[go: up one dir, main page]

JP4895506B2 - イメージセンサ装置 - Google Patents

イメージセンサ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4895506B2
JP4895506B2 JP2004548337A JP2004548337A JP4895506B2 JP 4895506 B2 JP4895506 B2 JP 4895506B2 JP 2004548337 A JP2004548337 A JP 2004548337A JP 2004548337 A JP2004548337 A JP 2004548337A JP 4895506 B2 JP4895506 B2 JP 4895506B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
wall
image sensor
sensor device
transparent cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004548337A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006504279A (ja
Inventor
セン フーン、チー
ワイ ムイ、コック
ヘン タン、キン
チュ タン、ラン
Original Assignee
インテレクチュアル ベンチャーズ セカンド エルエルシー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by インテレクチュアル ベンチャーズ セカンド エルエルシー filed Critical インテレクチュアル ベンチャーズ セカンド エルエルシー
Publication of JP2006504279A publication Critical patent/JP2006504279A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4895506B2 publication Critical patent/JP4895506B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/809—Constructional details of image sensors of hybrid image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/804—Containers or encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Description

本発明は、一般に電気部品のパッケージングに関し、より詳細にはイメージセンサ回路をパッケージする方法に関する。
ディジタルカメラ、カムコーダ、オーディオ・プレイヤ等の、より小さくてスマートな産業用および家庭用電子製品に対する需要は絶えず存在する。そのような小型化と機能の増大は、半導体回路およびウェーハの設計および製造における発展から恩恵を得ている。電子製品に光学およびイメージセンサを使用することについても顕著な増加が見られる。現時点で、利用可能な光学およびイメージセンサはすべて、セラミックスか有機基板のような従来の堅い基礎キャリアにパッケージされている。堅い有機基板は、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂、セラミックスまたはＦＲ−４より一般に形成されている。
例えば、特許文献１は、プラスチック製の基礎構造と、基礎構造上に装着されたフレキシブルなプラスチック製の回路基板と、回路基板上に装着されたプラスチック製のリムと、回路基板上かつリムの内部に装着されたＣＣＤセンサと、リム上に装着されたガラス・カバーとを有するＣＣＤパッケージについて開示している。ＣＣＤセンサは回路基板にワイヤボンディングされている。ガラス・カバーは言うまでもなく、プラスチック製の基礎構造、回路基板およびリムは、比較的厚さのあるパッケージを形成する。特許文献２〜４も、ＢＴ基板の第１面の上に装着されると共にワイヤボンディングされたＩＣダイと、ＩＣダイの周囲に種々の様式で形成されたビーズまたはダムと、ビーズに取り付けられたガラス製の蓋と、ＢＴ基板の第２面に取り付けられたハンダボールとを有するＣＣＤパッケージについて開示している。これらのパッケージはすべて比較的厚さがある。したがって、イメージセンサのパッケージサイズは減少しても、新しい電子デバイスにより多くの知能と機能が組み入れられることを確実にするにはより低いコストとより小さなパッケージの占有面積（footprint ）と高さが重要であるため、まだ改良の余地がある。
米国特許第６，２６８，２３１号 米国特許第６，０３４，４２９号 米国特許第６，２６８，６５４号 米国特許第６，１４３，５８８号
以上の概要と、本発明の以下の詳細な説明は、添付図面と共に読めばより良く理解されるだろう。発明を例示する目的で、図面には現時点で好ましい実施形態を示している。しかしながら、本発明が図示した厳密な配置や手段に限定されないことは当然である。
添付図面に関して以下に述べる詳細な説明は、本発明の現時点で好ましい実施形態の説明を意図しており、本発明が実施され得る唯一の形式を表わすことは意図していない。本発明の趣旨および範囲内に包含されることを意図した様々な実施形態により、同一または均等な機能が遂行され得ることは当然である。
