TWI301915B - - Google Patents

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1301915 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) (發明所屬技術領域） 本發明關於主動矩陣驅動方式光電裝置之技術領域， 關於在畫素電極與畫素開關用薄膜電晶體（Thin Fnm Transistor,以下稱T F T )之間取得電氣導通，在基板上 之積層構造中具備儲存電容或遮光膜的光電裝置之技術領 域。 (習知技術） 習知以T F T驅動之主動矩陣驅動方式之液晶裝置等 光電裝置，當於T F T之閘極介由掃描線被供給掃描信號 時，T F T成〇N狀態，介由資料線供至半導體層之源極 區域的影像信號則介由該T F T之源極/汲極間被供至畫 素電極。上述影像信號之供給，僅能介由各T F T以極短 時間對每一畫素電極進行，因此爲使介由T F T供給之影 像信號之電壓，可於遠較該0 N狀態時間長之時間內被保 持，一般均於各畫素電極附加儲存電容。 又，構成TFT之半導體層之通道區域或通道區域與 源極/汲極之接合區域以及與其鄰接之源極/汲極之至少 一部分被射入光時，將產生光激起，該T F T之電晶體特 性，例如0 F F狀態之漏電流將變爲增加。因此，爲防止 光射入引起之T F T特性變化，例如投影機用途之透過型 光電裝置等強力之射入光被射入型之光電裝置情況下，隙 針對投射光之射入側，覆蓋包含T F T之通道區域的畫素 電極間之間隙區域地於對向基板設遮光膜，或將A 1膜等 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

4 - 1301915 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 斜之射入光或反射光，傾斜射入後於積層構造內將引起多 重反射，最後進入通道區域或通道鄰接區域爲其問題點。 特別是，以反射率極高之A 1膜構成之資料線覆蓋射入光 側情況下，資料線寬越大，對射入光之遮光越接近完美， 但是資料線寬越大，反射光於面臨資料線之T F T側反射 或繼續於面臨T F T下側之遮光膜之T F T側反射，最後 照射通道區域或通道鄰接區域之可能性變高，此爲需解決 之問題點。又，T F T下側之遮光膜寬越大，對反射光之 遮光越完美，但是T F T下側之遮光膜寬越大，斜向之射 入光於遮光膜內面反射或於資料線內面反射，最後照射通 道區域或通道鄰接區域之可能性變高，此爲需解決之問題 點。特別是，單位面積之射入光或反射光強度極高之投影 .機用途之光電裝置，就影像品質提升而言，此問題急需予 以解決。 本發明有鑑於上述問題點，目的在於提供可提升畫素 開口率之同時，增大儲存電容量，可顯示高品位影像之光 電裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，本發明目的在於提供一種，提升畫素開口率之同 時可減少射入光或反射光引起之畫素開關用T F T之特性 變化，可顯示高品位影像之光電裝置。 (1 )本發明之第1光電裝置，其特徵爲具備：形成 於基板上的掃描線； 與上述掃描線交叉的資料線；連接於上述掃描線與上 述資料線的薄膜電晶體；連接於上述薄膜電晶體之汲極區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " 1301915 A7 _ B7 _ 五、發明説明（4 ) 域的畫素電極；及積層於上述掃描線層與上述資料線層之 間的第1儲存電容。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 依本發明該構成，利用積層構造，於掃描線層與資料 線層間形成第1儲存電容，使儲存電容增大，據以提供可 顯示高品位影像之光電裝置。 (2) 本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述第 1儲存電容，係由：第1電容電極；連接上述第1電容電 極的絕緣膜；及與上述第1電容電極介由上述絕緣膜呈對 向配置，構成電連接上述薄膜電晶體之汲極區域與上述畫 素電極的中繼膜之第2電容電極。 依本發明該構成，形成第1儲存電容之第2電容電極 ，係以電連接薄膜電晶體之汲極區域與畫素電極之中繼膜 .構成，故可解決畫素電極與半導體層間距離過長電連接困 難之問題。又，第2電容電極可防止接觸孔開孔時之蝕刻 穿透。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3) 本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述第 1儲存電容，係使上述薄膜電晶體之源極區域與上述資料 線之連接區域殘留，與上述薄膜電晶體之半導體層及上述 掃描線之各個區域重疊般形成。 依本發明該構成，於半導體層及掃描線之各區域重疊 般形成，可提升畫素開口率之同時，增大儲存電容。 (4 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，另具備 第2儲存電容，上述第2儲存電容係由：上述第2電容電 極；連接上述第2電容電極的絕緣膜；及與上述第2電容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1301915 A7 __ B7 _ 五、發明説明（5 ) 電極介由絕緣膜呈對向配置，與上述掃描線由同一膜構成 的第3電容電極構成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依本發明該構成，利用形成第1儲存電容之第2電容 電極及掃描線層形成第2儲存電容，故可於基板厚度方向 疊層儲存電容，即使畫素間距微細化，亦可於非畫素開口 區域內構築較大儲存電容。又，第3電容電極，係和掃描 線由同一膜構成，故可藉較少層數積層構造構築儲存電容 0 (5 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述第 3第3電容電極，係使上述薄膜電晶體之汲極區域與上述 第2電容電極之連接區域殘留，與上述掃描線並行地形成 〇 依本發明該構成，第3電容電極，係與掃描線並行形 成，可利用非畫素開口區域增大儲存電容。 (6 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述第 3電容電極，係與上述第1電容電極電連接。 依本發明該構成，第1電容電極與第3電容電極不存 在電位變動，可防止對薄膜電晶體特性之影響於未然。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (7 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述第 3電容電極與上述第1電容電極間之電連接部，係位於上 述資料線之下方區域。 依本發明該構成，畫素電極間之間隙區域中資料線下 方之所謂無法用作爲各畫素開口區域之區域，可被利用作 爲第3電容電極與第1電容電極之連接，對畫素高開口率 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1301915 A7 _____ B7 五、發明説明（6 ) 化之達成極有利。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (8 )本發朋第1之光電裝置之其他態樣中，上述第 3電容電極，係由沿上述掃描線延伸之第1電容線之一部 分構成；上述第1電容電極，係由沿上述掃描線延伸之第 2電容線之一部分構成；上述第1電容線及上述第2電容 線，係延伸設置在配置有上述畫素電極之畫素顯示區域周 邊而被電連接。 依本發明該構成，包含沿掃描線配列之多數第3電容 電極的第1電容線，與包含沿掃描線配列之多數第1電容 電極的第2電容線，係於影像顯示區域外側互爲電連接， 第3電容電極與第1電容電極較簡單且確實可介由第1極 第2電容線互爲電連接。又，於影像顯示區域內不必設兩 者連接用接觸孔，故可增大儲存電容。 (9 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，另具備 第3儲存電容，上述第3儲存電容係由：上述第3電容電 極；連接上述第3電容電極的絕緣膜；及與上述第3電容 電極介由上述絕緣膜呈對向配置，與上述半導體層由同一 膜構成的第4電容電極構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，利用形成第2儲存電容之第3電容 電極及半導體層形成第3儲存電容，故可於基板厚度方向 疊層儲存電容，即使畫素間距微細化，亦可於非畫素開口 區域內構築較大儲存電容。又，第4電容電極，係和半導 體層由同一膜構成，故可藉較少層數積層構造構築儲存電 容。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公^ 1301915 A7 B7 五、發明説明（7 ) (1 0 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述 第4電容電極，係由上述薄膜電晶體之汲極區域延伸形成 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依本發明該構成，可利用薄膜電晶體之汲極區域形成 儲存電容。 (1 1 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述 第4電容電極，係與上述掃描線並行形成。 依本發明該構成，第3電容電極係與掃描線並行形成 ，可利用非畫素開口區域增大儲存電容。 (1 2 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述 第2儲存電容之電容量，係小於上述第1儲存電容及上述 第3儲存電容之各電容量。 依本發明該構成，將以第1電容電極與和掃描線由同 一膜構成之第3電容電極構成之第2儲存電容設爲較小， 在不影響T F T之誤動作情況下可形成電容。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1 3 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，另具 備第4儲存電容，上述第4儲存電容係由：與上述半導體 層由同一膜構成之上述第4電容電極；連接上述第4電容 電極的絕緣膜；及與上述第4電容電極介由上述絕緣膜呈 對向配置，遮蔽上述半導體層的第5電容電極構成。 依本發明該構成，利用與形成第3儲存電容之半導體 層由同一膜構成之第4電容電極，及遮光半導體層之遮光 膜形成第4儲存電容，故可於基板厚度方向疊層儲存電容 ，即使畫素間距微細化，亦可於非畫素開口區域內構築較 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） - 10 - 1301915 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 大儲存電容。又，第5電容電極，係由遮光膜構成，故可 藉較少層數積層構造構築儲存電容。另外，遮光膜，至少 由基板側看通道區域被覆蓋，故可有效防止基板側之回折 光射入通道區域，使薄膜電晶體特性變化。 (1 4)本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述 第5電容電極，係在畫素顯示區域周邊電連接上述第1電 容電極。 依本發明該構成，上述第1電容電極、第5電容電極 ，甚而第3電容電極可設爲共通電位，可形成穩定之儲存 電容。 (1 5 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，另具 備第5儲存電容，上述第5儲存電容係由：上述第1電容 電極；積層於上述第1電容電極的絕緣膜；及與上述第1 電容電極介由上述絕緣膜呈對向配置，構成上述畫素電極 的第6電容電極構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，利用形成第1儲存電容之第1電容 電極，及畫素電極形成第5儲存電容，故可於基板厚度方 向疊層儲存電容，即使畫素間距微細化，亦可於非畫素開 口區域內構築較大儲存電容。又，第6電容電極，係由畫 素電極構成，故可藉較少層數積層構造構築儲存電容。 (1 6 )本發明第1之光電裝置之其他態樣中，上述 第5儲存電容，係在一畫素之略全周範圍內形成。 依可利用一畫素之周邊區域增大儲存電容。 (1 7)本發朋第2光電裝置，其特徵爲具備：形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1301915 A7 _____ B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於基板上的掃描線；形成於上述基板上的資料線；連接於 上述資料線的薄膜電晶體；連接於上述薄膜電晶體之汲極 區域的畫素電極；上述薄膜電晶體之通道區域，於上述通 道區域上介由聞極絕緣膜配置上述掃描線；及構成儲存電 容之電容電極的遮光性導電膜，上述導電膜係較上述掃描 線配置於更上方，覆蓋上述薄膜電晶體之至少通道區域。 依本發明該構成，基板上形成之通道區域上，依序積 層閘極絕緣膜、掃描線、導電膜。此種積層構造中，藉遮 光性導電膜可遮斷通道區域。又，導電膜，亦作爲儲存電 容之電容電極功能，因此可藉較少層數之積層構造充分進 行通道區域之遮光，且可構築儲存電容。 (1 8 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 .導電膜，係覆蓋上述薄膜電晶體之通道區域、上述薄膜電 晶體之源極區域與上述通道區域間之接合區域、上述薄膜 電晶體之汲極區域與上述通道區域間之接合區域、及鄰接 上述各接合區域的源極區域及上述汲極區域中之至少之一 部分。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，不僅通道區域，包含源極/汲極區 域與通道區域之接合區域，及與該接合區域鄰接之源極/ 汲極區域之至少一部分被以導電膜覆蓋.，例如即使對 L D D構造之薄膜電晶體中之低濃度區域之射入光亦可充 分遮光，可減少薄膜電晶體之特性變化。 (1 9 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 儲存電容，係由：構成上述儲存電容之一方電容電極的第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -12- 1301915 A7 __ B7 _ 五、發明説明（10 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1導電膜；及構成上述儲存電容之另一方電容電極的第2 導電膜；上述第2導電膜，係電連接成爲上述汲極區域之 半導體層與上述畫素電極。 依本發明該構成，成爲上述儲存電容之另一方電極之 第2導電膜，係作爲汲極區域及畫素電極之中繼導電膜之 功能，故可防止連接畫素電極與汲極區域之接觸孔開孔時 之蝕刻穿透。亦即，汲極區域，係介由汲極區域上形成之 接觸孔連接第2導電膜，畫素電極，係介由第2導電膜上 形成之接觸孔連接第2導電膜，需2個接觸孔，接觸孔爲 短距離，故蝕刻深度控制容易，可防止穿透。 (2 0 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第2導電膜，係覆蓋上述薄膜電晶體之通道區域、上述薄 .膜電晶體之源極區域與上述通道區域間之接合區域、上述 薄膜電晶體之汲極區域與上述通道區域間之接合區域、及 鄰接上述各接合區域的源極區域及上述汲極區域中之至少 之一部分。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，通道區域，係由其上方配置之掃描 線，及第1導電膜遮光，再度由掃描線與第1導電膜間配 置之第2導電膜進行遮光，可藉3重膜遮光，通道區域之 遮光效果更能提升。 (2 1 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 通道區域，係由介由絕緣膜較上述第1導電膜配置於更上 方之上述資料線所覆蓋。 依本發明該構成，通道區域，係由其上方配置之掃描 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -13- 1301915 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 線，及第1導電膜遮光，又，除第2導電膜之外，再由其 上配置之資料線進行遮光，可藉4重膜進行遮光，通道區 域之遮光效果更能提升。而且，於第1導電膜上方配置資 料線，可抑制第1導電膜之光吸收引起之溫度上升。 (2 2 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，另具 有和上述掃描線以同一膜構成之第3導電膜，上述第3導 電膜，係介由層間絕緣膜與上述第2導電膜呈對向配置。 依本發明該構成，藉第1導電膜與第2導電膜之重疊 增加儲存電容之外，第2導電膜與第3導電膜介由層間絕 緣膜對向配置，故可於基板厚度方向疊層儲存電容，即使 畫素間距微細化，亦可於非畫素開口區域內構築較大儲存 電容。又，第3導電膜，係和掃描線由同一膜構成，故可 藉較少層數積層構造構築儲存電容。 (2 3 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，另具 有和上述汲極區域以同一膜構成之第4導電膜，上述第4 導電膜，係介由上述閘極絕緣膜與上述第3導電膜呈對向 配置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，與第3導電膜介由閘極絕緣膜對向 配置和汲極區域由同一膜構成之第4導電膜，可於基板厚 度方向再度疊層儲存電容，亦即，第1導電膜與第2導電 膜之疊層之儲存電容，及第2導電膜與第3導電膜之疊層 之儲存電容，及第3導電膜與第4導電膜之疊層之儲存電 容，使於基板厚度方向疊層儲存電容，故即使畫素間距微 細化，亦可於非畫素開口區域內構築較大儲存電容。又， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -14 - 1301915 A7 B7 五、發明説明（12) 第4導電膜，係和汲極區域由同一膜構成，故可藉較少層 數積層構造構築儲存電容。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (2 4 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第1導電膜與上述第3導電膜係互爲電連接。 依本發明該構成，可挾持第2導電膜形成2個儲存電 容。 (2 5 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第2導電膜與上述第4導電膜係互爲電連接。 依本發明該構成，可挾持第3導電膜形成2個儲存電 容。. (2 6 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第1導電膜與上述第3導電膜係互爲電連接，上述第2導 電膜與上述第4導電膜係互爲電連接。 依本發明該構成，於基板厚度方向配列之第i導電膜 與第3導電膜，及第2導電膜與第4導電膜，係構築梳齒 狀咬合形狀之儲存電容。因此，於非畫素開口區域可構築 更大儲存電容。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2 7 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第1導電膜係被上述通道區域覆蓋，於上述通道區域及其 附近區域上，就平面看上述資料線係未露出於上述第1導 電膜般形成。. 依本發明該構成，第1導電膜覆蓋上述通道區域，故 即使對斜向射入光亦可防止其射入通道區域。而且，於通 道區域上，就平面看資料線形成不突出於第1導電膜。資 本&張尺度適财關家標準（CNS ) A4規格（21G X 297公釐）— -- -15- 1301915 A7 B7 五、發明説明（13) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 料線與第1導電膜，位於更接近通道區域之第1導電膜形 成更寬，故可防止斜向射入光之射入通道區域，而且可防 止資料線之反射光射入通道區域。 (2 8 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第1導電膜，係由反射率較上述資料線低之膜構成。 依本發明該構成，第1導電膜之反射率低於資料線之 反射率，故斜向回折光引起之射入通道區域之反射光或多 重反射光，如本發明般於第1導電膜下方面被反射之情況 ，和在資料線下方面被反射之情況比較，因反射率較低而 被衰減部分之光被射入，故可抑制反射光之影像。亦即， 本發明情況下，即使第1導電膜下方側引起之反射光或多 重反射光射入通道區域，該光之強度亦被衰減，故可抑制 薄膜電晶體之特性變化。又，對斜向射入光，亦可藉擴大 第1導電膜之寬，充分進行通道區域之遮光。 (2 9 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第1導電膜及上述資料線，係由至少含有A 1之膜構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，使射入光由資料線及第1導電膜反 射，可防止光電裝置之溫度上升，又，第1導電膜可構成 低電阻。 (3 0 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，另具 有在上述基板上較上述半導體層配置於更下方之底層遮光 膜，上述底層遮光膜，由上述基板之相反側看時至少覆蓋 上述通道區域之同時，於上述通道區域及其附近區域上， 就平面看上述底層遮光膜係未露出於上述第1導電膜般形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚) -16- 1301915 A7 B7 _ 五、發明説明（14) 成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依本發明該構成，於通道區域上方形成掃描線，第1 導電膜，資料線，故可防止光由上方照射通道區域，又， 於通道區域下方配置底層遮光膜，通道區域可被上下遮光 。特別是，底層遮光膜覆蓋通道區域，因此藉底層遮光膜 可防止來自基板相反側之光（回折光）照射通道區域。又 ，於通道區域及其近接區域，就平面看底層遮光膜形成不 較第1導電膜突出，可防止射入光於底層遮光膜反射照射 於通道區域。又，即使因多重反射而存在照射通道區域之 斜向回折光時，其大部分被反射率低之第1導電膜反射而 射入通道區域，於通道區域被射入衰減過之光，可防止反 射率高之資料線反射之光被照射於通道區域。因此，即使 .發生多重反射，亦可極度抑制對通道區域之影響。 (3 1 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第1導電膜與上述底層遮光膜中至少一方係由高熔點金屬 構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，第1導電膜或底層遮光膜，係由例 如包含非透明高熔點金屬之T i 、C r、W、T a、Μ 〇 、及Ρ b等之至少一種的金屬單體、合金、金屬矽化物等 構成。因此，藉高溫處理，第1導電膜或底層遮光膜不會 被破瓌、溶融。例如資料線材料一般使用A 1，其資料線 之反射率大於8 〇 %，但本發明中，構成第1導電膜之 T i、C r、W等之高熔點金屬之反射率較其顯著低，故 可充分發揮效果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚) '~ -17- 1301915 A7 B7 五、發明説明（15) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (3 2 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，於上 述資料線下方，上述第1導電膜與上述第2導電膜係略同 尺寸。 依本發明該構成，第1導電膜之尺寸與第2導電膜略 相同，因此藉第1導電膜之內面反射可防止光侵入通道層 ，而且第2導電膜與第1導電膜略同尺寸，第1導電膜之 面積可增大，儲存電容可增大。 (3 3 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第1導電膜，係由配置有上述畫素電極之影像顯示區域朝 其周圍延伸設置且於該周邊區域連接定電位源。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，第1導電膜，不僅作爲遮光膜功能 ，亦爲儲存電容之一方電極，且作爲電容線功能，故可用 較少層數之積層構造充分進行通道區域之遮光，且電容線 可構築具備連接定電位源之電容電極的儲存電容。此時， 可由第1導電膜構成電容電極，或由與第1導電膜不同之 導電膜構成電容電極或其他電容線（互爲冗長之電容線） 。而且，遮光區域（各畫素之非開口區域）可有效利用將 電容電極連接定電位源。又，該定電位源，若利用設於周 邊區域之資料線驅動電路、掃描線驅動電路等周邊電路用 定電位源，則不必設專用定電位源，較有效。 (3 4 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 第3導電膜，係由沿上述掃描線由上述影像顯示區域朝其 周圍延伸設置且於該周邊區域連接定電位源的電容線構成 ，第1導電膜，係連接上述電容線。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -18- 1301915 A7 B7 五、發明説明（16 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依本發明該構成，第1導電膜，係連接電容線，可介 由電容線將第1導電膜電位保持一定，即使第1導電膜配 置於通道區域附近，亦可預先防止因第1導電膜之電位變 動對薄膜電晶體之特性之不良影響。又，第1導電膜用作 爲電容電極時，第1導電膜之電位可由電容線固定，可作 爲電容電極之良好功能。 (3 5 )本發明第2之光電裝置之其他態樣中，上述 底層遮光膜，係由遮光性導電膜搆成，依每一畫素連接上 述電容線。 依本發明該構成，底層遮光膜，係依每一畫素連接電 容線，可介由電容線將底層遮光膜之電位保持一定，即使 底層遮光膜配置於通道區域附近，亦可預先防止因底層遮 光膜之電位變動對薄膜電晶體之特性之不良影響。又，底 層遮光膜用作爲電容電極時，底層遮光膜之電位可由電容 線固定，可作爲電容電極之良好功能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (36)本發明第3光電裝置，其特徵爲具備：薄膜 電晶體；介由第1連接部電連接上述薄膜電晶體之半導體 層的資料線；與上述薄膜電晶體之半導體層重疊的掃描線 ;介由第2連接部電連接上述薄膜電晶體之半導體層的資 料線；及避開上述第1連接部及上述第2連接部而配置於 上述資料線及上述掃描線之區域的遮光膜。 依本發明該構成，藉遮光膜可遮蔽畫素電極周邊發生 之對比不良區域。 (3 7 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 本^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐) -19- 1301915 Α7 五、發明説明（17) Μ光膜，係與上述畫素電極之緣部重疊。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依本發明該構成，藉遮光膜遮蔽資料線及掃描線之區 域，可界定非開口區域。 (3 8 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，另於 上述半導體層下方具有下部遮光膜，上述薄膜電晶體之至 少〜部分係被上述遮光膜及上述下部遮光膜挾持。 依本發明該構成，藉遮光膜及下部遮光膜防止光射入 薄膜電晶體，可抑制薄膜電晶體之特性變化。 (3 9 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 下部遮光膜，係沿上述資料線及上述掃描線之至少一方延 伸設置。 依本發明該構成，僅以具薄膜電晶體之基板，可提升 非畫素開口區域之遮光性。 (4 0 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 下部遮光膜之至少面對上述薄膜電晶體測之面，係以反射 防止膜形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，當射入光照射下部遮光膜時，藉反 射防止膜可防止光反射至薄膜電晶體之通道區域或通道鄰 接區域。 (4 1 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，另具 有構成上述半導體層與上述畫素電極間之電連接的導電性 中繼膜。 依本發明該構成，連接畫素電極與汲極區域之接觸孔 開孔引起之蝕刻串可被防止。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -20- 1301915 A7 B7 五、發明説明（18) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (4 2 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 中繼膜，係避開連接上述半導體層及上述資料線之上述第 1連接部，而配置於上述資料線及上述掃描線之區域。 依本發明該構成，可確保連接半導體層與資料線之第 1連接部之區域，可提升遮光性能。 (4 3 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 中繼膜，係配置於避開上述遮光膜之連接上述半導體層與 上述畫素電極之上述第2連接部之區域。 依本發明該構成，對遮光膜無法遮光之半導體層與畫 素電極間之第2連接部之區域可施以遮光，故沿掃描線之 區域可完全被遮光。 (4 4 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 資料線係以遮光性材料形成。 依本發明該構成，可更提升遮光性能。 (4 5 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，於上 述資料線與上述畫素電極間形成間隙，上述遮光膜係配置 於上述間隙之區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，資料線與畫素電極間之寄生電容可 減少，同時可以遮光膜遮蔽其間，可界定畫素開口區域。 (4 6 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 資料線，係配置於避開上述遮光膜之連接上述半導體層與 上述資料線之上述第1連接部之區域。 依本發明該構成，對遮光膜無法遮光之半導體層與資 料線間之第1連接部之區域可施以遮光，故沿資料線之區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -21 - 1301915 A7 B7 五、發明説明（19) 域可完全被遮光。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (4 7 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，非畫 素開口區域，係由上述遮光膜及上述下部遮光膜形成。 依本發明該構成，遮光膜與下部遮光膜間之距離越短 ，薄膜電晶體之遮光性能越能提升。 (4 8 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 掃描線，係延伸於上述非畫素開口區域之略中心。 依本發明該構成，和掃描線以同一膜形成儲存電容茲 電容電極若不必形成，則掃描線可沿非畫素開口區域之略 中心延伸，薄膜電晶體之通道區域及其附近之遮光性能更 能提升。 (4 9 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，在包 含上述薄膜電晶體之通道區域之周邊，於上述遮光膜之內 側存在有上述中繼膜，於上述中繼膜之內側區域存在有上 述下部遮光膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明該構成，由遮光膜側射入之光，不直接照射 下部遮光膜，因此可減低下部遮光膜反射之光之射入薄膜 電晶體。 (5 0 )本發明第3之光電裝置之其他態樣中，上述 半導體層，係位於上述資料線之內側區域。 依本發明該構成，半導體層形成於資料線區域內，可 減低光射入半導體層。伴隨此，半導體層不延伸於掃描線 ，因此非畫素開口區域可構成窄間距之同時，遮光性能可 提升。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1301915 A7 _____ B7 五、發明説明（20) (發明之實施形態） 以下依圖面說明本發明之實施形態。 (第1實施形態） 參照圖1 一圖1 1說明本發明光電裝置之一例之液晶 裝置之構成。圖1係構成液晶裝置之影像顯示區域之矩陣 狀形成之多數畫素中各種元件、配線等之等效電路圖。圖 2係形成有資料線、掃描線、畫素電極等之τ F T陣列基 板之鄰接之多數畫素群之平面圖。圖3係圖2之A — A，線 斷面圖。圖3中，各層或各構件以可於圖面上辨識之尺寸 描繪，故各層或各構件之縮尺不同。 於斷1，構成本實施形態之液晶裝置之影像顯示區域 的矩陣狀形成之多數畫素，係形成有畫素電極9 a極控制 畫素電極9 a之T F T 3 0，被供給有影像信號之資料線 6 a係電連接τ F T 3 0之源極。寫入資料線6 a之影像 號S 1、S 2 ........ s η係依線順序被供給亦可，對 鄰接之多數資料線6 a依每一群供給亦可·又，於 T F T 3 0之閘極電連接掃描線3 a，以特定時序，將掃 描信號G 1、G 2 ........G m依線順序施加。畫素電極 9 a係電連接τ F T 3 0之汲極，令開關元件之 T F T 3 0僅關閉一定期間，據以將由資料線6 a供給之 影像信號S 1、S 2 ........ S η以特定時序寫入。介由 畫素電極9 a寫入液晶之特定位準之影像信號S 1、S 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 零裝· 訂 經濟部智慧財產局員X消費合作社印製 1301915 A7 B7 五、發明説明（21 ) ........S η，係於對向基板（後述）上形成之對向電極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (後述）間被保持一定期間。液晶，係依施加之電壓位準 變化分子集合之配向或秩序，據以調變光，或顯示階層者 。常白模態情況下，射入光之透過光量隨施加之電壓減少 ，常黑模態情況下，射入光之透過光量隨施加之電壓增加 ，全體而言由液晶裝置射出響應於影像信號之對比。爲防 止保持之影像信號之漏電，和畫素電極9 a與對向電極間 形成之液晶電容並列地附加儲存電容7 0。儲存電容7 0 ，係在電連接畫素電極9 a之一方電容電極，與電連接被 供給定電位之電容線3 0 0之另一方電容電極間介由介電 體膜形成。藉該儲存電容7 0，例如畫素電極9 a之電壓 被保持較源極電壓施加時間長3位數之時間。依此則保持 特性更改善，可實現對比高之液晶裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2中，於液晶裝置之T F T陣列基板上設矩陣狀多 數透明之畫素電極9 a (畫素電極端9 a’以虛線部表示） ，沿畫素電極9 a之縱橫境界設置資料線6 a、掃描線 3a。半導體層la之中與通道區域la’ （圖中右下斜 線區域）對向般配置掃描線3 a，掃描線3 a作爲閘極功 能。如上述分別於掃描線3 a與資料線6 a之交叉處，掃 描線3 a之一部分作爲閘極，設置與通道區域1 a ’對向 配置之T F T 3 0。畫素電極9 a，係以中間導電膜之中 繼膜8 0 a爲中繼，介由接觸孔8 a及8 b電連接半導體 層1 a之汲極。資料線63，介由接觸孔5電連接後述之 多晶矽膜構成之源極區域。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1301915 A7 B7__ 五、發明説明（ 22) 又，介由由半導體層1 a延伸之電容電極1丨（第4 電容電極）及後述之閘極絕緣膜至少部分重疊般，設置和 掃描線3 a由同一膜構成之電容電極3 b (第3電容電極 )亦可。依此則可形成圖1之儲存電容7 〇之至少一部分 〇 又，於圖2之粗線所示區域，使沿掃描線3 a通過 TFT3 0之下側般設底層遮光膜1 1 a。更具體言之爲 ，底層遮光膜1 1 a，係設於由T F T陣列基板側看分別 至少覆蓋TFT之通道區域la’及該通道區域la’與 源極及汲極區域之接合區域之位置。又，沿掃描線3 a之 方向由畫素電極9 a被以矩陣狀形成之影像顯示區域向其 周圍延伸設置，於周邊區域連接定電位源亦可。如上述將 底層遮光膜1 1 a之電位固定於定電位，可防止 T F T 3 0之誤動作。定電位源有例如供至驅動該液晶裝 置之周邊電路，例如掃描線驅動電路、資料線驅動電路等 之負電源、正電源等之定電位源，接地電源，或供至對向 電極之定電位源等。電位位準較好設爲供至掃描線3 a之 掃描信號之〇 F F位準。依此則與掃描線3 a之間幾乎不 發生寄生電容，供至掃描線3 a之掃描信號幾乎不發生延 遲。 本實施形態中，特別在右上斜線區域形成遮光性導電 膜（第1電容電極）9 0 a。遮光性導電膜9 〇 a，形成 於掃描線3 a與資料線6 a間之層間，除接觸孔&及接觸 孔8 b之形成區誤以外，與資料線6 a或掃描線3 a等之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-25- A7 B7 1301915 五、發明説明（23 ) 配線及T F T 3 0或儲存電容之形成區域由平面看可重疊 ，因此可實現T F T陣列基板上之遮光。又，遮光性導電 月旲9 〇 a，係沿掃描線3 a方向由影像顯不區域向其周圍 延伸，於周邊區域可連接定電位源。因此遮光性導電膜 9 〇 a可作爲圖1之電容線3 0 0之功能。又，介由接觸 孔9 5連接和掃描線3 a以同一膜形成之電容電極3 b， 藉供給定電位，可容易於電容電極1 f間隙形成儲存電容 7 〇。定電位源有例如供至驅動該液晶裝置之周邊電路， 例如掃描線驅動電路、資料線驅動電路等之負電源、正電 源等之定電位源，接地電源，或供至對向電極之定電位源 等。 如圖3斷面圖所示，本實施形態之液晶裝置，係具備 :構成檄勹弓之一例的透明之T F T陣列基板1 0，及與 其對向配置之透明之對向基板2 0。T F T陣列基板1 0 ，由例如石英基板或玻璃基板或矽基板等構成，對向基板 2 0係由例如玻璃基板或石英基板構成。於T F T陣列基 板1 0，設I T〇等透明導電膜構成之畫素電極9 a，液 晶層5 0使用T N ( Twisted Nematic )液晶時，於畫素電 極9 a表面設施以摩擦處理等之特定配相處裡的配向膜 16。 另外，於對向基板2 0，於全面設I T〇等透明導電 膜構成之對向電極2 1，於對向電極2 1表面設施以摩擦 處理等之特定配相處裡的配向膜2 2。 於T F T 3 0對向位置，於T F T陣列基板1 0與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1301915 A7 B7 五、發明説明（26) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C V D ( Chemical Vapor Deposition )等形成亦可。於鬧極 絕緣膜2配置例如注入磷之低電阻多晶矽膜形成之掃描線 3 a，與半導體層1 a重疊之部分之掃描線3 a作爲閘極 功能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 半導體層1 a上形成之閘極絕緣膜2及掃描線3 a上 ，藉C V D等沈積層間絕緣膜8 1，於高濃度汲極區域 1 e之特定位置，對閘極絕緣膜2及層間絕緣膜8 1開設 接觸孔8 a。介由接觸孔8 a電連接高濃度汲極區域1 e 與導電性中繼膜8 0 a。於中繼膜8 0 a依序沈積層間絕 緣膜9 1、層間絕緣膜4、層間絕緣膜7，對該層間絕緣 膜於中繼膜8 0 a (第2電容電極）之特定位置開設接觸 孔8 b。介由接觸孔8 b電連接中繼膜8 0 a與畫素電極 9 a。中繼膜8 0 a作爲電連接半導體層1 a與畫素電極 9 a之中間導電膜功能。藉中繼膜8 0 a，針對由畫素電 極9 a至半導體層1 a止之長距離，不需開設接觸孔，因 此可防止例如約5 0 n m之極薄膜厚之半導體層1 a之穿 透。又，接觸孔可分別開設，具接觸孔8 a極接觸孔8 b 之直徑可分別縮小之優點。因此，接觸孔8 a及接觸孔 8 b知形成區域較小即可，可提升畫素開口率，實現高精 細化。中繼膜8 0 a之材質，和底層遮光膜1 1 a同樣， 可以包含非透明高熔點金屬之Ti 、Cr、W、Ta、 Μ ο、及P b等之至少一種的金屬單體、合金、金屬矽化 物等構成，如此則亦可作爲遮光膜。又，鈾刻之選擇比高 ，故即使中繼膜8 〇 a以例如約5 0 n m之膜厚形成，於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29- 1301915 A7 B7 五、發明説明（27) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接觸孔8 b開孔時亦不會穿透中繼膜8 0 a。掃描線3 a 與中繼膜8 0 a絕緣用之層間絕緣膜8 1不會影響 T F T 3 〇之開關動作般形成例如約5 〇 〇 ^ m以上之膜 厚，則中繼膜8 0 a就平面看可設成與T F T 3 0或掃描 線3 a重疊。依此則可於資料線6 a下方且於構成 T F 丁 3 0之半導體層1 a附近進行遮光，故不會有射入 光直接照射通道區域1 a ’或其接合區域之低濃度源極區 域1 b及低濃度汲極區域1 c，或因資料線6 a等反射之 光被照射之情況。因此，可大幅降低T F T 3 0之〇F F 時之漏電流，提升保持特性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態中，如圖3所示，於中繼膜8 0 a介由層 間絕緣膜9 1形成遮光性導電膜9 0 a。遮光性導電膜 .9 0 a，如上述可遮蔽除接觸孔5及8 b之非畫素開口區 域。