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TWI304495B - Semi-transmissive display apparatus - Google Patents

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Publication number
TWI304495B
TWI304495B TW093102763A TW93102763A TWI304495B TW I304495 B TWI304495 B TW I304495B TW 093102763 A TW093102763 A TW 093102763A TW 93102763 A TW93102763 A TW 93102763A TW I304495 B TWI304495 B TW I304495B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
color filter
substrate
liquid crystal
display device
transparent electrode
Prior art date
Application number
TW093102763A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200424646A (en
Inventor
Hirotaka Niiya
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Publication of TW200424646A publication Critical patent/TW200424646A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI304495B publication Critical patent/TWI304495B/zh

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    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
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Description

1304495 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ’特別是關於一種 中開關裝置及濾色 本發明係關於一種半穿透式顯示裝置 具有陣列上濾色器結構之顯示裳置，其 器是被提供於同一基板上。 【先前技術】 液晶顯示裝置為-種引起大眾注意之顯示I置。由於其 諸如厚度小、耗電少之有利特性而被廣泛用於各種應用 上’包括諸如個人電腦、備有液晶顯示監視器之可攜 影放影機等之辨公室自動化設備、及諸如行動電話及個人 數位助理等之便攜式資訊裝置。 -個普通液晶顯示裝置包括_在其上將_些像素電極安 排成矩陣圖案之裝置基板及一對向基板，該對向基板包括 一濾色器，該濾色器具有對三主色（紅、綠、藍）之濾色部分 及一用於將不同顏色之濾色部分互相加以光學隔開之累色 矩陣。該裝置基板及對向基板被互相附裝於一起而使一個 基板上之元件與另一基板上者相對準，亦即使裝置基板上 之圖素電極與對向基板上濾色器之濾色部分互相精確對 準。 為能將裝置基板與對向基板互相正確附裝於一起，有必 要提供一些附裝邊緣限度以容納可能有之位移。因此，通 常之情形是使覆蓋住不同顏色濾色部分間一些間隙之阻光 黑色矩陣延伸至與相對裝置基板上之圖素電極重疊少許微 米。因此在液晶顯示裝置之孔徑比例上有一設計限制。
O:\90\90986-950120. DOC 1304495 此外，為能實現^青晰度之顯示，須減小為目像最小單 位之每個圖素之大小。&因每-圖素之大小被減小，而使 線、問關裝置、黑色矩陣等.即佔據圖素總面積之一較大面 積。因此，減小圖素之大小亦會減小孔徑比。 有鑒於此，第2-54217號日本特許公開專利公告中建議一 種旨在增加清晰度及孔徑比之液晶顯示裝置。 第2-54217號曰本特許公開專利公告中揭露一種使用所 明陣列上濾色器結構」之液晶顯示裝置，其中濾色器與 開關裝置置於同一基板上。 現藉圖4對該顯示裝置詳加說明。 一液晶顯示裝置30，包括一對向基板22、一薄膜電晶體 陣列基板23及一置於其間之液晶層12。對向基板22包括一 玻璃基板11及一共用對向電極丨〇，薄膜電晶體陣列基板Μ 包括置於其上用做開關裝置之薄膜電晶體24。 在薄膜電晶體陣列基板23中，包括閘極i、源極4、汲極5 等之薄膜電晶體24被置於玻璃基板11上，一黑色矩陣7置於 薄膜電晶體24之上方，一濾色器9置於玻璃基板丨丨上未放置 薄膜電晶體24之處。此外，一連接至薄膜電晶體24汲極5之 圖素電極8置於黑色矩陣7及濾色器9之上方。 在該液晶顯示裝置30中，圖素電極8及濾色器9被集成為 一體，而使得圖素電極8與濾色器9之對應濾色部分間極少 位移，因而將黑色矩陣7之線寬減至最小。在圖4所示之例 中’黑色矩陣7被放置成蓋住薄膜電晶體24，因此它也有用 為薄膜電晶體24阻光膜之功能。另一方面，附裝於薄膜電
O:\90\90986-950120. DOC 1304495 晶體陣列基板23之對向基板22即有—簡單結構，將共用對 向電極1〇置於玻璃基板11上’且在結構上並未被分成圖 素。所以此-結構幾乎不需要任何附裝邊緣限度。因而可 實現有南明晰度及高孔徑比之顯示裝置。 此為將一陣列上濾色結構應用於一穿透式液晶顯示裝置 之例。 β但-穿透式液晶顯示裝置通常包括一會消耗功率消耗總 里50%或更多之後照光。因必匕，提供一後照光會大為增加 總功率消耗。 有蓉於此’利用周圍光之反射而且消耗較少功率之反射 式液晶顯示裝置也被業界廣泛使用。第2〇〇〇_162625號日本 特許公開專利公告巾揭露—種使轉列幻慮色諸構之反 射式液晶顯示裝置。 現藉圖5對該顯示裝置詳加說明。 在液晶顯示裝置30之薄膜電晶體陣列基板以中，在層間 絕緣膜14上提供一連接至薄膜電晶體24汲極5之一反^電 極20’且在反射電極20上方提供一連接至反射電極2〇之透 明電極8，在該等電極間提供一濾色器9。 在液晶顯示裝置30中，一如前面對穿透式顯示裝置之舉 例’圖素電極8與滤色器9是集成於一起，因而在圖素電極8 與遽色器9之對應濾、色部分間極少位移，所以將黑色矩陣7 之線寬減至最小。另一方面，附裳於薄膜電晶體陣列基板 23之對向基板22有-簡單結構，將共用對向電極w置於玻 璃基板11上’且在結構上並未被分成圖素。所以此一結構
O:\90\90986-950120.DOC 1304495 =::=邊緣限度。㈣可…高… 此為將— 之例。 陣列上濾色結構應用於一反射式液 顯示裝置 2反射式液晶顯示裝置有其缺點，即在用於周圍光少之 ^中時’其能見度很低。有寥於此’第11·1〇1992號日本 特許公開專利公告中揭露—種半穿透式液晶顯示裝置\它 雖不用陣列上滤色器結構卻能在穿透模式及反射模式中顯 示具有高孔徑比之圖像。 /亥，11-1G1992號日本特許公開專利公告所揭露之顯示 裝置是使用具有穿透區及反射區之半穿透式安排而可免去 通常提供於對向基板上之黑色矩陣，於是可有高孔徑比。 但此一安排僅可t去黑色矩陣而^去免去㉙常也是提供 於對向基板上之濾、色器。仍須在對向基板上提供一濾色 器。因此，薄膜電晶體陣列基板及對向基板需要互相附裝 於一起且使薄膜電晶體陣列基板上之圖素電極與對向基板 上濾色器之濾色部分對準，因而要有附裝邊緣限度。' 【發明内容】 因此，本發明之目的是藉著在半穿透式顯示裝置中用一 陣列上濾色器結構而提供一種具有高清晰度及高孔徑比之 半穿透式顯示裝置。 為達到上述目的，本發明提供一種半穿透式顯示裝置， 其中每個均包括一穿透區及一反射區之複數個圖素被安排 成一矩陣圖案，該裝置包括：一具有用於該等複數個圖素
O:\90\90986-950120.DOC 1304495 每個之形成穿透區之一透明電極、形成反射區之一反射板 及一開關裝置之裝置基板；一包括一共用對向電極且與裝 置基板相對之對向基板；及一置於裝置基板與對向基板間 之顯示層，其中該裝置基板備有一濾色器。 在此一結構中，濾色器及透明電極是提供於裝置基板上 而使透明電極與濾色器間之位移極小，同時無須在對向基 板上提供濾色器。所以對向基板有一簡單結構，將共用對 向電極置於該基板上。因此，此一結構在基板互相附裝於 一起時幾乎不需要任何附裝邊緣限度。此外，此一結構不 需要將濾色器不同顏色互相隔開之黑色矩陣，因而可實現 具有高清晰度及高孔徑比之顯示裝置。 在一實施例中，該透明電極是置於較濾色器距顯示層更 近之處而盍住濾色器，反射板則置於較濾色器及透明電極 距顯示層更遠之處而蓋住開關裝置。 在此、、、σ構中，透明電極是提供於接近顯示層之濾、色器 之一邊上，因而可在裝置基板透明電極與對向基板共用對 向電極間之顯示層上施加一電壓。此外，反射板是提供於 接近開關裝置之遽色器之-邊上而蓋住開關裝置，藉以抑 制開關裝置因光所產生交換特性之減低。 在一實施例中，於濾色器與透明電極間提供一層間絕緣 膜而蓋住反射板，該層間絕緣膜之厚度則定在使光通過穿 透區之光路徑總長度實質±等於光通過反射區《光路徑總 長度。 在半穿透式顯示裝置中，光通過穿透區之光路徑總長度
O:\90\90986-950120.DOC -10- 1304495 與光通過反射區之光路徑總長度大為不同。尤其是光在反 射區中通過液晶層兩次而在穿透區中僅通過液晶層一次。 於是在穿透區之光路徑總長度與在反射區之光路徑總長度 大為不同’因而降低顯示品質。在上述結構中，層間絕緣 膜是提供在濾色器與透明電極間而蓋住反射板，且其厚度 是定在使光通過穿透區之光路徑總長度實質上等於光通過 反射區之光路徑總長度。因此，在陣列上濾色器結構中， 牙透區之光路徑總長度與反射區之光路徑總長度實質相 等，因而可保持一欲有之顯示品質而不會造成穿透區與反 射區間之相位差。 在一實施例中，層間絕緣膜是以樹脂製成。 有了此一結構，可容易形成匹配光通過穿透區之光路徑 總長度及通過反射區之光路徑總長度所要求具有厚度為以 μπι計算之層間絕緣膜。 在一實施例中，反射板並不電連接至開關裝置或透明電 極0 有了此一結構，反射板為一浮動結構，並不電連接至開 關裝置或透明電極。如此可使寄生電容較小而且對開關裝 置之操作不會有不良影響。於是即可實現具有—簡單陣列 上濾色器結構之半穿透式液晶顯示裝置。 在-實施例中’開關裝置被置於距顯示層較據色器更遠 之處’且透明電極是經由一形成於濾色層中之接觸孔電連 接至開關裝置。 有了此-結構，透明電極與開關裝置可用普通方法連接
O:\90\90986-950120.DOC -11 - 1304495 於一起，且可在開關裝置與透明電極間提供欲有之導電性。 本發明之其他目的、特性及優點可從下面參考所附圖式 之說明更為明白。 【實施方式】 現參考圖式對本發明之較佳實施例詳加說明。下面之實 施例是就一薄膜電晶體驅動型半穿透式液晶顯示裝置= 言，其中之薄膜電晶體被用做開關裝置。但應注意本發明 之液晶顯示裝置並不僅限於此，而本發明可應用於其中使 用除薄膜t晶體外之開關I置之主動去巨陣驅動型之任何其 他適當液晶顯示裝置。此外’本發明亦可應用於除液晶顯 示裝置外之任何適當顯示裝置。 實施例1 : 現參照圖1及圖3對本發明實施例丨之半穿透式液晶顯示 裝置加以說明。圖1為本發明實施例1液晶顯示裝置3〇薄膜 包晶體陣列基板23 —圖素區之計劃圖，而圖3則為沿圖J中 Π - Π線所取下之斷面圖。 液晶顯示裝置30包括一薄膜電晶體陣列基板23、一與該 薄膜電晶體陣列基板23相對之對向基板22，及一置於該二 基板間之液晶層12。 薄膜電晶體陣列基板23包括在一玻璃基板丨丨上互相平行 延伸之複數個閘線1 7、朝著與閘線丨7垂直方向延伸之複數 個源線1 8，及在閘線17與源線丨8每一交叉點處之一薄膜電 晶體24。薄膜電晶體陣列基板23更包括下文中所述之一反 射板13、一濾色器9，及一透明電極8。 O:\90\90986-950120.DOC -12- 1304495 間線17是以鈦或類似物製成。此外，提供有在間線17間 互相平行延伸之儲存電容器線19。另外，提供有以氮化石夕 或類似物所製蓋住閉線17及儲存電容器線19之閑絕緣膜2。 儲存電容器線19是以與開線17相同材料所製而且形成於 與閘線17相同之層中。健存電容器線^被連接至下文中將 說明之薄膜電晶體24之沒極5而形成—館存電容器。通常當 用於儲存$荷之圖素電容器僅是以液晶電容器構成時， 圖像保持能力可能不足而且寄生電容之影響很大。所以提 t"亥儲存電容&以保證有足夠之顯示資料㈣能力及欲有 之圖像顯示作業。 2線18是以鈦或類似物製成，且被提供於閑絕緣膜2上。 薄膜電晶體24包括一為閘線j 7凸出部分之閘極卜一半導 體膜3、-為源線18凸出部分幻巾於半導體膜3上方之源極 及伸於半、體膜3上方而與源極4相對之汲極5。此外， 提供一氮化矽或類似物所製之保護膜6蓋住薄膜電晶體Μ。 半導體膜3是提供於閘極方而在其間插入一閘絕緣膜 2且包括一在閘絕緣膜2上之本質無定形矽層3b及一在本 質無定形矽層3b上之N+無定形矽層3a。 提供有以鋁或類似物所製之反射板13蓋住薄膜電晶體24 而在其間插人-保護膜6，其功能也為防止光進人薄膜電晶 體24之阻光膜。反射板13被提供為一浮動結構，且並不電 連接至薄膜電晶體24或透明電極8或任何其他地方。 濾色器9是以每個均含有分散於其中之紅、綠、藍色素之 一之光敏感抗蝕材料所製之一些濾色部分構成，且被提供
O:\90\90986-950l 20.DOC -13- 1304495 為蓋住反射板13而且實質上整個伸過二相鄰閘㈣及二相 鄰源線18所界定之每-圖素區。每一圖素均提供有一紅、 綠或藍之濾色部分。 提供有以氧化銦錫或類似物所製之透明電極8蓋住濾色 器9並且經由形成於濾色器9中之一接觸孔21連接至薄膜電 晶體24之汲極5。 對向基板22包括一在玻璃基板u上以氧化銦錫或類似物 所製之共用對向電極10。 液晶層12是以具有電光學特性之向列液晶材料製成。 液晶顯示裝置30以下述方式顯示圖像。在每一圖素中， 當-預^電壓經由閘線17施加至薄膜電晶體24之閘極^而 將薄膜電晶體24接通時，經由汲極5流於其中之電荷被在透 明電極8與共用對向電極1〇間之液晶電容器及儲存電容器 持留為-信號電壓而透過源線18施加至源極4。液晶層^中 液晶分子之定向按照電荷量而改變，因而也改變液：層η 之穿透性而顯示一圖像。 在液晶顯示裝置30中，渡色器9及透明電極8是形成於薄 膜電晶體24也形成於其上之基板上’亦即薄膜電晶體陣列 基板23上’因而在透明電極8與遽色器9間極少位移，同時 不需要在對向基板22上提供遽色器卜所以對向基板22有一 簡單結構，將共用對向電極10提供於該基板上。因此，對 向基板22不被該基板上之元件分成段，且幾乎不需要任何 附裝邊緣限度。此外’此一結構不需要提供黑色矩陣來將 遽色器9不同顏色之遽色部分加以光學分開，因而可實現具
O:\90\90986-950l 20. DOC -14- 1304495 S月晰度及向孔徑比之液晶顯示裝置。另外，反射板13 疋&仏成蓋住薄膜電晶體24 ,而用做防止光進入薄膜電晶 體24之阻光膜。這樣可保證薄膜電晶體24周圍有足夠阻光 特性而抑制薄膜電晶體24斷開狀態之減小。此外，因反射 反有浮動結構且並不電連接至任何其他元件，寄生電 备小而對薄膜電晶體24之操作無不良影響。因此，可實現 八 簡單陣列上濾色器結構之半穿透式液晶顯示裝 置。 下面將說明本發明實施例！冑造一液晶顯丨裝置之方 法。 製4薄膜電晶體陣列基板之步驟 、百先，用濺射法在以非鹼性玻璃所製之玻璃基板丨丨上形 成鈦金屬膜，然後以光離刻加工將之圖案化而形成問線 、閘極1及儲存電容器線19。 然後，用化學汽相沉積法在閘線17、閘極i及儲存電容器 線19上沉積氮㈣或類似⑯而形成閉絕緣膜2。 σ 然後，用化學汽相沉積法在閘絕緣膜2上逐次形成一本質 無定形㈣及-摻狀定形㈣，然後以光彫刻加: 將之圖案化而成為—島形圖f，從而形成包括本質無定形 矽層3b及n+無定形矽層3a之半導体膜3。 …’ 然後，用_法在半導体膜3已形成於其上之閑絕緣膜2 上形成-鈦或類似物所製之金相，然後以光彫刻加工將 之圖案化而形成源線18、源極4及汲極5。 然後，用源極4及汲極5做為掩模钱刻n+無定形石夕層㈣
O:\90\90986-950120.DOC -15- 1304495 形成一通道段。 然後，用化學汽相沉積法在源極4及汲極5上沉積氮化矽 或類似物而形成保護膜6。 然後，用濺射法在保護膜6上形成一鋁或類似物所製之金 屬膜，然後以光彫刻加工將之圖案化而形成蓋住薄膜電晶 體24之反射板13。 然後，將含有分散於其中紅、綠、藍分子之一光敏感抗 蝕材料或類似物施加至保護膜6及反射板13,然後以光彫刻 加工將之圖案化而形成所選顏色之濾色部分。此一步驟為 另外兩種顏色加以重複，於是形成包括三種顏色濾色部分 之濾色器9而為每一圖素提供一種顏色之濾色部分。 然後，用光彫刻加工形成接觸孔21且使之穿過濾色器9 及保遵膜6而達沒極5。 然後，用濺射法在濾色器9上形成一氧化銦錫或類似物所 製之透明導電膜’然後以光彫刻加工將之圖案化而形成透 明電極8。 於是即製成薄膜電晶體陣列基板23。 製造對向基板之步驟 裝U對向基板22的方式為，在以非鹼性玻璃所製之玻璃 基板上，藉由濺鍍法來形成一以1丁〇等等為材料所製的透用 導電膜。 < * "先用笨私:印刷術將聚銳亞胺樹脂或類似物施加至薄 膜，晶體陣列基板23及對向基板22上再加㈣乾。然後朝 既定方向摩擦對準膜表面而進行對準處理。
O:\90\90986-950120.DOC -16- 1304495 然後’用絲網印刷將熱凝性環氧樹脂或類似物所製之密 封劑以在液晶注入埠處斷開之框型圖案施加至薄膜電晶體 陣列基板23及對向基板22之一上。在薄膜電晶體陣列基板 23及對向基板22之另一個上則散布一些諸如聚苯乙烯聚合 物所製之球形塑膠珠。球形塑膠珠之直徑相當於液晶層之 厚度。 然後’將薄膜電晶體陣列基板23及對向基板22附裝於一 起，密封劑凝固而形成一空格。濾色器9及透明電極8被形 成於薄膜電晶體陣列基板23上，因而在濾色器9與透明電極 8間極少位移，同時不需要在對向基板22上提供濾色器9。 所以對向基板22有一簡單結構而共用對向電極丨〇被提供於 該基板上。因此，即使薄膜電晶體陣列基板23與對向基板 22間在附裝於一起時有些許未對準處，該未對準處也不會 導致濾色器9及透明電極8之位移。所以該液晶顯示裝置3 〇 因不需要進行南精準度之基板對準附裝步驟而可提供欲有 之產能。 然後，以真空填入法將液晶材料注入該空格之薄膜電晶 體陣列基板23與對向基板22間之間隙中而形成液晶層12。 然後將紫外線可使其凝固之樹脂施加至液晶注入埠並用紫 外線光照射该备、外線可使其凝固之樹脂，於是即密封起該 注入崞。 可按照如上文所述之步驟來製造本發明之液體顯示裝置 30 〇 如上所述，本發明之液晶顯示裝置30因不需要進行高精 O:\90\90986-950120.DOC -17- 1304495 可挺供欲有之產能。此外，此 準度之對準基板附裝步驟而 不同顏色之濾色部 晰度及高孔徑比之 結構不需要提供黑色矩陣來將濾色器 分加以光學分開，ID而可實現具有高清 半穿透式液晶顯示裝置。 實施例2 : 現參看圖2對按照本發明實施例2之半穿透式液晶顯示裝 置加以》兒Θ圖2為按照本發明實施例2之半穿透式液晶顯 示裝置薄膜電晶體陣列基板23之斷面圖且對應於圖3。 在液晶顯示裝置30中，於瀘色器9與透明電極8間提供一 層間絕緣膜!4而蓋住反射板13。除此之外，本實施例之液 晶顯示裝置3G與實施m中者相類似，且共通組件均以相同 參考符號指示而在下文中不再說明。 層間絕緣膜14是以光敏感㈣酸樹脂或類似物製成。層 間絕緣膜14厚度之決定是使光通過穿透區之光路徑總長度 實質等於光通過反射區之光路徑總長度。因此，穿透區内 液晶層12之厚度dt約為反射區内液晶層12厚度心之兩倍。 因此，在液晶顯示裝置30中，㈣己光通過穿透區光路經 總長度與光通過反射區光路徑總長度之層間絕緣膜14是提 供於濾色器9與透明電極8之間而蓋住反射板13。因此，除 實施例1之功能與效果外，本實施例之液晶顯示裝置3〇能= 持欲有之顯不品質而不會造成穿透區與反射區間之相位 差0 按照本發明實施例2之製造液晶顯示裝置3〇之方法，除對 濾色為、9上之層間絕緣膜14所附加之資訊外，其餘類似於〒 O:\90\90986-950120.DOC -18- 1304495 施例1之部分將不再詳述。 現在說明形成層間絕緣膜14之特殊方法。 首先，將光敏感丙烯酸樹脂或類似物施加至濾色器9上， 然後以光彫刻加工將之圖案化而形成對應於反射板丨3圖案 之層間絕緣膜14。 然後，用濺射法在濾色器9及層間絕緣膜14上形成氧化銦 錫或類似物所製之一透明導電膜，而隨後以光彫刻加工形 成透明電極8。 如此，匹配光通過穿透區光路徑總長度與光通過反射區 光路徑總長度之層間絕緣膜14即可提供於濾色器9與透明 電極8之間而實現一可提供欲有之顯示品質而不會造成穿 透區與反射區間相位差之半穿透式液晶顯示裝置。 雖在上述各實施例中之薄膜電晶體陣列基板及對向基板 均係以一玻璃製之基本基板所製造，但本發明並不限於如 此通$，塑膠基板容易因熱、潮濕等而伸縮。所以若用 塑膠基板做為基本基板，在將基板附裝於一起時可能會發 生不對準之情形。但按照本發明，不f要進行高度精準之 基板對準附裝步驟。因此，即使用塑膠基板，附裝步驟也 頗容易。所以當薄膜電晶體陣列基板及對向基板是從一塑 膠材料所製之基本基板製造時，本發明之優點可更予肯定。 本U雖已參考一些較佳實施例加以說明，但顯然對孰 技術者·而言所述之本發明仍可作許多方式之修改並 可舉出除上面所述者外 專利Μη 因此，所附之申請 q盍洛入本發明真正精神及範圍内之對本發明之
O:\90\90986-950120. DOC -19- 1304495 一切修改。 【圖式簡單說明】 圖1為按照本發明第一實施例液晶顯示裝置圖 圖2為從圖^π_η線所取下按照本發 旦月Sa _ 素區之簡 二實施例 一實施例 液晶顯示 液晶顯不 液晶顯示裝置之斷面圖 圖3為從圖1中沿卩rr ，a ,. 、六曰 ^ _ Η線所取下按照本發明 液日日顯示裝置之斷面圖。 裝:：統式使轉列上…結構… 裝：：統式使用陣列上心結構之反射 【圖式代表符號說明】 1閘極 2閘絕緣膜 3 半導體膜 3a N+無定形矽層 3b本質無定形矽層 4 源極 5 汲極 6防護臈 7 黑色矩陣 8透明電極（圖素電極） 9濾色器
O:\90\90986-950120.DOC -20- 1304495 1 〇 共用對向電極 11 玻璃基板 12液晶層 13 反射板 14 層間絕緣膜 17閘線 18 源線 19儲存電容為'線 2 0 反射電極 21 接觸孔 22 對向基板 23薄膜電晶體陣列基板 24 薄膜電晶體 30液晶顯示裝置 O:\90\90986-950120.DOC -21 -

Claims (1)

  1. 拾、申請專利範園： 1 · 一種半穿透式顯示裝置，其中有被排成一矩陣圖案之複 數個圖素，各包括一穿透區及一反射區，該裝置包括： 一裝置基板，包括一用於該複數個圖素各形成該穿透 區之透明電極、一形成該反射區之反射板，及一開關裝 置； 一對向基板’包括一與該裝置基板相對之共用對向電 極；及 一插入於該裝置基板與該對向基板間之顯示層， 其中該裝置基板備有一遽色器，且 該透明電極置於較濾色器更接近該顯示層處而蓋住 或濾色器’而該反射板則置於較該渡色器及該透明電極 距顯示層更遠處而蓋住該開關裝置。 2·如申請專利範圍第1項之半穿透式顯示裝置，其中於該 濾色器與該透明電極間提供一層間絕緣膜而蓋住該反 射板，且該層間絕緣膜厚度之決定是使光通過該穿透區 之光路徑總長度實質±等於光通過該&射區之光路徑 總長度。 其中該層 如申請專利r巳圍第2項<半穿透式顯示裝置 間絕緣膜係以樹脂製成。
    示裝置，其中該反 明電極。 示裝置，其中： O:\90\90986-950120.DOC 1304495 該開關裝置置於較該濾色器距顯示層更遠處；及 該透明電極係經由一形成於該濾色器内之接觸孔電 連接至該開關裝置。 O:\9O\9O986-95O120.DOC 1304495 柒、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（2 )圖 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明 1 閘極 2 閘絕緣膜 3 半導體膜 3a N+無定形矽層 3b 本質無定形矽層 4 源極 5 汲極 6 防護膜 8 透明電極（圖素電極） 9 濾色器 10 共用對向電極 11 玻璃基板 12 液晶層 13 反射板 14 層間絕緣膜 21 接觸孔 22 對向基板 23 薄膜電晶體陣列基板 24 薄膜電晶體 30 液晶顯不裝置 dt 穿透區液晶層12厚度 O:\90\90986-950120.DOC 1304495 dr 反射區液晶層12厚度 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） O:\90\90986-950120.DOC
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