TWI332738B - Chip protecting system and electronic device and chip protecting method using the same - Google Patents

Description

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三達編號·· TW3807PA 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種晶月保護系統及應用其之電子 • 裝置與晶片保護方法，且特別是有關於一種用以保護北橋 • 晶片及南橋晶片之至少一者之晶片保護系統及應用其之 電子裝置與晶片保護方法。 φ 【先前技術】 一般而言，電腦主機板上組設有一中央處理器 (Central Processing Unit，CPU)、一北橋晶片（north bridge chip)及一南橋晶片（south bridge chip)。中央處理器利用北 橋晶片及南橋晶片與周邊之元件溝通。因此，北橋晶片及 南橋晶片為申央處理器運作時之重要元件。 目前隨著重載程式之執行及資料處理速度之需求，中 央處理器之負載相對地增加。此外，部分之使用者會利用 φ 超頻或提高北橋晶片及南橋晶片之工作電壓之操作方式 k升中央處理器之工作效率。如此一來，當中央處理器之 負載加重時，北橋晶片及南橋晶片之負載亦對應地增加。 此時，北橋晶片及南橋晶片之溫度會隨著負載增加而 升高。若北橋晶片及南橋晶片之溫度無法適當地降低，則 北橋晶片及南橋晶片可能會因此燒毀，而使得電腦系統無 法繼續正常工作。 6 1332738

三達編號·· TW3807PA 【發明内容】 本發明有關於一種晶片保護系統及應用其之電子裝 置與晶片保護方法，其提供北橋晶片及南橋晶片一保護機 制’以避免北橋晶片及南橋晶片因溫度過高而損毀。如此 一來，即使使用者以超頻之操作方式或以較高工作電壓來 對北橋晶片及南橋晶片進行操作’本發明仍可有效地保護 北橋晶片或南橋晶片 根據本發明之第一方面，提出一種晶片保護系統。晶 片保護系統設置於/電子裝置。電子裝置包括〜電路板、 一北橋晶片及一南橋晶片。電路板具有一上表面及一下表 面。上表面與下表面相對。北橋晶片及南橋晶片均配置於 上表面。晶片保護系統包括一第一溫度感測元件、一判斷 單元及一保護電路。第一溫度感測元件設置於電路板之下 表面，且第一溫度威測元件设置於北橋晶片及南橋晶片之 一者之下方’以感測北橋晶片及南橋晶片之一之溫度。判 斷單元與第一溫度感測元件電性連接。判斷單元用以根據 第一溫度感測元件之狀態產生一溫度值，並與—預定值比 較。當溫度值大於預定值時，判斷單元輪出一致能訊號。 保護電路與判斷單元電性連接。當保護電路接收到致能訊 號時，保護電路使電子裝置關閉。 根據本發明之第二方面，提出一種電子裝置。電子裝 置包括一電路板、一北橋晶片、一南橋晶片及一晶片保護 系統。電路板具有一上表面及一下表面。上表面與下表面 相對。北橋晶片及南橋晶片均設置於電路板之上表面。晶 7 1332738

三達編號：TW3807PA 片保護系統包括一第一溫度感測元件、一判斷單元及一保 護電路。第一溫度感測元件設置於電路板之下表面，且第 溫度感測元件設置於北橋晶片及南橋晶片之一者之下 方，以感測北橋晶片及南橋晶片之一之溫度。判斷單元與 第一溫度感測7G件電性連接。判斷單元用以根據第一溫度 感測7L件之狀態產生一溫度值，並與一預定值比較。當溫 度值大於預定值時，判斷單元輸出一致能訊號。保護電路 與判斷單元電性連接。當保護電路接收到致能訊號時，保 護電路使電子裝置關閉。 根據本發明之第三方面，提出一種晶片保護方法。晶 片保護方法應用於一電子裝置。電子裝置包括一電路板、 一北橋晶片及一南橋晶片。電路板具有一上表面及一下表 面。上表面與下表面相對。北橋晶片及南橋晶片均配置於 上表面。晶片保護方法包括以下之步驟。首先，利用_第 一溫度感 >則元件感測北橋晶片及南橋晶片之一之溫产。第 一溫度感剩元件設置於電路板之下表面，且第一溫产&贵j 元件设置於北橋晶片及南橋晶片之一者之下方。接著矛】 用一判斷單元以根據第一溫度感測元件之狀態產生—第 一溫度值。然後，利用判斷單元比較第一溫度值是否大於 一預定值。接著，當第一溫度值大於預定值時，判斷單元 輸出一第一致能訊號至一保護電路。然後，當保 ^ 收到第一致能訊號時，關閉電子裝置。 ^ 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，下文 實施例’並配合所附圖式，作詳細說明如下：' +交佳 8 1332738

