TWI322335B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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1322335 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微影裝置及方法。 【先前技術】 微影裝置係將理想圓案施加至基板之一目標部分上的機 器。微影裝置可用於（例如）積體電路（IC)之製造中。在該 情形下，圖案化器件（或者將其稱為光罩或主光罩）可用於 產生一對應於ic之一個別層的電路圖案，且可將此圖案成 像至一具有一層輻射敏感材料（抗蝕劑）之基板 ，矽曰 y 曰日 圓）的-目標部分（例#，包括部分晶粒、—或若干晶粒） 上。-般而言，單-基板將含有經連續曝光之相鄰目標部 分之-網路。習知微影裝置包括：所謂步進機，在該等步 進機中藉由-次性將整個圖案曝光至目標部分上而照射每 一目標部分；及所謂掃描儀，在該等掃描儀中藉由以給定 方向（”掃描"方向）經輻射束掃描圖案，同時以與此方向平 行或反平行（anti-parallel)之方向同步地掃描基板來照射每 一目標部分。 已將微影術廣泛認可為製造IC及其它器件及具有小特徵 部分（sma11 feature)之產品之關鍵步驟中的一個。然而，隨 著特徵部分之尺寸變得更小’微影術成為用於使得能夠以 大規模製造IC及其它器件，及具有小特徵部分之產品的最 關鍵控制因素（gating fact〇r)中的一個（若其並非最關鍵之 控制因素）。 可藉由如等式⑴所示的關於解析度心㈣標準來 104754.doc 給出對特徵部分印刷之限制的理論評估： 卜~”1 ⑴ 其中人為所用輻射之波長，财為用於對特徵部分進行成像 之投影系統的數值孔徑，且kl為過程相依調節因子，亦稱 為Rayleigh常數。 自等式⑴可知’可以三個方式改良任何給^特徵部分 之解析度：藉由縮短曝光波長入，藉由增加數值孔經NA， • 或藉由降低ki之值。過去同時採取所有此等策略，且預期 在將來繼續採取所有此等策略，對於習知光學微影而言， 最終解析度限制達到kfO.5，其對應於其中僅一組繞射次 序可穿過投影系統之狀態。即使曝光波長自248 nm降至 193 nm及157 nm，且數值孔徑自〇.5增加至0.75，解析度限 制1^=0.5仍然牢不可破。 • 最近所提出之以用於以k 1=0.5或更低之最小半間距製造 1C的足夠曝光範圍來印刷複合圖案的一解決方案係使用渦 Φ 旋式光罩（vortex mask)。（見 Mark D. Levenson等人之"The

Vortex Mask: Making 80 nm Contacts with a Twist!", 22nd Annual BACUS Symposium on Photomask Technology， Proceeding of SPIE Vol. 4889 (2002年））。渦旋式光罩包含 具有0度、90度、180度及270度之相位的矩形。相位渠溝 (phase trench)之壁接近垂直，其中所有四個相位區域交會 於銳角轉角（sharP corner)處，該等銳角轉角界定相位奇點 (phase singularity)。因為波陣面（wave front)並非界定於其 I04754.doc -6 - 1322335 中具有四個不同相仿 ^ Λ ^ {位之矩形父會之轉角處，故該點處之強 又為零換^之，紅風之中央核心係暗的。因此，在橫穿 渴漩式光罩之後，輕射波障面如一旋風且在其中央核心上 具有零振幅’而非形成平面或球體。與負型抗蝕劑過程相 組。，轉移至基板上的光學旋風之_央軸暗點可以小^(基 於半間距）潛在地支持較習知方法更大的過程視窗（proms window)，並可允許以可接受之過程範圍印刷較小之特徵 部分。然而’此技術之成功實施需要適當負型抗蝕劑色調 過程（negative resist tone pr〇cess)之開發，其可能較為複 雜及昂貴。 【發明内容】 藉由對照明組態 '光罩透射（意即，衰減式相移光罩（att_ PSM))及光罩偏移之適當選擇，可以用於以ki=〇4〇或更低 之最小半間距所進行之製造的具有足夠範圍對接觸孔之複 合圖案進行成像。一實施例包括一照明組態，其包括離軸 與同軸元件，該離軸部份為角對稱的且延伸至接近瞳孔邊 緣。對照明組態詳細内容、光罩透射及光罩偏移之適當選 擇允許諸如聚焦深度、光罩誤差增強因素及孔形狀完整性 之微影回應彼等折中（trade-off)且被最佳化。 在一實施例中’衰減式相移光罩與同軸或離軸照明相組 合（以向經隔離及經更密集包裝之孔給出足夠聚焦深度 (DOF))，該離軸照明為圓形對稱且延伸接近瞳孔邊緣。在 本發明之一實施例中’提供適當之孔偏移從而允許在不於 光罩上置放高密度複合輔助特徵部分的情況下以相對較高 104754.doc 1322335 DOF及較低MEEF印刷複合孔圖案。 在-實施例’ k供-方法’其包括：使用—包括同轴及 離轴部份之輻射束來照明一衰減式相移光罩之光罩圖案， 該離轴部份為環形對稱且延伸接近一照明器之瞳孔邊緣；’ 及將該圖案化射束投射至-基板上。在一實施例中光罩 圖案具有-光罩圖案偏移以使該光罩圖案之影像成為所要 尺寸並將其轉移至基板上。 在另-實施例中，提供—微影裝置，其包括：_照明 器，該照明器經組態以調節輕射束並組態該輕射束以具有 同軸及離轴部份，該離轴部份為環形對稱的且延伸接近該 照明器之瞳孔邊緣；-支標結構，其經組態以固持—圖= 化器件，該圖案化器件經組態以根據所要圖案而圖案化該 轄射束並包含-衰減式相移光罩；一基板台，其經組^ 固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該圖案化 束投射至該基板上。 在另-實施例中，提供—用於組態光罩圖案中之特徵部 分之隨機圖案之照明條件的方法，該方法包括：組雄包括 複數個特徵部分之第一網格之照明條件，該等複數㈣徵 :分在該第一網格中以第一間距而排列；組態一包括另一 複數個特徵部分之第二網格的照明條件，該第二網格關於 &第#格旋轉，及基於該第_網格之照明條件及該第二 網格之照明條件而虚$ 4主 一 中仵而確疋特徵部分之隨機圖案的照明條件。 。在中，提供一具有機器可執行指令之電觸產 抑該等Μ可藉由-機器執行以進行—用於組態光罩圖 104754.doc 案中之特徵部分的隨機圖案 括：組態-包括;條件的方法，該方法包 該等複數個特徵部分在第 第，轉的照明條件， 錐一句；^ ^ 中以第一間距而排列；組 第-· ^ 續。^之第二網格的照明條件，該 第-，.同格關於該第一網格 明條件及該第二網…明二該第-網格之照 案的照明條件。 〜月條件而衫特徵部分之隨機圖 【實施方式】

圖!示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。 該裝置包括—適用於調節輻射束B(例如，UV輻射）之照明 系統（照明器）IL’及一經組態以固持圖案化器件（例如，光 j)MA且連接至第一定位器件PM之支撐結構（例如，光罩 台）MT，該第_定位器件PM經組態以關於投影系統^(例 如，投影透鏡）準確地定位該圖案化器件。該$置亦包括 一基板台（例如，晶圓臺）WT，其經組態以固持一基板（例 如抗姓劑塗覆之晶圓）W且連接至第二定位器件PW，該 第二定位器件PW經組態以關於投影系統！>8準確地定位該 基板。該裝置亦包括一投影系統（例如，折射投影透 鏡）PS’其適用於藉由圖案化器件MA而將一給予輻射束B 之圖案成像至基板w之一目標部分（例如’包括一個或多個 晶粒）上。 如此處所描繪的，該裝置為透射型（例如，採用透射光 罩）°或者’該裝置可為反射型（例如，採用如下文所提及 之可程式化鏡面陣列，或採用反射光罩）。 104754.doc -9- 照明器IL自轄射源s〇接收一輕射束。該源及微影裝置可 為獨立個體，例如當該源為準分子雷射時。在此等狀況 下’不認、為該源形成微影裝置之杳P A，且輻射束借助於射 束傳送系統BD而自源s〇傳遞至照明器江，該射束傳送系 統BD包括（例如）合適之導向鏡及/或一射束放大器。在其 匕狀況下，輻射源可為微影裝置之一體化部分，例如，當 該輕射源為汞燈時。若需要，則可將源s〇及照明器江連同 射束傳送系統BD稱為輻射系統。 照明器IL可包括—經組態以調節射束之角密度分佈之調 節器件AM。通常，可調節照明器之一瞳孔平面中之密度 分佈的至少外部及或内部徑向範圍（通常稱為σ外部及〇内 部稱）。此外，照明器化大致包括各種其它部份，諸如積 光器IN及聚光器C0。照明器提供經調節之輻射束Β。 輻射束B入射於圓案化器件MA上，該圖案化器件係固持 於支撐結構MT上。在已橫穿圖案化器件河八的情況下，輻 射束B穿過投影系統PL，該投影系統將該射束聚焦至基板 w之-目標部分（：上。借助於第二定位器pw及位置感應器 IF(例如，干涉i測器件），可準確地移動基板台，（例 如）以便在射束B之路徑中定位不同目標部分類似地， 可（例如）在自光罩庫之機械擷取之後，或於掃描期間使用 第一定位器PM及另一位置感應器（未在圖2中明確描繪）來 關於射束B之路徑準確地定位圖案化器件厘八。一般而言， 可借助於形成定位器PM及PW之兩者或其中一者之部分的 長衝程模組（粗定位）及短衝程模組（精定位）來實現支撐結 104754,doc -10· 1322335 構MT及基板台貿丁之移動。然而’在步進機（與掃描儀相 對）之狀況下，可將支撐結構ΜΤ僅連接至短衝程致動器， 或可將其固定。可使用圖案化器件對準標記ΜΙ、M2及基 板對準標記PI、P2來使圖案化器件MA及基板W對準。 可在以下較佳模式中使用所描繪之裝置： 1. 在步進模式中，支撐結構MT及基板台WT保持基本靜 止’同時一次性將給予輻射束之整個圖案投射至目標部分 C上（意即’單一靜態曝光）。隨後在X及/或γ方向移動基板 台WT，以致可曝光不同之目標部分c。在步進模式中，曝 光場之最大尺寸限制了在單一靜態曝光中所成像之目標部 分C的尺寸。 2. 在掃描模式中，同步掃描支撐結構mt及基板台WT， 同時將給予輻射束之圖案投射至一目標區域（：上（意即，單 一動態曝光）。藉由投影系統PS之放大倍率（縮小倍率）及影 像反轉特性來確定基板台WT相對於支撐結構1^1之速度及 方向。在掃描模式中’曝光場之最大大小限制了在單一動 態曝光中之目標部分的寬度（於非掃描方向），同時掃描運 動之長度確定了該目標部分之高度（在掃描方向）。 3. 在另一模式中，保持支撐結構^!丁基本靜止地固持一可 程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台臂丁同時將給予 投影束之圖案投射至一目標部分Cl。在此模式中，通常 採用脈衝輻射源，且在基板台WT2每一移動之後，或於 掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要更新可程式化圖案化 器件。此運作模式可容易地應用於利用可程式化圖案化器 104754.doc 1322335 件（諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列）之無光罩 微影中。 Μ 亦可採用上述有用模式之組合及/或變化，或完全不同 之有用模式。 歷史上，藉由控制照明器數值孔徑（ΝΑ川）之相對大小而 最佳化微影投影裝置之解析度限制。關於投影系統數值孔 徑（NAps)控制NAin允許了圖案化器件（光罩）平面中之空間 同調性（spatial c〇herence)的修正，其通常被稱為部分同調 性σ，其中： σ = (NAin)/(NAps) 此通常係經由在K5hler照明系統中之聚光器透鏡之規格而 完成。實質上，此允許對繞射資訊之光學處理進行操縱。 習知地使用完全環形照明孔徑（習知或〇(sigIna)照明器組 態）來完成投影成像系統之部分同調性的最佳化。藉由控 制在具照明器瞳孔尺寸之投影系統中之繞射資訊的分佈， 可獲得最大影像調變。 為了增強微影裝置之解析度及聚焦深度（D0F)，亦可使 用各種增強技術。此等技術包括光學近似誤差（〇PE)之光 學近似修正（OPC) ’相移光罩（PSM)，及次解析度輔助特徵 (SRAF)。母一技術可單獨使用或與其它技術相組合使用， 以提高解析度。 然而’習知照明組態及習知增強技術具有有限之能力且 通常不能印刷低於kl = 0.4之半間距。一般而言，可藉由習 知照明組態使用完全環形照明孔徑及相移光罩完成之最佳 104754.doc -12- 1322335 設定係keO.45至0.5。然而，此設定對於以足夠範圍正確 地成像小接觸孔（意即，小於1〇〇 nm)而言並不足夠。接觸 孔並非具有最小結構之唯一接觸孔，而是其亦為甚至更嚴 格地表現（render)聚焦深度（D0F)之要求的三維結構。此 外，包括複數個接觸孔（諸如接觸陣列）之足夠品質高對比 影像在間距縮短時可能尤其難以印刷。

