TWI329931B - Semiconductor device and manufacturing method of the same, camera module - Google Patents

Description

1329931 .九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置 體裝置及其製造方法。此外， 置之攝影模組。 ，尤其是關於封裝型的半導 係關於具傷封袭型半導體裝 先前技術】 曰曰 曰曰 2來，關於新的封裝技術，csp(Chip We化 2尺寸封裝）係受賴目。所謂的csp是 片的外形尺寸大致㈣尺寸的外形之小型封—體

Array·球閘陣列）型半導體裝置。此β 將複數個由焊材等金屬槿姑所如# 干等體裝置係 ㈣沾“屬 成之球狀導電端子配列於 =的一主要面上’而與裝載於封裝的另—面上之半導體 曰曰片形成電性連接。 /此外，於將此歸型半導體裝置㈣於電子機器時， 係將各個導電端子安裝於印刷電路板上的配線圖荦，夢 導體晶片與裝載在印刷電路板上之外部電路加以曰電 性連接。 ' 此種β G A i + ¥體裝置係較於側部具有 腳之 SOPCSmall 〇utHne , ± 接 uUtllne Package .小輪廓封裝）或卯p (QuadFlatPackage ··四邊扁平封裝）等其他之c卯型 體裝置，具有可設置複數個導電端子並可達到小型化之 點，因此，、係廣泛應用於例如行動電話中所裝载之數位相 機的影像感測晶片等。 318778 5 1329931 第15圖（a)及（b)係顯示習知的bga型半導體裝置之概 略構成’帛15圖（a)係顯示此BGA財導體裝置的表面側 之斜視圖。此外，第15圖（b)係顯示此BGA型半導體裝置 的背面側之斜視圖。 -- 此BGA型半導體裝置101係於第1及第2玻璃基板 ι〇2'〗03之間，藉環氧樹脂等樹脂層105a、105b而密封 有半導體基板104。於第2玻璃基板1〇3的一主要面上， 亦即脱型半導體裝置m的#面上，係以格子狀而配置 #有複數個導電端子106。此導電端子1〇6係經由第2配線 109連接於半導體基板1〇4。於複數條第2配線Mg，各自 -連接有從半導體基板1〇4的内部所拉出之紹配線，而形成 •各個導電端子106與半導體基板1〇4之間的電性連接。 關於此BGA型半導體裝置1〇1的剖面構造，參昭第16 圖更加詳細說明。第16圖係顯示沿而分㈣ 各個晶片之BGA型半導體裝置1〇1的剖面圖。 φ 形成於半導體基板1〇4的表面之絕緣膜108上，係設 置有第1配線107。此半導體基板104的表面係藉由樹脂 層105a而與第丨破璃基板1〇2黏接。此外，此半導體基板 104的背面係藉由環氧樹脂等樹脂層1〇5b而與第2玻^美 板10 3黏接。 土 此外’第1配線107的-端係與第2配線1〇9連接。 此第2配線⑽係從第1配線m的-端延伸至第2玻璃 基板103的表面。此外，延伸於第2破璃基板1〇3上 2配線109上，係形成有球狀的導電端子ι〇6。此外，於第 318778 6 1329931 配線109的表面係形成有由防焊層（s〇ider resist)等 組成之保護膜11〇。 上述技術係記載殄下列專利文獻1。 [專利文獻1]日本特許公表2002_512436號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 然而’於上述習知的半導體裝置1〇1中，係具有其製 程變得複雜之問題。 〃、 此外’上述半導體裝置1〇1由於其構造較為複雜，因 此無法獲得充分的可靠度。