TWI338543B - - Google Patents

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1338543 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種具有載體之極薄銅箔與其製造方 法，特別是有關於適用於當作是高密度極微細配線（fine Pat tern)用途的印刷電路基板用的具有載體之極薄銅箔。 【先前技術】 印刷電路基板係如下述般地被製造。首先，在由玻璃 環氧樹脂或玻璃聚亞醯胺所構成之電性絕緣的基板表面 上，放置表面迴路形成用的薄銅结之後，經由加熱加壓而 製造銅箔積層板。 接著，形成貫通孔穿越該銅箔積層板，之後進行貫通 電鍍然後對該銅箔積層板表面的銅箔進行蝕刻處理， 而心成具有所望之線寬與線間距之電路圖案。最後，進行 防焊漆的形成或其他的最終處理。 用於該銅落積層板的銅结，係將熱壓著基板的那—側 表面*作疋粗化面，藉由該粗化面而使針對該基材的増黏 效果么揮，經由此而能增加該基板與銅落之間的接合強 度1而能確保當作是印刷電路基板的信賴性。更者，最 上''事先將環氧樹脂般的接著用樹脂披覆在銅箔的粗化面 ^ ^後使該接著用樹脂成為半硬化狀態（即B stage)的 、’巴緣樹月日| ’因而將此具有樹脂的銅箔當作是表面迴路形 成用的鋼泊’然後進行熱壓著使該絕緣樹脂層側壓著於基 而形成印刷電路板，特別是能夠製造增層法（build-up) 的電路基板。增層法的電路基板是多層電路板的—種，係 在絕緣基板上依照料地在每—絕㈣切成導體圖案j、 並經由雷射法或微影法而對開孔（貫通孔）進行電鍍，而— 邊使層間導通一邊堆積配線層而完成電路板。 上述電路基板係對應於各種電子元件的高密度化，由 於能夠使貫通孔微細化而使電路圖案也能夠高密度化。因 此’目前業界便要求電路圖案要具有微細線寬和線間距的 配線，亦即要符合微細圖案的印刷電路板的要I，例如，

在被使用於半導體封裝的印刷電路板的場合時，係要求印 刷電路板要具有各為30“ 尤亡Μ邊t q ου # m左右的線見和線間距之高密度 極微細電路。 X ，當作是微細”刷電路形成㈣㈣，若使用厚銅馆 的話，#刻至基材表面的#刻時間會變的拫長。這會使所 形成之電路圖案的惻壁的垂直性被破壞，因而使得在電路 圖案線寬狹窄之處會有斷線之虞。因&，使用於微細圖案 的銅箔的厚度係在9"m以下，特別是最近由於資料量的増 大而為了增加電路數而使用5#m以下的銅箔。 <·，、、、而，由於極薄鋼箔的機械強度低，在印刷電路板的 製造時易發生皺折;痕，所以常引起銅箔斷裂。因此作為微 細圖案用途之極薄銅落係在載體銅落的—面上，藉由剝離 層而直接電著極薄銅m，而形成具有載體之極薄銅绪。 具有載體之極薄銅箔則如第4圖所般地，當作載體的 箱（以下稱之為载體搭）1的某一面上’依序形成剝離層2 和電佳電It銅f 3 然後對該電性電鍵銅層3的最外層表 1338543 面進行粗化面處理。接著，將該袓化面與坡璃環 圖不）重疊而將全體熱壓著，然後藉由剝離層 土 去該載體箔1，而使得與電性電鍍鋼層3曰 ：1】離/除 曰 的剝離層2括雜 之接合側露出，然後在該電性電鍵鋼 a z接觸 路圖案而被使用。 a 形成所定之電 ^在將前述薄電性電鍍銅層3接合到基材（未圖 月載體落1的功能係用來當作是電性電鍍銅層3的背後 ^強材（或載體）。更者，剝離層2係為了能夠使容易分離 !性電鑛銅層3與_1的層，因為在剝離除去該載體 泊1時也能夠整體地除去該載體箱1與剩離層2，所 能夠乾淨且容易地將該載體g 1剝離。另一方面，貼入二 玻璃環氧基材（未圖示）的電性電錄銅層3係依序地進^ 通孔的穿設以及貫通孔的電錢製冑。接著，對該銅落積： 板的表面進行姓刻處理而形成具有所望線寬與線間距的； 路圖案’最後進行防焊漆或其他的最終處理。 Θ如此般地，具有載體的銅箔係能夠使用電性電鍍銅層 :的厚度例如是9…下的極薄銅落，因而能夠形成微圖 、、而且，由於具有易操作之優點，所以特別適用於增層 法（build-up)的電路基板之製造使用。 曰 【發明内容】 例如在曰本專利特公昭61 -34385號公報中，有揭示一 然，有載體的銅洎’係在載體箔上設計一鏟鉻薄剝離層， 轰在。亥剥離層上設計以鹼性焦磷酸銅浴所形成之銅層， 1338543 然後在其上更設計一銅層，因而形成一合成箔。 然而該合成箱卻有許多問題。亦即將該合成箱使用於 例如是FR-4等級般的耐熱性剝離環氧樹脂積層板的場合 時，雖然由於熱壓著溫度在i赃左右而能夠剝離銅❹ 載體箱’但是由於剝離強度跟載體㈣的表面粗度有關 聯，因此對剝離強度沒有穩定性。更者，在使用特別是聚 亞醯胺樹脂的高耐熱性樹脂當作是基材時，由於在鑄造法 或熱壓著法時的加工溫度係3〇〇t的高溫，此高溫因而造 成銅擴散激烈’而影響載體鋼结的表面粗度和剝離強度， 而導致載體銅與極薄銅箱之間沒有安定的剝離強度=而 使剝離強度變化大而不穩I還有，纟於要在剝離層上均 句地電鍍-層極薄㈣是困難的’而會有許多針孔存在於 極薄銅猪中。（例如請參閱日本專利特公平〇8 —184〇丨號公 報中的比較例5和6)。 ,本發明之目的，在於提供一種具有載體之極薄銅箔與 其製造方法，以及使用該極薄銅箱之印刷電路基板，該極 薄銅箱具有在使用高耐熱性樹脂為基材時能耐高溫加=溫 度的剝離層，係能夠使載體箔的粗度的影響減至最低程 度，而能容易地以安定的剝離強度來剝離載體箔與極薄鋼

箔，並且提供一種能在載體箔上均勻地電鍍一層厚度是U 以m以下的極薄銅箱，而不會有許多針孔存在於極薄銅荡 中。 本發明的具有載體之極薄銅羯，其為由載體镇、剝離 層、極薄銅羯所構成之具有載體之極薄銅落，其特徵在於： 丄现543 °涛銅箱由一打底電鍍層與一極薄銅層所構成，該打底 f錄層係設計於該極薄銅層與該剝離層之間，其甲該極薄 銅層與該打底電鍍層為含有P的Cu層或是含有P的Cu合 金層。 還有’本發明的具有載體之極薄銅箔，其為由載體箔、 釗離層、極薄銅箔所構成之具有載體之極薄銅箔，其特徵 在於·該極薄銅箔由—打底電鍍層、一銅電鍍極薄層與一 β專銅層所構成，該打底電鍍層係設計於該銅電鍍極薄層 /、β玄剝離層之間，其中該打底電鍍層係由含有Ρ的Cu層或 疋3有P的Cu合金層所構成；該銅電鍍極薄層係設計於該 打底電1$層上’以及該極薄銅層係設計於該銅電鑛極薄層 上，其中該極薄銅層係由Cu或是Cu合金所構成。 還有，本發明的具有載體之極薄銅箔其為由載體箔、 剝離層、㈣銅羯所構成之具有載體之極薄㈣，其特徵 在：：該極薄銅落由-打底電鍍層、-銅電鍍極薄層與-極4銅層所構成’該打底電鍍層係設計於該銅電鍍極薄層 ,:剝離層之間’其中該打底電鍍層係由含有p的Cu層或 3有P的Cu合金層所構成；該銅電鍍極薄層係設計於該 -電鍍層上，以及該極薄銅層係設計於該銅電鍍極薄層 上，其中該極薄銅層係由含有P的CU或是含有P的以合 剝離/二:明的具有載體之極薄銅落，其為由載⑹ :離層、…落所構成之具有載體之 在於：該極薄銅落由-打底電鍍層、一銅電錢極薄層與 極薄鋼層所構成，該 與該剝離層之間，兑中W又層係設計於該銅電錄極薄層 是含有P的Cu合金；所構T:電錢層係由含有？的cu層或 iT ± ^ s π構成，該銅電鍍極薄層係設計於該 -電鑛層上，其中該 的CU合金所構[、/層係由含有Ρ的Cu或是含有Ρ 岸 ，以及6亥極缚銅層係設計於該銅電鍍極薄 9 中該極薄銅异孫士Γ '钔層係由Cu或是Cu合金所構成。 剝離岸纟發月的具有載體之極薄銅箔’其為由載體箔、 極薄㈣所構成之具有載體之極薄銅箔和其特 1極」.該極薄鋼落由-打底電錄層、-銅電鍵極薄層與 極溥鋼層所様, 層與該鍍層係設計於該銅電錢極薄 哎是八 均 ”中°亥打底電鍍層係由含有P的Cu層 : 的CU合金層所構成；該銅電鍍極薄層係設計於 是：有電鍍層上’其中該銅電鍍極薄層係由含有P的Cu或 雪妒搞”的Cu。金所構成；以及該極薄銅層係設計於該銅 ρ:Γ缚層上’其中該極薄銅層係由含有p的Cu或是含有 p的Cu合金所構成。 每丨雜®纟务月的具有載體之極薄銅箔，其為由載體箔、 "•曰、極薄銅羯所構成之具有載體之極薄銅箱，其特徵 〇 ^ 5 X極薄鋼4側的該載體落表面的表面粗度Rz係 的恭t ’位於該載體落表面的該剝離層上的該極薄銅箱 的戰體洎側的矣而4洛 ,.n , n 的載體落側表面： ：’在從該極薄銅羯 凹的凸部具起的極薄銅箔側而加上 或銅二…極薄銅"的表面粗度Rz之位置上’形成銅 5 層而至少覆蓋該剝離層表面的90%以上的面積， 1338543 二二:::。……後…強 還有，本發明的具有載體之極薄銅箱，其為由載體箔、 剝離層、㈣銅羯所構成之具有載體之極薄鋼箱，其：微 在於：在該極薄銅箔側的該載體箔表面的表面粗度Rz ^ ，位於該載體羯表面的該剝離層上的該極薄鋼= 的載體羯側的表面粗度Rz係、0,卜5“，在從該極薄銅;: 的載體箱側表面凹凸的凸部算起的極薄銅羯側而加上 〇·卜2 /z m的極薄銅箔的表面粗度Rz之 且工，形成銅 或銅s金層而具有至少9〇%以上的導電率，而且，以 上的熱壓著處理後的剝離強度係〇. 01KN/m~〇 〇5KN/m。 還有’本發明的具有载體之極薄銅箔的製造方去伏 有關於由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構成之具有載 τ' 極薄鋼箱的製造方法，其步驟包括：在該栽體羯的表= 成該剝離層；在該 金電鍍浴進行電鍍 打底電鍍層；以及 電鍍層上，經由電 所構成之一極薄銅 電鍍Cr，Ni，Fe或該等金屬的合金而形 剝離層上，以含P的Cu或含P的Cu合 而形成含P的Cu或含卩的Cu合金的一 在含P的Cu或含P的Cu合金的該打底 鍍而形成由含P的Cu或含卩的Cu合金 層。 還有，本發明的具有栽體之極薄銅箔的 J氣ia方法，係 有關於由載體箔、剝離層、極薄銅箔所槿士 — s 偁成之具有載體之 椏薄銅箔的製造方法’其步驟包括：在該裁w μ Μ粗泊的表面上 電鍍Cr，Ni，Fe或該等金屬的合金而形忐吋 小成邊剝離層；在該 1338543 剝離層上’以含P的Cu或含P的Cu合金電鍍浴進行電鍍 而形成含P的Cu或含P的Cu合金的—打底電鍍層；在該 打底電鍍層上，經由銅或銅合金電鍍而形成一銅電錢極薄 層；以及在該銅電鑛極薄層上’經由銅或銅合金電鍵而形 成一極薄銅層。 還有，本發明的具有載體之極薄銅箔的製造方法，係 有關於由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構成之具有載體之 極薄銅羯的製造方法，其步驟包括：在該載體箔的表面上 電鍍Cr，Ni, Fe或該等金屬的合金而形成該剝離層；在該 彔J離層上’以含P的Cu或含P的Cu合金電鍍浴進行電鑛 而升> 成含P的Cu或含P的Cu合金的—打底電鍵層；在該 打底電鑛層上，經由銅或銅合金電鍍而形成一銅電錢極薄 層；以及在該銅電鍍極薄層上，經由含p的Cu或含p的 Cu合金電錢而形成一極薄銅層。 還有’本發明的具有載體之極薄銅箔的製造方法，係 有關於由載體馆、剝離層、極薄銅落所構成之具有載體之 極薄銅箱的製造方*，其步驟包括：在該載體绪的表面上 電鍍Cr，Ni，Fe或該等金屬的合金而形成該剝離層；在該 剌離層上’以含1>的Cu或含P的CU合金電鍍浴進行電鍵 而形成含P的Cu或含P的Cu合金的一打底電鑛層；在該 打底電鍍層上，經由含P的Cu或含WCu合金電錄而形 成-銅電鑛極薄層；以及在該銅電錢極薄層上，經由⑸或 Cu合金電鍍而形成一極薄銅層。 還有’本發明的具有載體之極薄銅^製造方法，係 有關於由n體箱、制離居、 極薄銅箔的製造方法， '·5治所構成之具有截體之 電鍍Cr，Ni, Fe或言"驟匕括·在該載體箔的表面上 剝離層上，以含P的寺金屬的合金而形成該剝離層；在該 的Cu或含p的Cu合金 而形成含P的CU或八D 金電錢，合進行電鍍 i rt Φ & 一 3的以合金的一打底電鍍層.扁·^ 打底電鍵層上，經由含P的CU或含PM /曰，在該 成一銅電鍍極薄層的金電鍍而形 s ，乂及在該銅電鍍極薄層

的CU或含P的（^合 曰上A由含P D鱼電鍍而形成一極薄銅層。 、 本1明的具有載體之極薄銅箔 有關於由載體箔、剝 ^ 衣k方法，係 極薄—方法，其步驟包括:在表面粗度Rz= 二==表面形成該剝離層，使位於該剥離層 上的載“側的表面粗度Rz編卜5“；在 的該極薄銅箔的恭栌々々 主 /成 冑體泊側表面凹凸的凸部算起的極薄銅羯 貝'/上o.1、0.2#m的極薄銅箔的表面粗度Rz之位置 上广由PH3〜13的含P或不含p的銅或是含p或不含p的 銅合金洛而電鑛形成是一打底電鍍銅層而至少覆蓋該剝離 層表=的90¾以上的面積；以及在該打底電鍍層上形成含p 或不含P的鋼層或是含P或不含P的銅合金層而用作是具 有既定厚度之該極薄銅箔。 還有，本發明的具有載體之極薄銅箔的製造方法，係 有關於由载體箔、剝離層、極薄銅箔所構成之具有栽體之 極彝銅名的製造方法，其步驟包括：在表面粗度rz係〇 1〜5 # m的該載體箔表面形成該剝離層 然後使位於該剝離層 上的_側的表面粗度Rz成為〇.卜5“；在從所形成 的及極薄鋼箔的載體箔側表面凹凸的凸部算起的極薄銅箔 側而加上0.1〜0.2#m的極薄銅箔的表面粗度Rz之位置 上’藉由PH3〜13的含p或不含p的銅或是含p或不含p的 鋼合金冷而電鍍形成卜打底電鍍層的鋼層，並使該銅層 具有議以上的導電率；以及在該打底電鍍層上形成含P 或不含P的銅層或是含p或不含p的銅合 有既定厚度之該極薄銅羯。 另外，根據本#日月，本發明亦提供一種印刷電路基板，

