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TWI449580B - 塞桿 - Google Patents

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Publication number
TWI449580B
TWI449580B TW097144290A TW97144290A TWI449580B TW I449580 B TWI449580 B TW I449580B TW 097144290 A TW097144290 A TW 097144290A TW 97144290 A TW97144290 A TW 97144290A TW I449580 B TWI449580 B TW I449580B
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TW
Taiwan
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plug
outlet
restrictor
molten metal
stem
Prior art date
Application number
TW097144290A
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English (en)
Other versions
TW200940212A (en
Inventor
Gerald Nitzl
Norman Edward Rogers
Original Assignee
Refractory Intellectual Prop
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Refractory Intellectual Prop filed Critical Refractory Intellectual Prop
Publication of TW200940212A publication Critical patent/TW200940212A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI449580B publication Critical patent/TWI449580B/zh

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D41/00Casting melt-holding vessels, e.g. ladles, tundishes, cups or the like
    • B22D41/14Closures
    • B22D41/16Closures stopper-rod type, i.e. a stopper-rod being positioned downwardly through the vessel and the metal therein, for selective registry with the pouring opening
    • B22D41/18Stopper-rods therefor
    • B22D41/186Stopper-rods therefor with means for injecting a fluid into the melt

Landscapes

  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Casting Support Devices, Ladles, And Melt Control Thereby (AREA)
