TWI314775B - A film and chip packaging process using the same - Google Patents

Description

1314775 • · ‘ · ’ 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種膠膜，特別是關於一種晶片封裝製程中 所使用之膠膜。 【先前技術】 習用之晶片堆疊之封裝構造中，如第1圖所示，該封裝構 造包含一基板10、一下層晶片20、—虚設晶片（dummy die)3〇 鲁及一上層晶片4〇。該下層晶片20係藉由一黏膠22固定該基 板1 〇上’且該下層晶片20之上表面的兩侧邊緣設有複數個 鋁接墊24,其係藉由複數條第一銲線26電性連接於該基板 之複數偏接塾12。§亥虛設晶片30係藉由一黏膠32固定於 該下層晶片20上，並界定該第一銲線26所需的空間，例如 約5mils以上之尚度。該上層晶片係藉由一黏膠42固定 於該虛設晶片30上，且該上層晶片40之上表面48設有複數 個鋁接墊44，其係藉由複數條第二銲線46電性連接於該基 _板1 0之該複數個接塾12，如此兩晶片20、40係堆疊於該基 板10上。然而，此封裝構造之成本較高及封裝之製程時間較 長。再者’該虛設晶片與該黏膠之膨脹係數係不匹配，因此 於封膠處理後該虛設晶片與該黏膠之結合界面的結構應力會 增加’進而產生晶片裂開（die erack)並降低封裝之良率。該封 裝之良率一般約為介於30%與40%之間。 另一種晶片堆疊之封裝構造中，如第2圖所示，該封裝構 造包含一基板110、一第—晶片12〇、—非導電膠13〇、一第 二晶片140及複數個支撐球132。該第一晶片12〇具有相對 5 1314775 * * 1 之上表面及下表面’該下表面係固定於該基板上。該非 導電膠130係配置於該第一晶片12〇之上表面上。該第二晶 片140具有相對之上表面及下表面，其中該下表面係藉由該 非導電膠130固定於該第一晶片120之上表面上，該複數支 樓球132係配置於該非導電膠130中，並支撐該第二晶片 140 〇雖然此種封裝構造藉由增加非導電膠與晶片間之黏著面 積，以減少於封膠處理後之結構應力集中，因而可避免晶片 裂開，並利用複數支撐球界定銲線所需的空間。然而，該非 魯導電膠130需於每一次進行黏晶（die attach)時塗佈，不但增 加封裝之製程時間，且由於非導電膠130為液態，因而每^ 塗佈之出膠量不易控制，仍然容易造成該第二晶片14〇於黏 著時出現傾斜的現象。 此外’另一種習知之晶片堆疊之封裝製程，如中華民國專 利第1240392號之「多晶片同尺寸堆疊之封裝製程」，其係在 —晶圓之背面形成一半固化樹脂，再將該晶圓切割成複數個 第一晶片，以其中一具有半固化樹脂之第一晶片黏接至一基 馨板或一第二晶片之主動面，複數個銲線係電性連接該第一晶 片與該基板；在第一晶片對第二晶片之堆疊黏合時’在兩晶 片間之該半固化樹脂係受熱熔融而包附該些銲線，使得在一 封裝厚度内可堆疊更多同尺寸之晶片。雖然利用該半固化樹 脂可避免於每次黏晶時塗佈以縮短製程時間，但由於該半固 化樹脂於加熱後形成熔融態，當黏晶之應力過大時，會有無 法維持該第一晶片與該基板或第三晶片Fb1之高度得問題，而 使得該第一晶接觸到銲線因而降低製程良率。 基於上述原因，其確實仍有必要進一步改良上述晶片堆疊 6 1314775 « 之封裝構造，以解決上述習知技術中之問題。 【發明内容】 本發明目的之一在描 # ^ ^ . k供一種膠膜及使用該膠膜之晶片封 =製程，其可増加膠膜與晶片間之黏著面積，以減少於封膠 處理後之應力集中’而具有避免晶片裂開之功效。 本發明另—目的在提供—種膠膜及使用該膠膜之晶片封 裝衣程，其係藉由於一膠膜中配置複數圓弧彈性體以支撐， 晶片，用以界定銲線或元件所需之空間。 ，發明再一目的在提供一種勝膜及使用該膠膜之晶片封 •程，其係藉由於晶圓上黏附—膠膜，而避免於每次黏晶 時塗佈黏膠，俾以縮短製程時間。 本表月再目的在提供—種膠膜及使用該膠膜之晶片封 裝製程’由於膠膜具有固定體積及高度，因而於黏晶時<避 免高度不易控制之問題，俾以增加製程良率。 ，為達上述目的’本發明之膠膜，其主要包含一可移除之基 材、-樹脂層及複數圓弧彈性體。該樹脂層為一半固化樹脂， 其於-第-溫度以上為具黏性之半熔融狀態，其於一第二溫 度以下為不具黏性之固態，該樹脂層黏設於該基材上；該等 圓弧彈性體配置於該樹脂層中。 本發明另提供-種晶片封裝製程，其利用一膠膜作為一晶 片黏著材料’該膠膜係由一半固化樹脂層結合一基材所形 成’且於該樹脂層中配置有複數圓孤彈性體，該晶片封 程包含下列步驟.·提供-半導體晶圓.，其具有—主動面及__ 1314775 背面丄該主動面之内形成有複數個接塾；形成該膠膜於該晶 圓之背面；切割該晶圓以形成複數晶片，其中，該等晶片之 背面黏附有該膠膜；去除該等晶片中之—第一晶片背面之膠 膜之基材，及將位於該第__晶片背面之樹脂層黏^於一承載 體上；因此，藉由該等圓弧彈性體使該第一晶片與該承載體 間界定出一預設空間。 【實施方式】 為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 3下文特舉本發明實施例，並配合所附圖示，作詳細說明 •睛參照第3a圖所示，其揭示本發明第一實施例之膠臈 \ ^ 3可移除之基材32、一樹脂層34以及複數 圓弧彈14體36配置於該樹脂層34巾。該膠膜3係用於一半 導體晶片封裝_兹φ 从_ & 作為一晶片之黏接材料。該基材32之 =施例可為—BT基板（BTsubstrate)或一膠帶（tape);當其為 | 、.基板時，其可利用—環氧樹脂（epoxy)與該樹脂層34結 其為-膠帶時’可為-紫外線照射膠帶（uvtape)或藍 帶（e^e)，且具有可撓性。該基材32上結合混有該圓 弧彈性體36之樹脂層34。為了能夠適用於晶片之封裝製程 該基材32須至少能承受攝氏85度之高溫。 5玄f脂層34之-種實施例可為-半固化樹脂，例如由ί| t j P〇Xy resin)及酚樹脂（phenol resin)混合而成之拣 二、較：於常溫時〔例如攝氏“度以下〕為固態且不具象 而於阿溫時〔例如攝氏.85度以上〕時為半溶融態且具肩 1314775 • h 黏性；該圓弧彈性體36較佳為耐熱材質所製，例如橡膠，其 包含兩種不同直徑之圓球體，其分別爲小尺寸圓球體361以 及大尺寸圓球體362，該小尺寸圓球體361係用以間隔該大 尺寸圓球體362，且其數目較佳係小於全部圓弧彈性體數目 之20°/。；該大尺寸圓球體362係用以於半導體晶片之封裝製 程中’界定一銲線或一被動元件之高度，因而其直徑較佳係 至少為3至8miis〔 imii=25 4微米〕。於本實施例中，該樹 脂層34之厚度須大於該大尺寸圓球體362之直徑，且較佳係 大於4至1〇微米（micr〇 meter)，以使得當該樹脂層μ受熱 而形成半熔融態時，允許該等圓弧彈性體36在該樹脂層Μ 中重新均勻的排列。該樹脂層34與該等圓弧彈性體36較佳 係以非導電材料所製成。 請參照第3b圖所示，其揭示本發明第二實施例之膠膜 3必須說明的是於本實施例令，與第一實施例相同之元件 係以相同之符號表示。本實施例與第一實施例之差異在於， 該圓狐彈性體36除包含小尺寸圓球體361以及大尺寸圓球體 3 62之外，另包含複數橢球體363，其長軸較佳係相等於該大 尺寸圓球體362之直徑，其功用之詳細說明將於以下之段落 _描述，該樹腊層34之厚度須大於該大尺寸圓球體362之直 輕，且較佳係大於4至1〇微米（micr〇meter)。於本實施例中， 該等該圓弧彈性體36同樣為耐熱材質所製，例如橡膠，且該 樹腊層34與該等圓弧彈性體36同樣係以非導電材料所製成。 請參照第3c圖所示’其揭示本發明第三實施例之谬膜 3 ’於本實施例中，與第—實施例相同之元件係以相同之符 號表示。本實施例與第-及第二實施例之差異在於，該圓弧 9 1314775. 彈性體36係為同尺+ 勹丨』尺寸之圓球體〔例如第— 大尺寸圓球體362〕，A 及第一實％例之 定㈣赤，由包 、R樣用以於一晶片封裝製程中，界 疋一鋅線或一被動元件古 m二 5 β .丨间度，因而其直徑較佳係至少為3 至8mils。於本實施你丨由 κ 、中，該树脂層34之厚度同樣須大於該 圓弧彈性體3 6之直溽，β # /+〆， 較佳係大於4至1〇微米。本實施 例之該等圓弧彈性體36較佳 革貫 翏佳為耐熱材質所製，例如橡膠，且 該樹脂層34與該等圓弧彈性 坪f玍體；3 6係以非導電材料所製成。 请參照第4、第5 a 5 s f iv β /： -r 至5f以及6a至6b圖所示，其揭示利 用本發明各實施例之該等膠膜 矛膠膜3、3或3於—晶片封裝製程 之流程圖及其示意圖’其中，係利用本發明各實施例之穋膜 3、3’或3’’作為晶片黏接材料，該晶片封裝製程包含下列步 驟：提供-半導體晶圓，其具有一主動面及一背面，該主動 面上形成有複數接墊〔步驟2〇1〕；形成一膠膜於該晶圓之 背面〔步驟202〕；切割該晶圓，以形成複數晶片，其中該 等晶片之背面黏附有該膠膜〔步驟2〇3〕；去除該等晶片中 之一第一晶片背面之膠膜之基材〔步驟2〇4〕；將位於該第 籲一晶片背面之樹脂層黏設於一承載體上〔步驟2〇5〕，因此， 藉由該等圓弧彈性體使該第一晶片與該承載體間界定出一預 設空間；電性連接該晶片及承載體〔步驟206〕；及以一封 膠體進行密封〔步驟207〕^此外，必須說明的是，於以下 各圖之說明中，相同之元件間係以相同之標號表示。 請參照第4及5 a圖所示，於本發明之晶片封裝製程中， 第一步為提供一半導體晶圓（wafer)42，其具有一主動面42a 及一背面42b，該主動面42a上具有複數接塾421〔步鄉 201〕。將該晶圓42之主動面42a放置於一晶圓承載台44 1314775 I η 上，並利用一晶圓研磨工具90研磨該晶圓42之背面， 以將該晶圓之厚度研磨至一預定厚度，此預定厚度通常是 1 mil以上。 請參照第4及5b圖所示，當該晶圓42研磨至上述預定厚 度後，接著將本發明各實施例之該膠膜3’黏設於該晶圓42 之背面〔步驟202〕。必須注意的是，於第53至紂圖之說明 中，係以本發明第二實施例之該模材3,來進行說明，而使用 本發明其他實施例之模材3或3，，所進行之封裝製程與此類 鲁似，於本文中不再詳加敘述。如前所述，由於該膠膜3，於常 溫〔攝氏45度以下〕時為固態’必須將其放置於—固化爐 (curing oven)加熱至高溫〔例如攝氏85度以上〕時才呈現熔 融態並具有黏性’因而欲將該膠膜3,黏附於該晶圓42上時， 須先經過加熱處理，但為避免該膠膜3,反應過度，於此加熱 過程中僅加熱报短之時間，其時間長短取決於使該膠膜3，呈 現半·熔融態並能夠黏附於該晶圓42之時間，例如2秒。 睛參照第4及5c圖所示，接著以一切割刀92(dieing blad〇 切割該晶圓42，以形成複數晶片，並假設其中之一晶片為第 —晶片422,因而該等晶片〔包含該第一晶片422〕之背面皆 黏附有該膠膜3’，且每一晶片之主動面皆具有複數接墊42ι 〔步驟203〕。其中，該等晶片之實施例可為動態隨機存取 °己隱體（DRAM)、靜態隨機存取記憶體（sraM)、快閃記憶體 (Flash)、雙倍資料記憶體（DDR)或Rambus記憶體等之記憶晶 片、微處理器、邏輯晶片或射頻晶片等等。 