱49係形成較支柱49上端更下方部分的直徑，大於支柱49上端的直徑。藉此，在支柱49形成插入插入孔55a的插入部49b、以及利用支持部55停止的鍔部(段差)49a。即，構成為利用支柱49的鍔部49a，可更確實地支持支持部55。又，支柱49的插入部49b之側壁，係構成為 在插入於插入孔55a的狀態下，會與插入孔55a之內壁相接觸。藉此，可防止支柱49發生傾斜等情形，可減少基板保持面41a、41b傾斜之情形。因此，可提升基板處理的面內均勻性。而且，可進行重現性高的基板處理。

在基板保持台44a、44b的外側形成有排氣孔。即，在基板保持台44a、44b的凸緣53a、53b之上表面、或凸緣53a、53b的外側，以包圍各自之周圍的方式配置有作為整流板的排氣擋環54a、54b。排氣擋環54a、54b係厚度2~5mm左右的板狀環型，若考慮保養性，則一般為分割成2~3個的構造。

在排氣擋環54a、54b的外周部設有排放反應室50內的氣體之作為排氣孔的多數個孔部56。即，自基板保持台44a、44b的外周隔開所需的距離，分別以均等地包圍的方式使排氣孔組形成為環狀。若孔部56與基板保持台44a、44b之間存在一定之距離，則可使排氣流動順暢，俾可提升排氣效率。又，孔部56係在將後述作為基板搬送裝置的機器臂64收納於後述收納空間時，於較機器臂64的弧狀部70更外側之位置形成為環狀。藉此，可進一步提升反應室50內的排氣效率。又，孔部56既可使越靠近基板保持台44a、44b側的孔部56之孔徑越大，藉此可進一步提升排氣效率。又，孔部56亦可形成為朝向基板保持台44a、44b的中心排列2個。

在處理容器47(蓋體43)的頂部，設有作為第2加熱部的燈箱67a、67b。燈箱67a、67b係構成為從作為第1加熱部的加熱器45a、45b實質上之相反側，加熱基板22。即，在第1基板保持台44a的上方設有燈箱67a，在第2基板保持台44b的上方設有燈箱67b。在燈箱67a、67b分別設有作為加熱源的燈組57a、57b，分別從燈組57a、57b放射出的熱線，構成為分別照射於基板保持台44a、44b的基板保持面41a、41b上。

(基板搬送裝置)

在處理室16a內的第1處理部59與第2處理部61之間，即在隔間構件46，設有作為基板搬送裝置的機器臂64。機器臂64係構成為在處理室16a內搬送基板22，並在進行基板處理的期間，於處理室16a內待機。即，機器臂64係構成為利用上述在搬送室12所設置真空機器人36的臂42，將被送至處理室16a內且位於第1處理部59上的2片未處理基板22中之1片，搬送至第2處理部61的第2基板保持台44b上。又，機器臂64係構成為從第2基板保持台44b回收處理完成的基板22，並搬送至真空機器人36的臂42之上鉤爪38a或下鉤爪38b上。

如圖3~圖5所示，機器臂64係具備有框架部66、與軸部68。在框架部66係以與框架部66近似水平之方式設置有作為基板載置部之比基板22之外徑大的弧狀部70。即，因為 框架部66係與上述真空機器人36進行基板22的傳遞，因此朝圓周方向設置有開口部。在弧狀部70，從此弧狀部70以既定之間隔朝中心大致水平延伸地設置有例如3個突起部72。機器臂64係構成為可經由突起部72支持基板22。

在軸部68設置有進行機器臂64之旋轉與昇降的雙軸驅動單元(未圖示)。即框架部66係構成為以軸部68為旋轉軸旋轉，並且朝鉛直方向昇降。軸部68係構成為利用經水冷的磁密封(magnetic seal)，阻隔使反應室50成為真空時之大氣。

機器臂64由於會因來自第1基板保持台44a與第2基板保持台44b的熱輻射而成為高溫(例如250℃左右)，因此較佳為由例如氧化鋁陶瓷(純度99.6%以上)所形成。如此，利用由熱膨脹係數比金屬零件小之例如氧化鋁陶瓷(純度99.6%以上)所形成，可防止因熱變形造成的曲撓等所導致搬送可靠度之降低。但，機器臂64的框架部66基部，由於進行高度位置/水平基準之調整，因此使用金屬零件。

