JP2013218234A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】無機シール材を形成することによる電気光学物質への悪影響（劣化、汚染）が抑制され、耐湿性に優れた電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、第1基板と、前記第1基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接着する、有機材料を主成分とする有機シール材と、前記第１基板と前記第２基板とを接着し、前記第１基板の外縁と前記有機シール材との間に、前記有機シール材を囲んで枠状に形成された無機シール材と、前記有機シール材で囲まれた領域に封入された電気光学物質とを備えていることを特徴とする。有機シール材によって、無機シール材と電気光学物質とは離間しているので、無機シール材を形成することによる電気光学物質への悪影響が抑制される。さらに、無機シール材によって、電気光学物質中への水分侵入が抑制されているので、耐湿性に優れた電気光学装置が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気光学装置、及び電気光学装置を搭載した電子機器に関する。

電気光学装置の一例である液晶表示装置は、例えばプロジェクターのような投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）として多用されている。液晶表示装置は、配向膜が形成された一対のガラス基板、一対のガラス基板を接着するエポキシ樹脂などの有機シール材、有機シール材で区画された領域の中に封入された電気光学物質としての液晶、液晶の配向状態を制御する配向膜などで構成されている。

ライトバルブ用途の液晶表示装置では、強い光が照射されるので、耐光性や耐熱性に優れたＳｉＯ₂などの無機配向膜が使用されている。無機配向膜は、高極性を有し、水分が吸着しやすいので、液晶中に水分が侵入すると、無機配向膜に吸着し、シミ、ムラなどの表示上の不具合が発生する。このために、無機配向膜を備えた液晶表示装置では、内部への水分侵入を抑制する必要がある。

電気光学装置内への水分侵入を抑制する方法として、例えば特許文献１に記載の電気光学装置が提案されている。特許文献１に記載の電気光学装置は、有機ＥＬ表示装置であり、一対のガラス基板が低融点ガラスで封着され、低融点ガラスで区画された領域の中に電気光学物質としての有機ＥＬが封入されている。低融点ガラスはレーザービームの局所加熱によって溶融、固化されるので、有機ＥＬへの熱的ダメージが小さくなる。さらに、低融点ガラスは優れた耐湿性を有しているので、内部への水分侵入が抑制され、水分による有機ＥＬの劣化が抑制されるとしている。

特開平１０−７４５８３号公報

しかしながら、特許文献１の方法を液晶表示装置に適用すると、低融点ガラスを溶融、固化させる過程（レーザービームの局所加熱）で液晶が劣化（熱分解）するという課題があった。
さらに、レーザービームの局所加熱で低融点ガラスを溶融、固化させ、一対のガラス基板を部分的に接着した後に、開口部（注入孔）から液晶を注入する方法によって、上述した液晶の劣化を発生させずに、低融点ガラスをシール材とした液晶表示装置を作製できるが、液晶が低融点ガラスによって汚染され、表示ムラが発生するという課題もあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、第１基板に対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板とを接着する、有機材料を主成分とする有機シール材と、有機シール材で囲まれた領域に封入された電気光学物質と、第１基板と第２基板とを接着し、第１基板の外縁と有機シール材との間に、有機シール材を囲んで枠状に形成された無機シール材と、を備えていることを特徴とする。

無機シール材は、優れた耐湿性を有している。このために、無機シール材で囲まれた領域（密閉された領域）の中に、電気光学物質を封入することによって、電気光学物質中への外部の湿気（水分）の侵入が抑制される。従って、外部の湿気で表示性能が変化（劣化）することを抑制した、耐湿性に優れた電気光学装置が提供される。
さらに、無機シール材と電気光学物質との間には有機シール材が介在し、無機シール材と電気光学物質とは離間しているので、電気光学物質は無機シール材によって汚染を防ぐ。さらに、無機シール材を形成する過程（レーザービームの局所加熱）で、電気光学物質が劣化（熱分解）することも抑制される。従って、無機シール材を形成したことによる電気光学物質への悪影響（熱分解、汚染など）が抑制され、優れた表示品質の電気光学装置が提供される。

本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、第１基板に対向配置され、第１基板の外縁より外縁が突出した第２基板と、第１基板と第２基板とを接着する、有機材料を主成分とする有機シール材と、有機シール材で囲まれた領域に封入された電気光学物質と、第２基板との間で第１基板を挟持するように配置され、第１基板の外縁より外縁が突出した第３基板と、第２基板と第３基板とを接着し、第１基板の外縁と第２基板の外縁との間に、有機シール材を囲んで枠状に形成された無機シール材とを備えていることを特徴とする。

第１基板と第２基板と有機シール材とによって密封された電気光学物質は、第２基板と第３基板と無機シール材とによって２重に密封されている。第２基板、第３基板、及び無機シール材は優れた耐湿性を有しているので、２重に密封された領域の中への外部の湿気（水分）の侵入が抑制される。すなわち、電気光学物質中への水分侵入が抑制され、外部の湿気で表示性能が変化（劣化）することを抑制した、耐湿性に優れた電気光学装置が提供される。
さらに、無機シール材と電気光学物質との間には有機シール材が介在し、無機シール材と電気光学物質とは離間しているので、電気光学物質は無機シール材によって汚染を防ぐ。さらに、無機シール材を形成する過程（レーザービームの局所加熱）で、電気光学物質が劣化（熱分解）することも抑制される。従って、無機シール材を形成したことによる電気光学物質への悪影響（熱分解、汚染など）が抑制され、優れた表示品質の電気光学装置が提供される。

本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、第１基板に対向配置され、平面視で、第１基板の外縁より突出し複数の端子が形成された突出部を有する第２基板と、第１基板と第２基板とを接着する有機材料を主成分とする有機シール材と、有機シール材で囲まれた領域に封入された電気光学物質と、第２基板との間で第１基板を挟持するように配置され、平面視で、第１基板の外縁より外縁が突出した第３基板と、第１基板との間で第２基板を挟持するように配置され、平面視で、第１基板の外縁より外縁が突出した第４基板と、平面視で、有機シール材を囲うように枠状に形成されている無機シール材とを備え、第３基板の外縁は、第２基板の突出部では、第１基板の外縁と複数の端子との間に形成され、第３基板及び第４基板の外縁は、第２基板の突出部以外の領域では、第２基板の外縁よりも突出し、無機シール材は、３基板のうち第２基板の突出部と平面視で重なる部分と、第２基板の突出部と、を接着し、第２基板の突出部以外の領域で、第３基板の外縁と第２基板の外縁との間で、３基板と第４基板とを接着することを特徴とする。

第１基板と第２基板と有機シール材とによって密封された電気光学物質は、第２基板と第３基板と第４基板と無機シール材とによって２重に密封されている。第２基板、第３基板、第４基板、及び無機シール材は、優れた耐湿性を有しているので、２重に密封された領域の中への外部の湿気（水分）の侵入が抑制される。すなわち、電気光学物質中への水分侵入が抑制され、外部の湿気で表示性能が変化（劣化）することを抑制した、耐湿性に優れた電気光学装置が提供される。
さらに、無機シール材と電気光学物質との間には有機シール材が介在し、無機シール材と電気光学物質とは離間しているので、電気光学物質は無機シール材によって汚染を防ぐ。さらに、無機シール材を形成する過程（レーザービームの局所加熱）で、電気光学物質が劣化（熱分解）することも抑制される。従って、無機シール材を形成したことによる電気光学物質への悪影響（熱分解、汚染など）が抑制され、優れた表示品質の電気光学装置が提供される。

上記適用例に記載の電気光学装置において、第２基板は金属膜を備えており、第２基板上の無機シール材は、第１基板側から第２基板側に入射するレーザービームによって局所加熱され、第２基板には、金属膜と無機シール材との間に、金属膜への局所加熱の影響を緩和するための保護膜が形成されていることが好ましい。

レーザービームの局所加熱によって、無機シール材の周辺に配置された有機シール材及び電気光学物質への熱的ダメージが抑制され、無機シール材を形成できる。さらに、レーザービームで局所加熱された無機シール材の熱は、保護膜によって金属膜に伝導されにくくなっているので、金属膜のヒロック及び金属膜を覆う絶縁膜のクラックという不具合が抑制される。

上記適用例に記載の電気光学装置において、保護膜の形成材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンのいずれかであることが好ましい。

金属膜と無機シール材との間には、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンのいずれかからなる保護膜が形成されているので、レーザービームで局所加熱された無機シール材の熱は、金属膜に伝導されにくい。さらに、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンは、緻密な膜構造を有しているので、内部への水分侵入も抑制される。

上記適用例に記載の電気光学装置において、無機シール材の形成材料は、金属、または第１基板よりも融点が低い低融点ガラスのいずれかであることが好ましい。

金属及び低融点ガラスは、優れた耐湿性を有するので、金属または低融点ガラスで密封することによって、電気光学物質中への水分侵入が抑制される。

上記適用例に記載の電気光学装置において、第３基板には凹部が形成され、凹部に、第１基板が嵌め込まれていることが好ましい。

第３基板に形成された凹部に、第１基板を嵌め込むことで、第３基板と第２基板との間隔を小さくすることできる。その結果、第３基板と第２基板との間に形成された無機シール材の長さ（厚さ）が小さくなり、無機シール材を形成するためのレーザービーム照射時間を短くできる。さらに、レーザービームによる溶融、固化で生じる無機シール材の歪みも小さくなり、無機シール材のクラックなどが抑制される。

上記適用例に記載の電気光学装置において、第３基板または第４基板の少なくとも一方には凹部が形成され、凹部に、第１基板または第２基板の少なくとも一方が嵌め込まれていることが好ましい。

第３基板または第４基板の少なくとも一方に形成された凹部に、第１基板または第２基板の少なくとも一方を嵌め込むことで、第３基板と第４基板との間隔を小さくすることできる。その結果、第３基板と第４基板との間に形成された無機シール材の長さ（厚さ）が小さくなり、無機シール材を形成するためのレーザービーム照射時間を短くできる。さらに、レーザービームによる溶融、固化で生じる無機シール材の歪みも小さくなり、無機シール材のクラックなどが抑制される。

上記適用例に記載の電気光学装置において、第１基板には透明な対向電極が形成され、第２基板には反射電極が形成され、反射電極は、無機シール材が形成された領域まで延在された誘電体膜で覆われていることが好ましい。

反射電極を覆う誘電体膜は、無機シール材が形成された領域まで延在され、無機シール材の下には誘電体膜が存在するので、レーザービームで局所加熱された無機シール材の熱の伝導が、誘電体膜によって抑制される。すなわち、無機シール材の熱が、誘電体膜の下方に伝わりにくくなる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、誘電体膜の形成材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、または酸化アルミニウムのいずれかであることが好ましい。

酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、または酸化アルミニウムのいずれかで構成される誘電体膜を、金属膜と無機シール材との間に形成することによって、レーザービームで局所加熱された無機シール材の熱が、金属膜に伝導されにくくなる。さらに、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、及び酸化アルミニウムは緻密な膜構造を有しているので、内部への水分侵入も抑制される。

上記適用例に記載の電気光学装置は、斜め蒸着された無機配向膜を備えていることが好ましい。

当該電気光学装置は、無機シール材によって外部の湿気（水分）の影響が抑制されているので、耐湿性に弱い無機配向膜を使用しても、外部の湿気によって表示性能が変化（劣化）することはない。さらに、耐光性と耐熱性に優れた無機配向膜を使用することによって、光や温度によって表示品質が変化（劣化）しにくい、高信頼性の電気光学装置が提供される。

本適用例に記載の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、上記適用例に記載の電気光学装置を備えているので、外部の湿気、光、及び熱によって表示品質が劣化しにくく、耐湿性、耐光性及び耐熱性に優れた表示品質を有する、例えば、プロジェクター、リアプロジェクション型テレビ、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器を実現できる。

（ａ）、（ｂ）は、実施形態１に係る表示装置の構成を示す概略図。 実施形態１に係る素子基板の構成を示す概略図。 実施形態１に係る対向基板の構成を示す概略図。 実施形態１に係る表示装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 （ａ）、（ｂ）は、実施形態２に係る表示装置の構成を示す概略図。 実施形態２に係る素子基板の構成を示す概略図。 実施形態２に係る対向基板の構成を示す概略図。 実施形態２に係る表示装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 （ａ）、（ｂ）は、実施形態３に係る表示装置の構成を示す概略図。 実施形態３に係る素子基板の構成を示す概略図。 実施形態３に係る対向基板の構成を示す概略図。 実施形態３に係る表示装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 （ａ）、（ｂ）は、変形例１に係る表示装置の構成を示す概略図。 変形例１に係る保護基板の斜視図。 （ａ）、（ｂ）は、変形例２に係る表示装置の構成を示す概略図。 （ａ）、（ｂ）は、変形例２に係る第１保護基板及び第２保護基板の斜視図。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、変形例２に係る表示装置の構成を示す概略図。 電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「表示装置の概要」
図１は、実施形態１に係る表示装置の構成を示す図である。図１（a）は概略平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。まず、図１を参照して、本実施形態に係る電気光学装置としての表示装置の概要を説明する。なお、図１（ｂ）の矢印は、レーザービームの入射方向を示している。

表示装置１は、有機シール材４１と無機シール材４２とによって２重に封止され、内部への水分侵入が抑制された液晶表示装置である。表示装置１は、対向基板３０、素子基板１０、素子基板１０と対向基板３０とで挟持された有機シール材４１、無機シール材４２、液晶４３、導通材４４などで構成されている。
対向基板３０は、「第１基板」の一例であり、液晶４３を駆動する電圧を供給する電極基板である。
素子基板１０は、「第２基板」の一例であり、液晶４３を駆動する電圧を供給する、もう一方の電極基板である。素子基板１０は、対向基板３０に対向配置され、平面視で一辺が対向基板３０から張出している。また、素子基板１０には、画素２１がマトリックス状に配置された縦長の長方形の表示領域２０が形成されている。

有機シール材４１は、「有機材料を主成分とする有機シール材」の一例である。有機シール材４１は、表示領域２０を囲んで枠状に形成され、対向基板３０と素子基板１０とを接着している。有機シール材４１の中には、対向基板３０と素子基板１０とに所定のギャップを形成するためのフィラー（図示省略）が分散されている。
無機シール材４２は、レーザービーム６１の局所加熱によって溶融、固化された低融点ガラスであり、対向基板３０と素子基板１０とを接着している。無機シール材４２は、対向基板３０の外縁（端面）と有機シール材４１との間で、有機シール材４１を囲んで枠状に形成されている。

液晶４３は、「電気光学物質」の一例である。液晶４３は、対向基板３０と素子基板１０との間で、有機シール材４１で囲まれた領域（密閉された領域）の中に封入されている。対向基板３０と素子基板１０（画素２１）との間に印加される電圧によって、液晶４３の配向状態が変化し、表示領域２０の光が変調される。液晶４３には、好適例として誘電率異方性が負の液晶を用いている。
導通材４４は、素子基板１０と対向基板３０との間の導通を取るための異方性導電材料である。導通材４４は、有機シール材４１と無機シール材４２との間で、枠状の有機シール材４１のコーナー部に近接した４か所に形成されている。

なお、図１を含む各図においては、縦長の長方形をなした表示領域２０における横方向（短辺方向）をＸ軸方向、当該方向と交差する縦方向（長辺方向）をＹ軸方向とする。さらに、Ｘ軸とＹ軸とに直交した表示装置１の厚さ方向をＺ軸方向とする。

「素子基板の概要」
図２は、素子基板の構成を示す図である。図２（a）は概略平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。なお、図２には、有機シール材と無機シール材とが破線で図示されている。以下、図２を参照して、本実施形態に係る素子基板の概要を説明する。

素子基板１０は、素子基板本体１１、画素２１、回路部、配線部、端子２８、保護膜１５、配向膜１６などで構成されている。
素子基板本体１１には、好適例として石英ガラスを用いている。素子基板本体１１としては、石英ガラスの他に、無アルカリガラス、シリコン基板などを用いても良い。

画素２１は、上述したようにＸ軸方向及びＹ軸方向にマトリクス状に配置され、液晶４３の配向状態を制御する信号が、回路部から画素２１に供給されている。画素２１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）１２、画素電極１３などで構成されている。ＴＦＴ１２は、ｎチャネル型トランジスタであり、金属膜、半導体膜、絶縁膜などで構成された多層構造（図示省略）となっている。画素電極１３は、酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＯと称す）からなる透明電極である。ＴＦＴ１２と画素電極１３とは、層間絶縁膜１４を介して一対一で電気的に接続されている。

回路部は、ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとを備えた相補型トランジスタで構成された回路であり、ＴＦＴ１２と同一工程で形成されている。回路部は、表示領域２０と有機シール材４１との間に形成され、走査線駆動回路２２、信号線駆動回路２３、検査回路２４などを有している。なお、回路部の構成によっては、有機シール材４１と無機シール材４２との間にも、回路部が形成されている場合もある。

走査線駆動回路２２は、表示領域２０に隣り合い、Ｙ軸（−）方向側とＹ軸（＋）方向側の２か所に形成されている。走査線駆動回路２２から、ＴＦＴ１２をオン、オフする走査信号が供給されている。
信号線駆動回路２３は、表示領域２０に隣り合い、Ｘ軸（＋）方向側に形成されている。ＴＦＴ１２がオンしたタイミングで、信号線駆動回路２３から信号線に供給されている表示信号が画素電極１３に供給され、一定期間保持されている。
検査回路２４は、表示領域２０に隣り合い、Ｘ軸（−）方向側に形成されている。検査回路２４によって、信号線駆動回路２３の動作状態などが検査されている。

配線部は、ＴＦＴ１２と同一工程で形成され、金属膜及び絶縁膜で構成された多層構造となっている。配線部は、表示領域２０の両端に配置された走査線駆動回路２２間を接続する配線２５、走査線駆動回路２２と端子２８とを接続する配線２６、信号線駆動回路２３と端子２８とを接続する配線２７、検査回路２４と端子２８とを接続する配線（図示省略）、画素２１と回路部とを接続する配線（図示省略）などで構成されている。

端子２８は、フレキシブル基板（図示省略）と接続するための電極端子であり、素子基板１０のＸ軸（＋）方向に張出した領域に形成されている。端子２８は、ＴＦＴ１２と同一工程で形成された金属膜で構成されている。配線部から延在された金属膜を覆う層間絶縁膜１４の開口領域が、端子２８となる。端子２８を介して、フレキシブル基板から回路部を駆動する信号が供給されている。

保護膜１５は、層間絶縁膜１４と配向膜１６との間に形成された絶縁膜であり、素子基板１０の外周縁部で枠状に形成されている。保護膜１５には、好適例として酸化シリコン（ＳｉＯ₂）を用いている。保護膜１５としては、酸化シリコンの他に、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどを用いることができる。
保護膜１５は、無機シール材４２の下方（Ｚ軸（−）方向）に形成され、平面視で無機シール材４２より幅が大きく、無機シール材４２を覆うようになっている。換言すれば、レーザービーム６１が照射される領域には、無機シール材４２より大きな保護膜１５が形成されている。そして、レーザービーム６１が照射される領域の素子基板本体１１には、配線部（配線部を構成する金属膜や絶縁膜）、層間絶縁膜１４、保護膜１５、配向膜１６、無機シール材４２などが、この順で積層されている。
このように、金属膜よりも熱伝導率が低い保護膜１５は、少なくとも無機シール材４２と配線部の金属膜（配線２６，２７）との間に介在し、レーザービーム６１で局所加熱された無機シール材４２の熱が、下方に形成された配線部の金属膜に伝導されにくくしている。保護膜１５は、レーザービーム６１の局所加熱による金属膜の温度上昇を低減するので、金属膜のヒロック及び金属膜を覆う絶縁膜のクラックという不具合が抑制される。

レーザービーム６１が照射される領域には、上述した配線部の金属膜の他に、アライメントマーク（図示省略）やテストパターン（図示省略）などの金属膜も形成されている。当該金属膜と無機シール材４２との間にも保護膜１５が介在するので、配線部以外の領域における金属膜のヒロック及び金属膜を覆う絶縁膜のクラックという不具合も抑制される。

配向膜１６は、斜め蒸着された無機配向膜であり、好適例として酸化シリコンを用いている。無機配向膜は、耐熱性と耐光性とに優れ、強い光が照射されるプロジェクター用途の表示装置に好適である。配向膜１６としては、酸化シリコンの他に、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）などを用いることができる。後述する対向基板３０の配向膜１６（図３参照）も、斜め蒸着された無機配向膜（酸化シリコン）である。これら配向膜１６，３５の表面において、液晶４３は電圧が印加されていない場合に略垂直に配向し、非駆動時に暗表示のノーマリーブラックモードの表示が提供されている。

「対向基板の概要」
図３は、対向基板の構成を示す図である。図３（a）は概略平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。なお、図３には、有機シール材と無機シール材とが破線で図示されている。以下、図３を参照して、本実施形態に係る対向基板の概要を説明する。

対向基板３０は、対向基板本体３１、遮光膜３２、共通電極３３、配向膜３５などで構成されている。
対向基板本体３１は、好適例として石英ガラスを用いている。対向基板３０としては、透明な絶縁基板であれば良く、石英ガラスの他に、無アルカリガラス、酸化シリコンをコーティングしたソーダライムガラスなどを用いることができる。
遮光膜３２は、好適例としてＣｒを用いており、表示領域２０と有機シール材４１との間に額縁状に形成されている。遮光膜３２は、表示領域２０を規定する見切りという役割と、回路部に対する遮光という役割とを有している。さらに、図示を省略しているが、遮光膜３２は、表示領域２０にも島状に形成されている。表示領域２０に形成された遮光膜３２は、ＴＦＴ１２に対する遮光という役割を有している。
共通電極３３は、ＩＴＯからなる透明電極であり、遮光膜３２と配向膜３５との間に形成されている。共通電極３３は、平面視で対向基板本体３１よりも小さく、無機シール材４２が形成された領域の内側に形成されている。共通電極３３には、回路部から液晶４３を駆動する共通電位が供給されている。
配向膜３５は、上述したように斜め蒸着された無機配向膜であり、好適例として酸化シリコンを用いている。配向膜３５は、平面視で対向基板本体３１よりも小さく、無機シール材４２が形成された領域の内側に形成されている。

