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CN1869775B - 液晶显示器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种制作具有显示区和非显示区的液晶显示器的方法，该方法包括：在绝缘基底上形成具有漏电极的薄膜晶体管(TFT)；在TFT上顺序地形成无机层和有机绝缘层；通过图案化有机绝缘层来形成有机绝缘层图案，有机绝缘层包括第一有机层孔和第二有机层孔，其中，第一有机层孔暴露漏电极上的无机层，第二有机层孔沿着其中有机绝缘层被部分去除的显示区的外围形成；去除通过第一有机层孔暴露的无机层和残留在第二有机层孔内的有机绝缘层；在第二有机层孔内形成密封剂。因而，本发明提供了一种利用较少的掩模制作LCD的方法而防止了滤色器基底与TFT基底分开。

Description

液晶显示器的制造方法
技术领域
本发明涉及一种采用有机层的液晶显示器和一种制造该液晶显示器的方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)包括LCD面板、背光单元、驱动部分和盖子。LCD面板包括：薄膜晶体管(TFT)基底，薄膜晶体管(TFT)形成在其上；滤色器基底，滤色器形成在其上；液晶，位于TFT基底和滤色器基底之间；密封剂，沿着两个基底的外围形成，用来防止液晶的泄漏。
线，例如栅极线、数据线等形成在TFT基底上，像素电极位于线的上方。钝化层形成在线和像素电极之间，用来使线和像素电极相互绝缘。钝化层包括硅氮化物(SiNx)等的无机层，并通过化学气相沉积(CVD)法将钝化层沉积在线上。
当线靠近于像素电极时，在它们之间产生串扰。因而，近来已用有机层代替无机层来防止串扰的产生。不是通过CVD法而是通过旋涂法、狭缝涂覆法等将有机层形成在线上，因而，有机层可变厚。因此，像素电极可靠近于线形成或形成在线上，从而也增大了开口率。此外，如果有机层包含具有低介电常数的材料，那么甚至会减少串扰的产生。
就半透反射式(transflective)TFT基底而言，有机层用来形成反射层的透镜部分。
然而，当半导体层和有机层接触时，来自于有机层的杂质对半导体层产生不利影响，从而劣化了半导体层的特征。为了解决这个问题，无机层形成在半导体层和有机层之间。然而，在这种情况下，需要更多的掩模来图案化无机层和有机层。具体地讲，用七个掩模来制作半透反射式TFT基底，用六个掩模来制作透射式TFT基底。
当用有机层作钝化层时，密封剂位于有机层上。然而，有机层和密封剂相互粘附得不是很好，从而使得滤色器基底容易和TFT基底分开。
发明内容
因此，本发明一方面提供一种制作LCD的方法，其在利用较少的掩模来制作LCD的同时防止了滤色器基底与TFT基底分开。
本发明的另一方面是提供一种LCD，在该LCD中，防止了滤色器基底与TFT基底分开。
本发明的前述和/或其它方面通过制作具有显示区和非显示区的液晶显示器的方法的一个示例性实施例来实现。该方法包括：在绝缘基底上形成具有漏电极的薄膜晶体管(TFT)；在TFT上顺序地形成无机层和有机绝缘层；通过图案化有机绝缘层来形成有机绝缘层图案，有机绝缘层包括第一有机层孔和第二有机层孔，其中，第一有机层孔暴露漏电极上的无机层，第二有机层孔沿着其中有机绝缘层被部分去除的显示区的外围形成；去除通过第一有机层孔暴露的无机层和残留在第二有机层孔内的有机绝缘层；在第二有机层孔内形成密封剂。
根据本发明的一个示例性实施例，形成有机绝缘层图案的步骤包括在显示区上形成透镜部分。
根据本发明的一个示例性实施例，形成有机绝缘层图案的步骤包括使有机绝缘层曝光，第二有机层孔的区域内曝光强度为第一有机层孔的区域内曝光强度的大约百分之七十至大约百分之八十，透镜部分的区域内曝光强度为第一有机层孔的区域内曝光强度的大约百分之二十至大约百分之三十二。
根据本发明的一个示例性实施例，形成有机绝缘层图案的步骤还包括用有机层的掩模使有机绝缘层曝光，用于有机层的掩模包括与透镜部分对应的钼硅层和与第二有机层孔对应的狭缝图案化的钼硅层。
根据本发明的一个示例性实施例，制作液晶显示器的方法还包括形成与漏电极连接的像素电极和形成与像素电极连接的反射层，反射层包括透射窗。
根据本发明的一个示例性实施例，无机层包含硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
根据本发明的一个示例性实施例，有机绝缘层包含苯并环丁烯或丙烯酸树脂。
根据本发明的一个示例性实施例，无机层包括栅极绝缘层和无机钝化层。
根据本发明的一个示例性实施例，形成TFT的步骤包括形成栅极线组件及在栅极线组件上顺序地形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据线组件。
