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TWI414088B - 發光元件及其製造方法 - Google Patents

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TWI414088B
TWI414088B TW098143295A TW98143295A TWI414088B TW I414088 B TWI414088 B TW I414088B TW 098143295 A TW098143295 A TW 098143295A TW 98143295 A TW98143295 A TW 98143295A TW I414088 B TWI414088 B TW I414088B
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許嘉良
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晶元光電股份有限公司
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Description

發光元件及其製造方法
本發明係關於一種發光元件及其製造方法，更具體而言，係關於一種利用外部電極提升出光效率的發光元件。
近年來，由於磊晶與製程技術的進步，使發光二極體(light emitting diode，簡稱LED)成為極具潛力的固態照明光源之一。基於物理機制的限制，LED僅能以直流電驅動，因此，任何以LED作為光源的照明設計中，都需要與整流及降壓等電子元件搭配，以將電力公司直接提供之交流電轉換為LED可使用之直流電源。然而增加整流及降壓等電子元件，除造成照明成本的增加外，整流及降壓等電子元件的低交流直流轉換效率、偏大的體積等均會影響LED使用於日常照明應用時的可靠度與使用壽命。
交流發光二極體(ACLED)元件不需外加整流與降壓等電子元件便可直接操作於交流電源，未來極有潛力成為定點固態照明之主要產品。而ACLED適用的操作瓦數、晶片尺寸、效率與良率提昇等因素對於該元件未來之實用性與普及性則有著舉足輕重的影響。
ACLED目前主要有兩種結構：其一為在電路上做反向串並聯的設計，另一為在電路上做惠氏電橋(橋式電路)的設計。反向串並聯的設計於操作時僅有50%的LED晶粒被點亮，而惠氏電橋(橋式電路)的設計則於同一時間內能點亮橋式結構中一半的晶粒以及橋式電路電連接的晶粒。相較之下，惠氏電橋(橋式電路)的設計可增加發光面積，有利於ACLED效率提升。
然而在ACLED結構中，不論反向串並聯的設計或是惠氏電橋(橋式電路)的設計皆需要LED晶粒間的電性連接層。如第1圖所示，為一習知的AC LED電極配置方式示意圖，其中電極32為ACLED中之電性連接層，而1a~1k,1m,1n,1p,1q,1r等則為ACLED晶粒未被電極覆蓋的發光區域。由第1圖所示可以發現，ACLED中各晶粒間的電性連接層遮蔽了晶粒相當比例的發光區域，而此電性連接結構同時也造成區域性遮光，致使發光效率大幅降低。
本發明提出一具有低遮光效應的發光二極體及其製造 方法。
本發明提出一發光元件，包含一發光二極體晶片，一基板，以及一接合層，其中發光二極體晶片包含複數發光二極體單元、複數個電極以及至少一電性連接層，發光二極體單元間經電性連接層彼此電性連接，並藉接合層與基板接合；基板內具有複數個通道，其上具有複數個外部電極以供應發光元件發光所需電力。
本發明另提出一發光元件，包括一發光二極體晶片、一次載體(sub-mount)以及至少一導電材(solder)。次載體可具有至少一電路，導電材位於次載體上，藉由導電材將發光二極體晶片黏結及/或固定於次載體上，並使發光二極體晶片與次載體形成電性連接。其中，次載體可以是導線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)，以方便發光二極體結構之電路規劃並提高其散熱效果。
本發明另提出一發光元件，透過電性連接結構之排列，電性連接發光二極體晶片內的各發光二極體單元，以使各發光二極體單元間彼此串聯，並聯或串並聯接；各發光二 極體單元間亦可電性連接為一惠氏電橋(橋式電路)。此外，亦可於各發光二極體單元間填入螢光粉及/或散射粒子(scattering particle)，以增加發光二極體元件的發光效率，並/或進行光線波長轉換以實現混光。
本發明另提出一形成發光元件之方法。首先，於成長基板上形成n型半導體層、主動層以及p型半導體層；除去部分n型半導體層、主動層以及p型半導體層以形成複數發光二極體單元；除去每一發光二極體單元內部分的主動層以及p型半導體層，以暴露n型半導體層的部分上表面；於n型半導體層暴露的表面形成n型電極，於p型半導體層的表面形成p型電極；於發光二極體單元間形成絕緣結構；於發光二極體單元間形成電性連接結構；塗佈絕緣材質於發光二極體晶片具有電性連接結構的一側；於發光二極體晶片相對於絕緣結構的另一側形成一反射層；於反射層相對於發光二極體晶片的另一側形成一接合層(bonding layer)；利用接合層與一永久基板接合；於成長基板內與發光二極體晶片電極的對應處形成複數個通道；透過複數個 通道電性連接發光二極體晶片的電極至成長基板的對側；於成長基板的對側上對應複數個通道的部分，分別形成對應發光二極體晶片電極的複數個外部電極。
請見第2圖所示，為本發明所揭露之一發光元件100之示意圖，發光元件100包括一發光二極體晶片110、一絕緣層120、一反射層130、一接合層140以及一永久基板150。
發光二極體晶片110一側之表面具有絕緣層120，以隔絕發光二極體晶片110與反射層130、接合層(bonding layer)140以及永久基板150間的電性傳導。絕緣層120相對於發光二極體晶片110之另一側具有反射層130，反射層130用以將發光二極體晶片110所產生之光線反射至同一側，以增加發光元件100之出光效率(light extraction efficiency)，反射層130相對於發光二極體晶片110之另一側具有接合層140，接合層140接合永久基板150以及發光二極體晶片110。本實施例中，永久基板150可例如為 一矽基板。
發光二極體晶片110包括一成長基板111、複數發光二極體單元112、複數電極113a以及113b、絕緣結構114、電性連接結構115、通道116以及外部電極117。發光二極體單元112例如可藉由有機金屬化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)磊晶成長於成長基板111上。於本實施例中，發光二極體單元112至少包括一n型半導體層112a、一主動層(active layer)112b以及一p型半導體層112c，依序成長於成長基板111上，其中主動層112b可包括一多重量子井結構(multiple quantum well)，n型半導體層112a與成長基板間尚可利用離子摻雜或其他成長方式形成一緩衝層(buffer layer)，p型半導體層112c相對於主動層112b之另一側上可進一步形成一電流分散層，以使電流更加平均地擴散至主動層112b。電極113a為一n型電極，位於n型半導體層112a上，電極113b為一p型電極，位於p型半導體層112c上，電極113a與電極113b較佳地需要與n型半導體層112a以及p型半導 體層112c分別形成歐姆接觸(ohmic contact)。發光二極體單元112間具有絕緣結構114，於本實施例中，絕緣結構114的寬度需足以隔絕絕緣結構114兩側的發光二極體單元112間非藉由電性連接結構115傳導的電性，形成有效絕緣。透過絕緣結構114，得以提供發光二極體單元112所需的靜電與短路保護，使得發光二極體單元112的側面，尤其是主動層(active layer)112b不被異常電性傳導狀況所影響或破壞。本實施例中，絕緣結構114可由實施旋塗式玻璃法(Spin-on glass)達成局部性的(Locally)平坦化。
絕緣結構114之一側具有電性連接結構115，以電性連接發光二極體單元112中之一發光二極體單元的n型電極113a與另一發光二極體單元的p型電極113b，重複此連接方式，藉此以串聯或並聯方式連接發光二極體晶片110內的各發光二極體單元112，以構成各發光二極體單元112間彼此串聯、並聯、串並聯接或反向串並聯接的發光二極體晶片110。此外，各發光二極體單元112間可以電性串聯(electrically connecting in series)成為具有複數發光二極 體單元的的一單晶片(Multiple-dies Chip,MC)；配合工作電壓，以單一單晶片結構或是組合複數單晶片結構可應用於一直流電源或是經過整流之後的交流電源上。亦可於單一單晶片裡電性連接複數發光二極體單元112為包含一惠氏電橋(橋式電路)的電性佈局，以應用於一交流電源上。透過電性連接結構115，各發光二極體單元112間彼此電性連接，於一實施例中，上述之電性連結狀況使得發光二極體晶片110藉由兩電極(即為電性連接後之發光二極體單元112中一發光二極體單元112的n型電極以及另一發光二極體單元112的p型電極)即可供應各發光二極體單元112所需之操作電力。
本實施例中，成長基板111為一藍寶石(Sapphire)基板，經研磨後之一較佳厚度約為10μm。成長基板111具有貫通及/或穿透成長基板111的複數個通道116，其中貫通是指直線式的通過，而穿透係指非均勻或非直線式的通過，但仍貫通成長基板111。通道116係於成長基板111內與複數個外部電極117的對應處形成，通道116內具有導電性 材料，以電性連接外部電極117以及發光二極體單元112，外部電極117位於成長基板111上，與發光二極體晶片110的電極電性連接，使發光二極體晶片110得藉由外部電極117以及通道116內的導電材料獲得電源供應。值得注意的是，發光二極體單元112間的電性連接可藉由電性連接結構115直接形成，各發光二極體單元112無須再單獨形成電極，僅需在對應外部電極117的位置上形成電極以提供電性連接即可，因此可以減少製作程序並增加發光二極體晶片的可靠性。
請見第3A-3G圖所示，為本發明所揭露形成發光元件100之一方法示意圖。首先，於3A圖中，在成長基板111上依序形成n型半導體層112a、主動層112b以及p型半導體層112c；接著，除去部分n型半導體層112a、主動層112b以及p型半導體層112c，以形成複數磊晶結構，；其後，於3B圖中，除去每一磊晶結構內部分的主動層112b以及p型半導體層112c，使部分n型半導體層112a的上表面暴露於外；於3C圖中，於n型半導體層112a暴露的表 面形成n型電極113a，於p型半導體層112c的表面形成p型電極113b，以形成發光二極體單元112；於3D圖中，於發光二極體單元112間形成絕緣結構114，絕緣結構114可僅沿著發光二極體單元112的側面形成，或是進一步覆蓋p型半導體層112c的表面。本實施例中，絕緣結構114係深達n型半導體層112a底部的成長基板；接著形成電性連接結構115，以使每一發光二極體單元112彼此電性連接，電性連接結構115的連接方式為電性連接一發光二極體單元112的n型電極113a以及另一發光二極體單元112的p型電極113b。或於各發光二極體單元112上不形成電極，直接以電性連接結構115電性連接各發光二極體單元112，以串聯或並聯方式電性連接發光二極體晶片110內的各發光二極體單元112，以構成各發光二極體單元112間彼此串聯、並聯或串並聯接的發光二極體晶片110，各發光二極體單元112間亦可以串聯成為具有複數發光二極體單元的一單晶片(Multiple-dies Chip,MC)，配合工作電壓，以單一單晶片結構或是組合複數單晶片結構以應用於一直 流電源或是經過整流之後的交流電源上。亦可於單晶片結構裡電連接各發光二極體單元112為包含一惠氏電橋(橋式電路)的狀態，以應用於一交流電源上。電性連接結構115係部分或全部形成於絕緣結構114上，以藉由絕緣結構114隔絕非藉由電連接結構115傳導的電性，形成有效絕緣，以避免發光二極體單元112受到損害。經過上述步驟完成發光二極體晶片110的結構後，於3E圖中，於發光二極體晶片110具有電性連接結構115的一側塗佈絕緣層120；於絕緣層120相對於發光二極體晶片110的另一側形成一反射層130，或形成複數層具有不同折射率而可以折射由發光二極體晶片110射出光線的結構，例如一布拉格反射層(Bragg Reflection Layer)；其後，於反射層130相對於絕緣層120的另一側形成一接合層(bonding layer)140，例如一晶圓接合層(wafer bonding layer)或一金屬接合層(metal bonding layer)；於3F圖中，利用接合層140與一永久基板150接合，本實施例中，係以晶圓接合方式接合永久基板150以及接合層140，但亦不以此為限，其中永久基板150 為一矽基板；完成接合後，將成長基板111利用研磨等方法薄化，較佳地可薄化至10μm；之後於3G圖中，利用蝕刻等方式，於成長基板111內，形成貫通/穿透成長基板111的複數個通道116；利用於通道116內填入導電性材料的方式，電性連接發光二極體晶片110的複數個電極至成長基板111的對側；最後，於成長基板111的對側上，對應通道116的部分，分別形成對應發光二極體晶片110電極的複數個外部電極117。
請見第4圖，為本發明所揭露之另一發光元件200之結構示意圖，本實施例中，標號與圖2相同之元件，除了本實施例中所敘述之特徵與組成外，具有與圖2中元件相同的特性與使用方式，其中一永久基板250係為氮化鋁基板，通道116係貫通永久基板250，於永久基板250相對於發光二極體晶片110的相對表面上形成外部電極117。
請見第5圖所示，為本發明所揭露之另一發光元件300之結構示意圖，本實施例中，標號與圖2相同之元件，除了本實施例中所敘述之特徵與組成外，亦具有與圖2中元 件相同的特性與使用方式。發光元件300包括發光二極體晶片110、一次載體(sub-mount)310以及至少一導電材320。次載體310可具有至少一電路，導電材320位於次載體310上，或是同時分別存在於發光二極體晶片110以及次載體310上，藉由導電材320將發光二極體晶片110黏結及/或固定於次載體310上並使發光二極體晶片110與次載體310形成電性連接，其中，電性連接可藉由將導電材320與外部電極117連接而形成，發光二極體晶片110與次載體310可以藉由焊接製程(soldering process)或黏著製程(adhesive process)彼此固定並完成電性連接。於焊接製程時，導電材320可為一金屬凸塊(metal bump)，其材料可為合金(alloy)、金屬(metal)或焊料(solder)。當金屬凸塊為合金凸塊或是於焊接後成為合金的狀況下，分佈於發光二極體晶片110以及次載體310上的金屬凸塊可為合金或分別為單一金屬，藉由一共融合金銲接(eutectic soldering)製程形成合金，亦可藉由等向性導電膠(isotropically conductive adhesive；ICA)形成該金屬凸塊。於黏著製程時，則以膏狀 形式或薄膜形式的異向性導電膠(anisotropically conductive adhesive；ACA)，即異方性導電膜(anisotropically conductive film；ACF)等，將晶片與次載體310相連接。在結合壓力和熱的共同作用下，完成電性連結，並使粘著劑永久地固化(cure)及熱穩定。次載體310可以是導線架(lead frame)、大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)或電路板(例如一PCB電路板)等，以實現發光元件300之電路規劃並提高其散熱效果。本實施例中，可選擇性地將發光二極體晶片110上的成長基板111移除，並於發光二極體晶片110以及次載體310間填入或形成導熱結構330，以增加發光元件300的散熱效率。再者，可於移除成長基板後的發光二極體晶片110表面上實施粗化(roughing)步驟，使發光二極體晶片110具有粗化表面或者粗化結構，藉以增加發光元件300之光摘出效率。亦可於絕緣結構114內加入螢光粉(Phosphor)以及散射粒子(scattering particle)，其中螢光粉可轉換發光二極體單元112所發出的光線為不同光色以進行光色混光，換言之，可將發光二極體單元112所發出之 光線轉換為波長較長的另一光線。例如將藍光轉為紅光以及黃光，以形成白光輸出，或是其他光色的轉換，亦為可能的變換方式。而散射粒子則使進入絕緣結構114中的被發出光線向外散射，以增加發光二極體晶片110的出光效率，散射粒子之材質可為二氧化鈦(TiO2)以及二氧化矽(SiO2)及其組合，但亦不以此為限。上述絕緣結構114中的螢光粉(Phosphor)以及散射粒子(scattering particle)，可一併或單獨加入絕緣結構114中，其組成以及濃度可依據產品不同加以調整，而使絕緣結構114中包含螢光粉(Phosphor)以及散射粒子(scattering particle)之一者及其組合。
此外，請見第6圖所示，發光元件300亦可不除去成長基板111，而於成長基板111實施粗化(roughing)步驟，使成長基板111具有粗化表面或者粗化結構，藉以增加發光元件300之光摘出效率。同第5圖所述，絕緣結構114內亦加入螢光粉(Phosphor)以及散射粒子(scattering particle)，其中螢光粉可轉換發光二極體單元中發出的光線為不同光色以進行光色混光，例如將藍光轉為紅光或是黃 光以形成白光輸出，或是其他光色的轉換，亦為可能的變換方式。而散射粒子則使進入絕緣結構114中的被發出光線向外散射，以增加發光二極體晶片110的出光效率，散射粒子之材質可為二氧化鈦(TiO2)以及二氧化矽(SiO2)及其組合，但亦不以此為限。上述絕緣結構114中的螢光粉(Phosphor)以及散射粒子(scattering particle)，可一併或單獨加入絕緣結構114中，其組成以及濃度可依據產品不同加以調整，而使絕緣結構114中包含螢光粉(Phosphor)以及散射粒子(scattering particle)之一者及其組合。
請見第7A圖以及第7B圖所示，為本發明所揭露之發元件400之另一實施例，其中第7A圖為發光元件400之俯視圖，第7B圖則為發光元件400之A-A’-A”剖面圖。本實施例利用次載體310與發光二極體晶片110間的電性連接，使得發光元件400具有彈性的電性配置可能。本實施例中，次載體310與發光二極體晶片110間具有至少三個電性接點，其中電性接點之材料可與導電材320相同或相通，發光二極體晶片110內可包含至少兩組發光二極體 單元群411以及412，其中發光二極體單元群411以及412至少包含複數彼此串聯的發光二極體單元112，舉例來說，發光二極體單元群411以及412可承受近似於均方根(root mean square)值在120伏特(voltage)以及240伏特的順向電壓，或是峰值(peak value)或均方根值近似33伏特或72伏特的順向電壓。發光二極體單元群411以及412可各自具有至少兩電性接點，或者，發光二極體單元群411以及412可共用一電性接點。在發光二極體單元群411以及412可各自具有至少兩電性接點的情形下，發光二極體單元群411的一電性接點與發光二極體單元群的另一電性接點彼此電連接，以形成一共同節點C(common node)420"，使得於共同節點C上施加的電信號或者電源可以被一併傳輸應用於發光二極體單元群411以及412上，或具有其他共同節點結構產生的電性特徵。另外，發光二極體單元群411上除了共同節點C之另一電性接點420'為節點B，而發光二極體單元群412上除了共同節點C之另一電性接點420'''為節點D。於本實施例中，次載體310利用導電材320分別與 節點B、C、D電連接，以於次載體310上形成對應於節點B、C、D的節點B’、C’、D’，而對節點B’、C’、D’施加的電信號或者電源可被傳輸應用於對應的節點B、C、D。於此架構下，當節點B’以及D’被連接上電源，而節點C’未與外部電源電性連接時，發光二極體單元群411以及412間為串聯電性連接狀況，而在C’被電性連接於電源的一極，而節點B’與D’被電性連接於電源的另一極的情形下，發光二極體單元群411以及412間為並聯或反向並聯電性連接。此種架構於單一晶片以及封裝結構下，即可實現發光二極體單元群411以及412間複數種電性連接的可能，舉例來說，當發光元件400被應用於均方根值在120伏特的電力系統時，則可對發光元件400實行並聯或反向並聯的電性連接、封裝以及打線，使發光元件400可被應用於均方根值在120伏特的電力系統。而當發光元件400被應用於均方根值在240伏特的電力系統時，則可對發光元件400實行串聯的電性連接，封裝以及打線，使發光元件400可被應用於均方根值在240伏特的電力系統。以此，本實 施例僅使用同一種發光元件400，則可被應用於多種電力系統架構下，且利用次載體作為與電力系統進行電性連接之點，使得發光元件400在應用上的可靠性提高，生產成本降低，讓終端產品的價格有優化的空間，進而提升發光二極體應用領域的可能。值得一提的是，前述的發光二極體單元群411以及412係為同一發光二極體晶片110之一部分，但亦可以兩發光二極體晶片110替代發光二極體單元群411以及412，而於相同的發明精神下實施本實施例。
本發明所揭露之發光元件，可包含由基板側出光的覆晶式(flip chip)封裝結構，因覆晶封裝結構由基板側出光的特性，使其出光效率不因發光區域被遮蔽而減少，因此於發光二極體單元間的導電材料無須選擇透明材質，亦無需針對縮小遮光面積的問題，或導電材料的形狀或製程進行特別設計，因此可以增加出光效率、降低成本，並使導電材料的選擇不受限制。
此外，本發明所揭露之發光二極體結構，除可以習知封裝方式進行封裝之外，亦可於磊晶製程下進行操作，與一 般將發光二極體結構另外尺寸差異甚大的封裝體進行封裝分屬不同方法，亦即本發明所揭露之發光二極體結構可於同一晶圓等級下進行操作，因此所述各元件間可具有相似的尺寸等級(例如於同一數量級，或10的1次方內)，如此一來，不僅簡化製程，無須再額外對發光二極體結構進行封裝，亦可將本發明所揭露之發光二極體結構單獨或數個與封裝載體再進行封裝，則本發明所揭露之發光二極體結構使得打線等封裝步驟更為簡單，因此使發光二極體的封裝得以降低成本並且增加封裝體的信賴性。
上述之諸實施例，其中所述之n型半導體層、p型半導體層以及主動層之材料係包含III-V族化合物，例如氮化鎵系列或磷化鎵系列之材料。所述之成長基板例如為包括至少一種材料選自於藍寶石、碳化矽、氮化鎵、以及氮化鋁所組成之群組。所述之n型半導體層、p型半導體層以及主動層可為單層或多層結構，例如為超晶格結構。另外，本發明之所述之發光二極體晶片並不限於以成長方式成長於所述之成長基板上，以接合方式直接接合或藉由一介質 接合至一導熱或導電基板亦屬本發明之範圍。
所述之電流分散層包含透明金屬氧化物，例如為氧化銦錫(ITO)、金屬或金屬合金。所述之成長基板例如為包括至少一種透明材料或絶緣材質選自於藍寶石、碳化矽、氮化鎵、以及氮化鋁所組成之群組。所述之永久基板例如為包括透明材料選自於磷化鎵、藍寶石、碳化矽、氮化鎵、以及氮化鋁所組成之群組；或例如為包括導熱材料選自於鑽石、類鑽碳(DLC)、氧化鋅、金、銀、鋁等金屬材質所組成之群組。所述之接合層包含非單晶相接合層且包含至少一種材料選自於金屬氧化物、非金屬氧化物、高分子聚合物、金屬、或金屬合金所組成之群組。
本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
100‧‧‧發光元件
110‧‧‧發光二極體晶片
120‧‧‧絕緣層
130‧‧‧反射層
140‧‧‧接合層
150‧‧‧永久基板
111‧‧‧成長基板
112‧‧‧發光二極體單元
112a‧‧‧n型半導體層
112b‧‧‧主動層
112c‧‧‧p型半導體層
113a、113b‧‧‧電極
114‧‧‧絕緣結構
115‧‧‧電性連接結構
116‧‧‧通道
117‧‧‧外部電極
200‧‧‧發光元件
250‧‧‧永久基板
300‧‧‧發光元件
310‧‧‧次載體
320‧‧‧導電材
330‧‧‧導熱結構
400‧‧‧發光元件
411、412‧‧‧發光二極體單元群
420'、420"、420"‧‧‧電性接點
B、C、D‧‧‧節點
B’、C’、D’‧‧‧節點
第1圖為一習知的AC LED電極配置方式示意圖。
第2圖為本發明所揭露之一發光元件100之示意圖。
第3A-3G圖為本發明所揭露形成發光元件100之一方法示意圖。
第4圖為另一發光元件200之結構示意圖。
第5圖為另一發光元件300之結構示意圖。
第6圖為另一發光元件300另一實施之結構示意圖。
第7A圖所示為另一發光元件400之俯視圖。
