[go: up one dir, main page]

TWI456355B - 微影裝置及方法 - Google Patents

微影裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI456355B
TWI456355B TW098129741A TW98129741A TWI456355B TW I456355 B TWI456355 B TW I456355B TW 098129741 A TW098129741 A TW 098129741A TW 98129741 A TW98129741 A TW 98129741A TW I456355 B TWI456355 B TW I456355B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
component
size
shape
controllable elements
radiation beam
Prior art date
Application number
TW098129741A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201015236A (en
Inventor
尼可雷 尼可拉契夫 艾爾賽德
成群 桂
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201015236A publication Critical patent/TW201015236A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI456355B publication Critical patent/TWI456355B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • H10P76/2043—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Claims (17)

  1. 一種微影方法，該方法包含：使用至少指示一器件之一組成部分之一所要形狀或尺寸的資訊以實施該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸，該所要形狀或尺寸係自待形成有該器件之該組成部分之一材料層之一經量測性質及/或一先前器件之一經量測性質直接計算得到，該經量測性質係不等同於或係額外之該層或該先前器件之一結構之經量測尺寸，且該實施之至少一部分包含判定用以在一輻射光束中形成足夠在形成該器件之該組成部分時實施該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸之一圖案所需要的複數個個別可控制元件之一組態。
  2. 如請求項1之方法，其中，在判定用以在一輻射光束中形成足夠在形成該器件之該組成部分時實施該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸之一圖案所需要的複數個個別可控制元件之一組態之前，及/或在使用至少指示該經量測性質的資訊以判定欲使用該材料層而形成之該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸之前，該方法進一步包含：量測該性質。
  3. 如請求項1之方法，其中，在判定用以在一輻射光束中形成足夠在形成該器件之該組成部分時實施該器件之該 組成部分之該所要形狀或尺寸之一圖案所需要的複數個個別可控制元件之一組態之後，該方法進一步包含：控制該複數個個別可控制元件之該組態以實施該經判定組態。
  4. 如請求項3之方法，其中控制該複數個個別可控制元件之該組態包含：控制該複數個個別可控制元件中之一或多個元件之一位置；及/或控制該複數個個別可控制元件中之一或多個元件之一定向；及/或控制該複數個個別可控制元件中之一或多個元件之一形狀；及/或控制該複數個個別可控制元件中之一或多個元件中哪些元件發射輻射；及/或控制該複數個個別可控制元件中之一或多個元件之一光學性質。
  5. 如請求項1之方法，其中該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸導致該器件之該組成部分及/或該器件總體上之一性質或操作中的一效應。
  6. 如請求項5之方法，其中該效應為：該器件之該組成部分及/或該器件總體上之一改良效能；及/或該器件之該組成部分及/或該器件總體上之一增加效率；及/或 該器件之該組成部分及/或該器件總體上之一改良或增加功能性。
  7. 一種微影裝置，其包含：複數個個別可控制元件，該等個別可控制元件經組態以在一輻射光束中形成一圖案；一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板上；及一控制配置，該控制配置經組態以使用至少指示一器件之一組成部分之一所要形狀或尺寸的資訊以實施該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸，該所要形狀或尺寸係自欲形成有該器件之該組成部分之一材料層之一經量測性質及/或一先前器件之一經量測性質直接計算得到，該經量測性質係不等同於或係額外之該層或該先前器件之一結構之一經量測尺寸，且該實施之至少一部分包含判定用以在一輻射光束中形成足夠在形成該器件之該組成部分時實施該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸之一圖案所需要的複數個個別可控制元件之一組態。
  8. 如請求項7之裝置，其中該複數個個別可控制元件為微鏡面或雷射二極體。
  9. 一種微影方法，該方法包含：使用至少指示一第一器件之一組成部分之形狀或尺寸之一所要改變的資訊以實施一隨後形成之第二器件之一組成部分之該形狀或尺寸之該改變，以使得該組成部分 之該形狀或尺寸不同於該組成部分之設計形狀或尺寸，使得該隨後形成之第二器件之該組成部分之經處理形狀或尺寸不同於該組成部分之設計形狀或尺寸，該實施之至少一部分包含判定用以在一輻射光束中形成足夠實施該隨後形成之第二器件之該組成部分之該形狀或尺寸之該改變之一圖案所需要的一微影裝置之複數個個別可控制元件之一組態。
  10. 如請求項9之方法，其中，在判定用以在該輻射光束中形成足夠實施該隨後形成之第二器件之該組成部分之該形狀或尺寸之該改變之一圖案所需要的該微影裝置之該複數個個別可控制元件之一組態之前，該方法進一步包含：使用至少指示該第一器件之一性質的資訊以判定待實施於該隨後形成之第二器件中的該第一器件之該組成部分之該形狀或尺寸之該所要改變。
  11. 如請求項9之方法，其中，在判定用以在該輻射光束中形成足夠實施該隨後形成之第二器件之該組成部分之該形狀或尺寸之該改變之一圖案所需要的該微影裝置之該複數個個別可控制元件之一組態之前，及/或在使用至少指示該第一器件之一性質的資訊以判定待實施於該隨後形成之第二器件中的該第一器件之該組成部分之該形狀或尺寸之該所要改變之前，該方法進一步包含： 量測該第一器件之性質。
  12. 如請求項9之方法，其中，在判定用以在該輻射光束中形成足夠實施該隨後形成之第二器件之該組成部分之該形狀或尺寸之該改變之一圖案所需要的該微影裝置之該複數個個別可控制元件之一組態之後，該方法進一步包含：控制該複數個個別可控制元件之該組態以實施該經判定組態。
  13. 如請求項9之方法，其中該隨後形成之第二器件之該組成部分之該形狀或尺寸之該改變導致該第二器件之該組成部分及/或該器件總體上之一性質或操作中的一效應
  14. 如請求項9之方法，其中該第一器件與該隨後形成之第二器件為同一通用器件之不同版本。
  15. 一種微影裝置，該微影裝置包含：複數個個別可控制元件，該等個別可控制元件經組態以在一輻射光束中形成一圖案；一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板上；及一控制配置，該控制配置經組態以使用至少指示一第一器件之一組成部分之形狀或尺寸之一所要改變的資訊以實施一隨後形成之第二器件之一組成部分之該形狀或尺寸之該改變，以使得該組成部分之該形狀或尺寸不同於該組成部分之設計形狀或尺寸，使得該隨後形成之第二器件之該組成部分之經處理形狀或尺寸不同於該組成 部分之設計形狀或尺寸，該實施之至少一部分包含判定用以在該輻射光束中形成足夠實施該隨後形成之第二器件之該組成部分之該形狀或尺寸之該改變之一圖案所需要的該複數個個別可控制元件之一組態。
  16. 如請求項15之裝置，其中該複數個個別可控制元件為微鏡面或雷射二極體。
  17. 一種微影裝置，其包含：複數個個別可控制元件，該等個別可控制元件經組態以在一輻射光束中形成一圖案；一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板上；及一控制配置，該控制配置經組態以使用至少指示一器件之一組成部分之一所要形狀或尺寸的資訊以實施該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸，該所要形狀或尺寸係利用待形成有該器件之該組成部分之一材料層之一特性之一經量測性質及/或一先前器件之一特性之一經量測性質而計算得到，該經量測性質係不等同於或係額外之該層或該先前器件之一結構之一經量測尺寸或一電性效能，且該實施之至少一部分包含判定用以在一輻射光束中形成足夠在形成該器件之該組成部分時實施該器件之該組成部分之該所要形狀或尺寸之一圖案所需要的複數個個別可控制元件之一組態。
TW098129741A 2008-09-26 2009-09-03 微影裝置及方法 TWI456355B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13670308P 2008-09-26 2008-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201015236A TW201015236A (en) 2010-04-16
TWI456355B true TWI456355B (zh) 2014-10-11

