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TWI450286B - 基板內藏用電子零件及零件內藏型基板 - Google Patents

基板內藏用電子零件及零件內藏型基板 Download PDF

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TWI450286B
TWI450286B TW100116557A TW100116557A TWI450286B TW I450286 B TWI450286 B TW I450286B TW 100116557 A TW100116557 A TW 100116557A TW 100116557 A TW100116557 A TW 100116557A TW I450286 B TWI450286 B TW I450286B
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embedded
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TW100116557A
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TW201207871A (en
Inventor
宮崎政志
杉山裕一
濱田芳樹
秦豐
橫田英樹
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太陽誘電股份有限公司
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Publication date
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Description

基板內藏用電子零件及零件內藏型基板
本發明係關於一種基板內藏用電子零件及零件內藏型基板,尤其是關於一種基板內藏用之電感器元件及內藏有該電感器元件之零件內藏型基板。
近年來,各種電子機器之小型‧輕量化顯著。其原因在於,電子零件之微小化及其安裝技術之進步,特別大的原因在於,在印刷配線板等電子基板之內部埋入有所需之電子零件之所謂「零件內藏型基板」的技術進步。特別是於基板之厚度內完全埋設有電子零件者藉由使基板表背面平坦化而較大地有助於電子機器之小型輕量化。
亦有時將埋設於零件內藏型基板內之電子零件稱為「基板內藏用電子零件」。基板內藏用電子零件之代表為IC晶片等半導體積體電路、電阻元件及電容元件。然而,於現今,將該等基板內藏用電子零件即半導體積體電路、電阻元件及電容元件完全埋設之極薄之零件內藏型基板得以實用化。
另外,上述例示(基板內藏用電子零件之例)中不包含亦被稱為「電感器元件」或線圈元件者。其原因在於,與半導體積體電路、電阻元件或電容元件相比具有厚度,且於埋入至基板內時,無法使基板減薄,或於埋入至薄型基板內時,電感器元件之一部分於基板之表面或背面突出。
圖20係先前之電感器元件之構造圖。如該圖所示,電感器元件1構成為包含於內部形成有線圈圖案2、3之積層主體部4、及形成於該積層主體部4之兩側端之端子電極5、6,並將端子電極5、6與線圈圖案2、3之間電性連接。
此種零件形狀係以可僅藉由焊接而安裝於印刷基板之表面之方式所製造之電子零件即所謂表面安裝零件之典型。即,印刷基板係已實施電子零件用之配線之基板,於該印刷基板上安裝電子零件之情形時,先前之方法係於基板上開孔並使銷穿通,將所穿通之銷藉由焊接而安裝。然而,由於表面安裝零件之出現,可藉由將電子零件直接焊接於印刷基板之表面而簡單地安裝。由於無需於印刷基板上開孔,故而無需焊接用之導線部分,而且亦可使銷間隔更狹窄,從而可實現小型化‧高密度化。
用作基板內藏用電子零件之電阻元件或電容元件亦具有與該電感器元件相同之外觀構造即表面安裝零件之形狀,但與電感器元件相比厚度較薄,因此埋入至基板內時亦不會導致基板之厚度增加等不良。然而,由於電感器元件之厚度厚於電阻元件等,故而於維持先前之表面安裝零件之形態下無法使基板減薄,因此尋求某些對策。(參照圖20(c)之符號H)
該背景下,於下述專利文獻1中記載有於基板內製作線圈之技術,又,於下述專利文獻2中記載有有助於低背化之平面型電感器之技術。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4112914號公報
[專利文獻2]日本專利第3540733號公報
然而,專利文獻1所記載之技術係於印刷配線板之內部製作線圈之技術,總之,並非將完成品之電子零件即電感器元件埋入至基板內之技術。因此,即便使線圈低背化而可對基板之薄型化作出貢獻,但線圈製作之好與否會直接關係到基板之良率,就成本方面而言不佳。
又,專利文獻2所記載之技術中,完全沒有關於電極構造之揭示,自然會理解為與先前相同之電極構造(參照圖20),因此無法消除上述不良,即厚度較厚而無法使基板減薄之課題。
因此,本發明提供一種使厚度減薄之基板內藏用電子零件及零件內藏型基板。
第1型態之發明係一種基板內藏用電子零件,其包含:一對磁性體層;平面型線圈,其配設於上述一對磁性體層之間;及複數個絕緣體層,其以位於上述一對磁性體層間且夾著上述平面型線圈之兩面之方式而配設;上述平面型線圈係於至少一終端設置有端子電極,進而於上述磁性體層上,在與上述一端子電極之位置相當之部位設置有孔、開口或缺損部。
第2型態之發明為如第1型態之基板內藏用電子零件,其 中上述磁性體層具有矩形狀平面,並且上述平面型線圈之上述一端子電極係以位於與上述磁性體層之角隅部相當之位置之方式而形成。
第3型態之發明為如第1型態之基板內藏用電子零件,其中上述端子電極係形成於上述平面型線圈之兩端,並且亦形成於上述平面型線圈之兩端間之1個或複數個任意位置。
第4型態之發明為如第1型態之基板內藏用電子零件,其中上述磁性體層之上述孔、開口或缺損部係具有與上述平面型線圈之端子電極之大小大致相當或較其小之開口面積。
第5型態之發明為如第1型態之基板內藏用電子零件,其中為了經由上述孔、開口或缺損部而引出上述端子電極,於上述絕緣體層之相當之位置設置有孔或開口。
第6型態之發明為如第1型態之基板內藏用電子零件,其中上述平面型線圈係由第1平面型線圈與第2平面型線圈構成,上述第1平面型線圈與上述第2平面型線圈係串列連接,上述第1平面型線圈之一端子電極與上述第2平面型線圈之一端子電極係配設於上述絕緣體層為矩形狀且與上述絕緣體層之一邊側之不同之角隅部相當的位置。
第7型態之發明為如第6型態之基板內藏用電子零件,其中上述端子電極中之一端子電極係位於與上述絕緣體層之角隅部相當之位置,另一端子電極係配設於與上述絕緣體層之中心部側相當之位置。