可將此等成像要求更具挑戰性地表現為具有隨機接觸孔 圖案。圖2中說明接觸孔2〇1之隨機圖案的示意性實例。如 可在此圖中所見的，一些接觸孔（例如，H1至H4)之最接近 之相鄰接觸孔的座標可顯著變化，因此使得印刷過程較為 困難。舉例而言，孔H1與其最接近之相鄰孔H2i間的距 離顯著大於孔H3與其最接近之相鄰孔H4之間的距離。此 外孔H2相對於孔H1之定向顯著不同於孔H4相對於孔扣 之疋向。此圖亦展示：—孔（例如，H5)可具有相對於盆相 鄰孔之可變之間距及角定向。 、

在本發明之一實施例中提出了 、 〜一，以仏且、w明條件 2 P刷小特徵部分之隨機圖案，諸如圖2中所示之圖案。 :體言之’在一實施例中’ S出以具有不同定向之多個非 j圖案來模仿小特徵部分之隨機圖案，且獨立地為其每 找出照明條件。此等非隨機圖案包括可以不 :之㈣特徵部分。隨後可使用此等非隨機圖案之己 L來確定隨_案之照明條件。因為對基板平^ 線性過程，故經由疊加而計算隨機圖案之： 疊加中，電場係來自每-非隨機圖案之個別貢獻之總

l〇4754.dOC •13· 1322335 和。 圖3展示根據本發明之一實施例可用以模仿圖2之隨機圖 案的多個非隨機圖案。此等非隨機圖案為含有各種間距 (間距1至5)之方格網格。實務上，此等方格網格係以離散 之間距間隔而選擇，且每一間距處於離散之定向角，藉此 對完全範圍之網格間距及角定向進行取樣。 圖4展示不同網格定向之模擬照明組態最佳化結果。詳 言之’此圖展示若干多極照明組態（五極照明組態），其可 用以經由完全範圍之間距成功地印刷1^ = 0.4之最小間距接 觸孔網格。在圖4中，每一源形狀對應於以所指示之角定 向印刷90 nm接觸孔之方格網格陣列400的最佳源形狀。此 等照明條件對應於五極照明組態，該五極照明組態包括一 同轴及一離軸部份。已藉由KL A-Tencor所開發之PROLITH 8.01向量成像模擬工具為衰減式相移光罩計算此等照明條 件。應瞭解，用於組態隨機接觸孔之照明條件的方法可擴 展至任何類型之特徵部分。 通常，可使用不同模型來進行微影模擬。可發現最佳化 參數化照明組態之模擬模型及方法的實例，例如在於2003 年 2月 11 日申請之題為"Method for Optimizing an Illumination Source Using Full Resist Simulation and Process Window Metric"的美 國專利申請案第10/361,831號中，及在於2003年11月20曰 申請之題為"Lithographic Apparatus and Method for Optimizing an Illumination Source Usirig Isofocal Compensation"的美國專利申 請案第10/716,439號中。此等兩申請案之全部内容以引用 104754.doc -14- 1322335 的方式併入本文中。 在-實施例中，可以空間影像模型來進行微影模擬，以 確定至輻射敏感材料(抗蝕劑)上之入射輻射能量分佈。可 以傅裏葉光學（Fourier 〇pties)之純量（scalar)或向量形式來 進行對^間影像之計算。微影裝置及過程之特性（如數值 孔徑（NA)或特殊圖案）可作為用於模擬之輸入參數而輸 入。可藉由使用對比或標準化空間影像對數斜率⑺比”度 量（標準化為特徵部分尺寸）來確定空間影像之品質。此值 對應於影像強度（或空間影像）之斜率。 用以進行空間影像模擬之相關參數可包括距高斯影像平 面（Gaussian image plane)之聚焦平面的距離，其意味著至 其中最佳聚焦平面存在之平面的距離，如藉由幾何光線光 學（geometrical ray optics)或準單色輻射源之中心波長而確 定的。該等參數亦可包括照明系統之空間部分同調性之程 度的I測、曝光基板之投影系統之數值孔經、光學系統之 像差及表示圖案之空間透射功能之描述。 在另一實施例中，可藉由抗蝕劑模型來進行微影模擬。 在一實施例中，於關鍵尺寸（或大小）及其具有諸如劑量/曝 光能量及聚焦之變數之變化的計算中，抗蝕劑模型可考 慮：抗蝕劑曝光，抗蝕劑烘焙及抗蝕劑顯影。同樣地，在 一實施例中’抗蝕劑模型可考慮非平面構形及向量效應。 向量效應係指在使用高數值孔徑時電磁波傾斜地傳播之事 實。儘管在計算空間影像時可考慮向量效應，但因為在入 射光線於抗钱劑中傳播時，由於抗餘劑之較高折射率而傾 104754.doc -15- 1322335 向於平直，故在低折射率之介質中（例如，空氣中）之向量 效應的計算可極大地高估於基板上獲得之對比損失。因 此’具嚴密電磁波計算之抗ϋ劑模型可為用以準確確定實 際實驗回應所需的。 在其它實施例中，亦可使用額外模型，如集總參數模型 或可變臨限抗蝕劑模型。應瞭解，選擇模擬模型係因為其 匹配實驗資料。 回頭參看圖4，當經由完全之角範圍旋轉接觸孔網格 時，最佳之照明組態自然地與其一起旋轉。為了以單—照 明組態成功地印刷接觸孔網格而不管其定向如何，可將圖 4中所描繪之此等旋轉照明組態相加/重疊。此單一照明（本 文中亦稱為靶式（bullseye)"照明組態）包括環形離軸照明 部份及習知同軸照明部份。在此照明組態的情況下，可以 用於以h 0.35或更低最小半間距所進行之製造的足夠範圍 對複合接觸孔圖案進行成像。儘管與和經定向孔陣列相組 合之經定向多極照明相&，效能大致係折衷的，但乾式照 明組態平等地對待所有定向。對應隨機圖案而言，靶式照 ^可呈現最佳成像解決方案’尤其在使用衰減式相移 光罩的情況下。 圖5b展示兩圖表，其表示對於三個不同照明組態

而。的作為網格旋轉角之函數的CD變化半範圍/CDU之模 擬變化，該尊r:彳田了 M 寻—個不同照明組態為五極照明組態、靶式昭 明組態及習知同麵昭 ‘.、、月組態。在圖5a中，五極照明組態包 八〇.3之半徑（相對於完全照明器孔徑而言被標準化）的 104754.doc 1322335 習知同軸照明，及關於水平軸以+/-450而配置之四個離轴 極（off-axis pole)。此等離軸極具有〇.6之内半徑及〇9之外 半位。乾式照明組態具有〇 · 6之内半徑及〇 · 9之外半徑的環 形照明以及0.3之半徑的習知同軸照明。習知同軸照明組 態具有0.9之半徑。在圖5b中’考慮更鬆弛之間距，且給 出大體類似於圖5a之彼等照明組態之照明組態的模擬結 果。在圖5b中，5極照明之離轴極具有〇52之内半徑及〇82 之外半徑，且習知照明之半徑為0.77。

應瞭解，可以習知射束定形器來進行對此等照明組態之 產生。美國專利案第6,452,662號揭示了（例如）可被用於產 生此等照明組態之多模式產生元件。該申請案之全部内容 以引用的方式併入本文中。在該申請案中所揭示之多極產 生元件包括可在照明系統之瞳孔平面處插入射束路徑中的 四個三角形葉片。此多模式產生元件使得能夠產生連續可

變之四極照m在另—實施财’可使用金屬孔徑板 濾波器來產生所要之照明組態。 圖5a展示以對應於kl=〇.38之最小接觸孔間距163 2⑽而 獲得之結果。圖51?展示以對應於ki=〇45之最小接觸孔間距 193 nm而獲得之結果。此處所用之⑶變化半範圍量近似 於CD變化三σ值，且表示作為若干參數之結果的接觸孔⑶ 變化，該等參數可包括劑量、焦距、光罩誤差、透鏡像差 等等。在剩餘之描述中，CD變化半範圍將被稱為關鍵尺 寸均勾性(CDU)。在圖5a至圖5b之實施例中，由於劑量、 焦距及光罩誤差而使CDU對應於CD變化之平方和 I04754.doc 丄322335 (quadratic sum)。網格在〇。至45。之範圍内旋轉，由於問題 之對稱性，故該範圍橫越所有可能之角定向。模擬參數包 括90 nm之孔大小、〇·9數值孔徑（NA),且最佳化度量用於 在〇·15 μιη焦距、2%劑量及2 nm光罩CD誤差範圍内最小化 CD變化。應瞭解，此範圍為現代光微影過程之預期變化 之典型。 如可在圖5a至圖5b中所見的，諸如習知及靶式照明組態 之對稱照明組態經由角而為"平坦的"。然而，最佳結果係 以靶式照明組態而獲得。對於此類型之照明組態而言，不 管間距及網格旋轉角如何，皆可獲得低於1〇 nm2 CDu。 經由對比，當角對緊湊之間距不敏感時，多極照明組態 (例如，5極照明組態）隨著間距之增加而可能極為敏感。 圖6a至圖6b展示對於對應於最小半間距ki=〇 4之兩不同 照明組態而言的以90 nm接觸孔之方格網格圖案而獲得的 模擬CDU映射（網格角對間距）。此等（：1)1;映射係藉由對以 160 nm至320 nm間距範圍產生圖5a至圖讣中之圖表而進行 的相同類型之計算進行重複而獲得。在圖以中，為與二元 光罩（binary mask)(BIM)上之圖案一同使用之離軸多極照 明組態而計算CDU映射。在圖6b中，為與6%衰減式相移 光罩上之圖案一同使用的五極照明組態而計算CDu映射。 圖6c至圖6d分別展示離軸多極及五極照明組態之橫截面。 離軸多極照明組態具有0.96之外半徑（相對於瞳孔孔徑而 。）0_76之内半徑及3〇〇之張開角（〇pening angle)。五極照 明組態具有0·23半徑中心極’及具有㈣之内半徑、1〇: 104754.doc •18· 1322335 外半徑及30°之張開角的離軸極。模擬參數包括〇 9數值孔 徑（NA)及最佳化度量，該最佳化度量用於在〇 15 μιη焦 距、2%劑量及2 nm光罩CD誤差範圍内最小化CD變化。 圖6a展不.給出所要CDU結果之區域極小。僅對於（16〇 nm至200 nm/Ο。至20。）之窄間距及旋轉角範圍而言可獲得低 於9 nm之CDU值。在此區域外部’ CDU之結果對於器件製 造而言係不良的，意即高於1 〇%。圖6展示五極照明器經

由完全間距範圍但僅對於自〇至約8。之網格角而言給出良 好 CDU。 圖7a至圖7b展示對於對應於最小半間距ki = 〇 4、最佳化 之源及偏移之兩不同照明組態而言的以9〇 nm之方格網格 而獲得的模擬CDU映射（網格角對間距）。在圖以中，為與 6%衰減式相移光罩上之圖案一同使用之靶式照明組態而 計算CDU映射。在圖7b中，為與該圖案一同使用之具有 0.7半徑之習知同轴照明組態而計算CDU映射。此等cdu

