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TWI398722B - A mask defect inspection device and mask defect inspection method - Google Patents

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TWI398722B
TWI398722B TW098114514A TW98114514A TWI398722B TW I398722 B TWI398722 B TW I398722B TW 098114514 A TW098114514 A TW 098114514A TW 98114514 A TW98114514 A TW 98114514A TW I398722 B TWI398722 B TW I398722B
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TW
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sensor
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reticle
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TW098114514A
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English (en)
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TW201007346A (en
Inventor
Hideo Tsuchiya
Toshiyuki Watanabe
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
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Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Publication of TW201007346A publication Critical patent/TW201007346A/zh
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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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Description

光罩缺陷檢查裝置及光罩缺陷檢查方法
本發明係關於一種光罩(reticle)缺陷檢查裝置及光罩缺陷檢查方法。本發明尤其係關於一種將TDI(Time Delay Integration，時間延遲積分)感測器(sensor)輸出予以正規化之感測器放大器(amplifier)設備之偏移(offset)及增益(gain)之調整。
在半導體裝置之製造過程中，為了形成圖案(pattern)在基板(亦稱為晶圓)上，係使用形成有電路圖案之原畫圖案(亦稱為光罩或遮罩(mask)，以下總稱為光罩)，以所謂被稱為步進器(stepper)之縮小投影曝光裝置將圖案曝光轉印至晶圓上。光罩通常係在穿透光之玻璃基板，以遮光材料形成有圖案。遮光材料係廣泛使用鉻(Cr)。此外，以超解像技術之一之相位移位(shift)遮罩而言，係使用以由錳矽化物(MoSi)等所組成之半透明膜為遮光膜之半調(half tone)型之相位移位遮罩、及改變玻璃基板之厚度使之具有相位移位效果之雷文生(Levenson)型之相位移位遮罩。在此種遮罩之製造中係使用圖案描繪裝置，而該圖案描繪裝置係使用可描繪微細之電路圖案之電子射束(beam)。若圖案缺陷存在於光罩，則缺陷會轉印於晶圓上。因此，需進行光罩之缺陷檢查。
以光罩之缺陷檢查方法而言，已知有晶粒對晶粒(Die-to-Die)檢查方法、及晶粒至資料庫(Die-to-Database)檢查方法。晶粒對晶粒檢查方法，係為比較位於不同位置之同一圖案之光學圖像彼此之方法。另一方面，晶粒至資料庫檢查方法，係為比較從光罩作成時所使用之描繪資料(CAD(Computer-Aided Design，電腦輔助設計)資料)所生成之參照圖像、及實際之光罩之圖案之光學圖像之方法。
為了生成光學圖像乃使用電荷蓄積型之TDI(Time Delay Integration，時間延遲積分)感測器、及將此TDI感測器之輸出予以增幅之感測器放大器(例如參照專利文獻1)。以穿透光檢查之情形下，由於半調型相位移位遮罩可獲得某程度遮光膜與玻璃基板之對比(contrast)，因此可採用以與鉻遮罩同樣在檢出光學系統所受光之感測器圖像之光強度信號來辨識遮罩圖案而進行缺陷判斷之手法。視缺陷之形狀，利用遮罩面之反射光之一方，有易於獲得對比之情形，亦有由於異物檢查功能等之用途而裝備有反射檢查光學系統之檢查裝置。
此外，已知在上述之參照圖像與光學圖像之比較之前，先進行感測器放大器之偏移及增益之正規化調整(calibration，校準)。(例如參照專利文獻2)。以穿透光檢查之情形下，依據專利文獻2，在將與進行穿透光攝像之TDI感測器之攝像面積相比具有較充分寬廣之面積之黑色區域(遮光膜區域或半調膜區域)進行攝像而調整偏移之後，將與TDI感測器之攝像面積相比具有較充分寬廣之面積之白色區域(玻璃基板)進行攝像而調整增益。以反射光檢查之情形下，從在鉻或半調膜之部分反射而成為白色區域，而玻璃基板之部分由於無反射光，故成為黑色區域。
然而，近年來，由於描繪於製品光罩之圖案之微細化進展，而有在製品光罩本身不存在充分寬廣之面積之黑色區域或白色區域之情形。此外，雖需在一部分亦要進行準備有別於校準用製品圖案之充分寬廣之面積之黑色區域或白色區域，惟製品圖案所佔之面積不斷擴大，而使校準用圖案成為未必有準備之事態。此情形下，係使用以與製品光罩相同膜種形成黑色區域與白色區域之偏移/增益調整用光罩(以下稱為「調整用光罩」)。在使用調整用光罩而調整感測器放大器之偏移及增益之後，載換於製品光罩而執行缺陷檢查。此種光罩之載換，會有招至生產量(throughput)之降低、及由於調整用光罩與製品光罩之遮光膜之精加工精確度之誤差，而於感測器信號之振幅及偏移包含誤差之虞。
此外，若白色區域之玻璃基板之厚度不同，則光之穿透率就不同。因此，使用調整用光罩而調整為最佳之感測器放大器之偏移及增益，在製品光罩中係有不會成為最佳之可能。
由以上理由可得知，係以使用被檢查光罩之製品光罩本身而非使用調整用光罩來調整感測器放大器之偏移及增益為較理想。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-271444號公報
[專利文獻2]日本專利第3410847號公報
有鑑於上述問題，本發明之問題係提供一種光罩缺陷檢查方法及光罩缺陷檢查裝置，即使在製品光罩不存在與TDI感測器攝像面積相比為較充分之寬度之黑色區域及白色區域，亦可使用製品光罩而進行感測器放大器之偏移及增益之調整。
為了解決上述問題，本發明之第1態樣係一種光罩缺陷檢查方法，其特徵為比較：使圖像感測器對於光罩相對地移動，且將前述圖像感測器之各像素之輸出藉由感測器放大器予以增幅所獲得之光學圖像、及相對於光學圖像成為基準圖像之參照圖像，藉此而進行光罩之缺陷檢查之方法；感測器放大器係可依每像素調整信號振幅之增益及偏移；且包含以下步驟：在缺陷檢查之前，將光罩之圖案之一部分藉由圖像感測器進行攝像，且將藉由感測器放大器所增幅之各像素之光量信號之最底限值及最高峰值予以記憶；根據所記憶之各像素之最底限值，而設定感測器放大器之各像素之信號振幅之偏移，藉此而在感測器放大器整體設定複數個偏移；及根據各像素之信號振幅之偏移、及所記憶之各像素之最高峰值，而設定感測器放大器之各像素之信號振幅之增益，藉此而在感測器放大器整體設定複數個增益。
在此第1態樣中，可使用具有複數段之線(line)之TDI感測器作為圖像感測器。
在此第1態樣中，在記憶各像素之最底限值及最高峰值之際，亦可將光罩之相對移動速度，設為與以圖像感測器之圖像尺寸與攝像週期所決定之像素移動速度相比為較慢。
在此第1態樣中，亦可設為進一步包含以下步驟：在記憶各像素之最底限值及最高峰值之際，取得與圖像感測器之相對移動方向概略平行之圖案之複數個部位之邊緣(edge)位置；從所取得之邊緣位置算出光罩之旋轉誤差量；及根據所算出之旋轉誤差量，而執行光罩之旋轉對準(alignment)。在複數個部位取得邊緣位置之步驟，亦可設為取得將邊緣位置之附近進行攝像之複數個像素之光量及座標，且根據所取得之複數個像素之光量及座標而算出成為特定之光量之邊緣位置。
在此第1態樣中，亦可設為將光罩之主晶片(main chip)區域所形成之製品圖案之一部分，藉由圖像感測器進行攝像，且將最底限值及最高峰值予以記憶。
在此第1態樣中，亦可一面使平台(stage)朝一方向(例如X方向)移動一面將光罩之圖案之一部分藉由圖像感測器進行攝像之際，圖像感測器之任意之像素不臨近光罩之遮光部與透光部之雙方之情形下，一面朝與上述一方向直交之另一方向(例如Y方向)移動一面藉由圖像感測器進行攝像。在此，使用TDI感測器作為圖像感測器之情形下，係以使平台朝另一方面移動之際將平台移動速度設為較TDI感測器之TDI動作速度更慢為較佳。例如，可將平台移動速度設為TDI速度之10分1左右。
此外，亦可一面使平台同時朝一方向與另一方向之兩方移動一面藉由圖像感測器將光罩之圖案進行攝像。
本發明之第2態樣係一種光罩缺陷檢查裝置，其特徵為具備：光照射機構，其係將光照射於形成有圖案之光罩；驅動設備，其係驅動用以保持光罩之平台；圖像感測器，其係以複數個像素檢測光罩之穿透光或反射光之光量信號；感測器放大器，其係依每像素將圖像感測器之各像素之輸出予以增幅，且生成光學圖像，並且可依每像素調整信號振幅之增益及偏移；參照圖像生成設備，其係生成相對於光學圖像成為基準圖像之參照圖像；及檢查設備，其係比較光學圖像與參照圖像，藉此而檢查光罩之圖案之缺陷；且具備以下設備：記憶設備，其係在藉由檢查設備之檢查之前，藉由驅動設備驅動平台而將圖案之一部分藉由圖像感測器進行攝像，且將藉由感測器放大器所增幅之各像素之光量信號之最底限值及最高峰值予以記憶；偏移設定設備，其係根據藉由記憶設備所記憶之各像素之最底限值，而設定感測器放大器之各像素之信號振幅之偏移；及增益設定設備，其係根據各像素之信號振幅之偏移與藉由記憶設備所記憶之各像素之最高峰值，而設定感測器放大器之各像素之信號振幅之增益。
在此第2態樣中，可使用以複數段之線來蓄積光量信號之TDI感測器作為圖像感測器。
在此第2態樣中，亦可將藉由記憶設備記憶前述最底限值及最高峰值之際之平台之驅動速度，設為與以圖像感測器之圖像尺寸與攝像週期所決定之圖像移動速度相比為較慢。
在此第2態樣中，亦可設為進一步具備以下設備：邊緣位置取得設備，其係在複數個部位取得與圖像感測器之相對移動方向概略平行之光罩之圖案之複數個部位之邊緣位置；旋轉誤差量算出設備，其係從藉由邊緣位置取得設備所取得之邊緣位置算出光罩之旋轉誤差量；及對準設備，其係根據藉由旋轉誤差量算出設備所算出之旋轉誤差量，而執行光罩之旋轉對準。此邊緣位置取得設備，係以根據將邊緣位置之附近進行攝像之複數個像素之座標及光量，而算出邊緣位置之方式構成。
在此第2態樣中，係以將光罩之主晶片區域所形成之製品圖案之一部分，藉由圖像感測器進行攝像，且將藉由感測器放大器所增幅之各像素之光量信號之最底限值及最高峰值，藉由記憶設備予以記憶為較佳。
在此，在藉由圖像感測器所攝像之圖案之一部分包含有朝一方向(例如X方向)延伸之圖案之情形下，若一面使平台朝一方向移動一面將光罩之圖案之一部分藉由圖像感測器進行攝像，則會有圖像感測器之任意之像素不會臨近光罩之遮光部與透光部之雙方之情形。此種情形下，亦可一面朝與上述一方向直交之另一方向(例如Y方向)移動一面藉由圖像感測器將圖案進行攝像。使用TDI感測器作為此圖像感測器之情形下，係以使平台朝另一方向移動之際將平台移動速度設為較TDI感測器之TDI動作速度更慢為較佳。例如，可將平台移動速度設為TDI動作速度之10分之1左右。
此外，亦可一面使平台同時朝一方向與另一方向之兩方移動一面藉由圖像感測器將光罩之圖案進行攝像。
 [發明之效果]
