TWI313030B - Apparatus for processing substrate and method of doing the same - Google Patents

Description

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五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域— 本發明有關於一種處理其 基板）之裝置及用於該裝置之"方法。¥體晶圓或液晶顯示 【先前技術】 舉例來說，用於製造液壯 -有機光阻層（下稱光阻膜)於特曰曰:員不：置上、塗佈 形成-電路圖案、顯影光曝光該光阻膜以 膜作為光罩以钕刻特定膜;過程）、應用光阻 除光阻膜。 u而开y成—電路圖案、以及移 事實上，業已提供—车 膜）、-系統用於曝光一物體於/佈-有機膜(光阻 (光阻膜卜兹刻系v—體灰、化:糸二^ 實行微影技術應用於移除一有機(膜lr;g)1統、—系統為 驟、以及上述之移除步驟。 、 、）上、—蝕刻步 關於應用於貫行微影技術於一 =用：塗佈-有機膜(光阻⑹的系統/於统心b， 體之糸，統、以及用於顯影一 用於曝先—物 這些系統彼此係互相整合，另外，、( 、)：系統，其中 的系統及用於顯影_有掬土布有機膜（光阻膜） 整合。為實行钮;牛：：艇(先阻膜)的系統彼此間亦互相 一灰化除步驟中，業已提供-具有 化、整批形式的灰化系統、以及整批形式：二灰 2134-6537-PF(N3).ptd $ 5頁 1313030 五、發明說明（2) 在那些被提出的系統中，執行一標準步驟之统 彼”係相互整合以有效處理一基板。然而，更兩：：是 更旎節省成本、能源以及資源的系統或是 二 更有效的用於處理基板之裝置及方法要因此’， 舉例一可以減少成本的新製程，—種方缸。 f機光感膜(光阻膜)的步‘驟，以形成彼此具有〗：J : 稷數個部分，以及灰化光阻膜以移除 °予= 由於微影的過程中，細刻兩次可於夂膜 圖案。此方法可將於製造薄形電 過：成兩種 =次數由5次降至4次；之後，，微 (half-exposure process)。 千+社 雖然新的系統或製程被要求 源，但是尚未具體發展出裝能源及資 是製程。 展出裝置及方法勇於實現此種系統或 日本專利公告號肋.2〇〇2_534 77 w〇〇〇/41〇48(PCT/US99/28593 )建議置= 同步系統，使裴置包括一曰圓取隹 置用於處理基板之 器(sch:r:)八可 之裝】，包iii:處Vrm6—7:建議-用於處理基板 上之步驟，以及—承：琴用於責-串用於基板 承載器包含一承載盤U基板於每一個處理器。 戰孟弟一轉子沿著垂直於承載盤之一

2134-6537-PF(N3).ptd 第6頁 Ί313030 五、發明說明（3) 第一轉轴旋轉、—第一驅動器用於旋轉第一轉子、^ 轉子沿著垂直於第一轉子之—筮_ —第二 器用於旋轉第二轉子、—可旋轉 動 基板固定件。 第一驅動"。用於驅動 【發明内容】 有鑑於上述之缺點 基板的裝置或方法，其 及有效且均勻 <本發明之 方法，有必要 一有機膜圖案 地處理一 另一目的 的話，可 、薄化有 增進移除 步驟之前，以 膜圖案以實行 本發明在 一基板載具， 應用化學品於基板上、 本發明之於某~方 於形成一基板上之有機 於有機膜圖案表面之變 小或去除一部分之有機 元中實行。 本發明之 移除步驟 一方面， 用以運送 ，本發明之一目的在於提供處理一 中裝置及方法可實行半曝過程、以 基板。 在於提供用於處理基板之裝置或是 執行一灰化過程、曝光兩次以改變 機膜圖案’這些步驟係實行在移除 效果，接著再藉由曝光、顯影有機 〇 提供一裝置用於處理一基板，包括 —基板、一應用化學品單元，用以 以及一顯影單元，用以顯影基板。_ 面應用之特性如下，提供一方法用 膜圖案’包括第一步驟，移除形成 質層或沉積層，以及第二步驟’縮 膜圖案，其中第二步驟係於顯影單 方法更包括加熱一有機膜圖案之步驟。此步

2134-6537-PF(N3).ptd 第7頁 Ί313030 五、發明說明（4) ^' _11_ 丨· 驟係用於移除具有滲透進入有機膜 或/及鹼性溶劑，或者是用" 系之/堡度、酸性溶劑 彼此之間的附著力減少之時、，機膜圖案與底層基膜 氏50〜150度之間並維持6〇J〇’m二=熱有機臈圖案於攝 機膜圖案也許非常熱在後述之第—間二舉例來說’一有 本發明有可能完全移除掉有：膜^;單=中太 之方法可用於批離(peellngU分離有機案亦即’本發明 關於上述本發明之優點如 、圖案。 述新的製程，亦即，半曝製程。S本發明將可實行上 同時亦可實行灰化步驟於一基板上。 同時亦可藉由曝光兩次以改變一 一 機膜圖案，這些步驟係實行在移除 、二圖案、薄化有 效果；接著再藉由曝光 機膜圖J前;/乂增進移除 驟β β办有栈膜圖案以實行移除步 為使本發明之上述目的姓料 ΠΓ令4主輿#从〜 的特彳政和優點能更明顯易懂， 下文特舉較么貫施例並配合所附圖式做詳細說明。 【實施方式】

以下以具體之實施例，對本發明揭示之形態内容 詳細說明。 M 本發明所描述之方法為應用—裝置1〇〇處理一基板， 如第1圖所示，或是應用另一裝置2 0 0來處理一基板，如 2圖所示。 裝置1 0 0與裝置2 〇 〇係設計成可選擇性地具有後述之製 第8頁 2134-6537-PF(N3).ptd 1313030 五、發明說明（5) 程皁元以應用不同的製程於基板上。 舉例而言，如第3圖所示，一特定裝置1〇〇與一特定裝 置2 0 0係包括6個製程單元， 下曝光一有機膜圖案，一第 膜圖案，一第三製程單元19 度，一第四製程單元20用於 程單元2 1用於施加一化學品 單元22用於應用灰化處理於 1 0 0或2 0 0係包括複數個製程 六個製程單元，並且包括一 在第一製程單元17於一 一形成於基板上之有機膜圖 至少一部分基板之一有機膜 基板之一有機膜圖案或是一 區域被曝光。在第一製程單 完全曝光或利用點光源作以 特定區域，而光源舉例來說 光0 一第—製程單元17用於一光源 —1程單元18用於加熱一有機 用於控制一有機膜圖案之溫 顯影一有機膜圖案，一第五製 於一有機膜圖案，一第六製程 一有機膜圖案；另外，裝置 單元選自於第3圖中所描述之 基板載具及--^匣承載具。 光源下曝光一有機膜圖案中， 案接受光源進行曝光，即覆蓋 圖案被曝光，例如完全覆蓋一 大於或等於1/10的基板面積的 tg17中’ 一有機膜圖案可一次 掃描方式將有機膜圖案曝光於 可為紫外線、螢光、或自然 在弟 -基板或；機3宰8::::機膜圖案I舉例而言， 100至150度。第二製程ϋ =烤於攝氏80至180度或是 可以控制基板保持^平 基台所組成，其中基台 在第三製程run基台設置於一腔室之中。 中，舉例而言，第乂 卜有機膜圖案或基板之溫度 卑二製程單元19保持一有機膜圖案及/或

第9頁 1313030 五、發明說明（6) 一基板在攝氏1〇度至50度或攝氏10度或8〇度的範圍内。 第三製程單元1 9由一基台所組成，其中基台可以控制 基板保持水平’且將此基台設置於一腔室之中。 在第五製程單元21中，施加一化學品於一有機膜圖案

如第4圖所示，舉例而言，第五製程單元2丨包含一化 學槽3 0 1以供化學品堆積，且一基板5 〇 〇設置於—腔室別2 中。腔室302包括：一可移動式喷嘴3 0 3，用於供應=化學品 由化學槽301至基板500上，一基台3〇4，用於將基板5〇〇保 持水平，以及一排放管3 0 5，用以排放廢氣與廢液離開腔 #在第五製程單元21中，堆積於化學槽3〇 i之化學品藉 著壓縮氮氣到化學槽3 01中，再透過可移動式喷嘴3〇3輸送 供應至基板5 0 0。可移動式喷嘴3〇3係可沿水平方向移動。 基台304包括複數個支撐銷用以支撐基板5〇〇之低表面。 —a在第五製程單元2 1中，可設計成乾式於其中化學品為 蒸氣式，因而蒸氣式化學品可供應至基板5 〇 〇上。 舉例而§ ，在在第五製程單元21所使用之化學品中， 至 > 包括一部分酸性溶劑、有機溶劑以及鹼性溶劑。

在第四裝红單元20顯影一有機膜圖案中，顯影一有嘰 膜圖案或基板。舉例而言，第四製程單元2〇設計成與第友 ‘程單元21相同，僅累積於化學槽中的化學品不同，係為 顯影劑。 + π〇 在第六製釭單元22中，一形成於基板上之有棟膜圖乘

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或是氧/螢光電漿）蝕刻’光能具 或使用光能或熱及其他步驟進行 五、發明說明（7) 5 0 〇係藉由電漿（如氧電漿 有較短之波長，如紫外光 幻圖所描述之係設計成可改變製程順序，以藉由製 ill:於第2圖所描述之裝置2〇〇中，製程順序係為 固定。 如第1圖所示，裝置1〇0包含一第一卡匣位置1，其中 一卡匣L1具有一基板（如液晶基板或是半導體晶圓）設置於 其上，另外，一第二卡匣位置2之一卡匣L2，以相似於卡 匣L1的方式設置，而製程單元區域3至11 ’其内各自設有 製程單元U1至U9，且一機械手臂12用於傳送基板於第--^ 匣位置1和第二卡匣位置2與製程單元U1到U9之間，以及一 控制器用於控制機械手臂1 2傳送基板及用於製程單元U1至 U 9來貫施不同的步驟。 舉例來說’未被裝置1 0 〇進行步驟之基板係安置 IEL1 ’而完成步驟之基板則被放置於[2 u 於第3圖中所描述的六個製程單元之任一單元，可被 選擇於U1到U9，即3到11的製程單元設置區域中。 …製，單元的數量決定於製程種類與可容之 Π設單元可設置在任何-個或多個製程 舉例來說’控制器24包括一中央處理 口 及一 δ己憶體。記憶體内部一 廿兩 役制％式，以運作製程

如3030 五、發明說明（8) 二程ί及臂？，中央處理單元讀取記憶體 W聊及機械手臂12:::所選擇之程式來控制製程單元 控制器24選擇—程式用以 U1到ϋ9中以及機械手臂 早兀 制製程早凡in到U9及機械手臂12的運作。 矛式采技 來值特也是：控制器24控制—要求關於藉由機械手臂12 ^傳达基板，伴隨著製程需求的資料，因而由第一 放晋其1 一卡制匠位置-2及製程單元们到119進行取出基板，或 置土板於‘程單元藉由一特定的要求。 到U9再者，控制器藉由製程狀況之資料來運作製程單元U1 牛例來說在後述第5圖之方法中，藉由控制器2 4护r =機械手臂12、第五製料元21、第四製料元2G、以工及 弟二製程單元18，因而，依序有一應用化學品於一 圖案之步驟可於第五製程單元21中實行；一顯影一有機膜 圖案之步驟可於第四製程單元2〇中實行；以及，一控制一、 基板與一有機膜圖案之步驟可於第二製程單元18實行。 如弟2圖所不，裝置2〇〇包含"一第一卡厘位置, 一卡 匣L1放置於其中’及一第二卡匡位置ig，--^匣L2放置於 其中’製程單元管理區域3到9分別設置於製程單元u丨至^ 中’一第—機械手臂14用於傳送一基板於卡匣li與製程單 元U1之間，而一第二機械手臂丨5則用於傳送基板於卡匣12 與製程單元U 7之間；另外’一控制器2 4用於控制第—手臂

2134-6537-PF(N3).ptd 第12頁 Ί313030 五、發明說明（9) --— 1 4與第二手臂1 5對於基柘的播，、， 實施不同的製程。 的傳适及糊到U7製程單元間， 在裝置200甲’實施於製程單元们到^的命令是 =二：別:也，製程可由位於上游側之一製程單元開始 的貫施，，’亦即，如第2圖中箭頭〇斤指的方向進行。、戈 於第3圖中所描述的六個製程單元之任 選擇糊順，即3到9的製程單元設置區 了破 匕量„種類與可容納製程單元之容量，因： 3, 又至^ 又置在任何—個或多個製程單元設置區域 襄置200之控制器24係依照製程 12傳送基板之順序，因而由第，位置i、第f = f 及製程單元η _進行取出基板，或放置基=製程 早元藉由一特定的順序要求。 、 到㈣再者’控制器藉由製程狀況之資料來運作製程單元U1 制機’ ί後述第5圖之方法中’藉由控制器24控 制機械手#12、弟五製程單元21、第四製程單 =製J單元18 1而’依序有一應用化學品於—有機膜 圖f之步驟可於第五製程單元21中實行；一顯影—有機膜 【案^步驟可於第四製程單元2Q中實行；，制」 基板=有機膜圖案之步驟可於第二製程單元18實『于制 個早兀，於裝置1〇〇或2〇〇之中的製程單元的數

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量決定於製程種類與可容納製 等等。 再者’雖然裝置100及200 卡匣數量係與需求量、成本等 裝置100及200可選擇包括 元’舉例來說，裝置1〇〇及2〇〇 曝光以製造一精密圖案、或一 I虫刻基板、或一製程單元，用 或一製程單元，用於強化基板 力’或一製程單元，用於清洗 乾洗或透過清洗劑濕洗）。 如果裝置100及2 0 0包括一 蝕刻一基板，將可能藉由讓一 於下方基膜（如基板表面）上產 第五製程單元21可使用於 若第五製程單元21包括可用於 劑中含有驗性或酸性的成分。 為了每一製程的均勻化， 共同製程單元以應用共同的製 當裝置100和200包括複數 的製程於基板上進行多次製程 的製程單元進行製程以至於在 同方向（如相反方向），在這種 2 0 0應設計具有導引基板於製苹 私單元之容量以及成本考量 没计包括兩個卡匣L1及L2， 等相關。 異於第3圖中所述6個製程單 可旎包括一製程單元，用於 製程單元，用於乾蝕刻或濕 於塗佈光阻膜於一基板上， 與有機膜圖案之間的附著 一基板（透過紫外線或電漿 製程單元，用以濕蝕刻與乾 有機膜圖案作為光罩的方式 生圖案。 工 濕餘刻與乾钱刻一基板，假 #刻基膜的化學品，且餘刻 裝置100和200可包括複數個 程於基板上進行多次製程。 個共同製程單元以應用共同 時，較佳地，基板係於共同 製程單元中將基板導引至不 情況下較佳地，裝置1 〇 〇及 ί單元中不同方向之功能，

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:來說：裝置100及2〇。包括複數 弟一靶加化學品單元2丨、—第二> ，此情況下，控制器24控制機 7 = 弟-施加化學品單元與第二施加化= 同方向，但不是手動而是自動。 以確保基板進出不 同時也較佳地 個第五製程單元21 加化學品單元2 1， 依控制順序運轉於 單元之間。 同，也較佳地，舉例來說，裝置ι〇〇及2〇〇 個弟四製程單元20、一第—顯影單 匕括啜數 9Π，产山达 貝々早兀20、一弟二顯影單元 ㈣ί ί下’控制器24控制機械手臂12依控制順序運 轉於第一、第二顯影單元之間。 逆 ^當裝置1〇0及20 0包括一第一施加化學品單元21、-弟二施加化學品單元21時，第一施加化學品單元21盥 施加化學品單元21彼此間可用不同或是相同之化學品（如 不同形式、組成、濃度等等）。 類似地，當裝置100及200包括一第一顯影單元2〇、 一第二顯影單元20時，第一顯影單元2〇與第二顯影單元2〇 彼此間可用不同或是相同之顯影劑（如不同形式、组 濃度等等）。 當裝置100及2 0 0具有單一製程單元時，較佳地，基板 於製程單元要進行多次製程時在每—次應導引至不同方 向，舉例來說，較佳地，一基板製程於多次相同方向裝置 1 〇 〇及2 0 0應設計具有導引基板於特定的製程單元中，每 次都具有不同方向之功能。 同時也較佳地，一基板在一製程單元中，以一第一方

2134-6537-PF(N3).ptd 第15頁 1313030 五、發明說明（12) 向進行製程，且更進一步以不同於第一方向之一第二方向 (如相反方向）進行製程，在此情況下，應於裝置1 0 0及 2 0 0中設計如此之功能。 較佳地，裝置1 0 0及2 0 0應具有防止爆炸與失火之功 能。 以下將解釋，本發明之較佳實施例。 於一較佳實施例中，以下所提到本發明之方法係應用 一形成於一基板上之有機膜圖案，其係由光感應有機膜所 組成，於此方法中’一損害層（一變質層或一沉積層）形成 於有機薄膜圖案上係於第一步驟去除，以及於第二步驟中 縮小或移除至少一部分之有機薄膜圖案。 第一實施例 第5圖所示為本發明第一實施例應用於—基板之製程 方法之流程圖。 本貫施例所述之方法中’在形成於有機薄膜圖案上之 一變質層或一沉積層被移除後，顯影（如第二次顯影）應用 於有機薄膜圖案上，以縮小或移除至少—部分之有機薄膜 圖案。 一有機薄膜圖案係藉由習知方法形成於一基板上，如 微影法，特別地是，一有機膜圖案係先塗佈至一基板上， 接著’如第5圖所示，一曝光基板（即有機膜）應用步驟 (soi)顯影有機膜（S02)以及後烘烤或是加熱有^機膜（s〇3) 應用於基板上產生初始的有機膜圖案。

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五、發明說明（13) 後烘烤或是加熱有機膜（s〇3)應用於 (S02 )作用，類於前烘姥弋 、‘“、員办有枚膜圖案 應用於-過顯影有二\加熱； 驟中不會再次反應同ν/:Λ，案在過顯影的步 的分解及樹脂的交又連I，：H:膑圖案中的光感集團 (s〇3)係在攝氏14〇 <、Γ .別將後烘烤或是加熱有機膜 供烤或是加熱有二t二更溫度進行，舉例來說，後 之理由，ϋ由控制㈡的溫度。如前所述 控制過顯影的比率是疋加熱有機膜（s03)的溫度來 舉例而吕，—™ 基板上，於此情步了 T案可藉由打印之方式形成於- 對於有機膜圖宰戶:進？將一變質層或-沉積層去除後， 接I 丁之顯影稱為第一顯影。 接者’如第5圖所千 亦即，利用初始有機膜圖：二有機膜圖案下之-基膜’ (S04)。 、圖案作為光罩來I虫刻之基板表面 —步驟帛Λ &例所使用之方法於钱刻（S04)之後包含另 特別地，如第5罔β _ 令，在施加化學。/士不，於第一實施例所使用之方法 預備步驟（一第一°"步、，有機膜圖案之步驟（S11)，並作為一 序實行，分別是顯心^之後 主要步驟（一第二步驟）依 有機膜圖案步驟& 有機膜圖案步驟（S12)、以及一加熱

2134-6537-PF(N3). ptd 第17頁 1313030 五、發明說明（14) 在施加化學品於 (酸液、驗液或有機溶劑之步驟⑻”中，化學品 質層或-沉積層於有機臈圖案：有：膜圖案上以將 '變 膜圖案之步驟（su)係 ^。/知加化學品於有機 在施加化學品於有機膜圖T早兀21中實施。 驟爾時間與所選擇使用的;t;!:(僅S1 用!）中，實行步 層（一變質層或_沉積層）^子。°係僅用於移除一受携 質層= = : = 之步咖1…若1 ’則變質層可選擇：移：積2 =成於有機 積層皆形成於有機膜圖案之表面多：都：：質層與1 積層形成於有機膜圖案之表面但一變質層二：⑨；若1 膜圖：表：，則沉積層可選擇性移除。、曰•成於有機 層部分就會出現，或去”則有棧膜圖案非變質 出現。 一 /儿積H所覆盍之有機膜圖案將會 來源Gt圖ΐ =步驟（sln令所移除之變質層，其 熱硬化、-沉降級’其原因為時間、熱氧化、 劑濕钱刻有機者：有機膜圖案上、用酸性之濕蝕刻 氣體以進行乾银= 氧化灰化）、或應用乾㈣ 成物理性或是化i 而，一有機膜圖案可被這些因子造 質戶的織i ^ Ϊ子損害，進而產生出變質現象。一變 A々文質％度與特徵端看用於濕蝕刻之化學品、 向性或非等項性之乾餘刻(應用電浆)、是否沉積物；：：

2134-6537-PF(N3).ptd 第18頁 1313030

五、發明說明（15) 有機膜圖案上，以及乾蝕刻所使用之氣體。因此，移除的 困難度亦由這些因素決定。 μ 於預備步驟（S11)中所欲移除之沉積層，係因為乾钱 刻所造成。此沉積層係與等向性或非等向性之乾蝕刻以及 於乾钱刻時所使用之氣體有關。因而，移除的困難度亦與 這些因素相關。 〃 因此’於預備步驟（S11 )中所需之週期時間與所需使 用之化學品’皆必須由欲移除之變質層與沉積層困難度之 大小來決定。 舉例來說，當選擇化學品以用於預備步驟（s 丨）時， 所遠的化學原料可能包含驗性化學原料、或酸性化學原 料、或有機溶劑、或同時包含鹼性化學原料與有機溶劑， 以及同時包含酸性化學原料與有機溶劑。 舉例來說’上述之鹼性化學原料可能包含胺與水以及 上述有機溶劑可能包含胺。 於預備步驟（S11)中所使用之化學品可能包含防腐 劑。 舉例來說’胺類可能選自單乙基胺（monoethyl amine)、二乙基胺（diethyl amine)-、三乙基胺（triethyl amine)、單異丙基胺（mon〇iSOpyi amine)、雙異丙基胺 (diisopyl amine)、三異丙基胺（triisopyl amine)、單 丁基胺（monobutyl)、二丁基胺（dibutyl amine)、三丁基 胺（tributyl amine)、經基（hydroxyl amine)、二乙基經 基胺（diethylhydroxyl amine)、二乙基經基胺酐

2134-6537-PF(N3).ptd 第19頁 1313030 五、發明說明（16) (d i e thy 1 hydroxy 1 amine anhydride)、〇 比咬 (pyridine)、皮考林（picoline)。而化學品可由上述化學 品一個或多個所組成。 化學品包含胺的比重以0.01%至10%較佳，〇 至3% 更佳’而0 · 0 5 %到3 %為最佳。 預備步驟（S11 )提供一優點，讓具有顯影有機膜圖案 功月b之化學品可在隨後之步驟中，即過顯影步驟（$ 1 2)， 很快地穿透有機膜圖案，因此，此時過顯影過程即可達成 增強效率的功用。 第一〜人顯影或過顯影有機膜圖案之步驟（S1 2 )，係應 用於第四製程單元20，用以縮小或移除至少一部份之有機 膜圖案。 | 1刀心另微 择梦由且右ί早兀2〇中，形成於一基板上之有機膜圖案 係措目、^ 員影有機膜圖案功能之化學品，以進行顯影。 、有顯影有機膜圖案功能之化學品中， 0. 1%至10%四曱其_好，，/ T J遊擇包含 者是無機驗性水\\乳如化録匕Λ之驗性水溶液，或 & /合液如虱氧化鈉或氫氧化鈣。 於加…、有機膜圖案的步驟（S13)中，一 備週期時間（如3 八A^ Τ 暴板放置一預 80度至180度）之么刀、里於一保持在一預備溫度（如攝氏 實行此步驟，讓上，且位於第二製程單元18内。藉著 具有顯影有機膜圖Ϊ過顯影步驟（S12)中供應至基板上之 膜圖案，幫助有：：功能之化學。口口’能深入穿透進入有機 較佳地，於2膜圖案於過顯影過程中縮小或是移除。 ' y驟13之後將基板降溫至室溫。

1313030 五、發明說明（17) 之主 改變面積的情況下，At機膜圖案之步驟中， 亦即，至少一部份右=將有機_案體積:^係' f括在不 案面積之步驟。而:機膜圖案變薄，以及1 = 一步驟， 隨減少有機膜圖宰二：少一部份有機膜圖宰‘:2 3: W — 系面積步驟發生。 q茱之步驟則伴 進行：例中所實行的主要步驟俘柜播 仃 哪係根據下列原因來 •占2)α猎由減少有機臈圖案面積，用以脸 ’欠成新的圖案。 ^將有機膜圖案轉 (β)藉由移除至少一部份有 有機膜圖案使其成為多個部分 用案以分離-部分之 成新的圖案。 用以將有機膜圖案轉變 驟⑴與（B f之有//，=乍為光罩的方式於上述步 驟s⑵之前的银刻步驟（步驟s〇4)所；^m步驟（步 驟以2與步驟Sl3之後的蝕刻步驟作一區別。…域/、於步 美膜實行上述步驟（C)，位於有機臈圖案之下的一 表面）經過製程後逐漸變錐形（上部較薄）或 處理基膜成為階梯狀的形式包含藉由應用過顯影有 膜圖案成為光罩的形式來進行半钱刻基膜（如導電膜）之 步驟 ° 相似之方法於Japanese patent Applicati〇n 第21頁 2134-6537-PF(N3).ptd 1313030 五、發明說明（18)

Publication No. 8-2310^ η μ ^ 截面於美膜上以防二Γ: 此步驟可形成階梯狀 二Λ 站立或上大下小。 時，藉由上述步驟(。)任構 板可被蝕刻是彼此成為不同之圖一索。夕：土、上之層 電性(ΓΛ上^步Λ(Α)與（β)為例、，假定一有機膜圖案由 冤性緣材枓所組成，一某妬i 的先經银刻步驟（步驟S04)後反再有過^影步驟（步驟i2)之前 緣膜。 復|於所具有的電路圖案上之電性絕 (G) 當一初始有機膜圖岽且 之部分，上述步驟(Α)二么至:、兩個彼此不同厚度 擇性地口銘咚目士 C)及其後之步驟（C)到（F)將選 擇！生地八移除具有較小厚度的那—部分。 (H) 至少一部分有機膜圖案縮或7 至少一部分的有媸瞄闰安叮隻'專措少驟 驟⑻移除Λ 案可被报容易的移除。藉由實施步 露出基膜。 口系係有可忐的，甚至到 之部(分），田尸右初始有機膜圖案具有至少兩個彼此不同厚度 那一部八可/ J有杈小厚度的那-部分變薄，才能保證 相同：:果牛二容易的移除。步驟⑴與步驟⑹係實質上 相同如果步驟⑴係不斷實行直到基膜出現。 釋。關於上述步驟⑹的例子，可藉由第6圖來作一解 第6圖所示為—流程圖，用於當—初始有機膜圖案具

1313030 五、發明說明（19) 有至少兩個彼此不同厚度之部分，選擇性地移除具有較小 厚度的那一部分。 —第 6(a_2)、6(b-2)、6(c-2)、6(d-2)圖為平面圖，而 第6(a-l)、6(b-l)、6(c —n Kdq)圖則依序為前述第 6(a-2)、6(b-2)、6(c — 2)、6(d-2)圖之剖面圖。 f如第6(a_1)與6(a-2)所示，閘極6 0 2具有一前置形狀 形成於一電性絕緣基板6 〇 2上；接著一閘極絕緣膜6 〇 3形成 於基板601上以覆蓋閘極6〇2 ;接著一無定形之玻璃層 604、一N+無定形之玻璃層6〇5以及一源極6〇6依昭上沭 序形成於閑極絕緣膜603上。 …江順 接著’如第6(b-l)及6(b-2)圖所示，一有機膜圖案 6一07形成於源極6〇6上（步驟s〇1到s〇3)，然後，源極^⑽、、 一N+無定形之玻璃層6〇5、以及無定形之 機膜圖案m作為光罩以進行續步驟S04)，曰因60而4係2 閘極=觸3出現在未被有機膜圖_7所覆蓋之區域麦 有機膜圖案60 7之形成用以具有一薄部6〇?&，以— ΠΪί:極絕緣膜6°3。有機膜圖案60 7具有兩種厚/， 藉由曝光於薄魏與其他部分區域Γ;量 驟⑴,Λ，主應要用:== f機膜圖案之步驟⑺始、之/驟12、以及加熱 資訊維持於有機膜圓細7 °、、，細7之曝光 …以及步糊’僅僅有機膜圖口^^ 第23頁 2134-6537-PF(f\J3).pt{j 1313030 五、發明說明（20) 擇性地移除 如圓 7(c-l)與 7(c-2)f^- 有機膜圖案60 7被分離成複數個’也就是說，勒始 不）。 刀（兩個部分如第7圖所 接著，源極6〇6與N+無定形之玻域 案607作為光罩以進行蝕刻，然後盔f層605係以有機膜圖 現，而有機膜圖案60 7被移除。‘、，、疋形之玻螭層604出 當初始有機膜圖案被形成於彼此n I女 多部份，則有機膜圖案可藉由移具有不同厚度的許 而被製程處理成為一新的圖荦；圖案之較薄部分 ;，程處理成為-新的圖案:、藉由以機； 數個部分(例如兩個部分如第6(c_2):所有二膜圖案成為複 當位於有機膜圖案下之—其 可藉由有機膜圖案作為光罩以：上述提dji時’將 行银刻，用以區別應用於過顯 =少驟（步驟12)之則的蝕刻步驟（步驟s〇4)所蝕 =’與於步麵與S13之細刻出…。因此來/有 此於稷數層之基膜中蝕刻出一第一層（例如無定形之玻 ^層6G4)、以及-第二層（例如源極6_Ν+無定形之玻璃 層6 0 5 )，以使彼此具有不同的圖案。 下述是有關於一用於處理基板之裝置，用於進行於 一實施例中所述之方法。 一用於處理基板之裝置，適用於本發明第一實施例之 方法，裝置100或200包含第五製程單元21、第四製程單元 20、以及弟一製程單元18，作為製程單元υι到㈣或μ到

2134-6537-PF(N3).ptd 第24頁 1313030

、Ϊ裝置1〇〇„中，第五製程單元21、第四製程單元2〇、 以及第一製程單元1 8係隨意設置。 一相對的’在裝置200中'第五製程單元21、第四製程 單兀20、以及第二製程單元18必須依照第2圖中箭頭a之方 向依序設置。相同地，，、，丁 &、+、> + a ^ 以下所述之方法所使用之裝置係依 照預先設定之順序來設置。 於第5圖中所敘述的方法可被裝置1 〇 〇或2 0 0執行，特 別地，控制器24控制機械手臂丨2與製程單元丨7至以，以 動執打於第5圖巾所描述的方法。裝置1〇 執行後述之方法。 動 假若裝置100或200設計有包括一姓料元，較佳地， 裝置100或20 0利用一有機膜圖案作為光罩以自動圖案化— 基膜（如基板表面），於利用一有機膜圖案作為光罩以自 圖案化一基膜的步驟中，一有機膜圖案尚未製程處理 及一有機膜圖案已被處理皆可用以作為光罩。在後述 法中’此種情況皆適用。 万 用於加熱一有機膜圖案之步驟13可被省略，在此 下，於裝置100或200中包含有第二製程單元18不再必/ 在第7圖到第10圖中，於括弧中的步驟表示可以省略，如

步驟S1 3。此外，與括弧中的步驟相關之製程亦 省略不用。 M 即使是一共同步驟被使用了許多次，例如即使步驟 應用了兩次，裝置100僅需包括—單一製程單元，用以實

2134-6537-PF(N3).ptd 第25頁 1313030 發明說明（22) 施此步驟，作如m 數數目之製程單」、，I置2 0 0則必須包括相同於應用次 裝置2 0 0則必須二9 f例來說，士。果步驟S4被應用兩次， 應用在下面的方法。罘一I釭早兀1 8。同樣的情形將會 再伴隨著第_每#〜^ 、 使用於去除來# Λ M J的方法中，因為預先步驟係先被 層上，接；：：一有機膜圖案表面之-變質層或是沉積 有機膜圖f，因：：^要步驟於縮小或去除至少-部分的 藉由應用一1有對右ί步驟可順利的進行。㈣’有可能 有機膜圖案及均勺的J膜圖案顯影能力之化學品’來穿透 茶及均勾的對有機膜圖案顯影。 弟一貫施例 弟7圖所示係顧+ 二實施例。 、、、’、發明之用於處理一基板之步驟第 例所應Γ之圖方所二、相：於第-實施例，本發明第二實施 S21)， / '、L括灰化一有機膜圖案之步驟（步驟 汽也要步驟（步驟S12及步驟S13)。 亦即，本發明第-每t 不同之處，僅僅在於;1施例所應用之方法與第一實施例 步驟皆盘键— '額外具有灰化步驟（步驟S21) ’其他 /、弟一貫施例相同。 在本^^日月繁一 -ί®ϊ· » 用於去昤二^ 錢例所應用之方法中，灰化步驟係應 喪。 域膜圖案表面之一變質層或是沉積 灰化步驟（步驟S2i)係於第六製程單元中實

2134-6537-PF(N3).ptd 第26頁 1313030 五、發明說明（23) 於灰化步驟中，可實行乾蝕刻步驟，如在氧氣或是氧 氣/氟的環境中應用電漿於有機膜圖案、應用短波長之光 能如紫外線於有機膜圖案、以及應用臭氧，亦即光能或加 熱有機膜圖案。 較佳地，設定一週期時間於灰化步驟（步驟S2丨），以 致於僅僅變質層或是沉積層被移除。 >由於變質層或是沉積層已被移除’故一有機膜夕 ΪΪ質：Ϊ即出現’或是一被沉積層所覆蓋之有機膜圖荦 出見+與刖述第一實施例相同。 ^ 顯影=i化步驟（步驟s 21)作預先步骤的好處在於具有 影步驟（步驟ς ! I 仕^傻的步驟，亦即過顯 2 )中’很快地穿透有機膜圖宏 符合需求，且更可二’所 實 於第二實施例所ρ & &貝例相同，故不予贅述，且 例所得到的相 同。 例所传到的好處亦與第 丑 再者 僅 :變質層或是化步驟(步觀”， …顯影步驟⑽2)以亦難可:。移除，因此， 弟二實施例 第8圖所示係顯示本發 三貫施例。 之用於處理-基板之步驟第 如第8圖斛- , ΰ所不，本發明之應用於 命 _ 昂—只知例之方法，

2134-6537-PF(N3).ptd 第27頁 1313030 五、發明說明（24) 包括一灰化有機膜圖案之步 學品於-有機膜圖案之步驟(^驟二1)、以及：應用化 預先步驟，且包括過顯影驟步，且兩者同時作為 同時兩者作為主要步驟。驟(步驟Sl2)與加熱步驟(⑴) 亦即本發明第二實施例所應用之方法第奋 不同之處，僅僅在於預先步 j法與弟Λ鉍例 步驟（步驟S21)盥庫用化#古其掩係由灰化有機膜圖案之 ςπ )的姓人廿、心化于°σ於有機膜圖案之步驟（步驟 S11)的，合二其餘步驟皆與第一實施例相同。，鄉 在第一實施例中，預先步驟由— 組成。相反地，第三實施例之預先步驟一步= 驟S2U與一濕姓刻（步驟S11)所組成。因此，一^變步質 ^二，層之表面可藉由乾步驟亦即藉由灰化步驟（步驟 來移除，其餘的部分則交由濕步驟來移除，亦即化 品應用步称（步驟Sii)。 第三實施例之方法所得到的好處係與第一實施例所 到的相同。 再者，即使僅由化學品應用步驟（步驟S1丨）來移除一 變質層或是沉積層是困難的，亦可藉由在化學品應用步驟 (步驟S11)前實行灰化步驟（步驟S21)。 灰化步驟（步驟S21 )用於預先步驟中去除一變質層或 是沉積層之表面。因此，較有可能的，相較於第二實^施 例’於灰化步驟中可實行較短的時間，以確保再灰^匕:過 程中基膜盡量不被損害。 ^ 當步驟11 (S11 )所用之化學品用於第三實施例中時，

2134-6537-PF(N3).ptd 1313030 五、發明說明（25) ___ 或許有些使用之化學品穿透 * 施例中的步驟1 1 ( S 1 1 )，或者θ機膜圖案之能力小於第一實 化學品的時間短於第一實扩疋，在第三實施例中所使用 、也例所用於化學品的時間。 第四實施例 二二圖之 =。示本發明…處理-基板之步 始有機ί圖Γ圈且中用於步=°!用於一基板形成一初 能忽略。 χ 有機膜圖案之步驟S04亦不 如第9、1 〇圖所示，第每 光有機膜圖案之步驟（步驟S41' :二方法額外加入了曝 實施例開始實行之前。 乐貫施例至弟一 如弟 9(a) 、9(b) 、Qfr*、闰 όιί· — „ ^ -η- 圖所不，曝光有機膜圖案之步 。驟步圓驟可應用於預先步驟之前。可選擇地，如第 二曝光有機膜圖案之步驟(步驟⑷）可實行於 = ，特別是，位在灰化步驟（步驟S21)與應用 化學加步驟（步驟S11)之間；另外，可選擇地，如第 l〇U) '10(b)、10(c)圖所示曝光有機膜圖案之 S41)可應用立即接續於預先步驟之後。 〇 ^ 當藉由微影步驟以形成一初始有機 ⑽有機膜圖案接受曝光兩次，而 成一初始有機膜圖案時，僅曝光一次。 万式以形 在曝光有機膜圖案之步驟（步驟S41)中，至小—a y 一部分

2134-6537-PF(N3).ptd 第29頁 1313030 五、發明說明（26) 區域被有機膜圖案所遮罢 全覆蓋基板之有機膜圖；之= ；^例來說，-完 積用於曝光。瞧井右機聪或僅覆蛊大於專於基板1/10面 f g i i ""先有機膜圖案之步驟（步驟S41)中在第一 衣私早兀17中進行。在第一 隹弟 或許是-次曝光，亦或者θ二# =7017中，-有機膜圖案 J 4者疋於一特定區域中存右β止、s 方：進行曝光。舉例來說一有機膜光 於备、外光、螢光、或自然光。 圓系J曝先 時已谁，第：：知例中’較佳土也’ -基板於形成有機膜S幸 :已=仃曝光之後到步驟S41之前，應保持不被曝機膜圖案 :專精此’可使於過顯影的』狀 ，了使基板不曝光’整個㈣中需/格達控句的 疋裝置100或2 0 0需設置可達到此種功能。 g或者 曝光有機膜圖案之步驟（步驟S41)可如下述進— 首先，一有機膜圖案先透過一具有事务仃/ 丁曝光’ φ即’一位於有機膜圖案上 ：曰：光 中’係由曝光區域所決定。有機膜圖= 圖案八’ 在：顯影的步驟(S12)中被移除，以致於有：膜;； 成為一新的圖案。保持有機膜圖案（或基板）於初、圖案 2機，案的曝光之後1不接觸到光線直二：:形 貫行之前，是非常重要的。 驟841 其次，藉由基板的完全曝光，可使步驟S1 2之過& ==”率，因而此時，不接觸到光線直；^ 只仃之則，即不那麼重要。即使是在步驟S41實 41 一有機膜圖案受到某種程度的曝光（如受到紫外光、=，

2134-6537-PF(N3).ptd 第30頁 1313030 五、發明說明（27) ~ 光或自然光的照射，或長期待在上述光線中），或是曝 光於未知的程度下，藉由步驟S41使光線均勻曝光於一基 材上是有可能的。 下述為第四實施例之例子。 第四實施例之例1 第9圖中（a)行係顯示第四實施例之例J所需之步驟流 程圖。 如第9圖中（a)行所示’第四實施例之例1所示之方 法’相較於第5圖所示之第一實施例，本方法曝光有機膜 圖案之額外步驟（步驟S 41)係在接在蝕刻步驟（步驟s 〇 4 )之 後’且位於應用化學品步驟（步驟s丨丨）之前。 於例子1中，所使用之裝置丨〇 ό或2 〇 〇包括第一製程單 元17、第五製程單元2丨、第四製程單元2〇、以及第二製程 單元18，作為製程單元從μ到㈣或μ或耵。 第四實施例之例2 第9圖中（b)行所示，顯示第四實施例之例2所需之步 驟流程圖。 如第9圖中（b)行所示，第四實施例之例2所示之方 法’相較於第7圖所示之第二實施例，本方法曝光有機膜 圖案之額外步驟（步驟S41)係在接在蝕刻步驟（步驟S04)之 後，且位於灰化步驟（步驟S21)之前。 於例子2中，所使用之裝置1〇〇或2〇〇包括第一製程單

2134-6537-PF(N3).ptd 第31頁 1313030 五、發明說明（28) '^-—- =17、第六製程單元22、第四製程單元20、以及…—制σ 單元18 ’作為製程單元從U1到U9或U1或U7。 弟一衣私 第四實施例之例3 第9圖中（c)行所示，顯示第四實施例之 驟流程圖。 別3所需之步 如第Θ圖t ( c)行所示，第四實施例之例3所示 法，相較於第8圖所示之第三實施例，本方法曝== 圖案之額外步驟（步驟S41)係在接在蝕刻步驟（步之 後，且位於灰化步驟（步驟s 21 )之前。 夕 於例子3中，所使用之裝置100或2〇〇包括第一制 元17、第，製程單元22、第五製程單元21、第四製衣程^元 20、以及第二製程單元18，作為製程單元從μ到㈣或们到 第四實施例之例4 第9圖中（d)行所示，顯示第四實施例之例4所需之 驟流程圖。 如第9圖中（d)行所示，第四實施例之例4所示之方 法’相較於第8圖所示之第三實施例’本方法曝光有機膜 圖案之額外步驟（步驟S41 )係在應用化學品步驟（步驟si υ 與灰化步驟（步驟S 21)之間。 於例子4中，所使用之裝置1〇〇或2〇〇包括第一 兀17、第六製程單元22、第五製程單元21、第四製程單元

2134-6537-PF(N3).ptd 第32頁 Ί313030 五、發明說明（29) 作為製程單元從U1到U9或U1到 20、以及第二製程單元18 U7 ° 第四實施例之例5 第10圖中（a)行所示，顯示第四實施例之例5所 驟流程圖。 v 如第1 0圖中（a)行所示，第四實施例之例5所示之 法，相較於第5圖所示之第一實施例’本方法曝光有 圖案之額外步驟（步驟S41)係在應用化學品步驟（牛、 與過顯影步驟（步驟S12)之間。 7 ] 括第一製程單 以及第二製程 於例子5中’所使用之裝置1〇〇或2〇〇包 元17、第五製程單元21、第四製程單元2 〇、 單元1 8 ’作為製程單元從U1到u 9或U1到U 7。 第四實施例之例6 第1 0圖中（b)行所示，顯示第四實施例之 驟流程圖。 邝所而之步 如第10圖中（b)行所示，第四實施例之例6所示之 法，相較於第7圖所示之第二實施例，本方法曝光有 圖案之額外步驟（步驟S41)係在灰化步驟（步、 影步驟（步驟S12)之間。 哪“1)與過顯 —於例子6中’所使用之裝置100或2 0 0包括第一制 兀17、第六製程單元22、第四製程單元2〇、以 制早。 單元18，作為製程單元從U1到U9或U1到U7。 —衣程

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2134-6537-PF(N3).ptd 第34頁 1313030 五、發明說明（31) 璃層6 0 5、以及無定形之姑接ρ η ^ μ . 為光罩以進行㈣，因而玻璃最 被有機膜圖案6G7所覆蓋之區域、，巴、.膜6Q3出現在未 此初始有機膜圖案60 7，與第6α_υ 機膜圖案607不同，具有較均勻之厚度。斤不的仞始有 接著預先步驟、主要步驟、以：曝 之步驟S4 1依序進行，如卜 另横:膜圖案6 〇 7 圖）。 如上述例子1到例子7(第9圖及第1〇 曝光有機膜圖案6 07之步驟S41係利用 光罩來進行。在接續過顯夢牛 ’疋圖案作為 宰6 0 7將被處理志A '、~ 乂驟中（步驟S1 2 )，有機膜圖 案607將被處理成為一個新的圖案，如6(。 不。亦即，有機膜圖案6 0 7趑、士 v 4 厂、b u 2 )所 中兩部分）。 ’、將被刀離成複數個部分（第1 1圖 接者’源極6 0 6盘N +盘A Tty , 案607作為光罩以進；;蝕玄;疋=J璃層605係以有機膜圖 現，而有機膜圖案607被移除：後無定形之玻璃層6〇4出 當位於有機膜圖案一 藉由有機膜圖案作為井土 、本身具有許多層時，先 預先步驟、主：步膜進行㈣，之後在依 S4D，用以區別應用於過機膜圖案之步驟（步驟 步驟（步驟S04)所蝕刻出爽〜步^驟（步驟S12)之前的蝕刻 後所蝕刻出之區域。因此&的區域，與於步驟S12與S13之 出一第一層（例如無定艰夕可能於複數層之基膜中蝕刻 如源極606與N+盔定形/ _璃層6 04)、以及一第二層（例 '、，'疋形之破璃層6〇5)，以使彼此具有不同

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五、發明說明（32) 的圖案。 下面將藉由第1 2圖來細部描述本發明之方法中之四 實施例之例2。 四 第12(a-2) 、12(b-2) 、l2(c-2) 、l2(d-2)為平面圖， 而第12(a-l) 、12(b-l) 、12(c-l) 、12(d-l)分別為第 12(a-2)、12(b-2)、12(c-2)、12(d-2)之剖面圖。在 12(b-2)、12(c-2)中一有機膜圖案並未忽略。 舉例來說’如第12(a-l)、l2(a-2)圖來說，具有預定 形狀一閘極602形成於一電性絕緣基板，然後，一閉極絕 緣層6 0 3形成於基板601上’以覆蓋閘極6 〇2，具有特定形 狀之一源極801則形成於閘極絕緣層6〇3上，而由電子絕緣 材料組成之一覆蓋層8 02則形成於閘極絕緣層6〇3上，= 蓋源極8 0 1。 接著，如第12(b-l)及l2(b-2)圖所示，一有機膜圖案 6 07形成於覆蓋層8〇2上，然後，覆蓋層8〇2、以及閘極絕 ，膜6 03係以有機膜圖案6〇7作為光罩以進行蝕刻，因而， 取後閘極6 0 2出現在未被有機膜圖案6 〇 7所覆蓋之區域。 此初始有機膜圖案60 7，與第6(b_n圖所示的初始 機膜圖案607不同，具有較均勻之厚度。 接者預先步驟、主要步驟、以及曝光有機膜圖案6〇7 之步驟S41依序進行，如上述例子丨到例子7(第1〇圖及 圖）。 、，曝光有機臈圖案607之步驟S41係利用一特定圖案作為 光罩來進行。在接續過顯影步驟中（步驟S1 2)，有機膜圖

2134-6537-PF(N3).ptd 第36頁 1313030 五、發明說明（33) 案60 7將被m為—個新的圖案，如12(㈠）所示。 、者圖12(c~l )及12(c-2)所示，利用已被主要步驟 處理過之有機膜圖荦6〇7作為杏罢 ' 因而，源極8〇1部分外，二飼刻出覆蓋層802， 4¼ 卜 而接者移除有機膜圖案6 0 7。 虽位於有機膜圖案下之一基膜本身且 藉由有機膜圖案作為光罩來a ^ 先 千i奂牛W 勹尤卓果針對基膜進行蝕刻，之後在依 二乂 Ϊ、ί 驟、以及曝光有機膜圖案之步驟（步驟 步驟m應/於過顯影步驟（步驟si2)之前的钱刻 後剩出之區域。因此，有可能於複數/之基膜= +出一第一層（例如閑極絕緣層6〇3)、以及一第二層（例如覆 盍層802)，以使彼此具有不同的圖案。 在閘極，緣層6 03與覆蓋層8〇2都位於閘極6〇2之上且 被蝕刻後，藉由僅蝕刻覆蓋層8〇2於源極8〇1上方之部八， 則防止源極8 01不受損傷是有可能的。 因為於第四實施例中，額外加入曝光有機膜圖案之I 驟（步驟S41)，相較於第一至第三實施例之方法，即使/ 初始有機膜圖案具有均勾的厚度下，處理一有機膜圖案 為新的圖案是有可能的。（亦即，初始有機膜圖案並非具 有兩個或多個彼此不同厚度的部分） 、 可選擇地，即使一有機膜圖案並未處理成一新的圖 案，於第四實施例中所額外加入曝光有機膜圖案之步騍 (步驟S 41 )，使有效率的實行過顯影步驟（步驟s丨2 )成為 能。 ‘’、、° 2134-6537-PF(N3).ptd 第37頁 1313030

以下將私述於上述實施例， 第1 3圖所示為依昭 込擇預先步驟之策略。 變質程度的大小，'於‘胃、n = ψ 、不同原因之不同變質層間 以剝離變質層之難易程度來分類的“度係由藉…刻 如第1 3圖所示，—變質層 刻的化學A、乾餘刻為等向性或^ =細吏用於= 在於有機膜圖案上、以及乾蝕科向性、是否沉積層存 卜卜，銘叭佔田雜由 +斤使用的氣體有關。因 此移除的困難度同樣與上述原因有關。 fsnf:學使/於施加化學品於有機膜圖案之步驟 (S11)守，而早獨選擇酸性、鹼性或是有 他們之間的結合。 Θ \ & 特別地，化學品應選擇來自於鹼性水溶液或至少包含 胺的比重為0. 0 5%至1 〇%之水溶液。 在這裡’舉例來說，胺類可能選自單乙基胺 (monoethyl amine)、二乙基胺（diethyl amine)、三乙基 fe(triethyl amine)、早異丙基胺（monoisopyl amine)、 雙異丙基胺（diisopyl amine)、三異丙基胺（triisopyl amine)、單 丁基胺（monobutyl)、二丁基胺（dibutyl amine)、三 丁基胺（t r i buty 1 amine)、經基（hydroxyl amine)、二乙基經基胺（diethy lhydroxy 1 amine)、二乙 基羥基胺酐（diethylhydroxyl amine anhydride)、D比咬 (pyridine)、皮考林（p i co 1 i ne) ° 如果變異層變異的程度相當低’亦即’假若變異層是 因為隨著時間而氧化形成、酸蝕刻劑或等向性的氧灰化劑

2134-6537-PF(N3).ptd 第38頁 1313030 五、發明說明（35) 所造成’則所選擇的化學品則必須含有胺的濃度於〇 . 〇 5〇/〇 到3%較佳。 y第1 4圖所示為化學品中含胺的濃度與移除率的關係， 係相對於有機膜圖案是否變異的比較圖。 如第1 4圖所示’為了僅移除變質層而保留有機膜圖案 之非變質層的部分，於化學品中含有胺的濃度為〇· 〇5到h 5 並作為有機溶劑較佳，其中較佳地，選擇羥基 (y xy 1 amine )、二乙基經基胺（di ethy 1 hydroxy 1 •). 乙基备基胺酐（d i e thy 1 hydroxy 1 am i ne : ntt：〇t(Pyridine)、皮考林（Picoline)於化學 =較佳。為了作為抗腐蝕，應選擇葡萄糖 = 螯化物（Chelate) '或是抗氧化劑。 # t ί 適當的週期來應用施加化學品於有機膜圖 層、保留有機膜圖宰^非；化學品，僅移除變質 U覆盖的有機膜圖案出現式有可能的。 處，即讓具有顯2ίϊ 步驟（S11)提供一個好 隨後之步驟中、，即過玛=案功能之化學品可在步驟S11 圖案。 衫v驟（s 12)，有可能穿透有機膜 變質層‘會破：由述化學品於有機膜圖案之表面， 之過顯影的步驟圖案功能之化學品，在隨後 ，去穿透有機膜圖案，係有可能的。

2134-6537-PF(N3).ptd 第39頁 1313030 五、發明說明（36) 更重要的是，有機膜圖 除，應該被保留，並且化战1、、/變質層的部分不應被移 質層的方式，輕易地穿透 1眉可藉由僅損害或移除變 這部分必須選擇適當的瑪模圖案之非變質層的部分。 較佳地，第7圖、第C。 中（b)、（c)、（d)列，以及 田边之灰化步驟、第9圖的 質層較厚、較堅固或較難移除日士圖中的（b)、（c)列’當變 化學品於有機膜圖案之步驟結二^:單獨實行或與施加 本身或是與施加化學品於有^ ς 較佳。藉由灰化步驟 決較為困難移除之變質犀，、]圖案之步驟之結合，可解 於有機膜圖案之步驟，ϋ j交之下，若僅用施加化學品 第15円所-: 可能需要花較多的時間。 乐丄b圖所不為一變暂思 性電漿步驟的變彳t _ #s π ， ； Μ用氧灰化步驟或等向 品步驟(水溶夜中^ 圖則描述同時依序庫用經Λ 變異層之變化®;第17 圖。在第15-17圖中Λ 步驟時’變異層本身之變化 膽“X剝離變V,之難弟二圖：似，變質程度係由藉由 * J雕支貝層之難易程度來分類的。 =第1卜1 7圖所示，變質層可藉由任一步驟而被移 /于_ α而相較於第1 5圖中應用於變質層之氧化灰化步驟 —寺。向I·生電漿步驟）與施加化學品步驟（水溶液中含有羥基 胺2%^ ’變質層移除程度係與變質層的厚度及特性相關: 、氧化灰化步驟（等向性電漿步驟）係能有效移除上面具 f沉積層之變質層’如第1 5圖所示，但有可能損壞本體了 因此’如果氧化灰化步驟（等向性電漿步驟）應用於不具有

第40頁 1313030 五、發明說明（37) 沉積層之變質層上，所殘留未移除之變質層的 僅藉由施加化學品步驟（第1 4圖）。 午保回方； 相反地，施加化學品步驟（水溶液中人 一變質層相較於氧化灰化步驟（等向性電漿牛^ 土胺2%)於 上面具有沉積層之變質層，則較沒有效率//用於移除 示，但不至於損壞本體。因此，如果施：二f = 於不具有沉積層之變質層上，所殘留未 如步驟應用 率係高於僅應 1氧化灰化步驟。未$除之變質層的比 因此，為了得到第1 5、1 6圖的好處，項价左^ 一一 灰化步驟（等向性電漿步驟）、以及施加^ : 订乳化 液中含有經基胺於一變質層上，如予。;步驟（水溶 了解的是，第π圖中所示之方法，係二 積層於變質層上皆有效，且可完全移除變質層^否，、有沉 於上述的實施例中，主要步驟係包 1 ⑶2)與加熱步驟⑽）。但主要步驟亦可包括 圖案之步，驟’雖然化學品本身不具有顯影有匕二 圖案之功此，但具有溶化有機膜圖案之功用。舉例來、 此種化學品可由稀釋分離劑（separating agent)得 特別地，此種化學品可由稀釋分離劑中獲得，且使心 ^2〇2丨丨\小,、。較佳地’此分離劑之濃度為大於或等於又 ^。牛μ⑦’此種化學品可藉由水來稀釋分離劑而取 $ 的只施例中，有機臈圖案係由一有機感光膜;^ 組成。當有機膜圖案係應用印刷而形成且於主要步驟

2134-6537-PP(N3).ptd 第41頁 1313030 五、發明說明（38) _______ 具有顯影有機膜圖案功能之化學〇 ，但又且 圖案之功用，則有機膜圓索由—:滅片了朵=有溶化有機膜 係非必要，除此之外，曝光有機 也非必要。 乂鄉（步驟S41 ) 即使有機膜圖案係應用印刷，有機膜圖 感光膜所組成，兌曝光有機膜圖案之 步、=一有機 應用。 外、少鄉341 )亦可 上述實施例所述之方法，可進一夺勺 案之步驟，此步驟用於去除珠诱 二=加熱有機膜圖 案於攝氏50〜150度之間並维#fin l *可加熱有機膜圖 、隹待6〇〜3 00秒的時間。 因此，上述實施例所述之方法， 機膜圖案之步驟，如可加埶古掩时 了進步包括加熱有 間並維持，300秒的日寺間圖案於攝氏50〜15〇度之 或第三單元製程單元中進行。^驟係在第二製程單元18 有機膜圖案或許可被上十 代表上述方法或部分方法可列之方法完全移除。這 特別地，於第一例子中，古抵離或分離有機膜圖案。 施例施加較長時間之預先牛聰膜圖案可藉由相較於其他實 間内並無法完全移除有機亦即於預先步驟之週期時 質層/沉積層與有機膜圖宰、夕曰作案^，亚透過可同時移除變 除；於第二例子中，變w、干品的使用，來完全去 移除，然後有機骐圖案二二」儿積層係在預先步驟中完全 ’、、可精由相較於其他實施例施加較

2134-6537-PF(N3).ptd 第42頁 1313030 '五、發明說明（39) 長時間之主要步驟（亦即於主要步驟之週期時間内並無法 完全移除有機膜圖案）。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，仍可作些許的更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

2134-6537-PF(N3).ptd 第43頁 1313030 圖式簡單說明 【圖示簡單說明】 第1圖係表示一用於處理基板之裝置之平面圖； 第2圖係表示另一用於處理基板之裝置之平面圖； 第3圖係表示一用於處理基板之裝置所需裝備之處理 單元之概要圖示； 第4圖係表示一單元應用化學物於有機膜圖案之例子 之剖面圖； 第5圖係表示本發明第一實施例用於處理基板之方法 之步驟流程圖； 第6(a-l )~(d-2)圖係表示本發明第一實施例用於處理 基板方法於一應用實例中之步驟流程圖； 第7圖係表示本發明第二實施例用於處理基板之方法 之步驟流程圖； 第8圖係表示本發明第三實施例用於處理基板之方法 之步驟流程圖； 第9 ( a)〜（d )圖係表示本發明第四實施例用於處理基板 之方法之步驟流程圖； 第1 0 (a)〜（c )圖係表示本發明第四實施例用於處理基 板之方法之步驟流程圖； 第1 1 (a-Ι )〜（d-2)圖係表示本發明第四實施例用於處 理基板方法應用於第一例子中之步驟流程圖； 第1 2(a-l)〜（c-2)圖係表示本發明第四實施例用於處 理基板方法應用於第二例子中之步驟流程圖； 第1 3圖係依照變質成因來描述變質層之變質程度；

2134-6537-PF(N3).ptd 第44頁 1313030 圖式簡單說明 第1 4圖係表示胺的濃度與移除率之關係； 第1 5圖係表示僅應用灰化處理下變質層之差異性； 第1 6圖係表示僅應用化學物處理下變質層之差異性； 以及 第1 7圖係表示先後應用灰化處理步驟及應用化學物處 理後變質層之差異性。 【主要元件符號說明】 1〜 11 製程單元 12 機械手臂 13 第一卡匣位置 14 第一機械手臂 5 第二機械手臂 16 第二卡匣位置 17 第一製程單元 18 第二製程單元 19 第三製程單元 20 第四製程單元 21 第五製程單元 22 第六製程單元 24 控制器 100 2 0 0 裝置 301 化學槽 302 腔室

2134-6537-PF(N3).ptd 第45頁 1313030

圖式簡單說明 303 可移動式喷嘴 304 基台 305 排放管 500 基板 601 電性絕緣基板 602 閘極 603 閘極絕緣膜 604 玻璃層 605 N+無定形之玻璃層 801 源極 802 覆蓋層 L1 基座 L2 平面部 U1〜 .U9 製程單元 S-- 製程步驟 2134-6537-PF(N3).ptd 第46頁

Claims (1)

1313030

.一種處理基·板之裝置，包括： ，板載具，用於傳送該基板； 以及 靶加化學品單元，用於施加化學品於該基板 一顯影單元，用於顯影該基板； 其中， =施加化學品單元與該顯影單元依序配置，且該基板 載八將該基板依序傳送到該施加化學品單元與該顯影單 凡’進行施加化學品及顯影處理。 2. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板之裝置，更 包括一^化單元，用以灰化形成於該基板上的一有機膜， 該灰化單元、該施加化學品單元、與該顯影單元依序配 置，該，板載具將該基板依序傳送到該灰化單元、該施加 化學品單元、與該顯影單元，對該基板進行灰化處理、施 加化學品、及顯影處理。 3. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板之裝置，更 包括一蝕刻單元，蝕刻該基板，該蝕刻單元、該施加化學 品單元、與該顯影單元依序配置’該基板載具將該基板依 序傳送到該#刻單元、該施加化學品單元、與該顯影單 元’對該基板進行蝕刻處理、施加化學品、及顯影處理。 4. 如申請.專利範圍第1項所述之處理基板之裝置，更 包括曝光單元，使形成於該基板上的一有機膜曝光，該曝 光單元、該施加化學品單元、與該顯影單元依序配置，該 基板載具將該基板依序傳送到該曝光單元、該施加化學品 單元、與該顯影單元，對該基板進行曝光處理、施加化學

2138-6537X1-PF3(N3).ptc 第47頁 1313030 ___931?,7Rgn__ 六、申請專利範圍 ^月 曰 條正_____^ 品、及顯影處理。 5. 如申請專利範圍 · 包括一灰化單元，用以太項所述之處理基板之裝置，更 該灰化單元、該曝光單=化形成於該基板上的一有機膜， 單元依序配置，該基板=1該施加化學品單元、與該顯影 元、該曝光單元、該施加，、2該基板依序傳送到該灰化單 該基板進行灰化處理、^ =學品單元、與該顯影單元，對 理。 、、處理、施加化學品、及顯影處 6. 一種處理基板之裝置，勺 一基板載具，用於傳 =，·· 一施加化學品單元，斟u 土板， 施加除顯影劑以外的化學σ形成於該基板上的—有機膜， 一曝光早元，用以暖& 以及 先形成於該基板上的該有機臈； 一顯影單元，用以显 其中， 影形成於該基板上的該有機膜； 該施加化學品單元、該 配置’該基板載具將該基板 元、該曝光單元、與該顯影 品、曝光及顯影處理。 曝光單元、與該顯影單元依序 依序傳送到該施加化學品單 早元’對該基板進行施加化學 7.如申吻專利範圍第6項所述之處理基板之裝置， 包括一灰化單元，灰化形成於該基板上的該有機臈，該灰 化單元、該施加化學品單元、該曝光單元、與該顯影^元 依序配置’該基板載具將該基板依序傳送到該灰化單元、

2138-6537X1-PF3(N3).ptc 第48頁 1313030 ^ -iS_i3l27850___年 J 日_修正 _ 六、申請專利範圍 該施加化學品單元、該曝光單元、與該顯影單孓，對該基 板進行灰化處理、施加化學品、曝光處理、及顯影處理。 8· —種處理基板之裝置，包括： 一基板載具，用於傳送該基板； 一灰化單元’用以灰化形成於該基板上的一有機膜； 以及 一顯影單元’用以顯影形成於該基板上的該有機膜； 其中， 該灰化單元與該顯影單元依序配置’該基板載具將該 基板依序傳送到該灰化單元與該顯影單元’對該基板進行 灰化處理及顯影處理。 9.如申請專利範圍第8項所述之處理基板之裝置，更 包括一蝕刻單元，蝕刻該基板，該蝕刻單元、該灰化單 凡、與該顯影單元依序配置，該基板載具將該基板依序傳 送到該蝕刻單元、該灰化單元、與該顯影單元，對該基板 進行#刻處理、灰化處理、及顯影處理。 1 0 .如申請專利範圍第8項所述之處理基板之裝置，更 包括曝光單7L，使形成於該基板上的一有機膜曝光，該曝 光單元、該灰化單元、與該顯影單元依序配置，該基板載 具將該基板依序傳送到該曝光單元、該灰化單元、與該顯 影皁π，對該基板進行曝光處理、灰化處理、及顯影處 理。 11· 一種處理基板之裝置，包括： 一基板載具，用於傳送該基板；

第49頁 1313030 - --塞號 9.S1 ?7SRn__年月日_修正 六、申請專纖® ' "—--- • —曝光單元，使形成於該基板上的有機膜曝光； 以及—灰化單元，用以灰化形成於該基板上的該有機膜. —顯影單元，用以顯影形成於該基板上的該有機膜. 其中， 、’ 該灰化單元、該曝光單元、與該顯影單元依序配置， 該基板載具將該基板依序傳送到該灰化單元、該曝光單 兀、與該顯影單元，對該基板進行灰化、曝光及顯影處 理。 12.如申請專利範圍第丨丨項所述之處理基板之裝置， 括第二曝光單元，對該基板進行第二曝光，該第二曝 光單元、該灰化單元、該曝光單元、與該顯影單元依序配 置’該基板載具將該基板依序傳送到該第二曝光單元、該 灰化單元、該曝光單元、與該顯影單元，對該基板進行第 一曝光處理、灰化處理、曝光處理、及顯影處理。 13*如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之處理基 板之裝置’其中該施加化學品單元，對該基板上所形成的 一有機膜圖案施加化學品。 14. 如申請專利範圍第丨_丨2項中任一項所述之處理基 板之裝置’其中該顯影單元對該基板上所形成之一有機膜 圖案進行顯影處理。 15. 如申请專利範圍第2、5、7-12項中任一項所述之 處理基板之裝置’其中該灰化單元利用電漿、臭氧、以及 紫外線之至少一種，以蝕刻該基板上所形成的膜。

2138-6537Xl-PF3(N3).ptc 第50頁 -——------ ____年 月一^_史十_______ 六、申請專利範圍 1 6.却申請專利範圍第2、5、7- 1 2項中任一項所述之 處理基板之裝置，其中該灰化單元對該基板上所形成之一 有機膜圖案進行灰化處理。 1 7 .如申請專利範圍第4 — 7、1 0 — 1 2項中任一項所述之 處理基板之裝置，其中該有機膜圖案係藉由該曝光單元對 °亥特疋區域完.全曝光或是利用點光源掃描該特定區域。 18.如申請專利範圍第I?項所述之處理基板之裝置， 其中該特定區域為大於或等於1/1〇的該基板面積。 19，如申請專利範圍第17項所述之處理基板之裝置， 其中該有機膜圖案之曝光係應用紫外光、螢光、或自然光 中至少一種。 20. 如申請專利範圍第丨_12項中任一項所述之處理基 板之裝置，更包括一溫度控制單元，用以控制該基板之溫 度。 21. 如申請專利範圍第2〇項所述之處理基板之裝置’ 其中該溫度控制單元保持該基板溫度之範圍在1 5 t：至35 °C 之間。 ° 22. 如申請專利範圍第ι_ΐ2項中任一項所述之處理基 板之裝置，更包括一加熱單元，用以加熱該基板。 2 3 .如申請專利範圍第1 _ 1 2項中任一項所述之處理基 板之裝置，其中該顯影單元對該基板進行多次顯影處理’ 母次處理時該基板位於不同方向。 24.如申請專利範圍第2 3項所述之處理基板之裝置’ 其中該基板位於相反方向。

2138-6537X1-PF3(N3).ptc 第 51 頁 1313030 案號 93127850 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 2 5 .如申請專利範圍第1 -1 2項中任一項所述.之處理基 板之裝置，其中該顯影單元在基板的第一方向及第二方向 顯影處理，此第一方向與第二方向為不同方向。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項所述之處理基板之裝置， 其中該第一方向與該第二方向相反。 2 7.如申請專利範圍第1 -12項中任一項所述之處理基 板之裝置，其中該裝置具有防止爆炸與燃燒之功能。 2 8.如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之處理基 板之裝置，其中該施加化學品單元蝕刻位於一有機膜圖案 下方之一基膜，並藉由形成於該基板上之該有機膜圖案作 為光罩之方式τ，以圖案化該基膜。 29. —種處理形成於基板上的有機膜圖案之方法，使 用申請專利範圍第1 -1 2項中任一項所述之處理基板之裝 置，包括： 第一步驟，移除形成於該有機膜圖案表面之一變質層 或一沉積層；以及 第二步驟，縮小或移除至少一部份該有機膜圖案， 其中該第二步驟於該顯影單元中實行。 30. —種處理形成於基板上的有機膜圖案之方法，使 用申請專利範圍第1 —7項中任一項所述之處理基板之裝 置，包括： 第一步驟，移除形成於該有機膜圖案表面之一變質層 或一沉積層；以及 第二步驟，縮小或移除至少一部份該有機膜圖案；

2138-6537Xl-PF3(N3).ptc 第52頁 ί多正

1313030 ^ —--案號931W狀η__车月曰 六、申請專利範圍 . 其中該第二步驟在該施加化學品單元中實行，經由使 用不具有使該有機膜圖案顯影功能但具有溶化該有機膜 案功能之化學品。 ' 31. —種處理形成於基板上的有機膜圖案之方法，使 用申請專利範圍第丨5或丨6項所述之處理基板之裝置，包 括： 第一步驟’移除形成於該有機膜圊案表面之一變質層 或一沉積層；以及 曰 第二步驟’縮小或移除至少一部份該有機膜圖案，

其中至少一部份的該第一步驟於該灰化單元中灰化該 有機膜圖案。 32. —種處理形成於基板上的有機膜圖案之方法，使 用申請專利範圍第卜7項中任一項所述之處理基板之裝 置，包括： 第一步驟，移除形成於該有機膜圖案表面之一變質層 或一沉積層；.以及

第一步驟’縮小或移除至少一部份該有機膜圖案， 其中至少一部份的該第一步驟於該施加化學品單元中 施加化學品於該有機膜圖案。 33. 如申請專利範圍第32項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中整個該第一步驟於該施加化學 品單元中施加化學品於該有機膜圖案。 34. —種處理形成於基板上的有機膜圖案之方法’使 用申請專利範圍第8或9項所述之處理基板之裝置，包括：

1313030 .案號 93127沾 η ---^^-§--ϋ____ 六、申請專利範圍 第一步驟，移除形成於該有機膜圖案表面之一變質層 或一沉積層；以及 第二步驟，縮小或移除至少一部份該有機膜圖案， 其中至少一部份的該第一步驟包括在該灰化單元中灰 化該有機膜圖案及在該施加化學品單元中施加化學品於該 有機膜圖案。 Λ 3 5 .如申請專利範圍第3 4項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中依序在該灰化單元中灰化該有 機膜圖案’及於該施加化學品單元中施加化學品於該有機 膜圖案。 3 6 .如申請專利範圍第2 9項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，更包括曝光該有機膜圖案之該曝光 步驟’且實行於該第一步驟之前。 37. 如申請專利範圍第29項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，更包括曝光該有機膜圖案之該曝光 步驟，且實行於該第一步驟之中。 38. 如申5月專利範圍第μ項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，更包括曝光該有機膜圖案之該曝光 步驟，且實行於該第一步驟與該第二步驟之間。 39. 如申請專利範圍第36-38頊中任一項所述之處理形 成於基板上的有機膜圖案之方法，其中該曝光處理的曝光 區域決定該有機臈圖案的新圖案。 4〇·如申請專利範圍第36-38頊中任一項所述之處理形 成於基板上的有機臈圖案之方法，其中該曝光處理決定的

曰 正 _ES 93127850 1313030 年 六、申請專利範圍 曝光區域，將至少一部分之該有機膜圖案分離成複數個部 分。 41 .如申請專利範圍第2 9項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中該第二·步驟包含使至少一部分 之該有機膜圖案分離成複數個部分。 42. 如申請專利範圍第29項戶斤述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，更包括利用尚未經過處理的該有機 膜圖案作為光罩，圖案化在該有機膜圖案下方的一基膜的 步驟。 43. 如申請專利範圍第29項戶斤述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中該第二步驟包括變形有機膜圖 案之步驟’使該有機膜圖案成為/電性絕緣膜，覆蓋於形 成於該基板上之一電路圖案上。 44. 如申請專利範圍第29項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，更包括刺用經過處理的該有機膜圖 案作為光罩’圖案化在該有機膜圖案下方的一基膜的步 驟。 4 5 ·如申請專利範圍第4 2項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中該下方基膜被圖案化成為錐形 或是階梯狀。 46. 如申請專利範圍第44項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中該下方基膜包括複數層，且至 少一層被圖案化而與其他層具有不同圖案。 47. 如申請專利範圍第29項所述之處理形成於基板上

2138-6537Xl-PF3(N3).ptc 第55頁 1313030 _ 案喊 93127850 年月日 修正 _ 六、申請專利範圍 的有機膜圖案之方法’其中.該有機膜圖案原先形成於該基 板上時，至少有兩部分之厚度彼此不同。 48 .如申請專利範圍第2 9項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中該有機膜圖案原先形成於該基 板上時’至少有兩部分之厚度彼此不同，且於該有機膜圖 案上具有較薄厚度之部分於實行顯影步驟的過程中進—步 變薄。 49.如申諦專利範圍第29項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中該有機膜圖案原先形成於該基 板上時’至少有兩部分之厚度彼此不同，且於該有機膜圖 案上具有較薄厚度之部分於實行顯影步驟的過程中進一步 被移除。 5 0 _如申請專利範圍第2 9項所述之處理形成於基板上 的有機膜圖案之方法，其中該有機膜圖案於該第一步驟實 行前皆保持不接觸到光線。 51. —種處理基板之方法，使用申請專利範圍第23項 所述之處理基板之裝置，其中該基板於顯影單元中經歷複 數次處理，且該基板每次為不同方向。 52 .如申請專利範圍第5 1項所述之處理基板之方法， 其中該基板每次為相反方向。 53. —種處理基板之方法，使用如申請專利範圍第25 項所述之處理基板之裝置，其中該基板於該顯影單元中以 第一方向及第二方向進行處理，該第二方向不同於該第一 方向。

2138-6537Xl-PF3(N3).ptc 第56頁 1313030 案號93127850_年月日__ 六、申請專利範圍 54.如申請專利範圍第5 3項所述之處理基板之方法， 其中該第一方向與該第二方向彼此相反。

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