映射係藉由對以160 nm至320 nm間距範圍產生圖“至圖几 中之圖表而進行的相同類型計算進行重複而獲得。圖化至 圖7d分別展示靶式及習知照明組態之橫截面。靶式昭明组 態具有〇.28之半徑的習知照日月及—具㈣87之时徑& 〇 之外半徑的環形照明。習知昭明细能目士 λ， ^ 白方‘、、、明組態具有0.7之半徑。在 兩狀況下’以類似於圖6a至圖丨 國6b中所識別之微影模擬參數 之微影模擬參數來進行對CDU映射之計算。 如可在圖7a至圖7b中所見的， 所見的CDU結果對於對稱照明組 態而言更佳，該對稱照明組態證實 “ a員ί圖5a至圖5b之結果。 104754.doc •19· 1322335 對於式照明組態而言，平均CDU為8.9 nm且最差接觸孔 0〇1；為11.7 11111。對於靶式照明組態而言，平均（：〇1;為12.2 nm且最差接觸孔CDU為15.7 nm。然而，與（例如）圖7(1中 所示之習知照明組態相比’可以乾式照明組態來獲得較好 結果。對於靶式照明組態而言，可經由間距及網格角之完 全範圍而獲得良好之CDU結果（意即，低於約1〇%)。 可以隨機接觸孔圖案來測試圖7a至圖7b中所示之照明組 態，以確定是否亦可獲得類似之CDU結果。表丨及表2說明 藉由以圖8a中所示之隨機圖案之所選接觸孔（丨至9)進行模 擬而獲得之CDU(CDU平均值及CDU最大值）結果。在此等 表中，將圖7c之靶式照明組態與圖7d之習知照明組態進行 比較》此等CDU結果與以經由間距及角之接觸孔網格而獲 得的CDU結果進行比較。 在兩情形中，隨機圖案為相同的。其包括90 nm接觸孔 及171 nm最小間距之圖案。以〇 9數值孔徑（ki=〇 4)及6%衰 減式相移光罩（無任何輔助特徵部分）而進行計算。雖然施 加水平及垂直接觸孔偏移，但球形偏移（意即，光罩上之 接觸孔大小與目標大小之間的CD差異）及劑量條件與在前 述貫施例中所用之彼等相同。應瞭解，適當之孔偏移（與 適當照明相組合）允許在不於光罩上置放高密度複合輔助 特徵部分的ff況下以相肖較高&焦深度及低力罩誤差增強 因素（MEEF)來印刷複合孔圖案。亦以一最佳化度量來進 行什异，該最佳化度量於〇·15 μιη焦距、2%劑量及2 nm光 罩誤差最小化CD變化。 104754.doc -20- 1322335 表1及表2展示隨機接觸孔圖案及旋轉接觸孔網格之平均 及最大CDU。表1中之結果係以圖7c之照明組態（意即，靶 式照明組態’其包括0.28之半徑的習知照明及一具有0.87 之内半徑及1.0之外半徑的環形照明）而獲得。表2中之結果 係以圖7d之照明組態（意即，具有〇 7之半徑的習知σ照明） 而獲得： CDU平均值(nm) CDU最大值(nm) 隨機圖案 10.3 12.1 經由間距及角之網格 8.9 11.7 表1 CDU平均值(nm) CDU最大值(nm) 隨機圖案 13.5 15.3 經由間距及角之網格 12.2 15.7

表2 表1及表2展示：隨機接觸孔圖案之平均及最大cdu值大體 類似於紅轉接觸孔網格之平均及最大CDU值。此等結果展 不：以經由間距及角之接觸孔網格而獲得的Cdu值係以隨 機接觸孔圖案獲得之CDU值的良好指示（儘管它們不一定 預示OPC之簡易）。此等結果亦展示經由間距及角方法之接 觸孔網格可用以預示隨機接觸孔圖案之行為，該等行為大 致難以模擬。對表1與表2之結果之比較亦指示靶式照明組 態對於隨機接觸孔圖案提供更佳CDU結果。圖8b至圖“中 展示了對於兩照明組態而言的對印刷於基板上之所得光阻 抗蝕劑圖案的模擬。 104754.doc 21 1322335

圖9a展示作為圖9b中所示之隨機孔圖案之所選圖案孔之 聚焦深度之函數的曝光範圍之模擬變化。為圖乃之乾式照 明組態而進行計算。在孔CD及間距方面之圖案特性並不 改變。最小間距為171 nm且使用6%衰減式相移光罩。照 明條件與先前所示之彼等照明條件相同，且1^八為〇·9。過 程視窗計算假定±10%之可允許CD誤差。為所選接觸孔之 水平量測給出結果。圖9a展示：對於隨機圖案中之所有所 選點而言，可獲得大於約0.18 μηι之聚焦深度及在約？％與 8%之間的曝光範圍。圖9c展示以靶式照明組態而獲得的光 罩之隨機布局與接觸孔（方格接觸孔）之模擬印刷孔圖案以 及模擬抗钱劑分佈的疊加β

