TWI398965B - 發光二極體晶片及其封裝結構 - Google Patents

Description

發光二極體晶片及其封裝結構

本發明係關於一種發光二極體晶片及其封裝結構，尤指一種白光發光二極體晶片及其封裝結構。

近幾年來，白光發光二極體是最被看好且最受全球矚目的新興產品。它具有體積小、無熱幅射、耗電量低、壽命長和反應速度佳又兼具環保效果等優點，能解決非常多過去白熾燈泡所難以克服的問題，因而已被歐美科學家視為二十一世紀的照明光源。

請參考第1圖，第1圖為習知白光發光二極體封裝結構剖面示意圖。如第1圖所示，習知白光發光二極體封裝結構10包括一具有一凹槽12之膠體14、二鑲嵌於膠體14中之導電架16、一藍光二極體晶片18、一螢光膠體20以及二金屬導線22。其中，藍光二極體晶片18設置於凹槽12中之膠體14上，且金屬導線22將藍光二極體晶片18電性連接於導電架16之間。並且，螢光膠體20將藍光二極體晶片18密封於膠體14上，且螢光膠體20包含一螢光粉，用於將藍光二極體晶片18所射出之藍光轉換為黃光，藉此利用藍光二極體晶片18之藍光搭配螢光膠體20所轉換之黃光，可產生白光。

然而，藍光二極體晶片於不同角度發射出之藍光會經過不同厚度之螢光膠體，使得白光二極體封裝結構於不同角度上所發射之白光會由不同強度之藍光以及不同強度之黃光混合而成。而不同強度之藍光混合不同強度之黃光會產生不同色溫之白光，亦即於不同角度所發射之白光可能偏黃色或偏藍色。

本發明之主要目的在於提供一種發光二極體晶片及其封裝結構，以解決上述色溫不均勻之問題。

為達上述之目的，本發明提供一種一發光二極體晶片，其包括一基板、一設於基板上之第一發光單元以及一第一光轉換層。第一光轉換層覆蓋第一發光單元且延伸至覆蓋第一發光單元之側壁，並且第一光轉換層具有一均勻厚度，使發光二極體晶片於不同角度所產生之光線的色溫差小於1500K，而第一光轉換層未接觸基板之側壁。

為達上述之目的，本發明另提供一種發光二極體晶片，其包括一基板、一設於基板上之發光單元以及一光轉換層。發光單元包括一設於該基板上之P型接觸電極、一N型接觸電極以及一設於該P型接觸電極與該N型接觸電極間之電流堵塞層，且電流堵塞層設於該N型接觸電極之正下方。光轉換層覆蓋發光單元且延伸至覆蓋發光單元之側壁。

為達上述之目的，本發明提供一種發光二極體封裝結構，其包括一導線架、一發光二極體晶片、一導線以及一封裝膠體。導線架具有一第一引腳、一第二引腳以及一連接於第一引腳之承載部，且發光二極體晶片設於承載部上。發光二極體晶片具有一第一電極以及一第二電極，且第一電極電性連接至第一引腳。導線電性連接第二電極至第二引腳，而封裝膠體包覆發光二極體晶片、承載部、部分第一引腳以及部分第二引腳，且該封裝膠體係為一透明膠體。發光二極體晶片包括一基板、一設於基板上之第一發光單元以及一第一光轉換層。第一光轉換層覆蓋第一發光單元且延伸至覆蓋第一發光單元之側壁，並且第一光轉換層具有一均勻厚度，使發光二極體晶片於不同角度所產生之光線的色溫差小於1500K，而第一光轉換層未接觸基板之側壁。

本發明之發光二極體晶片具有均勻厚度之光轉換層，且光轉換層覆蓋產生光線之發光單元並延伸至覆蓋發光單元之側壁，使得發光二極體晶片所產生之白光色溫不會隨著角度的不同而有所改變，進而解決習知發光二極體封裝結構所射出光線之色溫隨著角度之不同而不同之問題。