  • Fluid-Damping Devices (AREA)
  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Mechanical Pencils And Projecting And Retracting Systems Therefor, And Multi-System Writing Instruments (AREA)
  • Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)
  • Shafts, Cranks, Connecting Bars, And Related Bearings (AREA)
  • Continuous Casting (AREA)
  • Coating With Molten Metal (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Actuator (AREA)

Description

塞桿
本發明係關於一種塞桿。特別地,但非唯一地,本發明係關於一種塞桿,用以調節熔化金屬在一連鑄製程中從餵槽到鑄模的流動。
在一連鑄製鋼程序當中,熔鋼從一杓具澆入一稱為餵槽的大型容器。該餵槽具有一個或多個出口,通過出口,熔鋼分別流入一個或多個鑄模當中。熔鋼在鑄模中冷卻並開始固化,連續形成金屬鑄造固體長度。一浸入式入口管嘴位於每一餵槽出口和每一鑄模之間,導引熔鋼經過其中從餵槽流到鑄模。一塞桿控制經過浸入式入口管嘴的熔鋼流量。
該塞桿一般包括一長形本體,該長形本體在其一末端具有一圓形鼻部。使用時,該桿沿著其軸垂直定位,並將其鼻部靠近浸入式水口喉部擺置,使得塞桿的上升和下降控制浸入式入口管嘴的入口的開啟和關閉,藉此控制流經浸入式入口管嘴的金屬流動。塞桿鼻部尺寸被設計為,當塞桿下降至一在浸入式入口管嘴喉部當中的停放位置,可完全封閉浸入式入口管嘴的入口。
一相關於熔化金屬鑄造的特別問題為,當熔化金屬從餵槽流到鑄模時,夾雜物(例如氧化鋁)時常存在熔化金屬當中。依據鑄造渠道內不同流動情況而定,此夾雜物易於沈 積在塞桿鼻部之上或沈積在浸入式入口管嘴當中。因此,長時間下來,夾雜物屯積將影響元件幾何形狀至一程度,使得系統流動控制特性改變,而連鑄的程序可能必須中斷。
從塞桿中心往下至塞桿鼻部出口,噴注一例如氬氣的惰性氣體,可減少氧化鋁的屯積與阻塞。然而,熔化金屬流過塞管之管嘴喉部所產生的文氏管效應,將產生一負壓,該負壓將透過鼻部出口回傳至塞桿之內,如果有任何接合點是非氣密的,空氣可能被吸入,然後經由塞管進入金屬。時至今日,在桿體和鼻部之間接合處安裝一限制器,此問題可獲得解決。該限制器可能是穿孔孔徑簡單的縮小,或者可由一塞子所構成,該塞子固定在塞桿穿孔內,塞子內具有小孔通過,或本身是一多孔塞子。限制器造成一回壓,並且在限制器之前的塞桿內形成一正內壓。此正內壓防止空氣進入氬氣供應渠道,藉此減少鑄造中金屬的污染物含量。
應該瞭解到:所有壓力皆相對於大氣壓力來表示,因此,負壓表示壓力值低於大氣壓力,正壓表示壓力值高於大氣壓。
使用一般限制器具有如上所述之缺點,即長時間下來,內壓將上升,造成塞桿破裂或甚至爆開分離。
因此,本發明的目的之一在於提供一塞桿,以解決前述問題。
依據本發明一第一樣態,其所提供的一塞桿係包括:一長形本體,該長形本體在一上方第一末端具有一入口,在一下方第二末端具有一出口,本體第二末端定義一鼻部,用於塞進一餵槽出口;一連續軸孔,該連續軸孔從第一末端入口到第二末端出口穿過本體而延伸;一限制器,該限制器具有一入口、一出口和一出入口間的通道,該限制器係以一方式定位在軸孔當中,使得限制器入口較第二末端靠近第一末端;和一氣體供應管,該氣體供應管被安裝,以供應氣體進入限制器入口上方的軸孔之中。