例如，由於半導體裝置1〇1之 弟配線1 〇 7與第2配線1 〇 9的接觸面積極小，因此第2 配線10 9可此於此接觸部分產生斷線。此外，亦具有第2 配線109的階梯覆蓋率（step c〇verage)變差之問題。 就解決此種問題之觀點來看，可由以下所說明的方式 而構成半導體裝置。第丨圖（&)係顯示從上方觀看該半導體 裝置200之俯視圖’第i圖（b)係顯示第1圖（a)之沿著XI 線之剖面圖。 於該半導體裝置200中，於其表面形成有電子元件2〇1 及焊墊電極202之半導體基板203上，係藉樹脂層205貼 合有由玻璃所組成之支撐體204。另外，206為由BPSG (Boron Phosphorus Silicate Glass :硼磷矽酸玻璃）或氧 化矽膜所組成之絕緣膜，207為由氮化矽膜等所組成，並 被覆焊墊電極202的一部分上之保護（passivati〇n)膜。 支撐體204的預定區域係從其表面至背面開口（貫 318778 7 1329931 •通）’於該各個開口部208係形成有由焊材等所組成之複數 個導電端子209。另外，導電端子2〇9係藉由鎳或金所組 成之金屬層210而與焊墊電極202電性連接。 ·· 根據該構成，由於係在設置於支撐體204之複數個開 -口部208内各自直接形成導電端子209，因此不需要習知 例中所示的配線而具有可簡化製程之優點。此外，由於半 導體基板203的表面係藉由支撐體2〇4所保護，因此可防 止表面的電子元件201及其周邊元件的劣化，而提高半導 籲體裝置之可靠度及良率。 然而，該半導體裝置200的各個開口部2〇8極為細微 (例如為-邊約⑽^之大致正方形），因此存在不易在優 -良的精準度下’將目的大小的開口部挪形成於支撐體2〇4 的目的位置之問題。 因此，本發明之目的在於簡化製程並提高半導體裝置 度及良率。此外，本發明之目的在於達到裝載有半 體裝置以作為攝像裝置之攝影模組的小型化、以及可 度及良率的提升。 (用以解決課題之手段） 本發明之主要特徵如下。亦即，本發明為一種半導體 製造方法，其特徵為具傷：將支撐體貼合於具有烊 == 现線區隔之半導體基板的表面之製程，·將上 这支撐體中隔者上述切割線而相 區域，該外部連接用電極形成區域 以選擇性地加以去除，萨此m 门的運、域予 云除猎此形成使上述半導體基板的一部 318778 8 1329931 此將t之開口 "卩之衣％，及沿著上述切割線進行切割，藉 字上述半導體基板分割為個別的半導體晶片之製程。 此外，本發明為一種半導體裝置之製造方法，其特徵 =上述半導體基板的表面形成有電子元件，且於形成 =開口部之製程前，具有對上述支撐體中之未與上述電 2件的形錢域重#之區域進行_，而使該區域的形 成厚度較薄之製程。 此外，本發明為-種半導料置，其特徵為具備：具 鲁有電子元件及與上述電子元件電性連接之外部連接用電極 之半導體基板；及位於上述電子元件的上方並與上述半導 -體基板貼合之支撺體；於上述支樓體的外周，於從外側往 -内側之方向設置有開口部，於上述開口部形成有上述外部 連接用電極。 此外’本發明為一種半導體裝置，其特徵為：上述支 樓體中之與上述電子元件的形成區域重疊之區域的形成厚 度，係較未與上述電子元件的形成區域重疊之區域的一部 分的厚度還厚。 此外，本發明為一種攝影模組，係具備：攝像裝置； 具有外部電極並安裝有上述攝像裝置之電路基板；及將光 導入於上述攝像裝置的感光區域之透鏡，其特徵為上述攝 像裝置係具備：具有感光元件及與上述感光元件電性連接 之外部連接用電極之半導體基板；位於上述感光元件的上 方，並與上述半導體基板貼合之支撐體；及貫通上述支撐 體之開口部；上述電路基板的外部電極與上述外部連接用 318778 9 1329931 電極’係經由上述開口部而電性連接。 此外，本發明為一種攝影模組，其特徵為上述開口部 係配置於上述支撐體的外周，並從外側往内側之方向開口。 此外，本發明為一種攝影模組，其特徵為：上述支撐 體中之與上述感光元件的形成區域重疊之區域的形成厚 度，係較未與上述感光元件的形成區域重疊之區域的一部 分的厚度還厚。 (發明之效果） 根據本發明，由於半導體基板的表面係由支撐體所保 護，因此可防止表面的電子元件及其周邊元件的劣化，而 提高半導體裝置之可靠度及良率。 此外，由於容易對支樓體形成開口部，因此可降低製 造成本並提高半導體裝置之可靠度及良率。 _ < 此外，根據本發明的攝影模組，可達到攝影模組的小 型化以及可靠度的提升。 【實施方式】 參照圖式說明本發明的半導體裝置及其製造方 導第2圖係顯示從上方觀看本發明的半 ==視圖。此外’，3圖至第5圖係顯示沿 線之剖面圖，其表示該製程順序之圖式。 百先，本發明第i實施 一，伟如第+導體震置的特徵之 側之沿著支樓體7的外周，從外側往内 側之方向狄置有複數個開口 有與其他電路基板電性連接之導°電：=口部1〇中形成 莰乏導電知子12或金屬層u。 318778 上329931 以下具體說明其製造方法。 T先，：第3圖(a)所示’準備由在其表 二件之彻等所組成之半導體基板之後於半導體 .=反：表面，形成例如為膜厚之第】絕緣 如為以熱減料⑽法等所形成之氧切膜或聰膜）。 接下來糟由滅鐘法、鍍敷法或其他成膜方法，形成链 ⑼或銅(Cu)等金屬層，之後以未圖示之光阻層為遮罩， 對该金屬層進⑽刻而於第1絕緣膜3上形成例如_ 1膜厚之焊塾電極4°焊墊電極4係與電子元件以其周邊 元件電性連接。 接著於半導體基板2的表面，形成心被⑽ -部分上之保護膜5(例如為以CVD法所形成之氮化矽 接下來於包含焊墊電極4之半導體基板2 ^環氧樹脂等樹脂層6貼合支撐體7。支撐體7例如上由 玻璃或石英、塑膠等所組成，不僅支撐半導體基板2，並 基板2表面之功能。另外，於電子元件 :c :感光元件時，支撐體7係由透明或是半透明的 4所、、且成’並具有可讓光透射之性質。此外，可因庳必 要而於之後進行半導體基板2f面之f面研磨 ^ 導體基板2的厚度。 寻化牛 成光如在第此3,圖光(ΓΓ’於支樓體7的表面選擇性形 在此先阻層8係於隔著切割線π㈣k 电端子形成區域9、以及對應於2個導電端子形成區 318778 11 處理對此焊材進行回焊，亦 外，導雷婭工Μ π了形成同樣的導電端子 器將=的形成方法並不限定於此，亦可採用分Γ 將谇材4加以塗狀所ff的分刀注 成。此外，導雷媸丰丨9 m I土佈法）4加以形 材料。此外:採為材料，但並不限定於此 之情开明所示，亦有不形成導1端子12 態。〃此〜’係成為金屬層塾電極4露出之狀 八最後’如第5圖所示’沿著切割線此將半導體 /刀割為個別的半導體晶片15。 土 俨驻罢—上 7凡凡珉本貝施形態之半導 幸：ί路=半導體裝置係安裝於形成有外部電極的圖 安裝時，導電端子12係作為外部連接 ° 〃電路基板上的外部電極電性連接。另外，於去 = 子12時’金屬層U或是焊墊電極4係作為外 4連接用电極，以搭接線等與電路基板上的外部電極電性 連接。 • 於第1實施形態中，係具有不須形成如習知般之複雜 的配線:而可簡化製程之優點。此外，由於半導體晶片2 的表面係藉由支撐體7所保護，因此可防止形成於表面之 電子π件1及其周邊元件的劣化，而提高半導體裝置之可 罪度。此外’如以上所述，由於容易對支撐體7形成開口 部10，因此可降低製造成本，結果提高半導體裝置之可靠 度及良率。 接下來參照圖式說明將本實施形態之半導體裝置安裝 於電路基板（模組基板）時之情形。