TWI302921B - Method of forming a polyimide layer and photo-sensitive polymer layer, and a chip having the polyimide layer - Google Patents

Description

1302921 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種聚亞醯胺(polyimide)層的形成方法，特別係關於一 種使用於半導體後段製程的聚亞醯胺層的形成方法，以減少殘留在上述聚 亞醯胺層中#[氣泡j避免上述氣泡對後續製程造成不良影響 【先前技術】 聚亞醯胺是最早被應用於VLSI，作為金屬介電層的有機高分子，其具 鲁有良好的局部平坦性、低介電係數(介電係數為2·3〜2·9)，且聚亞醯胺的熱 膨脹係數又介於金屬與矽之間。因此，聚亞醯胺常常被用於半導體晶片之 外層的護層(passivation)兼熱應力緩衝層(buffer layer)、前金屬介電層⑦代 metal dielectric ; PMD)、或金屬間介電層(hter_level didectric ; ILD)等。尤 其疋在覆日日(flip chip)封裝晶片或晶圓級封裝(wa色r ievei package)中，聚亞醯 胺通常是用於凸塊下金屬(under bump metallurgy ; UBM)下方，作為介電層 兼熱應力緩衝層。 隨著聚亞醯胺的應用日趨廣泛，光敏性聚亞醯胺前驅物，例如日本公開 特許公報制平M19478號、制平5_4晴鮮文獻所揭示者，陸續被 _開|^出來。所明光敏性聚亞酿胺前驅物，係指其本身具有阻劑的性質，可 以直接麵雜讀，再加上-魏的製程(通常為加熱製程），即可以成為 -聚亞醯胺層。·上述級性聚碰麟驅物倾細來簡化上述半導 體後段製程。 睛蒼考第1A〜1E圖，為一系列之剖面圖，係顯示美國專利第6,492，刚 唬所揭不的-晶圓級晶片尺寸封裝(wafer levd chip此也喊㈣肌七证） 中的UBM製程。 在第1A圖中，係提供一半導體基板犯，其一主動表面上具有一銲墊 44與-氮化物護層你。氮化物護層你係覆蓋半導體基板42的主動表面，

0503-9698TWF 1302921 並具有* 口，«銲墊44。在帛1B目中，形成一圖形化的聚亞酸胺層 48覆皿氮化物遵層46，並具有一開口抑，曝露辉塾.在第π圖中，形 成》順應性的UBM層50’覆蓋整個已曝露的半導體基板42駐動表面。 在第ID il中’以ubm層％為電極，分別以電躺方法在個^層％上 元成銅層52與金屬轉層Μ，覆蓋銲墊Μ與部分的圖形化的聚亞酿胺 •曰48在第1E圖中，以金屬阻障層54為罩幕，蝕刻UBM層50。 而在第1B圖中圖形化的聚亞醯胺層48的形成方法，例如日本公開特 5^119478 coating)#^ _法將水亞醯胺層48的光敏性前驅物(未繪示於圖面)形成於半導體基板42 的主動表面上，接下來，提供一光罩(未缘示於圖面)作為遮罩，將上述光敏 性^驅物曝光後，再將半導體基板42置於-顯影液(未緣示於圖面)中，去 除銲墊44上的上述光敏性前驅物，而將半導體基板⑽上的光敏性前驅物 圖形化；最後，依照上述聚亞_層48的光敏性_物的性質，在低於其 更化/^度的預熱狐度下隨常為⑽艺心吻預熱之^再於其硬化溫度下 (通吊'為250 C〜400 C)烘烤上述聚亞酸胺層48的光敏性前驅物，將其硬化 而成為圖形化的聚亞酿胺層48。 然而，在以旋轉塗佈法，將聚亞醯胺層48的光敏性前驅物形成於半導 鲁縣板42上時’上述光敏性前驅物通常都會循環回收使用，而在循環回收 的過程中，會在上述聚光敏性前驅物内形成許多氣泡，而使得半導體基板 42上的上述光敏性前驅物内部，亦具有許多的氣泡。因此，如第出〜正圖 所示的聚亞醯胺層48的内部，就存在有複數個氣泡41。特別是聚亞酿胺層 48表面附近的氣泡41會使其抵抗侵蝕的能力減弱，而在後續的製程中，液 、 體就會入侵到氣泡41中，進而使聚亞醯胺層48上的现％層5〇及其以上 - 的凡件發生剝離(Peelhg)的現象，而使後續所形成的半導體裝置失效。通 常，在-般半導體薇中約有20%〜60%的半導體晶片會因上述的聚亞醯胺層 中氣泡所造成的UBM層剝離而必須報廢，對半導體製程的良率與製造成本 0503-9698TWF 6 !3〇2921 造成相當巨大的損失。 另外，由於氣體的熱膨脹·係數遠較.固體的聚亞酸胺為高，因此，在後續 …衣私’氣泡41文熱會急速膨脹而造成所謂的爆米花效應㈣咖 .effeCt)，亦會使圖形化的聚麵胺層48上的UBM層50及其以上的元件發 生剝離的現象’而使後續所形成的轉體裝置失效或使後續所形成的半導 •體裝置的可靠度不佳。 另外，如第2圖所繪示’揭露於中華民國專利公告第簡47號之覆晶 元件令，料體基板雇與麵層6之間的護層4為一聚亞酿胺層時，亦 鲁會發生如上所述的氣泡問題使UBM層6發生剝離，而使該覆晶元件失效。 【發明内容】 +有鏗於此’本發3月的主要目的係提供一種聚亞酿胺層的形成方法，辦 在丰導體後段製程中，減少在聚亞_層中氣泡的形成，以提升製 率、降低製程成本、並提升與所製造產品的可靠度。 、 為達成本發明之上述目的，本發明係提供_種聚亞醯胺層的形成 =伊提供、基板’於上述基板上形成一圖形化的光敏性聚亞醯胺前驅物' 乂及氧上述光敏性聚亞醯胺前驅物進行消泡處理。。 本發明係又提供-種半導體郎，包含：_半㈣基板，具有 ^糊，毅地絲社；處理之Ϊ _層，於上述導騎上，並暴露部分上料騎。 之來亞 本=叙跡^彻“，咖a%_雜，衫… ίϊ⑽動表面；—銲塾，紗上述主動表面上；-護層1於工 =表面上縣露上述銲墊；以及__，設於上賴異= 物墊，且上述封縣包含—_泡處理之聚亞醯腔層。卫暴路上 為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點 舉二較佳實關，並配合所_示，作詳細說•下··，、’下文特

0503-9698TWF 1302921 · 1 【實施方式】 弟一實施例： 請芬考第3A〜3G圖，為-系列之剖面圖，係顯示本發明第一實施例之 聚亞醒胺層_成方法之流程。本發明第—實施例__半導體晶月之護 .層為例，藉由本發明第-實施例之聚亞醯胺層的形成方法來形成上述護 •層，可財效地減少上賴層中的氣泡，躺在顧本發明第—實施例之 聚亞醯胺層的形成方法之後，提升半導體製程的良率、降低製程成本、並 提升上述半導體晶片的可靠度。 • 轉考第3A圖，首先，提供一半導體基板，具有-銲塾3〇2於盆 主動表面上。另外，轉縣板·更具錢_雛元件鱗金屬内連 線，但因非相關本發明之特徵，故予以省略不繪示。 明茶考第犯圖’將-光敏性高分子層例如光敏性聚亞醯胺前驅物·， 毯覆性地形成於半導體基板的主動表面上。在本實施例中，係使用 顧Π公司出品之LS800的光敏性聚麵胺前驅物，作為光敏性聚亞酿胺 I驅物3K)。其形成方法例如為以旋轉塗伟法，先將適量的光紐聚亞_ 剛驅物310置於半導體基板3〇〇的主動表面上，再將半導體基板3⑻置於 i轉台(未繪示於圖面)上，依照光敏性聚亞醯胺前驅物31〇的性質、膜厚 鲁等因素，設定適當的轉速旋轉轉體基板3〇〇，利用旋轉時的離心力，將光 敏性聚亞醯驅物310均勻地塗佈在半導體基板·的主動表面上。而 如上述習知技術所述之原因’在光敏性聚亞醯胺前驅物31〇具有複數個 泡 312。 ^ 接下來，將形成有光敏性聚亞醯胺前驅物31〇的半導體基板3〇〇送入普 ， 光室中，進行以下的圖形化及消泡步驟。 ” - 請參考第3C圖，提供—光罩，具有-透明層210例如為石英層*

-圖形化的不透明層220例如為—鉻金屬層，圖形化的不透明層22〇並具 有-開口 222，曝露部分的透明層21〇。然後以光罩—為遮罩，以能量射 0503-9698TWF 8 1302921 線230照射半導體基板細，使光敏性聚亞酸胺前驅物曝光，而將圖形 化的不透明層220之光罩圖形轉移至光敏性聚亞醯胺前驅物31()上。能量 射線230可以疋可見光、紫外線、χ射線、或電子束，熟悉此技藝者可視 其製程需要而加以選用。 . 請參考第3D圖，對光敏性聚亞醯胺前驅物训施以顯影的步驟，使得 .轉移至光敏性聚亞醢胺前驅物310的圖案得以顯現出來。例如將轉體基 泊0〇浸入-顯影劑350中，顯影劑35〇便會與光敏性聚亞_前驅物3二 受到曝光的部分發生反應而將其移除，以顯現出上述的圖案。 鲁 月’考第3E圖’係緣不已完成顯影後的圖形化的光敏性聚亞酸胺前驅 物310具有一開口 314,至少暴露部分的銲墊314,使後製程所形成之卿^ 層(未、、’^示於圖面）、覆晶凸塊(未繪示於圖面)等能經由銲墊314與上述半導 體基板3〇0之金屬内連線與電性元件產生電性連結，而進一步盘一外部元 件(未繪示於圖面)電性連結，而使所製造的轉體晶片能發揮其功能。 如上所述’喊在光敏性聚亞醯胺前驅物⑽内，已具有複數個氣泡 312，較好為即時對光敏性聚亞醯猶驅物31〇進行消泡處理，以確保如因 製程上的需要，而在對光敏性聚亞醯胺前驅物训進行硬化處理之前，必 須加上其他的製程步驟時，不會因為氣泡312的存在而對上述製程步驟及 鲁其結果造成不良影響；亦可以避免因上述製程步驟的處理，而意外地增加 對光敏性聚亞醯胺前驅物31〇進行消泡處理時的固難度。 另外在本發明第-貫施例中’係建議在圖形化光敏性聚亞酿胺前驅物 ^之後，再對其做聽處理，為—最賴式化光敏性聚亞酸胺 則驅物310之後’可以增加光敏性聚亞醒胺前驅物3㈣表面積/體積之比， '因而可以縮短消泡處理所需的時間，亦可以降低消泡處理後，氣泡312仍 •殘留於光敏性聚亞醯胺前驅物310内的風險。但是不代表本發明之應用， 就讎在必須在卿錢敏性聚碰胺_物3ig之後，再對其做消泡處 理。熟悉此技藝者當可依其需要，在不脫離本發明之精神和範圍内，更動

0503-9698TWF 9 1302921 消泡處理與圖形化光敏性聚亞醯胺前驅物31〇之間的順序。 請參考第3F目，對圖形化的光敏性聚亞_前驅物施以消泡處 理。例如使用加熱板_Plate)(未緣示於圖面)或是其他加熱裝置，依照光敏、 性聚亞醯胺前驅物310的性質，烘烤光敏性聚亞酿胺前驅物31〇，賴泡 312在等塵的情況下，因溫度的升高而使其體瓣脹，而增加氣泡扣在光 敏性聚亞醯胺前驅物310内的浮力，而使氣泡312加速逸出光敏性聚亞醯 胺前驅物310之外；然而，上述消泡處理的烘烤溫度，必須低於級性聚 亞《前驅物310的硬化溫度，以避免光敏性聚亞_前驅物31〇發生硬 化’而使氣泡312無法逸出光敏性聚亞醯胺前驅物31〇之外。以本發明第 -實施例所使用的ASAHI公司^^的光敏性聚亞醯胺前驅物為 例，其消泡處理的第一實施例所匕 使用的烘烤溫度為約250t:;而消泡處理的烘烤溫度紐 >^在本發明第-實施例所使用的。^上述消、、包一^ 處理的烘烤溫度低於赋，則無消泡的效果；而如果上述消泡處理胁烤 溫度高於2耽’則光敏性聚亞醯胺前驅物sl〇則有開始硬化的傾向，而使 氣泡312不容易逸出圖形化的光敏性聚亞醯胺前驅物310之外，有必要， 可以再加上-線上品管的步驟’檢測或監控製程上是否有異常情形的發 生。如果有例如氣泡312未完全逸出光敏性聚亞醯胺前驅物31〇之外 其他異常情形發生，可以即時作例如重^rewOTk)等的補救措施。/ 取接^，如第3F圖所示，經由上述的消泡處理之後，圖形化的光敏性 來亞醯胺刖驅物31〇内已無氣泡存在。 廿在完成光敏性聚亞_前驅物_的圖形化之後，可依照製 體基板移出黃光室外’進行其他的製程步驟，再進 “〜别驅物310的硬化處理步驟；亦可以在完成光敏性聚

驅，310的圖形化之後，就將轉體基板獨移出黃光室外，對 光敏性聚亞軸施物31G舰概輕_。 、 0503-9698TWF 1302921 , 請參考第3G圖，最後，對光敏性聚亞醯胺前驅物31〇施以硬化處理， 成為圖形化的聚亞_層316。上述的硬化處辦，财係將光敏性聚亞酿 胺前驅物310，加熱至低於其硬化溫度的預熱溫度下(通常為13叱〜細。〇 預熱之後，再加熱至硬化溫度，使其發生聚合反應而硬化，硬化過程中， •光敏性聚亞醯胺前驅物中的光敏性成分會，最後成為圖形化的聚 .亞醯胺層316。以本發明第一實施例所使用的ASAffl公司出品之㈣〇的 光敏性聚亞》前驅物為例，其硬化溫度通常為25Gt〜Wc，較好為35〇 C〜390°C，更好為約35〇t ;而硬化處理的加熱溫度較小時怜)以 卜 〇 一 --- * 雖然本發明第-實施例係以—半導體晶片之護層為例，說明本發明第一 實施例之聚亞醒胺層的形成方法之詳細步驟，但是不代表本發明的應用就 限定在形成上述半導體晶片之護層的用途。在其他半導體的製程方面，熟 心此技*者可以將㈣3〇2置換為一閘極(包含複晶石夕或/和金屬石夕化物等導 電層），而將本發明第一實施例之聚亞醯胺層的形成方法應用在前金屬介電 層㈣metal獅触；PMD)的形成上；熟悉此技藝者亦可以將銲墊搬置 換為任何層的金屬内連線結構，而將本發明第一實施例之聚亞酿胺層的 形成方法應用在金屬間介電層⑽吻erdidectric ;肋)的形成上。在半導 籲體以外的領域方面’熟悉此技藝者亦可以忽略銲塾302，並將半導體基板 3〇〇置換為任何型式的基板。 " 第二實施例： ^ 4A〜4G圖，為-系列之剖面圖，係顯示本發明第二實施例之 酿t的械方法之流程。本發明第二實施例係以適用於晶圓級封裝 2半,導體晶片之導層為例，藉由本發明第二實施例之聚碰胺層的形 2方法來形獻述封膠層，可以有效地減少上述封膠層中的氣泡，進而在 本U第例之聚亞酿胺層的形成方法之後，提升半導體製程的、 良率降低衣秩成本、並提升上述半導體晶片的可靠度。

0503-9698TWF 11 1302921 °月 > 考第4A圖’首先，提供一半導體基板400，具有-銲墊4〇2盥 護層—其主動表面上;其中，護層42。通常 開口 424暴露部分的鏵塾術。另外，半導體基板獅更具有複數個電^元 件與f屬峨，細咖嫌⑽喻=恤 艺，將—光敏性高分子層例如光敏性聚亞醯胺前驅物410’ %覆性地形成於半導體基板的主動表社。在本實施例中，传使用 的光敏性聚亞醯胺前驅物，作為光敏性聚亞醯胺 : 。/、形成方法例如為以旋轉塗佈法，先將適量的光敏性聚亞醯胺

::置於半導體基板姻的主動表面上，再將半導體基板400置於 一疑W未緣不於_上，依照光紐聚亞醯胺前驅物·的性質、膜厚 等因素，設定適當的轉速旋轉半導體基板彻，利用旋轉時的離心力，將光 敏性聚亞醯胺前驅物均勻地塗佈在轉體基板彻的主動表面上。而 如上述習知技術所述之賴’在級性聚亞醯胺前驅物仙具有複數個氣 泡 412。 接下來，將形成有光敏性聚亞酿胺前驅物的半導體基板柳送入普 光室中，進行以下的圖形化及消泡步驟。 清茶考第4C圖，提供一光罩500，具有一透明層510例如為石英層盥 籲-圖形化的不透明層汹例如為一絡金屬層，圖形化的不透明層52〇並具 有-開口 522，曝露部分的透明層51〇。然後以光罩為遮罩，以能量射 線530使光敏性聚亞酸胺前驅物曝光，而將圖形化的不透明層，之 光罩=形轉移至光敏性聚亞a!胺前驅物上。能量射線53〇可以是可見 光、紫外線、X射線、或電子束，熟悉此技藝者可視其製程需要而加以選 用。 請參考第4D ®，對光敏性聚亞醯胺前驅物41〇施賴影的步驟，使得 轉移至光概聚亞醯胺前驅物關案得簡現蜂。可將半導體基板 4〇〇浸入-顯影劑450巾，顯影劑450便會與光敏性聚亞醯胺前驅物受

0503-9698TWF 12 1302921 、光的邛刀發生反應而將其移除，以顯現出上述的圖案。

明茶考第犯目，係緣示已完成顯影後的圖形化的光敏性 物 410,具有 ”, w J 么备一 ，至。、暴鉻邛分的銲墊414,使後製程所形成之ubm (未、’、曰示於圖面）、凸塊(未繪示於圖面)等能經由銲墊Μ#與上述半導體基 =4〇0之金屬内連線舆電性元件產生電性連結，而進一步與一外部元件(未 •、曰不於圖面)電性連結，而使所製造的晶圓級封裝的半導體晶片能發揮其功 能。 ’、 斤C由於在光敏性聚亞酿胺前驅物内，已具有複數個氣泡 _⑽^好為卩¥對光破性聚亞醯胺前驅物彻進行消泡處理，以確保如因 製程上的需要，而在對光敏性聚亞酸胺驅物410進行硬化處理之前，必 須^^他的製程步驟時，不會因為氣泡仍的存在而對上述製程步驟及 其結果造成不良影響；亦可以避免因上述製程步驟的處理，而意外地增加 對光敏性聚亞ϋ胺前驅物410進行消泡處理時的困難度。 另外’在本發明第二實施例中，係建議在圖形化光敏性聚亞酿胺前驅物 之後，再對其做消泡處理，為一最佳模式。因為圖形化 聚亞醯胺 前驅物410之後，可以增^胺前驅物410的積多此， 因而可錢顧丄亦耳_以雜顧處 Φ殘留於光敏性聚亞醯胺前驅物内的風險。但是不代表本發明之應用， 就规在必須顧形化紐性聚亞__物之後，再對其做消泡處 理。熟悉此技藝者當可依其需要，在不脫離本發明之精神和範圍内，更動 消泡處理與圖形化光敏性聚亞醯胺前驅物410之間的順序。 請參考第4F ®，對圖形化的光敏性聚亞醯胺前驅物彻施以消泡處 理。例如使用加熱板(hotplate)(未繪示於圖面)或是其他加熱裝置，依照光敏 性聚亞醯胺前驅物410的性質，供烤光敏性聚亞_前驅物41〇，使氣泡 412在等壓的情況下，因溫度的升高而使其體積膨脹，而增加氣泡412在光 敏性聚亞醯胺前驅物410内的浮力，而使氣泡412加速逸出光敏性聚亞醯 0503-9698TWF 13 1302921 :之外⑽’上·處峨烤溫度，必舰於光敏性聚 i别驅物_的硬化溫度，以避免光敏性聚亞醯胺前驅物仙發生硬 化，而使氣泡412無法逸出光敏性聚亞醒胺前驅物410之外。以本發 ，實所使用的ASAffl公司出品之L_的光敏性聚亞醯胺前驅物為 例’，、如包處理的烘烤溫度較好為·t〜25〇t，而在本發明第一實施例所 使用的烘烤溫度為約25〇t ;而消泡處理的供烤溫度較好為$分鐘(含)以 上’而在本發娜二實補所使_烘烤溫度為約5分鐘。如果上述 $理烤溫度低於，酿舰果；而如紅料祕理的供烤 溫度面於25Gt： ’縣敏性聚亞_前驅物财開始硬化_向，而使 氣泡412 $容易逸出光敏性聚亞醯胺前驅物410之外。如有必要，可以再 加上-線上品管的步驟，檢測或監控製程上是否有異常情形的發生。如果 有例如乳泡4U未完全逸出光敏性聚亞醯胺前驅物之外、或其他異常 情形發生，可以即時作例如重工(rew〇rk)等的補救措施。 接下來’如第4F圖所經由上述的消泡處理之後，圖形化的光敏性 聚亞醯胺前驅物410内已無氣泡存在。 在元成光敏性聚亞醯胺前驅物41〇的圖形化之後，可依照製程需要，在 5光至喊將半導體基板移出黃光室外，進行其他的製程步驟，再進 籲讀光敏性聚魏胺脑物的硬化處理步驟；亦可以在完成光敏性聚 亞醯胺前驅物的圖形化之後，就將半導體基板4〇〇移出黃光室外，對 光敏性聚亞醯胺前驅物41〇施以硬化處理步驟。 口月參考弟4G圖’最後’對光敏性聚亞醯胺前驅物41〇施以硬化處理， 成為圖形化的聚亞酿胺層416。上述的硬化處理中，通常係將光敏性聚亞酿 胺月;1驅物410，加熱至低於其硬化溫度的預熱溫度下(通常為13〇。〇〜25〇。〇 預熱之後，再加熱至硬化溫度，使其發生聚合反應而硬化，最後成為圖形 化的聚亞醯胺層416。以本發明第二實施例所使用的ASAHI公司出品之 LS800的光敏性聚亞醯胺前驅物為例，其硬化溫度通常為25〇它〜4〇〇它，較

