TWI310343B

TWI310343B -

Info

Publication number: TWI310343B
Application number: TW094116278A
Authority: TW
Inventors: Kobayashi Hisashi; Satou Shigeki
Original assignee: Tdk Corp
Priority date: 2004-05-20
Filing date: 2005-05-19
Publication date: 2009-06-01
Also published as: KR100819981B1; CN1984757A; JP4506755B2; JPWO2005113208A1; TW200613129A; US20070218592A1; KR20070026511A; WO2005113208A1

Description

飞 1310343 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種具有良好之薄片之切斷性（可切斷之強度）&好之薄片之通氣性和良好之處理性、特別是高接著性（剝離強度）之生胚薄片及其製造方法、以及使用該生胚薄片之電子元件之製造方法。【先前技術】為了製k CR内藏型基板、層積陶竟電容器等之陶究電子元件，因此，通常首先準備由陶竟粉末、黏合劑(丙烯系樹脂、、丁縮㈣樹脂等）、可塑劑及有機溶劑（甲苯、疆）所構成之陶竟塗料。接著，使用兩丨^ # 1史用刮刀法等而將該陶瓷塗料，塗敷在PET製薄膜上，扃、隹> ^ 、進仃加熱乾燥後，剥離pet製薄膜而得到陶瓷生胚薄片。技箪 .^ ^ 片接著，在該陶瓷生胚薄片上，印刷及乾燥内部電極，脾爲从“ 電極將層積廷些者’切斷成為晶片狀，來一生胚日日片後，形成端子電極，製造層積陶瓷電容器等之電子元件。在製造層積陶竟電容薄 g ♦ 、 °狀&下，根據作為電容器所系要之要求之靜電雷交 ’而使得形成内部電極之薄片間厚度，成為大約i “〜1nn 《涛片之層〜100以®程度之範圍。此外，在層積陶瓷電容器，在電容考曰增上、盗s曰片之層積方向之外側部分，带成並無形成内部電極之部分。 7 該並無形成内部電極之部分所對應之外侧之介電質層之厚度係為了保護内部構g 、 m 耩故而必須成為比較厚之數十以 2030-7113-PF;Ahddub 5 1310343 Ί§" 以"1程度。因此，該部分係藉由層積複數印刷内邱φ & 热 4電極之比較厚之陶瓷生胚薄片而成形。因此，企圖Ί走B3K? 用涛層之生胚薄片而成形該外側部分時，層積數變増大製造之工時’造成製造成本之增大。但是，1個晶片之電容器内之介電質層之數 :丨越加成為高電容，另一方面，限定晶片之大小，二必須使得介電質層變薄。介電質層係藉由黏合劑而 =成：次微米等級之介電質粒子，成形為薄片狀，層積及 ①成吳個所得到，製作薄的生胚薄片係造成介電質層層化。得 y像這樣，使用在層積陶瓷電容器之陶瓷部係除了用以 :到電容之介電質層(内層)以外’還具有保護晶片外側之外層對於要求内層成為正如前面敘述之薄層而使传外層需要用以保護内部構造之某種程度之厚度。、因此，有在内層及外層分別要求各種不同性能、例如分別在内層要求緻密性或平滑性等但是在外層要求 :切斷性等之傾向發生。另一方面，由製造上之理由及可祕之觀點來看的話，則要求在_、外層，皆提升高接者性等之處理性能。因此’例如在下列之專利文獻卜在外層用生胚薄片，添加黏著賦予劑而提高外層用生胚薄片之接著性。但是，在專利文獻1之方法，藉由黏著賦予劑之添加而使得外層用生胚薄片之黏合劑樹脂組成，不同於内層用生胚薄片之組成。這個係在藉由生胚晶片之加熱所造成之脫黏合劑製 2030-7113-PF；Ahddub 6 1310343 程在内層及外層，在不同之時間，引起脫黏合劑反應恐怕會損害到晶片之強度，造成破裂等之破損。【專利文獻1】日本特開2000 — 1 33547號公報【發明内容】【發明所欲解決的課題】本發明係有鑑於此種實情而完成的；其目的係提供一種具有良好之薄片之切斷性（可切斷之強度）、良好之薄片 •之通氣性和良好之處理性、特別是高接著性(剥離強度)之生胚薄片及其製造方法、以及使用該生胚薄片之電子元件之製造方法。 . 【用以解決課題的手段】 ' 為了達成别述目的，因此，本發明之生胚薄片之製造方法係具有：準備含有陶瓷粉體和黏合劑樹脂之壓縮前生胚薄片之製程；以及壓縮前述之壓縮前生胚薄片而得到壓響縮後生胚薄片之製程，其特徵在於：將前述之壓縮前生胚薄片之壓縮前薄片密度（pgl)和前述之壓縮後生胚薄片之壓縮後薄片密度（Ρδ2)間之差異（△pg)，表示成為Apg —— pg卜使得作為該差異（△pg)相對於前述之壓縮前薄片密度（p gl)之比值之薄片收縮率（△ p g/ p gl)，成為1 %以上。在本發明’可以藉由壓縮前述之壓縮前生胚薄片，來使得薄片收縮率（△ P g/ P g 1)成為1 %以上、最好是J · 2% 2030-7113-PP；Ahddub 7 1310343 以上，而提升壓縮後之生胚薄片之各種特性性(剝離強度）。像這樣，可以藉別是接者乂楮田杈升生胚薄片之接著性而達到例如燒成前之生胚晶片或燒成後之層積體之物理強度、特別是破裂之減少。前述薄片收縮率比較大者係有提高本發明之作用效果之傾向發生，因此，更加理想的是在藉由I縮所造成之方法，通常使得35%程度成為上限。最好是麼縮前述之麼縮前生胚薄片之製程之麼縮力係 1〜2_Pa、更加理想是2〜2_pa。在壓縮力變得過度小時，前述薄片收縮率（△〜pgl)係過度低，有無法得到本發明之效果之傾向發生。相反地，在麗縮力變得過度大時’有生胚薄片發生破壞之傾向發生。最好是使得前述塵縮製程之壓縮時間，成為5秒鐘〜 6〇分鐘’最好是使得廢縮溫度，成為5〇〜1〇〇。〇。在壓縮時間變得過度短時，前述薄片收縮率（△Pg/pgD係過度低，有無法得到本發明之效果之傾向發生。才目反地，在壓縮時間變得過度長時，有降低生產效率而破壞生胚薄片之傾向發生。此夕卜，在壓縮溫度變得過度短時，前述薄片收縮率（△ p g/ p gl)係過度低，有無法得到本發明之效果之傾向發生。相反地，在壓縮溫度變得過度高時，生胚薄片中之黏合劑係由於加熱而發生軟化，有不容易保持薄片形狀之傾向發生。最好是使得前述之壓縮前生胚薄片之厚度，成為 30//m、更加理想是2〜25"m。在壓縮前生胚薄片之厚度 2030-7113-PF; Ah.ddub 8 1310343 文㈣度料，有不容易提升由於廢縮所造成之薄片收縮率（△Pg/pgl)之傾向發生，在變得過度厚時，有不容易成形薄片而無法得到良好之薄片特性之傾向發生。最好是使用平均粒徑（D50直徑）成為〇·!〜！. 〇vm、更加理想是0.2〜。.8㈣之陶竟粉體，來作為前述陶莞粉體。在本發明，平均粒徑(D5〇直徑)係表示陶莞粉體之全體積之50%之平均粒徑，例如藉由JISR1 629等而進行定

義。此外，前述陶究粉體之平均粒徑（D5〇直徑）係表示前述生胚薄片中之實際含有之狀態之平均粒徑，例如在粉碎原料粒子之狀態下，使得該粉碎後之平均粒徑，成為前述範圍内。在前述陶瓷粉體之平均粒徑（D5〇直徑）變得過度小時，有不纟易提升由於壓縮所造成t薄片&縮率^

