1334755 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於多層印刷配線板。 【先前技術】 近年來，在代表攜帶資訊終端或通訊終端的電子機器 ，驚人的高機能化及小型化。將使用於這些的電子機器的 1C晶片作爲於多層印刷配線板高密度實裝的形態’採用將 1C晶片直接表面構裝於多層印刷配線板的覆晶（Flip Chip )方式。作爲如此的多層印刷配線板，已知具備了核心基 板、形成於此核心基板上的加高（build-up )層、和於此 加高層的上面經由銲錫凸塊而構裝1C晶片的構裝用電極。 在此，作爲核心基板，使用將環氧樹脂或BT ( bismaleimide triazine 雙馬來硫亞氨三嗪）樹脂、聚亞酸 胺樹脂、聚丁二烯樹脂、酚樹脂等與玻璃纖維等的強化材 料一起成形者，而這些核心基板的熱膨脹係數爲約 12〜2 0PPm/°C ( 3 0〜2 00 °C )，與1C晶片的矽之熱膨脹係數 (約3. 5 ppm/°C )比較，約大4倍以上。因而，在前述的覆 晶方式，在反覆產生了伴隨1C晶片的發熱的溫度變化的情 況，因1C晶片與核心基板的熱膨脹量及熱收縮量的差異， 有破壞銲錫凸塊或1C晶片（多孔性化層間絕緣層之物）之 虞。 爲了解決此問題’提案：於加高層上設置低彈性率的 應力緩和層，於此應力緩和層的上面設置構裝用電極，將 -5- (2) (2)1334755 加高層上的導體圖形與構裝用電極以導體端子連接的多層 印刷配線板（日本特開昭58-28848號公報，日本特開2001-36253號公報）。例如於日本特開2〇〇1_36253號公報，如 第12圖所示的，開示：於加高層130的上面層疊低彈性率 層140，將於加高層130的上面的導體圖形132與形成於低 彈性率層140的上面的構裝用電極152，以介層洞150連接 的多層印刷配線板100。另外，於日本特開200 1 -3 625 3號 公報，作爲形成低彈性率層1 40的樹脂的具體例，可舉出 :爲熱塑性樹脂的聚烯烴系樹脂或聚亞醯胺樹脂、爲熱硬 化性樹脂的矽樹脂或含有NBR等的橡膠之變性環氧樹脂。 【發明內容】 但是，在日本特開200 1 -3 62 5 3號公報，作爲形成低彈 性率層1 40的樹脂，使用玻璃轉換溫度（Tg )低的樹脂， 但因在製作印刷配線板時實施的熱處理製程或於實際使用 時在高頻範圍動作的1C晶片的發熱等而有超過Tg。低彈性 率層係因爲若超過Tg則熱膨脹係數成爲數l〇〇PPm/°C範圍 的大的値，成爲對印刷配線板而產生10倍範圍的膨脹，所 以在產生印刷配線板與低彈性率層之間容易產生剝離的問 題。另外，在高溫範圍，因爲低彈性率層爲比起貫穿低彈 性率層的導體爲大的膨脹，所以亦有導體受到應力而容易 破斷的問題。特別是若搭載動作時脈（clock)爲高頻範圍 (例如3GHz以上）的1C，則因其發熱而此問題變爲顯著。 本發明係爲了解決如此的課題而爲，其目的爲提供： -6- (3) (3)1334755 即使在高溫時亦防止低彈性率層的剝離、同時可確保貫穿 低彈性率層的導體端子的連接信賴性之多層印刷配線板。 本發明者群，進行了專心致力硏究的結果，查明在曰 本特開200 1 -3 62 5 3號公報，因爲以Tg低的樹脂形成低彈性 率層，所以在印刷配線板與低彈性率層變爲容易產生剝離 ，而達到完成本發明。 亦即，本發明係具備：核心基板、和在形成於該核心 基板的上面，設置導體圖形的加高層 '和形成於該加高層 上的低彈性率層、和設置於該低彈性率層的上面，與電子 構件經由連接部而連接的構裝用電極、和貫穿前述低彈性 率層而電氣的連接前述構裝用電極和前述導體圖形的導體 端子的多層印刷配線板：前述低彈性率層係藉由包含環 氧樹脂、酚樹脂、架橋橡膠粒子及硬化觸媒的樹脂組成物 而形成。 在此多層印刷配線板，低彈性率層係因爲藉由包含環 氧樹脂、酚樹脂、架橋橡膠粒子及硬化觸媒的樹脂組成物 而形成，所以Tg高（100~2 00 °C範圍）。因此，即使由在 製作印刷配線板時的熱處理製程或被構裝的電子構件（特 別是動作時脈爲3GHz以上的1C晶片）的發熱等而低彈性率 層成爲高溫，低彈性率層亦係不超過Tg而不過剩的膨脹。 因而’即使在高溫時亦可防止低彈性率層的剝離，可確保 貫穿低彈性率層的導體端子的連接信賴性。 使用於本發明的環氧樹脂係如爲被使用於多層電路基 板的層間絕緣膜或平坦化膜、電子構件等的保護膜或電氣 (4) (4)1334755 絕緣膜等的環氧樹脂，則不特別被限定，而具體而言，可 舉出：雙酚A型環氧樹脂 '雙酚F型環氧樹脂、氫化雙酚A 型環氧樹脂、氫化雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、 溴化雙酣A型環氧樹脂、聯苯環氧樹脂、萘型環氧樹脂、 芴型環氧樹脂、螺環型環氧樹脂、雙酚烷屬烴環氧樹脂、 酚醛清漆型（phenol novolac )環氧樹脂、鄰甲酚醛清漆 型環氧樹脂（O-CRESOL NOVOLAC EPOXY RESIN)、溴 化甲酚醛清漆型環氧樹脂、三烴基甲烷型環氧樹脂、四酚 +醇乙烷型環氧樹脂、環脂族環氧樹脂、醇型環氧樹脂、丁 基縮水甘油醚（butyl glycidyl ether)、苯基縮水甘油醚 、甲苯酚基縮水甘油醚、壬基縮水甘油醚、二乙二醇二縮 水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油 醚、甘油聚縮水甘油謎（glycerol polyglycidyl ether)、 新戊二醇二縮水甘油醚、1，6己二醇二縮水甘油醚、三羥 甲基丙烷三縮水甘油醚、六氫苯二甲酸 （ hexahydrophthalic )二縮水甘油醚、脂肪酸變性環氧樹脂 、甲苯胺（toluidine )型環氧樹脂、苯胺型環氧樹脂、氨 基酚（aminophenol)型環氧樹脂、1,3 -雙（Ν,Ν -二縮水甘 油胺甲基）環己烷、乙內醯脲型環氧樹脂、三縮水甘油異 氰酸酯、四縮水甘油二胺基二苯基甲烷、二苯醚型環氧樹 脂 '二環戊二烯型環氧樹脂、二聚物酸（dimer acid )二 縮水甘油醋、六氫苯二甲酸（hexahydrophthalic)二縮水 甘油酯、二聚物酸（dimer acid)二縮水甘油醚、聚矽氧 (silicone) 變性環氧樹脂、矽含有環氧樹脂、氨基甲酸 -8- (5) (5)1334755 酯變性環氧樹脂、NBR變性環氧樹脂、CTBN變性環氧樹 脂、環氧化聚丁二烯等。 