又，遮光性導電膜9 0 a可作爲斷1之電容線3 0 0 功能，故於遮光性導電膜9 0 a與中繼膜8 0 a間可以層 間絕緣膜9 1作爲介電體膜形成儲存電容7 0之至少一部 分。亦即，中繼膜8 0 a及遮光性導電膜9 0 a作爲形成 儲存電容7 0之電極功能。又，於構成T F T 3 0之半導 體層1 a之最接近處累中繼膜8 0 a及遮光性導電膜 9 0 a之2層遮光。依此則可大幅降低T F T 3 0之 〇F F時之漏電流，對投射型投影機等強光源下使用之液 晶裝置極有利。遮光性導電膜9 0 a之材質，和底層遮光 膜1 1 a或中繼膜8 0 a同樣，以包含非透明高熔點金屬 之Ti、Cr、W、Ta、Mo、及Pb等之至少一種的 本紙張尺度適用中國國家標準（cns ) A4規格（21 ox297公釐) -30- 1301915 A7 B7 五、發明説明（30) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 緣膜9 1可用氧化膜或氮化膜等絕緣性及介電係數高之膜 。又，中繼膜8 0 a以多晶矽膜形成，遮光性導電膜 9 0 a，其下層以多晶矽膜，上層以含高熔點金屬之遮光 膜之多層構造構成，則層間絕緣膜9 1可以多晶矽膜之連 續工程形成，可形成較少缺陷、緻密之絕緣膜。依此則裝 置缺陷減少，層間絕緣膜9 1 a可形成1 〇 〇 n m以下之 膜厚，第1儲存電容C 1更增大。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖6係中繼膜8 0 a與電容電極3 b間形成之第2儲 存電容C 2。介電體膜用層間絕緣膜8 1。交叉斜線區域 實際上係第2儲存電容C 2之形成區域。電容電極3 b， 係於電連接半導體層Γ a與中繼膜8 0 a之接觸孔8 a之 區域，依各畫素分斷，於接觸孔9 5電連接上方之遮光性 導電膜9 0 a。如圖6所示，電容電極3 b以T字形形成 ，則可有效形成第2儲存電容C 2。層間絕緣膜8 1可用 氧化膜或氮化膜等絕緣性及介電係數高之膜。但是，電容 電極3 b係和掃描線3 a以同一膜形成，故第2儲存電容 C 2之可形成區域小於六5之第1儲存電容C 1之形成區 域。又，以中繼膜80 a遮蔽通道區域la’及其鄰接區 域時，爲防止T F T 3 〇之誤動作層間絕緣膜8 1之膜厚 需500nm以上，故第2儲存電容C2無法如第1儲存 電容C 1般增大。 圖7係電容電極3 b與電容電極1 f間形成之第3儲 存電容C 3。介電體膜用閘極絕緣膜2。交叉斜線區域實 際上係第3儲存電容C 3之形成區域。閘極絕緣膜2，如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -33- 1301915 A7 _____ B7 _ 五、發明説明（31 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述般，於1 0 0 0度以上高溫形成，故可形成緻密、高 絕緣性之膜。因此，第3儲存電容C 3之可形成面積，雖 大致和圖6之第2儲存電容C2之形成區域相同，但第3 儲存電容C 3可形成較第2儲存電容C 2大。又，在電連 接電容電極3 b與上方之遮光性導電膜9 0 a之接觸孔9 5之形成區域下方亦可形成第3儲存電容C 3。 又，如圖8所示，於電容電極1f與底層遮光膜 1 1 a間可形成第4儲存電容C 4。介電體膜用底層絕緣 膜1 2。交叉斜線區域實際上係第4儲存電容C 4之形成 區域。底層絕緣膜1 2以5 0 0 n m以下膜厚形成，則因 通道區域1 a ’與底層遮光膜1 1 a間之距離更接近， TFT3 0將因底層遮光膜1 1 a之電位而誤動作。因此 .令電容電極1 f與底層遮光膜1 1 a就平面看成重疊之區 域之底層絕緣膜1 2選擇性薄膜化，而增大第4儲存電容 C 4亦可。亦即，令半導體層1 a對向之底層絕緣膜1 2 之區域以外部分薄膜化，可增大第4儲存電容C 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，如圖9所示，於畫素電極9 a與遮光性導電膜 9 0 a間可形成第5儲存電容C 5。介電體膜用層間絕緣 膜4及層間絕緣膜7。交叉斜線區域實際上係第5儲存電 容C 5之形成區域。層間絕緣膜4及層間絕緣膜7，例如 由N S G、P S G、B S G、B P S G等高絕緣性玻璃， 或氧化矽膜、氮化矽膜構成。但是資料線6 a形成於層間 絕緣膜4上，畫素電極9 a與資料線6 a間產生之寄生電 容將使顯示影像劣北，故需增厚層間絕緣膜7，但實際上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） ~ ' -34- 1301915 Α7 Β7 五、發明説明（32) 第5儲存電容c 5無法如第1儲存電容C 1般增大。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述，本實施形態之液晶裝置，係令形成儲存電容 7 〇之電容電極介由介電體膜積層，可形成由第1儲存電 容C 1至第5儲存電容C 5之5層構成之疊層型儲存電容 7 〇。依此則即使儲存電容形成用迂欲小，亦可有效形成 較大儲存電容7 0。本實施形態之液晶裝置，至少形成第 1儲存電容C 1即可。今後，隨畫素之高開口率化或微細 化進展，例如即使未形成電容電極3 b，依本實施形態之 構造使第1儲存電容C 1之介電體膜之層間絕緣膜9 1薄 膜化，即可得足夠之儲存電容7 0。因此，依本實施形態 可依光電裝置之目的、規格，由第1儲存電容C 1至第5 儲存電容C 5之儲存電容中選擇使用，此爲極其有利者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖3所不般，資料線6 a，形成於較遮光性導電膜 9 0 a上方之層間絕緣膜4。又，資料線6 a，係於閘極 絕緣膜2、層間絕緣膜8 1、層間絕緣膜9 1及層間絕緣 膜7之特定處開設接觸孔5，介由該接觸孔5電連接半導 體層1 a之高濃度汲極區域1 e。又，資料線6 a被供給 影像信號，可由A 1等低電阻、高遮光性能之金屬膜或金 屬砂化物構成。 本實施形態之液晶裝置，除資料線6 a以外，可藉遮 光性導電膜9 0 a等界定非畫素開口區域之遮光區域。具 體言之爲，如圖1 0所示，與畫素電極9 a重疊頒形成遮 光性導電膜9 0 a，使遮蔽包含通道區域1 a ’之大部分 區域。又，可藉遮光性導電膜9 0 a遮蔽沿資料線6 a區 1301915 A7 _____B7 . 五、發明説明（33) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 域之大部分，故不必如習知般僅以資料線6 a界定遮光區 域，資料線6 a與畫素電極9 a可介由層間絕緣膜7盡量 不重疊般構成。依此則資料線6 a與畫素電極9 a間之寄 生電容可大幅減少，不會有畫素電極9 a之電位變動引起 之顯示品質降低。但因遮光性導電膜9 〇 a形成於較資料 線6 a下方，電連接資料線6 a與半導體層1 a之接觸孔 5之形成區域無法遮光，因此接觸孔5之形成區域可令資 料線6 a與畫素電極9 a之一部分重疊般形成寬幅。接觸 孔5之形成區域位於通道區域1 a ’之最接近時，無法以 遮光性導電膜9 0 a充分遮蔽通道區域1 a ’附近，此情 況下，令接觸孔5之形成區域煙資料線6 a向遠離通道區 域1 a ’方向移動亦可。本實施形態中，具備即使接觸孔 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .5之形成區域移動，於中繼膜8 0 a與遮光性導電膜 9 0 a之間形成之第1儲存電容C 1亦不會變化之優點。 又，遮光性導電膜9 0 a，無法設於電連接中繼膜8 0 a 與畫素電極9 a之接觸孔8 b之形成區域，該區域只需以 中繼膜8 0 a遮光即可。中繼膜8 0 a以多晶矽膜等光透 過性膜形成時，以底層遮光膜1 1 a遮光亦可。此時，接 觸孔8 b之形成區域，較好遠離通道區域1 a ’ 。如圖 1 0所示，在鄰接資料線6 a中間設接觸孔8 b即可，即 使射入光照射底層遮光膜1 1 a，亦無法到達通道區域 la’ 。畫素構成相對於資料線6 a可爲線對稱，因此例 如T N液晶之扭轉方向不同之液晶裝置組合成之投影機等 ，亦不會導致色斑點等之顯示品質降低。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐 1 -36 - 1301915 A7 B7 五、發明説明（34) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述，本實施形態中，可於T F T陣列基板1 0界 定遮光區域，如圖3所示般，不必於對向基板20設遮光 膜。因此T F T陣列基板1 0與對向基板2 0以機械貼合 時，即使定位偏移因對向基板2 0上無遮光膜，光透過區 域（開口區域）不會變化，可得穩定之畫素開口率，大幅 減少裝置不良。 又，本實施形態之液晶裝置，對射入光之射入角度可 採用較習知強之構造。以下參照圖1 1說明。圖1 1 ( 1 )係圖2之B — B ’線斷面圖。圖1 1 ( 2 )係習知構造。 圖1 1 ( 1 )及（2 )以同一縮尺表示。 一般，光照射半導體層1 a之通道區域時，於 T F T 3 0之〇F F狀態時，因光激發產生漏電流，寫入 畫素電極9 a之電荷保持能力降低。本實施形態之構成， 如圖1 1 ( 1 )所示，相對於射入光L 1設置遮光性導電 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 膜9 0 a，相對於來自T F T陣列基板1 〇之反射光L 2 設置底層遮光膜1 1 a，依此則可防止光照射半導體層 1 a。又，相對於射入光L 1之光量，反射光L 2僅照射 1 / 1 0 0以下之光量，故於通道區域及其近接區域，遮 蔽射入光L 1之遮光性導電膜9 0 a之寬W1，較底層遮 光膜1 1 a之寬w 2長。亦即，於通道區域及其近接區域 ，底層遮光膜1 1 a形成不突出遮光性導電膜9 0 a。又 ，半導體層1 a之寬W 3，於通道區域及其近接區域，係 形成較底層遮光膜1 1 a之寬W 2短，亦即，於通道區域 及其近接區域，由T F T陣列基板1 0側看被底層遮光膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -37- 1301915 A7 B7 五、發明説明（35) 1 1 a覆蓋。藉此種構成，即使射入光以某一角度射入， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦可減低光到達半導體層1 a之可能性。