TWI394189B - 電容基板結構 - Google Patents
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Description
本發明係關於電容基板結構，更特別關於該結構中絕緣層之組成。
近來電子產品生活化與高功能化之需求大增，使的軟性電子產業蓬勃發展，電子產品也將硬質的產品與軟質的元件做結合，以提高產品的功能及便利性。電子產品也朝向輕薄可撓曲及訊號傳輸的高速高頻化，所以電子基板的被動原件與主動元件數量比例也大幅增加，發展內藏式被動元件技術可降低電路板面積，提高元件使用密度，大幅提高產品的良率及可靠度，已成為必然趨勢。其中電容元件之使用量居冠，開發高介電電容基板包括結構設計與材料技術已是全球熱門話題。
濺鍍(sputtering)式或高溫燒結式純無機電容(基板)材料，不但成本高，通常需要特殊設備以及須高溫處理(>800℃)製程，因此難以應用在具低成本優勢的PCB製程上，目前只有使用有機/無機混成高介電材料才有機會適用於低溫化的PCB製程。由於現階段的樹脂/高介陶瓷粉體混成材料系統的DK值難以達到40以上，電容密度不高，其應用性受限；唯有添加導電性粉體才能進一步提高DK值至少45以上，然而此類的材料在實際的應用上容易出現高漏電流的行為，大幅降低了其應用性。
電容元件的應用擴大到所有電子產品的應用，當中將近半數是去偶合(Decoupling)電容，其電容值需求主要集中在1nF~1μF，因此將該類電容元件內藏基板，勢必能有效達到縮裝目的。現階段主要是將該類元件內埋於基板中，且仍有不少問題待克服包括內埋後的封裝問題與鑽孔問題等。對於使用超高介電材料直接製作成電容性基板上，雖然高溫燒結型電容材料可輕易達成高容值需求，但加工溫度高達900℃，成本高、材料脆、且與現有PCB製程相容性低。本發明將揭露一類電容基板結構設計與材料配方來達成去偶合電容基板的製作。
這幾年內埋式電容技術大量被討論，埋入式被動元件技術的開發已逐步進入產品實際應用階段，但仍只有RF端的應用，實際上仍有很大的進步空間，也成為近年來相關公司廠商積極爭取之技術領域，相關專利的發表也出現了百家爭鳴的景象。
現階段相關性專利大多為揭露電容製作方法、粉體種類及配方樹脂等，並無針對降低漏電流(Leakage Current)的且具有高介電常數及高電容密度的結構及材料配方進行探討。
US6657849 B1揭露應用於印刷電路板內埋電容層之製造方法，使用一層薄的介電材料形成內埋式電容，其結構分別為導電的金屬箔層/介電材料層，導電的金屬箔層/介電材料層/補強材層，然後相同結構基材再兩兩對壓形成內埋式電容材料，且其對壓的介電材料均為相同成份，其中補強材層功用在減少在製程中因熱或化學反應所導致之尺寸的變化，其對壓製程的優點為可避免間隙的存在，材料系統則為常見的陶瓷粉體、熱固性聚合物、熱塑性聚合物等。另外，US7413815 B2的特色是中間介電層(補強層)改為一些聚合物的預聚物，如PET、PEN、PVC、PPS、PI、PA、PA-PI等，來達到基板結構補強的效果，其介電層厚度約為1.5~10μm。
US 6905757 B2揭露應用於印刷電路板內埋電容層之製造方法，並強調具較高強度之雙面鍍銅薄疊層板，其內容中已開始著重於樹脂組成及粉體之特性及比例，其中必含有可溶性聚醯胺高分子(solvent soluble polyamide resin pdlymer)，其介電材料可為單層(≦5μm)再壓合導電的金屬箔層，或採用增層的方式重複塗佈烤乾的製程，使用相同的介電材料達到需求的目標厚度再壓合導電的金屬箔層。
臺灣專利I 594811中提及之形成電容層用之層積板及其製造方法，其結構分別為電極銅層/氧化鋁阻障層/改質的氧化鋁層/鋁、鎳、鉻成份之黏結金屬層/電極銅層，不能採用PCB製程製造出電容性基板。
對於多層介電層的結構在1997至2008年陸續一直有公司提出來將之應用在IC內的電容或IC絕緣層上，包括US 5688724(1997),US 6270835 B1(2001),US 6953721 B2(2005),US 7217617 B2(2007),US 7323422 B2(2008)等，目的都是在改善因為厚度過薄所導致的漏電流問題，而且幾乎都是採用半導體CVD製程來製作該(無機系材料)元件結構。
綜上所述，目前仍需一種新的電容結構及相關組成在改善漏電流的同時仍能確保高介電常數的優點。
本發明提供一種電容基板結構，包括絕緣層，夾設於二導體層之間；其中絕緣層包括第一介電層及第二介電層；第二介電層之介電常數大於第一介電層之介電常數；以及第二介電層係高介電陶瓷粉體及/或導電粉體均勻混掺於有機樹脂中。
如第1圖所示，本發明之電容基板結構為絕緣層11夾設於兩導體層13之間。絕緣層11之厚度約介3μm至60μm之間，若絕緣層11過厚，則電容密度將難以有效提升；但若絕緣層11過薄，則介電層對導體層的附著性將變差，且破壞電壓也會下降。絕緣層11分為第一介電層DK1及具有高介電常數(至少大於45)之第二介電層DK2所組成，且第二介電層DK2之介電常數高於第一介電層DK1。在本發明一實施例中，第一介電層DK1包含有機樹脂。在本發明另一實施例中，第一介電層DK1係由一高介電陶瓷粉體均勻混合於有機樹脂中，第二介電層DK2為有機/無機混成材料，其組成包含高介電陶瓷粉體及導電粉體均勻分散於有機樹脂中。
上述之有機樹脂可為熱塑性樹脂、熱固性樹脂、或上述之混合。適用於本發明之熱固性樹脂包含環氧樹脂、壓克力樹脂、聚亞醯胺樹脂、及/或酚醛樹脂。環氧樹脂可為雙酚-A的二環氧甘油醚、四溴雙酚A醚、環脂肪族環氧樹脂(如，二環戊二烯環氧樹脂)、含萘環氧樹脂、雙亞苯環氧樹脂、酚醛環氧樹脂或鄰甲酚醛環氧樹脂。熱固性樹脂可為環氧樹脂/聚(苯基醚)組合物、環氧樹脂/聚(苯基醚)/聚(丁二烯)組合物或環氧樹脂/壓克力樹脂組合物。
上述之高介電陶瓷粉體占第一介電層DK1或第二介電層DK2之總重的5-95%，若比例高於95%，則介電層對導體層或第一介電層的附著性將變差；但若比例低於5%，將無法有效平衡介電常數值與破壞電壓。高介電陶瓷粉體可為BaTiO3
、Ba(Sr)TiO3
、SrTiO3
、NPO等陶瓷粉體。在本發明一實施例中，陶瓷粉體可進一步摻雜一種或複數種金屬離子，例如，鈣離子、鎂離子、鋯離子或鉍離子等。
上述之導電粉體占第二介電層DK2之總重的0.01%至20%。若導電粉體之比例高於20%，則易形成電導通而非介電層，但若導電粉體之比例低於0.01%，則對介電常數值的提升沒有幫助。導電粉體可為導電碳黑、奈米碳管、金屬、金屬氧化物、或上述之組合。上述導電碳黑包括高結構碳黑、低結構碳黑、表面具有羧基或羥基之碳黑、或上述之組合。上述金屬包含Ni、Al、Ag、Cu、上述之合金、或上述之組合。上述金屬氧化物包括Al2
O3
、ZnO、Zn(Al)O、SnO2
、In2
O3
、或上述之組合。
在本發明中，首先將有機樹脂溶於適當的溶劑中。溶劑可為DMF或甲苯等常見溶劑。如上所述，有機樹脂包括環氧樹脂及/或壓克力樹脂。接著，加入硬化劑及催化劑與其他添加劑，均勻分散後塗佈於導體層如銅箔基板，去除溶劑即形成介電層於導體層上。將塗佈不同介電層之導體層壓合後，即形成本發明之電容基板結構。除此之外，亦可在乾燥之介電層如DK1上塗佈另一層不同組成之介電層如DK2，再與另一導電層壓合，亦可完成本發明之電容基板結構。本發明之電容性基板材料在操作電壓下其絕緣電阻大於50K ohm，漏電流小於100μ Amp。
上述硬化劑可為雙胺、雙酐、酚樹脂。上述催化劑可為三氟化硼錯物、三級胺、金屬氫氧化物、單環氧化物或咪唑(imidazole)如1-甲基咪唑(1-methylimidzaole)、1,2-二甲基咪唑(1,2-dimethylimidazole)、2-十七烷基咪唑(2-heptadecylimidazole)或2-乙基4-甲基咪唑(2-ethyl-4-methylimiazol)等。
雖然第1圖中之絕緣層僅為一雙層結構，但本發明之電容基板結構可為三層以上之多層結構，如第2圖所示。在第2圖中，絕緣層11分為第一介電層DK1、第二介電層DK2、及第三介電層DK3，且第二介電層DK2之介電常數高於第一介電層DK1及第三介電層DK3。第三介電層DK3之組成可與第一介電層DK1相同，可為有機樹脂，或進一步含有高介電陶瓷粉體。
本發明之電容基板可進一步含有穿孔結構，如第3及4圖所示。在第3圖中，電容基板30之穿孔結構中的內環為導體33，而外環為介電材料31，其中介電材料31可採用與第一介電層DK1相同組成如有機樹脂，或高介電陶瓷粉體均勻混掺於有機樹脂中。在第4圖中，內環的導體33中心更包含一氣隙35。本發明可進一步堆疊數個第1圖及/或第2圖中的電容基板形成多層之電容基板，或將上述電容基板一個或一個以上任意放置在一般多層印刷電路板中，並應用上述之穿孔結構連結堆疊之電容基板。但本技藝人士自可依本身需要選擇完全貫穿或部份穿孔結構，再搭配一般的導(通)孔來連結多層基板之電性線路。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數實施例配合所附圖示，作詳細說明如下：
【實施例】
實施例1
下述為本發明電容基板之製備流程。
分別取不同重量比之雙酚-A環氧樹脂(bisphenol-A diglycidyl ether)(188EL，長春樹脂公司，台灣)、四溴化雙酚-A環氧樹脂(tetrabromo bisphenol-A diglcidyl ether)(BEB-350，長春公司，台灣)、環脂肪族環氧樹脂(cyclo aliphatic epoxy)(HP-7200，DIC，日本)、多官能基環氧樹脂(Multifunctional epoxy)如第1表所示，並加入10ml的DMF，加熱至90℃~95℃使上述樹脂完全溶解。取不同重量之二胺(Diaminodiphenyl sulfone，DDS，購自ACROS，美國)作為硬化劑，以及Boron trifluoride mono-ethylamine，BF3-MEA，購自ACROS，美國)作為催化劑如第1表所示，加入上述之環氧樹脂溶液。當硬化劑及催化劑完全溶解於環氧樹脂溶液後，再加入分散劑(聚酯分散劑；Uniqema)並降至室溫，使其成為樹脂接著劑(binder)。將上述樹脂接著劑加入不同重量比之BaTiO3
、SrTiO3
、或NPO等陶瓷粉體，以高速攪拌均勻，即形成本發明之高介電層(簡稱DK1)的混成溶液。此外，將上述方法配製的樹脂接著劑(binder)加入不同重量比之高介電陶瓷粉體如BaTiO3
或SrTiO3
，以及導電粉體如碳黑、鋁氧化鋅、金屬鋁等粉體，再以高速攪拌均勻，形成本發明之高介電層(簡稱DK2)的混合溶液。
將DK1的混合溶液塗佈於銅箔上，並使用烘箱(120℃，15分鐘)移除溶劑以有效控制樹脂的B-Stage。另一方面，將DK2的混合溶液塗佈於銅箔上，並使用烘箱(120℃，15分鐘)移除溶劑以有效控制樹脂的B-Stage。接著以熱壓機(200℃，壓合2.5小時)將含有DK1之銅箔與含有DK2之銅箔進行對壓，形成雙層高介電材料電容結構。除了上述方法，亦可將DK1材料塗佈於銅箔上，並使用烘箱(120℃，15分鐘)移除溶劑以有效控制樹脂的B-Stage。接著將DK2材料直接塗佈於DK1塗佈層後，使用烘箱(120℃，15分鐘)移除溶劑以有效控制樹脂的B-Stage。以熱壓機(200℃，壓合2.5小時)將空白銅箔與含有DK1及DK2之銅箔壓合，即形成雙層高介電材料電容結構。上述方法可應用於三層介電層(DK1、DK2、及DK3)，如實施例1-4所示。
分別量測實施例1-1至1-9中雙層高介電材料之電容結構的物理特性與DK1/DK2/DK3的厚度後，列表如表二所示。剝離強度的測量標準為IPC-650，絕緣電流及漏電流的操作電壓為10V，耐銲錫性係於288℃/3min確認是否爆板。
比較例1
與實施例1類似，差別在於比較例1中的高介電材料電容結構係單層而非雙層。在比較例1之電容結構中，絕緣層僅含單層之DK1(包含有機樹脂及高介電陶瓷粉體)或DK2(包含有機樹脂、高介電陶瓷粉體、及導電粉體)。其餘混合、塗佈、移除溶劑、及壓合等步驟均與實施例1相同。比較例1之組成及重量比皆列表如表三所示。
分別量測比較例1-1、及1-2中單層高介電材料之電容結構的物理特性與sample的厚度後，列表如表四所示。剝離強度的測量標準為IPC-650，絕緣電流及漏電流的操作電壓為10V，耐銲錫性係於288℃/3min確認是否爆板。
由表四可知，比較例1-1或1-2雖然其介電常數可達400或80，但其在操作電壓10V下，漏電流相當嚴重其絕緣電阻也非常小。
另一方面，實施例1中使用雙層高介電層結構，如實施例1-1將高介電DK1層與高介電DK2層進行雙層堆疊結構，或也可進行雙層塗佈型成高介電材料雙層結構之電容基板。實施例1-1藉由雙層結構之設計，可在大幅提升介電常數的同時，仍能降低或維持在漏電流，並提高電容結構的絕緣電組。雙層結構不同的厚度變化會影響其電性如介電常數、漏電流及絕緣電阻。以實施例1-2為例，第一層DK1厚度9μm搭配第二層DK2厚度15μm，可形成介電常數83.9的高介電電容基板，其絕緣電組可控制在1.2E＋05Ω。
11．．．絕緣層
13．．．導體層
30．．．電容基板
31．．．介電材料
33．．．導體
35．．．氣隙
DK1．．．第一介電層
DK2．．．第二介電層
DK3．．．第三介電層
第1圖係本發明一實施例之電容基板結構；
第2圖係本發明另一實施例之電容基板結構；
第3圖係本發明一實施例之電容基板的穿孔結構；以及
第4圖係本發明另一實施例之電容基板的穿孔結構。
11．．．絕緣層
13．．．導體層
DK1．．．第一介電層
DK2．．．第二介電層
Claims (15)
- 一種電容基板結構，包括：一絕緣層，夾設於二導體層之間；其中該絕緣層包括：一第一介電層及一第二介電層；該第二介電層之介電常數大於該第一介電層之介電常數；以及該第二介電層係一高介電陶瓷粉體及一導電粉體均勻混掺於一有機樹脂中，其中該高介電陶瓷粉體包括BaTiO3 、BaSrTiO3 、SrTiO3 、NPO、或上述之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該有機樹脂包括熱固性樹脂或熱塑性樹脂。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該高介電陶瓷粉體之粒徑介於30nm至2μm之間，且占該第二介電層總重之5%至95%。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該高介電陶瓷粉體摻雜一金屬離子，該金屬離子包括鈣離子、鎂離子、鋯離子、或鉍離子。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該導電粉體之粒徑介於10nm至2μm之間，且占該第二介電層總重之0.01%至20%。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該導電粉體包括導電碳黑、金屬、金屬氧化物、或上述之 組合。
- 如申請專利範圍第6項所述之電容基板結構，其中該導電碳黑包括高結構碳黑、低結構碳黑、表面具有羧基或羥基之碳黑、或上述之組合。
- 如申請專利範圍第6項所述之電容基板結構，其中該金屬包括Ni、Al、Ag、Cu、上述之合金、或上述之組合。
- 如申請專利範圍第6項所述之電容基板結構，其中該金屬氧化物包括Al2 O3 、ZnO、Zn(Al)O、SnO2 、In2 O3 、或上述之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該第一介電層包括有機樹脂。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該第一介電層係高介電陶瓷粉體均勻混掺於有機樹脂中。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該絕緣層更包括一第三介電層，該第三介電層包括一有機樹脂，該第二介電層係夾設於該第一介電層與該第三介電層之間，且該第二介電層之介電常數大於該第三介電層之介電常數。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，其中該絕緣層更包括一第三介電層，該第三介電層係高介電陶瓷粉體均勻混掺於有機樹脂中，該第二介電層係夾設於該第一介電層與該第三介電層之間，且該第二介電層之介電常數大於該第三介電層之介電常數。
