TWI322042B

TWI322042B - Method and apparatus for producing film from polymer solution, and optical polymer film

Info

Publication number: TWI322042B
Application number: TW93121244A
Authority: TW
Inventors: Tadahiro Tsujimoto
Original assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2004-07-16
Filing date: 2004-07-16
Publication date: 2010-03-21
Also published as: TW200603903A

Description

1322042 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明關於一種光學聚合物薄膜，及一種製造薄膜（而且更特別是具光學性質之光學聚合物薄膜）之方法與裝置，及一種製造光學聚合物薄膜（其作爲偏光過濾器保護膜，用於光學功能膜及液晶顯示器）之方法與裝置。【先前技術】液晶顯示器（以下稱爲LC D )係由液晶管、偏光元件及光學補償片（雙折射片）構成。在透光型LCD中，在液晶管兩側提供兩個偏光元件，及將一或兩片光學補償片配置於液晶管與偏光元件之間。在反射型LCD中，將反射片、液晶管、光學補償片、與偏光元件按此次序重疊。液晶管係由棒狀液晶分子、用於容納其之兩個基板、及用於對棒狀分子施加電壓之電極層構成。有數種顯示模式型式之液晶管，其視所使用液晶分子之定向狀況而使用。例如，作爲透光型，有TN (扭轉向列）、IPS (平面中切換）、 FLC (鐵電性液晶）、OCB (光學補償彎曲）、STN (超扭轉向列）、VA (垂直排列）等，及作爲反射型，有TN (扭轉向列）、HAN (混合排列向列）等。偏光元件通常具有兩片透明保護膜附著於偏光膜之兩個表面之結構。此外，光學補償片用於許多液晶顯示器中以減少顯示影像之不規則變色，或將視角放大。在光學補償片中，優先使用藉由拉伸或抽拉而得之雙折射膜。除了含雙折射膜之光學補償片，近年來提議使用具光學各向異性之光學補償片，其 1322042 在透明基板上提供液晶分子（特別是盤型液晶分子）。爲了提供光學各向異性而製造且固定液晶分子之定向。在此情形，液晶分子具有可聚合基，而且爲了固定而實行液晶分子之聚合。此液晶分子具有大雙折射，而且顯示數種定向。利用這些特性可提供具有使用先行技藝薄膜無法.得到之光學性質之光學補償片。光學補償片之光學性質係依照液晶管之光學性質（具體而言，上述之顯示模式）決定。因而在使用液晶分子（特別是盤型液晶分子）時，製造之光學補償片可具有對應液晶管之顯示模式之數種光學性質。在許多專利申請案中提議數種顯示模式之光學補償片，其中使用盤型液晶分子。例如，曰本專利公開公告第 6-214116號 '美國專利第 5583679、 5646703號、及德國專利申請案公告第391162 0Α1號教示用於ΤΝ模式液晶管之光學補償片。日本專利公開公告第1 〇_ 54982號教示用於IPS模式或FLC模式液晶管之光學補償片。此外，美國專利第 5 8 052 5 3號及國際專利申請案第 96/37804號教示用於OCB模式液晶管與HAN模式液晶管之光學補償片，日本專利公開公告第9-26572專利教示用於 STN模式液晶管之光學補償片，及日本專利第2866372號教示用於VA模式液晶管之光學補償片。然而，雖然有許多種液晶分子之定向方式，唯以上之液晶各向異性有時無法光學地補償液晶管。美國專利第 5 646703號設定液晶分子及光學補償片之透明基板均具有光學各向異性。如此將此液晶管光學地補償。 1322042 爲了許多種光學用途而對以上之產品提供數種功能極有進展。在此光學用途產品（如這些LCDs)之進展中，必須使構成產品各層之薄膜具有以高準確性均勻地控制之厚度’及光學性質之均勻性。例如，偏光過濾器保護膜之厚度不均勻性（或厚度集結）造成在附著於偏光元件時發生翹曲，在附著後之捲曲形偏光過濾器等。此外，光學膜塗有表面保護用硬塗層及防止反射用抗反射層。厚度不均勻性經常造成不均勻塗層（或塗層集結）。特別地，在循環地發生不均勻性（或集結）時，LCD顯示之影像品質變成極差。日本專利公開公告第2002-234042與2002-1745號各教示一種溶液鑄造法作爲製造薄膜之方法，其中進一步改良厚度均勻性。然而，近來雖然逐漸需要較薄之厚度與較大量之重疊薄膜及生產力改良，以較高準確性控制由聚合物製造之薄膜之厚度爲必要的。因而生產力未充分地改良且製造之薄膜無法具有均勻之厚度及均勻之光學性質。此外，在光學性質（特別是雙折射之阻滯値Re、Rth )不均勻時，對產品之影響大。例如，在LCD中有時發生變淡及反轉，而且在此光學補償片用於LCD以將視角放大時，有時發生視角之變化及顏色反轉。【發明內容】本發明之一個目的爲提供一種製造薄膜之方法，其中降低光學膜之厚度與雙折射不均勻性，而且光學性質優良。本發明之另一個具體實施例爲提供一種製造薄膜之裝置，其中降低光學膜之厚度與雙折射不均勻性，而且光學性 1322042 質優良。本發明之另一個目的爲提供一種具有適合光學用途之光學性質之光學聚合物薄膜。爲了達成此目的及其他目的，在本發明之形成薄膜之方法中，在移動基板之前表面上鑄造至少一種自鑄模排放·之聚合物溶液以形成薄膜。基板係使用沿基板之背表面配置之加熱器加熱。自薄膜蒸發之溶劑係以接近地面對薄膜而配置之冷凝裝置冷凝。一種自本發明之聚合物溶液製造薄膜之裝置包括可移動基板、用於在移動基板表面上鑄造聚合物溶液而形成薄膜之鑄模、及面對基板之背表面而提供之加熱器。此裝置進一步包括接近地面對薄膜而配置之冷凝裝置。此冷凝裝置將由薄膜產生之溶劑蒸氣冷凝而回收。在本發明中，光學聚合物薄膜包括滿足下式之特性： MD 1 ^0.1 OxTA 1 ； sp1max^ O.lOxTAl 其中 ΤΑ 1爲在聚合物薄膜上按第一方向排列之多個測量點測量之第一厚度値之平均値，MD1爲多個第一厚度値之誤差平均値，及SP1MAX爲頻率光譜SP1之最大値，其係藉第一厚度値之快速傅立葉轉換而得。依照由本發明之聚合物溶液製造薄膜之方法及裝置，大幅降低厚度及雙折射之不均勻性，因此製造之光學聚合物薄膜可具有優良之光學性質。其中使用此光學聚合物薄膜之偏 1322042 光過濾器、保護膜、光學功能膜'及液晶顯示器之光學性質優良。【實施方式】 [溶液鑄造法] 在以下之解釋中，上模液表示一種含溶液及其中溶解或分散聚合物與數種添加劑之分散液體之聚合物溶液。此外，在第1圖中，製備之上模液11爲一種在下述之上模液製法中製備之上模液，及鑄造上模液12係藉由改變製備之上模液11以具有適合鑄造之特性而得。籲薄膜製造設施係由上模液製備設備15、鑄造設備16、乾燥設備17、及捲繞設備18構成。上模液製備設備15係由其中供應製備之上模液11之槽21、泵22、第一與第二過濾裝置23、24、加熱裝置27、及用於實行急驟蒸發之急驟蒸 / 發裝置28構成。 . 槽21具有恆溫器21a及溫度計（未示）以將製備之上模液Π適當地加熱及冷卻。在本發明中，較佳爲將製備之上模液11加熱一次然後冷卻，使得可增加溶解度。此外， * 在加熱及冷卻中，考量上模液種類，特別是上模液之溶劑組成物，而設定溫度。特別地，在使用混合物溶劑作爲溶劑時，較佳爲以多段方式將製備之上模液11加熱及冷卻至預定溫度。製備之上模液11係藉泵22以預定流速進料至鑄造設備 16。第一及第二過濾裝置23' 24係配置於泵22與鑄模14 之間，以去除含於製備之上模液11中之殘留固體材料。此 1322042 外，在以第一過濾裝置2 3過濾後，藉提供於進料管線上之加熱裝置27將製備之上模液11加熱，而且在急驟蒸發裝置 28中進行急驟蒸發。應注意，加熱裝置27可配置於第一過濾裝置23上游。急驟蒸發裝置28係用於將製備之上模液11之特性改變成適合鑄造之鑄造上模液12。在急驟蒸發裝置28中，將高壓之製備之上模液11沖入大氣壓力空氣中以實行急驟蒸發。通常使用冷凝器（未示）將蒸發製備之上模液11而產生之溶劑蒸氣冷凝及去除，而且自薄膜製造設施排放成爲回收溶劑。在急驟蒸發後，將製備之上模液11自急驟蒸發裝置28 送出，而且較佳爲在進料至鑄造設備16之前藉第二過濾裝置24去除殘留固體材料。在本發明中應注意，用於去除製備之上模液11之部份溶劑之裝置不限於上述之急驟蒸發裝置28，例如，可使用已知之具轉動刮刀之薄膜蒸發器、多功能蒸發器等。此外，在第二過濾裝置24與鑄造設備16之間可提供線上靜態混合器（未示）。在此情形，可適當地改變製備之上模液11之特性。在本發明中應注意，使用濾紙作爲第一過濾裝置23之過濾器，及使用燒結金屬過濾器作爲第二過濾裝置24。此外 ’本發明不依附以上之上模液製備設備15。過濾後之製備之上模液1 1係進料至鑄造設備1 6作爲鑄造上模液12。進料至鑄造設備16之鑄造上模液12係在循環路徑上藉轉動裝置（未示）移動之作爲基板之帶31上鑄造 -10- 1322042 形成膠狀膜35(參見第2圖）。帶31係以至少第一及第二圓筒32、33支撐，其轉動使帶31在循環路徑上連續地移動。溶劑逐漸自帶31上之膠狀膜35蒸發，使得膠狀膜35具有自撐性質。然後藉剝除輥37自帶31剝除膠狀膜35成爲薄膜3 6。自由輥或驅動輥可作爲剝除輥3 7。在剝除輥3 7爲驅動輥時，較佳爲調節薄膜3 6之牽引比、張力與鬆弛至少之 —而驅動剝除輥3 7。應注意，在以上之具體實施例中，剝除輥37具有剝除及導引薄膜36之兩種功能。然而，在本發明中可分別地提供用於剝除薄膜36之剝除輥及用於將薄膜36 · 導引至乾燥設備17之導引輥。乾燥設備17係由張力裝置41及輥乾燥裝置42構成。在張力裝置41中，以夾子（未示）等保持薄膜36之兩側區域以對薄膜3 6施加張力而將薄膜3 6乾燥。然後在包括許多 ’ 輥之輥乾燥裝置42中將薄膜36進一步乾燥。在乾燥後，薄膜36在提供於乾燥設備17下游之冷卻裝置（未示）中冷卻，如此薄膜3 6之溫度降至室溫。較佳爲’以切割器4 6切割乾燥薄膜3 6之兩側區域，使 ® 得薄膜可具有產品之寬度。然後以捲繞裝置47捲繞薄膜36 。在本發明中可將輥48提供於以上之裝置與設備之間，而且輥4 8之數量不受限制。應注意，本發明與乾燥設備1 7、捲繞設備18之結構 '及乾燥與捲繞方法無關。薄膜可以數種已知之乾燥方法與捲繞方法乾燥及捲繞。參考第2圖，其解釋作爲由本發明之聚合物溶液製造聚合物薄膜之方法之溶液鑄造法。鑄造設備16包括鑄模14' -11- 1322042 第一與第二支撐輥3 2、3 3、帶3 1、剝除輥3 7、加熱板5 1、多個冷凝器52、多個液體接收器53、回收槽56、及進料管線。然而，本發明不限於鑄造設備16。在此具體實施例中應注意，製備三種鑄造上模液12,而且其鑄造係同時進行而形成具有三層結構之膠狀膜35。因此，如第3圖所示，膠狀膜 35自帶31側循序具有第一層35a、第二層35b與第三層35c 。加熱板5 1及冷凝器52各連接溫度控制器5 1 a、52a。加熱板51係接近帶3 1之背表面（其上不形成膠狀膜 3 5 )而配置，作爲將帶31加熱之加熱構件。此外，將多個冷凝器5 2提供於加熱板5 1之相反側，以接近地面對帶3 1 上之膠狀膜35。加熱板51之表面係由金屬形成，而且其溫度係以溫度控制器5 1 a控制。加熱板5 1控制熱將帶31上之膠狀膜35 加熱而將溶劑蒸發。應注意，加熱板51表面之材料在此具體實施例中不受限制，而且可爲，例如，陶瓷。加熱板之零件可獨立地藉溫度控制器控制。溫度控制範圍預定爲最低室溫及最高聚合物之耐熱溫度或所使用溶劑之最高沸點。在此情形，加熱板51足夠有效。此外，加熱溫度係依照鑄造上模液12之種類決定。此決定係考量溶劑之沸點、蒸發速度、溶劑與固體材料之相容性、聚合物及鑄造上模液所含其他固體材料之耐熱性與熱依附性而適當地完成。加熱板51幾乎均勻地將面對之帶31加熱，而且對帶 31上之全部膠狀膜35幾乎均勻地供應熱能量。均勻加熱係藉由控制膠狀膜35各部份處之溶劑之蒸發速度而完成。因 -12- 1322042 此，加熱板51之形狀不受限制，只要如上所述控制溫度。因此，可如第2圖所示提供一個加熱板5 1，或者提供多個加熱板且面對膠狀膜3 5之相同區域而排列，其溫度係個別地控制。此外，加熱板5 1係幾乎平行幾乎直線移動之帶3 1而配置。此外較佳爲，以第一與第二支撐輥32、33支撐之帶31 之溫度爲可調整的。第一與第二支撐輥32、33較佳爲具有用於將帶31加熱之溫度控制器（未示）。特佳爲，對第一支撐輥32提供溫度控制器，其配置於鑄模中。