根据本发明的一个示例性实施例，利用单个掩模来图案化半导体层、欧姆接触层和数据线组件。
根据本发明的一个示例性实施例，欧姆接触层和数据线组件被图案化为彼此层叠。
根据本发明的一个示例性实施例，制作液晶显示器的方法还包括用密封剂将绝缘基底粘附于另一基底上，以防止它们分开。
本发明的前述和/或其它方面通过制作具有显示区和非显示区的液晶显示器的方法的另一示例性实施例来实现。该方法包括：在绝缘基底上形成具有漏电极的薄膜晶体管(TFT)；在TFT上顺序地形成无机层和有机绝缘层；通过图案化有机绝缘层来形成有机绝缘层图案，有机绝缘层包括第一有机层孔和第二有机层孔，其中，第一有机层孔暴露漏电极上的无机层，第二有机层孔沿着显示区的外围形成；去除通过第一有机层孔暴露的无机层和残留在第二有机层孔内的无机层；在第二有机层孔内形成密封剂。
本发明的前述和/或其它方面通过液晶显示器的一个示例性实施例来实现，该液晶显示器包括：绝缘基底；无机层和有机绝缘层，顺序地形成在绝缘基底上；密封剂接触孔，沿着其中有机绝缘层被去除的显示区的外围形成，并暴露无机层；密封剂，位于密封剂接触孔内。
根据本发明的一个示例性实施例，通过密封剂接触孔暴露的无机层包含硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
根据本发明的一个示例性实施例，液晶显示器还包括顺序地沉积在绝缘基底上的半导体层、欧姆接触层和数据线组件，其中，数据线组件和欧姆接触层彼此层叠。
根据本发明的一个示例性实施例，液晶显示器还包括形成于绝缘基底上的栅极线组件，其中，通过密封剂接触孔暴露的无机层包括形成于栅极线组件上的栅极绝缘层或形成于数据线组件上的无机钝化层.
根据本发明的一个示例性实施例，液晶显示器还包括：像素电极，与数据线组件连接；反射层，覆盖像素电极的一部分。
根据本发明的一个示例性实施例，液晶显示器还包括位于密封剂接触孔下面并形成于绝缘基底上的栅极驱动电路。
根据本发明的一个示例性实施例，液晶显示器还包括通过密封剂粘附于绝缘基底的另一基底，密封剂防止这两个基底的分开。
根据本发明的一个示例性实施例，液晶显示器还包括位于这两个基底中间的液晶。
根据本发明的一个示例性实施例，另一基底为滤色器基底。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例进行下面的详细描述，本发明的上述和/或其他方面及优点将会变得清楚且更加易于理解，附图中：
图1是根据本发明的LCD面板的TFT基底的第一示例性实施例的俯视图；
图2是沿着图1中的II-II线截取的LCD面板的剖视图；
图3A至图3G是示出制造根据本发明的TFT基底的方法的第一示例性实施例的剖视图；
图4是示出制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基底的方法的流程图；
图5是根据本发明的LCD面板的第二示例性实施例的剖视图；
图6是示出制造根据本发明的TFT基底的方法的第二示例性实施例的剖视图；
图7是根据本发明的LCD面板的第三示例性实施例的剖视图；
图8A至图8G是示出制造根据本发明的TFT基底的方法的第三示例性实施例的剖视图；
图9是示出制造根据本发明第三示例性实施例的TFT基底的方法的流程图；
图10是根据本发明的LCD面板的第四示例性实施例的俯视图；
图11是沿着图10中的XI-XI线截取的LCD面板的剖视图；
图12是根据本发明的LCD面板的TFT基底的第五示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图来描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，因而，本发明不应被理解为局限于这里提到的示例性实施例。当然，提供这些示例性实施例使得本公开彻底且完全，这些示例性实施例将会充分地将本发明的范围传达给本领域的技术人员。
在图中，为了清晰起见，夸大了层、膜和区域的厚度。当元件例如层、膜、区域或基底被称作“在另一元件上”时，该元件可直接在另一元件上，或者也可存在中间元件。如这里所用的，术语“和/或”包括相关的所列项的一个或多个的任意组合和全部组合。
要明白，尽管在这里会用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应局限于这些术语.这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区别开来.因而，在不脱离本发明教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分.
为了便于描述，在这里会用空间关系术语例如“在…之下”、“在…的下面”、“下面的”、“在…之上”、“上面的”等来描述如图中示出的一个元件或零件与另外的元件或零件的关系。要明白，除了图中描述的方位之外，空间关系术语用来包括使用着的或工作中的装置的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为在其它元件或零件“下面”或“之下”的元件将随后会位于其它元件或零件“之上”。因而，示例性术语“在…之下”可包含在…之上和之下两种方位。装置可用不同的方法定位(旋转90度或在其它方位)，并在这里用空间关系的描述信息相应地说明该装置。
这里所用的术语仅是为了描述具体的实施例，而不是用来限制本发明。如这里所用的，除非上下文明确地指明，否则单数形式“一个”和“这个”也包括复数形式。还要明白，术语“包括”和/或“组成”用在本说明书中时说明所述零件、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，而不排除一个或多个其它零件、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。
在这里参照剖视图来描述本发明的实施例，剖视图是本发明的理想化实施例(和中间结构)的示意性图示。同样，结果所图示的形状的变化，例如制造技术和或/公差的变化是在预料之中的。因而，本发明的实施例不应被理解为局限于这里图示的区域的特定形状，而是包括例如由制造所造成的形状上的偏差。例如，图示为矩形的注入区一般会具有成圆形的或弯曲的特征，或者在其边缘具有注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区具有二元的变化(binary change)。同样，由注入形成的埋区(buried region)会导致注入发生的表面和埋区之间的一些注入。因而，图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状并不用来说明装置的区域的实际形状，因而不用来限制本发明的范围。
这里所用的所有术语(包括技术和科学术语)除非另行定义，否则具有本发明所属领域中一名普通技术人员通常所理解的意思。还要明白，术语，例如通常使用的词典中定义的术语，应被解释为与相关领域的范围中的含义相一致的含义，除非这里特别地如此限定，否则不要以理想化的或过于正式的意义来解释术语。
在下面的本发明的第一示例性实施例中，将用半透反射式TFT基底作为例子来描述TFT基底。
图1是根据本发明的LCD面板1的TFT基底的第一示例性实施例的俯视图。图2是沿着图1中的II-II线截取的LCD面板1的剖视图。
栅极线组件121、122和123形成在绝缘基底110上(图2)。
栅极线组件121、122和123包括：多条栅极线121，彼此以预定的间隔平行地设置；作为栅极线121的部分的栅电极122，用来形成TFT；栅极焊垫(pad)123，连接栅极线121和集成电路或外部电路。栅极焊垫123比栅极线121宽。栅极线组件121、122和123可以是单层或多层结构，并可包含金属。
栅极绝缘层131形成在栅极线组件121、122和123上。栅极绝缘层131包含无机材料，例如包含硅氮化物。栅极绝缘层131没有形成在栅极焊垫接触孔187内。
半导体层132位于栅电极122的上方，并包含非晶硅.欧姆接触层133形成在半导体层132上，并关于栅电极122被划分成两部分.欧姆接触层133包含n+硅.
数据线组件141、142、143和144包括彼此平行并与栅极线121垂直设置的多条数据线141。数据线组件还包括：源电极142，从数据线141分支；漏电极143，跨过栅电极122与源电极142相对地设置；数据焊垫144。数据焊垫144连接数据线141和集成电路或外部电路，并且比数据线141宽。数据线组件141、142、143和144可包含铝、铬、钼或它们的合金，并且可以是多层结构。
无机钝化层151形成在数据线组件141、142、143、144和没有被数据线组件141、142、143、144覆盖的半导体层132上。无机钝化层151通常包含硅氮化物。从栅极焊垫接触孔187、数据焊垫接触孔188和漏极接触孔185去除无机钝化层151。
有机绝缘层152形成在无机钝化层151上。有机绝缘层152可包含苯并环丁烯或丙烯酸树脂，苯并环丁烯或丙烯酸树脂为光致抗蚀剂并且在反射区域形成透镜部分153以提高反射能力。不仅与无机钝化层151相似地，从栅极焊垫接触孔187、数据焊垫接触孔188和漏极接触孔185去除有机绝缘层152，而且从密封剂接触孔186和透射窗172去除有机绝缘层152。透镜部分153形成在有机绝缘层152上。
透明电极161、162和163形成在有机绝缘层152上。透明电极161、162和163包括像素电极161(在图1中以虚线示出)和辅助接触构件161、163。像素电极161通过漏极接触孔185与漏电极143电连接，并形成像素区域。辅助接触构件162通过栅极焊垫接触孔187与栅极焊垫123连接，辅助接触构件163通过数据焊垫接触孔188与数据焊垫144连接。像素电极161和辅助接触构件162、163包含氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
透镜部分165形成在像素电极161上，反射层170形成在透镜部分165上。反射层170通常包含铝或银，并且可以为铝/钼的双层。
反射层170通过像素电极161与漏电极143电连接，并且从透射窗172、源电极142和漏电极143上的有机绝缘层152、栅极线121和非显示区去除反射层170。
在具有这种构造的TFT基底100中，集成电路或外部电路通过栅极焊垫123与栅极线121连接，通过数据焊垫144与数据线141连接。
滤色器基底200位于TFT基底100的上方。两个基底100和200通过密封剂300相互支撑和粘附，密封剂300形成在TFT基底100和滤色器基底200之间并且在密封剂接触孔186之内。液晶400位于由密封剂300限定的显示区中。
在下文中，将参照图3A至图3F来详细描述制造根据本发明的TFT基底的方法的第一示例性实施例。
图3A至图3F是示出制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基底的方法的剖视图。
参照图3A，在绝缘基底110上沉积栅极金属层，并利用第一掩模(未示出)来图案化栅极金属层，以形成栅极线121(图1)、栅电极122和栅极焊垫123。
参照图3B，按上面的顺序依次形成栅极绝缘层131、半导体层132和欧姆接触层133。
更详细地讲，沉积包含无机物质例如硅氮化物等的栅极绝缘层131.然后，顺序地沉积非晶硅的半导体层132和n+硅的欧姆接触层133.即，按上面列举的顺序来顺序地沉积栅极绝缘层131、半导体层132和欧姆接触层133这三层.利用第二掩模(未示出)来图案化半导体层132和欧姆接触层133，使得半导体层132和欧姆接触层133仅残留在栅电极122上.半导体层132和欧姆接触层133可按所需要的形成在栅极线121与数据线141叠置的区域上.
