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TWI391329B - A method for producing tungsten trioxide powder for photocatalyst, tungsten trioxide powder for photocatalyst and photocatalyst product - Google Patents

A method for producing tungsten trioxide powder for photocatalyst, tungsten trioxide powder for photocatalyst and photocatalyst product Download PDF

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TWI391329B
TWI391329B TW097109368A TW97109368A TWI391329B TW I391329 B TWI391329 B TW I391329B TW 097109368 A TW097109368 A TW 097109368A TW 97109368 A TW97109368 A TW 97109368A TW I391329 B TWI391329 B TW I391329B
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TW
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powder
tungsten
tungsten trioxide
trioxide powder
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TW097109368A
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TW200906730A (en
Inventor
Akira Sato
Kayo Nakano
Yasuhiro Shirakawa
Original Assignee
Toshiba Kk
Toshiba Materials Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Kk, Toshiba Materials Co Ltd filed Critical Toshiba Kk
Publication of TW200906730A publication Critical patent/TW200906730A/zh
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Description

光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法，光觸媒用三氧化鎢粉末及光觸媒製品
本發明係關於可見光回應型光觸媒材料之製造方法、光觸媒材料及光觸媒製品，尤其係關於光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法、光觸媒用三氧化鎢粉末、及光觸媒製品。
現今作為防污、除臭等用途中所用的光觸媒材料多使用二氧化鈦。又，光觸媒材料被使用於建材、室內之建材、照明裝置、冰箱、冷氣、浴廁等之家電機器等之各方面。然而，二氧化鈦之激勵係於紫外線區域發生，故於紫外線少的室內無法得到充分的光觸媒性能。
因此，近年來對於於可見光下亦有光觸媒性能之所謂的可見光回應型光觸媒乃一直進行著研究開發。
作為可見光回應型光觸媒，習知者為氧化鎢。使用氧化鎢作為可見光回應型光觸媒之技術曾揭示於例如，專利文獻1(日本專利特開2001－152130號公報)中。
作為專利文獻1中所揭示之可見光回應型光觸媒的氧化鎢係於基材上以濺鍍成膜，氧化鎢的結晶構造主要為三斜晶者。由於濺鍍須使基材暴露於高溫下，故依基材之耐熱溫度而異亦有無法適用的情況。又，濺鍍裝置多係於高真空中之濺鍍室等進行，真空管理等程序複雜，依基材形狀、大小而異，不僅成本甚高，對建材等之廣範圍的成膜 有困難，是其問題。
另一方面，使用氧化鎢粉末作為光觸媒亦在研究中。若為粉末，由於可藉由與樹脂等之有機黏結劑(binder)混合塗佈於基材上而成膜，故基材無須暴露於高溫下，且亦可於建材上寬廣範圍地形成膜。作為氧化鎢粉末之製造方法，為例如於日本專利特開2002－293544號公報(專利文獻2)中所記載般使仲鎢酸銨(APT)在空氣中加熱以得到三氧化鎢粉末的方法。藉由使APT在空氣中加熱的方法可得到粒徑0.010μm(BET比表面積82m2 /g)的三斜晶系三氧化鎢粉末。然而，為使BET比表面積安定，必須混練達20小時以上，製造效率差。
[專利文獻1]日本專利特開2001－152130號公報[專利文獻2]日本專利特開2002－293544號公報[專利文獻1]日本專利特開2006－102737號公報
[非專利文獻1]Journal of Solid State Chemistry，143卷，24、32頁，1999年
作為有效率地製得微粉末的方法，例如於日本專利特開2006－102737號公報中曾揭示熱電漿處理的方法。藉由熱電漿處理可得到1nm~200nm的微粉末。