在塞桿一具體實施例當中,限制器以一方式放置,使得當塞桿被使用以控制熔化金屬從一餵槽的流動時,限制器的出口係位於餵槽熔化金屬液面之下。
依據本發明一第二樣態,其提供一用於控制熔化金屬從一餵槽之流動的設備,該設備包括:一餵槽,該餵槽被建構用以接納熔化金屬至一操作(穩態)深度,該餵槽具有至少一用於從其中經過以排放熔化金屬的出口;一依據本發明第一樣態的塞桿,該塞桿垂直放置,以其第二末端擺置在至少一餵槽出口上方,該塞桿可垂直移動進出該至少一餵槽出口,藉此控制熔化金屬通過該至少一餵槽出口的流動;塞桿內限制器在軸孔中係垂直放置,使得在使用時,限制器出口係位於餵槽熔化金屬的表面之下。
當從第二末端量測時,該限制器出口係以小於該塞桿長度的70%的距離放置。
應該瞭解到:在鑄造條件處於穩定狀態期間,餵槽中熔化金屬液面係保持在一實質上固定的操作深度-從杓具流入金屬量與流至鑄模的金屬量相等。同時應瞭解到:使用時,一個或數個熔渣層可成形在熔化金屬表面上。通常,會有一液態熔渣層直接存在熔化金屬表面上,,但同時也可能有一額外粉末層位於液態熔渣的頂部。針對本發明的目的,除非另有明敘,所謂餵槽內熔化金屬的表面實際上指的是任何液態熔渣層的表面。雖然各個餵槽/塞桿組件可能有所不同,但是一般而言,使用時,熔化金屬(和熔渣層)表面約位於餵槽底部上方約70-80%處,一般而言,塞桿下方約60-70%長度浸入餵槽熔化金屬當中。
本發明人已假設:從塞桿浸入(熱)部分滲入氣體可在軸孔內產生若干額外化學成分。
本發明人同時已經確定:一靠近塞桿鼻部的一般限制器將受到一約260℃(溫降是限制器區域內氣體溫度的一函數,鼻部溫度約為1560℃)的絕熱冷卻效應:限制器內氣體絕熱膨脹充分地冷卻氣體,然後接著冷卻限制器本身。因此,本發明人已經假設:出現或發生在一般限制器的堵塞可能是由氣體物質(亦即,滲氣成分反應物)冷凝和在限制器內形成沈積物所造成,藉此限制通過氣體的流動,並造成回壓的增加,這將造成塞桿破裂或爆開。然而,應該注意:在檢視失效塞桿時,其時常發現限制器中沒有堵塞的痕跡,本發明人相信這是因為一旦氣體停止流經限制器,穿孔溫度將上升,因此在被偵測到之前,任何沈積早已蒸發。
鑑於上述情況,因為當氣體通過限制器,這些成份將不存在,所以本發明人已經發現:朝塞桿較冷(上)末端安置限制器入口可減少化學物沈積(由通過限制器的滲氣冷卻和冷凝所造成)可能性。
限制器軸向長度(亦即,出入口間的距離)可小於塞桿長度(亦即,第一末端和第二末端間距離)10%,一般介於2和5%之間。
限制器出口較佳地與塞桿第二末端相隔開。應該瞭解到:使用時,從入口到出口將有壓降在限制器內產生。一旦氣體從限制器出口出現,氣體膨脹將造成一低壓區域。到塞桿第二末端,此低壓將保持實質固定。因此,在限制器相對短的情況下,塞桿的沈浸部分大部分不會暴露在過大壓力(亦即,正壓)之下,所以施加在沈浸部分的機械應力減少(這是特別有利的,當一兩部分塞桿被應用時,在塞桿下末端具有一附加分離鼻部,或者,其經常是一共壓鼻部/桿體組件)。同時,因為限制器暴露於更少的熱量,當限制器位於塞桿的上半部,其可為範圍更為廣泛的材料製造。同時應該注意到:低壓區域(亦即,限制器出口)應該位於熔化金屬下方,以避免空氣從塞桿多孔壁滲入。
應該瞭解到:限制器的所有要求在於提供一增加的流動阻力,這將可在限制器上游造成一壓力的增加。
塞桿內部形狀可構成限制器,或者,限制器可以一塞在軸孔中的塞子形狀之分離元件。
在一特殊實施例當中,限制器可由不多孔材料製成, 例如耐火材或金屬,並具有至少一穿孔經過其中。在一單一穿孔被提供的情況下,其可與塞桿軸孔同軸。當複數穿孔被提供的情況下(每一穿孔較佳具有自己入口和出口),它們可均勻地分佈在軸孔軸的四周。每個複數穿孔可平行,或者,傾斜於軸孔。每一穿孔截面形狀並沒有特別限制,並且可為獨立形狀,例如圓形、橢圓形或矩形。並且,每一穿孔截面形狀可沿著其長度而變化,每一穿孔截面面積可沿著其長度增加、減少或保持固定。
或者,限制器可由一多孔材料製成,例如耐火材或金屬。適當多孔結構包括發泡材和部分燒結固體。
在至少一穿孔是由圓形截面單一穿孔所構成的情況下,其最窄點直徑可在0.5mm至4mm之間,較佳為0.75mm到3mm之間。然而,應該瞭解到:限制器大小(亦即,穿孔截面面積)將被選取,以針對通過塞桿特定流量,提供所需回壓。
在一特定較佳佈置裡,限制器具有窄於出口的一入口,例如其可由具有一階梯狀穿孔所形成。
應該瞭解到:限制器越長,限制器相對於餵槽熔化金屬表面之位置可允許變化程度越大,這樣可確保限制器出口位於熔渣層頂部之下(亦即,確保熔渣層之上的所有點皆具有正壓,所以滲氣被防止)。然而,限制器長度增加將造成回壓增加。同時,穿孔截面面積減少也會造成回壓增加。因此,限制器長度和穿孔截面面積應該仔細選取,以達成所需的回壓。
塞桿一般為一固定桿所安裝,該固定桿固定在塞桿軸孔之內。氣體供應管可由一穿過固定桿的通道所構成。或者,氣體供應管可為一額外穿孔或若干穿孔,其從塞桿外表面延伸到軸孔。
在一特定具體實施例當中,該塞桿本體在其第二末端設有一圓形或截頭錐鼻部。該塞桿本體可一體成型,或可由一與鼻部合壓的長形圓管部分所構成。
使用時,氬氣可透過軸孔提供。
依據本發明一第三樣態,其提供一種用於控制來自餵槽的熔化金屬的流動的方法,該方法包括下列步驟:提供一餵槽,其具有至少一餵槽出口,以經此排放熔化金屬;垂直放置一依據本發明第一樣態的塞桿,使塞桿第二末端擺置至少一餵槽出口內,以暫時阻擋熔化金屬流經餵槽出口;將熔化金屬流入餵槽至一操作深度;且垂直移動塞桿,使其進出至少一餵槽開口,藉此控制熔化金屬經過餵槽開口的流動;其中,限制器以一垂直方式放置於塞桿軸孔當中,使得當塞桿移進或移出至少一餵槽出口時,限制器出口位於餵槽熔化金屬表面之下。
圖1表示氣體沿著一塞桿100溫度變化,當放置在一含有熔化鋼104至一操作深度106(亦即,距離餵槽102底部一若干高度)的餵槽102當中。塞桿100係由一長形圓管部分112所構成,在其下(第二)末端116處具有共壓圓形鼻 部114。從圓管部分112上(第一)末端120至鼻部114尖端122,一連續軸孔118被安裝。沿著圓管部分112長度,軸孔118具有一實質圓形橫剖面,在鼻部114則向內漸縮成錐形。藉由一固定桿126,塞桿100在餵槽102中保持一垂直位置。塞桿100長度大約與餵槽102高度相當。如所見,熔鋼104表面,在其操作深度106,大約為塞桿100從其下(第二)末端116往上方約70%(且大約為餵槽102往上方70%)。
使用時,熔鋼104在餵槽102中溫度大約為1560℃。然而,氣體在塞桿100軸孔118內的溫度(以及因而塞桿100穿孔118的內表面溫度)隨著其長度而變化。因此,靠近塞桿100上(第一)末端120,氣體溫度約為200℃,在一剛好高於餵槽102的熔鋼104的操作水平106位置,氣體溫度約為500℃。再往下約熔鋼104深度五分之一處,氣體溫度約為1400℃,再往下達約熔鋼104深度二分之一處,氣體溫度約為1500℃,再往下達約熔鋼104深度四分之三處,氣體溫度約為1550℃。
沿著塞桿100各種位置的估算氣體溫度係針對兩種情況以圖形表示在圖2當中,情況一:一限制器(未表示)靠近塞桿鼻部114而放置(在圖1中以位置’A’標示),情況二:一限制器32(表示在圖3當中)放置在熔鋼104操作(熔渣)水平106處(在圖1中以位置’B’標示)。因此,本發明人已經發現:當限制器放在位置A,流經軸孔118氣體在塞桿鼻部114附近將受一突然溫度下降,此情況可能造成前面 滲氣階段所產生物質(當塞桿100溫度約在900和1400℃之間)的冷凝。然而,當限制器32位置係靠近熔鋼104操作水平106時,氣體在滲氣物質產生上游處受到溫降,所以不需要的化學成分沈積在限制器32的機率較小。因此,將限制器32放置在塞桿100較冷上(第一)末端120的較高位置,由化學成分物理沈積所造成限制器32阻塞的可能性將因而降低。
雖然不願意受到理論束縛,但是本發明人相信:由於塞桿100中滲氣結果,下面的化學反應會發生。在983℃以上,一氧化碳形成(反應式1)。一氧化碳然後與矽反應形成一氧化矽(反應式2)。另外,氧化鎂可與碳反應形成鎂和一氧化碳(反應式3)。然後,鎂和一氧化矽形成橄欖石(反應式4和5)。
C(s) +O2(g) →CO(g) +1/2 O2(g) (式1)
Si(s,l) +CO(g) →SiO(g) +C(s) (式2)
MgO(s) +C(s) →Mg(g) +CO(g) (式3)
Mg(g) +4SiO(g) →Mg2 SiO4(s )+3Si(s,l) (式4)
2Mg(g) +SiO(g) +3/2O2(g) →Mg2 SiO4(s) +3Si(s,l) (式5)
上面所有或若干反應可能是化學沈積的原因,化學沈積阻塞使用中的傳統限制器。然而,因為上述理由,我們相信本發明具體實施例可克服此問題。
請參考圖3,其表示一根據本發明一具體實施例的塞桿 10。塞桿10具有一長形圓管部分12,在其下(第二)末端16具有一圓形鼻部14,兩部分藉由共壓成型。從圓管部分12上(第一)末端20到鼻部14尖端22,一連續軸孔18被提供。沿著圓管部分12長度,軸孔18具有一約38mm實質固定圓形剖面。在鼻部14上部分當中,在形成一從尖端22出去的逐漸向內漸縮為截頭錐噴口24之前,穿孔18側壁23向內彎曲。一般而言,穿孔18在尖端22的出口處具有一約3-5mm的直徑。
當使用時,圓管部分12上(第一)末端20被建構以接納一固定桿26。因此,朝著上(第一)末端20,一具螺紋陶瓷內襯28安裝在穿孔18側壁,用於嚙合固定桿26末端。在陶瓷內襯28上游,一襯墊30安裝在固定桿26和圓管部分12之間,以產生其間的氣密密封。固定桿26具有一穿孔,氬氣經由穿孔可輸入塞桿10的軸孔18,因此,在此具體實施例當中,該固定桿26當作氣體供應管使用。另外,固定桿26的自由端安裝至一支撐機構(未表示),該支撐機構被建構用於控制使用中塞桿10的高度和位置。
在塞桿10上半部,一限制器32以”塞子”形式安裝在穿孔18當中。在表示的具體實施例當中,限制器32放置在塞桿10上(第一)末端20下游約塞桿10長度30%處。限制器32係由一圓柱體36構成,該圓柱體36具有一固定橫剖面之中心圓形穿孔38穿過其中。限制器32係由氧化鋁製成,具有直徑約1mm的穿孔38以及一約35mm(對應塞桿10長度約3.5%)長度(亦即,入口34和出口35間的距離)。
應該瞭解到:使用時,限制器32對經過軸孔18的流動造成一阻力增加,此形成限制器入口34上游壓力增加(亦即,回壓)。仔細選取穿孔38尺寸(亦即,長度和橫剖面面積)以及經過軸孔18氣體(例如,氬氣)流量,一預定回壓量可被提供。在一特定具體實施例當中,我們需要讓限制器32上游壓力為正值(亦即,等於或大於大氣壓力),而讓限制器32下游壓力為負值,因為如此佈置可防止限制器32上方的空氣滲入,並減少限制器32下方高壓所造成的機械應力。氣體從塞桿10上(第一)末端20進入,然後從塞桿10下(第二)末端16離開,其間各點此類壓降表示在圖4當中。因此,我們可看到一大壓降(從正到負)發生在限制器32穿孔38的入口34和出口35之間。緊接著限制器32出口35底下,氣體壓力略微增加,但仍然保持負值。到塞桿鼻部14,氣體壓力於是保持實質固定。當鼻部14穿孔18朝尖端22往內漸縮時,氣體在離開塞桿10之前,壓力略微下降。應該瞭解到:塞桿10下(第二)末端16負壓程度乃依據熔化金屬通過塞桿鼻部14的流量以及塞桿10和正在使用的浸入式入口管嘴的幾何形狀而定。