在此情形，帶 31不僅在第一與第二支撐輥32、33之間，亦在第一與第二支撐輥32、33上加熱。因此，可適當地控制膠狀膜35中之溶劑之蒸發速度。此外，恰在鑄造位置PS下游及恰在剝除輥37上游提供冷凝器5 2。冷凝器5 2係以相鄰者之間有間隔而配置於接近其上形成膠狀膜3 5之帶3 1前側。此外，相鄰冷凝器5 2間之間隔下方有液體接收器53。在此具體實施例中，各冷凝器 52爲板形。冷凝器52之表面係由金屬製成，而且其溫度係藉溫度控制器52a控制，以將自膠狀膜35產生之溶劑蒸氣冷卻及冷凝。因而只要將溫度控制在最低所使用溶劑之沸點至最高所使用溶劑之凝固點之範圍，則冷凝器5 2有效地將溶劑蒸氣冷凝。在冷卻溫度低於溶劑之凝固點時，溶劑在冷凝器52表面上凝固。在此情形，溶劑回收變爲困難，或者需要使用溶解構件以回收。應注意，冷凝器52之材料較佳爲具有高導熱性，而且在此具體實施例中不受限制。 -13- 1322042 冷凝器5 2之冷卻溫度係依照溶劑成本且考量溶劑之沸 . 點 '冷凝速度與凝固點而適當地決定。溶劑蒸氣冷凝且液化之溶劑在由內側（膠狀膜3 5之側）至外側（與內側相反之側）形成之傾斜表面上向下流動。然後藉液體接收器5 3接收溶劑而回收。在本發明中，爲了易於回收，內側與外側間之傾斜可具有液體因重力作用而向下流動之結構，而且傾斜角度不受限制》各冷凝器52之內表面係平行帶31之寬度方向’因此幾乎平行膠狀膜35。應注意，在膠狀膜35中，未接觸帶31之表面稱爲鑄造表面。籲在接近鑄造表面處，帶31之移動造成意料外之氣體或空氣流動。在本發明中較佳爲，鑄造表面與冷凝器52之間之意料外空氣流動儘量小，而且具體而言爲至少0.01米/秒至0.5米/秒。 ’ 因膠狀膜3 5之溫度經以加熱板5 1加熱之帶3 1而增加，鑄造表面與冷凝器52之間有溫度梯度Q。在Ts (°C )爲形成於帶31上之溫度，@(°(：)爲冷凝器52之表面溫度，及d (毫米）爲鑄造表面與冷凝器52間之距離時，溫度梯度Q ® 定義如下：Q = (Ts-Tc)/d。溫度梯度Q較佳爲滿足範圍： 5<Q<100。在溫度梯度Q在此範圍時，膠狀膜35之厚度變動減小，而得到厚度均勻性優良之薄膜。應注意，冷凝器5 2 之表面溫度Tc可爲至少膠狀膜35之內表面或面對表面之溫度。接近鑄造表面則溶劑蒸氣濃度較高且遠離則較低。由於有氣體，在具溫度梯度之系統中發生熱擴散。因此，氣體中 -14- 1322042 分子量較高之分子移向低溫側，及氣體中分子量較低之分子移向高溫側。特別地利用此現象分離混合物氣體。在使用有機溶劑作爲溶劑時，鑄造表面與冷凝器間之溫度梯度空間中有空氣分子（包括氮分子、氧分子、二氧化碳分子等）、蒸發有機溶劑之分子。絕大部份用於製造光學用途薄膜之有機溶劑分子具有大於空氣分子量之分子量。因此發生熱擴散使得溶劑分子可移至冷凝器。如此防止接近鑄造表面之溶劑分子飽和造成溶劑自膠狀膜35蒸發。在溫度梯度Q爲至少1 〇〇時，加熱板5 1之加熱溫度與 _ 冷凝器52之冷卻溫度間之差太大，而且在氣相中產生之冷凝溶劑滴在鑄造表面形成露。此外，溫度梯度最大爲5，則加熱溶劑之蒸發與冷卻溶劑之冷凝以較低之速度進行，其效果不足。此外，在加熱板51與冷凝器52間區域之不均勻溫度環，境中，熱能量係由此區域之移動分子運輸。因而在加熱板51 面對具大面對面積之帶31時，對帶31連續地且均勻地供應熱能量而補償外部排放之熱能量。因而較佳爲，溫度梯度Q · 之變動最大爲溫度梯度Q之10%，及溫度梯度Q之控制係藉由調整膠狀膜之溫度Ts (°C )與冷凝器52之表面溫度Tc ( °C )而進行。變化値超過溫度梯度Q之1 〇%，則無法在帶3 1上使溶劑均勻地自聚合物鑄造溶液蒸發。在此情形，所製造薄膜之厚度及在厚度方向與表面方向（或表面中之任何方向）之機械性質或光學性質（阻滯等）變動，其不佳。此外，溫度梯 -15- 1322042 度Q較佳爲最大8 %，而且特別是最大5 %。較佳爲在面對鑄造表面之區域調整冷凝器52之表面溫度T c，使得溫度變化値爲最大；[〇 °C。在變化値超過1 0 °C時，均勻之溶劑蒸氣冷凝變困難，因此使熱擴散不均勻。如此使溶劑自膠狀膜35之蒸發速度不均勻。表面溫度Tc之變化値較佳爲最大8 °C，而且特別是最大51。在本發明中較佳爲，鑄造表面與冷凝器52間之距離d 之變化値最大爲距離d之平均値dA之1 0%。在此情形，可保持上述之溫度及距離，結果，所得薄膜36之厚度變動變小。爲了控制鑄造表面與冷凝器5 2間之距離，鑄造上模液 12之均勻性質或特性、均勻鑄造速度 '及冷凝器52之表面光滑性爲必要的。在溶液鑄造法中，帶31通常移動使得在帶31上鑄造之鑄造上模液可成爲膠狀膜35自第一支撐輥32上方之鑄造位置PS向上或水平地運輸。如此在鑄造後之起初狀態（其中溶劑含量高）防止鑄造上模液自膠狀膜35滴下。然而，在本發明中特佳爲，第一與第二支撐輥32、33 轉動而將鑄造上模液自第一支撐輥32上方之鑄造位置PS向下運輸。因而鑄造位置PS係配置於支撐輥32通過帶31之區域上方。應注意，鑄造上模液1 2形成自鑄模至帶之曲線，而且較佳爲曲線上在鑄造位置PS處之正切線與帶31在鑄造位置PS處之正切線相同，或儘量相同。在本發明中，如上所述提供加熱板5 1及冷凝器5 2，而且決定鑄造位置PS與鑄造方向。因此，即使將恰在鑄造後 1322042 之鑄造上模液12如膠狀膜35向下運輸，仍可防止鑄造上模液之滴下，而且以高產率回收恰在鑄造後產生之蒸發溶劑。本發明不依附所得薄膜3 6之厚度。然而，恰在鑄造後之膠狀膜35之厚度T較佳爲10微米至1000微米，因爲本發明在此情形有效。厚度T特佳爲20微米至5 00微米，因爲本發明之效果較大。應注意，恰在鑄造鑄造上模液後之膠狀膜35表示自鑄造位置PS至第一個冷凝器52之膠狀膜35 部份。在此具體實施例中，膠狀膜35具有多層結構，及厚度T爲在一個鑄造程序中同時形成之層之總厚度。籲帶31之移動速度較佳爲5米/分鐘至200米/分鐘。應注意，移動速度及鑄造速度相同。在厚度T小於10微米時，單位面積中之聚合物溶液中溶劑量小，因此無法完全控制蒸發速度。此外，在厚度T大於1000微米時，在膠狀膜35 ' 中將接近帶31之溶劑。然而，因熱能量難以穿透至鑄造表 ^ 面側，溶劑蒸發難以實行。此外，膠狀膜3 5之溶劑或溶劑氣體有時殘留在薄膜36之內部。因而表面條件變差。此外，乾燥速度與厚度平方値成反比。因此，在厚度太大時，生 ® 產力變低，其不佳。在膠狀膜35及薄膜36具有單層結構時，本發明亦有效。然而’在其具有多層結構時本發明特別有效》鑄造方法可爲共鑄及循序鑄造。鑄造程序之解釋係參考第4圖進行，而且與第1·3圖相同之裝置及構件具有相同之號碼，及省略其解釋。如第4圖所不，鏡模14爲進料區型。 -17- 1322042 鑄模14係由模區61及進料區62構成，而且通常稱爲塗架型。進料區62係配置於模區61之背部（或用於排放鑄造上模液12之模唇61a之相反表面）。進料區62具有入口 62a· 6 2c ’及鑄造上模液κ包括用於形成各第—至第三層膠狀膜35之鑄造上模液12a-12c。鑄造上模液12a-12c各經入口 62a-62c供應◊在進料區62中，自入口 62 a-62c延伸之通路結合成一個通路，使得三種鑄造上模液12a-l 2c可構成三層結構，然後可供應至模區61中。模區61具有單一通路61b 。具三層結構之鑄造上模液12流入通路61b，而且自模唇 61a排放。此鑄造稱爲共鑄。此外，在本發明中，各可對鑄造上模液12a-12c施加進料壓力’以獨立地控制通過通路之進料。因此，調整各第一至第三層35 a-35c之厚度。爲了控制各第一-第三層35 a-35c 之厚度’在三個通路結合之部份適當地決定作爲三種鑄造上模液12a-12c之流動路徑之通路厚度，或者，適當地調整各施加至鑄造上模液12a-12c之進料壓力。如第5圖所示，鑄模71爲多歧管型，而且可如第4圖之鑄模14同時形成三層。如第1-4圖之相同裝置與構件具有相同之號碼，而且省略其解釋。經各流動路徑（未示）將三種鑄造上模液12a-l 2c供應至鑄模71 »在鑄模71背面形成入口 72a-7 2c以將鑄造上模液12 a-12c供應至鑄膜71中。鑄造上模液12 a-12c暫時貯存於形成於通路75-77上之各袋 75a、76a、77a。然後在接近模唇71處將鑄造上模液12a-12c 結合而構成三層結構，及在此狀況同時排放。 -18- 1322042 在鑄模71中應注意，鑄造上模液12a-12C之入口 72a-72c之位置、通路75-77之形狀、袋75 a-77a之形狀 '及通路在接近模唇7 1 a處結合之部份之結構不受限制，而且鑄模 71可爲用於實行共鑄之多歧管型之一般鑄模。在本發明中可進一步使用可同時形成N層（N爲至少2之自然數）之多歧管型鑄模。在此情形’流動路徑數爲N，而且實質結構與以上之具體實施例相同》此外’在本發明中’可組合第4圖中之進料區型與第5 圖中之多歧管型實行共鑄》在此情形，可使用圈（參見第2 φ 至4圖）或圓筒（參見第5圖）作爲基板。在本發明中’如第6圖所示，可使用鑄造設備81鑄造，使得可實行循序鑄造而非共鑄。如第1 -4圖之相同裝置與構件具有相同之號碼’而且省略其解釋。在鑄造設備81中 ' ’將三個鑄模82-84配置於帶31上方，在其上將鑄造上模，液12a-12c自鑄模82-84循序地鑄造，而形成具有三層結構之膠狀膜3 5。應注意，加熱板5 1與冷凝器5 2係以對鑄模8 4 (其在籲第2圖中提供於鑄模丨4之相同位置處）具有相同之位置關係而配置。液體接收器與回收槽之位置相同，而且在此圖中省略。在將其設計爲進行循序鑄造時，使用之鑄模數不限於三個’而且可等於或少於形成之層數。例如，將其設計爲實行循序鑄造NC次（NC爲至少2之自然數）而形成N層，則滿足下式：2$NCSN(N爲至少2之自然數）。在NC<N2 -19- 1322042 條件中，在鑄造程序中進行共鑄至少一次。在以上之本發明方法中，所製造薄膜之厚度均勻性變大，而且可得優良之光學聚合物薄膜。光學性質經常視聚合物薄膜之厚度變動而定，而且在薄膜之主成分爲芳族聚合物且其他聚合物具有環形結構時，此趨勢特別明顯。可藉以上方法與設備製造之本發明聚合物薄膜之厚度均勻性、雙折射、透光性等優良。因而此聚合物薄膜適當地用於偏光過濾器及液晶顯示器。以下詳細解釋聚合物薄膜。在第7圖中，X-軸在薄膜36之長度方向延伸且Y-軸在寬度方向或長度方向之垂直方向延伸。爲了調節厚度，在薄膜36上XY平面中之選擇性兩點pa' pb間線段L1上之數處測量薄膜36之値（以下稱爲厚度値）。線段li之長度較大較佳。此外，由於薄膜中之表面條件變化及厚度變動通常爲循環性’線段L 1之長度較佳爲至少對應一個循環變化或變動。薄膜3 6之厚度測量係使用可測量微米級數之表計進行。具體而言，在第8圖中’在P 1與P 2間視情況地選擇自 P(1)至p(n)之η個位置（η爲選擇性及自然數），及在η個測量位置 ρ(1)、ρ(2)、ρ(3)、……、ρ(η-2)、ρ(η-1)、ρ(η)處以厚度計進行厚度測量。如此進行連續前進測量而獲得包括厚度値 t( 1 )、t(2)、t(3) ' ……、Un-2)、t(n -1)、t(n)，及測量位置 P(l)、p(2)、p(3)、……、P(n-2)、p(n-l )、p(n)間變動與變化等之厚度資料。然後計算第一厚度平均ΤΑ丨作爲這些厚度値 t(l)、t(2)' t(3)、...... ' Un-2)、t(n-l)、t(n)之平均 -20- 1322042 値。此外’計算在測量位置p (1)、p( 2 )、P(3 )、...... ' p(n-2) ' p(n-1)、p(n)處之各厚度誤差，而得到厚度誤差之平均誤差作爲第一平均誤差MD1。在本發明中，第一平均誤差MD1 較佳爲滿足條件 MD1 $ O.lxTAl，而且特別是 MD1 $ 0 · 0 8 X T A 1。在本發明中應注意，誤差表示樣品標準差。此外’所得厚度資料之頻率光譜資料係以厚度計中之操作藉FFT程式獲得。在頻率光譜資料中，波長係由厚度之連續前進測量中之前進距離轉換，而且爲變數（或參數）。傅立葉轉換係定義爲其中使用傅立葉分量進行時間與頻率間轉換之轉換公式。傅立葉轉換係應用於DFT (離散傅立葉轉換）’而且在FFT中，操作時間遠比DFT短。通常在厚度測量中進行資料處理，轉換成對應波長之移動距離亦示爲對應時間。數種具有此資料處理功能之厚度計在市場上銷售。應注意，厚度測試計KG601A(Anritsu Corp·製造）在市場上銷售且在本發明中作爲接觸型厚度計。在本發明中，頻率光譜最大値較佳爲最大第一厚度平均値ΤΑ 1之1 〇%。此外，在此情形，在進行頻率光譜資料之轉換以得到空間頻率時，所得特定頻率之波長範圍較佳爲最大 2 0公分。