於以下的說明中，係說 318778 13 1329931 明電子元件1為CCD型影傻咸、、目，丨哭+ ΓΜηο , 感光元件，且半導體晶;…0S型影像感測器等 5作為攝影模組的攝像# 用之情形。第6圖⑷係顯示從上方觀看安裝：:=而使 第6円，二 俯視圖，第6圖㈦係顯示沿著 弟6圖（a)的ζ_ζ線之剖面圖。 丁 /口者 如弟6圖（a)所示，將丰專，曰Η ^ ^ 射牛蛉體日日片15裝载於例如為印 刷電路板之電路基板1A±。半導 ^ 千泠虹日日片15係以其背面側 成^ / 側）與電路基板1A為對向之方式而形 成。於電路基板1A，係圖案形成有外部電極2〇。 之後’半導體晶片15的焊墊電極4與外部電極2〇， ^例如藉搭接線21而電性連接。此外，亦可採用由形成有 導電圖案而組成之軟性薄片或捲帶，以取代搭接線2卜此 外，雖然未圖示’但亦可於焊塾電極4上形成金屬層 該金屬層11與外部電極20藉搭接線21等而電性連接。 此外，如第6圖（b)所示，於電路基板u的表面，係 以包覆半導體之方式而設有鏡筒部3{)。於鏡筒部 30中之對應於半導體晶片丨5的感光區域1 6之位置，係設 置有用以截斷特定波長之濾光片31以及讓外部光線聚集 之透鏡32。在此，與習知的半導體裝置1〇1 (參照第15圖） 不同，由於半導體晶片15的背面未形成導電端子而達到平 坦化，因此可極力消除安裝半導體晶片15時之傾斜及偏 矛夕。此外，亦可避免該攝影模組對於攝像時影像造成之不 良影響。 此外，於電路基板1A的背面，亦可配置有用以處理來 318778 14 1329931 自於感光元件的影像信號之DSPCDigital Signal Processor :數位信號處理器）晶片4〇。如此，於電路基板 1A的表面及背面使半導體晶片丨5與Dsp晶片4〇重疊而構 -.成，藉此可縮小電路基板1 a的面積。 此外，亦可如第7圖所示，將本實施形態之半導體裝 f安裝於電路基板。第7圖（a)係顯示從上方觀看安裝有本 只施形怨的半‘體裝置以作為攝影模組的攝像袭置之狀態 的俯視圖，第7圖⑻係顯示沿著第7圖⑷的q_q線之剖 面圖。另外，與第6圖所示者為相同之構成要素，係使用 同一符號並省略其說明。 如第7圖（a)所示，例如以使印刷電路板等之電路基板 1B的月面與半導體晶片15的表面互為相對向之方式，而 载置有半導體晶片15。在此，導電端子12係與於電路基 板1B的背面形成有圖案之外部電極2〇直接連接。

β此外，於電路基板1B，係形成開口與感光區域16重 且之區域而„又置有感光窗lw。因此，即使將 載置於電路基板㈣背面，亦可進行感光。 此外，於本構成中由於在電路基板1β 導體晶片15，因此雷政其钇1D A广& 囬戰置百牛 U此電路基板1B的厚度亦成為焦距的一部 【二：，：較於第6圖所示之於電路基板的上方配置半 再珉至y可減少電路基板^厚 ， 即降低=部3。的高度，而能達到攝影模組的小型：。 於影模組中，若是於攝像裝置 灰塵或污垢，則可能產U , θ 附細微的 此產生感光量的降低或是影像模糊等導 318778 15 質*化之情形。因此，如* 7圖(b)的虛線所示，可使 用的夾具將據光片31固定於電路基板1B上。如此， =使慮光片31具有遽光片原先的功能（特定波長光之截 用，閉半導體晶片15的表面之蓋而使 °效防止灰塵或污垢附著於感光面（支撐體7 的表面），而提升攝影模組的可靠度。 安裝=路::如第第二圖(所將本 施形態的半導辭置之攝::請示從上方觀看安裝有本實 示沿著第8圖(a)的P 視圖，第^ ^ 7 線J面圖。另外，與第6圖及第 說: 之構成要素’係使用同一符號並省略其 形示，例如於印刷電路板等電路基板〗c 2導，片15。凹部Hi的形成，例如可藉由依據雷射昭 射之蝕刻或是鑽孔之切削等而進行。 ，… 於凹部H1的底部係形成有例如由熱傳導性較 =、组成之Cu層2Gra以作為散熱層，並與半導體回’的 背面接觸。藉由此構成’可使半 ：、 生的熱，從半導體晶片]5的 片二^ 至外部。 逆主。層20ffi而逸散 因此，可有效防止因熱所導致之 化。因此，若電子元件j為容易因熱而 的性能劣 之CCD等感光元件時，則可防止能' 特性劣化 把的另化而提升動作品 318778 16 1329931 . 質。 另外，於第8圖（b)中，Cu層20m的表面係與半導體 晶片15的背面接觸，但並不一定需直接接觸，亦可於兩者 .-之間形成氧化矽膜或氮化矽膜或樹脂膜等絕緣膜。 ·- 此外，於載置半導體晶片15時，於凹部耵的側壁與 半導體晶片15之間存在有空間時，可填入底部填充材22 (例如為環氧樹脂等之有機材料）以藉此埋填該空間。 之後，焊墊電極4與電路基板1C的外部電極2〇，係 鲁利用搭接線21而連接。此外，雖然未圖示，但亦可於焊墊 電極4上形成金屬層u，該金屬層u與外 •搭接線21等電性連接。再者，如第9圖所示，亦可 用由包含銀（Ag)粒子之導電性膏21p所組成之配線， 代搭接線2卜導電性f 21p係從焊墊電極4上的開 往外部電極20上延伸而形成。 °

此外，亦可如第1G圖料，將本實施形態之 =裝於電路基板。第_(a)係顯示從上方觀看安裝^ :貫施形態的半導體裝置之攝影模組的俯視圖，第⑺ 係顯示沿著第K)圖⑷的Q—Q線之剖面圖。另外，與上述 所不者為相同之構成要素，係使用同—符號並省略其說明。 =H)圖⑻所示，於印刷電路板等電路基板D的背 ^开^有凹部H2,並以埋人於該凹部H2内之方式載置 晶片：5。凹部H2的形成’例如可藉由利用雷射 “?、射之钮刻或是鑽孔之切削等而進行。 於電路基板1D的内部，例如形丁成有Cu詹2〇n以作為 318778 17 1329931 •外。P電極用的配線層，而與作為外部連接用電極之導電端 子12電性連接。此外，於電路基板1D與感光區域μ重最 之區域設置有感光窗1W。因此，即使半導體晶片15載置立 .·於電路基板1D的背面，亦可進行感光。 ·- 此外，於本構成中由於在電路基板_背面載置有半 .導體晶片15’因此電路基板11}的厚度的—部份成為焦距 的-部分。因此，相較於第8圖所示之於電路基板的上方 配置半導體晶片15之構成，可降低鏡筒部3〇的高度，萨 _此可達到攝影模組的小型化。 曰 、、此外於載置半導體晶片i 5時，於凹部H2的側壁與 半導體晶片15之間存在有处門拉__p 、 有玉間時，可填入底部填充材22 以藉此埋填該空間。 接下來參照圖式說明本發明的第2實施形態之半導體 製造方法。以下係說明該製造方法。第u圖至第 =圖係顯示該製程順序。與上述所說明者為相同之構成要 素，係使用同一符號並省略其說明。 首先’如第U圖（a)所示，準備由其表面形成有電子 W 1之⑪（SO等所組成之半導體基板2。之後於半導體 基板2的表面形成第1絕緣膜3。 接下來藉由_法、鍍敷法或其他成膜方法，形成銘 銅（Cu)等的金屬層，之後以未圖示之光阻層為遮 罩，對該金屬層進行钱刻而於第1絕緣膜3上形成焊塾電 形成用以被覆烊塾電極 接著於半導體基板2的表面 318778 18 1329931 層11。 接下來如第12圖（c)所示，於金 形成導電端子12。此外，雖 _屬s n的預疋區域上 .態相同，亦有不开但可與第1實施形 .穿有不形成導電端子12之情 圖所示，沿著切割線讪將半導體7八如第13 .體曰曰片⑽。如此完成第2實施形態之半導體裝置。^ 於第2貫施形態中’亦具有不須形成如習知 配線，而可簡化劁招夕疏设雜的 此外，由於半導體晶片2的 • J面：,由支標體：所保護’因此可防止形成於表面之電 7C &其周邊疋件的劣化，而提高半導體裝置之可靠 .