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TWI308381B - Package structure and manufacturing method thereof - Google Patents

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TWI308381B
TWI308381B TW095109936A TW95109936A TWI308381B TW I308381 B TWI308381 B TW I308381B TW 095109936 A TW095109936 A TW 095109936A TW 95109936 A TW95109936 A TW 95109936A TW I308381 B TWI308381 B TW I308381B
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Description

夕藥编號TW2732PA 九、發明說明: [發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種封裝結構及其製造方法,且特別 粟有關於一種封裝材料層凸出於基板側面之封裝結構及 其製造方法。 [先前技術】 封裝結構可避免半導體晶片受潮、碰撞或金屬微粒子 造成電性短路等問題。各式半導體晶片不斷推成出新,因 廣而生許多不同之封裝製程。 請參照第1A〜1D圖,其繪示一種傳統之封裝結構之 製造流程圖。首先,如第1A圖所示,提供—基板u〇。基 板具有一基板上表面110a及數個銲墊11 Ob,輝塾ii〇b係 配至於基板上表面ll〇a上。接著,如第1B圖所示,設置 一晶片120於基板11〇上。晶片120具有一主動表面uOa 及數個接墊120b。接墊120b係配置於主動表面i2〇a,並 對應於銲墊Π Ob。然後’如第1C圖所示,進入一打線接 合(Wire Bonding)製程。以數條銲線130打線接合晶片 12〇之接墊120b及基板110之銲墊110b。使得晶片12〇 内部之微電子元件及其線路透過接墊120b、銲線13〇及銲 塾ll〇b電性連接至基板11〇。接著,如第Π)圖所示,進 入—封膠製程。形成一封膠140於晶片120上。封膠14〇 係可避免接墊120b、銲線130,銲墊110b受潮氧化,並 可避免晶片12 0受到碰撞等危險。至此,形成—傳統之封 ;1308381
* 三達編號TW2732PA 裝結構100。 請參照第2A〜2C圖,其繪示第1D圖之封膠製程示意 圖。如第2A圖所示,在封膠製程中,一上模具151及一 下模具152夾持基板110及晶片120。如第2B圖所示,上 模具151及下模具152疊合後,形成一容置空間150a,晶 片120係位於容置空間150a中。接著,注入封膠140於 容置空間150a中,其中封膠140在未固化前係為一流體。 Φ 然後,如第2C圖所示,熱固化封膠140,並移除上模具 151及下模具152以形成第1D圖之封裝結構100。封膠140 之設置範圍實質上介於晶片120外圍至基板110外圍之 間。 然封膠140之形狀受限於上模具151及下模具152之 形狀。且為固化之封膠140係為流體,上模具151及下模 具152所形成之容置空間150a需考量封膠140之流動路 徑。因此,封膠140之大小及形狀均受到一定之限制。 【發明内容】 有鑑於此,本發明的目的就是在提供一種封裝結構及 其製造方法,封裝結構係以封裝材料層凸出於基板侧面形 成一容置空間,用以容置光絲或其他元件。使得封裝結構 更具可附加多種其他的功能。 根據本發明之一目的,提出一種封裝結構。封裝結構 包括一基板、一晶片及一封裝材料層。基板具有一基板上 表面及一基板侧面。基板上表面係與基板侧面連接。晶片 6 1308381
. 三達編號TW2732PA 係設置於基板上表面。封裝材料層係設置於基板上,並覆 蓋至少部分之晶片。封裝材料層係由晶片向外凸出於基板 侧面。 根據本發明之再一目的,提出一種封裝結構之製造方 法。封裝結構之製造方法方法包括以下之步驟:首先,提 供一基板。基板具有一基板上表面及一基板侧面b接著, 設置一晶片於基板上表面上。然後,覆蓋一封裝材料層於 φ 至少部分之晶片。其中封裝材料層係凸出於基板侧面。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說 明如下: 【貫施方式】 請同時參照第3圖及第4A〜4C圖,第3圖繪示依照 發明之一較佳實施例的封裝結構示意圖。第4A圖繪示第3 參 圖之封裝結構沿截面線A-A’之截面示意圖。第4B圖繪示 第3圖之封裝結構沿截面線B-B’之截面示意圖。第4C圖 繪示第3圖之封裝結構沿截面線C-C’之截面示意圖。封 裝結構200包括一基板210、一晶片220及一封裝材料層 240。基板210具有一基板上表面210a及一基板侧面 210b。基板上表面210a係與基板侧面210b連接。晶片220 係設置於基板上表面210a。封裝材料層240係設置於基板 210上,並覆蓋至少部分之晶片220。封裝材料層240係 由晶片220向外凸出於基板侧面210b。在本實施例中,封 •1308381
- 三達編號TW2732PA 裝結構200係以一指紋辨識器且晶片220係以一指紋辨識 晶片為例作說明。 請同時參照第5圖及第6A〜6E圖,第5圖繪示依照 本發明之封裝結構的製造方法流程圖。第6A〜6E圖繪示 第3圖之封裝結構的製造流程示意圖。本發明之封裝結構 的製造方法,至.少包括以下之步驟。首先,在第5圖之步 驟S51中,如第6A圖所示。提供基板210,基板210具有 φ 基板上表面210a及基板侧面21〇b。基板上表面210a配置 數個銲墊210c。 接著,在第5圖之步驟S52中,如第6B〜6C圖所示。 設置晶片220於基板上表面21〇a上。在本實施例中,晶 片220係為指紋辨識晶片’晶片220具有一主動表面 220a。使用者係可以手指接觸主動表面22〇a,以辨識指 紋。主動表面220a上配置數個接墊220b,係相對於銲墊 210c配置。並且在第6C圖中,以數條銲線230打線接合 φ 接墊220b及銲墊210c’用以電性連接晶片220及基板210。 然後,在第5圖之步驟S53中,如第6D〜6E圖所示。 覆蓋封裝材料層240於至少部分之晶片220。如第6E圖所 示,封裝材料層240係凸出於基板侧面210b。 此外,在5圖之步驟S53更包括數個細部步驟,請再 參照第6D圖及第6E圖。封裝材料層240包括一本體部241 及一延伸部242。如第6D圖所示,覆蓋本體部241於至少 部分之晶片220,用以避免接墊220b、銲線230及銲墊210c 受潮及碰撞。在本實施例中,本體部241暴露出部分之主 8 ;1308381
• 三達編號TW2732PA 動表面220a,用以使主動表面220a與手指接觸,以辨識 指紋。且較佳地,本體部241係僅覆蓋部分之基板上表面 210a,而暴露出基板上表面210a之四周區域,用以承載 延伸部242。 然後,如第6E圖所示,耦接延伸部242於本體部241, 並凸出於基板侧面210b。在本實施例中,延伸部242係以 一黏膠黏接於本體部241。其中,本體部241暴露出基板 0 上表面210a之四周區域,使得延伸部242可承載於基板 上表面210a之四周區域,而不易脫落。 再者,本實施例之基板210係為一矩形結構且基板 210具有四基板側面210b。延伸部242係為一環狀結構, 並凸出於四周之基板側面210b。 請再參照第3圖及第4A〜4C圖,本實施例之封裝結 構200係為一指紋辨識器,且延伸部242係為一透明材 料。其中延伸部242具有一延伸部下表面242a,延伸部下 φ 表面242a與基板側面210b定義一容置空間220a。封裝結 構200更包括一發光源250,係設置於容置空間220a内。 發光源2 5 0係為一光絲,其通電後射出一光線L。發光源 250光線L穿越延伸部242後射出至外界。 如上所述,當本實施例之指紋辨識器通電時,光絲於 指紋辨識器之四周射出光線L。使用者可清楚的暸解指紋 辨識器目前正在運作中,更使得產品更具有時尚感。 根據以上實施例,雖然本發明之封裝結構係以指紋辨 識晶片為例作說明,然本發明之結構亦可應用於各式封裝 9 1308381 三達編號TW2732PA 產品。例如封襄材料層係可不限定於透明材質,且可覆蓋 全部之晶片,只要是以封裝材料層凸出於基板側面之結^ δ又计,皆不脫離本發明之技術範圍。 /根據以上實施例’雖然本發明之封裝材料層之延伸部 係以環狀結構且凸出於基板四周之基板側面為例作說 :月’:本發明之封裝材料層亦可僅凸出於基板之一侧或兩 :的^板側面’只要是封裝材料層凸出於其中之-基板侧 之'、、°構設計,皆不脫離本發明之技術範圍。 Μ 據以上Μ ^例,雖然本發明之本體部及延伸部係之 延伸a 黏膠黏合為例作說明’然本發明之本體部及 p亦可以一凹凸結構相互嵌合,只要是本體部及延伸 比 輕接後’達到封裝材料層凸出於基板侧面之目的, “脫離本發明所屬技術範圍。 法本發明上述實施例所揭露之封裝結構及其製造方 /、以封袈材料層覆蓋晶片,並凸出於基板側面,使得 嶋構具有以下之優點、. 第―’本發明之封裝結構之封裝材料層凸出於基板侧 :所形成之容置空間,係可容置光絲或其他電子元件。使 #封1纟t構之功能性提升。 第二’本發明之延伸部亦可以簡易之模具製造而成, 使^于封裳結構之製程成本降低且製造方便。 第三’本發發明之延伸部的材質及其形狀係可依產品 需求而變更’大大地增加產品封裝結構之使用彈性及其應 用範圍。 1308381
三達編號TW2732PA 綜上所述,雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上, 然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通 常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作各種 之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請 專利範圍所界定者為準。
11 1308381
三達編號TW2732PA 【圖式簡单說明】 第1A〜1D圖繪示一種傳統之封裝結構之製造流程 圖。 _· 第2A〜2C圖繪示第1D圖之封膠製程示意圖。 第3圖繪示依照發明之一較佳實施例的封裝結構示 意圖。 . 第4A圖繪示第3圖之封裝結構沿截面線A-A’之截 _ 面示意圖。 第4B圖繪示第3圖之封裝結構沿截面線B-B’之截 面示意圖。 第4C圖繪示第3圖之封裝結構沿截面線C-C’之截 面示意圖。 第5圖繪示依照本發明之封裝結構的製造方法流程 圖。 第6A〜6E圖繪示第3圖之封裝結構的製造流程示意 應 圖。 【主要元件符號說明】 100 :封裝結構 110a :基板上表面 110b :銲墊 12 0 .晶片 12 :1308381
. 三達編號TW2732PA 120a :主動表面 120b :接墊 130 :銲線 140 :封膠 150a :容置空間 151 :上模具 152 :下模具 200 :封裝結構 210 :基板 210a :基板上表面 210b :基板侧面 210c :銲墊 220 .晶片 220a :主動表面 220b :接墊 Φ 230 :銲線 240 :封裝材料層 241 :本體部 242 :延伸部 242a :延伸部下表面 250 :發光源 L :光線 13

Claims (1)

1308381 三達編號TW2732PA 十、申請專利範圍: 1. 一種封裝結構,包括: 一基板,具有一基板上表面及一基板侧面,該基板上 表面係與該基板侧面連接; 一晶片,係設置於該基板上表面;以及 一封裝材料層,係設置於該基板上,並覆蓋至少部分 之該晶片5該封裝材料層係由該晶片向外凸出於該基板侧 面。 > 2.如申請專利範圍第1項所述之封裝結構,其中該 封裝材料層係覆蓋全部之該晶片。 3.如申請專利範圍第1項所述之封裝結構,其中該 封裝材料層包括: 一本體部,該本體部係覆蓋至少部分之該晶片;以及 一延伸部,該延伸部係與該本體部耦接,並凸出於該 基板側面。 _ 4.如申請專利範圍第3項所述之封裝結構,其中該 本體部係暴露出部分之該基板上表面,用以承載該延伸 部。 5. 如申請專利範圍第3項所述之封裝結構,其中該 本體部及該延伸部係具有一凹凸結構,用以嵌合該延伸部 與該本體部。 6. 如申請專利範圍第3項所述之封裝結構,其中該 延伸部係與該本體部黏合。 7. 如申請專利範圍第3項所述之封裝結構,其中該 14 1308381 —達編號TW2732PA =結構且該基板具有四基板側面,該延伸部 ,'、'衣狀'、、口構,亚凸出於該些基板側面。 二==圍第1項所述之封裝結構,其中該 延伸:二申ίΐ:範圍第8項所述之封裝結構,其中該 面二:Γ表面,該延伸部下表面與該基板侧 義谷置二間,該封裝結構更包括: 一發光源,該發光源係設置於該容置空間内 出一光線,該光線穿越該延伸部後射出至外界。 & 一 10.如申請專利範圍第9項所述之封裝結構 發光源係為-光絲,該發光源通電後射出該光線 ^ π.如申請專利範圍第10項所述之封装結構,其中 ,封裝結構係為—指紋辯識器,該晶片係為—指紋辯識晶 片0
用以射 其中該 12.如申請專利範圍第丨項所述之封裝結構,其中該 封裝、纟σ構係為一打線接合(wiring b〇nding,仰)封裝結 13. —種封裝結構之製造方法,該方法包括: &七、基板,该基板具有一基板上表面及—基板側 設置一晶片於該基板上表面上;以及 覆蓋一封裝材料層於至少部分之該晶片,其中該封梦 材料層係凸出於該基板側面。 14.如申請專利範圍第13項所述之封裝結構之製造 15 1308381 二達編號TW2732PA 法其中该覆蓋該封裝材料 覆蓋全部之該晶片。 ^之々驟中销裝材料層係 方、去申請專· ’ 13項所狀縣結構之製造 本體部及-延伸部,該覆 覆蓋該本體部於至少部分之該晶片;以及 Γ:=部於該本體部,並凸出於該基板侧面。 、.σ申*專利範圍第15項所述之封裝結構制、止 =二蓋該本體部之步驟中該本體部係暴露二 刀之5玄基板上表面,用以承载該延伸部。 方二::請專利範圍第15項所述之封裝結構之製造 $延仲延伸部及該本體部具有—㈣結構,該輕接 躲該本料之㈣係㈣凹凸結射合該本體 如申料圍第15賴狀封裝結構之製造 / /、中該耦接該延伸部於該本體部之步驟係以一 黏合該本體部及觀伸部。 19. %申請專利範圍第15項所述之封裝結構之势造 方法,其中該基板係為—矩形結構且該基板具有板 面,该延伸部係為-環狀結構。 扳側 、20.如申請專利範圍第15項所述之封裝結構之製造 方法,其中該延伸部係為一透明材料。 、21.如申請專利範圍第2〇項所述之封裝結構之製造 方法其巾錢伸部具有—延料下表面,觀伸部下表 16 1308381 面係與該基板上表面接觸,該延 定義一容置空間,該方法更包括:°下表面與該基板側面 設置一發光源於於該容置空間 邊光線穿_延伸部後射出至外界。射出一光線’ 方法,其巾’ &=彳*圍第21項所述之封裝結構之製造 線。 先源係為—光絲,該光絲通電後射出該光 方法2 ^ ^申請翻_第2 2項所述之封裝結構之製造 指故㈣a ^裝結構係為—指紋辯魅,該晶片係為〆 5萌晶片。 9/1 方法.如申請專利範圍第13項所述之封裝結構之製造 '’更包括: '複數條銲線打線接合(wiring b〇nding,wb)續晶 片及該基板。 17
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