第7B圖所示為另一發光元件400之A-A’-A”剖面圖。
100‧‧‧發光元件
110‧‧‧發光二極體晶片
120‧‧‧絕緣層
130‧‧‧反射層
140‧‧‧接合層
150‧‧‧永久基板
111‧‧‧成長基板
112‧‧‧發光二極體單元
112a‧‧‧n型半導體層
112b‧‧‧主動層
112c‧‧‧p型半導體層
113a、113b‧‧‧電極
114‧‧‧絕緣結構
115‧‧‧電性連接結構
116‧‧‧通道
117‧‧‧外部電極

Claims (49)

  1. 一發光元件，包括：一發光二極體晶片，包括複數發光二極體單元及至少一電性連接層，其中該等發光二極體單元間經該電性連接層彼此電性連接，其中每一該等發光二極體單元具有一第一半導體層、一第二半導體層以及一主動層；一接合層；以及一永久基板，透過該接合層與該發光二極體晶片接合；其中，該電性連接層介於該等發光二極體單元及該接合層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一半導體層為一p型半導體層，該第二半導體層為一n型半導體層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，該等發光二極體單元間具有一絕緣結構，該絕緣結構中具有複數散射粒子及/或螢光物質。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元發出具有一第一波長的一第一可見光，該絕緣結構中之該螢光物質可轉換至少部分該第一可見光為具有一第二波長的一第二可見光，其中該第二波長較該第一波長為大。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元組成兩發光二極體單元群，該等發光二極體單元群中具有至少一共同節點。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元群透過該共同節點形成下列電性連接方式之一種：串聯、並聯、串並聯接、反向串並聯以及橋式電路連接。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該發光二極體晶片以及該永久基板間的接合方式係為下列接合方式之一者及其組合：金屬接合以及晶圓接合。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更具有一反射層位於該發光二極體晶片與該接合層之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該發光二極體晶片更包括複數個電極以提供該等發光二極體單元所需電力。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件，更包括複數個外部電極電性連接該發光二極體晶片。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之發光元件，該發光二極體晶片具有複數個通道，該複數個外部電極透過該複數個通道電性連接該發光二極體晶片之該複數個電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光元件，其中，該發光二極體晶片更具有一成長基板，該等發光二極體單元形成於該成長基板之一側，該複數個外部電極形成於該成長基板之另一側。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該發光二極體晶片以及該永久基板具有同一數量級之尺寸。
  14. 一發光元件，包括：一發光二極體晶片，包括複數發光二極體單元、至少兩電極以及至少一電性連接層，其中該等發光二極體單元間經該電性連接層彼此電性連接，其中每一該等發光二極體單元具有一第一半導體層、一第二半導體層以及一主動層；以及一基板，該發光二極體晶片形成於該基板之一側，其中該基板另一側則具有複數個外部電極電性連接該發光二極體晶片。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該第一半導體層為一p型半導體層，該第二半導體層為一n型半導體層。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該二極體晶片相對於該基板之另一側具有一粗化表面。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該等發光二極 體單元間具有一絕緣結構。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光元件，其中該絕緣結構中具有複數散射粒子及/或螢光物質。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元發出具有一第一波長的一第一可見光，該絕緣結構中之該螢光物質可轉換至少部分該第一可見光為具有一第二波長的一第二可見光，其中該第二波長較該第一波長為大。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元組成兩發光二極體單元群，該等發光二極體單元群中具有至少一共同節點。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元群透過該共同節點形成下列電性連接方式之一種：串聯、並聯、串並聯接、反向串並聯以及橋式電路連接。
  22. 如申請專利範圍14項所述之發光元件，其中該發光二極體晶片以及該基板具有同一數量級之尺寸。
  23. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該發光二極體晶片更包括複數個電極以提供該等發光二極體單元所需電力。
  24. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該基板具有複 數個通道，該複數個外部電極透過複數個通道電性連接該發光二極體晶片。
  25. 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，更具有一絕緣層、一反射層以及一接合層，其中該絕緣層位於該發光二極體晶片的表面，該反射層位於該絕緣層相對於該發光二極體晶片的另一側，該接合層形成於該反射層相對於該絕緣層的另一側，接合該發光二極體晶片以及該基板。
  26. 一發光元件，包括：發光二極體晶片，包括複數發光二極體單元、以及至少一電性連接層，其中該等發光二極體單元間透過該電性連接層彼此電性連接，其中每一該等發光二極體單元具有一第一半導體層、一第二半導體層以及一主動層；以及一次載體，具有至少一導電材位於該次載體上，藉由該導電材將該發光二極體晶片黏結固定於該次載體上，並使該發光二極體晶片形成電性連接。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該第一半導體層為一p型半導體層，該第二半導體層為一n型半導體層。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該次載體係為下列之一者：導線架(lead frame)、大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)或電路板。
  29. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元間形成一絕緣結構以隔絕該等發光二極體單元間非經由該電性連接層傳導的電力。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之發光元件，其中該絕緣結構中具有複數散射粒子及/或螢光物質。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元發出具有一第一波長的一第一可見光，該絕緣結構中之該螢光物質可轉換至少部分該第一可見光為具有一第二波長的一第二可見光，該第二波長較該第一波長為大。
  32. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元組成兩發光二極體單元群，該等發光二極體單元群中具有至少一共同節點。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之發光元件，其中該等發光二極體單元群透過該共同節點形成下列電性連接方式之一種：串聯、並聯、串並聯接、反向串並聯以及橋式電路連接。
  34. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該發光二極體晶片、該基板以及該次載體具有同一數量級之尺寸。
  35. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該次載體與該發光二極體晶片中更形成一導熱結構。
  36. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該發光二極體晶片以及該次載體間的接合方式係為下列接合方式及其組合：焊接製程(soldering process)或黏著製程(adhesive process)。
  37. 如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該發光二極體晶片更包括複數個電極以提供該等發光二極體單元所需電力。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之發光元件，更具有複數個外部電極，該發光二極體晶片具有複數個通道，該複數個外部電極透過該複數個通道電性連接該發光二極體晶片之該複數個電極。
  39. 一種發光元件的製造方法，包括下列步驟：於一基板上形成具有複數發光二極體單元的一發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有複數個電極；於該等發光二極體單元間形成至少一絕緣結構；於該絕緣結構上形成一電性連接結構以電性連接該等發光二極體單元；以及塗佈一絕緣層於該發光二極體晶片具有該電性連接結構的一側； 形成複數個通道於該基板；於該複數個通道形成導電性材料以電性連接該發光二極體晶片之該複數個電極；以及形成複數個外部電極於該基板上電性連接該複數個電極。
  40. 如申請專利範圍第39項所述之發光元件的製造方法，更包含下列步驟：於該絕緣層相對於該發光二極體晶片的另一側形成一反射層；於該反射層相對於絕緣材質的另一側形成一接合層；以及利用該接合層接合一永久基板。
  41. 如申請專利範圍第39項所述之發光元件的製造方法，更包含一移除該基板的步驟。
  42. 如申請專利範圍第39項所述之發光元件的製造方法，更包含下列步驟：以至少一導電材使該發光二極體晶片黏結固定於一次載體上，並使該發光二極體晶片與該次載體間形成電性連接。
  43. 如申請專利範圍第39項所述之發光元件的製造方法，其中該絕緣結構隔絕該等發光二極體單元間非經由該電性連接層傳 導的電力。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之發光元件的製造方法，其中該絕緣結構中具有複數散射粒子及/或螢光物質。
  45. 如申請專利範圍第44項所述之發光元件的製造方法，該等發光二極體單元發出具有一第一波長的一第一可見光，該絕緣結構中之該螢光物質可轉換至少部分該第一可見光為具有一第二波長的一第二可見光，其中該第二波長較該第一波長為大。
  46. 如申請專利範圍第39項所述之發光元件的製造方法，其中該等發光二極體單元組成兩發光二極體單元群，該等發光二極體單元群中具有至少一共同節點。
  47. 如申請專利範圍第46項所述之發光元件的製造方法，其中該等發光二極體單元群透過該共同節點形成下列電性連接方式之一種：串聯、並聯、串並聯接、反向串並聯以及橋式電路連接。
  48. 如申請專利範圍第39項所述之發光元件的製造方法，其中該發光二極體晶片以及該基板具有同一數量級之尺寸。
  49. 如申請專利範圍第42項所述之發光元件的製造方法，其中，該次載體與該發光二極體晶片間更形成一導熱結構。
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8680551B1 (en) * 2006-10-18 2014-03-25 Nitek, Inc. High power ultraviolet light sources and method of fabricating the same
US8471282B2 (en) 2010-06-07 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Passivation for a semiconductor light emitting device
EP2686892B1 (en) * 2011-03-14 2019-10-02 Lumileds Holding B.V. Led having vertical contacts redistributed for flip chip mounting
KR101766298B1 (ko) * 2011-03-30 2017-08-08 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TWI467807B (zh) * 2011-10-28 2015-01-01 Rgb Consulting Co Ltd 覆晶式之發光二極體
DE102011087887A1 (de) * 2011-12-07 2013-06-13 Osram Gmbh Leuchtdiodenanordnung
US8928012B2 (en) * 2012-02-22 2015-01-06 Jianhua Hu AC LED device and its manufacturing process for general lighting applications
TWI549278B (zh) * 2012-03-12 2016-09-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWI575722B (zh) * 2012-03-12 2017-03-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWI523269B (zh) * 2012-03-30 2016-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
CN103378254B (zh) * 2012-04-27 2017-07-21 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN104508842B (zh) 2012-06-14 2017-06-09 安相贞 半导体发光器件及其制造方法
KR101928328B1 (ko) * 2012-07-26 2018-12-12 안상정 반도체 발광소자
US9362446B2 (en) * 2012-07-26 2016-06-07 Sang Jeong An Semiconductor light-emitting device
CN103633232B (zh) * 2012-08-22 2016-09-07 华夏光股份有限公司 半导体发光装置
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI661578B (zh) 2013-06-20 2019-06-01 Epistar Corporation 發光裝置及發光陣列
US9761774B2 (en) * 2014-12-16 2017-09-12 Epistar Corporation Light-emitting element with protective cushioning
TWI642874B (zh) * 2013-09-11 2018-12-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件以及相關之照明裝置
KR102135921B1 (ko) * 2013-12-27 2020-07-20 엘지디스플레이 주식회사 연성회로기판 및 이를 포함하는 영상표시장치
KR102227085B1 (ko) * 2014-03-05 2021-03-12 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
DE102015103289A1 (de) 2014-03-06 2015-09-10 Epistar Corporation Lichtemittierende Vorrichtung
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI614920B (zh) 2014-05-19 2018-02-11 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
JP6529223B2 (ja) * 2014-06-30 2019-06-12 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光電部品
KR101529934B1 (ko) 2014-07-01 2015-06-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
KR101771460B1 (ko) 2015-01-27 2017-08-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI646706B (zh) 2015-09-21 2019-01-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片封裝體
KR102412409B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102761525B1 (ko) * 2016-12-07 2025-02-04 서울바이오시스 주식회사 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법
KR102772357B1 (ko) * 2016-12-20 2025-02-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 이를 포함하는 발광 다이오드 디스플레이 장치
KR102582424B1 (ko) * 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
JP6843916B2 (ja) * 2019-05-14 2021-03-17 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光電部品
US11948922B2 (en) * 2020-01-03 2024-04-02 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and LED display apparatus including the same
CN114902411A (zh) 2020-01-03 2022-08-12 首尔伟傲世有限公司 发光元件以及具有该发光元件的led显示装置
JP7223046B2 (ja) * 2021-02-24 2023-02-15 晶元光電股▲ふん▼有限公司 光電部品
CN116014051A (zh) * 2021-10-22 2023-04-25 隆达电子股份有限公司 微型发光二极管封装结构
CN114759136B (zh) * 2022-06-14 2022-08-30 南昌凯捷半导体科技有限公司 一种miniLED芯片及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121127A (en) * 1996-06-14 2000-09-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Methods and devices related to electrodes for p-type group III nitride compound semiconductors
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6169294B1 (en) * 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US20070072324A1 (en) * 2005-09-27 2007-03-29 Lumileds Lighting U.S., Llc Substrate for growing a III-V light emitting device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6486499B1 (en) * 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6903376B2 (en) * 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
JP4585014B2 (ja) * 2002-04-12 2010-11-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光装置
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
DE112005003841B4 (de) * 2004-12-14 2016-03-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen
JP2008011285A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Fujitsu Ltd 送信電力制御装置及び送信電力制御方法
CN101144598A (zh) * 2006-09-11 2008-03-19 财团法人工业技术研究院 交流发光装置
JP2010517273A (ja) * 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド フォールト・トレラント発光体、フォールト・トレラント発光体を含むシステムおよびフォールト・トレラント発光体を作製する方法
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
CN101601135B (zh) * 2007-01-22 2012-06-27 科锐公司 使用发光器件外部互连阵列的照明装置以及其制造方法
US7985970B2 (en) * 2009-04-06 2011-07-26 Cree, Inc. High voltage low current surface-emitting LED
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9117944B2 (en) * 2008-09-24 2015-08-25 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121127A (en) * 1996-06-14 2000-09-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Methods and devices related to electrodes for p-type group III nitride compound semiconductors
US6169294B1 (en) * 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US20070072324A1 (en) * 2005-09-27 2007-03-29 Lumileds Lighting U.S., Llc Substrate for growing a III-V light emitting device

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