TWI331705B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1331705 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種微影裝置及一種製造器件的方法 【先前技術】 微影裝置是-種將一期望圖案施加於一基板且通常是施 加於基板之-目標部分上的機器。微影裝置可被用於譬如 積體電路(ICs)的製程中。在此例中，一圖案化器件(其或被 稱為一光罩或是一標線片）可被用於產生一待形成在…之 一個別層上的電路圖案。此圖案可被轉移到一基板（例如一 矽晶圓）之一目標部分（例如包括局部晶粒、一個晶粒、或數

個晶粒）上◊圖案的轉移通常是經由成像在被提供於基板上 之一輻射敏感材料（抗蝕劑）層上的方式進行。大體而言，單 一基板會含有相繼被圖案化之相鄰目標部分的一網絡。習 知微影裝置包含俗稱之步進機及俗稱之掃描機，在步進機 中每一目標部分是藉由一次將一整個圖案曝照於目標部分 上的方式接受輻照，而在掃描機中每一目標部分是藉由用 一輻射束以一給定方向（”掃描"方向）掃描圖案且同時同步 地平行或反向平行於該方向掃描基板的方式接受輻照。亦 有可能藉由將圖案壓印於基板上的方式將圖案從圖案化器 件轉移到基板。 過去已提出將微影投影裝置中之基板浸潰在一具有一相 對較高折射係數之液體（例如水）内以便填滿投影系統最終 元件與基板間之一空間。此技術的重點在於促成較小特徵 部的成像，因為曝光輻射會在液體中有一較短波長。（液體 110341.doc 1331705 的效應亦可被視為是促成系統之—較大有效]^八的使用並 且也加大焦距過去亦已提出其他浸潰液，其中包含内有 固態顆粒物（例如石英）懸浮的水。

但是，將基板或是基板與基板臺泡在一液體浴中（舉例來 說參見美國專利第4,5G9,852號，該專利之内容以引用的方 式併入本文中）意味著在一掃描曝照作業期間會有大量液 體必須加速。這要求額外或更強力的馬達，且液體内的紊 流可能導致不想要且不可預期的效果。

頃已提出之解決方案之一是使一液體供應系統利用一液 體約束系統僅在基板之一局域面積上及投影系統最終元件 與基板之間提供液體（基板通常具有一大於投影系統最終 元件的較大表面積）。過去已提出為此安排的一種方式見於 PCT專利申請案公告號WO 99/49504案，該案之内容以引用 的方式併入本文中。如圖2和3所示，液體經由至少一入口 IN供應到基板上、較佳是沿著基板相對於最終元件之移動 方向供應，且在已通過投影系統底下之後藉由至少一出口 OUT移除。也就是說，當基板被以一_乂方向在元件底下掃 描時’液體在元件之+X側供應且在-X側收回。圖2概略示 出此排列，其中液體經由入口 IN供應且在元件之另一側由 連接到一低壓源的出口 OUT收回。在圖2中，液體沿著基板 相對於最終元件之移動方向供應，然並非全都必然如此。 有多種圍繞著最終元件定位之入口和出口取向及數量可 行，其一實例示於圖3，其中在任一側上有四組一入口加一 出口的組合被以一規律圖案圍繞著最終元件提供。 110341.doc 1331705 【發明内容】 濕浸式微影術所提供的優點取決於浸潰液之折射係數— 折射係數越高，好處越大。大多數既有提案已使用對於193 nm有著1.437之折射係數的超純水當作浸潰液，然亦已有其 他具備較高折射係數的流體被提出。這些流體包括對於193 nm有著大於丨.6之折射係數的某些碳氫化合物類以及對於 157 nm有著大於1.3之折射係數的某些全氟聚醚類。儘管這 些液體很可能適合於濕浸式微影術（舉例來說，其具有良好 安定性、透射率且與投影系統材料及抗蝕劑相容），其流體 特性與水迥異，因此既有的液體容納系統設計可能無法有 效地將這些流體侷限在投影系統與基板之間。這些流體非 極性且具有極低表面張力，故其报容易滿布於整個基板和 基板臺上。已被證明能夠成功地約束住水之使用氣刀的佈 置可能無法約束此等非極性流體。 因此，舉例來說，最好提供一種能夠將一非極性低表面 張力液體約束在譬如投影系統與基板間之一空間的濕浸式 微影裝置。 依據本發明之一觀點，提出一種微影投影裝置包括： 一投影系統，其被建構為將一已圖案化輻射束投射到一 基板之一目標部分上；及 一液體供應系統，其被建構為將一第一液體供應到一介 於該投料統與該基板間之-空間，該液體供應线包括： 一液體約束結構，其大致包圍該空間且適於將一液體約 束在該空間周遭之一容積； 110341.doc 1331705 一第一液體供應源’其被安排為將該第一液體供應到該 空間；及 -第二液體供應源’其被安排為將—第二液體供應到該 容積。 依據本發明之另-觀點，提出—種器件製造方法包括利 用一投影系統將一圖案之一影像投射穿過一液體到一基板

之一目標部分上，纟中該液體被-份另—液體約束在該投 影系統與該基板間之一空間。 【實施方式】 以下參照隨附圖式僅以舉例方式說明本發明之實施例， 其中以對應參考符號標示對應部件。 圖1簡要不出一依據本發明一實施例的微影裝置。該裝置 包括： & -一照明系統（照明器）IL，其被建構為調節一輻射束b(例 如UV輻射或DUV輻射）； -一支撐結構（例如一光罩臺）Μτ，其被建構為支撐一圖案 化器件（例如一光罩）MA且連接到一第一定位器pM，該 第一定位器被建構為依據某些參數精確地定位該圖案 化器件； ^ -一基板臺（例如一晶圓臺）WT，其被建構為固持一基板 (例如一塗有抗蝕劑的晶圓、…且連接到一第二定位器 PW’該第二定位器被建構為依據某些參數精確地定位該 基板；及 _ 一投影系統（例如一折射式投影透鏡系統）PS，其被建構 110341.doc 1331705 =經由圖案化器件MA加諸於轄射束b的圖案投射 基板W之一目標部分c(例如包括一或多個晶粒）上。 该照明系統可包含各種光學組件譬如折射型、反射型、 磁力型、電磁型、靜電型或他種光學組件或是以上之任何 組合以供導引、整形或控制輻射。 結構以一取決於圖案化器件之取向、微影裝置之 以及其他條件、譬如該圖案化器件是否被固持於一真空

:境直中Γ式固持該圖案化器件。該支榜結構可採用機 械、真工、靜電或其他夾钳技術固持該圖案化器件。該支 结構舉例來說可為一機架或一臺，其視需要可為固定的 或可動的。該支揮結構可確保該圖案化器件處於一期望位 置對於投影系統的期望位置。說明書中關於”標線 片或光罩，的術語使用可被視為與較一般性用語 器件"同義。 闽杀化 圖案…般而[加諸於輻射束的圖案會對應於正 部分中產生之-器件譬如—積體電路之* 該圖案化器件可為透射型或反射型1案化器；；實例 包括先罩類、可程式反射料列類、及可⑶面板 光罩在微影技術當中廣為人知，A包括諸如二值型、交替 本說明書中所用"圖案化器件"一辭應當被廣義解釋為意 指任何能被用來對於-輻射束在其橫截面内賦予一圖案以 便^基板之-目標部分中創造一圖案的器件。應理解到舉 例來說如果加諸於輕射束的圖案包括相移特徵或俗稱輔助 特徵，則該圖案不可能精確對應於基板目標部分中之期望 110341.doc 1331705 相移型及衰減相移型以及各種混合式光罩類型。可程式鏡 片陣列之-㈣運用小反射鏡之—矩陣排列，每—小反射 鏡可被單獨傾斜以便以不同方向反射一入射輻射。斜反射 鏡在一被反射鏡陣列反射的輻射束中賦予一圖案。 本說明曰中所用才曼影系統"一辭應當被廣義解釋為涵蓋 任何類型的投影系、统，包含折射型、反射型、折反射型、 磁力型、電磁型及靜電型光學系、统或以上之任何組合，依 合乎所用曝光輕射或是其他因子譬如一浸潰液之使用或一 真空之使用而定。說明書中關於，，投影透鏡"一辭的任何使 用可被視為與較一般性用語"投影系統"同義。 如本文所述，該裝置為透射型（例如使用一透射光罩）。 另一選擇，該裝置可為反射型（例如使用如前所述一類型之 可程式反射鏡陣列或是使用一反射光罩）。 該微影裝置可為具有二個（雙平台）或更多基板臺（及/或 二或更多光罩臺）的類型。在此等"多平台"機器中，額外的 臺可為平行使用，或者可為在一或多個臺正被用於曝照的 同時在一或多個其他臺上進行準備步驟。 參照圖1 ’照明器IL從一輻射源so接收一輻射束。該源和 该微影裝置可為獨立實體，例如該源是一準分子雷射的情 況。在此等情況中，該源不被視為構成微影裝置的一部分， 且輕射束從源SO在一包括譬如合適導向反射鏡及/或一射 束擴張器之射束傳送系統BD的協助下被傳送到照明器 IL。在其他情況中’該源可為微影裝置之一體部件，例如 該源是一水銀燈的情況。源S〇和照明器比且必要時連同射 110341.doc 1331705 束傳送系統BD可被稱為一輻射系統。 照明器IL可包括一調整器AD以供調整輻射束之角強度 刀佈。一般而吕，照明器之一光睹平面中至少強度分佈之 外及/或内徑向範圍（通常分別被稱為σ_外和σ_内）可被調 整。此外，照明器IL可包括多種其他組件，譬如一積光器 IN和一聚光器CO。照明器可被用於調節輻射束以在其橫截 面内具有一期望一致性和強度分佈。 輻射束B入射於被固持在支撐結構（例如光罩臺MT)上的 ^ 圖案化器件（例如光罩MA)上，且被該圖案化器件圖案化。 在穿越光罩MA後，輻射束B通過投影系統Ps，該投影系統 將該射束聚焦在基板W之一目標部分c上。在第二定位器 - PW及位置感測器IF(例如一干涉儀器件、線性編碼器或電容 感測器）的協助下，基板臺WT可被準確移動，例如以便於 將不同目標部分C定位在輻射束B的路徑内。相似地，第一 定位器PM及另一位置感測器（其未明確示於圖i中）可被用 | 來譬如在從一光罩庫機械地取出光罩MA之後或是在一掃 描期間使光罩MA相對於輻射束b之路徑準確地定位。整體 而言，光罩臺MT之移動可在一長行程模組（粗定位）和一短 行程模組（細定位）的協助下實現，這些模組構成第一定位器 PM的一部分。相似地，基板臺|丁之移動可利用一長行程 模組和一短行程模組實現，這些模組構成第二定位器的 一部分。在一步進機（相反於掃描機）的情況中，光罩臺mt 可為僅被連接到一短行程致動器或者可為被固定住。光罩 ΜΑ和基板W可利用光罩準直記號Μι、及基板準直記號 110341,doc -11 - 1331705

Pi、P2使其對準。儘管如圖所示之基板準直記號佔用了專 屬目標部分，其亦可被定位在目標部分之間的空間内（這些 被稱為劃線道準直記號）。相似地，在光罩]^八上提供一以 上之晶粒的情況中，光罩準直記號可為位在晶粒之間。 所述裝置可被以下述模式之至少—者使用：

在步進模式中，光罩臺ΜΤ和基板臺貿丁被保持為大致 靜止，同時一加諸於輻射束的完整圖案被一次投射 (亦即一單次靜態曝光）到一目標部分C上。然後基板 臺WT被以X及/或γ方向移位使得一不同目標部分c可 被曝照。在步進模式中’曝光場的最大大小限制了在 一單次靜態曝光中成像之目標部分C的大小。

2. 在掃描模式中，在一加諸於輻射束之圖案被投射到一 目標部分C的同時光罩臺ΜΤ和基板臺WT被同步掃描 (亦即一單次動態曝光）。基板臺WT相對於光罩臺ΜΤ 之速度及方向可藉由投影系統PS之放大（縮小）和影像 翻轉特性決定。在掃描模式中，曝光場的最大大小限 制了在一單次動態曝光中之目標部分的寬度（處於非 掃描方向中），而掃描運動的長度決定了目標部分的 長度（處於掃描方向中）。 3. 在另一模式中，光罩臺MT被保持為大致靜止固持著 一可程式圖案化器件’且在一加諸於輻射束之圖案被 投射到一目標部分(：上的同時基板臺WT被移動或掃 插。在此模式中，通常使用一脈動輻射源，且該可程 式圖案化器件視需要在基板臺WT每次移動之後或是 110341.doc •12· 1331705 在一掃描期間相繼輻射脈衝之間被更新。此作業模式 可輕易應用於使用可程式圖案化器件（譬如前文所述 一種可程式反射鏡陣列）之無光罩微影術中。 上述使用模式之組合及/或變異或是完全不同的使用模 式亦可能被採用》 另一種具備一局域液體供應系統的濕浸式微影術解決方 案示於圖4。液體係由位在投影系統pL任一側上的二個凹槽 入口 IN供應，且由位在入口 IN之徑向外侧的複數個不連續 出口 out移除》入口 ιΝ和出口 ουτ可被安排在一板内該 板在其_央有一孔且投影射束穿過此孔投射。液體由位在 投影系統PL—側上之一凹槽入口 m供應，且由位在投影系 統PL另一側上之複數個不連續出口 〇υτ移除，導致一股液 體薄膜流在投影系統PL與基板w間流動。入口 ΙΝ和出口 out採用哪種組合的選擇可取決於基板w之移動方向（入口 IN和出口 0UT之其他組合停用）。 頃已提出之另一種具備一局域液體供應系統的濕浸式微 影術解決方案是使液體供應系統具備一液體約束結構，該 液體、.々束結構沿著投影系統最終元件與基板臺間之空間之 一邊界的至少一部分延伸。此一解決方案例示於圖5。液體 約束結構在灯平®中㈣於投影系統大致靜止，但其可在 Z方向（光轴方向）中有一些相對移動。在一實施例中，—密 封2成於液體約束結構與基板表面之間。在一實施例中， ο Φ封疋非接觸密封譬如氣體密封。此一系統揭示於美 國專利申凊案公告us 2〇〇4_〇2〇7824號及歐洲專利申請案 110341.doc -13· 1331705 公告EP 1420298號，二者之内容均以引用的方式併入本文 中’且例示於圖5。

如圖5所示’一液體供應系統被用來供應液體到投影系統 最終元件與基板間之空間。儲液空間1〇對於基板形成一圍 繞著投影系統成像場的非接觸密封被，使得液體被約束以 填滿基板表面與投影系統最終元件間之一空間。該儲液空 間係由一被定位在投影系統PL最終元件底下並包圍該最終 元件的液體約束結構12形成。一第一液體η透過供應源I〗 被帶到位於投射系統底下且在液體約束結構12内的空間内 且藉由排放口 17移除。液體約束空間12延伸至高於投影系 統最終元件一些些且液面升到最終元件以上藉以提供一液 體緩衝。液體約束結構12具有一内周，在一實施例中，該 内周之上端密切相符於投影系統或其最終元件的段差且舉 例來說可為圓的。在底部，該内周可為圓形或密切相符於 成像場之形狀、譬如矩形。

第一液體11被一經由供應源18供應之大致不互溶第二液 體19約束在該儲液空間内◊第二液體19被一介於液體約束 結構12底部與基板W表面間之氣體密封16約束。該氣體密 封係由在壓力下經由入口 15提供到液體約束結構12與基板 間之間隙且經由第一出口 14抽出的氣體（例如空氣、合成空 氣、N2、或一純氣）構成。氣體入口 15上的超壓、第一出口 14上的真空級和該間隙的幾何形狀被安排為會造成一約束 該液體的向内高速氣流。其他用以在液體主體被移動通過 一基板或是基板被相對於液體主體移動的同時約束液體的 110341.doc •14- 且可被用來約束該第二液體並因而亦約束該 佈置已為人知 第一液體。 該第—或浸潰液主要是以其光學特性、明確地說係以其 對於曝光輻射波長的折射係數為基準作選擇。第一液體之 其他有用特性是其與投影系統最終元件和抗蝕劑的相容 性、透射率以及經過長時間和在輻射下的安定性。但這些 特性當中的缺陷在許多案例中可藉由投影系統最終元件及 或抗蝕劑上之一塗層、藉由加大輻射源之功率且/或藉由提 尚第一液體之補充速率的方式改善。適合當作第一液體的 化合物為環烷類譬如環辛烷、十氫萘、聯環己烷、外-四氫 -一％戊二烯和環己烷，其他高指數碳氫化合物類，全氟聚 喊類譬如全氟-N-甲基嗎啉和全氟E2,全氟烷類譬如全氟己 烧，及氫氟醚類。 就第二或約束用液體來說’重點流體特性是促使其能被 約束的特性，譬如表面張力、黏度及與液體約束結構之表 面的交互作用、還有其與第一液體的不互溶性。適合當作 第二液體之一化合物為水《儘管一高折射係數是期望的， 液體之此項和其他光學特性相對而言較不重要，故會提高 第一液體之期望特性的添加物能被相當自由地選用。 在一實施例中’此二液體大致不互溶’且此二液體越不 互溶’其功效可能越高。充分的不互溶度可藉由選擇一非 極性液體當作第一液體且以一極性液體當作第二液體而達 成。若第一和第二液體的折射係數差異不大，則可容忍一 相當程度的互混量。舉例來說，使用水（折射係數1 43 7)和 110341.doc -15· 1331705 一折射係數大於1.6的碳氫化合物，1%容積百分比的水與 該碳氫化合物混合只會使折射係數減小大約千分之一。 此實施例之液體約束佈置可從圖6中更清楚認知，該圖以 平面圖示出曝光場EF的輪廓、液體約束結構12的内周12a、 第二液體19的範圍以及液體約束結構的外周12be液體約 束結構内周12a可被整形、結構化且/或具備塗層以使第一 和第二液體間之介面安定。舉例來說，在第一液體是非極

性且第二液體是水的情況，一親水性塗層可被提供在液體 約束結構面向基板的表面上，且一疏水性塗層可被提供在 液體約束結構面向投影系統最終元件與基板間之空間的表 面上。 儘管與水有關的術語譬如親水性、疏水性、濕度等可被 用在本文中，這些術語應被理解為涵蓋對於其他液體的相 似特性。 I /州專利申研案公告EP 1420300號和美國專利申請案公 告US 2004-0 136494號（二者之内容均以引用的方式併入本 文中）已揭示了雙平台濕浸式微影裝置的想法。此一裝置具 備兩個用於支撐基板的臺。用一處於一第一位置且沒有浸 潰液的臺進行取水平測量作業，且用一處於一第二位置且 有浸漬液存在的臺進行曝光。另一選擇，該裝置僅有一臺。 儘管本文可能專注於微影裝置在ICs之生產中的使用，應 理解到本發明所述微影裝置可有其他應用，譬如積體光學 ^統、磁域記憶體之導引和偵測圖案、平板顯示器、液晶 貝示器（LCDs)、薄膜磁頭等的生產。熟習此技藝者會理解 110341.doc -16· 1331705

到就此等替代應用來說，文中"晶圓"或"晶粒"術語的任何使 用可分別被視為與較一般性用語”基板”或”目標部分,,同 義。本說明書所述基板可能在曝光之前或之後經過處理， 例如在一軌道機（track)( 一種通常將一層抗蝕劑施加於一基 板並顯影已曝光抗蝕劑的工具）、一度量工具及/或一檢查工 具内被處理。在可應用的情況中，本說明書所述可被應用 在此等及其他基板處理工具。再者，基板可被處理一次以 上，舉例來說以便創造出一多層，故文十所述基板一辭 亦可能是指一已經含有多個已處理層的基板。 文中所述"輻射"和"射束"術語涵蓋所有類型的電磁輻 射’包括紫外線（UV)輻射（例如具有365 nm、248 nm、193 nm、157nm或126nm或其近似值之一波長）。 "透鏡"一辭在意涵允許的情況中可為意指多種光學組件 之任者或組合’包括折射型和反射型光學組件。 儘管以上已說明本發明之特定實施例，應理解到本發明 可被以文中未述的方式實施。舉例來說，本發明可採取一 含有描述如前所述一方法之一或多個機器可讀取指令序列 之電腦程式或是一内部儲存了此一電腦程式之資料儲存媒 體（例如半導體記憶體、磁碟或光碟）的形式。 本發明之一或多個實施例可應用於任何濕浸式微影裝 置’特定但不排他而言係可應用於前文所述裝置類型且不 論浸潰液係以一浴之形式提供或是僅被提供在基板之一局 域表面上。文中提及之液體供應系統應被廣義解釋。在某 些實施例中，其可為將一液體提供到投影系統與基板及/或 110341.doc •17· 1331705 基板臺間之一空間的一種機構或結構物組合。其可包括— 或多個結構物、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、 一或多個氣體出口、及/或提供液體到空間之一或多個液體 出口的一種組合。在一實施例中，該空間之一表面可為基 板及/或基板臺之一部分’或者該空間之一表面可完全覆蓋 基板及/或基板臺之一表面，或者該空間可包住基板及/或基 板臺。液體供應系統視需要可進一步包含一或多個元件以

控制液體之位置、量、品質 '形狀、流率、或任何其他特 徵0 希望以上說明被視為範例說明而非限制。故熟習此技藝 者會理解到可不脫離下文提出之請求項的範圍對於前文所 述本發明作修改。 【圖式簡單說明】 圖1示出—依據本發明一實施例之微影裝置；

圖2和3示出一用於一微影投影裝置中之液體供應系統； 圖4示出另_用於一微影投影裝置中之液體供應系統； 圖5示出依據本發明一實施例之一微影裝置中一投影系 統最終元件和一液體供應系統的剖面圖；且 圖6以平面圖示出圖5之液體供應系統。 【主要元件符號說明】 10 儲液空間 11 第一液體 12 液體約束結構 12a 内周 110341.doc _ 18 _ 1331705 12b 外周 13 第一液體供應源 14 第一出口 15 氣體入口 16 氣體密封 17 排放口 18 第二液體供應源 19 第二液體

B 輻射束 BD 射束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 EF 曝光場 IF 位置感測器 IL 照明系統

IN 積光器（圖1);入口（圖2-4) Μι 光罩準直記號 M2 光罩準直記號 MA 圖案化器件 MT 支撐結構 OUT 出口

Pi 基板準直記號 P2 基板準直記號 PL 投影系統 110341.doc -19- 1331705 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 so 輻射源 W 基板 WT 基板臺 t 110341.doc

Claims (1)

1331705 .第095114173號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99年6月） __ :十、申請專利範圍： 糾日修正本 . 1. 一種微影投影裝置，包括： -投影系統’其被建構為將—已圖案化輻射束投射到 一基板之—目標部分上；及 一液體供應到一 該液體供應系統 一液體供應系統，其被建構為將一第 介於該投影系統與該基板間之—空間， 包括： 一液體約束結構，其實皙上白阁。

丹π買上包圍且沿著該空間的一邊 緣之至少一部份延伸，使得节办+ 之哀二間在該液體約束結構 内，該液體約束結構適於將一第 弟—液體約束在該液體約 束結構與該基板間的該空間周圍之一容積； 二第一液體供應源，其被安排為將該第，-液體供應到

一第二液體供應源，其被安排為將該 該容積以約束該第一液體在該空間内， 與該第二液體實質上不互溶。 第二液體供應到 其中該第一液體 2.如請求項1之裝置， 液體是極性的。 其中該第一液體是非極性的且該第二 3·::求項2之，置’其中該第—液體係從由下列物組成之 、出· ％烧類’其他高指數碳氣化合物類，全氣聚 趟類’全氟烧類，及氫氟醚鉬. ,虱齓醚類，且該第二液體包括水。 4.如請求項1之裝置，其中嗜笸 ★ 第一液體係從由下列物組成之 群中選出：環辛烷，十氫苯 聯％己烷，外-四氫-二環戊 一烯和環己烷。 & 110341-990601.doc 5.如°月求項1之裝置，其中該第一液體是全氟-N-甲基嗎嘛戈 全氟E2。 ^ 6·如凊求項1之裝置，其中該第-液體是全氟己烷。 如-月求項1至6中任一項之裝置，其中該液體約束結構具 有鄰接於該容積的親水性表面和一鄰接於該空間的萨 水性表面。 8’如明求項15_6中任一項之裝置’丨中該容積呈環狀。 9. 如π求項1至6中任一項之裝置，其中該第二液體與該第 一液體接觸。 10. —種器件製造方法，包括： 利用一投影系統將一圖案之一影像投射穿過一第一液 體到一基板之一目標部分上； 將該第一液體供應至在該投影系統與該基板間的—空 間，液體約束結構實質上包圍且沿著該空間的一邊緣之 至少一部份延伸，使得該空間在該液體約束結構内；及 藉由供應一第二液體至在該液體約束結構與該基板間 的该空間周圍之一容積，以將該第一液體約束在該空間 内，該液體約束結構適於將該第二液體約束於該容積， 其中該第一液體與該第二液體實質上不互溶。 11 ·如請求項1〇之方法，其中該第一液體是非極性的且該第 二液體是極性的。 12.如請求項丨丨之方法，其中該第一液體係從由下列物組成 之群中選出：環烷類，其他高指數碳氫化合物類，全氟 聚醚類，全氟烷類，及氫氟醚類；且該第二液體包括水。 110341-990601.doc 1331705 13. 如請求項10之方法，其中該第一液體係從由下列物組成 之群中選出：環辛烷，十氫萘，聯環己烷，外-四氫-二環 戊二浠和環己烧。 14. 如請求項10之方法，其中該第一液體是全氟-N-曱基嗎啉 或全說E2。 15. 如請求項10之方法，其中該第一液體是全氟己烷。

16. 如請求項10至15中任一項之方法，其中該液體約束結構 具有一鄰接於該容積的親水性表面和一鄰接於該空間的 疏水性表面。 17. 如請求項10至15中任一項之方法，其中該容積係呈環狀。 18. 如請求項10至15中任一項之方法，其中該第二液體與該 第一液體接觸。

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