図中のある特徴は、説明を容易にするために拡大してあり、図面およびその構成要素は必ずしも適切な割合ではない。しかしながら、当業者にはその詳細が容易に理解されるだろう。図面を通じて、同様な要素を示すために同様な番号が使用されている。
本発明は、装置全体の高さが約１．０ｍｍ未満になるように極めて薄い基板を使用して形成された、イメージセンサ装置を提供する。
１実施形態では、本発明は、第１面が中央領域とボンディング・パッドを備えた外側のボンディング・パッド領域とを有する、第１と第２の対向する面を有するフレキシブル回路基板を備えたイメージセンサを提供する。回路基板の第１面の中央領域に、センサ集積回路（ＩＣ）が取り付けられる。ＩＣは、作用領域と、ボンディング・パッドを備えた周辺のボンディング・パッド領域とを有している。ＩＣのボンディング・パッドおよび回路基板のボンディング・パッドのそれぞれに、ワイヤがワイヤボンディングされ、ＩＣと回路基板を電気接続する。階段状部分を備えた第１端部と第２端部とを有する壁の、その第２の端部は、フレキシブル回路基板の第１面の外側のボンディング・パッド領域を超えて外側部分に取り付けられる。壁は、センサ集積回路を少なくとも部分的に包囲する。光が透明カバーを通過してＩＣの作用領域に至るように、ＩＣ上には透明カバーが配置される。カバーの対向する縁部は壁の階段状部分内に固定される。回路基板の第２面にはハンダボールが取り付けられる。回路基板は、ハンダボールと回路基板の第１面のボンディング・パッドとの間の電気的相互接続を提供する。
別の実施形態では、本発明は、第１面が中央領域とボンディング・パッドを備えた外側のボンディング・パッド領域とを有する、第１と第２の対向する面を有するフレキシブル回路基板を備えたイメージセンサ装置を提供する。回路基板の第１面の中央領域に、センサ集積回路（ＩＣ）が取り付けられる。ＩＣは、作用領域と、ボンディング・パッドを備えた周辺のボンディング・パッド領域とを有している。ＩＣのボンディング・パッドおよび回路基板の対応するボンディング・パッドのそれぞれに、複数のワイヤが結合され、ＩＣと回路基板を電気接続する。フレキシブル回路基板の第１面の外側のボンディング・パッド領域を超えて外側部分に、壁が取り付けられる。壁は、センサ集積回路を少なくとも部分的に包囲する。光が透明カバーを通過して前記ＩＣの作用領域に至るように、センサ集積回路上に透明カバーが配置される。回路基板は、上面と底面を有し、約５０ｕｍ（マイクロメートル）の厚さを有するポリイミド層と、ポリイミド層の上面に重なり、約１２ｕｍの厚さを有する接着層と、接着層に重なり、約１２ｕｍから約３０ｕｍまでの厚さを有する導電性のトレース層と、導電性のトレース層に重なり、約３０ｕｍの厚さを有するマスク層とを有する。マスク層の上面は回路基板の第１面を形成し、ポリイミド層の底面は回路基板の第２面を形成する。
さらに別の実施形態では、本発明は、
約５０ｕｍの厚さを有するポリイミド層と、ポリイミド層の第１面に重なり、約１２ｕｍの厚さを有する接着層と、接着層に重なり、約１２ｕｍから約３０ｕｍまでの厚さを有する導電性の金属トレース層と、導電性の金属トレース層に重なり、約３０ｕｍの厚さを有するハンダマスク層とを有する多層回路基板を提供する工程；
回路基板の外側の周囲に沿って壁を形成する工程；
壁内で回路基板にセンサ集積回路（ＩＣ）を取り付ける工程であって、ＩＣは中央の作用領域と、ボンディング・パッドを備えた周辺のボンディング・パッド領域とを有する、工程；
ワイヤボンディングによりＩＣのボンディング・パッドおよび対応する回路基板のボンディング・パッドにワイヤを電気接続する工程；および
光が透明カバーを通過してＩＣの作用領域に至るように、透明カバーがＩＣ上を覆うように透明カバーを壁に取り付ける工程；
から成る、イメージセンサ装置を形成する方法を提供する。
さらなる実施形態では、本発明は、
約５０ｕｍの厚さを有するポリイミド層と、ポリイミド層の第１面に重なり、約１２ｕｍの厚さを有する接着層と、接着層に重なり、約１２ｕｍから約３０ｕｍまでの厚さを有する導電性の金属トレース層と、導電性の金属トレース層に重なり、約３０ｕｍの厚さを有するハンダマスク層とを有する多層回路基板を提供する工程；
離間した間隔で回路基板に複数のセンサ集積回路を取り付ける工程であって、集積回路の各々が中央の作用領域と、ボンディング・パッドを備えた周辺のボンディング・パッド領域とを有する、工程；
ワイヤボンディングにより集積回路のボンディング・パッドおよび対応する回路基板のボンディング・パッドにワイヤを電気接続する工程；
集積回路の各々の周囲で、回路基板上に壁を形成する工程；
光が透明カバーを通過して集積回路の作用領域に至るように、透明カバーがすべての集積回路上に延びるように透明カバーを壁に取り付ける工程；
第１面と対向するポリイミド層の第２面にハンダボールを取り付ける工程であって、回路基板はハンダボールとワイヤの間の電気相互接続を提供する工程；および
壁の位置で、覆われた集積回路を個別化して、約１．３ｍｍ未満の高さを有する個々のイメージセンサ装置を形成する工程；
から成る、複数のイメージセンサ装置を形成する方法を提供する。