Pgl)之傾向發生，在變得過度大時，有惡化薄片之表面狀態之傾向發生。最好是使得前述之壓縮前生胚薄片中之前述黏合劑樹脂之含有量相對於前述陶瓷粉體1〇〇質量份而成為4〜6. 5 質罝份、更加理想是4〜6質量份。在前述之壓縮前生胚薄片中之黏合劑樹脂之添加量變得過度少時，在薄片之成形加工上，有無法得到充分之接著強度之傾向發生，在變得過度多時’由薄片之強度變得過度高之傾向發生。最好是還具有：準備含有前述陶瓷粉體、前述黏合劑樹脂和溶劑之生胚薄片用塗料之製程；以及使用前述生胚溥片用塗料而成形前述之壓縮前生胚薄片之製程；前述黏 2030-7113-PF;Ahddub 9 1310343 合劑樹脂係以丁縮藤系樹脂作為主成分之樹脂，前述溶劑係包含：良好地溶解前述黏合劑樹月旨之良好溶媒以及對於 =述黏合騎脂之溶解性比起前述良好溶媒還更加低之弱溶媒；並且，前述弱溶媒係相對於溶劑整體而含有在2〇〜 60質量！之範圍内。在本發3月’所謂弱溶媒係定義成為：％全不溶解黏合 :樹脂之溶媒、或多少溶解但是幾乎不溶解之溶媒、或者是不溶解但是進行膨潤之溶媒。相對於此，所謂良好溶媒係弱溶媒以外之溶媒、良好地溶解黏合劑樹脂之溶媒。曰在本發明’可以藉由在良好溶媒以外，還含有前述既定1之弱溶媒’來作為前述溶劑，而提高薄片之切斷性或薄片之通氣性’可以達到處理性之更進一步之提升，特別疋此约提高接著強度。此外，在本發明，可以藉由含有前述既定量之弱溶媒，來作為前述溶劑，而使得前述之壓縮前生胚薄片之壓縮前薄片密度(Pgl)成為低密度化。可以藉由像這樣，壓縮‘ 岔度化之壓縮前生胚薄片，成為壓縮後生胚薄片，而增大壓縮前後之薄片密度之差異（心g)，能夠達到薄片收㈣ (△ p g/p gl)之提升。此外，在本發明，所謂生胚薄片之低密度化係表示例如使得使用相同密度之陶瓷粉體之狀熊下之成形後之生胚薄片之薄片密度變低。作為生胚薄片之低密度化之程度係並無特別限定，但是，例如使得前述之壓縮前生胚薄片之壓縮前薄片密度（pgi)相對於前逑陶2 粉體之密度（p 0)之比值（pgl/p 〇)，成為〇·5〜〇·Μ程 2030-7113-PF；Ahddub 10 !310343 度。則迷弱溶媒係最好是包含沸點更加古之溶媒，特別最好是含有甲苯、^〇良_溶媒酸、溶劑石腦油、工業用汽油、煤油本環：油精、〒基乙基笨中之至少一種。袞己酮、庚酮和乙此外’在包含礦油精（MSP)來好县，ν μ y不1下马弱溶媒之狀態下，最疋以礦油精單獨，相對於溶劑整滿15%之㈣… 合齊1整體而包含在多於7%、未

^之範圍内。在MSP之添加量 ^ 里茭仟過度少時，有惡化通乳性之傾向發生，在重雯侍過度多時，有降低薄片义表面平滑性之傾向發生。。則述良好溶媒係最好是醇，例如作為此種醇係例舉甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等。 ^在本實施例，弱溶媒係相對於溶劑整體而包含在最好是20〜60質量％、更加理想是2〇〜5〇質量％、纟至最好是 3〇 50質量％之範圍内。在該弱溶媒之質量％變得過度低時，有降低在溶劑中添加弱溶媒之效果之傾向發生，在變得過度高時，有惡化生胚薄片用塗料之過濾特性之傾向發生。最好是前述丁縮醛系樹脂係聚乙烯基丁縮醛樹脂，前述聚乙烯基丁縮醛樹脂之聚合度係1 000以上、17〇〇以上，樹脂之丁縮醛化度係大於64%、小於78%，殘留乙醯基量係未滿6%。在聚乙烯基丁縮醛樹脂之聚合度變得過度小時，有不容易得到充分之機械強度之傾向發生，在聚合度變得過度 2030-7113-PF;Ahddub 11 1310343 大時’有，惡化薄片化之狀態下之表面粗链度之傾向發生。此外，在聚乙烯基丁縮醛樹脂之丁縮醛化度變得過度低時有惡化對於塗料之溶解性之傾向發生，在變得過度高時，有惡化薄片之表面粗糙度之傾向發生。此外，在殘留乙醯基量變得過度多時，有惡化薄片之表面粗糙度之傾向發生。造本發明之生胚薄片係藉由前述任何一種方法而進行製本發明之電子元件之製造方法係具有：層積内部電極，生胚薄片而得到生胚晶片之製程；以及燒成前述生胚晶片之製程，·作為前述生胚薄片中之至少一部分係使用前述本發明之生胚薄片。在本發明之電子元件之製造方法，作為生胚薄片中之至少：部分係使用前述本發明之生胚薄片，因λ，能夠達到燒成前之生胚晶片之接菩強译七Α 、乃工接者強度或燒成後之層積體之破裂之減少或者是處理性之提升。在本發明之電子元件之製造方法，作為前述生胚薄片中之構成外側介電質層之外側生胚薄片之至少—部分係最好是使用本發明之生胚“。特収可以藉由使用本發明片/來作為外側生胚薄片’而提高燒成後之外側 | 1層（蓋部）之緻密性，能夠提高燒成前之生胚晶片或燒成後之層積體之破裂之減少或者是處理特性。Μ 一或者是本發明之電子元件之製造方法，具有：層積内部電極層和生胚薄片而得到生胚晶片之製程；以及燒成前 2030-7113-PF；Ahddub 12 1310343 述生胚晶片之製程’其特徵在於：將壓縮前之前述生胚薄片之壓縮前薄片密度（pgl)和壓縮後之前述生胚薄片之壓縮後薄片密度（pg〗）間之差異，表示成 P — p g 1，在前述生胚薄片，施加壓縮力，而使得作為該差異（△ p g)相對於前述之壓縮前薄片密度（p gl)之比值之薄片收縮率（△pg/pgl)，成為1%以上。在本發明之電子元件之製造方法，前述生胚薄片係可以在含有於燒成前之生胚晶片之狀態下，進行壓縮而成為 Φ前述既定範圍之薄片收縮率（△ ρ g/ p gl)。因此，例如也可以在前述生胚薄片之層積時，每丨片地壓縮薄片，此外，也可以一度壓縮層積後之内側層積體及外側層積體，或者是在燒成前之生胚晶片之狀態下，一度壓縮複數片之薄片。最好是在本發明之電子元件之製造方法，在前述外側 - 生胚薄片，施加壓縮力，而使得前述生胚薄片中之構成外側介電質層之外側生胚薄片之薄片收縮率，成為1%以上。特別是可以藉由在外侧生胚薄片，施加壓縮力，來使得薄片收縮率（八)〇2/0§1)成為1%以上，而提升燒成後之外側介電質層（蓋部）之緻密性，能夠提高燒成前之生胚晶片或燒成後之層積體之破裂之減少或者是處理特性。作為藉由本發明所製造之電子元件係並無特別限定，但是，例舉層積陶竟電容器、壓電元件、晶片電感器、其他之表面構裝（SMD)晶片型電子元件。 ° 13 2030-7113-PF；Ahddub

:1310343 【發明之效果】在藉由本發明時， r Λ .,、徒供—種藉由前述薄片收縮率 C△ p g/ p g 1)控制成兔 ^,越成為既定範圍而具有良好之薄片之切斷性（可切斷之強度）、&丄7 ^ 之薄片之通氣性和良好之處理性、特別是高接著性（剝雕5$度）之生胚薄片。此外，在藉由本發明時’可以提供— /、種使用此種生胚薄片之電子元件之製造方法。 φ 【實施方式】以下’根據圖式所示之實施形態*說明本發明。首先，作為使用本發明之生胚薄片所製造之電子元件之某-實施形態係就層積陶竞電容之整體構造而進行說正如圖1所示，該層積陶兗電容！係具有内側介電質層2和内部電極層3交互地層積之構造之電容元件本體 10。在該電容元件本冑10之兩側端部，形成分別導通於交互地配置在兀件本體10内部之内部電極層3之一對端子電極4。在電容元件本體10之形狀，並無特別限制，伸是：通常成為長方體狀。此外，也在其尺寸，並無特別限：，可以配合於用途而成為適當之尺寸，但是，通常成為縱長曰：5.6mm、^0.6〜3_2nini)x”(〇.3〜5.〇_i • 6mm) 好疋0. 3〜1. 6mm)χ厚度（〇. 1〜1. 9mm、最好是〇 3一程度。露内部電極層3係進行層積而使得各個側端面 2030-7113-PP;Ahddub 14 ;1310343 出於電容元件本體10呈對向之2個端部之表面。一對端子電極4係形成在電容元件本體1〇之兩端部，連接在交互地配置之内部電極層3之露出端面，構成電容電路。在電容元件本體1〇,在内部電極層3及内側介電質層 2之層積方向之兩外側端部，配置外側介電制2〇，保護疋件本體1 0之内部。介電質層2及20 在本發明’⑽介電質層2及外側介電制2()之組成係並無特別限定’但是’例如藉由含有鈦酸鈣、鈦酸锶及/ 或鈦酸鋇等之介電質材料之介電質竟器組合物而構成。此外’圖1所示之内侧介電質層2之層積數或厚度等 =各種條件係、可以配合於目#或用途@適當地決定，但是’在本實施形態，内側介電質層2之厚度係薄層化至】㈣〜50㈣程度、最好是^以下、更加理想是以下。此外，外側介電質層20之厚度係例如成為1〇〇^〜數百β m程度。内部電極層3 含有於内部電極層3之導電材係並無特別限定，但是’内側介電質層2之構成材料係具有耐還原性，因此，能夠使用賤金屬。Μ使用料^電材之賤金屬係最好是 Ni、Cu、Ni合金或Cu合金。在内部電極層3之主成分成為Ni之狀態下，得到所謂燒成於低氧分壓（還原氣氛）而不還原介電質之方法。另-方面’也得到其組成比不偏離於化學計量組成而不還原介電質等之方法。 15 2030-7113-PF;Ahddub 010343 内部電極層3之厚♦& 定，但是，通常成為^配合於用途等而適當地決馬〜程度。端子電極4 含有於端子電極+ 2 通常使用Cu或Cw/電材係並無特別限定，但是，者是Ni或Ni合金等。此外，也

J 以使用 Ασ、r>j A α #, &金等。此外，在本實施形態，可以使較宜之Ni,或這些之合金。 /子電極之厚度係可以配合於用途等而適當地決定，最好是通常成為10〜50"m程度。層積陶瓷電容之製造方法接著’就本發明之某-實施形態之層積陶瓷電容之製造方法而進行說明。在本實施形態之製造方法，首先，在燒成後，製造構成圖1所不之内側介電質層2及内部電極層3之内體100。接著，在内側層積體1〇〇之層積方向之外侧兩端部，層積構成圖1所示之外側介電質層2〇之外側層積體 200’成為圖3所示之生胚薄片層積體3〇〇,將該層積體切斷成為既定之尺寸’在成為生胚晶m，進行脫黏合劑處理及燒成。生胚薄片用塗料之製作首先，製作用以將形成内側介電質層2及外側介電質層20之各個生胚薄片（内側生胚薄片及外側生胚薄片）予以製造之生胚薄片用塗料。生胚薄片用塗料係藉由混練介電質原料（陶瓷粉體）和 2030-7113-PF；Ahddub 16 1310343 有機展色料所得到之有機溶劑系塗料而構成。作為介電質原料係可以由複合氧化物或氧化物所構成之各種化合物、例如碳酸鹽、石肖酸鹽、氯氧化物、有機金屬化合物等而適當地選擇，進行混合及使用。作為生胚薄片用塗料之介電質原料（陶竞粉體）係最好是平均粒徑（D50直徑）0.1〜Up、更加理想是0.2〜〇·8 程度在本實施形態’所謂平均粒徑（D5〇直徑）係表示陶竟粉體之全體積之50%之平均粒徑，例如藉由jisri629 •等而進行定義。在陶瓷粉體之平均粒徑（D5〇直徑）變得過度小時’有不容易提升由於壓縮所造成之薄片收縮率（心 g/pgl)之傾向發生’在變得過度大時，有惡化薄片之表面狀態之傾向發生。所謂有機展色料係黏合劑樹脂溶解在有機溶劑中。作為使用在有機展色料之黏合劑樹脂係在本實施形態，使用聚乙烯基丁縮醛樹脂。聚乙烯基丁縮醛樹脂之聚合度係 1 000以上、1700以下、最好是14〇〇〜17〇〇。此外，樹脂 •之丁縮醛化度係大於64%、小於78%、最好是大於64%、7〇% 以下’其殘留乙醯基量係未滿6%、最好是3%以下。聚乙稀基丁縮盤樹脂之聚合度係可以藉由例如成為原料之聚乙烯基縮醛樹脂之聚合度而進行測定。此外，丁縮醛化度係例如可以按照JISK6728而進行測定。此外，殘留乙醯基量係例如可以按照jISK6728而進行測定。在聚乙烯基丁縮酸樹脂之聚合度變得過度小時，例如在對於生胚薄片進行薄層化至5#m以下、最好是以 2030-7113-PF;Ahddub 17 1310343 下程度之狀態下，有不容易得到充分之機械強度之傾向發生。此外，在聚合度變得過度大時，有惡化薄片化之狀態下之表面粗糙度之傾向發生。此外，在聚乙烯基丁縮醛樹脂之丁縮醛化度變得過度低時，有惡化對於塗料之溶解性之傾向發生，在變得過度高時，有惡化薄片表面粗糙度之傾向發生。此外，在殘留乙醯基量變得過度多時，有惡化薄片表面粗糙度之傾向發生。使用在生胚薄片用塗料之有機展色料之有機溶劑係最 #好是包含：良好地溶解黏合劑樹脂之良好溶媒以及比較於良好溶媒而使得對於黏合劑樹脂之溶解性還變得比較低之弱溶媒，弱溶媒係相對於溶劑整體而包含在2〇〜6〇質量％之範圍内。並且，弱溶媒係包含沸點更加高於良好溶媒之高沸點之溶媒。 •良好溶媒係例如醇，弱溶媒係包含甲苯、二甲苯、礦油精、苄基乙酸、溶劑石腦油、工業用汽油、煤油、庚酮和乙基苯中之至少一種。作為良好溶媒之醇係例如例舉甲響醇、乙醇、丙醇、丁醇等。此外，在包含礦油精（MSP)來作為弱溶媒之狀態下，最好是以礦油精單獨，相對於溶劑整體而包含在多於7%、未滿15%之範圍内。在MSP之添加量變得過度少時，有惡化通氣性之傾向發生，在添加量變得過度多時，有降低薄片之表面平滑性而不容易厚膜化之傾向發生。弱溶媒係相對於溶劑整體而包含在最好是2〇〜6〇質置％、更加理想是20〜50質量％、甚至最好是3〇〜5〇質量％ 2030-7113-PF；Ahddub 18 1310343 之範圍内。在該弱溶媒之質量％變得過度低時，有惡化通氣性之傾向發生，在變得過度高時，有惡化過濾特性而在薄片成型上無法得到適當之塗料之傾向發生。在本實施形態，能夠藉由使得包含於生胚薄片用塗料