可使用浸潰式微影曝光技術來進一步增強聚焦深度及曝 光範圍結f舉例而言，圖1()3至圖⑽分別展示以乾式曝 光（圖1Ga)及液體水浸潰式曝光（ki=Q 4)(圖⑽）進行的曝光 範圍之模擬變化，該曝光範圍之模擬變化係為圖Μ。中所 示之隨機圖案之所選接觸孔（1至9)的聚焦深度之函數。數 值孔徑NA為0.9且在兩計算中皆使用具有河7之習知照 明。為圖7d中所示之習知照明組態且為每―接觸孔之水平 及垂直部份而進行模擬。對圖1〇a與圖⑽之比較指示：浸 潰過程大體上增強了聚焦深度。表3 A s ^ β , 衣3為一展不以乾式及浸 潰式曝光而獲得之模擬的CDU結果。表3中所示之cmj結 果指不：對於相同NA而言，浸潰過程改良了微影過程’ 從而給出較尚聚焦深度且較低CD變化： 104754.doc -22· 1322335 CDU平均值(nm) CDU最大值(nm) 乾式 13.5 15.3 浸潰式 卜 8.1 10.4 表3 浸潰式曝光清晰地將微影過程擴展至更低k ^。 現參看圖lla，其描繪了作為圖1〇c之第丨至8號接觸孔的 1焦>木度之函數的曝光範圍之模擬變化。接觸孔大小已自 90 nm降至75 nm，且最小間距降至144 nm。隨機圖案與圖 1 0c中所示之隨機圖案相同。以圖丨丨b中所示之離轴多極照 明組態來曝光隨機接觸孔圖案β離轴極具有Ο.%之外半 徑、0.76之内半徑及20。之張開角。採用干涉映射/無鉻相 位微影（IML/CPL)，及〇.93 ΝΑ液體水浸潰式曝光過程來進 行計算。干涉映射技術產生了最佳化二元光罩，該等二元 光罩含有0。與180。之相位輔助槽以與離軸照明一同使用。 此技術可用以增強曝光範圍與聚焦深度。如可在圖Ua中 所見的，用於圖10c之所選接觸孔的聚焦深度在約〇1 至約0.2 μιη之範圍内，且曝光範圍在自約6至12%的範圍 内。以此過程獲得之光罩誤差增強因素（MEEF)在3 2至5 8 之範圍内，其對於此困難之圖案及ki而言相當低。在對應 圖案特徵部分大小之每單位變化中，MEEF對應於基板上 之最終特徵部分大小之遞增變化（其中藉由成像裝置之縮 小比而將圖案尺寸縮放至基板大小接近微影裝置之解 析度限制’ MEEF通常顯著地上升。所達成之最小曝光範 圍為約5.5%，且最小聚焦深度為約〇 η μηι。模擬結果展 示了經良好界定之印刷接觸孔。 104754.doc -23- 1322335 圖l2a中展示了使用IML/CPL·光罩對圖12b中所示之離軸 多極照明組態之類似模擬計算的結果。圖12a表示使用 0·93 NA液體水浸潰式曝光過程所進行的曝光範圍之模擬 變化，該曝光範圍係為圖10之隨機圖案之第丨至9號接觸孔 之聚焦深度的函數。以圖12b中所示之離轴多極（(：〇1^(1類 聖）”’、月組態來照明此等接觸孔。離軸極之大小與圖11 b之 離軸極大小相同，意即，此等極具有〇 96之外半徑、〇 76 之内半彳二及約20。之張開角。然而’此等極係經不同地定 位（X及Y軸）。結果指示存在較小孔完整性，意即較之圖 11 a所不之照明組態而言，存在更多不良形狀變化及孔合 併《最小曝光範圍為約5.5%，且最小聚焦深度為約〇.i2 pm ^ 圖Ua說明對於如圖Ub所示之以靶式照明組態（〇 3之半 徑的習知照明及0.8之内半徑/1〇之外半徑的環形照明）而 照明之隨機接觸孔圖案而言的作為聚焦深度之函數的曝光 範圍之模擬變化。以6%衰減式相移光罩及35 nmi光罩偏 φ 移而進行計算。表4展示與用於圖13a之隨機圖案之所選孔 之印刷接觸孔大小（在光阻抗蝕劑中）相比的如量測於光罩 上之接觸孔的大小《表4亦展示對於74 99U2CD的劑量與 大小值之比E 1:1 : 光罩大小 CD ~ΕΪΓ\~~~~ 74.9911 37.33 104.10 75.02526 _112.47 75.05898 ΊΤο.ιο 74.9848 — .109.83 75.04356 ---—- TTl.38 74.91046 ---- 109.57 74.84883 — ---- 104754.doc •24- 1322335 110.14 74.94553 111.82 74.9547 表4 給出對於圖10c之第1至9號接觸孔而言的0.93 ΝΑ之浸潰式 微影曝光過程之結果。如可在圖13a中所見的，可以此過 程獲得約0.1 5 μπι之最小聚焦深度及約6%之最小曝光範 圍。亦可能獲得約4.5至5·7之MEEF值，該等值相當低。 以12%衰減式相移光罩而進行類似於圖1 3a之彼等計算 的計算。圖14a展示作為以圖14b之靶式照明組態照明的相 同隨機接觸孔圖案之聚焦深度之函數的模擬曝光範圍。圖 14b之乾式照明組態包括〇 35之半徑的習知照明及具有ο』 之内半徑及1.0之外半徑的環形照明。亦以35 nm光罩偏移 及0.93 NA液態水浸潰式曝光過程來進行計算◊表5展示與 用於圖14a之隨機圖案之所選孔之印刷接觸孔大小（在光阻 抗蝕劑中）相比的如量測於光罩上之接觸孔的大小。表5亦 展示對於75.01126之CD而言的劑量與大小值之比E1: j : 羌罩大小 CD El:l 75.01126 40.83 104.64 75.27369 113.40 74.94029 110.47 75.2674 110.00 74.89674 111.58 75.00452 109.17 74.83958 109.94 74.9884 111.09 75.10445 表5 104754.doc •25· 1322335 為先前所識別之接觸孔給出結果。如可在圖i4a中所見 的，u%衰減式相移光罩與靶式照明組態之組合可極大地 增強聚焦深度。最小曝光範圍為約5%、最小聚焦深度為 約0.2叫倾膽在約5.7至7.9之範^内。儘管過程視=較 之6%Att-PSM狀況更有利，但密集地安置孔以進行合倂的 趨勢較大且因此OPC可能更加困難。 圖15a展示對於以圖15b之靶式照明組態而照明的如圖 10c中之相同隨機圖案而言的作為聚焦深度之函數的模擬 曝光範圍。乾式照明組態具有0.3 5之半徑的習知照明及一 具有0.8之内半徑及1.〇之外半徑的環形照明。以18%衰減 式相移光罩、45 nm之光罩偏移及ο.% NA之液態水浸漬式 曝光過程來進行計算。表6中給出了如量測於光罩上之接 觸孔大小與用於圖15a之隨機圖案之所選孔之印刷接觸孔 大小（在光阻抗蝕劑中）的比較。為先前所識別之相同接觸 孔給出結果。表6亦展示對於74.97197之CD而言的劑量與 大小值之比E1:1 : 光罩大小 CD El:l 74.97197 32.421 112.0607 74.65926 123.8081 74.84603 120.5877 74.56219 120.138 75.09647 122.1175 74.99792 118.521 74.81227 119.9422 74,78689 120.4255 74.69791 表6 104754.doc -26- 1322335 圖15a展示可以此照明組態獲得相當高之聚焦深度。最小 曝光範圍為約5%、最小聚焦深度為約0.23 a m且MEEF在 約5.0至7.2之範圍内。密集地安置孔以進行合倂之趨勢較 大。儘管未圖示，但模擬已證明對具有高達約30%衰減式 相移光罩之使用提供了令人滿意之結果。此外，環形照明 之内半徑可具有在約0.6與0.87之間的標準化值。 圖16展示靶式照明組態，其在聚焦及劑量方面提供良好 結果，同時提供更佳之孔形狀完整性。使用如圖9至圖13 ® 中之相同隨機圖案來最佳化一具有0.2之半徑的習知照明 及0.9/0.7之（外/内）半徑的環形照明之靶式照明組態。以9% 衰減式相移光罩、25 nm之光罩偏移及0.93 NA之液態水浸 潰式曝光過程來進行最佳化。表7中將量測於光罩上之接 _ 觸孔大小與用於使用圖16之照明組態進行曝光的隨機圖案 之所選孔之印刷接觸孔的大小（在光阻抗蝕劑中）進行比 較。表7亦展示對於75.06969之CD而言的劑量與大小值之 比 El:l : 光罩大小 CD El:l 75.06969 53.5923 94.9203 75.04066 101.5474 74.94169 99.27625 75.04936 98.87174 75.0195 100.8029 74.98233 101.2076 74.78883 100.7871 74.75171 101.2134 74.8559 表7 104754.doc -27· 1322335 相當良好之孔完整性係可能的，且不存在接觸孔之橋接。 上述實施例指示可藉由適當地組合靶式照明組態、相移 光罩及適當之光罩偏移而顯著地改良用於隨機圖案之微影 過程。可以靶式照明將對應於約〇 35之最小半間距、因子 進行成功地成像。 應瞭解，可根據機器可執行指令而執行在對光罩圖案光 學轉移至基板上進行組態或隨機圖案之照明條件中所涉及 的不同行為。此等機器可執行指令可内置於（例如）微影裝 置之控制單元的資料儲存媒體中。控制單元可包括一處理 器’該處理器經組態以控制調節器件aM及對退出照明系 統IL之射束中的橫截面密度分佈進行修正。 在本發明之一實施例中，機器可執行指令可内置於可與 模擬軟體一同使用之電腦產品中，該模擬軟體諸如 ProlithTM、Solid-CTM、UthocruiserTM 或其類似軟體。亦 即，該電腦產品可經組態以產生及輸入照明檔案至模擬軟 體中’並指導模擬軟體使用（例如）空間或完全之抗蝕劑模 擬來什算所要圖案之影像。電腦產品可隨後經組態以輸出 經計算之影像及相對於一個或多個標準來評估此影像以判 斷該影像是否具有適當之光學品質以將所要光罩圖案成功 地印刷於基板上。 儘管本文中可特定地參考微影裝置在積體電路製造中之 使用，但應瞭解，本文所述之微影裝置可具有其它應用， 諸如整合光學系統、磁疇記憶體之引導及偵測圖案、夜曰 顯示器（LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者將瞭解， 104754.doc -28- 1322335 在此等替代應用之情形下，可認為本文中對術語"晶圓"或 ”晶粒"之任何使用分別與更一般之術語，，基板”或"目標區域π 同義。可以（例如）執道（一工具，其通常對基板塗覆一層抗 蝕劑，且對經曝光之抗蝕劑進行顯影），或度量工具或檢 測工具在曝光之前或之後對本文所提及之基板進行處理。 在適用之處，可將本文之揭示内容應用於此等及其它基板 處理工具中。另外，可將基板處理一次以上，（例如）以產 生一多層ic，以致本文中所用之術語基板亦可指一已含有 多個經處理之層的基板。 本文中所用之術語”輻射”及"射束U包含所有類型之電磁 輻射，其包括紫外線（UV)輻射（例如，具有365、248、 193、157或126 nm之波長的輻射）、遠紫外線（EUV)輻射 (例如，具有在5至20 nm範圍内之波長），以及粒子束，諸 如離子束或電子束。 應將本文中所用之術語"圖案化器件"廣泛解釋為指可用 於向射束之橫截面給予一圖案（諸如）以在基板之目標部分 中產生一圖案的任何器件。應注意，給予射束之圖案可能 不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常， 給予射束之圖案將對應於正被產生於目標部分中之諸如積 體電路之器件中的特殊功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包 括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩係 為微影領域所熟知，且其包括多個光罩類型·，諸如二元 型、交替相移型，及衰減式相移型，以及各種混和光罩類 104754.doc -29· 丄 里可程式化鏡面陣列之實例採用小鏡面_ a f 4 小鏡面可個別地傾斜，從而以不同方向反射入射賴射 束；所反射之射束以此方式被圖案化。 支結構以一方式[5] J：主rm电I, „ 飞U持圖案化器件’該方式取決於圖案 化器件之定向、微影裝置之設計及其它條件諸如（例如） 圖案化器件是否固持於真空環境中。支撐可使用機械夾 持、真空或其它夾持技術，例如於真空條件下的靜電夹 持支樓作構可為框架或台，例如其可視需要為固定的或 可移動的’且其可確保圖案化器件處於(例如)關於投影系 統之所要位置。可認為對本文中之術語”主光罩"或"光罩" 之任何使用與更一般之術語"圖案化器件"同義。 應將本文中所用之術語"投影系統"廣泛解釋為包含各種 類型之投影系 '统，其包括適用於（例如）所用之曝光輻射， 或適用於諸如浸潰液體之使用或真空之使用的其它因素之 折射光學系統、反射光學系統及反射折射混合光學系統。 可認為本文中對術語”投影透鏡之任何❹與更—般之術 語”投影系統”同義。 照明系統亦可包含各種類型之光學部份，其包括用於引 導，成形或控制輻射束之折射、反射及反射折射混合光學 部份，且可於下文中將此等部份共同地或單一 鏡”。 微影裝置可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上支撐結構）之類型。在此等"多平臺I機器 中，可平行地使用額外台，或可於一個或多個臺上執行預 104754.doc 1322335 備步驟，同時將一個或多個其他台用於曝光。 微影裝置亦可為—類型，在該類型中將基板之-表面浸 潰於具有相對較高折射率之液體（例如水）中，以填充投影 系統之最終元件與該基板之間的空間。亦可將㈣液體施 加於微心裝置中之其它空間中，例如施加於光罩與投影系 統之第1件之間。浸潰技術以其用於增加投影系統之數 值孔徑而為此項技術所熟知。 可將本文所述之方法建構為軟體、硬體或其組合。在一 實施例中：提供一電腦程式，其包含一程式碼，當於電腦 系統上執订該程式碼時，該程式碼指導該電腦系統進行本 文所述之任何或所有方法。 雖然上文中已描述了本發明之特定實施例，但應瞭解， 可以與以上描述不同之方式實踐本發明。該描述並非用以 限制本發明。 ，列π 您微圆茶時，

