TWI303041B - - Google Patents

Description

1303041 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種IC卡及其製造方法，其實施有用以碟 保所需之功能或品質等所必須實施之無必要輻射對策。 【先前技術】 於家電製品、電腦/攜帶製品之領域中，輕薄短小化之趨 勢中人們正不斷追求更高功能化。於卡業界中亦同樣有高 功能化之趨勢。目前之信用+、現金卡中，以壓印與磁性 條紋之記錄作為記載之資料已成為主流H近年來，藉 g卡實現之信用、電子貨料多功能結算等之高功能^ 正受到關注。 為對應此類動向，人們正不斷追求IC晶片之高容量化、 兩密度化。於此之中’當然人們正投人精力進行處理重要 資訊方面之加密技術、高速信號處理技術等的開發。進而， 不僅可對卡讀寫大量資訊，關於活用其之運用亦提出有多 種多樣之方案’從而產生有各種利用形態。隨著此類利用 形態之多樣化，現在對於IC卡要求之品質，除目前之高安 全化、高速處理功能等之外，滿足各種環境、領域之品質 之必要性亦日益提高。（例如，曰本專利特開平6·336095號 公報、日本專利特開平9_27839號公報以及日本專利特開 2001-53487號公報） 汗 隨著此類利用形態之多樣化 月匕4之外，對ic卡所要求之品 因預料利用者數量之迅速增加 ，除高安全化、高速處理功 質亦逐漸增大。於此之中， ，而必須儘早對應的係相應 94634.doc 1303041 ;卡/、以移動電話為代表之彳亍動通信終端機之利用形態 之品質。 〜 例如’可於行動通信終端機内藏ic卡用讀寫器，並藉由 行動通信終端機之顯示功能可確認IC卡之記錄内容（例如 卡餘額）等，應用如此之利用形態之服務正欲急速發展。為 此例如，如於卡資訊之讀出動作中產生之來信或於通話 中1C卡與讀寫器間進行通信之情形等時，當移動電話之通 L ’、1C卡與碩寫器間之通信同時進行時，兩束通信波取入 至1C卡内，會有於10：卡内合成為互調失真之情形。該互調 失真作為移動電話之收信波之雜訊之動作，可能會產生來 #品質不良或通話品質不良等問題。 田將此互調失真以移動電話之發信頻率（例如9⑻至94〇 )為中^取入時，則會成為如圖3 A般之波形。於該圖之 左右有產生更小波形之情形，特別是該圖之左側之波形， 很可犯會作為雜訊影響移動電話之收信頻率至 MHz)。若如此，則無法確保移動電話之原有之通信功能， 容易對移動電話之通話功能或IC卡之讀寫功能產生一定限 本發明係鑒於上述問題開發而成者，其目的在於提供一 種卡及其裝k方去，其可抑制於移動電話之通信以及W 卡與讀寫器間之通信中產生之電波向IC卡之IC晶片入波， 或於ic aa片内互調失真之電波之出波，從而可排除對移動 電話等周圍機器之動作上之不良影響。 【發明内容】 9 94634.doc 1303041 為解決上述課題，本發明提供有一種1(：卡，其特徵在於， 其係形成有天線用配線之電路基板與搭載於其之ic晶片藉 由硬數片卡構成薄片夾入而成者，且於電路基板設置有雜 訊吸收體，纟可吸收除去入波以及出波於上述ic晶片之雜 訊。 、 又，本發明之ic卡之製造方法，其係包含將1(：晶片搭載 於幵y成有天線用配線之電路基板之步驟，於上述電路基板 上設置雜訊吸收體之步驟，該雜訊吸收體吸收除去入波以 及出波於上述1C晶片之雜訊，以及藉由複數片卡構成薄片 夾入搭载有1C晶片之電路基板之步驟。 藉由於電路基板上設置吸收除去入波以及出波於IC晶片 之雜訊的雜訊吸收體，可減少入波之雜訊，進而可減少因 1C晶片内合成之互調失真之出波產生之雜訊。藉此，可排 除對周邊通信機器等之動作上之不良影響。 較好的是，上述雜訊吸收體設置於連接天線甩配線與1(: 晶片之間之電路基板上之配線區域。藉此，可減少介以天 線用配線入波於1C晶片之雜訊，並可減少向天線用配線傳 送而出波之雜訊。 至於雜訊吸收體，可使用以構成上述配線之一部分之方 式安裝於電路基板之晶片型之鐵氧體磁珠，或以覆蓋配線 領域之一部分之方式形成於電路基板之磁性層，進而可使 用於電路基板上之封裝1C晶片之封裝樹脂中混練有磁性體 者0 【實施方式】 94634.doc 1303041 以下，參照圖式就本發明之各實施形態加以說明。 (第1實施形態） 圖1以及圖2係表示本發明之第1實施形態。此處，圖1係 本實施形態之1C卡C1之側剖面圖，圖2係内藏於1C卡C1之 電路基板10之平面圖。 1C卡C1之構成為，將形成有天線圖案之丨八之電路基板10 與搭載於其之1C晶片2,内藏於熱壓著複數片卡薄片而成之 卡基材3中。 如圖2所示，電路基板10之構成為，例如，於 PEN(polyethylene phthalate ，聚乙烯萘紛）或 PET(Polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙烯酯）、 PI(polyimid，聚醯亞胺）等絕緣性樹脂薄膜之表面以及背面 分別形成有導體圖案1、5。該等導體圖案1、5之構成為， 例如，藉由將形成於上述樹脂薄膜上之銅或者鋁等金屬箔 圖案化為特定形狀。 形成於電路基板10之表面之導體圖案1，其係含有天線圖 案1A ’其作為天線用配線呈渦卷狀，以及電極圖案1 b，其 構成共振用電容器4之一方側之電極。另一方面，形成於電 路基板10之背面之導體圖案5，其係包含有橋接圖案5A，其 用以將天線圖案1A之外周側端部向内周側引回，以及電極 圖案5B ’其構成共振用電容器4之他方側之電極。 天線圖案1A之内周側端部以及電極圖案1B連接於1(：晶 片2之一方之端子，天線圖案1A之外周側端部介以層間連接 部6a連接於橋接圖案5A。橋接圖案5八以及電極圖案5B介以 94634.doc 1303041 層間連接部6b連接於1C晶片2之他方之端子。 1C晶片2藉由封裝樹脂7A得以封裝，藉由於該封裝層上貼 著金屬製補強板8A,可實現提高其強度。又，於電路基板 w之晶片非搭載面（背面）側，亦以夾住IC晶片2之方式介以 封裝樹脂7B貼著有金屬製補強板8B。 卡基材3，如圖5所示，其構成為熱壓著有夾入電路基板 1〇之一對内核心薄片3a、3a與一對外核心薄片3b、3b。作 為内核心薄片3a以及外核心薄片3b，例如，可使用對苯二 甲酉文與環己基二甲醇以及乙二醇之共聚物（pETG)或者該共 聚物與聚碳酸酯（PC)之合金等之熱可塑性樹脂。 再者，如圖2所示，藉由於電路基板1〇之面内數處設置有 透孔9,可提高電路基板1〇之曲扭強度。 接著，於電路基板ίο設置有晶片型鐵氧體磁珠lla、1113。 該等鐵氧體磁珠11a、11b對應於用以吸收除去入波以及出 波於1C晶片2之雜訊之本發明之「雜訊吸收體」。 鐵氧體磁珠11a、lib，其介以焊錫丨3安裝於連接天線圖 案1A與1C晶片2之間之電路基板1〇上之配線部12a、12b。鐵 氧體磁珠11a、lib，其包含導體層，其構成該等配線部12a、 12b之一部分’以及磁性層，其吸收除去入波以及出波於1(： 晶片2之雜訊（無必要輻射能量）。 頻率帶不同之複數個雜訊入波於IC晶片2，以及其互調失 真會出波’於本實施形態中，選定有可吸收除去對周邊機 器（例如移動電話）之通信動作造成不良影響之頻率成分之 雜訊的鐵氧體磁珠11a、lib。作為具有此類特性之鐵氧體 94634.doc -10- 1303041 磁珠，例如，可列舉村田製作所製造之鐵氧體磁珠 「BLM18BB470SN1」。 於如上述構成之本實施形態之1C卡C1，自未圖示之讀寫 器發振之通信電波（例如通信頻率為13·56 MHz)於天線圖案 1A產生感應電動勢，藉由提供其作為對IC晶片2之驅動電 壓，可進行資訊之讀出（或寫入）動作。同時可於附近進行移 動電話之通話。 此處’因讀寫器驅動產生之雜訊以及因移動電話之通話 產生之雜訊，可藉由安裝於配線部12&、12b上之晶片型鐵 氧體磁珠11a、lib得以吸收除去。因此，可有效地阻止入 波以及出波於1C晶片2之雜訊，防止該雜訊向外部放射，從 而可排除對周邊通信機器之動作上之不良影響。 圖3A係為通信頻率為940 MHz帶域之移動電話之通話與 自讀寫器之通信人波之波形於IC卡之IC晶片内合成作為互 調失真，並自1C卡出波時之頻譜分析圖。自圖可知，以_ MHz之峰值為中心以—^間距（13 56 MHz)向高頻率侧以及 低頻率側出現有側帶波。會出現該等侧帶波對移動電話之 通信動作造成不良影響之問題。 艮據本實施形態，如圖3崎示，因其可有效地抑制自】 卡C1之1C晶片2之雜訊放射，故可實現敎移動電話之心 特性之目的。藉此’例如，

.^ 肝比卞吻冩态内裝於終端;I 本體之移動電話中，可防止盘 雷b、s 卡G1^㈣作對該移j 電話之通信動作造成不良影響。又，可阻止對設置於心 C1之周邊之電子機器之電磁干擾。 94634.doc 1303041 以下就如上述構成之本實施形態之1€卡c丨之製造方法 加以說明。 首先如圖4所不，進行有於形成有包含天線圖案} a之導 體圖案卜5之電路基板1〇上搭載IC晶片2之步驟。該ΐ(：晶片 2之搭載步财，進行有對於電路基板1()之職片2之安裝 步驟’使用封裝樹脂7A、7B之封裝步驟，以及補強板8a、 8B之貼著步驟。 接著，進行於圖4所示之電路基板1〇設置鐵氧體磁珠 11a、lib之步驟。 本實靶形態中，介以焊錫等接合材13將鐵氧體磁珠Ua、 iib之端子部接合於構成導體圖案丨之配線部12这、i2b之焊 盤14、14(圖4)(圖2)。較好的是，鐵氧體磁珠lu、m之安 裝位置位於1C晶片2之附近位置。再者，焊盤14可使用於導 體圖案1之形成之同時圖案化，或藉由雷射光之照射等切斷 連續形成之配線部12a、12b等之方法。 接著，藉由複數片卡構成薄片將安裝有鐵氧體磁珠Ua、 lib之電路基板1〇進行層壓卡片化之步驟。 本實施形態中，如圖5所示，對於電路基板1〇釘合積層一 對内核薄片3a、3a與一對外核薄片3b、孙後，藉由以特定 之熱壓條件熱壓著各薄片間之處理卡片化。再者，藉由於 内核薄片3a、3a預先形成收容1(：搭載部之退避孔3e、， 可抑制產生卡表面之凹凸。 根據本實施形態，僅需設有將鐵氧體磁珠lla、Ub搭載 於電路基板10上之步驟，即可簡單地製造出實施有無必要 94634.doc -12- 1303041 輻射對策之本實施形態之1C卡Cl。 (第2實施形悲） 圖6以及圖7係表示本發明之第2實施形態。此處，圖6係 本實施形態之1C卡C2之側剖面圖，圖7係構成1C卡C2之電 路基板20之平面圖。再者，於圖中就與上述第1實施形態對 應之部分標有相同之符號，在此省略其詳細之說明。 本實施形態中，用於吸收除去入波以及出波於1C晶片2 之雜訊的雜訊吸收體含有一對磁性層21A、21B，其被覆構 成共振用電容器4之電極圖案IB ' 5B以及配線部12a、12b。 磁性層21A、21B，其作為於例如合成樹脂材料等絕緣材料 中填充軟磁性粉末而成之電波吸收體而構成。一方之磁性 層21A設置於電路基板20之表面側，他方之磁性層21B設置 於電路基板20之背面側。 作為軟磁性粉末，可使用鐵矽鋁磁合金（Fe_Al-Si系）、軟 磁合金（Fe-Ni系）、非結晶（Fe-Si-Al-B系）、鐵氧體（Ni-Zn鐵 氧體、Mn-Zn鐵氧體等）、燒結鐵氧體等。如上述般構成之 磁性層21A、21B除可使用加工或成形為薄片狀之磁性薄片 之情形外，亦可使用將硬化性磁性漿或磁性化合物等塗布 為層狀者。 磁性層21A、21B發揮吸收除去入波以及出波於ic卡C2之 IC曰曰片2之雜訊之作用。本實施形態中，藉由磁性層21 a、 21B被覆除天線圖案ία外之幾乎所有配線區域，從而提高 雜之吸收效率。再者，磁性層21A、21B之形成領域並非 僅限於此，至少亦可形成於連接天線圖案丨八與^晶片2之間 94634.doc •13- 1303041 之配線部12a、12b。 如上述構成之1C卡C2之製造方法中， ^ Tr a μ T對於電路基板20搭 載1c曰曰片2後’於電路基板20之表面以及背面形成磁性声 21A、21B。且與上述第1實施形態相同，藉由以一對内核 薄片以及一對外核薄片構成之複數 A卞構成薄片夾入電路 基板20而熱壓，從而將其卡片化。 此時，於各内核薄片之内面側’藉由預先形成收容磁性 層21A、21B之退避孔，從而可實現減少薄片積層後之卡表 面之凹凸量以及使卡厚薄化。 又，藉由磁性聚構成磁性層21A、21B之情形時，塗布該 磁性漿後’例如，可同時硬化處理封㈣晶片2之封裝樹脂 7A、7B。另一方面，藉由磁性化合物構成磁性層^八、 之情形時，塗布該磁性化合物後，亦可於卡片化熱壓之同 時使其硬化。 &以上，根據本實施形態之IC+C2’可以與上述第丨實施形 匕、相同之方式除去於卡通信時產生之來自晶片2之雜 訊，從而排除對周圍機器造成之動作上之不良影響。又， 可阻止對設置於1C卡C2之周邊之電子機器之電磁干擾。 特別是根據本實施形態，與上述第丨實施形態相比，無需 焊錫等步驟，故而可實現降低該部分之製造成本、土g製 造效率化、穩定保持其品質。 (第3實施形態） 圖8至圖1〇係表示本發明之第3實施形態。此處，圖8係本 實施形態之1C卡C3之側剖面圖，圖9係構成1C卡C3之電路 94634.doc -14- 1303041 基板30之平面圖，圖ι〇係表示電路基板3〇之構成之平面 圖。再者，於圖中就與上述第1實施形態對應之部分標有相 同之符號，在此省略其詳細之說明。 本實施形態中，用以吸收除去入波以及出波於1C晶片2 之雜訊的雜訊吸收體含有一對磁性層3 1A、3 1B，其被覆構 成共振用電容器4之電極圖案IB、5B以及配線部12a、12b。 磁性層31A、31B以與於上述之第2實施形態中磁性層21A、 21B相同之方式作為於合成樹脂材料等絕緣材料中填充軟 磁性粉末而成之電波吸收體而構成。 一方之磁性層31A設置於電路基板30之表面側，他方之磁 性層31B設置於電路基板30之背面側。又，磁性層31A與磁 性層31B，介以貫通電路基板30之複數個架橋部31C相互連 接。 如上述般構成之磁性層3 1A、3 1B，雖亦可使用加工或成 形為薄片狀之磁性薄片，但較好的是使用硬化性磁性漿或 磁性化合物等。 磁性層3 1A、3 1B發揮吸收除去入波以及出波於ic卡C3之 1C晶片2之雜訊之作用。本實施形態中，藉由以磁性層31A、 3 1B以及架橋部3 1C包圍除天線圖案1A外之幾乎所有配線 區域之方式，從而提高雜訊之吸收效率。 於如上述構成之1C卡C3之製造中，如圖1〇所示，預先於 電路基板30形成架橋部31(：形成用之貫通孔32。此時，較好 的是，可藉由以磁性層31A、31B包圍除天線圖案ιΑ外之導 體圖案1、5之方式形成貫通孔32。 94634.doc -15- 1303041 且，搭載對於電路基板30之1C晶片2後，於電路基板3〇 之表面以及背面形成磁性層3 1 a、3 1B。磁性層以填充貫通 孔32之内部之方式而形成。且以與上述第1實施形態相同之 方式，藉由以一對内核薄片以及一對外核薄片構成之複數 片卡構成薄片夾入電路基板30而熱壓，從而將其卡片化。 此時，於各内核薄片之内面側，藉由預先形成收容磁性 層31A、31B之退避孔，可實現減少於薄片積層後之卡表面 之凹凸量以及使卡厚薄化。 又’藉由磁性漿構成磁性層31A、3 1B之情形時，塗布該 磁性衆後，例如，亦可使封裝IC晶片2之封裝樹脂7A、7B 同時硬化處理。另一方面，藉由磁性化合物構成磁性層 31A、31B之情形時，塗布該磁性化合物後，亦可與卡片化 熱壓同時硬化。 以上，根據本實施形態之IC+C3，以與上述第1實施形態 相同之方式，可除去入波以及出波於1(：晶片2之雜訊，從而 排除對周圍機器之動作上之不良影響。又，可阻止對設置 於1C卡C3之周邊之電子機器之電磁干擾。 特別是根據本實施形態，與上述第i實施形態相比，無需 焊錫等步驟，故而可實現降低該部分之製造成本、使卡製 造效率化、穩定保持其品質。 (第4實施形態） 圖11至圖13係表示本發明之第4實施形態。此處，圖11係 本實施形態之1C卡C4之側剖面圖，圖12係構成…卡以之電 路基板40之平面圖，圖13係表示電路基板4〇之構成之平面 94634.doc -16 - 1303041 圖。再者，於圖中就與上述第1實施形態對應之部分標有相 同之符號，在此省略其詳細之說明。 本實施形態中，用以吸收除去入波以及出波於IC晶片2 之雜訊的雜訊吸收體含有一對磁性層41A、41B，其被覆配 線部12a、12b。磁性層41A、41B與上述第2實施形態之磁 性層21A、21B相同，作為於合成樹脂材料等絕緣材料中填 充軟磁性粉末而成之電波吸收體而構成。 一方之磁性層41A設置於電路基板40之表面側，他方之磁 性層41B設置於電路基板40之背面側。又，磁性層41A與磁 性層41B，介以貫通電路基板40之複數個架橋部41C相互連 如上述般構成之磁性層41A、41B，雖亦可使用加工或成 形為薄片狀之磁性薄片，但較好的是使用硬化性磁性漿或 磁性化合物等。 磁性層41A、41B發揮吸收除去入波以及出波於ic卡C4之 1C晶片2之雜訊之作用。本實施形態中，藉由以磁性層41A、 41B以及架橋部41C包圍連接天線圖案1A與1C晶片2之間之 配線部12a、12b之方式，從而可提高雜訊之吸收效率。 如上述般構成之1C卡C4之製造中，如圖13所示，預先於 電路基板40形成架橋部41C形成用之貫通孔42。此時，以可 藉由磁性層41A、41B包圍配線部12a、12b之方式形成貫通 孔42。又，較好的是，磁性層41A、41B配置於1C晶片2之 附近位置。 接著，搭載對於電路基板40之1C晶片2後，於電路基板40 94634.doc -17- 1303041 之表面以及背面形成磁性層41Α、41Ββ磁性層以填充貫通 孔42之内部之方式形成。且以與上述第1實施形態相同二= 式，藉由由一對内核薄片以及一對外核薄片構成之複數片 卡構成薄片夾入電路基板4〇而熱壓，從而將其卡片化。 此時，於各内核薄片之内面側，藉由預先形成收容磁性 層41Α、41Β之退避孔，可實現減少薄片積層後之卡表面之 凹凸量以及使卡厚薄化。 又，藉由磁性漿構成磁性層41Α、41Β之情形時’塗布該 磁性漿後，例如，亦可與封裝IC晶片2之封裝樹脂7Α、7β 同時硬化處理。另一方面’藉由磁性化合物構成磁性層 41A、41Β之情形時，塗布該磁性化合物後，可使其於卡片 化熱壓之同時硬化。 以上，根據本實施形態之…卡以，以與上述第1實施形態 相同之方式除去入波以及出波於1(：晶片2之雜訊，從而排除 對周圍機器之動作±之不良影響。又，可阻止對於設置於 1C卡C4之周邊之電子機器之電磁干擾。 特別疋根據本實施形態，與上述第丨實施形態相比，無需 焊錫等步驟’故而可實現降低製造成本、使卡製造效率化、 穩定保持其品質。 (第5實施形態） 圖14以及圖15係表示本發明之第5實施形態。此處，圖μ 係本貝％形態之IC+C5之側剖面圖，圖ΐ5係構成…卡^^之 電路基板50之平面圖。再者，於圖中就與上述第丄實施形態 對應之部分標有相同之符號，在此省略其詳細之說明。 94634.doc -18- 1303041 本實施形態中’用以吸收除去入波以及出波於IC晶片2 之雜訊的雜訊吸收體含有一對封裝1C晶片2之封裝樹脂 5 1A、5 1B。封裝树知5 1A、5 1B作為於合成樹脂材料等絕緣 性封裝用材料中混練軟磁性粉末而成之電波吸收體而構 成。 再者’本實施形悲中，雖構成各封裝樹脂5 1 a、5 1B作為 雜訊吸收體’但根據必要’晶片背面侧之封裝樹脂$ 1B亦可 以通常之（非磁性之）封裝用材料構成。 封裝樹脂51A、51B發揮吸收除去入波以及出波於^卡以 之1C晶片2之雜訊之作用。本實施形態中，藉由以具有電波 吸收性之材料構成1C晶片2之封裝用材料可獲得吸收除去 雜訊之效果。藉此，可除去入波以及出波於IC晶片2之雜 訊’從而排除對周圍機器之動作上之不良影響。又，可阻 止對於設置於1C卡C5之周邊之電子機器的電磁干擾。 再者，如上述般構成之IC+C5i製造中，僅需將晶片封 裝用材料替換為上述具有電波吸收性之封裝樹脂5丨A、 51B，即可直接採用先前之1(：卡之製造製程。 (第6實施形態） 圖16至圖19係表示本發明之第6實施形態。此處，圖16 係本實施形態之iC+C6之側剖面圖，圖17係構成1(：卡以之 電路基板60之平面圖，圖18係I示電路基板6G之構成之平 面圖’圖19係表示設置於電路基板60之燒結磁性體61A、 61B之側面圖。再者，於圖中就與上述第丨實施形態對應之 部分在此省略料細之說明。 94634.doc -19- 1303041 本實施形態中，用以吸收除去入波以及出波於IC晶片2 之雜訊的雜訊吸收體含有一對燒結磁性體61 a、61B，其圍 入連接天線圖案1A與1C晶片2之間之配線部12a、12b。 特別是本實施形態中，於與1C晶片2共同藉由封裝樹脂7A 封裝之配線部12a、12b之區域配置有上述一對燒結磁性體 61A、6 1B，該等燒結磁性體61A、6 1B亦為又藉由封裝樹脂 7 A以相同之方式得以封裝之構成。 燒結磁性體61A、61B藉由常法將混練有軟磁性粉末之燒 結粉末燒固而構成，如圖19所示，於相互對向之部位分別 形成有腳61C。且以介以設置於電路基板6〇之對應位置之貫 通孔62(圖17、圖18)使該等燒結磁性體61A、61B之各腳 61C、61C相互突合之方式，圍入配線部12a、12b之1C晶片2 之附近區域，從而提高入波以及出波於IC晶片之雜訊之吸 收效率。 以上，根據本實施形態之1C卡C6，以與上述第1實施形態 相同之方式除去入波以及出波於1C晶片2之雜訊，從而排除 對周圍機盗之動作上之不良影響。又，可阻止對於設置於 1C卡C6之周邊之電子機器的電磁干擾。 又’因為藉由封裝樹脂7A將作為雜訊吸收體而構成之燒 結磁性體61A、61B與1C晶片2共同地封裝之構成，故可彌 補燒結磁性體61A、61B之脆弱性，確保強度上之可靠性。 (第7實施形態） 圖20以及圖21係表示本發明之第7實施形態。此處，圖2〇 係本實施形態之1C卡C7之側剖面圖，圖21係構成ic卡C7之 94634.doc -20· 1303041 電路基板70之平面圖。再者，於圖中就與上述第❻施形態 對應之部分標有相同之符號’在此省略其詳細之說明。 本實施形態中1以吸收除去人波以及出波㈣晶片2 之雜訊的雜訊吸收體含有一對晶片型鐵氧體磁珠m 71b，其對應於連接天線圖案^與^晶片2之@之配線部 12a、12b，介以焊錫73、73等接合材而得以安裝。 特別是本實施形態中，於與IC晶片2共同地藉由封裝樹脂 7A得以封裝之配線部12a、12b之區域安裝有上述一對鐵氧 體磁珠7U、71b，該等鐵氧體磁珠71a、？ib亦為又藉由封 裝樹脂7 A以相同之方式得以封裝之構成。 鐵氧體磁珠71a、71b，雖以與上述第丨實施形態中已說明 之鐵氧體磁珠lla、llb相同之方式，含有構成配線部ua、 12b之一部分之導體層，並且具有吸收除去入波以及出波於 1C曰曰片2之雜訊（無必要輻射能量）的磁性層，但本實施形態 中，以可藉由封裝樹脂7A封裝之程度大小構成有鐵氧體磁 珠 71a、71b 〇

以上，根據本實施形態之IC+C6，以與上述第1實施形態 相同之方式除去入波以及出波於IC晶片2之雜訊，從而排除 對周圍機器之動作上之不良影響。又，可阻止對於設置於 1C卡C7之周邊之電子機器之電磁干擾。 以上，就本發明之各實施形態加以說明，當然，本發明 並非僅限於該等，可基於本發明之技術思想加以各種變形。 例如上述實施形態中，作為本發明之IC卡，雖以通常之 卡大小之非接觸1(：卡為例加以說明，但並非僅限於此，本 94634.doc -21 - 1303041 發明亦可適用於如貼於各物品之非接觸1C標簽或者id標簽 等之使用RFID技術可對1C晶片讀寫記錄資訊之所有…媒 體。 又，雖上述實施形態中說明之1C卡係以複數片卡構成薄 片夾入電路基板，藉由以熱壓法熱壓著之處理將其卡片化 之例子而加以說明，但作為代替，本發明亦可適用於介以 環氧樹脂系等熱硬化性接著劑藉由一對外裝薄片夾入電路 基板而將其卡化之構成的1C卡。 [產業上之可利用性] 如上所述，根據本發明之1C卡，因設置有吸收除去以IC 晶片為產生源之雜訊成分的雜訊吸收體，故可吸收除去入 波以及出波於1C卡之1C晶片之雜訊，並可藉此減少來自IC 卡之無必要輻射，從而抑制對於周邊機器之影響。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明之第1實施形態之1(：卡ci之側剖面圖。 圖2係構成1C卡C1之電路基板10之平面圖。 圖3A以及圖3B係說明本發明作用之頻譜分析圖。 圖4係表示電路基板1〇之構成之平面圖。 圖5係1C卡C1之分解立體圖。 圖6係本發明之第2實施形態之IC+C2之側剖面圖。 圖7係構成1C卡C2之電路基板20之平面圖。 圖8係根據本發明之第3實施形態之1(：卡C3之側剖面圖。 圖9係構成1C卡C3之電路基板3〇之平面圖。 圖10係表示電路基板30之構成之平面圖。 94634.doc -22- 1303041 圖丨1係根據本發明之第4實施形態之ic卡C4之側剖面圖。 圖12係構成ic卡C4之電路基板40之平面圖。 圖13係表示電路基板4〇之構成之平面圖。 圖14係本發明之第5實施形態之IC+C5之側剖面圖。 圖15係構成1C卡C5之電路基板50之平面圖。 圖16係本發明之第6實施形態之ic卡C6之側剖面圖。 圖17係構成1C卡C6之電路基板60之平面圖。 圖18係表示電路基板60之構成之平面圖。 圖19係表示設置於電路基板60之燒結磁性體61A、61B之 構成之側面圖。 圖20係本發明之第7實施形態之1C卡C7之側剖面圖。 圖21係構成1C卡C7之電路基板70之平面圖 【主要元件符號說明】 1，5 導體圖案 2 IC晶片 3 卡基材 3a 内核心薄片 3b 外核心薄片 3c 退避孔 4 電容器 6a，6b 層間連接苦P 10 ， 20 ， 30 ， 40 ， 50 ， 60 ， 70 電路基板 11a ， lib 鐵氧體礤珠 13 焊錫 94634.doc -23- 1303041 14 焊盤 73 焊錫 ΙΑ 天線圖案 5Α 橋接圖案 IB，5Β 電極圖案 7Α，7Β 封裝樹脂 8Α，8Β 補強板 21Α，21Β，31Α，31Β， 41A，41B 磁性層 51Α ， 51Β 封裝樹脂 61Α，61Β 燒結磁性體 Cl，C2，C3，C4，C5， C6，C7 1C卡 61C 腳 94634.doc 24-

Claims (1)

1303041 十、申請專利範圍： 1 · 一種ic卡，其係形成有天線用配線之電路基板與搭載於 其之1C晶片以複數片卡構成薄片夾入而成；其特徵在於·· 於上述電路基板設置有雜訊吸收體，其吸收除去入波 以及出波於上述1C晶片之雜訊。 2·如叫求項1之ic卡，其中上述雜訊吸收體設置於連接上述 天線用配線與上述1C晶片之間之上述電路基板上之配線 區域。 3·如明求項2之ic卡，其中上述雜訊吸收體為晶片型鐵氧體 磁珠，其以構成上述配線之一部分之方式安裝於上述電 路基板。 4·如請求項2之ic卡，其中上述雜訊吸收體為磁性層，其以 被覆上述配線區域之一部分之方式形成於上述電路基板 上。 5·如凊求項4之1(：卡，其中上述磁性層以圍入上述配線區域 之一部分之方式貫通配置於上述電路基板。 6·如請求項卡，其中上述IC晶片藉由封裝樹脂封裝於 上述電路基板上， 上述雜訊吸收體係將磁性體混練於上述封裝樹脂而 成。 7·如請求項1之1(：卡，其中上述IC晶片藉由封裝樹脂封裝於 上述電路基板上， 上述雜訊吸收體與上述IC晶片共同地藉由上述封裝樹 脂得以封裝。 94634.doc I3〇3〇4j 種1 c卡製造方法，其含有將ic晶；^x # 用酎 曰曰月知載於形成有天線 線之電路基板之步驟，以及藉由複數片卡構成薄片 搭裁有上述1C晶片之電路基板之步驟；其特徵在於·· 包含於上述電路基板上設置雜訊吸收體之步騾，該雜 訊吸收體吸收除去入波以及出波於上述1C晶片之雜訊。 94634.doc