Family

ID=42048475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098129741A TWI456355B (zh) 2008-09-26 2009-09-03 微影裝置及方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8982318B2 (zh)
JP (1) JP5199207B2 (zh)
KR (1) KR101105785B1 (zh)
CN (1) CN101685268B (zh)
NL (1) NL2003364A (zh)
TW (1) TWI456355B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6230996B2 (ja) 2011-08-01 2017-11-15 アルキオーネ・ライフサイエンシズ・インコーポレイテッドＡｌｃｙｏｎｅ Ｌｉｆｅｓｃｉｅｎｃｅｓ， Ｉｎｃ． 微小流体薬剤送達装置
KR102120624B1 (ko) 2013-04-04 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 Glv를 이용한 디지털 노광기 및 dmd를 이용한 디지털 노광기
KR102065107B1 (ko) 2013-05-20 2020-02-12 삼성디스플레이 주식회사 무마스크 노광 장치
KR20160024285A (ko) * 2014-08-25 2016-03-04 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광 방법 및 이에 의해 제조되는 표시 기판
WO2016199253A1 (ja) * 2015-06-10 2016-12-15 株式会社Pfu 画像処理システム、画像読取装置、領域検出方法及びコンピュータプログラム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165164A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Jan Raebiger Method and system for improving exposure uniformity in a step and repeat process
US20060017903A1 (en) * 2004-07-26 2006-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200836020A (en) * 2007-01-23 2008-09-01 Zeiss Carl Smt Ag A projection exposure tool for microlithography with a measuring apparatus and a method for measuring and irradiation strength distribution