此外，如第7圖所示，亦以類似對線段L1之厚度測量之方式，在點P3與P4間線段L2之選擇位置處測量厚度。計算所得厚度値之第二平均値TA2。然後由此厚度値計算線段L2之厚度誤差（厚度標準差），而且得到其平均誤差作爲第二平均誤差MD2。第二平均誤差MD2較佳爲滿足MD2S -21 - 1322042 0·1χΤΑ2之條件’而且特別是MD2$0_08xTA2。此外’如上所述由厚度資料得到頻率光譜資料。在本發明中，頻率光譜最大値較佳爲最大第二平均値TA 2之10% ，而且特別是最大8%。此外，在此情形，在進行頻率光譜資料之轉換而得到空間頻率時，空間頻率之波長範圍較佳爲最大20公分。在以下之解釋中，兩條線段之垂直位置關係表示兩條線段之延伸在一個平面中垂直地交叉，即使是兩條線段實際上不交叉。依照在薄膜36之一個方向測量之厚度値，藉厚度資料之FFT分析而得之厚度値平均誤差及頻率光譜強度爲上述之範圍。如此得到具有適合光學用途之厚度之聚合物薄膜。此外，在垂直兩個方向得到這些値，而且控制於以上之範圍。因而聚合物薄膜之厚度性質優良。應注意，在薄膜36之長度方向測量厚度時，較佳爲在寬度方向之中間部份得到厚度値，及在薄膜36之寬度方向測量厚度時，此測量較佳爲在按長度方向排列之數個位置進行。附帶一提，在光通過其中有折射率差之材料時誘發雙折射。在此材料中，入射光分成兩道光，其偏光爲彼此90度且其通過材料之光速不同。速度不同造成相差。通常在通過真空之光速爲c且穿透材料之光速爲v時，折射率n示於式中：n = c/v。如上所述，雙折射爲一種材料中之兩個折射率之差造成之現象。其中光波傳播之兩個軸稱爲主軸。光波各在平行主軸之 1322042 平面中傳播。此主軸包括快軸與慢軸。沿快軸傳播之光波比另一個沿慢軸傳播之光波較快地通過材料，即，前者波之穿透速度比後者波快。偵測雙折射之大小且示爲沿慢與快軸通過之波之間之相對比。雙折射之絕對値無法以對應3 6 〇 °相對比之波長表示。因此，以波長將偵測之相對比標準化而轉換成長度單位（奈米）。雙折射計偵測所測量材料樣品之主軸，及測量相對比 △ nd。相對比And係定義爲下式，在樣品厚度爲d，在平行入射角之平面中傳播之光波之折射率爲ne，及在垂直入射角之 _ 平面中傳播之光波之折射率爲no時：Δη(1 = ί1( ne-no)°因而相對比或雙折射視材料厚度而定。在本發明中，因所製造聚合物薄膜之厚度均勻，雙重折射優良。在雙折射中有兩個相對比値，其已知爲薄膜3 6之平面 ' 中方向（或表面中選擇方向）之阻滯Re，及薄膜36之厚度」方向之阻滯Rth。在本發明中，在以平面方向排列之數處，或在第7圖之XY平面中之選擇線段上，得到第一阻滯Re 。然後計算第一阻滯Re之平均誤差作爲第三平均誤差MD3 · 。在第一阻滯Re之平均値爲第一阻滯平均値RA1時，第三平均誤差MD3滿足條件：MD3S O.lOxRAl。此外，進行第一阻滯Re之頻率光譜資料之轉換而得空間頻率資料。在此情形，較佳爲空間頻率之波長範圍爲最大 20公分，及第一阻滯Re之頻率光譜最大値最大爲第一阻滯平均値RA 1之1 0°/〇。此外’以如厚度資料分析之相同方式，在以上選擇線段 -23- 1322042 垂直方向之相同數處之測量中亦得到第二阻滯Re之頻率光譜資料。在本發明中，計算在垂直方向測量之第二阻滯Re 之平均誤差作爲第四平均誤差MD4。在第二阻滯Re之平均値爲阻滯平均値RA2時，第四平均誤差MD4滿足條件：MD4 S 0.10XRA2。此外，進行第二阻滯Re之頻率光譜資料之轉換而得空間頻率。在此情形，較佳爲空間頻率之波長範圍爲最大20公分，及第二阻滯Re之頻率光譜最大値最大爲第二阻滯平均値RA2之10%。如上所述，在此具體實施例中，將在選擇方向測量之阻滞Re之平均誤差，及在阻滯Re之FFT分析中得到之頻率光譜之強度調節至以上範圍。如此所製造聚合物薄膜可具有適合光學用途之厚度性質。此外，在選擇方向之垂直方向測量其他阻滞Re，及亦將由其他阻滞Re得到之頻率光譜資料控制於以上範圍》如此所製造聚合物薄膜可具有更適合光學用途之厚度性質。此外，亦在厚度方向之數處得到第三阻滯Rth之頻率光譜資料。在本發明中，計算阻滯Rth之平均誤差作爲第五平均誤差。在阻滯Rth之平均値爲第三阻滯平均値RA3時，第五平均誤差MD5滿足條件：MD5S 0.10xRA3。此外，進行第三阻滯Rth之頻率光譜資料之轉換而得空間頻率。在此情形，較佳爲空間頻率之波長範圍爲最大20 公分，及第三阻滞Rth之頻率光譜最大値最大爲第三阻滞平均値RA3之10%。至於厚度値，亦在按厚度方向之垂直方向排列之相同數 -24- 1322042 處得到第四阻滯Rth之頻率光譜資料。在本發明中，計算第四阻滯Rth之平均誤差作爲第六平均誤差。在第四阻滯Rth 之平均値爲第四阻滯平均値RA4時，第六平均誤差MD6滿足條件：MD6 ‘ 0· 1 0xRA4。此外，進行第四阻滯Rth之頻率光譜資料之轉換而得空間頻率。在此情形，較佳爲空間頻率之波長範圍爲最大20公分，及第四阻滯Rth之頻率光譜最大値最大爲第四阻滯平均値RA4之10%。如上所述’在薄膜36之一個選擇方向，阻滞Rth之平均誤差，在阻滯Rth之FFT分析中得到之頻率光譜之強度差在以上之範圍。如此所製造聚合物薄膜具有適合光學用途之厚度性質。此外’在選擇方向之垂直方向得到之平均誤差及分布在以上之範圍。如此所製造聚合物薄膜具有適合光學用途之厚度變動。應注意，較佳爲在如測量薄膜厚度値之相同位置測量平面方向之阻滯Re及厚度方向之阻滯Rth。應注意’厚度値與阻滯Re、Rth之各平均値係依照一個平面之兩個迴轉方向而得，即，一個選擇方向及其垂直方向。在本發明中，在聚合物薄膜爲80微米厚時，可見光通過聚合物薄膜之透光度較佳爲至少90%，而且特別是至少 93%。此外，在第7圖中XY平面上之兩個選擇位置處，即，按平面方向排列，厚度方向之透光度差較佳爲最大5%，且特別是最大2%。如此所製造薄膜具有有效用於光學用途之雙折射及透光度。在透光度小於90%時，顯示之影像變暗且發生變色。因此，在此情形，聚合物薄膜不適合用於光學用途及用於顯示器等。 -25- 1322042 此外，在相對濕度爲1 〇%時，聚合物薄膜之表面電阻較 · 佳爲在1χ1〇1()Ω至ΐχΐ〇13Ω之範圍，而且特別是1χ101βΩ至 1χ10ΜΩ之範圍。表面電阻在兩個選擇點之差較佳爲最大爲兩點之表面電阻之平均値之20%，而且特別是最大1 〇%。此外，聚合物薄膜之表面電阻大於1x1 013Ω時不佳。在此情形，在液晶顯示器等之中將聚合物薄膜堆疊於其他薄膜上時 ’絕緣値太周使得其他層之電荷無法流經薄膜。此外，因靜電力吸附聚合物薄膜附近之灰塵而不佳。或者，聚合物薄膜之表面電阻小於ΙχΙΟ^Ω不佳，因爲聚合物薄膜不具有絕緣春層之功能。爲了得到以上之光學性質及電性質，本發明之聚合物薄膜係在以上之溶液鑄造法中製造。只要聚合物或其預聚物溶於溶劑而製備用於製造薄膜之上模液，則可應用本發明。至於聚合物或預聚物，例如， ' 有纖維素醯化物、聚碳酸酯（PC)、芳醯胺樹脂、聚乙烯醇、：變性聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚對酞酸乙二酯（PET)、聚對酞酸丁二酯（PBT)、氯化聚醚、聚縮醛、聚醚醚酮（PEEK}、聚醚碾（PES)、聚醯亞胺（PI)、聚醯胺（PA) # 、聚醯胺醯亞胺（PAI)、聚環氧苯（PPO)、聚伸苯碾、聚碾、聚烯丙化物、聚碳酸酯（PC)、聚乙烯（PE)、聚丙烯（pp)、聚苯乙烯（PS)、聚氯乙烯（PVC)等。可使用其一或其多種之組合。特別是在本發明中，較佳爲聚合物含至少一種如化學式 1-7所示之纖維素醯化物、聚碳酸酯（PC)、芳醯胺樹脂 '聚碾、與聚苯乙烯。應注意，在化學式1-7中，nsm爲1〇至1 000之自然數。 -26- 1322042 化學式1