ここで図１を参照すると、本発明による光学センサ装置１０の拡大断面図が示される。イメージセンサ装置１０は、フレキシブル回路基板１２、回路基板１２に取り付けられたセンサ集積回路（ＩＣ）１４、ＩＣ １４を基板１２に電気接続する複数のワイヤ１６、外端部に階段状部分（step）または切欠（notch ）２０が形成された壁１８、およびセンサＩＣ １４の上に配置された透明カバー２２を備えている。カバー２２の縁部は、例えば接着剤で、壁１８の階段状部分２０の内に固定される。イメージセンサ装置１０はさらに、回路基板１２の底面または裏面に取り付けられたハンダボール２４を有する。回路基板１２は、ハンダボール２４とＩＣ １４との間の電気相互接続を提供する。ハンダボール２４は、センサ装置１０の、他の電気装置および回路（図示しない）への接続を可能にする。
ここで図２を参照すると、本発明の第２実施形態による光学センサ装置２６の拡大断面図が示される。センサ装置２６は、フレキシブル回路基板１２、回路基板１２に取り付けられたセンサ集積回路（ＩＣ）１４、ＩＣ １４を基板１２に電気接続する複数のワイヤ１６、基板１２上に形成され、ＩＣ １４を包囲する壁２８、およびＩＣ １４の上に配置された透明カバー３０を備えている。カバー３０は、好ましくは接着剤で、壁２８の上面に固定される。イメージセンサ装置２６はさらに、回路基板１２の底面または裏面に取り付けられたハンダボール２４を有する。回路基板１２は、ハンダボール２４とＩＣ １４との間の電気相互接続を提供する。ハンダボール２４は、センサ装置１０の、他の電気装置および回路（図示しない）への接続を可能にする。基板１２が非常に薄いため、センサ装置１０および２６は非常に薄い形状を有している。
ここで図３を参照すると、回路基板１２の拡大断面図が示される。回路基板１２は、上面と底面を有するポリイミド層３２を有している。ポリイミド層３２の上面には接着層３４が重なっており、接着層３４には導電性のトレース層３６が重なっている。導電性のトレース層３６には保護のためにハンダマスク層３８が重なっている。マスク層３８の上面は、回路基板１２の第１の面を形成し、ポリイミド層３２の底面は、回路基板１２の第２面を形成する。
当業者に理解されるように、回路基板１２は信号をルーティングするための電気相互接続層を提供するが、先行技術の装置に使用される相互接続層とは異なり、基板１２が非常に薄い。
ポリイミド層３２は、約５０ｕｍの厚さ、好ましくはそれより小さい厚さを有する。接着層３４は約１２ｕｍの厚さを有する。導電層３６は、銅を始めとする導電性の金属のような導電材料から形成され得るが、約１２ｕｍから約３０ｕｍまでの厚さを有する。当業
者に理解されるように、導電層３６は配電経路を形成する。最後に、ハンダマスク層３８は、約３０ｕｍの厚さを有する。用途に依るが、基板１２は、約１５０ｕｍの厚さの補剛材として機能する金属製の介在材（図示しない）の層を有し得る。
図１および２を再び参照すると、基板１２は第１と第２の対向する面を有する。第１面は、中央領域と、ボンディング・パッドを備えた外側のボンディング・パッド領域とを有している。ＩＣ １４は、好ましくは約１２ｕｍの厚さを有する接着層４０により、回路基板１２の第１面の中央領域に取り付けられる。ＩＣ １４は作用領域と、周辺のボンディング・パッド領域とを有している。周辺のボンディング・パッド領域は、ワイヤボンディングによりワイヤ１６を用いて基板のボンディング・パッドに電気電気接続される、ボンディング・パッドを有する。ワイヤボンディングは、ワイヤを介してチップと基板を相互接続することを意味するものとして一般に受け入れられている。ワイヤをパッドに結合する最も頻繁に用いられている方法は、超音波熱圧着ボンディングおよび超音波ボンディングである。超音波ワイヤボンディングは、ワイヤとボンドパッドの間の境界面を摩擦するのに振動と力の組み合わせを利用し、その結果、境界を横切る分子の拡散を促進する局所的温度上昇を引き起こす。超音波熱圧着ボンディングは、振動に加えて、熱を利用し、材料の移動をさらに促進する。様々なタイプのワイヤボンディングが当業者に周知である。ワイヤ１６は、当業者に周知の金属を始めとする、いかなる導電性の金属または複数の金属の組み合わせから形成されてもよい。適切なボンドワイヤは、一般に、銅または金から成り、細線（直径５０ｕｍ未満）または太線（直径５０ｕｍ超）のいずれであってもよい。
ＩＣ １４は当業者に公知の種類のもので、例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）、ＣＭＯＳイメージセンサ、またはＥＰＲＯＭような記憶装置等から成ってよい。作用領域は透明カバー２２を通過した放射線を受け取り、その放射線をディジタル信号に変換する。先に論じたように、ＩＣ １４は好ましくは接着剤４０により基板１２に取り付けられる。装置１０の強度を高めるために、ＩＣ １４と基板１２の間にアンダーフィル（図示しない）が配置されてもよい。