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
EP0527166B1 (de) 1990-05-02 1995-06-14 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Belichtungsvorrichtung
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
KR100459813B1 (ko) 1997-01-29 2004-12-04 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 집속된 레이저 광선에 의해 감광 물질로 코팅된 기판상에 구조체를 형성시키는 방법 및 장치
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
JP2003532306A (ja) * 2000-05-04 2003-10-28 ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション リソグラフィ・プロセス制御のための方法およびシステム
JP2002175969A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Hitachi Ltd パターン検証方法及びデータ処理システム
JP2002174890A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路の製造方法
US7016015B2 (en) 2003-06-20 2006-03-21 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US6873938B1 (en) * 2003-09-17 2005-03-29 Asml Netherlands B.V. Adaptive lithographic critical dimension enhancement
US7006196B2 (en) * 2003-12-15 2006-02-28 Agilent Technologies, Inc. Real time image resizing for dynamic digital photolithography
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
US7133118B2 (en) 2004-02-18 2006-11-07 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6963434B1 (en) * 2004-04-30 2005-11-08 Asml Holding N.V. System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator
US7327439B2 (en) 2004-11-16 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209216B2 (en) * 2005-03-25 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography
JP2007310263A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Fujifilm Corp 画像記録方法及び装置並びにその調整方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165164A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Jan Raebiger Method and system for improving exposure uniformity in a step and repeat process
US20060017903A1 (en) * 2004-07-26 2006-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200836020A (en) * 2007-01-23 2008-09-01 Zeiss Carl Smt Ag A projection exposure tool for microlithography with a measuring apparatus and a method for measuring and irradiation strength distribution

Also Published As

Publication number Publication date
CN101685268A (zh) 2010-03-31
US8982318B2 (en) 2015-03-17
JP5199207B2 (ja) 2013-05-15
CN101685268B (zh) 2012-09-26
US20100081072A1 (en) 2010-04-01
NL2003364A (en) 2010-03-29
JP2010080961A (ja) 2010-04-08
TW201015236A (en) 2010-04-16
KR20100035621A (ko) 2010-04-05
KR101105785B1 (ko) 2012-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220339885A1 (en) Methods for additive-ablative fabrication
TWI456355B (zh) 微影裝置及方法
JP2009002931A5 (zh)
JP5214683B2 (ja) インプリントレシピ作成装置及び方法並びにインプリント装置及び方法
JP2015148807A5 (ja) マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
CN107660277B (zh) 用于对衬底进行平坦化的系统和方法
IL259740A (en) Lithographic system and method for making measurements
JP2017526161A5 (zh)
JP2014225669A5 (ja) 基板ホルダ、リソグラフィ装置、及び基板ホルダの製造方法
JP2011018915A5 (zh)
JP2015502668A5 (zh)
JP2016122684A5 (zh)
JP6835333B2 (ja) ２次元印刷された物体の３次元硬化
JP2013157548A5 (zh)
JP2011151092A5 (zh)
JP7598359B2 (ja) ウェハプロセス、物品を製造する装置および方法
JP2012234913A5 (zh)
JP2019016801A5 (ja) 物体移動方法、物体移動装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP2015062256A5 (zh)
JP2019009420A (ja) インプリント装置、物品の製造方法、情報処理装置、マップの編集を支援する方法及び記憶媒体
JP2014135417A5 (zh)
WO2010018029A3 (de) Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches bauteil mit elektroden in zwei ebenen und mikromechanisches bauteil
JP5298236B2 (ja) 局所露光装置及び局所露光方法
CN104375387A (zh) 用于在发射辐射的半导体器件中制造结构的光刻方法
WO2013029893A3 (en) Lithographic system, method of controlling a lithographic apparatus and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees