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JP2001092113A - 半導体リソグラフィ用ペリクル - Google Patents

半導体リソグラフィ用ペリクル

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Publication number
JP2001092113A
JP2001092113A JP26987799A JP26987799A JP2001092113A JP 2001092113 A JP2001092113 A JP 2001092113A JP 26987799 A JP26987799 A JP 26987799A JP 26987799 A JP26987799 A JP 26987799A JP 2001092113 A JP2001092113 A JP 2001092113A
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JP
Japan
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pellicle
frame
adhesive
film
exposure
Prior art date
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JP26987799A
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Akihiko Nagata
愛彦 永田
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication of JP2001092113A publication Critical patent/JP2001092113A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ペリクルの製造工程において、ペリクル膜切
断工程を容易に行い、更には、ペリクルフレームのハン
ドリングも容易に行うことができる半導体リソグラフィ
用ペリクルを提供する。 【解決手段】 少なくともペリクルフレームの一端面に
ペリクル膜接着剤を介してペリクル膜を張設し、別な一
端面に露光用原版接着剤を設けてなる半導体リソグラフ
ィ用ペリクルにおいて、前記ペリクルフレームのペリク
ル膜接着面及び露光用原版接着面とフレーム内外側面と
のなす角部にC面取りがなされており、該面取りの寸法
をC0.25より大きくC0.35以下とすることを特
徴とする半導体リソグラフィ用ペリクルである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LSI、超LSI
などの半導体装置あるいは液晶表示版を製造する際のリ
ソグラフィ用マスクのゴミよけとして使用される、リソ
グラフィ用ペリクルに関する。
【0002】
【従来の技術】LSI、超LSIなどの半導体製造或い
は液晶表示版などの製造においては、半導体ウエーハ或
いは液晶用原版に光を照射してパターンを作製するので
あるが、この場合に用いる露光用原版(本明細書中では
フォトマスク、レチクル等を総称した意味で用いる)に
ゴミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、光
を曲げてしまうために、転写したパターンが変形した
り、エッジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚
れたりして、寸法、品質、外観などが損なわれるという
問題があった。
【0003】このため、これらの作業は通常クリーンル
ームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光
用原版を常に清浄に保つ事が難しいので、露光用原版の
表面にゴミよけのための露光用の光をよく透過させるペ
リクルを貼り付ける方法が採用されている。
【0004】この場合、ゴミは露光用原版の表面には直
接付着せず、ペリクル膜上に付着するため、リソグラフ
ィー時に焦点を露光用原版のパターン上に合わせておけ
ば、ペリクル膜上のゴミは転写に無関係となる。
【0005】一般にペリクルの基本的な構成は、図1に
示したように、露光に用いる光をよく透過させるニトロ
セルロース、酢酸セルロースなどからなる透明なペリク
ル膜2をアルミニウム、ステンレス、ポリエチレンなど
からなるペリクルフレーム1(以下、「フレーム」とい
う場合がある。)の上部にペリクル膜の良溶媒を塗布
し、風乾して接着する(特開昭58−219023号公
報参照)か、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等のペリクル
膜接着剤層5を介して接着し(米国特許第486140
2号明細書、特公昭63−27707号公報参照)、更
に、ペリクルフレームの下部には露光用原版が装着され
るために、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アク
リル樹脂等からなる露光用原版接着剤層3、及び該接着
剤層の保護を目的とした離型層4で構成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ペリクルは、半導体リ
ソグラフィの工程で使用されるため、ペリクル膜、ペリ
クルフレーム、接着剤等に高い清浄性が要求される。ペ
リクル膜に関しては、基本的に異物、汚れ等があっては
ならないし、ペリクルフレームについても、異物の付着
はもとより、表面の汚れ、シミ等も問題とされる。ま
た、不要膜切断に溶剤を用いて行う場合に、従来膜面の
溶剤による汚れが起こる場合があり、製品として使用で
きなくなることがあった。更に、不要膜の切断除去中に
溶剤がフレーム外側面にたれてフレーム外側面を汚した
り、その他の場所を汚して、ひいては発塵や露光用原版
の汚染の原因となる場合がある。
【0007】また、ペリクルは、自動の貼り付け装置
(オートマウンター)によって露光用原版に貼り付けら
れる場合もあれば、手動でハンドリングされ貼り付けら
れる場合もある。手動で貼り付ける場合、即ち手で持っ
てハンドリングする場合には、ペリクルフレームが薄い
物であるためにどうしても露光用原版接着剤部分に手で
触れてしまう事があり、汚染や貼り付けトラブルを起こ
すことがあった。
【0008】ところで、特公平8−12418号公報に
は、ペリクル膜が貼り付けられる端面と内側面或いは外
側面が交わる角のうち、内側面と交わる角及び外側面と
交わる角を面取りすることが提案されている。これは、
ペリクル膜接着時にペリクル膜接着剤を故意にC面部分
にはみ出させ、接着剤を塗布した際に接着剤が盛り上が
って枠際で膜が膨らみ、ハンドリング時には膨らみに膜
が引っ掛かって膜が破けたりすることを防止する物であ
る。
【0009】しかしながら、上記のような方法の場合、
面取りはペリクルフレームのペリクル膜接着面とフレー
ム内外側面とのなす角部(ペリクルフレームの上部の角
部)にしかなされていないため、ペリクルフレームのハ
ンドリング時に露光用原版接着剤に触れて露光用原版接
着剤やその他の部分の機能を損なったり、汚染したりす
ることがあるという問題点があった。また、上記ではペ
リクル膜接着剤がフレーム内外側に押し出され、押し出
された接着剤はC面部分にはみ出て吸収されるとしてい
るが、一旦ペリクル膜接着剤がC面部分にはみ出ると、
不要膜切断時の溶剤による膜面、及びフレーム外側面の
汚染は避けられなかった。
【0010】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、ペリクルの製造工程において、ペリクル膜切断工
程を容易に行い、更には、ペリクルフレームのハンドリ
ングも容易に行うことができる半導体リソグラフィ用ペ
リクルを提供することを主目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を解
決するために鋭意検討を重ねた結果なされたもので、本
発明の請求項1に記載した発明は、少なくともペリクル
フレームの一端面にペリクル膜接着剤を介してペリクル
膜を張設し、別な一端面に露光用原版接着剤を設けてな
る半導体リソグラフィ用ペリクルにおいて、前記ペリク
ルフレームのペリクル膜接着面及び露光用原版接着面と
フレーム内外側面とのなす角部にC面取りがなされてお
り、該面取りの寸法をC0.25より大きくC0.35
以下とすることを特徴とする半導体リソグラフィ用ペリ
クルである。
【0012】このように、ペリクルフレームのペリクル
膜接着面及び露光用原版接着面とフレーム内外側面との
なす角部(ペリクルフレームの上下の角部)にC面取り
がなされており、該面取りの寸法をC0.25より大き
くC0.35以下とすることによって、不要膜切断時の
溶剤による膜面、及びフレーム外側面の汚染を防止する
ことができる。また、露光用原版接着剤の塗布位置で
は、ペリクルフレームのハンドリング時に露光用原版接
着剤に触れて露光用原版接着剤やその他の部分の機能を
損なったり、汚染したりすることも防止することができ
る。ここでC0.25以下である場合、上記効果はな
く、C0.35より大きい場合は、ペリクルフレームの
接着面が小さくなり、十分な接着力が得られない。
【0013】本発明は、C面取りをペリクルフレームの
ペリクル膜接着面及び露光用原版接着面とフレーム内外
側面とのなす角部(ペリクルフレームの上下の角部)に
なされた物であるため、ペリクル膜の接着方法、接着剤
塗布、接着の形態、及び不要膜切断の方法において、前
記従来の発明(特公平8−12418)とは技術的思想
を全く異にする物である。
【0014】この場合、請求項2に記載するように、前
記ペリクル膜接着剤がペリクル膜接着面よりC面側には
み出さないように形成され、前記露光用原版接着剤が露
光用原版接着面よりC面側にはみ出さないように形成さ
れていることが好ましい。
【0015】このように、ペリクル膜接着剤がペリクル
膜接着面よりC面側にはみ出さないように形成され、露
光用原版接着剤が露光用原版接着面よりC面側にはみ出
さないように形成されていれば、不要膜切断時の溶剤に
よる膜面、及びフレーム外側面の汚染を確実に防止する
ことができる。これと共に、露光用原版接着剤の塗布位
置が確実に内側となるため、ペリクルフレームのハンド
リング時に、露光用原版接着剤に触れて露光用原版接着
剤やその他の部分の機能を損なったり、汚染したりする
こともない。
【0016】また、請求項3に記載するように、前記ペ
リクルフレームの材質が、表面をアルマイト処理したア
ルミニウム合金であることが好ましい。
【0017】このように、ペリクルフレームの材質が表
面をアルマイト処理したアルミニウム合金を用いれば、
黒色化して迷光防止が可能な、軽量で高強度のペリクル
フレームが経済的に製造することができる。従って、こ
のようなペリクルフレームに本発明の面取りを施せば、
極めて有用なペリクルとすることができる。
【0018】更に、請求項4に記載するように、前記ペ
リクル膜がフッ素系ポリマーであり、前記ペリクル膜接
着剤がテトラフルオロエチレンと環状パーフルオロエー
テル基を有する含フッ素モノマーとの重合体からなる接
着剤であることが好ましい。
【0019】このように、前記ペリクル膜がフッ素系ポ
リマーを用いれば、光透過率、耐光性に優れたペリクル
膜が得られる。更に、前記ペリクル膜接着剤がテトラフ
ルオロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する
含フッ素モノマーとの重合体からなる接着剤を用いるこ
とで、膜材質が離型性の強いフッ素系ポリマーであって
も、接着強度が高く光劣化したり分解することがないた
め、長寿命で高性能なペリクルを製造することができ
る。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明者らは、前述した問題点を解決すべく種々調
査、検討を重ねた結果、半導体リソグラフィ用ペリクル
において、ペリクルフレームのペリクル膜接着面及び露
光用原版接着面とフレーム内外側面とのなす角部にC面
取りを施し、該面取りの寸法をC0.25より大きくC
0.35以下とすることが極めて有効であることを見出
し、精査して本発明を完成させた。
【0021】以下、本発明のペリクルフレームを詳細に
説明する。本発明のペリクルの基本構成は、前記図1に
示したものとほぼ同様であり、ペリクルフレーム1の上
端面にペリクル膜接着剤層5を介してペリクル膜2を張
設したもので、下端面には露光用原版接着剤層3(以
下、本案では、露光用原版の一例として「レチクル」を
挙げる)が形成され、該露光用原版接着剤層3の下端面
に離型層4が剥離可能に貼り付けてなる物である。
【0022】このようなペリクルにおいて、本発明は、
例えば図2にその断面拡大図を示したように、ペリクル
フレームの上下の角部にC面取りがなされていると共
に、該面取りの寸法をC0.25より大きくC0.35
以下と規定したことに特徴を有する。 即ち、C面取り
は、ペリクルフレームのペリクル膜接着面、及び露光用
原版接着面とフレーム内外側面とのなす角部になされて
おり、ペリクルフレームの上下部に4面存在する。そし
て該面取りの寸法をC0.25より大きくC0.35以
下と規定したことによって、不要膜切断時の溶剤による
膜面、及びフレーム外側面の汚染を防止することができ
る。また、露光用原版接着剤の塗布位置では、ペリクル
フレームのハンドリング時に、露光用原版接着剤に触れ
て露光用原版接着剤やその他の部分の機能を損なった
り、汚染したりすることも防止することができる。
【0023】更に、ペリクル膜接着剤、及び露光用原版
接着剤は、各々の接着面よりC面側(特にフレーム外側
面のC面a部分及びb部分)にはみ出さないように形成
されており、これによって、不要膜切断時の溶剤による
膜面、及びフレーム外側面の汚染を確実に防止すること
ができる。これと共に、露光用原版接着剤の塗布位置が
確実に内側となるため、ペリクルフレームのハンドリン
グ時に、露光用原版接着剤に触れて露光用原版接着剤や
その他の部分の機能を損なったり、汚染したりすること
もない。
【0024】この場合、これらペリクル構成部材の大き
さは通常のペリクルと同様であり、また、その材質も前
述したようにな公知の材質とすることができる。この点
を更に詳述すると、ペリクル膜の種類については特に制
限はなく、例えば従来使用されている、ニトロセルロー
ス、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、非晶質
フッ素系ポリマー等が用いられるが、中でもフッ素系ポ
リマーを用いると特によい。非晶質フッ素系ポリマーの
例としては、サイトップ(旭硝子(株)製商品名)、テ
フロンAF(デュポン(株)製商品名)等が挙げられ
る。これらのポリマーは、ペリクル膜作製時に必要に応
じて溶媒に溶解して使用してもよく、例えばフッ素系溶
媒などで適宜溶解し得る。
【0025】本発明において使用されるペリクルフレー
ムについても特に制限はなく、その材質としては、従来
使用されているアルミニウム合金材(A7075−T6
51等の7000系アルミニウム合金)等に陽極酸化処
理を行った物、ステンレス、ポリアセタール、ポリカー
ボネート、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、アク