本實施形態中， 遮光性導電膜9 0 a可形成於資料線6 a與半導體層1 a 之層間，相較於圖1 1 ( 2 )所示習知例之以資料線6 a 遮光通道區域情況，在通道區域之最近處更能遮光。就本 實施形態及習知例之射入光L 1之射入角度之餘裕度考量 如下，一般之射入光L 1，因半導體層1 a之寬W 3爲例 如1 u m之較短者，無法直接照射半導體層1 a。假設照 射半導體層1 a下方設置之底層遮光膜1 1 a之光被反射 而照射於半導體層1 a，圖1 1 ( 1 )之本實施形態及（ 2 )之習知例所示底層遮光膜1 1 a之寬同爲W 2。又， 遮蔽射入光L 1用之本實施形態之遮光性導電膜9 0 a之 寬，與習知例之資料線6 a之寬同爲W 1。本實施形態中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，底層遮光膜1 1 a與遮光性導電膜9 0 a之層間距離設 爲D 1，習知例之底層遮光膜1 1 a與資料線6 a之層間 距離爲D 2。本實施形態之底層遮光膜1 1 a與資料線 6 a間之層間距離設爲D 2，則有D 1 > D 2之關係。因 此，射入光L 1以同一角度射入情況下，因至底層遮光膜 1 1 a之層間距離較短，本實施形態中射入光L 1之角度 之餘裕度大。亦即，假設本實施形態之射入光L 1之餘裕 度角度爲R 1，.習知例之射入光L 1之餘裕度角度爲R 2 ，則有R 1 > R 2之關係，結果，因本實施形態之液晶裝 置，其射入光之射入角度之餘裕度大，即使今後之光學系 之小型化而射入角度變更大時亦可有效對應。又，本實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38 - 1301915 A7 B7 五、發明説明（36 ) 形態中，於半導體層1 a之側面部介由絕緣膜形成遮光膜 亦可，對射入角度之對應更能提升。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施形態之液晶裝置，不必如習知般以資料線6 a 遮光，於通道區域及其近接區域，資料線6 a之寬w 4可 較遮光性導電膜9 0 a之寬W 1短。亦即，具W 1 > w 4 之關係，於通道區域及其近接區域，資料線6 a可形成不 突出遮光性導電膜9 0 a，因此可事先防止資料線6 a反 射之光成散光照射於半導體層1 a。特別是遮光性導電膜 9 0 a，可由反射率較形成資料線6 a之A 1低之含有高 熔點金屬之膜形成，資料線6 a引起之散光可由遮光性導 電膜Θ〇a吸收。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，本實施形態之液晶裝置，可於遮光性導電膜 9〇a下方形成中繼膜8 0 a，藉中繼膜8 0 a可遮蔽半 導體層1 a，遮光性能更能提升。此情況下，中繼膜 8 0 a之寬若設爲略同遮光性導電膜9 0 a之寬W1，則 更能提升遮光性能。又，萬一反射光L 2由T F T陣列基 板1 0側射入，習知例係以反射率高之資料線6 a作爲遮 光膜使用，資料線6 a下方反射之散光有可能照射半導體 層1 a，但本實施形態中，中繼膜8 〇 a以多晶矽膜或含 低反射之高熔點金屬膜形成可吸收光。依此則可大幅減少 內面反射之散光，不必擔心T F T 3 0之漏電引起之顯示 品質劣化。又，中繼膜8 0 a以低反射率膜形成，則遮光 性導電膜9 0 a和資料線6 a同樣以至少含高反射率之 A 1之膜形成亦可。如上述液晶裝置之遮光區域例如於可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1301915 A7 B7 五、發明説明（42) 電極等被形成之T F T陣列基板之鄰接多數畫素群之平面 圖。圖2 0係圖1 9之A — A ’線斷面圖。於圖2 0，各層 或各構件爲能於圖面上可辨識而將各層或各構件之縮尺設 爲互異。和第1實施形態相同之構件附加同一符號，並省 略詳細說明。 第4實施形態，如圖1 9所示，在非畫素開口區域之 略中心設掃描線3 a及資料線6 a。半導體層1 a ,與掃 描線3 a交叉般配置於資料線6 a下方。如圖2 0所示， 資料線6 a與半導體層1 a之高濃度源極區域1 d，係於 資料線6 a下方介由接觸孔5電連接。半導體層1 a之高 濃度汲極區域1 e與中繼膜8 0 a，於資料線6 a下方， 係介由接觸孔8 a電連接。如上述般將半導體層1 a配置 於遮光性能之資料線6 a下方，可防止由對向基板2 0側 射入之光直接照射半導體層1 a。又，令半導體層1 a及 接觸孔5及8 a，相對於掃描線3 a方向之非畫素開口區 域及資料線6 a方向之非畫素開口區域之中心線形成線對 稱，則段差形狀相對於資料線6 a可構成左右對稱，液晶 之旋轉方樣引起之漏光之差不存在，此點極有利。 於半導體層1 a下方，介由底層絕緣膜1 2形成底層 遮光膜1 1 a。底層遮光膜1 1 a，係沿資料線6 3方向 及掃描線3 a方向，形成矩陣狀。半導體層1 a配置於底 層遮光膜1 1 a內側，可防止來自τ F T陣列基板1 〇側 之回折光之直接照射半導體層1 a。 中繼膜8 0 a，係由多晶矽膜或含高熔點金屬等之導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

45- 1301915 A7 B7 五、發明説明（43) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電膜構成，於半導體層1 a與畫素電極9 a之層間，沿掃 描線3 a及資料線6 a延伸成略τ字形，可作爲電連接半 導體層1 a與畫素電極9 a之緩衝層功能。具體言之爲， 半導體層1 a之高濃度汲極區域1 e與導電性中繼膜 8 0 a介由接觸孔8 a電連接，中繼膜8 0 a與畫素電極 9 a介由接觸孔8 b電連接。藉此構成，相對於層間絕緣 膜即使開設較深之接觸孔，亦可藉鈾刻選擇比大之中繼膜 8 〇 a之設置，迴避接觸孔開孔時穿透半導體層1 a之危 險。又，電連接資料線6 a與半導體層1 a之高濃度源極 區域1 d的接觸孔5亦同樣，和中繼膜8 0 a以同一膜構 成即可。 第4實施形態中，於中繼膜8 0 a積層層間絕緣膜 9 1，其上形成遮光性導電膜9 0 a。遮光性導電膜

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 0 a，係除接觸孔8 b以外覆蓋中繼膜8 0 a般於掃描 線3 a方向延伸至影像顯示區域外側，藉與供至掃描線驅 動電路或資料線驅動電路等之負電源，正電源等定電位源 ，接地電源，或供至對向電極之定電位源等之任一之電連 接而固定其電位。因此，可以中繼膜8 0 a爲一方電容電 極，以遮光性導電膜9 〇 a爲另一方電容電極形成圖4及 圖5所示第1儲存電容C 1。此時，層間絕緣膜9 1卩又 第1儲存電容C 1之介電體膜功能。層間絕緣膜9 1僅爲 形成第1儲存電容C 1而積層，故於中繼膜8 0 a與遮光 性導電膜9 0 a間不致有漏電般令層間絕緣膜9 1之膜厚 薄膜化，則可增大第1儲存電容C 1。又，第4實施形態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210x297公釐） 46 1301915 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（44) 中，藉形成膜厚之層間絕緣膜8 1，中繼膜8 0 a可延伸 至T F 丁 3 0或掃描線3 a上方，第1儲存電容C 1可有 效增加。又，第4實施形態中，未延伸半導體層1 a形成 電容電極。依此則和掃描線3 a以同一膜形成儲存電容用 之電容電極及電容線之形成不必要，如圖1 9所示，掃描 線3 a可配置於遮光性導電膜9 0 a或底層遮光膜1 1 a 界定之非畫素開口區域之略中心。又，多晶矽膜構成之半 導體層1 a不必要求膜之低電阻化，於電容電極形成部不 必注入雜質，工程可減少。 第4實施形態中，T F T 3 0之通道區域1 a ’，係 形成於掃描線3 a與資料線6 a之交叉部，可設於資料線 6 a方向與.掃描線3 a方向之非畫素開口區域之略中心。 依此則相對於來自對向基板2 0側之射入光或T F T陣列 基板1 0側之回折光，成爲光最難照射之位置，故光引起 之丁 F T 3 0之漏電流可大幅減少。 又，第4實施形態，如圖1 9所示，於通道區域1 a ’附近，依遮光性導電膜9 0 a、中繼膜8 0 a、底層遮 光膜1 1 a之順序形成窄寬之圖型，令射入光不直接照射 底層遮光膜1 1 a。又，於遮光性導電膜9 0 a與半導體 層1 a間存在多晶矽膜構成之中繼膜8 0 a，可吸收底層 遮光膜1 1 a表面之反射光或來自T F T陣列基板1 0側 之回折光，對耐光性有利。 又，第4實施形態中，可藉資料線6 a、遮光性導電 膜9 0 a、底層遮光膜1 1 a於T F T陣列基板1 0上形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1301915 A7 B7 五、發明説明（45) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成非畫素開口區域，故於對向基板2 0不設遮光膜亦可。 依此則T F T陣列基板1 〇與閘極絕緣膜2以機械貼何時 ，即使定位偏移，因對向基板2 0上未設遮光膜，光透過 之區域（開口區域）不會變化，可得穩定之畫素開口率， 大幅減少裝置不良。 (光電裝置之全體構成） 上述構成之各實施形態之液晶裝置之全體構成適於圖 2 1及圖2 2。圖2 2係T F T陣列基板1 〇由其上形成 之各構成要素及對向基板2 0側看之平面圖。圖2 2係圖 2 1之Η — Η ’線斷面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 輿圖2 1，於形成有元件或配線之T F Τ陣列基板 1 0上，封裝材5 2被沿對向基板2 0之邊緣設置，於其 內側並行設置界定影像顯示區域周邊之遮光性框緣5 3。 框緣5 3，如本實施形態般設於T F Τ陣列基板1 0側， 或設於對向基板2 0側均可。於封裝材5 2外側區域，對 資料線6 a以特定時序供給影像信號之資料線驅動電路 1 0 1及外部電路連接端子1 0 2被沿T F T陣列基板 1 0之一邊設置，對掃描線3 a以特定時序供給掃描信號 之掃描線驅動電路1 0 4，則沿鄰接該一邊之2邊設置。 供至掃描線3 a之掃描信號延遲不成問題時，掃描線驅動 電路1 0 4設於單邊亦可。資料線驅動電路1 0 1沿影像 顯示區域之邊以兩側配列亦可。於丁 F T陣列基板1 0之 另一邊，設置與設於影像顯示區域兩側之掃描線驅動電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48- 1301915 A7 B7 五、發明説明（46) 1 0 4間供給共通信號的多數配線1 0 5。