的確藉由熱電漿處理可有效率地製得微粉末。然而，即使以該微粉末直接作為光觸媒使用，未必可滿足光觸媒特性。原因在於用熱電漿處理法雖可製得1nm~200nm的 微粉末，但其平均粒徑的參差大之故。於用光觸媒粉末作為光觸媒製品使用時，係與樹脂黏結劑混合，藉由塗佈於基材上並進行乾燥作成含有光觸媒粉末的膜而作成光觸媒製品。含有光觸媒粉末的膜，通常係由露出於膜的光觸媒粉末發揮光觸媒效果。其時，光觸媒粉末之平均粒徑愈小表面積愈大使得光觸媒效果增大。然而，若平均粒徑參差不齊，膜厚與表面凹凸會有差異，導致產生光透過性的參差而產生外觀上、色斑駁等問題。
又，於氧化鎢中有三氧化鎢WO3 、二氧化鎢WO2 、WO、W2 O3 、W4 O5 、W4 O11 等之種類。其中，三氧化鎢WO3 ，其光觸媒性能高且在常溫大氣中安定，故為主要被使用者。
然而，三氧化鎢WO3 ，其結晶構造複雜且以甚小的應力即易改變，故光觸媒性能不安定。三氧化鎢之結晶構造中有單斜晶、斜方晶、三斜晶、六方晶、立方晶、正方晶等之各種結晶構造。
例如，於專利文獻1中所揭示之由氧化鎢所構成之可見光回應型光觸媒層，其親水性雖優異，但對乙醛等有害氣體之分解性能不佳，是其問題。
又，使仲鎢酸銨等於空氣中加熱生成之三氧化鎢WO3 粉末之結晶構造主要為單斜晶，惟為提高光觸媒性能而處理使其微粉末化，則三氧化鎢WO3 微粉末之結晶構造會因碎裂處理之應力而變成主要為三斜晶(Journal of Solid State Chemistry，143卷，24期，32頁，1999年(非專利 文獻1))。再者，如上述般，光觸媒微粒子愈是微粉末其效果愈高。然而，使仲鎢酸銨等於空氣中加熱生成之三氧化鎢WO3 粉末，藉由碎裂處理雖可做到一定程度的微細化，而要作成100nm以下則有困難。
本發明乃鑑於上述情況而提出者，目的在於提供於可見光下光觸媒性能高的光觸媒用三氧化鎢微粉末、其製造方法，及用光觸媒用三氧化鎢微粉末之光觸媒製品。
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法為解決上述問題點者，其特徵為具有：使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末在氧環境中用感應耦合型電漿處理、電弧放電處理、雷射處理或電子線處理之至少1種處理使其昇華以得到三氧化鎢粉末的昇華步驟；使此昇華步驟中得到之三氧化鎢粉末在氧環境中，於300℃~1000℃下進行10分鐘~2小時熱處理的熱處理步驟。
又，本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末為解決上述問題點者，係以上述光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法得到之光觸媒用三氧化鎢粉末，其BET比表面積為8.2m2 /g~820m2 /g。
本發明之光觸媒製品為解決上述問題點者，其係含有基材與形成於此基材表面之光觸媒被覆層，其特徵為該光觸媒被覆層係申請專利範圍第10項之光觸媒用三氧化鎢粉末以無機或有機無機複合黏結劑結合者。
使用本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法，可有效率地製造粒徑小且參差亦小的光觸媒用三氧化鎢粉末 。
又，使用本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末及光觸媒製品，由於粒徑小且參差亦小，故於可見光下之光觸媒性能高。
 光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法包含有昇華步驟、熱處理步驟。
(昇華步驟)
昇華步驟，為藉由使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末在氧環境中使其昇華以得到三氧化鎢粉末者。昇華為自固相往氣相或自氣相往固相不經液相所發生之物質的狀態變化。本發明中由於係邊使原料粉昇華下使其氧化，故可得到氧化鎢之微粉末。
作為昇華步驟中所用的鎢化合物粉末，可舉出：三氧化鎢WO3 、二氧化鎢WO2 等之氧化鎢、碳化鎢、鎢酸銨、鎢酸鈣、鎢酸等。
本步驟中，藉由在氧環境中進行昇華步驟使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末瞬時地由固相變成氣相，藉由成為氣相之金屬鎢蒸汽之氧化而可得到氧化鎢粉末。且由於利用氣相中之氧化反應故可得到微粉末。作為昇華步驟的原料之金屬鎢粉末或鎢化合物粉末之金屬鎢粉末、三氧化鎢粉末 、碳化鎢粉末及鎢酸銨粉末，於氧環境下昇華後所得到之三氧化鎢粉末中不易含有雜質，而且金屬鎢粉末、三氧化鎢粉末、碳化鎢粉末由於在昇華步驟後不會形成有害的副產物(三氧化鎢以外之物質)，故較佳。
又，作為原料中所用之鎢化合物，作為其構成元素以含有鎢(W)與氧(O)之化合物為佳。作為其構成成分若含有鎢(W)與氧(O)，則於昇華步驟中用後述之感應耦合型電漿等時，可易於瞬時昇華。作為此等鎢化合物可舉出：WO3 、W20 O58 、W18 O49 、WO2 、鎢酸、APT、偏鎢酸銨等。
作為昇華步驟的原料之金屬鎢粉末或鎢化合物粉末，平均粒徑為0.1~100μm，以0.3μm~10μm為佳，以0.3μm~3μm為較佳，以0.3μm~1.5μm為更佳。若使用平均粒徑為上述範圍內之金屬鎢粉末或鎢化合物粉末，昇華容易進行，故較佳。平均粒徑若未滿0.1μm，由於原料粉過於微細，故原料粉須事先做調整，使用性差，且價格高，故不適產業上應用。另一方面，若平均粒徑超過100μm則不易產生均一的昇華反應。又，若以較大能量處理雖可產生均一的昇華反應，但不適於產業上使用。
作為於昇華步驟中使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末在氧環境中昇華的方法，可舉出感應耦合型電漿處理、電弧放電處理、雷射處理或電子線處理之至少1種。其中，較佳者為感應耦合型電漿處理及電弧放電處理，理由在於可一次使大量的原料粉容易地在氧環境中進行氧化反應之故。 例如，雷射處理與電子線處理須以雷射或電子線照射以進行昇華步驟，由於雷射或電子線之照射口徑小，故欲一次處理大量的原料粉甚費時，量產性差。相對於此，電漿處理與電弧放電處理可藉由調整電漿或電弧放電的發生區域而控制一次可處理的原料量，故為較佳。
於昇華步驟中以感應耦合型電漿處理進行在氧環境中之昇華的情況，通常係採用以氬氣及氧氣產生電漿，將金屬鎢粉末或鎢化合物粉末供給到此電漿中的方法。
作為將金屬鎢粉末或鎢化合物粉末供給到此電漿中的方法。可舉出例如：使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末與載體氣體一起吹入的方法；及使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末分散於既定的液狀分散媒中作成分散液，將其吹入的方法。
於使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末與載體氣體一起吹入的情況中所用的載體氣體，可舉出例如：空氣、氧氣、含有氧之惰性氣體等。其中，空氣成本低為較佳者。又，於使載體氣體之外亦含有氧的反應氣體流入的情況，與鎢化合物粉末為三氧化鎢的情況等之反應場中含有足夠的氧之情況，作為載體氣體亦可使用氬或氦等惰性氣體。
若使用使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末與載體氣體一起吹入的方法，可容易地得到由結晶構造限定為單斜晶、斜方晶及三斜晶所構成的三氧化鎢粉末。
作為於製作金屬鎢粉末或鎢化合物粉末的分散液時所用的分散媒可用分子中有氧原子之液狀分散媒。若用分散液可使原料粉容易作業。作為分子中有氧原子之液狀分散 媒可用例如含有20容量%以上的水及醇之至少1種者。
作為液狀分散媒之醇，較佳者為選自甲醇、乙醇、1－丙醇及2－丙醇中之至少1種的醇。水與醇由於藉由電漿之熱可容易地揮發，故不會妨礙原料份之昇華反應及氧化反應，且由於分子中含有氧，故易於促進氧化反應。
使金屬鎢粉末或鎢化合物粉末分散於上述分散媒中以製作分散液。
金屬鎢粉末或鎢化合物粉末於分散液中宜含有10質量%~90質量%，以40質量%~80質量%為佳。金屬鎢粉末或鎢化合物粉末於分散液中的含有量若在上述範圍內，則可均一地分散於分散液中。若均一地分散，原料粉的昇華反應易於均一進行，故為較佳。於分散液中之含有量若未滿10質量%，由於原料粉的量過少致無法有效率地製造。另一方面，若超過95質量%，則，由分散液少、原料粉的黏性增大，故容易黏著於容器，反而使作業困難。
使用上述般之分散液的方法亦可適用於電弧放電處理。
若使用將金屬鎢粉末或鎢化合物粉末作成上述分散液而吹入的方法，容易得到結晶構造僅為單斜晶及斜方晶所構成的三氧化鎢粉末。
又，於照射雷射或電子線以進行昇華步驟的情況，以將金屬鎢、鎢化合物作成為顆粒狀使用為佳。亦即，由於雷射或電子線照射聚焦徑小，故若用金屬鎢粉末、鎢化合物粉末，供給會非常困難，而用作成為顆粒狀的金屬鎢或 鎢化合物，則可有效率地使其昇華。又，於雷射或電子線照射時，若移動顆粒物、雷射光或電子線，可使一定程度大小的顆粒全面有效地昇華，而可得到由單斜晶、三斜晶及斜方晶所構成的三氧化鎢粉末。使用上述般的顆粒的方法亦可適用於用感應耦合型電漿的情況與用電弧放電的情況。
雷射處理只要有足以使金屬鎢、金屬鎢粉末昇華之能量即可，並無特別限定，由於CO2 雷射有較高能量，故為較佳。
(熱處理步驟)
熱處理步驟係使昇華步驟中得到之三氧化鎢粉末在氧化環境中，以既定溫度與時間進行熱處理。藉由進行熱處理步驟，可使氧化鎢微粉末中的三氧化鎢微粉末之比例可作成為99%以上，實質上達100%。又，藉由熱處理步驟可調整為具備有既定構造的三氧化鎢接晶構造者。
作為熱處理步驟中所用之氧化環境可用例如空氣、含氧之氣體。此處，含氧之氣體係指含有氧之惰性氣體。
熱處理步驟之熱處理的溫度為300℃~1000℃，以500℃~700℃為佳。熱處理步驟之熱處理時間為10分鐘~2小時，以30分鐘~1.5小時為佳。熱處理的溫度及時間若於上述範圍內，容易由三氧化鎢以外的氧化鎢作成為三氧化鎢，故較佳。若未滿300℃，用以使昇華步驟中未轉成三氧化鎢之粉末成為三氧化鎢的氧化效果較小。另一方面， 若超過1000℃氧化鎢微粒子會急遽地成長，故不佳。又，若進行熱處理步驟，可調整三氧化鎢微粉末之結晶構造。
光觸媒用三氧化鎢粉末
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末為藉由上述本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末的製造方法製得者。
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末之由BET比表面積換算之平均粒徑為1nm~100nm，以10nm~100nm為佳，以15nm~100nm為更佳。
又，本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末之藉由影像解析所得之粒徑的參差度(D90－D10)/D50係於0.3~2的範圍內。
粒徑的參差度(D90－D10)/D50係以下述方法算出之參數。首先，對粉末藉由SEM或TEM之放大照相進行影像解析，選取粉末150個以上，求出體積基準之累積徑(體積比)。以此時之由D90、D50、D10所算出之(D90－D10)/D50的值定為粒徑的參差度。粒徑的參差度(D90－D10)/D50愈接近1表示粒徑為均一化的狀態。
又，本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末係D50為1nm~100nm，進而以10nm~100nm為佳。
又，本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末之結晶構造以單斜晶、斜方晶、三斜晶之任一種或2種以上為主。
此處，所謂「結晶構造」係指以X光繞射法所確定之結晶構造。X光繞射法所確定之結晶構造，於藉由X光繞 射得到之波峰與JCPDS卡比對下具有該相當之波峰的情況，係認定為具有該結晶構造而確定之。又，於藉由X光繞射而確認得2個以上的結晶構造波峰的情況，係以呈現最大波峰強度之結晶構造為「主」的結晶構造。確定結晶構造所用之JCPDS卡之卡編號如下述。
JCPDS卡之種類單斜晶：43－1035斜方晶：20－1324三斜晶：20－1323或32－1395之任一者立方晶：41－0905正方晶：05－0388六方晶：33－1387
又，本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末以具有選自單斜晶、斜方晶及三斜晶中至少2種的結晶構造者為佳。又，本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末若僅具有選自單斜晶、斜方晶及三斜晶中至少2種的結晶構造，其光觸媒性能高，故為更佳。此處，作為光觸媒性能可舉出例如分解醛等之有機氣體的性能。
又，本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末，若為具有僅由單斜晶、斜方晶及三斜晶所構成的結晶構造者，或為具有僅由斜方晶及三斜晶所構成的結晶構造者，光觸媒性能更加提高，故為更佳。
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末，其上述平均粒徑若愈接近後者，光觸媒性能愈高，故較佳。
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末之BET比表面積通常為8.2m2 /g~820m2 /g以20m2 /g~820m2 /g為佳。
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末，其BET比表面積愈接近後者(即愈大)，光觸媒性能愈高，故較佳。
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末，亦可為具有上述結晶構造、粒徑、視需要並有上述之BET比表面積的特定三氧化鎢粉末，與此外的物性之三氧化鎢粉末的混合粉末。
由此混合粉末所構成的光觸媒用三氧化鎢粉末中，通常含有上述特定的三氧化鎢粉末90質量%以上，以95質量%以上為佳，以99質量%~99.9質量%為更佳。
本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末，其上述特定之三氧化鎢粉末的含有率若愈為後者，光觸媒性能愈高，故較佳。
光觸媒製品
本發明之光觸媒製品，係含有基材與形成於此基材表面之光觸媒被覆層者。又，基材與光觸媒被覆層之間亦可形成障蔽層。
作為本發明之光觸媒製品的基材，可用例如：玻璃、陶瓷、混凝土、金屬、丙烯酸樹脂等樹脂、木材、纖維等。又，其形狀亦無限定，可為板狀、棒狀、纖維狀等各種形狀。又，作為基材，例如，於用於建材的情況，可為建物的外壁、內壁；用於照明器具等的情況，可為照明器具的外裝、內裝；用於除臭裝置的情況，可為空氣的通道， 皆可直接沿用。
本發明之光觸媒製品之光觸媒被覆層，以上述本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末以無機或有機無機複合黏結劑結合所成者為佳。
作為無機黏結劑，可使用例如：膠體二氧化矽、氧化鋁溶膠(sol)、氧化鋯溶膠等。無機黏結劑，於光觸媒被覆層中係由二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯等所成，藉其將本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末彼此結合，並固著於基材表面。
所謂「有機無機複合黏結劑」係指含有Si等金屬元素作為構成成分的有機物。作為有機無機複合黏結劑可舉出矽氧樹脂等。不含金屬元素之有機物(例如，環氧樹脂)會因三氧化鎢粉末而分解，故不佳。