レーザービーム６１は、対向基板３０の外周縁部を通過し、素子基板１０の無機シール材４２が形成された領域に局所的に照射される（図１（ｂ）参照）。共通電極３３と配向膜３５とは、無機シール材４２が形成された領域の内側に形成されているので、共通電極３３及び配向膜３５がレーザービーム６１に影響することはない。すなわち、対向基板３０の外周縁部には、共通電極３３及び配向膜３５が形成されていないので、吸収や反射などによるレーザービーム６１の減衰が抑制される。

「表示装置の製造工程の概要」
図４は、実施形態１に係る表示装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、図４を参照しながら、本実施形態に係る表示装置の製造工程の概要を説明する。

ステップＳ１１の工程では、電極等を対向基板３０に形成する。詳しくは、対向基板本体３１に遮光膜３２、共通電極３３などを形成する。

ステップＳ２１の工程では、電極等を素子基板１０に形成する。詳しくは、素子基板本体１１にＴＦＴ１２、画素電極１３、層間絶縁膜１４、回路部、配線部などを形成する。

ステップＳ２２の工程では、素子基板本体１１の外周縁部に、保護膜１５を枠状に形成する。詳しくは、Ｐ−ＣＶＤなどの公知技術で酸化シリコンを堆積し、フォトエッチングなどの公知技術によって枠状に加工する。

ステップＳ１２，２３の工程では、酸化シリコンを対向基板３０及び素子基板１０に斜め蒸着し、配向膜１６，３５を形成する。

ステップＳ２４の工程では、ディスペンサーによって、紫外線硬化樹脂を素子基板１０に枠状に塗布形成する。紫外線硬化樹脂には、好適例としてエポキシ樹脂を主成分とする紫外線硬化型樹脂を用いている。紫外線硬化樹脂の他に熱硬化型樹脂、熱と紫外線との併用硬化型樹脂などを用いても良い。
なお、紫外線硬化樹脂は、後述するステップＳ３２の工程で硬化され、有機シール材４１となる。

ステップＳ２５の工程では、ディスペンサーによって低融点ガラスペーストを素子基板１０に塗布し、枠状の低融点ガラス前駆体を紫外線硬化樹脂の周囲に形成する。なお、低融点ガラス前駆体は、後述するステップＳ３３の工程で溶融、固化され、無機シール材４２となる。

ステップＳ２６の工程では、紫外線硬化樹脂で囲まれた領域の中に、液晶４３を滴下する。液晶を滴下する方法としては、ディスペンサーやインクジェットヘッドなどを用いることができる。液晶４３は、上述したように誘電率異方性が負の液晶である。液晶４３は、電圧が印加されていない状態で液晶分子が略垂直に配向した、垂直配向（Vertically Aligned）モードのネガ液晶である。ネガ液晶であれば、一種類の液晶でも良いし、複数種の液晶を混合したものでも良い。また、液晶４３としては、ネガ液晶の他に、正の誘電率異方性の液晶からなるポジ液晶を用いても良い。

ステップＳ３１の工程では、素子基板１０と対向基板３０とを貼り合せる。紫外線硬化樹脂で囲まれた領域の中に滴下された液晶４３の量が多いと、貼り合せ時に余分な液晶４３が紫外線硬化樹脂で囲まれた領域の外に溢れ出るので、上述したステップＳ２６の工程では、液晶４３の滴下量を適正化する必要がある。

ステップＳ３２の工程では、紫外線を照射し、紫外線硬化樹脂を硬化させ、有機シール材４１を形成する。なお、有機シール材４１の透湿度は、概略５ｇ／ｍ²・２４ｈである。

ステップＳ３３の工程では、低融点ガラス前駆体にレーザービーム６１を局所的に照射し、無機シール材４２を形成する。無機シール材４２は、対向基板本体３１よりも融点が低い低融点ガラスである。無機シール材４２には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）、酸化ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化バナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化テルル（ＴｅＯ₂）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃ ）、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化リン（Ｐ₂Ｏ５）、酸化ルテニウム（Ｒｕ₂Ｏ ）、酸化ロジウム（Ｒｈ₂Ｏ）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化タングステン（ＷＯ₃）、酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）などを含有する低融点ガラスを用いることができる。例えば、バナジウム系低融点ガラス、鉛系低融点ガラス、リン酸塩系低融点ガラス、ビスマス酸塩系低融点ガラス、ホウ珪酸塩系低融点ガラスなどを用いることができる。

無機シール材４２（低融点ガラス）の透湿度は、概略１０^-6ｇ／ｍ²・２４ｈであり、有機シール材４１と比較して透湿度が非常に小さいので、無機シール材４２で囲まれた領域の中への水分侵入が抑制される。
レーザービーム６１は、対向基板３０側から入射し、低融点ガラス前駆体に局所的に照射されている（図１（ｂ）参照）。レーザービーム６１は、有機シール材４１及び液晶４３に照射されないので、レーザービーム６１の局所加熱による有機シール材４１及び液晶４３の劣化（熱分解）が抑制される。

以上述べたように、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、以下の効果を得ることができる。
液晶４３は、透湿性が非常に小さい無機シール材４２によって密閉されているので、液晶４３への水分（外部の湿気）の侵入が抑制される。従って、外部の湿気で表示性能が変化（劣化）することがなく、耐湿性に優れた液晶表示装置が提供される。

無機シール材４２と液晶４３との間には有機シール材４１が介在し、無機シール材４２と液晶４３とは離間しているので、液晶４３は無機シール材４２によって汚染されることはない。従って、無機シール材４２からの汚染による表示ムラが抑制された、優れた表示品質の液晶表示装置が提供される。

有機シール材４１及び液晶４３には、レーザービーム６１が照射されないので、レーザービーム６１の局所加熱による有機シール材４１及び液晶４３の劣化（熱分解）が抑制される。

無機シール材４２と金属膜との間に形成された枠状の保護膜１５は、レーザービーム６１によって局所加熱された無機シール材４２の熱が、金属膜に伝導されることを抑制するので、金属膜のヒロック及び金属膜を覆う絶縁膜のクラックという不具合が抑制される。

レーザービーム６１が通過する対向基板３０の外周縁部には、共通電極３３や配向膜３５などが形成されていないので、吸収や反射などによるレーザービーム６１の減衰が抑制される。

なお、配向膜１６，３５は、酸化シリコンからなる無機配向膜であったが、ポリイミドなどからなる有機配向膜であっても良い。さらに、本実施形態の表示装置は、電気光学物質としての液晶が内部に封入された液晶表示装置であったが、電気光学物質としての有機ＥＬが内部に封入された有機ＥＬ表示装置であっても良い。

（実施形態２）
「表示装置の概要」
図５は、実施形態２に係る表示装置の構成を示す図である。図５（a）は概略平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。以下、図５を参照して、本実施形態に係る電気光学装置としての表示装置の概要を説明する。
また、図５を含む各図においては、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附している。さらに、重複する説明を省略し、相違点を中心に説明する。

本実施形態に係る表示装置２では、新たに保護基板５１が形成されている点が、実施形態１との主な相違点である。さらに、不透明な反射電極１７が形成された反射型液晶である点、レーザービーム６１照射領域には保護膜１５に代えて誘電体膜１８が形成されている点なども、実施形態１と異なる。

本実施形態に係る表示装置２は、反射型液晶表示装置であり、素子基板１０、対向基板３０、保護基板５１、有機シール材４１、無機シール材４２、液晶４３、導通材４４などで構成されている。そして、表示装置２では、Ｚ軸（＋）方向に素子基板１０、対向基板３０、保護基板５１が、この順に積層されている。
保護基板５１は、「第３基板」の一例であり、好適例として石英ガラスを用いている。保護基板５１としては、透明な絶縁基板であれば良く、石英ガラスの他に、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラスなどを用いることができる。
保護基板５１は、素子基板１０との間で、対向基板３０を挟持するように配置されている。保護基板５１は、対向基板３０よりも大きく、保護基板５１の外縁は、平面視で対向基板３０の外縁よりも突出している。保護基板５１は、素子基板１０との間で、対向基板３０を覆って形成されている。また、保護基板５１は、透明な接着剤（図示省略）によって対向基板３０に接着され、対向基板３０に塵が付着しないように、対向基板３０を保護している。

素子基板１０は、対向基板３０よりも大きく、素子基板１０の外縁は、平面視で対向基板３０の外縁よりも突出している。さらに、素子基板１０の一辺は、平面視で保護基板５１の外縁から突出し、素子基板１０の他の三辺は、保護基板５１の外縁と同じ位置にある。
無機シール材４２は、レーザービーム６１の局所加熱により溶融、固化した低融点ガラスであり、対向基板３０を囲んで枠状に形成され、保護基板５１と素子基板１０とを接着している。その結果、対向基板３０、素子基板１０、及び有機シール材４１によって密封された液晶４３は、保護基板５１、素子基板１０、及び無機シール材４２によって２重に密封される。さらに、無機シール材４２は優れた耐湿性を有しているので、液晶４３中への水分侵入が抑制されている。

「素子基板の概要」
図６は、素子基板の構成を示す図である。図６（a）は概略平面図、図６（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。なお、図６には有機シール材と無機シール材とが破線で図示されている。
上述したように、本実施形態の素子基板１０は、不透明な反射電極１７が形成されている点、及び保護膜１５に代えて誘電体膜１８が形成されている点が、実施形態１と異なる。
反射電極１７には、好適例としてアルミニウム（Ａｌ）を用いている。反射電極１７は、Ａｌの他に、Ａｌを主成分とする合金、銀（Ａｇ）、Ａｇを主成分とする合金などを使用することができる。素子基板１０の反射電極１７を構成するＡｌ、及び対向基板３０の共通電極３３（図７参照）を構成するＩＴＯでは、仕事関数が異なる。このために、反射電極１７と共通電極３３との間で、仕事関数差に基づく直流成分が液晶４３に印加され、焼き付き（残像）、フリッカーなどの表示上の不具合が発生する恐れがある。

この仕事関数差に基づく直流成分を抑制する（低減する）目的で、素子基板１０の反射電極１７は誘電体膜１８で、及び対向基板３０の共通電極３３は誘電体膜３４（図７参照）で覆われている。誘電体膜１８，３４には、好適例として酸化シリコン（ＳｉＯ₂）を使用している。誘電体膜１８，３４としては、酸化シリコンの他に、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどを用いることができる。

このように、誘電体膜１８は、層間絶縁膜１４と配向膜１６との間に形成された絶縁膜である。誘電体膜１８は、反射電極１７を覆い、回路部及び配線部まで延在されている。すなわち、誘電体膜１８は、レーザービーム６１が照射される領域まで延在されている。そして、レーザービーム６１が照射される領域には、Ｚ軸（＋）方向に向けて、素子基板本体１１、配線部（配線部を構成する金属膜や絶縁膜）、層間絶縁膜１４、誘電体膜１８、配向膜１６、無機シール材４２などが、この順番で積層されている。
誘電体膜１８は、無機シール材４２と配線部の金属膜（配線２６，２７）との間に介在し、レーザービーム６１で局所加熱された無機シール材４２の熱が、配線部の金属膜に伝導されにくくしている。誘電体膜１８は、レーザービーム６１の局所加熱による金属膜の温度上昇を低減するので、金属膜のヒロック及び金属膜を覆う絶縁膜のクラックという不具合が抑制される。

「対向基板の概要」
図７は、対向基板の構成を示す図であり、図７（a）は概略平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。なお、図７では、有機シール材、無機シール材、及び保護基板が破線で図示されている。

共通電極３３、誘電体膜３４、及び配向膜３５は、対向基板３０の略全面に形成されている。レーザービーム６１は対向基板３０の中を通過しないので、共通電極３３、誘電体膜３４、及び配向膜３５を対向基板の略全面に形成しても、レーザービーム６１は減衰しない。

「表示装置の製造工程の概要」
図８は、実施形態２に係る表示装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、図８を参照しながら、実施形態１との相違点を中心に、本実施形態に係る表示装置の製造工程の概要を説明する。

ステップＳ１２ａ，２２ａの工程では、誘電体膜１８，３４を素子基板１０及び対向基板３０に形成する。誘電体膜１８，３４は酸化シリコンであり、Ｐ−ＣＶＤによって形成されている。なお、素子基板１０に形成された誘電体膜１８は、フォトエッチングなどの公知技術によって所定の形状に加工されている。

ステップＳ４１の工程では、保護基板５１を対向基板３０に接着させるための接着剤を、マイクロピペッドで滴下する。接着剤は、紫外線で硬化するアクリル樹脂を主成分とする樹脂である。なお、滴下された接着剤は、後述するステップＳ５１の工程で押し広げられ、保護基板５１が対向基板３０に接着される。

ステップＳ４２の工程では、ディスペンサーによって低融点ガラスペーストを素子基板１０に塗布し、枠状の低融点ガラス前駆体を形成する。なお、低融点ガラス前駆体は、後述するステップＳ５２の工程で溶融、固化され、無機シール材４２となる。

ステップＳ５１の工程では、保護基板５１を対向基板３０の素子基板１０と対向する側と反対側の面に貼り合せ、紫外線を照射し、接着剤を硬化させ、保護基板５１を対向基板３０に接着させる。

ステップＳ５２の工程では、レーザービーム６１を局所的に照射し、低融点ガラスを溶融、固化させ、無機シール材４２を形成する。無機シール材４２は、対向基板３０を囲んで枠状に形成される。
なお、ステップＳ５２の工程では、有機シール材４１及び液晶４３にはレーザービーム６１が照射されない。従って、有機シール材４１及び液晶４３は、レーザービーム６１によって加熱されず、熱的ダメージを受けることはない。

以上述べたように、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
対向基板３０、素子基板１０、及び有機シール材４１によって密封された液晶４３は、保護基板５１、素子基板１０、無機シール材４２によって２重に密封されている。さらに、無機シール材４２は優れた耐湿性を有しているので、液晶４３中への外部の湿気の影響（水分侵入）が抑制される。従って、外部の湿気による表示品質の変化（劣化）が抑制され、耐湿性に優れた液晶表示装置が提供される。

誘電体膜１８は、レーザービーム６１が照射される領域まで延在されているので、金属膜に対するレーザービーム６１の局所加熱の影響が緩和（低減）される。すなわち、誘電体膜１８は、レーザービーム６１の局所加熱による金属膜の温度上昇を低減するので、金属膜のヒロック及び金属膜を覆う絶縁膜のクラックという不具合が抑制される。

さらに、本実施形態の表示装置は、電気光学物質としての液晶が内部に封入された液晶表示装置であったが、電気光学物質としての有機ＥＬが内部に封入された有機ＥＬ表示装置であっても良い。