於對向基板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 0之角部之至少1處，設電導通T F T陣列基板1 〇與 對向基板2 0用之上下導通材1 0 6。亦即，由外部電路 連接端子1 0 2施加之對向電極電位，係介由T F T陣列 基板1 0設置之配線及上下導通材1 0 6，供至對向基板 2 0上設置之對向電極2 1。如圖2 2所示，對向基板 2 0以封裝材5 2固定於T F T陣列基板1 0。又，於 T F T陣列基板1 〇上，除資料線驅動電路1 〇 1、掃描 線驅動電路1 0 4拽，形成亦特定時序對多數資料線6 a 供給影像信號之取樣電路，對多數資料線6 a將特定電壓 位準之預充電信號先於影像信號供給之預充電電路，製造 途中或出廠時該液晶裝置貧品質、缺陷檢測之檢測電路等 亦可。如上述，本實施形態之液晶裝置，可以控制畫素電 極9 a之T F T 3 0之形成工程，將資料線驅動電路 1 0 1或外部電路連接端子1 〇 2等周邊電路形成於同一 T F T陣列基板1 〇上，可實現高精細、高密度之液晶裝 置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，取代資料線驅動電路1 〇 1及掃描線驅動電路 1〇4設於T F T陣列基板1 〇上，改於例如T A B ( Tape Automated Bonding)基板 上安裝之區動用L S I，介由設於T F T陣列基板1 0之 周邊部之異方性導電薄膜進行電氣及機械連接亦可。又， 於對向基板2 0之投射光射入側及T F Τ陣列基板1 0之 射出光之射出側，分別依例如Τ Ν模態、V A ( Vertically 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -49- 1301915 A7 B7 _ 五、發明説明（48) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 外配置反射防止用之A R ( Anti Reflection )披膜之偏光板 ，或黏貼A R薄片，材料成本可減少，且不存在偏光板黏 貼時發生之刮傷等所導致良品率降低。又，具良好耐光性 ，使用明亮光源、藉偏光射束稜鏡進行偏光轉換，以提升 光利用效率時，亦不會因光之串訊導致畫質劣化。又，本 實施形態中，導電膜9 0 a以遮光性能形成，但對來自對 向基板側之射入光形成有其他遮光性膜時，導電膜9 0 a 不以遮光性形成亦可。即使導電膜9 0 a不具遮光性能， 依本實施形態之構成，亦可增大儲存電容。 又，設於各畫素之開關元件，係以正交錯型或共面型 多晶矽膜T F T做說明，但逆交錯型T F T或非晶質矽 T F T等其他形式T F T亦有效。 本發明之光電裝置並不限於上述各實施形態，在不脫 離本發明要旨下可做各種變更，該變更之光電裝置亦包含 於本發明之技術範圍。 (圖面之簡單說明） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 :本發明第1實施形態之光電裝置中構成影像顯 示區域之矩陣狀多數畫素上設置之各種元件、配線等之等 效電路圖。 圖2 :第1實施形態中形成有資料線、掃描線、畫素 電極等之T F T陣列基板之鄰接之多數畫素群之平面圖。 圖3 :圖2之A — A ’線斷面圖。 圖4 :構成本發明實施形態之光電裝置之1畫素之等 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 一" 〜 -51 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1301915 A7 ---^___-_ B7 ___— 五、發明説明（49) 效電路圖。 圖5 :圖2中遮光性導電膜及中繼膜部分之平面圖。 圖6 ··圖2中中繼膜及電容電極部分之平面圖。 圖7:圖2中電容電極及半導體層部分之平面圖。 圖8 :圖2中半導體層及底層遮光膜部分之平面圖。 圖9 :圖2中遮光性導電膜及畫素電極部分之平面圖 圖1 Ο :圖2中底層遮光膜、遮光性導電膜、中繼膜 及資料線部分之平面圖。 圖1 1 ( 1 ):圖2之Β — Β ’線斷面圖。 圖1 1 (2 )習知構造之斷面圖。 圖1 2 :本發明第2實施形態之光電裝置中構成影像 顯示區域之矩陣狀多數畫素電極被供給之影像信號之極性 之模式圖。 圖1 3 :第2實施形態之光電裝置中形成有資料線、 掃描線、畫素電極等之T F Τ陣列基板之鄰接之多數畫素 群之平面圖。 圖1 4 :圖1 3之A — A ’線斷面圖。 圖15 :圖13之Β — B’線斷面圖。 圖1 6 :圖1 3之C — C ’線斷面圖。 圖1 7 :第3實施形態之光電裝置中形成有資料線、 掃描線、畫素電極等之T F T陣列基板之鄰接之多數畫素 群之平面圖。 圖1 8·圖17之A — A’線斷面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-52 - 1301915 A7 B7 五、發明説明（50) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 9 :第4實施形態之光電裝置中形成有資料線、 掃描線、畫素電極等之T F T陣列基板之鄰接之多數畫素 群之平面圖。 圖2 0 :圖1 8之A — A ’線斷面圖。 圖2 1 :各實施形態之液晶裝置中之T F T陣列基板 極其上形成之各構成要素由對向基板側看之平面圖。 圖2 2 :圖2 1之Η — Η ’線斷面圖。 (符號說明） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 a、半導體層 1 a，、通道區域 1 b、低濃度源極區域 1 c、低濃度汲極區域 1 d、高濃度源極區域 1 e、高濃度汲極區域 1 f、電容電極 2、閘極絕緣膜 3 a、掃描線 3 b、電容電極 4、 層間絕緣膜 5、 接觸孔 6 a、資料線 7、層間絕緣膜 8 a、接觸孔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 1301915 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 殽 12.： B车月 m>, ujm, y :則 五、發明説明< r 5^1 衡.1.丨 8 b 接 觸孔 9 a 、畫素電極 1 0 T F T陣列基板 1 1 a 底層遮光膜 1 2 、 底 層絕緣膜 1 6 配 向膜 2 0 、 對 向基板 2 1 對 向電極 2 2 、 配 向膜 3 0 T FT 5 0 液 晶層 5 2 封 裝材 5 3 遮 光性框緣 7 0 Λ 儲 存電容 8 0 a 、 8 0 a ’、中繼膜 8 1 、 層 間絕緣膜 9 0 a 、 遮光性導電膜 9 1 、 層 間絕緣膜 9 5 接 觸孔 1 0 1 資料線驅動電路 1 0 2 外部電路連接端子 1 0 4 掃描線驅動電路 1 0 6 上下導通材 3 0 0 電容線 4 0 0 液晶之旋轉移位缺陷 %衣. 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -54-

Claims (1)

1301915 A8 B8 C8 D8 月修(更)正本 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 附件 第90 1 05734號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國97年1月16日修正 1· 一種光電裝置，其特徵爲具備： 形成於基板上的掃描線； 形成於上述基板上的資料線； 對應於上述掃描線與上述資料線之交叉而被配置，具 有半導體層及形成於上述半導體層上之閘極的薄膜電晶體 電連接於上述薄膜電晶體之汲極區域的畫素電極；及 於上述薄膜電晶體之閘極層之更上層，且於上述資料 線層之更下層被積層的第1儲存電容； 上述資料線，係形成於較上述薄膜電晶體之閘極更上 層； 上述第1儲存電容，係由以下構成： 第1電容電極； 連接上述第1電容電極的絕緣膜；及 與上述第1電容電極介由上述絕緣膜呈對向配置，構 成電連接上述薄膜電晶體之汲極區域與上述畫素電極的中 繼膜之第2電容電極。 2.—種光電裝置，其特徵爲具備： 形成於基板上的掃描線； 形成於上述基板上的資料線； 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-1 - -----------------訂------.·~ (請先聞·#背面之注意事項再填寫本頁) 1301915 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 對應於上述掃描線與上述資料線之交叉而被配置，具 有半導體層及形成於上述半導體層上之閘極的薄膜電晶體 (請先閲-*背面之注意事項再填寫本頁) 電連接於上述薄膜電晶體之汲極區域的畫素電極；及 於上述薄膜電晶體之閘極層之更上層，且於上述資料 線層之更下層被積層的第1儲存電容； 上述資料線，係形成於較上述薄膜電晶體之閘極更上 層； 上述第1儲存電容，係使上述薄膜電晶體之源極區域 與上述資料線之連接區域殘留，與上述薄膜電晶體之半導 體層及上述掃描線之各個區域重疊般形成。 3 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中 另具備第2儲存電容，上述第2儲存電容係由： 上述第2電容電極； 連接上述第2電容電極的絕緣膜；及 與上述第2電容電極介由絕緣膜呈對向配置，與上述 掃描線由同一膜構成的第3電容電極構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4·如申請專利範圍第3項之光電裝置，其中 上述第3第3電容電極，係使上述薄膜電晶體之汲極 區域與上述第2電容電極之連接區域殘留，與上述掃描線 並行地形成。 5·如申請專利範圍第3項之光電裝置，其中 上述第3電容電極，係與上述第1電容電極電連接。 6·如申請專利範圍第5項之光電裝置，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-2 - 1301915 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 上述第3電容電極與上述第1電容電極間之電連接部 ，係位於上述資料線之下層區域。 7 ·如申請專利範圍第3項之光電裝置，其中 上述第3電容電極，係由沿上述掃描線延伸之第1電 容線之一部分構成； 上述第1電容電極，係由沿上述掃描線延伸之第2電 容線之一部分構成； 上述第1電容線及上述第2電容線，係延伸設置在配 置有上述畫素電極之畫素顯示區域周邊而被電連接。 8. 如申請專利範圍第3項之光電裝置，其中 另具備第3儲存電容，上述第3儲存電容係由： 上述第3電容電極； 連接上述第3電容電極的絕緣膜；及 與上述第3電容電極介由上述絕緣膜呈對向配置，與 上述半導體層由同一膜構成的第4電容電極構成。 9. 如申請專利範圍第8項之光電裝置，其中 上述第4電容電極，係由上述薄膜電晶體之汲極區域 延伸形成。 10. 如申請專利範圍第8項之光電裝置，其中 上述第4電容電極，係與上述掃描線並行形成。 11·如申請專利範圍第8項之光電裝置，其中 上述第2儲存電容之電容量，係小於上述第1儲存電 容及上述第3儲存電容之各電容量。 12.如申請專利範圍第3項之光電裝置，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-3 - ---1 __i II Φ------IT------ (請先閲·«背面之注意事項再填寫本頁) 1301915 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 另具備第4儲存電容，上述第4儲存電容係由： 與上述半導體層由同一膜構成之上述第4電容電極； 連接上述第4電容電極的絕緣膜；及 與上述第4電容電極介由上述絕緣膜呈對向配置，遮 蔽上述半導體層的第5電容電極構成。 13. 如申請專利範圍第12項之光電裝置，其中 上述第5電容電極，係在畫素顯示區域周邊電連接上 述第1電容電極。 14. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中 另具備第5儲存電容，上述第5儲存電容係由： 上述第1電容電極； 積層於上述第1電容電極的絕緣膜；及 與上述第1電容電極介由上述絕緣膜呈對向配置，構 成上述畫素電極的第6電容電極構成。 15. 如申請專利範圍第14項之光電裝置，其中 上述第5儲存電容，係在一畫素之略全周範圍內形成 〇 16·—種光電裝置，其特徵爲具備： 形成於基板上的掃描線； 形成於上述基板上的資料線； 對應於上述掃描線與上述資料線之交叉而被配置，且 有半導體層及形成於上述半導體層上之閘極的薄膜電晶體 電連接於上述薄膜電晶體之汲極區域的畫素電極；及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-4 - ------^----------訂------1®— (請先閲脅背面之注意事項再填寫本頁) 1301915 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 被積層於上述薄膜電晶體之半導體層與上述資料線下 層之間的儲存電容； (請先閲#背面之注意事項存填寫本頁) 上述資料線，係形成於較上述薄膜電晶體之閘極更上 層； 上述儲存電容，係包含有遮光性導電膜，該遮光性導 電膜係形成於較上述薄膜電晶體之半導體層更上層，且構 成與上述薄膜電晶體之至少通道區域重疊之電容電極， 上述資料線係覆蓋上述薄膜電晶體之至少通道區域。 17.如申請專利範圍第16項之光電裝置，其中 上述導電膜，係覆蓋上述薄膜電晶體之通道區域、上 述薄膜電晶體之源極區域與上述通道區域間之接合區域、 上述薄膜電晶體之汲極區域與上述通道區域間之接合區域 、及鄰接上述各接合區域的源極區域及上述汲極區域中之 至少之一部分。 18·如申請專利範圍第17項之光電裝置，其中 上述儲存電容，係由： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 構成上述儲存電容之一方電容電極的第1導電膜；及 構成上述儲存電容之另一方電容電極的第2導電膜； 上述第2導電膜，係電連接成爲上述汲極區域之半導 體層與上述畫素電極。 19.如申請專利範圍第18項之光電裝置，其中 上述第2導電膜，係覆蓋上述薄膜電晶體之通道區域 、上述薄膜電晶體之源極區域與上述通道區域間之接合區 域、上述薄膜電晶體之汲極區域與上述通道區域間之接合 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 5 - 1301915 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 區域、及鄰接上述各接合區域的源極區域及上述汲極區域 中之至少之一部分。 (請先聞·#背面之注意事項再填寫本頁) 20·如申請專利範圍第18項之光電裝置，其中 另具有和上述掃描線以同一膜構成之第3導電膜，上 述第3導電膜，係介由層間絕緣膜與上述第2導電膜呈對 向配置。 2 1 ·如申請專利範圍第20項之光電裝置，其中 另具有和上述汲極區域以同一膜構成之第4導電膜， 上述第4導電膜，係介由上述閘極絕緣膜與上述第3導電 膜呈對向配置。 22·如申請專利範圍第20項之光電裝置，其中 上述第1導電膜與上述第3導電膜係互爲電連接。 2 3 ·如申請專利範圍第2〗項之光電裝置，其中 上述第2導電膜與上述第4導電膜係互爲電連接。 24·如申請專利範圍第21項之光電裝置，其中 上述第1導電膜與上述第3導電膜係互爲電連接，上 述第2導電膜與上述第4導電膜係互爲電連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25·如申請專利範圍第16項之光電裝置，其中 上述資料線，係覆蓋上述薄膜電晶體之至少通道區域 〇 26·如申請專利範圍第18項之光電裝置，其中 i：述第1導電膜，係由反射率較上述資料線低之膜構 成。 2 7.如申請專利範圍第18項之光電裝置，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 6 · 1301915 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 上述第1導電膜及上述資料線，係由含有A <之膜構 成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 8.如申請專利範圍第26項之光電裝置，其中 另具有在上述基板上較上述半導體層配置於更下層之 底層遮光膜’上述底層遮光膜，由上述基板之相反側看時 至少覆蓋上述通道區域之同時，於上述通道區域及其附近 區域上’就平面看上述底層遮光膜係未露出於上述第丨導 電膜般形成。 2 9.如申請專利範圍第28項之光電裝置，其中 上述第1導電膜與上述底層遮光膜係由高熔點金屬構 成。 3 0.如申請專利範圍第26項之光電裝置，其中 於上述資料線下方，上述第1導電膜與上述第2導電 膜係略同尺寸。 3 1.如申請專利範圍第18項之光電裝置，其中 上述第1導電膜，係由配置有上述畫素電極之影像顯 示區域朝其周圍延伸設置且於該周邊區域連接定電位源。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 32·如申請專利範圍第20項之光電裝置，其中 上述第3導電膜，係由沿上述掃描線由上述影像顯示 區域朝其周圍延伸設置且於該周邊區域連接定電位源的電 容線構成。 第1導電膜，係連接上述電容線。 33.如申請專利範圍第32項之光電裝置，其中 上述底層遮光膜，係由遮光性導電膜構成，依每一畫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 ~" 1301915 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 素連接上述電容線。 34.—種光電裝置，其特徵爲具備： 薄膜電晶體，其具有：具源極區域及汲極區域之半_ 體層，及與上述半導體層呈對向之閘極； 資料線，其被形成於上述薄膜電晶體之閘極層之H上 層，且介由第1連接部電連接上述薄膜電晶體之半導體層 之源極區域； 掃描線，其與上述資料線呈交叉； 畫素電極，其介由第2連接部電連接上述薄膜電晶體 之半導體層之汲極區域；及 遮光膜，其被形成於上述薄膜電晶體之閘極層之更上 層，且形成於上述資料線之更下層，被配置於除去上述第1 連接部及上述第2連接部以外之包含上述資料線及上述掃 描線之區域， 具有構成上述半導體層與上述畫素電極間之電連接的 導電性中繼膜。 3 5·如申請專利範圍第34項之光電裝置，其中 上述遮光膜，係與上述畫素電極之緣部重疊。 3 6·如申請專利範圍第34項之光電裝置，其中 另於上述半導體層之下層具有下部遮光膜， 上述薄膜電晶體係被上述遮光膜及上述下部遮光膜挾 持。 3 7·如申請專利範圍36項之光電裝置，其中 上述下部遮光膜，係沿上述資料線及上述掃描線延伸 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-8 - (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1301915 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 設置。 (請先聞-#背面之注意事項再填寫本頁) 3 8.如申請專利範圍第36項之光電裝置，其中 上述下部遮光膜之面對上述薄膜電晶體側之面，係以 反射防止膜形成。 3 9·如申請專利範圍第34項之光電裝置，其中 上述中繼膜，係避開連接上述半導體層及上述資料線 之上述第1連接部，而配置於上述資料線及上述掃描線之 區域。 40·如申請專利範圍第34項之光電裝置，其中 上述中繼膜，係配置於避開上述遮光膜之連接上述半 導體層與上述畫素電極之上述第2連接部之區域。 41.如申請專利範圍第34項之光電裝置，其中 上述資料線係以遮光性材料形成。 42 ·如申請專利範圍第4 1項之光電裝置，其中 於上述資料線與上述畫素電極間形成間隙， 上述遮光膜係配置於上述間隙之區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43·如申請專利範圍第41項之光電裝置，其中 上述資料線，係配置於避開上述遮光膜之連接上述半 導體層與上述資料線之上述第1連接部之區域。 44. 如申請專利範圍第36項之光電裝置，其中 非畫素開口區域，係由上述遮光膜及上述下部遮光膜 形成。 45. 如申請專利範圍第44項之光電裝置，其中 上述掃描線，係延伸於上述非畫素開口區域之略中心 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 9 - 一 1301915 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 〇 46·如申請專利範圍第34項之光電裝置，其中 在包含上述薄膜電晶體之通道區域之周邊，於上述遮 光膜之內側存在有上述中繼膜，於上述中繼膜之內側區域 存在有上述下部遮光膜。 47·如申請專利範圍第34項之光電裝置，其中 上述半導體層，係位於上述資料線之內側區域。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-10 -