機器臂64當弧狀部70位於第1處理部59的上方時，以使框架部66的開口部對向於搬送室12與處理室16a之間所設置閘閥78之方式配置。藉此，機器臂64可利用使旋轉軸即軸部68進行旋轉而昇降，將藉由搬送室12的真空機器人36搬送至處理室16a內的2片基板22中之1片基板22，從第1處理部59的第1基板保持台44a上方搬送並載置於第2處理部61的第2基板保持台44b。另外，機器臂64係以 不會完全隔離反應室50內的空間之方式，配置於反應室50內。

如上述，機器臂64係構成為在進行基板處理的期間，會於處理室16a內待機。因此，在進行基板處理的期間，必須使機器臂64移動至不會阻礙處理室16a內之氣體流動的位置。

具體而言，機器臂64係在進行基板處理的期間，收納在由連接作為排氣孔的孔部56與第2基板保持台44b之上端部的最短線、與凸緣53b之上表面所形成的收納空間。藉此，可減少因機器臂64所阻礙處理氣體或排氣氣體等的氣體流動。因此，可以使面內均勻之方式將處理氣體供應至保持於第2基板保持面41b上的基板22，且可以使反應室50(特別是第2處理部61)內的環境氣體成為均勻之方式排放氣體。此結果，可進一步提升基板處理的面內均勻性。

(氣體供應部)

如圖3所示，在處理室16a的上部設有對處理室16a內供應處理氣體的氣體供應部。即，設有對第1處理部59供應處理氣體的第1氣體供應部51a、以及對第2處理部61供應處理氣體的第2氣體供應部51b。

在構成處理容器47的蓋體43，設有氣體供應口63a、63b。在蓋體43的氣體供應口63a、63b分別氣密地連接有第1氣體供應管65a、第2氣體供應管65b的下游端。

於氣體供應管65a、65b分別從上游側起依序設有供應作為處理氣體之含氮氣體即N₂ 氣體的氮氣供應源(未圖示)、作為流量控制裝置的質量流量控制器(未圖示)、及作為開閉閥的閥(未圖示)。

於質量流量控制器及閥係電氣連接有後述控制器77。控制器77係構成為以使對處理室16a內供應之氣體流量成為既定流量的方式，控制質量流量控制器、及閥的開閉。如此，構成為一邊利用質量流量控制器進行流量控制，一邊經由氣體供應管65a、65b、及氣體供應口63a、63b，對處理室16a內自如地供應作為處理氣體的N₂ 氣體。另外，氮氣供應源、質量流量控制器、及閥既可在氣體供應部51a、51b為各自獨立者，亦可為共用者。

主要係利用氣體供應管65a、65b、氮氣供應源、質量流量控制器、及閥，分別構成本實施形態的氣體供應部51a、51b。

(排氣部)

在排氣擋環54a、54b的下方，分別設有藉由處理容器47(下側容器48)與基板保持台44a、44b所形成的第1排氣口58。在處理容器47(下側容器48)之基板支持台44a、44b的更下方設有中板。在中板設有從處理室16a(即第1處理部59及第2處理部61)排放處理氣體等的第2排氣口60。又，在處理容器47(下側容器48)的底面，設有排放從第2排氣 口60所排放的處理氣體等之第3排氣口62。在氣體排氣口62連接有用以排放氣體的氣體排氣管(未圖示)之上游端。在氣體排氣管從上游側起依序設有作為壓力調整器的APC(auto pressare control，自動調壓)閥(未圖示)、作為開閉閥的閥(未圖示)、以及作為排氣裝置的泵(未圖示)。又，在氣體排氣管設有壓力感測器(未圖示)。

在APC閥、閥、泵及壓力感測器電氣連接有後述控制器77。構成為藉由使泵產生動作而開啟閥，可進行處理室16a(即第1處理部59及第2處理部61)內之排氣。即，從氣體供應部51a、51b所供應的處理氣體，沿著由反應室50內之基板保持台44a、44b的基板保持面41a、41b所保持之基板22流動，並經由排氣擋環54a、54b的孔部56、第1排氣口58、第2排氣口60及第3排氣口62，從處理室16a排出。

再者，根據由壓力感測器所檢測出的壓力資訊，調整APC閥的開度，藉此構成為可使處理室16a(反應室50)內成為壓力值降至例如0.1Pa左右之真空。

主要係藉由第1~第3氣體排氣口、氣體排氣管、APC閥、閥、及泵，構成本實施形態的排氣部。

(控制部)