备在本描述及申請專利範 應將其理解為指使圖案之特徵部分之空間分佈的一態樣特 徵化之一個或多個變數，且指與真實隨機變數之類比。舉 例而έ，在1c層中，可認為任何兩相鄰特徵部分之間的距 離向1為變數’且此變數可引起類似於隨機變數之機率分 :(例如，對於向量之方向及對於向量之長度而言）。此分 佈因此含有關於變數之資訊，且因此含有關於圖案之資 ::本發明並不限於特定機率分佈形狀及/或機率分佈類 【圖式簡單說明】 104754.doc 1322335 圖1表示根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2展示示意性隨機圖案； 圖3說明-可模仿隨機圖案之週期性方格網格之陣列； 圖4說明可用於以不同旋轉方向印刷方孔網格之若干多 孔照明組態（5孔照明組態），及可 7 用於對接觸孔網格之所有 經描繪角定向進行成像的”靶式"照明組態； 圖5a至圖5b展示兩圖表，其表示對於各種照明組態而言 的作為孔網格旋轉角之函數的模擬關鍵尺寸均勻性（C D U) 半範圍變化； 圖6a至圖6b展示對於兩不同照明組態而言的模擬關鍵尺 寸均勻性（CDU)映射（網格角對間距）； 圖6c至囷6d分別展示用於圖6a至圖6b中之離軸多極及五 極照明組態之橫截面； 圖7a至圖7b展示根據本發明之一實施例對於兩不同照明 組態而言的模擬CDU映射； 圖7c至圖7d分別展示用於圖7a至圖7b中之靶式及習知照 明组態的橫截面； 圖8a展示用於計算表1及表2中之cdu的示意性隨機圖 案； 圖8b至圖8c分別展示以圖7C及圖7d之照明組態而獲得的 經模擬之印刷隨機圖案； 圖9a展示作為用於以圖乃之靶式照明組態而照明之特定 圖案孔的聚焦深度之函數的曝光範圍之模擬變化； 圖9b展示用於圖9&中之示意性隨機圖案； 104754.doc -32· 圖9c展示圖案之接觸孔的 劑中之接觸孔的模擬形狀； 圖l〇a至圖l〇b分別展示作 光進行之隨機圖案之特定圖 範圍的模擬變化； 不意性形狀及形成於光阻抗蝕 為用於以乾式曝光及浸潰式曝 案孔的聚焦深度之函數之曝光 圖10 c展示用於圖i〇a至圄 主園10b中之示意性隨機圖案； 圖11 a展示作為用於以吝妨 夕級照明組態照明之IML/CPL(干 涉映射/無鉻相位微影）光罩之降