（実施形態３）
「表示装置の概要」
図９は、実施形態３に係る表示装置の構成を示す図である。図９（a）は概略平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。以下、図９を参照して、本実施形態に係る電気光学装置としての表示装置の概要を説明する。
また、図９を含む各図においては、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附している。さらに、重複する説明を省略し、相違点を中心に説明する。

本実施形態に係る表示装置３では、２枚の保護基板５２，５３が形成されている点が、実施形態１との主な相違点異である。さらに、保護膜１５（図１０（ａ）参照）の形状も実施形態１と異なる。
本実施形態に係る表示装置３は、第２保護基板５３、素子基板１０、対向基板３０、第１保護基板５２、有機シール材４１、無機シール材４２、液晶４３、導通材４４などで構成されている。そして、表示装置３では、Ｚ軸（＋）方向に第２保護基板５３、素子基板１０、対向基板３０、第１保護基板５２が、この順に積層されている。

第１保護基板５２は、「第３基板」の一例であり、好適例として石英ガラスを用いている。第１保護基板５２は、素子基板１０との間で対向基板３０を挟持し、対向基板３０を覆うように配置されている。第１保護基板５２は、対向基板３０よりも大きく、第１保護基板５２の外縁は、平面視で対向基板３０の外縁より突出している。第１保護基板５２は、対向基板３０に塵が付着しないように、対向基板３０を保護している。

第２保護基板５３は、「第４基板」の一例であり、好適例として石英ガラスを用いている。第２保護基板５３は、対向基板３０との間で、素子基板１０を挟持するように配置されている。
第２保護基板５３と第１保護基板５２とは、略同じ寸法となっている。第２保護基板５３は対向基板３０より大きく、第２保護基板５３の外縁は、平面視で対向基板３０の外縁よりも突出している。第２保護基板５３は、素子基板１０に塵が付着しないように、素子基板１０を保護している。
第１保護基板５２及び第２保護基板５３には、好適例として石英ガラスを用いている。第１保護基板５２及び第２保護基板５３としては、透明な絶縁基板であれば良く、石英ガラスの他に、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラスなどを用いることができる。

素子基板１０の一辺は、平面視で対向基板３０の外縁よりも突出した突出部を有している。素子基板１０の突出部には、複数の端子２８が形成されている（図１０参照）。さらに、素子基板１０の突出部では、素子基板１０の外縁は、第１保護基板５２の外縁及び第２保護基板５３の外縁よりも突出している。上述した素子基板１０の突出部以外の領域では、素子基板１０の外縁は対向基板３０の外縁と略同じ位置にあり、第１保護基板５２の外縁及び第２保護基板５３の外縁のほうが、素子基板１０の外縁よりも突出している。

無機シール材４２は、レーザービーム６１の局所加熱により溶融、固化した低融点ガラスである。無機シール材４２は、素子基板１０の突出部では第１保護基板５２と素子基板１０との間に形成され、素子基板１０の突出部以外の領域では第１保護基板５２と第２保護基板５３との間に形成されている。換言すれば、無機シール材４２は、第１保護基板５２と、素子基板１０若しくは第２保護基板５３との間で、対向基板３０を囲んで枠状に形成されている。

このように、無機シール材４２は、素子基板１０の突出部では第１保護基板５２と素子基板１０とを接着し、素子基板１０の突出部以外の領域では第１保護基板５２と第２保護基板５３とを接着している。その結果、対向基板３０、素子基板１０、及び有機シール材４１によって密封された液晶４３は、第１保護基板５２、第２保護基板５３、素子基板１０、無機シール材４２によって２重に密封されている。さらに、無機シール材４２は優れた耐湿性を有しているので、液晶４３中への水分侵入が抑制される。

「素子基板の概要」
図１０は、素子基板の構成を示す図である。図１０（a）は概略平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ─Ａ’線で切った概略断面図である。なお、図１０には、有機シール材、無機シール材、及び第２保護基板が破線で図示されている。
上述したように、本実施形態の素子基板１０では、保護膜１５の形状が実施形態１と異なっている。
保護膜１５は、素子基板１０のＸ軸（＋）側の無機シール材４２形成領域に、帯状に形成されている。保護膜１５の幅（Ｘ軸方向の寸法）は、平面視で無機シール材４２の幅よりも大きく、保護膜１５のＹ軸方向に沿った辺は、無機シール材４２のＹ軸方向に沿った辺よりも突出している。従って、レーザービーム６１が照射される無機シール材４２と、配線２６，２７の金属膜との間には、保護膜１５が介在する構成となっている。その結果、保護膜１５によって、レーザービーム６１によって局所加熱された無機シール材４２の熱が、配線２６，２７の金属膜に伝わりにくくなっている。保護膜１５は、レーザービーム６１局所加熱による金属膜の温度上昇を低減するので、金属膜のヒロック及び金属膜を覆う絶縁膜のクラックという不具合が抑制される。

「対向基板の概要」
図１１は、対向基板の構成を示す図であり、図１１（a）は概略平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。なお、図１１には、有機シール材、無機シール材、及び第２保護基板が破線で図示されている。
本実施形態に係る対向基板３０では、共通電極３３及び配向膜３５が、対向基板３０のほぼ全面に形成されている。レーザービーム６１は対向基板３０の中を通過しないので、共通電極３３、誘電体膜３４、及び配向膜３５を対向基板の略全面に形成しても、レーザービーム６１は減衰しない。

「表示装置の製造工程の概要」
図１２は、実施形態３に係る表示装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、図１２を参照しながら、実施形態１との相違点を中心に、本実施形態に係る表示装置の製造工程の概要を説明する。

ステップＳ４１の工程では、ディスペンサーによって、対向基板３０に接着するための接着剤を第１保護基板５２に塗布形成する。接着剤は、紫外線で硬化するアクリル樹脂を主成分とする樹脂である。

ステップＳ６１の工程では、ディスペンサーによって、素子基板１０に接着するための接着剤を第２保護基板５３に塗布形成する。接着剤は、紫外線で硬化するアクリル樹脂を主成分とする樹脂である。

ステップＳ７１の工程では、第２保護基板５３を、対向基板３０と素子基板１０とが接着された基板の素子基板１０側の面に貼り合せ、紫外線を照射し、接着剤を硬化させ、第２保護基板５３を素子基板１０に接着させる。

ステップＳ７２の工程では、ディスペンサーによって低融点ガラスペーストを塗布し、低融点ガラス前駆体を形成する。低融点ガラス前駆体は、上述した素子基板１０の突出部では素子基板１０上に、素子基板１０の突出部以外の領域では第２保護基板５３上に形成される（図１０（ｂ）参照）。低融点ガラス前駆体は、対向基板３０を囲って枠状に形成される。
なお、低融点ガラス前駆体は、後述するステップＳ８２の工程で、無機シール材４２となる。

ステップＳ８１の工程では、第１保護基板５２を、対向基板３０と素子基板１０と第２保護基板５３とが接着された基板の対向基板３０側の面に貼り合せ、紫外線を照射し、接着剤を硬化させ、第１保護基板５２を対向基板３０に接着させる。

ステップＳ８２の工程では、レーザービーム６１を局所的に照射し、低融点ガラス前駆体を溶融、固化させ、無機シール材４２を形成する。その結果、無機シール材４２は、対向基板３０を囲んで枠状に形成され、液晶４３への水分侵入が抑制される。

なお、ステップＳ８２の工程では、有機シール材４１及び液晶４３にはレーザービーム６１が照射されない。従って、有機シール材４１及び液晶４３は、レーザービーム６１によって加熱されず、熱的ダメージを受けることはない。

以上述べたように、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
対向基板３０、素子基板１０、及び有機シール材４１によって密封された液晶４３は、第１保護基板５２、第２保護基板５３、素子基板１０、無機シール材４２によって２重に密封されている。さらに、無機シール材４２は優れた耐湿性を有しているので、外部の湿気（水分）が、液晶４３に侵入することが抑制される。従って、外部の湿気による表示品質の変化（劣化）が抑制され、耐湿性に優れた液晶表示装置が提供される。

無機シール材４２と金属膜との間に形成された帯状の保護膜１５によって、レーザービーム６１によって局所加熱された無機シール材４２の熱が、金属膜に伝わりにくくなっているので、金属膜のヒロック及び金属膜を覆う絶縁膜のクラックという不具合が抑制される。

さらに、本実施形態の表示装置は、電気光学物質としての液晶が内部に封入された液晶表示装置であったが、電気光学物質としての有機ＥＬが内部に封入された有機ＥＬ表示装置であっても良い。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。

（変形例１）
図１３は、変形例１に係る表示装置の構成を示す図である。図１３（a）は概略平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。図１４は、保護基板の斜視図である。以下、図１３と図１４とを参照して、本変形例を説明する。

変形例１に係る表示装置４では、保護基板５１に凹部５４を形成した点が、上述した実施形態２と異なり、他の構成は実施形態２と同様である。
図１３と図１４とに示すように、保護基板５１には凹部５４が形成されている。さらに、対向基板３０の素子基板１０と反対側の面は、保護基板５１の凹部５４に嵌め込まれている。その結果、素子基板１０と保護基板５１との間隔（Ｚ軸方向の距離）を、実施形態２（図５参照）と比較して小さくすることができる。そして、素子基板１０と保護基板５１との間に形成された無機シール材４２の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）を、実施形態２と比較して小さくすることができる。

以上述べたように、本変形例に係る液晶表示装置によれば、実施形態２での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
保護基板５１に凹部５４を形成し、対向基板３０を嵌め込むことで、素子基板１０と保護基板５１との間に形成された無機シール材４２の厚さを小さくすることができる。よって、レーザービーム６１の局所加熱時間（照射時間）を短くでき、より短時間で無機シール材４２を形成することができる。さらに、溶融、固化する過程で生じる歪みも軽減され、当該歪みに起因する無機シール材４２のクラックなどが抑制される。

（変形例２）
図１５は、変形例２に係る表示装置の構成を示す図である。図１５（a）は概略平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図である。図１６（ａ）は第１保護基板の斜視図、及び図１６（ｂ）は第２保護基板の斜視図である。以下、図１５と図１６とを参照して、本変形例を説明する。

変形例２に係る表示装置５では、第１保護基板５２に凹部５５を形成した点、及び第２保護基板５３に凹部５６を形成した点が、上述した実施形態３と異なり、他の構成は実施形態３と同様である。
図１５と図１６とに示すように、第１保護基板５２には凹部５５が形成され、第２保護基板５３には凹部５６が形成されている。さらに、対向基板３０の素子基板１０と反対側の面は、第１保護基板５２の凹部５５に嵌め込まれ、素子基板１０の対向基板３０と反対側の面は、第２保護基板５３の凹部５６に嵌め込まれている。

第１保護基板５２と第２保護基板５３との間隔（Ｚ軸方向の距離）、及び第１保護基板５２と素子基板１０との間隔が、実施形態３（図９参照）と比較して小さくなっている。そして、第１保護基板５２と第２保護基板５３との間に形成された無機シール材４２の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）、及び第１保護基板５２と素子基板１０との間に形成された無機シール材４２の厚さが、実施形態３と比較して小さくなっている。

以上述べたように、本変形例に係る液晶表示装置によれば、実施形態３での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
第１保護基板５２に形成した凹部５５に対向基板３０を嵌め込み、第２保護基板５３に形成した凹部５６に素子基板１０を嵌め込むことよって、第１保護基板５２と第２保護基板５３との間に形成した無機シール材４２の厚さ、及び第１保護基板５２と素子基板１０との間に形成した無機シール材４２の厚さを小さくすることができる。よって、レーザービーム６１の局所加熱時間（照射時間）を短くでき、より短時間で無機シール材４２を形成することができる。さらに、溶融、固化する過程で生じる歪みも軽減され、当該歪みに起因する無機シール材４２のクラックなどが抑制される。

なお、第１保護基板５２または第２保護基板５３のいずれか一方に凹部を形成し、素子基板１０または対向基板３０のいずれか一方を当該凹部に嵌め込む構成であっても良い。例えば、第２保護基板５３に凹部５６を形成し、素子基板１０を凹部５６に嵌め込む構成であっても良い。

（変形例３）
図１７は、変形例３に係る表示装置の構成を示す概略図である。図１７（ａ）は、実施形態１の表示装置に関する変形例であり、図１（ｂ）に対応している。図１７（ｂ）は、実施形態２の表示装置に関する変形例であり、図５（ｂ）に対応している。図１７（ｃ）は、実施形態３の表示装置に関する変形例であり、図９（ｂ）に対応している。
各実施形態との相違点は、表示装置に偏光板と位相差板が積層されている点、及び対向基板にカラーフィルターが形成されている点にあり、他の構成は、各実施形態と同じである。
以下、図１７を参照して、各実施形態の相違点を中心に説明する。

図１７（ａ）に示すように、表示装置６は、位相差板７１と偏光板７２とを有する透過型カラー液晶表示装置である。
対向基板３０の素子基板１０と反対側の面、及び素子基板１０の対向基板３０と対向する側と反対側の面には、位相差板７１と偏光板７２とが形成されている。また、図示を省略するが、対向基板３０にはカラーフィルターが形成されている。

図１７（ｂ）に示すように、表示装置７は、位相差板７１と偏光板７２とを有する反射型カラー液晶表示装置である。
対向基板３０の素子基板１０と対向する側と反対側の面には、位相差板７１と偏光板７２とが形成されている。位相差板７１と偏光板７２とは、保護基板５１、素子基板１０、及び無機シール材４２によって密封され、外部からの水分侵入が抑制されている。また、図示を省略するが、対向基板３０にはカラーフィルターが形成されている。

図１７（ｃ）に示すように、表示装置８は、位相差板７１と偏光板７２とを有する透過型カラー液晶表示装置である。
対向基板３０の素子基板１０と反対側の面、及び素子基板１０の対向基板３０と対向する側と反対側の面には、位相差板７１と偏光板７２とが形成されている。対向基板３０の素子基板１０と対向する側と反対側の面に形成された位相差板７１と偏光板７２とは、第１保護基板５２、第２保護基板５３、素子基板１０、及び無機シール材４２によって密封され、外部からの水分侵入が抑制されている。また、図示を省略するが、対向基板３０にはカラーフィルターが形成されている。

本変形例の表示装置６，７，８では、液晶４３への外部の湿気の影響（水分侵入）が抑制されているので、外部の湿気で表示性能が変化することがない、耐湿性に優れたカラー液晶表示装置が提供される。

本変形例の表示装置７では、位相差板７１及び偏光板７２に対しても外部の湿気の影響が抑制されているので、外部の湿気による位相差性能及び偏光性能の変化（劣化）が抑制された反射型カラー液晶表示装置が提供される。