作為控制部的控制器77係連接於質量流量控制器、閥、壓力感測器、APC閥、泵、加熱器、溫度感測器、旋轉機 構、昇降機構等。其利用控制器77，進行由質量流量控制器所進行各種氣體之流量調整動作、閥的開閉動作、根據APC閥的開閉及壓力感測器所進行的壓力調整動作、根據溫度感測器所進行加熱器45a、45b的溫度調整動作、泵的起動/停止、旋轉機構的旋轉速度調節動作、昇降機構的昇降動作等之控制等。

(3)基板處理步驟

接著，針對使用上述基板處理裝置10的處理室16a，作為半導體裝置(元件)製造步驟之一步驟，對晶圓等基板22進行氮化處理的步驟例，主要使用圖8~圖10進行說明。另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置10的各構件動作係由控制器77所控制。

圖8~圖10係表示本實施形態的基板處理步驟之一步驟之概略圖。具體而言，圖8係表示在從搬送室12將基板22搬送至處理室16a的步驟中，處理室16a的狀態概略圖；圖9係表示在機器臂64將基板22搬送至第2基板保持台44b的步驟中，處理室16a的狀態概略圖；圖10係表示將機器臂64收納於收納空間的狀態之概略圖。另外，在圖8~圖10中，為使機器臂64等的動作較為明確，並未圖示基板22。

(基板搬入步驟)

首先，開啟閘閥78，如圖8所示，使真空機器人36一邊同時搬送載置於鉤爪對40的上鉤爪38a與下鉤爪38b的2 片基板22，一邊移動至處理室16a內。藉此，分別將基板22從搬送室12經由閘閥78搬入處理室16a(反應室50)內。然後，真空機器人36在鉤爪對40來到第1基板保持台44a的上方時停止。此時，機器臂64係使框架部66在第1基板保持台44a的上方，以位於2片基板22之間，即位於真空機器人36的鉤爪對40之上鉤爪38a與下鉤爪38b之間)的方式進行待機。

(基板保持步驟)

然後，在真空機器人36的鉤爪對40停止之狀態下，使貫穿第1基板保持台44a的3個基板保持銷74上昇。此結果，基板保持銷74成為比第1基板保持台44a的第1基板保持面41a僅突出既定高度的狀態。而且，在真空機器人36的上鉤爪38a與下鉤爪38b之間待機的機器臂64，係以位於上鉤爪38a正下方的方式朝上方移動。

其後，將載置於下鉤爪38b的基板22，移載至貫穿第1基板保持台44a的3個基板保持銷74上，並將載置於上鉤爪38a的基板22移載至機器臂64的框架部66(突起部72)上。在將2片基板22移載至第1基板保持台44a及機器臂64之後，使真空機器人36的鉤爪對40返回搬送室12。

然後，藉由使貫穿第1基板保持台44a的3個基板保持銷74下降，下鉤爪38b所搬送的基板22係移載並保持於第1基板保持面41a上。

再者，如圖9所示，機器臂64係藉由軸部68之旋轉，使框架部66的弧狀部70(突起部72)移動至第2基板保持台44b的上方。然後，使貫穿第2基板保持台44b的3個基板保持銷74上昇，形成基板保持銷74僅比第2基板保持面41b突出既定高度的狀態。而且，將載置於機器臂64的突起部72之基板22，移載至貫穿第2基板保持台44b的3個基板保持銷74上，並使貫穿第2基板保持台44b的基板保持銷74下降。藉此，使利用機器臂64移載至第2基板保持台44b的基板22，移載並保持於第2基板保持面41b上。

若對第2基板保持面41b上的基板22之保持結束，則如圖10所示，藉由使軸部68下降，可使機器臂64下降。具體而言，使設置於框架部66的突起部72，一邊分別沿著在第2基板保持台44b所設置的溝部76，一邊使機器臂64移動至第2基板保持面41b之更下方。此時，可使機器臂64以收納於上述收納空間的方式，使機器臂64下降。藉此，在實施後述氮化處理步驟的期間，即便使機器臂64在處理室16a(反應室50)內待機，亦可不阻礙從氣體供應部51a、51b所供應之處理氣體，特別是從第2處理部61的上方朝下方流動的處理氣體等的氣體流動，俾可以使基板22成為面內均勻之方式進行處理。

(昇溫/壓力調整步驟)

接著，分別對基板保持台44a、44b所內包的加熱器45a、 45b、及燈箱67a、67b的燈組57a、57b供應電力，將由基板保持台44a、44b的各基板保持面41a、41b所保持之基板22表面，加熱至成為所需之溫度(例如450℃)。此時，加熱器45a、45b及燈組57a、57b的溫度，係根據由溫度感測器(未圖示)所檢測出的溫度資訊，藉由控制對加熱器45a、45b及燈組57a、57b的供應電力而進行調整。