又，視需要亦可在基材與光觸媒層之間設置障蔽層。障蔽層可在例如基材為會因光觸媒而被侵蝕之樹脂、纖維、木材的情況使用。於因光觸媒作用而將有機物分解的情況，也會有樹脂等之基材亦同時分解的情形，惟，於光觸媒被覆層下作為障蔽層，藉由用僅為無機黏結劑的層與有機無機複合黏結劑，可阻止基材被侵蝕。又，此障蔽層亦可兼具作為接合層的作用。
光觸媒被覆層之厚度通常為0.1μm~3μm，以0.5μm~2μm為佳。
光觸媒被覆層中，只有自黏結劑露出的光觸媒粉末(亦即只有接觸空氣的光觸媒粉末)可發揮光觸媒效果。然 而，光觸媒被覆層之厚度若未滿0.1μm，會有無法充分確保與基材的接合強度之虞，故不佳。另一方面，光觸媒被覆層之厚度若超過5μm，光觸媒被覆層會有裂開之虞，故不佳。
因此，光觸媒被覆層愈為0.1μm~5μm、0.5μm~4μm、1μm~3μm中之後者，光觸媒性能強度與透光性的良好程度間的均衡愈佳，故較佳。
光觸媒被覆層通常含有本發明之光觸媒用三氧化鎢粉末10容量%以上，以30容量%~80容量%為佳。
光觸媒被覆層中之上述特定光觸媒用三氧化鎢粉末的含有量若未滿10容量%，光觸媒性能不足，故不佳。另一方面，若超過80容量%，由於光觸媒粉末量多，故與基材的接合強度有降低之虞。此時，可介入接合層而可保持強度。又，有關與基材的接合強度可依使用之環境調整。
上述厚度及容量%之光觸媒被覆層，其波長550nm的光之透過率達50%以上，透光性高。所以選擇波長550nm的理由在於三氧化鎢粉末對其吸收小，為可測定光觸媒被覆層本身的透過率之波長的緣故。光觸媒被覆層之透過率的較低部分會發生反射等致產生色斑駁等之外觀上的不良情形，尤其是於使用在建材與照明器具等以目視觀看的部分之情況會有問題。本發明之光觸媒製品，於上述般之建材、照明器具等重視外觀的用途甚有用。
又，本發明之光觸媒製品，可用可見光作為其激勵源。可見光係呈現波長390~830nm的區域。本發明之光觸媒 用三氧化鎢粉末，尤其於以波長430~500nm的光照射時之光觸媒效果優異。作為發出波長430~500nm的光之激勵源可舉出：太陽光、螢光燈、藍色發光二極體、藍色雷射等。尤其是藍色發光二極體與藍色雷射只發出430~500nm的光釋出，故為較佳。
[實施例]
以下揭示實施例，惟本發明並非被解釋限定於此等。
(實施例1)
準備平均粒徑0.5μm的三氧化鎢粉末作為原料粉。將此原料粉末以大氣(空氣)作為載體，使其以平均流速為1m/秒之方式噴霧至RF電漿中，經過邊使原料粉昇華邊進行氧化反應的昇華步驟，得到三氧化鎢粉末。
接著，藉由對得到之三氧化鎢粉末施行大氣中530℃×1小時之熱處理步驟，得到光觸媒用三氧化鎢粉末。
對得到的光觸媒用三氧化鎢粉末測定BET比表面積、粒徑的參差度、結晶相。作為粒徑的參差度之參數，係藉由影像解析求出150個以上的累積徑，採用由當時之D90、D50、D10所算出之(D90－D10)/D50的值。結晶相係藉由XRD測定X光圖(chart)，以前述JCPDS卡比對求得結晶相。
測定之結果得知：由BET比表面積41m2 /g換算之平均粒徑為20nm，粒徑之參差度(D90－D10)/D50為0.9。 又，結晶相係僅由單斜晶、斜方晶及三斜晶構成。
(實施例2)
準備平均粒徑1μm的金屬鎢粉末作為原料粉。將此原料粉末以大氣(空氣)作為載體，使其以平均流速為2m/秒之方式噴霧至RF電漿中，經過邊使原料粉昇華邊進行氧化反應的昇華步驟，得到三氧化鎢粉末。
接著，藉由對得到之三氧化鎢粉末施行大氣中600℃×2小時之熱處理步驟，得到光觸媒用三氧化鎢粉末。
對得到的光觸媒用三氧化鎢粉末進行與實施例1同樣的測定，得知：BET比表面積為14m2 /g，粒徑之參差度(D90－D10)/D50為0.93。又，結晶相係僅由單斜晶、斜方晶及三斜晶構成。
(實施例3)
準備平均粒徑2μm的金屬鎢粉末作為原料粉。將此原料粉末與水混合作成為分散液，以大氣(空氣)作為載體使其以平均流速為0.5m/秒之方式噴霧至RF電漿中，經過邊使原料粉昇華邊進行氧化反應的昇華步驟，得到三氧化鎢粉末。
接著，藉由對得到之三氧化鎢粉末施行大氣中550℃×30分鐘之熱處理步驟，得到光觸媒用三氧化鎢粉末。
對得到的光觸媒用三氧化鎢粉末進行與實施例1同樣的測定，得知：BET比表面積為68m2 /g，粒徑之參差度( D90－D10)/D50為0.88。又，結晶相係僅由單斜晶、斜方晶及三斜晶構成。
(實施例4~13)
接著，將製造條件如表1所示般改變，進行與實施例1同樣的測定。
(比較例1)
以實施例1中進行至昇華步驟而未進行熱處理步驟者作為比較例1。
(比較例2)
藉由使仲鎢酸銨鹽粉末在大氣中加熱作成氧化鎢粉末，將得到之氧化鎢粉末放入氧化鋁製乳缽中，邊以水分噴霧邊進行粉碎．混練25小時，以得到者作為比較例2。
(比較例3、4)
除了將熱處理步驟的溫度定為200℃或1300℃以外，其餘係與實施例1相同，以其等作為比較例3、比較例4。
如上述般可知以本實施例之製造方法得到之三氧化鎢粉末粒徑微細且粒徑之參差度小。
(實施例14~20、比較例5~10)
再對得到的三氧化鎢之光觸媒微粉末用下述方法測定醛的分解能力及透過率。
(醛的分解能力之試驗方法) (測定裝置)
首先，準備妥設置有氣體導入口及氣體排出口，且於內部有風扇，氣密性高，無色透明之Pirex(註冊商標)製玻璃容器作為反應容器。
然後，將此玻璃容器之氣體導入口及氣體排出口以氟樹脂製之管連接使氣體可在玻璃容器及管內循環。又，在此管之中途設置氣體監測器，測定循環於管內的氣體之濃度。
再於玻璃容器外側配置朝向玻璃容器內側以波峰波長460nm的藍光發光之LED，作成醛的分解能力之測定裝置。
(醛的分解能力之測定)
首先，在上述測定裝置的玻璃容器內載置玻璃皿，將試料粉末1g載置於此玻璃皿上。然後，於測定裝置內裝入醛氣體20ppm，將測定裝置密閉，驅動風扇，使空氣與醛氣體之混合氣體於測定裝置之玻璃容器及管內循環。再使上述LED發光，對玻璃皿上的試料粉末以波峰波長460nm的藍光以1mW/cm2 照射。在此狀態下使測定裝置連續運轉，以多段(multi)氣體監測器逐次測定循環於測定裝置內的氣體中之醛氣體的濃度。
(透過率之測定方法) (測定試料之調製)
準備玻璃基板作為基材。混合各實施例及比較例之光 觸媒用三氧化鎢粉末與矽氧樹脂，調製成光觸媒糊狀物，藉由將光觸媒糊狀物塗佈於玻璃基板上，使其乾燥形成光觸媒被覆層。
(透過率之測定)
用UV－Vis分光光度計(島津製作所製(商品名：UV－2550))，以波長550nm的光照射，測定光的透過率。此等結果示於表3、表4。
本實施例之光觸媒用三氧化鎢粉末之醛的分解性能優 異。又，光觸媒被覆層之透過率高，且不易產生視覺上之色斑駁等問題。因此，於建材等之外觀用途可謂是甚有效果。

Claims (12)

  1. 一種光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法，其特徵為具有：使平均粒徑為0.1μm~100μm之金屬鎢粉末或鎢化合物粉末在氧環境中使用感應耦合型電漿處理、電弧放電處理、雷射處理或電子線處理之至少1種的處理進行昇華，得到三氧化鎢粉末的昇華步驟；使此昇華步驟所得之三氧化鎢粉末在氧環境中，於300℃~1000℃下進行熱處理10分鐘~2小時的熱處理步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法，其中該昇華步驟之氧環境中之昇華為感應耦合型電漿處理，係將該金屬鎢粉末或鎢化合物粉末與載體氣體一起吹入在氧環境中產生的電漿中。
  3. 如申請專利範圍第1項之光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法，其中該昇華步驟之氧環境中之昇華為感應耦合型電漿處理，係將分子中有氧原子之液狀分散媒中使該金屬鎢粉末或鎢化合物粉末分散所成之分散液吹入在氧環境中產生的電漿中。
  4. 如申請專利範圍第3項之光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法，其中該分子中有氧原子之液狀分散媒含有51容量%以上的水及醇之至少任一種。
  5. 如申請專利範圍第4項之光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法，其中，該醇為選自甲醇、乙醇、1-丙醇及2-丙醇中之至少1種的醇。
  6. 一種光觸媒用三氧化鎢粉末，係以申請專利範圍第1項至第5項中任一項之光觸媒用三氧化鎢粉末之製造方法所得之光觸媒用三氧化鎢粉，其BET比表面積為8.2m2 /g~820m2 /g，藉由影像解析之粒徑的參差度(D90-D10)/D50為0.3~2的範圍內。
  7. 如申請專利範圍第6項之光觸媒用三氧化鎢粉末，其係具有選自單斜晶、斜方晶及三斜晶中之至少二種的結晶構造，且自BET比表面積換算之平均粒徑為1nm~100nm。
  8. 一種光觸媒用三氧化鎢粉末，其特徵為含有90質量%以上100質量%以下之如申請專利範圍第6項或第7項之三氧化鎢粉末。
  9. 一種光觸媒製品，其係含有基材與形成於此基材表面之光觸媒被覆層，其特徵為該光觸媒被覆層係申請專利範圍第8項之光觸媒用三氧化鎢粉末以無機或有機無機複合黏結劑結合者。
  10. 如申請專利範圍第9項之光觸媒製品，其中該光觸媒被覆層之厚度為0.1μm~3μm。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項之光觸媒製品，其中該光觸媒被覆層含有10容量%以上之光觸媒用三氧化鎢粉末。
  12. 如申請專利範圍第9項或第10項之光觸媒製品，其中該光觸媒被覆層之波長550nm的光透過率為50%以上。
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101821005B (zh) 2007-09-05 2012-09-26 株式会社东芝 可见光响应型光催化剂粉末及其制造方法，以及使用了该粉末的可见光响应型光催化剂材料、光催化剂涂料、光催化剂产品
EP2186561B1 (en) 2007-09-05 2022-08-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Visible-light-responsive photocatalyst powder, and visible-light-responsive photocatalyst material, photocatalytic coating material, and photocatalytic product each containing the same
WO2009096177A1 (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Kabushiki Kaisha Toshiba 可視光応答型光触媒粉末とそれを用いた可視光応答型の光触媒材料、光触媒塗料、光触媒製品
JP5641926B2 (ja) 2008-03-04 2014-12-17 株式会社東芝 水系分散液とそれを用いた塗料
TWI404569B (zh) * 2008-03-04 2013-08-11 Toshiba Kk An antibacterial material and an antibacterial film and an antibacterial member using the same
DE102008050413A1 (de) * 2008-10-04 2010-04-08 Bayer Materialscience Ag Verfahren zur Herstellung von Wolframtrioxid (WO3)-Polymer-Hybridverbindungen
ES2457546T3 (es) 2009-03-23 2014-04-28 Välinge Photocatalytic Ab Producción de suspensiones coloidales de nanopartículas de titania con cristalinidad mantenida usando un molino de perlas con perlas de tamaño micrométrico
JP5343697B2 (ja) * 2009-05-15 2013-11-13 住友金属鉱山株式会社 複合タングステン酸化物超微粒子の製造方法
JP5780960B2 (ja) 2009-08-12 2015-09-16 株式会社東芝 抗ウイルス性材料とそれを用いた膜および製品
CN102068981B (zh) * 2010-12-31 2013-03-13 同济大学 水热法制备具有光催化性能的薄膜纳米材料的方法及产品
CN103608533B (zh) * 2011-07-05 2017-03-22 瓦林格光催化股份有限公司 涂覆的木制品以及制备涂覆的木制品的方法
WO2013027403A1 (ja) * 2011-08-23 2013-02-28 株式会社 東芝 陽イオン吸着剤とそれを用いた溶液の処理方法
US9593053B1 (en) 2011-11-14 2017-03-14 Hypersolar, Inc. Photoelectrosynthetically active heterostructures
US9987621B2 (en) 2012-01-12 2018-06-05 Nitto Denko Corporation Transparent photocatalyst coating
WO2013141789A1 (en) 2012-03-20 2013-09-26 Välinge Photocatalytic Ab Photocatalytic compositions comprising titanium dioxide and anti-photogreying additives
TWI480229B (zh) * 2012-03-26 2015-04-11 Toshiba Kk A battery electrode material, a battery electrode paste, a method for manufacturing an electrode material for a battery, a dye-sensitized solar cell, and a battery
US9375750B2 (en) 2012-12-21 2016-06-28 Valinge Photocatalytic Ab Method for coating a building panel and a building panel
HRP20191670T1 (hr) 2012-12-21 2019-12-13 Vaelinge Photocatalytic Ab Postupak oblaganja građevne ploče i građevna ploča
JP6356661B2 (ja) * 2013-03-12 2018-07-11 株式会社東芝 光触媒体とそれを用いた光触媒分散液、光触媒塗料、光触媒膜および製品
WO2014142066A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 株式会社東芝 電池用電極材料およびそれを用いた電池用基板、蓄電池、色素増感太陽電池、キャパシタ、Ｌｉイオン二次電池
JP6501768B2 (ja) * 2013-07-05 2019-04-17 日東電工株式会社 透明光触媒コーティングおよびそれを製造する方法
TWI627994B (zh) 2013-07-05 2018-07-01 日東電工股份有限公司 用於分解污染物之過濾元件、用於分解污染物之系統及使用該系統之方法
JPWO2015005346A1 (ja) 2013-07-09 2017-03-02 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及び冷蔵庫
TR201908171T4 (tr) 2013-09-25 2019-06-21 Vaelinge Photocatalytic Ab Fotokatalitik bir dispersiyon uygulama yöntemi ve bir panel üretme yöntemi.
CN105900267B (zh) * 2013-10-16 2020-12-18 彭怡婷 钨基材料超级电池及超级电容器
US10100415B2 (en) 2014-03-21 2018-10-16 Hypersolar, Inc. Multi-junction artificial photosynthetic cell with enhanced photovoltages
US10828400B2 (en) 2014-06-10 2020-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Low temperature, nanostructured ceramic coatings
WO2016033554A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Nitto Denko Corporation Photocatalytic coating and method of making same
US9823535B2 (en) * 2015-01-28 2017-11-21 Kinestral Technologies, Inc. Tungsten oxide nanostructure thin films for electrochromic devices
EP3302796B1 (en) 2015-05-29 2021-12-01 Nitto Denko Corporation Use of a photocatalytic composition in the removal of trimethylamine
KR20170129238A (ko) * 2015-06-30 2017-11-24 유홍 장 도핑된 전도성 산화물들, 및 이 물질에 기초한 전기화학적 에너지 저장 장치들을 위한 개선된 전극들
US10531555B1 (en) * 2016-03-22 2020-01-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Tungsten oxide thermal shield
KR102194132B1 (ko) * 2017-05-25 2020-12-22 가부시끼가이샤 도시바 축전 유닛 및 축전 시스템
WO2019103040A1 (ja) * 2017-11-21 2019-05-31 住友金属鉱山株式会社 三酸化タングステン
US10870088B1 (en) * 2019-10-07 2020-12-22 King Abdulaziz University Composite photocatalysts embedded in microporous membranes
CN111545243A (zh) * 2020-06-02 2020-08-18 贵州理工学院 一种复合光热催化剂及其制备方法和应用
WO2022181356A1 (ja) * 2021-02-24 2022-09-01 株式会社 東芝 酸化タングステン粉末スラリーおよびその製造方法並びにそれを用いたエレクトロクロミック素子の製造方法
CN116119719B (zh) * 2023-04-18 2023-06-27 崇义章源钨业股份有限公司 一种超细板状氧化钨及其制备方法
CN117434906B (zh) * 2023-12-18 2024-02-20 山东长兴塑料助剂股份有限公司 一种助滤剂粉末自动控速添加方法及系统
CN118529778B (zh) * 2024-07-26 2024-11-15 江西中科鸿虔新材料有限公司 超细氧化钨颗粒及其制备方法和应用、催化氧化催化剂及其制备方法和应用
CN119328127A (zh) * 2024-11-18 2025-01-21 西安建筑科技大学 一种用于制备球形钼粉的电弧微氧化-氨剥离方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002293544A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Allied Material Corp 微粒タングステン酸化物とその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61242902A (ja) * 1985-04-19 1986-10-29 Natl Res Inst For Metals 高融点金属酸化物の超微粒子の製造法
JP2662986B2 (ja) 1988-06-24 1997-10-15 高周波熱錬株式会社 タングステンもしくは酸化タングステン超微粒子の製造方法
JPH0437610A (ja) * 1990-05-30 1992-02-07 Ricoh Co Ltd 酸化タングステン超微粒子
US6830785B1 (en) * 1995-03-20 2004-12-14 Toto Ltd. Method for photocatalytically rendering a surface of a substrate superhydrophilic, a substrate with a superhydrophilic photocatalytic surface, and method of making thereof
US5613998A (en) * 1995-05-23 1997-03-25 Nanodyne Incorporated Reclamation process for tungsten carbide and tungsten-based materials
JP3415716B2 (ja) 1996-03-12 2003-06-09 株式会社資生堂 紫外線遮蔽剤及び紫外線遮蔽効果を有する皮膚外用剤
US6832735B2 (en) * 2002-01-03 2004-12-21 Nanoproducts Corporation Post-processed nanoscale powders and method for such post-processing
US5984997A (en) * 1997-08-29 1999-11-16 Nanomaterials Research Corporation Combustion of emulsions: A method and process for producing fine powders
IL129718A0 (en) * 1999-05-02 2000-02-29 Yeda Res & Dev Synthesis of nanotubes of transition metal chalcogenides
JP2001152130A (ja) * 1999-11-25 2001-06-05 Toto Ltd 光触媒性親水性部材、および、その製造方法
JP4287124B2 (ja) * 2002-01-11 2009-07-01 株式会社日本触媒 金属酸化物被着体およびその製造方法
US7591984B2 (en) * 2003-07-28 2009-09-22 Los Alamos National Security, Llc Preparation of tungsten oxide
JP4794869B2 (ja) * 2004-09-07 2011-10-19 株式会社日清製粉グループ本社 微粒子の製造方法
TW200732036A (en) * 2006-02-01 2007-09-01 Toshiba Lighting & Technology Photocatalysis material, photocatalysis body, photocatalysis product, luminaire and manufacturing method thereof
JP2008006429A (ja) * 2006-02-01 2008-01-17 Toshiba Lighting & Technology Corp 光触媒材料、光触媒体、光触媒製品、照明器具及び光触媒材料の製造方法
JP5374747B2 (ja) * 2006-02-01 2013-12-25 東芝マテリアル株式会社 光触媒材料およびそれを用いた光触媒組成物並びに光触媒製品
CN101821005B (zh) * 2007-09-05 2012-09-26 株式会社东芝 可见光响应型光催化剂粉末及其制造方法，以及使用了该粉末的可见光响应型光催化剂材料、光催化剂涂料、光催化剂产品
EP2186561B1 (en) * 2007-09-05 2022-08-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Visible-light-responsive photocatalyst powder, and visible-light-responsive photocatalyst material, photocatalytic coating material, and photocatalytic product each containing the same
WO2009096177A1 (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Kabushiki Kaisha Toshiba 可視光応答型光触媒粉末とそれを用いた可視光応答型の光触媒材料、光触媒塗料、光触媒製品

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002293544A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Allied Material Corp 微粒タングステン酸化物とその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
2005年出版，台北科技大學，碩士論文，氣氛對電漿電弧器凝合成奈米氧化鎢材料特性之影響，張仲弘撰寫。 *

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