第8型態之發明為如第7型態之基板內藏用電子零件,其 中上述第1平面型線圈與上述第2平面型線圈之串列連接係將配設於與上述第1平面型線圈及上述第2平面型線圈之中心部側相當之位置之端子電極彼此經由設置於該等間之絕緣體層之表背貫通電極而進行。
第9型態之發明為如第6型態或第7型態之基板內藏用電子零件,其中上述第1平面型線圈之一端子電極與上述第2平面型線圈之一端子電極係配設於與上述絕緣體層之一邊側中相異平面之左右分離之位置相當的角隅部。
第10型態之發明為如第6型態之基板內藏用電子零件,其中上述第1平面型線圈之一端子電極與上述第2平面型線圈之一端子電極中,於與上述絕緣體層之一邊側相當之不同之角隅部分別設置有未與平面型線圈連接之端子電極,上述第1平面型線圈之一端子電極與於上述第2平面型線圈側所設置之上述未連接之端子電極係經由設置於絕緣體層之表背貫通電極而連接,上述第2平面型線圈之一端子電極與於上述第1平面型線圈側所設置之上述未連接之端子電極係經由設置於絕緣體層之表背貫通電極而連接。
第11型態之發明係一種零件內藏型基板,其係埋設如第1型態之基板內藏用電子零件,並且藉由上述基板內藏用電子零件之上述孔、開口或缺損部而於上述絕緣體層形成孔或開口之後,形成導電性材料,經由上述導電性材料而使上述基板內藏用電子零件之端子電極與設置於基板側之電極導通。
根據本發明,可提供一種使厚度減薄之基板內藏用電子零件及零件內藏型基板,其藉由電子機器之小型.輕量化而作出貢獻。
以下,一面參照圖式,一面說明本發明之實施形態。
<基板內藏用電子零件>
圖1係實施形態之基板內藏用電子零件之外觀立體圖。該基板內藏用電子零件100係於隔開特定間隔而對向之一對磁性體層101、102之間夾入有3層絕緣樹脂層,即,中間絕緣樹脂層103、上部絕緣樹脂層104、及下部絕緣樹脂層105,且於上部及下部之絕緣樹脂層104、105分別形成有下述之平面型線圈的電感器元件。該構成係於上表面側之磁性體層101之「特定位置」設置電極取出用之圓形狀之孔106、107,並且於下表面側之磁性體層102之「特定位置」亦設置相同的電極取出用之圓形狀之孔108、109。關於上述「特定位置」,將於以下敍述。
磁性體層101、102係例如Fe系或Co系之厚度t為18μm之金屬軟磁性箔,中間絕緣樹脂層103、上部絕緣樹脂層104及下部絕緣樹脂層105之任一者均為例如環氧樹脂基底之絕緣材料。或者,關於磁性體層101、102,亦可使用例如厚度為1μm以下之奈米顆粒(nano-granular)膜或鐵氧體鍍敷層等。又,關於中間絕緣樹脂層103、上部絕緣樹脂層104及下部絕緣樹脂層105,可使用與零件內藏基板所使用之絕緣材料相同者,例如加入有織物或填料之絕緣材料。但是,與零件內藏基板用之絕緣材料不同,作為填料,可使用磁性體粉末,例如將金屬磁性體或鐵氧體等磁性體混練於絕緣樹脂中而成者。於該情形時、即於使用將磁性體粉末混練於絕緣樹脂中而成之絕緣樹脂時,可進一步提高電感器元件之特性,而且可使電感器元件更小更薄,因而較佳。
圖2係表示基板內藏用電子零件100之構造之立體圖,為幫助理解,其係表示將各層分離之狀態之分解立體圖。該圖中,形成於中間絕緣樹脂層103之上表面側之第一平面型線圈110、與形成於中間絕緣樹脂層103之下表面側之第二平面型線圈111分別包含各3個電極,即,端子電極112~114與端子電極115~117。
而且,該等端子電極中,端子電極114與端子電極117係位於各自之平面型線圈之中心部側。端子電極112係於圖中位於中間絕緣樹脂層103之一邊側之左側,端子電極113位於右側。端子電極116位於中間絕緣樹脂層103之一邊側之右側,端子電極115位於左側。端子電極113與端子電極115分別未與平面型線圈連接。端子電極112與端子電極115係隔著中間絕緣樹脂層103而上下對向。又,端子電極113與端子電極116係隔著中間絕緣樹脂層103而上下對向。端子電極114與端子電極117係隔著中間絕緣樹脂層103而上下對向。
該等端子電極112~117中,將對向之端子電極彼此經由形成於中間絕緣樹脂層103之3個表背貫通電極118~120而電性連接。具體而言,將端子電極112與端子電極115經由表背貫通電極118而連接,又,將端子電極113與端子電極116經由表背貫通電極119而連接,進而,將端子電極114與端子電極117經由表背貫通電極120而連接。
各個端子電極112~117係於圖中較大地圖示出,但為了增多平面型線圈110、111之圈數,其等只要為發揮作為端子電極之作用之大小即可,較佳為儘可能小的面積。端子電極113與端子電極115係作為上下對向之引出用端子電極之中繼端子電極而使用。
第一平面型線圈110係於以特定圈數捲繞之平面狀之線圈圖案之兩端連接有兩個端子電極112、114者,同樣地,第二平面型線圈111亦係於以特定圈數捲繞之平面狀之線圈圖案之兩端連接有兩個端子電極116、117者。
如上所述,端子電極112與端子電極115之間、端子電極113與端子電極116之間、及電極114與電極117之間被連接,因此該等一對線圈、即第一平面型線圈110與第二平面型線圈111構成將一引出電極設為「端子電極112或端子電極115」、並且將另一引出電極設為「端子電極113或端子電極116」之兩面引出型之電感器(線圈)。
此處,一對平面型線圈110、111(包含端子電極112~117)係如上所述,分別形成於中間絕緣樹脂層103之上表面側與下表面側,並且於該等一對平面型線圈110、111(包含端子電極112~117)與磁性體層101、102之間介裝有上部絕緣樹脂層104與下部絕緣樹脂層105。而且,由於中間絕緣樹脂層103與上部絕緣樹脂層104及下部絕緣樹脂層105之任一者均為「絕緣體」,因此一對平面型線圈110、111(包含端子電極112~117)受到絕緣體保護,而未露出於環境中(空氣中)。因此,各絕緣樹脂層103~105亦具有有利於防止端子電極112~117之氧化之優點。
根據該圖可理解,於上表面側之磁性體層101所形成之孔106、107及於下表面側之磁性體層102所形成之孔108、109係分別與第一平面型線圈110之兩端引出用之端子電極112、113及第二平面型線圈111之兩端引出用之端子電極115、116對向。具體而言,孔106、108與端子電極112、115對向,且孔107、109與端子電極113、116對向。本說明書中,將此種處於對向關係之位置稱為「特定位置」。
圖3係基板內藏用電子零件100之平面圖,(a)係自上俯瞰磁性體層101之圖,(b)係去除磁性體層101,使其下之上部絕緣樹脂層104露出並自上俯瞰之圖。(c)係去除磁性體層101與上部及中間絕緣樹脂層103、104,使其下之下部絕緣樹脂層105露出並自上俯瞰之圖。(d)係去除磁性體層101與上部、中間及下部絕緣樹脂層103~105,使其下之磁性體層102露出並自上俯瞰之圖。