請參考第2圖與第3圖，第2圖為本發明第一實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖，第3圖為本發明第一實施例之發光二極體晶片之上視示意圖。如第2圖與第3圖所示，發光二極體晶片100包括一基板102、一第一發光單元104以及一第一光轉換層106。第一發光單元104設於基板102上，而第一光轉換層106覆蓋第一發光單元104且延伸至覆蓋第一發光單元104之側壁，並且第一光轉換層106未接觸基板102之側壁。換言之，於發光二極體晶片100之一側邊上，基板102之邊長係大於第一光轉換層106之邊長減去第一發光單元104之邊長之1/2倍。並且，第一發光單元104之側邊距離基板102之側邊的最短距離較佳小於基板102側邊之長度的1/10倍。此外，發光二極體晶片100可為一長方體或正方體結構。於本實施例中，基板102係為一具有導電特性之基板，例如：摻雜半導體基板或為具有貫穿基板之導電插塞之矽基板，以將設於基板102上之第一發光單元104電性連接至外界，但不以此為限。

此外，本實施例之第一發光單元104係為一垂直式發光二極體(vertical LED，VLED)晶片，其包括氮化鎵(GaN)及其相關氮化物，且可產生藍光，但本發明不限於此。第一發光單元104包括一設於基板102上之P型接觸電極108、一設於P型接觸電極108上之P型摻雜層110、一設於P型摻雜層110上之主動層(active layer)112、一設於主動層112上之N型摻雜層114以及一設於N型摻雜層114上之N型接觸電極116。其中，N型接觸電極116並未被第一光轉換層106所覆蓋，或者部分N型接觸電極116被暴露出，使發光二極體晶片100於封裝時可利用打線方式將N型接觸電極116電性連接至導線支架上。此外，發光二極體晶片100另包括一金屬接墊118，例如：金墊、錫球、錫膏或銀膠等金屬黏著物，以用於將第一發光單元104之P型接觸電極108接合於基板102上。

另外，本實施例之第一光轉換層106包括一膠體120以及一螢光粉122，且螢光粉122均勻散佈於膠體120中。螢光粉122可將第一發光單元104所射出之藍光轉換為黃光，然後藉由第一發光單元104之藍光混合螢光粉所轉換出之黃光可構成白光。但本發明不限於此，第一發光單元所產生之光線的顏色亦可為紫外光，而第一光轉換層包括至少三螢光材料，其中螢光材料所轉換出之光線的顏色包括紅色、綠色、藍色或上述組合。於本實施例中，螢光粉122係具有複數個螢光顆粒，且螢光顆粒之中位數平均之顆粒粒徑係約略小於10微米，而螢光粉122包括一具有一石榴石(garnet)結構之螢光物質，例如：釔鋁石榴石(yttrium aluminum garnet，YAG)，可吸收波長小於藍色之光線，並經過非輻射(non-radiative)形式之衰減後，射出黃色之光線，但本發明不限於此。值得注意的是，第一光轉換層106係均勻設置於第一發光單元104上以及第一發光單元104之側壁，並且具有一均勻厚度d，約略介於15微米(micrometer，μm)至80微米，或約略介於第一發光單元104厚度之3至20倍。藉此，第一發光單元104於發光二極體晶片100之不同角度的第一方向124與於第二方向126上所射出之光線會經過約略相同厚度之 第一光轉換層106，亦即於第一方向124與第二方向126上之光線所遇到之螢光粉數量約略相同，因此第一光轉換層106之螢光粉122於第一方向124與第二方向126上所轉換出之黃光強度約略相同，且第一發光單元104於第一方向124與第二方向126上經過第一光轉換層106後之光線強度亦約略相同，亦即發光二極體晶片100於不同角度上所射出白光之色溫約略相同，並且發光二極體晶片100於不同角度射出之光線的色溫差小於500K，且較佳小於500K。另外，值得一提的是本發明製作發光二極體晶片之方法係先將複數個第一發光單元104設於基板102上，然後進行第一光轉換層106之沈積或塗佈。最後，才將各發光二極體晶片100切割成單一顆粒，因此本發明所提供之發光二極體晶片100之第一光轉換層106並未延伸至基板102之側壁。並且，本發明所提供之發光二極體晶片100因已具有轉換光線顏色之第一光轉換層106，所以於後續進行封裝時，並不需再進行螢光層之點膠或塗佈製程，而可節省發光二極體元件之封裝步驟。

此外，本實施例之第一光轉換層並不限於將藍光轉換為黃光，且第一光轉換層不限於僅為一層結構。請參考第4圖與第5圖，第4圖與第5圖為本發明第一實施例之發光二極體晶片之其他實施態樣的剖面示意圖。如第4圖所示，本實施態樣之發光二極體晶片150之第一光轉換層106包括二螢光層152、154，且各螢光層152、154可吸收第一發光單元104所射出之藍色光線，並且分別轉換出具有綠色與紅色之光線。因此，結合藍色、綠色以及紅色之光線可產生白色之光線。此外，本發明之發光單元不限產生藍光，亦可產生紫外光，如第5圖所示，另一實施態樣之發光二極體晶片160之第一發光單元104所產生之光線為紫外光，而本實施態樣發光二極體晶片160之第一光轉換層106包括至少三螢光層162、164、166，且各螢光層所轉換出之光線的顏色包括紅色、綠色、藍色或上述組合，使各螢光層162、164、166可藉由吸收較紅光、綠光以及藍光之能量高之光線，透過非輻射形式之衰減，而射出紅光、綠光以及藍光等顏色。值得注意的是，本實施態樣另包括一濾光層168，設於第一光轉換層106上，用以過濾掉紫外光，使第一發光單元104所產生之光線遇到濾光層168時會被反射或吸收，而不會射至外界。

本發明之發光二極體晶片並不限於上述第一實施例。請參考第6圖，第6圖為本發明第二實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。為了方便比較各實施例之差異，下述實施例與第一實施例相同之元件使用相同之標號，且相同元件結構不再贅述。如第6圖所示，相較於第一實施例，本實施例發光二極體晶片200之第一發光單元104另包括一電流堵塞層(current blocking layer)202，設於P型摻雜層110與P型接觸電極108之間，且位於P型接觸電極108之周圍，並與直接接觸P型接觸電極108。於本實施例中，電流堵塞層202係環繞與P型摻雜層110直接接觸之部分P型接觸電極108，但本發明不限於此。此外，本實施例第一發光單元104之N型接觸電極116係設於N型摻雜層114上，且位於相對應電流堵塞層202之垂直位置，亦即電流堵塞層202位於N型接觸電極116之正下方。其中，電流堵塞層202係用於避免電流通過第一發光單元104之周圍，進而避免位於第一發光單元104周圍之主動層112產生藍光，僅使靠近第一發光單元104中央之主動層112產生藍光，並藉由將N型接觸電極116設於對應電流堵塞層202之位置，使光線從發光二極體晶片200之中央射出，而不會往發光二極體晶片200之側壁射出。電流堵塞層202可為一N型摻雜區，以於P型接觸電極108與P型摻雜層110之間形成一反向PN接面，使從P型接觸電極108進入之電流不流往電流堵塞層202，而強迫電流流往第一發光單元104之中央，因此可增加發光二極體晶片200向上射出之光線強度。藉此，電流堵塞層202之設置亦可避免僅於第一發光單元104之側壁設置遮蔽層時光線被遮蔽層吸收之損失。值得注意的是，由於電流堵塞層202可降低第一發光單元104於第二方向126上射出之光線強度，本實施例之第一光轉換層106並未延伸至包覆整個第一發光單元104，而可僅延伸至電流堵塞層202上方之P型摻雜層110之側壁，且未覆蓋電流堵塞層202，但不限於此，本發明於設置有電流堵塞層202時，第一光轉換層106亦可延伸至包覆整個第一發光單元104。

此外，本發明之第一發光單元並不限於為垂直式發光二極體晶片，亦可為其他樣式之發光二極體晶片。請參考第7圖，第7圖為本發明第三實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。如第7圖所示，相較於第一實施例，本實施例發光二極體晶片300之第一發光單元104為薄膜覆晶式發光二極體(thin-film flip chip LED，TFFCLED)晶片，且第一發光單元104之P型接觸電極108設於基板102上，而第一發光單元104之N型接觸電極116亦設於基板102上。P型摻雜層110設於P型接觸電極108上，且主動層112設於P型摻雜層110上，而N型摻雜層114設於主動層112與N型接觸電極116上。其中，N型接觸電極116未與P型摻雜層110與主動層112相接觸，以用於將N型摻雜層114電性連接至基板102上。P型接觸電極108設於P型摻雜層110與基板102之間，以用於將P型摻雜層110電性連接至基板102上。另外，本實施例之發光二極體晶片300之基板102係具有二導電插塞302，貫穿基板102，且各導電插塞302分別電性連接至P型接觸電極108以及N型接觸電極116。並且，本實施例之發光二極體晶片300另包括複數個金屬接墊304，設於第一發光單元104與各導電插塞302之間，以將N型接觸電極116與P型接觸電極108分別電性連接至各導電插塞302。其中，金屬接墊304係為一金屬黏著物，例如：金墊、錫球、錫膏或銀膠等。值得注意的是，相較於第一實施例之垂直式發光二極體晶片，本實施例之第一光轉換層106並不需露出一電極，而將P型接觸電極108與N型接觸電極116直接接合於基板102上。此外，第三實施例之發光二極體晶片亦可具有電流堵塞層，請參考第8圖，第8圖為本發明第三實施例之發光二極體晶片之另一實施態樣的剖面示意圖。如第8圖所示，本實施態樣之發光二極體晶片350包括一電流堵塞層352，設於P型摻雜層110與P型接觸電極108之間，且位於P型接觸電極108之周圍，並直接接觸P型接觸電極108。

另外，請參考第9圖，第9圖為本發明第四實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。如第9圖所示，相較於第三實施例，本實施例發光二極體晶片400之第一發光單元104為覆晶式發光二極體(flip chip LED，FCLED)晶片，且第一發光單元104另包括一透明基板402，設於N型摻雜層114上。透明基板402具有透光性，可為砷化鎵(GaAs)、氮化鎵、藍寶石(Sapphire)或碳化矽(SiC)基板，但不限於此。

另外，本發明之發光二極體晶片並不限於僅包含一發光單元。請參考第10圖，第10圖為本發明第五實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。如第10圖所示，相較於第一實施例，本實施例之發光二極體晶片500另包括至少一第二發光單元502，設於基板102上，並且第一光轉換層106覆蓋第一發光單元104以及第二發光單元502，且延伸至覆蓋第二發光單元502之側壁。於本實施例中，第一發光單元104與第二發光單元502可為垂直式發光二極體晶片、薄膜覆晶式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片。此外，本發明不限於第10圖之發光二極體晶片，相較於第五實施例，本發明之第一發光單元與第二發光單元亦可包括上述之電流堵塞層。另外，請參考第11圖，第11圖為本發明第六實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。如第11所示，相較於第五實施例，本實施例之發光二極體晶片550另包括至少一第二光轉換層552，覆蓋第二發光單元502，且延伸至覆蓋第二發光單元502之側壁，亦即不同發光單元係由不同之光轉換層所覆蓋。

此外，本發明之發光二極體晶片亦可以交流電驅動。請參考第12圖，第12圖為本發明第七實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。如第12圖所示，相較於第六實施例，本實施例之發光二極體晶片600之第一發光單元602與第二發光單元604係電性連接在一起。本實施例之第一發光單元602與第二發光單元604係以薄膜覆晶式發光二極體晶片為例，但不限於此，而可為其他形式之發光二極體晶片。第一發光單元602之P型接觸電極606電性連接至第二發光單元604之N型接觸電極612，而作為發光二極體晶片600之一第一電極614。並且，第一發光單元602之N型接觸電極608電性連接至第二發光單元604之P型接觸電極610，而作為發光二極體晶片600之一第二電極616。因此，當發光二極體晶片600之第一電極614提供正電壓，而第二電極616提供負電壓，則第一發光單元602會產生白光。反之，發光二極體晶片600之第一電極602提供負電壓，而第二電極604提供正電壓時，則第二發光單元604會產稱白光，因此發光二極體晶片600於提供交流電壓之情況下可分別藉由驅動第一發光單元602與第二發光單元604來產生白光，而可使用於交流電驅動。此外，本發明之發光二極體晶片亦可具有複數個發光單元，且複數個發光單元可電性連接成一惠斯通(Wheatstone)電橋，並且基板可具有複數個內連線結構以電性連接各發光單元。

