[go: up one dir, main page]

TWI308106B - Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure - Google Patents

Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure Download PDF

Info

Publication number
TWI308106B
TWI308106B TW094140743A TW94140743A TWI308106B TW I308106 B TWI308106 B TW I308106B TW 094140743 A TW094140743 A TW 094140743A TW 94140743 A TW94140743 A TW 94140743A TW I308106 B TWI308106 B TW I308106B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
primary
self
weight
glass
layer
Prior art date
Application number
TW094140743A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200630218A (en
Inventor
Carl B Wang
Kenneth Warren Hang
Christopher R Needes
Original Assignee
Du Pont
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Du Pont filed Critical Du Pont
Publication of TW200630218A publication Critical patent/TW200630218A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI308106B publication Critical patent/TWI308106B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4688—Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
    • H10W70/05—
    • H10W70/69—
    • H10W70/692—
    • H10W99/00—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/04—Particles; Flakes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/30—Methods of making the composites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6565—Cooling rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/341—Silica or silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/56—Using constraining layers before or during sintering
    • C04B2237/564—Using constraining layers before or during sintering made of glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

1308106 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 上不同介電帶化學品 無畸變、零收縮、低 或封裝，該等介電帶 特的或假對稱排列而 本發明係關於一種自三個或三個以 之則駆未加工（未燒）層壓物之平坦、 溫共燒陶瓷（LTCC)體、複合物、模組 化學品係在該層麼物之z軸中以一獨 構型。 【先前技術】
一相互連接的電路板或封裝為電子電路或子系統自大量 電子地或機械地相互連接之極度小的電路元件之物理實 現。通f需要以一㈣組合此等不同類㈣子組份以便其 可物理地隔離且互相鄰近地安裝在一單一緊密封裝中且互 相電性連接及/或電性連接至自該封裝延伸之共用接頭。 複雜電子電路通常需要該電路由若干位準的導體構造， 該等導體由相應的絕緣介電帶層分離。導體層經由介電層 相互連接，介電層由導電路徑（稱作通路填充）分離該等導 體層。 在所有隨後的討論中吾人應瞭解，術語帶層或介電層之 使用意謂存在用陶瓷帶共燒之表面導體及相互連接的通孔 填充之金屬化。以相似方式，術語層壓物或複合物意謂已 經壓實在一起以形成一單一整體之金屬化帶層之聚集。 使用一基於陶瓷之未加工帶來製造低溫共燒陶瓷（LTCC) 多層電路係揭示於Steinberg之US 4,654,095中。共燒、自 由燒結（free sintering)方法提供了許多超過先前技術之優 l〇63〇〇.d〇c 1308106 點。然而’當需要更大的電路時’沿著平面或x、y方向之 焙燒收縮之改變經證明太寬而不能滿足需要。給定減少尺 寸的當代表面貼裝元件，已證明收縮容限（χ、y收縮之再 現性）太大而不能允許比6"x6"大的多& LTCC層㈣之有用 的製造。由於每一代新的電路及封裝在發展，因此當今上 限仍有待由更大電路密度之需要來挑戰。反過來，此轉化 為曰益小的元件尺寸且藉此轉化為更小的幾何尺寸，其包 括更窄的導線及帶中精細間距上之空間及更小的通孔。所 有此等需要比可由LTCC層壓物之自由燒結實際提供者低 很多的收縮容限。 一種用於在焙燒未加工陶瓷體期間減少X、y收縮之方法 係揭示於Mikeska之U.S, 5，G85,72G中，在該在未加工陶究 體中一剝離層（在焙燒期間變得多孔）係位於陶瓷體上且該 组件經焙燒同時保持至該體表面之組件上之壓力正常。用 於製造LTCC多層電路之方法提供一超過steinberg之明顯 優點，因為經由該壓力輔助方法獲得了減少的χ、y收 縮。 心展改良的共燒LTCC方法並揭示於Mikeska之U.S. 5’254，191中。此方法（稱作pLAS，無壓力輔助燒結之縮寫） 將基於陶瓷之剝離帶層置放在一未加工LTCC層壓物之 兩個主外部表面上。在焙燒處理期間剝離帶控制收縮。由 於其允許更能預見電路特徵之焙燒的尺寸，因此該方法代 表焙燒收縮容限中重大的改良。 由Mikeska提出之技術之輕微修改係陳述於Fasan〇等人 106300.doc 1308106 之U.S. 6，139,666中，其中由於在焙燒期間由外部應用之剝 離帶施加之不完全的收縮控制，因此用特定角斜切多層陶 瓷之邊緣以修正邊緣畸變。
Shepherd在U，S· 6,205,032中提出另一用於在LTCC結構 中控制定位之方法。該方法焙燒導致正常收縮及未束缚電 路之收縮改變之LTCC電路的核心部分。使隨後的層匹配 預培燒之核心之特徵，該核心接著用於束缚層麼至剛硬預 焙燒核心之未加工層之燒結。#平面收縮控制至HU% 之範圍但決不減少至零。由於此原因，在定位變得不能接 受之前，該技術限制為少數層。 —在基於剝離帶之束缚燒結處理期間，剝離帶起作用以固 定並抑制在…方向上任何可能的收縮。剝離帶本身不燒 結至任一合適的程度且在任一隨後的電路製造操作之前被 移除。由諸如刷塗、喷砂處理或珠 戽Φ夕一描，去Λ、初X 、手心人篁合適的程 種達成移除。使用消耗性束 用者必須購買不存在於最故……離帶W胃使 卞你歹、敢終產品中之帶材 及底部導體不能用層壓共同處 卜頂4 麂並移除剝離帶之後作為後焙 在h 在-更最近的發明，美國 。B來執行。 展束缚燒結之教示以包括一長效、：可案:咖^ 剝離之内部自束縛f ^移除、不消耗或不 个寸束之用途。經焙焯 介電帶之層，該初級介 疋曰壓物包含-初級 束缚帶之气夕Α 1疋最終陶瓷體及一第-弋白 束知之-或多個層的整體性 第—或自 帶之燒結以便在Χ、方 之目的為束縛初級 1 〇630〇.d〇c 向上之淨收縮為零。此方法係稱作 13〇8l〇6 /缚錢力輔助燒結方法且應用縮寫SCPLASe自束缚 ::於該結構内之戰略位置中且在完全共燒之後剩餘一 結構。除保持2軸對稱之外自束缚帶之置放沒有限 制0 含有某些普通介電帶排列之圖用於說明如美國專利 P索6G/385,697中所述之雄對稱之界定。在此實施例 僅類自束缚（sc)帶（1(H)係與初級帶（1〇〇)_起使 ^標準為兩個帶材料⑽，）係關於以結構中線⑽） ”··’。、之厚度及位置平衡。不保持z軸對稱之結果為嚴重 的俯曲或拱曲電路。 揭示於美國專利公開案6G/385,697中之發明展現一基於 剝離帶之束縛燒結之替代。然而，關於某人如何將此應用 ，具有金屬化帶層之不對稱排列之陶究結構的實際製造中