之弱溶媒之含有量成為20〜60質量％而使得壓縮前生胚薄片之壓縮前薄片密度（p gl)成為低密度化。接著，可以藉由對於像這樣低密度化之壓縮前生胚薄片，來進行壓縮，成為壓縮後生胚薄片，而提高壓縮前後之薄片密度之差異 (△々2)以及後面詳細敘述之薄片收縮率（^/)以^^1)，能夠更進一步地提高本發明之作用效果。在本實施形態，可以在生胚薄片用塗料中，和黏合劑樹脂一起添加二甲苯系樹脂，來作為黏著賦予劑。二甲笨系樹脂係相對於陶瓷粉體100質量份而添加在1〇質量％以下、更加理想是（M以上、10質量％以下、特別最好是0 大於〇」、U質量%以下之範圍。在二甲苯系樹脂之添加量變得過度少日寺，有降低接著性之傾向發生。此外，在該添加量變得過度多時，提高接著性，但是，有薄片之表面粗糙度變粗、不容易進行許多之層積同時降低薄片之抗拉強度而降低薄片之處理性之傾向發生。 J Μ隹生胚溥片用塗料中，配合八# π 、而要而含有由各穿 …、可塑劑、除帶電劑、介電質，燒結料、… 體等之所選出之添加物。、、' 在本實施形態，作為分散劑係並無特別限定，彳曰是最好疋使用聚乙烯乙二醇系之非離子丨玉刀政劑，其親7 2030-7113-PF;Ahddub 19 ;1310343 性.親油性平衡（HLB)值係5〜6。分散劑係相對於陶瓷粉體100質量份而添加最好是〇.5質量份以上、丨.5質量份以下、更加理想是〇. 5質量份以上、丨.〇質量份以下。在HLB脫離前述範圍時，有增大塗料黏度同時增大薄片表面粗糙度之傾向發生。此外，在並非聚乙烯乙二醇系之非離子性分散劑之分散劑，增大塗料黏度同時增大薄片表面粗糙度，或者是降低薄片延展性，因此，變得不理想。在分散劑之添加量變得過度少時，有增大薄片表面粗糙度 •之傾向發生，在變得過度多日夺’有降低薄片抗拉強度及堆疊性之傾向發生。在本實施形態，作為可塑劑係最好是使用二辛基苯二曱酸，相對於黏合劑樹脂丨00質量份而含有最好是4〇質量份以上、7〇質量份以下、更加理想是40〜60質量份。比 * 較於其他可塑劑，二辛基苯二甲酸係理想於薄片強度及薄片延伸兩者之方面，來自支持體之剝離強度變小而容易剝離，因此，變得特別理想。此外，在該可塑劑之含有量變攀得過度少時，有薄片之延伸變小而可換性變小之傾向發生。此外’在含有量變得過度多時’由薄片開始流出可塑劑’有容易發生可塑劑對於薄片之偏析而降低薄片之分散性之傾向發生。此外，在本實施形態，在生胚薄片用塗料，相對於介電質粉體100質量份而含有水i質量份以上、6質量份以下、最好是1〜3質$份。在水之含有量變得過度少時，有由於吸濕所造成之塗料特性之經時變化變大同時增大塗料 2030-7113-PF；Ahddub 20 1310343 黏度之傾向發生，有惡化塗料之 AI .. 過/慮特性之傾向發生。此，在水之含有量變得過度多降而使得分散性變差來惡化薄片：：生塗料之分離或沉生。乃之表面粗糙度之傾向發此外在本實施形態，相f$ 而添加@+於介電質粉體100質量份叩添加/工糸〉谷劑、工業用汽、小/ / 煤油和溶劑石腦油内之至少任何一種、最好是3 f量份円之至理,…，胃置“上、15質量份以下、更加理想疋5〜1 〇質量份。可以藉 Η ^ ^ ± "〗、、加廷些添加物而提高薄月強度及溥片表面粗糙度。在声小。二添加物之添加量變得過 X、’〜加之效果變少’在添加量變得過度多時，相反地’有惡化薄片強度及薄片表面粗輕度之傾向發生。 3黏合劑樹脂係相對於陶兗粉體100質量份而含有最好，4〜6. 5質量份、更加理想是4〜6質量份。在該黏合劑樹脂之添加量變得過度少時，有所謂無法得到在薄片成型·加工上之充分之強度或接著性之傾向發生，在變得過度夕日τ ’有薄片強度變得過度高之傾向發生。此外，在陶瓷粉體和黏合劑樹脂及可塑劑間之合計之體積成為100體積％之狀態下，介電質粉體所佔有之體積比例係最好是62· 42%以上、72. 69%以下、更加理想是63. 93% 以上、7 2. 6 9 %以下。在該體積比例變得過度小時，有容易备生黏合劑之偏析而使得分散性變差之傾向發生，有惡化表面粗糙度之傾向發生。此外，在體積比例變得過度大時，有降低薄片強度同時惡化層積時之接著性之傾向發生。此外，在本實施形態，在生胚薄片用塗料，最好是含 2030~7113-PF；Ahddub 21 1310343 '彳帶電除劑’該帶電除劑係最好是咪唑啉系帶電除劑。在帶電除劑成為咪唾啉系帶電除劑以外之狀態下，有帶電除去效果變小同時惡化薄片強度、薄片延展性或接著性之傾向發生。 θ帶電除劑係相對於陶兗粉體100質量份而成為〇1質量，以上、0.75質量份以下。更加理想是包含〇 25〜〇 5 質置份。在帶電除劑之添加量變得過度少時，帶電除去之效果變小’在變得過度多時，有惡化薄片之表面粗縫度同 •時惡化薄片強度之傾向發生。在帶電除去之效果變小時，在由陶瓷生胚薄片來剝離作為支持體之載體薄片時等，容易發生靜電，容易發生在生胚薄片產生皺紋等之意外。為了調整生胜薄片用塗料，因此，首先，藉由球磨機等而將H粉體分散在漿體巾（顏料分散製程）。該顏料分散製程係也同時是陶兗粉體（顏料）之破碎製程，其進行度係也可以知道是陶瓷粉體之平均粒徑之變化。、接著，在包含該陶竟粉體之漿體’添加分散劑及其他，添加物’進行分散，得到分散塗料（分散劑之添加及分散製程）。最後，藉由在該分散塗料，添加及混練黏合劑樹脂 (樹脂混練製程）而製造本實施形態之生胚薄片用塗料。接著，使用藉由前面敘述所得到之生胚薄片用塗料，製造圖3所示之内側層積體1〇〇及外側層積體200。内侧層積體100之製造正如圖3所不，内側層積體100係藉由交互地層積壓縮後内側生胚薄片2b及内部電極層3而製造之生胚狀態之 22 2030-7113-PF/Ahddub

；1310343 層積體。之壓縮後内側生 2a予以壓縮而製在本實施形態，構成内侧層積體i00 胚薄片2b係藉由將壓縮前内側生胚薄片造之生胚薄片。以下，就内側層積體100之製造方法而進行說明。二先’使用藉由前面敘述所得到之生胚薄片用塗料，刀法等，而正如圖2所示，在作為支持體之载體薄 L之厚/最好是°.5〜3一、更加理想是。.5〜程又之厚度，來形成内側生胚薄# 2a。内側生胚薄片“ 係在形成於載體薄片30後，進行乾燥。内側生胚薄片之乾燥溫度係最好是5〇叫時間係最好是卜2()分鐘。乾燥後之内側生胚薄片之= 係比較於乾燥前’還更加收縮5〜25%之厚度。乾燥後之壓縮則内側生胚薄片23之厚度係最好是3…下。接著，在壓縮前内側生胚薄片仏之某一邊之表面，妒成圖1所示之内部電極層3。作為内部電極層3之^