根據該等圖亦可理解,實施形態之基板內藏用電子零件100係於兩個平面型線圈110、111之兩端形成有矩形狀之電極112、113、115、116,並且於磁性體層101、102上形成有孔106、107、108、109,且使該等電極112、113、115、116與孔106、107、108、109於特定位置對向。
平面型線圈110、111係例如藉由鍍Cu,以L/S為90/30μm、厚度t為25μm、圈數為7、大小為「2520尺寸」而形成。
圖4係基板內藏用電子零件100之剖面圖,(a)表示圖3之A-A剖面,(b)表示圖3之B-B剖面,(c)表示圖3之C-C剖面,(d)表示圖3之D-D剖面,(e)表示圖3之E-E剖面。
如該等圖所示,實施形態之基板內藏用電子零件100中,與平面型線圈110、111之電極112、113、115、116對向地形成有電極取出用之孔106、107、108、109。
此處,將實施形態之基板內藏用電子零件100與先前之者進行對比。為方便起見,將先前例設為圖20之電感器元件1,則與該先前例之電感器元件1之端子電極5、6相當之部分於實施形態之基板內藏用電子零件100中並不存在。其原因在於,將電極取出用之孔106、107、108、109形成於磁性體層101、102,從而無需如先前般之端子電極5、6。
而且,如開頭所說明,先前例之缺點(具有厚度)起因於該端子電極5、6之厚度,因此無需該端子電極5、6之實施形態之基板內藏用電子零件100可獲得如下特別之效果:當然可減薄與端子電極5、6之厚度相當之厚度,特別於埋入至零件內藏型基板內之情形時可謀求基板之薄型化。又,平板型線圈110、111之端子電極112~117係藉由絕緣樹脂層夾著,由於進行電性連接(將電極露出)之前未露出於空氣中,可不必對端子電極進行鍍金或銲錫等電極保護處理。又,可長期保存等,經濟上之效果亦大。
圖5係表示實施形態之基板內藏用電子零件100之大小與厚度之圖。基板內藏用電子零件100之大小為米粒大之微細之大小,例如約2.5mm×2.0mm。(a)中為了顯示具體之大小而與日本1元硬幣相比,又,(b)中同樣為了表示具體之厚度而與日本1元硬幣之厚度(約1.5 mm)相比。基板內藏用電子零件100之厚度為約150 μm。根據該等比較例亦可理解,實施形態之基板內藏用電子零件100之大小及厚度均為極微細者,因此特別於埋入至零件內藏型基板內之情形時,可對基板之薄型化作出較大貢獻。
此外,將於與平面型線圈110、111之端子電極112、113、115、116對向之位置(特定位置)所形成之孔106、107、108、109儘量形成為較小的開口。藉此,可將端子電極112、113、115、116之大小亦設為所需最小限度,藉此可減少平面型線圈110、111中所占之端子電極112、113、115、116之面積比例而獲得較高之電感。
又,將於內部形成有預先獲得充分之電氣性能之平面型線圈110、111之電感器元件、即基板內藏用電子零件100作為「零件」而製作,並將該零件埋入至基板內,因此無將不良品之電感器元件埋入至基板內之虞,從而電感元件製作之好與否不會影響基板之良率。
再者,於以上例中,如圖3所示,於兩個平面型線圈110、111之兩端形成矩形狀之電極112、113、115、116。與此同時,於與該等電極112、113、115、116對向之位置(特定位置),形成有孔106、107、108、109,但並不限定於此。例如,亦可以如下方式變形。
圖6係第1變形例之基板內藏用電子零件200之平面圖。(a)係自上俯瞰磁性體層201(與圖3之磁性體層101相當)之圖。(b)係去除磁性體層201,使其下之上部絕緣樹脂層204(與圖3之上部絕緣樹脂層104相當)露出並自上俯瞰之圖。(c)係去除磁性體層201與上部絕緣體層204及中間絕緣樹脂層(與圖3之中間絕緣樹脂層103相當),使其下之下部絕緣樹脂層205(與圖3之下部絕緣樹脂層105相當)露出並自上俯瞰之圖。(d)係去除磁性體層201與上部、中間絕緣樹脂層及下部絕緣樹脂層205,使其下之磁性體層202(與圖3之磁性體層102相當)露出並自上俯瞰之圖。
如該等圖所示,第1變形例之基板內藏用電子零件200中,於上部及下部之絕緣樹脂層204、205形成有環狀之平面型線圈206、207,並於該等兩個平面型線圈206、207之兩端形成有三角形狀之電極208、209、210。與此同時,於與該等端子電極208、209、210對向之位置(特定位置),形成有磁性體層201之孔211、212。
以此方式,亦可無需先前例之端子電極5、6,從而於埋入至零件內藏型基板內之情形時可謀求基板之薄型化。
又,將三角形狀之端子電極208、209、210配置於上部與下部之絕緣樹脂層204、205之角隅,因此不會產生面積之浪費。
圖7係第2變形例之基板內藏用電子零件300之平面圖。(a)係自上俯瞰磁性體層301(與圖3之磁性體層101相當)之圖。(b)係去除磁性體層301,使其下之上部絕緣樹脂層304(與圖3之上部絕緣樹脂層104相當)露出並自上俯瞰之圖。(c)係去除磁性體層301與上部絕緣體層304及中間絕緣樹脂層(與圖3之中間絕緣樹脂層103相當),使其下之下部絕緣樹脂層305(與圖3之下部絕緣樹脂層105相當)露出並自上俯瞰之圖。(d)係去除磁性體層301與上部、中間絕緣樹脂層及下部絕緣樹脂層305,使其下之磁性體層302(與圖3之磁性體層102相當)露出並自上俯瞰之圖。
如該等圖所示,第2變形例之基板內藏用電子零件300中,於上部及下部之絕緣樹脂層304、305形成有環狀之平面型線圈306、307,並於該等兩個平面型線圈306、307之兩端形成有矩形狀之電極308、309。與此同時,於該等兩個平面型線圈306、307之中途重要之部位亦形成有矩形狀之電極310、311、312,進而,於與該等電極308、309、310、311、312對向之位置(特定位置),形成有磁性體層301之孔313、314、315、316、317。
以此方式,亦可無需先前例之端子電極5、6,從而於埋入至零件內藏型基板內之情形時可謀求基板之薄型化。
又,於平面型線圈306、307之中途重要之部位亦形成有端子電極310、311、312。因此,視需要藉由選擇性地利用該等端子電極310、311、312,可進行電感之微調整。
圖8係第3變形例之基板內藏用電子零件400之平面圖。(a)係自上俯瞰磁性體層401(與圖3之磁性體層101相當)之圖。(b)係去除磁性體層401,使其下之上部絕緣樹脂層404(與圖3之上部絕緣樹脂層104相當)露出並自上俯瞰之圖。(c)係去除磁性體層401與上部絕緣體層404及中間絕緣樹脂層(與圖3之中間絕緣樹脂層103相當),使其下之下部絕緣樹脂層405(與圖3之下部絕緣樹脂層105相當)露出並自上俯瞰之圖。(d)係去除磁性體層401與上部、中間絕緣樹脂層及下部絕緣樹脂層405,使其下之磁性體層402(與圖3之磁性體層102相當)露出並自上俯瞰之圖。
如該等圖所示,第3變形例之基板內藏用電子零件400中,於上部及下部之絕緣樹脂層404、405,形成有環狀之平面型線圈406、407,並於該等兩個平面型線圈406、407之兩端形成有矩形狀之電極408、409。與此同時,於與該等端子電極408、409對向之位置(特定位置),形成有磁性體層301之矩形窗410。
以此方式,亦可無需先前例之端子電極5、6,從而於埋入至零件內藏型基板內之情形時可謀求基板之薄型化。
又,使端子電極408、409之大部分對準矩形窗410之大小後露出,因此可增加與端子電極408、409之連接面積,且可降低連接電阻。
再者,於以上例中,於磁性體層101、102、201、301開設圓形狀之孔106~109、211、212、313、314、315、316、317(圖1、圖6、圖7之例),或者於磁性體層301開設矩形窗410(圖8之例)。然而,並不限定於此。例如,亦可以如下方式進行設置。
圖9係表示基板內藏用電子零件之其他構造例之圖。再者,對於與圖1共同之構成要素附上相同之符號。如該圖之(a)所示,基板內藏用電子零件100a係於隔開特定間隔而對向之一對磁性體層101a、102a之間夾入3層絕緣樹脂層,即,中間絕緣樹脂層103、上部絕緣樹脂層104、及下部絕緣樹脂層105,而且於上部及下部之絕緣樹脂層104、105分別形成有平面型線圈(參照圖3之符號110、111)之電感器元件,該構成中,切下上表面側之磁性體層101a與下表面側之磁性體層102a之一部分,將該切下部分作為缺損部121、122。此處,一般而言之「切下」係指切除對象物之一部分,但此處不採用此種狹隘之解釋。其不僅指切除,亦包含以預先不含有缺損部121、122之形狀形成磁性體層101a、102a之態樣。
以此方式,亦可使平面型線圈之電極112、113自形成於磁性體層101a、102a之缺損部121、122露出。又,於該情形時,缺損部121、122之位置(特定位置)亦成為與平面型線圈之電極112、113對向之位置。
又,該例中,形成為帶狀之缺損部121、122,但並不限於此,例如該圖之(b)所示之基板內藏用電子零件100b般,亦可形成為切下磁性體層101b、102b之角部之矩形狀之缺損部123~126。同樣地,可使平面線圈之電極112、113自形成於磁性體層101b、102b之缺損部123~126露出。缺損部123~126亦可為矩形以外之形狀。例如,亦可為圓形狀或橢圓狀或U字狀等任意之形狀。只要適當選擇易製作之形狀即可。於該情形時,缺損部123~126之位置(特定位置)亦成為與平面型線圈之電極112、113對向之位置。
又,該圖之(a)、(b)中,較理想的是將缺損部121、122、123~126之上部絕緣樹脂層104與下部絕緣樹脂層105不予去除而原樣保留。其原因在於,可由上部絕緣樹脂層104與下部絕緣樹脂層105保護電極112、113,使其不接觸空氣,從而可防止例如對基板內藏用電子零件100a、100b進行長期保管時之劣化。另外,此種考慮方法(電極112、113之保護)當然亦可應用於先前說明之圖1之構造,即,於上表面側之磁性體層101與下表面側之磁性體層102開設有電極取出用之圓形狀之孔106、107者。
<零件內藏型基板/第1例>
其次,對內藏有以上說明之基板內藏用電子零件100、100a、100b、200、300、400之任一者之零件內藏型基板進行說明。
圖10~圖12係零件內藏型基板之製造步驟圖。
[第1步驟]……圖10(a)
首先,準備基底構件(以下,稱為核心基板10)。該核心基板10係成為零件內藏型基板之骨架。可使用例如銅等金屬、樹脂或陶瓷等,於使用銅等金屬之情形時,可取得電氣屏蔽效果,故而較佳。核心基板10之厚度設為可將下述基板內藏用電子零件,即,半導體積體電路、電感器元件及電阻元件以及電容元件等中之厚度最大之零件充分埋入之程度。
於使用金屬作為核心基材10之情形時,易使用銅、金、銀等貴金屬或鐵、鐵合金、Ni系合金等。又,於樹脂之情形時,可使用環氧樹脂或聚醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、熱硬化性聚烯烴樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂等熱硬化性樹脂;或液晶聚合物或聚醚醚酮、聚苯硫醚等熱塑性樹脂等。進而,亦可使用使該等樹脂含浸於玻璃不織布或樹脂不織布中而成者、或使填料分散而成者。作為填料,可使用例如二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、滑石等金屬氧化物,又,除此之外,亦可使用氫氧化鋁、氫氧化鎂等。進而,作為填料之形狀,可為球狀、破碎、板狀、晶鬚狀、纖維狀等。又,於陶瓷之情形時,可使用氧化鋁等LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics,低溫共燒陶瓷)材料、BT(鈦酸鋇)等電容材料等。
[第2步驟]……圖10(b)
其次,於核心基板10之所需部分開設貫通孔11~14。該等貫通孔11~14係埋入下述基板內藏用電子零件、或作為用以電性連接基板之表背面之連接路徑而使用。此處,就圖式而言將自左端起之三個貫通孔11~13作為零件埋入用,將右端之一個貫通孔14作為連接路徑,但此僅係為了方便圖示。
[第3步驟]……圖10(c)
其次,於核心基板10之單面(圖中為下表面)貼附樹脂薄片15。該樹脂薄片15只要為於樹脂密封後可「剝離」者則較佳,但未必需要進行剝離。關於其素材,只要絕緣性優異,則無特別限定。例如,於樹脂薄片15使用樹脂等柔軟素材之情形時,亦可使用貼合有銅箔等增強薄片者,即,樹脂與銅箔之積層薄片。其次,於貫通孔11~14中之零件埋設用之貫通孔11、12、13之底部、即樹脂薄片15之相對於圖式之上表面,適量塗佈液狀或膜狀等之具有黏著性之零件固定用樹脂16。亦可使用接著劑代替零件固定用樹脂16。
[第4步驟]……圖10(d)
其次,將所需之基板內藏用電子零件、此處為電感器元件17、電阻元件18及半導體積體電路19插入至各自對應之貫通孔11、12、13中,並輕輕按壓於孔內部之樹脂薄片15上,藉此利用塗佈於樹脂薄片15上之零件固定用樹脂16之黏著力而進行預固定。
圖示之基板內藏用電子零件中之「電感器元件17」係本實施形態特有者,即具有用以減薄厚度之構造者,且與先前說明之基板內藏用電子零件100、100a、100b、200、300、400之任一者相當者。再者,亦可將其他基板內藏用電子零件中之電阻元件18另稱為例如電容元件。
[第5步驟]……圖10(e)
其次,將基板內藏用電子零件,例如電感器元件17、電阻元件18及半導體積體電路19等進行密封。該密封係藉由以下方式進行:對具有可充分填充貫通孔11~14之內部容積即除基板內藏用電子零件之體積外之容積之量之厚度的薄片狀之密封樹脂20自基板上表面以特定之力按壓,並以完全堵塞基板內藏用電子零件之周圍間隙之方式使其流動後,施加所需之熱、例如160~200℃左右之熱而使該密封樹脂20硬化。再者,該密封樹脂20亦可使用貼合有銅箔等增強薄片者,即樹脂與銅箔之積層薄片。密封樹脂20所需之功能為低線膨脹與絕緣性。即,為了對空間無間隙地填充,只要具有充分之流動性且具有作為絕緣基板之充分之特性(絕緣性等)即可。因此,密封樹脂既可使用熱硬化性樹脂亦可使用熱塑性樹脂,只要為能以150~400℃左右之熱軟化並密封之絕緣性樹脂即可。進而,於該步驟中之以樹脂完全無間隙地填埋基板內藏用電子零件之周圍時,較佳為設置於電感器元件17上之孔106~109、缺損部121~122或123~124內亦有樹脂進入。
[第6步驟]……圖10(f)
其次,剝離樹脂薄片15。該剝離可藉由例如熱、光、溶解等進行。
再者,樹脂薄片15未必需要進行剝離。其原因在於,第1例之樹脂薄片15之作用在於製作零件埋設用之貫通孔11、12、13之底,即零件固定用樹脂16之塗佈面及電子零件之載置面。而且,電子零件載置後並非必需去除「底」。於不剝離樹脂薄片15之情形時,無需下述之樹脂21、22。即,樹脂薄片15發揮「底」之作用,但若剝離該樹脂薄片15則「底」消失。因此,作為其代替要素,需要下述第7步驟中之樹脂21、22。因此,作為選擇支,有如下兩個:第一,不剝離樹脂薄片15,即,無需下述之樹脂21、22;第二,剝離樹脂薄片15,即,需要下述之樹脂21、22。該第1例中採用第二選擇支即剝離樹脂薄片15,但其係為了方便說明。根據實情,可採用任一者。
[第7步驟]……圖10(g)
其次,於基板之表背面貼附樹脂21、22,例如藉由加熱而使其硬化,形成增層。再者,該等樹脂21、22亦可使用貼合有銅箔等增強薄片23、24者,即樹脂與銅箔之積層薄片。或者,亦可為代替銅箔而貼合有PET膜等樹脂膜者,但該等增強薄片(銅箔或PET等)23、24並非必需。
[第8步驟]……圖11(a)
其次,去除增層之增強薄片23、24後,於重要之部位形成通路25~33及通孔34。此處,通路25、26係對準電感器元件17之端子電極35、36之位置而形成,通路27、28係對準電阻元件18之端子電極37、38之位置而形成,通路29~33係對準半導體積體電路19之端子電極39~43之位置而形成。
該等通路25~33與通孔34之形成可使用雷射進行,例如於增層之樹脂21、22使用光硬化型樹脂之情形時亦可由光微影而形成。進而,通孔34亦可以利用鑽孔器或雕銑等之機械手法而形成。
再者,通路25~33之大小係以可充分取得與基板內藏用電子零件100之各個端子電極導通之方式而開設。其中,電感器元件17之通路較佳為直徑相較端子電極112~116之較短者之寬度略小之通路。例如,較佳為直徑與電感器元件17之端子電極112~116之較短者之寬度相同或較其略小之通路。而且,較佳為與磁性體層101、102之孔106~109之邊緣不接觸。其原因在於,形成於通路內之導體形成朝向電感器元件17之導電路徑,若導體與磁性體層101、102接觸,則電感器元件17之電感值會下降。該點於下述其他例之情形時亦相同。
[第9步驟]……圖11(b)
其次,以抗蝕劑44、45覆蓋增層之樹脂21、22,並對抗蝕劑44、45進行曝光‧顯影,而圖案化為特定形狀。
[第10步驟]……圖11(c)
其次,以導電材料46~54填埋通路25~33,並於通孔34之內壁亦形成導電材料55後,於增層之表面形成配線56、57,並去除抗蝕劑44、45。再者,導電材料46~54可為鍍Cu,或者亦可使用導電性樹脂等。
[第11步驟]……圖11(d)
其次,形成第2層增層。該第2層增層亦可以與上述第7步驟相同之手法而形成。即,於第1層增層上貼附樹脂58、59並使其硬化而形成。再者,該等樹脂58、59亦可使用貼合有銅箔等之增強薄片60、61者,例如樹脂與銅箔之積層薄片。或者,亦可為代替銅箔而貼合有PET膜等樹脂膜者。
[第12步驟]……圖12(a)
其次,去除第2層增層之增強薄片60、61,於樹脂58、59之特定位置形成通路62~70。該等通路62~70亦可使用雷射而形成。
[第13步驟]……圖12(b)
其次,以抗蝕劑71、72覆蓋第2層增層之樹脂58、59,並對抗蝕劑71、72進行曝光‧顯影,而圖案化為特定形狀。
[第14步驟]……圖12(c)
其次,以導電材料73~81填埋第2層增層之通路62~70後,於第2層增層之表面形成配線82、83,並去除抗蝕劑71、72。再者,導電材料73~81可為鍍Cu,或者亦可使用導電性樹脂等。
[第15步驟]……圖12(d)
最後,以阻焊劑(亦稱為綠色抗蝕劑(green resist))84、85覆蓋基板之表背面作為保護膜,而完成零件內藏型基板86。
再者,以上之步驟中,形成有2層增層,但亦可為1層,或者亦可為3層以上之多層。
如此,該第1例之零件內藏型基板86中,可自電感器元件17、電阻元件18及半導體積體電路19之「下表面」直接經由導電材料46~54、77~81而將電極引出至基板表面。又,電感器元件17之厚度較開頭之先前例(參照圖20)薄,因此可減薄零件內藏型基板86之厚度。
<零件內藏型基板/第2例>
圖13~圖15係零件內藏型基板之第2例之製造步驟圖。
[第1步驟]……圖13(a)
首先,準備基底構件(以下,稱為核心基板500)。該核心基板500係成為零件內藏型基板之骨架,可使用例如銅等金屬、樹脂或陶瓷等。特別於使用銅等金屬之情形時,可取得電氣屏蔽效果,故而較佳。核心基板500之厚度設為可將下述基板內藏用電子零件,例如半導體積體電路、電感器元件及電阻元件以及電容元件等中之厚度最大之零件充分埋入之程度。
於核心基材500使用金屬之情形時,可使用與第1實施例之核心基材10相同之材料,故而省略其說明。
[第2步驟]……圖13(b)
其次,於核心基板500之所需部分開設貫通孔501~504。該等貫通孔501~504係埋入下述基板內藏用電子零件、或作為用以電性連接基板之表背面之連接路徑而使用。此處,就圖式而言將自左端起之三個貫通孔501~503作為零件埋入用,將右端之一個貫通孔504作為連接路徑,但此僅為了方便圖示。
[第3步驟]……圖13(c)
其次,於核心基板500之單面(圖中為下表面)貼附樹脂薄片505。貼附可一面加熱一面進行。樹脂薄片505係將熱硬化性之絕緣樹脂層506與銅箔或PET等增強層507貼合而成者。但是,並不限定於此。亦可為僅有絕緣樹脂層506之樹脂薄片505。
[第4步驟]……圖13(d)
其次,將所需之基板內藏用電子零件、此處為電感器元件508、電阻元件509及半導體積體電路510插入至各自對應之貫通孔501、502、503中,並以特定之力按壓於孔內部之樹脂薄片505上,藉此利用樹脂薄片505之黏著力而進行預固定。此時,亦可一面加熱一面進行預固定。
圖示之基板內藏用電子零件中之「電感器元件508」係本實施形態特有者(具有用以減薄厚度之構造者),且係與先前說明之基板內藏用電子零件100、100a、100b、200、300、400之任一者相當者。再者,亦可將其他基板內藏用電子零件中之電阻元件509另稱為例如電容元件。
[第5步驟]……圖13(e)
其次,將電感器元件508、電阻元件509及半導體積體電路510等基板內藏用電子零件進行密封。該密封係藉由以下方式進行:對具有充分超過貫通孔501~504之深度之厚度的薄片狀之密封樹脂層511自基板上表面以特定之力按壓,並以由樹脂完全堵塞基板內藏用電子零件之周圍間隙之方式使其流動後,施加所需之熱、例如160~200℃左右之熱而使該密封樹脂層511硬化。該步驟中之以樹脂完全填埋間隙係與第1例之情形完全相同,故而省略其說明。
再者,該密封樹脂層511亦可使用貼合有銅箔等增強薄片512者。密封樹脂層511所需之功能為低線膨脹與絕緣性。即,為了對空間無間隙地填充,只要具有充分之流動性且具有作為絕緣基板之充分之特性(絕緣性等)即可。
[第6步驟]……圖13(f)
其次,去除增強層507與增強薄片512,於密封樹脂層511之重要之部位形成通路513~521及通孔522。此處,通路513、514係對準電感器元件508之電極523、524之位置而形成,通路515、516係對準電阻元件509之電極525、526之位置而形成,通路517~521係對準半導體積體電路510之電極527~531之位置而形成。通路之大小與第1例之情形相同,故而省略其說明。
該等通路513~521與通孔522之形成可使用雷射而形成,但例如於密封樹脂層511使用光硬化型樹脂之情形時亦可由光微影而形成。進而,通孔522亦可以利用鑽孔器或雕銑等之機械手法而形成。
[第7步驟]……圖13(g)
其次,以抗蝕劑532、533覆蓋絕緣樹脂層506與密封樹脂層511,並對抗蝕劑532、533進行曝光‧顯影,而圖案化為特定形狀。
[第8步驟]……圖14(a)
其次,以導電材料534~542填埋通路513~521,並於通孔522之內壁亦形成導電材料543後,於絕緣樹脂層506與密封樹脂層511之表面形成配線544、545,並去除抗蝕劑532、533。再者,導電材料534~543可為鍍Cu,或者亦可使用導電性樹脂等。
[第9步驟]……圖14(b)
其次,於基板之兩面形成增層。該增層係於絕緣樹脂層506與密封樹脂層511上貼附樹脂546、547並使其硬化而形成。再者,該等樹脂546、547亦可使用貼合有銅箔等增強薄片548、549者(樹脂與銅箔之積層薄片)。或者,亦可為代替銅箔而貼合有PET膜等樹脂膜者。
[第10步驟]……圖14(c)
其次,去除增層之增強薄片548、549,於樹脂546、547之特定位置形成通路550~558。該等通路550~558亦可使用雷射而形成。
[第11步驟]……圖15(a)
其次,以抗蝕劑559、560覆蓋增層之樹脂546、547,並對抗蝕劑559、560進行曝光‧顯影,而圖案化為特定形狀。
[第12步驟]……圖15(b)
其次,以導電材料561~569填埋增層之通路550~558後,於增層之表面形成配線570、571,並去除抗蝕劑559、560。再者,導電材料561~569可為鍍Cu,或者亦可使用導電性樹脂等。
[第13步驟]……圖15(c)
最後,以阻焊劑(亦稱為綠色抗蝕劑)572、573覆蓋基板之表背面作為保護膜,而完成零件內藏型基板574。再者,以上之步驟中,形成有1層增層,但亦可為2層以上之多層。
如此,該第2例之零件內藏型基板574中,亦可自電感器元件508、電阻元件509及半導體積體電路510之「上表面」直接經由導電材料534~542、561~563而將電極引出至基板表面。又,電感器元件508之厚度較開頭之先前例(參照圖20)薄,因此可減薄零件內藏型基板574之厚度。
<零件內藏型基板/第3例>
圖16~圖18係零件內藏型基板之第3例之製造步驟圖。該第3例係上述第1例(參照圖10~圖12)之變形例,對於與第1例共同之構成要素附上相同之符號。與第1例不同之點在於未使用零件固定用樹脂16。
[第1步驟]……圖16(a)
首先,準備基底構件(以下,稱為核心基板10)。該核心基板10係成為零件內藏型基板之骨架,可用例如銅等金屬、樹脂或陶瓷等。然而,於使用銅等金屬之情形時,可取得電氣屏蔽效果,故而較佳。核心基板10之厚度設為可將下述基板內藏用電子零件,即,半導體積體電路、電感器元件及電阻元件以及電容元件等中之長度最長之零件充分埋入之程度。
[第2步驟]……圖16(b)
其次,於核心基板10之所需部分開設貫通孔11~14。該等貫通孔11~14係埋入下述基板內藏用電子零件、或作為用以電性連接基板之表背面之連接路徑而使用。此處,就圖式而言將自左端起之三個貫通孔11~13作為零件埋入用,將右端之一個貫通孔14作為連接路徑,但此僅為了方便圖示。
[第3步驟]……圖16(c)
其次,於核心基板10之單面(圖中為下表面)貼附預固定用之樹脂薄片15a。該樹脂薄片15a只要為於樹脂密封後可「剝離」者,且可將下述基板內藏用電子零件「預固定」者即可,關於素材並無特別限定,例如於樹脂薄片15a使用樹脂等柔軟素材之情形時,亦可使用貼合有銅箔等增強薄片者,即,樹脂與銅箔之積層薄片。
上述第1例中,於此階段,於貫通孔11、12、13之底部塗佈零件固定用樹脂16,但第3例中未使用上述零件固定用樹脂16。基板內藏用電子零件之「預固定」係利用樹脂薄片15a之黏著力而進行,此點與第1例不同。第1例中使用零件固定用樹脂16,因此具有樹脂薄片15a之選擇支增加(無需黏著性)之優點,另一方面,由於第3例中無需零件固定用樹脂16之塗佈作業,故而具有可降低製造成本之優點。
採用第1例與第3例之哪一者依存於具有黏著力之樹脂薄片15a之取得容易性。即,若可以低成本容易地取得具有黏著力之樹脂薄片15a,則較理想的是採用第3例。其原因在於,可省去零件固定用樹脂16之塗佈作業,降低製造成本。
[第4步驟]……圖16(d)
其次,將所需之基板內藏用電子零件、此處為電感器元件17、電阻元件18及半導體積體電路19插入至各自對應之貫通孔11、12、13中,並輕輕按壓於孔內部之樹脂薄片15a上,藉此利用樹脂薄片15a之黏著力而進行預固定。
圖示之基板內藏用電子零件中之「電感器元件17」係本實施形態特有者(具有用以減薄厚度之構造者),且係與先前說明之基板內藏用電子零件100、100a、100b、200、300、400之任一者相當者。再者,亦可將共他基板內藏用電子零件中之電阻元件18另稱為例如電容元件。
[第5步驟]……圖16(e)
其次,將電感器元件17、電阻元件18及半導體積體電路19等基板內藏用電子零件進行密封。該密封係藉由以下方式進行:對具有可充分填充貫通孔11~14之內部容積中之除基板內藏用電子零件之體積外之容積之量之厚度的薄片狀之密封樹脂20自基板上表面以特定之力按壓,並以完全堵塞基板內藏用電子零件之周圍間隙之方式使其流動後,施加所需之熱、例如160~200℃左右之熱而使該密封樹脂20硬化。再者,該密封樹脂20亦可使用貼合有銅箔等增強薄片者,例如樹脂與銅箔之積層薄片。密封樹脂20所需之功能為低線膨脹與絕緣性。即,為了對空間無間隙地填充,只要具有充分之流動性且具有作為絕緣基板之充分之絕緣性等特性即可。
進而,該步驟中之以樹脂完全無間隙地填埋基板內藏用電子零件之周圍係與第1例及第2例相同,故而省略其說明。
[第6步驟]……圖16(f)
其次,剝離樹脂薄片15a。該剝離可藉由例如熱、光、溶解等進行。
[第7步驟]……圖16(g)
其次,於基板之表背面貼附樹脂21、22並使其硬化,例如藉由加熱而硬化,形成增層。再者,該等樹脂21、22亦可使用貼合有銅箔等增強薄片23、24者,例如,樹脂與銅箔之積層薄片。或者,亦可為代替銅箔而貼合有PET膜等樹脂膜者,但作為該等增強薄片之銅箔或PET等23、24並非必需。
[第8步驟]……圖17(a)
其次,去除增層之增強薄片23、24後,於重要之部位形成通路25~33及通孔34。此處,通路25、26係對準電感器元件17之電極35、36之位置而形成,通路27、28係對準電阻元件18之電極37、38之位置而形成,通路29~33係對準半導體積體電路19之電極39~43之位置而形成。
該等通路25~33與通孔34之形成可使用雷射進行,但例如於增層之樹脂21、22使用光硬化型樹脂之情形時亦可由光微影而形成,進而,通孔34亦可以利用鑽孔器或雕銑等之機械手法而形成。
再者,通路之大小與第1例之情形相同,故而省略其說明。
[第9步驟]……圖17(b)
其次,以抗蝕劑44、45覆蓋增層之樹脂21、22,並對抗蝕劑44、45進行曝光‧顯影,而圖案化為特定形狀。
[第10步驟]……圖17(c)
其次,以導電材料46~54填埋通路25~33,並於通孔34之內壁亦形成導電材料55後,於增層之表面形成配線56、57,並去除抗蝕劑44、45。再者,導電材料46~54可為鍍Cu,或者亦可使用導電性樹脂等。
[第11步驟]……圖17(d)
其次,形成第2層增層。該第2層增層亦可以與上述第7步驟相同之手法而形成。即,於第1層增層上貼附樹脂58、59並使其硬化而形成。再者,該等樹脂58、59亦可使用貼合有銅箔等增強薄片60、61者,即,樹脂與銅箔之積層薄片。或者,亦可為代替銅箔而貼合有PET膜等樹脂膜者。
[第12步驟]……圖18(a)
其次,去除第2層增層之增強薄片60、61,於樹脂58、59之特定位置形成通路62~70。該等通路62~70亦可使用雷射而形成。
[第13步驟]……圖18(b)
其次,以抗蝕劑71、72覆蓋第2層增層之樹脂58、59,並對抗蝕劑71、72進行曝光‧顯影,而圖案化為特定形狀。
[第14步驟]……圖18(c)
其次,以導電材料73~81填埋第2層增層之通路62~70後,於第2層增層之表面形成配線82、83,並去除抗蝕劑71、72。再者,導電材料73~81可為鍍Cu,或者亦可使用導電性樹脂等。
[第15步驟]……圖18(d)
最後,以阻焊劑(亦稱為綠色抗蝕劑)84、85覆蓋基板之表背面作為保護膜,而完成零件內藏型基板86a。
再者,以上之步驟中,形成有2層增層,但亦可為1層,或者亦可為3層以上之多層。
該第3例中,具有可省去零件固定用樹脂16之塗佈作業而降低製造成本之優點。
再者,以上之零件內藏型基板86(第1例)及零件內藏型基板574(第2例)以及零件內藏型基板86a(第3例)中,係自電感器元件等電子零件之「下表面」或「上表面」引出電極,但並不限定於此。亦可自「上‧下表面」兩者均引出電極。
圖19係自「上下表面」兩者均引出電極之零件內藏型基板600之構造圖。該圖中,零件內藏型基板600構成為包含:核心基板601;於核心基板601開設之貫通孔602~605;插入至左側三個貫通孔602~604中之電感器元件100、電阻元件607及半導體積體電路608等電子零件;密封該等電子零件之絕緣樹脂層609;貼附於該絕緣樹脂層609之兩面之第1絕緣樹脂層610及第2絕緣樹脂層611;以配線層612為間隔而積層於第1絕緣樹脂層610上之第3絕緣樹脂層613;以配線層614為間隔而積層於第2絕緣樹脂層611上之第4絕緣樹脂層615;於第3絕緣樹脂層613之表面形成之配線層616及保護用之綠色抗蝕劑617;及於第4絕緣樹脂層615之表面形成之配線層618及保護用之綠色抗蝕劑619,並且包含於對準電子零件之位置而開設之通路之內部所填充之導電材料620~628。
與上述第1例之零件內藏型基板86、第2例之零件內藏型基板574或第3例之零件內藏型基板86a不同之點在於,形成為可將內藏於基板中之電子零件之一個即圖1之電感器元件100自上表面與下表面兩者進行電極取出的構造。即,如圖1所示,該電感器元件100係於一對磁性體層101、102之間夾入有3層絕緣樹脂層即中間絕緣樹脂層103、上部絕緣樹脂層104、及下部絕緣樹脂層105,且於上部及下部之絕緣樹脂層104、105分別形成有平面型線圈的電感器元件,該構成中,於上表面側之磁性體層101開設有電極取出用之圓形狀之孔106、107,並且於下表面側之磁性體層102亦開設有相同的電極取出用之圓形狀之孔108、109。因此,如圖19所示,使用上表面側之一個孔(圖中為孔107)與下表面側之一個孔(圖中為孔108)引出電極,藉此可自基板之上表面與下表面兩者進行電極之取出。
1、17、508...電感器元件
2、3...線圈圖案
4...積層主體部
5、6、112~117、208~212、308~312、408、409...端子電極
10、500、601...核心基板
11~14、501~504、602~605...貫通孔
15、15a、505...樹脂薄片
16...零件固定用樹脂
18、509、607...電阻元件
19、510、608...半導體積體電路
21、22、58、59、546、547...樹脂
23、24、60、61、512、548、549...增強薄片
25~33、62~70、513~521、550~558...通路
34、522...通孔
35~43、523~531...電極
44、45、71、72、532、533、559、560...抗蝕劑
46~55、73~81、534~543、561~569、620~628...導電材料
56、57、82、83、544、545、570、571...配線
84、85、572、573、617、619...綠色抗蝕劑
86、86a、574、600...零件內藏型基板
100、100a、100b、200、300、400...基板內藏用電子零件
101、102、101a、102a、101b、102b、201、202、301、302、401、402...磁性體層
103...中間絕緣樹脂層(絕緣體)
104、204、304...上部絕緣樹脂層(絕緣體)
105、205、305...下部絕緣樹脂層(絕緣體)
106~109、211、212、313~317...孔
110、111、206、207、306、307、406、407...平面型線圈
118~120...表背貫通電極
121、122、123~126...缺損部
410...孔
506、609...絕緣樹脂層
507...增強層
511...密封樹脂層
610...第1絕緣樹脂層
611...第2絕緣樹脂層
612、614、616、618...配線層
613...第3絕緣樹脂層
615...第4絕緣樹脂層
圖1係實施形態之基板內藏用電子零件之外觀圖;
圖2係將基板內藏用電子零件100之構造每層分解而表示之立體圖;
圖3(a)~(d)係基板內藏用電子零件100之特定層之平面圖;
圖4(a)~(d)係基板內藏用電子零件100之特定部分之剖面圖;
圖5(a)、(b)係表示實施形態之基板內藏用電子零件100之大小與厚度之圖;
圖6(a)~(d)係第1變形例之基板內藏用電子零件200之特定層之平面圖;
圖7(a)~(d)係第2變形例之基板內藏用電子零件300之特定層之平面圖;
圖8(a)~(d)係第3變形例之基板內藏用電子零件400之特定層之平面圖;
圖9(a)、(b)係基板內藏用電子零件之其他構造例之立體圖;
圖10(a)~(g)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第1例/其1);
圖11(a)~(d)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第1例/其2);
圖12(a)~(d)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第1例/其3);
圖13(a)~(g)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第2例/其1);
圖14(a)~(c)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第2例/其2);
圖15(a)~(c)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第2例/其3);
圖16(a)~(g)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第3例/其1);
圖17(a)~(d)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第3例/其2);
圖18(a)~(d)係零件內藏型基板之製造步驟之概要剖面圖(第3例/其3);
圖19係自「上下表面」兩者引出電極之零件內藏型基板600之概要剖面圖;及
圖20係表示先前之電感器元件之構造之立體圖。
100‧‧‧基板內藏用電子零件
101、102‧‧‧磁性體層
103‧‧‧中間絕緣樹脂層(絕緣體)
104‧‧‧上部絕緣樹脂層(絕緣體)
105‧‧‧下部絕緣樹脂層(絕緣體)
106~109‧‧‧孔
110、111‧‧‧平面型線圈
112~117‧‧‧端子電極
118~120‧‧‧表背貫通電極

Claims (11)

  1. 一種基板內藏用電子零件,其特徵在於包含:一對磁性體層;平面型線圈,其配設於上述一對磁性體層之間;及複數個絕緣體層,其以位於上述一對磁性體層間且夾著上述平面型線圈之兩面之方式而配設;上述平面型線圈係於至少一終端設置有端子電極;於上述磁性體層上,在與上述一端子電極之位置相當之部位設置有孔、開口或缺損部;於上述磁性體層中使用具有導電性之磁性材料。
  2. 如請求項1之基板內藏用電子零件,其中上述磁性體層具有矩形狀平面,並且上述平面型線圈之上述一端子電極係以位於與上述磁性體層之角隅部相當之位置之方式而形成。
  3. 如請求項1之基板內藏用電子零件,其中上述端子電極係形成於上述平面型線圈之兩端,並且亦形成於上述平面型線圈之兩端間之1個或複數個任意位置。
  4. 如請求項1之基板內藏用電子零件,其中上述磁性體層之上述孔、開口或缺損部係具有與上述平面型線圈之端子電極之大小大致相當或較其小之開口面積。
  5. 如請求項1之基板內藏用電子零件,其中為了經由上述孔、開口或缺損部而引出上述端子電極,於上述絕緣體層之相當之位置設置有孔或開口。
  6. 如請求項1之基板內藏用電子零件,其中上述平面型線圈 係由第1平面型線圈與第2平面型線圈構成,上述第1平面型線圈與上述第2平面型線圈係串列連接,上述第1平面型線圈之一端子電極與上述第2平面型線圈之一端子電極係配設於上述絕緣體層為矩形狀且與上述絕緣體層之一邊側之不同之角隅部相當的位置。
  7. 如請求項6之基板內藏用電子零件,其中上述端子電極中之一端子電極係位於與上述絕緣體層之角隅部相當之位置,另一端子電極係配設於與上述絕緣體層之中央部側相當之位置。
  8. 如請求項7之基板內藏用電子零件,其中上述第1平面型線圈與上述第2平面型線圈之串列連接係將配設於與上述第1平面型線圈及上述第2平面型線圈之中央部側相當之位置的端子電極彼此經由設置於其等間之絕緣體層之表背貫通電極而進行。
  9. 如請求項6或7之基板內藏用電子零件,其中上述第1平面型線圈之一端子電極與上述第2平面型線圈之一端子電極係配設於與上述絕緣體層之一邊側中相異平面之左右分離之位置相當的角隅部。
  10. 如請求項6之基板內藏用電子零件,其中上述第1平面型線圈之一端子電極與上述第2平面型線圈之一端子電極中,於與上述絕緣體層之一邊側相當之不同之角隅部分別設置有未與平面型線圈連接之端子電極,上述第1平面型線圈之一端子電極與於上述第2平面型線圈側所設置之上述未連接之端子電極係經由設置於上述絕緣體層之 表背貫通電極而連接,上述第2平面型線圈之一端子電極與於上述第1平面型線圈側所設置之上述未連接之端子電極係經由設置於上述絕緣體層之表背貫通電極而連接。
  11. 一種零件內藏型基板,其係埋設如請求項1之基板內藏用電子零件,並且藉由上述基板內藏用電子零件之上述孔、開口或缺損部而於上述絕緣體層形成孔或開口之後,形成導電性材料,經由上述導電性材料而使上述基板內藏用電子零件之端子電極與設置於基板側之電極導通。
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