;庀皁之隨機圖案的聚焦深度之函數 之曝光範圍的模擬變化； 圖lib展示用於圓lla中之多極照明組態； 圖12a說明作為用於以多幼昭 夕趿照明組態照明之IML/CPL(干 涉映射/無鉻相位微影）光罩之晬毺 )尤皁之隨機圖案的聚焦深度之函數 之曝光範圍的模擬變化； 圖12b展示用於圖12a中之多極照明組態； 圖13a說明根據本發明之一營始也^ ^ ^ 貫施例作為用於以靶式照明

組態照明之圖1 〇 c之隨機®査W 吸稷圖案（6%哀減式相移光罩）的聚焦 深度之函數之曝光範圍的模擬變化； 圖13b展示用於圖13a中之靶式照明組態之橫截面； 圖14 a展示根據本發明之一實施例作為用於以靶式照明 組態照明之圖1 〇 C之隨機圖亲^丨9。乂妄、Ά + h 艰俾固茱（〗2/〇衣減式相移光罩）的聚焦 深度之函數的曝光範圍之模擬變化； 圖14b展示用於圖14a中之靶式照明組態之橫截面； 圖15 a展示根據本發明之-實施例作為用於以乾式照明 組態照日月之圖l〇c之隨機圖案（18%衰減式相移光罩）的聚焦 104754.doc -33- 1322335 深度之函數的曝光範圍之模擬變化； 圖1 5b展示用於圖1 5a中之靶式照明組態之橫截面及 圖16展示根據本發明之一實施例的靶式照明組態。 【主要元件符號說明】 201 接觸孔 400 方格網格陣列 BD 射束傳送系統 CO 聚光器

H1 接觸孔 H2 接觸孔 H3 接觸孔 H4 接觸孔 H5 孔 B 輻射束 IF 位置感應器 IL 照明系統

IN 積光器

Ml 圖案化器件對準標記 M2 圖案化器件對準標記 MA 圖案化器件 MT 支撐結構 P1 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器件 104754.doc • 34· 1322335

ps 投影系統 PW 第二定位器件 so 韓射源 W 基板 WT 基板台 104754.doc -35

Claims (1)

1. 第094134013號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(96年7月） 十、申請專利範圍： 1· 一種用於找出一光罩圖案中 t i w + 爻特徵圖案之—照明條件之 方法，該方法包含·· m市忏I 找出適用於一第一網格— ^ 弟一最佳照明條件，兮楚 一網格包括複數個該等料 δχ 網格中以一第一間距而排列； α在該第- 找出適用於一第-姻炊+ 弟一凋格之一第二最佳照明條 —網格包括額外複數個該等 以 咕 寻将徵，该第二網格相對於咳 弟一網格旋轉；及 Ή人 基於該第一及第二最佳昭 …、月條件而決疋適用於該特徵 圖案的該照明條件。 2_如請求項1之方法’其中該特徵圖案係隨機的、半隨機 的、不規格的或複雜@。 牛&機 3·如請求項1或2之方法，其中 4母第一及弟二照明條件 為五極照明組態’包括一同軸及一離軸部分。 4.如请求項〖或2之方 ，、τ找°哀弟一及第二照明組態 L含分別對該第一及第二網格之投射模擬。 5·如=求項4之方法，其中該模擬係以空間影像模型表現。 士明求項4之方法，其中該模擬係以抗蝕劑模型表現。 7·如哨求項1或2之方法，其中該第一網格及該第二網格實 質上為方格網格。 8. 如°月求項1或2之方法’其中適用於特徵圖案的該照明條 件包含一照明組態結合以界定該第一及第二照明組態。 9. 一種電腦可讀取媒體，其儲存有一電腦程式，可使電腦 104754-960713.doc 丄 執行如請求項1或2之方法。 基板 個照 10.-種以-微影裝置將一光罩圖案之一影像轉移至 上的：法’該微影裝置包括一經組態以提供一或多 明組態之照明II，該方法包含： 一 以-照明組態來照明一光罩圖案，及 ，·其 將K照明之光罩圖案之一影像投射至該基板上 特徵為· 以如明求項1或2之方法，決定該照明組態。

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