=並無特別限定，但是，例舉印刷法、薄膜法、轉印I 在本實施形態，在層積壓縮前由既定之壓縮力而壓縮生胚薄片，片2b。也就是說，正如圖3所示’ 交互地層積内部電極層3和壓縮後，父互地層積形成内部電極層 ’形成内側層積體1 〇〇。然後’正如圖3所示之屢縮前内側生胚薄片2 a 内側生胚薄片2a時，藉成為壓縮後内側生胚薄内側層積體100係成為内侧生胚薄片2b之層積 2030-7113-PF;Ahddub 23 1310343 體。此外’在本實施形態’最好是使得壓縮前内側生胚薄片2a之壓縮前薄片密度（pgi)和壓縮後内側生胚薄片2b 之壓縮後薄片密度（pg2)，成為以下之關係。也就是說，在本實施形態，使得藉由壓縮前薄片密度 (P gl)和壓縮後薄片密度（p g2)間之差異p g : p g =Pg2— pgl)除以壓縮前薄片密度（pgl)所求出之薄片收縮率（△pg/pgl)成為1%以上、最好是12%以上、更加理想是1 _ 3%以上。可以藉由使得薄片收縮率（△ p g/ p gl) φ 成為前述範圍而提高壓縮後内側生胚薄片2b之處理性月t*、特別是接著性（剝離強度）。因此，能夠提高由内側生胚薄片2b和内部電極層3所構成之内側層積體1〇〇以及生胚薄片層積體300之處理性等。在壓縮生胚薄片時之壓縮力係最好是1〜2〇〇Pa、更加 • 理想是2〜2〇〇Pa。在壓縮力變得過度小時，有前述薄片收縮率（△ p g/ P g 1 )變得過度低而無法得到本發明之效果之傾向發生。相反地，在壓縮力變得過度大時，有破壞生胚薄片之傾向發生。作為其他之壓縮條件係壓縮時間最好是5秒鐘〜1 2〇刀鐘、更加理想是5秒鐘〜60分鐘、屋縮溫度最好是5〇 1 0 0 C、更加理想是6 〇〜1 〇〇。在壓縮時間變得過度短時，有前述薄片收縮率（△pg/pgl)變得過度低而無法得到本發明之效果之傾向發生。相反地，在壓縮時間變得過度長時，有降低生產效率之傾向發生。在壓縮溫度變得過度低時，有則述薄片收縮率（△ p g/ p gl 乂變得過度低而無 2030-7113-PF；Ahddub 24 1310343 法得到本發明之效果之傾向發生。相反地，在壓縮溫度變 v過度尚時，有生胚薄片中之黏合劑由於加熱來發生軟化而不容易保持薄片形狀之傾向發生。在本實施形態，就壓縮前薄片密度（p gl)和壓縮後薄片密度（pg2)而言，可以使得薄片收縮率成為則述之既定範圍内，並無特別限制，但是，壓縮前薄片密度（P gl)係最好是低密度。可以藉由使得壓縮前薄片密度（Pgl)成為低密度化而增大壓縮前後之薄片密度之差異 (△pg)，能夠達到薄片收縮率（△ pg/pgl)之提升。此外，在本實施形態，所謂生胚薄片之低密度化係表示例如減低在使用相同密度之陶竟粉體之狀態下之成形後之生胚薄片之薄片密度。作為生胚薄片之低密度化之程度係並無特別限定’但是’例如使得前述之壓縮前生胚薄片之壓縮前薄片密度（pgl)相料前述陶£粉體之密度（㈣之比值（P gl/p 0)成為0· 5〜〇· 65程度。外側層積體200之製造接著’製造圖3所示之外側層積體200。正如圖3所示，外側層積體2〇〇係由複數片之壓縮後外側生胚薄片20b所構成之生胚狀態之層積體。在本實施形態’構成外側層積體2〇〇之複數片之壓縮後外側生胚薄片20b係藉由將壓縮前外側生胚薄片心予以壓縮而製造之生胚薄片。以下，就外側層積體2〇〇之製造方法而進行說明。首先，使用藉由前面敘述所得到之生胚薄片用塗料， 2030-7113-PF;Ahddub 2ς •1310343 藉由刮刀法等’而正如圖2裕-, 所不’在作為支持體之載體薄片30上，以最好是1〜μ 、更加理想是2〜25em程度之厚度’來形成壓縮前外側生胚薄片心。外側生胚薄片 2〇&係在形成於載體薄片⑽後，進行乾燥’然、後，進行剝離。載體薄片30係例如藉由m薄膜等而構成。外侧生胚薄片2〇a之乾燥溫度係最好是50〜1〇〇。(：，乾燥時間係最好是1〜20分鐘。乾燥後之外側生胚薄片之厚度係峰於錢前，較加㈣5〜25%之厚度。乾燥後之壓縮前外側生胚薄片2〇a之厚度係最好是ι〇"以上。接著’層積得到之壓縮前外側生胚薄片2()a，製造圖3 所示之外侧層積體2〇〇。

在本實施形態，在層積壓縮前外側生胚薄片2〇a時，藉由既定之壓縮力而壓縮生胚薄#，成為壓縮後外侧生胚薄片20b。也就疋說’正如圖3所示，外侧層積體綱係由複數片之壓縮後外側生胚薄片2〇b所形成之層積體。此外，在本實施形態，最好是使得壓縮前外側生胚薄片之壓縮前薄片密度（pgl)和壓縮後外側生胚薄片之壓縮後薄片密度（p g2) ’成為以下之關係。也就是說，在本實施形態，使得藉由壓縮前薄片密度 (Pgl)和壓縮後薄片密度（j0g2)間之差異（Apg: =Pg2 — pgl)除以壓縮前薄片密度（pgl)所求出之薄片收縮率（八0运/;〇61)成為1%以上、最好是1.2%以上、更加理想是1. 3%以上。可以藉由使得薄片收縮率（△ p g/ p gl ) 成為前述範圍而提高壓縮後外側生胚薄片2 〇 b之處理性 2030-7113-PF;Ahddub 26 1310343 月匕、特別疋接著性（剝離強度）。因此，能夠提高由外側生胚薄片20b所構成之外側層積體2〇〇以及生胚薄片層積體 300之處理性等。特別是外側介電質層2〇係使用具有比較厚之膜厚之外側生胚薄片而進行製造，因&，要求高接著哇（剝離強度）等之良好之處理性能，所以，變得有效。此外’在Μ縮外側生胚薄片時之M縮力、壓縮時間及塵縮溫度係可以是㈣於内側生胚薄片之同樣條件。 #

此外，壓縮前外側生胚薄片20a之壓縮前薄片密度（p gl)係相同於内側生胚薄片而最好是成為低密度化。接著，正如圖3所示，在藉由前面敘述所製造之内側層積體m之層積方向之外側兩端部，層積藉由前面所製造之外侧層積體2〇〇，得到生胚薄片層積體3〇〇。接者，將像這樣得到之生胚薄片層積體_， ^既疋之層積體尺寸’在成為生胚晶片後，進行脫黏合劑 -理及燒成。接著，為了再氧化介電質層2 進行熱處理。此’ 脫黏合劑處理係可以進行於通極層之導電體材料使…“合金等之賤:屬：心下’特別最好是進行於下列之條件。升溫速度：5〜300口小時、特別是U)〜5(TC/小時保持溫度：200〜40(TC、特別是25〇〜35〇t：，持時間：0.5〜20小時、特別是卜1〇小時氣氛：加濕之N2和H2之混合氣體燒成條件係最好是下列之條件。 2〇30-7113-pp;Ahddub 27 :1310343 升溫速度：5 0〜5 0 0 °C /小時、特別是2 〇 0〜3 0 0 °C /小時保持溫度：11 0 0〜1 3 0 0 °C、特別是丨丨5 〇〜丨2 5 〇 °c 保持時間：0. 5〜8小時、特別是1〜3小時冷卻速度：5 0〜5 0 0。(3 /小時、特別是2 〇〇〜3 0 0 °C /小氟氛氣體：加濕之N2和Η 2之混合氣體但是，燒成時之空氣氣氛中之氧分壓係最好是進行於

10 Pa以下、特別是10-2〜1(r8Pa。在超過前述範圍時，有氧化内部電極層之傾向發生，並且，在氧分壓變得太過度低日寸，有内部電極層之電極材料引起異常燒結而中斷之傾向發生。在進行此種燒成後之熱處理係最好是保持溫度或最高溫度成為理想100(rc以上、更加理想是1〇〇〇〜n〇〇t而進订。熱處理時之保持溫度或最高溫度係在未滿前述範圍，介電質材料之氧化變得不充分，因此，有絕緣電阻壽命變短之傾向發生，在超過前述範圍日夺，不僅是氧化内部電極之心而降低電容，並且，也有反應於介電質基底而壽命也變短之傾向發生。在熱處理時之氧分壓係更加高於燒成時之還原氣氛之氧分Μ，最好是lG—3〜1Pa、更加理想是2 IPa。在未滿前述範圍’不容易進行介電質層2之再一化，在超過前述範圍時’有氧化内部電極層3之傾向發生氧接著’其他之熱處理條件係最好是τ列之條件。 ° 保持時間：0〜6小時、特別是卜5小時 2030-7113 -PF;Ahddub 1310343 ~部速度.50〜50(Tc /小時、特別是1〇〇〜3〇(rc /小時氣氛用氣體：加濕之&氣體等此外A 了加濕n2氣體或混合氣體等，因此，例如可以使用濕化器等。在該狀態下，水溫係最好是〇〜饥程又卜脫黏口劑冑王里、燒成及熱處理係可以分別連續料行，也可明立地進行。在連續地進行這些之狀態下，最好是在脫黏合劑處理德 w处里傻不進仃冷卻而改變氣氛，接著，升溫至燒成時之保持溫度為止，進行燒成，然後’進行冷卻’在達到至熱處理之保持溫度時，改變氣氛，進行熱處里另$面，纟獨立地進行這些之狀態T，最好是在燒成時，在N2氣體或加濕之N2氣體之氣氛下而升溫至脫黏合 j處理時之保持溫度為止後，改變氣氛*還持續地進行升、最好疋在冷*至熱處理時之保持溫度為止後，再度改變成為N2氣體或加濕之n2氣礼體之軋巩而持續地進行冷卻。此外’可以在執虛理主 '、、、處理時’在N2氣體氣氛下而升度為止後，改蠻濟今山叮主俅符皿

、支虱巩，也可以使得熱處理之全過程，成A 加濕之N2氣體之氣氛。 ’’’、在像這樣得到之燒結體(元件本體10)，例如藉研1、喷砂等而施行端面之研磨，_ a/ + f π 形成端子電極4。端子電二：〜'“子電極用塗料，如在加濕之…子電極用塗料之燒成條件係最好是例 2扒之混合氣體中，在600〜8001& 汕分鐘〜1小時巷声盐朴 _C，成為極4上，進行電二：配合於需要，藉由在端子電 …又而形成銲墊層。此外，端子電極用塗 2〇3〇-71I3-PP;Ahddub 1310343 料係可：相同於前述之電極材料而進行調製。像樣製造之本發明夕爲& ^ mp Λ Bp s 層積陶瓷電容係藉由銲錫等而再忒在印刷電路基 f踢#而孚❹在各種電子機器等。發明之/本發明係並非限定於前述實施形態，可以在本發明之乾圍内，進行各種之改變。了以在本 ' 如本發明之方法係並非限定在層積此也外可以適用作為其他之層積型電子元件之製造上: U —在前述之實施形態，在各個之層積時，摩以内貝1生胚薄片及外側生胚薄片，P是，4 b 、5 之壓缩係T 仁疋，廷些之各個生胚薄片 i細係可以進行在形成内側層積體1()Q 200後、❹…q 曰㈣1〇〇或外側層積體或者疋在形成生胚薄片層積體300後。二卜，在前述實施形態，作為内側生胚薄片及外側生薄片係使用薄片收縮率(△ —gl)成為1%以上之生胚 /片’但是’在發揮本發明之作用效果之範圍内，可以成為使用薄片收縮率（心❼⑴⑽上之生胚薄片來作為内側生胚薄片或外側生胚薄片中之任何一種或各個生胚薄片中之至少一部分。【實施例】以下，還根據詳細之實施例說明本發明，但是，本發明係並非限定於這些實施例。實施例1 a 厚膜生胚薄片用塗料之製作使用BaTiOs粉體（BT—〇5B/堺化學工業（股）公司），來作為陶瓷粉體之起始原料。準備相對於該BaTi〇3粉體ι〇〇 2030-7113-PF；Ahddub 30 • 1310343 質！份而成為(Bn)·: l 48質量份、Μ: ι 〇ι 質里知 MgC〇3 · 〇· 72 質量％、〇2〇3 : 〇· 13 質量％及 V2〇5 : 〇· 045質量％之陶瓷粉體副成分添加物。首先’藉由球磨機而僅混合副成分添加物，成為漿體匕也就疋°尤，藉由球磨機而對於副成分添加物（合計量 8. 8g)和乙醇_ 6g、n—丙醇：6g、二曱苯：和分散劑 (〇_ lg)，來進行20小時之預備粉碎。作為黏合劑係使聚乙缚基丁縮搭樹脂/pvB)之

15%漆（藉由乙醇/n一丙醇=i : i而溶解積水化學公司製 BH6)。此夕卜’作為分散劑係使用聚^乙二醇系之非離子性分散劑（HLB= 5〜6)。接著，相對於BaTi〇3 : 191. 2g而添加副成分添加物之預備粉碎漿體和乙醇：37g、n —丙醇：37言、二曱苯+甲苯： 50g、礦油精（MSP) : 15g、作為可塑劑成分之D〇p(二辛基苯二甲酸）：6g、作為分散劑之聚乙烯乙二醇系之非離子性 7刀散劑（HLB=5〜6): i.4g'BH6(聚乙烯基丁縮醛樹脂/PVB) 之1 5/◦漆（藉由乙醇/n —丙醇=丨：^而溶解積水化學公司製 BH6)作為固態成分之6質量％(作為漆添加量係8〇g)。然後，藉由該分散塗料成為2〇小時，利用球磨機來進行混合’而成為陶竟塗料（厚膜生胚薄片用塗料）。在本實施例，在分散於塗料後之陶瓷粉體之平均粒徑（D50直徑）係〇· 767 // m。所謂])5〇直徑係表示陶瓷粉體之全體積之50% 之平均粒彳至’例如藉由jisr1629等而進行定義。該粒徑係藉由日機裝股份有限公司製之Microtrack(微執道）HRA而 2030-7113-PF;Ahddub 31 1310343 進行測定。作為該陶瓷塗料所包含之黏合劑樹脂之聚乙烯基丁縮路樹脂之聚合度係14〇〇，其丁縮醛化度係69%± 3%，殘留乙酿基量係3± 2%。該黏合劑樹脂係相對於陶瓷粉體（包含陶兗粉體副成分添加物）1〇〇質量份而成為6質量份，來包含於陶兗塗料中。 ^ 」望劑之U叶係相對於黏合劑樹脂ι〇〇質

量份而成為50質量份，來包含於陶究塗料中。作為分散劑之聚乙稀乙二醇系之非離子性分散劑係、相對 10。質量份而包含"質量份。甸“體此外，正如表丨所示，在塗料中，包含作為^ 相對於溶劑整體而為良好 >谷媒之乙醇及η_丙醇6〇4質量%，包含9上貝里/〇之成為弱溶媒—部分之MSp , . 說’ * MSP+二曱苯+甲苯所構成之弱溶媒：：: 整體而包含3 9. 6質量％。 ^於/谷劑 2030-7113-PF；Ahddub 32 1310343 'W&fTa 實施例lbi^TTdi^flg ttSSfib IM】弱溶媒量 [wt%] MSP添加f [wt%] 9 29.7 38.6 溶媒資料 MSP以外之弱溶媒 •甲苯+甲^ -甲苯+甲f 二曱苯曱苯+甲< 二甲苯+甲< 二曱苯 -甲苯+甲苯 -曱苯+甲苯二甲苯 ^苯·曱苯ΐ [wt%] 顏料物性 30.5 21.2 11.9 30.0 20.6 11.2 29.5 20.1 10.6 i#^fWMD50 [^m]

BT-05B

BT-05B BT-05B|ΐ^035" BT-035 BT-02 0.763 0.769 0.767 0.547 0.552 0.548 0.441

_M38 TW 溶劑中之弱溶媒量 [wt%] 塗料顏料 D50 [^m] pgl [g/cm3] Pg2 (壓縮力4MPa) [g/cm3] Apg [g/cm3] 薄片收縮率 (△Pg/pgl) [%] 剝離強度 [N/cra2]

藉由利用刮刀而將正如前面敘述所得到之塗料，塗敷 ^支持薄膜之PET薄膜（載體薄片）上，進行乾燥，來 ==前生胚薄片。此外’在本實施形態，使得生胚薄片之厚度成為10/zm。生胚薄片之壓縮使用四柱U壓成型機，作為I㈣裝置 4MPa、壓縮時間：i分鐘、壓縮在壓^力· 前面敘述所得収壓縮前生薄 ^條件而對於專片2片’來進行壓縮，得 2030-7113-PF；Ahddub 33 1310343 到由2片之壓縮後生胚薄片所構成之壓縮後生胚薄片層積體試料。壓縮前及壓縮後生胚薄片之薄片密度測定藉由前面敘述所製作之壓縮前生胚薄片及壓縮後生胚薄片之層積體試料之密度，求出壓縮前薄片密度及壓縮後薄片密度（p g2 )。此外，各個薄片密度（單位係 g/cm3)係由薄片之質量和體積之測定值而算出。接著性之剝離強度之測定

接著性之剝離強度（單位係N/cm2)係正如以下而進行評價。首先’準備藉由前面敘述所製作之壓縮後生胚薄片層積體試料。接著，在壓縮後生胚薄片層積體試料之表面，貼附雙面帶’使用Instron5543之拉引試驗機，沿著剝離方向，來拉引各組之薄片，測定剝離時之剝離強度。剝離強度越南’接著性越加良好。實施例1 b、1 c 除了正如表1所示而改變溶劑中之弱溶媒之一部分種類（二甲苯+甲苯或單獨二甲苯）及添加量以外，其餘係相同於實施例la ’製作陶瓷塗料。接著，使用得到之陶瓷塗料，相同於實施例1 a，製作壓縮前生胚薄片及壓縮後生胚薄片之層積體試料，測定各個薄片密度及剝離強度。將結果顯示在表1及表2。此外，在實施例lb及實施例lc，在分散於塗料後之陶瓷粉體之平均粒徑（D5〇直徑）係分別成為 0 · 7 6 9 // m、0 · 7 6 7 // m 〇實施例1 d〜1 f 2030-7113-PF;Ahddub 34 1310343

除了使用粒徑不同於實施例la所使用之BaTiCh粉體之不同粒徑之BaTiCh粉體（BT — 035/堺化學工業（股）公司）而正如表1所示來改變溶劑中之弱溶媒之一部分種類（二甲苯+甲苯或單獨二甲苯）及添加量以外，其餘係相同於實施例1 a ’製作陶瓷塗料。接著，使用得到之陶瓷塗料，相同於實施例1 a，製作壓縮前生胚薄片及壓縮後生胚薄片之層積體試料’測定各個薄片密度及剥離強度。將結果顯示在表1及表2。此外，在實施例1 d、實施例1 e及實施例 1 f ’在分散於塗料後之陶瓷粉體之平均粒徑（D5〇直徑）係分別成為 0. 547 # m、〇. 552 // m 及 0. 548 # m。實施例1 g、比較例丨a、i b 除了使用粒徑不同於實施例la所使用之BaTi〇3粉體之不同粒徑之BaTi〇3粉體（BT — 〇2/堺化學工業（股）公司）而正如表1所示來改變溶劑中之弱溶媒之一部分種類（二甲苯+甲笨或單獨二曱苯）及添加量以外，其餘係相同於實轭例1 a，製作陶瓷塗料。接著，使用得到之陶瓷塗料，相同於實施例1 a，製作壓縮前生胚薄片及壓縮後生胚薄片之層積體試料，測定各個薄片密度及剝離強度。將結果顯示在表1及表2。此外，在實施例1 g、比較例丨a及比較例 lb，在分散於塗料後之陶瓷粉體之平均粒徑（D5〇直徑）係分別成為 0_ 441 # m、0· 438 //m 及〇· 444 # m。評價1 正如表1及表2所示，薄片收縮率（△ p g/p gl)成為 1/〇以上之實施例la〜實施例lg係皆剝離強度成為ΙΟ" 2〇3〇-7li3-pF;Ahddub 35 1310343 以上，成為良好之結果。此外，在本實施例，薄片收縮率（△ P g/ P gl)係壓縮前薄片密度（p gl)和壓縮後薄片密度（p g2)間之差值（△ p g : △ p p g2 — p gl )相對於壓縮前薄片密度（p gl)之比值。另一方面，薄片收縮率（△ p g/ p g 1)未滿1 %之比較例 1 a及比較例1 b係皆剝離強度未滿1 〇N/cm2，成為接著強度變差之結果。此外’在本實施例，可以由表2及圖直到薄片收縮率（△ p g/p gl)成為5%程度為止，有薄片收縮率比較高者而剝離強度變高之傾向發生。可以由該結果而確認：能夠藉由進行生胚薄片之壓縮，來使得薄片收縮率（△Pg/Pgi)成為1%以上、最好是 1.2%以上，而提高生胚薄片之接著性（剝離強度）。此外，可以確認：能夠藉由利用分別比較使用相同之原料來作為BaTi〇3粉體之實施例ld〜lf及實施例ig、比較例UMb’而使得溶劑中之弱溶媒之添加量成為2〇〜6〇質量％、特別是30質量％以上，來采使仵壓刚溥片密度（p gi)成為低密度化’特別是能夠尺此约扼尚本發明之作用效果。也就是說，弱溶媒之添加量成為39. 1質量％之實施例

Id係可以比較於弱溶媒之添加 , 置禾滿30質量％之實施例 k、If，來更加降低壓縮前薄得乃在度（Pgl)，薄片收縮率係無關相同於實施例1 e、1 f之门拔 <同樣程度或者是變得若千板而成為剝離強度變高之結果。疋^付右干低此外，弱溶媒之添加量虑盔為38. 6質量％之實施例lg係 2〇30-71l3-PF；Ahddub 1310343 可以比較於弱溶媒之添加量未滿3〇質量％之比較例la以及未滿 2 0 g q/ 1 /0之比較例lb，來更加降低壓縮前薄片密度（p g 1 )，镇 y ' 收縮率係超過1%，成為剝離強度也超過10N/cm2 之結果〇 ° 。另—方面，特別是弱溶媒之添加量未滿20質量％式料係薄片收縮率未滿！％，成為剝離強度也未滿1⑽ 之結果。實把例1 a — 2、實施例丨b 一 2 除了分別使得在將壓縮前生胚薄片予以壓縮時之壓縮成為2MPa以外，其餘係相同於實施例1 &及1 b，製作壓縮後生胚薄片之層積體試料，測定各個薄片密度及剝離強度。將結果顯示在纟3。此外，在表3也一起顯示壓縮力成為4MPa之實施例1 a及1 b之結果。【表3】壓縮力 [MPa] /〇gl [g/cm3] Pg2 [g/cm3] △ pg [g/cm3] 薄片收縮率 [%] 剝離強度 [N/cm2] 實施例la 4 3.36 3. 51 0.15 4.46 9Q Q 貫跑例la-2 2 3. 36 Γ 3.49 0.13 3.87 uO, 0 23 q 實施例lb 實施例lb-2 4 3.43 3.56 0.13 3. 79 30 5 2 3. 43 3.53 _ 0.10 2.92 21.6 評價2 由表3而得知：即使是在壓縮力成為廳之實施例 la—2、ib-2,也相同於壓縮力成為指卜之實施例1&、 ib，薄片收縮率(△_“)係薄片收縮率超過ι%，成為剝離強度也㈣爾^之結果。可以由該結果而確切、. 即使是在改變麼縮力之狀態下，也達到本發明之作用效果。 2030_7113-PF;Ahddub •1310343 【圖式簡單說明】圖剖面圖係本發明之某一實施形態之層積陶瓷電容之概略圖2係使用在圖之要部剖面圖。 1所示之電容之製造過程之生胚薄片圖3係使用在圖丨所示之電容之製造過程之生胚薄片層積體之要部剖面圖。圖4係顯示薄片收縮率（△ p g/ p gl )和剝離強度間之 ^ 關係之圖形。【主要元件符號說明】

1〜層積陶瓷電容； 2〜介電質層； 3〜内部電極層； 2a、壓縮前内側生胚薄片； 4 端子電極； 2b、 '壓縮後内侧生胚薄片； 10- -元件本體； 20- -介電質層；〜載體薄片； 20a 〜壓縮前外側生胚薄片； 100 〜内側層積體； 20b 〜壓縮後外側生胚薄片； 200 〜外側層積體； 300 〜生胚薄片層積體。 2030-7113-PF；Ahddub 38

Claims

修正日期：97.11.6 许年1丨月〇(>日修(夷) 1. 一種生胚薄片之製造方法，包括·· 準備S有陶究粉體、丁縮搭系樹脂及溶劑的生胚薄片用塗料之製程；使用前述生胚薄片用塗製程；以及料使壓縮前生胚薄片成形之壓鈿刚述之壓縮前生胚薄片而得到壓縮後生胚薄片之製程，其特徵在於：月ίι述/谷劑包括醇類溶媒、以及弱溶媒；其中，前述弱溶媒包括礦油精，月IJ述礦油精的含量，相對於溶劑整體在多於7質量％未滿15質量％之範圍内，前述之塵縮前生胚薄片中，丁顏系樹脂之含有量相對於前述陶瓷粉體100質量份為4〜6·5質量份，將前述之壓縮前生胚薄片之壓縮前薄片密度（pgl) 和前述之I縮後生胚薄#之壓縮後薄片密度（以2)間之差= Pg)’表示成為心卜以2—⑽，使得作為該差異（△”）相對於前述之㈣前薄片密度（pgl)之比值之薄片收縮率（△Pg/Pd)，成為以上。 2_如申請專利範圍第！項之生胚薄片之製造方法，立中’以1〜20_a，來i縮前述之&縮前生胚薄片。 m 3·如申請專利範圍第，項之生胚薄片之製造方法，兑中’使得前述之厂堅縮前生胚薄片之厚度，成為卜3。/、 2030-7113-PF2 39

Θ曰 1310343 4.如申請專利範圍第1項之生胚薄片之夢造中’前述陶瓷粉體之平均粒徑（D5〇直徑）係〇 1 5.如申請專利範圍第1項之生胚薄片之製造中， n 前述弱溶媒更包括F苯、二甲笨、节基乙酸、腦油（so〗vent naphtha)、工業用汽油、煤油、辱庚酮、或乙基苯令的至少一種，相對於溶劑整體在質量％之範圍内。 6.—種電子元件之製造方法，包括：準備含有陶瓷粉體、丁縮醛系樹脂及溶劑的生用塗料之製程；使用前述生胚薄片用塗料使壓縮前生胚薄片製程；壓縮前述之壓縮前味脒μ % I滩刖玍胚4片而得到壓縮後生之製程，層積内部電極層和前述壓縮後生胚薄片而得片之製程；使前述生胚晶片脫黏合劑處口 4〜理之製程；以及燒成前述生胚晶片之製程，其特徵在於：前述溶劑包括醇類溶媒、以及弱溶媒；其中，前述弱溶媒包括礦油精，前述礦油精的含量，相對於溶劑整體在多於未滿15質置％之範圍内， 2030-7113-PF2 .方法，其 ’】.〇 " m。方法，其 •溶劑石 [己嗣、 2 0 〜6 0 胚薄片成形之胚薄片到生胚質量％、 40 1310343 前述之壓縮前生胚薄片中，丁縮醛系樹脂之含有量相對於前述陶瓷粉體100質量份為4〜6. 5質量份，將壓縮前之前述生胚薄片之壓縮前薄片密度（(〇§1) 和壓縮後之前述生胚薄片之壓縮後薄片密度（p g2)間之差異（Apg)，表示成為△i〇g=pg2_j〇gl，在前述生胚薄片，施加壓縮力，而使得作為該差異（△ p g)相對於前述之壓縮前薄片密度（pgl)之比值之薄片收縮率 p纪1) ’成為1%以上，前述脫黏合劑處理以5-30(TC/小時的升溫速度、 2〇〇’t的保持溫度、及G 5_2M、時的保持時間進行，前述燒成以5 0-50(TC/小時的升溫速度、11〇〇 —13〇〇〇c 的保持溫度、及Q 5_8小時的保持時間進行。 7 · —種電子元件之製造方法，包括：準備含有陶瓷粉體、丁縮醛系榭矛、树月曰及溶劑的生胚薄片用塗料之製程；使用前述生胚薄片用塗料#懕乂製程；土卄使壓鈿别生胚薄片成形之而得到壓縮後外侧壓縮前述之壓縮前外側生胚薄片生胚薄片之製程；側層積體:::部電極層來層積内側生㈣“得到内向之兩端面層積外側生在前述内側層積體之層積方胚薄片而得到生胚晶片之製程；以及使前述生胚晶片脫黏合劑處理之製程； 2030'7113-PF2 , 1310343 燒成前述生胚晶片之製程，其特徵在於：别述溶劑包括醇類溶媒、以及弱溶媒；其中’前述弱溶媒包括礦油精，月1J迷礦油精的含量，相對於溶劑整體在多於7質量％、未滿Ϊ 5質量％之範圍内，刚述之麼縮前生胚薄片中，丁縮醛系樹脂之含有量相對於前述陶瓷粉體100質量份為4〜6. 5質量份，將塵縮前之前述外側生胚薄月之壓縮前薄另密度（p gl)和壓縮後之前述外側生胚薄片之壓縮後薄月密度（p g2)間之差異(△ p g)，表示成為△ /0 g= p g2- p g卜在別述外側生胚薄片，施加壓、縮力，而使得作為該差異(厶 ”)相對於前述之壓縮前薄片密度(pgi)之比值之薄片收系目率（△ P g/p gl)，成為1%以上，别述脫黏合劑處理以5 - 3 / , 士 on。^。 uc/小時的升溫速度、 200-400 C的保持溫度、及〇 5 20小^的保持時間進行，則述燒成以5 0-50(TC/小時的的保持溫度、及〇. 5 — 8小時 11〇〇'13〇0〇C 令的保持時間進行。 2030-7113-PF2 42