TWI323521B

TWI323521B - Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TWI323521B
Application number: TW095146412A
Authority: TW
Inventors: Deuk Jong Kim; Seung Yong Song
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date: 2006-02-14
Filing date: 2006-12-12
Publication date: 2010-04-11
Also published as: US7385347B2; US20070188079A1; JP2007220647A; EP1818997A2; TW200733444A; EP1818997A3

Description

1323521 w 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】置及其製造方電激發光顯示本發明係關於一種有機電激發光顯示裝法’且特別是關於溶接物所囊封之一種有機裝置及其製造方法。【先前技術】概括而言，有機電激發光顯示裝置係包含：其上設置有像素區與非像素區之基板、及配置為相對該基板且:諸如環氧物之密封劑附接至基板以供囊封之容器或另一某板。於基板之像素區域上形成以矩陣形式而連接於掃描線與資料線之間的多個發光元件，料發光元件係包含：極電極、陰極電極、與形成於陽極電極與陰極電極之間的有機薄膜層，有機薄膜層係包含電洞傳送層、有機發光層、與電子傳送層。如上述所構成的發光元件係因為其包含有機材料而易受暴露於氧氣所影響。由於陰極電極係由金屬材料所作成，該等發光元件亦容易被空氣中的水分氧化，且其電性與發光性質也將受到惡化。欲減輕上述問題，會設置粉末式水分吸收劑或薄膜式水分吸收劑於容器上，以除去自外部滲入之水分、氧氣、與氫氣，該容器係以金屬材料罐或杯之形式製造的容器，或由玻璃、塑膠、等等所作成的某板0 6 而’塗佈粉末式水分吸收劑之方法需要複雜的製程 • 且提高針對於材料與製程的成本。此外，該種方法係造成 • 顯不裝置之厚度的增加，進而難以施加至螢幕發光型式者。另外’附接薄膜式水分吸收劑之方法除去所有水分的旎力有限，且亦具有低的持續性與可靠度，因此於大量生產之應用便受限。以上的論述僅描述有機發光顯示器之概括領域而非為先前技藝之論述。 • 藉由以熔接物形成側壁而囊封發光元件之方法係已經運用以克服前述的問題。國際專利申請案PCT/KR2002/000994號（西元2〇〇2年 ^月24日）係揭示一種運用玻璃熔接物形成侧壁之囊封 ' 器及其製造方法。 . 美國專利申請案10/414,794號（西元2003年4月16曰） '、’、藉由透過熔接物以附接第一與第二玻璃板所囊封之種玻璃封裝及其製造方法。 • 韓國專利公開公報2〇〇卜〇〇8438〇號（西元2001年9月 )係揭示運用雷射之一種熔接框架囊封方法。韓國專利公開公報2002_〇〇51153號（西元2〇〇2年6月 28曰）係揭示運用雷射且藉著熔接層以囊封上基板與下基板之一種封裝方法。【發明内容】本發月之實施例提出一種有機電激發光顯示裝置及其 &方法其可防止由熱對金屬接線所造成的損壞藉由 7 1323521 阻止熔接物下側的金屬接線與相交於熔接物之一部分直接暴露於其雷射束造成之熱量。根據一個實施例之一種有機電激發光顯示裝置係包含：第一基板，形成具有有機電激發光元件，該元件包含第一電極、有機薄膜層、與第二電極，及用於傳送訊號至有機電激發光元件之金屬接線；第二基板，配置於第一基板上側；熔接物，設置於第一基板與第二基板之間；保護膜，由第一電極材料形成且介於金屬接線與熔接物之間，保護膜係與第一電極為分離。根據另一個實施例之一種有機電激發光顯示裝置係包含.第一基板，形成具有有機電激發光元件，該元件包含第一電極、有機薄膜層、與第二電極，及用於控制有機電激發光7L件之運作的電晶體、及用於傳送訊號至有機電激發光元件之金屬接線；第二基板，配置於第一基板上側；熔接物，設置於第一基板與第二基板之間；保護膜，由第一電極材料所形成且介於金屬接線與熔接物之間，保護膜係與第一電極為分離。根據又一個實施例之一種有機電激發光顯示裝置係包含·第一基板’界定有機電激發光元件的像素區與非像素區’包含第一電極、有機薄膜層、與第二電極，非像素區有用於傳送來自外部的訊號至有機電激發光元件之金屬接線’第二基板，配置於第一基板上側；熔接物，設置於第基板與第二基板之間；第一與第二保護膜，設置為於金屬接線與熔接物之間的堆疊結構，其中，第一基板與第二 8 1323521 基板係透過溶接物彼此附接。根據再一個實施例之一種有機電激發光顯示裝置係包含.第一基板’包含像素區與非像素區，像素區具有有機 ' 電激發光元件，其包含第一電極、有機薄膜層、與第二電極’及連接至第一電極之電晶體，該電晶體包含源極、汲極、與閘極’ §亥非像素區具有用於傳送來自外部的訊號至有機電激發光元件之金屬接線；第二基板，配置於第一基鲁板上側，熔接物，設置於第一基板與第二基板之間；第一與第二保護膜’設置為於金屬接線與熔接物之間的堆疊結構其中，第一基板與第二基板係透過熔接物而彼此附接。根據一個實施例之一種有機電激發光顯示裝置之製造 ' 方法係包含下列步驟：設置緩衝層於第一基板上，其包括 . 像素區與非像素區；設置半導體層於像素區之緩衝層上；設置閘極絕緣膜於非像素區的上表面上；設置閘極電極與第金屬接線於像素區之閘極絕緣膜之上；設置第一金屬 • 接線於非像素區的閘極絕緣膜上，其係延伸自像素區的第一金屬接線；設置層間絕緣膜於像素區與非像素區的上表面之上，°又置接觸孔，使得半導體層之一部分暴露；設置源極與汲極電極於像素區之層間絕緣膜上，及透過接觸孔而連接至半導體層之第二金屬接線；設置第二金屬接線於非像素區之層間絕緣膜上，其係延伸自像素區之第二金屬接線；設置平坦化層於像素區的上表面上；設置通孔以使得該源極與汲極電極暴露；設置無機電極層於像素區與非像素區的上表面上’且接著將該無機電極層圖案化，第 9 1323521 -電極為形成於像素m，第—電極為透過通孔而連接至源極或汲極電極，且保護膜為設置於非像素區上；設置有機薄膜層與第二電極於第一電極之上；沿著第二基板之周圍形成熔接物；酉己置第二基板於第一基板之上表面上；接著附接該熔接物至第一基板。

保護膜；形成有機肖膜層與帛二電極於第—電極之以形成有機電激發光元件；備製第二基板，沿著第二根據另一個實施例之一種有機電激發光顯示裝置之製造方法係包含下列步驟：形成緩衝層於第—基板之像素區與非像素區之上；形成半導體層於像素區之緩衝層上；接著形成閘極絕緣膜於像素區與非像素區的上表面上；形成閘極電極與第—金屬接線於像素區之閘極絕緣膜上；’形成第一金屬接線與接腳墊於非像素區之閘極絕緣膜上，其係延伸自像素區之第一金屬接線；形成層間絕緣膜於像素區上表面之上；接著形成接觸孔，使得半導體層之一部分暴露；形成源極與汲極電極於像素區之層間絕緣膜上，及透過接觸孔而連接至半導體層之第二金屬接線；第二金屬接線與接腳塾於非像素區之間極絕緣膜之上，其係延伸自像素區之第二金屬接線；形成第—保護媒於包括第—與第二金屬接線之非像素區的上表面上；形成平坦化層於像純的上表面；接著形成通孔以使得源極與汲極電極暴露；形成無機電極層於像素區與非像素區的上表面上；接著將無機電極層圖案&，像素區上形成有第_電極該第一電： Ϊ過！：：連接至源極或沒極電極，且非像素區上形成有上 1323521 基板之周圍形成熔接物；配置第二基板於第一基板上表面之上；接著附接該熔接物至第一基板。【實施方式】一種運用熔接物以囊封發光元件之方法係將上面塗佈有炫接物的基板附接至上面形成有發光元件的另一個基板’且接著藉由照射雷射束來造成熔接物熔化並附接至基板，該種方法係具有限制，即將雷射束照射至熔接物時，熔接物20的下部之金屬接線1〇以及與熔接物相交的部分 (圖1之區域‘A’ ）可直接暴露至由雷射束造成的熱量，將可能造成熱損壞。熱損壞的金屬接線可能發生裂縫，且/或其自身電阻與電性特性係將改變，因而影響元件之電性特性與可靠度。某些實施例係提出針對此等限制之一種有機電激發光顯不裝置及其製造方法。本發明之實施例將參照伴隨圖式而更為詳細描述。本發明之此等及其他的觀點與優點係由其為連同伴隨圖式之較佳實施例詳細說明而成為顯明且更為容易理解。應為瞭解的是，以下的實施例將提供以使熟悉此技藝人士完整瞭解本發明，但本發明係不受限於其，且可有各種的修改。有機發光顯示器（OLED)係包括有機發光二極體陣列的顯不器。有機發光二極體係包括有機材料的固態元件其在施加適當電位時產生並發射光。依據所提供的激發電流安排，0LEDs通常可以歸納為丄：兩種基本類型。圖16所示係被動矩陣型〇LED 1〇〇〇的簡化架構分解圖。圖17所示係主動矩陣型〇LED 1〇〇1的簡化架構示意圊。在兩個構造中，〇LED 1〇〇〇、1〇〇1皆包含在基板1002上方建構的OLED像素，並且〇LED像素包括％極1004、陰極1〇〇6、以及有機層1〇丨〇。當施加適當的電流於陽極1 〇〇4時，電流流過像素然後可見光便會從有機層發出。參考圖16，被動矩陣〇led(Pm〇lED)的設計包括陽極1004的延長條帶，其通常安排為垂直於陰極1006延長條帶，而有機層介於二者之間。陰極1〇〇6與陽極1〇〇4條帶的交又處界定個別的OLED像素，在適當地激發陽極1〇〇4 及陰極1006的相應條帶時會產生並發射光^ Pm〇LEDs提供相對簡單的製造優點。參考圖17,主動矩陣〇leD(AMOLED)包括在基板1〇〇2 及OLED像素陣列之間安排的局部驅動電路1〇12。 amoleds的個別像素界定在共同陰極1006及陽極ι〇〇4 之間’該陽極與其他陽極電性獨立。每一個驅動電路1〇12 耗合於OLED像素的陽極1〇〇4，並進一步柄合於資料線 1016及掃描線1〇18。在一些實施例中，掃描線1〇18供應掃描信號’其選擇數列驅動電路，而資料線1〇16供應資料信號給特定的驅動電路。資料信號及掃描信號激發局域驅動電路1012’其會激發陽極1004使光線從其對應的像素中發出。在所示的AMOLED中，將局域驅動電路1〇12、信號 12 1323521 線1016、以及掃描線1018埋在平坦化層1〇14裡其介於 .像素陣列及基板1002二者間。平坦化層1014提供一個平坦的上表面，在其上形成有機發光像素陣列。平坦化層1014 可以由有機及無機材料形成，並且雖然顯示為單層，其可以兩層或更多層形成。局域驅動電路1012通常用薄膜電曰日體（TFT)形成並且以格子狀或是陣列在〇led像素陣列下排列。局域驅動電路1012可以至少部分由有機材料做 _ 成，包括有機TFT。AMOLEDs具有反應時間快的優勢，改進了匕們在資料信號顯示時的可取性。此外，am〇leDs 具有比被動矩陣OLEDs耗電較少的優點。 ^參考PM〇LED& AM0LED設計的共同特徵，基板1002 提供OLED像素及電路的架構性支撐。在各種實施例中， • 基板1002包括硬式或是彈性材料以及不透明或透明材料，例如塑膠、玻璃以及/或是金屬箔。如在上面提到的，每個〇LED像素或是二極體都具有陽極ι〇〇4、陰極1〇〇6、以及 # 形成於陰陽極的有機層1010。當將合適的電流施加於陽極時，陰極1〇〇6注入電子而陽極注入電洞。在特疋實施例中，會將陽極1〇〇4及陰極1〇〇6倒置也就是陰極在基板1002上形成，陽極則被相反地排列。在陰極1006及陽極1〇04二者之間插入一或更多有機層。更明確地，至少一發射或是發光層介於陰極1〇〇6以及陽極1〇〇4之間。發光層可包括一或更多有機發光化合 ^。通常，發光層會配置以發出單色可見光，例如藍色、、彔色、紅色，或是白色。在圖式說明的實施例中一個有 13 1323521 機層1010在陰極1006及陽極1004之間形成並且作為發光層。在陽極1004及陰極1006之間形成的額外層可以包括電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、以及電子注入 •層0 電洞傳輸以及/或是注入層可以介於發光層1010以及陽極1004之間。電子傳輸以及/或是注入層可以介於陰極 1006及發光層1010之間。電子注入層透過降低從陰極1〇〇6 • 注入電子所需的功函數以促進電子從陰極1006注入到發光層1010。類似地’電洞注入層可促進電洞從陽極丨〇〇4 朝發光層1010注入❶電洞及電子傳輸層促進載子從各別電極朝向發光層的運動。 ' 在一些實施例中’單層可同時具有電子注入以及傳輸 ' 功或疋同時具有電洞注入以及傳輸功能。一些實施例中，不具有這些層中的一或多層。在一些實施例中，一或夕個有機層會摻雜一或多種材料，其可幫助載子的注入以 • 及/或是傳輸。在陰極及陽極之間只形成一層有機層的實施 J中，有機層可以不只包括有機光化合物，而且包括某些功能性材料，其可幫助載子在該層的注入或是傳輸。已經發展用於包括發光層的此等層中的許多有機材科用於這些層中的許多其他有機材料也已發展。在一些實施例中，這些有機材料可以包括寡聚物及高分子的大分子在些實施例中，用於這些層的有機材料可以是相對的刀子熟1該項技術者由這些個別層的要求功能的觀點以及特殊設計之鄰接層材料的觀點中，可以選擇用於每 1323521 一層的適當材料。在操作中，電路在陰極1006及陽極1〇〇4之間提供適當位能。這使電流從陽極1004穿過介於二者間的有機層 ' 流到陰極1006。在一個實施例中，陰極1006提供電子到相鄰有機層1010。陽極1004將電洞注入到有機層1〇1〇。電洞及電子在有機層1010裡重新結合並且產生稱為「激子」的具能量粒子0激子將其能量轉移到有機層1010中的有機發光材料，而該能量會用以從有機發光材料發出可見光。OLED 1000、1001產生並且發出的光譜特性取決於有機層裡有機分子的本質及組成。熟習該項技術者可以選擇一或更多有機層的組成以適合特定的應用需求。 • 〇LED裝置也可以基於光的發射方向分類。在一種稱為「上發光」型的類型中，OLED裝置通過陰極或是頂部電極1006發射光並且顯示影像◎在這些實施例中陰極ι〇〇6 疋由對可見光透明的材料或至少部分透明的材料製成。某 _ 些實施例中，為了避免任何可通過陽極或是底部電極1〇〇4 的光知失，陽極可以由實質上可反射可見光的材料製成。第二型OLED裝置通過陽極或是底部電極1〇〇4發射光線並且稱為「下發光」型。在下發光型〇LED裝置裡，陽極 1004由對可見光至少部分透明的材料製成。在下發光型 OLED裝置中，陰極刪常由實質上可反射可見光的材料製成。第三型OLED裝置在兩個方向發光，也就是同時通過陽極_以及陰極_發光。取決於光的發射方向，基板可以由對可見光透明、不透明或是反射的材料製成。 15 1323521 在很多實施例中，OLED像素陣列1 〇21包括複數個有機發光像素’如圖18顯示的方式排列在基板1〇〇2上。在一些貫施例中，陣列1021裡的像素由驅動電路（不顯示）控 . 制開及關’並且以複數個像素整體在陣列ι〇21上顯示資訊或是影像。在某些實施例中，〇LED像素陣列1〇21的排列係關於其他構件（例如驅動及控制電子元件），以界定顯不區域及非顯示區域。在這些實施例中，顯示區域指的是 φ 基板1002中形成〇LED像素陣列1021的區域。非顯示器區域指的是基板1002的剩餘區域。在一些實施例中，非顯示區域可以包含邏輯以及/或是電源供應電路。可理解至少一部分的控制/驅動電路元件排列在顯示區域内。例如，在M〇LEDs裡，導電構件將延伸進入顯示區域以提供合 . 適的電位給陽極以及陰極。在AMOLEDS裡，局域驅動電路以及耦合於驅動電路的資料/掃描連接線將延伸進入顯示區域’以驅動並且控制AMOLEDS的個別像素。 • 〇LED裝置的一種設計及製造方面的考量是要使〇led 裝置特定有機材料層能承受曝露於水、氧或其他有害氣體的損害或是加速惡化。因此，通常可理解會密封或是囊封 OLED裝置以抑制製造或是操作環境中對水分及氧或是其他有害氣體的曝露。圖19所示係說明囊封〇LED裝置1〇ιι 化著圖18的19-19線的截面。在這個實施例中，通常平坦的頂部平板或是基板1061與封條1〇71接合，封條進一步與底部平板或是基板1002接合，以包覆或是囊封〇LED 像素陣列1021。在其他實施例中，在頂部平板ι〇6ι或是丄底部平板⑽2上形成—或更多詹，而封條Hm通過該層輕合於底部或是頂部基板讀、1061。在所示的實施例令，封條則沿著OLED像素陣列則或是底咖、⑽的周圍延伸。丨十板在一些實施例中’封條1071如將在下面更進_步对执的由一種熔接材料製成。在各種實施例中，頂部及底部; 板1061、1002包括例如塑朦、玻璃以及/或是金屬落的材料其可以提供氧以及/或是水的通路障壁因此保護沉⑽ 像素陣列⑽不曝露於這些物質。在一些實施例部平板編及底部平板1〇〇2的至少—者由實質上透明的材料形成。為了增加0LED裝置1〇n的壽命，通常要求封條1071 =及頂部及底部平& 1G61、贈提供對氧及水蒸汽的實貝上不可參透的密封’並提供實質上密封包覆的空間 1081。在特定應用中，顯示了㈣材料封冑1G71結合項料底部平板1061、1002提供了少於大約iO-wly 的氧障壁以及少於大約1〇-6g/m2_day的水障壁。因為一些氧以及水分可滲透進包覆空間蘭，因此在—些實施财會於包覆空間1081内形成吸收氧以及，或是水分的材料。封條1071具有寬度w，為它在平行於頂部或底部基板1061、1〇02表面方向的厚度如圖19所示。寬度隨實施例不同而有變化，其範圍從大約微米到大約3又刪微米，或者從大約500微米到大約15〇〇微米。而且，封條上不同位置的寬度可以變化。在一些實施例中， 17 封條則的寬度在封條1071與底部以及頂部基板讀、腕中的-者接觸的地方或封條則與在基板上形成之層接觸的地方最大。在封條1071與其他者接觸時封條寬度可為最小。封條1071之單—截面的寬度變化與封條則的截面形狀及其他設計參數有關。封條1071具有高度η ’為它在垂直於頂部或是底部基板_、表面方向的厚度，如圖19所心高度隨實施例不同而有變化’其範圍從大約2微米到大約3〇微米，或者從大約10微米到大約15微米。通常，在封條則不同位置的高度不明顯變化。不過，在某些實施例中，封條1071的高度可以在不同的位置變化。在所示的實施例中，封條1〇71具有大致為矩形的截面。不過，在其他實施例中封條1〇71可以具有其他各種截面形狀，例如大致方形的截面、大致梯形的截面、其一或是多邊緣為圓形的截面或是其他配合特定應用需求的指示的形狀。為了改進密封性，通常要增加封條1〇71直接與底部或是頂部基板1002、1〇61或與其上的形成層接觸的界面面積。在一些實施例中，可以設計封條的形狀使得界面面積增加。封條1071可以緊鄰〇LED陣列丨〇2丨配置，而在其他實施例中封條1071與〇LED陣列1021隔開一段距離。在特定實施例中，封條1 〇71普遍包含線性片段，其連結在一起以圍繞OLED陣列1〇21。在某些實施例中，這種封條 1071的線性片段可以延伸’通常平行於〇LEd陣列1〇2i 18 1323521 的各邊界。在其他實施例中，會以非平行於OLED陣列1 〇2 1 各邊界的關係來配置封條1 07 1的一或更多線性片段。而在其他實施例中’至少封條1 07 1的一部分在頂部平板丨06 i 及底部平板1002之間以曲線模式延伸。

如在上面提到的，在某些實施例中封條丨〇7丨使用一種炼接材料或是僅僅「熔接物」或是「玻璃熔接物」形成，其包括微細玻璃顆粒。溶接顆粒包括下列一或多者：氧化鎂（MgO)、氧化鈣（ca〇)、氧化鋇（Ba〇)、氧化鋰（U2〇)、氧化鈉（Na20)、氧化鉀（κ2〇)、氧化棚（b2〇3)、氧化釩（V2〇5)、氧化鋅（ΖηΟ)、氧化碲（Te〇2)、氧化鋁（Al2〇3)、二氧化矽 (Si02)、氧化錯（PbO)、氧化錫（sn〇)、氧化破（ρ2〇5)、氧化釘（Ru20)、氧化條（Rb2〇)、氧化錢（Rh2〇)、氧化鐵（％〇3)、氧化銅（CuO)、氧化鈦（TI〇2)、氧化鎢（w〇3)、氧化鉍（Bi2〇3)、氧化銻（Sb2〇3)、硼酸鉛玻璃、磷酸錫玻璃 '釩酸鹽玻璃以及硼矽酸鹽等等組成。在一些實施例中，顆粒大小從大約 2微米到大約30微米的範圍，或者從大約5微米到大約1〇微米，但不限於此。顆粒大小可以如頂部及底部基板ι〇6ι、 1002之間的距離或是任何在這些基板上形成而與溶接封條接觸的層之間的距離。用來形成封條1〇71的熔接材料也可以包括一或是更多填料或是附加材料。可以提供填料或是附加材料以調整封條則的整體熱膨脹特性以及/或是調整封條ι〇7ι對入射輻射能量之選；t頻率的吸收特性。填料或是附加材料也可以包括交換以及/或是附加填料以調整熔接物的熱膨脹係 1323521 數。例如填料或是附加材料可以包括過渡金屬例如鉻（Cr)、鐵（Fe)、錳（Μη)、鈷（c〇)、銅（Cu)以及/或是釩。填料或是附加物的額外材料包括ZnSi〇4、PbTi03、Zr02、鋰霞石。在一些實施例中，乾燥組成的熔接材料包含從大約20 到90重量百分比（wt%)的玻璃顆粒，並且剩下的包含填料以及/或是附加物。在一些實施例中，熔接膠質包含大約

10-30 wt%的有機材料以及大約7〇_9〇的無機材料在一些實施例中，熔接膠質包含大約2〇 wt%的有機材料以及大約80 wt /。的無機材料。在一些實施例中，有機材料可以包括大約0-30 wt%的黏合劑以及大約7〇1〇〇的溶劑。在一些實施例中，有機材料有大約1〇 ”％的黏合劑以及大約90 的溶劑。在_些實施例中，無機材料可以包括大約0-10 wt%的附加物，大約2〇 4〇〜％的填料以及大約 5 0 80 wt/〇的玻璃粉末。在_些實施例中無機材料有大約 wt/〇疋附加物，大約25_3〇 ❶是填料以及大約 wt%是玻璃粉末。在形成炫接封條時，將液體材料添加在乾燥熔接材料中以形成溶接膠質。任何含有或是不含有附加物的有機或是無機溶劑可以㈣為㈣㈣n實施射，溶劑匕括或更夕的有機化合物。例如可應用的有機化合物為己基纖維素H纖維素、氫氧基丙基齡素丁卡必乙酸-醇、丁基甘醇、丙稀酸醋化合物。然後可以應用如此形成的料膠質以將頂部以及以是底部平板1061’、’ 1002上的封條1〇71成形。 20 質形：：:：範實施例中，封條1071的形狀最初以溶接膠門入於頂部平板1061及底部平板1002兩者之到封條1071可以預硬化以及預燒結。千板及底部平板1〇61、1〇〇2兩者之一上。在平板 1 06 1 及底k , … 及底°卩+板10〇2以兩者之間的封條1〇71組合 :後’封冑1071的幾個部份選擇性地加熱以使得形成封 71的熔接材料至少部分炫化。封條1G71接著可重新固化以形成頂部平板1G61以及底部平板·之間的穩固接”έ因此防止包覆的0LED像素陣列丨〇2丨曝露到氧氣或是水中。在一些實施例中，熔接封條的選擇性加熱以光（例如雷射或是導向的紅外線燈）照射來實行。如之前提到的，形成封條um的溶接材料可以結合一或更多附加物或是填料，例如選擇用來改進照射光吸收的物種以促進熔接材料的加熱及熔化而形成封條1 〇71。在一些實施例中，0LED裝置1〇11是大量生產的。圖 20所示的實施例中，複數個分開的〇LED陣列1〇2丨係在共同底部基板1101上形成。在所示的實施例中，每一個 OLED陣列1021係以溶接物成形的封條1 〇71包圍。在一些實施例中’將共同頂部基板（不顯示）放置在共同底部基板1101與其上形成的結構之上，使得〇LED陣列1021以及成形的炫接膠質介於共同底部基板11〇1及共同頂部基板之間。OLED陣列1021係囊封並且密封的，例如透過先前描述的單一 OLED顯示裝置的封裝過程。最終產品包括 21 底部U及頂部基板而保持在—起的複數個⑽d 2D了:最終產品切成複數片，每—片組成… ^置則。在㈣實施㈣，_gled裝置則外的封裝操作以進一步改進由炫接封條頂部及底部基板1061、1002所形成的密封。

圖2Α、3Α、與4所示係根據本發明一個實施例之一種有機電激發錢㈣置的平面圖。圖2 明圖2八與3八的截面圖。 f用於說

參考圖2A，基板200係界定像素區2丨〇與非像素區咖。非像錢22G係'可為環繞像㈣21()之區域或像素區210之周邊區域。多個有機電激發光元#⑽係形成於基板2G0之像素區21G上的掃描線mb與資料線之間，且於基板200之非像素區22〇上係形成：掃描線1〇扑與f料線丨06e’其分収伸自像素區21Q輯描線】叫與貝料線106c ;用於供電該有機電激發光元件1〇〇之電源供應線（未顯示）；及用於處理透過接腳墊1〇4c與ι〇Μ之來自外部的訊號且將其供應至掃描線1〇4b與資料線1〇^ 之掃描驅動器410與資料驅動器420。參考圖2B，有機電激發光元件丨〇〇係包含陽極電極 108a與陰極電極U1、及形成於陽極電極1〇8a與陰極電極 1Π之間的有機薄膜層110〇有機薄膜層110係形成為一種結構，其中係沉澱電洞傳輸層、有機發光層、與電子傳輸層，且可進而包含電洞注入層與電子注入層。於被動矩陣型顯示器，如上所構成之有機電激發光元 22 1323521 件loo係以矩陣形式而連接於掃描線104b與資料線l〇6c 之間，而於主動矩陣型，有機電激發光元件〗〇〇係以矩陣形式而連接於掃描線l〇4b與資料線106c之間，主動矩陣型更包含用於控制有機電激發光元件100之薄膜電晶體 (TFT)及用於維持訊號之電容。薄膜電晶體係包含源極、汲極 '與閘極。半導體層102係提供源極區、汲極區、及通道區，源極與汲極電極106a與1〇6b連接至源極與汲極區上’而’於通道區上側之上係閘極電極1〇4a，其以閘極絕緣膜103而與該半導體層1〇2電性絕緣。參考圖3A與3B，熔接物320係於囊封基板3〇〇之上沿著囊封基板300之周圍形成。熔接物32〇係囊封像素區 210以防止氧氣或濕氣滲透於其’且環繞非像素區22〇之至少一部分且包括像素區域21〇而形成，舉例來說，其可由如其摻雜至少一種過渡金屬之玻璃熔接物的材料所形成，其可由雷射束或紅外線熔化。參考圖4 ’囊封基板300係配置於基板2〇〇上側之上。囊封基板300係配置於基板200上側之上，藉以重疊於像素區210與部份非像素區22〇。保護膜i〇8b係設置於熔接物320、掃描線i〇4b、資料線i〇6c、與電源供應線之間，其於一個實施例中以與陽極電極l〇8a相同的無機材料作成且與陽極電極108a分離。於前表面發光型式之情形，陽極電極108a與保護膜108b係可由不透明的無機電極材料作成，而於背表面發光型式之情形，則可由透明的無機電極材料所作成。不透明的無機電極材料可為下列無機材料： 23 1323521 ACX (A1合金）、Ag、與Au、或其混合物，而透明的無機電極材料’舉例來說可為下列無機材料：ΙΤ〇、ιζ〇、與 ιτζο、或其混合物。雷射束及/或紅外線係在囊封基板3卯附接至基板200之條件下照射，俾使熔接物32〇熔化且黏結至基板200。根據一個實施例，如上述所構成的有機電激發光顯示裝置之一種製造方法係將參考圖5入至5G及圖6八與而描述於後文。參考圖5A與6A，基板2〇〇係製備，於其上界定像素區210與非像素區22〇。非像素區22〇可界定為％繞像素區210之區域或像素區21〇之周邊區域。緩衝層101係形成於基板200之像素區210與非像素區22〇上。緩衝層ιοί由如氧化矽膜（Si〇2)及/或氮化矽膜（SiNJ的絕緣膜形成，其係作為防止熱對於基板2〇〇所造成的損壞且隔離離子自基板200擴散至外侧。參考圖5B，設有主動層的半導體層1〇2係形成於像素區210之緩衝層1〇1上，且閘極絕緣膜1〇3係形成於像素區21 0與非像素區220的上表面之上（包含半導體層1 〇2)。半導體層102係提供針對薄膜電晶體之源極區、汲極區、及通道區。參考圖5C，閘極電極i〇4a係形成置於半導體層1〇2 上側之上之閘極絕緣膜1〇3。於像素區21〇上係形成連接至閘極電極104a之掃描線，且於非像素區22〇上係形成：掃描線104b，其延伸自像素區21〇之掃描線1〇仆；及接收來自外部的訊號之接腳整1 〇4c。閘極電極1 〇4a、掃描線 24 1323521 HMb、與接腳墊104c係由諸如Mo、w、Ti、八丨之金屬及/ 或其合金所作成，且可形成為一種堆疊結構。圖5C之非像素區220係形成具有掃描線l〇4b之部分的截面表面。

