TWI394856B - Magnetron sputtering method and magnetron sputtering device - Google Patents
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Description
本發明是有關磁控管濺射方法及磁控管濺射裝置，特別是有關在真空槽內具有複數個靶之磁控管濺射方法及磁控管濺射裝置。
以往，此種的磁控管濺射裝置，例如有圖6所示者。
如圖6所示，此磁控管濺射裝置101具有連接至所定的真空排氣系103及氣體導入管104的真空槽102，在此真空槽102內的上部配置有成膜對象物的基板106。
在真空槽102內的下部，配置分別具有磁氣電路形成部105的複數個靶107，各靶107是經由抵板(bucking plate)108從電源109來施加所定的電壓。
而且，在各靶107之間，為了在各靶107上安定產生電漿，在基板105上形成均一的膜，而配置有設定成接地電位的屏蔽110。
但，在如此以往技術中，成膜時電漿會藉由配置於各靶107間的屏蔽110而被吸収，因此在各靶107的屏蔽110附近的區域會有未被侵蝕的非侵蝕區域殘留。
而且，因為此非侵蝕區域的存在，在靶107表面會發
生異常放電，或者靶材料會堆積於非侵蝕區域，而造成膜質劣化之問題。
本發明是為了解決如此以往技術的課題而研發者，其目的是在於提供一種可大幅度減少非侵蝕區域，亦即防止因為存在於靶表面的非侵蝕區域所引起的異常放電及形成膜質劣化的原因之靶材料的堆積之磁控管濺射方法及磁控管濺射裝置。
為了達成上述目的，本發明之磁控管濺射方法，係於真空中，使複數個靶在電性獨立的狀態下，且以鄰接的靶能夠直接對向之方式來近接配置，在上述靶的附近使磁控管放電發生，而來進行濺射，其特徵為：在該濺射時，以所定的時序來對上述鄰接的靶施加180°相位相異的電壓。
本發明亦可在上述發明中，對上述鄰接的靶，週期性交互施加180°相位相異的電壓。
又，本發明亦可在上述發明中，對上述鄰接的靶施加的電壓為脈衝狀的直流電壓。
又，本發明亦可在上述發明中，使對上述鄰接的靶施加的電壓的頻率形成相等。
又，本發明亦可在上述發明中，對上述鄰接的靶，常時排他性施加電壓。
本發明之磁控管濺射裝置，係於真空槽內配置有複數
個電性獨立的靶，其特徵為：以鄰接的靶能夠直接對向之方式來近接配置，且具備電壓供給部，其係具有可分別以所定的時序來對上述靶施加180°相位相異的電壓之電源。
又，本發明亦可在上述發明中，上述鄰接的靶的間隔為：在該鄰接的靶間不會發生異常放電，且在該鄰接的靶間不會產生電漿的距離。
本發明方法的情況，是在濺射時，以所定的時序來對使近接配置之鄰接的靶施加180°相位相異的電壓，藉此即使是在靶間不設置屏蔽的狀態，照樣可以在各靶上安定產生不偏倚的電漿。
其結果，若利用本發明，則可大幅度減少非侵蝕區域，藉此可以防止靶表面之異常放電，且能夠極力阻止非侵蝕區域之靶材料的堆積。
又，若利用本發明裝置，則可效率佳地容易實施上述本發明的方法。
若利用本發明，則即使是在靶間不設置屏蔽的狀態，照樣可在各靶上安定產生不偏倚的電漿，藉此可以防止靶表面之異常放電，且能夠極力阻止非侵蝕區域之靶材料的堆積。
以下，參照圖面來詳細說明本發明的較佳實施形態。
圖1是表示本發明之磁控管濺射裝置的實施形態的構成剖面圖。
如圖1所示，本實施形態的磁控管濺射裝置1具有連接至所定的真空排氣系3及氣體導入管4且安裝有真空計5的真空槽2。
在真空槽2內的上部，連接至電源(未圖示)的基板6會以保持於基板保持具7的狀態來配置。
另外，本發明的情況，基板6亦可固定於真空槽2內的所定位置，但由確保膜厚均一性的觀點來看，較理想是可藉由揺動或旋轉或通過來使基板6移動。
而且，在真空槽2內的下部，複數個靶8(本實施形態為8A，8B，8C，8D)會被載置於抵板9A，9B，9C，9D上，分別在電性獨立的狀態下被配置。
本發明的情況，靶8的個數並無特別加以限定，但由使放電更安定的觀點來看，較理想是設置偶數個靶8。
本實施的情況，靶8A，8B，8C，8D是例如形成長方體形狀，設置於相同高度的位置。而且，由確保膜厚(膜質)均一性的觀點來看，以使所鄰接之靶8A及8B，8B及8C，8C及8D的長度方向的側面部能夠直接對向之方式來近接配置。
此情況，由確保膜厚(膜質)均一性的觀點來看，最好靶8A，8B，8C，8D的配置區域形成比基板6的大小更大。
本發明的情況，所鄰接之靶8A及8B，8B及8C，8C及8D的間隔並無特別加以限定，但最好在所鄰接之靶間不會產生異常(起弧)放電，且根據帕申(Paschen)的法則，形成該鄰接之靶8A及8B，8B及8C，8C及8D間不會產生電漿的距離。
本實施形態的情況，本發明者們的確認出，當所鄰接之靶8A及8B，8B及8C，8C及8D的間隔未滿1mm時，在該等之間會產生異常(起弧)放電，另一方面，若超過60mm，則會產生電漿(壓力0.3Pa，投入電力10W/cm2
)。
此外，若考量膜附著於靶8A~8D的長度方向的側面部等之不良情況，更理想的範圍為1mm以上3mm以下。
另外，在真空槽2的外部，設有供以對各靶8A，8B，8C，8D施加所定的電壓之電壓供給部10。
本實施形態的電壓供給部10具有對應於各靶8A，8B，8C，8D的電源11A，11B，11C，11D。該等各電源11A，11B，11C，11D會被連接至電壓控制部12，使能夠控制輸出電壓的大小及時序，藉此經由抵板9A，9B，9C，9D來分別對靶8A，8B，8C，8D施加後述的所定電壓。
在各抵板9A，9B，9C，9D的下側，亦即抵板9A，9B，9C，9D之與靶8A，8B，8C，8D呈反對側，設有例如由永久磁石所構成的磁氣電路形成部13A，13B，13C，13D。
本發明的情況，各磁氣電路形成部13A，13B，13C，13D亦可固定於所定位置，但由謀求所被形成之磁氣電路的均一化的觀點來看，最好是構成例如能夠往復移動於水平方向。
又，以各靶8A，8B，8C，8D的表面的漏洩磁場能夠形成垂直磁場0的位置為100~2000G的水平磁場之方式來構成磁氣電路。
以下，說明本發明之磁控管濺射方法的較佳實施形態。
本實施形態是在真空槽2內導入濺射氣體，在所定的壓力下進行濺射時，以所定的時序來對鄰接的靶8A及8B，8B及8C，8C及8D施加180°相位相異的電壓。
圖2是表示施加於本發明的靶之電壓的波形的一例的時序圖。
如圖2所示，在此例中，例如對所鄰接的靶8A及8B，8B及8C，8C及8D，週期性交互施加如以下說明之180°相位相異的電壓。
特別是在本例中，對各靶8A~8D施加脈衝狀的直流電壓。
此情況，由確實使電漿產生於各靶8A~8D上的觀點來看，最好施加於鄰接的靶8A及8B，8B及8C，8C及8D之電壓為形成無同電位的期間，亦即不會重疊之排他性的波形者。
本發明的情況，最好對各靶8A~8D施加之電壓的頻
率是在所被充電的電荷能逃離的範圍內僅可能小，具體而言，例如1Hz以上。
又，對各靶8A~8D施加之電壓的頻率的上限是如以下說明那樣設定。
圖3是表示施加於靶的電壓的頻率與波形的關係的時序圖。
若說明有關在上述構成之鄰接的靶A，B施加上述脈衝狀的直流電壓之情況，則如圖3所示，本發明者們確認出，至10kHz為止，靶A，B及其電路本身所具有的電容的影響小，波形(矩形)不會崩潰。其結果，可藉由對所鄰接之靶A，B排他性施加電壓，在各靶A，B上確實地使電漿產生。
另一方面，若施加電壓的頻率超過10kHz(圖中為12kHz)，則不可忽視靶A，B及其電路本身所具有的電容的影響，波形會崩潰成接近正弦波。其結果，有關鄰接的靶A，B會產生成同電位的期間，如上述，無法在各靶A，B上確實地使電漿產生。
因此，本實施形態的情況，對各靶8A~8D施加之電壓的頻率最好為1Hz~10kHz。
又，本發明的情況，對鄰接的各靶8A~8D施加之電壓的頻率雖亦可為相異，但由確保膜厚均一性的觀點來看，最好施加各頻率相等的電壓。
又，對鄰接的各靶8A~8D施加之電壓的大小(電力)並無特別加以限定，但由確保膜厚均一性的觀點來
看，最好施加各大小相等的電壓。
此情況，由在各靶8A~8D上安定產生電漿的觀點來看，最好所施加之電壓的正(+)方向的最大值為設定成相等於接地電位。
圖4(a)(b)是表示施加於靶之電壓的其他例的波形的時序圖。
如圖4(a)(b)所示，在本發明中，亦可取代上述脈衝狀的直流電壓，對鄰接的靶，週期性交互施加180°相位相異的交流電壓。
同樣的，在本例中，由確實使電漿產生於各靶8A~8D上的觀點來看，最好施加於鄰接的靶8A及8B，8B及8C，8C及8D之電壓為形成無同電位的期間，亦即不會重疊之排他性的波形者。
又，最好對各靶8A~8D施加之電壓的頻率是在所被充電的電荷能逃離的範圍內僅可能小，具體而言，例如1Hz以上。
另一方面，有關對各靶8A~8D施加之電壓的頻率的上限，本發明者們確認出，隨著頻率的増大之波形的崩潰比上述脈衝狀的直流電壓還要小，可施加至60kHz程度。
因此，本例的情況，對各靶8A~8D施加之電壓的較佳頻率為1Hz~40kHz。
若利用上述本實施形態，則在濺射時，對使近接配置之鄰接的靶8A及8B，8B及8C，8C及8D施加180°相位相異的電壓，藉此即使是在靶8A~8D間不設置屏蔽的狀
態，照樣可在各靶8A~8D上安定產生不偏倚的電漿。其結果，可使各靶8A~8D之非侵蝕區域大幅度地減少，因此可以防止靶8A~8D表面之異常放電，且能夠極力阻止非侵蝕區域之靶材料的堆積。
又，若利用本實施形態的磁控管濺射裝置1，則可效率佳地容易實施上述本發明的方法。
又，本發明可適用於各種任意數量的靶，且所導入之濺射氣體的種類不拘。
以下，說明本發明的實施例。
利用圖1所示的磁控管濺射裝置，在真空槽內配置6個靶，該靶是在In2
O3
中添加10重量%的SnO2
。
而且，在真空槽內導入由Ar及O2
所構成的濺射氣體，在壓力0.7Pa之下，對各靶施加圖2所示之逆相的脈衝狀的矩形波(頻率50Hz，投入電力6.0kW)，而來進行濺射。
利用圖6所示之以往技術的磁控管濺射裝置，以和實施例同一製程條件來進行濺射。
如圖5(a)所示，比較例的情況，在靶8的緣部存在
寬10mm程度的非侵蝕區域80，相對的，如圖5(b)所示，實施例的情況，在靶8的緣部幾乎不存在非侵蝕區域。
1‧‧‧磁控管濺射裝置
2‧‧‧真空槽
6‧‧‧基板
8(8A，8B，8C，8D)‧‧‧靶
10‧‧‧電壓供給部
11A，11B，11C，11D‧‧‧電源
12‧‧‧電壓控制部
圖1是表示本發明之磁控管濺射裝置的實施形態的構成剖面圖。
圖2是表示施加於本發明的靶之電壓的波形的一例的時序圖。
圖3是表示施加於靶之電壓的頻率與波形的關係的時序圖。
圖4(a)(b)是表示施加於靶之電壓的其他例的波形的時序圖。
圖5(a)是表示比較例之靶的狀態說明圖，(b)是表示實施例之靶的狀態說明圖。
圖6是表示以往技術之磁控管濺射裝置的構成剖面圖。
1‧‧‧磁控管濺射裝置
2‧‧‧真空槽
3‧‧‧真空排氣
4‧‧‧氣體導入管
5‧‧‧真空計
6‧‧‧基板
7‧‧‧基板保持具
8A，8B，8C，8D‧‧‧靶
9A，9B，9C，9D‧‧‧抵板
10‧‧‧電壓供給部
11A，11B，11C，11D‧‧‧電源
12‧‧‧電壓控制部
13A，13B，13C，13D‧‧‧磁氣電路形成部
Claims (6)
- 一種磁控管濺射方法，係於真空中，使長方體形狀的複數個靶在電性獨立的狀態下，且以上述複數的鄰接的靶的長度方向的側面部能夠分別直接對向之方式來近接配置，在上述複數的靶的附近使磁控管放電發生，而來進行濺射，其特徵為：上述鄰接的靶的間隔為該鄰接的靶間不會發生起弧放電，且為根據帕申的法則在該鄰接的靶間不會產生電漿的距離，為1mm以上60mm以下，在該濺射時，以所定的時序來對上述鄰接的靶施加180°相位相異的電壓。
- 如申請專利範圍第1項之磁控管濺射方法，其中對上述鄰接的靶，週期性交互施加180°相位相異的電壓。
- 如申請專利範圍第1項之磁控管濺射方法，其中對上述鄰接的靶施加的電壓為脈衝狀的直流電壓。
- 如申請專利範圍第1項之磁控管濺射方法，其中對上述鄰接的靶施加的電壓的頻率相等。
- 如申請專利範圍第1項之磁控管濺射方法，其中對上述鄰接的靶，常時排他性施加電壓。
- 一種磁控管濺射裝置，係於真空槽內配置有複數個電性獨立之長方體形狀的靶，其特徵為：以上述複數的鄰接的靶的長度方向的側面部能夠分別直接對向之方式來近接配置，上述鄰接的靶的間隔為該鄰接的靶間不會發生起弧放 電，且為根據帕申的法則在該鄰接的靶間不會產生電漿的距離，為1mm以上60mm以下，具備電壓供給部，其係具有可分別以所定的時序來對上述靶施加180°相位相異的電壓之電源。
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Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112008000252T5 (de) * | 2007-01-26 | 2009-12-17 | Osaka Vacuum, Ltd. | Sputter-Verfahren und Sputter-Vorrichtung |
| JP5322235B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2013-10-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
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| JP5328995B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2013-10-30 | シャープ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置、マグネトロンスパッタリング装置の制御方法、及び成膜方法 |
| JP2013001943A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置 |
| JP5875462B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2016-03-02 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
| JP6163064B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2017-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN207259586U (zh) * | 2014-09-30 | 2018-04-20 | 应用材料公司 | 用于沉积材料的设备 |
| US10596367B2 (en) | 2016-01-13 | 2020-03-24 | Setpoint Medical Corporation | Systems and methods for establishing a nerve block |
| DE102016118799B4 (de) * | 2016-10-05 | 2022-08-11 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Verfahren zum Magnetronsputtern |
| KR102053400B1 (ko) * | 2017-07-07 | 2020-01-07 | 주식회사 에이치앤이루자 | 자속 블록을 갖는 스퍼터링 장치 |
| WO2021016620A1 (en) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | Pulsed dc sputtering systems and methods |
| CN115287616B (zh) * | 2022-08-03 | 2023-09-26 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种大面积13c同位素靶的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692230A (en) * | 1985-04-15 | 1987-09-08 | Hitachi, Ltd. | Thin film forming method through sputtering and sputtering device |
| JP2002173762A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | 透明導電膜等の成膜方法とその装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4049533A (en) * | 1975-09-10 | 1977-09-20 | Golyanov Vyacheslav Mikhailovi | Device for producing coatings by means of ion sputtering |
| CH649578A5 (de) * | 1981-03-27 | 1985-05-31 | Ulvac Corp | Hochgeschwindigkeits-kathoden-zerstaeubungsvorrichtung. |
| JPH02225667A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-07 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| US5108574A (en) * | 1991-01-29 | 1992-04-28 | The Boc Group, Inc. | Cylindrical magnetron shield structure |
| US5415757A (en) * | 1991-11-26 | 1995-05-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings |
| JP3151031B2 (ja) * | 1992-01-19 | 2001-04-03 | 日本真空技術株式会社 | マグネトロンスパッタ装置 |
| RU2046837C1 (ru) * | 1992-12-16 | 1995-10-27 | Институт микроэлектроники РАН | Способ получения эпитаксильных пленок |
| US5565074A (en) * | 1995-07-27 | 1996-10-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with a segmented balanced electrode for sputtering process materials from a target surface |
| JP3783751B2 (ja) * | 1997-07-14 | 2006-06-07 | 株式会社ブリヂストン | スパッタ膜の作製方法 |
| US6093293A (en) * | 1997-12-17 | 2000-07-25 | Balzers Hochvakuum Ag | Magnetron sputtering source |
| RU2135634C1 (ru) * | 1998-06-15 | 1999-08-27 | Санкт-Петербургский государственный технический университет | Способ и устройство магнетронного распыления |
| US6818103B1 (en) * | 1999-10-15 | 2004-11-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems |
| JP2002012969A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-15 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | スパッタリング装置の制御方法 |
| JP4280890B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2009-06-17 | 旭硝子株式会社 | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 |
| CN1358881A (zh) * | 2001-11-20 | 2002-07-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 真空多元溅射镀膜方法 |
-
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2006
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692230A (en) * | 1985-04-15 | 1987-09-08 | Hitachi, Ltd. | Thin film forming method through sputtering and sputtering device |
| JP2002173762A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | 透明導電膜等の成膜方法とその装置 |
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