TWI328255B - Etching bias reduction - Google Patents

Description

1328255 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種蝕刻方法，且特別是的一種利 用犧牲特徵以減少姓刻偏差之方法。 【先前技術】 在半導體科技中’餘刻製程中產生的一些「效應」 *會V致關鍵尺寸（critical-dimension ; CD)變異。這些 效應舉例而言，包含有圍繞在主要圖案周圍之最接近的 間距所產生之「近接效應」（proximity effect)，以及與 開放區域與非開放區域之比率有關的「負載效應」 (loading effect)。這些效應將造成隔離（is〇lated)圖案及 密集圖案不同地改變。舉例而言，其造成關鍵尺寸變異 之結果可高達20奈米。 容 内 明 發 因此本發明的目的就是在提供一種半導體晶圓的 製ie方法，用以製造一減少關鍵尺寸變異的半導體晶 圓。 -、 b曰 本發明的另一目的是提供一種利用犧牲特徵的触 刻方法’用以減少蝕刻製程中之蝕刻偏差。 根據本發明之上述目的，提出一種圖刻裝置，此圖 刻裝置可將一圖案實現於一基板，包含有一定義於基板 上方層之主要圖案特徵，一定義於基板上方層之犧^ 5 ^^255 西=，犧牲圖案特徵具有一尺寸小於一㈣偏差，且 至主要特徵近處。且蝕刻製程可將一主要圖案特徵 轉移至-下方層’使犧牲圖案特徵調整主 =刻行為，並使其自下方層消除。其中，上方層包: -積=&基板包含—半導體材料。主要圖案特徵包含 特徵包含一=特：製主程包含一乾式姓刻。主要圖案 隔離特徵。主要圖案特徵 :段犧—牲圖案特徵包含-特徵，係選自於由—直線離： 半導卜方料列及其組合所構成之群組。基板包含-導體日日圓。基板亦可為一光罩。 :發明之另一態樣係為一光罩’用以製 =尺寸變異的半導體晶圓。光罩包含有1義於奇 板之第—特徵，以及一定義於光罩 土 ΙΓΓ 於距第—特徵—距離處，且具有-較小 -同轉i得犧牲特徵可隨著第一特徵在-微影製程中， =移至何體日日日圓之—光阻層，並使 束後被消除。上述之定義於基板之光罩包含有2 區以及—透光區。 卓匕3有—吸光 案的=發日月之又'4樣係為—種補償㈣偏差至-圖 上方層法。此方法包含產生圖案以及犧牲特徵於基板之 基:並上方層下方之基板，以將圖案轉= 牲特徵之方=特徵。上述之產生圖案以及犧 影光阻；，夢產光一基板上之光阻層，以及顯 '错以產生圖案及犧牲特徵於光阻層。上述之 6 1328255 曝光一光阻層之步驟包含直射一輻射 beam)於光阻層。 latl〇n 離子所組成之群組。 電子以及 本發月之再一態樣係為一種設計 積體電路圖案之方法，此方法包含自一藉：：牲特徵之 :資料，以及產生-基於積體電路圖案之犧牲特徵： 中犧牲圖案具有一尺寸小於，製程…刻偏 f.’以轉移積體電路圖案至—基板。犧牲特徵係定義為 近於積體電路圖案之一隔離特徵。犧牲特徵係定義為 鄰近於積體電路圖案之—半隔離特徵。犧牲特徵係定義 於積體電路圖案之一開放區域，且此開放區域具有一高 蝕刻負載。上述之產生犧牲特徵之步驟，包含提供犧牲 特徵之位置、外形、g廿·、士 A a & # 卜形尺寸方向及與其他特徵間之距離。 .，本發明之減少蝕刻偏差的方法，可藉由設計一具有 適當犧牲特徵的圖案，以減少在圖刻製程中，由近接效 應及/或蝕刻負載效應所產生的蝕刻偏差，以降低一晶圓 之關鍵尺寸變異。 【實施方式】 以下將以圖式及詳細說明清楚說明本發明之精 神，如熟悉此技術之人員在瞭解本發明之較佳實施例 後，當可由本發明所教示之技術，加以改變及修飾其 並不脫離本發明之精神與範圍。 第1圖係繪示一實施例中具有犧牲特徵的圖案i 〇〇 7 1328255 的上視圖。圖案100可應用於製造一光罩或是一半導體 晶圓。此光罩（mask或reticle)可為一傳統的光罩，包 含有一透光基板以及一吸光層覆蓋於其上。此透光基板 可使用相對較無缺陷的熔融氧化矽（Silica ; Si〇2)、敗化 鈣（calcium fluoride) ’或是其他合適的材料。此吸光層 可藉由複數次的加工與多種材料來產生，例如用鉻和氧 化鐵所沉積而成的金屬層’或由二矽化鉬（M〇Si)、石夕酸 錯（ZrSiO)、氮化矽（SiN)及/或氮化鈦（TiN)所構成的無 機層。吸光層可被圖刻’以具有一或多個開口，使光線 可不被吸收地通過，且具有一或多個吸光區，使光線可 完全或局部地被遮蓋。此光罩可更包含其他層，例如反 反光覆蓋層（anti-reHection coating layer)以及附著層 (adhesion layer)。光罩可設計為合併其他技術，例如相 移式光罩（phase shift mask ; PSM)，及光學近接修補 (optical proximity correction ; 〇pc)。此半導體晶圓（或 晶圓）可具有一半導體基板，包含一元素半導體、一化 5物半導體，及/或一合金半導體。舉例而言，晶圓可 具有一矽基板。半導體晶圓可更包含複數個摻雜部位在 其中，以及複數個圖刻導電與介電結構在其中或其上。 上述之圖案100可包含主要特徵110，其包含有， 例如是，一電路特徵110a、110b、110c(構成主要特徵 110)。圖案100更包含一犧牲特徵12〇，配置於鄰近主 要特徵11 0處。在一實施例中，圖案i 〇〇係形成在一半 導體晶圓或一光罩上之一圖刻光阻層（patterned 8 1328255 photoresist layer)。另一實施例中，圖案1〇〇可為一圖 刻硬式光罩層（patterned hard mask layer)，如形成於_ 半導體晶圓上之一氮化矽層。在此實施例中，犧牲特徵 120被設計為具有一尺寸小於蝕刻製程之—蝕刻偏 差’以將主要圖案100轉移至一下方層。 為使接下來揭露之敘述更容易明瞭，以一晶圓作為 實施例。在此實施例中，圖案100的犧牲特徵係應用於 製造半導體晶圓。在圖刻晶圓的蝕刻製程中，上述之犧 牲特徵係設計為用來減少或消除晶圓上的關鍵尺寸變 異。在此實施例中，利用一光罩以將一圖案轉移至晶圓 上。 在圖刻一半導體晶圓的製程中’可執行一姓刻製 程，如乾式蝕刻。此蝕刻製程可為非等向蝕刻，以實質 性地垂直蝕刻。然而，此蝕刻製程中可仍具有一橫向蝕 刻速率。此外，此橫向蝕刻速率可為圖案相關。蝕刻速 率係決定於圖案係位於局部區域之内部，及/或其周 圍，如第2a圖至第2d圖之複數個實施例所示。因此， 經由蝕刻製程轉移至下方層的圖案會失真。圖案的關鍵 尺寸變異可使其偏離規格。舉例而言，蝕刻相關圖案失 真的原因可包含—微（巨）負载效應（micr〇(mac叫 loading effect)，其中蝕刻速率決定於一局部（或總體） 蝕刻負載，蝕刻負載的定義係為將被蝕刻掉的區域，與 將被留下來的區域（開放區域和非開放區域）之比值。第 以圖係繪示一圖案具有一突起直線210,致使其具有較 9 1328255 南之钮刻負載。第2d圖传且古办如# ^ ^ ^ 回係具有犬起特徵240、244、246 致使其具有較低之姓刻g澈 . Φ , ^ ^ 蚀到員載。在其他實施例 興敍刻相關的圖案失直的斥囿 φ4, Λ 一旳原因可包含近接效應，其 餘刻速率決定於特徵間 ^ a . <间此第2b圖係繪示一圖 :::-突起直線220’與配置於鄰近直線22〇之另外

一 ®安線224、226 ’且其間距皆為S1。第2c圖係繪示 圖案具有一突起直線U ，、配置於鄰近直線230之

另外兩條直線234、236，且复問w比* 。 且头間距皆為S2，又S2比 S1大〇 ^犧牲特徵I20可被合併至主要特徵110,且具有適 形狀尺寸方位，以協調微（或巨）钱刻負載與 間距，並實質性地減少微（及/或巨）敍刻負載以及近 接效應，且在圖刻一晶圓的蝕刻製程中，可有效地進行 關鍵尺寸控制》

尺寸，如一寬度小於一 一微影製程，包含曝光 犧牲特徵120可具有至少一 餘刻偏差’使得犧牲特徵可藉由 且在之後可藉由一蝕刻 比’ 一犧牲特徵可被合 及顯影，產生在上述之晶圓上， 製程將犧牲特徵蝕刻移除。因 併，以抵消與蝕刻圖案相關（etching_pattern_related^ 效應，而不在一晶圓上留下足跡。舉例而言，一橫向蝕 刻於覆有一圖刻光阻層之晶圓，可轉移一光阻定義 (photoresist-defined)圖案至一下方層，且此直線的寬度 可因一偏移而被縮小，此偏移也就是指—蝕刻偏差。蝕 刻偏差係為一與蝕刻圖案相關的因素，且可隨著位置不 1328255 同而改變。犧牲特徵 „ , ㈣I2G具有—尺寸小於-局部蝕刻偏 差，且在蝕刻製程結束之後消失。 在一實施例中，—BfH爱女 土 β « . 日日圓覆有一光阻層。此光阻層可 被曝光以產生一圖安，L Β β + |4# 圖案例如疋具有犧牲特徵12〇之 100°接耆’當犧牲特徵12G自此下方層被姓刻移除時^ 圖刻光阻層之下方層會被#刻，以自圖刻光阻層轉移主 要圖案"0,且犧牲特徵12〇具有至少一尺寸小於此敍 刻偏差（特別係一局部蝕刻偏差卜 SM光阻層的方法可不限於—傳統之微影方法，其 利用光罩進行光學曝光。此圖刻方法可藉由其他合適 的方法施行或取代，如無光罩微影（maSkless

Ph〇t〇llth〇graphy)、電子束寫人⑽ct譲-beam writing)、離子束寫入（ί〇ηΐ)_ Μ — )及分子銘刻 (―ar imprint) ’只要此預定圖案具有犧牲特徵 120。右一微影製程中’有使用光罩以曝光-晶圓，則 具有犧牲特徵12G之圖t丨⑼亦可形成於光罩。圖案 〇〇可儲存於一檔案中，並用作一圖案來源，以藉由其 他微〜方法’如無光罩微影，將其轉移至—晶圓。 上述之具有犧牲特徵12〇之圖案1〇〇可不限於一光 阻層。其可形成於1刻中止層（etehing叫 ESL)舉例而吕，氮化石夕可被沉積於一晶圓上，以形 成姓刻中止層，且被圖刻以具有犧牲特徵120。接 著’此圖刻㈣中止層被用作—硬式光罩，以藉由一钱 刻製私將主要圖案11〇轉移至_下方層，其中犧牲特徵 12〇係用來減少與圖案相 近接效應）m刻製程έ之餘刻效應（如貞載效應及 便被消’降。 參照第3a圖至第3f ^ ^ 牲特Iθ 胃战 _，係繪示不同實施例中其犧 任符徵之上視圖。犧牲特 33圖所示之-直線31。。犧牲不：於一直線特徵，如第 ⑽(第3b圖)、一正方形乃：特徵120可包含-線段 —多 巾（或矩形）陣列330(第3c圖）、 夕邊形縱列34〇(第3d 圖）、客# μ 圖）、—分散條狀350(第3e 圃）夕種幾何特徵所構成夕隹人 4 ^ έ0 ^ ^ 苒成之集合360(第3f圖），及/ 4其組合。在此實施 合之外型，。要| , 犧牲特徵120可包含其他適 夢程〇 母—個犧牲特徵皆具有-尺寸小於姓刻 =之一餘刻偏差’以轉移-主要圖案至一下方層。 之 圖，係繪不實施例中不同圖案 見圖，其甲每—他| 安 fch A* a 月 個圖案白包含至少一主要特徵，以 犧牲特徵合併於其中。如第4a圖所示，一圖 /、匕3 隔離主要拉外/11/: - 要特徵416,以及兩犧牲特徵412及414 以合適距離，配置於 於主要特徵兩側。另-實施例中，- 特3 _隔離主要特徵’以及多於—個配置於主要 含二隔：之犧牲特徵。舉例而言’第#圖中之圖案包 之滕紐主要特徵429,以及配置於主要特徵429 —侧 -側之特徵422與424,以及配置於主要特徵429另外 (或稱Λ牲特徵426與似。一主要特徵可為部分隔離 此主要搞離），且具有至少一犧牲特徵配置於鄰近 應❶舉例徵處，以實質性地減少與圖案相關的蝕刻效 分而言，犧牲特徵432及434係配置於一部分隔 12 離特徵436周圍’如第4c圖所繪示。另一實施例中， =第4d圖所示，犧牲特徵444、446及448配置於一部 刀隔離主要特徵442周圍。一犧牲特徵亦可應用於一開 放區域’以實質性地減少巨蝕刻負載效應。又一實施例 中，如第4e圖所示，犧牲特徵454配置於鄰近一主要 圖案452之一開放空間，其中此犧牲特徵454包含與第 3 a圖之直線3丨〇相似之複數個直線。再一實施例中， 如第4f圖所示，犧牲特徵464配置於鄰近一主要圖案 462之一開放空間，其中此犧牲特徵包含與第 圖中之陣列330相似之一矩形陣列。 參照第5圖，係繪示一犧牲特徵之設計方法 以及—施行犧牲特徵之方法505之流程圖。方法5〇〇 係始於一步驟510,其係從主要特徵中萃取資料。次— 步驟520,不同的犧牲特徵係利用不同的方法被產生以 及配置，如一基於規則方法（rule_based meth〇d)與—基 於模組方法（model-based method)。基於規則方法可二 用預定且標準之犧牲特徵，如矩形，並將其依合適之位 置、距離、密度及方位配置。基於模組方法可產生具有 適當外形、尺寸、位置、距離及密度之合適犧牲特徵， 以局部地及/或整體地改變此蝕刻圓案，使得圖案相關 蝕刻效應以及其所引發之關鍵尺寸變異被實質性地減 少。在步驟530中，方法5〇〇係使用_試誤法 以使犧牲特徵完美化，並使上述之關鍵尺 寸變異最小化。因此，此設計過的圖案可產生—磁帶輪 13 叫8255 出棺案（taPe__ file)，用以製造 庶用户 光罩’且此光罩更 …在—微影製程以製造晶圓，如α t、t 述。式去圓如以下方法505所詳 次者，此設計過的圖案可形成一眘 他方达*杜 貧料庫’以藉由其 直接圖刻一晶圓，如益光罩與旦/ 離子i宜λ …、尤罩微影、電子束寫入、 卞束寫入，及分子銘刻。 :移犧牲特徵之方法505係始於步驟 # ,. s θ ^ 滑 了在—光罩下被曝 至W、ΐ 圖案，包含至少-主要特徵U0以及 m寺徵12°。此圖案可與第I圖中之圖案〗〇。 ㈣，且可错由方法5〇〇設計。次一步驟Μ"，顯參 此光阻層，使得光阻層被圖刻，以/ # X HI Φ ^ ^ 圖案轉移自此 罩圖案。於次一步驟560中’當犧牲特徵在钱刻製程 後被蝕刻掉時，晶圓可在圖刻光阻層下被蝕刻，以轉移 主要圖案至-下方層之上。方法5〇5可更包含一標準微 影中所具有的其他製程步驟。一典型的微影製程可包含 光阻圖刻、蝕刻及光阻剝除。光阻圖刻可更包含光阻^ 蓋、軟烤、光罩對準、曝光、曝光後料、光阻顯影、 及硬烤等製程步驟。上述之微影圖刻彳藉由其他適合方 法施行或取代，如無光罩微影、電子束寫入、離子束寫 入、光學式寫入及分子銘刻。 第6a圖至第6c圖係繪示在不同製造階段中，—實 例圖案之上視圖，而第6d圖至第6f圖係顯示實例圖= 對應於各製造階段之關鍵尺寸特性圖，其中，此實例圖 案包含複數個主要特徵以及複數個犧牲特徵。其原始佈 1328255 局如第6a圖所示可為_本蓄菌安 ll u 主要特徵61G，J:包含有列橫# —罩圖案具有一 ㈣，1包人…; 以及另-主要特徵 "匕3有一呈扇形散開之複數橫條，且 徵610與620間形成不同距離。此原始圖案更= 犧牲特徵630，#包含有複數個橫條，每 寬度皆小於-姓刻偏差，並配置於主要特徵61〇\兩 側。第6d圖係顯示主要特徵㈣與㈣間 尺寸轡里#。a & , φ 雕之關鍵 :值备此光罩圖案上之原始佈局藉由一微影製 …3曝先及顯影，被轉移至一覆蓋於半導體晶圓上 二光阻層時，.曝光後檢查 a ter-devel〇pment_inspecti〇n ; Am)階段中光阻層之圖 案系如第6b圖所示，而第6e圖係顯示曝光後檢查中， 主要特徵6H)與㈣間距離之關鍵尺寸變異值；著藉 由-蝕刻製程’如乾式蝕刻，此光阻圖案更被轉移至晶 圓之一下方層。此光阻層在之後會被剝除。剝除後檢查 (after-str_ip_inspecti〇n ; ASI)階段之下方層圖案係如第 圖所示其中主要特徵610與620仍存留，但犧牲 特徵630則被蝕刻移除。第6f圖係顯示剝除後檢查中， 主要特徵61G與62G間距離之關鍵尺寸變異值。當犧牲 特徵630變更上述之間距以及蝕刻圖案密度時，由間距 變異所產生的關鍵尺寸變異可被實質性地減少。 相對地第7 a圖至第7 c圖係繒'示在不同製造階段 中，不具有犧牲特徵之圖案的上視圖，且第7d圖至第 7f圖係繪示此圖案對應於不同製造階段之關鍵尺寸特 15 1328255 性圖。第7a圖係一光罩上 本 原始圖案第7b圖係一 t曝光後檢查步驟中’其轉移至-光阻層之圖案。 牵二圖係在剝除後檢查步驟中，轉移至-下方層之圖 :增加第K圖中，此關鍵尺寸變異會隨著間距之增加 上二此’本發明揭露-種圖案結構，包含定義於基板 中犧牲特徵配置於距主要t 牲特徵’其 此土要特徵一距離處，且具有一 :蝕:’]製耘之一蝕刻偏差’藉由轉移主要特徵至一下 層^使犧牲特徵調整主要特徵之㈣行為，且自下方 一半方法中’上方層包含-光阻層。基板則包含 程包含-教積體電路圖案。姓刻製 特徴可勺人’7。要特徵可包含一隔離特徵。主要 :徵了包含一半隔離特徵。犧牲特徵包含—特徵，係選 自於由直線、線段、方形陣列，及盆 ：徵係選 基板係為-半導體晶圓或—光罩Y 5所構成之群組。 :發明更揭露一種具有犧牲特徵之 &一減少關鍵尺寸變異之半 襄 義於-光罩基板之一第：圓。光罩層可包含定 牲特η 1 士 * 特H義於光罩基板之-犧 中犧牲特徵配置於距第一特徵—距離處，且 父尺寸，使在—微影製程，犧牲特徵可产著第 -特徵被轉移至半導體晶圓之一光阻層，且：= 程，當第一特徵被轉移至 蝕x’il 導體日日圓時，犧牲特徵會被 16 1328255 消除。在此光罩佈局中，光罩基板上之犧牲特徵可 一吸光區域。犧牲特徵更可包含一透光區 本發明更揭露一種補償蝕刻偏差至—圖案之 法。此方法包含形成圖案以及一犧牲特徵於一基::方 層；以及蝕刻上方層下方之基板，以轉移此圖；： 牲特徵會自基板消除。

在上述之方法t，形成圖案以及犧牲特徵之步驟， 可更包含曝光-基板上之—光阻層，以及顯影光阻層 以形成圖案與犧牲特徵於光阻層。曝光光阻層之步驟3更 包含直射-輻射束至光阻層。此輻射束係選自於由光 子、電子，及離子所組成之群組。 本發明更揭露-種設計具有犧牲特徵之積體電路 圖案之方法。此方法包含自積體電路圖案萃取資料；以 及產生基於積體電路圖案之犧牲特徵’其中此犧牲特徵

具有一尺寸小於㈣製程中之_#刻偏差，以轉移積體 電路圖案至一基板。 在上述之方法中，犧牲特徵定義為鄰近於積體電路 圖案之一隔離特徵。犧牲特徵亦可定義為鄰近於積體電 路圖案之一半隔離特徵。犧牲特徵可更定義於積體電路 圖案上之一開放區力，且此開放區域具有一高蝕刻負 載。產生犧牲特徵的步驟可包含提供此犧牲特徵之位 置外形尺寸、方位，以及與其他特徵之距離。 上述之圖案及方法，可應用於圖刻一減少關鍵尺寸 變/、之a曰K然而’—相似的圖案或方法，可選擇性地 17 1328255 應：於圖刻-減少關鍵尺寸變異之光罩。雖然本發明已 實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明， 〆技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内， =作各種之更動與㈣，因此本發明之保護範圍當視 後附之申請專利範圍所定義者為準。 【圓式簡單說明】 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與 例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下： 藉由閱讀附圖的詳細說明，更容易理解其具體樣 貌。特別強調，對應於工廠中的標準設備，許多^徵並 未依實際尺寸繪圖。為能清楚討論’實際上許多特徵的 尺寸可任意增加或減少。 f · 第1圖係繪示一具有一犧牲特徵之圖案實施 視圖。 第2a圖至第2d圖係繪示不同實施例之上視圖，以 說明圖案相關蝕刻效應。 第3a圖至第圖係繪示不同犧牲特徵之 視圖。 $ 4a圖至第4f圖係繪示至少有一犧牲特徵之不同 實施例圖案之上視圖。 第5圖係繪示一實現此犧牲特徵之方法流程圖。 第6a圖至第6c圖係繪示一實例圄安 Λ列圖案在不同製造階 段之上視圖，且第6d圖至第6f圖传洽_ , & 糸、會不此實例圖案在 18 ^28255 相對製 第 圖案在 缯示此 造階段之關鍵尺寸變異特性圖。 7a圖至第7c圖係繪示一不具有犧牲特徵之實例 不同製造階段之上視圖，且第7d圖至笛 Λ昂/1圖係 圖案在相對製造階段之關鍵尺寸變異特性圖 【主要元件符號說明】 100 :圖案 1 2 0 :犧牲特徵 S1 :間距 3 1 0〜3 60 :犧牲特徵 4 1 4 :犧牲特徵 422 :犧牲特徵 426 :犧牲特徵 429 :主要特徵 4 3 4 :犧牲特徵 442 :主要特徵 4 4 6 :犧牲特徵 4 5 2 :主要特徵 462 .主要特徵 500 :方法 505 :方法 6 10 :主要特徵 630 :犧牲特徵 7 2 0 .主要特徵 110a 〜ll〇c * 士 -π- .主要特徵 210〜246 :圖案 S2 :間距 4 1 2 :犧牲特徵 4 1 6 :主要特徵 424 :犧牲特徵 4 2 8 :犧牲特徵 432 :犧牲特徵 436 :主要特徵 444 :犧牲特徵 4 4 8 :犧牲特徵 454 :犧牲特徵 464 :犧牲特徵 510〜530 :步驟 540〜560 :步· @ 6 2 0 :主要特徵 710 :主要特徵

Claims (1)

1. 丄叫255 2010年5月24日修正替換頁 十、申請專利範圍： .1. 一種補償一蝕刻偏差於一圖案之方法，包含： 形成該圖案以及一犧牲特徵於一基板之一上方 層；以及 钮刻該上方層下之該基板，以轉移該圖案至該基 板’且該犧牲特徵在轉移該圖案的同一製程中自該基板 消除。 2.如申請專利範圍第1項所述之補償一蝕刻偏差於 一圖案之方法，其中該形成該圖案以及一犧牲特徵包 含： 曝光一基板之一光阻層；以及 顯影該光阻層’以形成該圖案以及該犧牲特徵於該 光阻層。 3.如申請專利範圍第1項所述之補償一蝕刻偏差於 -圖案之方法，其中該曝光一光阻層之步驟’包含直射 一輻射束於該光阻層上。 4·如申請專利範圍第1項所述之補償一餘刻偏差於 一圖案之方法’其中該輻射束係選自於由光子、電子及 離子所組成之群組。 20 13.28255 2010年5月24日修正替換頁 5:—種設計具有一犧牲特徵之一積體電路圖案之 方法，包含： 自該積體電路圖案萃取資料；以及 產生建立於該積體電路之該犧牲特徵，其中該犧牲 特徵具有一尺寸小於一蝕刻製程之一蝕刻偏差以在轉 移該積體電路圖案至一基板的製程中，使該犧牲特徵被 消除。 6. 如申請專利範圍第5項所述之設計具有一犧牲特 徵之一積體電路圖案之方法，其中該犧牲特徵定義為鄰 近於該積體電路圖案之一隔離特徵。 7. 如申請專利範圍第5項所述之設計具有一犧牲特 徵之一積體電路圖案之方法，其中該犧牲特徵定義為鄰 近.於該積體電路圖案之一半隔離特徵。 8. 如申請專利範圍第5項所述之設計具有一犧牲特 徵之一積體電路圖案之方法，其中該犧牲特徵係定義於 該積體電路圖案之一開放區域，且該開放區域具有一言 蝕刻負載。 呵 9. 如申請專利範圍第5項所述之設計具有一犧牲特 徵之一積體電路圖案之方法，其中該產生該犧牲特徵 步驟’包含提供該犧牲特徵之位置、外形、尺 、 Ί '方向， 21 1328255 2010年5月24日修正替換頁 以及與其他特徵間之距離。 22