:特徵在於··冑用前述之具有載體之極薄銅落而構成高 选、度極微細電路D 【實施方式】 本發明所使用的載體羯係可以是紹、銘合金羯、不 :鋼箱，合金荡、鈦结 '鈦合金洛、銅羯、銅合金箱等 等然而右考慮成本則最好是使用電解銅帛、電解銅合金 落、壓延銅箱或壓延鋼合金结，還有，其厚度最好是"。〇 ㈣。其原因是若採用太薄的銅羯，則由於機械強度低而使 得在印刷電路板的製造時會容易發生敵折，甚至有銅羯斷 j的危險I"生’因此右採用厚度了“以下的銅箔來當做載體 :就很難發揮其效果。還有，若採用厚度刚“以上的銅 ’泊的活’則會因為相對於製品的單位線圈的重量(線圈重量) 的增加而對生產性有很大的影響以及需要要求設備要有 更大的張力，這會使得設備空間變大而不合乎經濟。 12 δ又叶於上述載體箔上的剝離層最好是Cr金屬、

Cr ^ U η ^ ^ 於

Ni * r ,屬層上之鉻氫氧化物層、鉻氫氧化物層、 1、Fe或含Ni、Fe或/及其合金之氫氧化物層。Cr人： 如是 Ni-Cr，Co-Cr P w r p 。金例 LQUr，Cr-w，Cr-Cu，Cr-Fe 等合金。 元系。金例如是 Ni-Co-Cr， Ni-Fe-Cr, Ni-Cr iw ；：T；W* — -CP, c.Fe_Cr, c.：：；；： 的Γ W’ C〇 —Cr-Cu’ Co-Cr-P等合金。形成該等的韌離層 成’、以及該等的氣氧化物則最好是經由電氣處理來形 還有，為了達成在更高溫時熱加壓後的剝離性的安定 化’則剝離層的底層最好是使用Ni，^或該等的合金層。 從載體笛上將極落銅羯剝離時的剝離強度，係會被、 成剝離層的金屬的附著量所影響。亦即，電鍍附著量多的 =’構成剝離層的金屬（以下稱之為剝離材金屬）係成為完 王覆蓋載體羯表面的狀態’因此剝離強度就被認為是使該 剥離材金屬與被附著金屬箱之間的結合被剝離拉下的力。 針對於此，在剝離材金屬的附著量少的場合時，載體猪表 2沒有完全被剝離材金屬所覆蓋，因此剝離強度就被認 ’.·、是使該剝離材金屬與被附著的僅被露出的載體羯的金層 之間的結合被剝離拉下的力。因此，載體的剝離強度雖會 經由形成剝離層的剝離材金屬的附著量而變化，然而當形 成(或附著)某程度厚度以上的剝離層則不會有變化，根據 貫驗，當形成剝離層的金屬的附著量即使是 〇. 〇1〜100mg/dm2以上時，盘饮★ p日u办， /、泊之間的剝離強度係沒有變 化。但是，形成剝離層的鉻金屬則需考慮對環境的影響， 所以最好的厚度是控制在45mg/dm2以上。 剝離層即使是僅由金屬&纟金所冑成也能維持如上述 的阿剝離，但在該金屬表層上存在有氫氧化物的話^ 、J到離|±更可向上。電鍍液中的浸潰時間、電流值 '電鑛 夜使用期限、水洗狀態、電鍍之後的電鑛液的pH值等係與 被形成於表層的氫氧化物有密切的關係氫氧化物對言 溫剥離性有很大的影響。但是，纟此時形成剝離層的路： 屬則需考慮對環境的影響，户斤以最好的厚度是控制在 4. Snig/dm2以下。還有，超過該厚度也會造成針孔而不良。 子於用鉻的氫氧化物來形成剝離層的場合時，貝丨】需考慮對 %衩的影響，所以鉻金屬（包含該合金）的附著量最好是控 制在0. 015mg/dm2以上。 一般而言，剝離層上的極薄銅箔的電鍍係因為剝離層 的剝離性，而非常不容易進行均句的諸，而造成極薄^ 石中的針孔數多。因此，本發明係在剝離層上以形成焦磷 酸打底銅電鍍或錯離子的電鍍液來進行打底電鍍。如此2 地，就能夠在剝離層上施行打底電鍍而進行均勻的極薄銅 /1的電鍍，而即使在1 〇 # m以下的極薄銅箔中，也能夠顯 著地降低針孔數。 焦填酸銅打底電鍍液組成例如是：

CU2P2O7 · 3H2〇 : 5〜50g/L K4P2O7 · 50〜300g/L pH ： 8-10 而最好能夠形成良好的電鍍被膜。 14 1338543 形成錯離子的電鍍液例如是氰基（cyan).氨基續酸 (su 1 f am i c ac i d )銅電锻洛。而氰化銅打底電鍍浴的例子例 如是：

CuCN ： 10~50g/L KCN ： 20~60g/L pH ： 11-13 而最好能夠形成良好的電鍍被膜。 氨基磺酸銅打底電鍍浴例如是：

Cu(NH2S〇3) · 4H2O ： 20~l〇〇g/L NiCh · 6H2O : 10〜60g/L

H3BO3 : l〇~40g/L

pH 3. 5-4. 而最好能夠形成良好的電鍍被膜。 還有’即使載體箔的表面粗度有凹凸存在的場合時， 藉由進行打底電鍍而能夠得到安定性的剝離強度。還有， 當作是剝離層的鍍鉻被膜形成時，特別是因為生成被港 薄，所以更容易受到載體箔表面的表面粗度之影響，而成 為導致剝離強度不穩定的原因之一；因此當藉由在剝離層 上進行打底電鍍，則能夠抑制該剝離強度的不穩定。還有 可以取代剝離層上的打底電鑛的方法，即採用脈衝電鍍也 能夠得到同樣的效果。該打底電鍍係在採用有機被膜當作 是剝離層時，也能夠顯示該有機皮膜上的電鍍效果，因此 在打底電《上形成丨以下的極薄銅料也有使針 孔數減少之效果。 15 [338543 以打底電鍍所附著之銅層的平均電鍍厚度最好是 ，電鍍條件雖然會隨著電鍍浴種類的不同而有 所不同，但最好是將電流密度控制在〇.卜1〇A/dm2 ,電鍍時 間控制在0.1秒〜2分鐘左右。當電流密度在〇1A/dm2以下 時，則不容易在剝離層上有均勻的電鍍。當電流密度在 ΙΟΑ/dm2以上時，則會使電鍍液中的金屬濃度稀薄而使得在 打底電鍍中發生燒焦電鍍，因而無法得到均勻的電鍍。還 有，關於電鍍時間，若低於〇.丨秒則由於太短而無法得到 十分的電鍍層。 打底電鍍層的形成方法，首先以焦磷酸電鍍浴而在剝 離層上形成不會有損剝離層剝離性的厚度係〇 Q 1〜〇 • m 以下的薄銅電鍍層，之後以電流效率良好之硫酸銅電鍍浴 等的電鍍浴而能夠達成一定膜厚。即使在該方法中，當作 是容易剝離而且針孔數少的具有載體的銅镇的製造方法， 則在剝離層上進行焦磷酸銅打底電鍍而形成均一的薄電錄 銅層之後’更以焦磷酸銅電鍍浴而進行不會侵蝕前述鋼電 鍍層之電鍍而形成安定性的電鍍膜的基礎上，使用電流效 率優良之硫酸銅電鍍浴、氰化銅電鍍浴、氟化銅電鍍浴、 焦磷酸銅電鍍浴’而電鍍到直到電鍍厚度目標為止，而使 品質優良並有效率。 對於設計於剝離層上的極薄銅箔的電鍍浴，在上述的 日本專利特公昭61 - 3 4 3 8 5说公報中’有記載經由使用形成 錯離子的浴而有減少針孔數的優點。但是，形成錯離子的 浴一般來說，由於密著性並不太好’在從載體箔表面的剝 16 1338543 離層表面凹凸的凹部算起的Rz值+0 2/z m以下的位置是無 法均-地覆蓋剝離層表面，然而藉由在剝離層上施以打底 電鍍而在加上0.卜0. 2 // m的極薄鋼箔的表面粗度Rz之位 置上，是可以覆蓋90%以上的剥離層的表層，而更能減少 針孔數而使剝離性安定化。 還有，為了要得到與設計於極薄銅箔表面的樹脂之間 的密著性而進行粗化處理，所以最好是將粗化處理面的表 面粗度Rz控制在〇. 2〜4. 0 " ra。亦即，此處的粗化處理並 不是要使Rz控制在0.2/zm以下（因為粗度太小並不能提升 密著性）。另外，由於粗度Rz控制在時就能夠得到相 當好的岔著性，因此並不需要4 v m以上的粗度。還有，表 面粗度Rz係依照JISB 060卜1 994「表面粗度的定義和表 示方式」& 5.1「十點平均粗度的定義」所規定的表面粗 度。 接著，舉一些具體的實施例來說明本發明。 第1實施例（請參閱第1圖） 1. 載體銅箔1的準備：使用具有厚度是31“的載體 銅箱1’亮面（Shiny)粗度。係丨.m的未處理電解銅箱。 2. 剝離層2的形成：在上述載體銅箔1的亮面上，連 續地進仃電氣處理，而形成金屬鉻附著量0· 50nig/dm2的金 屬鍍鉻剝離層2。