再者，以使反應室50內成為所需壓力(例如0.1Pa~300Pa)的方式，利用泵(未圖示)對反應室50內進行真空排氣。此時，反應室50內的壓力係利用壓力感測器(未圖示)進行量測，並根據此所量測到的壓力資訊，對APC閥(未圖示)的開度進行回饋控制。

(基板處理步驟)

與基板22的加熱處理並行地，對處理室16a內供應作為處理氣體的N₂ 氣體。具體而言，開啟氣體供應部51a、51b的閥(未圖示)，分別從氣體供應管65a、65b將處理氣體供應給第1處理部59及第2處理部61。此時，以使處理氣體的流量成為所需流量的方式，調整質量流量控制器(未圖示)。於本實施例中，雖然以氮氣(N₂ )為處理氣體之範例說明，但並不侷限於此，若進行灰化處理時可使用含氧氣體，若進行加熱處理可使用惰性氣體等。如此，在所供應的處理氣體的環境中，藉由對基板22加熱進行既定之處理。

經過既定時間當所需之處理結束，關閉氣體供應部51a、 51b的閥，停止對處理室16a(第1處理部59及第2處理部61)內供應N₂ 氣體。

(大氣壓復原/基板搬出步驟)

當既定之處理結束，停止對加熱器45a、45b及燈組57a、57b供應電力，使處理室16a內降溫，並且調整排氣部的APC閥(未圖示)之開度，使處理室16a內的壓力回復至大氣壓。然後，依照與上述基板搬入步驟及基板保持步驟所示之順序相反的步驟，將處理完成的2片基板22從反應室50(處理室16a)內搬送至搬送室12。即，藉由使機器臂64與真空機器人36的鉤爪對40，進行使用圖8至圖10所說明動作的相反順序，將處理完成的2片基板22從處理室16a內搬出。然後，結束本實施形態的基板處理步驟。

(4)本實施形態的效果

根據本實施形態，可達成以下所示1個或複數個效果。

(a)根據本實施形態，在處理室16a內設有利用基板保持面41a、41b保持基板22，且具備有沿著側面設置之凸緣53a、53b的基板保持台44a、44b。然後，在基板保持台44a、44b內包有用以加熱基板22的加熱部45a、45b。而且，設有從下方支持凸緣53a、53b的複數根支柱49，並在基板保持台44a、44b與複數根支柱49之間，設置有支持部55。藉此，可提升基板處理的面內均勻性，並且可進行具有高重現性的基板處理。

即，藉由設置支持部55，即便在利用加熱部45a、45b對基板保持台44a、44b進行加熱的情況時，仍可防止基板保持台44a、44b發生曲撓而變形。可防止在基板保持台44a、44b中，特別是厚度較薄的凸緣53a、53b發生變形。藉此，可防止因基板保持台44a、44b的變形而導致基板保持面41a、41b傾斜，可以成為面內均勻之方式對基板22供應處理氣體，俾可提升基板處理的面內均勻性。而且，可進行重現性較高的基板處理。

另外，可防止因基板保持台44a、44b發生變形所導致支柱49之破損。具體而言，可防止因基板保持台44a、44b變形，所導致在連接基板保持台44a、44b與支柱49之間的部位，發生支柱49之破損。藉此，可進一步防止基板保持面41a、41b傾斜，俾可進一步提升基板處理的面內均勻性。

另外，藉由使支柱49經由支持部55從凸緣53a、53b的下方支持基板保持台44a、44b，可防止來自加熱部45a、45b的熱傳導至支柱49，而發生局部性的熱逃逸。因此，可以使基板22的溫度進一步成為面內均勻之方式加熱，俾進一步提升基板處理的面內均勻性。

另外，藉由防止基板保持台44a、44b變形，可防止基板保持台44a、44b與例如基板保持銷74等基板保持台44a、44b周圍的零件接觸，藉此可減少對基板22的搬送所造成的阻礙。又，可減少因基板保持台44a、44b、與周圍零件 之接觸所產生之微塵。

(b)於本實施形態中，支持部55係由熱傳導率比基板保持台44a、44b低，且不易發生熱變形的材料所構成。藉此，可進一步提升基板處理的面內均勻性。即，可減少熱從基板保持台44a、44b朝支持部55逃逸，而可進一步提升基板22的加熱效率，俾可進一步均勻地加熱基板22。