図１を参照すると、装置１０の壁１８は基板１２の表面上に形成され、ＩＣ １４とワイヤ１６を少なくとも部分的に包囲している。好ましい実施形態では、壁１８はＩＣ １４とワイヤ１６を完全に包囲する。壁１８は基板１２の表面から上方に延びる。壁１８は、階段状部分２０を備えた第１端部と、基板１２の第１の面の外側部分に、外側のボンディング・パッド領域を超えて取り付けられる第２端部とを有している。壁１８は、金属またはＢＴを始めとする、カバー２２を支持するのに十分強い、硬質のまたは堅い材料から好ましくは形成される。透明カバー２２は、センサ集積回路１４上に配置され、好ましくは透明エポキシにより、壁１８の階段状部分２０の内部に、その対向する縁部を固定される。カバー２２は光がカバー２２を通過してＩＣ １４の作用領域に至るのを可能にする。カバー２２は、光または放射線がカバー２２を通過することを可能にする透明材料から形成され、また、薄い装置を提供するために、カバー２２は比較的薄くあるべきであると同時に、比較的堅い材料から形成されるべきである。現時点で好ましい実施形態では、カバー２２は約０．４ｍｍの厚さを有するホウケイ酸ガラスから成る。しかしながら、当業者には、放射線がカバーを通過することを可能にし、かつカバーを薄くすることを可能にする、他の材料も使用され得ることが理解されよう。カバー２２は、反射防止コーティングおよびＩＲブロック材により処理され得る。
図２を参照すると、装置２６の壁２８は、壁２８がカバー２２を受け取るための階段状部分２０を有していないという点を除いて、図１に示されている装置１０の壁１８と同様である。そうではなく、カバー２２よりも長いカバー３０が、従来の様式で、壁２８の上面に取り付けられる。カバー３０は、カバー２２と同様に、約０．４ｍｍの厚さを有する
ホウケイ酸ガラスから成ることが好ましい。
図４を参照すると、縁部が通路５２を形成するようにエッチングされた透明カバー５０が示される。図２に示した装置２６の壁２８にカバー５０が取り付けられる場合、装置がより薄い形状を有するように、壁２８は通路５２内に受け取られる。図４に示されるカバー５０は個別化に先立って２つの装置用のサイズになっていることに留意する。したがって、中央の通路５２は二倍の幅を有している。
図１および２を再び参照すると、イメージセンサ装置１０および２６の回路基板１２の底面または裏面には、ハンダボール２４が取り付けられている。ハンダボールは、約４００ｕｍ未満の高さを有している。非常に薄い基板１２を使用することによって、最終的な装置１０，２６は非常に薄い形状を有している。装置の厚さは、Ａによって示されているように、約０．９ｍｍから約１．３ｍｍまでの範囲である。好ましい装置は１．０ｍｍ未満の厚さを有する。
ここで図５を参照すると、個別化する前の２つの装置１０が示される。この場合、エポキシ樹脂のような接着剤が、階段状部分２０に分配されるか、またはＩＣ １４上にカバー２２を配置するのに先立ってカバー２２の縁部に予め形成される。同様に、図６は、個別化する前の２つの装置２６を示す。図６のカバー３０の代わりにカバー５０（図４）が用いられてもよいことに留意する。カバー５０にエッチングまたは形成された溝または通路は、カバー５０の整列を支援する。図５および６は、より詳細に以下に論じるように、複数の装置を並列に形成することができることを示している。
ここで図７−１０を参照すると、本発明のイメージセンサ装置の代替実施形態が示される。図７は、装置７０が同じカバー３０を有しないという点を除いて図２に示したセンサ装置２６と同様のイメージセンサ装置７０を示す。装置７０のカバー７２は、ガラスカバーではなく、エポキシ樹脂を始めとする透明材料から形成されており、ＩＣ１４およびワイヤ１６上、かつＩＣ１４とワイヤ１６を包囲する壁２８内に、塊状に形成される。
図８は、カバー８２がエポキシ樹脂を始めとする透明材料から形成され、ＩＣ１４およびワイヤ１６の上、かつＩＣ１４とワイヤ１６を包囲する壁８４内に成形されている、イメージセンサ装置８０を示す。壁８４は、装置２６（図２）および７０（図７）の壁２８よりも好ましくは短い。
図９は、好ましくは透明接着剤９４でＩＣ １４の作用領域上に取り付けられたカバー９２を有する、イメージセンサ装置９０を示す。この場合、エポキシ樹脂を始めとする透明材料９６が、ＩＣ １４と壁２８の間の領域を満たし、かつワイヤ１６を覆うために使用される。カバー９２は好ましくはガラスから成り、透明接着剤９４は好ましくはエポキシ樹脂から成る。
図１０は、好ましくは透明接着剤１０４でＩＣ １４の作用領域上に取り付けられたカバー１０２を有する、イメージセンサ装置１００を示す。この場合、エポキシ樹脂を始めとする透明材料１０６が、ＩＣ １４と壁１０８の間の領域を満たし、かつワイヤ１６を覆うために使用される。カバー１０２は好ましくはガラスから成り、透明接着剤１０４は好ましくはエポキシ樹脂から成る。壁１０８は、この実施例では、例えば硬化等により硬化される、エポキシ樹脂を始めとする軟質材料から形成される。図７−１０に示した装置の各々は、１．３ｍｍ未満、好ましくは１．０ｍｍ未満の高さまたは厚さを有している。
図１１Ａ−１１Ｇでは、本発明のセンサ装置を形成する工程を例証する拡大側面図が示される。より詳細には、図１１Ａ−１１Ｇは、真空または不活性ガスがＩＣキャビティ内
で使用される場合のイメージセンサ装置のキャッピングを例証する。
ここで図１１Ａを参照すると、多層回路基板１１０が提供される。基板１１０は、約５０ｕｍの厚さを有するポリイミド層と、ポリイミド層の第１面に重なり、約１２ｕｍの厚さを有する接着層と、接着層に重なり、約１２ｕｍから約３０ｕｍまでの厚さを有する導電性の金属トレース層と、導電性の金属トレース層に重なり、約３０ｕｍの厚さを有するハンダマスク層とを有する。複数のセンサ集積回路（ＩＣ）１１２は、離間された間隔で、ダイ接着剤により、回路基板１１０に取り付けられる。集積回路１１２の各々は、光を受け取るための中央の作用領域と、ボンディング・パッドを備えた周辺のボンディング・パッド領域とを有する。集積回路１１２は、ワイヤ１１４によって基板１１０に電気接続され、ワイヤ１１４は、集積回路上のボンディング・パッドおよび対応する基板１１０上のボンディング・パッドにワイヤボンディングされる。
ここで図１１Ｂを参照すると、集積回路１１２の各々の周囲に壁１１６が形成される。壁１１６は、集積回路１１２の各々が壁１１６によって包囲されるように、グリッド状のパターンで、エポキシ樹脂、金属、またはＢＴを始めとする有機材料のようなダム材料を分配することにより形成され得る。壁１１６が金属またはＢＴ材料から形成されている場合、壁１１６の上面には、適切な接着剤の薄いコートが塗布される。この接着剤の薄いコートは、上部のガラス板を保持し、ＩＣをその中に本質的に密閉するだろう。次に、壁１１６より大きい（高い）外壁１１８が、集積回路１１２、ワイヤ１１４および壁１１６をすべて包囲するように、基板１１０の外側周囲の回りに形成される。外壁１１８は、ダムエポキシ樹脂のような軟質材料から形成され得る。
図１１Ｃに示されるように、その後、第１の吸引パッド１２２および第２の吸引パッド１２４を好ましくは使用して、透明カバー１２０が集積回路１１２およびワイヤ１１４上に配置される。第２の吸引パッド１２４は、透明カバー１２０の孔１２８の上に整列する、中央のボアまたは孔１２６を有する。透明カバー１２０の孔１２８は、それが外壁１１８のちょうど内側に位置するように整列される。吸引パッド１２２は真空力によってカバー１２０を保持し得る。カバー１２０が移動されており、集積回路１１２上に配置されている最中、吸引パッド１２２は真空ｏｎであり、吸引パッド１２４は真空ｏｆｆである。カバー１２０は、約０．４ｍｍ未満の厚さを有するホウケイ酸ガラスから好ましくは成る。
図１１Ｄを参照すると、カバー１２０は外壁１１８に接触した状態に押し付けられる。カバー１２０が外壁１１８と接触した後、基板１１０、外壁１１８およびカバー１２０によって形成されたスペース１３０から孔１２６および１２６を介して空気が除去されるように、吸引または真空力が第２の吸引パッド１２４に適用される。本発明の１実施形態では、スペース１３０から空気を除去した後、スペース１３０は、孔１２６および１２８を介して不活性ガスで満たされる。
図１１Ｅに示されるように、その後、カバー１２０は、カバー１２０が壁１１６に取り付けられるように、壁１１６に接触した状態に押し付けられる。
図１１Ｆは、カバー１２０が吸引パッド１２２および１２４によって解放されるように、真空力がオフにされることを示している。
図１１Ｇは、壁１１６に沿ってソーを使用することにより、覆われた集積回路を個別化し、個々のイメージセンサ装置１３０を形成する工程を示す。個別化工程の前または個別化工程の後のいずれの場合に、基板１１０の裏側にハンダボール（図示しない）が取り付けられてもよい。完成した装置は、約１．３ｍｍ未満、好ましくは約１．０ｍｍ未満の高さを有している。
以上のように、本発明はパッケージ高さが非常に低いイメージセンサ装置にを提供する。この装置の構造は、非常に短い光学距離、したがって、非常に低い回析を提供する。本発明の好ましい実施形態の説明は、例示と説明のために示したものであって、網羅的なものであることは意図しておらず、本発明を開示した形式に限定することも意図していない。当業者には、本発明の広い発明概念から逸脱せずに、上述の実施形態に対して変更をなし得ることが理解されよう。したがって、本発明は、開示された特定の実施形態に限定されるわけではなく、特許請求の範囲により定義される本発明の趣旨及び範囲内の改変を包含する。
本発明の第１実施形態による光学センサ装置の拡大断面図。 本発明の第２実施形態による光学センサ装置の拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の基板の拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の透明カバーの１実施形態の拡大側面図。 個別化する前の図１の２つのイメージセンサ装置の拡大断面図。 個別化する前の図２の２つのイメージセンサ装置の拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の代替実施形態の拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の代替実施形態の拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の代替実施形態の拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の代替実施形態の拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の製作を例証する拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の製作を例証する拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の製作を例証する拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の製作を例証する拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の製作を例証する拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の製作を例証する拡大断面図。 本発明のイメージセンサ装置の製作を例証する拡大断面図。