在本發明之第1態樣中，係在缺陷檢查之前先將圖案之一部分藉由TDI感測器進行攝像，且將藉由感測器放大器所增幅之各像素之光量信號之最底限值及最高峰值予以記憶，且根據所記憶之各像素之最底限值而設定感測器放大器之各像素之信號振幅之偏移。再者，根據前述各像素之信號振幅之偏移與所記憶之各像素之最高峰值，而設定感測器放大器之各像素之信號振幅之增益。因此，依據本發明之第1態樣，即使在製品光罩不存在與TDI感測器攝像面積相比為較充分之寬度之黑色區域及白色區域，亦可使用製品光罩而進行感測器放大器之偏移及增益之設定。
在本發明之第2態樣中，係在藉由檢查設備之檢查之前將圖案之一部分藉由TDI感測器進行攝像，且將藉由感測器放大器所增幅之各像素之光量信號之最底限值及最高峰值予以記憶，且根據所記憶之各像素之最底限值而設定感測器放大器之各像素之信號振幅之偏移。再者，根據各像素之信號振幅之偏移與所記憶之各像素之最高峰值，而設定感測器放大器之各像素之信號振幅之增益。因此，依據本發明之第2態樣，即使在製品光罩不存在與TDI感測器攝像面積相比為較充分之寬度之黑色區域及白色區域，亦可使用製品光罩而進行感測器放大器之偏移及增益之設定。
以下參照圖式說明本發明之實施形態。
(第1實施形態)
圖1係為表示本發明之第1實施形態之光罩缺陷檢查裝置100之構成之概略圖。圖2係為表示圖1所示之TDI感測器11及感測器放大器15之構成之概略圖。圖3係為表示圖1所示之偏移/增益調整設備16之構成之概略圖。
圖1所示之光罩缺陷檢查裝置100，係具有保持檢查對象之光罩1之平台2。光罩1係從自動裝載器(auto loader)3搬運至平台2上。自動裝載器3係藉由自動裝載器控制電路13控制。
平台2係藉由X方向馬達4A、Y方向馬達4B、θ方向(水平旋轉方向)馬達4C，朝X方向、Y方向及θ方向驅動。此等馬達4A、4B、4C之驅動控制，係藉由平台控制電路14執行。平台2之X方向及Y方向之位置，係例如藉由雷射干擾儀等之雷射測長設備5、及與此雷射測長設備5連接之位置電路12檢測。檢查對象光罩係例如一面以一定速度朝X方向連續移動一面進行感測器之攝像，且在終端(stripe end，線條端)朝Y方向移動之後，反覆進行一面以一定速度朝與X方向反方向連續移動一面進行感測器之攝像之程序而將檢查對象光罩之檢查區域全面進行攝像。
此外，光罩缺陷檢查裝置100係具備發出雷射光之光源6、及將從光源6所發出之雷射光予以照射至光罩1之穿透照明光學系統7。穿透照明光學系統7係具有反射鏡(mirror)71及聚光透鏡(condenser lens)72。
此外，光罩缺陷檢查裝置100係具有將穿透光罩1之穿透光予以聚光而成像於TDI(Time Delay Integration)感測器11上之對物透鏡10。
屬於圖像感測器之TDI感測器11，係如圖2所示為2維之CCD感測器，例如具有2048像素×512像素(1像素為70 nm×70 nm之情形下144 μm×36 μm)之長方形之攝像區域Rs。亦即，TDI感測器11係在TDI方向藉由複數段(例如512段)之線L1、L2、...、L512所構成，且各線L係藉由複數個像素(例如2048像素)所構成。以TDI感測器11之TDI方向(512段方向)與平台2之X方向一致之方式設置，且藉由平台2移動而使TDI感測器11對於光罩1相對地移動，藉此而藉由TDI感測器11將光罩1之圖案進行攝像。TDI感測器11朝圖2中之右方向相對移動時，圖2中之左方向(FWD)成為TDI感測器11之電荷蓄積方向(TDI方向)。此情形下，從第1段之線L1一面依序傳送電荷於FWD方向之線L2、L3、...一面蓄積，且從最終段之線L512輸出1線份(2048像素份)之圖像信號。
此外，若使平台2之移動方向反轉，換言之，若TDI感測器11朝圖2中之左方向相對移動，則TDI感測器11之電荷蓄積方向切換為圖2中之右方向(BWD)。TDI感測器11係在其電荷蓄積方向之兩端具有輸出部110。亦即，TDI感測器11係以可從雙方向讀出電荷之方式構成。
TDI感測器11係與感測器放大器15連接。感測器放大器15係將從TDI感測器11所輸入之各像素之光量信號予以正規化(calibration，校準)，且輸出於比較電路19。感測器放大器15係如圖2所示，具備以固定倍率將各像素之信號予以增幅之類比(analog)放大器151、及以記憶於暫存器153之偏移及增益將各像素之信號予以增幅之數位(digital)放大器152。記憶於暫存器153之各像素之偏移及增益，係藉由後述之偏移/增益調整設備16(參照圖3)來調整。
另外，在本實施形態中，雖係使用TDI感測器11作為圖像感測器，惟亦可取代TDI感測器11而使用線感測器(line sensor)或區域範圍感測器(area sensor)之其他圖像感測器。
此外，光罩缺陷檢查裝置100係具備用以生成相對於光學圖像成為比較基準之參照圖像之展開電路17及參照電路18。展開電路17係用以展開記憶於記憶裝置21之CAD資料(作圖資料)等，且將展開資料輸出於參照電路18。參照電路18係對從展開電路17所輸入之展開資料，一併施以調整大小(resize)處理、圓角處理及點擴展分布函數(PSF：point spread functions)檔案處理，藉此而生成參照圖像，且將參照圖像輸出於比較電路19。記憶裝置21係為例如磁碟裝置、磁帶裝置、FD(floppy disc，軟性磁碟)或半導體 記憶體等。
比較電路19係比較從感測器放大器15所輸入之光學圖像、及從參照電路18所輸入之參照圖像，而於兩者之圖案形狀相異之情形下檢測作為圖案形狀缺陷。比較電路19之檢查結果，係儲存於記憶裝置21。因此，操作者係可藉由將檢查結果從記憶裝置21讀出而顯示於顯示器等之顯示裝置22來確認。
光罩缺陷檢查裝置100除通常之圖案缺陷檢查之外，係具備執行感測器放大器15之偏移/增益之調整、平台2之對準等之整體之控制之控制計算機20。在此控制計算機20中，係連接有上述之位置電路12、自動裝載器控制電路13、平台控制電路14、感測器放大器15、偏移/增益調整設備16、展開電路17、參照電路18、比較電路19、記憶裝置21及顯示裝置22等。
如上所述，TDI感測器11之各像素之輸出係藉由感測器放大器15依每像素增幅而生成光學圖像。為了精確度良好地進行比較電路19中之缺陷檢查，係需精確度良好地生成光學圖像。亦即，需效率良好地活用感測器放大器15之動態區間(dynamic range)。
自以往以來，係於缺陷檢查前進行感測器放大器15之偏移及增益之調整。習知係在製品光罩本身亦具有相對較大之白色平坦區域及黑色平坦區域，且可選擇較TDI感測器之攝像區域充分寬廣之部位，而進行上述校準。此外，即使在製品圖案本身無較大之白色平坦區域及黑色平坦區域，亦於製品光罩之非檢查區域形成有轉印裝置用之對準圖案，或在一部分如圖4所示，為了檢查裝置之校準而形成有具有與TDI感測器攝像區域Rs相比為較充分寬廣之面積之黑色區域Rb及白色區域Rw。圖4係為表示習知之製品光罩所形成之黑色區域Rb及白色區域Rw之概念圖。習知係使TDI感測器靜止在如黑色區域Rb之寬廣之區域而根據攝像結果來設定感測器放大器之信號振幅之偏移，且靜止在如白色區域Rw之寬廣之區域而根據攝像結果來設定感測器放大器之信號振幅之增益。
然而，在近年，由於描繪於光罩之圖案之微細化進展，而大多未在製品光罩形成具有上述充分寬廣之面積之黑色區域及白色區域。此外，雖需在一部分亦要進行準備有別於如上述之Rb、Rw一般校準用製品圖案之充分寬廣之面積之黑色區域或白色區域，惟應收錄於製品光罩之圖案不斷擴大，而使此校準用圖案成為未必有準備之事態。因此，在使用偏移及增益調整用之光罩而調整感測器放大器之偏移及增益之後，將此調整用光罩載換於製品光罩。此種光罩之載換係會招致生產量之降低。再者，由於光罩之玻璃基板之厚度而使穿透率改變，因此使用調整用光罩所調整之感測器放大器之偏移及增益，係有相對於製品光罩非為最佳之可能。如此一來，即成為使缺陷檢查之精確度降低之要因。因此，即使在製品光罩未形成具有充分寬廣之面積之黑色區域及白色區域之情形，亦希望使用製品光罩而調整感測器放大器之偏移及增益。
因此，在本實施形態1中，如圖3所示，係設置用以調整感測器放大器15之偏移及增益之偏移/增益調整設備16。此偏移/增益調整設備16係如圖3所示具備最底限值記憶設備16a、最高峰值記憶設備16b、偏移算出設備16c、及增益算出設備16d。
此等最底限值記憶設備16a、最高峰值記憶設備16b、偏移算出設備16c及增益算出設備16d，係依構成TDI感測器11之1線之複數個像素設置。亦即，在由TDI感測器11之1線份之2048像素構成之情形下，上述之設備16a~16d係各設置2048個。
最底限值記憶設備16a係將藉由感測器放大器15所增幅之各像素之光量信號之最底限值予以記憶(保持(hold))，最高峰值記憶設備16b係將各像素之光量信號之最高峰值予以記憶(保持)。偏移算出設備16c係根據記憶在最底限值記憶設備16a之各像素之最底限值，而算出感測器放大器15之各像素之偏移。增益算出設備16d係根據藉由偏移算出設備16c所算出之各像素之偏移與藉由最高峰值記憶設備16b所記憶之各像素之最高峰值，而算出感測器放大器15之各像素之增益。
以下參照圖5說明具體之控制。圖5係為表示在第1實施形態中，控制計算機20及偏移/增益調整設備16主要執行之偏移/增益調整控制例程(routine)之流程圖。圖5所示之例程係在進行圖案缺陷檢查前啟動。
依據圖5所示之例程，首先，執行藉由TDI感測器11所攝像之圖案之檢索(步驟S100)。在此步驟S100中，係檢索如TDI感測器11之各像素至少1次臨近全白圖案及全黑圖案之圖案，例如，如圖6所示之圖案200。此圖案200之中之附加陰影(hatching)之部分，係表示由遮光膜(鉻膜)所組成之黑色圖案，而圖案200之中之白的部分，係表示由玻璃基板所組成之白色圖案。此圖案200係藉由朝箭頭A1所示之方向相對移動之TDI感測器11來攝像。
上述步驟S100中之圖案探索之方法，係可在將被檢查光罩之設計資料或描繪資料輸入於檢查裝置或記憶於記憶裝置21作為資料庫檢查之資料庫之情形下，在控制計算機20中探索該資料，而選出適切之圖案區域(預掃描(prescan)區域)。或者，即使不探索上述之資料，亦可以被檢查區域之中央附近之位置、或從檢查範圍之端靠近內側10%左右之位置等之決定方式，來決定要預掃描之區域，且在實用上可進行該區域之攝像而判別各像素之偏移．增益是否適切。
接著，若使用馬達4A、4B來驅動平台2，且藉由TDI感測器11將在上述步驟S100所檢索之圖案進行掃描，則TDI感測器11之各像素之輸出係藉由感測器放大器15增幅。此時，記憶於暫存器153之各像素之偏移及增益係用於信號振幅。再者，將從感測器放大器15所輸出之各像素之最底限值及最高峰值，藉由偏移/增益調整設備16予以記憶(步驟S102)。在此步驟S102中，係藉由各像素之最底限值記憶設備16a而記憶各像素之最底限值，且藉由各像素之最高峰值記憶設備16b而記憶各像素之最高峰值。
在上述步驟S100所檢索之圖案(例如1線條份之圖案)藉由TDI感測器11掃描之後，判別是否記憶有全像素份(2048像素份)之最底限值及最高峰值(步驟S104)。在此步驟S104中，係判別在上述步驟S102所記憶之全像素之最底限值與最高峰值是否各自落在基準範圍內(例如10%以內)。於判別為在此步驟S104未記憶有全像素份之最底限值及最高峰值之情形下，係檢索有別於在上述步驟S100所檢索之圖案之另外之圖案(例如另外之1線條份之圖案)(步驟S106)。其後，藉由TDI感測器11掃描在上述步驟S106所檢索之圖案，而再度執行上述步驟S102之處理。
於判別為在上述步驟S104記憶有全像素份之最底限值及最高峰值之情形下，係根據各像素之最底限值，而藉由偏移算出設備16c算出各像素之偏移(步驟S108)。其後，根據各像素之最高峰值、及在上述步驟S108所算出之各像素之偏移，而藉由增益算出設備16d算出各像素之增益(步驟S110)。
其後，根據在上述步驟S108所算出之各像素之偏移、及在上述步驟S110所算出之各像素之增益，而調整(設定)感測器放大器15之各像素之偏移及增益(步驟S112)。在此步驟S112中，係將從偏移算出設備16c及增益算出設備16d所輸出之各像素之偏移及增益，輸入於感測器放大器15。將此所輸入之各像素之偏移及增益予以記憶於暫存器153，藉此而調整(設定)各像素之偏移及增益。其後，將本例程結束。如此一來，圖案缺陷檢查即被執行。
如以上所說明，在第1實施形態中，係於圖案缺陷檢查前，藉由TDI感測器11掃描圖案，且將在感測器放大器15所增幅之輸出信號之各像素之最底限值及最高峰值予以記憶。再者，根據所記憶之各像素之最底限值而算出各像素之偏移。根據所算出之各像素之偏移、及所記憶之最高峰值，而算出各像素之增益。其後，根據所算出之各像素之偏移及增益，而調整(設定)感測器放大器15之各像素之偏移及增益。因此，可使用與TDI感測器之攝像面積相比不存在充分寬廣之面積之黑色區域及白色區域之製品光罩，而調整感測器放大器之各像素之偏移及增益。藉此，TDI感測器11之信號振幅係進行與被檢查光罩之現物配合之正規化，因此與使用另外之調整用光罩之情形相比，可提升S/N比(Signal to Noise Ratio，信號雜訊比)。
此外，光罩係具有形成有製品圖案之主晶片區域、及形成有製品圖案以外之對準標記(mark)等之周邊晶片區域。在主晶片區域之面內，亦有遮光膜之膜厚或透明基板之厚度不均一之情形。此種情形，亦可藉由TDI感測器11掃描主晶片之圖案，且進行TDI感測器11之信號振幅之正規化，藉此而進行更實用性且高精確度之正規化。
(第2實施形態)
接著參照圖7乃至圖11說明本發明之第2實施形態。
在藉由上述最底限值記憶設備16a及最高峰值記憶設備16b記憶各像素之最底限值及最高峰值之際，通常係可考慮與平台2之移動速度、及TDI感測器11內之TDI動作速度同步。茲將以此方式同步之情形下使用圖7所示之TDI感測器11所攝像之圖像之例表示於圖8。圖8所示之圖像210，係藉由TDI感測器11將光罩穿透光進行攝像。因此，圖8中之陰影部分係與遮光部對應，而白色部分係與穿透部對應。此陰影部分之感測器輸出係成為接近最底限值之位準，而白色部分之感測器輸出係成為接近最高峰值之位準。
茲將沿著圖8中之直線230而切出之感測器輸出表示於圖9。此感測器輸出係為在圖7中附有陰影之像素111之輸出。由於圖8所示之直線230之左端，係位於陰影部分(黑色線)211，因此圖9所示之感測器輸出係從最底限值附近切出。其後，如圖8所示交替橫越直線230較細之白色部分(較細之白色線)212、214、216、128與較細之陰影部分(較細之黑色線)213、215、217，因此如圖9所示可連續獲得4次較細之最高峰。其後，如圖8所示交替橫越直線230較寬廣之陰影部分219與較寬廣之白色部分220，因此如圖9所示可獲得寬度較寬之最底限、與寬度較寬之最高峰。
上述直線230最初橫越之較細之白色線圖案212、214之線寬及間隔均係為200 nm。如上所述，TDI感測器11之1像素之大小，係為70 nm×70 nm。如此，在將相對於感測器像素較微細之圖案進行攝像之情形下，若臨近感測器像素之圖案之位置不理想，則會有無法獲得充分之信號振幅之情況。
在此，光罩穿透光之光量係未成為均一之分布，而受到光學系統(成像透鏡10等)之影響而成為以最大光量為中心之高斯(Gauss)分布。因此，視掃描時序，最大光量之位置會分散於2個像素。如此在最大光量位置分散於2個像素之狀態下所攝影之情形下，與最大光量位置成為1個像素之中央時所攝像之情形相比，信號振幅會變小。
因此，在第2實施形態中，係於記憶最底限值及最高峰值之際，將平台2之移動速度，設為較TDI感測器11內之像素移動速度之TDI動作速度更慢。像素移動速度係由像素尺寸與攝像週期所決定。圖10及圖11係為表示在第2實施形態中，將平台移動速度設為較TDI動作速度更慢之情形之圖像及感測器輸出之例之圖。圖10所示之圖像240，係於將平台2之移動速度設為TDI動作速度之2分之1之情形下，將光罩穿透光藉由圖7所示之TDI感測器11進行攝像。因此，圖10中之陰影部分係與遮光部對應，而白色部分係與穿透部對應。此陰影部分之感測器輸出係成為接近最底限值之位準，而此白色部分之感測器輸出係成為接近最高峰值之位準。
茲將沿著圖10中之直線250而切出之感測器輸出表示於圖11。此感測器輸出係為在圖7中附有陰影之像素111之輸出。由於圖10所示之直線250之左端(切出開始位置)，係為與圖8所示之直線230之左端(切出開始位置)相同之位置，因此圖11所示之感測器輸出係從與圖9所示之感測器輸出相同位置切出。亦即，由於圖10所示之直線250係從陰影部分(黑色線)241切出，因此圖11所示之感測器輸出係從最底限值附近切出。其後，如圖10所示交替橫越直線250為白色部分(白色線)242、244與陰影部分(黑色線)243、245，因此如圖11所示可獲2次最高峰。
在第2實施形態中係藉由將平台移動速度設為較慢，而使1條細線臨近複數個像素被攝像。亦即，可獲得與超取樣(over sampling)同樣之效果。因此，圖10所示之圖像240中之線寬及間隔，係較圖8所示之圖像210中之線寬及間隔更寬廣。藉此，與使平台移動速度與TDI動作速度同步之情形相比，即可增加最大光量位置成為1個像素之中央時所攝像之機會。藉由最大光量位置成為像素中央時進行攝像，即可如圖11所示，獲得充分之信號振幅。因此，即使是將微細之圖案進行攝像之情形下，亦可充分提高藉由最高峰值記憶設備16b所記憶之各像素之最高峰值。因此，可充分活用感測器放大器15之動態區間。
(第3實施形態)
接著參照圖12乃至圖14說明本發明之第3實施形態。圖12係為表示在第3實施形態中，藉由TDI感測器所攝像之圖案之圖。
圖12所示之圖案260係包含朝X方向延伸、且具有特定之間距(pitch)P之複數個線圖案261、262。若假設將此種圖案260進行攝像之情形下，TDI感測器11之各像素之光量可取得0(黑色圖案)~255(白色圖案)之灰階，則全像素之光量不會較63更小，光量亦不會較192更大。換言之，若欲使平台2朝X方向移動(換言之，使TDI感測器11朝X方向相對移動)而將圖案260進行攝像，則上述TDI感測器11之任意之像素，係有僅臨近在圖12中附有陰影之黑色圖案261、262，而不臨近白色圖案之可能。若注目於另外之像素，則會有該注目像素僅臨近白色圖案，而不臨近黑色圖案之可能。如此一來，針對TDI感測器11之全像素會有無法記憶最底限值與最高峰值之雙方之情形。
因此，在第3實施形態中，係在如圖13所示之光罩1與TDI感測器11之位置關係時，如箭頭A2所示使平台2朝Y方向移動。在此，若以此方式使平台2朝Y方向移動而將圖案260進行攝像，則與圖12所示之直線263對應之感測器輸出，即成為如圖14所示之感測器輸出。此直線263之長度係可設為圖案間距P之10倍之長度。藉此，即使考慮TDI感測器11之取樣誤差，亦可獲得TDI感測器11之所有像素臨近白色圖案與黑色圖案之兩方之機會。因此，如圖12所示，即使是將在光罩1包含朝X方向延伸之線圖案261、262之圖案進行攝像之情形下，亦可以各像素記憶最底限值與最高峰值之兩方。
然而，使用TDI感測器11作為圖像感測器之情形下，由於TDI感測器11係進行電荷之蓄積，因此TDI速度與Y方向之平台移動速度為等速時，TDI方向即成為傾斜(45度)。因此，係以較TDI速度充分慢之速度使平台朝Y方向移動為較佳。例如，可將平台移動速度設為TDI速度之10分之1。在TDI感測器11中使電荷移位1像素(70 nm)要花費2~3 μsec時，若將該速度換算為平台移動速度，則成為十數mm/sec，因此可將平台移動速度設為數mm/sec。
另外，取代TDI感測器11而使用線感測器作為圖像感測器之情形下，由於不需考慮電荷之蓄積，因此只要設為與攝像週期對應之平台移動速度即可。
此外，如圖15所示之光罩1與TDI感測器11之位置關係時，藉由如箭頭A3所示使平台2朝傾斜方向移動，換言之，藉由與朝X方向移動同時朝Y方向移動，如圖16所示，將圖案281、282相對於X軸朝傾斜方向相當於角度61延伸之圖像(扭曲(skew)圖像)280進行攝像。此情形下，亦與如圖13所示使平台2朝Y方向移動之情形同樣，可獲得TDI感測器11之所有像素臨近白色圖案與黑色圖案之兩方之機會。另外，藉由將平台2之X方向之移動速度設為較TDI動作速度更慢，即可與上述第2實施形態同樣，獲得充分之信號振幅。
(第4實施形態)
接著，參照圖17至圖20說明本發明之第4實施形態。
在上述第1實施形態中，係說明了缺陷檢查前所進行之感測器放大器之偏移及增益之調整。
然而，如圖17所示，會有光罩1之平行度相對於平台移動方向(X、Y方向)不充分之情形。在圖17所示之例中，光罩1相對於X方向係傾斜相當於角度θ2。此情形下，若使平台2朝X方向移動而藉由TDI感測器11將圖案進行攝像，則如圖18所示，將包含相對於X軸朝傾斜方向相當於角度θ2延伸之線圖案291之圖案290進行攝像。
因此，為了防止此種傾斜方向之圖案之攝像，乃在圖案缺陷檢查前進行平台θ旋轉對準(亦稱為「遮罩旋轉對準」)。亦即，為使形成於光罩1之圖案之水平方向與平台2之移動方向成為平行，在缺陷檢查前藉由θ方向馬達4C使平台2旋轉。
習知之光罩之θ旋轉對準之程序，係如圖4所示，使用形成於非檢查區域之複數個對準標記Ma。再者，求出複數個對準標記Ma之座標(例如十字形圖案之中心座標)之後，算出光罩1相對於平台2之移動方向之平行度，且根據此平行度而使平台2旋轉。即使是無對準標記之光罩，亦採用例如在被檢查光罩之圖案之中，將從設計圖案導出之同一Y座標之邊緣圖案，以盡量離開之X座標距離進行攝像，而求出相對於平台行進軸之平行度，以進行θ旋轉修正之方法。
然而，使用此被檢查光罩之圖案之方法，係需操作檢查裝置進行攝像，且重複θ旋轉修正動作而收斂在特定之容許旋轉誤差以內之作業。此外，在此方法中，作業者需以手動作業將邊緣圖案特別限定。因此，會有裝置之生產量降低之可能、及受到由於作業者之圖案特別限定精確度之影響而使平台θ旋轉對準之精確度降低之可能。
因此，在第4實施形態中，係說明使用未形成有對準標記Ma之製品光罩之平台對準方法。圖19乃至圖22係為用以說明第4實施形態之平台對準方法之圖。
首先，如圖19所示，以2部位之X座標Xa、Xb檢索圖案邊緣之Y座標相同之圖案300。再者，著眼於此圖案邊緣附近之區域Ra、Rb中之光量P之變化。此區域Ra、Rb係以在Y方向連續之複數個像素(例如4個像素)各自進行攝像。
在此，以在圖19所示之陰影部分(黑色圖案)所測量之光量P為0，且以在白色部分(白色圖案)所測量之光量P為255。如此一來，黑色圖案與白色圖案之邊界之圖案邊緣之光量臨限值Pth，即成為其中間之128。圖20A所示之●，係表示區域Ra中之圖案邊緣(Xa、Ya)。圖20B所示之■，係表示區域Rb中之圖案邊緣(Xb、Yb)。在圖20A及圖20B中，朝Y方向並排之4個四角係表示TDI感測器之4個像素，且將各像素之底部中之Y座標表示於一方之縱軸，且將該底部中之光量表示於另一方之縱軸。如圖20A及圖20B所示，若將夾著上述光量Pth(=128)之2個像素之底部之Y座標設為Y1、Y2(Y1<Y2)，且將該Y1、Y2中之光量設為P1、P2，則光量Pth之Y座標，係可以下式(1)之加權平均來表示。
Y=Y1+(Y2-Y1)/(P2-P1)×(Pth-P1)………(1)再者，圖19之X座標Xa、Xb係設為離開50 mm，而算出Xa、Xb中之光量P=128之Y座標Ya、Yb。具體而言，Y座標Ya係藉由在上式(1)代入圖20A所示之Y1=70、Y2=140、P1=60、P2=130、Pth=128，而算出為Ya=138[nm]。此外，Y座標Yb係藉由在上式(1)代入圖20B所示之Y1=140、Y2=210、P1=100、P2=255、Pth=128，而算出為Yb=152.6[nm]。
再者，若將圖案之傾斜設為θ[rad]，則此傾斜θ係如圖21所示表示為將2個邊緣位置(Xa、Ya)及(Xb、Yb)連結之直線之傾斜，因此tanθ係可表示為下式(2)。
tanθ=(Yb-Ya)/(Xb-Xa)………(2)若在上式(2)代入Yb=152.6[nm]、Ya=138[nm]、Xb=75×103 [nm]、Xa=25×103 [nm]，則算出為θ=2.92×10-4 [rad]。藉由馬達4C使平台2旋轉相當於此所算出之θ之量，而執行平台θ旋轉對準。
目標值θtgt係例如為1×10-6 [rad]。在執行平台θ旋轉對準之後，再度將Xa、Xb之部位進行攝像，而算出θ。直至所算出之θ低於此目標值θtgt，重複執行平台θ旋轉對準。其後，執行圖案缺陷檢查。
以下參照圖22說明具體之控制。圖22係為表示在第4實施形態中，控制計算機20所執行之平台θ旋轉對準控制例程之流程圖。圖22所示之例程，係在進行圖案缺陷檢查前，更具體而言係與圖5所示之例程一同啟動。
依據圖22所示之例程，檢索與平台2之X軸平行且離間之邊緣位置相同之圖案(步驟S120)。在此步驟S120中，係參照記憶於記憶裝置21之CAD資料，而例如檢索除了如圖19所示之圖案之外，形成於光罩1之檢查區域之外周附近較多之電源配線用之線圖案。
接著，依據上式(1)算出在離間之X座標Xa、Xb中成為光量P=Pth(=128)之Y座標Ya、Yb(步驟S122)。在此步驟S122中，係例如圖19所示，算出離間50 mm之Xa=25、Xb=75中之Y座標。Ya、Yb之差分係以Xa、Xb之離間寬度較寬廣會變大，而提高後述之θ之算出精確度故較佳。因此，X方向之離間寬度，在存在適切之圖案之範圍下係以盡可能確保為較寬廣為佳。目前時點在較多流通之6英吋光罩之情形下以50 mm以上為較佳，且以100 mm以上為更佳。
接著，使用在上述步驟S124所算出之Ya、Yb，而依據上式(2)算出圖案之傾斜(亦即旋轉誤差量)θ(步驟S124)。再者，判別在上述步驟S124所算出之傾斜θ是否較目標值θtgt更小(步驟S126)。此目標值θtgt係例如為1×10-6 [rad]。於判別為在此步驟S126中θ較目標值θtgt更大之情形下，係藉由馬達4C使平台2旋轉相當於在上述步驟S124所算出之θ(步驟S128)。其後，返回步驟S120之處理，再度執行上述步驟S120、122、124之一連串之處理。
於判別為在上述步驟S126 θ較目標值θtgt更小之情形下，判斷平台θ旋轉對準完成。此情形下，將本例程結束，執行圖案缺陷檢查。
如以上所說明，在第4實施形態中，係在依據上式(1)算出應與平台移動方向平行之圖案之複數個邊緣位置(Xa、Ya)、(Xb、Yb)之後，依據上式(2)算出圖案之傾斜(平行度)θ。依據此所算出之傾斜θ即可執行平台2之θ旋轉對準。因此，可使用製品光罩之圖案，執行平台θ旋轉對準。因此，可使用未形成有對準標記之製品光罩而執行平台θ旋轉對準。
再者，邊緣位置之Y座標Ya、Yb，雖係算出作為TDI感測器11之像素之光量P成為臨限值Pth(=128)之座標，惟此算出係可與在上述之第1乃至第3實施形態所進行之最底限值及最高峰值之記憶同時執行。因此，可將缺陷檢查前之調整時間縮短，因此可使缺陷檢查裝置之生產量提升。
另外，在本實施形態4中，控制計算機20係各自藉由執行步驟S120及S122之處理而實現本發明中之「邊緣位置取得設備」、藉由執行步驟S124之處理而實現本發明中之「旋轉誤差量算出設備」、藉由執行步驟S128之處理而實現本發明中之「對準設備」。此等設備亦可藉由硬體來構成。
此外，本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離本發明之旨趣之範圍內均可作各種變形而實施。例如，在上述實施形態1中，雖已說明將本發明適用於具備穿透照明用之TDI感測器11之光罩缺陷檢查裝置100之情形，惟本發明並不限定於此，如圖23所示，對於進一步具備反射光學系統8與反射照明用之TDI感測器11A之光罩缺陷檢查裝置101亦可適用。光罩缺陷檢查裝置101係進一步具備射束分束器(beam splitter)81、反射鏡82、射束分束器83、及包含使反射光成像於TDI感測器11A之對物透鏡10A之反射光學系統8。上述之感測器放大器15之各像素之偏移及增益之調整，係可與上述TDI感測器11獨立使用TDI感測器11A進行。
此外，以平台θ旋轉對準用之圖案而言，在上述第4實施形態中，雖已說明使用與朝X方向離間之Y座標同一水平圖案邊緣之情形，惟藉由以光罩圖案充分確保水平．垂直精確度為前提，使用與朝Y方向離間之X座標同一垂直圖案邊緣而算出旋轉修正量亦可獲得同樣之效果。
1．．．光罩
2．．．平台
4A、4B、4C．．．馬達
11、11A．．．TDI感測器
15．．．感測器放大器
16．．．偏移/增益調整設備(偏移/增益設定設備)
16a．．．最底限值記憶設備
16b．．．最高峰值記憶設備
16c．．．偏移算出設備
16d．．．增益算出設備
100、101．．．光罩缺陷檢查裝置
151．．．類比放大器
152．．．數位放大器
153．．．暫存器
圖1係為表示本發明之第1實施形態之光罩缺陷檢查裝置100之構成之概略圖。
圖2係為表示圖1所示之TDI感測器11及感測器放大器15之構成之概略圖。
圖3係為表示圖1所示之偏移/增益調整設備16之構成之概略圖。
圖4係為表示習知之製品光罩所形成之黑色區域Rb及白色區域Rw之概念圖。
圖5係為表示在第1實施形態中，控制計算機20及偏移/增益調整設備16主要執行之偏移/增益調整控制例程之流程圖。
圖6係為表示以圖5所示之例程檢索之圖案之圖。
圖7係為表示TDI感測器11之圖。
圖8係為表示使平台移動速度與TDI動作速度同步之情形下所攝像之圖像之例之圖。
圖9係為表示沿著圖8之直線230切出之TDI感測器輸出之圖。
圖10係為表示在本發明之第2實施形態中，將平台移動速度設為較TDI動作速度更慢之情形下所攝像之圖像之例之圖。
圖11係為表示沿著圖10之直線250切出之TDI感測器輸出之圖。
圖12係為表示藉由TDI感測器所攝像之圖案之圖。
圖13係為用以說明在本發明之第3實施形態中，使平台2朝Y方向移動之情形之圖。
圖14係為表示將圖12所示之直線部分進行攝像時所獲得之TDI感測器輸出之圖。
圖15係為用以說明在本發明之第3實施形態中，使平台2同時朝X方向與Y方向之兩方移動之情形之圖。
圖16係為表示如圖15所示使平台2移動之情形下所攝像之圖像之圖。
圖17係為表示相對於平台移動方向(X、Y方向)，光罩1之直交度不充分之情形之圖。
圖18係為表示光罩1之直交度不充分之情形下藉由TDI感測器11所攝像之圖像之例之圖。
圖19係為表示進行本發明之第4實施形態之平台對準方法之際所探索之圖案之例之圖。
圖20A係為表示圖19所示之區域Ra之圖案邊緣(Xa、Ya)之圖。
圖20B係為表示圖19所示之區域Rb之圖案邊緣(Xb、Yb)之圖。
圖21係為用以說明從2個圖案邊緣算出圖案之傾斜θ之方法之圖。
圖22係為表示在本發明之第4實施形態中，控制計算機20所執行之平台對準控制例程之流程圖。
圖23係為表示本發明之變形例之光罩缺陷檢查裝置101之構成之概略圖。
1．．．光罩
2．．．平台
11．．．TDI感測器
15．．．感測器放大器
16．．．偏移/增益調整設備
16a．．．最底限值記憶設備
16b．．．最高峰值記憶設備
16c．．．偏移算出設備
16d．．．增益算出設備
19．．．比較電路
21．．．檢測結果
153．．．偏移/增益
Rs．．．攝像區域

Claims (20)

  1. 一種光罩缺陷檢查方法，其特徵為：比較使圖像感測器對於光罩相對地移動，且將前述圖像感測器之各像素之輸出藉由感測器放大器予以增幅所獲得之光學圖像、及相對於前述光學圖像成為基準圖像之參照圖像，藉此而進行前述光罩之缺陷檢查之方法；前述感測器放大器係可依每像素調整信號振幅之增益及偏移；且包含以下步驟：在前述缺陷檢查之前，將前述光罩之圖案之一部分藉由前述圖像感測器進行攝像，且將藉由前述感測器放大器所增幅之各像素之光量信號之最底限值及最高峰值予以記憶；根據所記憶之各像素之最底限值，而設定前述感測器放大器之各像素之信號振幅之偏移，藉此而在前述感測器放大器整體設定複數個偏移；及根據前述各像素之信號振幅之偏移、及所記憶之各像素之最高峰值，而設定前述感測器放大器之各像素之信號振幅之增益，藉此而在前述感測器放大器整體設定複數個增益。
  2. 如請求項1之光罩缺陷檢查方法，其中前述圖像感測器係為具有複數段之線之TDI感測器。
  3. 如請求項1之光罩缺陷檢查方法，其中在記憶前述各像素之最底限值及最高峰值之際，前述光罩之相對移動速度，係設為與以前述圖像感測器之圖像尺寸與攝像週期所決定之像素移動速度相比為較慢。
  4. 如請求項2之光罩缺陷檢查方法，其中在記憶前述各像素之最底限值及最高峰值之際，前述光罩之相對移動速度，係設為與前述TDI感測器之TDI動作速度相比為較慢。
  5. 如請求項1之光罩缺陷檢查方法，其中進一步包含以下步驟：在記憶前述各像素之最底限值及最高峰值之際，取得與前述圖像感測器之相對移動方向概略平行之光罩圖案之複數個部位之邊緣位置；從所取得之邊緣位置算出前述光罩之旋轉誤差量；及根據所算出之旋轉誤差量，而執行前述光罩之旋轉對準。
  6. 如請求項5之光罩缺陷檢查方法，其中在複數個部位取得前述邊緣位置之步驟，係取得將邊緣位置之附近進行攝像之複數個像素之光量及座標，且根據所取得之複數個像素之光量及座標而算出成為特定之光量之邊緣位置。
  7. 如請求項1之光罩缺陷檢查方法，其中若一面使載置有前述光罩之平台朝一方向移動一面將前述光罩之圖案之一部分藉由前述圖像感測器進行攝像，則在前述圖像感測器之任意之像素不臨近光罩之遮光部與透光部之雙方之情形下，係一面使前述平台朝與前述一方向直交之另一方向移動一面進行藉由前述圖像感測器之攝像。
  8. 如請求項2之光罩缺陷檢查方法，其中若一面使載置有前述光罩之平台朝一方向移動一面將前述光罩之圖案之一部分藉由前述TDI感測器進行攝像，則在前述TDI感測器之任意之像素不臨近光罩之遮光部與透光部之雙方之情形下，係一面使前述平台朝與前述一方向直交之另一方向移動一面進行藉由前述圖像感測器之攝像。
  9. 如請求項8之光罩缺陷檢查方法，其中將朝前述另一方向之平台移動速度設為較TDI感測器之TDI動作速度更慢。
  10. 如請求項1之光罩缺陷檢查方法，其中若一面使載置有前述光罩之平台朝一方向移動一面將前述光罩之圖案之一部分藉由圖像感測器進行攝像，則在前述圖像感測器之任意之像素不臨近光罩之遮光部與透光部之雙方之情形下，係一面使前述平台同時朝前述一方向及與前述一方向直交之另一方向之雙方移動一面進行藉由前述圖像感測器之攝像。
  11. 如請求項1至10中任一項之光罩缺陷檢查方法，其中將前述光罩之主晶片區域所形成之製品圖案之一部分，藉由前述圖像感測器進行攝像，且將前述最底限值及最高峰值予以記憶。
  12. 一種光罩缺陷檢查裝置，其特徵為具備：光照射機構，其係將光照射於形成有圖案之光罩；驅動設備，其係驅動用以保持前述光罩之平台；圖像感測器，其係以複數個像素檢測前述光罩之穿透光或反射光之光量信號；感測器放大器，其係依每像素將前述圖像感測器之各像素之輸出予以增幅，且生成光學圖像，並且可依每像素調整信號振幅之增益及偏移；參照圖像生成設備，其係生成相對於前述光學圖像成為基準圖像之參照圖像；及檢查設備，其係比較前述光學圖像與前述參照圖像，藉此而檢查前述光罩之圖案之缺陷；且具備以下設備：記憶設備，其係在藉由前述檢查設備之檢查之前，藉由前述驅動設備驅動前述平台而將前述圖案之一部分藉由前述圖像感測器進行攝像，且將藉由前述感測器放大器所增幅之各像素之光量信號之最底限值及最高峰值予以記憶；偏移設定設備，其係根據藉由前述記憶設備所記憶之各像素之最底限值，而設定前述感測器放大器之各像素之信號振幅之偏移；及增益設定設備，其係根據前述各像素之信號振幅之偏移與藉由前述記憶設備所記憶之各像素之最高峰值，而設定前述感測器放大器之各像素之信號振幅之增益。
  13. 如請求項12之光罩缺陷檢查裝置，其中前述圖像感測器係以複數段之線來蓄積前述光量信號之TDI感測器。
  14. 如請求項12之光罩缺陷檢查裝置，其中藉由前述記憶設備記憶前述最底限值及最高峰值之際之前述平台之驅動速度，係設為與以前述圖像感測器之圖像尺寸與攝像週期所決定之圖像移動速度相比為較慢。
  15. 如請求項13之光罩缺陷檢查裝置，其中藉由前述記憶設備記憶前述最底限值及最高峰值之際之前述平台之驅動速度，係設為與前述TDI感測器之TDI動作速度相比為較慢。
  16. 如請求項12之光罩缺陷檢查裝置，其中進一步具備以下設備：邊緣位置取得設備，其係在複數個部位取得與前述圖像感測器之相對移動方向概略平行之光罩之圖案之複數個部位之邊緣位置；旋轉誤差量算出設備，其係從藉由前述邊緣位置取得設備所取得之邊緣位置算出前述光罩之旋轉誤差量；及對準設備，其係根據藉由前述旋轉誤差量算出設備所算出之旋轉誤差量，而執行前述光罩之旋轉對準。
  17. 如請求項16之光罩缺陷檢查裝置，其中前述邊緣位置取得設備，係以根據在複數個X座標中將邊緣位置之附近進行攝像之複數個像素之光量及座標，而算出成為特定之光量之邊緣位置之方式構成。
  18. 如請求項12之光罩缺陷檢查裝置，其中在藉由前述圖像感測器所攝像之圖案之一部分包含有朝一方向延伸之圖案之情形下，前述驅動設備係以將前述平台朝與前述一方向直交之另一方向驅動之方式構成。
  19. 如請求項12之光罩缺陷檢查裝置，其中在藉由前述圖像感測器所攝像之圖案之一部分包含有朝一方向延伸之圖案之情形下，前述驅動設備係以將前述平台朝前述一方向及與前述一方向直交之另一方向驅動之方式構成。
  20. 如請求項12至19中任一項之光罩缺陷檢查裝置，其中將前述光罩之主晶片區域所形成之製品圖案之一部分，藉由前述圖像感測器進行攝像，且將藉由前述感測器放大器所增幅之各像素之光量信號之最底限值及最高峰值，藉由前述記憶設備予以記憶。
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