CH20 \ H 〇H2 CH2OH6' / " OH 化學式2

化學式3

-NH

^-NHOC-

-27- 1322042 化學式4

—一NH

化學式5

-28- 1322042 化學式7

此外，聚合物中之纖維素醯化物含量爲至少5 0重量％。在纖維素醯化物中，在一個重複單位中，第六位置之醯基取代程度爲X且其他位置之醯基取代程度爲Y時，較佳爲滿足以下條件：X>〇.85及 2.70<Χ + Υ<2·99，而且特別是 Χ>0.90 及 2·80<Χ + Υ<2·99。在膠狀膜之運輸方向爲水平或自鑄造位置PS向上時，本發明亦有效。此具體實施例描述爲第9及1〇圖之鑄造設備91。在這些圖中，如第2圖之相同裝置與構件具有相同之號碼，而且省略其解釋。在鑄造設備91中，對第2圖之鑄造設備16提供加熱板92與冷凝器93。應注意，在這些圖中未描述液體接收器53與回收槽56，及連接之進料路徑。加熱板92與冷凝器93之溫度各藉溫度控制器92a、93a控制〇第一及第二支撐輥32、33係與第2圖之轉動方向相反地轉動。藉第一支撐輥32上方之鑄模14在帶31上鑄造之鑄造上模液1 4形成膠狀膜，其自鑄造位置P S幾乎水平地運輸。加熱板92係提供於第一與第二支撐輥32、33間之帶3 1 上部（以下稱爲上帶）下方，及冷凝器93係提供於上帶上之膠狀膜35上方。因而移動帶31上之膠狀膜35之溶劑蒸發且被冷凝器93冷凝。 -29- 1322042 在第10圖中，各冷凝器93之形狀異於冷凝器52。各冷凝器93之寬度方向，下表面之中間部份爲水平，而邊緣部份具有小傾斜而使厚度較大。冷凝溶劑在各冷凝器之傾斜邊緣部份上流動而到達側端，然後落入液體接收器中。然後在回收槽中回收冷凝溶劑。應注意，膠狀膜35 冷凝器93間之距離d較佳爲〇. 1毫米至1 5毫米之範圍，別是2毫米至10毫米之範圍。將膠狀膜35進一步運輸至第二支撐輥33上，其具有熱裝置（未示）。然後將第一與第二支撐輥32、33間之移帶31下部（以下稱爲下帶）上之膠狀膜35運輸至剝除輥，其自帶3〗剝除膠狀膜35成爲薄膜36。在下帶上及在第支撐輥32上運輸膠狀膜35時，藉加熱板52與冷凝器52 溶劑蒸發及冷凝。如此在此具體實施例中，無關膠狀膜之運輸方向，自鑄造位置將溶劑均勻地蒸發及冷凝，而且高產率回收溶劑。此外，在使用圓筒作爲基板時本發明亦有效。在第圖中，鑄造設備101具有圓筒1〇2作爲基板。在這些圖中如第2圖之相同裝置與構件具有相同之號碼且省略其解釋自鑄模14排放之鑄造上模液12在圓筒102上形成膠狀膜。鑄造位置PS比圓筒1 〇2頂部稍低，而且首先將膠狀膜自鑄造位置P S向下運輸。亦在此情形，較佳爲決定鑄造置PS，使得在鑄造位置PS處之圓筒102正切線可幾乎與自鑄模之鑄造上模液形成之曲線之正切線相符而幾乎相 -30- 1322042 將圓筒l'〇 2連接溫度控制器以將圓筒102表面加熱而溶劑蒸發。因此，圓筒1〇2亦具有如第2圖之加熱板之相效果。在膠狀膜35之外側配置多個冷凝器105’而且冷凝溶劑在冷凝器]〇5斜面上流動，及落入液體接收器53中然後藉回收槽56回收冷凝之溶劑成爲回收溶劑。藉剝除 37剝除轉動圓筒102上之膠狀膜35成爲薄膜36’及運輸乾燥設備17(參見第1圖）以用於次一進度。如此防止鑄上模液自膠狀膜滴下，將膠狀膜35均勻地乾燥，及以高率回收溶劑。應注意，在圓筒之轉動方向爲此具體實施例相反方向時，首先將膠狀膜35自鑄造位置向上運輸。亦此情形，將膠狀膜35均勻地乾燥且薄膜之厚度均勻性變。應注意，冷凝器1 05之溫度係藉溫度控制器1 05a控制此外，本發明亦應用於乾燥設備17中之張力裝置41 以將其中之薄膜36乾燥。如第12圖所示，各夾式張力機1 具有主體111a及夾構件111b。在張力裝置41中，薄膜之側部係以夾式張力機1 1 1夾住，即，夾在主體1 1 1 a與構件111b之間，而且藉由移動夾式張力機ill而將薄膜運輸及抽拉。張力裝置41進一步包括用於將薄膜36中之劑蒸發之加熱板1 1 2，及用於將溶劑蒸氣冷凝之冷凝器i 。如此薄膜具有適合光學用途之均勻厚度，而且亦在乾燥備17中完成溶劑回收。因此，本發明對張力裝置41之應爲有效的。此外，加熱構件不限於加熱板1 1 2。如第1 3圖所示使用微波導引件122作爲將薄膜36加熱之加熱構件。微 -31- 1322042 導引件1 2 2將微波照射至薄膜3 6，使得含於薄膜3 6中之溶劑分子之能量變高，如此將溶劑蒸發。溶劑蒸氣係藉冷凝器 1 2 3冷凝。在應用於取代第12圖中之具夾式張力機111之張力裝置41之數種其他張力裝置時，本發明亦有效。如第13圖所示，張力裝置121包括針式張力機125。各針式張力機125 具有數根用於將薄膜36固定於針式張力機125之針125a。應注意，微波導引件不僅用於張力裝置，亦可用於鑄造裝置，只要產生之能量之功率足夠。鲁在以上方法中得到之薄膜可作爲偏光過濾器保護膜。作爲偏光過濾器之偏光膜之主要內容物之聚合物特佳爲聚乙烯醇型聚合物。至於聚乙烯醇型聚合物，不僅有聚乙稀醇，亦有烷基變性聚乙烯醇。此外，聚乙烯醇型聚合物通常藉由 ' 將聚乙酸乙烯酯皂化而製造，其中將乙酸乙烯酯聚合。然而，聚乙烯醇型聚合物可在聚乙烯醇型聚合物與少量不飽和羧酸、其衍生物（例如，鹽 '酯、醯胺、腈等）、燦烴、乙烯醚 '不飽和磺酸之鹽之聚合中製造。烷基變性聚乙稀醇在鲁其分子端具有烷基’及皂化程度爲至少80%，而且聚合程度爲至少2 0 0。聚乙烯醇型聚合物以外之其他聚合物可用於本發明偏光膜’例如’聚碳酸酯型聚合物' 纖維素型聚合物等。在聚乙嫌醇型聚合物作爲偏光膜12之主要內容物時，偏光膜可藉氣相吸附法或液相吸附法染色。在此具體實施例中’偏光膜係藉液相吸附法染色。然而，本發明不依附這些 -32- 1322042 方法。在此具體實施例之液相吸附法染色中使用碘。然而，本發明不限於此。將聚乙烯醇薄膜浸於碘/碘化鉀（KI)水溶液中至少30秒及最多50〇〇秒。較佳爲，溶液中之碘濃度爲〇1 克/公升至20克/公升，及碘化鉀爲1克/公升至ι〇〇克/公升。應注意’較佳爲用於浸漬聚乙烯醇之溶液溫度爲5。(：至50 。0。在液相吸附法中，除了以上之浸漬聚乙烯醇薄膜之方法 ’可將碘或其他染料之溶液以已知方式塗覆或噴灑在聚乙鲁烯醇薄膜上。聚乙烯醇可在拉伸前後著色6然而，在染色後 ’聚乙烯醇薄膜適當地膨脹，而且其薄膜在染色後張開。因而較佳爲在拉伸前將聚乙烯醇薄膜染色。除了碘可使用二色染料（包括顏料）。二色染料有偶氮染料、二苯乙烯染料、吡唑晴染料、三苯基甲烷染料、睦 . 啉染料、噚哄染料、三哄染料、蒽醌染料等染料材料。較佳爲，此染料材料可溶於水中。較佳爲，二色染料具有親水性取代基，如磺酸基、胺基、羥基等。鲁至於二色染料，有 Cl Direct Yellow 12、CI Direct 〇range 39、Cl Direct Orange 72、Cl Direct Red 39、ci Direct Red 79 、Cl Direct Red 81 ' Cl Direct Red 83、q i Direct Red 89、

