TWI456271B - 線柵偏光板及其製造方法 - Google Patents
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Claims (15)
- 一種線柵偏光板，包括：複數個第一格柵圖案形成於一透明基板之上；複數個第二格柵圖案，由一金屬形成於該第一格柵圖案之上；以及一保護層，填於該第一格柵圖案與該第二格柵圖案間之一空間，其中，該第一格柵圖案或該第二格柵圖案之週期係落在50nm至200nm之範圍內，該保護層係由一聚合物或一氧化物形成，該第一格柵圖案之寬度係落在10nm至200nm之範圍內，且該第一格柵圖案之高度係落在10nm至500nm之範圍內，以及該第一格柵圖案之寬高比係落在1：0.2至1：5之範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述之線柵偏光板，其中該第二格柵圖案係由選自由鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、及鈷(Co)其中任一金屬或其合金來形成。
- 如申請專利範圍第2項所述之線柵偏光板，其中該第一格柵圖案與該第二格柵圖案之寬度比係落在1：0.2至1：1.5之範圍內。
- 如申請專利範圍第3項所述之線柵偏光板，其中該第二格柵圖案之寬度係落在2nm至300nm之範圍內。
- 如申請專利範圍第4項所述之線柵偏光板，其進一步包括一表面處理層形成於該第一格柵圖案或該第二格柵圖案之表面上。
- 如申請專利範圍第5項所述之線柵偏光板，其中該表面處理層係為下述其中任一者：一電漿處理層、一有機或無機黑化層、一過氧化物處理層、一前-抗氧化物處理層、一抗腐蝕處理層、以及一自組裝單分子層(SAM)塗覆層。
- 一種線柵偏光板製造方法，包括：形成一第一格柵層於一透明基板之上，其中該第一格柵層係具有複數個第一格柵圖案；沉積一金屬層於該第一格柵層之上；蝕刻該金屬層，以形成複數個第二格柵圖案於該第一格柵圖案之上；以及形成一保護層，以埋覆該第二格柵圖案。
- 如申請專利範圍第7項所述之線柵偏光板製造方法，其中形成該第一格柵層之製程係藉由形成複數個週期落在50nm至200nm之範圍內的第一格柵圖案來進行。
- 如申請專利範圍第7項所述之線柵偏光板製造方法，其中在形成該第二格柵圖案之製程中，該第二格柵圖案之寬度落在2nm至300nm之範圍內。
- 如申請專利範圍第9項所述之線柵偏光板製造方法，其中在形成該第二格柵圖案之製程中，該第一格柵圖案與該第二格柵圖案之寬度比係落在1：0.2至1：1.5之範圍內。
- 如申請專利範圍第7項所述之線柵偏光板製造方法，其中形成該保護層之製程係包括塗覆一液態樹脂，該液態樹脂係與該第一格柵圖案使用相同材料，或者與該第一格柵圖案使用不同材料。
- 如申請專利範圍第11項所述之線柵偏光板製造方法，其中在形成該保護層之製程中，該液態樹脂係使用黏度為5cp至500cp之一聚合物或氧化物。
- 如申請專利範圍第12項所述之線柵偏光板製造方法，其中形成該保護層之製程係藉由使用一聚合物或一氧化物，以一真空沉積方法埋覆該第二格柵圖案來進行。
- 如申請專利範圍第13項所述之線柵偏光板製造方法，其在形成該第一格柵層以及該第二格柵圖案之製程後、形成該保護層之製程前，係進一步包括：以一大氣壓電漿處理、一真空電漿處理、一過氧化物處理、一前-抗氧化物處理、一抗腐蝕處理、以及一自組裝單分子層(SAM)塗覆，上述其中任一者來進行一表面處理製程於該第一格柵圖案或該第二格柵圖案之上。
- 如申請專利範圍第13項所述之線柵偏光板製造方法，其中在形成該第一格柵層之製程中，該第一格柵圖案之寬度係落在10nm至200nm之範圍內，該第一格柵圖案之高度落在10nm至500nm之範圍內，且該第一格柵圖案之寬高比落在1：0.2至1：5之範圍內。
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