JP2009038373A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液浸システム構造と投影システムとの間のギャップ内の液浸液の動きを制限し、ギャップを通って液浸システムから流出する液浸液の量を低減すること。
【解決手段】リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを含む。リソグラフィ装置はまた、部分的に前記投影システムとともに、液体用のリザーバを画成するように、前記投影システムと、使用中の前記基板との間の空間を取り囲むバリア部材も含む。前記投影システムの一部に面した前記バリア部材の半径方向外側表面と、前記バリア部材に面した前記投影システムの一部の半径方向外側表面のそれぞれが、疎液性外表面を有する。前記バリア部材の前記疎液性外表面および／または前記投影システムの一部の前記疎液性外表面が、リザーバを部分的に画成する内縁を有する。
【選択図】図５

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニング構造を用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニング構造から基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] 投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を満たすために、比較的高屈折率を有する液体、例えば水の中にリソグラフィ投影装置内の基板を浸漬させることが提案されてきた。液体は蒸留水（超純水）でとしてもよいが、別の高指数液を使用してもよい。本発明の一実施形態について、液体、例えば実質的に非圧縮性のおよび／または湿潤性の流体に関連して説明する。しかし、別の流体、特に空気よりも屈折率の高い流体、炭化水素やフルオロ置換炭化水素などが適切な場合もある。上記のポイントは、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである。なぜならば、露光放射は液体の中では波長がより短くなるからである。（この液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を高め、かつ焦点深度も高めるものと見なすことができる。）固体粒子（例えば石英）が中に懸濁している水などの、その他の液浸液も提案されている。

[0004] しかしながら、基板または基板および基板テーブルを液体浴の中に浸すということは（例えば、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第４,５０９,８５２号を参照）、スキャン露光の間に加速されなければならない大量の液体が存在するということを意味する。このためには追加のまたはより強力なモータが必要であり、液体中の乱流が、望ましくないかつ予測不能な効果をもたらし得る。

[0005] 提案される解決策の１つは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを用いて、投影システムの最終エレメントと基板との間の基板の局所領域のみに液体を供給することである（基板は一般的に、投影システムの最終エレメントよりも大きい表面積を有する）。上記のために提案されている１つの方法は、参照により全体が本明細書に組み込まれるＰＣＴ国際公開第９９／４９５０４号に開示されている。図２および図３に示されるように、液体は、好ましくは最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って、少なくとも１つのインレットＩＮによって基板上に供給され、投影システムの下を通過した後で、少なくとも１つのアウトレットＯＵＴによって取り除かれる。すなわち、基板がエレメントの下方で−Ｘ方向にスキャンされる際に、液体は、エレメントの＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り除かれる。図２は、液体がインレットＩＮを介して供給され、低圧力源に接続されているアウトレットＯＵＴによって、エレメントの他方の側で取り除かれるという配置を概略的に示している。図２では、液体が最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って供給される様子が示されているが、必ずしもこのようである必要はない。様々な配向および数のインレットおよびアウトレットが最終エレメントの周りに配置されることが可能である。図３にその一例が示されており、両側にアウトレットを持つインレットが４セット、最終エレメントの周りに一定のパターンで設けられている。

[0006] 局所液体供給システムを用いた他の液浸リソグラフィの解決策が図４に示されている。液体は、投影システムＰＬの両側の２つの溝のインレットＩＮによって供給され、インレットＩＮの放射状外側に配置された複数の離散的アウトレットＯＵＴによって取り除かれる。インレットＩＮおよびＯＵＴは、中心に穴があるプレート上に配置することができ、この穴を通して投影ビームが投影される。液体は、投影システムＰＬの一方の側にある一方の溝インレットＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方の側にある複数の離散的アウトレットＯＵＴによって取り除かれ、投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄い膜の流れをもたらす。どの組み合わせのインレットＩＮとアウトレットＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向に依存する（他のインレットＩＮとアウトレットＯＵＴの組み合わせは作動しない）。

[0007] 提案されている別の解決策は、バリア部材を有する液体供給システムを提供することであり、このバリア部材は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。バリア部材は、ＸＹ面上において投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少相対的移動があり得る。バリア部材と基板の表面との間にシールが形成される。一実施形態では、上記シールはガスシールなどの非接触シールである。ガスシールを有するこのようなシステムは、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願第２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0008] それぞれ参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願第１４２０３００号および米国特許出願第２００４−０１３６４９４号では、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の考えが開示されている。このような装置には、基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。液浸液を用いずに、第一位置にあるテーブルを用いて、レベリング測定が実行される。液浸液が存在する第二位置にあるテーブルを用いて、露光が実行される。あるいは、装置は露光位置と測定位置の間で移動可能なただ１つのテーブルのみを有し得る。

[0009] パターン付き放射ビームが通過するように投影システムと基板との間に液浸液を供給することは、特定の課題を提示する。例えば、バリア部材を用いると、空間内の液体レベルの制御が困難になり得る。液体が多すぎると、オーバーフローすることになり得る。液体が少なすぎると、投影システムと基板との間の液体（リザーバ）の中に気泡が混和する可能性が高い。

[0010] いくつかの液浸リソグラフィ装置では、液浸システム構造と投影システム （WELLE lensとしても知られている）との間にギャップがある。投影システムの温度を維持するために、冷却気体流が投影システムを流れる。気体流の一部は、液浸システム、すなわち液体閉じ込めシステムを越えて、上記ギャップの中に流れ込む。気体流がギャップの中に入るのを防ぐために、外バリアを使用する液浸システムもあるが、外バリアが無い装置もある。しかしながら、気体流が悪影響をもたらして液浸液を蒸発させ、それによって液浸システムと最終投影システムに熱負荷を加え得る。熱負荷は、更にまたは或いは、最終投影エレメントの底面上の気体の移動によっても生じ得る。この熱負荷は、最終投影システムエレメントに熱（例えば冷）点をもたらし得る。熱点は、予測収差測定値とは異なる光収差として検出することができる。更にまたは或いは、液浸液は、最終投影システムエレメントと液浸システムとの間の上記ギャップを通過することができ、液浸液の一部はギャップを通って流出し得る。

[0011] 露光の間、基板テーブルは液浸システム（および 投影システム）に対して移動される。これによって、液浸システム内の液浸液をギャップの上に、すなわち基板の移動方向に移動させ得る。よって、基板がスキャンまたはステッピング動作によって移動される時、基板の移動方向が変わる。ギャップ内の液浸液が基板の移動とともに動くため、この動きによってギャップ内の液浸液の液面が変化し、これによって圧力差が生じ得る。この液浸液の動きは「スロッシング（sloshing）」という。上記動きが十分に大きい場合、液浸液にかかる圧力は、液体閉じ込めシステムの上面に液体を溢れ出させるために十分となり得る。圧力が低下すると、液体はギャップの中に流れ戻り、その際に液体閉じ込めシステムの表面上に存在する不要な汚染粒子を持っていく可能性がある。この液体は、不良性および欠陥の源となり得る。また、液体は液体閉じ込めシステムの上面と最終投影システムエレメントの表面上に残る可能性もある。残った液体は蒸発し、それぞれの表面に熱負荷をかけ得る。

[0012] さらに、液体閉じ込めシステムの上面に存在する液浸液は、液浸システムが投影システムに向かう方向に移動される際に、液体閉じ込めシステムと投影システムとの間にダンピング（damping）を生じさせ得る。このようなダンピングは「ブリッジング（bridging）」ともいい、望ましくない。なぜならば、このダンピングによって装置の性能が低下し得るからである。

[0013] 従って、例えば、ギャップ内の液浸液の動きを制限し、かつギャップを通って液浸システムから流出する液浸液の量を低減させるための手段によって、上記の課題の１つ以上またはその他の１つ以上の課題を多少とも解決することが望ましい。

[0014] 基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを含むリソグラフィ装置を提供することが、本発明の一態様である。当該リソグラフィ装置は、部分的に前記投影システムとともに、液体用のリザーバを画成するように、前記投影システムと、使用中の前記基板との間の空間を取り囲むバリア部材も含む。前記投影システムの一部に面した前記バリア部材の半径方向外側表面と、前記バリア部材に面した前記一部の半径方向外側表面のそれぞれが、疎液性外表面を有する。前記バリア部材の前記疎液性外表面および／または前記投影システムの前記一部の前記疎液性外表面が、部分的に前記リザーバを画成する内縁を有する。

[0015] 部分的にリソグラフィ装置の投影システムとともに、液体用のリザーバを画成するように、前記投影システムと、使用中の基板との間の空間を取り囲むように構成されたバリア部材を提供することが、本発明の一態様である。前記投影システムの一部が、疎液性外層を有する半径方向外側表面を有する。前記バリア部材の半径方向外側表面は、前記一部の前記疎液性外層に面するように構成され、かつ疎液性外層を有する。前記バリア部材の前記疎液性外層は、部分的に前記リザーバを画成する内縁を有する。

[0016] 基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを含むリソグラフィ装置を提供することが、本発明の一態様である。前記基板に面する前記投影システムの一部の半径方向外側表面が、ＵＶ吸収層と、当該ＵＶ吸収層の一部の上に疎液性外層とを有する。前記投影システムの前記一部の前記半径方向外側表面の疎液性にはステップ機能がある。当該ステップ機能は、前記疎液性外層と前記ＵＶ吸収層との間の境界によって確定される。前記ステップ機能は、前記投影システムと前記基板との間の空間内に液体用のリザーバを部分的に画成する。

[0017] 投影システムから液体を介して基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法を提供することが、本発明の一態様である。当該デバイス製造方法は、前記投影システムと前記基板との間の空間の周囲のバリア部材と、前記投影システムの一部に面する前記バリア部材の疎液性半径方向外側表面（の内縁と、前記バリア部材に面する前記投影システムの前記一部の疎液性半径方向外側表面の内縁とを用いて、前記空間内の前記液体を閉じ込めることも含む。

[0018] 投影システムから液体を介して基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影すること、および少なくとも前記投影システムの一部の疎液性半径方向外側表面の内縁を用いて、前記投影システムと前記基板との間の空間内の液体を閉じ込めることを含むデバイス製造方法を提供することが、本発明の一態様である。当該デバイス製造方法は、前記投影システムの前記一部と前記疎液性半径方向外側表面との間のＵＶ吸収層を用いて、前記投影システムの前記一部の前記疎液性半径方向外側表面を保護することも含む。

[0019] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。

[0034] 図１は、本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば紫外線またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニング構造（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニング構造を正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されている、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニング構造ＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている、投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0035] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0036] サポート構造は、パターニング構造の配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニング構造が真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニング構造を保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニング構造を保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニング構造を、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニング構造」という用語と同義であると考えるとよい。

[0037] 本明細書において使用される「パターニング構造」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

[0038] パターニング構造は、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニング構造の例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0039] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0040] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0041] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0042] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0043] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

[0044] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニング構造（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニング構造によってパターン形成される。パターニング構造ＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからパターニング構造を機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニング構造ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニング構造ＭＡおよび基板Ｗは、パターニング構造アライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニング構造ＭＡ上に設けられている場合、パターニング構造アライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

[0045] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[0046] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0047] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0048] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニング構造を保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニング構造は、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニング構造を利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0049] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0050] 図５は、本発明の一実施形態にかかる液体供給システム（図１ではＩＨとして示されている）の断面図である。液体供給システムは、投影システムＰＬと基板Ｗとの間の空間を少なくとも部分的にまたは完全に取り囲み、かつ投影システムＰＬおよび基板Ｗ（および／または基板テーブルＷＴ）に沿って、液体１１用のリザーバを画成するバリア表面を有する、バリア部材１０を含む。このようにして、投影システムＰＬを介して基板Ｗ上に投影されたパターン付き放射ビームが液体１１を通過するように、上記空間内に液体１１を供給することができる。

[0051] 一実施形態において、バリア部材１０と基板Ｗ（または基板Ｗの縁部が結像されている時には、基板テーブルＷＴ）との間に、非接触シールを形成することができる。図示される実施形態では、非接触シールは、液体除去デバイス３０と、液体除去デバイスの半径方向外側の凹部４０とを含み、凹部４０は、半径方向内側の上面にガスインレット４２と、半径方向外側の上面にガスアウトレット４４とを有する。オプションのガスナイフ５０も、凹部４０の半径方向外側に設けてもよい。バリア部材１０の底面上でのこれらの部材の配置は、米国特許出願第２００６−０１５８６２７号に詳細に記載されている（言及することにより、上記特許の内容全体が本明細書に組み込まれる）。液体除去デバイス３０の詳細は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願第２００６-００３８９６８号に開示されている。非接触シールおよびガスナイフの代わりに、またはこれらに追加して、バリア部材は一連の気体抵抗開口を有してよい。

[0052] （一例として）図５で図示する実施形態で示されるように、液体は高圧でバリア部材１０によってチャンバ２０に供給されてもよい。液体は、ほぼ水平方向に（すなわち、矢印２９で示されるように基板Ｗの上面にほぼ平行に）、１つ以上のインレット２８を通って、投影システムＰＬと基板Ｗとの間の空間に入る。また、液体は、矢印２５で示されるように投影システムＰＬから離れるように垂直に下向きの方向に（基板Ｗに向かって）液体の流れを方向付ける１つ以上のインレット２４を通って、チャンバ２０から出る。この液体の流れは、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に通常存在するギャップ２６を満たすこと、かつ特にバリア部材１０の下の基板Ｗをスキャンする間に、液体除去デバイス３０の内側の半径方向外側でバリア部材１０の下にメニスカスを維持することを意図している。このギャップ２６をインレット２４から流出した液体の流れで満たすことによって、そのギャップの中の気泡の発生を減らすことができる。

[0053] 一実施形態において、インレット２４は、円形（または投影システムＰＬのイメージフィールドを囲む他の形状）に位置する一連の離散的穴を含む。このインレットとこれらの穴の目的は、基板Ｗの縁部が結像されている時か、またはスキャンスピードが特定の大きさを超える時に、バリア部材１０と基板Ｗとの間のメニスカスが投影システムＰＬと基板Ｗとの間の空間に引き込まれることを防ぐことである。メニスカスの外側からの気体（例えば空気）が、投影システムＰＬに対して基板Ｗが移動する間に、投影システムの下に含まれる場合は、これは、結像品質に悪影響を与えるかもしれない。しかし、一連の離散的穴を用いることで、気体が穴と穴の間に捕捉され、よって、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップ２６の中に蓄積し得る。この後、これら気泡は、基板Ｗと投影システムＰＬとの間の液体１１の中に入り得る。この理由により、１つ以上のアウトレット２７もインレット２４の隣に設けられ、気体と液体の混合物がアウトレット２７を通して抽出されるため、ギャップ２６に捕捉された気体が逃げることができ、かつ気泡を捕捉することなしに液体がギャップ２６の穴を満たすことができる。アウトレット２７の圧力変動を減らすために、アウトレット２７をチャンバ２０などのチャンバ（図示されていない）に接続してもよい。アウトレット２７は、円形（または投影システムＰＬのイメージフィールドを囲む他の形状）に位置する一連の離散的穴を含んでもよい。一実施形態において、上記複数の穴の外周を形成するインレット２４と、上記複数の穴の内周を形成するアウトレット２７が設けられ、これによって、ギャップ２６上を通過するときに、最初にギャップ２６がインレット２４によって満たされ、次にアウトレット２７によって気泡が抽出されるようにする。しかし、上記機能が達成されるのであれば、インレット２４とアウトレット２７の正確な位置決めは他の態様で行ってもよい。アウトレット２７はまた、投影システムの下で溶解するレジストによって汚染される可能性がある液体を抽出するために使用されてもよい。このような抽出によって、メニスカスの近くの（液体除去デバイス３０の近くの）液体の汚染は少なくなる。スキャンの間に基板Ｗの上に残された液体も、汚染の程度が低くなり、従って、基板の上に残された粒子の量が減り、液体除去後の乾燥染みも減る。

[0054] バリア部材１０は、ほぼ一定のギャップが投影システムＰＬとバリア部材１０との間に存在するように、投影システムＰＬの外形と一致するように概して形作られ得る。投影システムＰＬとバリア部材１０とが独立して相対的に移動できるように、ギャップが存在する。

[0055] 一実施形態においては、リザーバ容積のバリエーションと、リザーバからの液体供給／抽出のバリエーションに対応するために、１つ以上の手段が講じられる。正常状態では、液体１１の上面は、投影システムとバリア部材１０に対して実質的に静止しているメニスカス１１０を有する。バリア部材１０の上面９０は平らな水平面であり、液体は、緊急状態においてのみ上面９０に存在し得る。緊急状態に対処するために、アウトレット８０が上面９０に設けられる。メニスカス１１０が上面９０にあると、メニスカス１１０は容易に前進することができ、バリア部材１０から溢れ出る可能性が高い。これを防ぐために、バリア部材１０の上面９０のバリア部材の最内端に、突出部１００を設けてもよい。突出部１００は、バリア部材１０の周囲に延在してもよく、よって、環状または他の取り囲む形状を成してよい。突出部１００は、突出部１００の周りのバリア部材１０の部分よりも、投影システムＰＬの表面、特に投影システムＰＬの水平面２００に近くなり得る。

[0056] 一実施形態において、突出部１００と投影システムＰＬとの間からバリア部材１０と投影システムＰＬとの間までの距離の段階的変化がある。この段階的変化は、図５の突出部１００の左側に見ることができる。一実施形態において、この段階的変化は、突出部１００の半径方向外側にあるが、更にまたはオプションとして、図５の場合のように、突出部１００の半径方向内側にあってもよい。このジオメトリは、液体１１の上部のメニスカス１１０が突出部１００を通過するためには、メニスカス１１０の長さが増える必要があり、そのためには大量のエネルギーを必要とすることを意味する。一実施形態において、メニスカス１１０の形が液体の外側から見たときに凸状となるように、突出部の領域における突出部１００と投影システムＰＬの両方の表面は、撥液性または疎液性の材料から形成されている（例えば、液体は、上記表面との間に、例えば１００°、１１０°、１２０°、１３０°、１４０°、１５０°、１６０°、１７０°、１８０°などの概して９０°を上回る接触角を形成する）。

[0057] 従って、半径方向外向きに投影システムＰＬの表面とバリア部材１０との間の距離を段階的に増加させることによって、バリア部材１０を使用するときに溢れ出る可能性を大幅に減らすことができる。

[0058] 突出部１００は、バリア部材１０の上にあるように図示されている。しかし、必ずしもそのようである必要はなく、同じ機能（すなわち、メニスカスが突出部を越えて移動するのを防ぐエネルギーバリアを提供すること）を果たすものである限り、突出部は投影システムの上にあってもよい。

[0059] また、図５で示しているのは、投影システムＰＬに面しているバリア部材１０の内表面が、投影システムＰＬの外表面に、より密に類似するように意図的に歪められている（前記外表面もまた、意図的に歪められ得る）、システムの一実施形態である。このようにして、液体１１が基板から突出部１０に向かって流れ上るように迷路が作られ、これによって流れ制限を高め、よってオーバーフローリスクを減少させる。従って、液体がバリア１０を越えて溢れ出るために取らなければならないであろう経路は蛇行状となり、方向を少なくとも３回変える必要が生じるだろう。このことは、図示されている実施形態において、投影システムＰＬの内壁のくぼみ２２０を設けることによって達成し得る。バリア部材１０の内壁に（バリア面に）突出部を設けてもよく、この突出部は、２つのエレメント３１０、３２０によって形成されてもよい。液体が投影システムＰＬと基板Ｗとの間の位置からバリア部材１０の上部へと辿る経路の蛇行性を高めるために、他の手段を取ることもできる。突出部１００の有無にかかわらず、かつ詳細は後述する疎液性材料の有無にかかわらず、くぼみ２２０および／またはエレメント３１０、３２０を使用してもよい。

[0060] 図６は、以下に説明する内容以外の点では図５について上述した実施形態と同じである一実施形態を示す。

[0061] この実施形態においては、投影システムの最終エレメントの下でほぼ水平方向に、投影システムＰＬと基板Ｗとの間の空間に液体の流れを供給する１つ以上のインレット２８を設ける代わりに、投影システムＰＬの側に対して遅い速度で液体の均質的な流れを供給する１つ以上のインレット４００が設けられる。この流れは、矢印５１４で示されている。インレット４００から出る液体は、チャンバ２０と流体連通しているチャンバ２１から供給される。２つのチャンバを設けることによって、インレット４００とインレット２４に加えられる液体の圧力を異なるものにすることが可能になる。この圧力は、チャンバ２０と２１を接続する穴２２１のサイズおよび／または数を変更することによって調節できる。

[0062] この実施形態の突出部１００は、液体１１のメニスカス１１０が突出部１００と投影システムＰＬとの間に延在するという点で、図５に関して上述した突出部１００に類似している。この実施形態における突出部１００の構造は異なるが、同じ原則が当てはまる。すなわち、突出部は、極めて近接な位置にあるバリア部材の他の部分よりも投影システムＰＬに近いため、メニスカス１１０が突出部１００を通過するためには、メニスカスの長さが大幅に増さなければならないということである。

[0063] 水平部５１５の半径方向最内縁部（）にて、インレット４００が出るところより低く存在する第二突出部５２０が、液体の水平流が基板Ｗに向かって下方に吸引されることを防止する。これによって、投影システムＰＬの表面によって、液体５１４の水平流を偏向することが可能となり、投影システムＰＬの底面の上方から始まる下向きかつ半径方向内向きの流れ５１６を生じることができる。

[0064] この配置は、メニスカス１１０を下向きに引き込むことができる強い下向きの流れを作り、よって不安定になり得るメニスカスの位置をもたらすという、図５に関して上述した実施形態のインレット２８の傾向の欠点を克服する。不安定なメニスカスの結果、液体供給において気体のため込みがもたらされ得る。なぜならば、液体供給速度がある値を超えた時に、投影システムＰＬの下方に大きな気体の固まりが延在し得るからである。このような欠点は、本実施形態で回避することができる。なぜならば、本実施形態は、インレット２８からの流出速度に比べてインレット４００からの流出速度を低下させることができるからである。また本実施形態は、バリア部材１０を投影システムＰＬのより近くに位置付けることが可能である。突出部１００は、メニスカス１１０が可能な限り短くなることを確実にするのに役立つ。よって、メニスカス１１０を下向きに引くために（その際にはメニスカスの長さを増やす必要が生じるだろう）、大量のエネルギーが必要となる。

[0065] 図７は、以下に説明する内容以外の点では図６に関して上述した実施形態と同じ実施形態を示す。

[0066] この実施形態においては、インレットの位置が異なる。前の実施形態において、インレット４００の位置は、投影システムＰＬと基板Ｗとの間の空間の中にほぼ水平方向に液体の流れを供給する。本実施形態において、矢印５１０で示されるように、基板Ｗから離れる方向に（すなわち、パターン付き放射ビームの伝搬方向とは反対の方向に）、基板Ｗと投影システムＰＬとバリア部材１０との間に画成される空間の中に液体の流れを供給するインレット５００が設けられる。図６に関して説明したように、インレット５００から出る液体は、チャンバ２０と流体連通しているチャンバ２１から供給される。

[0067] 図６に関して説明した実施形態のように、インレット５００から出る液体の流れは、突出部１００によって、半径方向内側にかつ基板Ｗの上面にほぼ平行に偏向されることが可能である。これは、矢印５１２、５１４で示される。本実施形態の突出部１００は、液体１１のメニスカス１１０が突出部１００と投影システムＰＬとの間に延在し得るという点で、他の実施形態の突出部１００に類似している。本実施形態の突出部１００の構造は、図５に関して上述した実施形態の突出部１００の構造とは異なるが、同じ原則が当てはまる。すなわち、突出部は、極めて近接な位置にあるバリア部材の他の部分よりも投影システムＰＬに近いため、メニスカス１１０が突出部１００を通過するためには、メニスカスの長さが大幅に増えなければならないということである。

[0068] 流れ５１０が突出部１００によって偏向された後、流れは、図６に関して上述した実施形態のように均質化され、投影システムＰＬに対してほぼ水平に比較的遅い速度で流れる。突出部１００は、メニスカス１１０が可能な限り短くなることを確実にするのに役立つことができるため、メニスカスの長さを増やすためにメニスカス１１０を下向きに引くためには大量のエネルギーが必要となるであろう。本実施形態は、使用する空間が少ないので、図６に関して説明した実施形態よりも有利であるかもしれない。

[0069] 上記の実施形態すべてにおいて、バリア部材１０の横断面が示されている。バリア部材１０は、必ずしもその周辺部全体が対称である必要はなく、例えば、インレット２８、４００、５００がバリア部材１０の周辺部の一部だけに設けられたり、液浸液抽出システムが他の部分の周囲に設けられたりしてもよい。このような配置は、投影システムＰＬと基板Ｗとの間の空間を横断する単一方向の液体１１の流れをもたらし得る。他の配置も可能であり、上記の実施形態に関する上記の原則も、他のタイプの液体供給システムに当てはまり得る。本明細書記載のいずれの実施形態の特徴も、本明細書記載の他の実施形態のいくつかまたはすべての特徴と関連して使用されてもよいことは明らかである。

[0070] 図８は、投影システムと基板との間の望ましい容積に液浸液を実質的に閉じ込めるように構成された、液体閉じ込めシステム８００の一実施形態を示す。液浸液は、純水の屈折率と等しいかまたはより大きい屈折率を有する液体であることが望ましい。図１を参照して上述したように、液体閉じ込めシステム８００は、半径方向外側表面、すなわち、投影システムＰＳによって投影される放射ビームの投影軸ＰＡから半径方向外側に位置する表面を有するバリア部材８１０を含む。バリア部材８１０の半径方向外側表面は、略水平な上面８１４と、当該水平上面８１４および投影軸ＰＡに対して傾斜している傾斜上面８１６とを含む。バリア部材８１０は、投影システムの一部８２０から間隔をおいて配されており、両者の間のギャップ８３０を画成する。

[0071] 投影システムの一部８２０は、投影システム全体の最終エレメントであってもよく、または液体と接触している中間投影システムの最終エレメントであってもよい。投影システムの一部８２０は、バリア部材８１０の略水平上面８１４に対向する略水平面８２４と、バリア部材８１０の傾斜面８１６に対向する傾斜面８２６とを含む、半径方向外側表面（すなわち、投影軸ＰＡから半径方向外側に位置している表面）を含む。投影システムの一部８２０の下面とバリア部材８１０の上面は、互いに協働するように形作ることができる。

[0072] 図８で示す実施形態において、液浸システムの上面（例えば、液体閉じ込めシステム８００のバリア部材８１０）は、撥液性または疎液性（例えば液浸液が水の場合は疎水性）の外層８４０（これはコーティングの形態であってもよい）を有し得る。一実施形態において、バリア部材８１０は、疎液性または撥液性の表面を提供する疎液性材料から形成され得る。本明細書で用いる「層」(layer)という用語は、部材の一体部分である表面、ならびにコーティングの形態で提供され、従って必ずしも部材の一体部分であるとは限らない表面を含むものとして、広義に解釈されるべきである。疎液性外層８４０は、投影軸ＰＡから延在する際に、環状に連続または非連続のものでよい。一実施形態において、疎液性外層８４０は、その疎液特性において非連続な表面を作るようにパターン形成され得る。

[0073] スロッシングの間、疎液性外層８４０は、液浸液がバリア部材８１０の略水平上面８１４にアクセスするのを防ぐのに役立つことができる。このアクセスの防止によって、リザーバの液浸液中に見出される汚染粒子の量を低減し得る。液浸液のメニスカス８６０の一端は、縁部８４２の表面特性におけるステップ機能変化（step function change）により、疎液性外層８４０の縁部８４２に固定され得る。言い換えると、液浸液と疎液性外層との間の接触角が９０度より大きく（例えば９０度〜１８０度）、疎液性外層を含まないバリア部材８１０の表面との間の接触角が９０度より小さい（例えば０度〜９０度）ことによって、ステップ機能変化をもたらすため、メニスカス８６０は縁部８４２よりも上に上がりそうにはない。本明細書で用いられている「縁部」(edge)という用語は、特定の物理的構造または形状を伝えることなく、投影システムと基板との間に含まれる液浸液リザーバに最も近い疎液性外層８４０の端部を説明することを意図している。

[0074] 例えば、基板テーブルが移動する間に、液浸液に加えられる圧力が十分に大きい場合は、液体はその固定から脱し、疎液性外層８４０の上に流れ出ることができる。しかし、層８４０は疎液性を有するため、層８４０は液体をはじき、望ましくは層８４０の縁部８４２を越えてはじき返すことができる。疎液性外層８４０の上に残ることのできる液浸液は実質的にまったくなく、よって、蒸発と装置に加えられる熱負荷とを低減し得る。

[0075] 図８に示すように、投影システムの一部８２０の半径方向外側表面の略水平面８２４は、液体をはじくように構成された疎液性外層８５０を含んでもよい。図示された実施形態において、疎液性外層８５０は、投影システムの一部８２０の略水平面８２４と傾斜面８２６とが交わる地点またはその近くに位置する縁部８５２を有する。バリア部材８１０の疎液性外層８４０の縁部８４２に対する、投影システムの一部８２０の疎液性外層８５０の縁部８５２の位置によって、液浸液のメニスカス８６０が縁部８５２に固定されることを可能にし得る。疎液性外層８４０と同様に、疎液性外層８５０は、投影軸ＰＡから延在する際に、輪状に連続または非連続であり得る。一実施形態において、疎液性外層８５０は、その疎液性において非連続である表面を作るためにパターン形成され得る。

[0076] 疎液性外層８４０、８５０は、あらゆる適切な疎液性材料を含み得る。例えば、一実施形態において、疎液性外層８４０、８５０は、ポリテトラフルオロエチレン（例えばテフロン（登録商標））を含んでもよい。疎液性外層８４０、８５０は、コーティングの形態でそれぞれの表面に付与されてもよく、または上記コーティングを含む粘着剤（sticker）または積層材料で付与されてもよい。

[0077] 図９は、図８中の対応する符号によって示されるとおり、図８の液体閉じ込めシステム８００の特徴のいくつかを有する液体閉じ込めシステム９００の一実施形態を示す。液体閉じ込めシステム９００は、バリア部材８１０の上面に付与され、かつ略水平面８１４ならびにバリア部材の傾斜上面８１６の一部を覆い得る疎液性外層９４０を含む。よって、液浸液のメニスカス８６０の一端は、傾斜面８１６上に位置する疎液性外層９４０の縁部９４２に固定される。

[0078] 上述のように、例えば基板テーブルが移動する間に、液浸液に加えられる圧力が十分に大きい場合は、液体はなおその固定を脱することができる。しかし、層９４０は疎液性を有しているので、疎液性外層９４０上に残ることのできる液浸液は実質的にはまったくなく、よって、蒸発と装置に加えられる熱負荷とを低減し得る。

[0079] 図９で示すように、投影システムの一部８２０の半径方向外側表面の略水平面８２４ならびに傾斜面８２６の一部は、液体をはじくように構成された疎液性外層９５０を含み得る。図示されているように、疎液性外層９５０は、液浸液のメニスカス８６０ を縁部９５２に固定することを可能にする縁部９５２を有する。一実施形態において、縁部９５２は、バリア部材８１０上に設けられた疎液性外層９４０の縁部９４２に実質的に対向して（すなわち、ギャップ８３０を隔てた反対側）に位置している。このことにより、液浸液のメニスカス８６０は両縁部９４２、９５２に固定される。

[0080] 図１０は、図８中の対応する符号で示されるように、図８の液体閉じ込めシステム８００と同じ特徴のいくつかを有する、液体閉じ込めシステム１０００の一実施形態を示す。液体閉じ込めシステム１０００は、バリア部材８１０の上面（略水平面８１４および傾斜上面８１６のすべてまたはほぼすべてを含む）用の疎液性外層１０４０を含む。液浸液のメニスカス８６０の一端は、液浸液の液面が十分に低い場合は、傾斜面８１６の底部に位置する疎液性外層１０４０の縁部１０４２に固定され得る。さもなければ、メニスカス８６０の一端は傾斜面８１６の上方へ移動し得るが、液浸液の薄膜が表面８１６上に形成しないような接触角になるであろう。

[0081] 図１０に示すように、投影システムの一部８２０の半径方向外側表面の略水平面８２４、ならびに傾斜面８２６のすべてまたはほぼすべては、液体をはじくように構成された疎液性外層１０５０を含み得る。図示されているように、疎液性外層１０５０は、投影システムの一部８２０の傾斜面８２６の下端に位置する縁部１０５２を有する。バリア部材８１０上に設けられる疎液性外層１０４０と同様に、投影システムの一部８２０の上に設けられる疎液性外層１０５０は、液浸液の薄膜が投影システムの一部８２０の傾斜面８２６上に形成されるのを防ぐことができ、このことは、蒸発し得る液浸液の量を低減し、よって、投影システムの一部８２０の冷点を減らし得る。

[0082] 上述のように、疎液性外層の縁部は、図８に示すようにバリア部材８１０の略水平上面の内縁にあってもよく、または図９に示すように傾斜面の上部の近くにあってもよい。疎液性外層は、図１０に示すように、傾斜面（または円錐面）全体を覆ってもよい。疎液性外層の縁部は、これら３つの実施形態のうちの任意の２つの中間の位置にあってもよい。縁部は、バリア部材８１０の水平上面８１４に位置してもよい。疎液性外層は、上面の水平部分すべて、および可能であれば、水平面の縁部と親液性（例えば親水性）表面の縁部との間の表面全体を覆うことが望ましい。上記表面は、液体閉じ込めシステムの本体に付与されるコーティングであってもよく、上述のバリア部材を含むがこれに限らない。本体またはその１つ以上の部分は、親液性および／または疎液性の材料で形成され得る。本明細書における疎液性および／または親液性の層またはコーティングについての言及は、疎液性および／または親液性材料から形成された表面を含むと理解されるべきである。疎液性表面の縁部の下の傾斜面は、本体の露出した材料であってもよく、かつ親液性であってもよい。

[0083] 図１１は、親液性の（すなわち、液体との間に、約０度〜約９０度の、一般的には約４０度〜約５０度の接触角を形成する）表面１１１２を有する本体１１１０を有する液体閉じ込めシステム１１００を示す。親液性表面１１１２は、もう１つの親液性表面１１１４に対向するように示されており、この親液性表面１１１４は、ギャップ１１３０を画成するように、投影システムの最終エレメントなどの、装置の別の部分１１１５上に設けられ得る。図示されているように、本体１１１０の親液性表面１１１２は、液浸液１１１８のメニスカス１１１６のエッジ１１１６ａを、液体閉じ込めシステム１１００の表面１１１２に引き寄せる。同様に、親液性表面１１１４は、液浸液１１１８のメニスカス１１１６のエッジ１１１６ｂを、表面１１１４に引き寄せる。図１１で示すように、親液性表面１１１２、１１１４は、これらと接触する液浸液１１１８をそれぞれの薄膜へと薄くし、これによって、気体１１２０（例えば空気）に晒される液体の表面（メニスカス１１１６によって画成される）が増す。これによって、蒸発速度が高まることが可能であり、このことが、液体閉じ込めシステム１１００および／または親液性表面１１１４を含む装置の他の部分に加えられる熱負荷を大きくし得る。蒸発速度が非常に速いために、例えば毛細管作用によって蒸発する液体が引き上がり、かつ薄液膜(thin liquid film)の補充効果が非常に高い場合もある。よって、スロッシングの間に起きるかもしれない問題が、基板テーブルが投影システムに対して静止しているときにも起こるかもしれない。疎液性表面の縁部で固定する、または単に疎液性表面自体を設けることによって、装置のそれぞれの構成要素が静止しているときでも、液浸システムおよび／または投影システムに加えられる熱負荷を減らすのに役立ち得る。

[0084] 図１２は、図８中の対応する符号で示されるように、図８の液体閉じ込めシステム８００の特徴のいくつかを有する、液体閉じ込めシステム１２００の一実施形態を示す。液体閉じ込めシステム１２００は、バリア部材８１０の上面（特に略水平面８１４ならびに傾斜上面８１６の一部）の疎液性外層１２４０を含む。液浸液のメニスカス８６０の一端は、傾斜面８１６上に位置する疎液性外層１２４０の縁部１２４２に固定され得る。

[0085] 例えば、基板テーブルが移動する間に、液浸液に加えられる圧力が十分に大きい場合は、液体はなおその固定を脱することができ、疎液性外層１２４０上に流れ出ることができる。しかし、層１２４０は疎液性を有しているので、層１２４０は液体をはじくことができ、層１２４０の縁部１２４２を越えてはじき返すことが望ましい。また、疎液性外層９４０上に残ることのできる液浸液は実質的にはまったくなく、よって、蒸発と装置に加えられる熱負荷とを低減することが望ましい。液浸液に加えられる圧力が十分に大きく、かつ／またはリザーバの液浸液の液面が、メニスカス８６０がギャップ８３０の中へと上昇するほどである場合は、接触角は、薄膜がバリア部材８１０の傾斜面８１６の上に生じるのを防ぐために十分に大きくなり得る。

[0086] 図１２に示すように、投影システムの一部８２０の半径方向外側表面の略水平面８２４ならびに傾斜面８２６の一部は、液体をはじくように構成された疎液性外層１２５０を含み得る。図示されるように、疎液性外層１２５０は、縁部１２５２にメニスカス８６０を固定するように構成された縁部１２５２を有する。一実施形態において、縁部１２５２は、バリア部材８１０の疎液性外層１２４０の縁部１２４２からギャップ８３０を隔てて実質的に反対側に、かつ縁部１２４２にほぼ水平に位置付けられる。この配置では、図９に示す実施形態と比較して、疎液性外層１２５０が傾斜面８２６上をより広い範囲で覆う。これによって、液浸液のメニスカス８６０が両縁部１２４２、１２５２に固定されることが可能になる。ギャップ８３０中の液浸液の液面によっては、液浸液が縁部１２５２に固定されず、代わりに縁部１２５２の上に上昇することが可能である。しかし、疎液性外層１２５０が疎液性であるために、液浸液は、疎液性外層１２５０に固着しないかもしれない。

[0087] 一実施形態において、疎液性外層は、液浸システムの液体閉じ込め構造の上に設けられる疎液性外層に対向する投影システムの一部の少なくとも表面全体の上に設けられることが望ましい。上記の実施形態で示すように、投影システムの一部と液体閉じ込め表面のそれぞれを疎液性表面が覆う範囲は異なり得るので、対向する疎液性表面の縁部が、液体閉じ込めシステムと投影システムとの間のギャップを隔てて一致しないかもしれない。このことは、メニスカスの安定性において有利となり得ることであり、気体流に晒されるメニスカスの領域を最小限に抑え得る。液体の蒸発、および投影システムおよび／または液浸システムに加えられる熱負荷を最適化する（例えば最小限に抑える）ように、縁部を選択することができる。

[0088] 一実施形態において、疎液性外層の縁部は明確なものであってよく、接触角に急な不連続性をもたらすことが望ましい。上述のように、縁部は、それぞれの表面の疎液性におけるステップ機能（すなわち接触角）とみなし得る。

[0089] 一実施形態において、縁部は、疎液性でない（すなわち親液性である）領域と、ほぼ一定な疎液性接触角を有する領域との間の接触角の段階的変化として定義され得る。例えば、縁部領域は、光路の軸（すなわち投影軸ＰＡ）から距離が離れるとともに増加する徐々に変化する接触角を有し得る。接触角は、非疎液性表面の接触角から、疎液性表面上に提供される接触角に変化することが望ましい。徐々に変化する接触角を有する表面の領域は、明確に画成された縁部を有してもよく、または液体と疎液性外層との間の接触面に離開をもたらす粗面を有してもよい。明確に画成された縁部を有することによって、メニスカスの固定をよりよく制御できる。縁部の明確に画成された境界は、上述のように、光軸から位置がずれるにつれて、表面の疎液性の変化率におけるステップ機能とみなし得る。

[0090] 一実施形態において、液体閉じ込めシステムのバリア部材は、上述のように、突出部を有してもよい。しかし、適切な疎液性表面を有することで液体メニスカスを制御することによって、適切な性能を達成することができる。上述のように、前記表面は、バリア部材および／または投影システムの一部に直接付与されるコーティングであってもよく、または、前記表面は、疎液性外面を有する粘着剤（sticker）であってもよい。粘着剤は、投影システムおよび／または液浸システム（例えば液体閉じ込めシステム）の表面に直接付与されてもよい。粘着剤は、意図された表面に適合するように形作ることができる。疎液性表面は、９０度以上の接触角（すなわち９０度〜１８０度）を有するのが望ましい。例えば、接触角は、９０度、１００度、１１０度、１２０度、１３０度、１４０度、１５０度、１６０度、１７０度、１８０度などであり得る。固定性能の向上は（例えば、より速いスキャンとステッピング速度で）、１００度以上の接触角を有する表面を使用することによって達成し得る。

[0091] 上記のように、前述の表面に疎液性コーティングを付与することにより、特に投影システムの最終エレメントの表面からの液浸液の蒸発を防ぐことができる。最終エレメントの熱変動によって引き起こされる光学収差を減らすことができる。液浸システムの液体閉じ込めシステムの上面の望ましくない蒸発によって加えられる熱負荷を減らすことによって、システム性能の向上を達成することができる。

[0092] 疎液性外層の位置決めによって、液体が投影システムの一部８２０とバリア部材８１０との間のギャップ８３０に実質的に入ることが可能になることに留意すべきである。一実施形態において、上記の実施形態における液体が供給されるギャップの長さ幅比は、１０:１以下であり、望ましくは５:１以下である。これにより、露光の動きの間に液体に加えられる圧力に影響を与えることによって、スロッシングの量を制限し得る。

[0093] いくつかの疎液性表面は、ＵＶ放射の影響を受けることが知られている。ＵＶ放射は、例えば、リソグラフィ装置の露光で使用され得るため、疎液性表面は、保護（例えば遮断）されない限り、このような放射によって損傷を受けるかもしれない。

[0094] 図１３は、図８中の対応する符号で示されるように、図８の液体閉じ込めシステム８００の特徴のいくつかを有する、液体閉じ込めシステム１３００の一実施形態を示す。液体閉じ込めシステム１３００は、疎液性外層１３４０を含み、この疎液性外層１３４０は、バリア部材８１０の略水平面８１４ならびに傾斜上面８１６の一部を覆い得る。液浸液のメニスカス８６０の一端は、傾斜面８１６上に位置する疎液性外層１３４０の縁部１３４２に固定され得る。

[0095] 図１３に示すように、投影システムの一部８２０の半径方向外側表面の略水平面８２４ならびに傾斜面８２６は、液体をはじくように構成された疎液性外層１３５０を含み得る。図示されるように、疎液性外層１３５０は、半径方向外側傾斜面８２６と投影システムの一部８２０の略水平底面８２８とが交わる箇所に（すなわち、傾斜面８２６の底部に）位置する縁部１３５２を有する。また、図１３で示すように、投影システムの一部８２０は、投影システムの一部８２０自体の表面と疎液性外層１３５０との間に設けられるＵＶ吸収層１３７０を含む。一実施形態において、一部８２０は、投影システムの最終エレメントである。一実施形態において、一部８２０は、透過性である（例えば、融解石英またはフッ化カルシウム）。一実施形態において、一部８２０は、投影システムの最終エレメントであり、最終エレメントは、透過性材料で形成されている。

[0096] ＵＶ吸収層１３７０は コーティングとして設けられることが望ましい。ＵＶ吸収層１３７０は、ＵＶ吸収層１３７０が投影システムの一部８２０と疎液性外層１３５０の間に位置するように、疎液性外層１３５０の付与の前に投影システムの一部８２０の表面に付与されてもよい。ＵＶ吸収層は、望ましくない放射が、投影システムの一部８２０上の疎液性外層１３５０とバリア部材８１０上の疎液性外層１３４０のそれぞれに達することを防ぐことができ、特に疎液性外層１３４０、１３５０がＵＶの影響を受けやすい場合には、疎液性外層１３４０、１３５０を保護し、寿命を延ばし得る。ＵＶ吸収層１３７０は、疎液性でなくてもよく、または投影システムの一部８２０上に設けられる疎液性外層１３５０の表面と同じ程度に疎液性でなくてもよい。一実施形態において、ＵＶ吸収層は、親液性表面特性を有し得る。上記の実施形態で説明されたように、ＵＶ放射の悪影響を受けない疎液性材料は、ＵＶ吸収層を使用せずに投影システムの一部に直接付与されてもよい。

[0097] 図１３に示す実施形態において、ＵＶ吸収層１３７０の縁部１３７２が疎液性外層１３５０の縁部１３５２と同じ位置に配置されるように、ＵＶ吸収層１３７０は少なくとも、投影システムの一部８２０の表面の、疎液性外層１３５０と同じ領域を覆う。ＵＶ吸収層１３７０は、疎液性外層１３４０と１３５０を保護するために、リソグラフィ装置の他の部分に配されてもよい。ＵＶ放射は、液浸液を通して迷放射線(stray radiation)として散乱して、投影システムおよび液浸システムの中で反射しかつ屈折し得るので、投影された放射の望ましくない反射と屈折を防止するために、露光ビームの経路を不明瞭にすることなしに、ＵＶ吸収層１３７０が投影システムの一部８２０の表面を最大限に広く覆うことが有益となり得る。さもなければ、迷放射線は、疎液性外層１３４０、１３５０と相互に作用し、疎液性外層１３４０、１３５０の寿命が短くなり得る。ＵＶ吸収層１３７０が投影システムの一部８２０の半径方向外側略水平面８２４および投影システムの一部８２０の半径方向外側傾斜面８２６に設けられる場合に、ＵＶ吸収層１３７０の効果は最大になり得る。

[0098] 疎液性外層のための最大限のＵＶ保護を達成するために、かつ蒸発によってシステムにかかる熱負荷を最小限に抑えるために、図１４で示され、かつ以下で詳しく説明するように、ＵＶ吸収層は、疎液性外層よりも広い領域の投影システムの一部を覆うことができる。

[0099] 図１４は、図８中の対応する符号によって示されるように、図８の液体閉じ込めシステム８００の特徴のいくつかを有する、液体閉じ込めシステム１４００の一実施形態を示す。液体閉じ込めシステム１４００は、バリア部材８１０の上面に付与され得る疎液性外層１４４０を含む。図１４で示す実施形態において、疎液性外層１４４０は、バリア部材８１０の略水平面８１４ならびに傾斜上面８１６の一部を覆い得る。液浸液のメニスカス８６０の一端は、傾斜面８１６上に位置する疎液性外層１４４０の縁部１４４２に固定され得る。

[00100] 投影システムの一部８２０の半径方向外側表面の略水平面８２４ならびに傾斜面８２６は、液体をはじくように構成された疎液性外層１４５０を含み得る。疎液性外層１４５０は、メニスカス８６０の一端が縁部１４５２に固定されることを可能にする縁部１４５２を有する。一実施形態において、図示されているように、疎液性外層１４５０は、バリア部材８１０上に設けられる疎液性外層１４４０の縁部１４４２に対向して配置される縁部１４５２を有する。

[00101] また、図１４で示すように、投影システムの一部８２０は、投影システムの一部８２０自体の表面と疎液性外層１４５０との間に設けられるＵＶ吸収層１４７０も含む。ＵＶ吸収層１４７０は、コーティングとして設けられるのが望ましい。ＵＶ吸収層は、ＵＶ吸収層１４７０が投影システムの一部８２０と疎液性外層１４５０の間に位置するように、疎液性外層１４５０の付与の前に、投影システムの一部８２０の表面に付与されてもよい。図１４で示すように、ＵＶ吸収層１４７０は、投影システムの一部８２０の半径方向外側表面のほぼ全面に、すなわち、略水平面８２４および傾斜面８２６上に、設けられる。よって、ＵＶ吸収層１４７０の縁部１４７２（すなわち端部）は、傾斜面８２６と投影システムの一部８２０の底面８２８とが交わる箇所にまたはその実質的に近くに配置される。上記のように、ＵＶ吸収層は、望ましくない放射が疎液性外層１４４０、１４５０のそれぞれに達することを防ぎ、従って、疎液性外層１４４０、１４５０を保護し、かつこれらの寿命を延ばし得る。ＵＶ吸収層１４７０は、疎液性でなくてもよく、または投影システムの一部８２０の上に設けられる疎液性外層１４５０の表面と同じ程度に疎液性でなくてもよく、または親液性であってもよい。

[00102] 疎液性外層１４５０の縁部１４５２およびＵＶ吸収層１４７０の表面の境界に、疎液性のステップ機能が存在し得る。すなわち、上述のように、接触角の急な変化、または投影軸ＰＡ（すなわち光軸）からの距離に関して実質的に一定である接触角から、投影システムの投影軸ＰＡからの位置ずれとともに変化する接触角（変位が大きくなるにつれて接触角が大きくなることが望ましい）への変化が生じ得る。従って、投影システムの一部８２０の傾斜面８２６など、両方のコーティングを有する表面は、表面８２６の上の液浸液の動きを制御するためのバリアとして機能し、かつ望ましくないＵＶの反射および屈折を防止し得る非連続の特徴を有し得る。

[00103] 図１５は、図８中の対応する符号で示されるように、図８の液体閉じ込めシステム８００の特徴のいくつかを有する、液体閉じ込めシステム１５００の一実施形態を示す。液体閉じ込めシステム１５００は、バリア部材８１０の略水平面８１４ならびに傾斜上面８１６の一部を覆い得る疎液性外層１５４０を含む。上記の実施形態と同様に、このコーティング１５４０は、スロッシングの間に液浸液がバリア部材８１０の略水平上面８１４にアクセスすることを防止できる。液浸液のメニスカス８６０の一端は、傾斜面８１６上に位置する疎液性外層１５４０の縁部１５４２に固定され得る。

[00104] 図１５で示すように、投影システムの一部８２０の半径方向外側表面の略水平面８２４ならびに傾斜面８２６の一部は、疎液性外層１５５０を含み得る。疎液性外層１５５０は、メニスカス８６０の一端が縁部１５５２に固定されることを可能にする縁部１５５２を有する。一実施形態において、図示されているように、疎液性外層１５５０は、バリア部材８１０上に設けられる疎液性外層１５４０の縁部１５４２に対向して位置する縁部１５５２を有する。

[00105] 投影システムの一部８２０は、投影システムの一部８２０自体の表面と疎液性外層１５５０との間に設けられるＵＶ吸収層１５７０も含む。図１５に示すように、ＵＶ吸収層１５７０は、疎液性外層１５５０によっても覆われている投影システムの一部８２０の半径方向外側表面のほぼ全面上に、すなわち、略水平面８２４と傾斜面８２６の一部の上に設けられるだけである。従って、ＵＶ吸収層１５７０の縁部１５７２は、疎液性外層１５５０の縁部１５５２に位置する。ＵＶ吸収層１５７０は、不要な放射が少なくとも投影システムの一部８２０の疎液性外層１５５０に達することを防ぐことが望ましい。

[00106] 疎液性外層およびＵＶ吸収層の多くの実施形態が上記のとおり図示されかつ説明されたが、図示された実施形態は、いかなる態様でも制限することを意図するものではない。例えば、バリア部材の疎液性外表面および投影システムの一部は、上述しかつ図面で示された表面積よりも広いまたは小さい表面を覆うものであってもよい。バリア部材の疎液性外表面の縁部と投影システムの一部の疎液性外表面の縁部を、バリア部材と投影システムの一部との間にあるギャップを隔てた対応する位置にそれぞれ設けることによって、メニスカスの形状を実質的に制御することができる。メニスカスの形状を制御する（例えば、メニスカスの表面積を最小限に抑える）ことによって、ギャップの中の液体の蒸発を最小限に抑えることができる。いくつかの実施形態において、バリア部材と投影システムの一部との間のギャップの一部は、投影軸に対して傾斜していなくてもよい。例えば、ギャップは、バリア部材の略水平面および／または略垂直面と、投影システムの一部の略水平面および／または略垂直面との間に位置してもよい。

[00107] 本発明の別の実施形態として、バリア部材と最終エレメントとの間に画成されるギャップ内に内縁が位置するリソグラフィ装置も提供され得る。

[00108] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を付与し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[00109] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニング構造内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニング構造のトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニング構造は、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。

[00110] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

[00111] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。さらに、機械読取可能命令は、２つ以上のコンピュータプログラムに具現化されてもよい。この２つ以上のコンピュータプログラムを１つ以上の異なるメモリおよび／またはデータ記憶媒体に記憶してもよい。

[00112] 本発明の１つ以上の実施形態を、液浸液が浴の形態でまたは基板の局所表面領域上のみに供給されるか、または閉じ込められないかに拘わらず、液浸リソグラフィ装置に、特に上述の種類の液浸リソグラフィ装置（但し、これに限らない）に適用することができる。閉じ込め配置では、液浸液は基板および／または基板テーブルの表面上を流れ得るため、基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面のほぼ全体が濡れることになる。このような閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは液浸液を閉じ込めることはできず、または液浸液閉じ込めの一部を提供するが、液浸液の実質的に完全な閉じ込めは提供できない。本明細書で企図される液体供給システムは、広義に解釈されるべきである。

[00113] ある実施形態では、前記液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する１つの機構または複数の構造の組み合わせであり得る。この液体供給システムは、前記空間に液体を供給する、１つ以上の構造、１つ以上の液体インレット、１つ以上のガスインレット、１つ以上のガスアウトレット、および／または１つ以上の液体アウトレットの組み合わせを含み得る。一実施形態では、前記空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってよく、または前記空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆ってもよく、または前記空間は、基板および／または基板テーブルを包むものであってもよい。液体供給システムはオプションとして、液体の位置、量、品質、形状、流量またはその他あらゆる特徴を制御する１つ以上のエレメントをさらに含んでもよい。前記１つ以上の制御エレメントは、装置を制御するために設けることができる。このコントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムを実行するために作動し得るプロセッサを有してもよい。

[00114] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

[0020] 図１は、本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置を示す。 [0021] 図２は、リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す。 [0021]図３は、リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す。 [0022] 図４は、リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す。 [0023] 図５は、本発明の一実施形態にかかる液体供給システムの断面図である。 [0024] 図６は、本発明の他の実施形態にかかる液体供給システムの断面図である。 [0025] 図７は、本発明の他の実施形態にかかる液体供給システムの断面図である。 [0026] 図８は、本発明の一実施形態にかかる液体閉じ込めシステムおよび投影システムの一部を示す断面図である。 [0027] 図９は、本発明の一実施形態にかかる液体閉じ込めシステムおよび投影システムの一部を示す断面図である。 [0028] 図１０は、本発明の一実施形態にかかる液体閉じ込めシステムおよび投影システムの一部を示す断面図である。 [0029] 図１１は、小さい接触角を有する表面上の液体メニスカスの動きを示す概略図である。 [0030] 図１２は、本発明の一実施形態にかかる液体閉じ込めシステムおよび投影システムの一部を示す断面図である。 [0031] 図１３は、本発明の一実施形態にかかる液体閉じ込めシステムおよび投影システムの一部を示す断面図である。 [0032] 図１４は、本発明の一実施形態にかかる液体閉じ込めシステムおよび投影システムの一部を示す断面図である。 [0033] 図１５は、本発明の一実施形態にかかる液体閉じ込めシステムおよび投影システムの一部を示す断面図である。

Claims (18)

1. 基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する投影システム、および
   部分的に前記投影システムとともに、液体用のリザーバを画成するように、前記投影システムと、使用中の前記基板との間の空間を取り囲むバリア部材
   を含むリソグラフィ装置であって、
   前記投影システムの一部に面した前記バリア部材の半径方向外側表面、および前記バリア部材に面した前記一部の半径方向外側表面のそれぞれが、疎液性外表面を有し、前記バリア部材の前記疎液性外表面および／または前記一部の前記疎液性外表面が、前記リザーバを部分的に画成する内縁を有する、リソグラフィ装置。
2. 前記バリア部材の前記疎液性外表面がコーティングを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記疎液性外表面が粘着剤を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記バリア部材と前記投影システムの前記一部との間のギャップの長さ幅比が、実質的に１０:１以下である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記長さ幅比が実質的に５:１以下である、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記投影システムの前記一部の前記疎液性外表面が、前記リザーバを部分的に画成する内縁を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記内縁が、前記バリア部材と最終エレメントとの間に画成されるギャップ内に位置する、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記バリア部材の前記半径方向外側表面が略水平面を含み、前記バリア部材の前記疎液性外表面が実質的に前記水平面を覆う、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記バリア部材の前記半径方向外側表面が傾斜面を含み、前記バリア部材の前記疎液性外表面が少なくとも部分的に前記傾斜面を覆う、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記投影システムの前記一部の前記半径方向外側表面が略水平面を含み、前記投影システムの前記一部の前記疎液性外表面が実質的に前記水平面を覆う、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記投影システムの前記一部の前記半径方向外側表面が傾斜面を含み、前記投影システムの前記一部の前記疎液性外表面が少なくとも部分的に前記傾斜面を覆う、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記投影システムの前記一部が、前記投影システムの最終エレメントである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
13. 部分的にリソグラフィ装置の投影システムとともに、液体用のリザーバを画成するように、前記投影システムと、使用中の基板との間の空間を取り囲むバリア部材であって、前記投影システムの一部が、疎液性外層を有する半径方向外側表面を有し、
    前記バリア部材の半径方向外側表面は、前記一部の前記疎液性外層に面するように構成され、かつ疎液性外層を有し、前記バリア部材の前記疎液性外層は、前記リザーバを部分的に画成する内縁を有し、
    前記バリア部材の前記半径方向外側表面は傾斜面を含み、前記バリア部材の前記疎液性外層が少なくとも部分的に前記傾斜面を覆う、バリア部材。
14. 基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する投影システムを含む、リソグラフィ装置であって、
    前記基板に面する前記投影システムの一部の半径方向外側表面が、ＵＶ吸収層と、当該ＵＶ吸収層の一部の上に疎液性外層とを有し、前記投影システムの前記一部の前記半径方向外側表面の疎液性にはステップ機能があり、当該ステップ機能は、前記疎液性外層と前記ＵＶ吸収層との間の境界によって確定され、当該ステップ機能は、前記投影システムと前記基板との間の空間内に液体用のリザーバを部分的に画成し、
    前記ＵＶ吸収層は、前記パターン付き放射ビームの経路を遮ることなく、前記投影システムの前記一部の最大可能表面を覆う、リソグラフィ装置。
15. 前記投影システムの前記一部が、前記投影システムの最終エレメントである、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
16. 投影システムから液体を介して基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影すること、および
    前記投影システムと前記基板との間の空間の周囲のバリア部材と、
    前記投影システムの一部に面する前記バリア部材の疎液性半径方向外側表面の内縁と、
    前記バリア部材に面する前記投影システムの前記一部の疎液性半径方向外側表面の内縁とを用いて、前記空間内の前記液体を閉じ込めること
    を含む、デバイス製造方法。
17. 投影システムから液体を介して基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影すること、
    少なくとも前記投影システムの一部の疎液性半径方向外側表面の内縁を用いて、前記投影システムと前記基板との間の空間内の液体を閉じ込めること、および
    前記投影システムの前記一部と前記疎液性半径方向外側表面との間のＵＶ吸収層を用いて、前記投影システムの前記一部の前記疎液性半径方向外側表面を保護すること
    を含む、デバイス製造方法。
18. 前記投影システムの前記一部が、前記投影システムの最終エレメントである、請求項１７に記載の方法。

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