被使用於本發明的酚樹脂係可舉出酚醛清漆（phenol novolac )樹脂、甲酚醛清漆樹脂、烷基酚醛清漆樹脂、 甲階酚醛樹脂、聚乙烯酚樹脂等。酚醛清漆（novolac)樹 脂係藉由使酚類與醛類在觸媒的存在下縮合而得。作爲此 時被使用的酚類，例如可舉出：酚、〇-甲酚、m-甲酚' ρ· 甲酚、〇-乙基酚、m-乙基酚、p-乙基酚、〇-丁基酚、m-丁 基酚、P-丁基酚、2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、 2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚、2，3,5-三甲基酚、 3,4,5-三甲基酚、兒茶酚、間苯二酚、五倍子酚、α-萘酚 、冷-萘酸。作爲酸類係可舉出：甲醒（formaldehyde)、 多聚甲醒（paraformaldehyde )' 乙醒（acetaldehyde )、 苯甲醛等。作爲如此作用而得的酚醛清漆樹脂，具體而言 ，可舉出：酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、甲酚/甲醛縮合酚 醛清漆樹脂、酚-萘酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂等。另外， 作爲酚醛清漆樹脂以外的樹脂，聚羥苯乙烯及其共聚物、 酚-二甲苯二醇縮合樹脂、甲酚-二甲苯二醇縮合樹脂、酚-二環戊二烯縮合樹脂等。 使用於本發明的酚樹脂，對於前述環氧樹脂100重量 份，配合5〜100重量份，理想爲10〜50重量份的量爲理想。 若配合量超過前述範圍的上限，則有進行熱硬化而得的硬 化膜的彈性率爲超過1GP a，在未滿前述範圍的下限係有硬 化膜的耐熱性下降。 -9- (6) 1334755 使用於本發明的架橋橡膠粒子，玻璃轉換溫度（Tg) 爲-1〇〇°(：〜〇°0：'理想爲在-8〇。《[：~-2〇1：的範圍爲最佳。如此 的架橋橡膠粒子，例如：聚合性不飽合結合，至少有2個 架橋性單體（以下，單稱爲「架橋性單體」。）與前述架 橋性單體（monomer)以外的單體（以下，稱爲「其他的 架橋性單體」）的共聚物，其他的架橋性單體，如此共聚 物的Tg成爲- l〇〇°C〜0°C的選擇至少1種的其他的架橋性單 g 體之共聚物爲理想。作爲更理想的其他的架橋性單體，不 具有聚合性不飽和結合的官能基，可舉出例如：具有羧基 、環氧基、胺基、異氰酸鹽基、氫氧基等的官能基的單體 。作爲前述架橋性單體，具體而言，可舉出：二乙烯基苯 、鄰苯二甲酸二烯丙酯' 乙二醇（甲基）丙烯酸酯、丙二 醇二（甲基）丙烯酸酯、三甲醇丙烷三（甲基）丙烯酸酯 、季四戊醇三（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙 烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯等的聚合性不飽和 鲁結合’至少有2個的化合物。這些之中，二乙烯基苯爲理 想的被使用。作爲前述其他的單體，具體而言，可舉出： 丁二烯、異戊二烯、二甲基丁二烯、氯丁二烯等的乙烯化 合物類；1，3戊二烯、（甲基）丙烯腈、α-氯丙烯腈、α-氯甲基丙烯腈、α -甲氧基丙烯腈、α -乙氧基丙烯腈、巴 豆酸腈酯（nitrile crotonate )、桂皮酸腈（nitrile cinnamate)、衣康酸二腈（dinitrile itaconate)、順丁烯 二酸二腈、反丁烯二酸二腈等的不飽和腈化合物類；（甲 基）丙烯醯胺' N，N’·亞甲基雙（甲基）丙烯醯胺、n，N，- -10- (7) (7)1334755 乙烯雙（甲基）丙烯醯胺、N，N’-己亞甲基雙（甲基）丙 烯醯胺、N_羥甲基（甲基）丙烯醯胺、N-( 2-羥甲基）（ 甲基）丙烯醯胺、N，N’-雙（2-羥甲基）（甲基）丙烯醯 胺、巴豆酸胺酯、桂皮酸胺酯等的不飽和胺類；甲基丙烯 酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸 丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸月桂酯、聚乙二醇甲 基丙烯酸酯、聚丙二醇甲基丙烯酸酯等的甲基丙烯酸酯類 、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、〇-甲氧基苯乙烯、p-羥苯乙烯 、Ρ-異丙烯基酚等的芳香族乙烯基化合物；藉由雙酚Α的 二縮水甘油醚或二元醇的二縮水甘油醚等、與甲基丙烯酸 或羥烷基甲基丙烯酸酯等的反應而得的環氧基甲基丙烯酸 酯；羥烷基甲基丙烯酸酯與聚異氰酸酯的反應而得的氨基 甲酸酯甲基丙烯酸酯類；縮水甘油甲基丙烯酸酯、甲基烯 丙基縮水甘油醚等的含有環氧基不飽和化合物；甲基丙烯 酸酯、衣康酸、琥珀酸- /3 -甲基丙烯氧基乙基、順丁烯二 酸- /3-甲基丙烯氧基乙基、苯二甲酸·θ-甲基丙烯氧基乙 基、六氫苯二甲酸-^ -甲基丙烯氧基乙基等的不包和酸化 合物；二甲基胺基甲基丙烯酸酯、二乙基胺基甲基丙烯酸 酯等的含有胺基（amino )不飽和化合物；甲基丙烯醯胺 、二甲基甲基丙烯醯胺等的含有醯胺（amido)基不飽和 化合物；羥乙基甲基丙烯酸酯、羥丙基甲基丙烯酸酯、羥 丁基甲基丙烯酸酯等的含有氫氧基不飽和化合物。這些之 中，丁二烯、異戊二烯、（甲基）丙烯腈、甲基丙烯酸烷 基酯類、苯乙烯、羥苯乙烯、P-異丙烯基酚、縮水甘油 -11 - (8) (8)1334755 甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸、羥烷基甲基丙烯酸酯類等爲 理想。在本發明被使用的架橋性單體係對於在製造架橋橡 膠粒子時被使用的全單體量，理想爲使用1〜20重量％、較 理想爲2〜10重量％的量。 在本發明被使用的架橋橡膠粒子的大小，通常爲 30~5 00nm、理想爲40〜200nm爲最佳。架橋橡膠粒子的粒 徑的控制方法係不特別限定，而例如，在藉由乳化聚合而 合成架橋橡膠粒子的情況，調整使用的乳化劑的量而控制 乳化聚合中的微胞（micelle )的數，可控制粒徑。於本發 明，前述架橋橡膠粒子，對於前述環氧樹脂100重量份， 配合50〜200重量份、理想爲70〜180重量份爲理想。配合量 爲在前述範圍的下限未滿，熱硬化而得的硬化膜的彈性率 爲有超過lGPa之虞，若超過前述範圍的上限，則有硬化膜 的耐熱性下降、與樹脂組成物中的其他的成分的相溶性下 降。 在本發明被使用的架橋橡膠粒子的製造方法係不特別 限定，例如可使用乳化聚合法。在乳化聚合法，使用界面 活性劑而於水中乳化包含架橋性單體的單體類，作爲聚合 開始劑，添加過氧化物觸媒、氧化還原（redox )系觸媒 等的自由基聚合開始劑，按照必要，添加：硫醇（ mercaptan)系化合物、鹵化碳化氫等的分子量調節劑。接 著，在0〜5 0 °C進行聚合，達到了特定的聚合轉化率後，添 加N，N-二乙基羥基胺等的反應停止劑而使聚合反應停止。 之後，可藉由將聚合系的未反應單體，以水蒸氣蒸餾等除 -12- (9) 1334755 去而合成包含架橋橡膠粒子的乳膠（latex )。在此乳化聚 合法使用的界面活性劑，如爲可以乳化聚合而製造架橋橡 膠粒子，則不特別限定，例如可舉出：烷基萘磺酸鹽、烷 基苯磺酸鹽等的陰離子系界面活性劑；烷基三甲基銨鹽' 二烷基二甲基銨鹽等的陽離子系界面活性劑；聚氧乙烯烷 基醚、聚氧乙烯烷基烯丙醚、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙 烯山梨醇酐脂肪酸酯、脂肪酸單甘油酯等的非離子系界面 | 活性劑；兩性的界面活性劑；反應性乳化劑。這些界面活 性劑係可以單獨或混合2種以上而使用。如此進行而將包 含以乳化聚合而得的架橋橡膠粒子的乳膠，藉由鹽析等的 方法而使其凝固、藉由水洗、乾燥而可得架橋橡膠粒子。 另外不使用架橋性單體，作爲製造架橋橡膠粒子的方法， 可舉出：將過氧化物等的架橋劑添加於乳膠而架橋乳膠粒 子的方法、或藉由提高聚合轉化率而在乳膠粒子中進行膠 化（gelling )的方法、利用羧基等的官能基而藉由添加金 φ屬鹽等的架橋劑，在乳膠粒子內使其架橋的方法。 在本發明使用的硬化觸媒，不特別限制，例如可舉出 :胺類、殘酸類、酸酐（acid anhydride)、雙氰胺（ dicyandiamide)、二元酸二醯肼、咪唑（imidazole)類、 有機硼 '有機膦（phosphine)、胍（guanidine)類及這 些的鹽等，這些係可1種單獨或組合2種以上而使用。此硬 化觸媒係對於前述環氧樹脂100重量份，添加0.^20重量 份、理想爲0.5〜10重量份的量爲理想。另外，亦可按照必 要而與硬化觸媒同時、以促進硬化反應的目的，倂用硬化 -13- (10) (10)1334755 促進劑。 關於在本發明使用的樹脂組成物，在對於前述環氧樹 脂100重量份，使用包含前述酚樹脂5〜100重量份、前述架 橋橡膠粒子5〜200重量份、前述硬化觸媒〇·1〜20重量份的 情況，玻璃轉換溫度Tg成爲12 0~2 00 t：的範圍，在對於前 述環氧樹脂100重量份，使用包含前述酚樹脂10〜50重量份 、前述架橋橡膠粒子7〜180重量份、前述硬化觸媒0.5〜10 重量份的情況，玻璃轉換溫度Tg成爲140~200°C的範圍。 於本發明的多層印刷配線板，爲了使形成低彈性率層 的樹脂組成物的操作性提高等而調節黏度或保存安定性， 於該樹脂組成物可按照必要而使用有機溶劑。在本發明使 用的有機溶劑，不特別限定，例如可舉出：乙二醇單甲醚 醋酸酯、乙二醇單乙醚醋酸酯等的乙二醇單烷基醋酸酯（ ethylene glycol monoalkyl ether acetate)類；丙二醇單甲 醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚等的丙 二醇單院基酸（propylene glycol monoalkyl ether)類； 丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二 丁醚等的丙二醇二烷基醚類：丙二醇單甲醚醋酸酯、丙二 醇單乙醚醋酸酯、丙二醇單丙醱醋酸酯、丙二醇單丁醚醋 酸酯等的丙二醇單烷基醚醋酸酯類；乙基賽璐素（ethyl cellosolve) 、丁基賽猫素等的賽猫素（cellosolve)類； 二甘醇丁醚（Butyl Carbitol)等的二甘醇乙醚（Carbitol )類；乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯（n-propyl lactate)、乳酸異丙酯等的乳酸酯類；乙酸乙酯、乙酸正 -14- (11) (11)1334755 丙酯 '乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸正戊 酯、乙酸異戊酯、丙酸異丙酯、丙酸正丁酯、丙酸異丁酯 (isobutyl propionate)等的脂肪族羧酸酯類；3_甲氧基丙 酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3·乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧 基丙酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯等的其他的酯類； 甲苯、二甲苯（xylene)等的芳香烴類；2-丁酮、2-庚酮 、3_庚酮' 4_庚酮、環己酮等的酮類；N -二甲基甲醯胺、 N-甲基乙醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、甲基吡咯烷酮（N_ Methylpyrrolidone)等的醯胺（amide)類；7-丙烯酸正 丁酯等的內酯（lactone )類。