（変形例４）
実施形態１乃至実施形態３における無機シール材４２は、対向基板本体３１よりも融点が低い低融点ガラスであった。無機シール材４２は、金属であっても良い。
詳しくは、無機シール材４２は、ＳｎＰｂ系合金、ＳｎＡｇＣｕ系合金、ＳｎＺｎＢｉ系合金、ＳｎＣｕ系合金、ＳｎＡｇＩｎＢｉ系合金、ＳｎＺｎＡｌ系合金などの半田で構成された金属であっても良い。
さらに、無機シール材４２は、上述した半田にＢｉ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｇなどを添加し、さらに融点を低くした低融点半田で構成された金属であっても良い。

さらに、無機シール材４２は、蒸着、スパッタなどの真空成膜法で形成したＡｌ、Ａｌを主成分とする合金、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗなどの金属、またはこれら金属の積層膜であっても良い。
さらに、無機シール材４２は、電解メッキ、無電解メッキなどのメッキ法で形成した、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ａｇなどの金属、またはこれら金属の積層膜であっても良い。

上述した金属は、レーザービーム６１の局所加熱によって溶融、固化され、ガラス基板同士を接着（密封封止）することができる。金属は、低融点ガラスに匹敵する優れた耐湿性を有しているので、無機シール材４２を金属とした密封封止によっても、内部への水分侵入が抑制される。

（変形例５）
実施形態２における保護基板５１（図５参照）、並びに実施形態３における第１保護基板５２及び第２保護基板５３（図９参照）は、透明な絶縁基板で構成した。

保護基板５１、第１保護基板５２、または第２保護基板５３は、上述した絶縁基板に電極が形成されたタッチパネルであっても良い。例えば、実施形態２における保護基板５１をタッチパネルとすることでも、液晶４３中への水分侵入が抑制され、耐湿性に優れたタッチパネル方式の液晶表示装置が提供される。

タッチパネルとしては、静電容量方式タッチパネル、抵抗方式タッチパネル、光方式タッチパネル、超音波方式タッチパネル、音響波照合方式タッチパネル、電磁誘導方式タッチパネルなどを使用することができる。なお、タッチパネルの電極は、レーザービーム６１の影響（熱的ダメージ）を受けるので、レーザービーム６１が照射されない領域に形成することが好ましい。

＜電子機器＞
次に図１８を参照して、実施形態１、実施形態３、変形例２、または変形例４のいずれかに係る電気光学装置としての液晶表示装置を搭載した、電子機器の例について説明する。図１８は、電子機器としての３板式プロジェクターの構成を示す平面図である。

プロジェクター２１００において、超高圧水銀ランプで構成される光源２１０２から出射された光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇおよび１００Ｂに入射する。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態１における表示装置１（透過型液晶表示装置）が適用されたものであり、外部上位装置（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像データでそれぞれ駆動される。
ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。ダイクロイックプリズム２１１２において合成されたカラー画像を表す光は、レンズユニット２１１４によって拡大投射され、スクリーン２１２０上にフルカラー画像が表示される。

なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像がダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるため、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｂにより形成される画像と、ライトバルブ１００Ｇにより形成される画像とが左右反転の関係になるように設定されている。

本実施形態の電子機器としてのプロジェクター２１００は、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂとして、上述した実施形態１における表示装置１が適用されているので、耐湿性に優れ、表示ムラなどの不具合も抑制された、優れた表示品質を有するプロジェクターが提供される。

また、電子機器としては、図１８を参照して説明した透過型液晶表示装置を用いたプロジェクターの他に、反射型液晶表示装置を用いたプロジェクター、リアプロジェクション型テレビ、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、本発明に係る表示装置を適用させることができる。

１，２，３，４，５…表示装置、１０…素子基板、１１…素子基板本体、１２…ＴＦＴ、１３…画素電極、１４…層間膜、１５…保護膜、１６，３５…配向膜、１７…反射電極、１８，３４…誘電体膜、２０…表示領域、２１…画素、２２…走査線駆動回路、２３…信号線駆動回路、２４…検査回路、２５，２６，２７…配線、２８…端子、３０…対向基板、３１…対向基板本体、３２…遮光膜、３３…共通電極、４１…有機シール材、４２…無機シール材、４３…液晶、４４…導通材、５１…保護基板、５２…第１保護基板、５３…第２保護基板、５４，５５，５６…凹部、６１…レーザービーム、７１…位相差板、７２…偏光板。

Claims (12)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを接着する、有機材料を主成分とする有機シール材と、
   前記有機シール材で囲まれた領域に封入された電気光学物質と、
   前記第１基板と前記第２基板とを接着し、前記第１基板の外縁と前記有機シール材との間に、前記有機シール材を囲んで枠状に形成された無機シール材と、
   を備えていることを特徴とする電気光学装置。
2. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置され、前記第１基板の外縁より外縁が突出した第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを接着する、有機材料を主成分とする有機シール材と、
   前記有機シール材で囲まれた領域に封入された電気光学物質と、
   前記第２基板との間で、前記第１基板を挟持するように配置され、前記第１基板の外縁より外縁が突出した第３基板と、
   前記第２基板と前記第３基板とを接着し、前記第１基板の外縁と前記第２基板の外縁との間に、前記有機シール材を囲んで枠状に形成された無機シール材と、
   を備えていることを特徴とする電気光学装置。
3. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置され、平面視で、前記第１基板の外縁より突出し複数の端子が形成された突出部を有する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを接着する有機材料を主成分とする有機シール材と、
   前記有機シール材で囲まれた領域に封入された電気光学物質と、
   前記第２基板との間で、前記第１基板を挟持するように配置され、平面視で、前記第１基板の外縁より外縁が突出した第３基板と、
   前記第１基板との間で、前記第２基板を挟持するように配置され、平面視で、前記第１基板の外縁より外縁が突出した第４基板と、
   平面視で、前記有機シール材を囲うように枠状に形成されている無機シール材と、
   を備え、
   前記第３基板の外縁は、前記第２基板の突出部では、前記第１基板の外縁と前記複数の端子との間に形成され、
   前記第３基板及び前記第４基板の外縁は、前記第２基板の突出部以外の領域では、前記第２基板の外縁よりも突出し、
   前記無機シール材は、
   前記３基板のうち前記第２基板の前記突出部と平面視で重なる部分と、前記第２基板の前記突出部と、を接着し、
   前記第２基板の突出部以外の領域で、前記第３基板の外縁と前記第２基板の外縁との間で、前記３基板と前記第４基板とを接着する
   ことを特徴とする電気光学装置。
4. 前記第２基板は金属膜を備えており、
   前記第２基板上の前記無機シール材は、前記第１基板側から前記第２基板側に入射するレーザービームによって局所加熱され、
   前記第２基板には、前記金属膜と前記無機シール材との間に、前記金属膜への前記局所加熱の影響を緩和するための保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記保護膜の形成材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンのいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記無機シール材の形成材料は、金属、または前記第１基板よりも融点が低い低融点ガラスのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記第３基板には凹部が形成され、前記凹部に、前記第１基板が嵌め込まれていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
8. 前記第３基板または前記第４基板の少なくとも一方には凹部が形成され、前記凹部に、前記第１基板または前記第２基板の少なくとも一方が嵌め込まれていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
9. 前記第１基板には透明な対向電極が形成され、前記第２基板には反射電極が形成され、前記反射電極は、前記無機シール材が形成された領域まで延在された誘電体膜で覆われていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
10. 前記誘電体膜の形成材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、または酸化アルミニウムのいずれかであることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電気光学装置は、斜め蒸着された無機配向膜を備えていることを特徴とする。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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