參考圖5D，層間絕緣膜105係形成於之像素區21〇與非像素區220的上表面上（包括閘極電極1〇乜上）。接觸孔係藉由圖案化該層間絕緣膜105與閘極絕緣膜1〇3而形成，部份半導體層102透過該接觸孔暴露，且源極電極i〇6a 與汲極電極l〇6b係形成為透過接觸孔而連接至半導體層 102於像素區210上係形成連接至源極與没極電極i〇6a、 106b之資料線，且於非像素區220上係形成資料線i〇6c 及接腳墊106d，該資料線係延伸自像素區21〇之資料線 l〇6c ’而該接腳墊係用以接收來自外部的訊號。源極與汲極電極106a、l〇6b、資料線l〇6c、與接腳墊106d係由諸如Mo、W、Τι、A1之金屬及/或其合金所作成，且形成為一種堆疊結構。圖5D之非像素區22〇係形成具有資料線 l〇6c之部分的截面表面。參考圖5E與5F及圖6B，平坦化層1〇7係形成於像素區210的上表面上以將該表面平坦化。通孔係藉由於圖案化該像素區21 0的平坦化層1 〇7形成，部份源極或汲極電極106a、l〇6b即透過該通孔暴露。由無機材料所作成的電極材料層係形成於像素區21 0與非像素區220的上側之上。進行圖案化使得像素區210上係形成陽極電極1〇8a，其透過通孔而連接至源極或汲極電極106a、106b，且於非像素區220上形成保護膜l〇8b »圖案化已實行，使得陽極 25 J厶丄電極108a與保護膜1〇8b係具有用以於掃描線⑺仆、資料線l〇6c、與陽極電極1〇8a之間電性隔離之分離式結構。圖5E之非像素區22〇係形成具有掃描線1〇外之部分的截面表面’而® 5F之非像素區22〇係形成具有資料線i〇6c 之部分的截面表面》於前表面發光型式之情形，由無機材料所作成之電極材料層係可由不透明的無機材料或無機材料之混合物所作籲成1¾於貪表面發光型式之情形則可由透明的無機材料或無機材料之混合物所作成。舉例來說，不透明無機材料或無機材料混合物係可包含：ACX(A1合金）、Ag、與AU，而透明無機電極材料或無機材料混合物係可包含：、 - ΙΖ〇、與ιτζο之群組。 • 於一個實施例，平坦化層107係形成於像素區210與非像素區220的上側之上，且接著將該平坦化$⑽圖案化’俾使連接至資料線1G6e之接腳塾iQ6d係暴露。於另 • -個實施例，平坦化層1〇7由有機材料所作成之情形中，由於附接至資料線106可能較不牢固，平坦…〇7僅形成於像素區2 1 0上。參考圖5G，像素界定膜109係形成於平坦化層1〇7之上，使得部份陽極電極⑽a暴露，接著有機薄膜層110係形成於暴露的陽極電極咖之上且陰極電極lu係形成於像素界定膜109之上（包括於有機薄膜層11〇之上此實施例係提出-種架構，其中，掃描線祕、資料線账、與電源供應線係由於保護膜勵而未暴露，該 26 1323521 保護膜係以無機材料製成。雖然提出一種架構，其中該保護膜l〇8b形成於包括掃描線1〇4b、資料線i〇6c、與電源供應線之非像素區220的表面之上，亦可能實施一種架構，其t，保護膜108b僅形成於非像素區22〇之掃描線1〇朴、資料線1 06c、與電源供應線之上。再次參考圖3A與3B，囊封基板3〇〇係設置，其尺寸係範圍在於：像素區210之一部分重疊於非像素區22〇之一部分。由諸如玻璃之透明材料所作成的基板係運用作為囊封基板300，且於一個實施例中則運用由氧化矽（Si〇2)所作成的基板。熔接物320係沿著囊封基板3〇〇之周圍形成。熔接物 320囊封像素區210以防止氧氣與濕氣滲透於其，且形成以環繞包括像素區210及部分非像素區22〇。於某些實施例’熔接物係粉末式玻璃材料。於其他實施例，膠質狀態之溶接物包含雷射或紅外線吸收劑、有機黏合劑、用於降低熱膨脹係數之填充物等等，其利於在燃燒過程後之固化。舉例而言，熔接物係可摻雜至少一種過渡金屬。參考圖7，囊封基板300係配置於基板200的上側之上’其透過於圖5A至5G所示的製程而製造。在囊封基板 3 00配置於基板200的上側上以重疊像素區210與部份非像素區220之情況下，藉由沿著熔接物3 2〇照射雷射束或紅外線而將溶接物320附接至基板2〇〇。至少部份雷射束或紅外線會被熔接物所吸收’接著產生熱量。因而熔接物 3 20係熔化且附接至基板200。 27 於運用雷射之一個實施例，雷射束係以36瓦至瓦 :功：等級照射，且以實質固定速度而沿著炫接物320移 ’錯以維持更均勻的熔化溫度與黏著強度。於一個

例’雷射或紅外線之移動速度係於1G至3G 且較佳為2。毫米/秒。之等級於一個實施例係關於閘極絕緣膜1〇3與層間絕緣膜1〇5 形成於像素區21〇與非像素區22〇上之情形，亦可能僅將其形成於像素1 210上。一個實施例係已經說明關於該熔接物320形成以僅密封像素區21〇之情形，但不受限於其，而可开> 成以包括掃描驅動器410。於該實施例，囊封基板 3〇〇之尺寸亦應適當改變。此外，一個實施例係已經說明該溶接物320形成於囊封基板3〇〇上，但不受限於其而亦可形成於基板200上。根據一個實施例之有機電激發光顯示裝置係允許於形成該像素區210的陽極電極108a之程序中形成由無機電極材料所作成的保護膜108b於金屬接線（諸如掃描線1 〇4b、資料線l〇6c、與電源供應線）的上側之上。因此，當照射雷射束以熔化及附接熔接物320至基板200，置放於溶接物320下側之金屬接線（如掃描線104b、資料線106c、與電源供應線）與相交於熔接物320的部分金屬接線係不會直接暴露於雷射束造成之熱，如於圖8A與8：6所示》通常運用作為電極或接線之金屬的反射率係 Cr(0.632)、M〇(0.550)、Ti(0_557)、與 W(0.500)，且用於此實施例之不透明的無機電極材料的反射率係相當高，諸 28 1323521 如.Al(〇.868)、Ag(0.969)、Au(0.986)等等。是以，由於熱吸收比因高反射性而為低，下側金屬接線之熱轉移可減 yj\ 〇此外，用於此實施例之透明無機電極材料（1丁〇、IZ〇、 ITZO、等等）為金屬氧化物，且其係相較於金屬性材料具有更低的導熱性，1因此可用以隔絕轉移至下側之金屬接線的熱量且可作為緩衝層，因而使得可能抑制由熱對金屬接線所造成的損壞。熱轉移係由於保護膜509b而隔絕，且因此抑制由熱對金屬接線所造成的可能損壞，因而可防止金屬接線之破裂或自身電阻與電性特性的實質變化，因而使得可能維持元件之電性特性與可靠度。如上所述，一個實施例係允許於形成該陽極電極之程序中形成由無機材料所作成的保護膜於金屬接線（諸如掃描線、資料線、與電源供應線）的上侧之上。熔接物的下側之金屬接線與相交於熔接物的部分金屬接線不直接暴露至由雷射束或紅外線所造成之熱，且熱轉移係隔絕，因而抑制由熱對金屬接線所造成的任何損壞。因此，金屬接線之裂縫2自身電阻與電性特性的實質變化係被抑制，因而使得可能維持元件之電性特性與可靠度。此外，由於保護膜係由與熔接物具有優越黏著強度之，機材料所形成且於非像素區的金屬接線之上，無需附加單獨的製程或遮罩，相較於熔接物直接附接至金屬接線之情形’其可能提供更為顯著的黏著強度。因此，於熔接物 ”基板之間的黏著強度係增強’跟著可有效防止氧氣或濕 29 1323521 氣之滲透，因而改良顯示裝置之可靠度。圖9Α、1〇Α、與u所示係根據另一個實施例之一種有機電激發光顯示裝置的平面圖’且圖9β與ι〇Β所示係圖9Α與Η)Α的截面圖。參考圖9Α，基板6〇〇係界定:像素區61〇與非像素區62(^非像素區62〇係可為環繞像素區610之區域或像素區61〇之周邊區域。多個有機電激發光元件500係形成於基板600之像素區61〇上的掃描線5〇扑與肓料線506c之間，且於基板600之非像素區62〇上係形成：掃描線504b與資料線506c，其分別延伸自像素區6ι〇的掃描線504b與資料線506c;用於供電該有機電激發光元件500之電源供應線（未顯示）；掃描驅動器81〇與資料驅動器820’用於處理透過接腳墊5〇4c與506d之來自外部的訊號’且將其供應至掃描線504b與資料線506c » 參考圖9B ’有機電激發光元件5〇〇係包含陽極電極 509a、陰極電極512、及形成於陽極電極509a與陰極電極 512之間的有機薄膜層511。有機薄膜層511係形成為一種結構，其中沉積電洞傳輸層、有機發光層、與電子傳輸層，且可進而包含電洞注入層與電子注入層。於被動矩陣型顯示器中，如上所構成之有機電激發光元件500係以矩陣形式而連接於掃描線504b與資料線506c 之間，而於主動矩陣型顯示器，有機電激發光元件5〇〇係以矩陣形式而連接於掃描線504b與資料線506c之間，主動矩陣型係更包含用於控制有機電激發光元件5 00之薄膜電晶體（TFT)及用於維持訊號之電容》薄膜電晶體係包含源 30 1323521 極、没極、與閘極。半導體層502係提供源極區、汲極區、與通道區’源極與汲極電極5〇6a與5〇6b接至源極與汲極區’閘極電極504a則於通道區上側之上，以閘極絕緣膜503 將閘極電極5〇4a電性絕緣自該半導體層502。參考圖10A與10B，熔接物720係沿著包覆基板700 之周圍形成於囊封基板700之上。熔接物720囊封像素區以防止氧氣與濕氣滲透於其，且形成以環繞至少部分非像素區620 ’並包括像素區6 1 0，且該熔接物可由例如至少摻雜一種過渡金屬之玻璃熔接物的材料所形成，可由雷射束或紅外線所熔化。參考圖11，囊封基板700係配置於基板600上側之上。囊封基板700係配置於基板6〇〇上側之上，藉以重疊於像素區610與部份非像素區620。第一保護膜507與第二保護膜509b係以堆疊結構而設置於熔接物72〇與形成於非像素區620上的掃描線5〇4b、資料線5〇6c、與電源供應線之間。第一保護膜5〇7係由選自下列的矽化合物所形成： Si〇x、SiNx、SiOxNy，而於前表面發光型式，第二保護膜5〇9b 係由不透明的無機電極材料所形成，而於背表面發光型式則由透明的無機電極材料所形成。舉例來說，不透明的無機電極材料係可為下列無機材料：ACX(A1合金）、Ag、與

Au、或其混合物’舉例來說，透明的無機電極材料可為下列無機材料：ITO、IZO、與ITZ〇、或其混合物。口第一保護膜507與第二保護膜509b係可形成於非像素區620之表面，且第二保護膜509b係可由和陽極電極5〇9a 31 1323521 相同的無機電極材料所形成。假使第二保護膜5〇9b係由和陽極電極509a相同的無機電極材料所形成，則其應與該陽極電極509a分離以使掃描線5〇4b、資料線506c、與陽極電極509a之間電性隔離。雷射束或紅外線在囊封基板7〇〇附接至基板600上之條件下照射，俾使該熔接物72〇係熔化且黏結至基板600。根據另一個實施例，如上述所構成的有機電激發光顯示裝置之一種製造方法係將參考圖丨2八至12H及圖13A 與13B而描述於後文。參考圖12A與13A，基板6〇0係準備’於其上界定像素區610與非像素區620。非像素區620 係*T界疋為％繞像素區610之區域或像素區61〇之周邊區域。緩衝層501係形成於基板600之像素區610與非像素區620之上。緩衝層501係作為防止由熱對基板6〇〇所造成的損壞且隔離離子自基板600至外侧的擴散，緩衝層5〇i 係形成為絕緣膜，諸如氧化矽（Si〇2)膜及/或氮化矽（SiNj 膜。參考圖12B，半導體層502 (其提供主動層）係形成於像素區610之緩衝層5〇1上，且閘極絕緣膜5〇3係形成於像素區610與非像素區620的上表面上，並包含形成於半導體層502的上表面上。半導體層5〇2係提供薄膜電晶體源極區、汲極區、及通道區。參考圖12C，閘極電極504a係於置於半導體層5〇2的上側之閘極絕緣膜503上形成。於像素區61〇上係形成連接至閘極電極504a之掃描線，且於非像素區62〇上係形成： 32 1323521 掃描線504b，其係延伸自像素區61〇之掃描線5〇4b;接腳墊504c，其接收來自外部的訊號。閘極電極5〇4a、掃描線504b、與接腳墊5〇4c係由諸如M〇、貿、丁丨、A1之金屬 . 或其合金所作成，且可形成為一種堆疊結構。圖12C之非像素區620係形成具有掃描線5〇4b部分的截面表面。參考圖12D，層間絕緣膜5〇5係形成於包括閘極電極 504a之像素1 61〇的上表面。接觸孔係藉由將層間絕緣膜 505與閘極絕緣膜5〇3圖案化而形成，部份半導體層5〇2 透過該等接觸孔暴露，且源極電極5〇6a與汲極電極5〇讣係形成以透過接觸孔而連接至半導體層5〇2。此時，於像素區610上係形成連接至源極與汲極電極506a、5〇6b之資 - 料線506c，且於非像素區620上係形成：資料線5〇6c，其延伸自像素區610;及接收自外部的訊號之接腳墊5〇6d。源極與汲極電極506a、506b、資料線5〇6c、與接腳墊5〇6d 係由諸如Mo、W、Ti、A1之金屬、或其合金所作成，且 • 2成為一種堆疊結構。圖12D之非像素區020係形成具有資料線506c之部分的截面表面。參考圖12E肖12F，第—保護膜術係形成於包括掃描線504b與資料線506c之非像素區62〇的上表面上。第保濩膜507係由下列包括矽（Si)之材料所作成：si〇〆、Sl〇xNy、等等，例如矽化合物。圖〖π之非像素區 62〇係形成具有掃描線5〇仆之部分的截面表面且圖ι2ρ 之非像素區620係形成具有資料線5〇6c之部分的截面表面。 33 1323521 參考圖12G與13B，平坦化層508係形成於像素區61〇的上表面上以將該表面平坦化。通孔係藉由將該像素區6ι〇的平坦化層508圖案化而形成，源極或汲極電極5〇6a 5〇6b 可透過該通孔而將部份暴露。由無機材料所作成的電極材料層係形成於像素區610與非像素區62〇的上側之上。經圖形化，會使得陽極電極509a透過通孔而連接至源極或汲極電極506a、506b並形成於像素區61〇上，且於非像素區 620上係形成第二保護膜5〇9b。於前表面發光型式，由無機材料所作成的電極材料層可由不透明的無機材料或無機材料之混合物所作成，而於背表面發光型式’其則可由透明的無機材料或無機材料之混合物所作成。舉例來說’不透明的無機材料或無機材料之混合物係可包含：ACX⑷合金）、Ag、與Au，而透明的無機材料或無機材料之混合物可包含：ιτ〇、ιζ〇、盘 ITZO。 ’、 • 於一個實施例，第二保護膜509b係於形成該陽極電極谢a之程序期間形成，使得另外的製程與遮料將不需要。於其他實施例，亦可能透過分離的製程形成陽極電極 5〇9a與第二保護膜5G9b。_種情況中於相同的處理步驟以無機電極材料層形成陽極電極肠與第二保護膜_，料電極撕與第二保護膜5_係具有分離式結構以使传知描線504b、資料線5〇6c、與陽極電極職之間電性隔離6 參考圖.，像素界定膜510係形成於平坦化層5〇8 34

上/使付陽極電極509a之部分暴露，且接著有機薄膜層 5U,係形成於暴露的陽極電極⑼以之上’且陰極電極川，形成於包括有機薄膜層511與像素界定膜510之上。此實施例係提出一種架構，其中，掃描線觸、資料線她、與電源供應線係由於第-保護膜5G7與第二保護膜娜而未暴露。雖然—種架構係提出該第一保護膜5〇7與第二保護膜509b形成以具有堆叠結構於其包括揮描線$祕、資料線5G6e、與電源供應線之非像素區62q的表面上，亦可此為實施一種架構’其中，第一保護膜5〇7與第二保護膜509b係僅形成於非像素@ 62〇《择描線$祕資料線 506c、與電源供應線上。再次參考圖10A與1〇Β，囊封基板7〇〇係設置，其尺寸係圍在於.至少部分像素區6 i 〇重疊於非像素區咖之一部分》如玻璃之透明材料所作成的基板係運用作為囊封基板700。於一個實施例，係運用氧化石夕（si〇2)所作成的基板。熔接物720係沿著囊封基板7〇〇之周圍形成。溶接物 720係囊封像素區61〇以防止氧氣與濕氣滲入其中，且其形成以環繞包括像素區610之部份非像素區62〇。於一個實施例，熔接物係通常為粉末式破璃係提出膝質狀態之溶接物，丨中可含有雷射或紅劑、有機黏合劑、用於降低熱膨脹係數之填充物、等等，其可促進在燃燒過程後之固化。舉例而言，熔接物係可摻雜至少一種過渡金屬。 35 U23521 參考圖14，囊封基板700係配置於基板6〇〇的上側之上’該基板透過圖12A至12H所顯示的製程所製造。在囊封基板700係配置於基板600的上側上以重疊於像素區61〇與。卩份非像素區620之狀況下’藉由沿著熔接物72〇照射雷射束或紅外線而將熔接物720附接至基板6〇〇。雷射束或紅外線係至少部分為由熔接物720所吸收，接著產生熱量’因而熔接物720係熔化且附接至基板6〇〇。 φ 於運用雷射之實施例’雷射束係以36瓦至38瓦之功率等級照射’且以大致固定的速度沿著熔接物72〇移動，藉以維持較均勻的熔化溫度與黏著強度。於一個實施例，雷射或紅外線之移動速度係於1 0至30毫米/秒之等級，且 • 較佳為約20毫米/秒》 - 一個實施例係已經描述，其中該熔接物72〇僅形成以岔封像素區6 1 0，但不受限於其，而於其他實施例係可形成以包括掃描驅動器810。於此等實施例，囊封基板700 φ 之尺寸亦應適當改變。此外’實施例係已經描述，其中該溶接物720形成於囊封基板700之上，但不受限於其，而亦可形成於基板600之上。根據一個實施例之有機電激發光顯示裝置係形成第一保護膜507與第二保護膜509b以具有堆疊結構於金屬接線上，該等金屬接線諸如非像素區62〇的掃描線5〇4b、資料線506c、與電源供應線。當雷射束係照射以將熔接物72〇熔化及附接至基板600 ’熔接物720下側之金屬接線504b 與506c以及相交熔接物720的部分金屬接線便不會直接暴 36 1323521 露至由雷射束所造成之熱，如圖15A肖i5B所示。由Μ 電極材料所作成的第二保㈣通至少部分反射出雷射束以防止熱量為吸故。由梦化合物所作成的第—保護膜5〇7 係實質絕緣熱量’使其不自第二保護冑5嶋轉移至金屬接線 5〇4b、506c。通常運用作為電極或接線之金屬的反射率約為： C^O.632)、M〇(0.550)、Ti(0.557)、與 w(〇 5〇〇)。用於該

等實施例之不透明的無機電極材料的反射率係相當高，諸如：Α1(0·868)、Ag(0.969)、Au(〇 986)、等等。是以，由於熱吸收比因高反射性而⑻，轉移至下側之金屬接線的熱量係可顯著降低。此外，用於某些實施例之透明無機電極材料似…肋^…等等熇金屬氧化物’其具有較金屬性材料更低的導熱性，且因此可用以隔離轉移至下側之金屬接線的熱量，並且可作為緩衝層而使得可能顯著降低由熱對金屬接線所造成的損壞。是以，熱轉移係由形成為雙層結構之第一保護膜507與第二保護膜509b而有效絕緣，且因此由熱對金屬接線504b、506c所可能造成的損壞係降低，其接著防止金屬接線之破裂或自身電阻與電性特性的實質變化，因而使得可能維持元件之電性特性與可靠度。此外，由於第二保護膜5〇9b係由具有顯著的黏著強度之無機材料所形成，且熔接物為於非像素區62〇的金屬接線504b、506c之上而無附加單獨的製程或遮罩，相較於熔接物直接附接至金屬接線504b、5 06c之情形，其可能提供更顯著的黏著強度。因此，黏著強度係增強於熔接物72〇 37 1323521 與基板之間，接著更有效防止氧氣或濕氣之滲透，因而改良顯示裝置之可靠度。 —個實施例係於非像素區之金屬接線上形成具有雙層結構之保護膜。是以，熔接物下側之金屬接線與相交於熔接物的部分金屬接線會因無機層與矽化合物層而不會直接暴露至由雷射束或紅外線所造成之熱量，該無機層係用於反射雷射束以絕緣熱量吸收，而該系化合物層係用於絕緣熱轉移，因而降低由熱對金屬接線所造成的可能損壞。此係跟著防止金屬接線之破裂或自身電阻與電性特性的實質變化，因而使得可能維持元件之電性特性與可靠度。此外，由於保護膜係於形成陽極電極之期間形成於非像素區的金屬接線之上，其係由與熔接物具有顯著黏著強度之無機材料所形成，且無附加單獨的製程或遮罩，相較於熔接物直接附接至金屬接線之情形，可能提供更顯著的黏著強度。是以，熔接物之黏著強度係增強，因此防止氧氣或濕氣為滲透，使得可能改良顯示裝置之可靠度。雖然本發明之實施例係已經顯示及說明，將為熟系此技藝之人士所理解的是：其中仍可有變化而不會脫離本發明之原理與精神，本發明之範疇係界定於申請專利範圍與其等效範圍。 ~ 【圖式簡單說明】圖1所示係由於照射雷射束造成金屬接線損壞的圖·，圖2A、3A與4所示係根據本發明第一實施例之一種 38 1323521 有機電激發光顯示裝置的平面圖；圖2B與3B所示係圖2八與3A的截面圖；圖5A至5G與圖7所示係根據本發明第—實施例之一 •種有機電激發光顯示裝置製造方法的截面圖；圖6A與6B所示係圖5A與5E的平面圖；圖8A與8B係於圖.7所圈選之區域‘A，的放大截面圖與平面圖；圖9 A、1 Ο A與11所示係根據本發明第二實施例之一種有機電激發光顯示裝置的平面圖；圖9B與10B所示係圖9A與l〇A的截面圖；圖12A至12H與圖14所示係根據本發明第二實施例 - 之一種有機電激發光顯示裝置製造方法的截面圖；圖13A與13B所示係圖12A與12G的平面圖；圖15A與15B所示係於圖14所圈選之區域‘B，的放大截面圖與平面圖；圖16所示係根據一個實施例之一種被動矩陣型有機發光顯示裝置的分解示意圖；圖1 7所示係根據一個實施例之一種主動矩陣型有機發光顯示裝置的分解示意圖；圖1 8所示係根據一個實施例之一種有機發光顯示器的俯視平面圖；圖19所示係沿著圖18的線19-19所取得之有機發光顯示器的截面圖；圖20所示係根據一個實施例之有機發光裝置之量產分 39 1323521 解示意圖。【主要元件符號說明】 A 相交區域 B 相交區域 10 金屬接線 20 熔接物 100 有機電激發光元件 101 緩衝層 102 半導體層 103 閘極絕緣膜 104a 閘極電極 104b 掃描線 104c 接腳墊 105 層間絕緣膜 10 6a 源極電極 106b 及極電極 106c 資料線 106d 接腳墊 107 平坦化層 108a 陽極電極 108b 保護膜 109 像素界定膜 110 有機薄膜層 40 1323521 200 210 220 300 320 410 420

501 502 503 504a 504b 504c 505

506a 506b 506c 506d 507 508 509a 509b 陰極電極基板像素區非像素區囊封基板熔接物掃描驅動器資料驅動器有機電激發光元件緩衝層半導體層閘極絕緣膜間極電極掃描線接腳墊層間絕緣膜源極電極汲極電極資料線接腳墊第一保護膜平坦化層陽極電極第二保護膜 41 1323521

510 像素界定膜 511 有機薄膜層 512 陰極電極 600 基板 610 像素區 620 非像素區 700 囊封基板 720 溶接物 810 掃描驅動器 820 資料驅動器 1000 被動矩陣型 OLED 1001 主動矩陣型 OLED 1002 底部基板 1004 陽極 1006 陰極 1010 有機層（發光層） 1011 OLED裝置 1012 驅動電路 1014 平坦化層 1016 資料線 1018 掃描線 1021 OLED像素陣列 1061 頂部基板 1071 封條 42 1323521 1081 包覆空間 1101 共同底部基板

Claims

、，十、申請專利範圍：一u 1.一種有機電激發光顯示裝置，包含：第一基板，形成有有機電激發光元件以及用於傳送訊號至該等有機電激發光元件之金屬接線，該有機電激發光 π件各包含第一電極、有機薄膜層、與第二電極；第二基板，配置於第一基板之上側；熔接物，設置於第一基板與第二基板之間；保護膜，由第一電極材料形成於該金屬接線之上且位 ♦於金屬接線與熔接物之間，該保護膜係與第一電極分離，其中第一電極材料與熔接物具有良好黏著強度。 2.如申請專利範圍第i項之有機電激發光顯示裝置，其中《•亥第基板與第二基板之至少一者係包含透明材料。 . 3.如申請專利範圍第1項之有機電激發光顯示裝置，其中11亥金屬接線係包含掃描線、資料線、與電源供應線。 4·如申請專利範圍第丨項之有機電激發光顯示裝置，其中該保5蒦膜係進而形成於形成有有機電激發光元件的區 •域之外的其餘區域之上。 5·如申凊專利範圍第1項之有機電激發光顯示裝置，其中，該第一電極材料係選自下列之一或多者：ACX、Ag、與Au。 6.如申6青專利範圍第1項之有機電激發光顯示裝置，其中"亥第電極材料係選自下列一或多者：IT〇、IZ〇、與 ιτζο。 7·如申專利範圍第1項之有機電激發光顯示裝置，其 44 1323521 中，該熔接物係包含由過渡金屬所作成之至少一種摻雜物。 8. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光顯示裝置，其中更3電B曰體，用以控制該等有機電激發光元件之運作。 9. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光顯示裝置，其中’該炼接物係包含下列材料中之一或多者：氧化錢 (Mg〇)、氧化鈣（CaO)、氧化鋇（BaO)、氧化鐘（LhO)、氧化鈉（Na2〇)、氧化鉀（Κ2〇)、氧化硼（b2〇3)、氧化釩（v2〇y、氧化辞（Zn〇)、氧化碲（Te〇2)、氧化鋁（Ai2〇3)、二氧化矽 ® (Sl〇2)、氧化鉛（Pb0)、氧化錫（SnO)、氧化磷（p2〇5)、氧化釕（Ru2〇)、氧化铷（Rb2〇)、氧化铑（Rh2〇)、氧化鐵（^2〇3)、氧化銅（Cu〇)、氧化鈦（Ti〇2)、氧化鎢（w〇3)、氧化鉍（Bi2〇3)、氧化銻（Sb2〇3)、硼酸鉛玻璃、磷酸錫玻璃、釩酸鹽玻璃、與硼矽酸鹽。 10. —種有機電激發光顯示裝置，包含：第一基板，界定像素區與非像素區，該像素區會形成有有機電激發光元件，其包含第一電極、有機薄膜層、與第一電極，而非像素區形成有用於傳送來自外部的訊號至該有機電激發光元件之金屬接線；第二基板，配置於第一基板之上側；溶接物’設置於第一基板與第二基板之間；第一與第二保護膜，設置為於該金屬接線與熔接物之間的堆疊結構，其中，該第一基板與第二基板係透過該熔接物而彼此附接，且該第一保護膜係由下列選出的矽化合物形成：SiOx、SiNx、與SiOxNy，而該第二保護膜係由第 45 丄j厶JJZ丄一無機電極材料所形成且與第一電極分離。 π·如申請專利範圍第1〇項之有機電激發光顯示裝置更包含連接至第一電極之電晶體，該電晶體係包含源極、汲極、與閘極。 12.如申請專利範圍第1〇項之有機電激發光顯示裝置，其中，該金屬接線係包含掃描線、資料線、與電源供應線。 13·如申請專利範圍第1〇項之有機電激發光顯示裝置，其中，s亥第一與第二保護膜係形成於該非像素區之表面上。 14. 一種有機電激發光顯示裝置之製造方法，包含：設置緩衝層於第一基板上，以界定像素區與非像素區；設置半導體層於該像素區之緩衝層上，且設置閘極絕緣膜於該非像素區的上表面上；設置閘極電極與第一金屬接線於該像素區之閘極絕緣膜上，且设置第一金屬接線於該非像素區之閘極絕緣膜上’其係延伸自該像素區之第一金屬接線；設置層間絕緣膜於該像素區與非像素區的上表面上，且設置接觸孔，使得部份半導體層暴露；設置源極與汲極電極於該像素區之層間絕緣膜上，並提供透過該接觸孔而連接至該半導體層之第二金屬接線，且設置第二金屬接線於該非像素區之層間絕緣膜上，其係延伸自該像素區之第二金屬接線； s又置平坦化層於該像素區的上表面上，且設置通孔以 46 上323521 使得該源極與汲極電極為暴露；設置無機電極層於該像素區與非像素區的 :該無機電極層圖案化，，—電極為形成於該像素區: ^ 任主该源極或汲極電極，且將與熔接物具有良好黏著強度的且像素區的金>1接線上； #叙保—設置於該非

設置有機薄膜層與第二電極於第一電極上 /〇著第一基板之周圍形成熔接物；配置第二基板於第一基板之上表面上熔接物至第一基板。 ’且接著附接該 ,15.如申請專利範圍第14項之有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中，該無機電極層係被圖案化，使得第一電極係與該保護膜分離。 16. 如申請專利範圍第14項之有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中，該無機電極層係由下列一或多者形成： ACX、Ag、與 Au 0 17. 如申請專利範圍第14項之有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中’該無機電極層係由下列一或多者形成： ITO、IZO、與 ITZO。 18. 如申請專利範圍第14項之有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中，該熔接物係藉由雷射束與紅外線之至少一者而熔化及附接至該基板。 19. 如申請專利範圍第14項之有機電激發光顯示裝置之製造方法，其中，該熔接物係包含至少一種由過渡金屬 47 1323521 所作成之摻雜物。十一、圖式：如次頁

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