另外，本發明亦提供一封裝結構用於封裝上述之發光二極體晶片。請參考第13圖，第13圖為本發明一實施例之發光二極體封裝結構之剖面示意圖。如第13圖所示，發光二極體封裝結構700包含有一導線架702、一發光二極體晶片704、一導線706以及一封裝膠體708。其中導線架702具有一第一引腳710、一第二引腳712以及一連接於第一引腳710之承載部714。本實施例之發光二極體晶片704可為上述各實施例之發光二極體晶片，且具有一第一電極716以及一第二電極718。並且，發光二極體晶片704藉由一導電膠720接合於導線架之承載部714上，使發光二極體晶片704之第一電極716電性連接至第一引腳710，而利用導線706電性連接發光二極體晶片704之第二電極718至第二引腳712。封裝膠體706包覆發光二極體晶片704、承載部714、部分第一引腳710以及部分第二引腳712。值得注意的是，由於發光二極體晶片704本身即可產生白光，因此本發明之發光二極體封裝結構700並不需額外於發光二極體晶片704上點膠或塗佈一螢光層，且封裝膠體708係為一透明膠體。

綜上所述，本發明之發光二極體晶片具有均勻厚度之光轉換層，且光轉換層覆蓋產生光線之發光單元並延伸至覆蓋發光單元之側壁，使得發光二極體晶片所產生之白光色溫不會隨著角度的不同而有所改變，進而解決習知發光二極體封裝結構所射出光線之色溫隨著角度之不同而不同之問題。並且，本發明另於發光二極體晶片中設置一電流堵塞層於發光單元之P型摻雜層與P型接觸電極之間，且對應於N型接觸電極之垂直位置，以強迫通入發光二極體晶片之電流往發光單元之中央流通，進而避免發光單元之側壁射出光線，藉此僅需於發光單元上覆蓋光轉換層，即可使發光二極體晶片產生均勻色溫之光線，且朝發光二極體晶片之頂部射出。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10．．．白光發光二極體封裝結構