圖5A,B和C表示一替代限制器40,在本發明一具體實施例當中,該限制器40可應用在一諸如圖3中所示的塞桿當中。該限制器40係由一截頭錐體42構成,該截頭錐體42朝其一上末端44略微向外漸縮。在上末端44,另一截頭錐區段46被提供,該截頭錐區段46以水平夾角約45°向內漸縮。該截頭錐區段46具有一約上末端44寬度一半 的上終止平面48。一淺圓形尖端50從平面48向上延伸。一窄(1mm直徑)穿孔52經過尖端50中心垂直地安裝。在平面48,穿孔52以階梯狀形成一較大(3mm直徑)穿孔54,該穿孔54經過截頭錐區段46和截頭錐體42中心而延伸。因此,在此具體實施例當中,一入口56安裝在窄穿孔52上末端,一出口57安裝在較大穿孔54下末端。
圖6表示一限制器32上游計算壓力與氣體溫度關係圖,其中,氬氣分別以4,6,8,10和12標準公升/分的流量流過圖3塞桿10(亦即,具有直徑1mm的穿孔38)。溫度大小代表限制器在塞桿軸孔中的位置(亦即,溫度越高表示限制器在穿孔中的位置越低)。因此,我們可以從圖6中看到:當氣體以8公升/分流量流過傳統鼻部位置(1500℃)的限制器時,其製造一1.5巴的相對回壓,然而,當限制器放置在熔渣線(500℃)時,流量12公升/分可被應用於相同相對回壓。這是有利的,因為氬氣輸出量的增加表示塞桿可與較大鑄模一起使用。
圖7表示根據本發明另一具體實施例的塞桿60使用在一餵槽62的橫剖面視圖。該塞桿60係實質相似圖3所示者,因此,相同參考號碼將使用於相似的元件。如圖7所示,塞桿60垂直地放置於餵槽62底部66中一出口64的上方。圍繞出口64是一浸入式入口管嘴68,其引導熔化金屬進入下方的鑄模(未表示)當中。浸入式入口管嘴68的入口係由一中凸彎曲喉部區域70所構成。使用時,塞桿60圓形鼻部14在喉部區域70上升與下降,控制經過浸入式 入口管嘴68的熔化金屬之流動。在遠離塞桿60的另一位置,一杓管套72被安裝。雖然未圖示,但是杓管套72被建構以引導來自上方杓具的金屬。
如圖7所示,當熔化金屬達到餵槽一操作深度74時,杓管套下末端位在熔渣層76底下。另外,在此具體實施例當中,限制器40係以下列方式安裝在塞桿60當中:其入口56位於熔渣層76上表面底下,而其出口57安置在熔渣層76下表面上方。因此,使用時,一正壓將產生在限制器40上方(亦即,在熔渣層76上面),而一負壓將提供在限制器40下方(亦即,熔渣層76下方)。因此,將避免限制器40上方空氣滲入,並且由於限制器40在塞桿60中係處於較高、較冷位置,由限制器40中化學成分之物理沈積所造成的堵塞危機被大為降低。
精於該項技藝人士應該瞭解到:在不偏離本發明範疇下,各種修改可實施於上述具體實施例,例如,雖然上述論述係相關於餵槽中的塞桿,但是本發明的樣態可同樣地實施於其他應用中的塞桿上面。
10‧‧‧塞桿
12‧‧‧圓管部分
14‧‧‧鼻部
16‧‧‧下(第二)末端
18‧‧‧軸孔、穿孔
20‧‧‧上(第一)末端
22‧‧‧尖端
23‧‧‧側壁
24‧‧‧截頭錐噴口
26‧‧‧固定桿
28‧‧‧陶瓷內襯
30‧‧‧襯墊
32‧‧‧限制器
34‧‧‧入口
35‧‧‧出口
36‧‧‧圓柱體
38‧‧‧穿孔
40‧‧‧限制器
42‧‧‧截頭錐體
44‧‧‧上末端
46‧‧‧截頭錐區段
48‧‧‧平面
50‧‧‧尖端
52‧‧‧穿孔
54‧‧‧穿孔
56‧‧‧入口
57‧‧‧出口
60‧‧‧塞桿
62‧‧‧餵槽
64‧‧‧出口
66‧‧‧底部
68‧‧‧浸入式水口管嘴
70‧‧‧喉部區域
72‧‧‧杓管套
74‧‧‧操作深度
76‧‧‧熔渣層
100‧‧‧塞桿
102‧‧‧餵槽
104‧‧‧熔鋼
106‧‧‧操作(熔渣)水平、深度
112‧‧‧圓管部分
114‧‧‧鼻部
116‧‧‧下(第二)末端
118‧‧‧穿孔、軸孔
120‧‧‧上(第一)末端
122‧‧‧尖端
126‧‧‧固定桿
藉由一範例,並參考所附圖式,現在說明本發明,其中:圖1 表示氣體流經塞桿的溫度變化,此時在含有熔化金屬的餵槽當中,放置塞桿至一操作深度;圖2 表示氣體溫度與沿著塞桿距離關係圖-情況一:根 據習知技藝,限制器靠近塞桿鼻部放置,情況二:根據本發明之具體實施例,限制器靠近餵槽熔化金屬表面放置;圖3 表示根據本發明具體實施例之沿著塞桿縱軸橫剖面視圖;圖4 表示一圖表,其中相對壓力沿著圖3塞桿長度而變化;圖5A 表示根據本發明具體實施例之限制器上視圖;圖5B 表示圖5A限制器之側橫剖面視圖;圖5C 表示類似於圖5B之放大橫剖面視圖;圖6 表示壓力與氣體溫度計算略圖,當氬氣分別以4,6,8,10和12標準(亦即,1巴壓力和20℃)公升/分進入流量流經圖3塞桿時,同時表示依繪製溫度放置一限制器所達成的回壓;圖7 表示在餵槽中使用根據本發明一具體實施例之塞桿
10‧‧‧塞桿
12‧‧‧圓管部分
14‧‧‧鼻部
16‧‧‧下(第二)末端
18‧‧‧軸孔、穿孔
20‧‧‧上(第一)末端
22‧‧‧尖端
23‧‧‧側壁
24‧‧‧截頭錐噴口
26‧‧‧固定桿
28‧‧‧陶瓷內襯
30‧‧‧襯墊
32‧‧‧限制器
34‧‧‧入口
35‧‧‧出口
36‧‧‧圓柱體
38‧‧‧穿孔

Claims (12)

  1. 一種塞桿,包括:一長形本體,該長形本體在一上方第一末端具有一入口,在一下方第二末端具有一出口,該本體之該第二末端定義一鼻部,用於塞進一餵槽出口;一連續軸孔,該連續軸孔從該入口到該出口穿過該本體而延伸;一限制器,該限制器具有一入口、一出口和一出入口間的通道,該限制器係置放在該軸孔當中,使得該限制器入口較靠近第一末端而非第二末端;和一氣體供應管,該氣體供應管被安裝以供應氣體進入該限制器入口上方的該軸孔之中。
  2. 根據申請專利範圍第1項之塞桿,其中該限制器軸向長度小於該塞桿長度的10%。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之塞桿,其中該限制器出口與該塞桿第二末端相隔。
  4. 根據申請專利範圍第1項之塞桿,其中該限制器係由一塞入該軸孔當中的塞子所構成。
  5. 根據申請專利範圍第1項之塞桿,其中該限制器係包含多孔材料。
  6. 根據申請專利範圍第1項之塞桿,其中該限制器包含非多孔性材料,該通道係由至少一穿過其間的穿孔所構成。
  7. 根據申請專利範圍第1項之塞桿,其中該通道係由一與該塞桿軸孔同軸的穿孔所構成。
  8. 根據申請專利範圍第1項之塞桿,其中複數個通道被提供。
  9. 根據申請專利範圍第1項之塞桿,其中該限制器具有一窄於出口的入口。
  10. 一種用於控制熔化金屬從一餵槽流動的設備,該設備包括:一餵槽,其被建構用以接納熔化金屬至一操作深度,且具有至少一餵槽出口用於經此排放熔化金屬;一根據前述申請專利範圍第1至第9項中任一項之塞桿,該塞桿係垂直放置使其第二末端擺置在該至少一餵槽出口上方,且可垂直移動進出該至少一餵槽出口,藉此控制熔化金屬通過該至少一餵槽出口的流動;該塞桿內的限制器在該軸孔中係垂直放置,以使在使用時,該限制器出口係位於該餵槽內熔化金屬的表面之下。
  11. 根據申請專利範圍第10項之裝置,其中當從該第二末端量測時,該限制器出口係以小於該塞桿長度的70%的距離放置。
  12. 一種用於控制來自餵槽的熔化金屬的流動的方法,該方法包括下列步驟:提供一餵槽,其具有至少一餵槽出口以經此排放熔化金屬;垂直放置一根據申請專利範圍第1項至第9項中任何一項的塞桿,使該塞桿第二末端擺置於該至少一餵槽出口內,以暫時阻擋熔化金屬流經該餵槽出口;將熔化金屬流入該餵槽至一操作深度;且垂直移動該塞桿,使其進出該至少一餵槽開口,藉此控制熔化金屬經過該餵槽開口的流動;其中該限制器係垂直放置於該塞桿軸孔當中,使得當該塞桿移進或移出該至少一餵槽出口時,該限制器出口係位於餵槽內熔化金屬表面之下。
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