(c)於本實施形態中，基板保持台44a、44b係由鋁所構成。藉此，可使來自加熱器45a、45b的熱有效率且均勻地傳導至基板22，俾可更輕易地獲得本發明之效果。

(d)於本實施形態中，支持部55係沿著凸緣53a、53b底面的環形狀。藉此，可使支持部55所吸收來自加熱部45a、45b的熱成為最小限度，俾可減少基板22的加熱效率之降低，並提升基板處理的面內均勻性。又，可防止處理氣體等積留在支持部55與支柱49之間。

(e)於本實施形態中，在支持部55形成有插入孔55a，並構成為使支柱49的上端從下方插入插入孔55a。然後，藉由使比支柱49的上端靠下方部分的直徑，形成為比支柱49的上端之直徑大，而形成插入插入孔55a的插入部49b、與由支持部55停止的鍔部49a。而且，支柱49的插入部49b之側壁，在插入形成於支持部55之插入孔55a的狀態下，與插入孔55a的內壁相接觸。藉此，可進一步減少支柱49發生傾斜等情形，俾可進一步提升基板處理的面內均勻性。

以下，針對習知的基板處理裝置，使用圖11~圖13進行說明以作為參考。

如圖11所示，於習知之基板處理裝置所具備的基板保持台244中，存在有支柱274設置在基板保持台244所內包加熱部275的下方之情況。在此一基板保持台244的基板保持面上保持晶圓等之基板208，並利用加熱部275加熱基板208時，如圖11中的箭頭所示，存在有來自加熱部275的熱會傳導至支柱274，而發生局部性熱逃逸的情況。因此，在基板處理時，在基板208下方設有支柱274的部分，相較於在基板208下方沒有設置支柱274的部分，會有溫度降低的情況，而存在無法以使基板208的溫度成為面內均勻之方式加熱的情況。而且，由於支柱274被加熱，存在有支柱274變形的情況。藉此，會有基板保持台244傾斜，導致無法對基板保持面上所保持的基板208，以成為面內均勻之方式供應處理氣體的情況。此等之結果存在有導致基板處理的面內均勻性降低之情況。

因此，如圖12與圖13所示，存在有具備在側面設有凸緣245的基板保持台244，且使支柱294從下方支持凸緣245，藉此支持基板保持台244的基板處理裝置。另外，圖12係表示習知之基板處理裝置的概要之縱剖面圖。圖13係表示習知之基板處理裝置所具備基板保持台的概要之圖式，(a)係基板保持台的縱剖面圖，(b)係(a)的局部放大圖。

如圖12所示，在反應管254的上部，設有用以導入處理氣體用的氣體供應口255。反應管254係由例如石英等所構成，且形成為圓筒狀。在反應管254的周圍，設有在處理氣體中產生放電而用以生成電漿的高頻線圈256。於高頻線圈256係連接有供應高頻電力的高頻電源(未圖示)，並成為利用高頻電源對高頻線圈256施加電漿生成用之高頻電流。

在反應管254的下部設有對基板208上實施既定處理的處理室(process chamber)237。即，反應管254係氣密地立設於處理室237。處理室237係金屬製之氣密容器。

在處理室237的底面，設有將基板208保持於基板保持面的基板保持台(susceptor table)244。在基板保持台244係於側面設有凸緣245(參照圖13)。而且，藉由以複數根(例如4根)支柱274從下方支持凸緣245，而支持基板保持台244。基板保持台244係具備有對基板208進行加熱的加熱部(加熱器)275。基板保持台244係由鋁所構成。因為鋁的熱傳導性較高，因此可將加熱部275所產生的熱有效率地傳導至基板208。

在基板保持台244的下方配設有排氣板277，排氣板277係經由導軸278而支持於底基板279。底基板279係氣密地設置於處理室237的下表面。

昇降基板281係以導軸278為導件昇降自如地設置。在昇降基板281立設有至少3根基板保持銷252。基板保持銷252 係有餘隙地貫穿基板保持台244。在基板保持銷252的上端載置有基板208，成為利用基板保持銷252的昇降，將基板208載置於基板保持台244、或從基板保持台244舉起。