参照图3C，在其上沉积数据金属层，并利用第三掩模(未示出)来图案化数据金属层以形成数据线141、源电极142、漏电极143和数据焊垫144。
参照图3D，顺序地沉积无机钝化层151和有机绝缘层152，并利用第四掩模图案化无机钝化层151和有机绝缘层152。无机钝化层151包含硅氧化物或硅氮化物。有机绝缘层152包含苯并环丁烯或丙烯酸树脂。
有机绝缘层152的图案化过程包括有机绝缘层152的曝光过程。在这些曝光过程中使用的有机层的掩模500包括钼硅层520和铬层530，钼硅层520和铬层530顺序地沉积在石英基底510上，并从与第一有机层孔181和栅极焊垫接触孔形成部分183(见图3E)对应的区域A去除钼硅层520和铬层530。在与第二有机层孔182和透射窗形成部分184(见图3E)对应的区域B中，去除铬层530，钼硅层520为狭缝。此外，在与透镜部分153(见图3E)对应的区域C中，铬层530以规则的间隔形成在钼硅层520上。在这里，第二有机层孔182和透射窗形成部分184的区域B，具有第一有机层孔181和栅极焊垫接触孔形成部分183的区域A的曝光强度的百分之七十至八十。透镜部分153的区域C具有第一有机层孔181和栅极焊垫接触孔形成部分183的区域A的曝光强度的百分之二十至三十二。
图3E是有机绝缘层152被图案化的TFT基底100的剖视图。
形成暴露漏电极143上的无机钝化层151的第一有机层孔181和暴露栅极焊垫123上方的无机钝化层151的栅极焊垫接触孔形成部分183。然后，形成第二有机层孔182和透射窗形成部分184，此处，有机绝缘层152基本被去除，其中，第二有机层孔182沿着LCD面板1的显示区的外围形成。透镜部分153形成在有机绝缘层152上。换言之，有机绝缘层152被图案化而形成凹凸形状，并被加热然后再回流(reflow)，从而形成具有波浪形的透镜部分153。反射层170变得与透镜部分153一样，从而有效地反射了来自外部的光。
参照图3F，用有机层图案作为掩模来去除漏电极143上的第一有机层孔181的无机钝化层151、栅极焊垫接触孔形成部分183下面的无机钝化层151和栅极绝缘层131，从而形成漏极接触孔185和栅极焊垫接触孔187。
在去除无机层131和151时，去除残留在第二有机层孔182和透射窗形成部分184中的有机绝缘层152，以形成密封剂接触孔186和透射窗172。可去除无机钝化层151以在密封剂接触孔186中暴露栅极绝缘层131。即，无机层131和151肯定是仅被暴露的。同样，可去除无机钝化层151来暴露栅极绝缘层131，并且一小部分有机绝缘层152可残留在透射窗172内。
如上所述，无需额外的掩模来去除无机钝化层151，从而减少了掩模的数量。此外，无机钝化层151和栅极绝缘层131均可包含硅氮化物，从而同时被蚀刻。
图3G是通过第五掩模(未示出)形成透明电极161、162和163的TFT基底100的剖视图.透明电极161、162和163包括像素电极161和辅助接触构件162、163.像素电极161通过漏极接触孔185与漏电极143电连接，并在有机绝缘层152上具有透镜部分165，透镜部分165具有和透镜部分153一样的波形.另外，辅助接触构件162通过栅极焊垫接触孔187与栅极焊垫123连接，辅助接触构件163通过数据焊垫接触孔188与数据焊垫144连接.
然后，如图2中所示，在像素电极161上通过第六掩模(未示出)形成反射层170，从而完成了TFT基底100。反射层170包含铬、银或它们的合金，并可以是铝层或是铝/钼的双层。反射层170形成在除透射窗172之外的像素电极161上。如之前所提到的，反射层170形成在透镜部分165上，从而反射层170也具有和透镜部分165一样的波形。反射层170通过像素电极161与漏电极143电连接，从而从漏电极143接收电信号，并将该信号施加给位于反射层170上的液晶400。因此，仅利用六个掩模可形成半透反射式TFT基底。
接着，在TFT基底100的密封剂接触孔186内形成密封剂300，并且密封剂300将TFT基底100粘附于滤色器基底200。然后，液晶400置于基底100和200之间，从而完成了图2中的LCD面板1。在这里，密封剂300可沿着滤色器基底200的外围形成，然后密封剂300粘附于TFT基底100。
在上面制造的LCD面板1中，密封剂300通过去除了有机绝缘层152的密封剂接触孔186粘附于无机层131和151。密封剂300和无机层131、151以相当强的结合相互粘附，从而防止了滤色器基底200与TFT基底100分开。
图4示出了关于用于根据第一示例性实施例的TFT基底100的掩模的制造该基底的顺序。
首先，在绝缘基底110上沉积栅极金属层并图案化该栅极金属层(掩模1)。在该过程中，形成栅极线121、栅电极122和栅极焊垫123。
形成半导体层132和欧姆接触层133(掩模2)。半导体层132沉积在栅电极122上，并可形成在栅极线121和数据线141相交处。
接着，沉积并图案化数据金属层(掩模3)。因而，形成数据线141、源电极142、漏电极143和数据焊垫144。
沉积并图案化无机钝化层151和有机绝缘层152(掩模4)。因此，透镜部分153形成在无机绝缘层152上。此后，用有机绝缘层152作为掩模来蚀刻无机层131和151，从而形成接触孔185、186、187和188。
然后，图案化透明电极161、162和163(掩模5)。透明电极161、162和163包括像素电极161和辅助接触构件162、163。像素电极161形成在有机绝缘层152上，并在有机绝缘层152上包括具有与透镜部分153形状相同的透镜部分165。
最后，沉积并图案化反射层170(掩模6)。反射层170形成在形成于反射区内的像素电极161的透镜部分165上，并通过像素电极161与漏电极143电连接。
在下文中，将参照图5和图6来描述根据本发明的LCD的第二示例性实施例。图5是根据本发明的LCD面板1的第二示例性实施例的剖视图，图6是用于有机层的掩模位于TFT基底上方的TFT基底100的剖视图。在下面对第二示例性实施例的描述中，将省略重复的描述。
与第一示例性实施例不同，第二示例性实施例采用了透射式TFT基底100。因而，由于通过第四掩模图案化TFT基底时，透镜部分153和透射窗172无需形成为图2中的那样，所以直到利用第三掩模为止，用与第一示例性实施例相同的过程来图案化TFT基底100。与图3D或第一示例性实施例相比，图6中示出的用于有机层的掩模500不包括形成透镜部分153的区域C和形成透射窗172的狭缝区域B。
此外，没有形成反射层170，并通过第五掩模来图案化透明电极161、162以形成像素电极161和接触构件162，从而与利用六个掩模的第一示例性实施例不同，用五个掩模完成透射式TFT基底。制作根据第二示例性实施例的LCD的过程与第一示例性实施例中的相同。
因此，前述第二示例性实施例提供了一种尽管少利用了一个掩模而防止基底相互分开的制作LCD的方法。
在下文中，将参照图7来描述根据本发明第三示例性实施例的LCD面板。
与第一示例性实施例一样，根据本发明第三示例性实施例的LCD面板为具有反射区和透射区的半透反射类型。在下面的描述中，将会提到根据第三示例性实施例的LCD面板1与根据第一示例性实施例的LCD面板1的不同之处。
从密封剂接触孔186去除无机钝化层151以暴露栅极绝缘层131。因而，密封剂300与栅极绝缘层131接触。无机钝化层151和栅极绝缘层131均为无机层，从而提供了与密封剂300良好的粘附性。
欧姆接触层133和半导体层132位于源电极142和漏电极143下面。除了在沟道区之外，源电极142和漏电极143与欧姆接触层133和半导体层132叠置。在图中没有示出，欧姆接触层133和半导体层132可位于数据线141和数据焊垫144下面。
将参照图8A至图8G来描述制造根据第三示例性实施例的TFT基底的方法。
参照图8A，在绝缘基底110上沉积栅极金属层，并图案化该栅极金属层，以形成栅极线121(未示出)、栅电极122和栅极焊垫123。
参照图8B，顺序地形成栅极绝缘层131、半导体层132、欧姆接触层133和数据线组件层140。
参照图8C，用光经过掩模照射光致抗蚀剂190，以形成光致抗蚀剂图案191和192。第一部分图案191比第二部分图案192形成得更薄。即，光致抗蚀剂190的在TFT基底的位于源电极142和漏电极143之间的沟道区F中的第一部分图案191，比在数据线组件141、142、143和144形成的数据线组件区D中的第二部分图案192薄，并从区域E完全被去除。沟道区F中的第一部分图案191与数据线组件区D中的第二部分图案192的厚度比根据蚀刻过程中的条件而变化，这将在下面作进一步描述，但是第一部分图案191可优选地为第二部分图案192的一半或比图案192薄，例如为大约4000或更薄。
有各种方法基于光致抗蚀剂190各部分来改变其厚度。此外，狭缝、格状图案或半透反射层应用于光致抗蚀剂190来调整光在沟道区F中的透射量。
在这种情况下，优选地，位于狭缝之间的图案191和192之间的图案或间隔的宽度，即狭缝的宽度，小于曝光系统的分辨率。在利用半透反射层的情况下，具有不同透射率或不同厚度的薄层用来制造掩模以控制透射率。
当光通过掩模照射到光致抗蚀剂时，聚合物在其直接曝光之处完全溶解，而在形成狭缝图案或半透反射层形成之处由于光轻微照射而没有完全溶解，并且在被遮光物遮蔽之处几乎没有溶解。然后，当使光致抗蚀剂显影时，残留有未溶解的聚合物。与光没有照射之处相比，在光轻微照射的中部光致抗蚀剂残留得较薄。在这点上，如果曝光时间太长，则所有的聚合物溶解，因而需要注意避免过度曝光。
较薄的光致抗蚀剂部分图案191可如下地形成.用划分成光被完全透射和光未被完全透射的两个区域的掩模使由回流材料组成的光致抗蚀剂曝光，并将该光致抗蚀剂显影且回流以部分停在光致抗蚀剂没有残留之处.
连续地，蚀刻光致抗蚀剂190和位于光致抗蚀剂190下面的数据线组件层140、欧姆接触层133和半导体层132。这里，数据线组件层140、欧姆接触层133和半导体层132应该残留在数据线组件区D中，仅半导体层132应该残留在沟道区F中，在区域E中数据线组件层140、欧姆接触层133和半导体层132全部被去除以暴露栅极绝缘层131。
参照图8D，在区域E中去除数据线组件层140以暴露欧姆接触层133。由于优选地在使得数据线组件层140被蚀刻而光致抗蚀剂图案191和192几乎未被蚀刻的条件下执行蚀刻，所以在该过程中使用干蚀刻和湿蚀刻。然而，在干蚀刻的情况下，难以仅蚀刻数据线组件层140而不蚀刻光致抗蚀剂图案191和192。因而，光致抗蚀剂图案191和192也会被蚀刻。因此，在干蚀刻中形成的第一部分图案191比在湿蚀刻中形成的第一部分图案191厚，所以不去除第一部分图案191，以便不使数据线组件层140曝光。
然后，数据线组件层140仅残留在沟道区F和数据线组件区D中，并在区域E中被去除以暴露欧姆接触层132。残留的数据线组件层140除了没有被分成源电极142和漏电极143之外，与数据线组件141、142、143和144相同。这里，在利用干蚀刻的情况下，在一定程度上蚀刻了光致抗蚀剂图案191和192。
参照图8E，通过干蚀刻从区域E同时沿着光致抗蚀剂的第一部分图案191去除欧姆接触层133和半导体层132。在这点上，应当在同时蚀刻光致抗蚀剂图案191、192、欧姆接触层133和半导体层132(欧姆接触层和半导体层几乎没有蚀刻选择性)且不蚀刻栅极绝缘层131的条件下，执行蚀刻。优选地期望的是，几乎以相同的比例来蚀刻光致抗蚀剂图案191、192和半导体层132。例如，利用SF6和HCl的混合气体或SF6和O2的混合气体，可将光致抗蚀剂图案191、192和半导体层132蚀刻成几乎相同的厚度。如果以相同的比例来蚀刻光致抗蚀剂图案191、192和半导体层132，则第一部分图案191的厚度与半导体层132和欧姆接触层133的厚度之和相同或小于它们的厚度之和，或者更小。
然后，如图8E中所示，去除沟道区F中的第一部分图案191以暴露数据线组件层140，去除区域E中的欧姆接触层133和半导体层132以暴露栅极绝缘层131。同时，数据线组件区D中的第二部分图案192也被蚀刻得变得较薄。
然后，通过灰化(ashing)去除留在沟道区F中的数据线组件层140的表面上的光致抗蚀剂残留物。
参照图8F，沟道区F中的数据线组件层140和欧姆接触层133被蚀刻从而被去除。这里，均可通过干蚀刻来蚀刻数据线组件层140和欧姆接触层133，或者通过湿蚀刻来蚀刻数据线组件层140，而通过干蚀刻来蚀刻欧姆接触层133。在前者利用干蚀刻的情况下，优选地，在数据线组件层140和欧姆接触层133的比较高的蚀刻选择比的条件下，蚀刻数据线组件层140和欧姆接触层133。如果蚀刻选择比不高，则将难以找到蚀刻的终点，因而使得难以调整残留在沟道区F中的半导体层132的厚度。在后者利用干蚀刻和湿蚀刻的情况下，蚀刻被湿蚀刻的数据线组件层140的侧面，而几乎不蚀刻被干蚀刻的欧姆接触层133，从而在数据线组件层140的侧面形成了台阶形状。用CF4和HCl的混合气体或者CF4和O2的混合气体作蚀刻气体来蚀刻欧姆接触层133和半导体层132，其中，CF4和O2的混合气体使得半导体层132保持均匀的厚度.在这点上，通过局部去除半导体层132使半导体层132变得较薄，并且在一定程度上蚀刻第二部分图案192.在这种情况下，在不蚀刻栅极绝缘层131的条件下执行蚀刻.此外，在蚀刻第二部分图案192的情况下，期望光致抗蚀剂图案192足够厚以不致于暴露数据线组件141、142、143和144.
最后，去除残留在数据线组件区D中的第二部分图案192。然而，在去除数据线组件层140之后和去除数据线组件层140下面的欧姆接触层133之前，可去除第二部分图案192。
参照图8G，顺序地形成无机层151和有机绝缘层152。
下列过程与制作第一示例性实施例的TFT的方法相同。然而，有机绝缘层152残留在设置密封剂接触孔186之处的部分，少于在第一示例性实施例中残留的该有机绝缘层，或者当被曝光显影时被完全去除，以使得密封剂接触孔186暴露栅极绝缘层131。
图9是示出制造根据本发明第三示例性实施例的TFT基底的方法的流程图。如上所述，在第三示例性实施例中，用一个掩模形成半导体层132和数据线组件141、142、143、144。因此，与第一示例性实施例相比，在第三示例性实施例中少用一个掩模来制造半透反射式TFT基底。此外，密封剂300与无机物质栅极绝缘层131接触，因而防止了基底100和200相互分开。
在下文中，将参照图10和图11来描述根据本发明的LCD面板的第四示例性实施例。图10是根据本发明第四示例性实施例的LCD面板的俯视图。图11是沿着图10中的XI-XI线截取的LCD面板1的剖视图。