リル樹脂等の樹脂、青板ガラス等が挙げられるが、中で
も表面をアルマイト処理したアルミニウム合金材が特に
よい。そして、ペリクルフレーム表面については、通常
サンドブラストや化学研磨によって粗面化される。例え
ば、アルミ材を使用した場合には、カーボランダム、ガ
ラスビーズ等によって表面をブラスト処理し、さらにN
aOH等によって化学研磨を行い表面を粗面化する方法
が知られている。
【0026】レチクル接着剤の下端面に貼り付けられる
離型層(セパレーター)としても公知の物でよい。
【0027】ペリクル膜接着剤としては、フッ素系ポリ
マーがよく、中でもテトラフルオロエチレンと環状パー
フルオロエーテル基を有する含フッ素モノマーとの重合
体を使用するのが特によい。具体的には、フッ素系ポリ
マーCT69(旭硝子(株)製商品名)が挙げられる。
【0028】レチクル接着剤としては、両面粘着テー
プ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤等を挙げ
ることができる。
【0029】本発明のペリクルは、通常の方法でペリク
ルフレームの上端面にペリクル膜接着剤を介してペリク
ル膜を張設し、下端面にレチクル接着剤層を形成し、こ
のレチクル接着剤層の下端面に離型層を剥離可能に貼り
付けすることで製造することができる。ここで、ペリク
ル膜接着剤層は、必要により溶媒で希釈してペリクルフ
レームの上端面に塗布し、加熱して乾燥し硬化させるこ
とにより形成することができる。この場合、接着剤の塗
布方法としては、刷毛塗り、スプレー、自動ディスペン
サーによる方法等が採用される。
【0030】
【実施例】以下、本発明を実施例と比較例を挙げて説明
する。 (実施例1)始めに、ペリクルフレームとして、フレー
ムの外寸100mm×100mm×幅6mm、厚さ2m
mのアルミニウム合金製フレームを用意した。図2に示
すようにフレームにC面取りを施し、アルミニウム合金
製フレームのC面寸法は、全てC0.3とした。これを
表面洗浄した後、粒径90μmのガラスビーズを使用し
吐出圧1.5kgのサンドブラスト装置にて10分間表
面処理し表面を粗面化した。次いで、NaOH処理浴中
にて10秒間処理し洗浄した後、陽極酸化、黒色染色、
封孔処理して表面に黒色の酸化被膜を形成した。
【0031】このアルミニウム合金製フレームを純水と
超音波洗浄装置を併用して洗浄した。次いで、このフレ
ームの内壁面にスプレーコーティング装置を用いて、シ
リコーン系粘着剤を1μmコーティングした。
【0032】次いで、テフロンAF1600(米国デュ
ポン社製商品名)をフッ素系溶剤・フロリナートFC−
75(米国スリーエム社製商品名)に溶解させて濃度8
%の溶液を調整した。その後、この溶液により、直径2
00mm、厚さ600μmの鏡面研磨したシリコン基板
面に、スピンコーターを用いて膜の厚みが0.8μmの
透明膜を形成させた。次に、この膜上に外径200mm
×幅5mm、厚さ5mmの枠を、エポキシ系接着剤アラ
ルダイトラピッド(昭和高分子(株)製商品名)を用い
て接着し剥離した。
【0033】次に、前記のようにして準備したアルミニ
ウム合金製フレームを、CT−69(旭硝子(株)製商
品名)を用いて、成膜したテフロンAF1600の膜表
面に接触させ、100℃で10分間加熱して接着した。
二つのフレームはペリクルフレームの接着面を上向きに
して固定用の治具に取り付けて、相対的に位置がずれな
いように固定した。次いで、ペリクルフレーム外側の枠
を引き上げて固定し、ペリクルフレーム外側の膜部に
0.5g/cmの張力を与えた。
【0034】また、別に膜切断用の器具として、スカラ
ーロボットにステンレス製カッター、厚さ0.25mm
を取り付けした。このカッターにチューブ式ディスペン
サを用いて、フロリナートFC75(米国デュポン社製
商品名)を毎分10μl滴下しながら、前記ペリクルフ
レームの接着剤部分の周辺部に沿ってカッターを移動し
ながら、ペリクルフレーム外側の不要膜部分を切断除去
した。
【0035】次に、でき上がったペリクル膜の表面を集
光ランプ(照度30万ルクス)を用いて暗室内にて検査
を行ったが、図2のC面a部分にペリクル膜接着剤はは
み出さず、ペリクル膜表面に汚れはなかった。
【0036】また、でき上がったペリクルの外側面を持
ってハンドリングを行い、ダミーのフォトマスク基板上
に置いて貼り付けを行ったが、図2のC面b部分にレチ
クル接着剤ははみ出さず、レチクル接着面を汚したりす
ることはなかった。
【0037】本実施例と同じ操作を50回繰り返し行っ
たが、ペリクル膜面の切断に使用している溶剤を原因と
する膜の破れ、汚れは認められなかった。また、ペリク
ルフレームのハンドリング時に、レチクル接着剤に触れ
てレチクル接着剤やその他の部分の機能を損なったり、
汚染したりすることもなかった。
【0038】(比較例1)始めに、ペリクルフレームと
して、フレームの外寸100mm×100mm×幅6m
m、厚さ2mmのアルミニウム合金製フレームを用意し
た。ペリクルフレームのペリクル膜接着面とフレーム内
外側面とのなす角部(ペリクルフレームの上部の角部)
にしかC面取りを施さず、アルミニウム合金製フレーム
のC面寸法は、C0.15とした。この場合、図2のC
面b部分は存在しない。これを表面洗浄した後、粒径9
0μmのガラスビーズを使用し吐出圧1.5kgのサン
ドブラスト装置にて10分間表面処理し表面を粗面化し
た。次いで、NaOH処理浴中にて10秒間処理し洗浄
した後、陽極酸化、黒色染色、封孔処理して表面に黒色
の酸化被膜を形成した。
【0039】このアルミニウム合金製フレームを純水と
超音波洗浄装置を併用して洗浄した。次いで、このフレ
ームの内壁面にスプレーコーティング装置を用いて、シ
リコーン系粘着剤を1μmコーティングした。
【0040】次いで、テフロンAF1600(米国デュ
ポン社製商品名)をフッ素系溶剤・フロリナートFC−
75(米国スリーエム社製商品名)に溶解させて濃度8
%の溶液を調整した。その後、この溶液により、直径2
00mm、厚さ600μmの鏡面研磨したシリコン基板
面に、スピンコーターを用いて膜の厚みが0.8μmの
透明膜を形成させた。次に、この膜上に外径200mm
×幅5mm、厚さ5mmの枠を、エポキシ系接着剤アラ
ルダイトラピッド(昭和高分子(株)製商品名)を用い
て接着し剥離した。
【0041】次に、前記のようにして準備したアルミニ
ウム合金製フレームを、CT−69(旭硝子(株)製商
品名)を用いて、成膜したテフロンAF1600の膜表
面に接触させ、100℃で10分間加熱して接着した。
二つのフレームはペリクルフレームの接着面を上向きに
して固定用の治具に取り付けて、相対的に位置がずれな
いように固定した。次いで、ペリクルフレーム外側の枠
を引き上げて固定し、ペリクルフレーム外側の膜部に
0.5g/cmの張力を与えた。
【0042】また、別に膜切断用の器具として、スカラ
ーロボットにステンレス製カッター、厚さ0.25mm
を取り付けした。このカッターにチューブ式ディスペン
サを用いて、フロリナートFC75(米国デュポン社製
商品名)を毎分10μl滴下しながら、前記ペリクルフ
レームの接着剤部分の周辺部に沿ってカッターを移動し
ながら、ペリクルフレーム外側の不要膜部分を切断除去
した。
【0043】次に、でき上がったペリクル膜の表面を集
光ランプ(照度30万ルクス)を用いて暗室内にて検査
を行ったが、C面a部側(外側)外側面に溶剤のたれに
よる、汚れが見られ、わずかに膜表面に溶剤による汚れ
が認められた。
【0044】次に、でき上がったペリクルの外側面を持
ってハンドリングを行い、ダミーのフォトマスク基板上
に置いて貼り付けを行ったが、全数でハンドリングの跡
(異物)がレチクル接着剤に残ったり、レチクル接着剤
が手袋に付着してしまったりした。
【0045】本比較例と同じ操作を50回繰り返し行っ
たが、ペリクル膜面の切断に使用している溶剤を原因と
する膜の破れ、汚れがいくつかで認められた。また、ペ
リクルフレームのハンドリング時に、レチクル接着剤に
触れてレチクル接着剤やその他の部分の機能は損なわ
れ、汚染した。以上の結果を表1に示した。
【0046】
【表1】
【0047】表1より明らかなように、アルミニウム合
金製フレームの上下の角部にC面取りを施すと共に、該
C面寸法を全てC0.3とした実施例1において得られ
たペリクルでは、不要膜切断時の溶剤による膜面、及び
フレーム外側面の汚染を防止することができた。これと
共に、ペリクルフレームのハンドリング時にレチクル接
着剤に触れてレチクル接着剤やその他の部分の機能を損
なったり、汚染したりすることも防止することができ
た。
【0048】これに対して、ペリクルフレームのペリク
ル膜接着面とフレーム内外側面とのなす角部(ペリクル
フレームの上部の角部)にしかC面取りを施さず、アル
ミニウム合金製フレームの該C面寸法をC0.15とし
た比較例1において得られたペリクルでは、不要膜切断
時の溶剤による膜面、及びフレーム外側面の汚染を完全
には防止することができなかった。また、ペリクルフレ
ームのレチクル接着面とフレーム内外側面とのなす角部
(ペリクルフレームの下部の角部)にC面取りがなされ
ていないため、ペリクルフレームのハンドリング時にレ
チクル接着剤に触れてレチクル接着剤やその他の部分の
機能は損なわれ、汚染した。この場合、ペリクルフレー
ムの不要膜切断工程、及び特にハンドリングによる取り
扱いは困難である。
【0049】そして、ペリクルフレームの材質に表面を
アルマイト処理したアルミニウム合金、ペリクル膜にフ
ッ素系ポリマー、及びペリクル膜接着剤にテトラフルオ
ロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する含フ
ッ素モノマーとの重合体からなる接着剤を使用すること
で、ペリクル膜切断工程を溶剤の制御性を向上させて容
易に行い、更には、ペリクルフレームのハンドリングも
容易に且つ確実に行うことができることが判る。
【0050】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0051】
【発明の効果】本発明によれば、ペリクルフレームの上
下の角部にC面取りを施し、該面取りの寸法をC0.2
5より大きくC0.35以下とし、更に、ペリクル膜接
着剤、及び露光用原版接着剤が各々の接着面よりC面側
にはみ出さないように形成されることによって、不要膜
切断時の溶剤による膜面、及びフレーム外側面の汚染を
防止することができる。これと共に、露光用原版接着剤
の塗布位置では、ペリクルフレームのハンドリング時
に、露光用原版接着剤に触れて露光用原版接着剤やその
他の部分の機能を損い、汚染することも防止することが
できる。
【0052】このようにして、ペリクルフレーム周辺の
不要膜切断工程において、不要膜切断のための溶剤の制
御性を向上させると共に、ペリクルフレームのハンドリ
ングを容易に且つ確実にすることが可能となる。従っ
て、本発明の半導体リソグラフィ用ペリクルを利用して
フォトリソグラフィを行えば、正常な転写パターンが得
られるようになり、その結果、半導体装置あるいは液晶
表示版の性能や製造歩留りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的なペリクルの構成例を示した概略図であ
る。
【図2】本発明のペリクルの断面拡大図である。
【符号の説明】
1…ペリクルフレーム、 2…ペリクル膜、 3…露光
用原版接着剤層、 4…離型層、 5…ペリクル膜接着
剤層。C面a部分…ペリクル膜接着面とフレーム外側面
とのなす角部(ペリクルフレームの上部の角部)になさ
れた面取り部分、C面b部分…露光用原版接着面とフレ
ーム外側面とのなす角部(ペリクルフレームの下部の角
部)になされた面取り部分。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくともペリクルフレームの一端面に
    ペリクル膜接着剤を介してペリクル膜を張設し、別な一
    端面に露光用原版接着剤を設けてなる半導体リソグラフ
    ィ用ペリクルにおいて、前記ペリクルフレームのペリク
    ル膜接着面及び露光用原版接着面とフレーム内外側面と
    のなす角部にC面取りがなされており、該面取りの寸法
    をC0.25より大きくC0.35以下とすることを特
    徴とする半導体リソグラフィ用ペリクル。
  2. 【請求項2】 前記ペリクル膜接着剤がペリクル膜接着
    面よりC面側にはみ出さないように形成され、前記露光
    用原版接着剤が露光用原版接着面よりC面側にはみ出さ
    ないように形成されていることを特徴とする請求項1に
    記載の半導体リソグラフィ用ペリクル。
  3. 【請求項3】 前記ペリクルフレームの材質が、表面を
    アルマイト処理したアルミニウム合金であることを特徴
    とする請求項1又は請求項2に記載の半導体リソグラフ
    ィ用ペリクル。
  4. 【請求項4】 前記ペリクル膜がフッ素系ポリマーであ
    り、前記ペリクル膜接着剤がテトラフルオロエチレンと
    環状パーフルオロエーテル基を有する含フッ素モノマー
    との重合体からなる接着剤であることを特徴とする請求
    項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体リソグ
    ラフィ用ペリクル。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007047546A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Shin Etsu Polymer Co Ltd ペリクル用収納容器
EP2107421A2 (en) 2008-04-01 2009-10-07 Shinetsu Chemical Co., Ltd. Lithographic pellicle
JP2010237282A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Nippon Light Metal Co Ltd ペリクル用支持枠の製造方法及びペリクル用支持枠並びにペリクル
JP2010256609A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクル
CN102033419A (zh) * 2009-10-02 2011-04-27 信越化学工业株式会社 防尘薄膜组件
CN102033421A (zh) * 2009-10-02 2011-04-27 信越化学工业株式会社 防尘薄膜组件的制造方法、光刻用防尘薄膜组件框架及光刻用防尘薄膜组件
CN102063012A (zh) * 2009-11-13 2011-05-18 信越化学工业株式会社 防尘薄膜组件及其制造方法
JP2011118263A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Shin-Etsu Chemical Co Ltd リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法
CN102141727A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 信越化学工业株式会社 光刻用防尘薄膜组件及其制造方法
JP2011164255A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Shin-Etsu Chemical Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
CN103901716A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 信越化学工业株式会社 光刻技术用防尘薄膜组件

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007047546A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Shin Etsu Polymer Co Ltd ペリクル用収納容器
EP2107421A2 (en) 2008-04-01 2009-10-07 Shinetsu Chemical Co., Ltd. Lithographic pellicle
JP2009251022A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィ用ペリクル
EP2107421A3 (en) * 2008-04-01 2010-03-17 Shinetsu Chemical Co., Ltd. Lithographic pellicle
TWI392958B (zh) * 2008-04-01 2013-04-11 信越化學工業股份有限公司 微影用防護薄膜組件
US8026023B2 (en) 2008-04-01 2011-09-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Lithographic pellicle
KR101541920B1 (ko) * 2008-04-01 2015-08-04 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 리소그래피용 펠리클
JP2010237282A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Nippon Light Metal Co Ltd ペリクル用支持枠の製造方法及びペリクル用支持枠並びにペリクル
JP2010256609A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクル
CN102033419A (zh) * 2009-10-02 2011-04-27 信越化学工业株式会社 防尘薄膜组件
CN102033421A (zh) * 2009-10-02 2011-04-27 信越化学工业株式会社 防尘薄膜组件的制造方法、光刻用防尘薄膜组件框架及光刻用防尘薄膜组件
CN102063012A (zh) * 2009-11-13 2011-05-18 信越化学工业株式会社 防尘薄膜组件及其制造方法
JP2011118263A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Shin-Etsu Chemical Co Ltd リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法
KR101441166B1 (ko) * 2009-12-07 2014-09-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 리소그래피용 펠리클 및 그 제조 방법
TWI414884B (zh) * 2009-12-07 2013-11-11 信越化學工業股份有限公司 微影用防塵薄膜組件及其製造方法
CN102141727A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 信越化学工业株式会社 光刻用防尘薄膜组件及其制造方法
JP2011164255A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Shin-Etsu Chemical Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
KR20140082917A (ko) * 2012-12-25 2014-07-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 리소그래피용 펠리클
JP2014126569A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィ用ペリクル
CN103901716A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 信越化学工业株式会社 光刻技术用防尘薄膜组件
KR102112519B1 (ko) * 2012-12-25 2020-05-19 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 리소그래피용 펠리클

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