此一基板處理裝置雖可防止因支柱吸收來自加熱部的熱，所造成局部性之熱逃逸，俾可使基板的溫度成為面內均勻，但仍然存在有基板處理的面內均勻性會降低之情況。即，在使用此一基板處理裝置進行基板處理時，利用設置於基板保持台244的加熱部275，雖然基板208會被加熱，但此時，如上述由鋁所構成的基板保持台244亦會被加熱。鋁係如上述，具有高熱傳導性的性質，另一方面卻具有在高溫狀態下強度較弱且容易變形的性質。因此，若加熱由鋁所構成的基板保持台244，則如圖13(a)之虛線所示，例如會使基板保持台244曲撓而變形。尤其，因為凸緣245的厚度，比基板保持台244其他部分的厚度薄，因此更容易變形。此一基板保持台244與凸緣245的變形之發生，在更高溫之狀態下處理時將更為明顯。又，因基板保持台244(凸緣245)發生變形，如圖13(b)所示，在支柱274與基板保持台244之間的連接部位276，會發生支柱274破損之情形。如此，若基板保持台244或凸緣245發生變形、或者支柱274破損，則基板保持面會有傾斜的情況。因此，存在有對由基板保持台244的基板保持面所保持之基板208，無法以成為面內均勻之方式供應處理氣體，而使基板處理的面內均勻性降 低之情況。

而且，利用加熱部275對基板保持台244加熱，存在有因熱之傳導而使支柱274亦被加熱，而使支柱274變形之情況。因支柱274發生變形，基板保持台244會傾斜，導致基板208與氣體供應口255間之距離發生變化。於此情況，存在有無法對基板208以成為面內均勻之方式供應處理氣體，而使基板處理的面內均勻性降低之情況。

再者，若基板保持台244傾斜，由於基板保持台244會與周圍零件(例如基板保持銷252等)相接觸，因此會有對基板208之搬送造成阻礙的情況。又，因基板保持台244與周圍零件的接觸，會有發生微塵的情況，在基板處理時亦會有造成不良影響的情況。即，有無法安定地進行基板處理之情況。

相對於此，根據本實施形態，在處理室16a內，設有利用基板保持面41a、41b保持基板22，且在側面具備有凸緣53a、53b的基板保持台44a、44b。然後，在基板保持台44a、44b內包有對基板22加熱的加熱部45a、45b。而且，設有從下方支持凸緣53a、53b的複數根支柱49，在基板保持台44a、44b與複數根支柱49之間設置有支持部55。因此，可有效地解決上述問題，可提升基板處理的面內均勻性，並且可進行具有安定之重現性的基板處理。

<本發明另一實施形態>

以上，雖然已針對本發明實施形態進行具體之說明，惟本 發明並不侷限於上述實施形態，在不脫逸主旨的範疇內可進行各種變更。

在上述實施形態中，雖然凸緣53a、53b與基板保持台44a、44b為一體成型，但例如基板保持台亦可具備有例如基板保持部與凸緣部。

另外，例如亦可藉由使支持部55的直徑大於基板保持台44a、44b的底面直徑，而由支持部55形成凸緣53a、53b。

另外，於上述實施形態中，雖然將設有作為排氣孔的孔部56作為整流板的擋環54，設置於凸緣53a、53b的上表面，但孔部56亦可沿凸緣53a、53b的外周設置。

另外，於上述實施形態中，雖然已針對在處理室16a內設置2台基板保持台44的情況進行說明，但在處理室16a內所設置的基板保持台，亦可為1台、或者亦可為3台以上。

於上述實施形態中，雖然對處理室16a內供應氮氣，並對基板22實施既定的氮化處理，但並不侷限於此。即，例如亦可供應經激發的氧氣(O₂ )而進行灰化處理，亦可供應惰性氣體而進行退火處理等。

<本發明的較佳態樣>

以下附記本發明的較佳態樣。

根據本發明一態樣可提供一種基板處理裝置，其具備有：處理室，其用以處理基板；氣體供應部，其對上述處理室內供應處理氣體； 基板保持台，其設置於上述處理室內，利用基板保持面保持上述基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內，用以加熱上述基板；複數根支柱，其自下方支持上述凸緣；以及排氣部，其用以排放上述處理室內的環境氣體；且，在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，設有支持部。