- 如申請專利範圍第1項所述之電容基板結構，更包括一穿孔結構穿過部份或全部之電容基板結構，該穿孔結 構包括：一內環，係一導體材料；以及一外環，係一介電材料；其中該介電材料包括有機樹脂，或高介電陶瓷粉體均勻混掺於有機樹脂中。
- 如申請專利範圍第14項所述之電容基板結構，其中該穿孔結構更包括一氣隙位於該內環中。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10964476B2 (en) | 2018-12-27 | 2021-03-30 | Industrial Technology Research Institute | Capacitor with multiple dielectric layers having dielectric powder and polyimide |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2538420A1 (de) * | 2011-06-20 | 2012-12-26 | Technische Universität Darmstadt | Kondensator für passive Hochfrequenz-Komponenten |
| US9805869B2 (en) | 2012-11-07 | 2017-10-31 | Carver Scientific, Inc. | High energy density electrostatic capacitor |
| JP2015537382A (ja) * | 2012-11-07 | 2015-12-24 | カーバー サイエンティフィック インコーポレイテッドＣａｒｖｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ， Ｉｎｃ． | 高エネルギー密度静電キャパシタ |
| AT516662B1 (de) * | 2014-12-12 | 2018-06-15 | Next System Vertriebsges M B H | Haptisches Feedback-Element eines Eingabeelements für elektronische Apparate |
| US10037850B2 (en) * | 2014-12-18 | 2018-07-31 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer film capacitor |
| WO2017154167A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層積層板及びこれを用いた多層プリント配線板の製造方法 |
| KR102584993B1 (ko) * | 2018-02-08 | 2023-10-05 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 및 그 제조방법 |
| US11295893B2 (en) | 2018-02-16 | 2022-04-05 | KYOCERA AVX Components Corporation | Self-aligning capacitor electrode assembly having improved breakdown voltage |
| JP7355827B2 (ja) | 2018-12-20 | 2023-10-03 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス |
| CN113228503B (zh) | 2018-12-20 | 2024-12-27 | 京瓷Avx元器件公司 | 包括高精度电感器的多层电子装置 |
| CN113228504B (zh) | 2018-12-20 | 2024-10-25 | 京瓷Avx元器件公司 | 高频多层滤波器 |
| WO2020132025A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer filter including a return signal reducing protrusion |
| US11336249B2 (en) | 2018-12-20 | 2022-05-17 | KYOCERA AVX Components Corporation | Multilayer filter including a capacitor connected with at least two vias |
| TWI671770B (zh) * | 2018-12-27 | 2019-09-11 | 財團法人工業技術研究院 | 電容器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5688724A (en) * | 1992-07-02 | 1997-11-18 | National Semiconductor Corporation | Method of providing a dielectric structure for semiconductor devices |