3·剝離層2表面以及在其附近的含有p的打底電鍍層 2A的形成：即接著在該剝離層2上在 CU2P2O7 · 3H2O : 30g/L 17 1338543

:300g/L κ-.ρ2〇；

pH *液中，以電流密度是1.赠的條件而進行3"少的 打底電鍍，而在剝離層2表面以及在該附近形成含卩層2A。 4·極薄銅，"的形成：接著，在含P的打底電鑛層2A 上，在

Cu2P2〇7 · 3H2〇 ： 85g/L

K4p2°7 : 350g/L

NH3OH(28%) : 5ml/L pH :8.5 =溶液中’以電流密度是4A/dm2的條件進行電鍍而形成極 溥銅層2B’而前述打底電鍍層2A加上該極薄銅層2b稱之 為極薄銅洛3’極薄銅箱3的總膜厚係⑻，如=3"『 更者，經由習知方法，進行使銅粒子附著於極薄銅箔 3的表面的粗化處理。防鏽處理以及表面處理係在被施予 粗化處理的㈣銅層上，經由f知的方法，進行鋅電鍵以 及鍍鉻處理而得到具有載體箔之極薄銅箔。 第2實施例（請參閱第2圖） 1·載體銅箱1的準備：使用具有厚度是31ym的載體 銅箔1，亮面（shiny)粗度！^係〇 的未處理電解銅箔。 2·剝離層2的形成〔在上述載體銅箔1的亮面上，連 續地進行電氣處理，而形成由鉻附著量〇· 3〇mg/dm2的氫氧 化物膜構成之剝離層2。 3.剝離層2表面以及在其附近的含有p的打底電鍍層 1338543 在 2A的形成：即接著在該剝離層2上

Cu2P2〇7 · 3H?〇 K4P 2〇7

30g/L :300g/L

PH 的冷液中，以電流密度是丨5A/dm2的條件而進行秒的 打底電鍛’而在剝離層2表面以及在該附近形成含p層2A。 4.極薄銅箔3的第一形成步驟：接著，在含p的打底 電鍍層2A上形成極薄銅層（銅電鍍極薄層）％，复 列條件而形成。 '

Cu〉農度：5〇g/L

： 100g/L 電流密度是1 5A/dra2。

5·極薄銅箔3的第二形成步驟：接著，在 Cu2P2〇7 · 3H2〇 ： 85g/L K-iP 2〇7NH3〇H(28%)

:350g/L ：5ml/L

pH

5 的减T ’以電流密度是4A/dm2_#it行電心形成極 薄銅層2B’而前述打底電鍍層2A加上該等極薄銅層沉與 2B稱之為極薄銅馆3,極薄銅落3的總膜厚係邝2^ // m 〇 更者’經由習知方法，進行使銅粒子附著於極薄銅落 3的表面的粗化處理.防鏽處理以及表面處理係在被施予 粗化處理的極薄銅層上，經由習知的方法，進行鋅電鍍以 19 1338543 及鍍鉻處理而得到具有載體箔之極薄銅箔。 第3實施例（請參閱第2圓） 載體銅H i的準備··使用具有厚度是35^的载體 銅篇1儿面（shiny)粗度Rz係〇· m的未處理電解鋼箔。 2·剝離層2的形成：在上述載體銅箔1的亮面上，連 續地進行電氣處理，而形成由金屬附著量的金 屬鉻與氫氧化物膜構成之剝離層2。 2A的形

3.剝離層2表面以及在其附近的含有p的層 成：即接著在該剝離層2上，在 CU2P2O7 · 3ΗςΟ ： 16g/L K4P2O7

:300g/L

pH 的溶液中’以電流密度是_“條件而進行6。秒的 打底電鑛，而在剝離層2表面以及在該附近形成含p的打 底電鍍層2A。 ’在含P的打底 鍍極薄層）2C， 4.極溥銅名3的第一形成步驟：接著 電鍍層2A上形成銅的含p極薄銅層（銅電 其係以下列條件而形成。

CU2P2O- · 3H2〇 ： 70g/L K4P2O7NH3〇H(28%)

:250g/L :4ml/L pH : 8_ 5。 在含P的極薄 5.極薄銅箔3的第二形成步驟：接著 銅層（銅電鑛極薄層）2C上，在 20 1338543

Cu 濃度：55g/L H2SO4 · δ〇g/L 的溶液中，以電流密…5A/d“條件進行電鑛而形成 極薄銅層2B ’而前述打底電鍍層2A加上 丄成寺極缚銅層2c 與2B稱之為極薄銅馆3,極薄銅落3的總膜厚係吲 β m 0 更者，經由習知方法，進行使銅粒子附著於極薄銅箱 3的表面的粗化處理。防鏽處理以及表面處理係在被施予 粗化處理的極薄銅層±，經由習知的方法進行鋅電鍍以 及鍍鉻處理而得到具有載體箔之極薄銅箱。 第4實施例（請參閱第2圖） 載體銅落1的準備：使用呈右戶庳e Q(r 角使用具有厗度是35“ m的載體銅 结1 ’亮面Uhiny)粗度匕係的未處理電解銅结。 至於剝離層2與極薄銅層3的形成係以第3實施例是 相同的條件。 第5實施例（請參閱第2圖） 1. 載體銅f“的準備：使用具有厚度是31“的載體 銅洛I，亮面（shiny)粗度Rz#卜^的未處理電解銅. 2. 剝離層2的形成：在上述載體鋼箱μ亮面上，進 行浸漬（d】p)處理，而形成由附著量〇 〇i4mg/dm2的氫氧化 物膜構成之剥離層2。 3. 剝離層2表面以及在其附近的含有p的層2A的形 成：即接著在該剝離層2上，在

CU2P2O- · 3H2〇 ： 2〇g/L "1338543

300g/L κ4ρ2〇ι

pH 的冷液中以電流密度是j · 2A/dm2的條件而進行6〇秒纪 打底電鍍而在剝離層2表面以及在該附近形 、’ 底電鍍層2A。 战s P的约 4. 極薄鋼落3的第-形成步驟：接著，在含P的打底 電鍍層2A上形成銅的含p極薄銅層（銅電鍍極 : 其係以下列條件而形成。

CU2P2O7 · 3H2〇 : 1 〇〇g/L

K4?2°7 : 280g/L

NH3〇H(28%) ： 5ml/L PH : 8. 5。 接著，在含Ρ的極 5. 極薄銅箔3的第二形成步驟 銅層（銅電鍍極薄層）2C上，在

CuCN ： 70g/L KCN ： 90g/L 的溶液中’以電流密度是5A/dm2的條件進行電鑛而开“ 薄銅層2B’而前述打底電鑛層2A加上該等極薄銅層 2B稱之為極薄銅羯3,極薄鋼箱3的總膜厚係…，忭 μ m 〇 更者，經由習知方法，進行佬 ^使銅拉子附著於極薄雀 3的表面的粗化處理。防鏽處理以及表面處理係在被方 粗化處理的極薄銅層上，經由習知 的方法’進行鋅電ί 及鏟鉻處理而得到具有載體箔之極薄銅箱。 22 1338543 第6實施例（請參閱第2圖） J·載體銅落！的準備：使用具有厚度是3i"m的載體 銅绪卜亮面（shiny)粗度匕係的未處理電解銅落。 2_剝離層2的形成：在上述載體鋼箔1的亮面上，連 續地進行Μ卜合金的電鍵處理，而形成由附著量 0.50mg/dni2的Ni-Cr合金電鍍所構成之剝離層2。 3·剝離層2表面以及在其附近的含有p的層2a的形 成··即接著在該Ni-Cr合金剝離層2上，在

CU2P2O7 · 3H2O ： 30g/L

K4P2〇? : 300g/L pH : 8 的溶液中’以電流密度是i•财的條件而進行6〇秒的 打底電鍵’而在剥離層2表面以及在該附近形成含p的打 底電鍍層2A。 4.極薄銅箔3的第一形成步驟：接著，在含p的打底 電鍍層2A上形成厚度是—的含？極薄銅層（銅電鍍極 薄層）2C ’其係以下列條件而形成。

CU2P2O7 · 3H2〇 ： 90g/L

: 300g/L pH :8 電流密度是4A/dm2。

5·極薄銅羯3的第二形成步驟：接著，在含p的極薄 銅層（銅電鍍極薄層）2C上，在 Cu 濃度：50g/L 23 1338543

H2SO4 : 100g/L 的溶液中’以電流密度是2〇A/dm2的條件進行電鍍而形成 極薄銅層2B，而前述打底電鍍層2A加上該等極薄銅層％ 與2B稱之為極薄銅箔3,極薄銅箔3的總膜厚係= 3 g m 0 更者，經由習知方法，進行使銅粒子附著於極薄銅箔 3的表面的粗化處理。防鏽處理以及表面處理係在被施予 粗化處理的極薄銅層上，經由習知的方法，進行辞電鍍以 及鍍鉻處理而得到具有載體箔之極薄銅箔。 第7實施例（請參閱第2圖） 1. 載體銅箔1的準備：使用具有厚度是3Um的載體 銅羯1’亮面（shiny)粗度Rz係U8/Zm的未處理電解銅羯。 2, 剝離層2的形成：在上述載體銅箔丨的亮面上連 續地進行電氣處理，而形成由Cr附著量15〇mg/dm2的金 屬絡之剝離層2。 3.剝離層2表面以及在其附近的含有p的層的形 成.即接著在該剝離層2上，在

3〇g/L :300g/L CU2P2O- · 3H2〇 K4P2O7

pH 的/合/夜中’以電流密度是丨5A/dm2的條件而進行2分鐘的 打底電錄而在剝離層2表面以及在該附近形成含p的打 底電鍍層2A。 極薄銅羯3的第一形成步驟：接著，在含p的打底 24 1338543 電鍍層2A上形成銅的含P極薄銅層（銅電鍍極薄層）％ 其係以下列條件而形成。

CuCN ： 55g/L KCN : 70g/L。

5·極薄鋼箔3的第二形成步驟：接著，在含p的極薄 銅層（銅電鍍極薄層）2C上，在 CU2P2O7 · 3H2〇 ： 85g/l K4P2O7 : 35〇g/L

NH3〇H(28%) : 5ml/L pH ： 8. 5 的溶液中，以電流密度是3A/d„2的條件進行電鍍而形成極 薄銅層2B’而前述打底電鍍層2A加上該等極薄銅層沈與 2B稱之為極薄㈣3，極薄銅落3的總膜厚係⑻，⑽― "m 〇 % Ί j 則桠十附者於極溥銅箔 3的表面的粗化處理。p 、 錄處理以及表面處理係在被施予 粗化處理的極薄銅層上，經由習知的方法，進行鋅電鍍以 及鑛路處理而得到具有載體落之極薄銅馆。 第8實施例（請參閱第2圖） 1. 載體銅箔1的準 外Λ 乂 的羊備使用具有厚度是31//m的載體 銅治1，売面（sh i ny)并厗 0 ^ +度Rz係3. 5 # m的未處理電解銅箔t 2. 剝離層2的彤士、· + 7成，在上述載體銅箔1的亮面上，達 續地進行Fe-Cr入λ认泰 in 2 σ金的电鍍處理，而形成由附著f 1. 〇mg/dm2 的 Fe-CV 人 a 5金電鍍所構成之剝離層2。 25 『1338543 3.剝離層2表面以及在其附近的含有p ^ 、. P的層2A的形 成·即接著在該Fe-Cr合金剝離層2上，在

Cu2P2〇7 · 3H2O ： 30g/L

K4P2〇7 ： 300g/L PH :8 而進行60秒的 近形成含P的打 的溶液中，以電流密度是1.5A/dm2的條件 打底電鍍’而在剝離層2表面以及在該附 底電鍍層2A。 4.極薄銅箔3的第一形成步驟：接著 ^ a n t 在含P的打底 電鍍層2A上形成含p極薄銅層（銅電鍍極 又Π寻層）2C，其係 以下列條件而形成。

CU2P2O- · 3H2〇 ： 50g/L

KilP2°7 : 30 0g/L

PH : R 電流密度是4A/dm2。 5.極薄銅箔3的第二形成步驟：接 ^ ^ 香在含P的極薄 銅層（銅電鍍極薄層）2C上，在

Cu 濃度：50g/L H2S〇4 ： 100g/L 的溶液中，以電流密度是j 5A/d 2 ^ ^ 悚件進仃電鍍而形成 =銅層，而前述打底電鍍層2A加上該等㈣❹^ 稱之為極薄銅落3,極薄銅箱3的總獏厚係⑽，咖 更者’經由習知方法 進行使銅粒子 附著於極薄鋼箔 26 1338543 3的表面的粗化處理。防鏽處理以及表面處理係在被施予 粗化處理的極薄銅層上’經由習知的方法，進行鋅電鍍以 及鍍鉻處理而得到具有載體箔之極薄銅结。 第9實施例（請參閱第1圖） 1. 載體銅箔1的準備：使用具有厚度是31/Z(n的載體 銅箔1’亮面（shiny)粗度RZ係i.0/zm的未處理電解銅箔。 2. 剝離層2的形成：在上述載體銅箔丨的亮面上，連 續地進行電氣處理，而形成金屬附著量〇 5〇ing/dm2的由金 屬鍍鉻和氫氧化物膜所構成之剝離層2。 3. 剝離層2表面的打底電鍍層2A的形成：即接著在該 剝離層2上，在

CuCN : 3Og/L KCN ： 40g/L pH :11.5 的溶液中，以電流密度是歸的條件而進行5分鐘的 電鍍’而在剝離層2表面形成打底電鍍層2八。

4.極薄銅$3的形成：接著’在打底電㈣^上，在 CuCN ： 70g/L

KCN ： 90g/L 的溶液中，以電流密度是5A/dm2 ^ a on 俅件進仃電鍍而形成極 潯銅層2B，而前述打底電鍍層2A加 ^ ^ . λ. 上該極缚銅層2B稱之 為極溥銅拍3’極薄銅箱3的總獏 * ^ Lpi tpl = 3 // m = 更者，經由習知方法，進行使 q认主二 、.s ;子附著於極薄銅箔 3的表面的粗化處理。防鏽處理 及表面處理係在被施予 27 1338543 粗化處理的極薄銅層上，經由習知的方法，進行辞電錢以 及鍍鉻處理而得到具有載體箔之極薄銅箱。 第1 0實施例（請參閱第3A圖） 在第1實施例中被作成的具有載體箔的極薄銅箔的表 面上’使用浪筒塗佈機（rol 1 coater)而塗佈厚度是 6.0mg/dm2的樹脂亮光漆（varnish)之後，進行溫度16〇。〔、 5分鐘的熱處理而形成b stage的絕緣樹脂層4，然後剝離 載體箔1而形成具有樹脂之銅箔，如第3A圖所示。接著使 用該具有樹脂之銅箔而製作印刷電路基板。在此所使用的 亮光漆係經由混合epichl〇ni22卜75M(商品名，大日本印 刷株式會社製的雙酚（bi sphen〇1 )A型環氧樹脂亮光漆）丨 重罝部、脒基先酰胺（dicyandiamideW. 1重量部、2 -乙基 _4-曱基咪唑（methy丨imidazde)〇·丨重量部以及甲基溶纖劑 (methyl cell〇solve)20重量部而調製成。 比較例1 以第3貫％例的狀態，而不進行焦填酸打底電鑛而調 製具有載體的極薄銅箔。 比較例2 將載體箔更換成表面粗度Rz是4.丨"m的箔，然後以 第3實施例的狀態而不進行焦磷酸打底電鍍而調製具有載 體的極薄銅落。 將上述實施例中的箔的載體剝落（peel)以及針孔的評 價用試料（Sample)作成如下述般而進行評價。 (1 )·載體剝落測定用一面銅積層板的製作： 28 1338543 將前述的具有載體的極薄銅箔（實施例1〜1()、比較例 1、2)切斷成縱250mm、橫250mm，然後在極薄銅箔3表面 上（粗化面側的面上），經由熱壓著而放置厚度丨的玻璃 纖維強化環氧預浸板（F R - 4 )，然後將其全體以2片的平滑 不鏽鋼板夾著，然後經由溫度l7(rc、壓力5〇kg/cn]2、6〇 分鐘的熱壓著而製造具有載體箔的FR_4載體剝落用單面 銅積層板。 還有’將前述的具有載體的極薄銅箔（實施例1〜丨〇、 比較例1、2)切斷成長250mm、寬250mm的試料，然後在極 薄銅箔3表面上（粗化面側的面上）放置厚度5〇 " m的聚亞 醯胺（polyimide簡稱PI)板（宇部興產製upiLEX_VT)，然 後將其全體以2片的平滑不鏽鋼板夾著，然後經由 20t〇rr(即2666.44Pa)的真空壓製，然後經由溫度33〇t：、 壓力2kg/cm、10分鐘的熱壓著，接著再以溫度33〇°c、 50kg/cm2、5分鐘的熱壓著，而製造具有載體箔的聚亞醯胺 載體剝落用單面銅積層板。 (2 ).針孔測定用一面銅積層板的製作： 與前述的FR-4用載體剝落用單面銅積層板的製程相 同之方式，製作針孔測定用單面銅積層板。 特性評價 (1).載體剝落的測定： 切出將根據上述（1)法所製作的具有載體箔的單面鋼 積層板所做的試料，以JISC6511的規定為準，而如第3八 圖與第3B圖所示般地，使用測定試料寬度丄〇mm而將載體 29 1338543 ' ϋ 銅箔從樹脂層4剝了，針孔強度係以n數是3來測定。其 έ平價結果則如表1所示。 (2).針孔測定： 將將根據上述（2)法所製作的長25〇_、寬25〇mm的單 面銅積層板，在暗室内而照射從樹脂基材側來的光，經由 所透過來的光而能夠計算針孔的數目。其評價結果則如表 1所示。 (3).在從極薄銅箔的載體箔侧表面凹凸的凸部算起的 極溥銅泊側上，加上極薄銅箔的表面粗度RZ值〇.卜〇. 2以 m的位置的剝離層上的銅電鍍面積比測定方法： 在以實施例卜1G、比較例1、2的電鍍條件而形成於 載：箱表面之剝離層上’如帛丨圖與第2圖所示般地，在 取k平均之％合下，在從該極薄銅箱的載體结側表面凹凸 的凸部算起的極薄銅箱側上，進行電鍍銅直到加上極薄鋼 :的表面粗度⑽。·卜0.2…位置，在該表面上貼合 -透明膠帶而使銅側貼著於透明膠帶上，然後將膠帶剝下 而測定剝離層表面積與被剝下的銅層的表面積，而算出該 比率。其結果則合併於表1中。 —確認的方法係將其他的銅羯埋在樹脂令，在從極薄銅 落的載體落側表面凹凸的凸部算起的極薄銅笛側上，能夠 研磨：到加上極薄銅箱的表面粗度Rz值。.卜。.2…位 置。运有可以帛ΠΒ(Ρ。⑶sed iQn beam)將被埋在樹脂中 的銅箔切片而確認。 ⑷.從被形成於載體箱表面的剝離層表面上的極薄銅 30. 1338543 /备表面凹凸的凸部到極薄銅箔的表面粗度Rz值0.1〜0.2“ m的位置的鋼層的導電率的測定方法： 在以實施例以及比較例的電鍍條件所形成於載體箱表 面的剝離層上’將銅電鍍於從該剥離層表面凹凸的凸部算 起到Rz值+〇. 2 " m的位置，然後將透明膠帶貼合於該鋼箔 表面’然後將貼合的膠帶剝下，而測定附著於膠帶上的鋼 層的導電率。其結果則合併於表1中。 〃確認的方法係藉由研磨或化學溶解從被形成於極薄鋼 泪的載體落側的載體羯表面的制離層表面上的從極薄銅箱 表面凹凸的凸部算起直到極薄銅落的表面粗度Rz值 邊的位置，然後進行研磨或溶解前後的導電率 =二Γ差而能夠求得導電率。該方法在具有樹脂 的銅泊的％合是一有效的手段。 31 1338543 表1 FR-4載體剝離 (KN/m) PI(polyimide) 載體剝離(KN/m) 針孔(個數) 相對於剝離 層表面積的 銅面積比(％) 導電率 (%) 實施例1 0.018 0.038 5 95 93 0.017 0.031 0.015 0.025 實施例2 0.016 0.032 1 98 98 0.017 0.023 0.014 0.025 實施例3 0.015 0.030 0 97 99 0.018 0.022 0.019 0.027 實施例4 0.021 0.035 2 93 97.5 0.019 0.032 0.023 0.029 實施例5 0.019 0.022 3 96 96.2 0.017 0.025 0.018 0.029 實施例6 0.015 0.021 4 92 98 0.016 0.024 0.017 0.023 實施例7 0.015 0.029 0 95 99 0.016 0.039 0.017 0.031 實施例8 0.025 0.046 1 93 98.3 0.024 0.042 0.028 0.043 實施例9 0.025 0.032 2 98 97.8 0.022 0.042 0.028 0.027 比較例1 0.037 無法測定 22 75 82.1 0.025 0.019 比較例2 0.031 0.087 87 65 73.4 0.021 0.035 0.019 0.072 32 1338543 評價結果 (1) .載體剝離（peel): 在使用FR-4載體剝離的場合時，即使熱壓著溫度是 17(TC ’相對於比較例的試料的載體剝離數值是蠻大之情

形，實施例的試料不但安定且恭執A 文疋丑戟體剝離數值也低。還有， 在使用PKpolywide’聚亞醯胺)的場合時，因為熱壓著 溫度是33(TC的高溫，因此比較w i係'無法剝離，相對於 比較例2的試料的載體剝離數值是難剝離的〇〇5KN/m之情 形’實施例的試料係全都可以被剝雜 _ 攸利離且顯不實施例5的試 料之載體剝離數值最低。 (2) .針孔： 相對於比較例1的被發現很多針孔，則能夠確認實施 例的試料的針孔少。還有在比較例”，其針孔數最多。 在上述實施例中，雖然是使用電解銅羯當作是載體 羯’然而載體落即使是使用電解銅合金落、壓延銅(合幻 结、結箱、！呂合金落、不鏽㈣、鈦羯、欽合金箱等等， 也能得到同樣的效果。 (3) ·面積比測定： 在從極薄銅落表面凹凸的ώ部算起到載體羯側的極薄 銅备的表面粗度RZ值後卜〇.2“的位置的銅層與剝離厚 的面積比，在實施例中9嶋銅層。“卩由㈣層係進入 剝離層的凹凸面中，使銅層與滿遍的剝離層^，銅層係 保護剝離層，而防止剝離層的m而可以了解由於防 止剝離層的劣化而能使剝離強度安定化1 一方面，比較 33 1338543 例的面積比係驗下。亦即由於在比較例中，銅層係沒 有進，到剝離層的凹凸面中，所以剝離層和銅層還：剝： 的狀態，使得在電鍍銅時，剝離層會由於電鍍浴而被劣化， 該結果可以推測剝離強度會不安定。 (4) .導電率測定： μ在從極薄銅猪表面凹凸的凸部算起到載體箱側的極薄 鋼箱的表面粗度的位置的導電率，在實施例 尤王是超過90%的結果，然而比較例的銅箔卻是9⑽以下的 值。從該結果可知，在實施例中，儘管對於不易電鍍的剝 離層表面以及凹凸的形狀’銅層係密著於滿遍的凹凸面， 還有進行不會使剝離層被破壞之電鍍，所以可以了解剝離 強度係能夠被安定化。另一方面，在比較例中對於不易 電鍍的剝離層表面以及凹凸的形狀，由於對凹凸面進行通 常的表面處理時，銅層無法均一地密著於滿遍的凹凸面而 使得剝離層與銅層之間有空隙，使得在電鍍銅時，剝離層 會由於電鍍浴而被部分破壞，該結果可以推測剝離強度會 不安定。 (5) .印刷電路板的微細圖案的對應： 在貫施例1 〇令所作成的印刷電路板上，進行線寬、線 間距的各為3 0 β m的高密度極微細的配線，而能夠實現沒 有斷線、短路的微細圖案的電路。 還有’使用在上述實施例中所製作的具有載體之極薄 銅J而以350C的向溫熱壓著聚亞醯胺基板4而積層時， 貼附於基板4的極薄銅箔3係能夠容易地與結合剝離層2 34 丄说M3 的栽體銅箔1剝離。然後依序進行在該極薄銅箔3表面中 的貫通孔之穿設，以及貫通孔之電鍍製程。然後對該極薄 鋼箔3進行蝕刻處理而形成具有所望線寬與線間距的電路 圆案。最後，進行防焊漆的形成以及其他的最終處理。因 此在完成印刷電路基板時，不會發生蝕刻處理所導致之斷 線’因而能夠完成具有微細間距之電路圖案。 [發明效果] 根據本發明的具有載體之極薄銅箔與其製造方法，係 在剝離層2上進行不會損害剝離性的箔的製造，而能夠容 易地攸在尚溫下與樹脂基板4結合加工的載體箔丨以及剝 離層2剝離。$有，雖然剝離層2上的電鍍由於該剝離性 而不易進行均一電鍍，然而由於本發明利用打底電鍍而能 夠進行均一的銅電鍍，而能夠製造針孔少的具有載體之極 薄㈣。還有，在習知技術中…製程需要而形成在高 溫加工下也可以剝離之擴散防止層，由於是擴散防止層的 心，Ni-Co等的蝕刻性非常的差，這對製程生產性有很大 的影響。然而本發明的具有載體之極薄銅箔，不必形成擴 散防止層就能夠剝離，所以能夠符合製程需求。 以上，係說明在高溫的接著加工下，習知技術不得不 具有擴散防止層來使容易剝落’然而本發明係解決習知 的缺點。更者’本發明提供—種能夠減少針孔數的具有載 體之極薄銅箔與其製造方法。經由此，能夠藉由符合製程 需求的以及品質優良又安定的本發明，巾能夠降低製造 35 成本。 【圖式簡單說明】 目疋顯不根據本發明的具有載體之銅箔的 J的剖面說明圖； 構造 ^ 圖是頑π根據本發明的具有載體之銅箱的另 造例的剖面說明圖； 自的另〜姆 第3 Α圖是顯+ α ·'、使用弟1圖所示之具有載體之銅箔0 ρ 刷電路板的構造&μ 白的印 再&的剖面說明圖； 第3B圖是顯+ α _ ‘’、使用第1圖所示之具有載體之鋼 刷電路板的構违Μ h白的印 Α π稱k的到面說明圖；以及

第4圖是顧+A _疋頌不習知的具有載體之銅猪的一例 明圖。 v。』面說 主要元件符號說明】 2~剝離層； 2B〜極薄銅層； 4〜絕緣樹脂層 1〜栽體箔； 2A〜打底電鍍層； 3〜極薄銅箔； 2C極溥鋼層（鋼電鍍極薄層） 36

Claims (1)

1338543 修正曰期：99.11.3 第92128381號申請^利範圍修正本 七、申請專利範圍： 1.-種具有載體之極薄鋼落’其為由載體落、剝離層、 極缚銅治所構成的具有載體之極薄㈣，其特徵在於： 該極薄銅箱由-打底電銀層與一極薄銅層所構成，且 該打底電鍍層係設計於該極薄銅層與該剝離層之間，其中 該極薄銅層與該打底電鍍層為含有wcu層或是含有： Cu合金層^ 一人一種具有載體之極薄銅羯’其為由載體箱、剝離層、 極薄銅箔所構成的具有載體之極薄銅落，其特徵在於： 該極薄銅箔由一打底電鍍層、一銅電鍍極薄層與—極 薄銅層所構成； 該打底電鍍層係設計於該銅電鍍極薄層與該剝離層 間，其中該打底電鍍層係由含有p的CU層或是含有p Cu合金層所構成； 該銅電鍍極薄層係設計於該打底電錢層上；以及 該極薄銅層係設計於該銅電鍍極薄層上，复 "、丫孩極薄 銅層係由Cu或是Cu合金所構成。 3· —種具有載體之極薄銅箔，其為由載體箔、剥離層 極薄銅箔所構成的具有載體之極薄銅箔，其特徵在於. 該極薄鋼箔由一打底電鑛層、一銅電鍍極薄層i — 溥銅層所構成； 該打底電鍍層係設計於該銅電鍍極薄層與該剝離層之 間’其中該打底電鍍層係由含有Ρ的Cu層或是含有ρ Cu合金層所構成； 37 1338543 該銅電鍍極薄層係設計於該打底電鍍層上；以及 該極薄銅層係設計於該銅電鍍極薄層上， "τ該極薄 5曰係由含有Ρ的Cu或是含有ρ的Cu合金所構成。 4. ~種具有載體之極薄銅n ’其為由載體箔、剝離層、 極薄銅箔所搆成的具有載體之極薄鋼箔，其特徵在於：β 該極薄鋼箔由一打底電鍍層、—銅電鍍極薄層與一。 薄銅層所構成； ° 該打底電鍍層係設計於該銅電鍍極薄層與該剝離層之 間，其中該打底電鍍層係由含有ρ的Cu層或是含有ρ的 Cu合金層所構成； 該鋼電鍍極薄層係設計於該打底電鍍層上，其中該銅 電鍍極薄層係由含有ρ的Cu或是含有？的Cu合金所構成j 以及 ’ 該極薄鋼層係設計於該銅電鍍極薄層上，其中該極薄 銅層係由Cu或是Cu合金所構成。 5. —種具有載體之極薄銅羯，其為由載體箔、剝離層、 極薄銅箱所構成的具有載體之極薄銅笛，其特徵在於：曰 該極薄銅打底電㈣…銅電錄極薄層與一極 薄銅層所構成； 該打底電鍍層係設計於該銅電鍵極薄層與該剝離詹之 間，其巾該打底電鑛層係由含有ρ的Cu層或是含有p的 Cu合金層所構成； 該銅電鍵極薄層係設計於該打底電鍵層上，其令該銅 電鍵極薄層係由含有⑽〜或是含有P的Cu合金所構成； 38 1338543 以及 以及 該極薄銅層係設計於該銅電 ^ e a成丄a /寺層上’其中該極薄 銅層係由含有p的Cu或是含有p的cu合金所構成。 6. 如申請專利範圍第卜2 栌夕榀节加# 4或5項所述之具有載 體之極溽銅洎，其中在該極薄銅 ^ # D /自側的該載體箔表面的表 係〇.卜5/im’而且，3，C以上的叙壓著處理後 的剝離強度係Un(N/m〜().〇5KN/me 者處理後 7. 如申請專利範圍第1、2、3 栌夕搞2 & μ 4或5項所述之具有載 體之極潯銅泊，其中在該極 ^ , Λ 守』，白側的該載體箔表面的表 、又Rz係〇.卜5 “ m，位於 的該極薄銅箱的載體，側的““面的該剝離層上 , ㈣戟體，白側的表面粗度RZ係' 〇‘卜5”，在 伙該極溥銅箔的載體箔側表面 側而加上〇 ^ 2 „ 凸的凸。卩鼻起的極薄銅箱 上，的極居銅伯的表面粗度RZ之位置 銅或銅合金層而至少覆蓋該剝離層表面的9〇%以 的面積’而且’戰以上的熱 0.01KN/^0.05KN/m〇 俊㈣離強度係 8. 如申請專利範圍第1 體之極薄銅箱，” 3 4或5項所述之具有載 面粗度Rz係Ο.;:缚銅落側的該載體结表面的表 的$極 m位於該載體箔表面的該剝離層上 的忒極缚銅落的載體落 曰上 ,,^ ^ J的表面粗度Rz係D. 1〜5 β m ,在 攸忒極溽鋼箱的載體箱 μ 在 側而加上〇丨η 9 凹凸的凸部算起的極薄鋼箔 上，… “的極薄銅箱的表面粗度Rz之位置 且，3〇〇。 、有至夕90%以上的導電率’而 、的熱壓著處理後的剝離強度係 39 〇·〇1KN/m〜〇·〇5KN/m 。 9.如申請專利範圍第i、 體之極薄铟〜^ 項所述之具有栽 成。’…其中該剝離層係由Cr金屬或^合金所構 載體利範圍第卜2、3、4或5項所述之具有 5洎，其中該剝離層係由Cr金屬戈c人全 氫氧化物所構成。 ⑨成C…的 載體1!極如申請專利範圍第卜2'3'4或5項所述之具有 身銅羯，其中該剝離層係由金屬、&合金、 Cr金屬或〇合金的氫氧化物所構成。 μ 12.如申請專利範圍第"所述之具有载體之極薄鋼 治’其中該剝_ Cr金屬或以合金的附著金屬量係 4· 5mg/dm2 以下。 .如申叫專利範圍第1〇項所述之具有載體之極薄鋼 ''、中在由氫氧化物構成之該剝離層的Cr金屬或Cr合 金的附著金屬量係〇. 015mg/dm2以下。 14. 如申凊專利範圍第丨或5項所述之具有載體之極薄 銅名’其中該剝離層係由Ni、Fe、Η一jre合金或含Ni、Fe 或/及其合金之氫氧化物層所構成。 15. —種具有載體之極薄銅箔的製造方法，係有關於由 載體>1、剝離層、極薄銅箔所構成的具有載體之極薄銅箔 的製造方法’其步驟包括： 在該載體箔的表面上電鍍Cr，Ni, Fe或該等金屬的合 金而形成該剝離層； 在該 進行電錢 層；以及 在含 由電鑛而 薄銅層。 16.-裁體箔、 的製造方 在該 金而形成 在該 進行電鍍 層； 剝離層上，以含P 而 U或3?的（：11合金電鍍浴 而形成含P的Cu或含p玷Γ 的Cu合金的一打底電鍍 P的Cu或含P的合 , 生的該打底電鍍層上，經 巾成由含p的CU或含 3 P的Cu合金所構成之一極 •'種具有載體之極薄銅箱 ^ 曰耵衣k方法，係有關於由 剝離層、極薄銅箔所 自所構成的具有載體之極薄銅箔 法’其步驟包括： 載體箔的表面上電梦「r r, 电鍍Cr，Ni，Fe或該等金屬的合 該剝離層； 剝離層上’以含？的〜或含P的Cu合金電鑛浴 而形成含P的Cu或含wCu合金的一打底電鍍 在°亥打底電鍍層上，經由銅或銅合金電鍍而形成一鋼 電鍍極薄層；以及 而形成 在該銅電鍍極薄層上，經由銅或銅合金電鍍 極薄銅層。 銅箔 1 7. —種具有載體之極薄鋼箔的製造方法，係有關於由 載體箔、剝離層、極薄銅箔所構成的具有載體之極薄 的製造方法，其步騾包括·_ 在忒載體箔的表面上電鍍Cr, Ni，Fe或該等金屬的人 金而形成該剝離層； 電鏟浴 在該剝離層上，以含P的Cu或含P的Cu合金 1338543 進行電鍍而形成含P的Cu 次 的Cu合金的一打底電鍍 層； 在該打底電鍍層上，麵ώ+ ^ λ 經由銅或銅合金電鍍而形成一銅 電鑛極薄層；以及 在該銅電鍍極薄層上， 左田s Ρ的Cu或含Ρ的Cu合 金電鍍而形成一極薄銅層。 18· —種具有載體之極蔆 蚀溽銅洎的製造方法，係有關於由 載體箔、剝離層、極薄鋼笔 泊所構成的具有載體之極薄銅箔 的製造方法，其步驟包括： 在該載體箔的表面上雷餅Γ 上電鍍Cr，Ni，Fe或該等金屬的合 金而形成該剝離層； 在該剝離層上，以含P沾Γ ^ 3尸的Cu或含ρ的Cu合金電鑛浴 進行電鍍而形成含p的志人D & ρ Λ 戈3 Ρ的Cu合金的一打底電鍍 層； 在該打底電鍍層上’經由含P的Cu或含卩的Cu合金 電鍍而形成一銅電鍍極薄層；以及 在該銅電鍍極薄層上，經由Cu或Cu合金電鍍而形成 一極薄銅層。 1 9. 一種具有載體之極薄銅箔的製造方法，係有關於由 、剝離層、㈣銅？|所構成的具有載體之極薄銅箱 的製造方法，其步驟包括： 在該載體箔的表面上電鍍Cr，Ni，Fe或該等金屬的合 金而形成該剝離層； 在該剝離層上’以含P的cu或含p的Cu合金電鍍浴 42 1338543 :行_形成………金的-〜 在該打底電鍍層上，經由含P 3 p的Cu或含p的Γ 電錄而形成一銅電鍍極薄層；以及 Lu合金 在該銅電鍍極薄層上，經由含p的Cu〆 金電鍍而形成一極薄銅層。 或3 P的Cu合 20. —種印刷電路基板，其特徵在於： 使用經由如申請專利範圍第15、16、17 所述之具有恭、18或19項 戰體之極溥銅治的製造方法所制、 體之極簿柄社 “ •之該具有載 /f銅泊’而構成高密度極微細電路。 43 1338543 *. ：t 八、圖式：如後所示。 ^1338543 四、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（1) £ (二） 本代表圖之元件符號簡單說明 2〜剝離層； 2 B〜極薄銅層； 1〜載體箔； 2A〜打底電鍍層； 3〜極薄銅羯。 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無