較佳為，上述支持部係由熱傳導率低於上述基板保持台，且不易發生熱變形的材料所構成。

而且，較佳為，上述基板保持台係由鋁所形成。

再者，較佳為，上述支持部係沿著上述凸緣底面的環形狀。

而且，較佳為，在上述支持部形成有插入孔；上述支柱的上端係從下方插入上述插入孔。

而且，較佳為，藉由形成為比上述支柱之上端更下方部分的直徑，大於上述支柱上端的直徑，而形成插入上述插入孔的插入部、與利用上述支持部停止的鍔部。

而且，較佳為，上述插入部的側壁係在插入於上述插入孔的狀態下，會與 上述插入孔的內壁相接觸。

而且，較佳為，在上述凸緣的至少與上述插入孔相接觸的位置，設置有洩氣孔。

而且，較佳為，上述支持部係一體型之構造。

而且，較佳為，上述基板處理裝置係具備有：基板搬送裝置，其設置於上述處理室內，且構成為在上述處理室內搬送上述基板，並在處理上述基板的期間，於上述處理室內待機；上述凸緣的表面係形成為比上述基板保持面的高度位置低；在上述基板保持面的外側，形成有1個或複數個排氣孔；利用上述排氣孔與上述基板保持台之上端部所連成的線、及上述凸緣的上表面，形成上述基板搬送裝置的收納空間；上述基板搬送裝置係在處理上述基板的期間，收納於上述收納空間。

而且，較佳為，1個或複數個上述排氣孔係形成於整流板；上述整流板係配置於上述凸緣的上表面或上述凸緣的外 側。

根據本發明另一態樣可提供一種基板支持具，其具備有：基板保持台，其利用基板保持面保持基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內，用以加熱上述基板；以及複數根支柱，其自下方支持上述凸緣；且在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，設有支持部。

根據本發明再一態樣可提供一種半導體裝置之製造方法，其包括有：將基板搬入處理室內的步驟；在基板保持具之上述基板保持面上保持上述基板的步驟，該基板保持具具備有：基板保持台，其設置於上述處理室內，利用基板保持面保持上述基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內；複數根支柱，其自下方支持上述凸緣；以及支持部，其在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，至少支持上述凸緣；在將上述基板保持於上述基板保持面的狀態下，一邊利用排氣部進行上述處理室內之排氣，一邊利用上述加熱部加熱上述基板，並利用氣體供應部對上述處理室內供應處理氣體，而處理上述基板的步驟；以及將處理後的上述基板從上述處理室內搬出的步驟。

10‧‧‧基板處理裝置

12‧‧‧搬送室

14a、14b‧‧‧負載鎖室

16a、16b‧‧‧處理室

20‧‧‧大氣搬送室

22‧‧‧基板

24‧‧‧基板支持體

26‧‧‧上部板

28‧‧‧下部板

30‧‧‧支柱

32‧‧‧載置部

36‧‧‧真空機器人

38a‧‧‧上鉤爪

38b‧‧‧下鉤爪

40‧‧‧鉤爪對

41a、41b‧‧‧基板保持面

42‧‧‧臂

43‧‧‧蓋體

44a、44b‧‧‧基板保持台

45a、45b‧‧‧加熱器(加熱部)

