TWI314784B - Liquid crystal display and method of making the same - Google Patents

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1314784 九、發明說明： 【發明所屬之技術領碱】 本發明主張2005年5月24日所提申之韓國專利申請案 第2005-0043491號之優先權，且所有之權益皆由35 usc. 5 §119所產生，該韓國申請案之所有内容在此併入本發明作 為參考文獻。 發明領域 本發明係有關於一種利用一有機層之液晶顯示器，及 其製造方法。 10 【先前技姻 發明背景

—液晶顯示器（“LCD”）包括一 lcd面板、一背光元件、 —驅動部件及一外殼。該LCD面板包括薄膜電晶體(複數個 TFT”)形成於其上之一薄膜電晶體(“TFT”)基材、複數個彩 色/慮光器形成於其上之一彩色渡光器基材、配置在Τρτ及彩 色處光器基材之間的液晶，及沿著二基材周圍形成以防止 液晶洩漏的密封劑。 諸如閘線、數據線等的佈線係形成在該TFT基材上， 且-像素電極係設置在該等佈線之上。—純態層係被形成 在該等佈線及該像素電極之間，以將該等佈線及像素電極 破此隔絕。該鈍態層包括一氮化矽（SiNx)或其類似物之無機 層，且藉由一化學蒸汽沈積(“CVD”)法沈積在該等佈線上。 當該等佈線接近該像素電極時，干擾產生於該等之 間。因此，代替無機層之一有機層近年來被用來防止干擾 5 1314784 的產生。該有機層被形成在佈線上，不是藉由⑽方 、&，而是顧i轉塗佈方法、—縱向塗佈的方法或其等 之類似方法’所以該有機層可變厚。因此，該像素電極可 - 接近該等佈線形成或形成在該等佈線上，藉此，也增加了 - 5縱長比(aPerturerati0)。再者，若該有機層包括具有二Z介 電常數之金屬，更可使干擾的產生減少。 _;1 在-半穿透/反射式TFT基材的實例中，該有機層係被 用於形成一反射層的透鏡部件。 _ 錢，當―半導體層接觸該有機層時，來自有機層的 10雜質嚴重地影響該半導體層，藉此使該半導體層的品^惡 化。為解決此問題，一無機層係被成在該半導體層及該有 機層之間。然而，在此實例中，會需要更多的遮罩以圖案 - 化無機層及有機層。特別是分別需要利用七個遮罩形成該 半穿透/反射式TFT基材，及利用六個遮罩形成該穿透式 15 TFT基材。 ^ 當該有機層被用來作為該鈍態層時，該密封劑係被設 置在該有機層上。然而，該有機層及該密封劑彼此並不能 非常契合的黏著，藉此使該彩色濾光器基材易與TFT基材分 開。 20 【發明内容】 發明概要 因此’本發明之一方面係提供一製造一LCD的方法， 以防止一彩色濾光器基材與一TFT基材分開，同時可使用較 少遮罩來製造該LCD。 6 1314784 本發明之另一方面係提供一LCD，其中一彩色濾光器 基材與TFT基材的分離可被防止。 本發明上述及/或其他的方面藉由製造一具有顯示區 域及非顯示區域的液晶顯示器之方法的例示具體實施例來 5 達成。該方法包括在絕緣基板上形成具有一汲極之薄膜電 晶體(TFT)，依序地在該TFT上形成一無機層及一有機絕緣 層，藉由圖案化該有機絕緣層形成一有機絕緣層圖案，該 有機絕緣層包括一第一有機層洞以曝露汲極上之無機層及 一沿著該有機絕緣層被部份移除處之顯示區域的周圍形成 10 的第二有機層洞，移除透過該第一有機層洞曝露之無機層 及殘留在該第二有機層洞之有機絕緣層，且在該第二有機 洞中形成一密封劑。 根據本發明之例示的具體實施例，形成該有機絕緣層 圖案的步驟包括在該顯示區域上形成一透鏡部件。 15 根據本發明之例示的具體實施例，形成該有機絕緣層 圖案的步驟包括曝光該有機絕緣層，與該第一有機層洞的 面積比較，曝光強度約為該第二有機層洞之面積的70至 80%，且約為該透鏡部件之面積的20至32%。 根據本發明之例示的具體實施例，形成該有機絕緣層 20 圖案的步驟更進一步包括以一用於有機層之遮罩曝光該有 機絕緣層，用於有機層之該遮罩包括一相當於透鏡部件之 矽化鉬層及一相當於該第二有機層洞之狹縫圖案的矽化鉬 層。 根據本發明之例示的具體實施例，製造一液晶顯示器 7 1314784 * 的方法更進一步包括形成連接至該汲極的—像素電極及妒 成連接至該像素電極的一反射層，該反射層包括—穿透窗。 根據本發明之例示的具體實施例，該無機層包括氧化 石夕及氮化石夕之至少其中之一。 - 5 根據本發明之例示的具體實施例，該有機絕緣層包括 苯環丁稀或丙烯酸樹脂。 根據本發明之例示的具體實施例，該無機層包括一閘 絕緣層及一無機純態層。 • 根據本發明之例示的具體實施例，形成該TFT的步驟 10包括形成一閘線總成且依序地在該閘線總成上形成一閘絕 緣層、一半導體層、一歐姆接觸層及一數據線總成。 根據本發明之例示的具體實施例，半導體層、歐姆接 - 觸層及數據線總成系利用一單一遮罩來圖案化。 -- 根據本發明之例示的具體實施例，歐姆接觸層及數據 . 15 線總成係被圖案化為彼此層疊。 φ 根據本發明之例示的具體實施例’製造一液晶顯示器 的方法更進一步包括以密封劑黏附該絕緣基材至另一基材 以防止其等分離。 本發明上述及/或其他的方面藉由製造一具有顯示區 20域及非顯示區域的液晶顯示器之方法的另一例示具體實施 例來達成。該方法包括形成在一絕緣基材上具有一汲極之 薄膜電晶體(TFT) ’依序地在該TFT上形成一無機層及一有 機絕緣層’藉由圖案化該有機層形成一有機絕緣層圖案， §亥有機絕緣層含有一第一有機層洞以曝露該汲極上之無機 8 1314784 層及一沿著該顯示區域的周圍所形成的第二有機層洞，移 除透過該第一有機層洞所曝露的無機層，以及殘留在該第 二有機層洞的無機層’且在該第二有機層洞形成一密封劑。 本發明上述及/或其他的方面藉由一液晶顯示器之例 5不具體實施例來達成，該液晶顯示器具有一絕緣基材、一 無機層及依序地形成在該絕緣基材之有機絕緣層、一沿著 該有機絕緣層被移除且曝露該無機層處之一顯示區域的周 • ®所形成的密封接觸洞’及-設置在該密封接觸洞之密封 劑。 15 20 根據本發明之例示的具體實施例，透過該密封接觸洞 所曝露的錢純域切魏切之至少其中之一。 —根據本發明之例示的具體實施例，該液晶顯示器更進 半:體層、一歐姆接觸層，及依序地沈積在該 層：=據缘總成’其中該數據線總成及該歐姆接觸 根據本發明之例示 -步包括形在該絕緣二―錢晶顯示器更進 密封接㈣而曝，閘線總成’其中該透過該 包括形成在該閘線總成上之— 根據本發:=據線:!上之-無機鈍態層。 -步包括連接至該數據:::貫她例’該液晶顯示器更進 份該像素^像素料；及包覆—部 —牛6 Μ月之例示的具體實施例，兮液曰鬼_ 步包括1己置在哕h 。玄液晶顯不器更進 达 、封接觸洞下方且形成在該絕緣基材 1314784 上之閘驅動電路。 根據本發明之例示的具體實施例，該液晶顯示器更進 一步包括藉由一密封劑黏附至該絕緣基材的另一基材，該 密封劑防止該等基材分離。 5 根據本發明之例示的具體實施例，該液晶顯示器更進 一步包括配置在該等基材中間之液晶。 根據本發明之例示的具體實施例，該另一基材為一彩 色滤光器基材。 圖式簡單說明 10 本發明之上述及/或其他的方面及優點將藉由下方具 體實施例之詳細描述並參照所附圖式而更清楚且被了解， 其中： 第1圖係根據本發明之一 LCD面板的TFT基材之第一 具體實施例的平面圖； 15 第2圖係沿著第1圖之LCD面板的線Π-Π之橫截面 圖； 第3A至3G圖係根據本發明之製造TFT基材的方法之 第一具體實施例的橫截面圖； 第4圖係根據本發明之第一具體實施例，顯示製造該 20 TFT基材的方法之流程圖； 第5圖根據本發明之一 LCD面板之第二具體實施例的 橫截面圖； 第6圖係根據本發明之製造TFT基材的方法之第二具 體實施例的橫截面圖； 10 1314784 第7圖根據本發明之一 LCD面板之第三具體實施例的 橫截面圖； 第8 A至8 G圖係根據本發明之製造T F T基材的方法之第 三具體實施例的橫截面圖； 5 第9圖係根據本發明之第三具體實施例，顯示製造該 TFT基材的方法之流程圖； 第10圖係根據本發明之一LCD面板之第四具體實施 例的平面圖； 第11圖係沿著第10圖之LCD面板的線XI-XI之橫截 10 面圖；以及 第12圖係根據本發明之一 LCD面板的TFT基材之第五 具體實施例的橫截面圖。 L實施方式3 較佳實施例之詳細說明 15 本發明之具體實施例將參照附圖被說明。然而本發明 可能以不同的方式被具體化，且因此本發明應不被此處所 提出的具體實施例限制。更確切的說，說明書中所提供之 該等具體實施例將使本發明可完整且清楚的被了解，且可 向熟習本發明之技藝者完整的傳達本發明的範圍。 20 在該等圖式中，該等層、薄膜及區域的厚度為使其等 更清楚而被放大。當諸如層、薄膜、區域或基材之元件被 稱為在另一元件“上方”時，其可能是直接在另一元件上方 或可能存在介於中間的元件。如此處所使用者，該詞彙”及 /或”包括一或多個任何相關列舉的項目之任何及所有的組 11 1314784 合。 將被了解的是，雖然第一、第二、第三等之該等詞彙 在此可被用來描述不同的元件、組件、區域、層及/或區段， 但該等元件、組件、區域、層及/或區段應不被該等詞彙所 5限制。該等詞彙僅用於區辨一個元件、組件、區域、層或 區段與另一個元件、組件、區域、層或區段。因此，在不 偏離本發明所教示的内容之情況下，下述之一第一元件、 組件、區域、層或區段可被稱為一第二元件、組件、區域、 層或區段。 10 空間上相關的詞棄，諸如“在…之下，，、“下方，，、“上方” 及其等類似的用語可被用於此，以描述一元件或構形與另 一元件(複數個元件）或構形(複數的構形）的相互關係，如該 等圖式中所闡述。可被了解的是，該等空間上相關的詞語 係欲包括該裝置在使用或操作中之不同定向’以及在該等 15圖式中所描述的定向。例如，若在該等圖式中該裝置為顛 倒的，被描述為在其他元件或構形“下方，，的元件將被定向 為在其他元件或構形“上方”。因此，例禾的詞語“在之 下”可包括上方及下方二者。該裝置可被定向（旋轉9〇度或 其他的方向）且本說明書所使用之該等空間上相關的描述 20 係依此被解釋。 用於本說明書之術語僅係用於描述特定的具體實施 例’而並非用於限制本發明。如在本文中所使用者，單數 的形式“一”及“該”也包括複數的形式，除#本文中有特別 指出。可被了解的是，當”包括”用於說明書中時，特別是 12 1314784 指定的結構、整胃 但不排除一或多個 、步驟、操作 '元件及/或'叙件存在時 其他結構、整體 '步驟、操作、 組件及/或其等·^群畴在或加人。 ' 5

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本电明之具體實施例在此係參考本發明 實施例(及”結構)之概要圖解的橫截面圖被描述 ^發明之f化”造技術及/或諸是可被關的。因此，， —發明之具體實施例不應被解釋為限制於本案所描述的特 ^區域之形狀’而本發明包製造所造奴形狀上的偏 例如’典型地，被描述為矩形之一埋置區域將為圓形 ，曲線的外觀及/或在其邊緣具有-埋置集中的斜度，而不 疋由經埋置的區域改變為非埋置的區域。同樣地，藉由植 斤开v成之埋藏的區域可能在該埋藏的區域及透過該埋 置發生處的表面之間的區域，造成某些埋置。因此，在該 等圖式中所描述的區域在本f上是概要性的且其等之形狀 並不疋描述一裝置之一區域的實際形狀，且不用於限制本 發明的範圍。 除非以別的方法界定，在此所使用的所有詞語（包括技 術的及科學的詞語）與一般熟知本發明之技藝者所知曉的 意義相同。其將被更進一步了解的是，諸如一般字典所定 義之該等詞語應被解釋為在相關技術背景中的意義，且將 不被解釋為一個理想化的或過度形式化的意思，除非在此 有明顯的表示。 在下述本發明之第一具體實施例中，一TFT基材將以 ~半穿透-反射式TFT基材作為—實施例。 13 1314784 鉻'鉬或其等之合金，且可為一多層的結構。 一無機鈍態層151被形成在該數據線總成14卜142、143 及144上，且該半導體層132不包覆在該數據線總成141、 142、143及144上。一般來說，該無機鈍態層151包括氮化 5 矽。該無機鈍態層151由該閘墊接觸洞187、一數據墊接觸 洞188及一汲極接觸洞185移除。 一有機絕緣層152係被形成在該無機鈍態層151上。該 B 有機絕緣層152可包括苯環丁烯或丙烯酸樹脂，其為一光阻 且在一反射區域形成一透鏡部件153以增加可反射性。該有 10機絕緣層152不只由相同於無機鈍態層151被移除處，諸如 閘墊接觸洞187、數據墊接觸洞188及汲極接觸洞185被移 除’而且由一密封接觸洞186及一穿透窗172被移除。該透 鏡部件153係被形成在該有機絕緣層152上。 一透明電極161、162及163係被形成在該有機絕緣層 15 I52上。該透明電極161、162及163包括像素電極161(在第1 ，圖中以虛線表示）及輔助接觸構件162及163。該像素電極 161係透過汲接觸洞185電氣連接至該汲極丨43且形成一像 素區域。該等輔助接觸構件162及163分別透過閘墊接觸洞 187及數據墊接觸洞is連接至該閘墊123及該數據墊144。該 2〇像素電極161及該等辅助接觸構件162及163含有氧化銦錫 (ITO)或氧化銦鋅(IZO)。 s亥透鏡部件165係被形成在像素電極161上，且一反射 層Π0係被形成在該透鏡部件165上。該反射部件17〇一般來 說包含鋁或銀且可為鋁/鉬的雙層。 15 •1314784 被形成。S亥半導體層132及該歐姆接觸層133係利用一第二 遮罩（未顯示)被圖案化，使該半導體層132及該歐姆接觸層 133僅存留在該閘電極122上。該半導體層132及該歐姆接觸 層B3可被形成在—區域中，在該區域中，該閘線121視需 - 5 要地與該數據線141重曼。 參照第3C圖，一數據金屬層係被設置在其上，且利用 一第三遮罩（未顯示）被圖案化，以形成數據線141、源極 ^ 142、汲極143及數據墊144。 參照第3D圖，該無機鈍態層151及有機絕緣層152依序 10地被設置，且利用一第四遮罩圖案化。該無機鈍態層151包 括氧化矽或氮化矽。該有機絕緣層152包括苯環丁烯或丙烯 酸樹脂。 ~ 有機絕緣層152之圖案化的方法包括有機絕緣層152之 曝光方法。該等曝光方法中用於該有機層之遮罩500包括一 15矽化鉬層520及一鉻層530，其等係依序地被設置在一石英 φ 基材510上，且由一相當於第一有機層洞181及閘墊接觸洞 成形部份183(見第3E圖）之區域A被移除。由該矽化鉬層520 移除之鉻層530係在相當於一第二有機層洞182及一穿透窗 成形部份184(見第3E圖）的區域B被切開。再者，該鉻層530 20係以一固定間隔被形成在區域C之石夕化鉬層520上，相應於 該透鏡部件153 (見第3E圖）。在此，第二有機層洞丨82及穿 透窗成形部份184的區域B具有第一有機層洞〗81及閘墊接 觸洞成形部份183之區域A的70至80%的曝光密度。透鏡部 件153之區域C具有第一有機層洞ι81及閘墊接觸洞成形部 17 1314784 份183之區域A的20至32%之曝光密度。 第3E圖為該TFT基材100之橫截面圖，其中該有機 絕緣層152係被圖案化。 ' 在汲極143曝光該無機鈍態層151之第—有機層洞mi -- 5及在閘墊123上曝光該無機鈍態層151之閘墊接觸洞成形部 份183係被形成。隨後’沿著LCD面板1之顯示區域的周圍 形成的第二有機層洞182及穿透窗成形部份184(其中該有 φ 機絕緣層152實質上被移除）皆被形成。該透鏡部件153係被 形成在該有機絕緣層152上。換言之，該有機絕緣層152係 10被圖案化以形成一面凹一面凸的形狀，其係被施加熱且隨 後被流回，藉此形成具有波浪形狀之透鏡部件153。該反射 層170變成與該透鏡部件153一樣，藉此有效地由外部反射 光。 :㈣第3F圖’在沒極143上之第一有機層洞⑻的無機 15鈍態層15卜及在閘墊接觸洞形成部份183之無機純態層 φ m下方的閘絕緣層131係利用—有機層圖案作為-遮罩而 被移除，藉此形成該汲接觸洞185及該開塾接觸洞⑻。 雖然該等無機層131及151被移除，殘留在第二有機 層洞182及穿透窗成形部份184之有機絕緣層152係被移 20除以形成密封接觸洞186及穿透窗172。該無機純態層⑸ y被移除以曝露密封接觸洞186中之閘絕緣層ΐ3ι。即，該 等,.，、機層131及151僅被曝光。同樣地，該無機鈍態層⑸ 可被移除㈣光該閘·層131且—小部份的有機絕緣層 152可餘留在該穿透窗I?〗中。 18 1314784 如上所述’係不需要一額外的遮罩以移除無機鈍態層 151，藉此減少遮罩的數目。再者，該無機鈍態層151及該 閘絕緣層131可皆包括氮化矽，藉此同時被蝕刻。 第3G圖係該TFT基材1〇〇的橫截面圖，其中該透明 5電極161、162及163係藉由一第五遮罩（未顯示）被形成。 該透明電極161、162及163包括該像素電極161及該輔助 接觸構件162及163。該像素電極161係透過汲接觸洞185 電氣連接至該汲極143’且具有如有機絕緣層152上之透鏡 部件153之波浪狀的透鏡部件165〇再者，該等輔助接觸構 10件162及163分別透過閘墊接觸洞187及數據墊接觸洞188 連接至該閘墊123及數據塾144。 隨後，如第2圖所顯示，該反射層170係藉由第六遮罩 (未顯示）被形成在像素電極161上，藉此完成該TFT基材 100。該反射層170包括鉻、銀或其等之合金，且可為一鋁 15層或一鋁/鉬之雙層。該反射層170係被形成在除了該穿透 窗172之像素電極161上。如上所述，該反射層17〇係被形成 在該透鏡部件165上，藉此其也具有如透鏡部件165之波浪 狀。該反射層170係透過像素電極161被電氣連接至該汲極 143 ’藉此由汲極143接收電子信號且施用該信號至配置在 20反射層170的液晶40〇。因此，該半反射/穿透式TFT基材可 僅利用六個遮罩來形成。 再者’該密封件300係被形成在TFT基材100之密封 接觸洞186中，且黏附該TFT基材1〇()至該彩色濾光器基 材200。隨後，該液晶400係介於該等基材1〇〇及2〇〇之間， 19 * 1314784 藉此完成第2圖中之LCD面板1 ^在此，該密封件300可 沿著該彩色濾光器基材200的周圍被形成，且於是使密封 件300黏附至該TFT基材1〇〇。 在上述所製造的LCD面板1中，該密封件300透過有 5機絕緣層I52被移除處的密封接觸洞186黏附至該等無機 層131及151。該密封件300及該等無機層131及151以一 比較強的結合力彼此黏結’藉此防止該彩色濾光器基材2〇〇 自TFT基材1〇〇分開。 第4圖係根據第一例示的具體實施例顯示該TFT基材 10 1〇〇的順序’其係有關於用於該TFT基材的遮罩。 .耆先’該閘金屬層係被沈積在該絕緣基材n〇上，且 被圖案化(遮罩1)。在此方法中，閘線121、閘電極122及 閘墊123係被形成。 該半導體層132及該歐姆接觸層133係被形成(遮罩2)。 I5 s玄半導體層132係被沈積在該閘電極122上，且可被形成在 閘線121及數據線141的交點。 再者’該數據金屬層係被沈積，且被圖案化(遮罩3)。 因此’數據線141、源極142、沒極143及數據塾144係被 形成。 20 該無機鈍態層151及該有機絕緣層152沈積，且被圖 案化(遮罩4)。因此，透鏡部件153係被形成在有機絕緣層 152上。之後，該寻無機層131及151係以有機絕緣層152 作為遮罩而被蝕刻，藉此形成該等接觸洞185、186、187 及 188 〇 20 1314784 隨後，該透明電極⑹、162及163被圖案化(遮罩5)。該 透明電極16卜162及163包括像素電極161及辅助接觸構件 162及163。該像素電極161純形成在該有機&緣層152 上，且包含具有與在有機絕緣層152上之透鏡部件153相同 5形狀之透鏡部件165。 最後，该反射層no係被沈積且被圖案化(遮罩6)。該 反射層170被形成在像素電極161之透鏡部件165上，該 像素電極⑹倾形成在反射域上且透過該像素電極⑹ 電氣連接至〉及極14 3。 10 在此仙容巾’根據本發明之— LCD的第二例示的具 體實施例將參照第5及6圖被描述。第5圖係根據本發明之一 LCD面板1的第二例示具體實施例之一橫截面圖且第6圖 係一TFT基材100的橫截面圖，其中一用於有機層之遮罩係 被沈積在該TFT基材上。重覆的描述將在下述之第二例示的 15 具體實施例的描述中被省略。 不同於第一例示的具體實施例的是，該第二例示的具 體實施例利用一穿透式的TFT基材1〇〇〇因此，直到利用 一第三遮罩，該TFT基材1〇〇係以相同於第一例示的具體 實施例的方法來圖案化，因為當該TFT基材以一第四遮罩 20被圖案化時，一透鏡部件153及一穿透窗172不需要如第2 圖所顯示者被形成。顯示於第6圖中用於有機層之遮罩5〇〇 與第3D圖或第一例示的具體實施例比較，不包括形成哕透 鏡部件153之區域C及形成穿透窗172之狹縫區域B。 再者，一反射層170係不被形成且一透明電麵a〗、^62 21 1314784 及163係藉由一第五遮罩被圖案化以形成一像素電極161及 一接觸元件162，藉此完成利用五個遮罩的穿透式TFT基 材’不同於利用六個遮罩之第一例示的具體實施例。製造 - 根據本發明之第二例示的具體實施例之LCD的方法係相同 -- 5 於第一例示的具體實施例者。 因此，儘管上述第二例示的具體實施例係利用較少的 遮罩’但其係提供一製造LCD的方法以防止基材彼此分離。 於下述的内容中，根據本發明之第三具體實施例一 • LCD φ板將參照第7 被描述。 10 根據本發明之第三具體實施例及第一例示的具體實施 例，一 LCD面板為一具有一反射區域及一穿透域的半反射 穿透形式。在下述的内容中，根據第三例示的具體實施例 ' <LCD面板1與第一例示的具體實施例的面板之差異將被 ，： 描述。 15 —無機鈍態層151係自一密封接觸洞186移除，以曝露 φ —閘絕緣層131。因此，一密封件300接觸該閘絕緣層13卜 該無機鈍態層151及該閘絕緣層131皆為無機層，藉此提供 對於該密封件300優異之黏著性。 一歐姆接觸層133及一半導體層132係被配置在一源 20 極142及一汲極143下方。該源極142及該汲極143與一 溝槽區域以外的歐姆接觸層133及半導體層132重疊。該 歐姆接觸層133及該半導體層132可被配置在一數據線ι41 及—數據墊144下方，未顯示在圖中。 根據第三具體實施例，製造一 TFT基材的方法係參照 25第8A至8G圖被描述。 22 1314784 參照第8A圖，一閘金屬層被沈積在一絕緣基材11〇上， 且被圖案化以形成一閘線121 (未顯示）、一閘電極122及一 閘墊123。 參照第8B圖，閘絕緣層131、半導體層132、歐姆接 5觸層I33及一數據線總成層140被依序地形成。 參照第8C圖，—光阻190係透過一遮罩以光照射，形 成光阻圖案191及192。圖案191之一第一部份係被形成為 比圖木192的一弟_部份還薄。即，在配置於源極142及 ;及極143之間的TFT基材之溝槽區域f中之光阻19〇的圖 10案191之第一部份比一數據線總成區域D中圖案192之第 二部份還要薄，其中在數據線總成區域D中，數據線總成 141、142、143及144係被形成且全部由一區域E移除。 在溝槽區域F中之圖案191之第一部份與在數據線總成區 域D中之圖案192之第二部份的厚度比例係隨著蝕刻方法 15中的環境而變化，如同下述内容將描述者，但圖案191之 第一部份可較佳約為圖案192之第二部份的一半或更薄， 例如約為4000A或更小。 有許多可依光阻之部位改變厚度的方法。再者，—狹 縫或一格子狀的圖案或一半穿透反射式層係被施用至該光 20 阻190以調整該溝槽域F中之光的穿透量。 在此案例中，較佳地是該圖案的1度或配置在該等狹 縫之間的圖案191及192之間的間隔係小於一曝光系統之 解析度。在利用該半穿透反射式層的案例中，一具有不同 透明度或不同厚度的薄層係被用於製造一遮罩以控制透明 23 1314784 度。 當光透過該遮罩被發射至光阻時，被直接曝光處的聚 合物係被完全地分解，但是該狹縫圖案或半穿透反射層形 成之處係不被完全分解，因為光係輕微地照射，且以遮蔽 5保護處幾乎不分解。再者，當該光阻被形成時，不被分解 的聚合物殘餘下來。在光輕微地照射處的該光阻殘餘物比 光未照射處者還要薄。就此點來說，若曝光時間太長則所 有的聚合物係被分解，且因此應小心避免過度的照射。 該圖案191的較薄的光阻部份可如下述内容被形成。 1〇包括於一回流材料的光阻係以一分割成二個區域的遮罩曝 光，該二個區域為光完全穿透處及光不完全穿透處，其被 形成且回流到光阻未殘留處至部份耗損。 接著，該光阻190及數據線總成層14〇、歐姆接觸層^33 及半導體層132 ’其等被設置在該光阻19〇下方者，係被姓 15刻。在此，該數據線總成層140、歐姆接觸層133及半導體 層13 2應餘留在該數據線總成區域D中，該半導體層丨3 2應僅 餘留在溝槽區域F中，且數據線總成層14〇、歐姆接觸層133 及半導體層132皆被移除以曝露區域E中的閉絕緣層⑶。 茶照第8D圖’該數據線總成層140被移除以曝露歐姆 接觸層I33。-乾式|虫刻及_濕式姓刻在此方法中皆被使 用’因為較佳地係在此條件下進行㈣，使數據線總成層 mo被姓刻且該光阻圖案191及192幾乎不被姓刻。然而， 在乾式姓刻的實例中，报難僅飯刻數據線總成層14〇而不 敍刻光阻圖案⑼及192。因此，該等光阻圖案ΐ9ι及192 24 1314784 也可被钱刻。因此，在乾式姓刻中圖案i9i的第—部份被 形成的比在濕式姑刻中所形成的更厚，使圖案191的第〜 部份不被移除，以使該汲線總成層140不被曝露。 再者，該數據線總成層140僅餘在溝槽區域{7及數據 5㈣成區域D巾，且被移除以曝露區域£巾的歐姆接觸層 132。該餘留的數據線總成層14〇除了不被分割為源極⑷ 及沒極143之外，與數據線總成141、142、143及144〜 樣。在此，該等光阻圖案191及192係利用乾式蝕刻被蝕 | 刻至某一程度。 !〇 參照第8E圖，歐姆接觸層132及半導體層133係藉由 乾式蝕刻同時由區域E沿著光阻的第一部份191被移除。 在此點’蝕刻應該在該等光阻圖案191及192、歐姆接觸層 133及半導體層132(歐姆接觸層及半導體層幾乎不被選擇 性蝕刻）同時被蝕刻且閘絕緣層131不被蝕刻的條件下進 0 行。較佳地’該等光阻圖案191及192及該半導體層132 幾乎以相同的比例被蝕刻。例如，該等光阻圖案191及192 • 及該半導體層132可利用一 SF6及HC1或SF6及a之混合 的氣體被蝕刻為幾乎相同的厚度。若該等光阻圖案191及 192及該半導體層132以相同的比例被蝕刻時，該第—部份 2〇 191具有相同於半導體層132及歐姆接觸層13之總合的厚 度或更薄。 再者，如第8E圖所示，在槽溝F中’圖案191的第一 部份係皮移除以曝露數據線總成層M0及歐姆接觸層 133’且在區域E中的半導體層132係被移除以曝露閘絕緣 25 1314784 層131 °同時’在數據線總成區域D中的第二部份192也 被蝕刻以變得薄。 再者，餘留在溝槽區域F内的數據線總成層⑽之表 面上的光阻殘餘物係藉由灰化被移除。

—第8FiJ ’在溝槽？中之數據線總成層⑽及歐姆接 二層133係被軸移除。在此，該數據線總成層M0及該歐 出接觸層133皆可藉由乾式㈣法被_，或者該數據線總 成層刚可藉由濕式_法被姓刻且歐姆接觸層133可由乾 式餘刻法被兹刻。在利用乾式姓刻的前面之實例中，較佳 10地在數據線總成層14G及歐姆接觸層⑶之―目對高飯刻選 擇性比例的條件下蝕刻數據線總成層14〇及歐姆接觸層 133。若祕刻選擇性比例不高時，將很難找到關的二 點’且因此报難去調整餘留在溝槽區域F中之半導體層132 的厚度。在利用4乞式敍刻及濕式钮刻的後面之實例中，濕 15式⑽j之數據線總成層⑽之側邊係被⑽同時乾式钮刻 之歐姆接觸層133)幾不被姓刻，藉此，數據線總成層14〇的 側邊形成-階梯的形狀。CF4及HC1或❿灿的混合氣體 係被用來作為一蝕刻氣體，以蝕刻歐姆接觸層133及半導體 層132 ’其中CF4及〇2的混合氣體使半導體層132餘留均勻地 20厚度。在此點，該半導體層132係藉由部份移除變得更薄， 且該第二部份192係被蝕刻至某一程度。在此實例中，係在 一條件下被蝕刻，使閘絕緣層131不被蝕刻。再者，該光阻 圖案192係為所欲之足夠的厚，使數據線總成141、 及144不被曝光，在此實例中圖案192之第二部份被蝕刻。 26 1314784 最後’餘留在數據線總成區域D之圖案192的第二部 份係被移除。然而，在移除數據線總成層140之後及移除 在圖案下方之歐姆接觸層133之前，圖案192之第二部份 可被移除。 5 參照第8G圖，該無機層151及該有機絕緣層152係被 依序形成。下述該等方法係相同於第一例示的具體實施例 之製造TFT的方法。然而，餘留在密封接觸洞186被設置 處之有機層152的一部份係少於第一例示的具體實施例中 餘留的有機層，或曝露及形成時被完全地移除，使該密封 1〇 接觸洞186曝露該閘絕緣層131。 第9圖係根據本發明之第三具體實施例，顯示製造該 TFT基材的方法之流程圖。如上所述，該半導體層132及該 數據線總成141、142、143及144·係以第三例示的具體實施 例中的遮罩形成。因此，在第三例示的具體實施例中，該 15半穿透反射式TFT基材係以少於第一例示的具體實施例之 遮罩被製造。再者，該密封件300接觸一無機物之閘絕緣層 131 ’且因此防止該等基材1〇〇、200彼此分開。 在下述的内容中，根據本發明之一 LCD面板的第四例 示的具體實施例將參照第10及11圖被描述。第10圖係根 20 據本發明之一 LCD面板之第四具體實施例的平面圖。第η 圖係沿著第10圖之LCD面板的線ΧΙ-ΧΙ之橫戴面圖。 一閘驅動電路125係被提供在一閘線121的一端代替 一閘墊123。該閘驅動電路125係被稱為一移位寄存器（shift register) ’且在一 TFT基材100被形成時，同時被形成。該 27 1314784 閘驅動電路125包括複數的TFT，但為了說明的緣故僅有 ，一個TFT被顯示在第u圖中。 根據本發明之第四具體實施例，一密封件3〇〇係被形 . 成在閘驅動電路125上。在此，一有機絕緣層172係由閘 -- 5驅動電路125被利除，且因此一密封接觸洞186被形成在 其上。再者，一閘驅動電路接觸洞189係被設置在閘驅動 電路125上之一無機鈍態層ι51上，以曝露閘驅動電路 φ 125° —閘驅動電路透明電極164係透過閘驅動電路接觸洞 189被連接至閘驅動電路125 ^ 1〇 根據本發明之第四具體實施例，該密封件300係被形 成在該無機鈍態層151上，藉此防止基材1〇〇、200彼此分 開。 在下述的内容中，根據本發明之一 LCD面板的第五例 不的具體實施例將參照第12圖被描述。 15 根據本發明之第五例示的具體實施例的一 LCD面板1 • 係'與第三例示的具體實施例-樣’為-具有反射區域及一 牙透區域的半反射穿透形式。在下述的内容巾，根據本發 明之第五麻的具體實施例的—LCD面板！與第三例示的 具體實施例之咖Φ㈣差異性將被說明。 〇 儲存電極線124係被形成在一汲極143下方。一閘絕 緣層m、-半導體層132及—歐姆接觸層133係被設置在該 汲極143及該料電極線124之間。該齡電滅124沿著該 沒極143形成儲存電容。 不同於6亥第二例示的具體實施例的是’-有機層152 28 1314784 係被設置在該穿透區域。因此，透射比降低，同時有關第 五例不的具肢貫施例的製造方法之利潤(profit margin)增 加。 雖J本發明已揭示及描述幾個例示的具體實施例，但 5將可被瞭解的疋，熟習本發明之技藝者可以在不偏離本發 月之原及精神下改變本發明，本發明所例示的具體實施 例及3亥等改變的範圍係被界定於下述的申請專利範圍以及 其等之等效物中。 【圖式簡單說明】 10 第1圖係根據本發明之一 LCD面板的TFT基材之第一 具體實施例的平面圖； 第2圖係沿著第1圖之[CD面板的線Π-Π之橫截面 圖， 第3A至3G圖係根據本發明之製造TFT基材的方法之 15第一具體實施例的橫截面圖； 第4圖係根據本發明之第一具體實施例，顯示製造該 TFT基材的方法之流程圖； 第5圖根據本發明之一 LCD面板之第二具體實施例的 橫截面圖； 20 第6圖係根據本發明之製造TFT基材的方法之第二具 體實施例的橫截面圖； 第7圖根據本發明之一；lCE>面板之第三具體實施例的 橫載面圖； 第8A至8G圖係根據本發明之製造TFT基材的方法之第 29 1314784 三具體實施例的橫截面圖； 第9圖係根據本發明之第三具體實施例，顯示製造該 TFT基材的方法之流程圖； 第10圖係根據本發明之一 LCD面板之第四具體實施 5 例的平面圖； 第11圖係沿著第10圖之LCD面板的線XI-XI之橫截 面圖；以及 第12圖係根據本發明之一 L C D面板的T F T基材之第五

具體實施例的橫截面圖。 10 【主要元件符號說明】 1 LCD面板 100 110 絕緣紐 121 122 閘電極 123 125 閘驅動電路 131 132 半導體層 133 140 數據線總成層 141 142 源極 143 144 數據墊 151 152 有機絕緣層 153 161 像素電極 162 163 輔助接觸構件 164 165 透鏡部件 170 172 穿透窗 181 TFTl^才 閘線 閘墊 閘絕緣層 歐姆接觸層 數據線 沒極 無機:純態層 透鏡部件 輔助接觸構件 閘驅動電路透明電極 反射層 第一有機層洞 30 1314784 182 第二有機層洞 183 閘墊接觸洞成形部份 184 穿透窗成形部份 185 汲接觸洞 186 密封接觸洞 187 閘墊接觸洞 188 數據墊接觸洞 189 閘驅動電路接觸洞 190 光阻 191 光阻圖案 192 光阻圖案 200 彩色濾光器基材 300 密封件 400 液晶 500 遮罩 510 石英基材 520 矽化鉬層 530 鉻層

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Claims (1)

1314784 -------------- 第95ΐι_號專利申請案申請專利範圍修正本企2月月脾更〉正替換買 十、申料利範B : 1· 一種製造液晶顯示器的方法，該液晶顯示器具有一顯示 區域及非顯示區域，該方法包括： 、'邑緣基材上形成具有汲極之一薄膜電晶體 5 (TFT)； 序地在該TFT上形成―無機層及—有機絕緣層； 藉由圖案化該有機絕緣層形成-有機絕緣層圖案， 該有機絕緣層圖牵句鉍__諠_女拖β 甚固系巴栝弟一有機層洞以曝露在該汲極 上之無機層’及沿著該有機絕緣層被部份移除處之該顯 10 示區域的周圍所形成之一第二有機層洞； 移除透過該第一有機層洞而曝露的該無機層，且該 有機絕緣層餘留在該第二有機層洞中；以及 在該第二有機層洞中形成一密封件。 2.如申請專利範圍第！項之製造液晶顯示器的方法，其中 15 形成該有機絕緣層圖案的步驟包括在該顯示區域形成一 透鏡部件。 3_如申請專利範圍第2項之製造液晶顯示器的方法，其中 形成該有機絕緣層圖案的步驟包括使該有機絕緣層曝 光，光之曝露密度與該第一有機層洞的面積中曝露的程 20 度相比較，第二有機層洞的面積内之光之曝露密度約 70%至約80%，且為該透鏡部件的面積内之光之曝露密 度約20%至約32%。 4.如申請專利範圍第2項之製造液晶顯示器的方法，其中 形成該有機絕緣層圖案的步驟更進—步包括以一用於有 32 1314784 Γ-— y年^月/%修(更)正替換頁 機層之遮罩使該有機絕緣層曝光，用於該有機層的該遮 罩包括對應於該透鏡部件之一矽化鉬層，及一對應於該 第二有機層洞之狹缝圖案的矽化鉬層。 5. 如申請專利範圍第1項之製造液晶顯示器的方法，更進 5 一步包括形成連接至該汲極的一像素電極；及形成連接 至該像素電極之一反射層，該反射層具有一穿透窗。 6. 如申請專利範圍第1項之製造液晶顯示器的方法，其中 該無機層包括氧化矽及氮化矽中至少之一。 7. 如申請專利範圍第1項之製造液晶顯示器的方法，其中 10 該有機絕緣層包括苯環丁烯或丙烯酸樹脂。 8. 如申請專利範圍第1項之製造液晶顯示器的方法，其中 該無機層包括一閘絕緣層及一無機鈍態層。 9. 如申請專利範圍第1項之製造液晶顯示器的方法，其中 形成該TFT的步驟包括形成一閘線總成，且依序地在該 15 閘線總成上形成一閘絕緣層、一半導體層、一歐姆接觸 層及一數據線總成。 10. 如申請專利範圍第9項之製造液晶顯示器的方法，其中 該半導體層、該歐姆接觸層及該數據線總成係利用一單 一遮罩被圖案化。 20 11.如申請專利範圍第10項之製造液晶顯示器的方法，其中 該歐姆接觸層及該數據線總成係被圖案化為彼此層疊。 12.如申請專利範圍第1項之製造液晶顯示器的方法，更進 一步包括以該密封件黏著該絕緣基材至另一基材，以防 止其分開。 33 1314784 @年>月/>9修(更)正替換頁 13. —種製造液晶顯示器的方法，該液晶顯示器具有一顯 示區域及一非顯示區域，該方法包括： 在一絕緣基材上形成具有一汲極之一薄膜電晶體 (TFT)； 5 依序地在該TFT上形成一無機層及一有機絕緣層； 藉由圖案化該有機絕緣層形成一有機絕緣層圖案， 該有機絕緣層包括一第一有機層洞以曝露該汲極上之該 無機層，以及沿著該顯示區域的周圍所形成之一第二有 機層洞； 10 移除透過該第一有機層洞所曝露的該無機層，且該 無機層餘留在該第二有機層洞中；以及 在該第二有機層洞中形成一密封件。 14. 如申請專利範圍第13項之製造液晶顯示器的方法，更 進一步包括以該密封件黏著該絕緣基材至另一基材，以 15 防止其分開。 15. —種液晶顯示器，包括： 一絕緣基材； 一閘絕緣層，其形成在該絕緣基材上； 一無機層及一有機絕緣層，其等係依序地形成在該 20 閘絕緣層上； 一密封接觸洞，其係沿著一顯示區域的周圍而形 成，且其中該有機絕緣層被移除且曝露出該無機層； 一密封件，其係配置在該密封接觸洞中； 一半導體層； 25 一歐姆接觸層；以及 34 1314784 修(更)正替换頁 一數據線總成， 其中該半導體層、該歐姆接觸層，和該數據線總成 係依序地被配置在該絕緣基材上，以及其中該數據線總 成和該歐姆接觸層係彼此層疊。 5 16.如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中透過該密 封接觸洞所曝露之該無機層包括氧化矽及氮化矽中至少 --- 〇 17. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，更進一步包括 10 形成在該絕緣基材之一閘線總成，其中透過該密封接觸 洞曝露之該無機層包括形成在該閘線總成上之一閘絕緣 層或形成在該數據線總成上之一無機鈍態層。 18. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，更進一步包括 連接至該數據線總成之一像素電極；以及一反射層，其 15 包覆該像素電極之一部份。 19. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，更進一步包括 配置在該密封接觸洞下方且形成在該絕緣基材上之一閘 驅動電路。 20. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，更進一步包括 20 藉由該密封件黏著至該絕緣基材的另一基材，該密封件 防止該等基材的分離。 21. 如申請專利範圍第20項之液晶顯示器，更進一步包括 配置在該等基材中間的液晶。 22. 如申請專利範圍第21項之液晶顯示器，其中該另一基 25 材為一彩色濾、光器基材。 35