12．．．凹槽

14．．．膠體

16．．．導電架

18．．．藍光二極體晶片

20．．．螢光膠體

22．．．金屬導線

100．．．發光二極體晶片

102．．．基板

104．．．第一發光單元

106．．．第一光轉換層

108．．．P型接觸電極

110．．．P型摻雜層

112．．．主動層

114．．．N型摻雜層

116．．．N型接觸電極

118．．．金屬接墊

120．．．膠體

122．．．螢光粉

124．．．第一方向

126．．．第二方向

150．．．發光二極體晶片

152．．．螢光層

154．．．螢光層

160．．．發光二極體晶片

162．．．螢光層

164．．．螢光層

166．．．螢光層

168．．．濾光層

200．．．發光二極體晶片

202．．．電流堵塞層

300．．．發光二極體晶片

302．．．導電插塞

304．．．金屬接墊

350．．．發光二極體晶片

352．．．電流堵塞層

400．．．發光二極體晶片

402．．．透明基板

500．．．發光二極體晶片

502．．．第二發光單元

550‧‧‧發光二極體晶片

552‧‧‧第二光轉換層

600‧‧‧發光二極體晶片

602‧‧‧第一發光單元

604‧‧‧第二發光單元

606‧‧‧P型接觸電極

608‧‧‧N型接觸電極

610‧‧‧P型接觸電極

612‧‧‧N型接觸電極

614‧‧‧第一電極

616‧‧‧第二電極

700‧‧‧發光二極體封裝結構

702‧‧‧導線架

704‧‧‧發光二極體晶片

706‧‧‧導線

708‧‧‧封裝膠體

710‧‧‧第一引腳

712‧‧‧第二引腳

714‧‧‧承載部

716‧‧‧第一電極

718‧‧‧第二電極

720‧‧‧導電膠

第1圖為習知白光發光二極體封裝結構剖面示意圖。

第2圖為本發明第一實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。

第3圖為本發明第一實施例之發光二極體晶片之上視示意圖。

第4圖與第5圖為本發明第一實施例之發光二極體晶片之其他實施態樣的剖面示意圖。

第6圖為本發明第二實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。

第7圖為本發明第三實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。

第8圖為本發明第三實施例之發光二極體晶片之另一實施態樣的剖面示意圖。

第9圖為本發明第四實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。

第10圖為本發明第五實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。

第11圖為本發明第六實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。

第12圖為本發明第七實施例之發光二極體晶片之剖面示意圖。

第13圖為本發明一實施例之發光二極體封裝結構之剖面示意圖。

100．．．發光二極體晶片

102．．．基板

104．．．第一發光單元

106．．．第一光轉換層

108．．．P型接觸電極

110．．．P型摻雜層

112．．．主動層

114．．．N型摻雜層

116．．．N型接觸電極

118．．．金屬接墊

120．．．膠體

122．．．螢光粉

124．．．第一方向

126．．．第二方向

Claims (31)

1. 一種發光二極體晶片，包括：一基板；一第一發光單元，設於該基板上；以及一第一光轉換層，覆蓋該第一發光單元且延伸至覆蓋該第一發光單元之側壁，並且該第一光轉換層具有一均勻厚度，其中位於該第一發光單元之上表面上之該第一光轉換層與位於該第一發光單元之側壁上之該第一光轉換層具有相同厚度，使該發光二極體晶片於不同角度所產生之光線的色溫差小於1500K，而該第一光轉換層未接觸該基板之側壁。
2. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該發光二極體晶片於不同角度所產生之光線的色溫差小於500K。
3. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一光轉換層之厚度約略介於該第一發光單元之厚度之3至20倍。
4. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一光轉換層之厚度約略介於15微米至80微米。
5. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元之側邊與該基板之側邊的最短距離小於該基板側邊之長度的1/10倍。
6. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一光轉換層包括一膠體以及一螢光粉，且該螢光粉係具有複數個螢光顆粒，而螢光顆粒之中位數平均之顆粒粒徑約略小於10微米。
7. 如請求項6所述之發光二極體晶片，其中該螢光粉包括一具有一石榴石結構之螢光物質。
8. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元所產生之光線係為藍色，且該第一光轉換層所轉換出之光線係為黃色。
9. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元所產生之光線係為藍色，且該第一光轉換層包括二螢光層，而該等螢光層所轉換出之光線分別為綠色與紅色。
10. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元所產生之光線係為紫外光，且該第一光轉換層包括至少三螢光層，而該等螢光層所轉換出光線之顏色包含紅色、綠色、藍色或上述組合。
11. 如請求項10所述之發光二極體晶片，另包括一濾光層，設於該第一光轉換層上，用以過濾掉該第一發光單元所產生之紫外光。
12. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元所產生之光線係為紫外光，且該第一光轉換層包括至少三螢光材料，而該等螢光材料所轉換出光線之顏色包括紅色、綠色、藍色或上述組合。
13. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元包括：一P型接觸電極，設於該基板上；一N型接觸電極，設於該基板上；一P型摻雜層，設於該P型接觸電極上；一主動層，設於該P型摻雜層上；以及一N型摻雜層，設於該主動層以及該N型接觸電極上。
14. 如請求項13所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元另包括一透明基板，設於該N型摻雜層上。
15. 如請求項13所述之發光二極體晶片，另包括二導電插塞，貫穿該基板，且分別電性連接該N型接觸電極以及該P型接觸電極。
16. 如請求項15所述之發光二極體晶片，另包括複數個金屬接墊，設於該第一發光單元與該等導電插塞之間，以將該N型接觸電極與該P型接觸電極分別電性連接至各該導電插塞。
17. 如請求項1所述之發光二極體晶片，另包括至少一第二發光單 元，設於該基板上。
18. 如請求項17所述之發光二極體晶片，其中該第一光轉換層覆蓋該第二發光單元，且延伸至覆蓋該第二發光單元之側壁。
19. 如請求項17所述之發光二極體晶片，另包括至少一第二光轉換層，覆蓋該第二發光單元，且延伸至覆蓋該第二發光單元之側壁。
20. 如請求項17所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元之一P型接觸電極電性連接至該第二發光單元之一N型接觸電極，以作為該發光二極體晶片之一第一電極，而該第一發光單元之一N型接觸電極電性連接至該第二發光單元之一P型接觸電極，以作為該發光二極體晶片之一第二電極，使該發光二極體晶片用於交流電驅動。
21. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元包括：一P型接觸電極，設於該基板上；一P型摻雜層，設於該P型接觸電極上；一主動層，設於該P型摻雜層上；一N型摻雜層，設於該主動層上；以及一N型接觸電極，設於該N型摻雜層上，且該N型接觸電極未被該第一光轉換層覆蓋。
22. 如請求項21所述之發光二極體晶片，其中該第一發光單元另包括一電流堵塞層，設於該P型摻雜層與該P型接觸電極之間，且位於該N型接觸電極之正下方。
23. 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該發光二極體晶片所產生之光線係為白色。
24. 一種發光二極體封裝結構，包括：一導線架，具有一第一引腳、一第二引腳以及一連接於該第一引腳之承載部；一發光二極體晶片，設於該承載部上，且該發光二極體晶片具有一第一電極以及一第二電極，而該第一電極電性連接至該第一引腳，該發光二極體晶片包括：一基板；一第一發光單元，設於該基板上；以及一第一光轉換層，覆蓋該第一發光單元且延伸至覆蓋該第一發光單元之側壁，並且該第一光轉換層具有一均勻厚度，其中位於該第一發光單元之上表面上之該第一光轉換層與位於該第一發光單元之側壁上之該第一光轉換層具有相同厚度，使該發光二極體晶片於不同角度所產生之光線的色溫差小於1500K，而該第一光轉換層未接觸該基板之側壁；一導線，電性連接該第二電極至該第二引腳；以及 一封裝膠體，包覆該發光二極體晶片、該承載部、部分該第一引腳以及部分該第二引腳，且該封裝膠體係為一透明膠體。
25. 如請求項24所述之發光二極體封裝結構，其中該發光二極體晶片所產生之光線係為白色。
26. 如請求項24所述之發光二極體封裝結構，其中該發光二極體晶片於不同角度所產生之光線的色溫差小於500K。
27. 一種發光二極體晶片，包括：一基板；一發光單元，設於該基板上，且該發光單元包括一設於該基板上之P型接觸電極、一N型接觸電極以及一設於該P型接觸電極與該N型接觸電極間之電流堵塞層，而該電流堵塞層設於該N型接觸電極之正下方；以及一光轉換層，覆蓋該發光單元且延伸至覆蓋該發光單元之側壁，其中位於該發光單元之上表面上之該光轉換層與位於該發光單元之側壁上之該光轉換層具有相同厚度。
28. 如請求項27所述之發光二極體晶片，其中該發光單元另包括一P型摻雜層，該電流堵塞層設於該P型摻雜層與該P型接觸電極之間且直接接觸該P型接觸電極。
29. 如請求項28所述之發光二極體晶片，其中該發光單元另包括：一主動層，設於該P型摻雜層上；一N型摻雜層，設於該主動層上；以及一N型接觸電極，設於該N型摻雜層上，且該N型接觸電極未被該第一光轉換層覆蓋。
30. 如請求項27所述之發光二極體晶片，其中該光轉換層具有一均勻厚度，使該發光二極體晶片於不同角度所產生之光線的色溫差小於1500K，且該光轉換層未接觸該基板之側壁。
31. 如請求項30所述之發光二極體晶片，其中該發光二極體晶片於不同角度所產生之光線的色溫差小於500K。