46‧‧‧隔間構件

47‧‧‧處理容器

48‧‧‧下側容器

49‧‧‧支柱

49a‧‧‧凸緣部

49b‧‧‧插入部

50‧‧‧反應室

51a、51b‧‧‧氣體供應部

52‧‧‧固定構件

53a、53b‧‧‧凸緣

54a、54b‧‧‧排氣擋環

55‧‧‧支持部

55a‧‧‧插入孔

56‧‧‧孔部

57a、57b‧‧‧燈組

58‧‧‧第1排氣口

59‧‧‧第1處理部

60‧‧‧第2排氣口

61‧‧‧第2處理部

62‧‧‧第3排氣口

63a、63b‧‧‧氣體供應口

64‧‧‧機器臂

65a‧‧‧第1氣體供應管

65b‧‧‧第2氣體供應管

66‧‧‧框架部

67a、67b‧‧‧燈箱

68‧‧‧軸部

70‧‧‧弧狀部

72‧‧‧突起部

74‧‧‧基板保持銷

76‧‧‧溝部

77‧‧‧控制器

78‧‧‧閘閥

208‧‧‧基板

237‧‧‧處理室

244‧‧‧基板保持台

245‧‧‧凸緣

252‧‧‧基板保持銷

254‧‧‧反應管

255‧‧‧氣體供應口

256‧‧‧高頻線圈

274‧‧‧支柱

275‧‧‧加熱部

276‧‧‧連接部位

277‧‧‧排氣板

278‧‧‧導軸

279‧‧‧底基板

281‧‧‧昇降基板

圖1係本發明一實施形態的基板處理裝置之橫剖面概略圖。

圖2係本發明一實施形態的基板處理裝置之縱剖面概略圖。

圖3係本發明一實施形態的處理室之縱剖面概略圖。

圖4係表示本發明一實施形態的處理室之立體圖。

圖5係本發明一實施形態的處理室之橫剖面概略圖。

圖6係表示本發明一實施形態的基板保持銷之動作之概略圖。

圖7係本發明一實施形態的基板保持台之概略圖，(a)係基板保持台的縱剖面圖，(b)係(a)的局部放大圖。

圖8係表示本發明一實施形態的基板處理步驟之一步驟之概略圖。

圖9係表示本發明一實施形態的基板處理步驟之一步驟之概略圖。

圖10係表示本發明一實施形態的基板處理步驟之一步驟之概略圖。

圖11係習知的基板處理裝置所具備基板保持台之縱剖面概略圖。

圖12係習知的基板處理裝置之縱剖面概略圖。

圖13係習知的基板處理裝置所具備基板保持台之概略 圖，(a)係基板保持台之縱剖面圖，(b)係(a)之局部放大圖。

10‧‧‧基板處理裝置

12‧‧‧搬送室

14a、14b‧‧‧負載鎖室

16a、16b‧‧‧處理室

20‧‧‧大氣搬送室

36‧‧‧真空機器人

Claims (11)

1. 一種基板處理裝置，係具備有：處理室，其用以處理基板；氣體供應部，其對上述處理室內供應處理氣體；基板保持台，其設置於上述處理室內，利用基板保持面保持上述基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內，用以加熱上述基板；複數根支柱，其自下方支持上述凸緣；以及排氣部，其用以排放上述處理室內的環境氣體；在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，設有由熱傳導率低於上述基板保持台的材料構成之支持部。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述基板保持台係由鋁所形成。
3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係具備有基板搬送裝置，其構成為設置於上述處理室內，在上述處理室內搬送上述基板，並在處理上述基板的期間，於上述處理室內待機；上述凸緣的表面係形成為比上述基板保持面的高度位置更低；在上述基板保持面的外側，形成有1個或複數個排氣孔；利用上述排氣孔與上述基板保持台之上端部所連成的線、與上述凸緣的上表面，形成上述基板搬送裝置的收納空 間；上述基板搬送裝置係在處理上述基板的期間，收納於上述收納空間。
4. 一種基板支持具，其特徵在於具備有：基板保持台，其利用基板保持面保持基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內，用以加熱上述基板；以及複數根支柱，其自下方支持上述凸緣；在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，設有由熱傳導率低於上述基板保持台的材料構成之支持部。
5. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括有：將基板搬入處理室內的步驟；在基板保持具之基板保持面上保持上述基板的步驟，該基板保持具具備有：基板保持台，其設置於上述處理室內，利用上述基板保持面保持上述基板，並在側面具備有凸緣；加熱部，其內包於上述基板保持台內；複數根支柱，其自下方支持上述凸緣；以及支持部，其在上述基板保持台與複數根上述支柱之間，至少支持上述凸緣，且由熱傳導率低於上述基板保持台的材料構成；在將上述基板保持於上述基板保持面的狀態下，一邊利用排氣部進行上述處理室內之排氣，一邊利用上述加熱部加熱 上述基板，並利用氣體供應部對上述處理室內供應處理氣體，而處理上述基板的步驟；以及將處理後的上述基板從上述處理室內搬出的步驟。
6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述支持部為沿上述凸緣底面之環形狀，且形成有上述支柱之上端從下方插入之插入孔。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述支柱係以較上端更下方部分之直徑大於上述上端之直徑之方式形成，藉此，具有插入於上述插入孔內之插入部、及利用上述支持部停止之鍔部。
8. 如申請專利範圍第4項之基板支持具，其中，上述支持部為沿上述凸緣底面之環形狀，且形成有上述支柱之上端從下方插入之插入孔。
9. 如申請專利範圍第8項之基板支持具，其中，上述支柱係以較上端更下方部分之直徑大於上述上端之直徑之方式形成，藉此，具有插入於上述插入孔內之插入部、及利用上述支持部停止之鍔部。
10. 如申請專利範圍第5項之半導體裝置之製造方法，其中，上述支持部為沿上述凸緣底面之環形狀，且形成有上述支柱之上端從下方插入之插入孔。
11. 如申請專利範圍第10項之半導體裝置之製造方法，其中，上述支柱係以較上端更下方部分之直徑大於上述上端之 直徑之方式形成，藉此，具有插入於上述插入孔內之插入部、及利用上述支持部停止之鍔部。