三達編號：TW3807PA 【實施方式】 本發明提出一種晶片保護系統及應用其之電子裝置 與晶片保護方法’其藉由配置於北橋晶片或南橋晶片下方 之一溫度感測元件感測北橋晶片或南橋晶片之溫度，並使 用一判斷單元來根據溫度感測元件之狀態產生一溫度值 並與一預定值比較。當溫度值大於預定值時，則關閉電子 裝置’以避免北橋晶片或南橋晶片因溫度過高而損毁。

第一實施例 請參照第1A圖，其繪示根據本發明一第一實施例之 電子裝置之上視圖。本實施例以電子裝置2〇〇為例說明， 且電子裝置200例如是一電腦主機。電子裝置2〇〇包括一 電路板2W、一北橋晶片220、一南橋晶片23〇及一晶片

保護系統240。g片保護线240包括—第—溫度感測元 件24卜一判斷單元245及一保護電路247。判斷單元 與第一溫度感測元件241及保護電路247電性連接。本實

施例中之圖示省略部分之元件’且以較為誇大之方式繪示 元件，以利清楚顯示本發明之技術特點。 S 上述之電路板21〇、北橋晶片220、南橋晶片23〇及 第一溫度感測元件241之配置方式將進一步參昭第ιβ圖 說明之。第1B圖繪示第1A圖之電子裝置之側視圖。為了 清楚地表示元件間之相對位置’第1B圖僅繪示出部分之 元件。電子裝置200之電路板210具有一上表面211及一 下表面212。電路板210之上表面211與下表面212相對。 9 1332738

三^11號：TW3807PA 北橋晶片220及南橋晶片230均設置於電路板210之上表 面211。第一溫度感測元件241設置於電路板210之下表 面212，且於本實施例中，第一溫度感測元件241設置於 北橋晶片220之下方，以感測北橋晶片220之溫度。 ' 另外’第1A圖之判斷單元245用以根據第一溫度感 測元件241之狀態產生一溫度值，並與一預定值比較。當 溫度值大於預定值時，判斷單元245輸出一致能訊號至保 φ 護電路247。當保護電路247接收到致能訊號時，保護電 路247使電子裝置200關閉，以保護北橋晶片220不因溫 度過高而損毀。 茲將本實施例之晶片保護系統做進一步之說明如 下。請參照第2圖，其繪示第1A圖之電子裝置之電路方 塊圖。第一溫度感測元件241例如是一負溫度係數熱敏電 阻(negative temperature coefficient thermistor)，負溫度係 數熱敏電阻之電阻值是隨著溫度上升而下降。本實施例之 φ 晶片保護系統240更包括一電阻R0，電阻R〇與第一溫度 感測元件241串聯。判斷單元245耦接至電阻R0與第一 溫度感測元件241電性連接之一節點P。由於本實施例之 第一溫度感測元件241是用以感測北橋晶片220(如第1A 圖所示）之溫度’因此’當北橋晶片220之溫度升高時，第 一溫度感測元件241(負溫度係數熱敏電阻）之電阻值會下 降。換言之，判斷單元245於節點P處所得到之電壓V0 之分壓會對應地下降’判斷單元245即根據此分壓計算出 溫度值，以與預定值比較°當溫度值大於預定值時，判斷 ⑴2738

二達編號· TW3807PA 單几245輪出致能訊號Es至保護電路247。致能訊號Es 例如是一低電壓訊號。 如第2圖所示，保護電路247包括一第一電阻R1、 第二電阻R2、一第一電晶體T1及一第二電晶體T2。於

本貫施例中’第一電晶體T1及第二電晶體T2例如均為N 金氣半（N-type Metal Oxide Semiconductor，NMOS)電晶 體。第一電晶體T1之閘極透過第一電阻R1接收一第一供

μ電壓VI並電性連接至判斷單元。第一電晶體τ 1之 極接收一第二供應電壓V2,第二供應電壓V2例如是一 接地電壓。 電晶體T2之閘極透過第 M ^不一电按I)文一筮一 ^電壓V3並電性連接至第―電晶體τ 第: 晶體T? + n 〜’久u弟一電 之，原極接收一第四供應電壓V4，第四供庫恭 Γ:二:。地電壓。第二電晶趙Τ2之議4 因此，當保護電路247接收到判斷單元245 # & 能訊號Es時，第一啻日鲈们澈μ贫 5輪出之致 第一電日日體Τ1截止，第二電晶體丁2 四供應電壓V4經由第二電晶體Τ2輸入至南斤^ ’ 230 ’以觸發南橋晶片230控制電子裝置200關閉f曰曰 此外，如第2圖所示，本實施例之南橋晶片23〇且右 一過熱保護接腳231，且電子裝置2〇〇更包括一中央處理 窃250。中央處理器25〇及保護電路247均可電性連接至 南橋晶片230之過熱保護接腳231。換言之，本訾 去柊日Η +夏知例之 兩橋曰曰片230可與電子裝置200之中央處理器25〇可共用 1332738

^號：TW3807PA 同一接腳（過熱保護接腳231)，而無須另外增加南橋晶片 230之接腳。 再者，本實施例之電子裝置200更包括一基本輸出輸 入系統（Basic Input/Output System，BIOS)260。預定值於 基本輸出輸入系統260中設定。於本實施例中，預定值之 設定例如是由使用者自行設定，以符合使用者之需求。在 保護電路247因為北橋晶片220過熱而使電子裝置2〇〇關 閉之後，當電子裝置200再開機時’基本輸出輸入系統26〇 將會顯示一警告訊息。如此一來，使用者可藉由此警告訊 息了解電子裝置200前次關閉之原因，以適度地調整操作 電子裝置200之方式。例如，使用者可以調降電腦系統的 操作頻率，或是調降北橋晶片的工作電壓，以降低北橋晶 片再次過熱之機率。 以下利用上述所提及之晶片保護系統240及應用其 之電子裝置2 0 0說明根據本發明之第一實施例之晶片保護 方法。請同時參照第2圖及第3圖，第3圖繪示根據本發 明一第一實施例之晶片保護方法之流程圖。本實施例之晶 片保護方法包括以下之步驟。首先，由於本實施例之第一 溫度感測元件241設置於北橋晶片220(如第1B圖所示） 之下方，因此於步驟701中是利用第一溫度感測元件241 感測北橋晶片220之溫度。 接著，於步驟703中，利用判斷單元245以根據第一 溫度感測元件241之狀態產生一溫度值。由於本實施例之 第一溫度感測元件241為一負溫度係數熱敏電阻，因此判 12 1332738

三達編號：TW3807PA 斷單元245是利用由P點處所得之分壓計算出對應之溫度 值。 然後，於步驟705中，利用判斷單元245比較溫度值 是否大於預定值。於本實施例中，預定值可由使用者自行 於基本輸出輸入系統260中訂定，以符合使用者之需求。 接著，於步驟707中，當溫度值大於預定值時，判斷 單元245輸出致能訊號Es至保護電路247。 然後，於步驟709中，當保護電路247接收到致能訊 號Es時，南橋晶片230關閉電子裝置200。致能訊號Es 截止第一電晶體T1後，第二電晶體T2將被導通，使得第 二電晶體T2輸入第四供應電壓V4至南橋晶片230，以觸 發南橋晶片230控制電子裝置200關閉。 接著，於步驟711中，當電子裝置200再開機時，由 基本輸出輸入系統260顯示一警告訊息。此外，於本實施 例中，晶片保護方法可選擇性地於步驟701之前更包括於 基本輸出輸入系統260中設定預定值之步驟，以符合使用 者之需求。 上述即為根據本發明之第一實施例之晶片保護系統 及應用其之電子裝置與晶片保護方法，其提供保護北橋晶 片之機制，以避免北橋晶片因溫度過高而燒毁。此外，於 本實施例中，保護電路因為北橋晶片過熱而使電子裝置關 閉之後，當電子裝置再開機時，基本輸出輸入系統將會顯 示警告訊息，以讓使用者瞭解電子裝置前次關機之原因。 如此一來，即使使用者以超頻之操作方式或以較高之工作 13 1332738

三達編號：TW3807PA 電壓來對北橋晶片及南橋晶片進行操作，本實施例之晶片 保護系統及應用其之電子裝置與晶片保護方法仍提供了 保護北橋晶片之機制。 雖然本實施例之第一溫度感測元件配置於北橋晶片 • 之下方，然而，熟知此技藝者應可明瞭第一溫度感測元件 亦可設置於南橋晶片之下方，以提供保護南橋晶片之機 制。 第二實施例 本實施例與第一實施例之差異在於第一實施例僅利 用第一溫度感測元件感測北橋晶片之溫度，而本實施例則 利用第一溫度感測元件及一第二溫度感測元件分別感測 北橋晶片及南橋晶月之溫度，以避免北橋晶片及南橋晶片 因溫度過向而燒毀。 請參照第4圖，其繪示根據本發明一第二實施例之電 子裝置之上視圖。電子裝置300之晶片保護系統340包括 第一溫度感測元件341、第二溫度感測元件342、一判斷 單元345及一保護電路347。第一溫度感測元件341及第 二溫度感測元件342皆設置於電路板310之下表面，且第 一溫度感測元件341及第二溫度感測元件342分別設置於 北橋晶片320及南橋晶片330之下方，以感測北橋晶片320 及南橋晶片330之溫度。 於本實施例中，判斷單元345與第一溫度感測元件 341、第二溫度感測元件342及保護電路347電性連接。 14 1332738

三達編號：TW3807PA 判斷單元345根據第一溫度感測元件341及第二溫度感測 元件342之狀態以分別產生一第一溫度值及一第二溫度 值。當第一溫度值大於一預定值時，判斷單元345則輸出 一第一致能訊號至保護電路347，且當第二溫度值大於預 定值時，判斷單元345則輸出一第二致能訊號至保護電路 347。當保護電路347接收到第一致能訊號或第二致能訊 號時，保護電路347使電子裝置300關閉，以保護北橋晶 片320及南橋晶片330不因溫度過高而損毀。 至於本實施例之晶片保護方法則請同時參照第5 圖，第5圖繪示根據本發明一第二實施例之晶片保護方法 之流程圖。第5圖之步驟801a至步驟809a為利用第一溫 度感測元件341、判斷單元345及保護電路347保護北橋 晶片320之流程，步驟801b至步驟809b則為利用第二溫 度感測元件342、判斷單元345及保護電路347保護南橋 晶片3 3 0之流程。 當電子裝置300因北橋晶片320或南橋晶片330過熱 關機之後再開機時，基本輸出輸入系統（未繪示）將會顯示 一警告訊息，以提醒使用者電子裝置300前次關機之原 因。如此一來，當北橋晶片320或南橋晶片330之溫度過 高時，即可藉由本實施例之晶片保護系統340之保護機制 關閉電子裝置300，以避免北橋晶片320及南橋晶片330 燒毁。 本發明上述實施例所揭露之晶片保護系統及應用其 之電子裝置與晶片保護方法，其藉由北橋晶片或南橋晶片 15 1332738

三達編號：TW3807PA ' 之溫度作為是否關閉電子裝置之依據，以保護北橋晶片及 南橋晶片。如此一來，即使使用者以超頻之操作方式或以 較高之工作電壓操作北橋晶片及南橋晶片，上述實施例所 ' 揭露之晶片保護系統及應用其之電子裝置與晶片保護方 法仍可有效地保護北橋晶片或南橋晶片，以避免北橋晶片 及南橋晶片因溫度過高而燒毁。 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 $ 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常 知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之 更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。

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三達編號：TW3807PA 【圖式簡單說明】 第1A圖繪示根據本發明一第一實施例之電子裝置之 上視圖； 第1B圖繪示第1A圖之電子裝置之側視圖； 第2圖繪示第1A圖之電子裝置之電路方塊圖； 第3圖繪示根據本發明一第一實施例之晶片保護方 法之流程圖； 第4圖繪示根據本發明一第二實施例之電子裝置之 上視圖；以及 第5圖繪示根據本發明一第二實施例之晶片保護方 法之流程圖。

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三達編號：TW3807PA 【主要元件符號說明】 200、300 :電子裝置 210、310 :電路板 211 :上表面 212 :下表面 220、320 :北橋晶片 230、330 :南橋晶片 240、 340 :晶片保護系統 R0 :電阻 241、 341 :第一溫度感測元件 245、345 :判斷單元 247、347 :保護電路 T1 第一電晶體 T2 第二電晶體 R1 第一電阻 R2 第二電阻 250 :中央處理器 260 :基本輸出輸入糸統 342 :第二溫度感測元件 Es · 致能訊號 V0 電壓 VI 第一供應電壓 V2 第二供應電壓 V3 第三供應電壓 V4 :第四供應電壓

Claims (1)

1332738 三達編號：TW3807PA 十、申請專利範圍： 1. 一種晶片保護系統，設置於一電子裝置，該電子 裝置包括一電路板、一北橋晶片及一南橋晶片，該電路板 具有一上表面及一下表面，該上表面與該下表面相對，該 北橋晶片及該南橋晶片均配置於該上表面，該晶片保護系 統包括： 一第一溫度感測元件，設置於該電路板之該下表面， 且該第一溫度感測元件設置於該北橋晶片及該南橋晶片 之一者之下方，以感測該北橋晶片及該南橋晶片之一之溫 度； 一判斷單元，與該第一溫度感測元件電性連接，該判 斷單元用以根據該第一溫度感測元件之狀態產生一溫度 值，並與一預定值比較，當該溫度值大於該預定值時，該 判斷單元輸出一致能訊號；以及 一保護電路，與該判斷單元電性連接，當該保護電路 接收到該致能訊號時，該保護電路使該電子裝置關閉。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片保護系統，其 中該保護電路包括： 一第一電阻及一第二電阻； 一第一電晶體，其閘極透過該第一電阻接收一第一供 應電壓並電性連接至該判斷單元，該第一電晶體之源極接 收一第二供應電壓；及 一第二電晶體，其閘極透過該第二電阻接收一第三供 應電壓並電性連接至該第一電晶體之汲極，該第二電晶體 1332738 三達編號：TW3807PA 之源極接收一第四供應電壓，該第二電晶體之及極電性連 接至該南橋晶片； 其中，當該保護電路接收到該致能訊號時，該第一電 • 晶體截止，該第二電晶體導通，該第四供應電壓經由該第 . 二電晶體輸入至該南橋晶片，以觸發該南橋晶片控制該電 子裝置關閉。 3. 如申請專利範圍第2項所述之晶片保護系統，其 ^ 中該第一電晶體及該第二電晶體均為N型金氧半(N_type Metal Oxide Semiconductor，NMOS)電晶體，該第二供應 電壓為一接地電壓，該第四供應電壓為一接地電壓。 4. 如申請專利範圍第1項所述之晶片保護系統，其 中該晶片保護系統更包括： 一第二溫度感測元件’設置於該電路板之該下表面， 該第二溫度感測元件於該北橋晶月及該南橋晶片之另— 者之下方。 • 5·如申請專利範圍第1項所述之晶片保護系統，其 中該第一溫度感測元件為一負溫度係數熱敏電阻(negatWe temperature coefficient thermistor)，該晶片保護系統更勺括 一電阻’該電阻與該第一溫度感測元件串聯，該判斷單元 耦接至該電阻與該第一溫度感測元件電性連接之一節點。 6.如申請專利範圍第1項所述之晶片保護系其 中該南橋晶片具有一過熱保護接腳，該電子裝置更包括一 中央處理器（Central Processing Unit，Ci>u)，該中央處理器 及該保護電路電性連接至該南橋晶片之該過熱保護接腳°。 20 1332738 三號·· TW3807PA 7. —種電子裝置，包括·· 一電路板，具有〆上表面及一下表面’該上表面與該 下表面相對； ' 一北橋晶片，設£於該電路板之該上表面； • 一南橋晶片，設ϊ於該電路板之該上表面；以及 一晶片保護系統，包括： 一第一溫度感測元件，設置於該電路板之該下 φ 表面’且該第一溫度感測元件設置於該北橋晶片及該南橋 晶片之一者之下方，以感測該北橋晶片及該南橋晶片之一 之溫度； —判斷單元’與該第一溫度感測元件電性連 接，該判斷單元用以根據該第一溫度感測元件之狀態產生 一溫度值，並與一預定值比較，當該溫度值大於該預定值 時，該判斷單元輸出一致能訊號；及 一保護電路，與該判斷單元電性連接，當該保 護電路接收到該致能訊號時，該保護電路使該電子裝置關 閉。 8.如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該 保護電路包括： 一第一電阻及一第二電阻； ㈣ρ.'第冑晶體，其閘極透過該第-電阻接收-第-供 Γ楚並電性連接至該判斷單元，該第—電晶體之源極接 收一第二供應電壓；及 第-電晶體’其閘極透過該第二電阻接收一第 21 1332738 三達編號：TW3807PA 應電壓並電性連接至該第一電晶體之汲極，該第二電晶體 之源極接收一第四供應電壓，該第二電晶體之汲極電性連 接至該南橋晶片； 其中，當該保護電路接收到該致能訊號時，該第一電 晶體截止，該第二電晶體導通，該第四供應電壓經由該第 二電晶體輸入至該南橋晶片，以觸發該南橋晶片控制該電 子裝置關閉。 9. 如申請專利範圍第8項所述之電子裝置，其中該 第一電晶體及該第二電晶體均為N型金氧半電晶體，該第 二供應電壓為一接地電壓，該第四供應電壓為一接地電 壓。 10. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該 電子裝置更包括： 一基本輸出輸入系統（Basic Input/Output System， BIOS)，於該保護電路使該電子裝置關閉之後，當該電子 裝置再開機時，該基本輸出輸入系統顯示一警告訊息。 11. 如申請專利範圍第10項所述之電子裝置，其中 該預定值於該基本輸出輸入系統中設定。 12. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該 南橋晶片具有一過熱保護接腳，該電子裝置更包括： 一中央處理器，該中央處理器及該保護電路電性連接 至該南橋晶片之該過熱保護接腳。 13. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該 晶片保護系統更包括： 22 1332738 三達編號：TW3807PA 一第二溫度感測元件，設置於該電路板之該下表面， 該第二溫度感測元件於該北橋晶片及該南橋晶片之另一 者之下方。 14. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該 第一溫度感測元件為一負溫度係數熱敏電阻，該晶片保護 系統更包括一電阻，該電阻與該第一溫度感測元件串聯， 該判斷單元耦接至該電阻與該第一溫度感測元件電性連 ^ 接之一節點。 15. —種晶片保護方法，應用於一電子裝置，該電子 裝置包括一電路板、一北橋晶片及一南橋晶片，該電路板 具有一上表面及一下表面，該上表面與該下表面相對，該 北橋晶片及該南橋晶片均配置於該上表面，該晶片保護方 法包括： 利用一第一溫度感測元件感測該北橋晶片及該南橋 晶片之一之溫度，該第一溫度感測元件設置於該電路板之 φ 該下表面，且該第一溫度感測元件設置於該北橋晶片及該 南橋晶片之一者之下方； 利用一判斷單元以根據該第一溫度感測元件之狀態 產生一第一溫度值； 利用該判斷單元比較該第一溫度值是否大於一預定 值； 當該第一溫度值大於該預定值時，該判斷單元輸出一 第一致能訊號至一保護電路；以及 當該保護電路接收到該第一致能訊號時，關閉該電子 23 1332738 r 三達編號：TW3807PA •裝置。 16.如申請專利範圍第15項所述之晶片保護方法， 其中該保護電路包括一第一電阻、一第二電阻、一第一電 ' 晶體及一第二電晶體，該第一電晶體之閘極透過該第一電 - 阻接收一第一供應電壓並電性連接至該判斷單元，該第一 電晶體之源極接收一第二供應電壓，該第二電晶體之閘極 透過該第二電阻接收一第三供應電壓並電性連接至該第 I 一電晶體之汲極，該第二電晶體之源極接收一第四供應電 壓，該第二電晶體之汲極電性連接至該南橋晶片，該保護 電路接收到該第一致能訊號時，關閉該電子裝置之步驟包 括： 當該保護電路接收到該第一致能訊號時，截止該第一 電晶體，導通該第二電晶體，經由該第二電晶體輸入該第 四供應電壓至該南橋晶片，以觸發該南橋晶片控制該電子 裝置關閉。 Φ 17.如申請專利範圍第15項所述之晶片保護方法， 其中該電子裝置更包括一基本輸出輸入系統，於該保護電 路使該電子裝置關閉之後，該晶片保護方法更包括： 當該電子裝置再開機時，由該基本輸出輸入系統顯示 一警告訊息。 18.如申請專利範圍第17項所述之晶片保護方法， 其中於利用該第一溫度感測元件感測該溫度之步驟之 前，該晶片保護方法更包括： 於該基本輸出輸入系統中設定該預定值。 24 1332738 三達編號：TW3807PA 19.如申請專利範圍第15項所述之晶片保護方法， 其中該晶片保護系統更包括一第二溫度感測元件，設置於 該電路板之該下表面，且該第二溫度感測元件位於該北橋 晶片及該南橋晶片之另一者之下方，該晶片保護方法更包 括： 利用該第二溫度感測元件感測該北橋晶片及該南橋 晶片之另一者之溫度， 利用該判斷單元以根據該第二溫度感測元件之狀態 產生一第二溫度值； 利用該判斷單元比較該第二溫度值是否大於該預定 值； 當該第二溫度值大於該預定值時，該判斷單元輸出一 第二致能訊號至該保護電路；以及 當該保護電路接收到該第二致能訊號時，該保護電路 使得該電子裝置關閉。 25