Cl Direct Violet 48 ' Cl Direct Blue 67 > ci Direct Blue 90 、CI Direct Green 59、CI Acid Red 37 等。此外，有其他之染料敘述於日本專利公開公告第i_ 1 6 1202 ' 1 -1 72906 ' 1 - 1 72907 ' 1 - 1 836〇2> 1 -248 1 05 ' 1 -265205 -33- 1322042 、7-26 1 024號等。這些二色染料係以自由酸、鹼金屬鹽 '銨鹽、與胺鹽而使用。在混合多種二色染料時，則偏光鏡（或偏光膜）可具有數種色相或色調。較佳爲，偏光過濾器（或偏光元件）具有使得兩個偏光過德器（或偏光元件）在以正交尼科耳位置固定時可顯示黑色之化合物。在將其設計爲在著色後將聚乙稀醇型薄膜張開時，使用用於將聚乙烯醇交聯之化合物（或交聯劑）。具體而言，將聚乙烯醇型薄膜浸於交聯劑溶液中，或者將交聯劑塗覆或噴鲁灑在聚乙烯醇型薄膜上。如此將聚乙烯醇型薄膜硬化而具有適當之定向。應注意，聚乙烯醇型薄膜之交聯劑敘述於美國重頒專利申請案第232897號，或可爲其他已知者。特佳爲砸酸爲主材料。爲了使所得薄膜黏附於偏光膜，有一種塗佈黏著劑之方 .· 法，或一種表面化學處理而對偏光膜與所得薄膜之至少一個表面供應黏著性質之方法。在使用纖維素醯化物作爲保護膜中之聚合物時，例如，特佳之表面處理方法爲酸處理、鹼處 * 理' 電暈放電處理、輝光放電處理、暴露於UV射線。在此具體實施例中，在表面處理後以黏著劑將薄膜黏附於偏光膜。表面處理爲鹼皂化。具體而言，將纖維素醯化物形成之薄膜浸於鹼溶液，然後在酸溶液中中和，然後以水淸洗，及乾燥。至於鹼溶液，例如，使用氫氧化鈉與氫氧化鉀，及其濃度較佳爲0.1N至3.0N。或者，鹼溶液之溫度較佳爲室溫至9 0 °C。 -34- 1322042 薄膜係以黏著劑黏附於偏光膜，而且此黏著劑可爲已知的。特佳爲硼化合物或聚乙烯醇之溶液，其含具有乙醯乙醯基、磺酸基 '羧基'環氧烷基等之變性聚乙烯醇。較佳爲，黏者劑在乾後具有0.01至10微米，而且特佳爲005至5 微米之厚度。此外’所得薄膜用於光學補償膜，其中將薄膜塗以抗反射層’及用於光學功能膜（如抗反射膜），其中在所得薄膜上形成防眩層。這些產品可作爲液晶顯示器之零件。爲了增加本發明之效果’進行上述具體實施例以外之以 _ 下具體實施例。應注意’本發明不依附以下之具體實施例。 [製備之上模液之製備] 製備製備之上模液之方法通常爲在室溫溶解聚合物。爲了改良溶解均勻性，對本發明適當地應用冷溶法及熱溶法。在冷溶法中’在-10 °C至4〇°C之接近室溫將聚合物（纖 : 維素醯化物等）、添加劑（顆粒等）逐漸攪拌加入。材料加入可同時或循序進行。應注意，可製備各材料之溶液或分散液，然後混合溶液或分散液。分散液係以使用攪拌槽之方法鲁製備，例如，使用連續噴射混合器（產品名稱：流動噴射混合器，Funken Powtechs，Inc.製造）等之連續混合法。然而，在上模液之分散液足以用於本發明之溶液鑄造法時，製備分散液之方法不限於此。例如，在乾冰/甲醇浴（-7 5°C )或二乙二醇溶液（-30°C至-20°C )中進行冷卻。如此將聚合物溶液中之溶劑與固體材料之混合物固化。然後將混合物加熱而具有約〇°C至200 °C之溫度，以得到其中材料在溶劑中顯示 -35- 1322042 流動性之溶液。爲了使溫度更高，可將混合物在室溫靜置或在溫浴中加熱。在熱溶法中，在-10 °c至4(TC之接近室溫將聚合物（纖維素醯化物等）、添加劑（顆粒等）逐漸攪拌加入溶劑中。材料加入可同時或循序進行。然後將溶劑在約〇.2MPa至 30MPa之增壓下加熱而具有約7〇t：至240°C之溫度。較佳加熱溫度爲80°C至220°C。然後將加熱溶液或分散液冷卻而具有低於所使用溶劑成分之最低沸點之溫度。通常將溶液或分散液冷卻至-10 °C至50 °C，以將壓力降低至大氣壓力。較佳爲，使用冷卻水作爲冷卻介質，其係藉冷卻裝置冷卻》應注意，如果需要則可加入添加劑。較佳爲對在以上方法中得到之製備之上模液進行過濾，使得可去除不溶解顆粒或膠狀材料。至於用於過濾之過濾介質，有濾紙、濾布、金屬網、金屬纖維、不織布等。此外，在上模液對抗殘留外來顆粒或不溶顆粒之基準嚴格時，串列地配置多個過濾裝置，而且其循序地或個別地離線，使得可藉多次過濾而改良上模液之均勻性。此外，在其中將顆粒加入製備之上模液之系統中，較佳爲對含顆粒之上模液進行過濾。某些顆粒膠合而影響顆粒本身或對製備之上模液之相容性。因此，膠合顆粒具有較大直徑，其通常較佳爲去除。此顆粒有加入作爲消光劑之氧化矽 (si〇2)顆粒。 [溶劑] 用於本發明之溶劑爲鹵化烴 '酯、酮、醚、醇等。然而 -36- 1322042 ’其不限於此。可使用單類溶劑（i 〇〇重量％ )作爲上模液之溶劑’或者可按預定之混合比例混合數種溶劑。至於可使用溶劑，有鹵化烴（例如，二氯甲烷、氯仿等 )'醋（乙酸甲酯 '甲酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯 '乙酸丁醋等）、酮（例如’丙酮、甲乙酮' 環戊酮 '環己酮等）、醚（例如’二喂院、二氧雜烷 '四氫呋喃 '二乙醚、甲基第二丁基醚等）' 醇（例如，甲醇、乙醇 '異丙醇、正丙醇、正丁醇、環己醇、環戊醇等）' 芳族烴（例如，苯、甲苯' 二甲苯、己烷等）等。使用乙酸甲醋作爲單一溶劑或作爲混合物溶劑之主要內容物在本發明中爲有效的。在使用混合物溶劑時，可易於調整上模液之特性（如凝膠強度與剪切黏度等）。至於混合乙酸甲酯之次內容物之溶劑，不僅有酮類，亦有醇類（甲醇、正丁醇等）。此外，混合物溶劑可藉由混合乙酸甲酯與至少兩種溶劑而製備。應注意，混合物溶劑之主要內容物表示具有混合物溶劑之最大含量比例之溶劑，及次內容物表示不具有混合物溶劑之最大含量比例之溶劑。此外，次內容物不限於一種溶劑。在使用纖維素三乙酸酯（TAC)作爲聚合物及使用乙酸甲酯作爲溶劑之主要內容物而製備上模液時，就TAC之溶解度而言，較佳爲混合物溶劑中之乙酸甲酯含量百分比爲50 重量％至93重量％，酮類爲2重量％至20重量％ (例如，丙酮、甲乙酮、環戊酮 '環己酮等，而且可使用其一或可使用多種），及醇類爲5重量％至30重量％ (例如，甲醇、乙醇 -37- 1322042 、異丙醇、正丙醇、正丁醇、環己醇、環戊醇等，而且可使用其一或可使用多種）。此外，可將酮類與醇類混合至少93 重量％之甲酸乙酯而得混合物溶劑。 '在將其設計爲使用纖維素三乙酸酯（TAC)作爲聚合物時，可使用二氯甲烷作爲單一溶劑或混合物溶劑之主要內容物。因TAC易溶解二氯甲烷，使聚合物溶液之製備容易。此外，在使用二氯甲烷作爲混合物溶劑之主要內容物時，女卩同使用乙酸甲酯，可調整聚合物溶液之特性。較佳爲，混合物溶劑中之二氯甲烷含量比例爲50重量％至95重量％，酮類爲〇重量％至20重量％ (例如.，丙酮、甲乙酮、環戊酮、環己酮等，而且可使用其一或可使用多種），及醇類爲5重量％至30重量％ (例如，甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇、正丁醇、環己醇、環戊醇等，而且可使用其一或可使用多種）。此外，可將酮類與醇類混合至少95重量％之二氯甲烷而得混合物溶劑。 [添加劑] 用於本發明之添加劑並未特別地限制。至於添加劑，有塑性劑、UV安定劑 '消光劑 '模具潤滑劑、氟化物型表面活性劑、脫模劑、退化抑制劑、阻滯調整劑 '膠化劑等。添加劑可在製備上模溶液之任何步驟混合聚合物，或者，可恰在完成鑄造前加入鑄造上模液。例如，添加劑可在聚合物膨脹時加入，或者可在薄膜製造程序中，在基板上將鑄造溶液自鑄模鑄造時或恰好之前，藉靜態混合器加入鑄造上模液且混合。 -38- 1322042 [塑性劑] · 至於用於本發明之塑性劑，有磷酸酯型（例如，磷酸三苯酯（TPP)、磷酸三甲苯酯、磷酸甲苯基二苯酯 '磷酸辛基二苯酯、磷酸聯苯基二苯酯（BDP)、磷酸三辛酯、磷酸三丁酯等）、酞酸酯型（例如，酞酸二乙酯、酞酸二甲氧基甲酯 '酞酸二甲酯、酞酸二辛酯等）、羥乙酸酯型（例如，三乙酸甘油酯、三丁酸甘油酯、羥乙酸丁基酞基丁酯、羥乙酸乙基酞基乙酯、羥乙酸甲基酞基乙酯、羥乙酸丁基酞基丁酯等 )、及其他塑化劑。籲可使用僅一種塑性劑，或可混合多種塑性劑。塑性劑較佳爲含上模溶液中之聚合物之1-20重量％。此外，亦可使用曰本專利公開公告第11-80381' 11-124445、 11-248940號所述之其他塑性劑。 _ [U V吸收劑] : 在本發明中，較佳爲溶液中含一或多種UV吸收劑。就液晶化合物退化之保護而言，U V吸收劑較佳爲優於吸收波長等於或小於37〇奈米之UV射線。此外，就液晶之顯示力 * 而言，UV吸收劑較佳爲不吸收波長等於或超過400奈米之可見光射線。至於UV吸收劑，例如，有氧基二苯基酮型化合物、苯幷三唑型化合物、柳酸酯型化合物、二苯基酮型化合物、氰基丙烯酸酯型化合物、鎳錯合鹽型化合物。特佳爲苯并三唑型化合物與二苯基酮型化合物。特佳爲二苯基酮型化合物，因爲其不意料外地發生纖維素酯之變色。此外爲日本專利公 -39- 1322042 開公告第H08-296 1 9號揭示之苯并三唑型化合物之UV吸收劑，及日本專利公開公告第H08-239509號揭示之UV吸收劑。此外，可加入其他已知之UV吸收劑。UV吸收劑之含量較佳爲含聚合物之0.1 -1 0重量％。至於較佳UV吸收劑，有2,6-二第三丁基對甲酚、異戊四醇-肆[3-( 3,5-二第三丁基-4-羥基苯基）丙酸酯]' 三乙二醇-貳[3-(3-第三丁基-5-甲基-4-羥基苯基）丙酸酯]、1，6_ 己二醇-貳[3- (3,5-二第三丁基-4-羥基苯基）丙酸酯]、2,4· 貳（正辛硫基）-6-(4-羥基-3,5-二第三丁基苯胺基）-H5-三畊、2,2-硫-二伸乙基貳[3- (3,5-二第三丁基-4-羥基苯基 )丙酸酯]、2- (2，-羥基- 3’，5’-二第三丁基苯基）-5-氯苯并三唑、2- (2’_羥基-3，，5’-二第三丁基戊基苯基）-5-氯苯并三唑、十八碳基-3-( 3,5-二第三丁基_4_羥基苯基）丙酸酯' ^^，1'>1’-伸己基戴（3,5-二第三丁基-4-經基117<11'〇〇)〇1611醯胺）、1,3,5-三甲基-2,4,6-参（3,5-二第三丁基-4-羥基二苯乙二酮）苯、参^^-二第三丁基-扣羥基二苯乙二酮）。…“!^^^ 等。特佳爲2,6-二第三丁基對甲酚、異戊四醇-肆[3-(3,5-二第三丁基-4·羥基苯基）丙酸酯]' 三乙二醇-貳[3-(3-第三丁基_5·甲基-4-羥基苯基）丙酸酯]。此外，可混合及使用肼化合物（如N，N’-貳[3 - (3，5-二第三丁基-4-羥基苯基）丙醯基]肼等）及磷酸酯處理安定劑（如参（2,4-二第三丁基苯基 )磷酸酯等）之金屬去活化劑。 [消光劑] 上模溶液較佳爲含消光劑（顆粒粉末）以改良薄膜之高 -40- 1322042 濕度下黏附耐久性質及滑動性質。消光劑在表面上之平均凸形高度較佳爲0.005U0微米，特別是0.01-5微米。凸形數量較佳爲大。然而，在其大於所需時，凸形造成霧狀。此外，顆粒之主要直徑較佳爲1奈米至500奈米。然而，本發明不限於此敘述》消光劑可爲無機及有機化合物。至於無機化合物’有無機顆粒，如硫酸鋇、錳膠體、二氧化鈦、硫酸鋸、氧化矽型（二氧化矽等）、氧化鋁、氧化鋅' 氧化錫、碳酸釣 '硫酸鋇、滑石、高嶺土、硫酸耗。此外，有二氧化砂 (例如’在濕處理中或藉由將矽酸膠化而得到之合成矽石）及由鈦礦渣與硫酸製造之二氧化鈦（金紅石型 '銳鈦礦型）〇無機消光劑亦可藉由硏磨直徑超過20微米之無機化合物而得。在此情形’在硏磨後，例如，藉振動過濾、風力分類進行無機化合物之分類。至於有機化合物’有經硏磨及分類之有機聚合物化合物 ’例如’聚四氟乙烯、纖維素乙酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丙酯、聚丙烯酸甲酯、聚碳酸乙二酯 '醯基苯乙烯型樹脂、聚矽氧型樹脂、聚碳酸酯型樹脂、苯并胍胺型樹脂、三聚氰胺型樹脂、聚烯烴型粉末、聚酯型樹脂、聚醯胺型樹脂、聚醯亞胺型樹脂、聚氟乙烯型樹脂、與澱粉。有其他在懸浮液聚合中合成之聚合物 '在噴灑乾燥法或分散法中得到之球形聚合物、及無機化合物。然而，在上模溶液中顆粒粉末之量太大時，薄膜之彈性變低。因而上模溶液較佳爲含聚合物之0.01-5重量。/〇之顆粒粉末。 -41 - 1322042 [模具潤滑劑] 模具潤滑劑經常加入上模液以使模塑更容易。在模具潤滑劑中’有具高沸點之蠟、高碳脂肪酸與其鹽形式、酯、聚矽氧油、聚乙烯醇、低分子量聚乙烯、蔬菜蛋白之衍生物等。然而，本發明不限於此。較佳爲調整模具潤滑劑之加入量，使得模具潤滑劑對上模液中聚合物之重量百分比可爲 0.001重量％至1重量％之範圍，因爲模具潤滑劑對薄膜之亮麗性及光滑性有影響。 [氟表面活性劑] 籲在上模液中，亦可加入氟表面活性劑。氟表面活性劑具有氟烴鏈之疏水性基，因此在有機溶劑或抗靜電劑中作爲塗覆劑而降低表面張力。至於氟表面活性劑，例如，有 C8F17CH2CH20-(CH2CH20)1()-0S03Na ' C8F17S02N(C3H7)(CH2CH20)16-H、 C8F17S02N(C3H7)CH2C00K ' C7F15COONH4 ' C8F17S02N(C3H7)(CH2CH20)4- ： (CH2)4-S03Na、C8F17S02N(C3H7)(CH2)rN+(CH3)3-r、 C8F17S02N(C3H7)CH2CH2CH2N+(CH3)2-CH2CO〇-、 C8F17CH2CH20(CH2CH20)16-H、C8F17CH2CH20(CH2)3-N+(CH3)3.I· ' H(CF2)8- ® CH2CH20C0CH2CH(S03)C00CH2CH2CH2CH2-(CF2)8-H ' h(cf2)6ch2ch2o(ch2ch2o)16-h、h(cf2)8ch2ch2o(ch2)3-n+(ch3)3.i·、 h(cf2)8ch2ch2ococh2ch(so3)cooch2ch2ch2ch2c8f丨7、c9fI7-c6h4-so2n(c3h7)(ch2ch2o)16-h、c9f17-c6h4-cso2n(c3h7)-(ch2)3-n+(ch3)3 Γ。氟表面活性劑在上模溶液中之量較佳爲聚合物之0.00重量％。 [脫模劑] -42- 1322042 脫模劑可加入上模液以降低剝除力。至於脫模劑，表面活性劑特佳。脫模劑有磷酸型、羧酸型'非離子型'陽離子型等。然而’脫模劑不限於此。這些脫模劑敘述於日本專利公開公告第61-243837號《此外，日本專利公開公告第57-5 00 8 3 3號教示以聚乙氧基磷酸酯作爲脫模劑。在日本專利公開公告第6 1 -69845號中，剝除係藉由加入纖維素酯單/二磷酸烷酯（其中未酯化羥基具有自由酸形式）而順利地完成。此外，在日本專利公開公告第1 -299847號中，剝除力係藉由加入無機顆粒及具未酯化羥基與環氧丙烷鏈之磷酸酯化合物而降低。這些材料可作爲脫模劑。脫模劑之量爲聚合物之0.0 0 1 -1重量％。 [退化抑制劑] 此外，退化抑制劑（抗氧化劑、過氧化物分解劑、自由基抑制劑、金屬去活化劑、酸補獲劑、胺等）及UV安定劑可加入上模液。此退化抑制劑及UV安定劑揭示於日本專利公開公告第 60-235852、 3-199201、 5-1907073、 5-194789、 5-271471' 6-107854' 6-118233' 6-148430' 7-11056' 7-11055 、7-11056 > 8-29619、 8-239509、及 2000-204173 號。特佳之退化抑制劑爲丁基化羥基甲苯（B HT)。此外，較佳爲製備含聚合物之〇 . 〇 1重量％至5重量％之退化抑制劑之聚合物溶液。 (阻滯調整劑）在本發明中，降低阻滯之不均勻性。此外，可將阻滯調整劑加入上模液以控制光學各向異性。阻滯調整劑增加所製 -43- 1322042 造薄膜之阻滯平均値。較佳爲使用具有至少兩個芳族基之芳族化合物作爲阻滞調整劑。此外，可同時使用至少兩種芳族化合物。在芳族化合物之芳族基中，不僅有芳族烴基，亦有具有芳族烴特性之雜環基。應注意，較佳爲製備含聚合物之 0.01重量％至10重量％之阻滯調整劑之聚合物溶液。芳族烴基特佳爲6員環（苯環）。具有芳族烴基特性之雜環基較佳爲5員環、6員環或7員環，而且特佳爲5員環或6員環。通常具有芳族烴特性之雜環基中之雙鍵係以最大數量（或最多數量）形成。至於用於本發明之雜原子，氮原子、氧原子與硫原子較佳，而且氮原子特佳。至於具有芳族烴特性之雜環基，有呋喃環、噻吩環、吡咯環 ' 噚唑環、_ 唑環、異噻唑環、咪唑環、吡唑環、呋咕環'三唑環、哌喃環、tftD定環、塔哄環、1^密陡環、啦讲環_、與1,3,5-三哄環等。具體而言，經基氧基二苯基酮、2，4-;氧基二苯基酮等可作爲阻滯調整劑。較佳芳族環爲苯環 '呋喃環、噻吩環、吡格環、曙哗環、唾哩環、味π坐環、二哩環、啦陡環、嚼陡環、啦哄環、粗 1，3,5-三畊環等。苯環與1，3,5-三畊環特佳。芳族化合物較佳爲至少具有1，3,5-三畊環。 —種芳族化合物中之芳族環數量較佳爲2-20個，特別是2-12個，而且特別是2-8個。兩種芳族環之組合係以如下之組合關係之一完成：（a)形成縮合環，（b)形成直立地組合兩個基之單鍵’（c)經鍵聯基組合。（在組合兩個芳族基時 ’無法形成其螺旋鍵聯。）各組合關係中之具體基示於以下 -44- 1322042 至於（a)中之縮合環，有茚環、萘環、奠環、荛環、菲環、蒽環、芘環、吲哚環、異吲哚環、苯并呋喃環 '苯并噻吩環、吲哚啉環 '苯并噚唑環、苯并噻唑環、苯并咪唑環、苯并三唑環 '嘌呤環' 茚唑環 '克烷烯環、喹啉環、異喹啉環、喹哄環 '喹唑啉環、辛啉環、喹噚啉環、酞哄環 '喋啶環' 咔唑環'DY啶環、啡啶環、二苯并哌喃環、啡阱環、啡噻哄環、氧硫雜蒽環、啡噚哄環、與噻茚環。較佳爲萘環、莫環、吲哚環、苯并曙唑環、苯并咪唑環、與唼琳環。較佳爲在（b)中形成單鍵以組合兩個芳族基之各碳原子。爲了組合兩個芳族環，可形成二或更多個單鍵，使得在兩個芳族環之間可形成非芳族雜環上之脂族環。較佳爲將（c)中之鍵聯基組合二或更多個芳族環之各碳原子。此鍵聯基爲伸烷基、伸烯基、伸炔基、_ C 〇 _、- 〇 _、 -NH-、-S-、及其組合。鍵聯基組合之實例示爲以下之（cd) 至（c-15)。應注意，各鍵聯基中右及左側之位置可反轉。 (c-1): -C0-0- (c-2): -CO-NH- (c-3): -伸烷基-0- (c-4): -NH-CO-NH- (c - 5 ): -NH-C0-0- (c-6): -0-C0-0- (c-7): -〇-伸烷基-0- (c-δ)： -CO-伸烯基· -45- 1322042 (c-9): -CO-伸烯基-NH- (c-10): -CO-伸烯基-O- (C-1 1)：-伸烷基-C O - O -伸烷基-〇 - c O -伸烷基-(c-12): -〇-伸院基- CO-O -伸烷基- O- CO-伸院基- 〇- (c-13): -O-CO-伸烷基-CO-O- (c-14): -NH-CO-伸烯基- (c-15): -O-CO-伸烯基- 芳族環及鍵聯基可具有取代基。至於取代基，有鹵素原子（F、Cl、Br、I) '羥基 '羧基、氰基、胺基、硝基、硫基、胺甲醯基、胺磺醯基、脲基、烷基、烯基、炔基、脂族醯基、脂族醯氧基、烷氧基、烷氧基羰基、烷氧基羰基胺基 '烷硫基 '烷基磺醯基、脂族醯胺基 '脂族磺醯胺基、經脂族取代胺基、經脂族取代胺甲醯基、經脂族取代胺磺醯基、經脂族取代脲基 '及非芳族鍵聯環》一種烷基中之碳原子數量較佳爲1至8個。鏈烷基，特別是直鏈烷基，優於環形烷基。此外，烷基可具有取代基（例如，羥基、羧基 '烷氧基、經烷基取代胺基）。至於烷基 (包括經取代烷基），有甲基、乙基、正丁基、正己基、2-羥基乙基、4-羧基丁基、2·甲氧基乙基、與2-二乙胺基乙基。烯基中之碳原子數量較佳爲2至8個。鏈烯基，特別是直鏈烯基，優於環形烯基。烯基可具有取代基。至於烯基，有乙烯基、烯丙基與1-己烯基。炔基中之碳原子數量較佳爲2 至8個。鏈炔基，特別是直鏈炔基，優於環形炔基。炔基可具有取代基。至於炔基，有乙炔基、1-丁炔基與1-己炔基。 -46- 1322042 脂族醯基中之碳原子數量較佳爲1至10個。至於脂族醯基，有乙醯基、丙醯基與丁醯基。脂族醯氧基中之碳原子數量較佳爲1至10個。至於脂族醯氧基，有乙醯氧基。烷氧基中之碳原子數量較佳爲1至8個。烷氧基可具有取代基 (例如，烷氧基）。至於烷氧基（包括經取代烷氧基），有甲氧基、乙氧基'丁氧基'與甲氧基乙氧基。烷氧基羰基中之碳原子數量較佳爲2至10個.。至於烷氧基羰基，有甲氧基羰基與乙氧基羰基。烷氧基羰基胺基中之碳原子數量較佳爲 2至10個。至於烷氧基羰基胺基，有甲氧基羰基胺基與乙氧基羰基胺基。烷硫基中之碳原子數量較佳爲1至12個。至於烷硫基，有甲硫基、乙硫基與辛硫基。烷基磺醯基中之碳原子數量較佳爲1至8個。至於烷基磺醯基，有甲擴醯基與乙擴·醯基。脂族醯胺基中之碳原子數量較佳爲1至10個。至於脂族醯胺基，有乙醯胺。脂族磺醯胺基中之碳原子數量較佳爲1 至8個。至於脂族磺醯胺基，有甲磺醯胺、丁磺醯胺與正辛磺醯胺。經脂族取代胺基中之碳原子數量較佳爲1至1 0個。至於經脂族取代胺基，有二甲胺基、二乙胺基與2-羧基乙胺基。經脂族取代胺甲醯基中之碳原子數量較佳爲2至10 個。至於經脂族取代胺甲醯基，有甲基胺甲醯基與二乙基胺甲醯基。經脂族取代胺磺醯基中之碳原子數量較佳爲1至8 個。至於經脂族取代胺磺醯基，有甲基胺磺醯基與二乙基胺磺醯基。經脂族取代脲基中之碳原子數量較佳爲2至10個。至於經脂族取代脲基，有甲脲基。至於非芳族雜環基，有 -47- 1322042 哌旋基與嗎啉基。阻滯調整劑之分子量較佳爲300至800。具體而言’阻滯調整劑揭示於日本專利公開公告第2000_ U1914、200-27 5434號 '及國際專利申請案WOOO/653 84號〇 (上模液中固體材料濃度之測量方法）爲了測量上模液中之固體材料濃度，自薄膜生產線取得預定體積之上模液作爲樣品，及測量此樣品。然後將樣品在 1 20°c加熱2小時，及測量殘留材料之重量。然後得到殘留材料對樣品之重量比例。在本發明中應注意，固體材料爲作爲薄膜原料之添加劑與聚合物之混合物。各薄膜之純材料在室溫並非始終爲固體材料。此外，本發明與固體材料濃度之測量方法無關。 [實驗] 本發明之實驗係如下進行。然而，本發明不受此實驗限制。由以下之成分製備三種上模液A、B、C。應注意，用於上模液A、B之纖維素三乙酸酯原料爲木漿，及上模液c 爲棉毛。此外，UV吸收劑I、II、III各爲2- ( 2’-羥基- 5，-甲基苯基）苯并三唑' 2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯基酮、與 2- (2’-羥基-3，，5’-二第三丁基戊基苯基）-5-氯苯并三唑。這些UV吸收劑I、II、III亦具有阻滯調整劑之效果。 (上模液A之製備）製備上模液A之內容如下。首先，將二氯甲烷、甲醇、乙醇、與正丁醇之混合溶劑冷卻至0°C，及將固體材料攪 -48- 1322042

拌加入混合物溶劑以將固體材料均勻地分散。然後以管線（包括靜態混合器）將分散液壓力增至20公斤/平方公分，同時將分散液加熱至兩個預設溫度。如此將固體材料溶解而得上模液。預設溫度爲首先7 0 °C然後3 8 °C。此外，將上模液循序地冷卻至兩個預設溫度，然後使用絕對孔徑爲10微米之濾紙進行過濾。冷卻之預設溫度爲首先7 然後3 8 t。將過濾溶液加熱以進行急驟蒸發。如此將部份溶劑蒸發，及使固體內容物之濃度爲23%。然後使用絕對孔徑爲5微米之燒結金屬過濾器進行過濾而得到上模液A。 1 8 · 9 0重量％ 1 .0 0重量％ 0.6 0重量％〇 . 5 0重量％〇 · 1 0重量％ 0.2 0重量％ 0 · 3 0 重量 °/〇〇 . 0 5重量％〇 . 〇 2重量％〇 _ 3 0重量％ ό 0.9 0重量％

纖維素三乙酸酯 (乙醯化程度6 0.7 %，聚合程度3 1 5，在第六位置之乙醯基取代程度〇·94，平均粒徑0.5毫米）磷酸三苯酯（TPP) 磷酸聯苯基二苯酯（BDP) 酞酸二乙酯 UV吸收劑I UV吸收劑II UV吸收劑III 二氧化矽顆粒 (粒徑15奈米，莫式硬度約7) 部份酯形式之檸檬酸乙醋三苄胺二氯甲烷 -49- 1322042 甲醇 1 5.6 0重量％乙醇 1 . 2 0重量％正丁醇 0.4 0重量％ (上模液B之製備）製備上模液B之內容如下。首先，將二氯甲烷、甲醇、乙醇 '正丁醇、與丙酮之混合溶劑冷卻至_ 2 Ot，及以連續捏合器將固體材料與作爲過濾助劑之矽藻土攪拌加入混合物溶劑。應注意’矽藻土顆粒具有60微米之平均直徑，及砂藻土對固體材料與矽藻土總和之含量爲0 2%。然後將 '混合物ffi拌分散’及藉具有冷卻外套之螺絲擠壓機冷卻至_ 9〇°C ’而變成膠狀材料。將膠狀材料加熱至兩個預設溫度，首先7〇°C然後135°C。然後使用預塗Tefi〇n (商標名）之不織布進行混合物之過濾，以去除直徑60微米之矽藻土顆粒。應注意，在不織布中，絕對孔徑爲2〇微米。然後使用絕對孔徑爲2.5微米之燒結金屬過瀘器進行溶液之過濾。將過濾溶液冷卻至兩個預設溫度，首先701然後3(rc，而得到上模液應注意，含量如下之纖維素乙酸酯丙酸酯（作爲聚合物）係得自木漿。纖維素三乙酸酯 18.90重量％ (總乙醯化程度2.83，聚合程度270,在第六位置之乙醯基取代程度0.86，平均粒徑〇 · 5毫米）纖維素三丙酸酯 5.90重量％ (總醯化程度2.89，總乙醯化程度2.59 1322042 ，聚合程度270,在第六位置之乙醯基取代程度〇 . 94，平均粒徑0 · 5毫米）二異戊四醇六乙酸酯 1.00重量％磷酸三苯酯（TPP) 1.00重量％磷酸聯苯基二苯酯（BDP) 0.1 0重量％酞酸二乙酯 0.10重量％ UV吸收劑I 0.1 0重量％ UV吸收劑II 0.2 0重量％ UV吸收劑III 0.3 0重量％二氧化矽顆粒 0.0 5重量％ (粒徑1 5奈米，莫式硬度約7 ) 部份酯形式之檸檬酸乙酯 0.0 2重量％三午胺 0.3 0重量％乙酸甲酯 6 2.1 0重量％甲醇 4.0 0重量％乙醇 5.0 0重量％正丁醇 3.0 0重量％丙酮 5.0 0重量％ (上模液C之製備）製備上模液C之內容如下。應注意，上模液C係以如上模液A之相同方法製備。纖維素三乙酸酯 19.00重量％ (總醯化程度2.5，聚合程度25 0，在第六位置之乙醯基取代程度0.86，平均粒 -51 - 1322042 徑〇 · 5毫米）二氧化矽顆粒 0 · 0 5重量％ (粒徑1 5奈米’莫式硬度約7 ) 部份酯形式之檸檬酸乙酯 0-02 重量三苄胺 0 · 3 0重量％二氯甲烷 6 0.9 0重量％甲醇 1 5 · 6 0重量％乙醇 1.20重量％正丁醇 0-40重量％ (上模液D之製備）使用靜態混合器將上模液A線上稀釋，使得固體材料^ 之濃度變爲1 9 · 5 %。如此得到上模液D。用於稀釋之溶劑之含量與上模液A之混合物溶劑相同。 (上模液E之製備） . 使用靜態混合器將上模液B線上稀釋，使得固體材料之濃度變爲1 9 · 5 %。如此得到上模液E。用於稀釋之溶劑之含量與上模液B之混合物溶劑相同。 _ [實例1 ] (薄膜製造方法）鑄造係以第4圖之塗架模進行，其具有實行共鑄以形成三層之進料區。基板爲第11圖描述之圓筒〗〇2,而且在圓筒 1〇2之表面上鍍硬鉻。進行鏡面拋光使得中心線平均粗度爲 0.〇3微米。應注意，在圓筒1〇2中，表面溫度保持在51，直徑爲1800毫米’及寬度爲1〇〇〇毫米。 -52- 1322042 其係設計爲薄膜36可具有各由上模液C'上模液A與上模液C形成之第一至第三層35a-35c，使得在乾燥後，第 —與第三層35a、35c之厚度爲1_5微米，及第二層〗5b爲 57微米。將上模液A與上模液C進料至進料區62，及在圓筒102上鑄造成寬1580毫米。因而將圓筒102對鑄模14唇部之相對速度調整至3 0米/分鐘。此外，提供板使得因移動圓筒102而發生之空氣流動不自鑄造表面邊緣散逸。將溶劑自膠狀膜35蒸發，及藉冷凝器105將溶劑蒸氣冷凝，其係配置於距膠狀膜35爲5.0毫米處且冷卻至-25 °C 之溫度。藉液體接收器53接收冷凝之溶劑。因而溫度梯度 Q爲35及其在寬度方向之差爲5%，而且冷凝器95之溫度 Tc在寬度方向之差爲5 °C。膠狀膜35與冷凝器105間之捲速爲最大0.5米/秒。鑄造設備1 〇 1係提供於少量氮氣流經之氣密殼中。如此在內大氣中將氧濃度保持在最多6體積％，及將露點保持在最局-3 5 °C。以6 0牛頓之剝除力自圓筒1 〇 2剝除含2 5 0重量％之溶劑之膠狀膜35成爲薄膜36。然後將各針式張力機125釘在薄膜3 6之側緣部份。然後將薄膜3 6加熱以在兩個步驟中乾燥，即’首先80°C然後l2〇°C。然後將薄膜36運輸至輥乾燥裝置42中，其中施加110牛頓之張力進行熱乾燥及冷卻。在輥乾燥裝置42中之熱乾燥係以兩個步驟進行，即，首先120°C，然後135°C。冷卻係在25°C進行。以捲繞裝置47 捲繞冷卻之薄膜3 6。 -53- 1322042 [實例2] (薄膜製造方法）鑄造係以第2圖之鑄造設備進行。帶3 1爲不銹鋼製。進行鏡面拋光使得中心線平均粗度爲0.03微米。應注意，使用輻射加熱器將加熱板25之表面溫度保持在25。(：。帶31 爲10米長及8 00毫米寬。其係設計爲薄膜36可具有各由上模液C、上模液B與上模液C形成之第一至第三層3 5 a_35c，使得在乾燥後，第 —與第三層35a、35c之厚度爲1.5微米，及第二層3 5b爲 3?微米。將上模液B與上模液C進料至進料區62，及在帶 31上鑄造成寬650毫米。因而將帶31對鑄模14唇部之相對速度調整至6米/分鐘。此外，提供遮蔽意料外流動之板，使得因移動帶31而發生之空氣流動不自鑄造表面側緣散逸〇將溶劑自膠狀膜35蒸發，及藉冷凝器52將溶劑蒸氣冷凝，其係配置於距膠狀膜35爲5.0毫米處且冷卻至-5 °C之溫度。藉液體接收器53接收冷凝之溶劑。因而溫度梯度Q爲 30及其在寬度方向之差爲5%。冷凝器52之溫度Tc在寬度方向之差爲5 °C。膠狀膜35與冷凝器52間之捲速爲最大0.5 米/秒。鑄造設備1 6係提供於少量氮氣流經之氣密殻中。如此在內大氣中將氧濃度保持在最多6體積％，及將露點保持在最高-15°C。以40牛頓之剝除力自圓筒102剝除含150重量 %之溶劑之膠狀膜35成爲薄膜36。其他條件與實例1相同 -54- 1322042

[實例3 J (薄膜製造方法）第一與第三層35a、35c係由上模液形成，其係由無UV 吸收劑與塑性劑之上模液C之內容物製備。進行上模液鑄造使得第一與第三層35a、35c在乾燥後爲0.5微米及1.5微米厚。第二層35b係由上模液A形成，而在乾燥後爲28微米厚。其他條件與實例1相同。 [實例4] · (薄膜製造方法）第一層35a係由上模液形成，其係由無UV吸收劑與塑性劑之上模液C之內容物製備。進行上模液鑄造使得第一層 35a在乾燥後爲1.5微米厚。第二層35b係由上模液A形成，而在乾燥後爲57微米厚。第三層35c係由上模液E形成 ·· ，而在乾燥後爲0.2微米厚。進行共鑄而形成第一至第三層 3 5a-3 5c »其他條件與實例1相同。 [實例5] · (薄膜製造方法）第一與第三層35a、35c係由上模液形成，其係由無UV 吸收劑與塑性劑之上模液D之內容物製備》進行上模液鑄造使得第一與第三層35 a、35c在乾燥後爲1.0微米及2微米厚。第二層3 5b係由上模液B形成，而在乾燥後爲77微米厚。進行共鑄而形成第一至第三層35a-35c。其他條件與實例1 相同。 -55- 1322042 [比較1] (薄膜製造方法）在鑄造設備91中，不使用冷凝器95，及將乾燥空氣吹向鑄造表面以乾燥。乾燥空氣之吹風速度及溫度爲1 5米/秒及40 °C。將乾燥空氣循環地使用，及在冷卻裝置（未示）中將排放氣體中之溶劑蒸氣在最高-30 °C之溫度冷凝以回收溶劑。其他條件與實例1相同。 [比較2] (薄膜製造方法）在鑄造設備16中，不使用冷凝器52，及將乾燥空氣吹向鑄造表面以乾燥。乾燥空氣之吹風速度及溫度爲10米/秒及80 °C »將乾燥空氣循環地使用，及在冷卻裝置（未示）中將排放氣體中之溶劑蒸氣在最高-5 °C之溫度冷凝以回收溶劑。其他條件與實例1相同。 [比較3 ] (薄膜製造方法）藉冷凝器95將溶劑蒸氣冷凝，其係配置於距膠狀膜35 爲20毫米處且冷卻至_5°(：之溫度。膠狀膜35之鑄造表面與冷凝器9 5間之差之距離百分比爲.1 1 %。溫度梯度Q爲3，及冷凝器95之溫度Tc在寬度方向之差爲12 °C ^ [比較4 ] (薄膜製造方法）第一與第三層35a、35c係由上模液形成，其係由無UV 吸收劑與塑性劑之上模液C之內容物製備。進行上模液鑄造 -56- 1322042 使得第一與第三層35a、35c在乾燥後爲0.5微米及1.5微米厚。第二層3 5b係由上模液A形成，而在乾燥後爲28微米厚。此外，在鑄造設備91中，不使用冷凝器95，及將乾燥空氣吹向鑄造表面以乾燥。乾燥空氣之吹風速度及溫度爲15 米/秒及4〇°C。將乾燥空氣循環地使用，及在冷卻裝置（未示）中將排放氣體中之溶劑蒸氣在最高-3 0 °C之溫度冷凝以回收溶劑。其他條件與實例1相同。 [薄膜厚度之測量及判斷] 在實例1 -5及比較1 -4中，測量薄膜之厚度，及由測量結果得到頻率光譜。厚度測量係首先以位於薄膜側緣間中部區域之長度方向之連續前進測量，其次以寬度方向之連續前進測量進行。薄膜外觀之判斷係以肉眼進行，及其結果描述於表1。在表1中，”A”表示薄膜外觀良好，及”N”表示觀察到不均勻性。在表1中，R1與R2値係由在第一具體實施例得到之厚度値計算。R1値爲厚度値之平均誤差MD1對厚度値之厚度平均値ΤΑ 1之比例。此外，實行第一測量之厚度値之FFT 分析而得此實驗之頻率光譜。在表1中，R2値爲頻率光譜最大値SPl^對厚度平均値TA1之比例。此外，R3與R4 値係由在第二具體實施例得到之厚度値計算。R3値爲厚度値之平均誤差MD1對厚度平均値TA1之比例。此外，實行第二測量之厚度値之FFT分析而得此實驗之頻率光譜。在表 1中，R4値爲頻率光譜最大値對厚度平均値TA1之比例。 -57- 1322042 [表1] R1 (%) R2 (%) R3 (%) R4 (%) FA PSA _ 實例1 6.2 1.3 8.5 3.6 A A 實例2 7.4 3.2 9.2 5.3 A A 實例3 8.2 3.9 9.5 4.6 A A 實例4 6.3 2.3 8.2 3.6 A A 實例5 4.1 2.8 6.7 2.9 A A 比較1 8.9 4.5 13.5 7.2 N N 比較2 9.7 5.3 14.5 8.6 N N 比較3 17.8 10.8 19.5 10.2 N N 比較4 18.6 11.0 18.3 10.0 N N — FA :薄膜外觀 PSA:偏光過濾器外觀 [阻滯値之測量] 在下述測量雙折射之方法中得到在實例1 -5及比較！ _4 中製造之各薄膜之阻滯値。阻滯値Re及Rth係在實行厚度測量之各處測量。測量結果示於表2&3。在按長度方向排列之處測量阻滯値Re。在表2中，R5 値爲阻滯値Re之平均誤差MD3對厚度値之阻滯平均値RA1 之比例。R6値爲阻滯値Re之頻率光譜最大値SP2MAX對阻滞平均値之比例。此外，在按長度方向排列之處測量阻滯値 Re。在表2中，R7値爲阻滞値Re之平均誤差對阻滯平均値之比例。R8値爲阻滯値Re之頻率光譜最大値對阻滯平均値之比例。 . 此外，在長度方向測量阻滯値Rth。在表3中，R9値爲阻滯値Rth之平均誤差MD5對厚度値之阻滯平均値RA3之比例。R1 0値爲阻滯値Rth之頻率光譜最大値對阻滯平均値之比例。此外，在寬度方向之連續進行測量中測量阻滯値 Rth。在表3中，R 1 1値爲阻滯値Rth之平均誤差對阻滯平均 -58- 1322042 値之比例。R1 2値爲阻滯値Rth之頻率光譜最大値對阻滯平均値之比例。 (阻滯値Re之測量）阻滯値Re係藉由以63 2.8奈米之光照射，由在薄膜表面垂直方向測量之所測量阻滯値之外差値計算。因而此測量係以自動雙折射計（Oji Scientific Instrument製造之 K0BRA21DII)進行。頻率光譜係藉由實行阻滞値Re之FFT 分析而得。 (阻滯値Rth之測量）鲁將63 2.8奈米之光垂直照射薄膜而得阻滯値Re，然後將薄膜表面對照射薄膜逐漸傾斜因而得到阻.滯値Re »阻滯値Rth係由所測量阻滯値Re之外差値計算。因而此測量係以自動雙折射計（Jusco Corporation製造之 Ellipsometer Ml 50 )進行。頻率光譜係藉由實行阻滯値Rth之FFT分析 ·· 而得。 [表2] R5 (%) R6 (%) R7 (%) R8 (%) 實例1 7.2 4.2 8.8 4.6 實例2 7.5 3.5 9.3 5.7 實例3 8.5 4.2 9.8 6.5 實例4 6.5 2.7 8.6 4.2 實例5 4.5 2.2 7.2 3.2 比較1 10.2 6.0 10.2 6.2 比較2 11.5 6.6 11.2 7.6 比較3 13.9 10.5 16.3 10.9 比較4 14.0 11.5 16.2 10.5 -59- 1322042 [表3] R9 (%) R10(%) R11 (%) R12 (%) 實例1 6.1 2.6 8.6 3.2 實例2 7.3 3.3 9.5 4.0 實例3 8.4 4.5 9.4 6.0 實例4 6.4 2.9 7.9 3.0 實例5 4.2 2.5 6.5 2.7 比較1 10.8 6.8 10.5 7.2 比較2 11.8 7.2 12.2 8.3 比較3 13.2 10.6 15.9 13.8 比較4 14.0 11.1 15.5 12.6 [偏光過濾器之製造] 使碘吸附至定向聚乙烯醇薄膜而製造偏光膜。然後以聚 | 乙烯醇型黏著劑將各實例1-5及比較1-4製造之薄膜黏附於偏光膜兩側，使得薄膜之慢軸及偏光膜之穿透軸平行。將此偏光過濾器樣品在80°C及90%RH濕度之大氣中固定500小時。樣品外觀之判定係以肉眼進行，及其結果示於表1。應注意，”A”表示未觀察到正交尼科耳位置之顏色強度變化，及”N”表示明顯地觀察到顏色強度之變化。 [偏光程度之估計] 以光譜光度計測量可見光區域之偏光之平行透明度Υρ φ 及直接透明度Yc。然後基於平行透明度Υρ及直接透明度Yc ，由下式計算偏光程度： P = [(Yp-Yc)/(Yp + Yc)],/2xlOO (%) 在其中使用各實例1-4製造之薄膜之偏光過濾器中，偏光程度超過99.6%。偏光過濾器具有足夠之耐久性。然而，在其中使用各比較1-3製造之薄膜之偏光過濾器中，偏光程度超過 9 9.4 % - 9 9 · 6 %。 [光學補償膜之製造] -60- 1322042 使碘吸附至拉製聚乙烯醇薄膜而製造偏光膜。然後以聚乙烯醇型黏著劑將實例1製造之薄膜黏附於偏光膜表面，使得薄膜之慢軸及偏光膜之穿透軸平行。此外，製造另一片在實例1得到之薄膜’然後以聚乙烯醇型黏著劑將皂化薄膜黏附於偏光膜之另一側。此外，將光學補償片（Fuji Photo Film Co. Ltd製造之WV膜）黏附於前者薄膜（或未皂化薄膜），使得此薄膜及光學補償片之慢軸平行。如此得到光學補償膜。此外，使用各實例2-4及比較1-3製造之薄膜製造光學補償膜。 φ 將一對得自各實例1-4及比較1-3之薄膜之光學補償膜用於TFT (薄膜電晶體）型液晶顯示器。在使用實例1-4之薄膜時，視角及對比適當。而在使用比較1-3之薄膜時，對比降低。 [製造抗反射膜] : 在以下之程序中，使用實例1及比較1之薄膜製造具防眩層之抗反射膜。 (防眩層用塗料溶液F之製備） * 爲了製備防眩層用塗料溶液F，使用混合物（DPHA’ NIPPON KAYAKU CO.，LTD製造），其中混合二異戊四醇五丙烯酸酯與二異戊四醇六丙烯酸酯。將125克之混合物與 125克之貳（4 -偏丙烯醯基噻吩基）硫化物（MPSMA’ SUMITOMO SEIKA CHEMICALS CO.，LTD 製造）溶於 439 克之混合溶劑（其含50重量％之甲乙酮與50重量％之環己酮）。如此得到第一溶液。此外，製備第二溶液。在第二溶 -61 - 1322042 液中，將5.0克之自由基聚合用光引發劑（IRGACURE 907 ’ Chiba Gaigy Japan Limited 製造）與 3.0 克之感光劑（ KAYACURE DTEX，NIPPON KAYAKU CO.，LTD 製造）溶於 49克之甲乙酮。將第二溶液加入第一溶液而得添加溶液。塗覆此添加溶液然後以紫外線硬化而得塗層，其具有1.60之反射率。此外，將1 〇克之平均粒徑爲2微米之交聯聚苯乙烯顆粒（產品名稱：SX-200H' Soken Chemical & Engineering Co., Ltd製造）加入添加溶液，而且以高速攪拌器將此混合物攪拌1小時以分散交聯聚苯乙烯顆粒。其攪拌速度爲5000 rpm 。然後以孔徑各爲30微米之聚丙烯過濾器進行分散溶液之過濾。然後得到防眩層用塗料溶液F。 (防眩層用塗料溶液G之製備）以空氣攪拌器攪拌104.1克之含環己酮與61.3克之甲乙酮之混合物溶劑。然後將217.0克之含氧化锆之硬塗料用塗料溶液（DeSolite KZ-78 86A，JSR Corporation 製造）加入混合物溶劑而得添加溶液。鑄造此添加溶液然後以紫外線硬化而得塗層，其具有1 .6 1之折射率。此外，將5克之平均粒徑爲2微米之交聯聚苯乙烯顆粒（產品名稱：SX-200H ，Soken Chemical & Engineering Co.，Ltd 製造）力口入添加溶液，而且以高速攪拌器將此混合物攪拌1小時以分散交聯聚苯乙烯顆粒。其攪拌速度爲5000 rpm。然後以孔徑各爲30 微米之聚丙烯過濾器進行分散溶液之過濾。然後得到防眩層用塗料溶液G。 -62- 1322042 (防眩層用塗料溶液Η之製備）爲了製備防眩層用塗料溶液H，將甲乙酮與環己酮以54 重量％與46重量％之比例混合作爲溶劑。此外，使用混合物 (DPHA，NIPPON KAYAKU CO.，LTD 製造），其中混合二異戊四醇五丙烯酸酯與二異戊四醇六丙烯酸酯。對52克之溶劑供應91克之混合物、199克之含氧化鍩之硬塗料溶液（ DeSolite KZ-7115，JSR Corporation 製造）、及 19 克之含氧化鉻分散液之硬塗料溶液（DeSolite KZ-7161，JSR Corporation製造）。如此將混合物溶解而得混合溶液。然後在混合溶液中溶解10克之自由基聚合組成物用光引發劑（ IRGACURE 907，Chiba Gaigy Japan Limited 製造）而得添加溶液。塗覆此添加溶液然後以紫外線硬化而得塗層，其具有1.6 1之折射率。此外，將20克之平均粒徑爲2微米之交聯聚苯乙烯顆粒（產品名稱：SX-200H，Soken Chemical & Engineering Co·, Ltd製造）加入80克之混合物溶劑，其中混合54重量％之甲乙酮與46重量％之環己酮。以5000 rpm之高速攪拌器將此混合物攪拌1小時以分散交聯聚苯乙烯顆粒，及加入添加溶液而得分散溶液。然後以孔徑各爲30微米之聚丙烯過濾器進行分散溶液之過濾。然後得到防眩層用塗料溶液Η。 (硬塗層用塗料溶液I之製備）爲了製備硬塗層用塗料溶液I，將62克之甲乙酮與88 克之環己酮混合作爲溶劑。然後將25 0克之UV射線可硬化硬塗料組成物（DeSolite ΚΖ- 76 8 9, 72 重量％，JSR Corporation -63- 1322042 製造）溶於此溶劑。塗覆此添加溶液然後以紫外線硬化而得

I 塗層，其具有1.53之折射率。此外，以孔徑各爲30微米之聚丙烯過濾器將溶液過濾。然後得到硬塗層用塗料溶液I。 (低反射率層用塗料溶液J之製備）將8克之MEK-ST (平均粒徑爲10奈米-20奈米，甲乙酮之Si02溶膠分散液，其固體含量程度爲30重量％，Nissan Chemical Industries Co.，Ltd.製造）及100克之甲乙酮加入 20093克之含氟化物之加熱交聯聚合物（TN-049，JSR Corporation製造），其具有1.42之折射率。將此混合物攪拌及以孔徑爲1微米之聚丙烯過濾器將溶液過濾。如此得到低折射率層用塗料溶液J。使用棒塗器將各實例1-5及比較1-4之薄膜之表面塗以塗料溶液I，然後在120 °C乾燥。然後以160瓦/公分之氣冷型金屬齒化物燈（Eyegraphics Co·, Ltd.製造）將UV光施加至薄膜上之塗層。照明度爲400毫瓦/平方公分，及照明密度爲300毫焦/平方公分。如此將上模液之塗層硬化而在薄膜上形成厚度2.5微米之硬塗層。此外，以棒塗器將塗料溶液F塗佈於薄膜上之硬塗層上。以如形成硬塗層之相同條件將塗料溶液F乾燥及硬化。如此形成1.5微米之防眩層A。此外，將防眩層A塗以低折射率層用塗料溶液j，然後將塗料溶液J在80°C乾燥》然後在120°C進行薄膜之交聯10分鐘而形成低折射率層，其厚度爲0.096微米》使用塗料溶液G取代塗料溶液？塗覆薄膜。其他條件與形成抗反射膜相同。在此情形，形成防眩層B。此外，使 -64- 1322042 用塗料溶液Η取代塗料溶液F塗覆薄膜。其他條件與形成抗反射膜相同。在此情形，形成防眩層C。 (抗反射膜之估計）以下之實驗係用於具防眩層A、B、C之各抗反射膜之估計。檢驗結果示於表2。 (1) 光譜反射度及顏色變淡光譜光度計V-550 (JASCO Corporation製造）具有接頭A RV-474以在5°入射角處依照380至780奈米波長入射光測量在-5°離開角處之光譜反射度。然後計算波長爲450 奈米至65 0奈米之反射之平均光譜反射度以評估抗反射性質〇由觀察資料得到反射光譜。然後由反射光譜計算CIE 1 976 L*a*b*空間之L*數、a*數與b*數，其代表對於藉CIE 標準光源D65以5°入射角所產生光之規則反射之顏色變淡。顏色變淡係基於L*數、a*數與b*數而計算。 (2) 整體反射度光譜光度計V-550 (JASCO Corporation製造）具有接頭ILV- 471以在5°入射角處依照380至780奈米波長間之入射光測量整體反射度。然後計算波長爲450奈米至650奈米間之反射之平均整體反射度以評估抗反射性質。 (3) 霧値使用霧計 1001 DP 型（Nippon Denshoku Industries Co.， Ltd.製造）測量抗反射膜之霧値。 (4) 鉛筆硬度 -65- 1322042 如JIS Κ 5400所述進行鉛筆硬度之評估，及使用其資料作爲抗刮性之基準。將抗反射膜固定於2 5 °C之溫度及 60%RH之濕度之大氣中2小時，以3H測試鉛筆刮抗反射膜表面而按Π S S 6 0 0 6測定。因而將1公斤之力施加於測試鉛筆。在n=5 ( η爲刮性能之測試次數）之評估中表面上不留下刮痕時，鉛筆硬度之評估爲”Α”。在η = 5之評估中表面上留下一或兩條刮痕時，評估爲”Β”。在η = 5之評估中表面上留下超過三條刮痕時，評估爲”Ν”。 (5) 接觸角 # 在將抗反射膜固定於25°C及60%RH之濕度之大氣中2 小時後，測量抗反射膜上之水接觸角，而且使用其資料作爲抗污之基準，特別是抗指紋污染性。 (6) 動磨擦係數在將抗反射膜固定於25°C之溫度及60%RH之濕度之大 : 氣中2小時後，以測量動磨擦係數之機械HEIDON-14測量動磨擦係數，其中使用直徑5毫米之不銹鋼球。將速度設爲 60公分/分鐘，及對抗反射膜施加l.OOxlO3毫牛頓之力。 * (7) 防眩性質對2 7種得到之抗反射膜進行防眩性質之一次及二次刺激。無百葉片之螢光燈（8 0 0 0 cd/平方米）對各抗反射膜發射光且光反射。觀察反射形成之螢光燈影像。如此完成一次估計。在未觀察到照明燈之輪廓時，防眩性質之估計爲”E” (優良）。在稍微辨識到輪廓時，估計爲”G”（良好）。在不明確但可辨識輪廓時，估計爲”P”（通過）。在輪廓爲幾乎淸 -66- 1322042 楚時，估計爲”R”（剔除）。此外，防眩性質之等級係以肉眼不均勻性觀察而估計。因此進行二次估計。 [表4]