栅极驱动电路125设置在栅极线121的端部而非栅极焊垫123的端部。栅极驱动电路125称为移位寄存器，并在形成TFT基底100的同时形成。栅极驱动电极125包括多个TFT，但为了描述起见，在图11中仅示出了一个TFT。
根据第四示例性实施例，密封剂300形成在栅极驱动电路125上。这里，从栅极驱动电路125去除有机绝缘层152，从而密封剂接触孔186形成在栅极驱动电路125上。此外，栅极驱动电路接触孔189设置在栅极驱动电路125上的无机钝化层151上，以暴露栅极驱动电路125。栅极驱动电路透明电路164通过栅极驱动电路接触孔189与栅极驱动电路125连接。
根据第四示例性实施例，密封剂300形成在无机钝化层151上，从而防止了基底100和200相互分开。
在下文中，将参照图12来描述根据本发明的LCD面板的第五示例性实施例。
与第三示例性实施例相同，根据第五示例性实施例的LCD面板1为具有反射区和透射区的半透反射类型。在下面的描述中，将提到根据第五示例性实施例的LCD面板1与根据第三示例性实施例的LCD面板1的不同之处。
存储电极线124形成在漏电极143的下方。栅极绝缘层131、半导体层132和欧姆接触层133位于漏电极143和存储电极线124之间。存储电极线124与漏电极143一起形成存储电容。
与第二示例性实施例不同，有机层152位于透射区中。因而，透射率降低，而关于第五示例性实施例的制造工艺的利润率提高。
虽然已经示出和描述了本发明的一些示例性实施例，但是本领域的技术人员要明白，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，在这些示例性实施例中可进行改变，其中，本发明的范围限定在权利要求及其等同物内.
本申请要求于2005年5月24日提交的第2005-0043491号韩国专利申请的优先权，该申请的全部内容通过引用包含于此。

Claims (10)

1.一种制作具有显示区和非显示区的液晶显示器的方法，所述方法包括：
在绝缘基底上形成具有漏电极的薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上顺序地形成无机层和有机绝缘层，所述有机绝缘层具有在所述显示区上的透镜部分；
利用用于所述有机层的掩模，将有机绝缘层暴露于光来形成有机绝缘层图案，所述有机绝缘层图案包括第一有机层孔和第二有机层孔，其中，所述第一有机层孔暴露所述漏电极上的所述无机层，所述第二有机层孔沿着其中所述有机绝缘层被部分去除的显示区的外围形成；
去除通过所述第一有机层孔暴露的所述无机层和残留在所述第二有机层孔内的所述有机绝缘层，从而通过第二有机层孔来暴露无机层；
在所述第二有机层孔内形成密封剂，
其中，所述掩模包括顺序沉积在石英基底上的钼硅层和铬层，
其中，去除在所述掩模的与所述第一有机层孔对应的第一区域中的一部分钼硅层和一部分铬层，在所述掩模的与所述第二有机层孔对应的第二区域中的一部分钼硅层被狭缝图案化，去除所述掩模的所述第二区域中的一部分钼硅层，所述掩模的与所述透镜部分对应的第三区域中的一部分铬层以规则的间隔形成在钼硅层上。
2.根据权利要求1所述的制作液晶显示器的方法，还包括：形成与所述漏电极连接的像素电极；形成与所述像素电极连接的反射层，所述反射层具有透射窗。
3.根据权利要求1所述的制作液晶显示器的方法，其中，所述无机层包含硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的制作液晶显示器的方法，其中，所述有机绝缘层包含苯并环丁烯或丙烯酸树脂。
5.根据权利要求1所述的制作液晶显示器的方法，其中，所述无机层包括栅极绝缘层和无机钝化层。
6.根据权利要求1所述的制作液晶显示器的方法，其中，形成所述薄膜晶体管的步骤包括形成栅极线组件及在所述栅极线组件上顺序地形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据线组件。
7.根据权利要求6所述的制作液晶显示器的方法，其中，利用单个掩模来图案化所述半导体层、所述欧姆接触层和所述数据线组件。
8.根据权利要求7所述的制作液晶显示器的方法，其中，所述欧姆接触层和所述数据线组件被图案化为彼此层叠。
9.根据权利要求1所述的制作液晶显示器的方法，还包括用所述密封剂将所述绝缘基底粘附于另一基底上，以防止它们分开。
10.根据权利要求1所述的制作液晶显示器的方法，其中，所述第二有机层孔的区域内曝光强度为所述第一有机层孔的区域内曝光强度的大约百分之七十至大约百分之八十，所述透镜部分的区域内曝光强度为所述第一有机层孔的区域内曝光强度的大约百分之二十至大约百分之三十二。
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