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TWI453285B - An aluminum alloy film, a wiring structure having an aluminum alloy film, and a sputtering target for manufacturing an aluminum alloy film - Google Patents

An aluminum alloy film, a wiring structure having an aluminum alloy film, and a sputtering target for manufacturing an aluminum alloy film Download PDF

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Publication number
TWI453285B
TWI453285B TW100135616A TW100135616A TWI453285B TW I453285 B TWI453285 B TW I453285B TW 100135616 A TW100135616 A TW 100135616A TW 100135616 A TW100135616 A TW 100135616A TW I453285 B TWI453285 B TW I453285B
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TW
Taiwan
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film
aluminum alloy
transparent conductive
alloy film
aluminum
Prior art date
Application number
TW100135616A
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English (en)
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TW201231685A (en
Inventor
奧野博行
釘宮敏洋
Original Assignee
神戶製鋼所股份有限公司
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Publication date
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Description

鋁合金膜、具有鋁合金膜之配線構造，及使用於鋁合金膜的製造之濺鍍靶
本發明係有關適用於顯示裝置用或觸控面板感測裝置(touch panel sensor)用之配線膜(包含電極)或反射膜等之鋁合金膜、具有上述鋁合金膜之配線構造、上述鋁合金膜之製造上所採用之濺鍍靶(sputtering target)、以及具備上述鋁合金膜之薄膜電晶體、反射膜、有機EL用反射陽極電極、觸控面板感測裝置，詳細而言，係有關於一種耐氯化鈉溶液腐蝕性或耐透明導電膜針孔(pinhole)腐蝕性等之耐蝕性、及耐熱性佳之鋁合金膜。以下，係以薄膜電晶體用配線膜所採用之鋁合金膜或液晶顯示裝置為中心加以說明，但是，本發明之鋁合金膜，其旨趣並非受限於該用途。
從小型之行動電話，到超過30吋之大型電視，種種領域所採用之液晶顯示裝置(LCD)，係由：以薄膜電晶體(TFT)為開關元件，且具備透明畫素電極、閘極配線及源極汲極配線等之電極配線部、和半導體層之TFT基板，具備對著TFT基板並隔著指定間隔被相對向配置之共通電極之對向基板，與被充填在TFT基板和對向基板之間之液晶層等所構成。
在前述源極汲極配線等之電極配線材料上，因電性電阻小、微細加工容易等之理由，而廣泛採用例如純鋁或者鋁-釹(Nd)等之鋁合金膜(以下，將純鋁膜與鋁合金膜總稱為「鋁膜」)。該鋁膜，通常介著鈦(Ti)或鉬(Mo)所構成之多種金屬(varia-metal)層，而與構成透明畫素電極之透明導電膜接續著。
一方面，對於上述TFT基板，主旨在於提出一種可以將構成透明畫素電極之透明導電膜(例如ITO膜或IZO膜等)、與雖不介多種金屬層就使之直接接續而接觸電性電阻也小之(以下，將此類之特性稱作「DC性」)鋁合金膜，適用於上述配線(例如，專利文獻1等)。
然而，顯示裝置等，實際的使用環境下是被暴露在濕潤環境，此時，可能出現配線膜腐蝕之場合。該腐蝕，除了是讓配線膜直接接觸到來自環境中之水蒸氣等之水分而產生之外，又或是從樹脂或矽系之絕緣膜或透明導電膜等所產生之針孔或裂縫(crack)等之間隙讓水蒸氣等之水份浸透，該水分到達配線膜表面而產生。
關連到此類濕潤環境下的腐蝕之問題，近年，被提起TFT因ITO膜之覆蓋所引起之針孔腐蝕之問題。針孔腐蝕，其原因考慮是，從被形成在透明導電膜之ITO膜之針孔讓水蒸氣浸透，水分到達該ITO膜與鋁膜之界面而引起電藕腐蝕(galvanic corrosion)。
亦即，以前，如上述專利文獻1之圖1所示之液晶顯示裝置之製造，係於同一工廠內一貫進行製造，但是，近年來，隨工程分離化，逐漸增加如上述專利文獻1之圖2所示之場合，到透明導電膜5(例如，銦錫氧化(ITO)膜)的形成是在一工廠進行、而之後的工程則是在別的工廠進行製造。這樣的場合，在往別的工廠輸送‧保管中，水蒸氣從透明導電膜所存在之針孔(透明導電膜之不連續部)浸透，造成該透明導電膜與構成前述源極汲極配線之鋁膜之間發生電位差而產生電藕腐蝕(以下，簡稱「針孔腐蝕」)，而被理解為黑點。上述黑點發生時，便難以製造出可信賴性高的顯示裝置。
又，施行前述源極汲極配線等、與驅動IC和該配線材料，與例如ACF(Anisotropic Conductive Film：向異性導電體)藉挾住、壓接之接續(將此類之部分稱為突出部(TAB部))，但是，在這樣形成之突出部也會發生如上述之問題。
上述之問題，在使構成透明畫素電極之透明導電膜、介著由鈦或鉬所構成之多種金屬層而與鋁膜接續之構造之上述TFT基板也可見到，由於通過過量的乾蝕刻(dry etching)工程，是有可能部分的(接觸孔等)成為ITO膜/鋁構造，產生如上述之針孔腐蝕之情事。
為了解決此類因ITO膜之覆蓋所引起的針孔腐蝕問題，而提出上述腐蝕之防止方法。例如在專利文獻2，顯示一種將包含薄膜形成劑與離子交換材料之塗料，塗佈在顯示裝置之構成透明導電膜之ITO等氧化物半導體的表面之方法。此外，在專利文獻3，顯示一種將具有撥水功能之塗料塗佈在上述氧化物半導體表面之方法。該等專利文獻2及專利文獻3，係藉由將上述塗料塗佈在氧化物半導體表面，以防止由水蒸氣所造成之腐蝕。
[先前技術文獻]
專利文獻1：日本專利特開2009-105424號公報
專利文獻2：日本專利特開平11-286628號公報
專利文獻3：日本專利特開平11-323205號公報
然而，適用專利文獻2及專利文獻3之技術時，除了必須在輸送前將上述塗料塗佈在氧化物半導體(透明導電膜)表面之外，在輸送‧保管後於別的工廠，每推進下一個工程，都必須使上述塗佈後被形成之薄膜‧塗料剝離，產生生產效率降低之問題。
上述，係以薄膜電晶體之因ITO膜之覆蓋所引起之針孔腐蝕為例加以說明，但是，這類的腐蝕問題，不論ITO膜之覆蓋有無都會發生。例如上述之外，在氯化鈉溶液之浸漬下露出之鋁合金表面腐蝕之問題也會出現。
此外別的問題方面，在採用鋁膜作為電極配線膜時，因為鋁非常容易被氧化，所以如果沒有前述之多種金屬層，在鋁膜表面會形成被稱作Hillock之凸起狀突起，產生畫面顯示品質降低等問題。
如上述，顯示裝置發生種種腐蝕現象，但是，該等腐蝕現象，不論顯示裝置之種類等都會發生。具體而言，例如，在液晶顯示裝置、有機EL裝置、觸控面板感測裝置等之顯示裝置所採用之配線膜(包含電極)、反射膜、反射陽極電極等都同樣可看到。於是，殷切期望提供能夠有效地防止該等腐蝕之技術，特別是，薄膜電晶體用配線膜等所採用之鋁合金膜之腐蝕(例如，在氯化鈉溶液之浸漬下露出的鋁合金表面之腐蝕)，或能夠有效地防止TFT之因ITO膜之覆蓋所引起之針孔腐蝕之技術。
本發明著眼於上述之類的情事，其目的在於提供一技術，在薄膜電晶體基板、反射膜、反射陽極電極、觸控面板感測裝置等之製造工程，即使不設所謂的上述腐蝕防止用塗料之塗佈或剝離之工程，也能有效地防止例如在氯化鈉溶液之浸漬下鋁合金表面之腐蝕或針孔腐蝕(黑點)等之腐蝕、耐蝕性佳，而且也能夠防止Hillock之生成、耐熱性亦佳之技術。
本發明係提供以下之鋁合金膜、配線構造、薄膜電晶體、反射膜、有機EL用反射陽極電極、觸控面板感測裝置、顯示裝置及濺鍍靶。
(1)一種鋁合金膜，使用於配線膜或者反射膜之鋁合金膜，其特徵係含有鉭(Ta)及/或鈦(Ti)：0.01～0.5原子%、與稀土族元素：0.05～2.0原子%。
(2)如(1)記載之鋁合金膜，其中，前述稀土族元素，係從釹、鑭、及釓所構成之群組選擇而來之至少1種元素。
(3)如(1)或(2)記載之鋁合金膜，其中，在將前述鋁合金膜浸漬於25℃之1%氯化鈉2小時後，藉1000倍之光學顯微鏡觀察前述鋁合金膜表面之後，相對於鋁合金膜表面全面積，鋁合金膜表面之腐蝕面積可被抑制在10%以下。
(4)一種配線構造，具有基板、(1)或(2)記載之鋁合金膜、透明導電膜之配線構造，其特徵係從基板側，讓前述鋁合金膜及前述透明導電膜依此順序而被形成，或者，讓前述透明導電膜及前述鋁合金膜依此順序而被形成。
(5)如(4)記載之配線構造，其中，前述鋁合金膜與前述透明導電膜係被直接接續著。
(6)如(4)記載之配線構造，其中，從基板側，讓前述鋁合金膜及前述透明導電膜依此順序而被形成，在前述鋁合金膜上之一部份，介著直接或者高融點金屬膜，針對被形成前述透明導電膜之Al-透明導電膜之層積試料，將在浸漬於25℃之1%氯化鈉水溶液2小時之後，並未形成透明導電膜之鋁合金膜表面，藉1000倍之光學顯微鏡觀察之後，相對於並未形成前述透明導電膜之鋁合金膜表面全面積，前述鋁合金膜表面之腐蝕面積係可被抑制在10%以下。
(7)如(4)記載之配線構造，其中，從基板側，讓前述透明導電膜及前述鋁合金膜依此順序而被形成，在前述透明導電膜上，介著直接或者高融點金屬膜，形成前述鋁合金膜；或者，在前述透明導電膜上，形成前述鋁合金膜，並且，針對在前述鋁合金膜上之一部份依序被形成高融點金屬膜之透明導電膜-鋁之層積試料，將在浸漬於25℃之1%氯化鈉水溶液2小時後之前述鋁合金膜表面，藉1000倍之光學顯微鏡觀察之後，相對於前述鋁合金膜表面全面積，前述鋁合金膜表面之腐蝕面積係可被抑制在10%以下。
(8)如(4)記載之配線構造，其中，從基板側，讓前述鋁合金膜及前述透明導電膜依此順序而被形成，針對在前述鋁合金膜上直接形成透明導電膜之鋁-透明導電膜之層積試料，在60℃、相對濕度為90%之濕潤環境暴露500小時之後透明導電膜中的介著針孔(pinhole)而被形成之針孔腐蝕密度，在1000倍光學顯微鏡觀察視野內，為40個/mm2 以下。
(9)如(4)～(8)任一記載之配線構造，其中，前述透明導電膜為ITO或者IZO。
(10)如(4)～(9)任一記載之配線構造，其中，前述透明導電膜之膜厚係20～120nm。
(11)一種薄膜電晶體，其特徵係具備如(4)～(10)任一記載之配線構造。
(12)一種反射膜，其特徵係具備如(4)～(10)任一記載之配線構造。
(13)一種有機EL用反射陽極電極，其特徵係具備如(4)～(10)任一記載之配線構造。
(14)一種觸控面板感測裝置(touch panel sensor)，其特徵係具備如(1)～(3)任一記載之鋁合金膜。
(15)一種顯示裝置，其特徵係具備如(11)記載之薄膜電晶體。
(16)一種顯示裝置，其特徵係具備如(12)記載之反射膜。
(17)一種顯示裝置，其特徵係具備如(13)記載之有機EL用反射陽極電極。
(18)一種顯示裝置，其特徵係具備如(14)記載之觸控面板感測裝置。
(19)一種濺鍍靶(sputtering target)，使用於製造顯示裝置用之配線膜或反射膜、或者觸控面板感測裝置用之配線膜之濺鍍靶，其特徵係含有鉭及/或鈦：0.01～0.5原子%、與稀土族元素：0.05～2.0原子%；殘部為鋁及不可避免的不純物。
(20)如(19)記載之濺鍍靶，其中，前述稀土族元素，係從釹、鑭、及釓所構成之群組選擇而來之至少1種元素。
根據本發明，能夠用較低成本製造即使以先前方式不設所謂的腐蝕防止用塗料之塗佈或剝離之工程也不會發生腐蝕、耐蝕性佳，而且，耐熱性亦佳之高性能的鋁合金膜、及具備該鋁合金膜之配線構造、薄膜電晶體、反射膜、有機EL用反射陽極電極、觸控面板感測裝置、顯示裝置。此外，本發明之濺鍍靶，係適用上述鋁合金膜的製造。
本發明人等進行銳意研究，為了實現耐蝕性佳之鋁合金膜，具體而言，可抑制在例如氯化鈉溶液浸漬下的鋁合金膜表面之腐蝕，此外，亦可抑制在濕潤環境下透明導電膜之介著針孔之腐蝕(黑點)，而且，耐熱性亦佳之鋁合金膜。
結果發現，如果採用含指定含量的鉭及/或鈦、與稀土族元素之鋁合金膜，就能夠抑制鋁合金表面於氯化鈉溶液浸漬下之腐蝕，而且，也能有效地防止針孔的形成而謀求減低針孔腐蝕密度，同時，也能夠抑制Hillock發生，完成本發明。
以此方式，本發明係耐蝕性(詳細而言，耐氯化鈉溶液腐蝕性及耐ITO針孔腐蝕性(ITO針孔腐蝕密度減低效果))佳，而且，防止Hillock上(耐熱性)佳之鋁合金膜，其特徵為採用含各個指定量之鉭及/或鈦、與稀土族元素之鋁合金膜。
其中，鉭及/或鈦，係特別有助於提高耐蝕性之元素，如後述之實施例，優於耐氯化鈉溶液腐蝕性提高作用、及ITO針孔腐蝕密度減低。本發明，係能夠單獨採用、或者併用鉭及鈦。為了使上述作用有效地發揮，將其含有量(單獨採用時為單獨的量；包含雙方時則為兩者之合計量)設在0.01原子%以上。上述含有量，因為量越多發揮越多更好的效果，在0.1原子%以上為佳，更好是在0.15原子%以上。只是，在上述含有量過量時，因為一方面耐蝕性提高作用飽和，且配線之電性電阻上昇，所以，將其上限設在0.5原子%。更好是上限為0.3原子%。
此外，稀土族元素，係特別對防止Hillock生成有效的元素。本發明所採用之稀土族元素，係在鑭系元素(在週期表，從原子編號57的鑭(La)到原子編號71的鎦(Lu)等15元素)，加上鈧(Sc)與釔(Y)之元素群，能夠將該等單獨採用、或者併用2種以上。稀土族元素最好是釹、鑭、釓，該等單獨採用也可以，併用2種以上亦可。為了使上述作用有效地發揮，所以將稀土族元素之含有量(稀土族元素單獨地含有時為單獨的量；包含2種以上時則為該等之合計量)設在0.05原子%以上。因為稀土族元素之含有量越多可發揮更好的效果，所以，稀土族元素的較佳含量為0.1原子%以上，在0.15原子%以上較佳，更好是在0.25原子%以上，在更好是在0.28原子%以上。只是，稀土族元素之含有量過多時，也因為一方面讓上述作用飽和，且配線之電性電阻上昇，所以，將上述含有量之上限設在2.0原子%。上限以1.0原子%較佳，而上限為0.6原子%更佳。
此外，上述鋁合金膜，係以使上述本發明之作用有效地發揮為前提，因賦予其他特性之目的而含有上述以外之其他元素亦可。
本發明所採用之鋁合金膜，係含有上述成分，殘部為鋁及不可避免的不純物。在此，上述不可避免的不純物，可例示如鐵(Fe)、矽(Si)、硼(B)等。不可避免的不純物之合計量並不特別受限定，亦可含有大概在0.5原子%以下，而各不可避免的不純物元素，硼在0.012原子%以下；鐵、矽分別含有0.12原子%以下亦可。
本發明，亦包含具有上述鋁合金膜、透明導電膜之配線構造。詳細而言，本發明之配線構造，係包含從基板側，讓上述鋁合金膜及上述透明導電膜依此順序而被形成之構造、讓上述透明導電膜及上述鋁合金膜依此順序被形成之構造等雙方。
又，本發明之最大特徵在於特定鋁合金膜之組成，鋁合金膜以外之要件(透明導電膜、後述之多種金屬膜、該等以外之構成TFT基板或顯示裝置之其他要件)則未受特別限定，本發明也能夠採用該等之領域內通常被採用之要件。例如上述透明導電膜方面，可代表性地舉出ITO膜或者IZO膜。
上述透明導電膜之膜厚最好是20～120nm。上述膜厚低於20nm之場合，會有斷線或電性電阻上昇等問題產生之虞，另一方面，上述膜厚超過120nm時，則有透過率降低等問題產生之虞。上述透明導電膜之膜厚在40～100nm更佳。又，上述鋁合金膜之膜厚，最好是大概100～800nm。
在本發明之配線構造，可讓上述鋁合金膜與透明導電膜被直接接續，亦可包含眾所周知的多種金屬膜。上述多種金屬膜之種類(組成)，在顯示裝置通常被採用之種類即可並未特別被限定，在不損害本發明之作用之範圍下，是能夠選擇採用適宜適切之種類。作為例如多種金屬膜，係能夠採用由鈦或鉬等高融點金屬、或包含該高融點金屬之合金所構成之金屬配線膜。此外，上述多種金屬膜之配置也並未特別受限定，例如可以介在鋁合金膜與透明導電膜之間，也可以設置於鋁合金膜上。
本發明之鋁合金膜、及具備該鋁合金膜之配線構造，在耐腐蝕性上是非常優異。如上述，本發明之鋁合金膜，係得以被用於顯示裝置等種種之裝置，而在該裝置無論鋁合金膜是在怎樣的狀態下被配置(亦即不論，例如鋁合金膜是單層存在；或在鋁合金膜上的一部份是直接、接續著透明導電膜；或在鋁合金膜上之一部份、介著高融點金屬膜接續著透明導電膜；或在透明導電膜上是直接、只形成鋁合金膜；或在透明導電膜上，介著高融點金屬形成鋁合金膜；或依序在透明導電膜上，形成鋁合金膜、及在鋁合金膜上之一部份形成高融點金屬膜；等等所謂鋁合金膜之存在形態)，都可以發揮良好耐蝕性。
具體而言，作為評價耐氯化鈉溶液腐蝕性之腐蝕試驗，在進行腐蝕試驗浸漬於25℃的1%氯化鈉水溶液2小時後，藉1000倍之光學顯微鏡觀察腐蝕試驗後的鋁合金膜表面之後，相對於鋁合金膜全面積，鋁合金膜之腐蝕面積可被抑制在10%以下。這是採用單層鋁合金膜之試料時的指標，而也可成為採用在鋁合金膜上之一部份直接、形成透明導電膜之鋁(下)-透明導電膜(上)之層積試料時的指標，此外，也可成為採用在鋁合金膜上之一部份，介著高融點金屬膜形成透明導電膜之鋁(下)-高融點金屬膜(中間)-透明導電膜(上)之層積試料時的指標(層積試料製作方法之詳細，參照後述之實施例)。此類之層積試料方面，在並未形成透明導電膜之鋁合金膜表面會產生腐蝕現象，但根據本發明，並未形成透明導電膜之鋁合金膜之腐蝕面積，相對於鋁合金膜全面積可被抑制在10%以下。或者，對於上述層積試料，作成鋁合金膜與透明導電膜之層積順序顛倒之層積試料，也可成為採用在透明導電膜上直接、只形成鋁合金膜之透明導電膜(下)-鋁(上)之層積試料時之指標，此外，也可成為採用在透明導電膜上依序形成高融點金屬膜及鋁合金膜之透明導電膜(下)-高融點金屬膜(中間)-鋁(上)之層積試料時之指標，此外，也可成為採用依序在透明導電膜上形成鋁合金膜、在鋁合金膜之一部份形成高融點金屬膜之透明導電膜(下)-鋁(中間)-高融點金屬膜(上)之層積試料時之指標(層積試料製作方法之詳細，係參照後述之實施例)，存在於最表面或者高融點金屬膜下之鋁合金膜之腐蝕面積，相對於於鋁合金膜全面積可被抑制在10%以下。即使是任一形態，上述鋁合金膜之腐蝕面積，以能盡量少者為佳，在8%以下較佳，在5%以下者更好。
此外，作為評價耐ITO針孔腐蝕性(ITO針孔腐蝕密度減低效果)之腐蝕試驗，採用在鋁合金膜上直接、層積透明導電膜之鋁(下)-透明導電膜(上)之層積試料，在60℃、相對濕度(RH)為90%之濕潤環境暴露500小時之腐蝕試驗進行後，腐蝕試驗後的針孔腐蝕密度，在1000倍光學顯微鏡觀察視野內(任意10視野)被抑制在40個/mm2 以下(任意10視野之平均值)。又，選擇上述腐蝕試驗之理由，係考慮到直接觀察被形成在透明導電膜之針孔密度、及針孔尺寸(直徑)是有其困難的，作成藉由介著被形成在透明導電膜之針孔使電極配線膜(基底鋁膜)針孔腐蝕並將之可目視化，以TEM觀察其密度、及尺寸。針孔腐蝕密度，在20個/mm2 以下較佳，10個/mm2 以下更佳。又，因為針孔腐蝕即使在適用於突出部(TAB部)之基板也會產生，所以，本發明之TFT基板，在顯示裝置適用於突出部之場合，也可發揮同樣的效果。
本發明，基本上係能夠藉由依序進行下述(a)～(d)工程，作成使透明導電膜(以ITO膜為代表例)與鋁合金膜之電極配線膜直接接觸之配線構造。各工程之條件，特別是在沒有提及之範圍內，依循通常執行條件即可。此外，即使針對該等工程所附隨執行之處理也是依循通常條件即可。
(a)將上述組成之鋁合金膜在基材表面以濺鍍法等形成之工程；
(b)在鋁合金膜上，進行模擬氮化矽(SiN)膜等絕緣層之熱處理之工程；
(c)形成透明導電膜(例如ITO膜)之工程；
(d)執行用以結晶化透明導電膜(例如ITO膜)之熱處理之工程。
針對其中上述(c)，為了更進一步確保良好的耐透明導電膜針孔腐蝕性，最好是增加ITO膜之膜厚，因此，最好是如上述利用濺鍍法形成ITO膜，同時，進行提高ITO膜形成時的成膜力、基板溫度等。因為採用濺鍍靶將ITO膜成膜時，ITO膜從縱剖面來看雖是帶狀地成長，但藉由適切地控制成膜時的濺鍍條件，ITO膜之膜厚會增加的緣故。具體而言，成膜力為約200W/4吋以上較佳(300W/4吋以上更佳)，成膜時基板溫度在50℃以上較佳，在100℃以上更佳，在150℃以上最佳。該等之上限並不特別被限定，但是，考慮到ITO膜之結晶化，成膜時基板溫度之上限最好是在200℃。
針對上述(d)，用以ITO膜結晶化之最佳熱處理條件，係例如在氮氣氛圍下200～250℃、10分鐘以上。
上述(a)～(d)之後，能夠經過顯示裝置之一般工程而製造TFT基板。具體而言，例如，能夠參照前述專利文獻1所記載之製造工程。
又，上述係作成鋁(下)-透明導電膜(上)之配線構造之場合之例子，而在作成透明導電膜(下)-鋁(上)之配線構造之場合，則依序進行以下工程即可，各工程(a’)～(d’)之條件等，係與上述工程(a)～(d)同樣。
(c’)在基材表面形成透明導電膜(例如ITO膜)之工程；
(d’)進行用以結晶化透明導電膜(例如ITO膜)之熱處理之工程；
(a’)以濺鍍法等形成上述組成之鋁合金膜之工程；
(b’)在鋁合金膜上，進行模擬氮化矽(SiN)膜等絕緣層之熱處理之工程。
本發明之鋁合金膜，最好是以濺鍍法採用濺鍍靶(以下，簡稱為「靶」)而形成。因為相較於以離子電鍍法(ion plating)或電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法所形成之薄膜，濺鍍法較能夠容易形成成分或膜厚之膜面內均一性佳的薄膜之緣故。
採用上述濺鍍法形成本發明之鋁合金膜方面，作為上述靶，係與本發明之鋁合金膜相同組成，亦即，最好是採用包含鉭及/或鈦：0.01～0.5原子%、與稀土族元素(最好是從釹、鑭、及釓所構成之群選擇而來之至少一種)：0.05～2.0原子%，而殘部為鋁及不可避免的不純物之鋁合金濺鍍靶，藉此，可得到實質地滿足作成所期望之組成之鋁合金膜。上述組成之靶也被包含在本發明之技術範圍。
上述靶之形狀，係包含因應濺鍍裝置之形狀或構造而加工成任意之形狀(角型板狀、圓形板狀、圓環板狀、圓筒形等)。
作為上述靶之製造方法，可例舉：用溶解鑄造法或粉末燒結法、噴霧成型法(spray foaming)，製造由鋁合金所構成之錠塊(ingot)而得到之方法、或製造由鋁合金所構成之預成型品(得到最終的緻密體前之中間體)後，利用緻密化手段將該預成型品緻密化而得到之方法等。
本發明，亦包含具備上述鋁合金膜之薄膜電晶體(TFT)、反射膜、有機EL用反射陽極電極、觸控面板感測裝置。此外，本發明亦包含具備上述TFT、反射膜、有機EL用反射陽極電極、觸控面板感測裝置之顯示裝置。在該等，除了本發明特徵部分之鋁合金膜之外的其他構成要件，在不損害本發明之作用之範圍內，係能夠斟的選擇採用該技術領域所通常採用者。例如TFT基板所採用之半導體層方面，可例舉多晶矽或者非晶矽(amorphous silicon)。而TFT基板所採用之基板也未受特別限定，可例舉玻璃基板或者矽基板等。
參考之用，而在圖1～圖5顯示具備鋁合金膜之顯示裝置等之構成。其中圖1係顯示具備反射陽極電極之有機EL顯示裝置之構成。詳細而言，在基板1上形成TFT2及鈍化(passivation)膜3，進而在其上形成平坦化層4。在TFT2上形成接觸孔(contact hole)5，介著接觸孔5讓TFT2之源極汲極電極(未圖示)與鋁合金膜6電性地被接續著。圖1中，7係氧化物導電膜、8為有機發光層、9為陰極電極。圖2係顯示具備薄膜電晶體之顯示裝置之構成，在構成源極汲極電極之鋁合金膜上形成ITO膜。圖3係顯示具備反射膜之顯示裝置之構成，在ITO膜上形成鋁合金反射膜。圖4，與圖3同樣，也顯示具備反射膜之顯示裝置之構成，但與圖3相反地，而是在鋁合金反射膜上形成ITO膜。圖5(a)及(b)，係顯示在ITO膜上具備鋁合金配線膜之觸控面板之構成，圖5(a)是在鋁合金配線膜之上下具有多種金屬(varia-metal)膜，圖5(b)則是在鋁合金配線膜之下具有多種金屬膜。
[實施例]
以下，舉出實施例更具體地說明本發明，但，本發明並不受下述實施例所限制，在適合於前‧後述之旨趣可得之範圍內當然可予以變更而實施，而這些也都被包含在本發明之技術範圍。
[實施例1]
本實施例中，作為腐蝕評價用試料，係採用：在基板上將鋁膜成膜之試料(單層試料)，在基板上從基板側依序將鋁膜及ITO膜順次成膜之試料(鋁-ITO層積試料)，在基板上從基板側依序將鋁膜、高融點金屬膜(鉬膜或者鈦膜)、及ITO膜順次成膜之試料(鋁-高融點金屬-ITO層積試料)等，合計4種試料，評價耐氯化鈉溶液腐蝕性。此外，針對鋁-ITO層積試料，評價耐熱性。
(鋁膜單層試料之製作)
將下述表1之No.1～33所示組成之鋁膜(膜厚=300 nm，殘部：鋁及不可避免的不純物)，用DC磁控管(megnetron)‧濺鍍法(條件為：基板=玻璃(Corning公司製「Eagle XG」)、氣體氛圍=氬、壓力=2mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=260W/4吋、成膜時間=100秒)予以成膜。
又，上述鋁膜之各元素之含有量，係利用ICP發光分析(誘導結合電漿發光分析；ICP atomic emission spectrometry)法而求出。
接著，模擬於鋁膜上之絕緣膜(SiN膜)之成膜所受到之熱履歷，藉由實施以270℃保持30分鐘之熱處理而得到基板上將鋁膜成膜之單層試料。將此時之氣體氛圍設成非活性氣體(N2 氛圍)，此外，直到270℃之平均升溫速度設為5℃/min。
參考之用，取代鋁膜而採用鉬(表1之No.34)及鉬-10.0原子%鈮(Nb)合金膜(表1之No.35，殘部：不可避免的不純物)，與上述同樣作法製作試料。
(從基板側依序，鋁-ITO層積試料、或者，鋁-高融點金屬-ITO層積試料之製作)
在此，製作(i)層積試料：在鋁膜上之一部份直接形成ITO膜之鋁(下)-ITO(上)之層積試料，或者，(ii)層積試料：在鋁膜上之一部份介著高融點金屬形成ITO膜之鋁(下)-高融點金屬(中間)-ITO(上)之層積試料。本實施例中，採用鉬或者鈦作為高融點金屬。
首先，針對(i)鋁(下)-ITO(上)之層積試料之製作方法加以說明。採用如上述作法製作出之單層試料，為了在該鋁膜表面，以間隔10μm將寬幅10μm之ITO膜成膜，用光蝕刻法形成由感光性樹脂所構成之抗蝕劑所形成之遮罩圖案。
在其上，依下述條件形成ITO膜(膜厚200nm)。亦即，採用4吋之ITO靶，用DC磁控管‧濺鍍法(氣體氛圍=氬99.2%、氧0.8%之混合氣體、壓力=0.8mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=150W/4吋、成膜時間=33秒)進行ITO膜之成膜。
成膜後，藉由將感光性樹脂所構成之遮罩圖案於丙酮(acetone)溶液中溶解，同時，用剝起法(lift-off)除去樹脂上之ITO膜，以間隔10μm形成寬幅10μm之ITO膜。
其後，藉由在非活性氣體氛圍下(N2 氛圍)以250℃保持15分鐘、使ITO膜結晶化而得到在基板上讓鋁膜(下)及ITO膜(上)依序成膜之上述(i)層積試料。將此時的氣體氛圍設成非活性氣體氛圍(N2 氛圍)，此外，直到250℃之平均升溫速度設為5℃/min。
另一方面，上述(ii)鋁(下)-高融點金屬(中間)-ITO(上)之層積試料，在前述(i)層積試料之製作方法，形成鋁膜之後，在該鋁膜表面，為了讓寬幅12μm之鉬膜或者鈦膜以間隔8μm成膜，用光蝕刻法形成由感光性樹脂所構成之抗蝕劑所形成之遮罩圖案。其上，利用DC磁控管‧濺鍍法(氣體氛圍=氬、壓力=2mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=260W/4吋)讓鉬膜(膜厚50nm)或者鈦膜(膜厚50nm)成膜後，讓由感光性樹脂所構成之遮罩圖案於丙酮溶液中溶解，同時，用剝起法(lift-off)除去樹脂上之鉬膜或者鈦膜，藉此，以間隔8μm形成寬幅12μm之鉬膜或者鈦膜。之後，除了與上述(i)同樣作法讓ITO膜(膜厚200nm)成膜以外，係與上述(i)同樣作法，製作上述(ii)層積試料。
參考之用，取代鋁膜而採用鉬(表1之No.34)及鉬-10.0原子%鈮合金膜(表1之No.35，殘部：不可避免的不純物)，與上述同樣作法製作(i)或者(ii)層積試料。
針對以該作法所得到之各試料，利用下述方法進行氯化鈉溶液腐蝕性試驗，而且，利用以下方法評價耐熱性。
〈氯化鈉水溶液浸漬試驗〉
針對各試料，進行在1%氯化鈉水溶液(25℃)浸漬2小時之試驗，且將浸漬試驗後之各試料表面(單層試料為鋁膜表面；層積試料則是並未形成ITO膜之鋁膜表面)，用光學顯微鏡以倍率1000倍進行3視野觀察(觀察範圍：8600μm2 左右)。耐氯化鈉溶液腐蝕性之判斷，係將腐蝕所造成之變色為鋁膜表面全面積之中10%以下者評價為○、發生超過10%者評價為×。將該等之結果記載於表1。
〈耐熱性試驗〉
針對上述層積試料，測定在ITO膜結晶化熱處理後的鋁膜表面所形成之Hillock密度。詳細而言，用光學顯微鏡，觀察並未形成ITO膜之鋁膜表面(觀察處：任意3處、視野：120×160μm)，且計算直徑0.1μm以上的Hillock之個數(直徑係計量Hillock最長之處)。接著，Hillock密度是將低於1×109 個評價為○、將1×109 個以上評價為×。將該等之結果一併記載於表1(耐熱性)。
表1之No.1～28，係採用滿足本發明要件之鋁合金膜之例，耐氯化鈉溶液腐蝕性優，耐熱性也良好。
相對於此，No.29及30，係不含有本發明規定之鉭及/或鈦之例，因為含有指定量之稀土族元素而耐熱性優，但可看見氯化鈉所造成之腐蝕，並不能確保良好的耐氯化鈉溶液腐蝕性。
另一方面，No.31及32，係不含有稀土族元素之例，因為含有指定量之鉭/鈦所以並未發生由氯化鈉所導致之腐蝕而具有良好的耐氯化鈉溶液腐蝕性，但耐熱性低。
此外，No.33係採用未添加合金元素的純鋁膜之例，由氯化鈉所導致之腐蝕會發生，且，耐熱性也低。
No.34係採用鉬之例，耐熱性良好，但，發生氯化鈉所導致之腐蝕。
No.35，係採用在鉬添加耐蝕性元素鈮之鉬-10.0原子%鈮之例，於單層試料係能夠抑制由氯化鈉所導致之腐蝕，但，於層積試料發生腐蝕，可知不足以使用在顯示裝置用。又，層積試料之耐熱性為良好。
[實施例2]
本實施例中，採用前述實施例1所用的表1的No.1～33所示之鋁膜，製作(iii)層積試料：在基板上，從基板側依序讓ITO膜(下)及鋁膜(上)順次成膜之層積試料(ITO-鋁之層積試料)；(iv)層積試料：在基板上，從基板側依序讓ITO膜(下)、高融點金屬膜(中間、鉬膜或者鈦膜)、及鋁膜(上)順次成膜之層積試料(ITO-高融點金屬-鋁之層積試料)；(v)層積試料：在基板上，從基板側依序讓ITO膜(下)、鋁膜(中間)、及高融點金屬膜(上、鉬膜或者鈦膜)順次成膜之層積試料(ITO-鋁-高融點金屬之層積試料)，與前述實施例1同樣地作法評價耐氯化鈉溶液腐蝕性。
詳細而言，將ITO膜(膜厚200nm)以下述條件形成。亦即，採用4吋之ITO靶，用DC磁控管‧濺鍍法(基板=玻璃(Corning公司製「Eagle XG」)、氣體氛圍=氬99.2%、氧0.8%之混合氣體、壓力=0.8mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=150W/4吋、成膜時間=33秒)進行ITO膜之成膜。
其後，在非活性氣體氛圍下(N2 氛圍)以250℃保持15分鐘、使ITO膜結晶化。將此時的氣體氛圍設成非活性氣體氛圍(N2 氛圍)，此外，直到250℃之平均升溫速度設為5℃/min。
其次，要製作上述(iii)層積試料，係在ITO膜表面，為了將下述表2所示組成之鋁膜(寬幅10μm)以間隔10μm成膜，而用光蝕刻法形成由感光性樹脂所構成之抗蝕劑所形成之遮罩圖案。
在其上，將下述表2所示組成之鋁膜(膜厚300nm)，用DC磁控管‧濺鍍法(氣體氛圍=氬、壓力=2mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=260W/4吋、成膜時間=117秒)進行成膜。
又，上述鋁膜之各元素的含有量，係利用ICP發光分析(誘導結合電漿發光分析)法而求出。
接著，模擬於鋁膜上之絕緣膜(SiN膜)之成膜所受到之熱履歷，藉由實施以270℃保持30分鐘之熱處理而得到在基板上將ITO膜及鋁合金膜或者鉬合金膜成膜之ITO(下)-鋁(上)之上述(iii)層積試料。將此時之氣體氛圍設成非活性氣體(N2 氛圍)，此外，直到270℃之平均升溫速度設為5℃/min。
此外，要製作上述(iv)層積試料，係在ITO膜上形成高融點金屬膜(鉬或者鈦)後，為了製作使鋁膜層積之ITO(下)-高融點金屬(中間)-鋁(上)之層積試料，在ITO膜表面，為了將高融點金屬膜(鉬或者鈦)(寬幅12μm)以間隔8μm成膜，而用光蝕刻法形成由感光性樹脂所構成之抗蝕劑所形成之遮罩圖案。其上，將高融點金屬膜(鉬或者鈦)(膜厚50nm)，利用DC磁控管‧濺鍍法(氣體氛圍=氬、壓力=2mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=260W/4吋)進行成膜後，讓由感光性樹脂所構成之遮罩圖案於丙酮溶液中溶解，同時，用剝起法除去樹脂上之高融點金屬膜(鉬或者鈦)，藉此，以間隔8μm形成寬幅12μm之高融點金屬膜(鉬或者鈦)。然後，在高融點金屬膜(鉬或者鈦)表面，為了將下述表2所示組成之鋁膜(寬幅10μm)以間隔10μm成膜，而用光蝕刻法形成由感光性樹脂所構成之抗蝕劑所形成之遮罩圖案。在其上，將下述表2所示組成之鋁膜(膜厚300nm)，利用DC磁控管‧濺鍍法(氣體氛圍=氬、壓力=2mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=260W/4吋、成膜時間=117秒)進行成膜。藉由將感光性樹脂所構成之遮罩圖案於丙酮溶液中溶解，同時，用剝起法除去樹脂上之下述表2所示組成之鋁膜，以間隔10μm形成寬幅10μm之下述表2所示組成之鋁膜，得到上述(iv)層積試料。
此外，要製作上述(v)層積試料，係在ITO膜上形成鋁膜後，為了製作使高融點金屬膜(鉬或者鈦)層積之ITO(下)-鋁(中間)-高融點金屬(上)之層積試料，在ITO膜表面，為了將下述表2所示組成之鋁膜(寬幅12μm)以間隔8μm成膜，而用光蝕刻法形成由感光性樹脂所構成之抗蝕劑所形成之遮罩圖案。其上，將下述表2所示組成之鋁膜(膜厚300nm)，利用DC磁控管‧濺鍍法(氣體氛圍=氬、壓力=2mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=260W/4吋)進行成膜後，讓由感光性樹脂所構成之遮罩圖案於丙酮溶液中溶解，同時，用剝起法除去樹脂上之下述表2所示組成之鋁膜，藉此，以間隔8μm形成寬幅12μm之下述表2所示組成之鋁膜。然後，在下述表2所示組成之鋁膜表面，為了將高融點金屬膜(鉬膜或者鈦膜)(寬幅10μm)以間隔10μm成膜，而用光蝕刻法形成由感光性樹脂所構成之抗蝕劑所形成之遮罩圖案。在其上，將高融點金屬膜(鉬膜或者鈦膜)(膜厚300nm)，利用DC磁控管‧濺鍍法(氣體氛圍=氬、壓力=2mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=260W/4吋)進行成膜。藉由將感光性樹脂所構成之遮罩圖案於丙酮溶液中溶解，同時，用剝起法除去樹脂上之高融點金屬膜(鉬膜或者鈦膜)，以間隔10μm形成寬幅10μm之高融點金屬膜(鉬膜或者鈦膜)，得到上述(v)層積試料。
參考之用，取代鋁膜而採用鉬(表2之No.34)及鉬-10.0原子%鈮合金膜(表2之No.35，殘部：不可避免的不純物)，與上述同樣作法製作(iii)或者(v)層積試料。
針對以該作法所得到之各層積試料，與前述實施例1同樣作法評價耐氯化鈉溶液腐蝕性。將該等之結果記載於表2。
由表2，得到與採用表1之層積試料時完全相同的結果。亦即，在ITO膜上直接形成鋁合金膜之上述(iii)層積試料、在ITO膜上順次形成高融點金屬及鋁合金膜之上述(iv)層積試料、在ITO膜上順次形成鋁合金膜及高融點金屬膜(鉬膜或者鈦膜)之上述(v)層積試料，等任何一種層積試料，採用本發明的鋁合金膜之表1之No.1～28，可得到優異的耐氯化鈉溶液腐蝕性，相對地，採用不滿足本發明規定之組成之鋁合金膜之No.29～30，或取代鋁膜合金膜而採用鉬膜之No.34或採用鉬合金膜之No.35，上述耐腐蝕性低。
[實施例3]
本實施例中，採用前述實施例1所用之表1之No.1～33所示之鋁膜，製作在基板上讓鋁膜及ITO膜依序成膜之層積試料(鋁-ITO)並調查耐ITO針孔腐蝕性(ITO針孔腐蝕密度減低效果)。
詳細而言，將下述表3所示組成之鋁膜(膜厚=300nm、殘部：鋁及不可避免的不純物)，利用DC磁控管‧濺鍍法(條件為：基板=玻璃(Corning公司製「Eagle XG」)、氣體氛圍=氬、壓力=2mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=260W/4吋、成膜時間=100秒)予以成膜。
又，上述鋁膜之各元素之含有量，係利用ICP發光分析(誘導結合電漿發光分析)法而求出。
接著，模擬於鋁膜上之絕緣膜(SiN膜)之成膜所受到之熱履歷，實施以270℃保持30分鐘之熱處理。將此時之氣體氛圍設成非活性氣體(N2 氛圍)，此外，直到270℃之平均升溫速度設為5℃/min。
其次，在以該作法被熱處理之鋁膜表面，依下述條件形成ITO膜。亦即，採用4吋之ITO靶，利用DC磁控管‧濺鍍法(氣體氛圍=氬99.2%、氧0.8%之混合氣體、壓力=0.8mTorr、基板溫度=25℃、靶尺寸=4吋、成膜力=150W/4吋、成膜時間=33秒)進行ITO膜之成膜。
成膜後，在非活性氣體氛圍下(N2 氛圍)以250℃保持15分鐘、使ITO膜結晶化。將此時的氣體氛圍設成非活性氣體氛圍(N2 氛圍)，此外，直到250℃之平均升溫速度設為5℃/min。
針對所得到之各試料，利用下述方法進行針孔腐蝕試驗，調查試驗後之ITO針孔腐蝕密度，而且，利用前述方法評價耐熱性。
〈針孔腐蝕試驗〉
針對各試料，模擬如上述之輸送‧保管狀態，進行曝露在60℃×90%RH之濕潤環境500小時之針孔腐蝕試驗，將該試驗後之表面，用光學顯微鏡以倍率1000倍進行觀察(觀察範圍：8600μm2 左右)，計算所存在之黑點數並算出每1mm2 之個數(任意10視野之平均值)，求出試驗後之黑點密度(ITO針孔腐蝕密度)，一併記載於表3。
然後，將上述黑點密度在40個/mm2 以下之場合，評價為ITO膜的針孔發生被抑制，且針孔腐蝕可充分被抑制；將上述黑點密度超過40個/mm2 之場合，評價為在ITO膜產生多個針孔，於腐蝕試驗發生針孔腐蝕。
由表3，能夠以下述方式考察研究。
表3之No.1～28，係採用滿足本發明要件之鋁合金膜之例，因上述針孔腐蝕試驗之針孔腐蝕的發生充分被抑制，而且，耐熱性也良好。
相對於此，，No.29及30，係不含有鉭及/或鈦之例，因為含有指定量之稀土族元素而耐熱性優，但無法讓ITO針孔腐蝕密度減低至期望水準。
另一方面，No.31及32，係不含有稀土族元素之例，因為含有指定量之鉭/鈦所以針孔腐蝕之發生可充分被抑制，但耐熱性低。
此外，No.33係採用未添加合金元素的純鋁膜之例，針孔腐蝕密度高，且，耐熱性也低。
詳細地參照本申請案或特定之實施形態並加以說明，但，業者在不逸脫本發明的精神與範圍下當然可得想到各種變更或修正。
本申請案係根據先行申請之日本專利申請案主張優先權，申請號為2010-222005，申請日為2010年9月30日，申請號為2011-127711，申請日為2011年6月7日，本案藉由參照而併入該案所有內容。
[產業上之利用可能性]
根據本發明，即使不設置如從前所謂的腐蝕防止用塗料之塗佈或剝離之工程，也能夠以較低成本製造沒有腐蝕發生、耐蝕性優，而且耐熱性也良好之高性能的鋁合金膜、及具備該鋁合金膜之配線構造、薄膜電晶體、反射膜、有機EL用反射陽極電極、觸控面板感測裝置、顯示裝置。此外，本發明之濺鍍靶，係適合被採用於上述鋁合金膜之製造。
1．．．基板
2．．．TFT
3．．．鈍化(passivation)膜
4．．．平坦化層
5．．．接觸孔(contact: hole)
6．．．鋁合金膜
7．．．氧化物導電膜
8．．．有機發光層
9．．．陰極電極
圖1係顯示具備反射陽極電極之有機EL顯示裝置之構成圖。
圖2係顯示具備薄膜電晶體之顯示裝置之構成圖。
圖3係圖示具備反射膜之顯示裝置之構成(ITO膜上有Al合金反射膜)。
圖4係圖示具備反射膜之顯示裝置之構成(Al合金反射膜上有ITO膜)。
圖5(a)及(b)係顯示ITO膜上具備Al合金配線膜之觸控面板之構成圖；圖5(a)係在Al合金配線膜之上下具有多種金屬(varia-metal)膜，圖5(b)則是在Al合金配線膜之下具有多種金屬膜。

Claims (19)

  1. 一種鋁(Al)合金膜，使用於配線膜或者反射膜之鋁合金膜，其特徵係：含有鉭(Ta)及/或鈦(Ti)：0.01~0.5原子%、與稀土族元素：0.05~2.0原子%；在將前述鋁合金膜浸漬於25℃之1%氯化鈉2小時後，藉1000倍之光學顯微鏡觀察前述鋁合金膜表面之後，相對於鋁合金膜表面全面積，鋁合金膜表面之腐蝕面積可被抑制在10%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之鋁合金膜，其中，前述稀土族元素，係從釹(Nd)、鑭(La)、及釓(Gd)所構成之群組選擇而來之至少1種元素。
  3. 一種配線構造，具有基板、申請專利範圍第1或2項記載之鋁合金膜、透明導電膜之配線構造，其特徵係從基板側，讓前述鋁合金膜及前述透明導電膜依此順序而被形成，或者，讓前述透明導電膜及前述鋁合金膜依此順序而被形成。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之配線構造，其中，前述鋁合金膜與前述透明導電膜係被直接接續著。
  5. 如申請專利範圍第3項記載之配線構造，其中，從基板側，讓前述鋁合金膜及前述透明導電膜依此順序而被形成，在前述鋁合金膜上之一部份，介著直接或者高融點金屬膜，針對被形成前述透明導電膜之Al-透明導電膜之層積試料，將在浸漬於25℃之1%氯化鈉水溶液2 小時後之，並未形成透明導電膜之鋁合金膜表面，藉1000倍之光學顯微鏡觀察之後，相對於並未形成前述透明導電膜之鋁合金膜表面全面積，前述鋁合金膜表面之腐蝕面積係可被抑制在10%以下。
  6. 如申請專利範圍第3項記載之配線構造，其中，從基板側，讓前述透明導電膜及前述鋁合金膜依此順序而被形成，在前述透明導電膜上，介著直接或者高融點金屬膜，形成前述鋁合金膜；或者，在前述透明導電膜上，形成前述鋁合金膜，並且，針對在前述鋁合金膜上之一部份依序被形成高融點金屬膜之透明導電膜-鋁之層積試料，將在浸漬於25℃之1%氯化鈉水溶液2小時後之前述鋁合金膜表面，藉1000倍之光學顯微鏡觀察之後，相對於前述鋁合金膜表面全面積，前述鋁合金膜表面之腐蝕面積係可被抑制在10%以下。
  7. 如申請專利範圍第3項記載之配線構造，其中，從基板側，讓前述鋁合金膜及前述透明導電膜依此順序而被形成，針對在前述鋁合金膜上直接形成透明導電膜之鋁-透明導電膜之層積試料，在60℃、相對濕度為90%之濕潤環境暴露500小時之後透明導電膜中的介著針孔(pinhole)而被形成之針孔腐蝕密度，在1000倍光學顯微鏡觀察視野內，為40個/mm2 以下。
  8. 如申請專利範圍第3項記載之配線構造，其中，前述透明導電膜為ITO或者IZO。
  9. 如申請專利範圍第3項記載之配線構造，其中， 前述透明導電膜之膜厚係20~120nm。
  10. 一種薄膜電晶體，其特徵係具備如申請專利範圍第3項記載之配線構造。
  11. 一種反射膜，其特徵係具備如申請專利範圍第3項記載之配線構造。
  12. 一種有機EL用反射陽極電極，其特徵係具備如申請專利範圍第3項記載之配線構造。
  13. 一種觸控面板感測裝置(touch panel sensor)，其特徵係具備如申請專利範圍第1或2項記載之鋁合金膜。
  14. 一種顯示裝置，其特徵係具備如申請專利範圍第10項記載之薄膜電晶體。
  15. 一種顯示裝置，其特徵係具備如申請專利範圍第11項記載之反射膜。
  16. 一種顯示裝置，其特徵係具備如申請專利範圍第12項記載之有機EL用反射陽極電極。
  17. 一種顯示裝置，其特徵係具備如申請專利範圍第13項記載之觸控面板感測裝置。
  18. 一種濺鍍靶(sputtering target)，使用於製造顯示裝置用之配線膜或反射膜、或者觸控面板感測裝置用之配線膜之濺鍍靶，其特徵係含有鉭及/或鈦：0.01~0.5原子%、與稀土族元素： 0.05~2.0原子%；殘部為鋁及不可避免的不純物。
  19. 如申請專利範圍第18項記載之濺鍍靶，其中，前述稀土族元素，係從釹、鑭、及釓所構成之群組選擇而來之至少1種元素。
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