是不明顯的，該蓴今屬> m麻& A 寻I屬化▼層包含兩個不同的介電化 品。 當用導體材料適當地終止電容器性能時，具有比整體介 電材料高的介電常數（k)之介電層之引入可產生局部提高的 電容器性能。此通常係稱作内埋式被動結構且為一標準、 外部應用之表面貼裝元件（諸如多層電容器（mlc))之一穩 固並具成本效益的替代。在授與心及讥比之⑽」,…，· 中，描述了 LTCC結構，其中高介電常數材料與低介電常 數材料之層以對稱排列交錯。 實際上對稱之需要限制了設計者以電路之最優形式設計 ”之自由反過來5兒，此具有某些關於效能、形成因素及 106300.doc 1308106 電路之整體花費之不良結果。一避免此問題之能力表示出 對陶竟電路封裝之連續增長之明顯的競爭優勢。當前可獲 . '之唯一解決方法，意即，平衡結構之對稱及功能部分與 . 虛设、非功能補償層（參看圖2)沒有緩和上述所有缺點。 .圖3展示某些簡單不對稱排列之某些實例。實際的設計 將更複雜。雖然如此，不論複雜性因素如何，關於該等排 列之最難處理的問題是在共燒之後結構將俯曲或接曲至吾 • 丨不能接受的程度。而且其將换曲至一使其不可用於隨後 處理之程度’諸如藉由被動及主動表面^件之抓放來組 成。不可接受之拱曲或俯曲之習知定義為每】对的基板對 角線長度（例如一 6，,X6,，共燒基板之總的0.025叶）為大於基 板中心點之0.003时偏轉。雖然不同操作具有不同要求， 但是上述界定滿足大多數應用。此缺點之程度隨著基板尺 I增加。對於小於2，，χ2"之基板可略過幾乎所有不引入注 思的問題但是當標準基板尺寸增加至時其變得非常 | 明顯。 上述問題係由兩個相互接觸的介電材料之物理及化學性 ，質之差異迨成且與所有已知的介電化學品之組合一起存 在不顺結構中不存在或存在金屬導體其均將發生。因此 作為I體來看，其表示出對技術之現行發展是重要的限 制。 在更近申請案，美國專利申請案10/430,081中，束缚 之教不擴展至大面積無拱曲、共燒LTCC結構之產 "亥構源自低介電常數初級帶及高k介電常數自束缚 106300.doc 1308106 帶材料（均具有不同的化學性質）之 主了稱排列。袁细人内 部、固定的自束縛帶與外部、可 丹、，且 移動的剝離束缚帶之用 逮0 如已討論之，圖3中說明之不對稱 • 饰、，°得不能由習知處理 技術共燒扁平。其將易於以凹入的 口八的方式俯曲或拱曲，意即 層壓物之兩個邊緣在垂直於最大 卜3ΓΓ稱平面的方向上將明 顯高於中心點。
如圖4中所*，在美國專利申請案ι〇/43〇〇8ι之一實施例 中’ 一内部束缚層（UH)經配製以在— LTCC套件内提供自 束缚功能及内纟式電纟器魏。經處理之内部束缚層之性 質提供一限制初級帶（100)之x&y收縮之剛性物理形式且使 最終的LTCC套件具有功能性質。内部束缚帶先於初級帶 層之燒結。為防止由於介電化學品之差異而在共燒之後的 俯曲及永久結構畸變，在不需要與虛設或補償層對稱平衡 的情況下’將一可移動的、非永久剝離層（2〇丨）直接相對於 最不對稱源應用於外部表面。此使極度不對稱結構能夠焙 燒扁平。在焙燒之後，使用習知的刷塗或喷砂處理方法將 剝離層移除。 然而’剝離層（201)之必要包含物及其焙燒之後的移除 仍增加材料、設備及處理之成本。同時，與剝離層接觸之 底部導體不能與層壓物共處理。此必需步驟僅可在焙燒並 移除剝離帶之後作為後培燒策略之一部分來執行。 本發明陳述一創新方法，以不在如美國專利申請案 1 0/430,08 1中特定說明之層壓物之一側使用消耗性介電剝 106300.doc 1308106 . 離帶的情況下該等組合物及實例產生顯示相 收縮之結構。 J y 【發明内容】 本發明為一無畸變且盔蠻曲π #上 ^ .，，、考曲不對稱低溫共燒陶瓷結構， -陶瓷結構大體上由一或多層之低k含玻璃内部自束缚 帶、-或多層之Μ含玻璃内部自束缚帶、及至少—層之 帶組成’其中低,帶之介電常數小於8，“帶 ，，電常數大於8且其中每一自束缚帶可獨立地提供一且 有該初級帶之自束缚無遷力輔助燒結LTCC套件且其中配 帶以防止結構對稱將自束缚帶之類型相對於 I:以开V乍一整體’其中該等内部束缚帶及該初級帶經 =形成-組合不對稱層塵物且其中該套件經熱處理產 』不相互作用抑制的X、y收縮之結構。 【實施方式】 明^多層層麼物之一侧處不使用剝離帶的情況下，本發 =延伸使不對稱構型LTCC介電多層電路之概念包 =兩個内部束缚帶，該等内部束缚帶具有相同或不同 為保持燒結應力之平衡以產生一平坦或不棋曲基 有初每一内部束縛帶（5〇1或502)可獨立地提供一具 帶 ^00)之零收縮scpLAs系統，且⑻配置内部束缚 之結構對稱將内部束缚帶之類型看作相對於初級帶 數 ' a由於内部束缚帶通常具有不同組合物及介電常 自束縛創造了術語’’假對稱"。上述假對稱排列將所有 V目對於初級帶當做一類，且名字"假"反映出涉及 I06300.doc •12· 1308106 . 之自束縛帶之差異。 雖然本發明之LTCC多層電路之結構可能以 不對稱’但是仍需要配置内部束缚帶以防 ; 内部束缚帶之類型看作相對於初級帶之一整體 將該結構看作圍繞中線 匕恩明虽 一却v ^之兩部分’即頂部及底部時，盥每 ^刀獨立地相關聯之收縮位準應相峨大約以 保整體上關於該結構之均— 確 構可達成住的 然’雖然對於整體結 傅j運成任一均一位準，伸是口 八环仁疋要各個中線附近之獨立部 收缩之^ 同的收縮位準，則該結構作為-整體之 收縮之較佳位準為零收縮。 ^明之若干可能的實施例經受保持如上所述之燒結應 、I衡的要求。此等實施例包括：⑴所有内部束缚帶及 有相同的介電常數（k);⑺至少一個内部束缚帶 適渔與初級帶相同之介電常數（k);及（3)至少-個内部束 、，為低k帶且至少_個内部束縛帶為高让帶。本發明亦應 用於-低k或高k特徵之初級帶。在一低让初級帶之狀況 ^ W束缚帶可具有相同或更高k。在高k初級帶之狀況 中’内部束缚帶可具有相同或更低之卜 ，電贡化于ασ中的差異由用於配製該等帶之玻璃或填料 ，及、’且口物中的差異導致且在任一給定頻率下反映在 :’心"電吊數（k)中。為本發明之澄清之目的，一標準k 、間雖然k值不是初級帶之一必需要求，但是典 型的初級帶通常為在7與9間之1值。為本發明之目的，二 有8或小於8<k值之帶被認為是低k帶，反之考慮一具有 106300.doc -13· 1308106 為8或大於8之k值之帶為一高&帶。因此顯而易見的是據本 發明所關心之高k值可為幾十、幾百或幾千。另外，考慮 具有相互之0-15%内之k值的帶為具有相同的k。 在内部束缚帶之一具有與初級帶相同的k的狀況中，獲 得一組合且電性不對稱構型。吾人注意到，由於内部束‘ 帶與初級帶間之結構對稱，如在上文提及之先前技術中所 描述之在不使用消耗性剝離帶的情況下多層電路可經焙燒 而扁平且提供零收縮。 & 圖5a-5d說明根據本發明之内部束缚帶及初級帶之各種 多層排列。應注意本發明可應用於(但不限於)此等實例。 在5a中内部束缚帶501及5〇2形成中中内部束缚帶 501及502充當結構之上層或下層部分之束缚層。如在㈣ 内部束缚帶501或502可獨立妯拟# y A L々 倒卫·地形成芯，其為本發明之最簡 早的構型且代表一先前申培故奎別 』T °月為專利之典型的SCPLAS概 念。圖5 d說明5 b之一擴展版w 册广 顆展版以包括帶厚度及層數變化之靈 活性。
▼ . η >1^、，T 如在本發明中利用之内部委 〜μ卟果縛▼ (501、5〇2)含有在明 低於8 5 0 C之溫度下流動、來彳卜Β傲π丨 m 在化且變剛硬之玻璃，該溫 為標準處理溫度。由於炎罐器纟钱』、@ 米、4帶變成最終LTCC體之一部 因此其明顯地增加了束缚帶鉍Μ 术母f材枓之效能要求。束缚帶之 學性質（例如’介電常數k)亦可 ^ Γ以選擇組成該帶之材料來 郎。此使得初級帶之一個以卜从儿 個以上的化學類型之使用可局部 控制一部分LTCC電路之介雷用甘 巧吩々；丨冤及其它電學性質。 106300.doc 1308106 初級帶 立初級帶(100)通常為一LTCC套件中之多數帶且生成之經 L燒組件自初級帶得到其機械及電學特徵^在大多數情形 :在該結構中存在少數束縛帶。雖然可有效地使用其以局 部地修正套件之介電及其它電學效能之態樣，但是其最大 的影響為藉由將其x' y收縮大體上束缚至零來控制物理結 LTCC結構 在加熱本發明之套件期間，束缚帶（低或高k ’分別對於 501或502)中之玻璃早於初級帶（低k)之玻璃達到盆轉變、、田 度（在該溫度下玻璃起始燒結，隨後流動且密化）並流動: 大體上塗佈初級帶之相鄰層之表面粒子。由於束縛帶玻璃 :結晶溫度接近並高於其轉變穩定，因此之後很快發生結 晶。此具有結果··硬化玻璃並明顯地增加其複合物黏度或 提兩其再溶化溫度使其超過第一共 處理之奶。c至87rc之♦值燒結溫度。臭的後’口燒 非Γ 束縛影響確保在束缚帶中收縮不為零則 成I:隨後溫度之增加導致束缚帶完全燒結且其玻璃完 …曰。由於-合適的玻璃將通常生長超過50體積％的 曰曰相，因此當束缚帶體由填料之結晶含量之體 及曰 體自玻璃之就地形餘料其_硬。 到^ 帶之轉移溫度並發生流動時，藉由與束缚帶之 2用其物理地保持在適當位置。因此，&u之 k成束缚力且t燒結時相曰 里长z方向上收縮。 106300.doc 1308106 . 二•旦套件經完全燒結並已冷卻’吾人認為套件將具有盘斤 口工或未培燒之套件在X、y方向上相同的尺寸。用 、套件之兩個或兩個以上的現經化學反應之盔 以各種構型交錯。唯一仍可觀察到的邊 二2: 之帶互相鄰近而置放之處及各種内部電路特徵質 上述讨論可應用於存在於圖5b及圖5d中之構型。 接:Γ!殊情況中’兩個不同的内部束縛帶501及5。2直 接接觸。此類型之結構需要在培燒處理期間在沒 明顯的内擴散的情況下該等束缚帶間之 該破璃來自兩個帶或其中任-帶。如在所有狀況中二 低溫度範圍中初級帶⑽）充當兩個内部束缚帶⑼卜叫 之束縛力；而在較高溫度範圍中燒結並結晶、剛硬的叱層 充當初級帶之束缚力。 該種創新提供促進可共燒之頂部或底部導體之益處，減 輕當層數增加且外部剝離帶之束縛影響感覺愈來愈小時外 部地束缚之燒結結構經歷之實際限制。另外，不需要由機 械及/或化學方法移除消耗性束缚帶。此表示節省了材料 及設備支出及勞動力’且亦可避免環境污染。此外，使用 束缚帶允許一帶結構中精確尺寸、非收縮空腔之形成。由 此束缚燒結技術可產生盲腔及直腔。 為滿足LTCC電路製造之效能要求，當熱處理時除未加 工帶套件中束Ifx、7收縮之簡單處理之外必須考慮額外的 材料效此因素束缚帶及初級帶之熱膨脹係數在量值方面 '' Ί 夠接近以提供於6”χ6”或更大的陶竟板之產生，該 I06300.doc -J6- 1308106 等陶瓷板由許多層層壓未處理帶材料組成。疏忽此將導致 在鋼爐培燒或其後之溫度降低部分期間培燒之陶究LTCC 體中應力誘發之斷裂。 由於束缚帶必須在初級帶之前經熱處理成一剛硬體以提 供合適的系統X、y束缚因此引起另一設計因素。此意謂應 將束、屬可中之玻璃填料材料設計成達到初級帶之較低複合 黏度，但溫度大約低於5(rc_15〇t且較佳在8〇。〇_15〇()(：之 乾圍中。應注意上述評估係基於45〇。〇與85〇。〇之間每分鐘 6 8c之上升速率的帶式鋼爐燒結溫度分佈圖。該種分佈 圖通常用於在LTCC電路基材之大規模生產中達到高產出 量。然而，若一多層區域帶式或箱式鍋爐中之燒結溫度分 佈圖提供一平穩段以促進束缚帶之完全密化、及/或結 晶、及再生則一較小溫度差（例如小於5〇t：)亦可為有效 的。在捃化期間亦應提供束缚及初級帶間之足夠的相容性 以保持在各自帶介面處之強度及黏結。此相容性可受帶調 配物、組份之物理特徵及熱處理條件之改變之影響。束縛 帶材料之電學特徵亦必須滿足高頻電路應用之效能要求。 内部束缚及初級帶之組份 下文討論内部束缚及初級帶組份及調配物。内部束缚帶 (501、502)係進一步描述為由諸如Al2〇3、Ti〇2、Zr〇2、
ZrSi〇4、BaTi〇3等之填料陶瓷材料與可結晶或填料可反應 之玻璃組合物組成以便在焙燒期間其流動、密化及硬化處 理初級帶之剩餘層。雖然一束缚或初級帶通常可由一玻璃 及填料組成，但是熟練技工將其設計為利用一個以上玻璃 106300.doc -17- 1308106 或一個以上填料。在熱處理期間由 ㈡切规帶限制束縛帶之 X、y收縮之物理行為與習知初級帶套 « ^ y 4應用的剝離 層非常類似。然而，應注意，雖然 π°初級帶"及"*通 帶W本發明，但是在較低溫度燒結/結晶處理期間"初 束缚帶"；而在較高溫度培燒期間已燒結之"束 、、粵帶含有”初級帶”。然而充當一非 ^. θ 升/月耗性束缚帶之適當 枓之要求疋不同的。下文考慮材料要求。 4可用於初級或束缚帶之玻璃之特定實例係列於表!中。 以束縛帶中發現之較佳玻璃組合物在組成範圍中包含下 列氧化組f : Β2〇3 6_13重量％、Ba〇 20-22 重量％、Li2〇 〇.5-1.5重量％、他 3.5-4.5重量％、Ti02 25-33 重量％、 2 1 6’5重量％、Nd2〇3 29-32重量％。玻璃之更多較佳 組合物爲：D ^ ".2 3 11.84 重量 ％、：BaO 21.12 重量。/〇、Li20 1.31重量％、pa 2 5 4.14 重量 ％、Ti〇2 25·44 重量 ％、Cs20 6·16重量％、\了」 _ , 2〇3 29.99重量％。另一較佳玻璃在組成範 圍中包含下石1 & 旦 j氧化物組份：Si02 12-14重量％、Zr02 3-6重 里 〇/〇、B2〇3 20-27 曹旦 〇/ D ^ 10 θ 董里％、6&012-15重量％、]^旦0 33-36重 ^%、Li2〇. 1 3舌曰 -重置％、P2〇5 3-8重量％、Cs20 0-2 重量％。 玻璃之較佳έ日人^ 〇/ 、’ 。物為：81〇213.77重量％、21"〇2 4.70重量 /〇、^2〇326.1〇會旦0/ 夏里/〇、丑&0 14.05重量％'1\^0 35.09重量 〇、Ll2〇1.95 重 1%、Ρ2〇5 4.34 重量 ％。 已 ^f· -ϊλ. * 一 Μ . 示於前述申請案中之表1玻璃組合物表中列 舉額外的破璃 册 、 、、’且5物。已如類似於組合物17中所示之初級 加纟日I . 、s物1 8。已發現當將額外的高k玻璃組合物 106300.doc -18- 1308106 倂入標準帶調配物時其作為合適的束、缚帶^將此等額外的 組合物指定為ID # 19及# 2 0。此等組合物類似於先前提及 之較佳組合物，其例外為在沒有功能性質損失或改變的情 況下Cs20已由K20置換。 用於低k束缚1ip*中之玻璃貫例在組成範圍中包含下列氧 化物組份：玻璃#2表1為具有適當低介電常數之玻璃之實 例同時其在一 LTCC帶結構中適當地充當束缚玻璃。由此 • 具有2.5微米D50 PSD之玻璃（3.06 g/cc)及33.9體積％的氧化 鋁填料組成之帶之介電常數為約8。 上述表中之玻璃21及22為束缚帶玻璃之實例，當與初級 玻璃（諸如由玻璃15、17或18製成之帶）配對時該等束缚帶 玻璃不能適當地大體上達到零X、y收縮。對於起始燒結， TMA特徵稍高於合適的束缚玻璃（諸如玻璃#2、咬 #20)。此防止完全達到零X、y收縮。 為使一個束缚帶中之介電常數（k)與初級帶之介電常數 • 相符，玻璃之設計自高k束缚帶中玻璃之設計明顯改變。 吾人已熟知束縛帶組合物中之無機填料之選擇亦影響其所 . 得之k;因此帶組合物表示一整體性質平衡以提供零收 .、缩、材料相容性、及諸如用於高頻應用之k及損耗角正切 之所需電學效能。可用於調小合適的LTCC帶組合物之複 合介電常數之若干適當填料包括堇青石、鎂撖欖石、塊滑 石、非晶系二氧化矽、磷酸鋁（A1P〇4)、（CGw)Vyc〇r玻璃 或其它結晶或非晶系較低k陶瓷材料。 106300.doc •19- 1308106
(f )I< m 〇 s CN v〇 r-H o ΟΊ Os CS cK <N § m m § g 1 卜 CN m m ON 窆 寸 oo CN CN m 袞 <N VO cK CN m cK (N O 公 o 〇\ in Ό VO oo in •^J· SS o VO o o o »-H ° 〇 T—H m oi o cn G\ O) r-H CN a\ m P (N ^t- On VO CN 等 tn (N cn ° (N m m 00 od (N m VO <N 艺 VO (N o PlH 寸· 寸· v〇 »—H 寸 寸· m CN — m 寸· 寸· vn v〇 m ro — K (N m ^r 〇 寸· 00 CN 寸 00 in <N so 00 — o 1¾ o rn σ\ <N 客· <N 9< • **H vn O) O) o cn t—H (N c5 m ON o (N Os 〇 On 〇 T-H ν〇 Os s cs CNJ o CN o in a； in (N 〇 o v〇 cn in 00 o T—H v〇 (N r—H »-H 1—4 o o 寸 (N o <N CN (N m (N <N o (N CN ^T) (N VO Os in Ch <N 〇\ On s to — § 〇 to 5 in 00 s § m o in 〇 o r-H o r-H in ro On On c> 00 as o 写 (N s »n 'O cn in 寸 〇 ffl CN r—i rn (N o ^J- r-H (S CN r-W CM ON <N CN CO On Os cn g cn ro r*"H S s CN (N Os l> (N 00 l> <N oi <N Os in 六 00 VD o 〇 cn m in Os u 〇 卜·· H o od 卜· o (N 00 s m 9, CQ g o t—^ VO (N o ON T—< O) < H r-H o S t—< t—η od \0 vn kn cK 〇 r-H (N … (N (N v〇 00 <N o σ< o tn oo S CN (N t-H oo (N C^i OO wn ro CN cs T—H r-H ON m v〇 CN CN ri ϊ—< N 〇 s in in VO 寸· Os Os 〇 等 (N CN v〇 CN 〇 £ 〇 (N fS o 寸· 1—^ o T—H 〇< 〇 y—i o 寸· o rn Ό 00 CN 1 pj CN ζ/D r- ΓΠ 1—H o CN m l〇 0 01 iT) \D m m 00 (N § ΓΛ o (N m v〇 cn o 寸· OO m cK cn \〇 VO \〇 in 1 =tt r~H (N m 寸 卜 oo On o r— t—< (N m 寸 \o 卜 oo r—I os CN (N m <N rs 106300.doc -20- 1308106 用於初級帶之較佳玻璃組合物在組成範圍中包含下列氧 化組份：Si02 52-54 重量 ％、Αΐ2〇3 125·14.5 重量 ％、b处 8-9重量％、CaO 16-18重量％、Mg〇 〇5_5重量％、 1.7-2.5重量％、Li20 〇.2-0.3重量％、Sr〇 〇_4重量％、〖a • ^重量％。玻璃之更多較佳組合物為：Si〇2 53.50重量 0/〇、八1203 13.00重量％、8203 8.50重量％、（：&〇17〇重量 %、MgO 1 ·00 Na20 2.25 重量 ％、Li2〇 〇_25 重量 ％、sr〇 3.00重量％、尺20 1.20重量％。 在初級或束缚帶中玻璃料之D50(中值粒徑）較佳在（但不 限於）0.1至5.0微米之範圍中，且更佳〇3至3〇微米。由於 束缚帶必須同時經歷密化及結晶，因此在高於有機燒盡 (熱裂解）及初級帶中玻璃之軟化點之溫度範圍内對達到所 需之微觀結構而言其平均玻璃粒徑及粒徑分佈是最關鍵 的0 本文中描述之玻璃係由習知玻璃製造技術產生。該等玻 φ 璃係以500_1000公克量製備。通常來說，將該等成份稱重 接著以所要的比例混合且在底部負載鍋爐（b〇tt〇m]〇ading furnace)中加熱以在始合金坩堝中形成一熔體。如吾人熟 知，將熱量傳導至峰值溫度（145(rc_16〇(rc)並持續一段時 _ 間以便熔體完全變成液體且均質。接著使用逆相旋轉不銹 鋼捲筒來淬火該等玻璃熔體以形成一 1〇_2〇爪丨丨厚的玻璃 片。接著將所得之玻璃片研磨以形成具有在1-5微米間設 定之其50%體積分佈之粉末。接著將玻璃粉末與填料及有 機媒介調配以澆鑄如在實例部分詳述之帶。表1中所示之 106300.doc •21· 1308106 玻璃組=物表示廣泛的玻璃化學品（高含量的玻璃形成劑 比低含ϊ的玻璃形成劑）。玻璃成形劑氧化物通常為具有 諸如Si〇2、B2〇3及！>2〇5之高化學配位數之小尺寸離子/。、表 中顯示之剩餘的氧化物為所考慮之玻璃改質劑及中間物。 可向所用之可濟鑄組合物中添加諸如乂2〇3、&〇 ' ⑽、⑽〇4、BaTi〇3或其混合物之㈣填料以基於固2體 之0-50重量％之量形成該等帶。視填料之類型而^，吾人
期望在焙燒之後形成不同的晶相。填料可控制介電常數及 整個頻率範圍之損失。舉例而言，BaTi〇3之添加可明顯地 增加介電常數。 由於Al2〇3與玻璃反應以形成含A1晶相因此其為較佳陶 竟填料。在提供高化學強度及抵抗有害化學反應之惰性方 面Al2〇3是非常有效的。陶兗填料之另—功能為在培燒期 間流變學控制整個系統。H粒子藉由充當_物理障=來 限制玻璃之流動。其亦抑制玻螭之燒結且因此有助於更好 地燒盡有機物。α-石英、Ca2r03、莫來石(muIIite)、堇青 石、鎂橄欖石、鍅石、氧化鍅、BaTi03、caTi03、
MgTiCh、Sl〇2、非晶系二氧化矽或其混合物之其它填料亦 可用於改質帶效能及特徵。最好填料具有至少雙峰式粒徑 佈中，車义大尺寸填料之D50在1.5至3微米範圍中且 較小尺寸填料之D50在0.3至〇_8微米範圍中。 在束、，專及初級帶組合物之調配物中，相對於陶瓷材料之 I，玻璃的量是重要的。吾人考慮2〇_4〇重量％之填料範圍 為》理的，因為達到了足夠的密化。若填料濃度超過5〇重 106300.doc •22· 1308106 量％，則培燒之結構不能充分密化且具有太多孔。將顯而 易見的是’在培燒期間，在所要之破璃/填料比率内液體 玻璃相將變得充滿填料材料。 為在培燒中獲得組合物之較高密化之目的，重要的是無 機固體具有小粒徑。特定而t，大體上所有粒子應不超過 】5㈣且較佳不超過1G㈣。為服從此等最大尺寸極限，最 好至少5 〇 %的粒子（玻璃及陶究填料）大於i μ m且小於6 jum。 玻璃及陶究無機固體在其中分散之有機媒介由溶解於揮 發性有機溶劑之聚合黏合劑與視情況之其它溶解材料組 成’諸如增塑劑、脫模劑、分散劑、㈣劑、穩定劑及濕 為獲得更好的黏合效率，最好基於總組合物對9〇重量％ 的固體使用5重量％的聚合物黏合劑，該聚合物黏合劑包 括玻璃及陶以真料。然而，更佳使用不超過％重量％的聚 合物黏合劑及諸如增塑劑及最小7G重量％的有機固體之其 它低揮發性改質劑。在此等限制中，為減少必須由埶裂解 移除之有機物之量及獲得在培燒中促進完全密化之更好的 粒子堆積，需要使用最少可能量的聚合物黏合劑及其它低 揮發性有機改質劑。 過去’已採用各種聚合材料作為用於未加工帶之黏合 劑’例如，聚(乙烯醇縮丁醛)、$(乙酸乙烯酿)、聚二 醇)、纖維素聚合物(諸如甲基纖維素、乙基纖維素、經乙 基纖維素、甲基經乙基纖維素）、無規聚㈣、聚乙稀、 106300.doc -23- 1308106 矽聚合物（諸如聚（曱基矽氧烷）、聚（甲基苯基石夕氧坑））、聚 苯乙烯、丁二烯/苯乙烯共聚物、聚苯乙稀、聚（乙烤„比洛 啶酮）、聚醯胺、高分子量聚醚、氧化伸乙基與氧化丙稀 之共聚物、聚丙稀醯胺、及各種丙烯酸聚合物（諸如聚丙 烯酸鈉、聚（丙烯酸低碳烧酯）、聚（甲基丙烯酸低碳烧醋） 及丙烯酸低碳烷酯與甲基丙烯酸低碳烷酯之各種共聚物 (copolymer)及多聚物（nuiltipolymer)。曱基丙烯酸乙酯與 丙烯酸曱酯之共聚物及丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲醋與甲 基丙烯酸之三聚物先前已用作用於鑄漿成型材料之黏合 劑0 1985年8月20日頒予之1；以13之美國專利第4,536,535號揭 示了一種有機黏合劑，其為0-1 〇〇重量％&Ci8甲基丙烯酸 烷酯、100-0重量％的Cm丙烯酸烷酯與〇_5重量％的胺之烯 系不飽和羧酸之可相容多聚物的混合物。由於可以最小量 與最大量的介電固體一起使用上述聚合物，因此較佳選擇 其來產生本發明之介電組合物。由於此原因，上述參考之 Usala申請案之揭示内容係以引用的方式倂入本文中。 通常’聚合物黏合劑亦將含有相對於黏合劑聚合物之少 量的增塑劑，該增塑劑用於降低黏合劑聚合物之玻璃轉移 溫度（Tg) °當然增塑劑之選擇係主要由需要改質之聚合物 決定。在增塑劑中已用於各種黏合劑系統者為鄰苯二甲酸 二乙酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二 甲酸丁苄酯、磷酸烷基酯、聚伸烷二醇、甘油、聚（氧化 伸乙基）、經乙基化烷基酚、二烷基二硫代磷酸酯及聚（異 106300.doc -24- 1308106 丁烯）。其中，由於鄰苯二甲酸丁苄酯可以相對小的濃度 有效地使用，因此其最頻繁地用於丙烯酸聚合物系統。 選擇澆鑄溶液之溶劑組份以便獲得聚合物之完全溶解及 足夠高的揮發性以藉由在大氣壓力下施加相對低水平的熱 量來使溶劑自該分散物蒸發。此外，溶劑必須在低於含於 有機媒’丨之任其匕添加劑之沸點或分解溫度下良好地沸 騰因此，具有低於15〇°c之常壓沸點之溶劑使用最頻 繁。該等溶劑包括丙酮、二甲苯、甲醇、乙醇、異丙酵、 甲基乙基酮、乙酸乙酯、u山三氯乙烷、四氯乙烯、乙 酸戊酯、2,2,4-三乙基戊二醇q，％單異丁酸_旨、曱苯、二 氯甲烧及碳氟化合物。上述提及之個別溶劑不能完全溶解 黏合劑聚合物。然而，當與其它溶劑摻合時，其起到令人 滿意的作用。此為熟習此項技術者所熟知…尤其較佳溶 劑為乙酸乙酯，因為其避免使用對環境有害的氯碳化物。 除溶劑及聚合物之外，增塑劑係用於防止帶斷裂且提供 更廣泛範圍的諸如消隱（b〗anking)、印刷、及層I之如經 塗饰之帶操作能力。一較佳增塑劑為由Rohm及！^公司 製造之BENZOFLEX® 400,其為聚丙二醇二苯甲酸酯。 應用 、用作束缚帶或初級帶之未加工帶係藉由將玻璃、陶瓷 填料聚合黏合劑及上文描述之溶劑之研磨漿分散物的薄 層澆鑄至可撓性基板上，加熱該澆鑄層以移除揮發溶劑 來形成的。最妤初級帶之厚度不超過2〇 mi】s且較佳〗至1〇 ㈣。最好束缚帶之厚度為丨至〗G _且較幻至3細。接 106300.doc 1308106 · 著將帶沖切成薄片或以捲帶形式收集。未加工帶通常用作 用於多層電子電路之介電或絕緣材料。用每一角中之定位 孔將未加工▼之薄片沖切成稍大於電路之實際尺寸之尺 寸。為連接多層《路之不同^，在未加工帶中形成通孔。 此通常由機械衝壓完成。然而，可使用一敏銳聚焦之雷射 來揮發或在未加工帶中形成通孔。通常通孔尺寸為〇 〇〇4" 至0:25"。層間之相互連接係藉由用一厚薄膜導電墨水填充 φ 肖等通孔形成。此墨水通常由標準筛網印刷技術使用。電 路之每一層係由筛網印刷導體軌跡完成。同樣，可在選擇 之層上印刷電阻墨水或高介電常數墨水以形成電阻性或電 谷性電路元件。另外，類似於彼等用於多層電容器工業者 之特疋凋配之咼介電常數未加工帶可作為多層電路之一部 分而倂入。 s電路之每-層均完成之後，收集並層壓該等單獨層。 一限制的單軸或均衡壓模係用於確保層間精柄排列。層 • f物係用"高溫階段切割機修整。在-標準厚的薄臈傳送 帶鋼爐中或在-具有程序可控制的加熱循環之箱式鋼爐中 '執灯培燒。此方法亦將允許在不需要使用一習知的剝離帶 •纟為頂°卩及底4層及在培燒之後移除並洗掉剝離帶的情況 下八燒作為束缚燒結結構部分的頂部及/或底部 體。 本文中所用之術語"焙燒"意謂在氧化性氣氛(諸如空 氣）中加熱°亥組件至一溫度，且歷經-足以揮發（燒盡）組件 曰中所有有機材料之時間以燒結層中之玻璃、金屬或介 106300.doc -26 - 1308106 電材料且因此密化整個層壓物。 热習此項技術者將瞭解在每一層壓步驟中該等層必須定 位準確以便通路適當地連接至鄰近功能層之合適的導電通 路。 術1^功此層"係指印刷之未加工層，其具有導電、電阻 或電容功能性。因此，如上所述，一典型的未加工層可具 有印刷於其上之一或多個電阻電路及/或電容器以及導電 電路。 根據各種層壓物（參見圖丨至圖5)之界定的構型，各種厚 度的未加工帶薄片係用角定位孔沖切成具有3"χ3”至8”χ8” 之X及y尺寸的薄片。接著將此等衝壓以形成通孔且接著使 用熟習此項技術纟熟知之標準處理技術用纟適的表面及通 孔填充導體將其金屬化。 接著在氧化性氣氛（諸如空氣）中藉由加熱來焙燒該等部 分至一溫度，且歷經足以揮發（燒盡）組件之層中所有有機 材料之時間以燒結層中之玻璃、金屬或介電材料且因此密 化整個層壓物。以此方式密化整個層壓物。 接著就任一收縮及基板拱曲評估該等部分。 實例 用於該等實例中之帶組合物係藉由在揮發溶劑或溶劑推 合物中球磨研磨精細無機粉末製備。為最優化層壓物、圖 案化電路之能力、帶之燒盡特性及焙燒之微觀結構發展， 吾人發現下列體積百分比的鑄衆調配物來提供益處。作為 -貫際參考，典型鑄焚組合物之調配物亦以重量百分比展 106300.doc -27· 1308106 示。假定無機相具有相對於玻璃4.5 g/cc及相對於氧化銘 4.0 g/cc之比重且假定有機媒劑具有1.1 g/cc之比重。當使 用玻璃及氧化物而不是氧化鋁作為比重時因此之重量百分 比組份改變可能不同於彼等在此實例中假定者。 同樣請注意在表中之某些個體中下列初級（primary)已縮 寫為"初級（Prim)”且束缚（constraining)已縮寫為”束缚 (Constr)" ° 體積百分比 重量百分比 無機相 42%典型範圍 74%典型範圍 37-47%實際 70-78%實際 有機相 58%典型 26%典型 63-53%實際 30-22%實際 由於該帶通常自鑄漿塗佈，因此用於鑄漿之組合物必須 包括足夠的溶劑以使黏度降低至低於10,〇〇〇厘泊；典型的 黏度範圍為1，〇〇〇至4,000厘泊。在表2中提供鑄漿組合物之 一實例。視選擇之鑄漿黏度而定，較高濃度鑄漿使分散穩 定性延長一更長的時期（通常為若干週）。帶組份之穩定分 散物通常保持在如此塗佈之帶中。 表2-鑄漿組合物 組份 重量百分比 典型範圍 實際範圍 丙烯酸及曱基丙烯酸聚合物 4-6 4-6 臨苯二曱酸類增塑劑 1-2 1-2 乙酸乙酯/曱基乙基酮混合之溶劑 19.7 18-22 玻璃粉末 50.7 47-54 氧化鋁粉末 23.2 20-27 無機顏料 0.6 0-1 將用於本文中得到之實例之玻璃在一電加熱鍋爐中在 1450°C至1600°C下於Pt/Rh坩堝中經歷約1小時均熔化。由 106300.doc -28- 1308106 金屬捲筒淬火玻璃作為一預備步驟且接著藉由研磨使其經 受部分尺寸減小。在調配作為一鑄漿之前將為此等測試製 備之粉末調節至1-5微米的平均尺寸。由於在鑄漿製備中 利用額外的研磨，因此最終平均尺寸通常在1-3微米之範 圍中。 實例1 初級帶組合物#1(玻璃#15，帶1)(帶厚度為4.5 mils)
玻璃： 填料：Al2O3(D50=2.8微米） 填料含量33.9體積％ B203 8.50 重量％ 玻璃含量66.1體積％ Si02 53.50 Li20 0.25 重量％ AI2O3 13.00 SrO 3.00 CaO 17.00 K20 1.50 MgO 1.00 Na20 2.25 玻璃密度2.53 g/cc 氧化紹密度4.02 g/cc 束缚帶組合物#1(玻璃#2，帶1)(帶厚度為4.0或2.0 mils) 玻璃： 填料：Al2O3(D50=2.8微米） 填料含量33.9體積％ Si02 13.77 重量％ Zr02 4.70 B2〇3 26.10 BaO 14.05 MgO 35.09 Li20 1.95 P2〇5 4.34 玻璃密度3.06 g/cc 氧化銘密度4.02 g/cc 106300.doc •29- 1308106 束缚帶組合物#2(玻璃#6，帶1)(帶厚度為4.0或2.0 mils) 玻璃： 填料：Al2O3(D50=2.5微米） 填料含量33.9體積％ B2O3 11.84 重量％ BaO 21.12 Li20 1.31 P2O5 4.14 Ti02 25.44 Cs20 6.16 Nd203 29.99 玻璃密度4.45 g/cc 氧化銘密度4.02 g/cc 初級及束缚帶之固體調配物係展示為上述填料及玻璃含 量。此等帶結構係使用如下構造之此等材料製成。 測試#1 初級# 1 /束缚# 1 /初級# 1 /束缚#2/初級# 1 層數比=3/1/6/1/3 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=7.8 測試#2 初級# 1 /束缚# 1 /初級# 1 /束缚#2/初級# 1 層數比=2/1/4/1/2 束缚厚度4.0 mils，初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=5.5 測試#3 初級# 1 /束缚# 1 /初級# 1 /束缚#2/初級# 1 層數比=3/1/4/1/3 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=6.6 測試#4 初級# 1 /束缚# 1 /勒級# 1 /束缚#2/初級# 1 層數比=2/1/3/1/2 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=4.9 106300.doc -30- 1308106 在850°C下進行帶式鍋爐焙燒之後所有樣本為扁平的， 且其展示出下列百分比的X、y收縮。測試#1 0.30%、測試 #2 0.18%、測試#3 0.26%及測試#4 0.08%。 ' 在上述構型中各自的初級與束缚帶間之帶燒結之起始由 • 約75°C-85t分離。接近700°C時束缚帶發展剛性性質而在 此溫度下初級帶僅開始燒結。 吾人認為總帶厚度/束缚帶厚度之影響通常與X、y收縮 值有關，且值愈小，X、y收縮愈小。 • 實例2 —初級#2帶（4.5 mils厚）係與兩個不同的束缚帶組合物 (束缚# 1及束缚#2)配對，該等束縛帶組合物具有如實例1中 所示之相同的總帶厚度/束缚帶厚度比率。 初級帶組合物#2(玻璃#18，帶1)(帶厚度為4.5 mils) 玻璃： 填料：Al2O3(D50=2.8微米） 填料含量33.9體積％ Si〇2 54.50 重量％ Na20 2.20 A1203 12.72 Li20 0.24 B2〇3 8.32 SrO 2.94 CaO 16.63 K20 1.47 MgO 0.98 玻璃密度2.55 g/cc 氧化铭密度4.02 g/cc 測試#5 初級#2/束缚# 1 /初級#2/束缚#2/初級#2 層數比=3/1/6/1/3 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束縛厚度比率=7.8 測試#6 初級#2/束缚# 1 /初級#2/束缚#2/初級#2 層數比=2/1/4/1/2 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=5.5 106300.doc -31 1308106 測試#7 初級#2/束缚# 1 /初級#2/束缚#2/初級#2 層數比=3/1/4/1/3 束缚厚度4_0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=6.6 測試#8 初級#2/束缚# 1 /初級#2/束缚#2/初級#2 層數比=2/1/3/1/2 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=4.9 測試#9 初級#2/束缚# 1 /初級#2/束缚#2/初級#2 層數比=2/2/3/2/2 束缚厚度2.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=4.9 在850°C下進行帶式鍋爐焙燒之後所有樣本為扁平的， 且其展示出下列百分比的X、y收縮。測試#5 0.20%、測試 #6 0.11%、測試 #7 0.17%、測試 #8 0.05% 及測試 #9 0.07%。 如在組測試#5至#8(如與組測試#1至#4對比）可看出，初 級帶之作用影響X、y收縮控制之程度而初級帶#2更有效於 驅使X、y收縮至零。另外，測試#9之構型類似於測試#8之 構型，其例外為測試#9之束缚帶組份均係由兩層帶以測試 #8之束缚帶組份之一半厚度處組成。由於電路設計應或多 或少使電路層適合於達成所需的功能效能因此此增加另一 尺度之靈活性。 實例3 此實例使用束縛帶#2及3及初級帶#2。就介電常數k值而 106300.doc -32- 1308106 言，束缚帶#2高於初級帶#2之介電常數，初級帶#2之介電 常數類似於束缚帶#3之介電常數。 束缚帶組合物#3(玻璃#21，帶1)(帶厚度為4.0或2.0 mils) 玻璃： 填料：Al2O3(D50=2.5微米） 填料含量33.9體積％ Si〇2 8.74 重量％ Cs20 6.10 Zr02 2.44 Nd2〇3 28.45 B2O3 11.77 BaO 7.30 MgO 2.48 L^2〇3 27.55 Li20 1.15 P2O5 4.00 玻璃密度4.55 g/cc 氧化#呂密度4.02 g/cc 測試#10 初級#2/束缚#2/初級#2/束缚#3/初級#2 層數比=3/1/6/1/3 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束縛厚度比率=7.8 測試#11 初級#2/束缚#2/初級#2/束缚#3/初級#2 層數比=2/1/4/1/2 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=5.5 測試#12 初級#2/束缚#2/初級#2/束缚#3/初級#2 層數比=3/1/4/1/3 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=6.6 測試#13 初級#2/束缚#2/初級#2/束缚#3 /初級#2 層數比=2/1/3/1/2 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=4.9 106300.doc -33- 1308106 在850°C下進行帶式鍋爐焙燒之後所有樣本為相對扁平 的，且其展示出下列百分比的X、y收縮。測試# 10 0.42%、測試 #11 0.22% ' 測試 #12 0.33% 及測試 #13 0.09%。比較上述1 3個測試之收縮值，顯而易見的是初級 帶#2與束缚帶#1及#2之組合提供最有效的X、y收縮控制。 實例4 在另一實驗中，使用初級帶#2及束缚帶#1及#2。實例2 之測試#7與實例4之測試#14-# 16間之差異在於多層層壓物 的構型。 測試#14 初級#2/束缚# 1 /初級#2/束缚#2/初級#2 層數比=1/1/8/1/1 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=6.6 測試#15 初級#2/束縛# 1/初級#2/束缚#2/初級#2 層數比=4/1/2/1/4 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=6 _ 6 測試#16 初級#2/束缚# 1 /束缚#2/初級#2 層數比=5/1/1/5 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=6.6 測試#17 初級#2/束缚# 1 /束缚#2/初級#2 層數比=5/1/2/5 束缚厚度4.0 mils 初級厚度4.5 mils 總厚度/束缚厚度比率=4.8 雖然初級帶與兩個束缚帶中之層序列排列不同，但是上 106300.doc -34- 1308106 述3個測試具有相同的總帶厚度/束缚帶厚度比 、 制X、丫經培燒之收縮之關鍵因素中的—者。。^為控 0.19%、0.15%或0.21%的測試14、15戍 刀別為 ^ ^ 及16之x、y收縮值互 t接近’其主要歸因於相同的6.6的帶厚度比率1試#16 為一特殊狀況，其中兩個束缚帶直接接觸。由於其二者形 成：硬的微觀結構(歸因於帶中玻璃/填料之結晶)，因此其 充當核心以將初級帶束縛在其85(rc之峰值燒結溫度處。 測试#17導致0.08%的較小x、y收缩，其係由一較厚核心所 促成，該核心由束缚帶#1之一層及束缚帶幻之兩層組成。 如本發明中所揭示之，兩個束缚帶#2層之第一層位於層麼 構型之幾何中心且獲得假對稱。 可在-典型的[取帶式鋼爐内型中培燒揭示於本發明 中之初級/束縛帶層壓物以達到完全密化及零或幾 的 X、y收縮。951 GREEN TAPETM(得自 E· L Dup〇狀商 品)之典型的LTCC帶式鍋爐内型為三個半小時燒盡且燒結 曲線包括：（1μχ2·5ΐ/分鐘為25。(：至6〇。(：、（2)以192。以分 鐘為 60C 至 4〇〇C、（3)以 1.4。(：/分鐘為 4〇〇。〇至 435°C、（4)以 7_〇C/分鐘為435°C至850。〇、（5)在850°C停留17分鐘、（6)以 17.3C/分鐘為850°C至40。〇、且（7)以〇.5。(：/分鐘為4〇°C至室 溫。對任一熟習此項技術者而言，只要足夠的有機燒盡、 峰值溫度之斜率、峰值溫度持續時間、及減少比率可最優 化則可根據個人的帶式鍋爐規格改質上述曲線以產生所要 的結果。 【圖式簡單說明】 106300.doc •35· 1308106 圖1 a -1 b為-用於說明z轴對稱之界定之普通介電帶排列 的說明’此等係關於美國專利申請案6〇/385,697。 圖2a_2e為—在沒有任-俯曲或拱曲的情況下添加先前 技術非功能材料需要使該LTCC結構對稱並可共燒之說 明。等號意謂該嚴錢曲之組#2A之功能僅可在培燒之前 向該2B層壓物添加2C之後由一無拱曲組件提供。 圖3a-3d為-先前技術不對稱結構之說明，其中存在兩 •)固不同化學品之帶且二者在共燒之後均顯示嚴重的拱曲。 圖4a_4b為一先前發明，美國專利申請案10/430,081之不 對稱結構之說明。 圖5d為|本發明之第二及主要低k、低溫共燒陶瓷 基質内，根據本發明之假對稱構型混合的k介電層之說 明。帶501及502代表相同或不同让值之内部束縛層，然而 帶100代表該初級帶組份且103為該結構之中線。 【主要元件符號說明】 100 初級帶 101 束缚帶 103 結構中線 201 剝離層 5〇1，502 内部束缚帶 106300.doc -36 -

Claims (1)

130與祕侧3號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(9'7年9月） 十、申請專利範圍： 1. 一種低溫共燒陶瓷結構，該陶^結構大體Ύ由上^J分 及下層部分所組成’其中每一部分包含一或多層之初級 - 帶及一或多層低k或高k含玻璃内部自束缚帶之套件，且 • 其中當該等帶與平坦互連電路金屬化時，該自束缚帶及 初級帶係以組合配置，以提供對稱及/或不對稱2轴置放 及層厚度排列而形成共燒陶瓷電路結構，其中該低k自 束缚帶之介電常數小於8，該高k帶之介電常數大於8, 其中母一部分具有關於該部分之帶層的Z軸對稱，其中 曰及下層β卩刀所組成之結構具有關於該自束缚帶層 之介電常數的㊈不對稱，且其中每—自束縛帶可獨立 地提供—具有該初級帶之自束缚無壓力輔助燒結低溫共 燒陶竞（LTCC)套件，且其中當熱處理時，該等自束缚帶 之該玻璃起始燒結以在起始燒結該初級帶之前獲得剛硬 形嘘’且其甲層壓該等内部自束缚帶及該初級帶以形成 組合不對稱㈣物，且其巾熱處職㈣產生—顯示相 互作用抑制的X、y收縮之結構。 2. 如請求们之陶竟結構，其中該初級帶之 9之範圍中。 电㊉数在7至 3. 結構’其中該等内部自束缚帶層及初 級帶層以一+坦及以一互聯方式金屬化。 4•如請求们之Μ結構，其中該結構“ 件來板上組裝。 表面黏者7L 5.如請求们之陶兜結構，其中 采缚帶及該初級 106300-970917.doc 1308106 r-——-__, '(/年气月丨如誇⑻正替換頁 有雙華式粒徑分佈之填料粒子’其中較大尺寸 粒子之咖在以至3微米範圍中且較小尺寸粒子之㈣在 0.3至0.8微米範圍中。 6.如凊求項！之陶£結構，其中該初級帶之破璃基於總組 合物包含：Si〇2 52_55 重量 ％、Al2〇3 125_145 重量 ％、 ΙΟ; 8-9 重量 ％、Ca〇 16]8 重量 ％ Mg〇 〇55 重量 ％、
N….7-2.5 重量 ％'Li2〇 〇.2·〇3 重量 ％、_ 〇_4 重量 %、K2〇 1-2 重量 ％。 7·如請求们之陶究結構，其中該高k自束缚帶之玻璃基於 總組合物包含：b2〇3⑷重量％、Ba〇 2〇_22重量％、 0.5-L5 重量 ％、ρ2〇5 3·5_45 重量 ％ Ti〇2 25 33 重 里 ％、Cs2〇 1-6.5 重量 ％、Nd203 29-32 重量 〇/0。 8.如身求項！之陶究結構，其中該低k自束缚帶之玻璃基於 總組合物包含：si〇2 12·14重量％、Zr〇2 Μ重量％、' B2〇3 20-27 重量 ％、 %、Li2〇 丨_3 重量。/〇 一種多層電子電路 其層中一層。 BaO 12-15 重量 ％、Mg〇 33-36重量 、P2〇5 3-8重量 ％、Cs2〇 〇_2重量 ％。 ，其具有如請求項1之陶瓷結構作為 10. -種多層電子電路’其包含具有電容器功能之如請求項 1之陶瓷結構的剛硬形態。 11. 種製備低溫共燒陶瓷結構之方法，該陶瓷結構大體上 由上層部分及下層部分所組成，其中每一部分包含—戈 夕層之初級帶及一或多層之低k或高k含玻璃内部自束缚 ▼之套件，且其中當該等帶與平坦及互連電路金屬化 106300.9709l7.doc -2- 1308106 時，該自束缚帶及初級帶可能以獨特之組合配置，、甘 供對稱及/或不對稱Ζ軸置放及層厚度排列而形成實用共 燒陶竟電路結構，其中該低k自束缚帶之介電常數小於 8,該高k自束缚帶之介電常數大於8,其中每—部分旦 有關於該部分之帶層的ζ軸對稱，其中 刀” 增及下層部 分所組成之結構具有關於該自束缚帶層之介電常數的ζ 軸不對稱，且其中每一自束缚帶可獨立地提供—具有該Z 初級帶之自束缚無壓力輔助燒結LTCC套件，該方法包1 下列步驟： '匕3 提供一或多層低k含玻璃内部自束缚帶， 提供一或多層高k含玻璃内部自束缚帶， 提供至少一層含玻璃初級帶， 將該内部自束缚帶及該初級帶堆積成層以形成上層部分 及下層部分， 其中每一部分包含-或多層低k自束缚帶或高k含玻璃内 部自束缚帶’且其中每一部分不同時包含低⑼ ^ ， 其中每一部分包含至少一層含玻璃初級帶， :中該低k自㈣帶之介冑常數小於8，肖高让帶之介電 吊數大於8，其中每—部分具有關於該部分之帶層的ζ轴 對稱，其中由上層及下層部分所組成之結構具有關於該 自束缚可層之介電常數的2軸不對稱，且其中每一自束 專帶可獨立地提供—具有該初級帶之自束缚無屋力輔助 燒結低溫共燒陶究(LTCC)套件，且其中當熱處理時，該 106300-970917.doc 1308106 荨自束、’專帶之該玻璃起始燒結以在起始燒結該初級帶之 鈉獲得剛硬开〉態，且其中層壓該等内部自束缚帶及該初 級帶以形成組合不對稱層壓物，且其中熱處理該套件產 生:顯示相互作用抑制的x、y收縮之結構。 如請求項u之方法’其中該初級帶之玻璃基於總組成包 Sl〇2 52-55 ¾ *〇/〇. Aj2〇3 12.5-i4.5t *% ' B2〇3 8-重 S /〇 CaO 16-18 重量 ％、Mg〇 〇 5·5 重量 0/。、 1.7-2.5 重量。/。、U2〇 〇 2_〇 3 幸旦。/ ^ Ζ υ·3 重里 ％ ' SrO 0-4 重量 ％、 K2O 1 -2 重量 ％。 13. 如請求項^之方法，盆中 /、甲該同k自束缚帶之玻璃基於總 組合物包含：B2〇3 6_13 里 Ba〇 20-22重量 ％、Li2〇 0.5-1.5 重量。/。、p2〇5 3 5_4 5 里置 /。 Τι〇2 25-33重量％、 Cs20 1-6.5重量％、Nd2〇3 29-32重量％。 14. 如請求項u之方法，其中該低k自 ..果缚π之玻璃基於總 組合物包含：Si02 12_14重量％、 7n r〇2 3_6重量％、b2〇3 20-27 重量 ％、Ba〇 12-15 重量 ％、λΛ τ.ηι 置置/〇仏〇 33-36重量％、 Li2〇 1-3重量％、P2〇5 3_8重量％、 ^ s2〇 〇_2 重量 ％。 15. 如請求項^之方法，其中該等内部 a τ 果缚帶層及初級帶 層乂 —平坦及以一互聯方式金屬化。 106300-970917.doc -4-
TW094140743A 2004-11-22 2005-11-21 Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure TWI308106B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/994,594 US7067026B2 (en) 2004-11-22 2004-11-22 Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200630218A TW200630218A (en) 2006-09-01
TWI308106B true TWI308106B (en) 2009-04-01

Family

ID=36061476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094140743A TWI308106B (en) 2004-11-22 2005-11-21 Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7067026B2 (zh)
EP (1) EP1658968B1 (zh)
JP (1) JP4926460B2 (zh)
KR (1) KR100755547B1 (zh)
CN (1) CN1887592A (zh)
TW (1) TWI308106B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6776861B2 (en) * 2002-06-04 2004-08-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tape composition and process for internally constrained sintering of low temperature co-fired ceramic
US7175724B2 (en) * 2004-11-22 2007-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
US20060163768A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Needes Christopher R Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof
KR101469997B1 (ko) * 2008-06-25 2014-12-10 엘지이노텍 주식회사 다층 기판 및 그 제조방법
EP2228858B1 (en) 2009-03-13 2013-06-26 Topsøe Fuel Cell A/S Fuel cell stack
CN102501557B (zh) * 2011-10-26 2015-02-11 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 Ltcc叠片方法
ITMI20121595A1 (it) * 2012-09-25 2014-03-26 St Microelectronics Srl Manufatto di materiale di costruzione
WO2020129945A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 株式会社村田製作所 積層体及び電子部品
CN113087502B (zh) * 2021-03-29 2022-01-25 电子科技大学 一种高强度高模量镁铝硅基板材料及其制备方法
CN113621788B (zh) * 2021-07-20 2022-10-11 中国科学院上海光学精密机械研究所 适用于激光冲击强化的约束层材料及其制备方法
CN115259869B (zh) * 2022-07-29 2023-07-14 苏州瑞瓷新材料科技有限公司 一种承烧生瓷及其制备方法和应用

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4536535A (en) 1983-06-07 1985-08-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Castable ceramic compositions
US4654095A (en) 1985-03-25 1987-03-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition
US5102720A (en) * 1989-09-22 1992-04-07 Cornell Research Foundation, Inc. Co-fired multilayer ceramic tapes that exhibit constrained sintering
US5085720A (en) 1990-01-18 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of green ceramic bodies
US5254191A (en) 1990-10-04 1993-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of ceramic bodies
US5144526A (en) 1991-08-05 1992-09-01 Hughes Aircraft Company Low temperature co-fired ceramic structure containing buried capacitors
US5396397A (en) * 1992-09-24 1995-03-07 Hughes Aircraft Company Field control and stability enhancement in multi-layer, 3-dimensional structures
US5708570A (en) * 1995-10-11 1998-01-13 Hughes Aircraft Company Shrinkage-matched circuit package utilizing low temperature co-fired ceramic structures
US5866240A (en) * 1997-03-06 1999-02-02 Sarnoff Corporation Thick ceramic on metal multilayer circuit board
WO2000004577A1 (de) * 1998-07-15 2000-01-27 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung eines keramischen körpers mit einem integrierten passiven elektronischen bauelement, derartiger körper und verwendung des körpers
US6205032B1 (en) * 1999-03-16 2001-03-20 Cts Corporation Low temperature co-fired ceramic with improved registration
US6139666A (en) 1999-05-26 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method for producing ceramic surfaces with easily removable contact sheets
JP2001177244A (ja) 1999-12-17 2001-06-29 Hitachi Chem Co Ltd 多層板の製造方法
JP2002368420A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Murata Mfg Co Ltd ガラスセラミック多層基板の製造方法およびガラスセラミック多層基板
JP4748435B2 (ja) * 2001-08-21 2011-08-17 日本電気硝子株式会社 積層ガラスセラミック材料及び積層ガラスセラミック焼結体
US6827800B2 (en) * 2003-01-30 2004-12-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of asymmetrically configured dielectric layers
US6776861B2 (en) * 2002-06-04 2004-08-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tape composition and process for internally constrained sintering of low temperature co-fired ceramic
JP2004063812A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Kyocera Corp 多層配線基板の製法
EP1435651B1 (en) * 2003-01-02 2012-11-07 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of asymetrically configured dielectric layers

Also Published As

Publication number Publication date
US7067026B2 (en) 2006-06-27
JP2006148130A (ja) 2006-06-08
KR20060056867A (ko) 2006-05-25
EP1658968A3 (en) 2006-11-15
CN1887592A (zh) 2007-01-03
EP1658968B1 (en) 2013-07-17
KR100755547B1 (ko) 2007-09-06
TW200630218A (en) 2006-09-01
EP1658968A2 (en) 2006-05-24
JP4926460B2 (ja) 2012-05-09
US20060108049A1 (en) 2006-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100581327B1 (ko) 저온 동시연소 세라믹을 속박 소결시키는 테이프 조성물및 방법
TWI277512B (en) Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
TWI308106B (en) Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
EP2168928B1 (en) Glass Ceramic Substrate
TWI226319B (en) Process for the constrained sintering of asymmetrically configured dielectric layers
TW200307653A (en) High thermal expansion glass and tape composition
TWI280955B (en) Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
CN103748048B (zh) 用于低k、低温共烧复合材料（ltcc）带材的组合物以及由此形成的低收缩、多层ltcc结构
JPS6350345A (ja) ガラスセラミツク焼結体
US20060110586A1 (en) Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
JP4099054B2 (ja) 銅メタライズ組成物、並びに、配線基板およびその製法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees