JP4540355B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に係り、特に反射電極を有する液晶表示装置及びその製造方法に関する。

反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であるため、消費電力が低く、薄型であり、軽量化が可能であるため、注目されている。

しかし、反射型の液晶表示装置は、周囲が暗い場合においては、良好な視認性が得られない。

一方、周囲が暗い場合であっても良好な視認性を得ることができる液晶表示装置として、バックライトが設けられた透過型の液晶表示装置が提案されている。透過型の液晶表示装置は、バックライトが設けられているため、周囲が暗い場合であっても、良好な視認性が得られる。

しかし、透過型の液晶表示装置は、消費電流が大きいため、低消費電力化の要請を満たし得ない。

そこで、周囲が明るい場合には反射型の液晶表示装置として機能し（反射表示）、周囲が暗い場合には透過型の液晶表示装置として機能しうる（透過表示）、反射透過型の液晶表示装置が提案されている。
特開平１１−１０１９９２号公報 特開平１１−３１６３８２号公報 特開２００１−３４３６６０号公報 特開２０００−１１１９０２号公報 特開２０００−２９８２７１号公報 特開平１０−２６８２８９号公報 特開２０００−２６７０８１号公報 特開２００１−１６６２８９号公報 特開２００２−２９６５８５号公報 特開２００２−２２１７１６号公報

しかしながら、提案されている反射透過型の液晶表示装置では、反射電極と対向電極との間に所定の電圧が印加されず、反射表示の際に良好な表示品位が得られない場合があった。

また、提案されている反射透過型の液晶表示装置では、透過表示の際の明るさを十分に確保しようとした場合には、反射表示の際の明るさが暗くなってしまっていた。ここで、反射部の面積を大きくすることにより反射表示の際の明るさを向上することも考えられるが、この場合には、透過部の面積が狭くなるため、透過表示の際の明るさが暗くなってしまう。

また、提案されている反射透過型の液晶表示装置では、透過表示の際における色濃度に比べて、反射表示の際における色濃度が著しく濃くなってしまい、良好な表示品位が得られないことがあった。

本発明の目的は、透過表示と反射表示のいずれにおいても表示品位の良好な反射透過型の液晶表示装置を提供することにある。

上記目的は、ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタに電気的に接続された透過電極と、前記透過電極に電気的に接続された反射電極とを有する画素電極とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向して設けられ、前記画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記反射電極は、前記反射電極に電気的に接続された前記薄膜トランジスタを駆動する前記ゲートバスラインと異なる他のゲートバスラインに絶縁層を介して対向しており、前記反射電極に電気的に接続された前記薄膜トランジスタを駆動する前記ゲートバスラインとは対向していないことを特徴とする液晶表示装置により達成される。

本発明では、ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタに画素電極が電気的に接続されており、その画素電極のうちの反射電極が、他のゲートバスライン上に絶縁層を介して形成されている。ゲートバスラインは順次走査されるため、２つのゲートバスラインに信号電圧が同時に印加されることはない。このため、ゲートバスラインに信号電圧が印加されて薄膜トランジスタがオンになり、反射電極に電圧が印加された際には、他のゲートバスラインはオープンの状態となっている。このため、反射電極と他のゲートバスラインとの間に、大きな静電容量が形成されることはない。従って、本発明によれば、反射電極と対向電極との間の液晶層に印加される電圧が低下するのを防止しつつ、透過領域として用いることができないスペースを有効活用することができる。従って、本発明によれば、透過部の面積が狭くなるのを防止しつつ、反射部の面積を広くすることができ、表示品位の高い反射透過型の液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明によれば、反射電極の下方に絶縁層を介して、蓄積容量バスライン、薄膜トランジスタ等が配置されているため、光が透過し得ない領域を更に有効活用することができる。従って、本発明によれば、透過部の面積が狭くなるのを防止しつつ、反射部の面積をより広くすることができ、より表示品位の高い反射透過型の液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明によれば、絶縁層の縁部が蓄積容量バスライン等の上に位置しているため、液晶分子の配向乱れ等が生じやすい領域である絶縁層の縁部近傍領域を、蓄積容量バスライン等により遮光することができる。従って、本発明によれば、ざらつきの発生やコントラストの低下を防止することができる。

また、本発明によれば、絶縁層にコンタクトホールを形成することなく、絶縁層の縁部近傍領域において反射電極と透過電極とを接続しているため、反射効率の低下や表示品位の劣化を防止することができる。

また、本発明によれば、電極ユニットの中心線近傍に接続パターンを形成しているため、４方向の配向分割に悪影響を与えることなく、電極ユニットと電極ユニットとを確実に電気的に接続することができる。また、本発明によれば、電極ユニットの中心線近傍に接続パターンを形成しているため、４方向の配向分割に悪影響を与えることなく、電極ユニットとドレイン電極とを確実に電気的に接続することができる。また、本発明によれば、電極ユニットの中心線近傍に接続パターンを形成しているため、４方向の配向分割に悪影響を与えることなく、電極ユニットと反射電極とを確実に電気的に接続することができる。従って、本発明によれば、良好な表示品位を確保しつつ、表示欠陥の発生を防止することができる。

また、本発明では、筋目の方向がゲートバスラインの長手方向に対してほぼ垂直な凹凸が絶縁層の表面に形成されており、絶縁層の表面に形成された凹凸を反映して、反射電極の表面に同様の凹凸が形成されている。反射電極４８の表面に形成された殆どの凹凸の筋目が同じ方向に揃っているため、殆どの凹凸における傾斜面の傾斜方位は同じ方位となる。このため、本発明によれば、特定の方位から入射される光の反射率、例えば、左右方位から入射される光の反射率を向上することができる。高い反射率が得られるような条件で画面を見れば反射表示の際にも明るい表示が得られるため、透過表示の際における明るさを十分に維持しつつ、反射表示の際における表示の明るさを向上することができる。

また、本発明では、第２の基板側に形成された配向規制用構造物が、第１の基板側の絶縁層上に形成された反射電極に接しており、主として、第２の基板側の配向規制用構造物の高さと第１の基板側の絶縁層の厚さとにより、液晶層の厚さが保持されている。本発明によれば、主として第２の基板側の配向規制用構造物と第１の基板側の絶縁層とにより液晶層の厚さが保持されるため、液晶層の厚さを保持するための手段を別個に設けることを要しない。従って、本発明によれば、簡便な構成の液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明によれば、第２の基板側に配向規制用構造物が設けられているのみならず、第１の基板側にも配向規制用構造物が設けられているため、液晶分子の配向方向をより安定化させることができる。従って、本発明によれば、より表示品位の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。

また、本発明によれば、絶縁層の周縁部に反射電極が形成されていない領域が存在するため、絶縁層の周縁部の近傍においては、反射電極による斜め電界を小さくすることができる。このため、本発明によれば、絶縁層の周縁部における液晶分子の配向乱れを抑制することができ、より良好な表示品位を実現することができる。

また、本発明では、絶縁層が各々の画素の反射部毎に島状に形成されており、筋目の方向がゲートバスラインの長手方向に対してほぼ垂直な第１の凹凸と、筋目の方向がゲートバスラインの長手方向に対してほぼ平行な第２の凹凸とが絶縁層の表面に形成されており、絶縁層の表面に形成された凹凸を反映して、反射電極の表面に同様の凹凸が形成されている。反射電極の表面に形成された第１の凹凸の殆どが同じ方向に揃っているため、殆どの第１の凹凸における傾斜面の傾斜方位は同じ方位となる。また、反射電極の表面に形成された第２の凹凸の殆どが同じ方向に揃っているため、殆どの第２の凹凸における傾斜面の傾斜方位は同じ方位となる。しかも、第１の凹凸における傾斜面の傾斜方位と第２の凹凸における傾斜面の傾斜方位とは、ほぼ垂直である。このため、本発明によれば、例えば、左右方位から入射される光のみならず、上下方位から入射される光をも、強い強度で液晶表示装置の画面の正面に出射することができる。従って、本発明によれば、より良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明では、電極ユニットのベタ部上に、表面に凹凸が形成された絶縁層を介して反射電極が形成されている。本発明によれば、反射電極がゲートバスライン上やデータバスライン上に形成されていないため、ゲートバスラインやデータバスラインと反射電極との間に大きな静電容量が生じるのを防止することができる。従って、本発明によれば、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明では、反射電極が、ベタ部の上方のみならず、蓄積容量バスラインの上方にも形成されているため、透過領域として機能し得ない領域を反射領域として有効活用することができる。従って、本発明によれば、反射効率を向上させることが可能となる。

また、本発明によれば、反射部のうちの中央部にカラーフィルタ層が形成されており、反射部のうちの中央部を除く領域にカラーフィルタ層が形成されていないため、反射部のうちのカラーフィルタ層が形成されている領域と反射部のうちのカラーフィルタ層が形成されていない領域との面積比を適宜設定することにより、反射部の色濃度を調整することができる。このため、本発明によれば、透過部の色濃度に対して反射部の色濃度が著しく濃くなってしまうのを防止することができ、ひいては、透過部における色濃度と反射部における色濃度とをほぼ等しくすることもできる。

また、本発明によれば、透過部に用いられているカラーフィルタ層と同一のカラーフィルタ層を反射部にも用いることができるため、第２の基板に、透明樹脂より成る平坦化層を形成することを要せず、低コスト化に寄与することができる。

また、本発明では、反射電極のうちの中心部のカラーフィルタ層の下に配向規制用構造物が形成されている。本発明によれば、液晶層に印加される電圧を配向規制用構造物により部分的に低下させることができるため、液晶層の位相差条件を調整することができる。

また、本発明では、反射電極上及び透過電極下にカラーフィルタ層が形成されており、反射電極上のカラーフィルタ層の厚さが透過電極下のカラーフィルタ層の厚さより薄く設定されているため、反射部における色濃度が透過部における色濃度に対して著しく濃くなってしまうのを防止することができる。

また、本発明によれば、反射電極上にカラーフィルタ層が形成されているため、反射部の液晶層に印加される電圧を、反射電極上に存在するカラーフィルタ層により低下させることができる。このため、本発明によれば、反射電極上に存在するカラーフィルタ層の厚さを適宜設定することにより、反射部と透過部との位相差条件を合わせ込むことができる。

また、本発明によれば、カラーフィルタ層により第１の基板の表面が平坦化されているため、第１の基板と第２の基板との間に汎用のスペーサを配置するだけで、液晶層の厚さを保持することができる。即ち、本発明によれば、簡便な手段を用いて、液晶層の厚さを保持することができる。

また、本発明によれば、反射電極に同心状の凹凸が形成されており、反射部の無着色領域における縦皺と横皺との存在比と、反射部の着色領域における縦皺と横皺との存在比とがほぼ等しくなるように無着色領域が配されているため、無着色領域により反射される光の出射方向と、着色領域により反射される光の出射方向とを、ほぼ等しくすることができる。このため、本発明によれば、反射領域における色濃度が、透過領域における色濃度と比較して著しく濃くなってしまうのを防止しつつ、色再現範囲を広くすることができる。

また、本発明では、反射電極の表面に筋状の凹凸が揃うように形成されており、筋状の凹凸の端部を除く領域に着色領域が配されており、筋状の凹凸の端部を含むように無着色領域が配されている。このため、明るい表示が得られるような条件では、広い色再現範囲が得られる。一方、表示が暗くなるような条件では色再現範囲は狭くなるが、表示が暗くなるような条件では、色再現範囲が狭いことが認識されにくいため、実用上は特段の問題は生じない。従って、本発明によっても、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明によれば、カラーフィルタ層の色によって無着色領域の面積を異ならせているため、良好な白色表示を実現することが可能となる。

また、本発明では、ゲートバスラインに沿うように樹脂層が帯状に形成されており、樹脂層の表面に、筋目の方向が樹脂層の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸が形成されている。本発明では、このような凹凸が形成された樹脂層上に反射電極が形成されているため、樹脂層の表面の凹凸を反映して、反射電極の表面にも同様に凹凸が形成される。凹凸における傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスラインの長手方向とほぼ一致する。このため、本発明によれば、例えば左右方位から入射される光の反射率を高めることができる。即ち、本発明によれば、例えば画面の左右方位又は上下方位から入射される光の反射率を高めることができる。従って、本発明によれば、反射表示の際における表示の明るさを向上することができる。

また、本発明では、樹脂層が、互いに隣接する反射電極間の領域から突出する突出パターンを有している。突出パターンの先端においては、樹脂層の側壁の面の傾きが基板面に対して緩やかとなるため、導電膜をドライエッチングして反射電極を形成する際に、突出パターンの先端部においては導電膜の残渣が生じにくい。このため、本発明によれば、互いに隣接する反射電極が短絡するのを確実に防止することができる。

また、本発明によれば、樹脂層の下に遮光膜が形成されているため、露光ステージによる光の反射を防止することができ、露光の際に樹脂層が不均一に感光してしまうことが防止されている。従って、本発明によれば、樹脂層の表面に凹凸をムラなく形成することができ、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明によれば、樹脂層が島状に形成されており、島状の樹脂層の表面に同心状に凹凸が形成されている。表面に凹凸が同心状に形成された絶縁層上に反射電極を形成しているため、反射電極の表面にも同心状の凹凸が形成されている。このため、反射電極の表面には、筋目の方向がゲートバスラインの長手方向に対してほぼ垂直な第１の凹凸と、筋目の方向がゲートバスラインの長手方向に対してほぼ平行な第２の凹凸とが形成される。筋目の方向がゲートバスラインの長手方向に対してほぼ垂直な第１の凹凸における傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスラインの長手方向とほぼ一致する。また、筋目の方向がゲートバスラインの長手方向に対してほぼ平行な第２の凹凸における傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスラインの長手方向に対して垂直な方向とほぼ一致する。このため、本発明によれば、液晶表示装置の画面の左右から入射される光と、液晶表示装置の画面の上下から入射される光とを、液晶表示装置の画面の正面に強い光強度で出射することが可能となる。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による液晶表示装置を図１乃至図９を用いて説明する。図１は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。図１（ａ）では絶縁層及び反射電極が省略されており、図１（ｂ）では絶縁層及び反射電極を省略することなく示している。図２は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図（その１）である。図３は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その２）及び断面図（その２）である。図３（ａ）は、ＴＦＴ基板を示している。図３（ｂ）は、図３（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図である。図４は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その３）である。図４（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図４（ｂ）は図４（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図５は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図（その３）である。

本実施形態による液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２と、ＴＦＴ基板２に対向して設けられたＣＦ基板４と、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４との間に封入された液晶層６とを有している。

まず、ＴＦＴ基板２について図面を用いて説明する。

図１及び図２に示すように、ガラス基板１０上には、複数のゲートバスライン１２ａ、１２ｂが形成されている。ゲートバスライン１２は、互いにほぼ平行に形成されている。ゲートバスライン１２の両側には、Ｃｓ（蓄積容量）バスライン１４とＣｓダミーバスライン１６とがそれぞれ形成されている。ゲートバスライン１２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、Thin Film Transistor）１８のゲート電極を兼ねるものである。Ｃｓバスライン１４は、ゲートバスライン１２にほぼ平行に形成されている。Ｃｓダミーバスライン１６も、ゲートバスライン１２にほぼ平行に形成されている。なお、Ｃｓバスライン１４は、画素電極５２との間で所定の静電容量を形成することにより、画素電極５２を所定の電位に保持するためのものである。ゲートバスライン１２とＣｓバスライン１４とＣｓダミーバスライン１６とは、同一の導電膜を用いて構成されている。

ゲートバスライン１２、Ｃｓバスライン１４及びＣｓダミーバスライン１６が形成されたガラス基板１０上には、例えば窒化シリコン膜より成るゲート絶縁膜２０が形成されている。

ゲート絶縁膜２０上には、例えばアモルファスシリコンより成るチャネル層２２が形成されている。なお、チャネル層２２は、図１に図示されており、図２では省略されている。

チャネル層２２及びゲート絶縁膜２０上には、ソース電極２４ａとドレイン電極２４ｂとが形成されている。こうして、ゲート電極１２、チャネル層２２、ソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂ等を有する薄膜トランジスタ１８が構成されている。

Ｃｓバスライン１４の近傍には、ゲート絶縁膜２０を介して、Ｃｓ対向電極（中間電極）２６が形成されている。Ｃｓ対向電極２６は、Ｃｓバスライン１４との間で大きな静電容量を得るためのものである。Ｃｓ対向電極２６は、ソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂと同一の導電膜と用いて形成されている。

ゲート絶縁膜２０上には、ゲートバスライン１２等にほぼ直交するように、複数のデータバスライン２８が形成されている。複数のデータバスライン２８は、互いにほぼ平行に形成されている。データバスライン２８は、ソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂ及びＣｓ対向電極２６と同一の導電膜を用いて形成されている。データバスライン２８と薄膜トランジスタ１８のソース電極２４ａとは、一体に形成されている。

データバスライン２８、Ｃｓ対向電極２６等が形成されたガラス基板１０上には、保護膜２９が形成されている。

保護膜２９には、ドレイン電極２４ｂに達するコンタクトホール３０ａと、Ｃｓ対向電極２６に達するコンタクトホール３０ｂとが形成されている。

保護膜２９上には、ＩＴＯ膜より成る透過電極３２ａ、３２ｂが形成されている。透過電極３２は、２つの電極ユニット３４ａ、３４ｂを有している。なお、ここでは、透過電極３２が２つの電極ユニット３４ａ、３４ｂを有している場合を例に説明したが、透過電極３２が有する電極ユニット３４の数は２つに限定されるものではなく、１つでもよいし、３つ以上でもよい。電極ユニット３４は、ベタ部３６ａと、ベタ部３６ａから電極ユニット３４の外周方向に延伸する複数の延伸部３６ｂとを有している。データバスライン２８の長手方向に対する延伸部３６ｂの延伸方向は、４５度又は１３５度となっている。

電極ユニット３４ａと電極ユニット３４ｂとは、接続パターンにより互いに接続されている。電極ユニット３４ａと電極ユニット３４ｂとを接続する接続パターン３８ａは、電極ユニット３４の中心線近傍に形成されている。ドレイン電極２４ｂの近傍に位置する電極ユニット３４ａには、ドレイン電極２４ｂに電気的に接続するための接続パターン３８ｂが形成されている。反射電極４８の近傍に位置する電極ユニット３４ｂには、反射電極４８に電気的に接続するための接続パターン３８ｃが接続されている。電極ユニット３４ａ、３４ｂと接続パターン３８ａ〜３８ｃとは、同一のＩＴＯ膜により形成されている。透過電極３２は、コンタクトホール３０ａを介して薄膜トランジスタのドレイン電極２４ｂに接続されている。また、透過電極３２は、コンタクトホール３０ｂを介してＣｓ対向電極２６に接続されている。

透過電極３２の接続パターン３８ｂ、３８ｃ上及び保護膜２９上には、例えばポジ型レジストより成る絶縁層４０が形成されている。絶縁層４０は、Ｃｓバスライン１４とＣｓダミーバスライン１６との間の領域に、帯状に形成されている。絶縁層４０の厚さは、例えば２μｍ程度である。絶縁層４０の一方の縁部は、Ｃｓバスライン１４上に位置している。絶縁層４０の他方の縁部は、Ｃｓダミーバスライン１６上に位置している。絶縁層４０の表面には、筋状の凹凸（皺）４２ａ（図３（ａ）、図３（ｃ）、図４（ａ）参照）が揃うように形成されている。なお、図１（ｂ）では、筋状の凹凸４２ａは省略されている。殆どの凹凸４２ａの筋目の方向は、帯状の絶縁層４０の長手方向に対してほぼ垂直な方向、即ち、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な方向に揃っている。

なお、絶縁層４０の表面に筋目の方向が揃った凹凸４２ａを形成するのは、絶縁層４０表面の凹凸４２ａを反射電極４８に反映させ、反射電極４８の表面にも筋目の揃った凹凸を形成するためである。また、反射電極４８の表面に筋目の揃った凹凸４２ａを形成するのは、特定の方向から入射される光を、液晶表示装置の正面に強い光強度で出射するためである。

凹凸４２ａは、以下のようにして形成することができる。

即ち、まず、例えばポジ型のレジスト膜を形成する。この後、レジスト膜に対してプリベークを行う。この後、レジスト膜をパターニングする。こうして、レジスト膜より成る絶縁層４０を帯状に形成する。

次に、絶縁層４０に対して熱処理（ポストベーク）を行う。熱処理温度は、例えば１３０〜１７０℃程度とする。

次に、絶縁層４０の表面にイオン注入や紫外線照射等を行うことにより、絶縁層４０の表面を硬化させる。

次に、絶縁層４０に対して、ポストベークより高温の熱処理（ハードキュア）を行う。熱処理温度は、例えば１９０〜２３０℃程度とする。絶縁層４０の表層部はイオン注入等により既に硬化されている一方、絶縁層４０の内部は比較的高温の熱処理（ハードキュア）により著しく熱収縮する。このため、絶縁層４０の表面に凹凸（皺）４２ａが形成されることとなる。本実施形態では、絶縁層４０が帯状に形成されているため、比較的高温の熱処理の際には、絶縁層４０の長手方向に大きな応力が加わる。このため、絶縁層４０の長手方向に対してほぼ垂直な方向の凹凸４２ａが皺状に形成される。凹凸４２ａによる筋目のうちの殆どは、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な方向となる。

図４（ａ）に示すように、データバスライン２８上には、配向規制用構造物４４ａ、４４ｂが形成されている。配向規制用構造物４４ａ、４４ｂは、液晶層６の液晶分子４６の配向方向を規制するためのものである。配向規制用構造物４４ａ、４４ｂは、絶縁層４０と同一のレジスト膜を用いて形成されている。配向規制用構造物４４ａ、４４ｂの平面形状は、例えば三角形又は四角形（菱形）となっている。なお、図１乃至図３では、配向規制用構造物４４が省略されている。

絶縁層４０上には、反射電極４８ａ、４８ｂが形成されている。反射電極４８ｂは、反射電極４８ｂの下方に存在しているゲートバスライン１２ｂにより駆動される透過電極３２ｂには電気的に接続されておらず、反射電極４８ｂの下方に存在するゲートバスライン１２ｂと異なるゲートバスライン１２ａにより駆動される透過電極３２ａに電気的に接続されている。

凹凸４２ａが形成された絶縁層４０上に反射電極４８が形成されているため、絶縁層４０の表面に形成された凹凸４２ａを反映して、反射電極４８の表面にも凹凸４２ａが形成されている。反射電極４８の表面には、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸４２ａが形成されている。凹凸４２ａによる筋目の方向は、ほぼ同じ方向に揃っている。反射電極４８の表面に形成された凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスライン１２の長手方向とほぼ一致する。殆どの凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位が同じ方位に揃っているため、特定の方向から入射される光を、液晶表示装置の正面に強い光強度で出射することが可能となる。本実施形態では、殆どの凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位がゲートバスライン１２の長手方向にほぼ一致しているため、ゲートバスライン１２の長手方向が液晶表示装置の左右方向である場合には、液晶表示装置の左右から入射される光が、液晶表示装置の正面に強い光強度で出射される。図３（ａ）の矢印は、光の反射率が大となる方位を示している。

絶縁層４０の周縁部には、反射電極４８が形成されていない領域が存在している。反射電極４８の中心線近傍には、透過電極３２の接続パターン３８ｃと接続するための接続パターン５０が形成されている。反射電極４８の接続パターン５０は、絶縁層４０の縁部近傍領域において、透明電極３２の接続パターン３８ｃに接続されている。

透過電極３２と反射電極４８とにより、画素電極５２が構成されている。透過電極３２は上述したように２つの電極ユニット３４ａ、３４ｂを有しており、電極ユニット３４ａ、３４ｂはそれぞれサブピクセル３５ａ、３５ｂを構成している。また、反射電極４８ｂも、サブピクセル３５ｃを構成している。このため、画素電極５２は、３つのサブピクセル３５ａ〜３５ｃにより構成されている。透過電極５２が形成されている領域は、バックライトから導入される光を透過する領域であるため、透過部５４と称される。一方、反射電極４８が形成されている領域は、外部から入射される光を反射する領域であるため、反射部５６と称される。

こうして、ＴＦＴ基板２が構成されている。

次に、ＣＦ基板４について、図３（ｂ）、図４（ｂ）及び図５を用いて説明する。

ガラス基板５８の下には、ブラックマトリクス層６０（図４（ｂ）参照）が形成されている。ブラックマトリクス６０層は、データバスライン２８の上方に位置するように形成されている。ブラックマトリクス層６０の幅は、反射部５６の近傍では比較的太く設定されており、透過部５４の近傍では比較的細く設定されている。反射部５６と透過部５４との境界部分には、ブラックマトリクス層６０は形成されていない。なお、反射部５６と透過部５４との境界にブラックマトリクス層６０を形成しないのは、画素の開口率を高くするためである。

ブラックマトリクス層６０が形成されたガラス基板５８の下には、カラーフィルタ層６２が形成されている。反射部５６のカラーフィルタ層６２には、開口部６４が形成されている。反射部５６のカラーフィルタ層６２に開口部６４を形成しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、反射部５６においては、外部から入射される光がカラーフィルタ層６２を透過して反射電極４８により反射され、再度カラーフィルタ層６２を透過して外部に出射される。換言すれば、反射部５６においては、光がカラーフィルタ層６２を２回透過する。このため、単にカラーフィルタ層６２を反射部全体に形成した場合には、反射部５６から出射される光が、透過部５４から出射される光と比べて暗くなってしまう。本実施形態では、反射部５６のカラーフィルタ層６２に開口部６４が形成されているため、開口部６４においては、外部から入射される光はカラーフィルタ層６２を透過することなく反射電極４８により反射され、更にカラーフィルタ層６２を透過することなく外部に出射される。このため、開口部６４から出射される光は、色濃度を薄くするように作用する。従って、開口部６４の大きさを適宜設定することにより、透過部５４の色濃度に対して反射部５６の色濃度が暗くなってしまうのを防止することができる。

カラーフィルタ層６２の下には、透明樹脂より成る平坦化層６６が形成されている。

平坦化層６６の下には、ＩＴＯ膜より成る対向電極６８が形成されている。

対向電極６８の下には、液晶層６の液晶分子４６の配向方向を規制するための配向規制用構造物７０ａ、７０ｂが形成されている。配向規制用構造物７０の高さは、例えば２μｍ程度である。電極ユニット３４の中心の上方に位置する配向規制用構造物７０ｂの平面形状は、例えば四角形（菱形）である。反射部５６におけるデータバスライン２８の上方に位置する配向規制用構造物７０ａの平面形状は、例えば四角形（長方形）である。なお、反射電極４８の中心の上方に配向規制用構造物を形成していないのは、反射部５６における開口率を高くするためである。

こうして、ＣＦ基板４が構成されている。

図５に示すように、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４とは、画素電極５２と対向電極６８とが対向するように、配置されている。ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４との間には、液晶層６が封入されている。液晶層６としては、負の誘電率異方性を有する液晶が用いられている。

ＴＦＴ基板２の絶縁層４０上の反射電極４８と、ＣＦ基板４の配向規制用構造物７０ａとは、互いに接しており、これにより液晶層６の厚さが保持されている。主として、絶縁層４０と配向規制用構造物７０ａとにより、液晶層６の厚さが保持されている。上述したように、絶縁層４０の厚さは２μｍ程度であり、配向規制用構造物７０ａの高さは２μｍ程度である。このため、反射部５６における液晶層６の厚さは、２μｍ程度となる。透過部５４における液晶層６の厚さは、４μｍ程度となる。

こうして、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４と液晶層６とを有する液晶パネル８が構成されている。

液晶パネル８の両面には、円偏光板（図示せず）が貼り付けられている。円偏光板を液晶パネル８に貼り付ける際には、光拡散糊が用いられている。光拡散糊により、光拡散層が構成されている。光拡散層は、表示特性を良好にすべく、光を適宜拡散するためのものである。液晶パネル８の背面側には、バックライトユニット（図示せず）が設けられている。液晶パネル８には、駆動回路（図示せず）が接続されている。

こうして、本実施形態による液晶表示装置が構成されている。

次に、液晶層６の液晶分子４６の配向方向について図４を用いて説明する。

まず、電極ユニット３４が形成されている領域における液晶分子４６の配向方向について説明する。

電極ユニット３４が形成されている領域のうち、延伸部３６ｂが形成されている領域においては、主として、延伸部３６ｂの延伸方向と、配向規制用構造物４４ａ、４４ｂ、７０ｂとにより、液晶分子の配向方向が規制される。延伸部３６ｂが形成されている領域においては、延伸部３６ｂの延伸方向に沿うように液晶分子４６が配向する。

電極ユニット３４が形成されている領域のうち、ベタ部３６ａが形成されている領域においては、主として、ベタ部３６ａの外周部における斜め電界と、延伸部３６ｂが形成されている領域における液晶分子４６の配向状態と、配向規制用構造物４４ａ、４４ｂ、７０ｂとにより、液晶分子４６の配向方向が規制される。このため、ベタ部３６ａが形成されている領域においては、ベタ部３６ａの中心に向かうように液晶分子４６が配向する。

従って、電極ユニット３４が形成されている領域においては、大まかに４方向の配向分割が実現される。

次に、反射電極４８が形成されている領域における液晶分子４６の配向方向について説明する。

反射電極４８が形成されている領域においては、配向規制用構造物７０ａにより、液晶分子４６の配向方向が規制される。このため、反射電極４８が形成されている領域においては、ゲートバスライン１２の長手方向と平行な方向に液晶分子が配向する。

（評価結果）
次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果について図６及び図７を用いて説明する。

まず、各画素の表示状態の評価結果について説明する。図６は、反射表示の際における各画素の表示状態を示す平面図である。図７は、透過表示の際における各画素の表示状態を示す平面図である。各画素の表示色は、紙面左側から、赤色、緑色、青色である。

いずれの場合も、暗線やざらつきのない良好な表示が得られている。これらのことから、液晶分子４８が良好に配向されていることが分かる。

次に、透過率の測定結果について説明する。透過率を測定する際には、液晶パネル８の背面側から光を入射させ、正面側に出射される光を測定した。光の入射方向は、基板面の法線方向とした。測定点は、基板面の法線方向とした。透過率を測定した結果、透過率は８％程度と良好であった。

次に、反射率の測定結果について説明する。反射率を測定する際には、液晶パネル８の正面側から光を入射させ、正面側に出射される光を測定した。光の入射方向は、基板面の法線方向に対して２５度の角度とした。測定点は、基板面の法線方向とした。反射率を測定した結果、反射率は７％程度と良好であった。

次に、透過表示の際におけるコントラストの測定結果について説明する。透過表示の際におけるコントラストを測定する際には、液晶パネル８の背面側から光を入射させ、正面側に出射される光を測定した。光の入射方向は、基板面の法線方向とした。測定点は、基板面の法線方向とした。透過表示の際におけるコントラストは、３００より大と良好であった。

次に、反射表示の際におけるコントラストの測定結果について説明する。反射表示の際におけるコントラストを測定する際には、液晶パネル８の正面側から光を入射させ、正面側に出射される光を測定した。光の入射方向は、基板面の法線方向に対して２５度の角度とした。測定点は、基板面の法線方向とした。反射表示の際におけるコントラストは、３０より大と良好であった。

次に、光の反射率の視角特性を測定結果について図８及び図９を用いて説明する。

図８は、光の反射率の視角特性の測定方法を示す図である。図８に示すように、光の反射率の視角特性を測定する際には、入射光の極角αを２５度とし、入射光の方位角βを０度〜１８０度の範囲で変化させた。測定点は、基板面の法線方向とした。なお、極角αとは、基板面の法線に対して為す角度である。

図９は、光の反射率の視角特性を示すグラフである。図９中の●印は、液晶パネル８に円偏光板（図示せず）を貼り付ける際に拡散糊を用いた場合、即ち、液晶パネル８上に拡散糊より成る光拡散層７２（図８参照）が形成されている場合を示している。図８中の▲印は、液晶パネル８に円偏光板（図示せず）を貼り付ける際に拡散糊を用いていない場合、即ち、液晶パネル８上に拡散糊より成る光拡散層７２が形成されていない場合を示している。

図９中に●印で示すように、入射光の方位角βが９０度前後のとき、２５％程度と高い反射率が得られている。このような高い反射率は、全反射型の液晶表示装置と同等である。入射光の方位角βが９０度前後のときに、反射率が極めて高くなるのは、反射電極４８の表面に存在する凹凸４２ａの方向が、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な方向に揃っているためである。

図９中に▲印で示すように、入射光の方位角βが９０度前後のとき、４３％程度と、より高い反射率が得られている。但し、光拡散層７２が形成されていない場合には、平行光が入射した際に干渉ムラが生じやすくなるため、実用上は光拡散層７２が形成されている方が好ましい。

本実施形態による液晶表示装置は、ゲートバスライン１２ａとデータバスライン２８との交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタ１８に、透過電極３２ａと反射電極４８ｂとから成る画素電極５２が電気的に接続されており、その画素電極５２のうちの反射電極４８ｂが他のゲートバスライン１２ｂ上に絶縁層４０を介して形成されていることに主な特徴の一つがある。

ゲートバスライン１２が形成された領域は、光が透過し得ない領域であるため、ゲートバスライン１２が形成された領域は透過領域５４とはなり得ない。そこで、透過領域５４として用いることができない領域を有効活用すべく、ゲートバスライン１２の上方に反射電極４８を形成することが考えられる。しかし、ゲートバスライン１２上に単に反射電極４８を単に形成した場合には、ゲートバスライン１２と反射電極４８との間に大きな静電容量が形成され、反射電極４８と対向電極６８との間の液晶層６に印加される電圧が低下してしまうこととなる。

これに対し、本実施形態では、ゲートバスライン１２ａとデータバスライン２８との交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタ１８に画素電極５２ａが電気的に接続されており、その画素電極５２ａのうちの反射電極４８ｂが、他のゲートバスライン１２ｂ上に絶縁層４０を介して形成されている。ゲートバスライン１２は順次走査されるため、２つのゲートバスライン１２に信号電圧が同時に印加されることはない。このため、ゲートバスライン１２ａに信号電圧が印加されて薄膜トランジスタ１８がオンになり、反射電極４８ｂに電圧が印加された際には、他のゲートバスライン１２ｂはオープンの状態となっている。このため、反射電極４８ｂと他のゲートバスライン１２ｂとの間に、大きな静電容量が形成されることはない。従って、本実施形態によれば、反射電極４８ｂと対向電極６８との間の液晶層６に印加される電圧が低下するのを防止しつつ、透過領域５４として用いることができないスペースを有効活用することができる。従って、本実施形態によれば、透過部５４の面積が狭くなるのを防止しつつ、反射部５６の面積を広くすることができ、表示品位の高い反射透過型の液晶表示装置を提供することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、反射電極４８の下方に絶縁層４０を介して、Ｃｓバスライン１４、Ｃｓダミーバスライン１６、中間電極２６、薄膜トランジスタ１８が配置されていることにも主な特徴の一つがある。

Ｃｓバスライン１４、Ｃｓダミーバスライン１６、中間電極２６、ソース電極２４ａ、及びドレイン電極２４ｂが形成された領域も、光が透過し得ない領域である。本実施形態では、反射電極４８の下方に、Ｃｓバスライン１４、Ｃｓダミーバスライン１６、中間電極２６、ソース電極２４ａ、及びドレイン電極２４ｂを配置しているため、光が透過し得ない領域を更に有効活用することができる。従って、本実施形態によれば、透過部５４の面積が狭くなるのを防止しつつ、反射部５６の面積をより広くすることができ、より表示品位の高い反射透過型の液晶表示装置を提供することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、絶縁層４０の縁部がＣｓバスライン１４上及びＣｓダミーバスライン１６上に位置していることにも主な特徴の一つがある。

絶縁層４０の縁部近傍領域は、白表示状態においては、液晶分子４６の配向乱れが生じやすく、黒表示状態においては、傾斜した液晶分子４６によって光漏れが発生しやすい。このため、絶縁層４０の縁部近傍領域では、ざらつきが生じやすく、また、コントラストの低下が生じやすい。

本実施形態では、絶縁層４０の縁部がＣｓバスライン１４上及びＣｓダミーバスライン１６上に位置しているため、液晶分子４６の配向乱れ等が生じやすい領域である絶縁層４０の縁部近傍領域を、Ｃｓバスライン１４及びＣｓダミーバスライン１６により遮光することができる。従って、本実施形態によれば、ざらつきの発生やコントラストの低下を防止することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、反射電極４８と透過電極３２とが、絶縁層４０の縁部近傍領域において互いに接続されていることにも主な特徴の一つがある。

絶縁層４０にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介して反射電極４８と透過電極３２とを接続した場合には、コンタクトホールに起因して反射効率が低下してしまうこととなる。また、コンタクトホールの近傍で液晶分子４６の配向方向が乱れ、表示品位の劣化を招いてしまう。

本実施形態では、絶縁層４０にコンタクトホールを形成することなく、絶縁層４０の縁部近傍領域において反射電極４８と透過電極３２とを接続しているため、反射効率の低下や表示品位の劣化を防止することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、電極ユニット３４ａと電極ユニット３４ｂとが、電極ユニット３４の中心線の近傍で接続パターン３８ａにより接続されていること、電極ユニット３４ａとドレイン電極２４ｂとが、電極ユニット３４の中心線の近傍で接続パターン３８ｂにより接続されていること、また、電極ユニット３４ａと反射電極４８とが、電極ユニット３４の中心線の近傍で接続パターン３８ｃにより接続されていることにも主な特徴の一つがある。

ベタ部３６ａから電極ユニット３４の外周方向に延伸する延伸部３６ｂは、液晶分子４６の配向方向を規制するためのものである。延伸部３６ｂのパターンを太くすると、液晶分子４６に対する配向規制力が低下するため、延伸部３６ｂのパターンを太くするのはあまり望ましくない。一方、電極ユニット３４ａと電極ユニット３４ｂとを接続する接続パターン３８ａや、電極ユニット３４ｂと反射電極４８とを接続する接続パターン３８ｃを細く形成した場合には、断線が生じやすくなり表示欠陥を招いてしまう。このため、電極ユニット３４ａと電極ユニット３４ｂとを接続する接続パターン３８ａや、電極ユニット３４ａとドレイン電極２４ｂとを接続する接続パターン３８ｂ、及び、電極ユニット３４ｂと反射電極４８とを接続する接続パターン３８ｃは、太めに形成することが望ましい。ベタ部３６ａの中心線近傍は４方向の配向分割の境界部であるため、ベタ部３６ａの中心線近傍で配向規制力が低下したとしても、４方向の配向分割に及ぼす影響は少ない。本実施形態では、電極ユニット３４の中心線近傍に接続パターン３８ａを形成しているため、４方向の配向分割に悪影響を与えることなく、電極ユニット３４ａと電極ユニット３４ｂとを確実に電気的に接続することができる。また、電極ユニット３４の中心線近傍に接続パターン３８ｂを形成しているため、４方向の配向分割に悪影響を与えることなく、電極ユニット３４ａとドレイン電極２４ｂとを確実に電気的に接続することができる。また、電極ユニット３４の中心線近傍に接続パターン３８ｃを形成しているため、４方向の配向分割に悪影響を与えることなく、電極ユニット３４ｂと反射電極４８ｂとを確実に電気的に接続することができる。このため、本実施形態によれば、良好な表示品位を確保しつつ、表示欠陥の発生を防止することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸（皺）４２ａが絶縁層４０の表面に形成されており、絶縁層４０の表面に形成された凹凸４２ａを反映して、反射電極４８の表面に同様の凹凸４２ａが形成されていることにも主な特徴の一つがある。

反射電極４８の表面に形成された殆どの凹凸４２ａの筋目が同じ方向に揃っているため、殆どの凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位は同じ方位となる。このため、本実施形態によれば、特定の方位から入射される光の反射率、例えば、左右方位から入射される光の反射率を向上することができる。高い反射率が得られるような条件で画面を見れば反射表示の際にも明るい表示が得られるため、透過表示の際における明るさを十分に維持しつつ、反射表示の際における表示の明るさを向上することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、ＣＦ基板４側に形成された配向規制用構造物７０ａが、ＴＦＴ基板２側の絶縁層４０上に形成された反射電極４８に接しており、主として、ＣＦ基板４側の配向規制用構造物７０ａの高さとＴＦＴ基板２側の絶縁層４０の厚さとにより、液晶層６の厚さが保持されていることに主な特徴がある。

本実施形態によれば、主としてＣＦ基板４側の配向規制用構造物７０ａとＴＦＴ基板２側の絶縁層４０とにより液晶層６の厚さが保持されるため、液晶層６の厚さを保持するための手段を別個に設けることを要しない。従って、本実施形態によれば、簡便な構成の液晶表示装置を提供することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、ＣＦ基板４側に配向規制用構造物７０ａ、７０ｂが設けられているのみならず、ＴＦＴ基板２側にもデータバスライン２８の近傍に配向規制用構造物４４ａ、４４ｂが設けられていることにも主な特徴の一つがある。

ＣＦ基板４側に配向規制用構造物７０ａ、７０ｂを設け、ＴＦＴ基板２側の画素電極にスリットを設けることにより、液晶分子４６を配向させるようにした場合には、液晶分子４６の配向方向が十分に安定しないことがあり得る。

これに対し、本実施形態では、ＣＦ基板４側に配向規制用構造物７０ａ、７０ｂが設けられているのみならず、ＴＦＴ基板２側にも配向規制用構造物４４ａ、４４ｂが設けられているため、液晶分子４６の配向方向をより安定化させることができる。従って、より表示品位の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、絶縁層４０の周縁部に反射電極４８が形成されていない領域が存在することにも主な特徴の一つがある。

絶縁層４０の周縁部にも反射電極４８が形成されていると、絶縁層４０の周縁部の近傍では液晶分子４６の配向方向が不安定となる。配向規制用構造物７０ａによる配向規制力と、反射電極４８からの斜め電界による配向規制力とが、互いに逆方向に働くためである。

本実施形態では、絶縁層４０の周縁部に反射電極４８が形成されていない領域が存在するため、絶縁層４０の周縁部の近傍においては、反射電極４８による斜め電界を小さくすることができる。このため、本実施形態によれば、絶縁層４０の周縁部における液晶分子４６の配向乱れを抑制することができ、より良好な表示品位を実現することができる。なお、反射電極４８の中心線近傍においては、反射電極４８を透過電極５２の電極ユニット３４ｂに接続するための接続パターン５０が、絶縁層４０の周縁部にも形成されているが、反射電極４８の中心線近傍は４方向の配向分割の境界部であるため、４方向の配向分割に悪影響を及ぼすことはない。このため、反射電極４８の中心線近傍における絶縁層４０の周縁部においては、反射電極４８が形成されていたとしても、特段の問題はない。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による液晶表示装置を図１０乃至図１５を用いて説明する。図１０は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。図１０（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図１１は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その２）である。図１１（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図１２は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図１乃至図９に示す第１実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による液晶表示装置は、絶縁層４０ａが各々の画素の反射部５６毎に島状に形成されており、絶縁層４０ａの表面に、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸（皺）４２ｂと、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸（皺）４２ａとが形成されていることに主な特徴がある。

まず、ＴＦＴ基板２ａについて説明する。

透過電極３２等が形成されたガラス基板１０上には、各々の画素に対して島状の絶縁層４０ａがそれぞれ形成されている。絶縁層４０ａの表面には、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸４２ｂと、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸４２ａとが形成されている。筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸４２ｂは横皺と称され、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸４２ａは縦皺と称される。

殆どの凹凸４２ａ、４２ｂの筋目の方向は、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な方向、又は、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な方向に揃っている。

なお、絶縁層４０の表面に筋目の方向が揃った凹凸４２ａ、４２ｂを形成するのは、絶縁層４０表面の凹凸４２ａ、４２ｂを反射電極４０に反映させ、反射電極４８の表面にも筋目の揃った凹凸を形成するためである。また、反射電極４８の表面に筋目の方向が揃った凹凸４２ａ、４２ｂを形成するのは、特定の方向から入射される光を、液晶表示装置の正面に強い光強度で出射するためである。

島状の絶縁層４０ａの表面に、縦皺４２ａと横皺４２ｂとが形成されるのは、以下のような理由によるものである。即ち、表層部を予め硬化させた絶縁層４０に対して熱処理を行うと、絶縁層４０の表層部と内部とで硬化収縮差が異なるため、絶縁層４０ａに応力が加わる。本実施形態では、絶縁層４０ａが各々の画素毎に島状に形成されており、絶縁層４０ａの平面形状が、縦横比のあまり大きくない四角形であるため、データバスライン２８の長手方向に対してほぼ平行な方向の応力と、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な方向の応力とが、絶縁層４０ａに加わる。このため、絶縁層４０ａの表面には、縦皺４２ａと横皺４２ｂとが形成される。

なお、絶縁層４０ａを島状に形成した場合には、皺状のパターンが同心状に形成される場合もある。絶縁層４０ａの平面形状が四角形の場合には、四角形状のパターンの凹凸（皺）４２（図２３参照）が同心状に形成される。このように、絶縁層４０ａの表面に凹凸４２が同心状に形成されていてもよい。このような同心状の凹凸４２も、横皺と縦皺とを有しているため、特定の方位から入射される光を画面の正面に強い反射強度で出射し得るからである。

島状に形成された絶縁層４０ａ上には、反射電極４８が形成されている。凹凸４２ａ、４２ｂが形成された絶縁層４０ａ上に反射電極４８が形成されているため、絶縁層４０ａの表面の凹凸４２ａ、４２ｂを反映して、反射電極４８の表面にも凹凸４２ａ、４２ｂが形成されている。このため、反射電極４８の表面には、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸４２ａと、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸４２ｂとが形成されている。殆どの凹凸４２ａによる筋目の方向は、ほぼ揃っている。また、殆どの凹凸４２ｂによる筋目の方向は、ほぼ揃っている。殆どの凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスライン１２の長手方向に対して平行な方向に揃っている。また、殆どの凹凸４２ｂにおける傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスライン１２の長手方向に対して垂直な方向に揃っている。殆どの凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位がゲートバスライン１２の長手方向にほぼ一致しているため、ゲートバスライン１２の長手方向が液晶表示装置の左右方向である場合には、液晶表示装置の画面の左右方向から入射される光が、液晶表示装置の画面の正面に強い光強度で出射される。また、殆どの凹凸４２ｂにおける傾斜面の傾斜方位がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な方向にほぼ一致しているため、ゲートバスライン１２の長手方向が液晶表示装置の左右方向である場合には、液晶表示装置の画面の上下方向から入射される光が、液晶表示装置の画面の正面に強い光強度で出射される。従って、本実施形態では、液晶表示装置の画面の左右から入射される光と、液晶表示装置の画面の上下から入射される光とが、液晶表示装置の画面の正面に強い反射強度で出射される。図１０（ａ）の矢印は、光の反射率が大となる方位を示している。

絶縁層４０ａの周縁部には、反射電極４８が形成されていない領域が存在している。また、反射電極４８の角部は、斜めにカットされている。反射電極４８の角部が斜めにカットされているため、反射電極４８の角部において液晶分子４６に斜めに電界が加わり、液晶分子４６が反射電極４８の中心部に向かうように配向される。

次に、ＣＦ基板４ａについて説明する。

図１１（ｂ）及び図１２に示すように、ガラス基板５８の下には、ブラックマトリクス層６０が形成されている。ブラックマトリクス層６０は、データバスライン２８の上方、Ｃｓバスライン１４の上方、Ｃｓダミーバスライン１６の上方に位置している。反射部５６と透過部５４との境界部、即ち、Ｃｓバスライン１４の上方及びＣｓダミーバスライン１６の上方にブラックマトリクス層６０を形成しているのは、良好なコントラストを得るためである。

図１２に示すように、ブラックマトリクス層６０が形成されたガラス基板５８の下には、透明樹脂層７４が形成されている。透明樹脂層７４は、反射電極４８の上方に位置している。透明樹脂層７４の厚さは、例えば０．８μｍ程度である。透明樹脂層７４は、カラーフィルタ層６２の厚さを反射部５６において部分的に薄くするためのものである。

透明樹脂層７４が形成されたガラス基板５８の下には、カラーフィルタ層６２が形成されている。カラーフィルタ層６２により、基板面が平坦化されている。反射部５６には、透明樹脂層７４が形成されているため、反射部５６におけるカラーフィルタ層６２の厚さは、透過部５４におけるカラーフィルタ層６２の厚さより薄くなっている。透過部５４におけるカラーフィルタ層６２の厚さは、例えば１．４μｍ程度である。反射部５６におけるカラーフィルタ層６２の厚さは、例えば０．７μｍ程度である。

反射部５６におけるカラーフィルタ層６２の厚さを、透過部５４におけるカラーフィルタ層６２の厚さより薄くしているのは、以下のような理由によるものである。即ち、反射部５６においては、上述したように、外部から入射される光がカラーフィルタ層６２を透過して反射電極４８により反射され、再度カラーフィルタ層６２を透過して外部に出射される。換言すれば、反射部５６においては、光がカラーフィルタ層６２を２回透過する。このため、ガラス基板５８の下に単にカラーフィルタ層６２を形成した場合には、反射部５６における色濃度が、透過部５４における色濃度と比較して著しく濃くなってしまう。本実施形態では、反射部５６に透明樹脂層７４を設け、基板面を平坦化するようにカラーフィルタ層６２を形成しているため、反射部５６におけるカラーフィルタ層６２の厚さが、透過部５４におけるカラーフィルタ６２の厚さより薄くなっている。このため、本実施形態によれば、反射部５６における色濃度が透過部５４における色濃度と比較して著しく濃くなってしまうのを防止することができる。更には、反射部５６における色濃度を透過部５４における色濃度とほぼ等しくすることも可能である。従って、本実施形態によれば、より良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

カラーフィルタ層６２の下には、例えばＩＴＯより成る対向電極６８が形成されている。

対向電極６８の下には、配向規制用構造物７０ｂが形成されている。配向規制用構造物７０ｂの平面形状は、例えば四角形（菱形）である。配向規制用構造物７０ｂは、電極ユニット３４の中央の上方、反射電極４８の中央の上方にそれぞれ位置している。電極ユニット３４の中央の上方に配向規制用構造物７０ｂが位置しているため、電極ユニット３４の中央に向かうように液晶分子４６が配向する。また、反射電極４８の中央の上方に配向規制用構造物７０ｂが位置しているため、反射電極４８の中央に向かうように液晶分子４６が配向する。反射部５６と透過部５４のいずれにおいても液晶分子４６が同様に配向する、即ち、反射部５６と透過部５４のいずれにおいても４方向の配向分割が実現されるため、安定した視認特性を得ることが可能となる。

ＴＦＴ基板２の絶縁層４０ａ上の反射電極４８と、ＣＦ基板４の配向規制用構造物７０ｂとは、互いに接しており、これにより液晶層６の厚さが保持されている。液晶層６としては、例えば負の誘電率異方性を有する液晶が用いられている。

こうして、ＴＦＴ基板２ａとＣＦ基板４ａと液晶層６とを有する液晶パネル８ａが構成されている。

液晶パネル８ａの両面には、第１実施形態による液晶表示装置と同様に、光拡散層を介して円偏光板（図示せず）が設けられている。液晶パネル８ａの背面側には、第１実施形態による液晶表示装置と同様に、バックライトユニット（図示せず）が設けられている。液晶パネル８ａには、第１実施形態による液晶表示装置と同様に、駆動回路（図示せず）が接続されている。

こうして、本実施形態による液晶表示装置が構成されている。

（評価結果）
次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果について図１３及び図１４を用いて説明する。

まず、各画素の表示状態の評価結果を図１３及び図１４を用いて説明する。図１３は、反射表示の際における各画素の表示状態を示す平面図である。図１４は、透過表示の際における各画素の表示状態を示す平面図である。各画素の表示色は、紙面左側から、赤色、緑色、青色である。

いずれの場合も、暗線やざらつきのない良好な表示が得られている。これらのことから、液晶分子４８が良好に配向されていることが分かる。

次に、透過率の測定結果について説明する。透過率を測定する際には、液晶パネル８ａの背面側から光を入射させ、正面側に出射される光を測定した。光の入射方向は、基板面の法線方向とした。測定点は、基板面の法線方向とした。透過率を測定した結果、透過率は７％程度と良好であった。このことから、本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、良好な透過率が得られることが分かる。

次に、反射率の測定結果について説明する。反射率を測定する際には、液晶パネル８ａの正面側から光を入射させ、正面側に出射される光を測定した。光の入射方向は、基板面の法線方向に対して２５度の角度とした。測定点は、基板面の法線方向とした。反射率を測定した結果、反射率は６％程度と良好であった。このことから、本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、良好な反射率が得られることが分かる。

次に、透過表示の際におけるコントラストの測定結果について説明する。透過表示の際におけるコントラストを測定する際には、液晶パネル８ａの背面側から光を入射させ、正面側に出射される光を測定した。光の入射方向は、基板面の法線方向とした。測定点は、基板面の法線方向とした。透過表示の際におけるコントラストは、５００より大であった。このことから、本実施形態では、第１実施形態と比較して、透過表示の際におけるコントラストを向上し得ることがわかる。

次に、反射表示の際におけるコントラストの測定結果について説明する。反射表示の際におけるコントラストを測定する際には、液晶パネル８ａの正面側から光を入射させ、正面側に出射される光を測定した。光の入射方向は、基板面の法線方向に対して２５度の角度とした。測定点は、基板面の法線方向とした。反射表示の際におけるコントラストは、５０程度であった。このことから、本実施形態では、第１実施形態と比較して、反射表示の際におけるコントラストも向上し得ることがわかる。

次に、透過表示の際におけるコントラストの測定結果について説明する。図１５は、本実施形態による液晶表示装置の視角特性を示す図である。図１５中における破線は、極角を示している。図１５では、コントラストが等高線を用いて表されている。図１５から分かるように、コントラストＣＲが１０以上の領域が、上下左右の合計で１６０度程度存在している。このことから、本実施形態によれば、視角範囲が非常に広い液晶表示装置を提供し得ることが分かる。

本実施形態による液晶表示装置は、上述したように、絶縁層４０ａが各々の画素の反射部５６毎に島状に形成されており、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸４２ｂと、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸４２ａとが絶縁層４０の表面に形成されており、絶縁層４０の表面に形成された凹凸４２ａを反映して、反射電極４８の表面に同様の凹凸４２ａが形成されていることに主な特徴がある。

反射電極４８の表面に形成された凹凸４２ａの殆どが同じ方向に揃っているため、殆どの凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位は同じ方位となる。また、反射電極４８の表面に形成された凹凸４２ｂの殆どが同じ方向に揃っているため、殆どの凹凸４２ｂにおける傾斜面の傾斜方位は同じ方位となる。しかも、凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位と凹凸４２ｂにおける傾斜面の傾斜方位とは、ほぼ垂直である。このため、本実施形態によれば、例えば、左右方位から入射される光のみならず、上下方位から入射される光をも、強い強度で液晶表示装置の画面の正面に出射することができる。従って、本実施形態によれば、より良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による液晶表示装置を図１６乃至図１９を用いて説明する。図１６は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。図１６（ａ）では絶縁層及び反射電極が省略されており、図１６（ｂ）では絶縁層及び反射電極を省略することなく示している。図１７は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図１７は、図１６のＣ−Ｃ′線断面図である。図１８は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その２）である。図１８（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図１８（ｂ）は図１８（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図１９は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その３）である。図１９（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図１９（ｂ）は図１９（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図１乃至図１５に示す第１実施形態又は第２実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による液晶表示装置は、透過電極３２を構成する電極ユニット３４のベタ部３６ａ上に、表面に凹凸４２ａ、４２ｂが形成された島状の絶縁層４０ａを介して反射電極４８が形成されていることに主な特徴がある。

まず、ＴＦＴ基板２ｂについて説明する。

ガラス基板１０上には、第１及び第２実施形態と同様に、複数のゲートバスライン１２ａ、１２ｂが形成されている。

ゲートバスライン１２ａと他のゲートバスライン１２ｂとの間には、Ｃｓバスライン１４が形成されている。ゲートバスライン１２とＣｓバスライン１４とは同一導電膜を用いて形成されている。

ゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１４が形成されたガラス基板１０上には、ゲート絶縁膜２０が形成されている。

ゲートバスライン１２上には、ゲート絶縁膜２０を介してシリコン薄膜より成るチャネル層２２が形成されている。チャネル層２２の両側には、ソース電極２４ａとドレイン電極２４ｂとが形成されている。

Ｃｓバスライン１４上には、ゲート絶縁膜２０を介してＣｓ対向電極（中間電極）２６が形成されている。Ｃｓ対向電極２６は、データバスライン１２、ソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂと同一の導電膜を用いて形成されている。

ゲート絶縁膜２０上には、ゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１４に対してほぼ直交するように、複数のデータバスライン２８が形成されている。

データバスライン２８、ソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂ及びＣｓ対向電極２６が形成されたガラス基板１０上には、絶縁膜２９が形成されている。

絶縁膜２９には、Ｃｓ対向電極２６に達するコンタクトホール３０ｂと、ドレイン電極２４ｂに達するコンタクトホール３０ａとが形成されている。

絶縁膜２９上には、ＩＴＯ膜より成る透過電極３２が形成されている。透過電極３２は、３つの電極ユニット３４を有している。なお、ここでは、透過電極３２が３つの電極ユニット３４と有する場合を例に説明するが、透過電極３２が有する電極ユニット３４の数は３つに限定されるものではない。例えば、透過電極３２が有する電極ユニット３４の数は、１つ又は２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。

電極ユニット３４と電極ユニット３４とは、接続パターン３８ａにより互いに接続されている。薄膜トランジスタ１８の近傍の電極ユニット３４ａには、電極ユニット３４ａと薄膜トランジスタ１８のドレイン電極２４ｂとを電気的に接続するための接続パターン３８ｂが形成されている。接続パターン３８ｂは、電極ユニット３４ａと一体に形成されている。薄膜トランジスタ１８の近傍に形成された電極ユニット３４ａは、絶縁膜２９に形成されたコンタクトホール３０ａを介して、ドレイン電極２４ｂに接続されている。図１７に示すように、Ｃｓバスライン１４の上方に形成された電極ユニット３４ｂは、絶縁膜２９に形成されたコンタクトホール３０ｂを介して、中間電極２６に接続されている。

３つの電極ユニット３４ａ〜３４ｃのうちの２つの電極ユニット３４ａ、３４ｂにおいては、ベタ部３６ａ上に島状の絶縁層４０ａが形成されている。絶縁層４０ａの厚さの平均値は、例えば２μｍ程度とする。図１８に示すように、絶縁層４０ａの表面には、凹凸４２ａ、４２ｂが形成されている。即ち、絶縁層４０ａの表面には、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸（横皺）４２ｂと、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸（縦皺）４２ａとが形成されている。

なお、ここでは、３つの電極ユニット３４ａ〜３４ｃのうちの２つの電極ユニット３４ａ、３４ｂに対して島状の絶縁層４０ａを形成したが、全ての電極ユニット３４ａ〜３４ｃに対して島状の絶縁層４０ａを形成し、反射電極４８を形成してもよい。また、３つの電極ユニット３４ａ〜３４ｃのうちの１つの電極ユニット３４に対してのみ、島状の絶縁層４０ａを形成し、反射電極４８を形成するようにしてもよい。

Ｃｓバスライン１４の上方に形成された絶縁層４０ａは、Ｃｓバスラインに沿って突出する突出する突出部４１を有している。突出部４１は、絶縁層４０ａと一体に形成されている。

絶縁層４０ａ上には、反射電極４８が形成されている。絶縁層４０ａの周縁部には、反射電極４８が形成されていない領域が存在している。反射電極４８の中心線の近傍には、接続パターン５０が形成されている。接続パターン５０は、反射電極４８を透過電極３２に電気的に接続するためのものである。反射電極４８の接続パターン５０と、電極ユニット３４とは、絶縁層４０ａの縁部近傍において接続されている。

Ｃｓバスライン１４の上方に位置する反射電極４８は、ベタ部３６ａから突出し、Ｃｓバスライン１４の上方に突出する突出部４９を有している。突出部４９は、絶縁層４０ａの突出部４１を介してＣｓバスライン１４上に形成されている。反射電極４８に突出部４９を形成しているのは、透過部として機能し得ないＣｓバスライン１４が形成された領域を、反射部として有効活用するためである。これにより、より反射率の高い反射透過型の液晶表示装置を提供することが可能となる。

透過電極３２と反射電極４８とにより、画素電極５２が構成されている。画素電極５２は、３つのサブピクセル３５ｄ〜３５ｆ（図１６（ｂ）参照）により構成されている。３つのサブピクセル３５ｄ〜３５ｆのうちの２つのサブピクセル３５ｄ、３５ｅにおいては、ベタ部３６ａの上方に反射電極４８が形成されている。ベタ部３６ａの上方に反射電極４８が形成されている一方、ベタ部３６ａの周囲には反射電極４８が形成されていないため、これら２つのサブピクセル３５ｄ、３５ｅにおいては、ベタ部３６ａが反射部として機能し、ベタ部３６ａの周囲の領域が透過部として機能する。３つのサブピクセル３５ｄ〜３５ｆのうちの１つのサブピクセル３５ｆにおいては、反射電極４８は形成されていない。反射電極４８が形成されていないサブピクセル３５ｆは、全体が透過部として機能する。

こうして、ＴＦＴ基板２ｂが構成されている。

次に、ＣＦ基板４ｂについて図１８及び図１９を用いて説明する。

ガラス基板５８（図５参照）の下には、ブラックマトリクス層６２ｂが形成されている。ブラックマトリクス層６２ｂは、ゲートバスライン１２、データバスライン２８及び薄膜トランジスタ１８の上方に形成されている。

ブラックマトリクス層６２ｂが形成されたガラス基板５８の下には、カラーフィルタ層６２が形成されている。反射電極４８の上方領域においては、カラーフィルタ層６２に開口部６４ａが形成されている。開口部６４ａは、第１実施形態による液晶表示装置のカラーフィルタ層６２に形成された開口部６４と同様に、反射表示の際における色濃度が透過表示の際における色濃度に対して著しく濃くなってしまうのを防止するためのものである。 カラーフィルタ層６２の下には、透明樹脂より成る平坦化層６６（図５参照）が形成されている。

平坦化層６６の下には、ＩＴＯより成る対向電極６８（図５参照）が形成されている。

対向電極６８の下には、配向規制用構造物７０ｂが形成されている。配向規制用構造物７０ｂの平面形状は、例えば四角形（菱形）となっている。配向規制用構造物７０ｂは、各々の電極ユニット３４の中心の上方に位置するように形成されている。配向規制用構造物７０ｂの厚さは、例えば２μｍ程度である。

こうして、ＣＦ基板４ｂが構成されている。

本実施形態による液晶表示装置は、電極ユニット３４のベタ部３６ａ上に、表面に凹凸４２ａ、４２ｂが形成された絶縁層４０ａを介して反射電極４８が形成されていることに主な特徴の一つがある。

本実施形態によれば、反射電極４８がゲートバスライン１２上やデータバスライン２８上に形成されていないため、ゲートバスライン１２やデータバスライン２８と反射電極４８との間に大きな静電容量が生じるのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、第１及び第２実施形態による液晶表示装置と同様に、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、反射電極４８が、ベタ部３６ａの上方のみならず、Ｃｓバスライン１４の上方にも形成されていることにも主な特徴の一つがある。

Ｃｓバスライン１４は光を透過し得ない材料より成るため、Ｃｓバスライン１４が形成されている領域は、透過領域とはなり得ない。本実施形態では、Ｃｓバスライン１４の上方にも反射電極４８を形成しているため、透過領域として機能し得ない領域を反射領域として有効活用することができる。従って、本実施形態によれば、反射効率を向上させることが可能となる。

（変形例）
次に、本実施形態による液晶表示装置の変形例を図２０及び図２１を用いて説明する。図２０は、本変形例による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。図２０（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図２０（ｂ）は図２０（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図２１は、本変形例による液晶表示装置を示す平面図（その２）である。図２１（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図２１（ｂ）は図２１（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。

本変形例による液晶表示装置は、反射電極４８の上方領域におけるカラーフィルタ層６２の厚さが薄く設定されていることに主な特徴がある。

まず、ＴＦＴ基板２ｂについては、図１６（ａ）、図１７、図１８（ａ）及び図１９（ａ）を用いて上述した液晶表示装置のＴＦＴ基板と同様であるので説明を省略する。

次に、ＣＦ基板４ｃについて説明する。

反射電極４８が形成された領域の上方には、島状の透明樹脂層７４（図１２参照）がそれぞれ形成されている。透明樹脂層７４の厚さは、例えば０．８μｍ程度である。透明樹脂層７４は、図１２を用いて上述した液晶表示装置と同様に、カラーフィルタ層６２の厚さを部分的に薄くするためのものである。

透明樹脂層７４が形成されたガラス基板５８（図１２参照）の下側には、カラーフィルタ層６２が形成されている。カラーフィルタ層６２により基板表面が平坦化されている。反射電極４８の上方領域には透明樹脂層７４が形成されているため、反射部として機能する領域におけるカラーフィルタ層６２の厚さは、透過部として機能する領域におけるカラーフィルタ層６２の厚さより薄くなっている。透過部として機能する領域におけるカラーフィルタ層６２の厚さは、例えば１．４μｍ程度である。反射部として機能する領域におけるカラーフィルタ層６２の厚さは、例えば０．７μｍ程度である。反射部として機能する領域においてカラーフィルタ層６２の厚さを薄くしているのは、上述したように、反射表示の際における色濃度が透過表示の際における色濃度に対して著しく濃くなってしまうのを防止するためである。

本変形例では、反射電極４８の上方におけるカラーフィルタ層６２の厚さが薄く設定されているため、反射表示の際における色濃度が透過表示の際における色濃度に対して著しく濃くなってしまうのを防止することができる。従って、本変形例によっても、良好な表示品位を有する反射透過型の液晶表示装置を提供することができる。

［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による液晶表示装置を図２２及び図２３を用いて説明する。図２２は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図２３は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。図２３（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図２３（ｂ）は図２３（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図１乃至図２１に示す第１乃至第３実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による液晶表示装置は、反射部５６のうちの中央部におけるカラーフィルタ層６２の下に配向規制用構造物７０ｃが形成されており、反射部５６のうちの中央部を除く領域にカラーフィルタ層６２が形成されていないことに主な特徴がある。

まず、ＴＦＴ基板２ａについては、第２実施形態で用いられたＴＦＴ基板と同様であるので、説明を省略する。

次に、ＣＦ基板４ｄについて説明する。

ガラス基板５８の下には、カラーフィルタ層６２が形成されている。カラーフィルタ層６２は、透過部５４の全体と、反射部５６のうちの中央部とに形成されている。反射部５６のうちの中央部を除く領域には、カラーフィルタ層６２は除去されている。即ち、反射部５６のうちの中央部を除く領域には、カラーフィルタ層６２に開口部７６が形成されている。反射部５６のカラーフィルタ層６２に開口部７６を形成しているのは、反射部５６の色濃度が透過部５４の色濃度と比較して著しく濃くなってしまうのを防止するためである。反射部５６に形成されたカラーフィルタ層６２の平面形状は、例えば四角形（菱形）である。反射部５６に形成された四角形のカラーフィルタ層６２の対角線は、ゲートバスライン１２とほぼ平行、又は、データバスライン２８とほぼ平行となっている。カラーフィルタ層６２の厚さは、例えば２μｍ程度である。

カラーフィルタ層６２の下には、配向規制用構造物７０ｃが形成されている。配向規制用構造物７０ｃは、サブピクセル３５ａ〜３５ｃの中央部にそれぞれ形成されている。即ち、配向規制用構造物７０ｃは、反射電極４８の中央部の上方に、形成されている。また、配向規制用構造物７０ｂは、電極ユニット３４ａ、３４ｂの中央部の上方に、それぞれ形成されている。配向規制用構造物７０ｂ、７０ｃの平面形状は、例えば四角形（菱形）である。四角形の断面の対角線は、ゲートバスライン１２とほぼ平行、又はデータバスライン２８とほぼ平行となっている。配向規制用構造物７０ｂ、７０ｃの高さは、例えば２μｍ程度である。

反射部５６に形成された配向規制用構造物７０ｃは、絶縁層４０ａ上に形成された反射電極４８と接している。このため、主として、絶縁層４０ａの厚さ、配向規制用構造物７０ｃの高さ、及びカラーフィルタ層６２の厚さにより、液晶層６の厚さが保持されている。このように、絶縁層４０ａ、配向規制用構造物７０ｃ及びカラーフィルタ層６２は、スペーサとしても機能する。

配向規制用構造物７０ｃの高さは、上述したように例えば２μｍ程度である。このため、反射部５６のうちの中央部の近傍においては、液晶層６の厚さは２μｍ程度となっている。

配向規制用構造物７０ｃの高さは、上述したように２μｍ程度であり、カラーフィルタ層６２の厚さは、上述したように例えば２μｍ程度である。このため、反射部５６のうちの中央部を除く領域では、液晶層６の厚さは４μｍ程度となっている。

配向規制用構造物７０ｃの高さは、上述したように２μｍ程度であり、絶縁層６の厚さは、２μｍ程度である。このため、透過部５４においては、液晶層６の厚さは４μｍ程度となっている。

このように、反射部５６のうちの中央部を除く領域における液晶層６の厚さと、透過部５４における液晶層６の厚さとが、ほぼ等しく設定されている。

本実施形態による液晶表示装置は、反射部５６のうちの中央部にカラーフィルタ層６２が形成されており、反射部５６のうちの中央部を除く領域にカラーフィルタ層６２が形成されていないことに主な特徴の一つがある。

本実施形態によれば、反射部５６のうちの中央部にカラーフィルタ層６２が形成されており、反射部５６のうちの中央部を除く領域にカラーフィルタ層６２が形成されていないため、反射部５６のうちのカラーフィルタ層６２が形成されている領域と反射部５６のうちのカラーフィルタ層６２が形成されていない領域との面積比を適宜設定することにより、反射部５６の色濃度を調整することができる。このため、本実施形態によれば、透過部５４の色濃度に対して反射部５６の色濃度が著しく濃くなってしまうのを防止することができる。ひいては、透過部５４における色濃度と反射部５６における色濃度とをほぼ等しくすることもできる。

しかも、本実施形態によれば、透過部５４に用いられているカラーフィルタ層６２と同一のカラーフィルタ層６２を反射部５６に用いることができるため、ＣＦ基板４ｄに透明樹脂より成る平坦化層を形成することを要せず、低コスト化に寄与することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、反射電極４８のうちの中心部のカラーフィルタ層６２の下に配向規制用構造物７０ｃが形成されていることにも主な特徴の一つがある。

本実施形態によれば、液晶層６に印加される電圧を配向規制用構造物７０ｃにより部分的に低下させることができるため、液晶層６の位相差条件を調整することができる。

［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による液晶表示装置を図２４及び図２５を用いて説明する。図２４は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図２５は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。図２５（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図２５（ｂ）は図２５（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図１乃至図２３に示す第１乃至第４実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による液晶表示装置は、反射電極４８上及び透過電極３２下にカラーフィルタ層６２ａが形成されており、反射電極４８上のカラーフィルタ層６２ａの厚さが透過電極３２下のカラーフィルタ層６２ａの厚さより薄いことに主な特徴がある。

まず、ＴＦＴ基板２ｃについて説明する。

ガラス基板１０上の反射部５６には、島状に絶縁層４０ａが形成されている。絶縁層４０ａの表面には、例えば凹凸４２が同心状に形成されている。絶縁層４０ａの平均的な厚さは、例えば１μｍ程度とする。

絶縁層４０ａ上には、反射電極４８が形成されている。凹凸４２が形成された絶縁層４０ａ上に反射電極４８が形成されているため、反射電極４８の表面にも凹凸４２が形成されている。

反射電極４８上及びガラス基板１０上には、カラーフィルタ層６２ａが形成されている。カラーフィルタ層６２ａにより、基板表面が平坦化されている。透過部５４におけるカラーフィルタ層６２ａの厚さは、例えば２μｍ程度とする。基板表面を平坦化するようにカラーフィルタ層６２ａが形成されているため、反射部５６におけるカラーフィルタ層６２ａの厚さは、例えば１μｍ程度となる。反射部５６においては上述したように光がカラーフィルタ層６２ａを２回透過し、透過部５４においては光がカラーフィルタ層６２ａを１回透過するが、反射部５６におけるカラーフィルタ層６２ａの厚さが透過部５４におけるカラーフィルタ層６２ａの厚さの２分の１程度に設定されているため、反射部５６における色濃度と透過部５４における色濃度とをほぼ等しくすることができる。

カラーフィルタ層６２ａには、反射電極４８の端部に達するコンタクトホール７８が形成されている。

透過部５４のカラーフィルタ層６２ａ上には、透過電極３２が形成されている。透過電極３２は、コンタクトホール７８を介して、反射電極４８に接続されている。透過電極３２は、コンタクトホール７８の近傍を除いて、反射電極４８の上方には形成されていない。反射電極４８と透過電極３２とにより画素電極５２が構成されている。

こうしてＴＦＴ基板２ｃが構成されている。

次に、ＴＦＴ基板２ｃに対向して設けられた対向基板４ｅについて説明する。

ガラス基板５８の下には、対向電極６８が形成されている。

対向電極６８の下には、配向規制用構造物７０ｂが形成されている。配向規制用構造物７０ｂは、反射電極４８の中央部の上方、電極ユニット３４の中央部の上方に、それぞれ形成されている。

こうして、対向基板４ｅが構成されている。

ＴＦＴ基板２ｃと対向基板４ｅとの間には、スペーサ８０が設けられている。スペーサ８０の大きさは、例えば直径４μｍ程度である。ＴＦＴ基板２ｃと対向基板４ｅとの間には、液晶層６が封入されている。

こうして、本実施形態による液晶表示装置が構成されている。

本実施形態による液晶表示装置は、上述したように、反射電極４８上及び透過電極３２下にカラーフィルタ層６２ａが形成されており、反射電極４８上のカラーフィルタ層６２ａの厚さが透過電極３２下のカラーフィルタ層６２ａの厚さより薄く設定されていることに主な特徴の一つがある。

反射部５６においては、カラーフィルタ層を透過した光が反射電極４８により反射されて再度カラーフィルタ層を透過するため、反射部５６におけるカラーフィルタ層の厚さを透過部５４におけるカラーフィルタ層の厚さと等しく設定した場合には、反射部５６における色濃度が透過部５４における色濃度に対して著しく濃くなってしまう。

本実施形態によれば、反射電極４８上のカラーフィルタ層６２ａの厚さが透過電極３２下のカラーフィルタ層６２ａの厚さより薄く設定されている、より具体的には、反射電極４８上のカラーフィルタ層６２ａの厚さが透過電極３２下のカラーフィルタ層６２ａの厚さの２分の１程度に設定されているため、反射部５６における色濃度が透過部５４における色濃度に対して著しく濃くなってしまうのを防止することができる。

また、本実施形態によれば、反射電極４８上にカラーフィルタ層６２ａが形成されているため、反射部５６の液晶層６に印加される電圧を、反射電極４８上に存在するカラーフィルタ層６２ａにより低下させることができる。このため、反射電極４８上に存在するカラーフィルタ層６２ａの厚さを適宜設定することにより、反射部５６と透過部５４との位相差条件を合わせ込むことができる。

また、本実施形態によれば、カラーフィルタ層６２ａによりＴＦＴ基板２ｃの表面が平坦化されているため、ＴＦＴ基板２ｃと対向基板４ｅとの間に汎用のスペーサ８０を配置するだけで、液晶層６の厚さを保持することができる。即ち、本実施形態によれば、簡便な手段を用いて、液晶層６の厚さを保持することができる。

（変形例）
次に、本実施形態による液晶表示装置の変形例を図２６及び図２７を用いて説明する。図２６は、本変形例による液晶表示装置を示す断面図である。図２７は、本変形例による液晶表示装置を示す平面図である。図２７（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図２７（ｂ）は図２７（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。

本変形例による液晶表示装置は、表面に凹凸４２が形成された反射電極４８の一部がカラーフィルタ層２６ａ上に露出していることに主な特徴がある。

まず、ＴＦＴ基板２ｄについて、説明する。

本変形例では、絶縁層４０ａの平均的な厚さが２μｍ程度となっている。絶縁層４０ａの厚さが２倍になると、凹凸４２の高低差もほぼ２倍になる。本変形例では、絶縁層４０ａの厚さが、図２４に示す液晶表示装置の絶縁層４０ａの厚さのほぼ２倍となっているため、凹凸４２の高低差も、図２４に示す液晶表示装置の絶縁層４０ａの凹凸４２の高低差のほぼ２倍となっている。

絶縁層４０ａ上には、反射電極４８が形成されている。

反射電極４８上及びガラス基板１０上には、カラーフィルタ層６２ａが形成されている。カラーフィルタ層６２ａにより、基板表面が平坦化されている。カラーフィルタ層６２ａの厚さは２μｍ程度とする。本変形例では、絶縁層４０ａの表面に高低差の大きい凹凸４２が形成されているため、反射電極４８上に存在するカラーフィルタ層６２ａの平均的な厚さは、１μｍ程度となる。反射部５６においては上述したように光がカラーフィルタ層６２ａを２回透過し、透過部５４においては光がカラーフィルタ層６２ａを１回透過するが、反射部５６におけるカラーフィルタ層６２ａの平均的な厚さが透過部５４におけるカラーフィルタ層６２ａの厚さの２分の１程度であるため、反射部５６における色濃度と透過部５４における色濃度とをほぼ等しくすることができる。

透過部５４のカラーフィルタ層６２ａ上には、透過電極３２が形成されている。透過電極３２は、反射電極４８の端部において反射電極４８に接続されている。反射電極４８の一部がカラーフィルタ層６２ａ上に露出しているため、カラーフィルタ層６２ａにコンタクトホール７８（図２４参照）を形成することなく、透明電極３２と反射電極４８とを接続することができる。

本変形例による液晶表示装置は、反射電極４８の一部がカラーフィルタ層６２ａ上に露出していることに主な特徴がある。

本変形例によれば、カラーフィルタ層６２ａにコンタクトホールを形成することなく、透明電極３２と反射電極４８とを接続することができるため、製造工程の簡便化を図ることができる。

［第６実施形態］
本発明の第６実施形態による液晶表示装置を図２８乃至図３２を用いて説明する。図２８は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。図２８（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図２８（ｂ）は図２８（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図２９は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図１乃至図２７に示す第１乃至第５実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による液晶表示装置は、反射部５６のうちの無着色領域８２ａにより反射される光の出射方向と、反射部５６のうちの着色領域８２ｂにより反射される光の出射方向とが、ほぼ等しくなるように、無着色領域８２ａが選択的に配置されていることに主な特徴がある。即ち、反射部５６のうちのカラーフィルタ層６２が形成されていない領域（無着色領域）８２ａにおける反射強度の指向性と、反射部５６のうちのカラーフィルタ層が形成されている領域（着色領域）８２ｂにおける反射強度の指向性とがほぼ等しくなるように、無着色領域８２ａが選択的に配置されていることに主な特徴がある。

まず、ＴＦＴ基板２ｅについて説明する。

ガラス基板１０上には、反射部５６に、島状の絶縁層４８ａが形成されている。絶縁層４８ａの平面形状は、例えば四角形となっている。絶縁層４８ａの表面には、凹凸４２が同心状に形成されている。凹凸４２のパターンは、四角形となっている。凹凸４２の方向や形状等は、絶縁層４８ａが硬化収縮する際の応力のバランスの影響を大きく受ける。絶縁層４０ａの表面に形成される凹凸による筋目の方向の殆どは、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行、又は、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直となる。筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸は、縦皺と称される。筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向とほぼ平行な凹凸は、横皺と称される。

なお、ここでは、絶縁層４０ａの表面に皺より成る凹凸を形成する場合を例に説明したが、絶縁層４０ａの表面に形成する凹凸は皺に限定されるものではない。例えば、フォトリソグラフィ技術等を用いて絶縁層をパターニングすることにより、絶縁層４０ａの表面に凹凸を形成するようにしてもよい。

絶縁層４０ａ上には、例えば反射電極４８が形成されている。反射電極４８は、例えばアルミニウム膜により形成されている。アルミニウムより成る反射電極４８は、例えばスパッタ法により形成することができる。表面に凹凸４２が同心状に形成された絶縁層４０ａ上に反射電極４８が形成されているため、絶縁層４０の表面の凹凸４２を反映して、反射電極４８の表面にも同心状の凹凸４２が形成されている。このため、反射電極４８の表面には、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸と、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向にほぼ平行な凹凸とが形成される。筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸４２における傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスライン１２の長手方向とほぼ一致する。また、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸４２における傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスライン１２の長手方向に対して垂直な方向とほぼ一致する。反射電極４８の表面にこのような凹凸４２が存在するため、方位角方向又は極角方向の反射強度に指向性が付与される。例えば、液晶表示装置の画面の左右から入射される光と、液晶表示装置の画面の上下から入射される光とが、液晶表示装置の正面に強い光強度で出射される。

こうして、ＴＦＴ基板２ｅが構成されている。

次に、ＣＦ基板４ｆについて説明する。

ＣＦ基板４ｆ側には、カラーフィルタ層６２が形成されている。カラーフィルタ層６２には、反射部５６の中心部に、開口部６４ｂが形成されている。開口部６４ｂは、例えば円形、楕円形、又は四角形（菱形）等に形成されている。反射部５６のうちのカラーフィルタ層６２が形成されていない領域、即ち、開口部６４ｂが形成されている領域は、無着色領域８２ａと称される。一方、反射部５６のうちのカラーフィルタ層６２が形成されている領域、即ち、開口部６４ｂが形成されていない領域は、着色領域８２ｂと称される。無着色領域８２ａと着色領域８２ｂとの面積比は、例えば１：４となっている。

反射電極４８の表面に凹凸４２が同心状に形成されており、反射電極４８の中心に無着色領域８２ａが配されているため、反射部５６の無着色領域８２ａにおける縦皺と横皺との存在比と、反射部５６の着色領域８２ｂにおける縦皺と横皺との存在比とが、ほぼ等しくなっている。このため、本実施形態によれば、無着色領域８２ａにおいて反射される光の出射方向と、着色領域８２ｂにおいて反射される光の出射方向とが、ほぼ等しくなる。即ち、無着色領域８２ａにおける反射強度の指向性と、着色領域８２ｂにおける反射強度の指向性とが、ほぼ等しくなる。

反射電極４８の中心の上方領域には、配向規制用構造物７０ｂが形成されている。また、ＣＦ基板４ｆには、透過電極３２のベタ部３６ａの中心の上方領域には、それぞれ配向規制用構造物７０ｂが形成されている。配向規制用構造物７０ｂの平面形状は、例えば四角形（菱形）となっている。

こうして本実施形態による液晶表示装置が構成されている。

本実施形態による液晶表示装置は、無着色領域８２ａにより反射される光の出射方向と、着色領域８２ｂにより反射される光の出射方向とが、ほぼ等しくなるように、無着色領域８２ａが選択的に配置されていることに主な特徴がある。

反射部５６の色濃度が透過部５４の色濃度に比べて著しく濃くなってしまうのを防止すべく、反射部５６に無着色領域８２ａを配すれば、反射部５６における色濃度が透過部５４における色濃度に対して著しく濃くなってしまうのを防止することは可能であるが、無着色領域８２ａにより反射される光の出射方向と、着色領域８２ｂにより反射される光の出射方向とが異なり、色再現範囲が狭くなってしまう場合がある。

これに対し、本実施形態によれば、反射電極４８に同心状の凹凸４２が形成されており、反射部５６の中心部に無着色領域８２ｂが配されているため、反射部５６の無着色領域８２ａにおける縦皺と横皺との存在比と、反射部５６の着色領域８２ｂにおける縦皺と横皺との存在比とを、ほぼ等しくすることができる。このため、無着色領域８２ａにより反射される光の出射方向と、着色領域８２ｂにより反射される光の出射方向とを、ほぼ等しくすることができる。即ち、無着色領域８２ａによる反射強度の指向性と、着色領域８２ｂによる反射強度の指向性とをほぼ等しくすることができる。このため、本実施形態によれば、反射領域５６における色濃度が、透過領域５４における色濃度と比較して著しく濃くなってしまうのを防止しつつ、色再現範囲を広くすることができる。

（評価結果）
次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果を説明する。

まず、反射表示の際における反射強度分布について説明する。図３０は、本実施形態による液晶表示装置の評価結果を示すグラフである。図３０（ａ）は、反射表示の際における反射強度分布を示すグラフである。反射強度分布を測定する際には、入射光の極角を２５度とし、入射光の方位角を０度〜１８０度の範囲で変化させた。測定点は、基板面に対する法線方向とした。図３１は、比較例として用いた液晶表示装置を示す平面図である。図３１（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図３１（ｂ）はＣＦ基板を示している。図３２は、反射部を示す平面図である。図３２（ａ）は、本実施形態による液晶表示装置の場合を示している。図３２（ａ）に示すように、本実施形態では、絶縁層４０ａが島状に形成されており、島状の絶縁層４０ａの表面に同心状に凹凸４２が形成されており、円形の無着色領域８２ａが反射電極４８の中心部に配されている。図３２（ｂ）は、比較例による液晶表示装置の場合を示している。図３２（ｂ）に示すように、比較例においては、絶縁層４０がゲートバスライン１２と平行に帯状に形成されており、絶縁層４０の表面にゲートバスライン１２の長手方向に対して垂直な方向の凹凸（縦皺）４２ａが形成されている場合を示している。比較例では、凹凸４２ａの端部を除く領域、より具体的には、ゲートバスライン１２の上方領域に無着色領域８２ａを帯状に配した。

図３０から分かるように、比較例の場合、即ち、●印で示す場合には、入射光の方位角が０度及び１８０度の際に、反射強度が著しく強くなっている。一方、入射光の方位角が０度付近及び１８０度付近以外では、反射強度が極めて低くなっている。このことから、比較例の場合には、例えば、左右方位から入射される光の反射強度が、上下方位から入射される光の反射強度に対して極端に強くなってしまうことがわかる。

なお、絶縁層４０ａがゲートバスライン１２の長手方向に平行に帯状に形成されており、絶縁層４０ａの表面にゲートバスライン１２の長手方向に対して垂直な方向の凹凸４２ａが形成されている場合において、円形状の無着色領域８２ａを反射電極２８の中央部に選択的に配置した場合（図３２（ｃ）参照）も、同様の特性が得られた。図３２（ｂ）は、他の比較例、即ち、絶縁層４０ａがゲートバスライン１２に沿って帯状に形成されており、絶縁層４０ａの表面にゲートバスライン１２の長手方向に対して垂直な方向の凹凸４２ａが形成されている場合において、円形状の無着色領域８２ａを反射電極２８の中央部に選択的に配置した場合を示す平面図である。

これに対し、本実施形態の場合、即ち、▲印で示す場合には、入射光の方位角が０度及び１８０度の際における反射強度と、入射光の方位角が９０度の際における反射強度とが、ほぼ等しくなっている。このことから、本実施形態の場合には、左右方位から入射される光の反射強度と上下方位から入射される光の反射強度とを、ほぼ等しくし得ることがわかる。

次に、反射表示の際におけるＮＴＳＣ比分布について図３０（ｂ）を用いて説明する。図３０（ｂ）は、反射表示の際におけるＮＴＳＣ比分布を示すグラフである。ＮＴＳＣ比とは、ＮＴＳＣ規格で規定されている色度域に対する色再現範囲を面積比で表したものである。光の反射率の視角特性を測定する際には、入射光の極角α（図８参照）を２５度とし、入射光の方位角β（図８参照）を０度〜１８０度の範囲で変化させた。測定点は、基板面に対する法線方向とした。●印は、比較例の場合、即ち、図３１に示す液晶表示装置を用いた場合を示している。▲印は、本実施形態の場合を示している。

図３０（ｂ）から分かるように、比較例の場合、即ち、●印で示す場合には、入射光の方位角βが０度及び１８０度のときにおけるＮＴＳＣ比が、入射光の方位角βが９０度のときにおけるＮＴＳＣ比と比較して、極めて低くなってしまっている。このことから、比較例の場合には、例えば左右方向から光が入射した場合におけるＮＴＳＣ比が、上下方向から光が入射した場合におけるＮＴＳＣ比と比較して、極端に低くなってしまうことがわかる。なお、絶縁層４０ａがゲートバスライン１２の長手方向に対して平行に帯状に形成されており、帯状の絶縁層４０ａの表面にゲートバスライン１２の長手方向に対して垂直な方向の凹凸４２ａが形成されている場合において、円形状の無着色領域８２ａを反射電極４８の中心部に選択的に配置した場合も、同様の特性が得られた。

これに対し、本実施形態の場合、即ち▲印で示す場合には、入射光の方位角βが０度及び１８０度のときにおけるＮＴＳＣ比と、入射光の方位角βが９０度のときにおけるＮＴＳＣ比とが、ほぼ等しくなっている。このことから、本実施形態によれば、例えば左右方位から光が入射した場合におけるＮＴＳＣ比と、上下方向から光が入射した場合におけるＮＴＳＣ比とを、ほぼ等しくし得ることがわかる。

このように本実施形態によれば、反射表示の際の明るさのばらつきが少なく、色再現範囲の広い液晶表示装置を提供することが可能となる。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による液晶表示装置の変形例を図３３及び図３４を用いて説明する。図３３は、本変形例による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。

図３３に示すように、島状の絶縁層４０ａには、同心状に凹凸４２が形成されている。島状の絶縁層４０ａの平面形状は四角形である。凹凸４２のパターンは、四角形状となっている。

反射部５６には、無着色領域８２ａが選択的に配置されている。無着色領域８２ａの形状は、例えば直角三角形となっている。無着色領域８２ａは、無着色領域８２ａの角の部分と反射電極４８の角の部分とが一致するように、配置されている。無着色領域８２ａ内に存在する横皺４２ａの長さと縦皺４２ｂの長さとの比と、三角形の辺の長さの比とは、ほぼ等しくなっている。無着色領域８２ａ以外の部分は、着色領域８２ｂ、即ちカラーフィルタ層６２（図２８参照）が形成されている領域となっている。反射部５６の無着色領域８２ａにおける縦皺４２ａと横皺４２ｂの存在比と、反射部５６の着色領域８２ｂにおける縦皺４２ａと横皺４２ｂの存在比とがほぼ等しいため、無着色領域８２ａにおいて反射される光の反射強度の指向性と、着色領域８２ｂにおいて反射される光の反射強度の指向性とが、ほぼ等しくなる。このため、無着色領域８２ａにより反射される光の出射方向と、着色領域８２ｂにより反射される光の出射方向とを、ほぼ等しくすることができる。

次に、本変形例による液晶表示装置の評価結果を図３４を用いて説明する。図３４は、本変形例による液晶表示装置の評価結果を示すグラフである。

まず、反射表示の際における反射強度分布について図３４（ａ）を用いて説明する。図３４（ａ）は、反射表示の際における反射強度分布を示すグラフである。反射強度分布を測定する際には、入射光の極角α（図８参照）を２５度とし、入射光の方位角β（図８参照）を０度〜１８０度の範囲で変化させた。測定点は、基板面に対する法線方向とした。

図３４（ａ）から分かるように、本変形例による液晶表示装置では、入射光の方位角βが０度及び１８０度の際における反射強度と、入射光の方位角βが９０度の際における反射強度とが、ほぼ等しくなっている。このことから、本実施形態の場合には、左右方位から入射される光の反射強度と上下方位から入射される光の反射強度とを、ほぼ等しくし得ることがわかる。

次に、反射表示の際におけるＮＴＳＣ比分布について図３４（ｂ）を用いて説明する。図３４（ｂ）は、反射表示の際におけるＮＴＳＣ比分布を示すグラフである。光の反射率の視角特性を測定する際には、入射光の極角αを２５度とし、入射光の方位角βを０度〜１８０度の範囲で変化させた。測定点は、基板面に対する法線方向とした。

図３４（ｂ）から分かるように、本変形例による液晶表示装置では、入射光の方位角βが０度及び１８０度のときにおけるＮＴＳＣ比と、入射光の方位角βが９０度のときにおけるＮＴＳＣ比とが、ほぼ等しくなっている。このことから、本実施形態によれば、例えば左右方位から光が入射した場合におけるＮＴＳＣ比と、上下方向から光が入射した場合におけるＮＴＳＣ比とを、ほぼ等しくし得ることがわかる。

このように本変形例によっても、反射表示の際の明るさのばらつきが少なく、色再現範囲の広い液晶表示装置を提供することが可能となる。

なお、ここでは、無着色領域８２ａの形状を三角形とする場合を例に説明したが、無着色領域８２ａの形状は三角形や円形に限定されるものではない。無着色領域８２ａにより反射される光の出射方向と、着色領域８２ｂにより反射される光の出射方向とが、ほぼ等しくなるように、他のあらゆる形状の無着色領域８２ａを適宜配するようにしてもよい。換言すれば、無着色領域８２ａによる反射強度の指向性と、着色領域８２ｂによる反射強度の指向性とがほぼ等しくなるように、他のあらゆる形状の無着色領域８２ａを適宜配するようにしてもよい。より具体的には、無着色領域８２ａ内に存在する縦皺４２ａと横皺４２ｂとの存在比と、着色領域８２ｂ内に存在する縦皺４２ａと横皺４２ｂとの存在比とが、ほぼ等しくなるように、無着色領域８２ａを配するようにすればよい。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による液晶表示装置の変形例を図３５を用いて説明する。図３５は、本変形例による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。

本変形例による液晶表示装置は、絶縁層４０ａの表面の凹凸４２がフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成されていることに主な特徴がある。

図３５に示すように、絶縁層４０ａの表面には凹凸４２が同心状に形成されている。外側の凹凸のパターンは、四角形状となっている。外側の凹凸のパターンは、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行なパターンと、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直なパターンとを有している。内側の凹凸のパターンは、十字状となっている。内側の凹凸のパターンも、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行なパターンと、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直なパターンとを有している。外側のパターンと内側のパターンとは、絶縁層４０ａの中心を中心として同心状に配置されている。

無着色領域８２ａは、反射部５６の中心部に配されている。無着色領域８２ａの形状は、円形（楕円形）となっている。反射部５６のうちの無着色領域８２ａを除く領域は、着色領域８２ｂとなっている。

こうして本変形例による液晶表示装置が構成されている。

本変形例による液晶表示装置は、上述したように、絶縁層４０ａの表層部をパターニングすることにより絶縁層４０ａの表面に凹凸４２が形成されていることに主な特徴がある。

図２８に示す液晶表示装置では、絶縁層４０ａを硬化・熱収縮させることにより、絶縁層４０ａ表面に凹凸４２を形成していたが、本変形例のように、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより絶縁層４０ａの表面に凹凸４２を形成してもよい。

本変形例においても、絶縁層４０ａの表面に同心状に凹凸４２が形成されており、絶縁層４０ａの中心部に無着色領域８２ａが選択的に配置されているため、着色領域８２ａにおける反射強度の指向性と、無着色領域８２ｂにおける反射強度の指向性とを、ほぼ等しくすることができる。即ち、着色領域８２ａにより反射される光の反射方向と、無着色領域８２ｂにより反射される光の反射方向とを、ほぼ等しくすることができる。従って、本変形例によっても、図２８、図３３に示す液晶表示装置と同様に、色再現範囲の広い液晶表示装置を提供することができる。

［第７実施形態］
本発明の第７実施形態による液晶表示装置を図３６乃至図３８を用いて説明する。図３６は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。図３６（ａ）はＴＦＴ基板を示しており、図３６（ｂ）は図３６（ａ）に対応する領域のＣＦ基板を示している。図３７は、本実施形態による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。図１乃至図３５に示す第１乃至第６実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による液晶表示装置は、着色領域８２ｂの反射電極４８により反射される光の反射強度の指向性と、無着色領域８２ａの反射電極４８により反射される光の反射強度の指向性とが異なっており、着色領域８２ｂの反射電極４８により反射される光の反射強度が、無着色領域８２ａの反射電極４８により反射される光の反射強度より大きくなるように、無着色領域８２ａが配されていることに主な特徴がある。より具体的には、本実施形態による液晶表示装置は、反射電極４８の表面に筋状の凹凸４２ａが揃うように形成されており、筋状の凹凸４２ａの端部を含むように無着色領域８２ａが配されていることに主な特徴がある。

図３６に示すように、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な方向に、絶縁層４０が帯状に形成されている。帯状の絶縁層４０の表面には、筋状の凹凸４２ａが形成されている。筋状の凹凸４２ａは、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な方向に揃うように形成されている。

絶縁層４０上に形成された反射電極４８にも、絶縁層４０の表面に形成された凹凸と同様の筋状の凹凸４２ａが形成されている。反射電極４８の表面にこのような凹凸４２が存在するため、方位角方向又は極角方向の反射強度に指向性が付与される。

反射部５６の両端部には、帯状の無着色領域８２ａが配されている。無着色領域８２ａは、凹凸４２ａの端部を含むように配されている。凹凸４２ａの端部においては、凹凸４２ａの端部における傾斜面が様々な方向を向いているため、凹凸４２ａの端部に入射された光は拡散される。このため、無着色領域８２ａにより反射される光の反射強度のピークは、比較的弱い。

反射部５６のうちの無着色領域８２ａを除く領域は、着色領域８２ｂである。着色領域８２ｂの形状は、例えば帯状である。着色領域８２ｂは、凹凸４２ａの端部を含まないように配置されている。凹凸４２ａの端部を除く領域では、凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位がゲートバスライン１４の長手方向となっているため、例えば左右方向から入射される光が強い強度で反射される。このため、着色領域８２ｂにより反射される光の反射強度のピークは、無着色領域８２ａにより反射される光の強度のピークより強くなる。

なお、ここでは、無着色領域８２ａの平面形状を帯状、即ち多角形状とする場合を例に説明したが、無着色領域８２ａの平面形状は多角形状に限定されるものではない。例えば、無着色領域８２ａの平面形状を、円形状又は楕円形状にしてもよい。

次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果を図３８を用いて説明する。図３８は、本実施形態による液晶表示装置の評価結果を示すグラフである。

まず、反射表示の際における反射強度分布について説明する。図３８（ａ）は、反射表示の際における反射強度分布を示すグラフである。反射強度分布を測定する際には、入射光の極角α（図８参照）を２５度とし、入射光の方位角β（図８参照）を０度〜１８０度の範囲で変化させた。測定点は、基板面に対する法線方向とした。

図３８（ａ）から分かるように、本実施形態による液晶表示装置では、入射光の方位角βが０度及び１８０度の際における反射強度が、入射光の方位角βが９０度の際における反射強度と比較して強くなっている。しかし、本実施形態による液晶表示装置では、図３０に示す比較例による液晶表示装置の場合と比較して、反射表示の際における反射強度分布が大幅に改善されている。

次に、反射表示の際におけるＮＴＳＣ比分布について図３８（ｂ）を用いて説明する。図３８（ｂ）は、反射表示の際におけるＮＴＳＣ比分布を示すグラフである。光の反射率の視角特性を測定する際には、入射光の極角αを２５度とし、入射光の方位角βを０度〜１８０度の範囲で変化させた。測定点は、基板面に対する法線方向とした。

図３８（ｂ）から分かるように、本実施形態による液晶表示装置では、入射光の方位角βが０度及び１８０度のときにおけるＮＴＳＣ比が非常に高くなっており、入射光の方位角βが０度前後及び１８０度前後以外のときにおけるＮＴＳＣ比が、非常に低くなっている。このことから、本実施形態によれば、例えば左右方位から光が入射した場合におけるＮＴＳＣ比を高くし得ることが分かる。

これらのことから、明るい表示が得られるような条件においては広い色再現範囲が得られ、表示が暗くなるような条件においては色再現範囲が狭くなることが分かる。

本実施形態による液晶表示装置は、上述したように、着色領域８２ｂの反射電極４８により反射される光の反射強度の指向性と、無着色領域８２ａの反射電極４８により反射される光の反射強度の指向性とが異なっており、着色領域８２ｂの反射電極４８により反射される光の反射強度が、無着色領域８２ａの反射電極４８により反射される光の反射強度より大きくなるように、無着色領域８２ａが配されていることに主な特徴がある。より具体的には、本実施形態による液晶表示装置は、上述したように、反射電極４８の表面に筋状の凹凸４２ａが揃うように形成されており、筋状の凹凸４２ａの端部を含まないように着色領域８２ｂが配されており、筋状の凹凸４２ａの端部を含むように無着色領域８２ａが配されていることに主な特徴がある。このような液晶表示装置では、明るい表示が得られるような条件では、広い色再現範囲が得られる。一方、表示が暗くなるような条件では色再現範囲は狭くなるが、表示が暗くなるような条件では、色再現範囲が狭いことが認識されにくいため、実用上は特段の問題は生じない。従って、本実施形態によっても、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

（変形例）
次に、本実施形態による液晶表示装置の変形例を図３９を用いて説明する。図３９は、本変形例による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。

本変形例による液晶表示装置は、絶縁層４０ａの表面の凹凸４２ａがフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成されていることに主な特徴がある。

図３９に示すように、絶縁層４０ａの表面にはゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な方向のパターンの凹凸４２ａが形成されている。

反射部５６の両端部には、帯状の無着色領域８２ａが配置されている。無着色領域８２ａは、凹凸４２ａの端部を含むように配されている。凹凸４２ａの端部では、凹凸４２ａの端部における傾斜面の傾斜方位が様々な方位となっているため、光が拡散される。このため、無着色領域８２ａにより反射される光の強度のピークは、比較的弱い。

反射部５６のうちの無着色領域８２ａを除く領域は、着色領域８２ｂである。着色領域８２ｂの形状は、例えば帯状である。着色領域８２ｂは、凹凸４２ａの端部を含まないように配置されている。凹凸４２ａの端部を除く領域では、凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位がゲートバスライン１２の長手方向となっているため、例えば左右方向から入射される光が強い反射強度で反射される。このため、着色領域８２ｂにより反射される光の強度のピークは、無着色領域８２ａにより反射される光の強度のピークより大きくなる。

このように、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層４０ａの表面に凹凸４２ａを形成する場合であっても、図３６に示す液晶表示装置と同様に、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

［第８実施形態］
本発明の第８実施形態による液晶表示装置を図４０及び図４１を用いて説明する。図４０は、本実施形態による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。図１乃至図３９に示す第１乃至第７実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による液晶表示装置は、画素の表示色に応じて無着色領域８２ａの面積が異なっていることに主な特徴がある。

まず、ＴＦＴ基板については、図２８（ａ）に示す液晶表示装置のＴＦＴ基板２ｅと同様のＴＦＴ基板を用いることができるので、ここでは詳細な説明を省略する。

次に、ＣＦ基板について説明する。

本実施形態で用いるＣＦ基板は、画素の表示色に応じて無着色領域８２ａの面積が異なる点の他は、図２８（ｂ）に示す液晶表示装置のＣＦ基板と同様である。

図４０（ａ）は、赤色（Ｒ）を表示するための画素の反射部を示す平面図である。図４０（ｂ）は、緑色（Ｇ）を表示するための画素の反射部を示す平面図である。図４０（ｃ）は、青色（Ｂ）を表示するための画素の反射部を示す平面図である。

図４０（ａ）及び図４０（ｃ）に示すように、赤色を表示するための画素の反射部５６ａと青色を表示するための画素の反射部５６ｃとにおいては、無着色領域８２ａの面積が比較的小さく設定されている。具体的には、着色領域８２ｂの面積に対する無着色領域８２ａの面積の割合を１５％程度に設定している。

図４０（ｂ）に示すように、緑色を表示するための画素の反射部５６ｂにおいては、無着色領域８２ａの面積が比較的大きく設定されている。具体的には、着色領域８２ｂの面積に対する無着色領域８２ａの面積の割合は３５％程度に設定されている。

（評価結果）
本実施形態による液晶表示装置の評価結果を図４１を用いて説明する。図４１は、本実施形態による液晶表示装置の色度座標を示すグラフである。

●印は、着色領域８２ｂの面積に対する無着色領域８２ａの面積の割合を一律に２５％に設定した場合を示している。■印は、反射用カラーフィルタ層の厚さを０．７μｍとし、反射部５６に無着色領域８２ａを形成しない場合を示している。▲印は、本実施形態の場合、即ち、赤色と青色を表示する画素の反射部５６ａ、５６ｃにおいては着色領域８２ｂの面積に対する無着色領域８２ａの面積の割合を１５％に設定し、緑色を表示する画素の反射部５６ｂにおいては着色領域８２ｂの面積に対する無着色領域８２ａの面積を３５％に設定した場合を示している。

無着色領域の面積の割合は、透過用カラーフィルタ層６２のＮＴＳＣ比が反射用カラーフィルタ層のＮＴＳＣ比と概ね等しくなるように設定されているが、図４１から分かるように、●印の場合には、表示される色の色度座標が■印の場合の色度座標からずれてしまっている。

これに対し、本実施形態の場合、即ち、▲印の場合には、かかる色度座標のずれが補正され、表示される色の色度座標が■印の場合の色度座標に近づいている。

このように、本実施形態によれば、着色領域８２ｂの面積に対する無着色領域８２ａの面積の割合を、画素の表示色に応じて適宜異ならせているため、反射表示の際において良好な色再現を実現することが可能となる。

［第９実施形態］
本発明の第９実施形態による液晶表示装置及びその製造方法を図４２乃至図４８を用いて説明する。図４２は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。図４３は、本実施形態による液晶表示装置を示すＡ−Ａ′線断面図である。図１乃至図４１に示す第１乃至第８実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

（液晶表示装置）
本実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ等が形成されたＴＦＴ基板２ｆと、カラーフィルタ層等が形成されたＣＦ基板４と、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に封入された液晶層６とを有している。ＣＦ基板４としては、上記実施形態のいずれかのＣＦ基板を適宜用いればよい。

まず、ＴＦＴ基板２ｆについて図４２及び図４３を用いて説明する。

ガラス基板１０上には、ゲートバスライン１２と、Ｃｓ（蓄積容量）バスライン１４と、Ｃｓダミーバスライン１６とが形成されている。

ゲートバスライン１２、Ｃｓバスライン１４及びＣｓダミーバスライン１６が形成されたガラス基板１０上には、例えば窒化シリコン膜より成るゲート絶縁膜２０が形成されている。

ゲート絶縁膜２０上には、例えばアモルファスシリコンより成るチャネル層２２が形成されている。

チャネル層２２上には、例えば窒化シリコン膜より成るチャネル保護膜８４が形成されている。

チャネル層２２上及びチャネル保護膜８４上には、例えばｎ^＋型のアモルファスシリコンより成るコンタクト層８６が形成されている。コンタクト層８６は、ソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂをオーミック接続するためのものである。

コンタクト層８６上には、ソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂが形成されている。こうして、ゲート電極１２、チャネル層２２、ソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂ等を有する薄膜トランジスタ１８ａが構成されている。

Ｃｓバスライン１４の上方には、ゲート絶縁膜２０を介して、アモルファスシリコン膜２２、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８６及びＣｓ対向電極（中間電極）２６が形成されている。Ｃｓ対向電極２６は、Ｃｓバスライン１４との間で所定の静電容量を形成するためのものである。Ｃｓ対向電極２６は、ソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂと同一の導電膜を用いて形成されている。

ゲート絶縁膜２０上には、データバスライン２８が形成されている。データバスライン２８は、ソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂ及びＣｓ対向電極２６と同一の導電膜を用いて形成されている。データバスライン２８とソース電極２４ａとは、一体に形成されている。

薄膜トランジスタ１８ａ、Ｃｓ対向電極２６及びデータバスライン２８が形成されたガラス基板１０上には、透明な材料より成る保護膜２９が形成されている。

保護膜２９には、ソース電極２４ｂに達するコンタクトホール３０ａと、Ｃｓ対向電極２６に達するコンタクトホール３０ｂとが形成されている。

保護膜２９上には、例えばＩＴＯ膜より成る透過電極３２が形成されている。透過電極３２は、例えば２つの電極ユニット３４ａ、３４ｂを有している。透過電極３２の接続パターン３８ｂは、コンタクトホール３０ａを介してソース電極２４ｂに接続されている。また、透過電極３２の接続パターン３８ｃは、コンタクトホール３０ｂを介してＣｓ対向電極２６に接続されている。

透過電極３２の接続パターン３８ｂ上及び保護膜２９上には、表面に凹凸４２ａが形成された樹脂層４０が帯状に形成されている。樹脂層４０は、例えばポジ型レジストを用いて形成されている。樹脂層４０は、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行に形成されている。樹脂層４０の一方の縁部は、Ｃｓバスライン１４上に位置しており、樹脂層４０の他方の縁部はＣｓダミーバスライン１６上に位置している。凹凸４２ａの方向は、樹脂層４０の長手方向に対してほぼ垂直な方向、即ち、ゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な方向となっている。

樹脂層４０は、互いに隣接する画素電極５２間に突出する突出パターン８８を有している。突出パターン８８は、樹脂層４０と一体に形成されている。本実施形態で突出パターン８８を樹脂層４０に形成しているのは、以下のような理由によるものである。

即ち、樹脂層４０の厚さは例えば２．５μｍ程度と厚いため、導電膜をドライエッチングして反射電極４８を形成する際に、樹脂層４０の側壁部分に導電膜の残渣が生じてしまいやすい。樹脂層４０の側壁部分に導電膜の残渣が生じると、互いに隣接する反射電極４８が電気的に短絡してしまう虞がある。これに対し、画素電極５２間に突出する突出パターン８８を樹脂層４０に形成すれば、突出パターン８８の先端においては、樹脂層４０の側壁の面の傾きが基板面に対して緩やかとなる。樹脂層４０の側壁の面の傾きが基板面に対して緩やかであれば、導電膜をエッチングして反射電極４８を形成する際に、導電膜の残渣が生じにくい。このような理由により、本実施形態では、樹脂層４０に突出パターン８８を形成している。なお、反射電極４８となる導電膜をウエットエッチングによりパターニングする場合には、樹脂層４０の側壁部分に導電膜の残渣が生じにくいため、樹脂膜４０に突出パターン８８を形成することを要しない。

データバスライン２８の近傍には、樹脂層４０と同一の樹脂層より成る配向規制用構造物４４ａ、４４ｂが形成されている。配向規制用構造物４４ａ、４４ｂの平面形状は、例えば三角形又は四角形（菱形）となっている。

樹脂層４０上には、反射電極４８ａ、４８ｂが形成されている。反射電極４８ｂは、その反射電極４８ｂの下方に存在しているゲートバスライン１２ｂにより駆動される透過電極３２には電気的に接続されておらず、反射電極４８ｂの下方に存在するゲートバスライン１２ｂと異なるゲートバスライン１２ａにより駆動される透過電極３２に電気的に接続されている。

こうして、ＴＦＴ基板２ｆが構成されている。

ＴＦＴ基板２ｆに対向するように、ＣＦ基板４（図５参照）が設けられている。ＴＦＴ基板２ｆとＣＦ基板４との間には液晶層６（図４参照）が封入されている。

こうして本実施形態による液晶表示装置が構成されている。

このように、本実施形態による液晶表示装置は、ゲートバスライン１２に沿うように樹脂層４０が帯状に形成されており、樹脂層４０の表面に、筋目の方向が樹脂層４０の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸４２ａが形成されていることに主な特徴の一つがある。

このような凹凸４２ａが形成された絶縁層４０上に反射電極４８が形成されているため、絶縁層４０の表面の凹凸４２ａを反映して、反射電極４８の表面にも凹凸４２ａが形成される。凹凸４２ａにおける傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスライン１２の長手方向とほぼ一致する。このため、本実施形態によれば、例えば左右方位から入射される光の反射率を高めることができる。即ち、本実施形態によれば、例えば画面の左右方位又は上下方位から入射される光の反射率を高めることができる。従って、反射表示の際における表示の明るさを向上することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、樹脂層４０が、互いに隣接する反射電極４８ａ間の領域から突出する突出パターン８８を有していることにも主な特徴の一つがある。突出パターン８８の先端においては、樹脂層４０の側壁の面の傾きが基板面に対して緩やかとなるため、導電膜をドライエッチングして反射電極４８を形成する際に、突出パターン８８の先端部においては導電膜の残渣が生じにくい。このため、本実施形態によれば、互いに隣接する反射電極４８が短絡するのを確実に防止することができる。

（液晶表示装置の製造方法）
次に、本実施形態による液晶表示装置の製造方法について図４４乃至図４７を用いて説明する。図４４乃至図４７は、本実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、図４４（ａ）に示すように、ガラス基板１０上の全面に、例えばＰＶＤ法により、Ａｌ膜、ＭｏＮ膜、及びＭｏ膜を順次形成する。Ａｌ膜の膜厚は例えば１５０ｎｍ、ＭｏＮ膜の膜厚は例えば９０ｎｍ、Ｍｏ膜の膜厚は例えば１０ｎｍとする。こうして、Ａｌ膜、ＭｏＮ膜及びＭｏ膜より成る積層膜９０が形成される。

なお、ここでは、ゲートバスライン１２等を形成するための積層膜９０として、Ａｌ膜、ＭｏＮ膜及びＭｏ膜より成る積層膜９０を形成する場合を例に説明したが、ゲートバスライン１２等を形成するための導電膜は、このような材料より成る積層膜９０に限定されるものではない。例えば、ゲートバスライン１２等を形成するための導電膜として、Ｃｒ膜やＡｌ合金膜等を用いてもよい。また、ゲートバスライン１２等を形成するための導電膜として、Ａｌ膜とＴｉ膜とを積層して成る積層膜等を用いてもよい。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜９２を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜９２を所定の形状にパターニングする。

次に、図４４（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜９２をマスクとして、積層膜９０をウエットエッチングする。エッチング液としては、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いる。なお、ゲートバスライン１２等を形成するための導電膜として、Ａｌ膜とＴｉ膜との積層膜を用いる場合には、ドライエッチングによりパターニングすればよい。こうして、ゲートバスライン１２、Ｃｓバスライン１４及びＣｓダミーバスライン１６等が形成される。この後、フォトレジスト膜９２を剥離する。

次に、図４４（ｃ）に示すように、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜より成るゲート絶縁膜２０を形成する。窒化シリコン膜は、透明な絶縁膜である。ゲート絶縁膜２０の膜厚は、例えば３５０ｎｍ程度とする。

次に、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコン膜２２を形成する。アモルファスシリコン膜２２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル層となるものである。アモルファスシリコン膜２２の膜厚は、例えば３０ｎｍ程度とする。

次に、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜より成るチャネル保護膜８４を形成する。チャネル保護膜８４の膜厚は、例えば１２０ｎｍ程度とする。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜９４を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜９４を所定の形状にパターニングする。フォトレジスト膜９４をパターニングする際には、上面露光と背面露光を適宜組み合わせればよい。背面露光を行えば、ゲートバスライン１２に自己整合でフォトレジスト膜９４を露光することが可能である。

次に、図４４（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜９４をマスクとして、チャネル保護膜８４をエッチングする。この後、フォトレジスト膜９４を剥離する。

次に、図４５（ａ）に示すように、全面に、例えばＰＶＤ法により、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８６を形成する。ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８６は、コンタクト層となるものである。ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８６の膜厚は、例えば３０ｎｍ程度とする。

次に、全面に、例えばＰＶＤ法により、膜厚２０ｎｍのＴｉ膜、膜厚７５ｎｍのＡｌ膜及び膜厚８０ｎｍのＴｉ膜を順次積層して成る導電膜９６を形成する。導電膜９６は、ソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂ、データバスライン２８、及びＣｓ対向電極２６となるものである。

なお、ここでは、ソース電極２４ａ等となる導電膜として、Ｔｉ膜、Ａｌ膜及びＴｉ膜より成る積層膜９６を形成したが、ソース電極２４ａ等となる導電膜の材料はこれに限定されるものではない。例えば、ソース電極２４ａ等となる導電膜として、Ａｌ合金膜を形成してもよいし、他の低抵抗金属より成る積層膜を形成してもよい。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜９８を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜９８を所定の形状にパターニングする。

次に、図４５（ｂ）に示すように、例えばＲＩＥ法により、フォトレジスト膜９８をマスクとして、導電膜９６、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８６及びアモルファスシリコン膜２２をドライエッチングする。エッチングガスとしては、例えばＣｌ系のガスを用いる。こうして、データバスライン２８、ドレイン電極２４ｂ、ソース電極２４ａ及びＣｓ対向電極２６が、導電膜により形成される。また、ドレイン電極２４ｂとソース電極２４ａの下に存在するｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８６は、コンタクト層として機能する。この後、フォトレジスト膜９８を剥離する。

次に、図４５（ｃ）に示すように、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンより成る保護膜２９を形成する。保護膜２９の膜厚は、例えば３３０ｎｍ程度とする。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜１００を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１００に開口部１０２ａ、１０２ｂを形成する。開口部１０２ａ、１０２ｂは、コンタクトホール３０ａ、３０ｂを形成するためのものである。

次に、図４５（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜１００をマスクとして、保護膜２９をエッチングする。これにより、ドレイン電極２４ｂに達するコンタクトホール３０ａと、Ｃｓ対向電極２６に達するコンタクトホール３０ｂとが形成される。この後、フォトレジスト膜１００を剥離する（図４６（ａ）参照）。

次に、図４６（ｂ）に示すように、全面に、例えばＰＶＤ法により、ＩＴＯ膜１０４を形成する。ＩＴＯ膜１０４は、透過電極５２等を形成するためのものである。ＩＴＯ膜１０４の膜厚は、例えば７０ｎｍ程度とする。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜１０６を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１０６を所定の形状にパターニングする。

次に、図４６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１０６をマスクとして、ＩＴＯ膜１０４をエッチングする。これにより、ＩＴＯ膜１０４より成る透過電極５２、接続パターン３８が形成される。この後、フォトレジスト膜１０６を剥離する。

次に、ＩＴＯ膜より成る透過電極５２等を結晶化するための熱処理を行う。熱処理温度は、例えば２００度以上とする。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、ポジ型のレジスト膜４０を形成する。レジスト膜４０の膜厚は、例えば２．５μｍ程度とする。この後、レジスト膜４０に対して熱処理（プリベーク）を行う。プリベークは、レジスト膜４０中の残留溶剤を蒸発させるとともに、レジスト膜４０の下地に対する密着性を強化するためのものである。

次に、図４６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、ポジ型のレジスト膜４０を所定のパターニングする。これにより、ポジ型レジスト膜４０より成る帯状の樹脂層が直線状に形成される。帯状の樹脂層４０の幅は、例えば３０〜１００μｍ程度とする。この際、画素電極５２間に突出する突出パターン８８（図４２参照）が形成されるように、レジスト膜４０をパターニングする。また、この際、データバスライン２８の近傍に、樹脂層４０より成る配向規制用構造物４４ａ、４４ｂ（図４２参照）をも形成する。

なお、樹脂層４０に突出パターン８８を形成するのは、上述したように、互いに隣接する反射電極４８の短絡を防止するためである。反射電極４８となる導電膜をウエットエッチングによりパターニングする場合には、エッチングの際に樹脂層４０の側壁部分に導電膜の残渣が生じにくいため、樹脂膜４０に突出パターン８８を形成することを要しない。

次に、樹脂層４０に対して、熱処理（ポストベーク）を行う。熱処理温度は、例えば１３０〜１７０℃とする。ポストベークは、レジスト膜４０中又はレジスト膜の表面に残留した現像液やリンス液を蒸発させるとともに、レジスト膜４０を硬化させ、レジスト膜４０の下地に対する密着性を確保するためのものである。ポストベークを行わないと、後工程でレジスト膜４０にイオン注入を行う際に、脱ガスの影響によりイオン注入が確実にできない虞があるため、ポストベークは必須である。また、後工程で、イオン注入ではなく紫外線露光を行う場合には、予めポストベークを行っておかないと、レジスト膜４０が破裂する虞があるため、後工程で紫外線露光を行う場合も、ポストベークは必須である。

次に、例えばイオン注入法により、樹脂層４０の表層部に燐イオンを注入する。イオン注入装置のチャンバ内に導入するガスとしては、水素（Ｈ_２）ガスで希釈されたホスフィン（ＰＨ_３）ガスを用いる。樹脂層４０の表層部に燐イオンを注入するのは、樹脂層４０の表層部を硬化させるためである。

なお、ここでは、樹脂層４０の表層部にイオン注入を行うことにより、樹脂層４０の表層部を硬化させる場合を例に説明したが、樹脂層４０の表層部を硬化させる方法は、イオン注入に限定されるものではない。例えば、プラズマ照射、紫外線照射、レーザ照射等により、樹脂層４０の表層部を硬化させてもよい。

次に、樹脂層４０に対して、比較的高温の熱処理（ハードキュア）を行う。この際、ポストベークより高い温度、より具体的には、レジスト膜の熱硬化点以上の温度で熱処理を行う。熱処理温度は、例えば１９０〜２３０℃とする。樹脂層４０の表層部は予め硬化されているため収縮しにくい一方、樹脂層４０の内部はこのような比較的高温の熱処理により著しく熱収縮する。このため、樹脂層４０の表面には、凹凸４２ａが形成される（図４７（ａ）参照）。

なお、ポストベークの温度が異なると、ハードキュアの際における熱収縮率も異なる。このため、ポストベークの温度を適宜設定することにより、凹凸４２ａの形状等を適宜設定することが可能である。

また、凹凸４２の高低差やピッチは、イオン注入条件やレジスト膜の膜厚等を適宜設定することにより、変化させることが可能である。ＰＤＡに用いる液晶表示装置のような小型の液晶表示装置を製造する場合には、凹凸４２ａにより構成される傾斜面の平均的な傾斜角は、４〜８度程度となることが望ましい。樹脂層４０の表面にこのような凹凸４２ａを形成する場合には、例えば、レジスト膜の膜厚を２．５μｍ程度、チャンバ内に導入するＰＨ_３ガスの流量を４０ｓｃｃｍ程度、プラズマ放電出力を１００Ｗ程度、加速電圧を６０ｋｅＶ程度、ドーズ量を３×１０^１４ｃｍ^−２程度とすればよい。このような条件で凹凸４２ａを形成すれば、凹凸４２ａの高低差（深さ）は０．４〜１．０μｍ、凹凸４２ａのピッチは１０〜１４μｍ、凹凸４２ａにより構成される傾斜面の平均的な傾斜角は、４〜８度程度となる。

なお、イオン注入条件は、上記に限定されるものではなく、適宜設定すればよい。例えば、ドーズ量を５×１０^１３〜１×１０^１５ｃｍ^−２、加速電圧を５〜９０ｋｅＶの範囲内とすれば、凹凸を一様に形成することができる。

また、ここでは、イオン注入を行う際に、イオン注入装置のチャンバ内に、水素ガスにより希釈されたホスフィンガスを導入する場合を例に説明したが、イオン注入装置のチャンバ内に導入するガスは、これに限定されるものではない。例えば、水素ガスにより希釈されたジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスを用いてもよい。ジボランガスを用いた場合には、ポジ型レジストより成る樹脂層４０の表面にボロンイオンが注入される。樹脂層４０の表面にボロンイオンを導入した場合にも、樹脂層４０の表面に燐イオンを導入した場合と同様に、樹脂層４０の表面に所望の凹凸を形成することができる。

次に、図４７（ｂ）に示すように、全面に、例えばＰＶＤ法により、Ｔｉ膜とＡｌ膜とを順次積層することにより、導電膜４８を形成する。Ｔｉ膜の厚さは、例えば１００ｎｍとする。Ａｌ膜の膜厚は例えば１００ｎｍとする。導電膜４８は、反射電極となるものである。

導電膜として、単層のＡｌ膜ではなく、Ｔｉ膜とＡｌ膜とを順次積層して成る積層膜を用いるのは、透過電極３２として用いられているＩＴＯ膜にＡｌ膜を直接接続すると、電気化学的腐食、即ち、電食が生じてしまうためである。本実施形態では、透過電極３２として用いられているＩＴＯ膜とＡｌ膜との間にＴｉ膜が存在しているため、電食を防止することができる。

Ｔｉ膜の膜厚は、厚めに形成することが望ましい。より具体的には、Ｔｉ膜の膜厚をＩＴＯ膜１０４の膜厚より厚く設定することが望ましい。Ｔｉ膜の膜厚を厚めに設定するのは、反射電極４８の縁部等においてＴｉ膜が消失すると、Ａｌ膜がＩＴＯ膜１０４より成る透過電極３２に直接接触し、電食が生じてしまうためである。Ｔｉ膜をＩＴＯ膜１０４の膜厚より厚く形成すれば、Ｔｉ膜の膜厚が十分に厚いため、Ａｌ膜がＩＴＯ膜１０４より成る透過電極１０４に接触するのを防止することができる。

なお、ここでは、Ｔｉ膜とＡｌ膜とを順次積層することにより導電膜４８を形成する場合を例に説明したが、導電膜４８の材料はこれに限定されるものではない。例えば、ＭｏＮ膜とＡｌ膜とを順次積層することにより、導電膜４８を形成してもよい。この場合、ＭｏＮ膜の膜厚は、例えば１００ｎｍとする。また、Ａｌ膜の膜厚は、例えば１００ｎｍとする。ＭｏＮ膜とＡｌ膜とから成る導電膜４８は、ウエットエッチングによりパターニングすることが可能である。ＭｏＮ膜とＡｌ膜とから成る導電膜４８をウエットエッチングによりパターニングする場合には、樹脂層４０に突出パターン８８を設けておくことを要しない。

なお、ＭｏＮ膜は、上述したＴｉ膜と同様に、Ａｌ膜がＩＴＯ膜１０４より成る透過電極３２に直接接触するのを防止し、ひいては電食を防止するためのものである。上記と同様の理由により、ＭｏＮ膜の膜厚は、ＩＴＯ膜１０４の膜厚より厚く形成することが望ましい。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜１０８を形成する。この際、フォトレジスト膜１０８を２．０〜２．３μｍ程度と厚めに形成することが望ましい。より具体的には、樹脂層４０の上方におけるフォトレジスト膜の膜厚が０．３μｍ以上となるように、フォトレジスト膜１０８を厚めに形成する。

本実施形態でフォトレジスト膜１０８を厚めに形成するのは、以下のような理由によるものである。即ち、一般に、パターニングに用いられるフォトレジスト膜の膜厚は、１．５〜１．７μｍ程度が通常である。しかし、樹脂層４０の厚さが２μｍ程度と厚いため、このような厚い樹脂層４０が形成されたガラス基板１０上に通常の厚さのフォトレジスト膜を形成した場合には、樹脂層４０の上方におけるフォトレジスト膜１０８の膜厚が薄くなってしまい、フォトレジスト膜１０８に対して露光を行った後の現像の際に、樹脂層４０の上方のフォトレジスト膜１０８が部分的に消失してしまう虞がある。樹脂層４０の上方のフォトレジスト膜１０８が消失すると、樹脂層４０上の導電膜４８を所望の形状にパターニングできなくなってしまう。

これに対し、本実施形態では、フォトレジスト膜１０８を厚めに形成するため、フォトレジスト膜１０８の現像を行った際においても、樹脂層４０の上方のフォトレジスト膜１０８を確実に残存させることができる。従って、本実施形態によれば、樹脂層４０上の導電膜４８を所望の形状にパターニングして反射電極４８を形成することができる。現像の際におけるフォトレジスト膜１０８の膜厚の減少は０．２〜０．３μｍ程度であるため、樹脂層４０の上方におけるフォトレジスト膜１０８の膜厚が０．３μｍ以上となるように、フォトレジスト膜１０８を厚めに形成すればよい。

次に、図４７（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１０８を所定の形状にパターニングする。

次に、フォトレジスト膜１０８をマスクとして、導電膜４８をドライエッチングする。エッチングガスとしては、例えば塩素系のエッチングガスを用いればよい。

なお、導電膜４８としてＭｏＮ膜とＡｌ膜とを順次積層して成る積層膜を用いる場合には、導電膜４８はウエットエッチングによりパターニングすればよい。エッチング液としては、例えば、燐酸、硝酸、酢酸を混合して成る混酸等を用いる。こうして、導電膜４８より成る反射電極が形成される。なお、導電膜４８をウエットエッチングによりパターニングする場合には、上述したように、樹脂層４０に突出パターン８８を形成することを要しない。

次に、図４７（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜１０８を剥離する。

こうして、ＴＦＴ基板２ｆが製造される。この後、ＴＦＴ基板２ｆに対向するようにＣＦ基板４を設け、ＴＦＴ基板２ｆとＣＦ基板４との間に液晶層６を封入する。

こうして、本実施形態による液晶表示装置が製造される。

なお、ここでは、帯状の樹脂層４０をゲートバスライン１２に沿って延在するように直線状に形成する場合を例に説明したが、帯状の樹脂層４０を直線状に形成しなくてもよい。

図４８は、本実施形態による液晶表示装置の変形例を示す平面図である。

図４８（ａ）は、帯状の樹脂層を方形波状に形成した場合を示す平面図である。帯状の樹脂層４０を方形波状に形成した場合にも、凹凸４２ａの方向は、帯状の樹脂層４０の長手方向に対してほぼ垂直な方向となる。

図４８（ｂ）は、帯状の樹脂層を蛇行状に形成した場合を示す平面図である。帯状の樹脂層を蛇行状に形成した場合にも、凹凸４２ａの方向は、帯状の樹脂層４０の長手方向に対してほぼ垂直な方向となる。

図４８（ｃ）は、帯状の樹脂層を鋸歯状に形成した場合を示す平面図である。帯状の樹脂層４０を鋸歯状に形成した場合にも、凹凸４２ａの方向は、帯状の樹脂層４０の長手方向に対してほぼ垂直な方向となる。

いずれの場合も、帯状の樹脂層４０上に反射電極４８を適宜配置するようにすればよい。

［第１０実施形態］
本発明の第１０実施形態による液晶表示装置及びその製造方法を図４９乃至図５２を用いて説明する。図４９は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。図５０は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図１乃至図４８に示す第１乃至第９実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

（液晶表示装置）
まず、本実施形態による液晶表示装置について説明する。

本実施形態による液晶表示装置は、樹脂層４０ａの下に遮光膜が形成されていること、及び、絶縁層が島状に形成されていることに主な特徴がある。

図５０に示すように、透過電極３２が形成された保護膜２９上には、例えばＭｏＮ又はＴｉより成る遮光膜１１０が形成されている。

本実施形態で、樹脂層４０ａの下に遮光膜１１０を形成しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、樹脂層となるレジスト膜４０ａをパターニングする際には露光・現像を行う必要がある。露光の際には、基板を支持するための露光ステージに光が達し、光の反射や回折が生じる。そうすると、レジスト膜のうちの本来露光すべきでない箇所までもが感光してしまうこととなる。露光ステージには、各種センサ、基板吸着のための溝、基板保持のためのピンチャック等が形成されており、これらにより様々な凹凸が存在している。このため、レジスト膜４０ａのうちの本来露光すべきでない箇所が、不均一に感光してしまうこととなる。そうすると、レジスト膜４０ａが不均一に硬化してしまい、樹脂層４０ａの表面に凹凸４２が不均一に形成されてしまうこととなる。これに対し、本実施形態では、樹脂層４０ａの下に遮光膜１１０が形成されているため、樹脂層となるレジスト膜４０ａが、露光ステージの凹凸の影響により不均一に感光してしまうのを防止することができる。

遮光膜１１０上には、表面に凹凸が形成された樹脂層４０ａが形成されている。樹脂層４０ａの下に遮光膜１１０が形成されているため、露光の際に樹脂層４０ａが不均一に感光してしまうことが防止されている。従って、樹脂層４０ａの表面には、凹凸４２がムラなく形成されている。樹脂層の平面形状が四角形であるため、凹凸４２のパターンも四角形となっている。凹凸４２は、同心状に形成されている。

樹脂層４０ａ上には、反射電極４８が形成されている。反射電極４８は、遮光膜１１０を介して透過電極３２に電気的に接続されている。

こうして本実施形態による液晶表示装置が構成されている。

このように本実施形態による液晶表示装置は、上述したように、樹脂層４０ａの下に遮光膜１１０が形成されていることに主な特徴の一つがある。

本実施形態によれば、樹脂層４０ａの下に遮光膜１１０が形成されているため、露光ステージによる光の反射を防止することができ、露光の際に樹脂層４０ａが不均一に感光してしまうことが防止されている。従って、本実施形態によれば、樹脂層４０ａの表面に凹凸４２をムラなく形成することができ、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。

また、本実施形態による液晶表示装置は、樹脂層４０ａが島状に形成されており、島状の樹脂層４０ａの表面に同心状に凹凸４２が形成されていることにも主な特徴の一つがある。表面に凹凸４２が同心状に形成された絶縁層４０ａ上に反射電極４８を形成しているため、反射電極４８の表面にも同心状の凹凸４２が形成されている。このため、反射電極４８の表面には、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸と、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸とが形成される。筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ垂直な凹凸４２における傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスライン１２の長手方向とほぼ一致する。また、筋目の方向がゲートバスライン１２の長手方向に対してほぼ平行な凹凸における傾斜面の傾斜方位は、ゲートバスライン１２の長手方向に対して垂直な方向とほぼ一致する。このため、本実施形態によれば、液晶表示装置の画面の左右から入射される光と、液晶表示装置の画面の上下から入射される光とを、液晶表示装置の画面の正面に強い光強度で出射することが可能となる。

（液晶表示装置の製造方法）
次に、本実施形態による液晶表示装置の製造方法を図５１及び図５２を用いて説明する。図５１及び図５２は、本実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、ＩＴＯ膜より成る透過電極３２を形成する工程までは、図４４（ａ）乃至図４６（ｃ）に示す液晶表示装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する（図５１（ａ）参照）。

次に、図５１（ｂ）に示すように、全面に、例えばＰＶＤ法により、ＭｏＮ又はＴｉより成る遮光膜１１０を形成する。遮光膜の厚さは、例えば１００ｎｍ程度とする。

次に、図４６（ｄ）を用いて上述した液晶表示装置の製造方法と同様にして、ポジ型のレジスト膜４０ａを形成する。

次に、ポジ型のレジスト膜４０ａを所定の形状にパターニングする。これにより、ポジ型レジスト膜４０ａより成る島状の樹脂層が形成される。樹脂層４０ａの平面形状は、例えば四角形とする。

次に、図４６（ｄ）を用いて上述した液晶表示装置の製造方法と同様にして、樹脂層に対して、熱処理（ポストベーク）を行う。

次に、例えばイオン注入法により、樹脂層４０ａの表層部に例えば燐イオンを注入する。

なお、ここでは、樹脂層４０ａの表層部にイオン注入を行うことにより、樹脂層４０ａの表層部を硬化させる場合を例に説明したが、樹脂層４０ａの表層部を硬化させる方法は、イオン注入に限定されるものではない。例えば、プラズマ照射、紫外線照射、レーザ照射等により、樹脂層４０ａの表層部を硬化させてもよい。

次に、図５１（ｃ）に示すように、樹脂層４０ａに対して、比較的高温の熱処理（ハードキュア）を行う。高温の熱処理は、図４７（ａ）を用いて上述した液晶表示装置の製造方法と同様とすればよい。これにより、樹脂層４０ａの表面に、凹凸４２がムラなく形成される。樹脂層４０ａが島状に形成されているため、樹脂層４０ａの表面には凹凸４２が同心状に形成される。

次に、図５２（ａ）に示すように、全面に、例えばＰＶＤ法により、Ａｌ膜より成る導電膜４８を形成する。Ａｌ膜の膜厚は例えば１００ｎｍとする。導電膜４８は、反射電極となるものである。Ｔｉ又はＭｏＮより成る遮光膜が予め形成されており、反射電極４８とＩＴＯ膜より成る透過電極３２とが遮光膜１１０を介して電気的に接続されるため、反射電極４８となる導電膜の材料として単層のＡｌ膜を用いた場合であっても、電食が生じることはない。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜１０８を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１０８を所定の形状にパターニングする。

次に、図５２（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１０８をマスクとして、導電膜４８及び１１０をドライエッチングする。

次に、図５２（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１０８を剥離する。

こうして、ＴＦＴ基板２ｇが製造される。この後、ＴＦＴ基板２ｇに対向するようにＣＦ基板４を設け、ＴＦＴ基板２ｇとＣＦ基板４との間に液晶層６を封入する。

こうして、本実施形態による液晶表示装置が製造される。

なお、ここでは、島状の樹脂層４０ａの平面形状を四角形状とする場合を例に説明したが、島状の樹脂層４０ａの平面形状は四角形状に限定されるものではない。例えば、樹脂層４０ａの平面形状を、六角形状、八角形状、円形状、又は楕円形状等に適宜設定としてもよい。

図５３は、本実施形態による液晶表示装置の変形例を示す平面図である。

図５３（ａ）は、樹脂層の平面形状を六角形状とした場合を示している。樹脂層４０ａの平面形状を六角形にした場合にも、同心状に凹凸４２が形成される。この場合、凹凸４２のパターンは、六角形状となる。

図５３（ｂ）は、樹脂層の平面形状を八角形状とした場合を示している。樹脂層４０ａの平面形状を八角形にした場合にも、同心状に凹凸４２が形成される。この場合、凹凸４２のパターンは、八角形状となる。

図５３（ｃ）は、樹脂層の平面形状を円形状とした場合を示している。樹脂層４０ａの平面形状を円形状にした場合にも、同心状に凹凸４２が形成される。この場合、凹凸４２のパターンは、円形状となる。

［第１１実施形態］
本発明の第１１実施形態による液晶表示装置及びその製造方法を図５４及び図５５を用いて説明する。図５４は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図１乃至図５３に示す第１乃至第１０実施形態による液晶表示装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２ｈにチャネルエッチング型の薄膜トランジスタが形成されていることに主な特徴がある。

ガラス基板１０上には、ゲートバスライン１２、Ｃｓバスライン１４等が形成されている。

ゲートバスライン１２、Ｃｓバスライン１４等が形成されたガラス基板１０上には、ゲート絶縁膜２０が形成されている。

ゲートバスライン１２の上方には、ゲート絶縁膜２０を介して、アモルファスシリコンより成るチャネル層２２が形成されている。

チャネル層２２上には、ｎ^＋型のアモルファスシリコンより成るコンタクト層８６が形成されている。

コンタクト層８６上及びゲート絶縁膜２０上には、ソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂが形成されている。ゲート電極１２、ソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂ及びチャネル層２２等により、薄膜トランジスタ１８ｂが構成されている。コンタクト層８６をパターニングする際に、チャネル層２２の一部がエッチングされているため、このような薄膜トランジスタ１８ｂはチャネルエッチング型と称される。

Ｃｓバスライン１４の上方には、ゲート絶縁膜２０を介してＣｓ対向電極２６が形成されている。

ソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂ、Ｃｓ対向電極２６等が形成されたガラス基板１０上には、保護膜２９が形成されている。

保護膜２９には、ドレイン電極２４ｂに達するコンタクトホール３０ａと、Ｃｓ対向電極２６に達するコンタクトホール３０ｂとが形成されている。

保護膜２９上には、透過電極３２が形成されている。ドレイン電極２４ｂとＣｓ対向電極２６とは、コンタクトホール３０ａ、３０ｂを介して透過電極３２の接続パターン３８ｂにより接続されている。

透過電極３２上、保護膜２９上には、表面に凹凸４２が形成された樹脂層４０ａが形成されている。樹脂層４０ａは、帯状に形成されていてもよいし、島状に形成されていてもよい。

樹脂層４０ａ上には、反射電極４８が形成されている。反射電極４８は、樹脂層４０ａの縁部近傍領域において透過電極３２に接続されている。

こうして本実施形態による液晶表示装置が構成されている。

（液晶表示装置の製造方法）
次に、本実施形態による液晶表示装置の製造方法を図５５を用いて説明する。図５５は、本実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、ガラス基板１０上の全面に、積層膜を形成する。この後、積層膜を所定の形状にパターニングする。こうして、積層膜より成るゲートバスライン１２、Ｃｓバスライン１４等が形成される（図５５（ａ）参照）。

次に、図５５（ｂ）に示すように、全面に、ゲート絶縁膜２０を形成する。

次に、全面に、アモルファスシリコン膜２２を形成する。アモルファスシリコン膜２２は、チャネル層となるものである。アモルファスシリコン膜２２の膜厚は、例えば１２０ｎｍ程度とする。アモルファスシリコン膜２２の膜厚をこのように厚めに形成するのは、コンタクト層となるｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４をパターニングする際に、チャネル層となるアモルファスシリコン膜２２が過度にエッチングされ、チャネル層が切断されてしまうのを防止するためである。

次に、全面に、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４を形成する。ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４は、コンタクト層となるものである。ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４の膜厚は、例えば３０ｎｍ程度とする。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜１１２を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜１１２を所定の形状にパターニングする。

次に、例えばＲＩＥ法により、フォトレジスト膜１１２をマスクとして、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４及びアモルファスシリコン膜２２をパターニングする。この後、フォトレジスト膜１１２を剥離する。

次に、全面に、例えばＰＶＤ法により、膜厚２０ｎｍのＭｏ膜、膜厚７５ｎｍのＡｌ膜、膜厚９０ｎｍのＭｏＮ膜、膜厚１０ｎｍのＭｏ膜を順次積層して成る導電膜を形成する。導電膜は、ソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂ、データバスライン２８、Ｃｓ対向電極２６となるものである。

なお、ここでは、ソース電極２４ａ等となる導電膜として、Ｍｏ膜、Ａｌ膜、ＭｏＮ膜及びＭｏ膜より成る積層膜を形成したが、導電膜の材料はこれに限定されるものではない。例えば、ソース電極２４ａ等となる導電膜として、Ａｌ合金膜を形成してもよいし、他の低抵抗金属より成る積層膜を形成してもよい。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜１１４を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜１１４を所定の形状にパターニングする。

次に、フォトレジスト膜１１４をマスクとして、積層膜を例えば混酸を用いてウエットエッチングする。この後、例えばＲＩＥ法により、チャネル領域のｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４をドライエッチングする。エッチングガスとしては、例えば、ＳＦ_６ガスと、Ｈｅガスと、ＨＣｌガスとの混合ガスを用いる。こうして、導電膜より成るソース電極２４ａ、ドレイン電極２４ｂ、Ｃｓ対向電極２６等が形成される。

次に、例えばＲＩＥ法により、フォトレジスト膜１１４をマスクとして、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４をパターニングする。この際、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４下のアモルファスシリコン膜２２もエッチングされるが、チャネル層となるアモルファスシリコン膜２２が過度にエッチングされるとチャネル層２２が切断されてしまう。ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４をエッチングする際には、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４直下のアモルファスシリコン膜２２が少なくとも数１０ｎｍ以上は残存するように、ｎ^＋型のアモルファスシリコン膜８４をエッチングすることが望ましい。こうして、チャネルエッチング型の薄膜トランジスタ１８ｂが形成される。この後、フォトレジスト膜１１４を剥離する。

この後の液晶表示装置の製造方法は、第９又は第１０実施形態による液晶表示装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する。

こうして、本実施形態による液晶表示装置が製造される。

本実施形態のように、チャネルエッチング型の薄膜トランジスタ１８ｂをＴＦＴ基板２ｈに形成するようにしてもよい。

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを適宜組み合わせてもよい。

また、第９及び第１０実施形態による液晶表示装置の製造方法を、第１乃至第８実施形態による液晶表示装置を製造する際に、適宜用いてもよい。

また、第９実施形態では、樹脂層を帯状に形成したが、樹脂層を島状に形成してもよい。

また、第１０実施形態では、樹脂層を島状に形成したが、樹脂層を帯状に形成してもよい。例えば、樹脂層を、直線状、方形波状、蛇行状、又は鋸波状等に形成してもよい。

（付記１）
ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタに電気的に接続された透過電極と、前記透過電極に電気的に接続された反射電極とを有する画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記反射電極は、前記ゲートバスラインと異なる他のゲートバスラインの上方に、絶縁層を介して形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記透過電極は、接続パターンにより互いに接続された複数の電極ユニットより成る
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３）
付記２記載の液晶表示装置において、
前記電極ユニットは、ベタ部と、前記ベタ部から前記電極ユニットの外周方向に延伸する複数の延伸部とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、前記他のゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された他の薄膜トランジスタを更に有し、
前記他の薄膜トランジスタは、前記反射電極の下方に位置している
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、前記他のゲートバスラインに隣接するように形成された蓄積容量バスラインを更に有し、
前記蓄積容量バスラインの少なくとも一部が、前記反射電極の下方に位置している
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記６）
付記１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、前記他のゲートバスラインに隣接するように形成された蓄積容量バスラインを更に有し、
前記絶縁層の縁部が、前記蓄積容量バスライン上に位置している
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記絶縁層の表面に、前記ゲートバスラインの長手方向に対して垂直な筋状の凹凸が形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記８）
付記１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記絶縁層の表面に、前記ゲートバスラインの長手方向に対して垂直な第１の筋状の凹凸と、前記ゲートバスラインの長手方向に対して平行な第２の筋状の凹凸とが形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記９）
ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタに電気的に接続された透過電極と、前記透過電極上に形成され、前記透過電極に電気的に接続された反射電極とを有する画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記透過電極は、接続パターンにより互いに接続された複数の電極ユニットより成り、
前記反射電極は、表面に凹凸が形成された絶縁層を介して、前記電極ユニットの上方に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１０）
付記９記載の液晶表示装置において、
前記電極ユニットは、ベタ部と、前記ベタ部から前記電極ユニットの外周方向に延伸する複数の延伸部とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１１）
付記１０記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、前記データバスラインに交差し、前記複数の電極ユニットのいずれかに対向するように形成された蓄積容量バスラインを更に有し、
前記反射電極は、前記ベタ部から突出し、前記蓄積容量バスラインの上方に前記絶縁層を介して形成された突出部を更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１２）
付記９乃至１１のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記絶縁層の表面に、前記ゲートバスラインの長手方向に対して垂直な第１の筋状の凹凸と、前記ゲートバスラインの長手方向に対して平行な第２の筋状の凹凸とが形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１３）
付記１乃至１２のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記反射電極は、前記絶縁層の縁部で前記透過電極に接続されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１４）
付記２又は９記載の液晶表示装置において、
前記接続パターンは、前記電極ユニットの中心線近傍に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１５）
付記１乃至１１のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記反射電極は、前記反射電極の中心線近傍で前記透過電極に接続されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１６）
付記１乃至１５のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板は、前記絶縁層上の前記反射電極に接し、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する配向規制用構造物を更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１７）
付記１乃至１６のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板は、カラーフィルタ層と；前記カラーフィルタ層の下に形成され、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する配向規制用構造物とを更に有し、
前記反射電極の上方領域のうちの、前記配向規制用構造物が形成されている領域を除く領域には、前記カラーフィルタ層に開口部が形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１８）
付記１乃至１７のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、前記データバスラインの近傍に形成され、前記絶縁層と同一絶縁層より成り、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する配向規制用構造物を更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１９）
付記１８記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物の平面形状は、三角形又は四角形である
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２０）
付記１乃至１９のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記絶縁層の縁部に、前記反射電極が形成されていない領域が存在している
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２１）
透明基板上に形成された絶縁層と；前記絶縁層上に形成された反射電極と；前記反射電極上及び前記透明基板上に形成されたカラーフィルタ層と；前記反射電極に隣接する領域の前記カラーフィルタ層上に形成され、前記反射電極に電気的に接続された透過電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記反射電極上に存在する前記カラーフィルタ層の厚さが、前記透過電極下に存在する前記カラーフィルタ層の厚さより薄い
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２２）
付記２１記載の液晶表示装置において、
前記絶縁層の表面に筋状の凹凸が形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２３）
付記２２記載の液晶表示装置において、
前記反射電極の一部が前記カラーフィルタ層上に露出しており、
前記透過電極が、前記反射電極のうちの前記カラーフィルタ層上に露出している部分に接続されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２４）
ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタに電気的に接続された透過電極と、前記透過電極に電気的に接続され、表面に凹凸が形成された反射電極とを有する画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記反射電極は、方位角又は極角方向の反射強度に指向性が付与され、上方にカラーフィルタ層が形成された第１の領域と、上方に前記カラーフィルタ層が形成されていない第２の領域とから成り、
前記第１の領域の前記反射電極により反射される光の反射強度の指向性と、前記第２の領域の前記反射電極により反射される光の反射強度の指向性とが等しくなるように、前記第２の領域が配されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２５）
付記２４記載の液晶表示装置において、
前記反射電極の表面には、前記凹凸が同心状に形成されており、
前記第２の領域は、前記反射電極の中心部に配されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２６）
付記２４又は２５記載の液晶表示装置において、
前記反射電極は、表面に凹凸が形成された絶縁層上に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２７）
付記２４乃至２６のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第２の領域の平面形状は、多角形状、円形状又は楕円形状である
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２８）
ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタに電気的に接続された透過電極と、前記透過電極に電気的に接続され、表面に凹凸が形成された反射電極とを有する画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記反射電極は、方位角又は極角方向の反射強度に指向性が付与され、上方にカラーフィルタ層が形成された第１の領域と、上方に前記カラーフィルタ層が形成されていない第２の領域とから成り、
前記第１の領域の前記反射電極により反射される光の反射強度の指向性と、前記第２の領域の前記反射電極により反射される光の反射強度の指向性とが異なり、
前記第１の領域の前記反射電極により反射される光の反射強度が、前記第２の領域の前記反射電極により反射される光の反射強度より大きくなるように、前記第２の領域が配されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２９）
付記２８記載の液晶表示装置において、
前記反射電極の表面には、筋状の凹凸が、前記ゲートバスラインの長手方向に対して垂直な方向に揃うように形成されており、
前記第１の領域は、前記筋状の凹凸の端部を除く領域であり、
前記第２の領域は、前記筋状の凹凸の端部を含む領域である
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３０）
付記２９記載の液晶表示装置において、
前記反射電極は、絶縁層上に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３１）
付記２８乃至３０記載の液晶表示装置において、
前記第２の領域の平面形状は、多角形状、円形状又は楕円形状である
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３２）
付記２４乃至３１のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記カラーフィルタ層の色によって前記第２の領域の面積が異なっている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３３）
ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍にそれぞれ形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタにそれぞれ電気的に接続された反射電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記反射電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記反射電極は、帯状の樹脂層上に配列されており、
前記帯状の樹脂層の表面に、筋目の方向が前記帯状の樹脂層の長手方向に対して垂直な皺が形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３４）
付記３３記載の液晶表示装置において、
前記帯状の樹脂層は、前記反射電極間の領域から横方向へ突出するパターンを更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３５）
ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタに電気的に接続された反射電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記反射電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記反射電極は、筋目が同心状の皺が表面に形成された、樹脂層上に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３６）
付記３５記載の液晶表示装置において、
前記樹脂層は、多角形状、円形状、又は楕円形状に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３７）
付記３３乃至３６のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記樹脂層の厚さは、１〜４μｍである
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３８）
ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍にそれぞれ形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタにそれぞれ電気的に接続された反射電極とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向して設けられ、前記反射電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板を形成する工程は、透明基板上に帯状の樹脂層を形成する工程と；前記帯状の樹脂層の表層部分を選択的に硬化させる工程と；前記帯状の樹脂層に対して熱処理を行うことにより、前記帯状の樹脂層の表面に、筋目の方向が前記帯状の樹脂層の長手方向に対して垂直な皺を形成する工程と；前記帯状の樹脂層上に、複数の前記反射電極を配列するように形成する工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記３９）
付記３８記載の液晶表示装置において、
前記帯状の樹脂層を形成する工程では、前記反射電極間の領域から横方向へ突出するパターンを有する前記樹脂層を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４０）
ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタに電気的に接続された反射電極とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向して設けられ、前記反射電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板を形成する工程は、透明基板上に島状の樹脂層を形成する工程と；前記島状の樹脂層の表層部分を選択的に硬化させる工程と；前記島状の樹脂層に対して熱処理を行うことにより、前記島状の樹脂層の表面に、筋目が同心状の皺を形成する工程と；前記島状の樹脂層上に前記反射電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４１）
付記３８乃至４０のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する工程の前に、前記透明基板上に遮光膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４２）
付記４１記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記反射電極を形成する工程は、前記遮光膜上及び前記樹脂層上に、反射膜を形成する工程と；前記反射膜と前記遮光膜とを一括してパターニングし、前記反射膜より成る前記反射電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４３）
付記３８乃至４２のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記樹脂層に対して熱処理を行う工程では、前記樹脂層に対して１９０〜２４０℃で熱処理を行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４４）
付記３８乃至４３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記樹脂層の表層部分を硬化させる工程の前に、前記樹脂層に対して１１０℃〜１７０℃の熱処理を行う工程を更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４５）
付記３８乃至４４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記樹脂層の表層部分を硬化させる工程では、イオン注入、プラズマ照射、紫外線照射及びレーザ照射のいずれかを行うことにより、前記樹脂層の表層部分のみを硬化させる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４６）
付記３８乃至４５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する工程では、前記樹脂層を１〜４μｍの厚さで形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４７）
付記３８乃至４６記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記反射電極を形成する工程は、前記透明基板上及び前記樹脂層上に反射膜を形成する工程と；前記樹脂層の上方におけるフォトレジスト膜の膜厚が０．３μｍ以上となるように、前記フォトレジスト膜を形成する工程と；前記フォトレジスト膜をパターニングする工程と；前記フォトレジスト膜をマスクとして前記反射膜をエッチングすることにより、前記反射膜より成る前記反射電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記４８）
付記３８乃至４６のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記反射電極を形成する工程の前に、ＩＴＯ膜より成る透過電極を形成する工程を更に有し、
前記反射電極を形成する工程は、前記ＩＴＯ膜より膜厚の厚いＭｏＮ膜又はＴｉ膜より成る導電膜と、前記導電膜上に形成されたＡｌ膜とから成る反射膜を形成する工程と、前記反射膜をパターニングすることにより、前記透過電極に接続された前記反射膜より成る反射電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す断面図（その１）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その２）及び断面図（その２）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その３）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す断面図（その３）である。 反射表示の際における各画素の表示状態を示す平面図である。 透過表示の際における各画素の表示状態を示す平面図である。 光の反射率の視角特性の測定方法を示す図である。 光の反射率の視角特性を示すグラフである。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その２）である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。 反射表示の際における各画素の表示状態を示す平面図である。 透過表示の際における各画素の表示状態を示す平面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置の視角特性を示す図である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その２）である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その３）である。 本発明の第３実施形態の変形例による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。 本発明の第３実施形態の変形例による液晶表示装置を示す平面図（その２）である。 本発明の第４実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。 本発明の第４実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第５実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。 本発明の第５実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第５実施形態の変形例による液晶表示装置を示す断面図である。 本発明の第５実施形態の変形例による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第６実施形態による液晶表示装置を示す平面図（その１）である。 本発明の第６実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。 本発明の第６実施形態による液晶表示装置の評価結果を示すグラフである。 比較例による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第６実施形態による液晶表示装置の反射部及び比較例による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。 本発明の第６実施形態の変形例（その１）による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。 本発明の第６実施形態の変形例（その１）による液晶表示装置の評価結果を示すグラフである。 本発明の第６実施形態の変形例（その２）による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。 本発明の第７実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第７実施形態による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。 本発明の第７実施形態による液晶表示装置の評価結果を示すグラフである。 本発明の第７実施形態の変形例による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。 本発明の第８実施形態による液晶表示装置の反射部を示す平面図である。 本発明の第８実施形態による液晶表示装置の色度座標を示すグラフである。 本発明の第９実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第９実施形態による液晶表示装置を示すＡ−Ａ′線断面図である。 本発明の第９実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第９実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第９実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。 本発明の第９実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。 本発明の第９実施形態による液晶表示装置の変形例を示す平面図である。 本発明の第１０実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第１０実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。 本発明の第１０実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第１０実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第１０実施形態による液晶表示装置の変形例を示す平面図である。 本発明の第１１実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。 本発明の第１１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

符号の説明

２…ＴＦＴ基板
４…ＣＦ基板、対向基板
６…液晶層
８…液晶パネル
１０…ガラス基板
１２…ゲートバスライン
１４…Ｃｓバスライン
１６…Ｃｓダミーバスライン
１８…薄膜トランジスタ
２０…ゲート絶縁膜
２２…チャネル層、アモルファスシリコン膜
２４ａ…ソース電極
２４ｂ…ドレイン電極
２６…Ｃｓ対向電極
２８…データバスライン
２９…絶縁膜、保護膜
３０ａ、３０ｂ…コンタクトホール
３２…透過電極
３４…電極ユニット
３５…サブピクセル
３６ａ…ベタ部
３６ｂ…延伸部
３８…接続パターン
４０、４０ａ…絶縁層、樹脂層
４１…突出部
４２…凹凸
４４…配向規制用構造物
４６…液晶分子
４８…反射電極
４９…突出部
５０…接続パターン
５２…画素電極
５４…透過部
５６…反射部
５８…ガラス基板
６０…ブラックマトリクス層
６２…カラーフィルタ層
６４…開口部
６６…平坦化層
６８…対向電極
７０…配向規制用構造物
７２…光拡散層
７４…透明樹脂層
７６…開口部
７８…コンタクトホール
８０…スペーサ
８２ａ…無着色領域
８２ｂ…着色領域
８４…チャネル保護膜
８６…コンタクト層、ｎ^＋型アモルファスシリコン膜
８８…突出パターン
９０…積層膜
９２…フォトレジスト膜
９４…フォトレジスト膜
９６…導電膜
９８…フォトレジスト膜
１００…フォトレジスト膜
１０２…開口部
１０４…ＩＴＯ膜
１０６…フォトレジスト膜
１０８…フォトレジスト膜
１１０…遮光膜
１１２…フォトレジスト膜
１１４…フォトレジスト膜

Claims (8)

1. ゲートバスラインと；前記ゲートバスラインに交差するように形成されたデータバスラインと；前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタに電気的に接続された透過電極と、前記透過電極に電気的に接続された反射電極とを有する画素電極とを有する第１の基板と、
   前記第１の基板に対向して設けられ、前記画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
   前記反射電極は、前記反射電極に電気的に接続された前記薄膜トランジスタを駆動する前記ゲートバスラインと異なる他のゲートバスラインに絶縁層を介して対向しており、前記反射電極に電気的に接続された前記薄膜トランジスタを駆動する前記ゲートバスラインとは対向していない
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１記載の液晶表示装置において、
   前記透過電極は、接続パターンにより互いに接続された複数の電極ユニットより成る
   ことを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項２記載の液晶表示装置において、
   前記電極ユニットは、ベタ部と、前記ベタ部から前記電極ユニットの外周方向に延伸する複数の延伸部とを有する
   ことを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
   前記第１の基板は、前記他のゲートバスラインと前記データバスラインとの交差部の近傍に形成された他の薄膜トランジスタを更に有し、
   前記他の薄膜トランジスタは、前記反射電極の下方に位置している
   ことを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
   前記第１の基板は、前記他のゲートバスラインに隣接するように形成された蓄積容量バスラインを更に有し、
   前記蓄積容量バスラインの少なくとも一部が、前記反射電極の下方に位置している
   ことを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
   前記第１の基板は、前記他のゲートバスラインに隣接するように形成された蓄積容量バスラインを更に有し、
   前記絶縁層の縁部が、前記蓄積容量バスライン上に位置している
   ことを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
   前記絶縁層の表面に、前記ゲートバスラインの長手方向に対して垂直な筋状の凹凸が形成されている
   ことを特徴とする液晶表示装置。
8. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
   前記絶縁層の表面に、前記ゲートバスラインの長手方向に対して垂直な第１の筋状の凹凸と、前記ゲートバスラインの長手方向に対して平行な第２の筋状の凹凸とが形成されている
   ことを特徴とする液晶表示装置。