| US6619763B2 (en) * | 2001-05-25 | 2003-09-16 | Presidio Components, Inc. | Feed-through filter capacitor with non-overlapping electrodes |
| US7158364B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor and method of producing the same |
| US20070087563A1 (en) * | 2004-08-02 | 2007-04-19 | Micron Technology, Inc. | Zirconium-doped tantalum oxide films |
| US20070108490A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-17 | General Electric Company | Film capacitors with improved dielectric properties |
| US20080188615A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-07 | Bayer Materialscience Ag | Polyurethanes filled with carbon black and with a high dielectric constant and breakdown strength |
| US20080186653A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Polymeric surfactant for high dielectric polymer composites, method of preparing the same and high dielectric polymer composite comprising the same |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270835B1 (en) * | 1999-10-07 | 2001-08-07 | Microcoating Technologies, Inc. | Formation of this film capacitors |
| US7005695B1 (en) * | 2000-02-23 | 2006-02-28 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry including a capacitor with an amorphous and a crystalline high K capacitor dielectric region |
| US6558517B2 (en) * | 2000-05-26 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Physical vapor deposition methods |
| US6657849B1 (en) * | 2000-08-24 | 2003-12-02 | Oak-Mitsui, Inc. | Formation of an embedded capacitor plane using a thin dielectric |
| EP1231637A3 (en) * | 2001-02-08 | 2004-08-25 | Hitachi, Ltd. | High dielectric constant composite material and multilayer wiring board using the same |
| US7323422B2 (en) * | 2002-03-05 | 2008-01-29 | Asm International N.V. | Dielectric layers and methods of forming the same |
| JP4148501B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2008-09-10 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板の内蔵キャパシタ層形成用の誘電体フィラー含有樹脂及びその誘電体フィラー含有樹脂を用いて誘電体層を形成した両面銅張積層板並びにその両面銅張積層板の製造方法 |
| US7413815B2 (en) * | 2004-02-19 | 2008-08-19 | Oak-Mitsui Inc. | Thin laminate as embedded capacitance material in printed circuit boards |
| KR100586963B1 (ko) | 2004-05-04 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 유전체 형성용 조성물, 이로 제조된 캐패시터층 및 이를포함하는 인쇄회로기판 |
| CN1908063A (zh) | 2005-08-01 | 2007-02-07 | 财团法人工业技术研究院 | 具挠曲性、高耐热性的高介电有机/无机混成材料组成物及其硬化物 |
| US7804678B2 (en) * | 2007-04-25 | 2010-09-28 | Industrial Technology Research Institute | Capacitor devices |
| CN101471181A (zh) | 2007-12-28 | 2009-07-01 | 财团法人工业技术研究院 | 复合型电容 |
| KR20100096625A (ko) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 및 그 제조방법 |
| US8027144B2 (en) * | 2009-04-28 | 2011-09-27 | United Microelectronics Corp. | Capacitor structure |
| TWI594811B (zh) | 2010-05-19 | 2017-08-11 | 湯瑪士衛斯特公司 | 用於擦洗基材的裝置與方法 |
-
2009
- 2009-07-24 TW TW098124978A patent/TWI394189B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-08-21 US US12/545,786 patent/US8390984B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5688724A (en) * | 1992-07-02 | 1997-11-18 | National Semiconductor Corporation | Method of providing a dielectric structure for semiconductor devices |
| US6619763B2 (en) * | 2001-05-25 | 2003-09-16 | Presidio Components, Inc. | Feed-through filter capacitor with non-overlapping electrodes |
| US20070087563A1 (en) * | 2004-08-02 | 2007-04-19 | Micron Technology, Inc. | Zirconium-doped tantalum oxide films |
| US7158364B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor and method of producing the same |
| US20070108490A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-17 | General Electric Company | Film capacitors with improved dielectric properties |
| US20080186653A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Polymeric surfactant for high dielectric polymer composites, method of preparing the same and high dielectric polymer composite comprising the same |
| US20080188615A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-07 | Bayer Materialscience Ag | Polyurethanes filled with carbon black and with a high dielectric constant and breakdown strength |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10964476B2 (en) | 2018-12-27 | 2021-03-30 | Industrial Technology Research Institute | Capacitor with multiple dielectric layers having dielectric powder and polyimide |
Also Published As
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| US8390984B2 (en) | 2013-03-05 |
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