SA SR (%) IR (%) 顏色變淡 L^/a^/b H (%) PH (3H) CA DF 1AP/ 2AP 實例1 A 1.1 2.0 10/1.9/1.3 8 A 103° 0.08 E/G B 1.1 2.0 9/2.0/-4.0 8 A 103° 0.08 E/G C 1.1 2.0 9/1.7/0.2 12 A 103° 0.07 E/G 實例2 A 1.1 2.0 10/1.8/1.3 8 A 103° 0.08 E/G B 1.1 2.0 9/2.0/-4.0 8 A 103° 0.08 E/G C 1.1 2.0 9/1.9/0.2 12 A 102° 0.07 E/G 實例3 A 1.1 2.0 10/1.8/1.2 8 A 103° 0.08 E/G B 1.1 2.0 9/2.0/-4.0 9 A 102° 0.08 E/G C 1.1 2.0 9/1.7/0.3 11 A 103° 0.07 E/G 實例4 A 1.1 2.0 10/1.7/1.3 8 A 103° 0.08 E/G B 1.1 2.0 9/2.0/-4.0 9 A 102° 0.08 E/G C 1.1 2.0 9/1.7/0.3 12 A 102° 0.07 E/G 實例5 A 1.1 2.0 10/1.8/1.3 9 A 102° 0.08 E/G B 1.1 2.0 9/2.0/-3.9 8 A 102° 0.08 E/G C 1.1 2,0 9/1.6/0.2 12 A 102° 0.07 E/G 比較1 A 1.1 2.0 10/1.9/1.3 8 A 103° 0.08 E/R B 1.1 2.0 9/2.0/-0,4 8 A 103° 0.08 E/R C 1.1 2.0 9/1.7/0.2 11 A 103° 0.08 E/R 比較2 A 1.1 2.0 10/1.8/1.3 8 A 103° 0.08 E/R B 1.1 2.0 9/2.0/-4.0 9 A 102° 0.07 E/R C 1.1 2.0 9/1.8/0.2 12 A 102° 0.08 E/R 比較3 A 1.1 2.0 10/1.7/1.2 8 A 103° 0.08 E/R B 1.1 2.0 9/2.0/-4.0 9 A 103° 0.08 E/R C 1.1 2.0 9/1.7/0.2 12 A 102° 0.07 E/R 比較4 A 1.1 2.0 10/1.7/1.3 8 A 103° 0.08 E/R B 1.1 2.0 9/2.1/-4.0 8 A 103° 0.08 E/R C 1.1 2.0 9/1.8/0.2 12 A 102° 0.08 E/R S A : 防眩層之溶液種類 SR : 光譜反射度 IR : 整體反射度 H : 霧値 PH : 鉛筆硬度 C A ：接觸角 DF : 動擦係數 67- 1322042 1 API —次估計之防眩性質 2AP :二次估計之防眩性質表4教示實例I-5及比較1-4製造之薄膜之防眩性質優良。此外，顏色變淡低，及鉛筆硬度 '接觸角或抗指紋污染性、與動磨擦係數優良。實例1 - 5之抗反射膜之防眩性質優良。然而，在比較1-4製造之抗反射膜中觀察到集結（包括厚度不均勻性）及不均勻塗層。在本發明中，各種變化及修改爲可行的，而且應了解其係在本發明內。籲【圖式簡單說明】在閱讀以上之詳細說明結合附圖後，熟悉此技藝者易於了解以上之本發明目的及優點。第1圖爲一種薄膜製造方法之略示圖，其中應用溶液鑄造法作爲由本發明之聚合物溶液製造薄膜之方法；：第2圖爲本發明之鑄造設備之第一具體實施例之略示圖；第3圖爲沿第2圖之III-III線之切面圖；鲁第4圖爲本發明之鑄模之切面圖；第5圖爲本發明之鑄模之另一個具體實施例之略示圖 9 第6圖爲鑄造設備之第二具體實施例之平面圖；第7圖爲描述膜厚之測量位置及雙折射之測量位置之平面圖；第8圖爲描述膜厚之測量位置及雙折射之測量位置之 -68- 1322042 切面圖；第9圖爲本發明之鑄造設備之第三具體實施例之部份平面圖；第10圖爲沿第9圖之IX-IX線之切面圖；第11圖爲本發明之鑄造設備之第三具體實施例之部份平面圖；第12圖爲張力裝置之第一具體實施例之平面及部份切面圖；第13圖爲張力裝置之第二具體實施例之平面及部份切 _ 面圖。【主要元件符號說明】 11…製備之上模液 12…鑄造上模液 12a-12c".禱造上模液 14…鑄模 1 5…上模液製備設備 16…鑄造設備 · 1 7…乾燥設備 1 8…捲繞設備 2 1…槽 2 1a·.·恆溫器 2 2…栗 23…第一過濾裝置 24…第二過濾裝置 27…加熱裝置 69- 1322042 28…急驟蒸發裝置 3卜··帶 3 2…第一支撐幸昆 33…第二支撐輥 35…膠狀膜 3 5 a…第一層 35b…第二層 35c···第三層 36…薄膜 37…剝除輥 41…張力裝置 42…輥乾燥裝置 4 6…切割器 4 7…捲繞裝置 4 8…聿昆 51，92，11 2…加熱板 51a, 52a，92a-93a, 105a …溫度控制器 5 2, 9 3, 1 0 5, 1 1 3，123 …冷凝器 5 3, 94···液體接收器 5 6…回收槽 6 1…模區 6 1 a…模唇 61b, 75-77…通路 6 2…進料區 6 2 a - 6 2 c , 72a-72c···入口 -70- 1322042 7 1，82-84…鑄模 75a-77a···袋 91, 101…鑄造設備 1 02…圓筒 1 1 1…夾式張力機 1 1 la…主體 1 1 lb…夾構件 121…張力裝置 122…微波導引件 1 2 5…針式張力機 12 5a···針

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Claims

1322042 沒年I 曰修(吏)王替换頁第93 121244號「從聚合物溶液製造薄膜之方法及裝置，及光學聚合物薄膜」專利案 (2009年12月17日修正）十、申請專利範圍： 1· 一種在移動基板之前表面上鑄造由至少一種自鑄模排放之聚合物溶液所形成的薄膜之方法，該方法包括以下步驟使用沿該基板之背表面配置之加熱器加熱該基板；及以面對該基板上之該薄膜緊密地配置之冷凝裝置將自該薄膜蒸發之溶劑冷凝以回收。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中接近該薄膜表面之捲速爲0.0 1米/秒至0.5米/秒。 3.如申請專利範圍第2項之方法，其中該基板在該流動聚合物溶液接觸該基板之鑄造位置處向下移動。 4-如申請專利範圍第1項之方法，其中Tw (°C )爲該冷凝裝置面對於該薄膜之表面溫度，Ts (°C)爲該薄膜之溫度，及 d (毫米）爲該冷凝裝置至該薄膜之距離，溫度梯度Q滿足以下式（1)及（2): Q = (Ts-Tw)/d......(1) 5<Q<1 00......(2)。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該溫度梯度Q之變動範圍最大爲該溫度梯度Q之10%。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該冷凝裝置之該面對表面上之溫度之變動範圍爲最大10°C。 1322042 — I r··^* I I ·__··1 f 付年P月％修(tg膂換页 7·如申請專利範圍第6項之方法，其中該距離d在該基板之寬度方向之變動範圍最大爲該距離d平均値之10%。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中進行該多種聚合物溶液之共鑄。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中進行該多種聚合物溶液之循序鑄造。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中恰在該基板上形成該薄膜後，該薄膜之厚度爲10微米至1000微米，及該基板對該鑄模之相對速度爲5米/分鐘至200米/分鐘。 · 11·.如申請專利範圍第10項之方法，其中含於該聚合物溶液中之該聚合物爲纖維素醯化物、聚碳酸酯、芳醯胺樹脂、聚、與聚苯乙烯至少之一。 12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中聚合物溶液含聚合物成分之至少50重量％之纖維素醯化物，X爲在纖維素 : 醯化物中重複單位之第六位置處之醯基取代比例，及γ 爲在其他位置之該醯基取代比例，在該聚合物溶液中滿足以下條件： I Χ>0·85 及 2.70<(X + Y)<2.99 » 13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該薄膜爲光學膜。 14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該光學膜係用於偏光過濾器。 15. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該光學膜係作爲偏光過濾器保護膜。 16. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該光學膜係用於光 -2- 1322042 ———_____ 哫年1 ^日修(史)土费換頁 1 ----- 學功能膜。 17. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該光學膜係用於顯示裝置。 18. —種用於自聚合物溶液製造薄膜之裝置，其包括：可移動基板；用於在該移動基板之前表面上鑄造聚合物溶液以形成薄膜之鑄模；面對該基板之背表面而提供之加熱器’該加熱器經該基板將該薄膜加熱：配置以接近地面對該薄膜之冷凝裝置，該冷凝裝置將自該薄膜蒸發之溶劑冷凝以回收。 19. 如申請專利範圍第18項之裝置，其中Tw (°C)爲該冷凝裝置面對於該薄膜之表面溫度，Ts (°C)爲該薄膜之溫度，及d (毫米）爲該冷凝裝置至該薄膜之距離，溫度梯度 Q滿足以下式（1)及（2): Q = (Ts-Tw)/d ……(1) 5<Q<1 00......(2)。 20. 如申請專利範圍第19項之裝置，其中該溫度梯度Q之變動範圍最大爲該溫度梯度Q之10%。 21. 如申請專利範圍第20項之裝置，其中該冷凝裝置之該面對表面上之溫度之變動範圍爲最大10 °C。 2 2.如申請專利範圍第21項之裝置，其中該冷凝裝置至該薄膜之該距離d在該基板之寬度方向之變動範圍最大爲該距離d平均値之10%。 Ι333Θ43-~·___ λ?年月修( —........... 23 ·如申請專利範圍第22項之裝置，其中該基板爲帶。 2 4.如申請專利範圍第22項之裝置，其中該基板爲圓筒。 25. —種光學聚合物薄膜，其包括滿足下式之特性： MD1 ^ O.lOxTAl ； SPImax^ O.lOxTAl 其中 TA1:在該聚合物薄膜上按第一方向排列之多個測量點測量之第一厚度値之平均値 MD1:該多個第一厚度値之誤差平均値， · SP1MAX:頻率光譜SP1之最大値，其係藉該第一厚度値之快速傅立葉轉換而得。 26. 如申請專利範圍第25項之光學聚合物薄膜，其中在對應：轉換成空間頻率域之波長之範圍，該頻率光譜SP1之該最大値SP1MAX最大爲該第一厚度値之平均値TA1之10% : 〇 27. 如申請專利範圍第25或26項之光學聚合物薄膜，其包括滿足下式之特性： ® MD2 ^ 0.1 0xTA2 · 其中 TA2:垂直兩個選擇方向而測量之第二厚度値之平均値 MD2:該第二厚度値之誤差平均値，其中頻率光譜SP2係藉該第二厚度値之快速傅立葉轉換而得，及在對應轉換成空間頻率域之波長之範圍，該頻邡年M/yi修(U减聂率光譜SP2之最大値SP2MAX最大爲該第一厚度値之該平均値T A 2之1 0 %。 2 8.如申請專利範圍第27項之光學聚合物薄膜，其包括滿足下式之特性： MD3 ^ 0. 1 OxRA 1 > SP3max^ O.lOxRAl 其中 MD3:在平面方向之第一阻滯値Re之平均誤差，該第一阻滯値Re係在一個選擇方向測量， Φ RA 1 :在該平面方向之該第一阻滯値Re之平均値， SP3MAX:頻率光譜SP3之最大値，其係藉該第一阻滯値 Re之快速傅立葉轉換而得。 . 2 9.如申請專利範圍第28項之光學聚合物薄膜，其中在對應轉換成空間頻率域之波長之範圍，該頻率光譜SP3之該 : 最大値SP3MAX最大爲該第一厚度値之該平均値RA1之 10%。 30.如申請專利範圍第28項之光學聚合物薄膜，其包括滿足 ® 下式之特性： ’ MD4 S 0· 1 0xRA2，其中 MD4:垂直兩個選擇方向而測量之第二阻滯値Re之誤差平均値， RA2 :垂直兩個選擇方向而測量之該第二阻滯値Re之平均値， I322042

其中頻率光譜SP4係藉垂直兩個選擇方向而測量之該第二阻滯値Re之快速傅立葉轉換而得，及在對應轉換成空間頻率域之波長之範圍，該頻率光譜 SP2之最大値 SP4MAX最大爲垂直兩個選擇方向而測量之該第二阻滯値之該平均値RA2之10%。 31.如申請專利範圍第30項之光學聚合物薄膜，其包括滿足下式之特性： MD5 ^ 0.1 0xRA3 > SP5max = 0.10xRA3 其中 MD 5:厚面方向之第三阻滯値Rth之平均誤差，該第三阻滯値Rth係在一個選擇方向測量， RA3:該第三阻滯値Rth之平均値， SP5MAX:頻率光譜SP3之最大値，其係藉該第三阻滯値 Rth之快速傅立葉轉換而得。 32·如申請專利範圍第31項之光學聚合物薄膜，其中在對應轉換成空間頻率域之波長之範圍，該頻率光譜SP5之該最大値SP 5 MAX最大爲厚度方向之該第三阻滞値Rth之該平均値RA3之10%。 33.如申請專利範圍第31項之光學聚合物薄膜，其包括滿足下式之特性z MD6 ^ 0.1 0xRA4，其中 MD6:垂直兩個選擇方向而測量之該第三阻滯値Rth之 1322042_______ 部年/邛，換頁 1 ' ，，吻被》你-- 誤差平均値， RA4 :該第四阻滯値Rth之平均値其中頻率光譜SP6係藉該第四阻滞値Rth之快速傅立葉轉換而得，及在對應轉換成空間頻率域之波長之範圍，該頻率光譜SP6之最大値SP6MAX最大爲該第四阻滯値Rth 之該平均値RA4之10%。 3 4.如申請專利範圍第33項之光學聚合物薄膜，其中在相對濕度爲10%之表面電阻1χ1〇1()Ω至1χ1013Ω之範圍，而且該表面電阻在選擇兩處間之差最大爲該兩處之該表面電阻之平均値之20%。 1322042 代却-1月玥曰修(嵬)垂簪換買十一、圖式1——二丽I狨

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