請參照第4及5d圖所示，在將該第一晶片422設置於一 1314775 * 售 承載件之前，須先將該膠膜3’之基材32移除〔步驟204 ]; 若該基材32為一紫外光照射膠帶，則必須將該基材32照射 紫外光UV後方可去除，但若該基材32為藍膠帶（biue tape) 或BT基板，則可直接移除。接著利用一自動化選取及安放 裂置94將該第一晶片422放置於一預定之承載體52。 請參照第5e圖所示，接著將該第一晶片422經由 3’設置於一承載體52上〔步驟205〕，於本發明之各實施例 中，該承載體52可為一基板、一導線架或一晶片〔第二晶 片〕，且欲使該第一晶片422背面之樹脂層3 4黏附於該承載 體52上時，亦必須經過一高溫之短時間加熱，例如加熱至攝 氏85度以上且經過2秒，則該第一晶片422可預黏於該承載 體52上。當該承載體52為一基板時，較佳使用本發明第二 實施例之膠膜3,做為該第一晶片422之黏著材料，亦即該等 圓弧彈性體包含複數小尺寸圓球M 361、大尺寸圓球體如 及橢球體363,該等大尺寸圓球體362及橢球體363藉由該 小尺寸圓球體361間隔後，當樹脂層34欲黏附於該承載體 52上時，由於該樹脂層34經加熱形成半融熔態，該等大尺 寸圓球體362及橢球體363則可在其中自由移動以輕易的避 開該承载體52上之元件522,例如被動元件，並可藉由該大 尺寸圓球體362界定出該等元件522所需之高度，若該橢球 體363剛好位於該等元件522之上方時，由於該擴球體⑹ 表面呈圓弧狀，其亦可藉由轉動方向，如第&圖所示，而使 得該第-晶片422能夠水平的設置於該承載體52上。因此， 即使黏晶時之應力過大’也可經由該等大尺寸圓球體加唯 持黏晶之平整度。接著便可利用複數第—銲線⑶電性連接 12 1314775 礒第一晶片422之接墊421及該承載體S2〔步驟2〇6〕。 請參照第5f圖所示，最後再以一封勝體6〇密封該第一晶 2 422及該第-銲線524，並放置固化爐〔未綠示〕中加熱 一段較長時間，例如攝氏85度以上且時間持續㈣秒，此時 預魏於該承載體52之樹脂層34經過此—步驟後則完全反 應’以使該承倾52舆樹脂層34完全黏合，並完成本發明 之晶片封裝製程〔步驟207〕。 請參照第6a圖所示，當該承載體52為—晶片〔第二晶 片〕時，該第二晶片上通常設置有複數第二銲線s26且其2 置於-基板或導線架上，此時可選擇使用本發明第—實施例 之膠膜3做為該第—晶片422之黏著材料，亦即該等圓孤彈 性體包含複數小尺寸圓球體361及大尺寸圓球體362，該等 大尺寸圓球體362藉由該小尺寸圓球體361間隔後，當樹脂 層34欲黏附於該承載體52上時，由於該樹脂層34經二熱^ 成半融熔態，該等大尺寸圓球體362則可在其中移動以輕易 的避開該承載體52上之第二銲線526，且可藉由該大尺寸圓 球體362界定出該第二銲線526所需之高度。因此，即使黏 晶時之應力過大，也可經由該等大尺寸圓球體362維持黏晶 之平整度。接著便可利用複數第一銲線524電性連接該第Z 晶片422之接藝421及該基板或導線架〔步驟〕。此外 當該承載體52為一晶片時，仍可使用本發明第二實施例之膠 膜3’及第三實施例膠膜3’’作為該第一晶片422之黏著材料。 請參照第6b圖所示，最後同樣以一封膠體6〇密封該第一 晶片422、第一銲線524，承載体52及第二銲線526，並放 13 1314775 上：t爐令[未繪示〕加熱一段較長時間，例如攝氏85 3%持續120秒，此時預黏於該承載體52之樹脂層 34二：步驟後則完全反應，以使該承載體52舆樹脂層 凡王黏〇，並完成本發明之晶片封裝製程〔步驟2〇7〕。 曰κ "^因帛1圖所示之習用晶片堆疊之封裝構造具有 曰曰片裂開及製程時間較長之問題，而第2圖所示之構造因具 ，黏膠之出膠量不易控制，如此會造成黏晶時出現傾斜之問 s才較於第1及2圖之習用晶片堆疊之封裝構造，本發明 各實施例之膠膜(如第3a_3c圖所示)藉由於該等膠媒中配置 彈性體’並支撐一晶片，可用以界定銲線或元件所 需的工間，並可縮短封裝之製程時間。 雖然本發明已以前述趟接眘 j 4較佳實施例揭不，然其並非用以限定 發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 =，當可作各種之更動與修改。因此本發明之保護範圍當視 後附之申請專利範圍所界定者為準。 14 1314775 【圖式簡單說明】 第1圖：習用之晶片堆疊之封裝構造。 第2圖：另一習用之晶片堆疊之封裝構造。 第3a圖·本發明第一實施例之膠膜之示意圖。 第3b圖：本發明第二實施例之膠膜之示惫圖。 第3c圖·本發明第三實施例之膠膜之示意圖。

第4圖：利用本發明實施例 圖0 之膠膜之晶片封 程之流程 第5a〜5f圖：利用本發 截面示意圖， 明實施例之膠膜之晶片封震製程 其中該承載體為一基板。 之 第6 a〜6b圖：利用士 另一承發明實施例之膠膜之晶片封裝製程之 截面示意圖，其中該承載體為一晶片。 【圖號說明】 10基板 20下層晶片 24鋁接墊 3 0虛設晶片 42黏膠 46第二銲線 Π0基板. 12接墊 22黏膠 26第一銲線 40上層晶片 44鋁接墊 4 8上表面 120第一晶片 15 1314775 130非導電膠 140第二晶片 32基材 36圓弧彈性體 3 62大尺寸圓球體 42晶圓 42b背面 422第一晶片 52承載體 524第一銲線 60封膠體 90晶圓研磨工具 94選取及安放裝置 132支撐球 3 ' 3’、3’’ 膠膜 34樹脂層 361小尺寸圓球體 363橢球體 42a主動面 421接墊 44晶圓承載台 522元件 526第二銲線 UV紫外光 92切割刀 201〜207步驟

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Claims (1)

1314775 * r 十、申請專利範圍： 1、 一種膠膜，其包含： 一可移除之基材； 一樹脂層’黏設於該基材上，該樹脂層為一半固化樹脂， 於—第一溫度以上為具黏性之半熔融狀態，且該樹脂層於 一第二溫度以下為不具黏性之固態；及 _ 複數圓弧彈性體，配置於該樹脂層中。 2、 依申睛專利範圍第1項之膠膜，其中該基材為BT基板。 3、 依申請專利範圍第1項之膠膜，其中該基材具可撓性。 4、 依申請專利範圍第3項之膠膜，其中該基材為紫外線照射 膠 (UV tape)或藍膠帶（biue tape)。 5、 依申請專利範圍1項之膠膜，其中該第一溫度為攝氏85 度。 依申請專利範圍第1項之膠膜，其中該第二溫度為攝氏 • 45 度。 7、 依申請專利範圍第1項之膠膜’其中該圓弧彈性體包含兩 種不同直徑之圓球體’其分別為大尺寸圓球體以及小尺寸 圓球體。 8、 依申請專利範圍第7項之膠膜，其中該小尺寸圓球體用以 間隔該大尺寸圓球體。 9、 依申請專利範圍7項之膠膜，其中該樹脂層界定一厚度， 且該樹脂層之厚度大於該大尺寸圓球體之直徑。 17 1314775 10、 依申請專利範圍第9項之膠膜，其中該樹脂層之厚度 大於該大尺寸圓球體之直徑4至丨〇微米。 11、 依申請專利範圍帛7項之膠膜，其中該小尺寸圓球體 之數目小於全部圓孤彈性體數目之2〇%。 12、 依申請專利範圍第1項之膠膜，其中該圓弧彈性體包 含兩種不同直徑之圓球體及複數橢球體，該不同直徑之圓 球體分別為大尺寸圓球體以及小尺寸圓球體。 13 '依申請專利範圍第12項之膠膜，其中該等橢球體之長 軸長度等於該大尺寸圓球體之直徑。 14、 依申請專利範圍第13項之膠膜，其中該樹脂層界定一 厚度’其中該樹脂層之厚度大於該大尺寸圓球體之直徑。 15、 依申請專利範圍第14項之膠膜，其中該樹脂層之厚度 大於該大尺寸圓球體之直徑4至1〇微米。 16 '依申請專利範圍第12項之膠膜’其中該小尺寸圓球體 用以間隔該大尺寸圓球體及該橢球體。 17、依申請專利範圍第12項之膠膜，其中該小尺寸圓球體 之數目小於全部圓弧彈性體數目之20%。 18 依申請專利範圍第1項之勝膜，其中該圓弧彈性體為 耐熱材質所製。 19、依申請專利範圍第18項之膠膜，其中該圓弧彈性體為 橡膠所製。 2 0 依申請專利範圍第1項之膠膜，其中該圓弧彈性體及 樹脂層為非導電材料。 . 18 1314775 , ♦ 21、 依申請專利範圍第1項之膠膜，其中該基材至少可承 受85度攝氏溫度。 22、 依申請專利範圍第1項之膠膜，其中該圓弧彈性體為 相同尺寸之圓球體。 23、 依申請專利範圍第22項之膠膜，其中該樹脂層界定一 厚度，其中該樹脂層之厚度大於該圓球體之直徑4至1〇 微米。 籲24、 一種晶片封裝製程’其利用一膠膜作為一晶片黏著材 料’該膠膜係由一樹脂層結合一基材所形成，該樹脂層為 一半固化樹脂’於一第一溫度以上為具黏性之半熔融狀 態’另於一第二溫度以下為不具黏性之固態，且於該樹脂 層中配置有複數圓弧彈性體，該晶片封裝製程包含下列步 驟： 提供一半導體晶圓，具有一主動面及一背面，該主動 面之内形成有複數個接墊； φ 形成該膠膜於該晶圓之背面； 切割該晶圓形成複數晶片，其中該等晶片之背面黏附 有該膠膜； 去除該等晶片中之一第一晶片背面之膠膜之基材；及 將位於該第一晶片背面之樹脂層黏設於一承載體上； 因此，藉由該等圓弧彈性體使該第一晶片與該承载體 間界定出一預設空間。 25、依申靖專利範圍第24項之晶片封裝製程，其中於提供 19 1314775 二半導體晶圓之步驟中，該半導體晶圓預純研磨至 定厚度。 %、依專鄉心24項之^„録，其中於去除 該等晶片背面之膠膜之基材步驟卜若該膠膜為紫外光昭 射躁帶，則去除該基材之前另包含下列步驟： 於該基材。 π糸外尤 〜依申ff專利㈣第24項之晶片封裝餘，其中 28 該晶圓之背面步驟，另包下列步驟:加熱該膠膜 第-溫度以上’以使該膠臈黏設於該晶圓之背面。 體為一基板、一導線架或一第二晶片 ::=·利範圍第24項之晶片封裝製程，其中該承載 29、依申請專利範圍第24項之晶另封 該第一晶Η# -i, 衣裏程其令於黏韻 弟日日片於一承载體步驟之 上相斗_ 力a含下列步驟： 加熱該膠膜至一第—溫度以上。 I依申請專利範圚第”或 該第一溫度為攝氏85度。 < 阳片封裝製程，其中 31、 依申請專利範圍第 時間為2秒。 、之晶片封裝製程，其中該加熱 32、 依申請專利範圍第24 彈性體包含兩種不 項之晶片封裝製程，其中該圓弧 體以及小尺寸圓埭體。餐之圓球體’其分別為大尺寸圓球 33、依申請專利範園第& 於該第-晶月背 項之晶片封裝製程，其中於將位 樹脂層黏設於-承載體上之步驟 20 1314775 * < 中，忒承載體為一第二晶片且該第二晶片上設有複數第二 接墊及第二銲線，該大尺寸圓球體具有—預設直徑，以界 定該第二銲線所需之空間。 34、依申請專利範圍第33項之晶片封裝製程，另包含下列 步驟： 以複數第一銲線電性連接該第一晶片及該基板；及 以一封膠體密封該第一晶片、第一銲線、第二晶片及第 | 二銲線。 35、 依中請專利範圍第24項之晶月封裝製程，其中該圓弧 彈性體包含兩種不同直徑之圓球體及複數橢球體，該不同 直t之圓球體分別為大尺寸圓球體以及小尺寸圓球體，且 該等橢球體之長軸長度等於該大尺寸gj球體之直程。 36、 依申請專利範圍第35項之晶片封裝製程，#中於將位 於該第一晶片背面之樹脂層黏設於一承載體上之步驟 中，該承載體為一基板且該基板上設有複數個被動元件， ，該大尺寸圓球體具有一預設直徑，用以界定該等被動元件 所需之空間。 37、 依申請專利範圍第36項之晶片封裳製程，g包含下列 步驟： 以複數第一銲線電性連接該晶片及該基板；及 以一封膠體密封該第一晶片及該第一銲線。 21