這些有機溶劑係可以1種單 獨或混合2種以上而使用。 於本發明的多層印刷配線板，於形成低彈性率層的樹 脂組成物，按照必要，添加其他的添加劑亦佳。作爲如此 的添加物，包含無機塡料、密接助劑、高分子添加劑、反 應性稀釋劑、均染（leveling )劑、沾溼性改良劑、界面 活性劑、可塑劑、氧化防止劑、帶電防止劑、無機塡充劑 、防黴劑、調濕劑、難燃劑等亦佳。這些添加劑係可在不 損及本發明的效果的範圍使用。 形成低彈性率層的樹脂組成物的硬化條件’不特別限 定，按照可得的硬化物的用途’例如可在50~2 00 °C的範圍 的溫度，加熱10分〜4 8小時範圍。另外，爲了使硬化充分 的進行等而防止氣泡的發生，亦可以二階段加熱，例如： 在第1階段，在50〜100°C範圍的溫度，加熱10分〜10小時程 度，在第二階段，在80〜200°C範圍的溫度’加熱30分〜12 -15- (12) (12)1334755 小時程度而使其硬化亦佳。如此的加熱，一般可使用烤爐 、或紅外線爐等的加熱設備而實施。 於本發明的多層印刷配線板，前述導體端子係長寬比 Rasp爲4 $ Rasp <20爲理想，若如此作用，則即使產生了 起因於核心基板與電子構件的熱膨脹係數差的應力，亦可 確實的緩和其應力，可防止因熱膨脹 '熱收縮的對電子構 件之連接破壞。另外，可控制變小反覆加熱、冷卻時的電 氣阻抗的變化率，可向搭載的電子構件安定供給電源。可 得如此的效果的理由，推測因爲導體端子的長寬比Rasp大 ，所以配合低彈性率層，導體端子亦變形。而且，於本發 明所謂導體端子的長寬比Rasp，稱導體端子的高/導體端 子的徑（徑爲不一樣時爲最小徑）。 於本發明的多層印刷配線板，若前述導體端子的長寬 比Rasp爲低於4，則因爲反覆加熱、冷卻時的電氣阻抗變 大而不理想，若成爲20以上，則反覆加熱、冷卻時因爲有 導體端子產生破裂之虞所以不理想。換言之，若長寬比 Rasp低於4，則導體端子不變形，因爲妨礙低彈性率層的 變形而不理想，若成爲20以上，則導體端子過度變形而因 爲疲勞破壞而不理想。此長寬比Rasp爲4S RaspS 6.5爲理 想。 於本發明的多層印刷配線板，導體端子係直徑超過 3 0 μιη爲理想。若如此作用，可抑制於搭載的電子構件供給 電源時的電壓下降，可防止電子構件產生誤動作。另外， 亦可控制變低導體端子的電氣阻抗。在此，於電子構件爲 -16- (13) (13)1334755 1GHz以下的1C晶片的情況，即使導體端子作爲30μιη以下 ，亦難以產生電壓下降，但於3GHz以上的高速的1C晶片的 情況，因爲電壓下降變爲顯著，所以導體端子的直徑儘量 超過30μηι爲理想。而且，於導體端子的大小爲不一樣時， 最細部分的直徑爲超過30 μιη爲理想。因爲’導體端子的導 體阻抗變小、耐疲勞劣化性或耐熱循環性提高。而且導體 端子的直徑爲超過30μιη，60μιη以下爲理想。 於本發明的多層印刷配線板，前述導體端子，形成至 具有細腰形狀亦佳。若如此作用，比起略直線形狀的導體 端子，可更控制反覆加熱、冷卻時的電氣阻抗的變化率。 因爲，以細腰作爲中心（起點）之導體端子配合低彈性率 層而變形。而且，所謂細腰，稱於沿軸方向看導體端子時 ，比起上部或下部變細的部分。於具有如此的細腰的形狀 之導體端子，對於該導體端子之中最細的部分的直徑之最 粗部分的直徑（最粗部分/最細部分）爲2以上爲理想。 於本發明的多層印刷配線板，前述構裝用電極，作爲 形成如與前述低彈性率層的上面成爲略同一平面之前述導 體端子的頂部亦佳。若如此作用，比起將構裝用電極對導 體端子另外形成的情況，可簡單的製作。 於本發明的多層印刷配線板，前述低彈性率層，於3〇 °C的彈性率爲10MPa〜lGPa爲理想。若如此作用，可更確 實的緩和起因於熱膨脹係數差的應力。另外，此低彈性率 層，於30°C的彈性率爲lOMPa〜500MPa爲較理想， lOMPa〜lOOMPa爲最理想。另外’前述導體端子係以導電 -17- (14) (14)1334755 性良好的材料形成爲理想’例如以銅、鉛錫合金或包含這 些任一的合金而形成爲理想。 【實施方式】 接著，根據圖面說明本發明的實施形態。第1圖爲本 發明的一實施形態的多層印刷配線板的剖面圖。而且，於 以下係有對「上」或「下」的表現，但因爲此係不過爲了 權宜的表現相對的位置關係，例如改換上下、將上下改換 爲左右亦佳。 本實施形態的多層印刷配線板1 0，如第1圖所示的， 具備：將形成於上下兩面的配線圖形2 2相互間，經由穿孔 (through-hole )導體24而電氣的連接的核心基板20、和 於此核心基板20的上下，經由樹脂絕緣層36而複數層疊的 導體圖形32、32爲藉由介層洞34而電氣的連接的加高層30 、和於加高層30上以低彈性率材料形成的低彈性率層40、 和將爲電子構件的1C晶片70，經由銲錫凸塊66而構裝的孔 環（構裝用電極）52、和貫穿低彈性率層40，電氣的連接 孔環52與形成於加高層30的上面的導體圖形32之導體端子 50 ° 核心基板20係具有：於由BT (雙馬來硫亞氨三嗪 bismaleimide triazine)樹脂或玻璃環氧樹脂等所構成的核 心基板本體21的上下兩面，由銅所構成的配線圖形22、22 、和形成於貫穿核心基板本體21的上下的穿孔的內周面的 由銅所構成的穿孔導體24，兩配線圖形22、22係經由穿孔 -18- (15) (15)1334755 導體24而電氣的連接。 加高層30係於核心基板20的上下兩面交互層疊樹脂絕 緣層36和導體圖形32，核心基板20的配線圖形22與加高層 30的導體圖形32之電氣的連接或在加高層30的導體圖形32 、3 2相互間之電氣的連接係藉由貫穿樹脂絕緣層3 6的上下 的介層洞34而被確保。如此的加高層30，藉由一般周知的 減除（Subtractive)法或加成（additive)法（包含半加 成（semi additive)法或全加成（full additive)法）而形 成。具體的係，例如如以下作用而形成。亦即，首先，於 核心基板20的上下兩面黏上成爲樹脂絕緣層36的樹脂薄片 。此樹脂薄片係以變性環氧系樹脂薄片、聚次苯基醚系樹 脂薄片、聚亞醯胺系樹脂薄片、氰酯系樹脂薄片等形成， 其厚度爲大約20〜80 μιη，在常溫的彈性率爲2〜7 GPa。於此 樹脂薄片係使無機塡料分散亦佳。在本實施例係使用了味 之素公司製的熱硬化性樹脂薄膜（品名：ABF_45SH、彈 性率：3.0GPa)。接著，於黏上的樹脂薄片藉由二氧化碳 氣體雷射或UV雷射、YAG雷射 '準分子雷射（Excimer Laser)等而形成穿孔。接著，施以無電解銅鍍覆、於無 電解銅鍍覆層之上形成光阻，曝光、顯像，接著於光阻的 非形成部施行了電解銅鍍覆後剝離光阻，將該光阻存在的 部分的無電解銅鍍覆，以硫酸-過氧化氫系的蝕刻液蝕刻 ，形成配線圖形22。而且，穿孔內部的導體層成爲介層洞 34。之後，藉由反覆此步驟而形成加高層3〇。 低彈性率層40係以由將萘型的環氧樹脂（日本化藥公 -19- (16) (16)1334755 司製、商品名：NC-7000L) 100重量份、酚-二甲苯二醇縮 合樹脂（三井化學製、商品名：XLC-LL ) 20重量份、作 爲架橋橡膠粒子的Tg爲- 50t的羧酸變性NBR ( JSR公司製 、商品名：XER-91 ) 90重量份、作爲硬化觸媒的1-氰乙 基-2-乙基-4-甲基咪唑（P17L11) 4重量份，溶解於乳酸乙 酯3 00重量份的樹脂組成物而得的低彈性率材料而被形成 。此低彈性率材料爲熱硬化性薄膜（膜厚21 〇μ„ι )，於已 離型處理的PET薄膜上塗佈剛才的樹脂組成物，藉由90t X 3 〇分加熱而得。另外，低彈性率層4 0係於3 0 °C的彈性率爲 500 MPa，玻璃轉換溫度爲160 °C。低彈性率層40的彈性率 爲此範圍，於孔環52係經由銲錫凸塊66而電氣的連接的1C 晶片70與核心基板20間，即使產生起因於兩者的熱膨脹係 數差的應力，亦可緩和其應力。 導體端子50係如於上下方向貫穿低彈性率層40的，以 銅作爲主成分而形成，電氣的連接孔環52與設置於加高層 30的上面的導體圖形32。此導體端子5 0係具有細腰形狀， 具體的係比起上部的直徑或下部的直徑，中間部的直徑形 成小的形狀。在本實施例，上部的直徑爲80μιη、下部的直 徑爲80μηι、中間部的直徑爲35μιη’局度爲200μιη。因而， 此導體端子50的長寬比Rasp爲對於最細的中間部的直徑的 導體端子的高度之比爲5.7，對於最細的中間部的直徑的 最粗的上部的直徑之比爲2.3。 孔環52爲由低彈性率層40露出的各導體端子50的頂部 。此孔環52係以鍍鎳及鍍金此依序施加後，經由IC晶片7〇 -20- (17) (17)1334755 的電極部和銲錫凸塊66而連接。 接著，說明關於本實施形態的多層印刷配線板1 〇的製 造例。因爲核心基板20及加高層30的製作步驟係一般周知 ，所以在此係以製作低彈性率層40、導體端子50及孔環52 的步驟作爲中心而說明。第2圖〜第7圖爲此步驟的說明圖 〇 首先，準備形成了加高層30的核心基板20。第2圖爲 形成於核心基板20的上面的加高層30的部分剖面圖。在此 階段，最上部的樹脂絕緣層36的表面係保持以無電解銅鏟 覆層304鍍覆。亦即，於形成穿孔後的樹脂絕緣層36施以 無電解銅鍍覆，於無電解銅鍍覆層3 04上形成光阻而被圖 形化後，於不被形成光阻的部分施加電解銅鍍覆而形成無 電解銅鍍覆層3 04和電解銅鍍覆層，之後，爲剝離光阻的 階段。因而，導體層之中電解銅鍍覆層係被圖形化而成爲 圖形化鍍覆層3 02，但無電解銅鍍覆層3 04留下。而且無電 解銅鍍覆層3 04的厚度爲數μιη。其次，於如此的加高層30 的上面，黏上重疊2片市售的乾薄膜（旭化成CX-A240) 而上的乾薄膜3 06 (厚度2 40 μπι)，於特定位置藉由二氧化 碳氣體雷射而形成0120 μιη的開口 308 (參照第3圖）。 接著，關於此作成途中的基板，藉由從乾薄膜306的 開口 3 08的底部進行電解銅鍍覆，而以柱狀的銅層310塡充 於開口 308內，而且於銅層310的上面形成銲錫層312 (參 照第4圖）。而且，電解銅鍍覆液係使用以下的組成。硫 酸 2.24mol/l、硫酸銅 0.26mol/l、添加劑 19.5ml/l、( -21 - (18) (18)1334755
Atotech Japan公司製、Cupracid GL)。另外，電解銅鍍覆 係在以下的條件進行。電流密度1 A/dm2、時間17小時、溫 度 22±2〇C 。 接著，剝下乾薄膜306後（參照第5圖），藉由將作成 途中的基板浸漬於氨鹼蝕刻液（商品名：A-process、 MELTEX公司製）而進行蝕刻。藉由此蝕刻，以乾薄膜306 被覆著的部分，也就是除去不在被覆電解銅鍍覆層302的 部分的無電解銅鍍覆層304、同時浸蝕柱狀的銅層310的中 間部而成爲具有細腰的形狀（參照第5圖）。此結果，電 解銅鍍覆層302及無電解銅鍍覆層304之中樹脂絕緣層36的 上面部分成爲導體圖形32，穿孔的部分成爲介層洞34。此 時，銲錫層312係作爲蝕刻阻質（etching resist)而發揮 機能。在此，使銅層310的中間部浸蝕何種程度係可藉由 蝕刻時間而控制。例如：如將蝕刻時間作爲1 0〜60秒，則 銅層310的最大徑（上部或下部的直徑）成爲60〜120μηι， 中間部的直徑成爲30〜60μιη。但是，最大徑及中間部的直 徑係可能由改變開口 3 0 8的徑而作爲上述的大小以外的大 小0 接著，將銲錫層3 1 2浸漬銲錫剝離劑（商品名： Enstrip TL-106 MELTEX公司製）而除去後，於該作成途 中的基板疊製（laminate)樹脂薄膜316 (參照第6圖）、 在150 °C 60分硬化，之後硏磨至導體端子50的表面露出（ 參照第7圖）。此樹脂薄膜31 6係爲將萘型的環氧樹脂（日 本化藥公司製、商品名：NC-7000L ) 100重量份、酌.二甲 -22- (19) (19)1334755 苯二醇縮合樹脂（三井化學製、商品名：XLC-LL) 20重 量份、作爲架橋橡膠粒子的Tg爲-50°C的羧酸變性NBR( JSR公司製、商品名：XER-91 ) 90重量份、作爲硬化觸媒 的1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑 4重量份，溶解於乳酸乙 酯3 00重量份的樹脂組成物。而且，硏磨後的樹脂薄膜316 成爲低彈性率層40。另外，由低彈性率層40露出的導體端 子50的頂部成爲孔環52。最後，導體端子50的高度成爲 2 0 0 μιη 〇 接著，將此作成途中的基板，浸漬於包含活性化銅表 面的鈀觸媒的酸性溶液後，20分鐘浸漬於由氯化鎳30g/l、 次亞磷酸鈉l〇g/l、檸檬酸鈉l〇g/l所構成的pH5的無電解鎳 鍍覆液，於孔環52上形成了厚度5μηι的鎳鍍覆層。而且， 將此基板，於由氰化金鉀2g/l、氯化銨75g/l、檸檬酸鈉 5 0g/l、次亞磷酸鈉10g/l所構成的無電解金鍍覆液，以93 °C的條件浸漬23秒，於鎳鍍覆層上形成厚〇.〇3μιη的金鍍覆 層。然後，使用遮罩圖形而印刷銲錫糊而在200 °C藉由進 行回銲（reflow)而於孔環52上形成銲錫凸塊66，製造多 層印刷配線板1 0 (參照第8圖及第1圖）。 如藉由以上詳述的本實施形態的多層印刷配線板10, 因爲由包含環氧樹脂、酚樹脂、架橋橡膠粒子及硬化觸媒 的樹脂組成物而形成的低彈性率層40的Tg高，所以即使由 在製作多層印刷配線板10時的熱處理製程或被構裝的1C晶 片70的發熱等而低彈性率層40成爲高溫，低彈性率層40亦 係不超過Tg而不過剩的膨脹。因而，即使在高溫時亦可防 -23- (20) 1334755 止低彈性率層40的剝離，可確保貫穿低彈性率層40的導體 端子50的連接信賴性。另外，因爲導體端子50的長寬比 Rasp爲適當，所以即使產生了起因於核心基板20與1C晶片 70的熱膨脹係數差的應力，亦可確實的緩和其應力，所以 可防止因熱膨脹、熱收縮的對1C晶片70之連接破壞，因爲 可控制變小反覆加熱、冷卻時的電氣阻抗的變化率，所以 可向1C晶片70安定供給電源。另外，導體端子50係因爲最 | 細的部分的直徑超過30μιη，所以可抑制於1C晶片70供給電 源時的電壓下降，進而可防止1C晶片70產生誤動作。特別 是，搭載3GHZ以上的1C晶片70時，此效果變爲顯著。而且 ，導體端子50，形成具有細腰形狀，但是因爲對於最細部 分的直徑的最粗部分的直徑（最粗部分/最細部分）爲2以 上，所以比起略直線形狀的導體端子，可抑制由反覆加熱 、冷卻時的電氣阻抗的變化率。因爲，低彈性率層40與導 體端子50—起變形。關於這些的效果爲按照在後述的實驗 II例說明而實證過。而且另外，作爲孔環5 2，因爲利用如與 低彈性率層40的上面同一平面的形成的導體端子50的頂部 ，所以對導體端子50係比起另外形成孔環的情況，可簡單 的製作。然後另外，於30°C的彈性率爲lOMPa〜lGPa，可 更確實的緩和起因於熱膨脹係數差的應力。 而且，本發明係不任何限定於上述的實施形態，限於 屬於本發明的技術的範圍而可實施各種的態樣係屬當然。 例如，在上述的實施形態，將導體端子50的形狀作爲 具有細腰的形狀，而作爲略直線的柱狀亦佳。於將如此的 -24- (21) (21)1334755 導體端子5 0作爲略直線的柱狀的情況’例如：如將鈾刻液 藉由狹縫噴嘴（slit nozzle)等而直線的噴霧噴射而進行 蝕刻爲.佳。此情況，如導體端子50的長寬比Rasp爲4 $ Rasp <20，與上述的實施形態相同，可防止由熱膨脹、熱 收縮的對1C晶片70的連接破壞、同時可防止1C晶片70的誤 動作。此時，將導體端子5〇的橫剖面的直徑作到超過30μιη ，因爲可控制變低電壓下降量而爲理想。但是，若超過 80μιη，則因爲導體端子50有妨礙低彈性率層40的變形之虞 ，所以超過30μιη而作爲80μιη以下爲較理想。而且，關於 這些亦按照在後述的實驗例說明而實證過。 另外，於上述的實施形態的低彈性率層40上，形成阻 焊劑（Solder Resist)層亦佳。此情況，於阻焊劑（ Solder Resist)層係設置孔環52爲如露出於外部的開口。 而且，如此的阻焊劑層係可藉由常法而形成。 而且，在上述的實施形態係於加高層30上只形成了 1 層具備了導體端子50的低彈性率層40，但複數層疊亦佳。 而且另外，在上述的實施形態將孔環52作爲導體端子50的 頂部，也就是作爲導體端子50的一部分，但將孔環52與導 體端子50作爲別體亦佳。 實驗例 以下，說明關於爲了實證本實施形態的多層印刷配線 板10的效果的實驗例。首先，說明關於導體端子的長寬比 Rasp與反覆加熱、冷卻後的電氣阻抗的變化率的關係。在 -25- (22) 1334755 此，將具備表示於第9圖的表的實驗例1〜12的導體端子的 多層印刷配線板，按照上述的實施形態而作成。具體的係 ，於各實驗例，將於第3圖的乾薄膜306 (厚240 μπι)使用 二氧化碳氣體雷射而形成的開口 308的孔徑，配合導體端 子的最大徑而設定，將第5圖的銅層310的蝕刻時間配合導 體端子的最小徑而設定。而且，最小徑與最大徑的相同處 係爲略直線狀的柱狀的導體端子，最小徑與最大徑的相異 | 處爲具有細腰形狀的導體端子。另外，直線形狀的導體端 子係採用了使用了狹縫噴嘴的噴霧蝕刻。於如此作用而製 作的各實施例的多層印刷配線板構裝1C晶片，之後作爲於 1C晶片與多層印刷配線板之間塡充封止樹脂的1C搭載基板 。之後，測定經由1C晶片的特定電路的電氣阻抗（1C搭載 基板的1C晶片搭載面與露出於相反側的面而與1C晶片導通 的一對電極間的電氣阻抗），將該値作爲初期値。之後， 於那些1C搭載基板，以-55°Cx5分、125°Cx5分作爲1循環 φ而將此進行反覆1 5 00循環的熱循環試驗。於此熱循環試驗 ’測定第500循環、第750循環、第1000循環、第1500循環 的電氣阻抗，求出與初期値的變化率（1 0 0 X (測定値-初 期値）/初期値（％ ))。將該結果表示於第9圖的表。此 表中’將電氣阻抗的變化率爲±5%以內作爲「良好」（〇 )、土 5~10%爲「普通」（△)、超過±1〇%作爲「不良」 (X)。而且，將目標詳細說明（spec)，第1〇〇〇循環的 變化率作爲± 1 0%以內（也就是在評估「普通」或「良好」 )。如由此表可明暸的，對於長寬比Rasp在4以上係至少 -26- (23) (23)1334755 至第1000循環評估爲「良好」，長寬比Rasp在3.3以下評 估大部分爲「不良」。另外，長寬比Rasp爲在20係於導體 端子產生破裂而斷線。另外，在導體端子的長寬比Rasp爲 相同的情況係具有細腰形狀的一方比略直線狀優良。 接著，說明關於導體端子的最小徑與電壓下降的關係 。在此，表示於第10圖的表的實驗例13~18的多層印刷配 線板，按照上述的實施形態而製作。具體的係，於各實驗 例，將於第3圖的乾薄膜306 (厚240 μηι)使用二氧化碳氣 體雷射而形成的開口 308的孔徑，配合導體端子的最大徑 而設定，將第5圖的銅層310的蝕刻時間配合導體端子的最 小徑而設定。如此作用而製作的各實施例的多層印刷配線 板構裝以3.1 GHz高速驅動的1C晶片，供給一定量的電源而 測定起動此1C晶片時的電壓下降量。附帶說明，1C晶片的 電壓係因爲不能直接測定，所以於多層印刷配線板形成可 測定的1C晶片的電壓的電路，以該電路測定電壓下降量。 將該結果與第1〇圖的表而表示於線圖。而且，一導通（ ON ) 1C晶片的電晶體，則該電晶體係伴隨時間經過而複 數次電壓下降，測定其中第1次的電壓下降量。另外，第 10圖的表中的電壓下降量係作爲，將電源電壓作爲1.0V， 5次起動1C晶片時的電壓下降量的平均値。一方面，關於 第1 0圖的表中的導體端子的最小徑係於剖面硏磨後測定， 關於1C晶片的誤動作的有無係反覆100次同時開關（ switching )，確認於其間是否產生誤動作。如由第10圖的 線圖可明暸，導體端子的最小徑爲在超過3 Ομπι附近，電壓 -27- (24) 1334755 下降量明顯的變小。而且，於實驗例13 (參照第1〇圖的表 )的多層印刷配線板1 0構裝1 GHz的1C晶片，作爲同樣而確 認是否產生誤動作，但誤動作不產生。另外，若導體端子 的最小徑超過80μιη，則因爲有將長寬比Rasp作爲4以上的 必要而導體端子變高而配線長變長，所以最小徑係超過 30μηι、80μιη以下爲理想。 接著，說明關於導體端子的長寬比與關於1C晶片的絕 | 緣層的應力的關係。將1C晶片、低彈性率層、銲錫突塊、 導體端子、核心基板等的各種構成材料的熱膨脹係數或彈 性率、蒲松比（poisson ratio )維持一定，使導體端子的 長寬比Rasp變化，進行3D線性模擬（3D strip simulation )，計算對於導體端子的長寬比Rasp爲1時的關於1C晶片 的絕緣層的應力之關於在各種長寬比Rasp的導體端子的1C 晶片之絕緣層的應力之比（單稱爲應力比）。將該結果表 示於第11圖的表及線圖。如由此表及線圖可明暸的，了解 φ長寬比Rasp爲在4的範圍應力比大的變化。亦即，應力比 係長寬比Rasp對於在4以上爲小而在未滿4係變大。 接著’說明關於在形成低彈性率層時使用的樹脂組成 物。在此，作爲爲了形成低彈性率層的材料，可使用之前 表不的低彈性率材料，亦即使用由萘型的環氧樹脂（曰本 化藥公司製、商品名：NC-7000L) 100重量份、酣·二甲苯 —醇縮合樹脂（三井化學製、商品名：XLC-LL) 20重量 份、作爲架橋橡膠粒子的Tg爲- 50°C的殘酸變性NBR(JSR 公司製、商品名：XER-91) 90重量份 '作爲硬化觸媒的卜 -28- (25) 1334755 氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑4重量份，溶解於乳酸乙酯3〇〇 重量份的樹脂組成物而得的低彈性率材料，按照上述的實 施形態而將第1圖的多層印刷配線板作爲實施例1。另外， 作爲爲了形成低彈性率層的材料，使用烯烴（〇lefin)系 樹脂薄膜（巴川製紙所製’商品名TLF-ΥΜ2 )，按照上述 的實施形態而將第1圖的多層印刷配線板作爲比較例1。然 後，關於實施例1和比較例1’進行油浸（oil dip)(將在 | 室溫放置30秒後在260 °C放置10秒作爲1循環，將此反覆 100循環）’與先前範圍同樣作用而求出電氣阻抗的變化 率。該結果’對於實施例1係對於電氣阻抗的變化率爲土 10%以內，比較例1係導體端子爲斷線。
更關於實施例於以下說明。首先，說明關於導體端子 的長寬比Rasp與反覆加熱、冷卻後的電氣阻抗的變化率的 關係。在此，將具備表示於第13圖的表的實驗例19~73的 導體端子的多層印刷配線板，按照上述的實施形態而作成 φ 。具體的係，於各實驗例，於依照導體端子的高而各種變 更了厚度的乾薄膜306(參照第3圖，例如：以薄膜片數調 整厚度亦佳）使用二氧化碳氣體雷射而形成的開口 308的 孔徑，配合導體端子的最大徑而設定，將第5圖的銅層310 的蝕刻時間配合導體端子的最小徑而設定。而且，最小徑 與最大徑的相同處係爲略直線狀的柱狀的導體端子，最小 徑與最大徑的相異處爲具有細腰形狀的導體端子。另外， 直線形狀的導體端子係採用了使用了狹縫噴嘴的噴霧蝕刻 。於如此作用而製作的各實施例的多層印刷配線板構裝1C -29- (26) I334755 晶片’.之後作爲於IC晶片與多層印刷配線板之間塡充封止 樹脂的1C搭載基板。之後，進行與上述的實施例1〜18相同 的熱循環試驗。但是，關於第1750循環 '第2000循環、第 25 00循環亦測定電氣阻抗而進行評估。將該結果表示於第 13圖的表。此表中的〇、△、X的意味之處與第9圖相同 〇 由第13圖的結果，若長寬比Rasp爲4以上、未滿20, φ 至少在1000循環爲評估爲「普通」（△)或「良好」（〇 )。對於此，長寬比Rasp爲未滿4或20以上之物係於1〇〇〇 循環爲「不良」（X)。此係，在長寬比Rasp未滿4，推 測：即使低彈性率層如變形，導體端子亦妨礙該變形；推 測：在20以上，因爲導體端子過度變形而疲勞劣化。另外 ，特別是長寬比Rasp爲4以上、6.5以下者爲於更長的循環 數帶來良好的結果。另外長寬比Rasp於4以上、未滿20， 若比較導體端子的形狀，則對於細腰形狀者係至少至1 500 φ循環，評估爲「普通」或「良好」，直線形狀者係至少至 1000循環，評估爲「普通」或「良好」，至1500循環，評 估爲「不良」或「普通」。此係，推測爲因爲細腰形狀者 係以細腰部作爲中心而藉由與低彈性率層一起而容易變形 。一方面，關於導體端子的最小徑，於超過30μιη、60μπι 以下時可得理想的結果。推測此係在30μχη以下係因爲徑小 ，所以因被反覆的變形而疲勞劣化，若超過60μιη則因導體 端子變爲難以變形。另外，若比較導體端子的最大徑/最 小徑之比爲2以上的實驗例22〜24、35〜3 7與未滿2的實驗例 -30- (27) 1334755 2 5~27、3 8〜40，則前者之一方爲長期信賴性高。推測此係 因爲最大徑/最小徑之比大’導體端子爲適度的容易變形 〇 而且，取代低彈性率層’採用使用於加高層的形成的 樹脂絕緣層（味之素公司製’品名：ABF-45SH、彈性率 ：3.0GPa)，製作與實驗例22相同的導體端子，進行與上 述的各實驗例相同的評估試驗時，在第5 00循環已經爲「 | 不良」。推測此係因爲取代低彈性率層而採用彈性率高的 樹脂絕緣層，而不能緩和應力。 於實驗例21〜30，變更低彈性率層40的樹脂組成物的 配合量，按照實施形態而製作實驗例74〜8 3。具體的係， 使用將萘型的環氧樹脂1〇〇重量份、酚-二甲苯二醇縮合樹 脂1〇重量份、作爲架橋橡膠粒子的Tg爲-50 °C的羧酸變性 NBR 7重量份、作爲硬化觸媒的1-氰乙基-2-乙基-4-甲基 咪唑 0_5重量份，溶解於乳酸乙酯3 00重量份的樹脂組成 φ物。此樹脂組成物的玻璃轉換溫度（Tg)爲165°C。 於實驗例21〜30，變更低彈性率層40的樹脂組成物的 配合量，按照實施形態而製作實驗例84〜93。具體的係， 使用將萘型的環氧樹脂100重量份、酚-二甲苯二醇縮合樹 脂5重量份、作爲架橋橡膠粒子的Tg爲-50 °C的羧酸變性 NBR 180重量份、作爲硬化觸媒的1·氰乙基-2-乙基-4-甲 基咪唑10重量份’溶解於乳酸乙酯300重量份的樹脂組成 物。此樹脂組成物的玻璃轉換溫度（Tg)爲125。(：。 於實驗例21〜30，變更低彈性率層40的樹脂組成物的 (28) (28)1334755 配合量，按照實施形態而製作實驗例94~103。具體的係， 使用將萘型的環氧樹脂100重量份、酚-二甲苯二醇縮合樹 脂5重量份、作爲架橋橡膠粒子的Tg爲-50 °C的羧酸變性 NBR 5重量份、作爲硬化觸媒的1-氰乙基-2·乙基-4-甲 基咪唑 0.1重量份’溶解於乳酸乙酯300重量份的樹脂組 成物。此樹脂組成物的玻璃轉換溫度（Tg)爲140°C。 於實驗例21〜30，變更低彈性率層40的樹脂組成物的 配合量，按照實施形態而製作實驗例1 〇4~ 1 1 3。具體的係 ，使用將萘型的環氧樹脂1〇〇重量份、酚-二甲苯二醇縮合 樹脂 1〇〇重量份、作爲架橋橡膠粒子的Tg爲-50 °C的羧酸 變性NBR 200重量份、作爲硬化觸媒的1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑 20重量份，溶解於乳酸乙酯300重量份的樹脂 組成物。此樹脂組成物的玻璃轉換溫度（Tg )爲1 5 5 °C » 在實驗例74〜113使用的萘型的環氧樹脂、酚-二甲苯 二醇縮合樹脂、羧酸變性NBR，任一使用與實驗例1相同 的市售品。關於這些實驗例74〜1 13，亦進行與上述的實施 例1〜18相同的熱循環試驗。將該結果表示於第I4圖的表。 此表中的〇、△、：X：的意味之處與第9圖相同。如由此表 明暸的，在滿足：長寬比爲4 · 〇、最大徑/最小徑之比爲2 · 0 以上、導體端子的最小徑爲超過3〇μιη、60μιη以下的條件 時（實驗例75〜77、8 5-87 ' 95〜97、105-1 07 )，特別是可 得理想的結果。另外，關於實驗例74〜1】3若比較導體形狀 相同的相互間（也就是如實驗例74、84、94、104的末尾 的數字相同的相互間）’則實驗例74〜83 ' 84~93之一方可 -32- (29) (29)1334755 得比實驗例94~1 03、104〜13良好的結果。 本發明係以於2004年5月27日申請的日本國專利申請 2004- 1 5 7459號作爲優先權主張的基礎，編入該內容的全 部。 〔產業上的可利用性〕 本發明的多層印刷配線板係爲了搭載1C晶片等的半導 體元件而被使用，例如利用於電氣關連產業或通訊關連產 業等。 【圖式簡單說明】 第1圖爲本實施形態的多層印刷配線板的剖面圖。 第2圖爲表示本實施形態的多層印刷配線板的作成途 中之剖面圖。 第3圖爲表示本實施形態的多層印刷配線板的作成途 中之剖面圖。 第4圖爲表示本實施形態的多層印刷配線板的作成途 中之剖面圖。 第5圖爲表示本實施形態的多層印刷配線板的作成途 中之剖面圖。 第6圖爲表示本實施形態的多層印刷配線板的作成途 中之剖面圖。 第7圖爲表示本實施形態的多層印刷配線板的作成途 中之剖面圖 -33- (30) (30)1334755 第8圖爲表示本實施形態的多層印刷配線板的作成途 中之剖面圖。 第9圖爲表示導體端子的形狀與電氣阻抗的變化率的 關係的表。 第10圖爲表示導體端子的最小徑與電壓下降量的關係 的表及線圖。 第11圖爲表示導體端子的長寬比與應力比的關係的表 及線圖。 第1 2圖爲先前例的多層印刷配線板的剖面圖。 第13圖爲表示導體端子的形狀與電氣阻抗的變化率的 關係的表。 第14圖爲表示導體端子的形狀與電氣阻抗的變化率的 關係的表。 【主要元件符號說明】 10 多層印刷配線板 20 核心基板 2 1 核心基板本體 22 配線圖形 24 穿孔導體 30 加高層 32 導體圖形 3 4 介層洞 36 樹脂絕緣層 -34- (31)1334755 40 低彈性率層 50 導體端子 52 孔環 66 銲錫凸塊 7 0 IC晶片 100多層印刷配線板 1 3 0加高層
1 4 0低彈性率層 1 5 0介層洞 152構裝用電極 302圖形化鍍覆層 302電解銅鍍覆層 3 04無電解銅鍍覆層 3 0 6乾薄膜 3 08 開口
3 1 2銲錫層 3 1 6樹脂薄膜 -35-