TWI459452B - A method of breaking the film attached to the back of the wafer, and a subsequent film - Google Patents

Description

被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法及接著薄膜

本發明係關於將被裝設在在表面以格子狀形成有複數界道(street)並且在被該複數界道所分隔的複數區域形成有元件的晶圓背面的接著薄膜，沿著元件予以分斷之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法及接著薄膜。

例如，在半導體元件製造步驟中，在呈大致圓板形狀之半導體晶圓的表面以格子狀所形成之被稱為界道的分割預定線所被分隔的複數區域形成IC、LSI等元件，沿著界道分割形成有該元件的各區域，藉此製造各個元件。

被分割成各個的元件係在其背面裝設由環氧樹脂等所形成之厚度20至40μm之被稱為晶片貼裝薄膜(die attach film)的晶片接合(die bonding)用接著薄膜，藉由透過該接著薄膜而加熱壓接於用以支持元件的晶片接合框架而予以接合。以在元件背面裝設晶片接合用接著薄膜的方法而言，係在半導體晶圓的背面黏貼接著薄膜，透過該接著薄膜而將半導體晶圓黏貼在切割帶(dicing tape)之後，沿著形成在半導體晶圓表面的界道，藉由切削刀連同接著薄膜一起切斷，藉此形成在背面裝設有接著薄膜的元件。(例如參照專利文獻1)

(專利文獻1)日本特開2000-182995號公報

但是，當藉由切削刀連同半導體晶圓一起切斷接著薄膜時，會在切削刀纏著接著薄膜，在所被切斷的元件的切斷面發生缺口或裂縫，並且在接著薄膜發生鬚狀毛邊，而會有在打線接合時造成斷線之原因的問題。

近年來，行動電話或個人電腦等電氣機器被要求更加輕量化、小型化，且被要求更薄的元件。以將元件分割地更薄的技術而言，有一種稱為所謂預先切割法的分割技術已實用化。該預先切割法係由晶圓表面沿著界道形成預定深度(相當於元件之成品厚度的深度)的分割溝，之後，將在表面形成有分割溝的晶圓背面進行研削而在該背面呈現出分割溝而分離成各個元件的技術，可將元件厚度加工成50μm以下。

但是，當藉由預先切割法而將晶圓分割成各個元件時，係在由晶圓表面沿著界道形成預定深度的分割溝之後，對晶圓背面進行研削而在該背面呈現出分割溝，因此無法在之前將晶片接合用接著薄膜裝設在晶圓背面。因此，當將藉由預先切割法所分割的元件接合在晶片接合框架時，係必須一面在元件與晶片接合框架之間插入接合劑一面進行，而會有無法平順地實施接合作業的問題。

為了解決如上所示之問題，在藉由預先切割法而被分割成各個元件的晶圓背面裝設晶片接合用接著薄膜，透過該接著薄膜而將晶圓黏貼在切割帶之後，藉由擴張切割帶，而將接著薄膜沿著分割溝予以分斷的方法已被提出。(例如參照專利文獻2)

(專利文獻2)日本特開2004-193241號公報

另一方面，近年來使用對晶圓具透過性之波長的脈衝雷射光線，在應予以分割之區域的內部配合聚光點而照射脈衝雷射光線的雷射加工方法亦已被嘗試。使用該雷射加工方法的分割方法係由晶圓背面在內部配合聚光點而照射對晶圓具透過性之波長(例如1064nm)的脈衝雷射光線，在晶圓內部沿著界道連續形成變質層，沿著因形成有該變質層而使強度降低的界道作用外力，藉此分割晶圓。

此外，沿著界道照射對晶圓具吸收性之波長(例如355nm)的脈衝雷射光線，在沿著界道形成雷射加工溝之後，沿著界道作用外力，藉此分割晶圓的方法亦已實用化。

使用上述雷射加工方法，在沿著界道形成有變質層或雷射加工溝的晶圓背面裝設晶片接合用接著薄膜，透過該接著薄膜而將晶圓黏貼在切割帶之後，藉由擴張切割帶而形成變質層或雷射加工溝，藉此沿著使強度降低的界道而分割成各個元件，並且將接著薄膜沿著所被分割的各元件的外周緣予以分斷的方法已被提出(例如參照專利文獻3)。

(專利文獻3)日本特開2004-273895號公報

晶片接合用的接著薄膜係形成為大於晶圓的外徑，俾以確實地裝設在晶圓的背面全面。因此，當將黏貼有接著薄膜的切割帶擴張而將接著薄膜沿著各元件予以分斷時，由晶圓的外周緣所突出的接著薄膜會遭破壞而飛散，其碎片會附著在元件表面。附著在該元件表面的接著薄膜的碎片係難以去除，而會有使元件品質降低的問題。

本發明係鑑於上述事實而研創者，其主要的技術課題在於提供一種當將黏貼有接著薄膜的切割帶擴張而將接著薄膜沿著各元件予以分斷時，使接著薄膜的碎片不會附著在元件表面之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法及接著薄膜。

為了解決上述主要技術課題，根據本發明，提供一種被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法，係將被裝設在在表面以格子狀形成有複數界道並且在被該複數界道所分隔的複數區域形成有元件的晶圓背面，且具有外徑大於晶圓外徑的接著薄膜，在被黏貼在被裝設於環狀框架之切割帶表面的狀態下，沿著元件予以分斷之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法，其特徵為：

在該接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域形成有放射狀之複數分割溝之後，將該切割帶擴張而使接著薄膜沿著元件予以分斷，並且將該接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域沿著該放射狀之複數分割溝分離。

此外，根據本發明，提供一種被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法，係將被裝設在在表面以格子狀形成有複數界道並且在被該複數界道所分隔的複數區域形成有元件的晶圓背面，且具有外徑大於晶圓外徑的接著薄膜，在被黏貼在被裝設於環狀框架之切割帶表面的狀態下，沿著元件予以分斷之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法，其特徵為：

在該接著薄膜的外周部形成有放射狀的複數分割溝，在將該接著薄膜裝設在晶圓背面並且被黏貼於該切割帶之表面的狀態下，將該切割帶擴張而使接著薄膜沿著元件予以分斷，並且將該接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域沿著該放射狀之複數分割溝分離。

再者，根據本發明，提供一種接著薄膜，係裝設在晶圓背面的接著薄膜，其特徵為：具有大於晶圓外徑的外徑，在外周部形成有放射狀之複數分割溝。

根據本發明，在接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域形成有放射狀的複數分割溝之後，或者在將外周部形成有放射狀的複數分割溝的接著薄膜裝設在晶圓背面，並且在被黏貼在切割帶表面的狀態下，將切割帶擴張而將接著薄膜沿著元件予以分斷，並且將接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域沿著該放射狀之複數分割溝分離，因此，接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域係被分離成扇狀的薄膜片，因此，不會有接著薄膜隨機破壞而使碎片飛散的情形，且不會有在元件表面附著接著薄膜之碎片的情形。因此，可防止因接著薄膜的碎片附著在元件表面以致元件品質降低。

以下參照所附圖示，詳加說明本發明之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法及接著薄膜之較佳實施形態。

在此說明在背面裝設有接著薄膜之晶圓的形態。

在第1圖(a)及(b)係顯示在藉由所謂預先切割法被分割成各個元件的半導體晶圓2的背面裝設有晶片接合用接著薄膜3，並且該接著薄膜3側被黏貼在被裝設於環狀框架F之切割帶T的表面，被黏貼在半導體晶圓2表面的保護帶4被剝離後的狀態。第1圖(a)及(b)所示之半導體晶圓2係在表面2a以格子狀形成有複數界道21，並且在被該複數界道21所分隔的複數區域形成有元件22。為了將該半導體晶圓2藉由所謂預先切割法分割成各個元件，係使用切削裝置，沿著形成在半導體晶圓2之表面2a的界道21，形成預定深度(相當於元件之成品厚度的深度)的分割溝23(分割溝形成步驟)。接著，在形成有分割溝23之半導體晶圓2的表面黏貼保護帶4，研削半導體晶圓2的背面，使分割溝呈現在背面，藉此分割成各個元件22(分割溝呈現步驟)。在如上所示分割成各個元件22之半導體晶圓2的背面2b裝設晶片接合用接著薄膜3，並且將該接著薄膜3側黏貼在被裝設在環狀框架F之切割帶T的表面。接著，如第1圖(a)所示，將被黏貼在半導體晶圓2表面的保護帶4剝離。

上述接著薄膜3係由厚度20至40μm的環氧樹脂薄膜所構成，一面以80至200℃的溫度加熱，一面被按壓裝設在半導體晶圓2的背面2b。該接著薄膜3係為了確實地裝設在半導體晶圓2的背面全面，而形成為大於半導體晶圓2的外徑。因此，如第1圖(a)所示，接著薄膜3的外周部30係呈由半導體晶圓2的外周緣突出的狀態。其中，可使用在切割帶的表面預先黏貼有接著薄膜之附有接著薄膜的切割帶。此時，如上所述，將藉由預先切割法被分割成各個元件的半導體晶圓2背面載置在被裝設在環狀框架之附有接著薄膜之切割帶的接著薄膜上，一面以80至200℃的溫度加熱，一面將接著薄膜3按壓裝設在半導體晶圓20的背面20b。上述環狀框架F係藉由例如厚度1mm的不銹鋼形成為環狀。上述切割帶T係在圖示之實施形態中，在由厚度70μm的聚氯乙烯(PVC)所構成的片材基材表面塗佈有厚度5μm左右的黏著糊。

在第2圖(a)及(b)係顯示在沿著界道21在內部形成有變質層24之半導體晶圓2的背面裝設晶片接合用接著薄膜3，並且該接著薄膜3側被黏貼在被裝設於環狀框架F之切割帶T表面的狀態。為了在半導體晶圓2的內部沿著界道21形成變質層24，由半導體晶圓2的背面2b側，在內部配合聚光點而將對晶圓具透過性的波長(例如1064nm)的脈衝雷射光線沿著界道21照射，在半導體晶圓2的內部沿著界道21連續形成變質層24(變質層形成步驟)。在如上所示沿著界道21在內部形成有變質層24之半導體晶圓2的背面2b裝設晶片接合用接著薄膜3，並且將該接著薄膜3側黏貼在被裝設於環狀框架F之切割帶T的表面。

在第3圖(a)及(b)中係顯示在沿著界道21形成有雷射加工溝25之半導體晶圓2的背面裝設有晶片接合用接著薄膜3，並且該接著薄膜3側被黏貼在被裝設於環狀框架F之切割帶T之表面的狀態。為了在半導體晶圓2沿著界道21形成雷射加工溝25，係在例如半導體晶圓2的背面2b裝設晶片接合用接著薄膜3，並且將該接著薄膜3側黏貼在上述被裝設於環狀框架F之切割帶T的表面。接著，由半導體晶圓2的表面2a側，將對晶圓具吸收性之波長(例如355nm)的脈衝雷射光線沿著界道21照射，沿著界道21形成雷射加工溝25(雷射加工溝形成步驟)。

如以上所示，若在半導體晶圓2的背面2b裝設晶片接合用接著薄膜3，並且將該接著薄膜3側黏貼在被裝設於環狀框架F之切割帶T的表面，則實施在接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2的外周緣突出的區域30形成放射狀之複數分割溝的分割溝形成步驟。參照第4圖(a)及(b)說明該分割溝形成步驟。第4圖(a)及(b)所示之實施形態係使用雷射加工裝置5實施分割溝形成步驟之例。亦即，在雷射加工裝置5之夾頭座(chuck table)51上載置被裝設於環狀框架F的切割帶T，將未圖示的抽吸手段作動，而在夾頭座51上透過切割帶T將晶片接合用接著薄膜3及半導體晶圓2進行抽吸保持。接著，藉由配設在夾頭座41之未圖示的夾具(clamp)來固定環狀框架F。接著，如第4圖(a)所示，移動夾頭座51而在雷射光線照射手段之聚光器52的正下方將接著薄膜3中與半導體晶圓2之外周緣的交界部定位。接著，一面由聚光器42照射脈衝雷射光線，一面將夾頭座51朝箭號X1所示方向移動，如第4圖(b)所示，若接著薄膜3的外周緣(第4圖(b)中的左端)到達聚光器52的正下方，即停止雷射光線的照射，並且停止夾頭座51的移動。結果，如第4圖(b)所示，在接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2的外周緣突出的區域30朝放射方向(徑方向)形成有分割溝31。

上述分割溝形成步驟係以例如以下加工條件來進行。雷射光線的光源：YVO4雷射或YAG雷射

波長：355nm

反覆頻率：50kHz

平均輸出：1W

聚光點(spot)徑：Φ5μm

若實施上述之分割溝形成步驟，將夾頭座51旋動預定角度(例如10度)(定位(index)步驟)、實施上述分割溝形成步驟。之後，藉由反覆實施定位步驟與分割溝形成步驟，如第5圖所示，可在接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2之外周緣突出的區域30形成放射狀之複數分割溝31。

其中，在上述之實施形態中，係顯示藉由雷射加工來實施分割溝形成步驟之例，但是分割溝形成步驟亦可使用切刀(cutter)來實施。

其中，當如第3圖所示沿著半導體晶圓2的界道21形成雷射加工溝25時，上述分割溝形成步驟亦可在實施雷射加工溝形成步驟之前實施。

若如上所述實施分割溝形成步驟，實施將被裝設在環狀框架F的切割帶T擴張，將接著薄膜3沿著各元件予以分斷，並且將接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2的外周緣突出的區域30沿著以放射狀形成之複數分割溝31予以分離的帶(tape)擴張步驟。該帶擴張步驟在圖示之實施形態中，係使用第6圖所示之帶擴張裝置6來實施。第6圖所示之帶擴張裝置6係具備有：用以保持上述環狀框架F的框架保持手段61；將被裝設於由該框架保持手段61所保持之環狀框架F的切割帶T予以擴張的帶擴張手段62。框架保持手段61係由：環狀框架保持構件611、及被配設在該框架保持構件611之外周之作為固定手段的複數夾具(clamp)612所構成。框架保持構件611的上面係形成用以載置環狀框架F的載置面611a，在該載置面611a上載置環狀框架F。接著，被載置在載置面611a上的環狀框架F係藉由夾具612而被固定在框架保持構件611。如上所示所構成的框架保持手段61係藉由帶擴張手段62而以可朝上下方向作進退的方式予以支持。

帶擴張手段62係具備有被配設在上述環狀之框架保持構件611之內側的擴張圓筒(drum)621。該擴張圓筒621係具有：比環狀框架F的內徑小且比被裝設於該環狀框架F之切割帶T所黏貼的接著薄膜3的外徑大的內徑及外徑。此外，擴張圓筒621係在下端具備有支持凸緣622。圖示之實施形態中的帶擴張手段62係具備有可將上述環狀框架保持構件611朝上下方向作進退的支持手段63。該支持手段63係由被配設在上述支持凸緣622上的複數汽缸631所構成，其活塞桿632與上述環狀框架保持構件611的下面相連結。如上所示由複數汽缸631所構成的支持手段63係如第6圖及第7圖(a)所示，使環狀框架保持構件611選擇性地移動至載置面611a與擴張圓筒621的上端成為大致相同高度的基準位置、及如第7圖(b)所示使環狀框架保持構件611選擇性地移動至載置面611a距離擴張圓筒621的上端在圖中預定量下方的擴張位置。

圖示之實施形態中的帶擴張裝置6係構成為如以上所示，主要參照第7圖，說明使用該帶擴張裝置6，將上述被裝設在環狀框架F的切割帶T擴張，將接著薄膜3沿著元件予以分斷，並且將接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2的外周緣突出的區域30沿著以放射狀形成的複數分割溝31予以分離的帶擴張步驟。

將透過被黏貼有如上述第5圖所示已被實施分割溝形成步驟之接著薄膜3(被裝設在半導體晶圓2的背面2b)的切割帶T所支持的環狀框架F，如第7圖(a)所示，載置於構成框架保持手段61之框架保持構件611的載置面611a上，藉由夾具612而固定在框架保持構件611(框架保持步驟)。此時，框架保持構件611係定位在如第7圖(a)所示的基準位置。

接著，使複數汽缸631作動，使框架保持構件611下降至第7圖(b)所示之擴張位置。因此，被固定在框架保持構件611之載置面611a上的環狀框架F亦會下降，因此如第7圖(b)所示被裝設在環狀框架F的切割帶T係抵接於擴張圓筒621的上端緣而擴張(帶擴張步驟)。結果，對被黏貼在切割帶T的接著薄膜3係以放射狀作用拉伸力。如上所示，當對被黏貼在切割帶T的接著薄膜3作用放射狀的拉伸力時，如上述第1圖所示，若半導體晶圓2被分割成各個元件22，則加寬元件22間的間隔。結果，接著薄膜3係沿著各元件22的外周緣予以分斷，並且接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2的外周緣突出的區域30係如第7圖(c)放大顯示，分割溝31被加寬而在半導體晶圓2的外周緣部予以分斷且被分離成扇狀的薄膜片300，且在被黏貼於切割帶T的狀態下予以維持。

此外，當如上述第2圖或第3圖所示沿著半導體晶圓2的界道21形成有變質層24或雷射加工溝25時，如上所述，當對被黏貼在切割帶T的接著薄膜3作用放射狀的拉伸力時，半導體晶圓2係藉由形成變質層24或雷射加工溝25，沿著使強度降低的界道21而被分割成各個元件22。接著，接著薄膜3係沿著所被分割之各元件22的外周緣予以分斷，並且接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2的外周緣突出的區域30係與上述第7圖(c)相同地，在半導體晶圓2的外周緣部被分斷，而被分離成扇狀的薄膜片，且在被黏貼在切割帶T的狀態下予以維持。

在上述帶擴張步驟中，當將接著薄膜3沿著各元件22的外周緣予以分斷時，係在接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2的外周緣突出的區域30形成有放射狀之複數分割溝31，因此被分離成扇狀的薄膜片300，因而不會有接著薄膜3遭隨機破壞而使碎片飛散的情形，且不會有在元件22的表面附著接著薄膜3的碎片的情形。

若如上所述實施帶擴張步驟，如第8圖所示作動拾取裝置7，藉由拾取筒夾71拾取被定位在預定位置的元件22(拾取步驟)，且搬送至未圖示之托盤或晶片接合步驟。

接著，參照第9圖及第10圖，說明本發明之被裝設在晶圓背面之接著薄膜之分斷方法之其他實施形態。

在第9圖所示之實施形態中，係使用在外周部形成有放射狀之複數分割溝的接著薄膜。亦即，如第9圖(a)所示，接著薄膜3係具有大於半導體晶圓2之外徑的外徑，在其外周部形成有放射狀的複數分割溝31。其中，放射狀的複數分割溝31係可藉由雷射加工而形成，亦可使用切刀等而形成。此外，放射狀的複數分割溝31亦可形成至中心部。將如上所示所形成的接著薄膜3如第9圖(b)所示黏貼在例如上述藉由預先切割法而被分割成各個元件的半導體晶圓2的背面2b，一面以80至200℃的溫度加熱，一面裝設在半導體晶圓2的背面2b。接著，如第9圖(c)所示黏貼在被裝設於環狀框架F的切割帶T。接著，將被黏貼在半導體晶圓2之表面的保護帶4剝離。

第10圖所示之實施形態係使用在切割帶表面預先黏貼有接著薄膜之附有接著薄膜的切割帶。亦即，如第10圖(a)所示，在被裝設在環狀框架F之切割帶T所黏貼之接著薄膜3的外周部係與上述第9圖所示之接著薄膜3相同地預先形成有放射狀的複數分割溝31。如第10圖(b)所示，將例如上述藉由預先切割而被分割成各個元件的半導體晶圓2的背面2b黏貼在如上所示被黏貼在切割帶T的接著薄膜3，一面以80至200℃的溫度加熱，一面裝設半導體晶圓2的背面2b。接著，將被黏貼在半導體晶圓2之表面的保護帶4剝離。

以上所示，若將半導體晶圓2的背面2b透過接著薄膜3(在外周部形成有放射狀的複數分割溝31)而黏貼在被裝設在環狀框架F的切割帶T，則使用上述帶擴張裝置6來實施上述之帶擴張步驟。結果，與上述第1圖至第7圖所示之實施形態同樣地，接著薄膜3係沿著各元件22的外周緣被分斷，並且接著薄膜3之外周部中由半導體晶圓2之外周緣所突出的區域成為扇狀的薄膜片而被分離，以被黏貼在切割帶T的狀態下予以維持。因此，達成與上述第1圖至第7圖所示實施形態相同的作用效果。

2．．．半導體晶圓

2a．．．表面

2b．．．背面

3．．．接著薄膜

4．．．保護帶

5．．．雷射加工裝置

6．．．帶擴張裝置

20．．．半導體晶圓

21．．．界道

22．．．元件

23．．．分割溝

24．．．變質層

25．．．雷射加工溝

30．．．外周部(區域)

31．．．分割溝

51．．．夾頭座

52．．．聚光器

61．．．框架保持手段

62．．．帶擴張手段

63．．．支持手段

71．．．拾取筒夾

300．．．薄膜片

611．．．框架保持構件

611a．．．載置面

612．．．夾具

621．．．擴張圓筒

622．．．支持凸緣

631．．．汽缸

632．．．活塞桿

F．．．環狀框架

T．．．切割帶

第1圖係顯示在背面裝設有晶片接合用接著薄膜之半導體晶圓被黏貼在被裝設於環狀框架之切割帶之狀態之第1實施形態的斜視圖。

第2圖係顯示在背面裝設有晶片接合用接著薄膜之半導體晶圓被黏貼在被裝設於環狀框架之切割帶之狀態之第2實施形態的斜視圖。

第3圖係顯示在背面裝設有晶片接合用接著薄膜之半導體晶圓被黏貼在被裝設於環狀框架之切割帶之狀態之第3實施形態的斜視圖。

第4圖係本發明之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法中之分割溝形成步驟的說明圖。

第5圖係顯示已實施第4圖所示之分割溝形成步驟的接著帶透過切割帶而被支持於環狀框架之狀態的斜視圖。

第6圖係實施本發明之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法中之帶擴張步驟之帶擴張裝置的斜視圖。

第7圖係本發明之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法中之帶擴張步驟的說明圖。

第8圖係顯示本發明之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法中之拾取步驟的說明圖。

第9圖係顯示在將本發明之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法所使用之接著薄膜及將接著薄膜裝設在半導體晶圓背面，並且黏貼在被裝設於環狀框架之切割帶之黏貼步驟的說明圖。

第10圖係顯示本發明之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法所使用之接著薄膜之其他實施形態及將半導體晶圓背面裝設在接著薄膜之步驟的說明圖。

2．．．半導體晶圓

2a．．．表面

2b．．．背面

3．．．接著薄膜

21．．．界道

22．．．元件

23．．．分割溝

30．．．外周部(區域)

31．．．分割溝

F．．．環狀框架

T．．．切割帶

Claims (3)

1. 一種被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法，係將被裝設在在表面以格子狀形成有複數界道並且在被該複數界道所分隔的複數區域形成有元件的晶圓背面，且具有外徑大於晶圓外徑的接著薄膜，在被黏貼在被裝設於環狀框架之切割帶表面的狀態下，沿著元件予以分斷之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法，其特徵為：在該接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域形成有放射狀之複數分割溝之後，將該切割帶擴張而使接著薄膜沿著元件予以分斷，並且將該接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域沿著該放射狀之複數分割溝分離。
2. 一種被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法，係將被裝設在在表面以格子狀形成有複數界道並且在被該複數界道所分隔的複數區域形成有元件的晶圓背面，且具有外徑大於晶圓外徑的接著薄膜，在被黏貼在被裝設於環狀框架之切割帶表面的狀態下，沿著元件予以分斷之被裝設在晶圓背面之接著薄膜的分斷方法，其特徵為：在該接著薄膜的外周部形成有放射狀的複數分割溝，在將該接著薄膜裝設在晶圓背面並且被黏貼於該切割帶之表面的狀態下，將該切割帶擴張而使接著薄膜沿著元件予以分斷，並且將該接著薄膜之外周部中由晶圓外周緣突出的區域沿著該放射狀之複數分割溝分離。
3. 一種接著薄膜，係裝設在晶圓背面的接著薄膜，其特徵為：具有大於晶圓外徑的外徑，在外周部形成有放射狀之複數分割溝。