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TWI392111B - 發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程 - Google Patents

發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程 Download PDF

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TWI392111B
TWI392111B TW096112770A TW96112770A TWI392111B TW I392111 B TWI392111 B TW I392111B TW 096112770 A TW096112770 A TW 096112770A TW 96112770 A TW96112770 A TW 96112770A TW I392111 B TWI392111 B TW I392111B
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photoresist layer
emitting diode
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趙自皓
吳易座
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億光電子工業股份有限公司
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    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
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Description

發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程
本發明是有關於一種發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程。
傳統之螢光粉塗佈製程由於各式支架形狀不一，故在進行螢光粉塗佈製程時，針對不同支架，均需進行機台設備調整，因而減低生產效率，增加生產成本。
由於各式支架形狀不一，進行螢光粉塗佈時，為使螢光粉確實覆蓋整顆晶片，通常使用之份量會較實際所需為多，造成物料浪費與增加成本。
雖然傳統的方式能使螢光粉覆蓋整顆晶片，但因為塗佈形狀會隨支架不同而改變，導致螢光粉之激發效率無法充分發揮，進而影響整個封裝體之發光效率。
再者，由於塗佈量較多以及無法控制形狀，常會有螢光粉在膠體尚未凝固之前即沉澱至支架底部的情況發生，不但減低發光效率，亦會導致整體亮度及色度不均。
因此本發明的目的就是在提供一種發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程。
根據本發明之上述目的，提出一種發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程。提供一發光二極體晶片。形成一光阻層覆蓋於發光二極體晶片。圖案化光阻層以裸露出發光二極體晶片上欲塗佈螢光粉的區域。將螢光粉膠填入欲塗佈螢光粉的區域。
根據本發明之上述目的，提出另一種發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程。提供一發光二極體晶片。形成一包含螢光粉之光阻層覆蓋於發光二極體晶片。圖案化光阻層以裸露出發光二極體晶片之銲墊區。從銲墊區形成導線連接至外部。上述光阻層為一種可曝光的膠材。
本發明提供一種高精準度的發光二極體裝置螢光粉塗佈製程，利用微影製程(photolithography)建立一精確模型，故可以精確控制螢光粉塗佈體之形狀與份量。以下將藉由較佳的實施方式，來說明本發明的細節部份。
請參照第1－7，其繪示依照本發明一較佳實施例的一種發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程的一連續剖面圖。發光二極體裝置100包含一基板或支架102與一發光二極體晶片104。
在第1圖中，基板或支架102可為矽基板、陶瓷、聚合物、塑膠甚至金屬等材料。發光二極體晶片104可以用共晶接合(Eutectic Bonding)、覆晶接合或晶片級封裝的方式固定於基板或支架102上。
在第2圖中，一光阻層106接著均勻的塗佈(例如以旋塗的方式)於整個發光二極體晶片104與基板或支架102上。光阻層106在曝光與顯影製程之前或之後，可以進行一軟烤與硬烤的步驟。
在第3圖中，光阻層106接著以曝光與顯影製程圖案化，而形成發光二極體晶片104的裸露區108。裸露區108裸露出發光二極體晶片104上欲塗佈螢光粉的區域。
在第4圖中，螢光粉膠110(螢光粉與膠材的混合物)接著填入裸露區108內。此時，可以加入適當的烘烤步驟以加速螢光粉膠110的凝固速度。
在第5圖中，使用適當的蝕刻液以去除光阻層106以裸露出發光二極體晶片104上的銲墊區104a(例如N型銲墊區)及/或基板或支架102上的銲墊區102a。
在第6圖中，利用打線步驟從銲墊區104a及/或銲墊區102a形成導線112連接至外部。
在第7圖中，銲墊區104a及/或銲墊區102a可以進一步填入膠材114(可包含或不包含螢光粉)。
上述的實施例僅為示範，因此銲墊區與欲塗佈螢光粉的區域的位置不應限制於圖式中之位置。
在另一實施例中，上述的光阻層可以被一種可曝光的膠材(例如美商Dow Corning所製造的M10P與M300P膠材)所取代。可曝光的膠材與螢光粉混合後，可直接塗佈(例如以旋塗的方式)於整個發光二極體晶片104與基板或支架102上。接著，利用曝光與顯影製程圖案化，而裸露出發光二極體晶片104的的銲墊區104a(例如N型銲墊區)及/或基板或支架102上的銲墊區102a。接著，即可利用打線步驟從銲墊區104a及/或銲墊區102a形成導線112連接至外部。因此，此實施例的步驟數量與製程時間都可以減少。
由上述本發明較佳實施例可知，應用本發明之發光二極體裝置螢光粉塗佈製程，利用微影製程(photolithography)建立一精確模型，進而達成節省成本，增加生產效率，提升整體發光效率，以及確保整體亮度與色度均勻。此外，此製程可配合不同晶片或支架設計，以獲得最佳之發光效率與亮度色度均勻性。
雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．發光二極體裝置
102．．．基板或支架
102a．．．銲墊區域
104．．．發光二極體晶片
104a．．．銲墊區
106．．．光阻
108．．．裸露區
110．．．螢光粉膠
112．．．導線
114．．．膠材
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：第1－7係繪示依照本發明一較佳實施例的一種發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程的一連續剖面圖。
102．．．基板或支架
104．．．發光二極體晶片
110．．．螢光粉膠
112．．．導線
114．．．膠材

Claims (15)

  1. 一種發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程，至少包含：提供一發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有一銲墊區位於其上，並固定於一基板或一支架上；形成一包含螢光粉之光阻層覆蓋於該發光二極體晶片；圖案化該光阻層以裸露出該發光二極體晶片之該銲墊區；從該發光二極體晶片之該銲墊區形成導線連接至外部；以及填入一膠材以覆蓋該發光二極體晶片之該銲墊區。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中該光阻層為一種可曝光的膠材。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中圖案化該光阻層之步驟是一曝光製程與一顯影製程。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中該發光二極體晶片之該銲墊區為N型銲墊區。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其 中該膠材包含螢光粉。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中該膠材不包含螢光粉。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中在該圖案化該光阻層之步驟之前更包括一軟烤及/或硬烤步驟。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中在該圖案化該光阻層之步驟之後更包括一軟烤及/或硬烤步驟。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中該形成該包含螢光粉之光阻層之步驟以一均勻塗佈方式完成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之螢光粉塗佈製程，其中該均勻塗佈方式為一旋轉塗佈方式。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中該形成該包含螢光粉之光阻層之步驟更包括：形成該包含螢光粉之光阻層覆蓋於該發光二極體晶片、以及該基板或該支架。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之螢光粉塗佈製程，其中該圖案化該光阻層之步驟更包括：圖案化該光阻層以裸露出該發光二極體晶片之該銲墊區、以及該基板或支架的銲墊區。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之螢光粉塗佈製程，更包括：從該基板或支架的銲墊區形成導線連接至外部。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中該基板為矽基板。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之螢光粉塗佈製程，其中該基板為陶瓷。
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