Claims (7)

  1. イメージセンサ装置であって、
    第１面が中央領域とボンディング・パッドを備えた外側のボンディング・パッド領域とを有する、第１と第２の対向する面を有するフレキシブル回路基板；
    前記回路基板の第１面の中央領域に取り付けられ、作用領域と、ボンディング・パッドを備えた周辺のボンディング・パッド領域とを有するセンサ集積回路（ＩＣ）；
    前記ＩＣのボンディング・パッドおよび対応する前記回路基板のボンディング・パッドのそれぞれにワイヤボンディングされ、それにより前記ＩＣと前記回路基板を電気接続する複数のワイヤ；
    階段状部分を備えた第１端部と、フレキシブル回路基板の第１面の外側のボンディング・パッド領域を超えて外側部分に取り付けられる第２端部とを有する壁であって、前記センサ集積回路を少なくとも部分的に包囲する壁；
    光が透明カバーを通過して前記ＩＣの作用領域に至るように前記センサ集積回路上に配置された透明カバーであって、該透明カバーが同透明カバーの縁部に形成された溝を有し、同溝が形成された縁部が前記壁の階段状部分内に固定されている透明カバー；および
    前記回路基板の第２面に取り付けられたハンダボールであって、前記回路基板は当該ハンダボールと前記回路基板の第１面のボンディング・パッドとの間の電気的相互接続を提供するハンダボール；
    を備えたイメージセンサ装置。
  2. 前記壁が金属から形成されている、請求項１に記載のイメージセンサ装置。
  3. 前記壁がＢＴから形成されている、請求項１に記載のイメージセンサ装置。
  4. 前記回路基板が、
    上面と底面を有するポリイミド層；
    ポリイミド層の上面に重なる接着層；
    接着層に重なる導電性のトレース層；および
    導電性のトレース層に重なるマスク層；を有し、該マスク層の上面が前記回路基板の第１面を形成し、ポリイミド層の底面が回路基板の第２の面を形成する、請求項１に記載のイメージセンサ装置。
  5. イメージセンサ装置であって、
    第１面が中央領域とボンディング・パッドを備えた外側のボンディング・パッド領域とを有する、第１と第２の対向する面を有するフレキシブル回路基板；
    前記回路基板の第１面の中央領域に取り付けられ、作用領域と、ボンディング・パッドを備えた周辺のボンディング・パッド領域とを有するセンサ集積回路（ＩＣ）；
    前記ＩＣのボンディング・パッドおよび対応する前記回路基板のボンディング・パッドのそれぞれにワイヤボンディングされ、それにより前記ＩＣと前記回路基板を電気接続する複数のワイヤ；
    階段状部分を備えた第１端部と、フレキシブル回路基板の第１面の外側のボンディング・パッド領域を超えて外側部分に取り付けられる第２端部とを有する壁であって、前記センサ集積回路を少なくとも部分的に包囲する壁；
    光が透明カバーを通過して前記ＩＣの作用領域に至るように前記センサ集積回路上に配置された透明カバーであって、該透明カバーが同透明カバーの縁部に形成された溝を有し、同溝が形成された縁部が前記壁の階段状部分内に固定されている透明カバー；および
    前記回路基板の第２面に取り付けられたハンダボールであって、前記回路基板は当該ハンダボールと前記回路基板の第１面のボンディング・パッドとの間の電気的相互接続を提供するハンダボール；
    を備え、前記回路基板が、
    上面と底面を有し、５０ｕｍの厚さを有するポリイミド層；
    ポリイミド層の上面に重なり、１２ｕｍの厚さを有する接着層；
    接着層に重なり、１２ｕｍから３０ｕｍまでの厚さを有する導電性のトレース層；および
    導電性のトレース層に重なり、３０ｕｍの厚さを有するマスク層；を有し、該マスク層の上面が前記回路基板の第１面を形成し、ポリイミド層の底面が回路基板の第２の面を形成する、
    イメージセンサ装置。
  6. 前記壁が金属から形成されている、請求項５に記載のイメージセンサ装置。
  7. 前記壁がＢＴから形成されている、請求項５に記載のイメージセンサ装置。
JP2004548337A 2002-10-25 2003-09-30 イメージセンサ装置 Expired - Fee Related JP4895506B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/280,952 US6900531B2 (en) 2002-10-25 2002-10-25 Image sensor device
US10/280,952 2002-10-25
PCT/US2003/030858 WO2004040659A1 (en) 2002-10-25 2003-09-30 Image sensor device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010156316A Division JP2010278451A (ja) 2002-10-25 2010-07-09 イメージセンサ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006504279A JP2006504279A (ja) 2006-02-02
JP4895506B2 true JP4895506B2 (ja) 2012-03-14