0503-9698TWF 14 1302921 ι 好為350t〜39(TC，更好躺35(TC ;而硬化處理的加熱溫度較好為約2小 時(含)以上。 本發明之特徵與效果： 如本發明第-及第二實施例所示，本發明之聚亞醯胺層的形成方法，係 •在圖形化光敏性聚亞醯胺前驅物之後，加上一消泡步驟，例如在低於上述 •光敏性聚亞醯胺前驅物的硬化溫度的一特定温度下(實施例中為2〇〇艺〜25〇 C) ’烘烤上述光敏性聚麵麟驅物，使其_氣泡逸出，而達到消泡的 目的。藉由即0請上述綠性聚亞醯胺_物進行消泡處理的步驟，以確 •保如因製程上的需要，而在對上述光敏性聚亞酸胺前驅物進行硬化處理之 、前，必須加上其他的製程步驟時，不會因為氣泡的存在而對上述製程及其 結果造成不良影響；亦可⑽免因上述製程步_處理，而意外地增加對 上述光敏性聚亞醯胺前驅物進行消泡處理時的困難度。 接下來’明翏考第5目’為-折線圖，係顯示本發明之聚亞醯胺層的形 成方法的具體成效。第5 _顯示的數據是在發辦請人的生產線上，實 施本發明之聚亞醯胺層的形成方法後，針對形成層後的51片晶圓施 、王‘的、、。果其中第5圖中的棱軸為晶圓編號，而縱軸為因聚亞醯胺層 中的氣泡而導致UBM層剝離而被判為不良品的晶片數量。而統計的結果顯 籲示僅有0·3%的晶片因聚亞醯胺層中的氣泡而導致刪層剝離而報廢，較 習知技術中裏〜60%的報廢率有明顯改善，係達成上述本發明之主要目的。 ★ _本發明已以触實關揭露如上，然錢_嫌定本發明，任何 熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動盘潤 飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準/、/ • 【圖式簡單說明】

第1諸圖為一系列之剖面圖，係顯禾美國專利第M92J98號所揭示 的-晶圓級晶片尺寸封裝中的聰^製程之流程。 0503-9698TWF 15 1302921 第2圖為之剖面圖，係顯示中華民國專利公告第撕⑽號之覆晶元 件之結構。 第3A 3G圖為一系列之剖面目，係顯示本發明第一實施例之聚亞酸胺 層的形成方法之流程。 第 ^ ®為系、列之剖面目，係顯示本發明第二實施例之聚亞酸胺 層的形成方法之流程。 第5圖為-折線圖’細示本個之聚亞_層的形成方法的具體成 效0 【主要元件符號說明】 4〜護層； 1〇〜覆晶凸塊； 42〜半導體基板； 46〜護層； 49〜開口 ； 52〜銅層； 100〜半導體基板； 210〜透明層； 222〜開口 ； 300〜半導體基板； 310〜光敏性聚亞醯胺前驅物； 314〜開口； 350〜顯影劑； 402〜銲墊； 412〜氣泡； 420〜護層； 2〜銲墊； 6〜UBM層； 41〜氣泡； 44〜銲墊； 48〜聚亞醯胺層，· 50〜UBM層； 54〜阻障層； I 200〜光罩； 220〜圖形化的不透明層； 230〜能量射線； 302〜銲墊； 312〜氣泡； 316〜聚亞醯胺層； 400〜半導體基板； 410〜光敏性聚亞醯胺前驅物； 414〜開口；

0503-9698TWF 16 1302921 424〜開口； 450〜顯影劑； 510〜透明層； 522〜開口； 416〜聚亞醯胺層； 500〜光罩； 520〜圖形化的不透明層； 530〜能量射線。

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Claims (1)

1. β02921 第94105550號申請專利範圍修正本十、申請專利範圍： 1· 一種聚亞醯胺（polyimide 提供一基板； i公 ，修正 修令日期农7.V4 )層的形成方法，包含： 於該基板上形成一圖形化的光敏性聚亞醯胺前驅 物；以及 在低於该光敏性聚亞醯胺前驅物之硬化溫度的一特 定溫度下，烘烤該光敏性聚亞醯胺前驅物，對該光敏性 聚亞酿胺前驅物進行消泡處理。 2.如申請專利範圍第丨項所述之聚亞醯胺層的形成 方法，其中形成該圖形化的光敏性聚亞醯胺前驅物更包 含： 使用旋轉塗佈法（Spin c〇ating)，將該光敏性聚亞 醯胺前驅物塗佈於該基板上； 提供一圖罩，具有一特定圖形； 2該圖罩為遮罩，使用一能量射線使該光敏性聚亞 醯胺前驅物曝光’將該特定圖形轉移至該光敏性聚亞酿 胺前驅物上；以及 1 將忒光破丨生水亞酿胺别驅物顯影，使該特定圖形顯 示於該光敏性聚亞醯胺前驅物上。 A、、、、 、3·如申請專利範圍帛2項所述之聚亞酿胺層的形成 方法’其中該能量射線為可見光、紫外線、X射線 子束。 /电 、4.如申請專利範圍第i項所述之聚亞醯胺層 方法，其中該特定温度為2〇〇π〜25〇π。 0503-9698TWF2/dwwang 18 1302921 第94105550號申請專利範圍修正本 R 修正日期：97·3·14 、·如申明專利範圍第丨項所述之聚亞醯胺層 ^法，其中烘烤該光敏性聚亞醯胺前驅物之時間為/分 • 、6•如申請專利範圍第1項所述之聚亞酿胺層的 _方法，其中烘烤該光敏性聚亞醯胺前驅物之時間為5分 _里0 7·如申請專利範圍第1項所述之聚亞醯胺層的形成 方法更包含·使該光敏性聚亞醯胺前驅物硬化而 籲一聚亞醯胺層的步驟。 #、、、 8· —種光敏性高分子（p〇lyn|er)層的形成方法，勹 含： 匕 提供一基板； 將一光敏性高分子層塗佈於該基板上； 提供一圖罩，具有一特定圖形； 以該圖罩為遮罩，使用一能量射線使該光敏性高分 子層曝光，將該特定圖形轉移至該光敏性高分子層上；刀 將該光敏性高分子層顯影，使該特定圖形顯示於該 光敏性咼分子層上；以及 在低於該光敏性高分子層之硬化溫度的一特定溫度 下，烘烤该光敏性高分子層，對該光敏性高分子層進 消泡處理。 9 9·如申請專利範圍第8項所述之光敏性高分子層的 形成方法，其中將該光敏性高分子層塗佈於該基板上 k ’係使用旋轉塗佈法（spin coating)。 0503-9698TWF2/dwwang 19 1302921 第94105550號申請專利範圍修正本 修正日期：97.3.14 …ίο.如+請專㈣圍第8項所述之光敏性高分子層的 形成方法，其中該能量射線為可見光、紫外線、X射i、 或電子束。 / 11·如申請專利範圍$ 8項所述之光敏性高分子層的 形成方法，其中該特定溫度為200。〇〜250艺。 /12·如申請專㈣_ 8項所述之光敏性高分子層的 ^/成方法纟巾烘烤该光敏性高分子層之時間為5分鐘 以上。 / 13·如申請專利範圍f 8項所述之光敏性高分子層的 形成方法’其中烘烤該光敏性高分子層之時間為5分鐘。 14·如申請專利範圍第8項所述之光敏性高分子層的 形成方法’更包含：硬化該光敏性高分子層的步驟。 15·—種聚亞醯胺（p〇lyimide)層的形成方法，適用 於半導體後段製程，包含： 提供一半導體基板，具有一導電層；（後段製程即金 屬化製私，其特徵在多敘述了此項元件；另外，可再芦 配附屬項claim 19) 以旋轉塗佈法形成一光敏性聚亞醯胺前驅物，覆蓋 該導電層； | 提供一圖罩，具有一特定圖形； 以该圖罩為遮罩，使用一能量射線使該光敏性聚亞 醯胺前驅物曝光，將該特定圖形轉移至該光敏性聚亞醯 胺前驅物上，暴露部分該導電層； 將该光敏性聚亞醯胺前驅物顯影，使該特定圖形顯 0503-9698TWF2/dwwang 20 ϋ02921 第94105550號申請專利範圍修正本 一 修正曰期：97.3.14 性聚亞酿胺前驅物上，以至少暴露部分該導 〜在低於光敏性聚亞酿胺前驅物之硬化溫度的-特 广溫度下’烘烤該光敏性聚亞醯坡前驅物，以對該光敏 性聚亞醯胺前驅物進行消泡處理。 成方1專·圍第15項所述之聚亞醒胺層的形 或一銲墊。 巧閘極、一金屬内連線結構、 成方專利範圍第15項所述之聚亞醯胺層的形 “中該能量射線為可見光、紫外線、χ射線、或 :如申:青專利範圍第15項所述之聚 成方法，其中該特定溫度為200t：〜25()t。 成方Ϊ如::專利範圍第15項所述之聚亞酿胺層的形 之時間為5分鐘以上。 私刚驅物進行消泡處理 2〇·如申請專利範圍第H g 成方法，其中對細二二項所逑之聚亞酿胺層的形 之時間為5分鐘Γ 胺前驅物進行消泡處理 成方Ϊ如更申f人專利Γ圍第15項所述之聚亞醯胺層的形 Λ ^ 匕3.使该光敏性聚亞醯胺前驅物硬化而成 為-聚亞醯胺層的步驟。 ㈣更化而成 22.—種半導體晶片，包含： 一半導體基板，具有一主動表面； 〇503-9698TWF2/dwwang 21 1302921 修正日期：97.3.14 第94105550號申請專利範圍修正本 一導電層，設於該主動表面上；以及 、一圖形化且經申請專利範㈣1項所述方法完成消 泡處理之聚亞醯胺層，於該導電芦 電層。 电層上亚暴露部分該導 23.如申請專利範圍第22項所述之 中該導電層為一閘極、一金屬内連 、體曰曰片八 羁鬥遝綠結構、或一銲墊。 種半導體晶片，適用於晶圓級封裝，包含. 一半導體基板’具有一主動表面； 一銲墊，設於該主動表面上； 一濩層，設於該主動表面上 墊；以及 上I至上暴露部分該銲 -封膠層，設於該護層上並暴 層包含一經申請專利範圍第i 巧且°亥封膠 之聚亞醯胺層。 _1項所逑方法完成消泡處理 25.如申請專利範圍第24項所述之半導 ，盆 中該護層為氮化矽層。 日日片其 0503-9698TWF2/dwwang 22