二此I，與第1實施形態相同，由於容易對支撐體7形 ▲ 此」降低製造成本並提高半導體裝置之可 罪度及良率。 接下來參照圖式說明將第2實施形態之半導體裝置安 裝於電路基板上時之情形。於以下的說明中，係說明電子 -件々1為CCD型衫像感測器$。刪型景“象感測器等感光元 件。第14圖（a)係顯示從上方觀看安裝有第2實施形態的 =導體裝置之攝影模組之俯視圖’第㈣⑻係顯示沿著 第14圖（a)的n線之剖面圖。 如第14圖（a)所示，例如以使印刷電路板等電路基板 “的月面與半冷體晶片6〇的表面相向之方式，而載置有 =導體晶片6〇。在此，導電端子12係與於電路基板1£的 月面形成有圖案之外部電極2〇直接連接。 此外，於電路基板1E，係形成開口與感光區域16重 318778 20 1329931 疊之區域而設置有感光窗iw。因此，即使半導體晶片6〇 載置於電路基板1E的背面，亦可進行感光。在此，於本實 施形態_，可使用未圖示之黏接劑，將支撐體7中之較厚 的部分（凸狀部分）嵌合於電路基板1E的感光窗iw。因 於感光窗1W僅有支撐體7表面中之較厚部分的區域露出。

如此，構成為將半導體晶片的支樓體7 _之預定區域 的表面加工為較厚，根據此構成除了可獲得上述第1實施 形fe的半導體裝置之效果之外，亦可於安裝攝影模组後， 容易進行支撐體7中之感光區域16的表面清潔。此外，係 以使支樓體7的表面與電路基板㈣表面之高度位置大致 為同等之方式而構成，藉此更可提升清潔的操作性。此外， 亦可防止於半導體晶#的安料所使帛之轉劑，流入於 :光區域16之支撐體7的表面。因此’具有提升攝影模組 的保養性以及可靠度之優點。關於具體的清潔方法之一， 例如於取下鏡筒部3〇之後’以棉棒等職的清潔工具將支 撐1體7的表面加以清潔。 此外，於本構成中，由於在電路基板1E的背面載置有 ，導體晶片60’因此電路基板1£的厚度亦成為焦距的一 部分。因此’相較於第6圖所示之於電路基板的上方配置 +導體晶片15之構成，係至少可減少電路基板ie的高度 H3的量’而降低鏡筒部3()的高度’可達到攝影模組的小 型化。此外’如第14圖⑻的虛線所示配置渡光片3卜並 作為用以密閉半導體晶片6Q的表面之蓋使用，藉此可有效 防止灰塵或W后附著於感光面（支#體7的表面），而提升 318778 21 1329931 度，就此點而言係與第1實施形態相同。 下將該半導體晶㈣μ於電路基 板之點而s，亦與第1實施形態相同。 【圖式簡單說明】 其製=::::說明本發明半導體裝置及 裝置本發明第1實施形態之半導體

第3圖（a)至（C)係顯示用以說明本發明 道骑酤罢ΪΛ钍也〗. 之半導體裝置及其製造方法之剖面圖。 第4圖（a)至（e)係顯示用以說明本發明第 之半導體裝置及其製造方法之剖面圖。 、- 第5圖係顯示用以說明本發明第^施形態 裝置及其製造方法之剖面圖。

第6圖(a)及(b)係顯示用以說明安襞有本發明第 施形態之半導體裝置的狀態之俯視圖及剖面圖。 第7圖(a)及⑻係顯示用以說明安裝有本發明第丄實 施形態之半導體裝置的狀態之俯視圖及剖面圖。 第8圖（a)及（b)係顯示用以說明安裝有本發明第丄實 施形態之半導體裝置的狀態之俯視圖及剖面圖。 ' 第9圖係顯示用以說明安裝有本發明第1實施形態之 半導體裝置的狀怨之剖面圖。 第10圖（a)及（b)係顯示用以說明安裝有本發明第丄 實施形態之半導體裝置的狀態之俯視圖及剖面圖。 318778 22

Claims (1)

1. 第95143689號專利申請案 (99年4月23曰） f 申*專利範圍： f 气 •種半導體裝置之製造方法，其特徵為且備： ^支撐體貼合於具有料電極且以切割線區隔之 +V體基板上之製程； =上述支撐體中隔著上述切割線而相向之外部連 成區域W外部連接用電極形成區域之 域予以選擇性地去除，藉此形成使上述半導 體基板上的焊墊電極露出之開口部之紫程· 導電：：=:部内形成與上述焊塾電極電性連接的 導電鳊子或搭接線之製程；及 沿考上述切割線進行切割，藉此將上述半導 分割為個別的半導體晶片之製程。^導體基板 如申請專利範圍第丨 t , ^, L 及牛導體裝置之製造方法，其 於形成上述導電端子之製程前，係具有： 於上述開口部内取 金屬層之製程。 /、上述焊墊電極電性連接之 如申請專利範圍第丨項< 法，其中，於卜、+、丄次弟2項之半導體裝置之製造方 於开 m 體基板的表面形成有電子元件； 之未與上述電子元侏沾衣耘剛，具有對上述支撐體中 刻，而使該、形成區域重疊之區域進行蝕 如申的厚度形成為較薄之製程。 如τ η月專利乾圍第 種半導體裳置，係具備： 中，4項之半導體裝置之製造方法，其 述電子兀件係感光元件。 一種本墓掷壯 318778(修正本) 25 半導體基板，係具有電子亓杜β A (卯年4月23曰; 性連接之外邱、鱼w 件&與上述電子元件電 邛連接用電極形成區域；及 支揮體’係位於上述電子 體基板貼合； 牛的上方並與上述半導 電極=上述支撐體料^ t之形成有上述外部連接用 向設置：域：的谭塾電極之區域，於從外側往内側之方 上形成有卩，於所露出的上述烊墊電極 如Π 料翻電_導電端子或搭接線。 ㈣圍第5項之半導體裝置，其中，上述支樓 厚声，孫赵去述電子、凡件的形成區域重疊之區域的形成 又’、父與上述電子元件的形成區域重疊之區 一部分的厚度還厚。 如申明專利範圍第5項或第6項之半導體裝置，其中， 上述電子元件為感光元件。 一種攝影模組，係具備： 攝像裝置； 置 電路基板，係具有外部電極並安裝有上述攝像裝 及 透鏡’係將光導入於上述攝像衰置的感光區域； 其特徵為： 上述攝像裝置係具備： 半導體基板’係具有感光元件及與上述感光元件電 性連接之外部連接用電極形成區域；以及 支撐體，係位於上述感光元件的上方，並與上述半 318778(修正本) 26 1329931 第95143689號專利申請案 | 導體基板貼合； （99年4月23曰； 僅於上述支撐體的外周中之形成有上述外部連接 用電極形成區域内㈣塾電極之區域，於從外側往 之方向設置開口部； 於從上述開口部所露出的上述谭塾電極上，作為外 部連接用電極的導電端子或搭接線係與上 的外部電極電性連接； 板 上述支撐體中之與上述感光元件的形成區域重疊 之^域的形成厚度’係較未與上述感光元件的形成區域 重璺之區域的一部分的厚度還厚。 9. 如申請專利範圍第8項之攝影模組，其中，係僅露出上 述支撐體的表面中之形成為較厚之區域。 10. 如申請專利範圍第8項或第9項之攝影模組，其中，用 以阻斷預定波長區域的光之濾光片係配置於上述攝像 裝置與上述透鏡之間； 上m片係兼用為用以密閉上述攝像裝置之蓋。 318778(修正本) 27 1329931

   日修在/史正/補充 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第3圖（a)至(c)。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 1 電子元件 2 半導體基板 3 第1絕緣膜 4 焊墊電極 5 保護膜 6 樹脂層 7 支撐體 8 光阻層 9 導電端子形成區域 10 開口部 DL 切割線 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 318778(修正版）