Family

ID=32107067

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004548337A Expired - Fee Related JP4895506B2 (ja) 2002-10-25 2003-09-30 イメージセンサ装置
JP2010156316A Pending JP2010278451A (ja) 2002-10-25 2010-07-09 イメージセンサ装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010156316A Pending JP2010278451A (ja) 2002-10-25 2010-07-09 イメージセンサ装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6900531B2 (ja)
JP (2) JP4895506B2 (ja)
KR (1) KR101118774B1 (ja)
AU (1) AU2003275305A1 (ja)
TW (1) TWI231012B (ja)
WO (1) WO2004040659A1 (ja)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW571409B (en) * 2002-12-03 2004-01-11 Advanced Semiconductor Eng Optical device and packaging method thereof
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US7365442B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of thin-film electronic devices
JP3898666B2 (ja) * 2003-04-28 2007-03-28 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
TWI225696B (en) * 2003-06-10 2004-12-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package and method for manufacturing the same
JP4567954B2 (ja) * 2003-07-31 2010-10-27 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4106003B2 (ja) * 2003-09-03 2008-06-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
US6995462B2 (en) 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
US7199438B2 (en) * 2003-09-23 2007-04-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Overmolded optical package
TWI245430B (en) * 2004-02-04 2005-12-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Fabrication method of semiconductor package with photosensitive chip
US7410816B2 (en) * 2004-03-24 2008-08-12 Makarand Gore Method for forming a chamber in an electronic device and device formed thereby
JP2005347416A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ及びカメラモジュール
US20060102974A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Chen Neng C Contact image capturing structure
US7638887B2 (en) * 2005-01-07 2009-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure and fabrication method thereof
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
TW200642015A (en) * 2005-05-25 2006-12-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor semiconductor device and fabrication method thereof
US20070108544A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-17 Tu Hsiu W Image sensor with a compound structure
JP4455509B2 (ja) 2006-01-31 2010-04-21 シャープ株式会社 半導体装置
US8156732B2 (en) * 2006-03-24 2012-04-17 Fleetguard, Inc. Apparatus, system, and method for regenerating an exhaust gas treatment device
TWI311366B (en) * 2006-06-30 2009-06-21 Advanced Semiconductor Eng A flip-chip package structure with stiffener
CN100539100C (zh) * 2006-12-08 2009-09-09 日月光半导体制造股份有限公司 封装结构及其制造方法
JP2008227232A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスおよび光ピックアップモジュール
JP2008227233A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体デバイスの製造方法、光ピックアップモジュール、および半導体デバイス
JP5132957B2 (ja) * 2007-03-14 2013-01-30 パナソニック株式会社 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール
TWI364122B (en) * 2009-07-06 2012-05-11 Led package structure for increasing light-emitting efficiency and controlling light-projecting angle and method for manufacturing the same
US8143110B2 (en) 2009-12-23 2012-03-27 Intel Corporation Methods and apparatuses to stiffen integrated circuit package
JP5540711B2 (ja) * 2010-01-13 2014-07-02 富士通株式会社 電子装置及びその製造方法
US8378435B2 (en) 2010-12-06 2013-02-19 Wai Yew Lo Pressure sensor and method of assembling same
CN102486427A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
CN102589753B (zh) 2011-01-05 2016-05-04 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
US20120306031A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device and method of packaging same
JP5794002B2 (ja) 2011-07-07 2015-10-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器
TWM428490U (en) * 2011-09-27 2012-05-01 Lingsen Precision Ind Ltd Optical module packaging unit
US8643169B2 (en) 2011-11-09 2014-02-04 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device with over-molded lid
US9029999B2 (en) 2011-11-23 2015-05-12 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device with footed lid
US8778704B1 (en) 2013-02-13 2014-07-15 Freescale Semiconductor, Inc. Solar powered IC chip
US8809078B1 (en) 2013-02-13 2014-08-19 Freescale Semiconductor, Inc. Solar powered IC chip
US9297713B2 (en) 2014-03-19 2016-03-29 Freescale Semiconductor,Inc. Pressure sensor device with through silicon via
US9807305B2 (en) * 2014-04-04 2017-10-31 Mems Start, Llc Actuator for moving an optoelectronic device
KR20160005854A (ko) * 2014-07-07 2016-01-18 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP6242763B2 (ja) * 2014-07-18 2017-12-06 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品パッケージの製造方法
US9362479B2 (en) 2014-07-22 2016-06-07 Freescale Semiconductor, Inc. Package-in-package semiconductor sensor device
JP6583764B2 (ja) * 2014-09-12 2019-10-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び照明装置
US9443785B2 (en) * 2014-12-19 2016-09-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
US9679941B2 (en) 2015-03-17 2017-06-13 Visera Technologies Company Limited Image-sensor structures
CN105870070B (zh) * 2016-05-17 2019-06-04 歌尔股份有限公司 一种光学传感器封装结构及其集成板
CN107527874B (zh) 2016-06-20 2023-08-01 恩智浦美国有限公司 腔式压力传感器器件
KR20200045472A (ko) * 2017-08-18 2020-05-04 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 감광 어셈블리, 이미징 모듈, 인텔리전트 단말 및 감광 어셈블리의 제조 방법과 몰드
US10510668B1 (en) * 2018-07-16 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
CN111048534B (zh) * 2018-10-11 2022-03-11 胜丽国际股份有限公司 感测器封装结构
US11031311B2 (en) * 2018-11-21 2021-06-08 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device with multilayer stress buffer
US11562969B2 (en) * 2019-09-12 2023-01-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package including reinforced structure
US11515220B2 (en) * 2019-12-04 2022-11-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structures and methods of manufacturing the same
CN113823645B (zh) * 2020-06-18 2024-08-06 同欣电子工业股份有限公司 感测器封装结构
TWI800793B (zh) * 2021-02-08 2023-05-01 同欣電子工業股份有限公司 感測器封裝結構
CN114914220B (zh) * 2021-02-08 2024-12-31 同欣电子工业股份有限公司 感测器封装结构

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62190776A (ja) * 1986-02-18 1987-08-20 Seiko Instr & Electronics Ltd 光電変換装置
JPH0382132A (ja) * 1989-08-14 1991-04-08 Inmos Ltd 半導体装置
JPH0653454A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Nec Kyushu Ltd イメージセンサのガラスキャップ封止構造
JPH08227984A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Nec Corp 固体撮像装置
JP2001085595A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Hitachi Cable Ltd 半導体装置及びそれを用いた電子装置及びその製造方法
WO2001051950A1 (en) * 2000-01-11 2001-07-19 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray image sensor
JP2002289718A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Kyocera Corp 固体撮像装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0732208B2 (ja) 1989-10-31 1995-04-10 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH04114456A (ja) * 1990-09-04 1992-04-15 Canon Inc 光電変換装置
US5107328A (en) 1991-02-13 1992-04-21 Micron Technology, Inc. Packaging means for a semiconductor die having particular shelf structure
JPH05335534A (ja) * 1992-05-27 1993-12-17 Canon Inc 光半導体デバイス
JPH0883859A (ja) * 1994-09-09 1996-03-26 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US6011294A (en) 1996-04-08 2000-01-04 Eastman Kodak Company Low cost CCD packaging
US6034429A (en) 1997-04-18 2000-03-07 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package
US6117705A (en) 1997-04-18 2000-09-12 Amkor Technology, Inc. Method of making integrated circuit package having adhesive bead supporting planar lid above planar substrate
US6395582B1 (en) * 1997-07-14 2002-05-28 Signetics Methods for forming ground vias in semiconductor packages
US5962810A (en) 1997-09-09 1999-10-05 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package employing a transparent encapsulant
JPH1197656A (ja) 1997-09-22 1999-04-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体光センサデバイス
JP2991172B2 (ja) * 1997-10-24 1999-12-20 日本電気株式会社 半導体装置
AU6000699A (en) * 1998-12-02 2000-06-19 Hitachi Limited Semiconductor device, method of manufacture thereof, and electronic device
JP2983214B1 (ja) * 1998-12-28 1999-11-29 重孝 大音 テ―プ形チップサイズパッケ―ジの製造方法、およびテ―プ形チップサイズパッケ―ジ
US6274927B1 (en) 1999-06-03 2001-08-14 Amkor Technology, Inc. Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making
WO2001015237A1 (en) 1999-08-20 2001-03-01 Amkor Technology, Inc. Chip-sized optical sensor package
US6266197B1 (en) * 1999-12-08 2001-07-24 Amkor Technology, Inc. Molded window array for image sensor packages
US6489178B2 (en) 2000-01-26 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US6384472B1 (en) 2000-03-24 2002-05-07 Siliconware Precision Industries Co., Ltd Leadless image sensor package structure and method for making the same
US6285064B1 (en) 2000-03-28 2001-09-04 Omnivision Technologies, Inc. Chip scale packaging technique for optical image sensing integrated circuits
US6342406B1 (en) 2000-11-15 2002-01-29 Amkor Technology, Inc. Flip chip on glass image sensor package fabrication method
EP1251566A1 (en) 2001-04-19 2002-10-23 United Test Center Inc. Low profile optically-sensitive semiconductor package
US6762509B2 (en) * 2001-12-11 2004-07-13 Celerity Research Pte. Ltd. Flip-chip packaging method that treats an interconnect substrate to control stress created at edges of fill material
US6906403B2 (en) * 2002-06-04 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Sealed electronic device packages with transparent coverings

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62190776A (ja) * 1986-02-18 1987-08-20 Seiko Instr & Electronics Ltd 光電変換装置
JPH0382132A (ja) * 1989-08-14 1991-04-08 Inmos Ltd 半導体装置
JPH0653454A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Nec Kyushu Ltd イメージセンサのガラスキャップ封止構造
JPH08227984A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Nec Corp 固体撮像装置
JP2001085595A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Hitachi Cable Ltd 半導体装置及びそれを用いた電子装置及びその製造方法
WO2001051950A1 (en) * 2000-01-11 2001-07-19 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray image sensor
JP2002289718A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Kyocera Corp 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI231012B (en) 2005-04-11
US20040080037A1 (en) 2004-04-29
KR20050055782A (ko) 2005-06-13
AU2003275305A1 (en) 2004-05-25
JP2006504279A (ja) 2006-02-02
KR101118774B1 (ko) 2012-03-20
JP2010278451A (ja) 2010-12-09
US6900531B2 (en) 2005-05-31
TW200421568A (en) 2004-10-16
WO2004040659A1 (en) 2004-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4895506B2 (ja) イメージセンサ装置
TWI442520B (zh) 具有晶片尺寸型封裝及第二基底及在上側與下側包含暴露基底表面之半導體組件
JP4705784B2 (ja) イメージセンサデバイスの製造方法
JP5095074B2 (ja) パッケージ積層構造
JP4416760B2 (ja) スタックドパッケージモジュール
US7282693B2 (en) Camera module for compact electronic equipments
KR100493063B1 (ko) 스택 반도체 칩 비지에이 패키지 및 그 제조방법
KR101076537B1 (ko) 다이 위에 적층된 역전된 패키지를 구비한 멀티 칩 패키지모듈
TWI469301B (zh) 堆疊封裝間具有線接點互連之半導體多重封裝模組
US20080182398A1 (en) Varied Solder Mask Opening Diameters Within a Ball Grid Array Substrate
US6686223B2 (en) Method for fabricating multi-chip package semiconductor device
US20120164790A1 (en) Double-faced electrode package, and its manufacturing method
JP2005519471A (ja) 積層ダイ半導体装置
TWI777337B (zh) 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US20220077014A1 (en) Packaged device with die wrapped by a substrate
JP3547303B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN101656246B (zh) 具有开口的基板的芯片堆叠封装结构及其封装方法
US7659620B2 (en) Integrated circuit package employing a flexible substrate
TW200411945A (en) Flip chip optical and imaging sensor device
TW201330220A (zh) 具凹槽之封裝結構及其製造方法
JP2002124627A (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN218632047U (zh) 集成电路封装件
JP4141941B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060712

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091016

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100309

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100609

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100616

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100630

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100702

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110802

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20111014

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111206

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4895506

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees