TWI328691B - Solid immersion lens and microscope - Google Patents
Solid immersion lens and microscope Download PDFInfo
- Publication number
- TWI328691B TWI328691B TW093107482A TW93107482A TWI328691B TW I328691 B TWI328691 B TW I328691B TW 093107482 A TW093107482 A TW 093107482A TW 93107482 A TW93107482 A TW 93107482A TW I328691 B TWI328691 B TW I328691B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- lens
- observation
- immersion lens
- solid
- sample
- Prior art date
Links
- 238000007654 immersion Methods 0.000 title claims description 173
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 115
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 143
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 175
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 28
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 12
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 12
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 11
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 10
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- -1 tetraammonium group Chemical group 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMBNQWNFNACVCB-UHFFFAOYSA-N arsenic tribromide Chemical compound Br[As](Br)Br JMBNQWNFNACVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940077468 arsenic tribromide Drugs 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000006394 Sorghum bicolor Species 0.000 description 1
- 235000011684 Sorghum saccharatum Nutrition 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002433 hydrophilic molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000003904 phospholipids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/02—Simple or compound lenses with non-spherical faces
- G02B3/04—Simple or compound lenses with non-spherical faces with continuous faces that are rotationally symmetrical but deviate from a true sphere, e.g. so called "aspheric" lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/33—Immersion oils, or microscope systems or objectives for use with immersion fluids
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/1717—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/02—Objectives
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/02—Simple or compound lenses with non-spherical faces
- G02B3/06—Simple or compound lenses with non-spherical faces with cylindrical or toric faces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N21/03—Cuvette constructions
- G01N2021/0342—Solid sample being immersed, e.g. equiindex fluid
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Lenses (AREA)
Description
1328691 玖、發明說明： (一） 發明所屬之技術領 本發明有關於使用在 之電子裝置檢查方法等 (二） 先前技術 在電子裝置檢查時所 ，以顯微鏡等進行觀察 顯微鏡或IR-OBIRCH | 7-〗90946號，特開平< 著成爲檢查對象之電子 光，紅外光或熱射線之 系之繞射限度所引起之 因此，對於此種電子 檢出形成在電子裝置中 異常之位置之情況時， 射線之檢查裝置，將存 度。然後，對該縮小後 顯微鏡等之觀察裝置進 位置。 依照上述之方式，在 鏡進行高分解能力之觀 置之準備，設置非常複 很大之勞力和時間爲其 另一方面，使檢查對 域 電子裝置之故障解析或可靠度評估 所使用之固浸透鏡及顯微鏡。 使用之方法是以電子裝置作爲試料 。電子裝置檢查裝置習知的有放射 专置等（參照日本國專利案特開平 5-300824號公報）。但是，近年來隨 裝置之微細化之進步，在使用可視 先前技術之檢查裝置中，由於光學 限制，使微細構造之解析變爲困難。 裝置之微細構造，當進行解析藉以 之電晶體或布線等之電路圖案發生 首先以使用可視光、紅外光、或熱 在有異常位置之範圍縮小至某種程 之範圍，使用更高分解能力之電子 行觀察，用來檢查電子裝置之異常 使用光進行檢查之後，以電子顯微 察中，由於成爲檢查對象之電子裝 雜等之理由，電子裝置之檢查需要 問題。 象之圖像擴大之透鏡習知者有固浸 -5- 1328691 透鏡（SIL: Solid Immersion Lens)。固浸透鏡一·般是半球形 狀，或被稱爲維頁路斯特拉斯狀之超半球形狀之透鏡。假 如設置成使該固浸透鏡光學式結合在觀察對象物之表面時 ，可以使開口數N A和倍率均擴大，可以進行高空間分解 能力之觀察。使用有此種固浸透鏡之半導體檢查裝置被記 載在例如日本國專利案特公開7 - 1 8 8 0 6號公報，美國專利 案第65 94 0 8 6號之說明書。另外，在日本國專利案特開 2002-189000號公報亦有與固浸透鏡有關之記載。 (三）發明內容 Φ 特公平7-18806號公報所揭示之固浸透鏡是平凸透鏡 (plano-convex lens)，對觀察對象物之安裝面（底面）成爲平 面。在使用固浸透鏡之觀察時，當在固浸透鏡和半導體基 板之間發生間隙時，臨界角以上之射入光被全反射，只能 - 傳輸臨界角以下之射入光，有效之開口數受到臨界角之限 制。但是，當固浸透鏡和半導體基板背面之間之間隙，成 爲與半導體中之光之波長相同程度時，利用易消失結合可 以傳輸光。 β 但是，在平凸透鏡和半導體基板背面之間隙，由對寬廣 之對應區域，存在有間隙部份，在此種大間隙部份，透過 光強度急激的降低，變成只能傳輸臨界角以下之射入光， 使有效之開口數受到限制。依照此種方式1在使用平凸透 ’ 鏡之檢查時，因爲要求使平凸透鏡底面之面精確度成爲高 精確度，所以會造成製造成本之增大。另外，對於半導體 基板亦需求接觸面之面精確度，所以在用以檢查半導體裝 -6- 1328691 置之前處理（半導體基板之硏磨）需要很大之勞力爲其問題。 另外，即使平凸透鏡底面和基板之接觸面之面精確度可 以成爲高精確度’在使該等光學式結合時，因爲空氣之流 動阻抗較高，所以獲得光學式結合需要長時間爲其問題。 在特公平7-18806號公報中，所記載之方法是在平凸透 鏡和觀察對象物之間存在有高折射率流體，利用折射率匹 配作爲用以獲得固浸透鏡本來之分解能力。該方法是利用 折射率匹配’成爲與利用易消失結合者不同。高折射率匹 配流體之代表性者有砷三溴化物/二硫化物/硒化合物系、 砷三溴化物具有毒性和腐蝕性，所以處理上會有問題。 另外，美國專利案第6 5 940 8 6號說明書所揭示之固浸透 鏡是bi-convex透鏡。在該透鏡因爲安裝面成爲與觀察對象 物點接觸（point of contact)之凸狀，所以當與平凸透鏡比較 時’可以確保光學式結合性爲其優點。但是，因爲與觀察 對象物之接觸面積非常小，所以當成爲觀察對象物之半導 體裝置之基板變厚時，因爲不能使高NA之光束通過，所 以不能獲得固浸透鏡本來之高解像度、高聚光性爲其問題。 要使該固浸透鏡和觀察對象物以寬廣面積密著時，需要 在固浸透鏡之底面和觀察對象物之間施加壓力。其中如第 8圖所示’隨著透鏡之曲率半徑之減小，使密著所需要之 壓力變高。在第8圖中表示使固浸透鏡之底面（至直徑2mm) 密著在觀察對象物之平面部所需要之壓力。在使用固浸透 鏡之半導體裝置之背面解析時，亦需充分的考慮處理時之 強度，對半導體裝置施加壓力。在施加過度壓力之情況時 1328691 ’會對形成在半導體基板表面之積體電路造成損壞，當依 照丰導體裝置之薄化之傾向時’在bi-convex透鏡不能獲得 固浸透鏡本來之分解能力。 另外’由於壓力會使半導體裝置產生畸變，此種狀態因 爲與半導體裝置之組裝狀態不同，所以不能滿足以與實裝 狀態同樣之動作條件進行檢查之要求。在產生有畸變之狀 態，會有可能造成與檢查本來之目的相反之結果。 另外，在該透鏡不能從其形狀上之特性決定與半導體基 板之位置關係爲其問題。在對半導體基板之接觸面傾斜安 裝之情況時’不能獲得固浸透鏡底面之中央部之光學式結 合。爲著避免此種問題，需要固浸透鏡之精密之位置控制 ’會造成裝置之大型化和高成本化。 本發明之目的是提供可以使高開口數之光速通過，而且 在光學式結合到觀察對象物時，位置控制容易之固浸透鏡 1和使用其之顯微鏡。 用以解決上述問題之本發明之固浸透鏡被安裝在觀察對 象物’用來進行該觀察對象物之觀察，其中對該觀察對象 物之安裝面形成環形形狀。 本發明之固浸透鏡對觀察對象物之安裝面形成環形形狀 。實質上，固浸透鏡之底面不是光軸對象旋轉面，而是非 球面（環形面），成爲以其1軸（母軸）光學式結合到觀察對象 物之形狀。光學式結合之適當形狀之母軸成爲直線或大曲 率半徑之圓弧。另一方面，其他之軸當與光學式結合之適 當形狀之母軸比較時，成爲曲率半徑之圓弧，成爲適於固 -8- 1328691 浸透鏡之安裝•拆卸之適合形 學式結合之適當形狀之母軸成 之曲面，亦即包含圓筒形狀（圓 因此，光學式結合之區域因 圓弧之母線，呈現帶狀，所以 因爲使之固浸透鏡之底面沿著 以固浸透鏡之位置控制變成容 母線之側方利用極微弱之力可 合，所以在拆卸固浸透鏡時， 鏡破損。 其中，當該觀察對象物之被 ，該環形形狀之X方向之曲率 半徑大之γ方向之曲率半徑之 經由成爲該範圍之曲率半徑 區域，沿著大曲率半徑之圓弧 以使高NA之光束通過。另外 著Υ方向接觸在觀察對象物， 爲容易。另外，在觀察後因爲 弱之力對固浸透鏡解除光學式 卸時，不會使觀察對象物和固 另外，環形形狀之X方向之 曲率半徑之Υ方向之曲率半徑 方向之曲率半徑小於X方向之 觀察對象物時之光學式結合性 狀。另外，在本發明中，光 爲直線，其他之軸成爲圓弧 筒面）和環形形狀（環形面）。 爲沿著直線或大曲率半徑之 可以使高ΝΑ之光束通過。 母軸接觸在觀察對象物，所 易。另外，在觀察後因爲從 以對固浸透鏡解除光學式結 不會使觀察對象物和固浸透 安裝面被設定在Χ-Υ平面時 半徑，和比該X方向之曲率 比例成爲1 : 3〜1 : 〇〇。 之環形形狀，光學式結合之 之Υ方向呈現帶狀，所以可 ，因爲使固浸透鏡之底面沿 所以固浸透鏡之位置控制變 可以從Υ方向之側方以極微 結合，所以在固浸透鏡之拆 浸透鏡破損。 曲率半徑，和大於X方向之 之比例成爲1 : 3〜1 :的，當Υ 曲率半徑之3倍時，密著在 會有不足之問題。另外，當 -9- 1328691 環形形狀之X方向之曲率半徑與γ方向之曲率半徑成爲1: 〇〇時，環形形狀成爲圓筒形狀。 另外’本發明之顯微鏡是用來觀察該觀察對象物（試料） 之顯微鏡’其特徵是具備有：光學系，包含有被射入來自 該觀察對象物之光之物鏡，用來引導該觀察對象物之圖像 ;和上述之固浸透鏡。利用此種方式可以獲得適於觀察試 料之顯微鏡。另外，觀察對象物是進行電子裝置檢查時之 電子裝置。另外，亦可以對光學系和固浸透鏡設置圖像取 得部裝置，用來取得被光學系引導之成爲觀察對象物之試 料之圖像。 (四）實施方式 下面將參照圖面用來說明本發明之較佳實施例。另外， 在各個實施例中，對具有相同功能之部份附加相同之符號 ，其重複之說明則加以省略。另外，圖面之尺寸比率與所 說明者不一定一致。 第1A圖和第1B圖表示將本實施例之固浸透鏡安裝在半 導體基板後之狀態，第1 A圖是側面圖，第1 B圖是背面圖。 本實施形態之固浸透鏡1在使用時被安裝在成觀察對象 (檢查對象）之半導體裝置之基板。在使用有固浸透鏡之半 導體裝置之背面解析時，經由使固浸透鏡光學式的結合到 半導體基板，藉以利用半導體基板本身作爲固浸透鏡之一 部份。依照此種方式，當將物鏡之焦點對準形成在半導體 基板表面之積體電路時，利用固浸透鏡之效應，因爲可以 使焦點位置不會比大氣中深，所以可以抑制有效開口數之 -]〇- 1328691 降低’可以利用短波長化獲得高分解能力。 如第1A圖和第1B圖所示，本實施例之固浸透鏡1具備 有球狀部2和成爲本發明之安裝面之底面部3。 另外，底面部3成爲圓柱（圓筒）形狀。該固浸透鏡1之 底面部3被安裝成爲密著在作爲觀察對象物之半導體裝置 之基板（以下稱爲「半導體基板」）1 0之背側表面，本發明 之被安裝面之半導體基板10之表面成爲平面狀，如第1B 圖所示，當在與半導體基板10之表面對應之面設定 座標時，固浸透鏡1之底面部3之X方向之曲率半徑和Y 方向之曲率半徑成爲1:〇〇。另外，固浸透鏡1之底面部3 和半導體基板1 0之光學結合區域P沿著圓筒面之母線呈現 帶狀。 另外，固浸透鏡1之球狀部2之形狀由不形成像差之條 件決定》這時，當使固浸透鏡1之半徑成爲R、折射率成 爲η時，具有半球狀之固浸透鏡1其球心成爲無線差物點 ’這時開口數ΝΑ和倍率均成爲η倍。另外一方面，在具 有超半球狀之固浸透鏡中，從球心朝向下方偏移R/n之位 置成爲無像差物點，這時開口數NA和倍率均成爲η2倍。 另外，亦可以使球心和從球心向下方偏移R/n之位置之間 之位置成爲焦點等，依照對半導體裝置之具體之觀察條件 時，設置固浸透鏡1。 另外，在進行半導體裝置之檢查時’本發明之固浸透鏡 之材料最好使用與半導體裝置之基板材料實質上相同，或 接近其折射率之高折射率之材料。其實例有Si ' GaP、GaAs 1328691 等。另外’在基板由玻璃或塑膠構成之情況時，固浸透鏡 材料最好選用玻璃或塑膠。 下面說明使用本實施形態之固浸透鏡之半導體裝置之檢 查方法’和本實施例之固浸透鏡之作用。該檢查方法所使 用之半導體檢查裝置，例如以形成在半導體基板上（形成有 由電晶體或布線等構成之電路圖案）之半導體裝置作爲檢 查對象’用來取得半導體裝置之圖像，藉以檢查其內部資 訊。 首先說明半導體裝置之檢查方法所使用之檢查裝置。第 2圖是具有本實施例之固浸透鏡之半導體檢查裝置之方塊 構造圖。其中，使用有本發明之固浸透鏡之顯微鏡，—般 可以使用在進行作爲觀察對象物之試料之觀察之情況，但 是在以下之說明中其主要之適用例是半導體檢查裝置（電 子裝置檢查裝置）和檢查方法。 首先說明半導體裝置之檢查方法所使用之檢查裝置。第 2圖是具有本實施例之固浸透鏡之半導體檢查裝置之方塊 構造圖。其中’使用有本發明之固浸透鏡之顯微鏡，—般 可以使用在進行作爲觀察對象物之試料之觀察之情況，但 是在以下之說明中其主要之適用例是半導體檢查裝置（電 子裝置檢查裝置）和檢查方法。 如第2圖所示’本實施例之半導體檢查裝置具備有：觀 察部A ’用來進行半導體裝置5之觀察；控制部B，用來 控制觀察部A之各部份之動作；和解析部c，用來進行半 導體裝置S之^查所必要之處理或指示等。另外，成爲本 -12- 1328691 實施例之半導體檢查裝置之檢查對象之半導體裝置，被裝 載在設於觀察部A之載物台18上。 觀察部A具有被設置在暗箱（圖中未顯示）內之圖像取得 部4、光學系5、和本實施例之固浸透鏡]»圖像取得部4 例如由光檢測器或攝影裝置等構成，用來取得半導體裝置 S之圖像。另外，在圖像取得部4和被裝載在載物台1 8上 之半導體裝置S之間設有光學系5，用來將來自半導體裝 置S之光所形成之圖像引導到圖像取得部4。 在光學系5之與該半導體裝置S面對之指定位置，設有 物鏡20，被射入有來自半導體裝置S之光。從半導體裝置 S射出或反射等之光，射入到物鏡20，經由包含該物鏡20 之光學系5，到達圖像取得部4。然後’在圖像取得部4取 得檢查用之半導體裝置S之圖像。 圖像取得部4和光學系5以光軸互相一致之狀態被構建 成爲一體。另外’對於該等之圖像取得部4和光學系5， 設有X Y Z載物台1 5。利用此種構成，圖像取得部4和光學 系5可以構建成分別在X、Y方向（水平方向）和z方向（垂 直方向）依照需要進行移動’藉以對半導體裝置S進行位置 對準和焦點對準。 另外，對於成爲檢查對象之半導體裝置S，設有檢查部 16。檢查部16在進行半導體裝置s之檢查時，依照需要進 订半導體裝置S之狀％控制寺。利用檢查部16之半導體裝 置S之狀態之控制方法’隨著對半導體裝置s適用之具體 之檢查方法之不同而異’例如可以使用對形成在半導體裝 -13- 1328691 置S之電路圖案之指定部份供給電壓之方法，或對半導體 裝置s照射成爲探測光之雷射光之方法等。 另外，在觀察部A更設置有固浸透鏡（SIL)l。在半導體 檢查裝置中，該固浸透鏡1被設置成對圖像取得部4和光 學系5’與被裝載在載物台18上之半導體裝置$可以移動 。實質上，固浸透鏡]被構建成包含有從半導體裝置5到 物鏡20之光軸，如上述之方式，可以在密著於半導體裝置 S之表面之插入位置，和偏離光軸之位置（待用位置）之間移 動。 另外，對於固浸透鏡1設有固浸透鏡（SIL)驅動部30。固 浸透鏡驅動部3 0是用來驅動固浸透鏡1使其在上述之插Λ 位置和待用位置之間移動之驅動裝置。另外，固浸透鏡驅 動部3 0經由使固浸透鏡1之位置微小的移動，用來調整固 浸透鏡1對光學系5之物鏡20之插入位置。另外，在第2 圖中，以被設置在物鏡20和半導體裝置S之間之插入位置 之藉狀態顯示固浸透鏡1。 對於用以進行觀察等藉以檢查半導體裝置S之觀察部a ，設有控制部B和解析部C。 控制部B具有觀察控制部5 1 ’載物台控制部5 2 '和固浸 透鏡（SIL)控制部53。觀察控制部5 1經由控制圖像取得部 4和檢查部16之動作，用來控制在觀察部A進行之半導體 裝置S之觀察之實行或觀察條件之設定等。 載物台控制部52經由控制XYZ載物台1 5之動作，用來 控制本檢查裝置之成爲檢查位置之利用圖像取得部4和光 -14- 1328691 學系5之半導體裝置S之觀察位置之設定，或其位置對準 、焦點對準等。另外，固浸透鏡控制部5 3經由控制固浸透 鏡驅動部3 0之動作，用來控制插入位置和待用位置之間之 固浸透鏡1之移動，或固浸透鏡1之插入位置之調整等。 解析部C具有圖像解析部6 1和指示部6 2 »圖像解析部 6 1對圖像取得部4所取得之圖像進行必要之解析處理等。 另外，指示部62參照來自操作者之輸入內容，或圖像解析 部6 1之解析內容等，經由控制部Β，進行與觀察部Α之實 行半導體裝置S之檢查有關之必要指示。 · 特別是在本實施例中，解析部C，與在觀察部A設置固 浸透鏡1和固浸透鏡驅動部3 0對應的，進行與使用固浸透 鏡之半導體裝置S之檢查有關之必要之處理和指示。 … 亦即，當在物鏡2 〇和半導體裝置S之間插入固浸透鏡丨 --之情況時’在觀察部A '圖像取得部4以固浸透鏡1在插 入位置之狀態，取得包含來自固浸透鏡1之反射光之圖像 。另外，在解析部C、圖像解析部61對於圖像取得部4所 取得之包含來固浸透鏡1之反射光之圖像，進行求得其反 ® 射光像之重心位置等之指定之解析。然後，指示部62參照 圖像解析部61所解析之包含來自固浸透鏡1之反射光之圖 像，對固浸透鏡控制部5 3指示固浸透鏡1之插入位置之調 ‘ 整，使反射光像之重心位置與半導體裝置S之檢查位置— . 致。 ， 下面說明本實施例之半導體裝置之檢查方法（試料觀察 方法）。 -15- 1328691 首先，對於檢查對象之半導體裝置s，以固浸透鏡]被 設置在偏離光軸之待用位置之狀態，進行觀察。其中利用 圖像取得部4，經由包含物鏡2 0之光學系5，取得半導體 裝置S之觀察圖像之電路圖案之圖案圖像。另外，利用檢 查部1 6控制半導體裝置s之狀態使其成爲指定之狀態，和 取得用以檢出半導體裝置S之異常位置之異常觀察圖像。 其次’使用圖像取得部4所取得之圖案圖像和異常觀察 圖像’檢查在半導體裝置S是否有異常位置。在有異常位 置之情況時，檢查其位置，和設定被檢出之異常位置作爲 半導體檢查裝置之檢查位置（顯微鏡之觀察位置）。然後， 利用X Y Z載物台1 5使圖像取得部4和光學系5移動，用 來使被設定之檢查位置位於圖像取得部4所取得之圖像之 中央。 然後，將固浸透鏡1設置在半導體裝置S之被判定爲異 常位置之檢查位置，在半導體裝置S和物鏡20之間插入固 浸透鏡]，在設置固浸透鏡1之前，使光學密著液滴下到 檢查位置，用來潤濕半導體裝置S之檢查位置。該光學密 著液由在水中含有兩親媒性分子者形成。光學密著液因爲 含有兩親媒體性分子，所以疏水性表面之半導體基板上之 表面張力降低。其結果是可以提高疏水性表面之濕潤性， 使光學密著液在半導體裝置S之上擴散。 此處所使用之兩親媒性分子最好使用界面活性劑分子。 另外，作爲界面活性劑分子者可以使用離子性界面活性劑 分子和非離子性界面活性劑分子。作爲離子性界面活性劑 -16- 1328691 者可以使用陽離子性界面活性劑、陰離子性界面活性劑、 和兩性界面活性劑之任一種。 界面活性劑通常可以使用作爲潤濕劑 '浸透劑、起泡劑 、消泡劑、乳化劑、帶電防止劑等之各種用途，在本發明 中除了具有濕潤性者之外，最好亦具有抑制起泡之消泡性 ’和抑制帶電之帶電防止性。經由使用具有帶電防止能力 之界面活性劑’可以防止由於帶電而沾上空氣中之灰塵。 另外’經由使用具有消泡性之界面活性劑，可以防止供給 光學密著液時由於機械式搬運或攪拌而發生氣泡。 · 另外’界面活性劑之較佳濃度範圍是對於其界面活性劑 之臨界膠粒濃度，最好爲大於0倍小於400倍。當大於400 倍時’光學密著液之黏性會有提高之傾向，因此會妨礙光 … 學式之結合。此外’較好之範圍是對於其界面活性劑之臨 --界膠粒濃度成爲0_5〜】00倍。當小於〇.5倍時，光學密著 液之表面張力會有不能充分降低之傾向，當超過〗00倍時 ’光學密著液之黏性會有過度上升之傾向。由於同樣之理 由’最好之範圍是對於其界面活性劑之臨界膠粒濃度成爲 · 1倍〜10倍之濃度之範圍。 另外’本實施例所使用之光學密著液並不只限於含有界 面活性劑分子者，亦可以具有親水基（羧基、磺基、第4銨 _ 基、氧氧基等）和疏水基（亦稱爲親油基，長鏈之碳化氫基 - 等）雙方之分子。例如，甘油、丙二醇、山梨糖醇等之潤濕 - 劑、或磷脂質、脂質、氨脂質等β 在使用該光學密著液使半導體基板和固浸透鏡光學式結 -17- 1328691 合之狀態’在半導體基板上，於物理吸著之兩親媒性分子 之親水基和水分子之間施加范德瓦爾斯力（vander waals foirce)力’用來拘束水分子，藉以防止揮發。這時，固浸透 鏡和半導體基板之距離，例如可以成爲1 / 2 〇 λ ( A :照射波 長）以下’其結果是可以達成固浸透鏡和半導體基板之光學 '著’和實體性固著。另外’本發明之「光學密著」是指 利用易消失結合達成使半導體基板和固浸透鏡光學式結合 之狀態。 另外，該光學密著液以外之光學結合材料，例如如曰本 · 國專利案特公平7_ 1 8 8 06號公報之記載，可以使用使固浸 透鏡和半導體基板進行折射率匹配之折射率匹配流體（折 射率匹配液等）。另外，折射率匹配流體與光學密著液不同 - ，前者是經由流體之折射率用來實現高ΝΑ，後者是具有補 -- 助易消失結合之任務。在此處所詳述者是使用光學密著液 之實施例’但是使用折射率匹配流體之形態亦可以獲得同 樣之效果。但是在該種情況，因爲不需要使流體乾燥，所 以乾燥氣體供給裝置可以省略。 # 在半導體基板上使光學密著液擴散，在光學密著液之乾 燥之前，設置固浸透鏡1，在半導體裝置S和物鏡20之間 插入固浸透鏡1之後，進行固浸透鏡1之插入位置之調整。 因爲光學密著液含有兩親媒性分子，所以對於半導體裝 置S之基板表面和固浸透鏡1之安裝面，可以具有潤濕性 - 。另外，在設置固浸透鏡1時，可以利用固浸透鏡1本身 之重量。因此，不需要施加過度之壓力就可以很容易將微 -18- 1328691 小之固浸透鏡1設置在半導體基板表面之所希望之位置。 首先，利用圖像取得部4取得包含來自固浸透鏡1之反射 光之圖像。固浸透鏡1之插入位置之調整是對該圖像所含 之反射光像之來自固浸透鏡1之各部份反射面之反射光進 行引導。 當進行固浸透鏡1之插入位置之調整時，圖像解析部61 自動的，或根據來自操作者之指示，對包含有來自固浸透 鏡1之反射光之圖像進行解析，藉以求得反射光像之重心 位置。另外，在指示部62，經由固浸透鏡控制部5 3對固 浸透鏡1和固浸透鏡驅動部3 0指示進行固浸透鏡1之插入 位置之調整，使圖像解析部6 1所獲得之反射光像之重心位 置與半導體裝置S之檢查位置成爲一致。利用此種方式對 固浸透鏡1之半導體裝置S和物鏡20進行位置對準。 然後，指示部62配合上述固浸透鏡1之插入位置之調整 ，經由載物台控制部52對XYZ載物台1 5指示進行密著有 固浸透鏡1之半導體裝置S和光學系5之物鏡20之間之距 離之調整。利用此種方式，在插入有固浸透鏡1之狀態進 行焦點對準。 然後’對固浸透鏡1吹噴空氣，使光學密著液蒸發、乾 燥，用來使固浸透鏡1和半導體基板光學式的密著。固浸 透鏡1之底面部3因爲形成圓筒形狀，所以固浸透鏡1對 半導體裝置S成爲線接觸。實質上如第3A圖所示，在X 方向只有點接觸’如第3B圖所示，沿著Y方向全體的接 觸。另外，在第3A圖和第3B圖中，以波浪線表示固浸透 -19- 1328691 鏡1和半導體裝置s之接觸位置。 另外，例如當使固浸透鏡之底面部形成與半導體基板以 1點進行接觸時，要使固浸透鏡之底面部和半導體基板以 寬廣面積密著必需施加高的壓力。但是，在本實施例之固 浸透鏡1中，底面部3形成圓筒形狀。另外，使用光學密 著液補助易消失結合。因此，不需要對固浸透鏡I施加高 的壓力’例如只利用固浸透鏡1本身之重量就可以使底面 部3和半導體裝置S成爲帶狀之光學式結合，和可以實現 實體上之固著。因此，即使不對半導體裝置施加過度之壓 力亦可以獲得光學密著，所以不會有使半導體裝置S破損 之危險性。 另外，在本實施例之固浸透鏡1中因爲底面部3形成圓 筒形狀’所以中心之1軸（母軸）方向必定對半導體裝置S 形成線接觸。與此相對的，例如在底面部形成以1點與半 導體基板接觸之bi-convex透鏡之情況時，因爲將固浸透鏡 斜的設在半導體基板，所以會成爲中心部不能光學式的結 合。因此，在本實施例之固浸透鏡1中，可以使中心部之 光學式結合性良好。另外，當與1點接觸者比較時，因爲 固浸透鏡與半導體基板之接觸面積變大，所以即使半導體 裝置S之基板較厚之情況時，亦可以確保高NA之光束。 另外，其定位變爲容易。 另外，在本實施例之固浸透鏡1中，因爲底面部3形成 圓筒形狀，所以可以以短時間使光學密著液蒸發。下面參 照第4A圖和第4B圖說明此點，如第4B圖所示，在使用 ΓΙ328691 底面部爲平面狀之固浸透鏡（平凸透鏡）6之情況時，光學密 著液W被包夾在固浸透鏡6和半導體裝置S之間，因爲只 在橫方向爲開放面進行蒸發，所以蒸發需要長時間。 與此相對的，如第4A圖所示，在本實施例之固浸透鏡I 中’經由使底面部3形成圓筒形狀，光學密著液W可以朝 向寬廣之範圍蒸發。因此，可以以短時間進行蒸發，可以 使固浸透鏡1和半導體裝置S快速的密著固定。 另外’經由從側方以固浸透鏡1之底面部3之圓筒形狀 之軸方向吹噴空氣，可以光學密著液快速的蒸發。 依照此種方式，使固浸透鏡1密著在半導體裝置S，經 由包含固浸透鏡1之光學系，取得擴大之半導體基板之觀 察圖像。經由將來自半導體裝置之光引導到圖像取得部4 用來取得觀察圖像。 另外’在取得觀察圖像時，來自半導體裝置5之光通過 半導體裝置S和固浸透鏡1之光學密著部份。其中，因爲 固浸透鏡1至少在Y方向確實的密著在半導體裝置s，所 以可以確實的獲得中心部之密著。因此，如第5 A圖所示， 朝向X方向之光L’在固浸透鏡1之安裝面和半導體裝置 間之間隙大於半導體中之光之波長之區域，由於對臨界角 以上之射入光進行全反射’使固浸透鏡丨之通過量減小。 與此相對的’如第5B圖所示，朝向γ方向之光確實的通 過固浸透鏡1°利用此種方式可以使通過固浸透鏡1之光 之方向穩定。 以此方式取得觀察圖像，在取得擴大觀察圖像之後，在 -21- 1328691 半導體裝置s之安裝有固浸透鏡]之位置之周邊，滴下光 學密著液之溶媒（以下簡稱爲「溶媒」），用來使固浸透鏡1 之安裝位置潤濕。經由滴下溶媒，該溶媒侵入到半導體裝 置S和固浸透鏡]之間，用來解除半導體裝置3和固浸透 鏡1之間之光學式結合和實體固著。 這時’固浸透鏡1之底面部形成圓筒形狀，與半導體裝 置S之間具有開放面。因此，在使固浸透鏡1和半導體裝 置S分離時，溶媒之浸透變快，可以以短時間進行固浸透 鏡1和半導體裝置S之分離。 φ 依照此種方式，經由使用溶媒解除半導體裝置S和固浸 透鏡1之間之實體固著，因爲可以以極弱之力剝離固浸透 鏡1’所以不會使半導體裝置S受傷。另外，因爲亦可以 … 使固浸透鏡1不會受傷，所以可以長期的利用固浸透鏡I … 。另外，此處是使溶媒滴下，但是在使光學密著液滴下之 情況時’亦可以使半導體裝置S和固浸透鏡1不會受傷， 可以解除半導體裝置S和固浸透鏡】之光學式密著和實體 上固著。 · 依照此種方式完成檢查位置之檢查，使固浸透鏡1移動 到其他之檢查位置或待用位置，結束檢查位置之檢查。 依照此種方式，在本實施例之半導體裝置之檢查方法中 ，固浸透鏡1使用其底面部3形成圓筒形狀者β因此，當 〜 與平凸透鏡比較時，可以以更短之時間使固浸透鏡1光學 - 密著在半導體裝置S，或互相分離。另外，在固浸透鏡1 和半導體裝置S之間可以獲得高密著性。另外，可以防止 -22- ΓΙ328691 半導體裝置s之破損。 以上已經說明本發明之較佳實施例，但是本發明之固浸 透鏡並不只限於底面爲圓筒形狀者，亦可以成爲形成其他 之環形形狀之態樣。其中，在半導體裝置之X ' Y平面， 當將環形形狀之曲率較大之方向設定在Y方向時1環形形 狀之曲率最好設定成X方向之曲率半徑和Y方向之曲率半 徑之比例在1 : 3〜1 : 之範圍。在Y方向之曲率半徑小於X 方向之曲率半徑之3倍之情況，密著在半導體裝置時之實 體之固著度或光學式性能會成爲不足》 春 在以上之實施例中是在半導體裝置S和固浸透鏡】之間 之光學密著液含有兩親媒性分子，但是其代替者，亦可以 對固浸透鏡1之與半導體裝置S之安裝面施加親水處理。 " 經由使光學密著液含有兩親媒性分子用來提高潤濕性是 · · 在疏水性之表面附著親水基而產生。因此|即使在光學密 著液未含有兩親媒性分子之情況，固浸透鏡1之與半導體 裝置S之安裝面，和半導體裝置S之固浸透鏡1之安裝面 爲疏水性時，經由施加親水處理使親水基附著在該等之面 β ’可以用來提高潤濕性。另外，在半導體裝置S之表面爲 親水性之情況時，其表面即使不施加親水處理亦可以確保 潤濕性。 ’ 利用此種方式，經由對固浸透鏡1和半導體裝置S之各 〜 個安裝面施加潤濕性，與使用含有兩親媒性分子之光學密 · 著液之情況同樣的，可以使光學密著液正確的位於半導體 裝置S之基板上之所希望之檢查位置。另外，不需要施加 -23- 『1328691 溫度之壓力就可以使半導體裝置S和固浸透鏡1之光學密 著性成爲確實。 對固浸透鏡1或半導體裝置s施加親水處理之方法是實 體吸著親水基’暫時附著之方法。實體吸著親水基之具體 之方法是在施加親水處理之面，塗布界面活性劑、或氣酸 、蛋白質等之兩親媒性分子之水溶液，然後使其乾燥。另 外’施加親水處理之方法亦可以使用化學吸著親水基進行 表面改質之方法。化學吸著親水基之方法可以使用照射 UV(紫外）光之方法’利用濕式處理之方法（例如塗布具有硫 酸、過氧化氫和水之溶液）、和乾式處理之方法（例如照射 離子射束）等之方法）。 以上已說明本發明之較佳實例，但是本發明並不只限於 上述之實施例。例如，在上述之實施例中是由操作者使含 有兩親媒性分子之光學密著液滴下，但是亦可以成爲另外 設置光學密著液滴下裝置（用來供給光學結合材料之光學 結合材料供給裝置）之態樣。另外，亦可以成爲設有用來使 光學密著液乾燥之空氣吹噴裝置，或吸水片壓接裝置等之 態樣。使半導體裝置潤濕之裝置除了使光學密著液滴下之 態樣外’亦可以使用薄層塗布光學密著液之態樣、噴霧之 態樣、或以蒸氣濕潤之態樣等之各種態樣。在此種情況， 因爲可以使光學密著液快速乾燥，所以可以省略促使乾燥 之作業。 另外’除了上述實施例所示之半導體檢查裝置外，在利 用具有高敏感度攝影機之放射顯微鏡、〇BIRCH解析裝置 -24- 1328691 、時間分解放射顯微鏡、熱射線圖像解析裝置等進行檢查 之情況時，亦可以使用本發明之固浸透鏡。一般對於使m 有上述之固浸透鏡之顯微鏡，成爲用以觀察該觀察對象物 之顯微鏡，亦可以構建成具備有：光學系，包含有被射Λ 來自觀察對象物之光之物鏡，用來引導觀察對象物之圖像 :和上述構造之固浸透鏡。另外’對於光學系和固浸透鏡 ’亦可以如上述之方式，設置圖像取得裝置，用來取得被 光學系引導之觀察對象物（試料）之圖像。 下面說明本發明之實施例’但是本發明並不只限於該等· 之實施例。 (實驗1) 在實驗1中，在使固浸透鏡光學式密著在半導體裝置之 -- 狀態，測定檢查時之半導體裝置之亮度，和觀察後之固浸 ._ 透鏡與半導體裝置之分離容易性。此實驗之進行使用上述 實施例所說明之利用固浸透鏡1之實施例，和利用先前技 術之固浸透鏡之比較例。先前技術之固浸透鏡之安裝面成 爲面粗度良好之平面（平凸透鏡）。 # 其中，實施例之固浸透鏡是X方向之曲率半徑和γ方向 之曲率半徑成爲大約1:4。 下面說明此實驗之步驟，首先利用含有界面活性劑之水 _
(以下稱爲光學密著液）使固浸透鏡和半導體裝置密著，以 I 第2圖所示之半導體檢查裝置測定亮度。然後，在半導體 _ 基板之安裝有固浸透鏡之部份，使光學密著液w滴下來， 如第6圖所示，以2秒之週期使半導體裝置S以角度Θ #30° -25- 1328691 左右交替的傾斜移動，測定固浸透鏡1開始移動之時間。 該實驗進行多次。 在該實驗之結果中，從使半導體裝置傾斜起，求得在2 0 秒以內使固浸透鏡1開始移動之機率。其結果如表1所示。 (實驗2) 在實驗2中，測定固浸透鏡和半導體裝置之實體之固著 度。在該實驗中使用分別與上述實驗]同樣之實施例和比 較例之固浸透鏡。 下面說明該實驗之步驟，利用該光學密著液使固浸透鏡 和半導體裝置光學式的密著。在此種狀態，如第7圖所示 ，對固浸透鏡1施加壓力F，測定固浸透鏡1之開始移動 之壓力之大小。以實施例（本發明之固浸透鏡）和比較例進 行本實驗。其結果成爲密著剝離力，以表1表示。此處之 比較例之固浸透鏡使用與實驗1同樣者。 表1 亮度値[A . U .] 開始移動機率 密著剝離力 實施例 6 約7 0% 約3 0g重 比較例 7 約2 0% 約5 0g重
從表〗可以明白，在實驗1之亮度之測定時，實施例比 該比較例稍劣，具有大致相同之亮度値。從其結果可以明 白實施例和比較例在觀察半導體裝置時其亮度値沒有很大 之不同 另外’在滴下光學密著液之後，固浸透鏡之開始移動之 機率，在實施例大約爲7 0 % ’相對的比較例成爲大約2 0 % -26- 1328691 之非常低之結果。從其結果可以明白，在觀察係當使固浸 透鏡從半導體裝置分離時，實施例可以比該比較例非常容 易的使固浸透鏡分離。 另外，當對密著在半導體裝置之固浸透鏡施加力量時， 本實施例之固浸透鏡以大約3 Og重之力開始移動，相對的 在比較例以大約5 0 g重之力開始移動。在先前技術例中， 因爲固浸透鏡和半導體裝置之密著面積較大，所以密著剝 離力較強，但是與比較例相對的，實施例之結果是密著剝 離力不會大幅的劣化。 下面更進一步的說明本發明之固浸透鏡。 在固浸透鏡（SIL)中，在上述半球形狀或超半球形狀之構 造，和被設定成與其對應之試料觀察面，獲得不會產生球 面像差和慧星像差之等光明之成像。但是，在此種S IL之 構造和使用條件，不會產生像差之位置偏移只有1點，因 此SIL之用途只限於光檢拾器等。 亦即，在上述之SIL所使用試料觀察面，當以寬廣範圍 觀察試料時，像面特性變爲不良。因此，使用S1L觀察試 料之像時，所獲得之像其分解能力在周邊部比在中央部低 ’由於像面彎曲之影響，在周邊或中心附近會成爲看不見 等’造成可用來觀察之視野受到限制等爲其問題。 與其相對的，固浸透鏡最好構建成由折射率n l之材質形 成具有曲率半徑Rl之球面狀之光學面，當觀察對象物（試 料）之折射率I1L時’從頂點到假想之觀察面之沿著光軸之 距離’利用被設定成使幾何學之像差特性可以滿足指定條 -27- 1328691 件之係數k(0<k<l)’成爲L = RL + kx(RL/nL)，和使觀察對象 物（試料）之折射率成爲ns，至現實之觀察面之觀察對象物 (試料）之厚度成爲ts時，沿著光軸之厚度可以滿足 dL = L- tsx(nL/ns)。 在上述之固浸透鏡中，使用利用固浸透鏡評估幾何學像 差特性所設定之係數k’和考慮成爲觀察對象物之基板等 之試料之折射率n s和厚度t s ’設定透鏡形狀。利用此種方 式’上述之觀察可使用之視野變廣，可以良好的觀察試料 之所希望之觀察部位。 特別是組合：對試料之安裝面成爲環形形狀之上述構造 ;和使用評估幾何學之像面特性所設定之係數k，和考慮 成爲觀察對象物之基板等之試料之折射率ns和厚度ts，藉 以設定透鏡形狀之構造；利用組合有該等構造之固浸透鏡 可以使高NA之光束通過，在光學式結合到試料時，固浸 透鏡之位置控制變成爲容易，和觀察可使用之視野變廣， 可以良好的觀察試料之所希望之觀察部位。另外，& ± $ 方式之使安裝面成爲環形形狀之固浸透鏡中，固浸胃胃之^ 沿著光軸Αχ之厚度d L變成爲從固浸透鏡之頂點到試料側 之透鏡面（固浸透鏡和試料之最接之部位）之距離。 在上述之固浸透鏡中，係數k最好是〇.5<k<〇.7之_範胃 內之値。這時，固浸透鏡之像面特性成爲實質上可以以成 爲平坦之條件觀察。 或是，最好使係數k是0<k$0.5之範圍內之値。這時， 成爲可以以固浸透鏡之色像差 '球面像差實質上被減小$ -28- 1328691 條件觀察。 另外，在使用固浸透鏡之試料觀察方法中，最好使用由 折射率nL之材質形成之具有曲率半徑Rl之球面狀之光學 面之固浸透鏡，利用將固浸透鏡之幾何學像差特性設定成 可以滿足指定條件之係數k(0<k<l)，以包含有從光學面之 球心沿著光軸向下偏移kx(RL/nL)之點之與光軸大致正交 之面’作爲試料觀察面，用來進行使用固浸透鏡之試料（觀 察對象物）之觀察。 在上述之試料觀察方法中，不使用以包含球心之面作爲 試料觀察面之與半球形狀對應之構造，或以包含有從球心 沿著光軸向下偏移RUh之點之面作爲試料觀察面之與超 半球形狀對應之構造，而是評估固浸透鏡之幾何學之像差 特性’藉以設定係數k。然後，以包含有該係數k所決定 之點之面作爲試料觀察面，進行試料之觀察。利用此種方 式，可以使觀察可使用之視野變廣，使用固浸透鏡可以良 好的觀察試料之像。 在此處之固浸透鏡之幾何學之像差特性之評估最好是使 用以固浸透鏡之後側焦點面作爲瞳孔面之假想光學系，用 來評估幾何學之像差特性，根據其評估結果設定係數k。 利用此種方式，使瞳孔面位於固浸透鏡之後側焦點面，可 以成爲物側遠心，可以成爲依照雷射掃描等之反射光觀察 之實際之形式。在實際之組合到顯微鏡使用之情況時，顯 微鏡物鏡之瞳孔位置未具有作爲瞳孔之功能，包含有固浸 透鏡之光學系之瞳孔成爲位於固浸透鏡之後側焦點之位置。 -29- 1328691 另外’最好是利用球缺像面、子午像面、或球缺像面和 子午像面之平均像面，用來評估固浸透鏡之幾何學之像差 特性’根據其評估結果用來設定係數k。利用此種方式可以 良好的設定固浸透鏡之試料觀察面之幾何學之像差特性。 另外’在該試料觀察方法中，亦可以使固浸透鏡之沿著 光軸之厚度成爲dL = RL + kx(RL/nL)，試料觀察面與試料側之 ®浸透鏡之透鏡面一致。或是，亦可以使固浸透鏡之沿著 光軸之厚度_爲dL<RL + kx(RL/lu)，試料觀察面成爲試料之 ί斤射率等於固浸透鏡之折射率n L時之假想之觀察面，和當 音式料之折射率爲ns，至現實之觀察面之試料之厚度爲ts時 ’固浸透鏡之厚度，對於從頂點到假想觀察面之沿著光軸 之距離 L = RL + kx(RL/nL)，可以滿足 dL = L-tsx(nL/ns)。 首先’說明本發明之固浸透鏡（SIL)和使用其之試料觀察 面之槪略，和先前技術所使用之SIL之構造和使用條件。 另外，在以下之說明中，主要的是有關於SIL之沿著光軸 之厚度之設定等之說明，但是有關於S I L之對試料（觀察對 象物）之安裝面之環形形狀，其效果，和使安裝面成爲環形 形狀時之SIL之厚度之定義等，如上所述。 第9圖表示先前技術之S I L之構造和使用條件之一實例 。第9圖所示之SIL 108是具有折射率η和曲率半徑r之 半球形狀之透鏡。在此種SIL 108中，球心成爲焦點，包 含該球心之面被設定試料觀察面丨80。另外，試料觀察之 開口數ΝΑ和倍率均成爲η倍。當考慮到此種構造中之SIL 1 0 8之像面特性時’如第9圖所示，隨著離開焦點使像面 -30- 1328691 偏移向下游側，產生像面彎曲。 第10圖表示先前技術之SIL之構造和使用條件之另一實 例。第10圖所示之S1L 109是具有折射率η和曲率半徑R 之超半球形狀之透鏡。在此種S IL 1 0 9中，使從球心沿著 光軸向下偏移R/n之點作爲焦點，包含該點之面被設定在 試料觀察面190。另外，試料觀察之開口數NA和倍率成爲 η2倍。在此種構造中當考慮到SIL 1 09之像面特性時，如 第1 0圖所示，隨著離開焦點使像面偏移向上游側，產生逆 方向之像面彎曲。 本發明人對於使用SIL之試料觀察之此種像面彎曲之發 生進行詳細檢討之結果發現，在上述構造之作爲焦點之球 心，和從球心沿著光軸向下偏移R/n之點之間，倍率在η 倍和η2倍之間進行變化，其像面彎曲亦在第9圖和第1 〇 圖所示之逆方向之像面彎曲之間進行變化。使用本發明之 SIL之試料觀察方法根據此種發現以適於成像之構造和使 用條件，使用SIL進行試料之像之觀察。 第11圖表示本發明之試料觀察方法和其所使用之固浸 透鏡之一實施例之構造和使用條件。在本試料觀察方法中 ’對於成爲觀察對象之試料102，使用由折射率nL之材質 形成之SIL 101作爲對來自試料1〇2之光像進行放大之透 鏡。該S IL 1 0 1形成以軸Αχ作爲光軸，以點c爲球心之曲 率半徑Rl之球面狀之光學面11〇作爲透鏡面。 在使用此種SIL 101之試料觀察中，以從球面狀之透鏡 面1 10之球心沿著光軸Αχ向下偏移kx(RLnL)之點作爲焦點 -31- 1328691 。然後，以包含有該焦點之與光軸Αχ大致正交之面120 作爲試料觀察面，使用SIL 101進行試料之觀察。 用來對S1L 101之焦點和試料觀察面120之球心c進行 定位之係數k是被設定在0<k< 1之範圍內之係數。因此， 該焦點之位置成爲在球心C，和從球心c沿著光軸向下偏 移RL/nL之點之間之位置。特別是該係數k被設定成使SIL 1 〇 1之幾何學之像差特性可以滿足指定之條件。 亦即’如上述之方式，在球心C，和從球心c沿著光軸 A X向下偏移R l / n l之點之間，使倍率和像面彎曲順序的變 化。對於此種特性之變化，評估S I L 1 〇 1之幾何學之像差 特性及其變化，根據其評估結果進行適當之係數k之設定 ’和依照其之焦點之選擇。然後，以包含有該係數k所決 定之點之面，作爲試料觀察面1 2 0，進行試料1 〇 2之像之 觀察。這時，可以以使像面彎曲變小，和使像差之劣化充 分減小之條件，使用S IL ] 0 1。利用此種方式，可以使觀察 可使用之視野變廣，可以使用SIL 101良好的觀察試料102 之像。 另外’在第11圖所示之實例中，係數1^所決定之試料觀 察面120’與試料1〇2側之SIL 101之平面狀之透鏡面一致 。另外’這時之從SIL 1 0 1之預點到試料1 02側之透鏡面 之距離，亦即SIL 1 0 1之沿著光軸A之厚度成爲 dL = RL + kx(RL/nL) 〇
下面使用第12圖和第13圖用來具體的說明使用SIL 101 之試料之像之觀察之像差和像面特性之評估方法，和SIL 1328691 1 ο 1之較佳構造，使用條件等。第12圖表示用以評估第11 圖所示之SIL之幾何學之像差特性和色像差特性所使用之 假想光學系。另外’第13圖表示使用第12圖所示之假想 光學系所評估之SIL之特性。 在第12圖中，η表示折射率、s表示從物體面到主平面 之距離，h表示光線之高度。另外’上面附加橫線表示與 主光線有關之量。但是，在本說明書中’例如在「h i」之 上面附加橫線以「h ]」等表示。 首先說明評估S IL之像面特性之假想光學系。其中，如 第12圖所示，假定SIL 101之材質使用矽（Si)，使其折射 率成爲n3 = nL = 3_5。另外，在折射率n3之SIL 101之內部以 外之區域，使折射率成爲η , = η 2 = 1。另外，對於以球心C 爲中心之形成球面狀之透鏡面1〗〇，使其曲率半徑成爲 r 2 = R l = 1。 對於此種SIL 101，導入以SIL 101之後側焦點作爲瞳孔 面之假想光學系，用來評估其像差和像面特性。實質上如 第12圖所示，導入無像差之假想物鏡103,將其配置在SIL 101之後側焦點F。利用Sl=r2/(n3-n2)取得SIL 101之透鏡 面1 1 〇之面頂和後側焦點F之間之距離s i，在η 3 = 3 · 5之上 述之實例中，成爲SfOjxRLij。 另外，使該無像差之假想物鏡1 03之焦點距離成爲fi， 使前側焦點位置成爲F1。SIL 1之厚度s2’是從焦點位置 (自假想物像103以U| = 〇、h,發出之光被透鏡面1 10成像之 位置）到透鏡面Π 0之面頂之距離。使用導入有此種假想物 -33- 1328691 鏡103之假想光學系進行SIL 1-1之評估’用來將光學系 全體之射入瞳孔設定在位於離開透鏡面11〇爲si = 0 4xRl 之位置之假想物鏡1 〇 3上。另外，經由以此方式設定射入 瞳孔等，在s IL 1 0 1之內部成爲遠心，可以成爲依照雷射 掃描之反射光觀察之實際之觀察系之形式。利用此種方式 ，可以適當的評估SIL 101之像差和像面特性。
在第1 2圖中表示與上述之S I L 1 0 1和假想物鏡1 0 3所形 成之光學系之構成組合之2個光線I ,、12。其中，光線I, 與光軸Αχ形成之角度爲u ! =0，光線之高度在假想物鏡1 03 爲h !，在S IL 1 0 1之透鏡面1】0爲h 2，在假想物鏡]0 3之 上游側，成爲與光軸A X平行之光線。另外，該光線I !在 與試料觀察面120相當之面S'，通過光軸Αχ上之點。另 外，對於光線11，虛線所示之沒有S IL 1 0 1之情況時之光 線，通過假想物鏡1 〇 3之焦點面S之光軸A X上之點F。
另外’光線〗2與光軸Αχ形成之角度爲u、，光線之高度 在假想物鏡103爲11^=0，在SIL〗01之透鏡面11〇爲h2 ，在透鏡面I 1 〇之下游側成爲與光軸A X平行之光線。另外 ，該光線在假想物鏡103通過光軸Αχ上之點F，與試料 觀察面S’之光軸Αχ之距離成爲γι。另外，對於光線l2, 虛線所示之沒有S I L 1 0 1之情況時之光線，在焦點面5與 光軸Αχ之距離成爲Υ。 另外’使從SIL 101之透鏡面no之面頂到焦點面s之 距離成爲S2’使至試料觀察面S_之距離，亦即SIL ι〇1之 厚度成爲h-dL。在具有以上之構造和條件之第I〗圖之假 -34- 1328691 想光學系中，當以SIL 101之厚度dL表示SIL 101之球面 像差係數I、慧星像差係數11、非點像差係數ΠI、珀芝乏 (p e t z v a 1)和P、球缺像面之彎曲111 + P、和子午像面之彎曲 3III + P之各個像差係數時，分別以以下之式（1)〜（6)求得。 / = Λ24· 0]· A(\/n,s)2=(d, /\.4)^{4.9(dL-\)tdL)2-〇.S-A.SIdL) = 6.25(dL -\)2(3.5dL -4.5)dL …（1) 11 = J2· 1 = 2.5(d, -1)(3.5^ -4.5)dL …（2) III = J7· II = (3.5dL -4.5)dL …（3) P = p = (1/n2 -1/n3)r2 = 1 -(4) /// + P = 1 + (3.5心-4.5)心 …（5) 3/// +P = 1 + 3(3.~4.5)dL …（6)
其中Q2是阿貝（Abbe)之不變量。另外Q2和J2以下式表示。 Q2 =«2(l-r2 -1/5,) = 4.9(^ J2 另外，珀芝乏像面、球缺像面、和子午像面之曲率（實際 尺寸）分別如下所示。
-P/fi = -0.1743(l/mm) =—定…珀芝乏像面 -(1+(3.5心-4_5)心）/1.4(1/111111)，，球缺像面 -(1+3(3_5心-4.5)心）/1.4(1/111111)...子午像面 第13圖之圖形表示利用上述之式分別求得之球面像差 係數、慧星像差係數II、非點像差係數III、球缺像面之彎 曲III + P、和子午像面之彎曲3III + P之各個像差係數，和 球缺像面與子午像面之平均像面。在該圖形中，橫軸表示 S1L之厚度s2’ = dL，縱軸表示各個像差係數之値。另外，該 -35- 1328691 橫軸所示之厚度dL，和第1 1圖所示之係數k，由於第J 2 圖中之RL=1，因而具有k = n丨x(dL-]) = 3.5x(dL-l)之關係。 利用第1 3圖所示之各個圖形，以包含球心之面作爲試料 觀察面之情況時（參照第9圖）之對應之dL = RL=l之點，和 以包含從球心沿著光軸向下偏移R L/n L之點之面作爲試料 觀察面之情況時（參照第10圖）之對應之dL = RL + RL/nL=l.286 之點，各個之球面像差係數I和慧星像差係數11均成爲零 ，可以滿足等光明條件。但是，在該等之點會產生上述方 式之像面彎曲。另外，在dL=l之點，球缺像面之彎曲πι + Ρ 亦成爲零。另外’ dL= 1.2 8 6之點，非點像差係數ΠΙ亦成 爲零。 與此相對的，以球缺像面和子午像面之平均像面來看時 ，在 dL = RL + k(RL/nL)=1.163xRL=l.]63 之點，可以得知像面 成爲平坦。亦即，要滿足以寬廣視野取得平坦像面之條件 ，和滿足使平均像面成爲垂直光軸之平面之條件時，可以 使像物之彎曲成爲111 + P = · ( 3 111 + P)。利用該條件，以上述 之各式獲得dL=1.163。另外’這時對試料觀察面設定之係 數k求得爲大約0.6(k = 0.57)。利用以此方式求得之係數k 之適用構造和使用條件，使用S IL 1 0 1進行試料觀察，可 以以寬廣之視野取得良好之試料之像。 另外，以在S I L之外側成爲遠心之通常之射入瞳孔位置 之條件進行計算之情況時’平均像面成爲平坦者是SIL之 厚度成爲1.274xRL之點，計算之結果成爲與上述之結果完 全不同。 -36- 1328691 本發明之固浸透鏡和使用其之試料觀察方法並不只限於 上述之實施例，而是可以有各種變化。例如，在上述之實 例中，SIL之材質是使用矽，但是除了矽之外，亦可以依 照所使用之試料之材或觀察條件等，使用各種之材質。
另外1在上述之實例中使SIL之折射率成爲3.5 = —定。 此種方式對應到單一波長之試料觀察之情況，或由於波長 造成之折射率變化可以忽視之情況。因此，如上述之方式 ，使k成爲0.6近傍之條件，有利於利用單一波長之光試 料進行觀察，檢查等之情況。 與此相對的，例如在以7 5 0 n m〜I 0 5 0 n m之波長幅度進行 觀察之情況等，在觀察之波長幅度寬廣之發光觀察等，由 矽形成之SIL經由使k成爲〇. 3之程度，可以使色像差和 其他之像差平衡。依照此種方式，如有需要最好考慮到進 行觀察之波長幅度，用來進行像面特性之評估和係數k之 設定等。
另外，對於係數k，在上述之實例中依照平均像面成爲 平坦之點用來設定係數k。利用此種方式可以良好的設定 SIL之試料觀察面之像面特性。但是，該係數k之設定亦 可以使用在平均像面成爲平坦之點之近傍，設定指定之條 件範圍內之點之方法。亦可以不是依照平均像面，而是依 照球缺像面或子午像面成爲平坦之點，用來設定係數k。 另外，對試料之SIL之設置方法，在第π圖中所示之構 造是使試料102之表面成爲試料觀察面120,但是並不只 限於此種構造。第I4圖表示本發明之試料觀察方法所使用 -37- 1328691 之固浸透鏡之構造和使用條件之另一實例。在該實例中， 對於作爲試料之砂基板102，使用同爲砂形成之SIL 101， 和使基板102之背面成爲試料觀察面ι2〇。 在此種構造中，使矽基板1〇2之指定部份作爲SIL 101 之下游側部份，與使表面成爲試料觀察面〗2 〇之情況同樣 的’可以觀察試料之像。此種觀察方法適用在例如以背面 觀察檢查半導體裝置之情況。 下面進一步的說明本發明之固浸透鏡和使用其之試料觀 察方法。 籲 第15圖表示本發明之固浸透鏡和試料觀察方法之另— 實施例。在本試料觀察方法中，對於成爲觀察對象之試料 1〇7(例如半導體裝置），使用由折射率nL之材質形成之SIL ·· ’作爲使來自試料1〇7之光像擴大之透鏡。該SIL ! -- 以軸Αχ作爲光軸，以具有點c爲球心之曲率半徑RL之球 面狀之光學面106作爲透鏡面。另外，在本實施例中，其 係數k之設定與第11圖之實施例相同。 在第15圖中，試料1〇7之與SIL106相反之面成爲觀察 鲁 面1 7 1 (例如半導體裝置之裝置面）。另外，對於該試料】07 、SIL 106被配置成在該試料1〇7側使平面狀之透鏡面密著 在試料107之背面172。其中，試料107之折射率爲ns， · 試料107之厚度爲ts。該厚度ts是從背面172到SIL 106 '· 之現實觀察面之觀察面171之沿著光軸Αχ之試料107之厚 -度。 在此種構造中，因爲使焦點對準在試料107之觀察面m -38- 1328691 ，所以SIL 106之沿著光軸Αχ之厚度成爲di^lU + kVIU/nc：) 。另外，在第Π圖之包含有從透鏡面160之球心C沿著光 軸Αχ向下側偏移kx(RL/nL)之點和與光軸Αχ大致正交之試 料觀察面170(0<k<l)，成爲試料107之折射率與SIL 106 之折射率nL相等時之假想之觀察面（從SIL 106之透鏡形狀 求得之向上看之觀察面）。 其中，從S I L 1 0 6之頂點到假想觀察面1 7 0之沿著光軸 Ax之距離，成爲第15圖所示之L = RL + kx(RL/nL)。該距離 L對應到利用SIL 1 06之透鏡面1 60之形狀所求得之焦點距 離。這時’SIL 106之厚度被設定成可以滿足dL = L-tsx(iu/ns) 。另外’在第15圖中，以實線表示通過SIL 1〇6和試料107 聚光到現實之觀察面171之光路。另外，在假定試料1〇7 之折射率與S I L 1 〇 6相.等之情況時，聚光到假想之觀察面 1 7 〇之光路以虛線表示。 在實施例之使厚度成爲dL = L- tsx(nL/ns)之SIL 106,和使 用其之試料觀察方法中，使用評估SIL 1〇6之幾何學像差 特性所設定之係數k，和考慮成爲觀察對象之試料丨〇7之 折射率ns和厚度ts，用來設定SIL 1 〇6之透鏡形狀。利用 此種方式’可以使觀察可使用之視野變廣，而且可以良好 的觀察試料107之所希望之觀察部位。其中係數k之選擇 與第1 1圖所示之實施例相同。另外，對於厚度ts，在第 15圖中因爲以試料107之與SIL 106相反側之面作爲觀察 面171 ’所以試料107之厚度ts保持不變，但是當觀察面 被設定在試料i 07之內部時，亦可以使至該觀察面之試料 -39- 1328691 之厚度成爲ts。 第1 6圖表示試料之厚度和s丨[之厚度之相關性之—實例 。在該圖形中’橫軸表示試料1〇7之厚度ts(mm)，縱軸表 示SIL 106之厚度dL(mm)。在該圖形中，SIL丨〇6之折射 率成爲nL=3.1(材質（GaP)，試料1〇7之折射率成爲ns = 3.5 (材質Si)’ SIL 106之曲率半徑成爲RL = 〇_5mm。另外’圖 形A 1表示係數k = 0.8 0時之相關性，a 2表示k = 0.6 0時， A3表示k = 0.40時，A4表示k = 〇.20時。SIL 106之厚度Rl 依照各個之材質或係數k之値等，被設定成爲如第16圖之 圖形所示之實例之方式。 下面檢討上述之固浸透鏡和試料觀察方法中之係數k之 設定。一般在希望使觀察之視野變廣之情況時，如上述之 k = 0.6之實例，最好使係數k成爲0.5<k<0.7之範圍內之値 。這時，可以以固浸透鏡之像面特性實質上爲平坦之條件 進行觀察。例如，在使用來自單色雷射之雷射光進行觀察 之情況時，不會有色像差之問題，可以以使視野變廣之方 式設定係數k。 另外一方面，在必需考慮到固浸透鏡之球面像差或色像 差之情況時，如上述之k = 0_3之實例，最好使係數k成爲 0<kS〇.5之範圍內之値。這時’可以以固浸透鏡之球面像 差，色像差實質上被減小之條件進行觀察。對於此種係數 k之較佳範圍，在第11圖所示之構造和第15圖所示之構 造均相同。 第1 7 A圖和第]7 B圖是側面圖’（A)表示係數k較小之情 -40- 1328691 況時之光之聚光’和（B)表示係數k較大之情況時之光之聚 光。如該等之第17A圖和第17B圖所示，在將係數k設定 成較小之情況時，例如將k設定在上述之〇 <k S 0.5之範圍 內之情況時，當與係數k較大之情況比較，來自SIL之光 之光路變寬》在此種情況，組合到S IL之物鏡最好選擇開 口數NA較大者。
第1 8圖之圖形表示SIL之係數k之値，和物鏡所需要之 開口數N A之相關性之一實例。在該圖形中，橫軸表示SIL 所設定之係數k，縱軸表示物鏡之開口數N A。在該圖形中 ，SIL 106之折射率成爲nL = 3.5(材質Si)。另外，圖形B1 表示SIL之光軸上之到達NA爲3.0時之物鏡之必要NA， B2表示SIL之光軸上之到達NA爲2.5時之物鏡之必要NA 。另外，在該圖形中，與係數k之値對應之SIL之倍率， 利用圖形B 6合併顯不。
如該等之圖形B 1、B 2所示，到SIL之到達N A變大時， 物鏡之必要NA亦隨著變大。另外，當SIL之到達NA爲一 定之情況時，如有關第17A圖和第17B圖之上述說明，當 係數k之値變小時，物鏡之必要之n A就變大。因此，在 設定SIL之係數k之値，需要考慮到與物鏡之組合。 另外’第19圖之圖形表示SIL +試料之厚度和SIL之光 軸上之到達N A之相關性之一實例。在該圖形中，橫軸表 不SIL +試料（Si基板）之從SIL預點起之厚度（mm)，縱軸表 示SIL之光軸上之到達να。在該圖形中，使SIL之曲率半 徑成爲RL = 〇.5mm，物鏡之ΝΑ成爲0.76。另外，圖形C1 -41- 1328691 表示SIL之材質爲Si時之到達ΝΑ，C2表示SIL之材質爲 GaP時之到達NA。依照此種方式，在使物鏡之NA成爲一 定之情況時，隨著SIL +試料之厚度之變大使到達NA變大。 實際上，SIL和物鏡之NA可以依照具體之構造適當的選 擇，例如SIL之到達NA成爲2.5〜3.0之程度，物鏡之NA 爲〇 . 7 6之程度。另外，物鏡可以使用通常之物鏡，其倍率 例如成爲5 0倍之程度。 另外，以使色像差被減小之方式，當將k設定在上述之 〇<k $ 0.5之範圍內時，最好構建成可以在物鏡側校正該幾 何學像差特性。此種物鏡使用第2 0圖之側面剖面圖所示之 構造之物鏡。該物鏡1 〇 5之透鏡群由沿著光軸配置之第1 透鏡群151和第2透鏡群152之2個透鏡群構成。另外， 該等之透鏡群1 5 1、1 5 2之間隔u隨著被設在物鏡1 〇 5之外 周部之校正環（圖中未顯示）之旋轉可以進行變化。經由使 用此種構成之物鏡1 〇 5，可以在物鏡1 0 5側校正幾何學像 差特性（例如球面像差）。 另外，在將此種具有校正環之物鏡與SIL組合的使用之 情況時，最好將係數k設定在可以利用物鏡之校正環校正 SIL之球面像差之範圍。例如，在第20圖之構造之物鏡’ 當SIL之折射率爲nL = 3.1，曲率半徑爲RL = 0_5mm，試料之 折射率爲ns = 3.5時，假如試料之厚度爲ts = 0.03mm程度’ 可以以〇<k<〇.4之程度校正球面像差，假如ts = 〇.15mm程 度，可以以〇<k<〇.2之程度校正。 另外，亦可以將係數k設定在〇 . 7 $ k < 1之範圍內。在此 -42- 1328691 種情況，可以與低N A之物鏡組合。但是，在通常之物鏡 中，因爲會發生大的色像差，所以在單色雷射光以外之用 途，需要使用專門設計之物鏡。 本發明之固浸透鏡和顯微鏡可以利用作爲位置控制容易 ，而且可以使高NA之光束通過，和觀察對象物及其本身 不會有破損之慮之固浸透鏡及使用其之顯微鏡。 另外，評估固浸透鏡之幾何學像差特性，以滿足指定條 件之方式設定係數k(0<k<l)，以包含有從固浸透鏡之球面 狀之光學面之球心沿著光軸向下側偏移kxih/ru)之點和 與光軸大致正交之面作爲試料觀察面，在此種固浸透鏡和 觀察方法之情況時，可以使觀察可用之視野變廣，可以使 用固浸透鏡良好的觀察試料之像。另外，在考慮到試料之 折射率ns和厚度ts設定透鏡形狀之情況時，可以良好的觀 察試料之所希望之觀察部位。 (五）圖式簡單說明 第1A圖和第1B圖表示將本實施例之固浸透鏡安裝在半 導體基板之狀態’第1 A圖是側面圖，和第1 B圖是背面圖。 第2圖是具有本實施例之固浸透鏡之半導體檢查裝置之 方塊構造圖。 第3A圖和第3B圖表示固浸透鏡和半導體裝置之密著狀 態，第3 A圖是側面圖’和第3 b圖是正面圖。 第4A圖是本實施例之固浸透鏡和半導體裝置之間之擴 大剖面圖，第4B圖是先前技術之固浸透鏡和半導體裝置之 間之擴大剖面圖。 -43-
1328691 第5A圖和第5B圖表示使光從半導體裝置傳達到固浸透 鏡之狀態，第5A圖是側面圖，和第5B圖是正面圖。 第6圖是側面圖，用來表示實驗1之實驗方法之實施例。 第7圖是側面圖，用來表示實驗2之實驗方法之實施例。 第8圖表示固浸透鏡之底面之曲率半徑，和與觀察對象 物密著時之必要壓力之關係。 第9圖表示先前技術之固浸透鏡之構造和使用條件之一 實例。 第1 〇圖表示先前技術之固浸透鏡之構造和使用條件之 另一實例。 第11圖表示本發明之試料觀察方法所使用之固浸透鏡 之構造和使用條件。 . 第12圖表不假想光學系》用來評估第11圖所示之固浸 透鏡之幾何學像差特性和色像差特性。 第13圖之圖形表示使用第12圖所示之假想光學系所評 估得之固浸透鏡之特性。 第14圖表示本發明之試料觀察方法所使用之固浸透鏡 之構造和使用條件之另一實例。 第15圖表示本發明之固浸透鏡和試料觀察方法之另一 實施例。 第16圖之圖形表示試料之厚度和SIL之厚度之相關性之 一實例。 第I7A圖和第17B圖是側面圖，第17A圖表示係數k較 小之情況時之光之聚光’和第1?B圖表示係數k較大之情況 -44- 1328691 時之光之聚光。 第18圖之圖形表示SIL之係數k之値和物鏡所需要之開 口數NA之相關性之一實例。 第19圖之圖形表示SIL +試料之厚度和SIL之光軸上之 到達NA之相關性之一實例。 第2 0圖是側面剖面圖，用來表示物鏡之構造》 主要部分之代表符號說明 1 顯微鏡
2 球狀部 3 底面部 4 半導體基板 5 光學系
10 半導體基板 16 檢查部 18 載物台 20 物鏡 3〇 固浸透鏡驟動部 S 半導體裝置 -45-
Claims (1)
1328691 第093107482號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99年4^) Y v 拾、申請專利範圍： 1.-種固浸透鏡，被安裝錢㈣象物，並且對於包含有 被射入來自該觀察對象物之光之物鏡並引導該觀察對 象物之圖像之光學系’配置於自該觀察對象物至該光學 系之光秘上，用來該觀察對象物之觀察，其特徵是具備： 球狀部；及 底面部，其成為對該觀察對象物之安裝面；且 對該觀察對象物之該安裝面形成環形形狀。 2.如申請專利範㈣i項之固浸透鏡，其中當設定該觀察 對象物之被安裝面為Χ·γ平面時，該環形形狀之χ方 向之曲率半徑，和比該Χ方向之曲率半徑大之γ方向 之曲率半徑之比例成為1 : 3〜1 . 〇〇。 其中對該觀察對象 3.如申請專利範圍第丨項之固浸透鏡 物之安裝面形成圓筒形狀。 4·如申請專利範圍第I項之固浸透鏡. 其中對該觀察對象 物之女裝面被施加過親水處理 5.如申請專利範圍第〗項之固浸透鏡，其中 該固浸透鏡由折射率nL之材質形成具有曲率半經& 之球面狀之光學面，當該觀察對象物之折射率等於折‘ 率以時，沿著至假想觀察面之頂點的料之距離，依昭 被設定成使幾何學像差特性可以滿足指定條件之係數 k ( 〇 < k < 1 )，成為 L = Rl + k χ ( & / ;和 當使該觀察對象物之折射率成為ns，至現實之觀 之該觀察對象物之厚度成為tsBf1著該光轴之厚度可 J 23553-claim-990402.doc ^^8691 以滿足 dL = L - ts χ (nL / ns)。 6.如申請專利範圍第5項之固浸透鏡，其中至該現實之觀 察面之該觀察對象物之厚度成為ts=〇，沿著該光軸之厚 度成為 dL = L = RL + k X (RL / nL)。 入如申請專利範圍第5項之固浸透鏡，其中該係數k是 〇·5 <k<0.7之範圍内之值。 8.如申請專利範圍第5項之固浸透鏡，其中該係數k是〇<让 客〇·5之範圍内之值。 9_ —種顯微鏡，用來觀察該觀察對象物，其特徵是具備有： 光學系，包含有被射入來自該觀察對象物之光之物鏡 ，用來引導該觀察對象物之圖像；和 配置於自該觀察對象物至該光學系之光轴上之如申請 專利範圍第1項之固浸透鏡。 10.如申請專利範圍第9項之顯微鏡，其中更具備有用以於 該規察對象物之觀察位置滴下光學結合材料之光與結 合材料滴下裝置，.用來供給光學結合材料。 干、’σ 123553-claim-990402.doc
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003078819 | 2003-03-20 | ||
| JP2003146620 | 2003-05-23 | ||
| JP2003373059 | 2003-10-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200502575A TW200502575A (en) | 2005-01-16 |
| TWI328691B true TWI328691B (en) | 2010-08-11 |
Family
ID=33033084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW093107482A TWI328691B (en) | 2003-03-20 | 2004-03-19 | Solid immersion lens and microscope |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7423816B2 (zh) |
| EP (1) | EP1612590A4 (zh) |
| JP (1) | JP4536654B2 (zh) |
| KR (1) | KR101083871B1 (zh) |
| TW (1) | TWI328691B (zh) |
| WO (1) | WO2004083929A1 (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4643994B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2011-03-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固浸レンズホルダ |
| JP4577023B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2010-11-10 | ソニー株式会社 | ソリッドイマージョンレンズ、集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法 |
| JP5001075B2 (ja) | 2007-06-20 | 2012-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 観察装置及び方法 |
| US8189089B1 (en) | 2009-01-20 | 2012-05-29 | Adobe Systems Incorporated | Methods and apparatus for reducing plenoptic camera artifacts |
| JP5364452B2 (ja) | 2009-06-03 | 2013-12-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | イマージョンレンズ支持装置 |
| US8817015B2 (en) | 2010-03-03 | 2014-08-26 | Adobe Systems Incorporated | Methods, apparatus, and computer-readable storage media for depth-based rendering of focused plenoptic camera data |
| US8767199B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-07-01 | Infrared Laboratories, Inc. | Inspection system utilizing solid immersion lenses |
| US9030550B2 (en) * | 2011-03-25 | 2015-05-12 | Adobe Systems Incorporated | Thin plenoptic cameras using solid immersion lenses |
| CN107076957B (zh) * | 2014-09-26 | 2019-06-25 | 浜松光子学株式会社 | 固体浸没透镜保持器及图像取得装置 |
| DE102017119093A1 (de) * | 2017-08-21 | 2019-02-21 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Immersionsmikroskopie |
| DE102017119095B4 (de) | 2017-08-21 | 2025-02-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Mikroskopobjektiv und Mikroskop mit einem solchen Objektiv |
| JP7025280B2 (ja) * | 2018-05-08 | 2022-02-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | メタレンズユニット、半導体故障解析装置、及び半導体故障解析方法 |
| US11403884B2 (en) * | 2019-01-16 | 2022-08-02 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Anti-spoofing face ID sensing |
| JP7554052B2 (ja) * | 2020-01-31 | 2024-09-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体故障解析装置 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2809554A (en) * | 1954-07-16 | 1957-10-15 | Zeiss Carl | Microscope objective with low magnification for epi-microscopes |
| JPH0123442Y2 (zh) * | 1979-04-23 | 1989-07-19 | ||
| DD215640A1 (de) * | 1983-05-02 | 1984-11-14 | Zeiss Jena Veb Carl | Frontlinsengruppe fuer immersionsmikroskopobjektiv in hd-ausfuehrung mit hoher apertur |
| US5004307A (en) * | 1990-04-12 | 1991-04-02 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Near field and solid immersion optical microscope |
| US5208648A (en) | 1991-03-11 | 1993-05-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and a method for high numerical aperture microscopic examination of materials |
| US5220403A (en) * | 1991-03-11 | 1993-06-15 | International Business Machines Corporation | Apparatus and a method for high numerical aperture microscopic examination of materials |
| US5125750A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-30 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Optical recording system employing a solid immersion lens |
| JP2765427B2 (ja) | 1993-04-13 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置 |
| US5422498A (en) * | 1993-04-13 | 1995-06-06 | Nec Corporation | Apparatus for diagnosing interconnections of semiconductor integrated circuits |
| JPH0718806A (ja) | 1993-07-02 | 1995-01-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 屋外用ステップ構造 |
| US6002792A (en) * | 1993-11-16 | 1999-12-14 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor device inspection system |
| JP3478612B2 (ja) | 1993-11-16 | 2003-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体デバイス検査システム |
| JPH08315404A (ja) | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Sony Corp | 光学ピックアップ装置 |
| US5729393A (en) * | 1996-04-03 | 1998-03-17 | Digital Papyrus Corporation | Optical flying head with solid immersion lens having raised central surface facing medium |
| JPH113534A (ja) | 1997-04-14 | 1999-01-06 | Toray Ind Inc | 光記録装置および光記録媒体 |
| EP0977192A4 (en) | 1997-04-14 | 2000-11-15 | Toray Industries | OPTICAL RECORDING DEVICE AND OPTICAL RECORDING MEDIUM |
| US5939709A (en) * | 1997-06-19 | 1999-08-17 | Ghislain; Lucien P. | Scanning probe optical microscope using a solid immersion lens |
| JPH11203711A (ja) | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Canon Inc | 高開口数光学系及びそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
| JPH11202194A (ja) | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Canon Inc | 高開口数光学系及びそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
| US6496468B2 (en) * | 1998-05-29 | 2002-12-17 | Terastor Corp. | Beam focusing in near-field optical recording and reading |
| JP2000011423A (ja) | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Canon Inc | 情報記録再生光学系 |
| JP3972484B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2007-09-05 | コニカミノルタオプト株式会社 | 固浸レンズ |
| JP2000121930A (ja) | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 固体浸レンズを用いた結像光学系並びにこの結像光学系を用いた光ディスク記録再生装置および顕微鏡 |
| US6441359B1 (en) | 1998-10-20 | 2002-08-27 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Near field optical scanning system employing microfabricated solid immersion lens |
| JP3997029B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | 光検出または光照射用のプローブ及びその製造方法 |
| US6687058B1 (en) * | 1999-06-21 | 2004-02-03 | The Trustees Of Boston University | Numerical aperature increasing lens (nail) techniques for high-resolution sub-surface imaging |
| JP2001023230A (ja) | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Nikon Corp | 光ヘッド及び光記録再生装置 |
| US6714499B2 (en) * | 2000-01-27 | 2004-03-30 | Tosoh Corporation | Flying optical recording/playback head and method for controlling the flying height |
| US6301055B1 (en) * | 2000-08-16 | 2001-10-09 | California Institute Of Technology | Solid immersion lens structures and methods for producing solid immersion lens structures |
| US6781926B2 (en) * | 2000-10-10 | 2004-08-24 | Hitachi Maxell, Limited | Magneto-optical head having heat sink layer |
| JP3602465B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2004-12-15 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体装置の評価解析方法及び半導体装置の加工装置 |
| US20020089758A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Optical component thickness adjustment method, optical component, and position adjustment method for optical component |
| JP2002236087A (ja) | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Minolta Co Ltd | 光学系調整方法、並びにその光学系調整方法を利用した光記録再生装置、顕微鏡装置及び加工装置 |
| JP2003130781A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-08 | Ricoh Co Ltd | 光プローブ及び光ピックアップ装置 |
| JP2003141768A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Ricoh Co Ltd | 光プローブ及び光ピックアップ |
| US6621275B2 (en) | 2001-11-28 | 2003-09-16 | Optonics Inc. | Time resolved non-invasive diagnostics system |
| US6594086B1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-15 | Optonics, Inc. (A Credence Company) | Bi-convex solid immersion lens |
| US6683724B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-01-27 | Eastman Kodak Company | Solid immersion lens array and methods for producing a solid immersion lens array |
| AU2003218274A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-19 | Seagate Technology Llc | Heat assisted magnetic recording head with a planar waveguide |
| WO2004083930A1 (ja) * | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | 顕微鏡及び試料観察方法 |
-
2004
- 2004-03-19 TW TW093107482A patent/TWI328691B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-19 WO PCT/JP2004/003733 patent/WO2004083929A1/ja not_active Ceased
- 2004-03-19 JP JP2005503754A patent/JP4536654B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-19 US US10/804,194 patent/US7423816B2/en active Active
- 2004-03-19 EP EP04722001A patent/EP1612590A4/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-09-20 KR KR1020057017614A patent/KR101083871B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200502575A (en) | 2005-01-16 |
| KR20050107817A (ko) | 2005-11-15 |
| JP4536654B2 (ja) | 2010-09-01 |
| KR101083871B1 (ko) | 2011-11-15 |
| US7423816B2 (en) | 2008-09-09 |
| JPWO2004083929A1 (ja) | 2006-06-22 |
| EP1612590A1 (en) | 2006-01-04 |
| US20070183057A1 (en) | 2007-08-09 |
| EP1612590A4 (en) | 2011-05-04 |
| WO2004083929A1 (ja) | 2004-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI328691B (en) | Solid immersion lens and microscope | |
| CN100529831C (zh) | 固浸透镜和显微镜 | |
| JP4937255B2 (ja) | 反射屈折光学系におけるレーザ暗視野照明のビーム送出システム | |
| CN105628655B (zh) | 一种基于表面等离子体共振的光学显微镜 | |
| US20080137064A1 (en) | Sample observation method, microscope, and solid immersion lens; optical contact liquid used in the method | |
| JP5529729B2 (ja) | 広帯域顕微鏡法に使用するための浸液を用いる反射屈折顕微鏡対物レンズ | |
| US20050179997A1 (en) | Microscope and immersion objective lens | |
| WO2009154731A2 (en) | External beam delivery system using catadioptric objective with aspheric surfaces | |
| TW200538719A (en) | Microscope and sample observation method | |
| CN113125437B (zh) | 基于光学干涉散射显微技术的检测系统和方法 | |
| CN107209354A (zh) | 观察装置 | |
| US9989862B2 (en) | Optical system for producing lithographic structures | |
| TW200525176A (en) | Solid immersion lens moving device and microscope using the same | |
| JP6954646B2 (ja) | ナノカプセルの集積方法 | |
| US7636164B2 (en) | Device having a field mirror for optically testing a surface | |
| US20050063046A1 (en) | Sample observation method, microscope, and solid immersion lens, optical contact liquid used in the method | |
| CN102944533B (zh) | 一种便携式中心遮拦结构杂散光检测装置 | |
| JP2021124446A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
| JP5248903B2 (ja) | ライン照明装置およびライン照明方法および光学検査装置および光加工装置 | |
| JP2014006314A (ja) | 異物除去装置及び異物除去方法 | |
| JP2006011075A (ja) | 固浸レンズ | |
| CN120826600A (zh) | 流设备中的改进或者与流设备相关的改进 | |
| Wang et al. | Oblique illumination line confocal imaging with adjustable aperture for wafer defect detection | |
| JP2002323405A (ja) | 光学特性測定方法、光学特性測定装置、及び露光装置 | |
| JP2014219253A (ja) | 異物検出装置及び方法、並びに露光装置及び方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |