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TWI383996B - 高分子化合物、光阻保護膜材料及圖型之形成方法 - Google Patents

高分子化合物、光阻保護膜材料及圖型之形成方法 Download PDF

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TWI383996B
TWI383996B TW096103364A TW96103364A TWI383996B TW I383996 B TWI383996 B TW I383996B TW 096103364 A TW096103364 A TW 096103364A TW 96103364 A TW96103364 A TW 96103364A TW I383996 B TWI383996 B TW I383996B
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Jun Hatakeyama
Koji Hasegawa
Yuji Harada
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Shinetsu Chemical Co
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Description

高分子化合物、光阻保護膜材料及圖型之形成方法
本發明係有關在半導體元件等製造步驟之微細加工，特別是以波長193nm之ArF準分子雷射為光源，在投影透鏡與晶圓之間插入水之浸潤式微影，作為保護光阻層之光阻上層膜材料使用之光阻保護膜材料，及使用其之光阻圖型的形成方法。本發明係有關可作為上述光阻上層膜材料使用之高分子化合物。
近年，隨LSI之高度積體化及高速度化，要求圖型尺寸之精細化下，目前泛用技術用之光曝光，已漸接近來自光源波長之本質上之解像度的極限。形成光阻圖型時所使用之曝光光源，例如以水銀燈之g線(436nm)或i線(365nm)為光源之光曝光已被廣泛使用。而更精細化之有效方法係將曝光光線形成短波長化的方法，例如64百萬位元(加工尺寸0.25微米以下)DRAM(動態無規存取)以後之量產製程中，曝光光源係使用短波長之KrF準分子雷射(248nm)取代i線(365nm)。但是製造需要更精細加工技術(加工尺寸為0.2μm以下)之積體度256M及1G以上的DRAM時，需要更短波長之光源，自約10年前已實質上檢討使用ArF準分子雷射(193nm)之微影。當初ArF微影法係使用於180nm節點之裝置製作，但是KrF準分子微影法延用至130nm節點裝置之量產，ArF微影法之正式使用係自90nm節點開始。為了將數值口徑(NA)提高至0.9，而與透鏡併用，檢討適用65nm節點裝置。對於接下來之45nm節點裝置需要進一步降低曝光波長之短波長化，例如有波長157 nm的F2 微影法。但是因為投射鏡大量使用昂貴的CaF2 單晶造成掃瞄器成本提高，軟膜的耐久性極低，因而導入硬膜產生光學系統必須跟著改變，且光阻膜之耐蝕刻性降低等各種問題，於是提倡暫緩F2 微影法並提早導入ArF浸潤式微影法(非專利文獻1：Proc.SPIE Vol.4690 xxix)。
提案在ArF浸潤式微影法中，投射鏡與晶圓之間裝入水。即使使用193 nm下之水的折射率為1.44，NA為1.0以上的透鏡，也可形成圖型，理論上，NA可提高至1.44。解析度會隨NA的增加而提高，NA為1.2以上的透鏡與超高解析技術的組合顯示45nm節點的可能性(非專利文獻2：Proc.SPIE Vol.5040，p724)。
有人指出光阻膜上有水之存在造成各種問題。例如產生的酸及加至光阻膜作為終止劑的胺化物會溶解於水中，造成形狀改變、膨潤造成圖型崩倒等。因此提案在光阻膜與水之間導入保護膜的方法(非專利文獻3：2nd Immersion Work Shop，July 11，2003，Resist and Cover Material Investigation for Immersion Lithography)。
光阻上層之保護膜係作為抗反射塗層使用。例如專利文獻1~3：特開昭62－62520號公報、特開昭62－62521號公報及特開昭60－38821號公報中所揭示之ARCOR法等。ARCOR法係包含在光阻膜上形成透明抗反射塗層，並在曝光後進行剝離步驟的方法，其簡單之方法，可形成精細且高準確度及高對準精度之圖型的方法。抗反射塗層使用低折射率之全氟烷基化合物(全氟烷基聚醚、全氟烷基胺)時，大幅降低光阻－抗反射塗膜界面的反射光，提高尺寸精度。氟系材料除了上述材料外，提案專利文獻4：特開平5－74700號公報所示之全氟(2，2－二甲基－1，3－二噁茂)－四氟乙烯共聚物、全氟(烯丙基乙烯基醚)、全氟丁烯基乙烯基醚之環化聚合物等之非晶質聚合物等。
但是上述全氟烷基化合物因為與有機物之相容性低，所以其必須利用氟碳化物稀釋液以控制塗層厚度，如眾所熟知，從環保的觀點，使用氟碳化物會造成環保問題。上述化合物難以形成均勻膜，並且當作為抗反射膜時亦無法得到令人滿意的結果。光阻膜在顯像前，抗反射膜必須以氟碳化物溶劑剝除。因此在以往裝置上必須增設剝除抗反射膜之系統，使用氟碳化物溶劑會使成本增加等缺點。
如果在以往裝置上未增設的條件下剝除抗反射膜時，使用顯像單元進行剝除最佳。光阻顯像單元所使用之溶液係顯像液之鹼性水溶液及清洗液之純水，因此可被這些溶液輕易地剝除的抗反射膜材料為佳。基於此原因，提案多種水溶性抗反射膜材料及使用彼之圖型形成方法。例如有專利文獻5、6：特開平6－273926號公報及日本專利第2803549號公報。
但是水溶性保護膜因曝光時會溶解在水中，無法使用於浸潤式微影法。另一方面，非水溶性氟系聚合物必須使用特殊的氟碳化物剝除劑及氟碳化物溶劑專用的剝除杯，因此需要非水溶性，可簡單剝除之光阻保護膜。
六氟醇基具有鹼可溶性，且具有高撥水性的特性，因此檢討用於浸潤式曝光用光阻保護膜(非專利文獻4：Journal of Photopolymer Sci.and Technol.Vol.18 No.5(2005)p615－619)。專利文獻7：特開2003－40840號公報提案使用具有六氟醇之丙烯酸酯，專利文獻8：特開2005－316352號公報提案具有特定六氟醇之(甲基)丙烯酸酯、降冰片烯之光阻保護膜。
進一步希望開發一種疏水性高，可鹼顯像之光阻保護膜。因此，藉由光罩描繪等電子線曝光中，長時間在真空中放置造成光阻感度改變的問題。因描繪中所產生的酸蒸發，因酸造成縮醛之保護基脫去保護所產生之乙烯醚之蒸發，造成光阻感度改變的問題(專利文獻9：特開2002－99090號公報)。光罩空白基板用光阻要求塗佈後數個月之安定性，希望開發較佳為對於環境安定之光罩空白基板用光阻。
〔非專利文獻1〕Proc.SPIE Vol.4690 xxix〔非專利文獻2〕Proc.SPIE Vol.5040，p724〔非專利文獻3〕2nd Immersion Work Shop，July 11，2003，Resist and Cover Material Investigation for Immersion Lithography〔非專利文獻4〕Journal of Photopolymer Sci.and Technol.Vol.18 No.5(2005)p615－619
〔專利文獻1〕特開昭62－62520號公報〔專利文獻2〕特開昭62－62521號公報〔專利文獻3〕特開昭60－38821號公報〔專利文獻4〕特開平5－74700號公報〔專利文獻5〕特開平6－273926號公報〔專利文獻6〕專利第2803549號公報〔專利文獻7〕特開2003－40840號公報〔專利文獻8〕特開2005－316352號公報〔專利文獻9〕特開2002－99090號公報
 〔發明之揭示〕
本發明係鑒於上述問題所完成者，本發明之目的係提供可進行良好之浸潤式微影，且在光阻層顯像時同時去除，具有優越之製程適用性的浸潤式微影用之保護膜材料，及使用此材料之圖型形成方法及可作為光阻保護膜材料使用之高分子化合物。
本發明人等為達成上述目的，經深入探討結果發現，包含具有下述一般式(1)或(1)－1表示之重複單位之高分子化合物之具有下述一般式(2)表示之部分結構之高分子化合物的膜作為光阻保護膜材料形成於光阻膜上時，此保護膜(光阻上層膜)為非水溶性，且可溶於鹼水溶液，且不會與光阻膜產生混合，在鹼顯像時，可一次同時進行光阻膜之顯像及剝除，製程適用性廣泛，遂完成本發明。
換言之，本發明係提供下述新穎高分子化合物、光阻保護膜材料及圖型之形成方法。
申請專利範圍第1項：一種高分子化合物，其係由下述一般式(1)表示之重複單位所構成， (式中，R1 、R2 為相同或不同之氫原子或碳數1~12之直鏈、支鏈狀或環狀之烷基，R1 與R2 鍵結可與這些鍵結之碳原子共同形成環，R30 為氫原子或甲基)。
申請專利範圍第2項：一種高分子化合物，其係含有下述一般式(1)－1表示之重複單位， (式中，R1 、R2 為氫原子或碳數1~12之直鏈、支鏈狀或環狀之烷基，R1 與R2 鍵結可與這些鍵結之碳原子共同形成環，R30 、R40 為氫原子或甲基，R5 為碳數2~10之被至少1個氟原子取代之直鏈或支鏈狀的烷基，0<a<1；0<b<1；0<a+b≦1的範圍)。
申請專利範圍第3項：
一種光阻保護膜材料，其特徵係包含具有下述一般式(2)表示之部分結構的高分子化合物， (式中，R1 、R2 為氫原子或碳數1~12之直鏈、支鏈狀或環狀之烷基，R1 與R2 鍵結可與這些鍵結之碳原子共同形成環，X為-O-或-C(=O)-O-)。
申請專利範圍第4項：
如申請專利範圍第3項之光阻保護膜材料，其係包含具有下述一般式(3)表示之重複單位的高分子化合物， (式中，R1 、R2 係如前述，R3 、R6 係氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基，X’為-O-、-C(=O)-O-或-C(=O)-O-R7 -C(=O)-O-，R7 為碳數1~10之直鏈、支鏈狀或環狀之伸烷基，0≦c≦1；0≦d≦1；0<c+d≦1之範圍)。
申請專利範圍第5項：
如申請專利範圍第4項之光阻保護膜材料，其中高分子化合物尚具有選自具有羧基之重複單位、具有一般式(3)表示以外之氟醇的重複單位及具有氟烷基或烷基之重複單位之1種或2種以上的重複單位。
如申請專利範圍第3、4或5項之光阻保護膜材料，其係尚含有溶解該高分子化合物的溶劑。
申請專利範圍第7項：
如申請專利範圍第6項之光阻保護膜材料，其中溶解該高分子化合物的溶劑為含有碳數8~12之醚化合物的溶劑。
申請專利範圍第8項：如申請專利範圍第7項之光阻保護膜材料，其中溶解該高分子化合物的溶劑為含有二－正戊醚及/或二－異戊醚的溶劑。
申請專利範圍第9項：如申請專利範圍第7或8項之光阻保護膜材料，其中溶解該高分子化合物的溶劑為除了碳數8~12之醚化合物外，且混合碳數4~10之高級醇0.1~90質量%的溶劑。
申請專利範圍第10項：一種圖型形成方法，其係在形成於晶圓之光阻層上形成光阻上層膜材料所成之保護膜，進行曝光後，進行顯像之微影的圖型形成方法，其特徵係該光阻上層膜材料使用申請專利範圍第3~9項中任一項之光阻保護膜材料。
申請專利範圍第11項：一種圖型形成方法，其係在形成於晶圓之光阻層上形成光阻上層膜材料所成之保護膜，在水中進行曝光後，進行顯像之浸潤式微影的圖型形成方法，其特徵係該光阻上層膜材料使用申請專利範圍第3~9項中任一項之光阻保護膜材料。
申請專利範圍第12項：如申請專利範圍第11項之圖型形成方法，其中該浸潤式微影使用180~250nm範圍之曝光波長，於投影鏡與晶圓間插入水者。
申請專利範圍第13項：如申請專利範圍第11或12項之圖型形成方法，其中曝光後進行之顯像步驟中，藉由鹼顯像液同時進行光阻層之顯像及光阻上層膜材料之保護膜之剝離。
申請專利範圍第14項：一種圖型形成方法，其係形成於光罩空白基板之光阻層上形成光阻上層膜材料所成之保護膜，在真空中以電子束進行曝光後，進行顯像之微影的圖型形成方法，其特徵係該光阻上層膜材料使用申請專利範圍第3~9項中任一項之光阻保護膜材料。
依據使用本發明之光阻保護膜材料之圖型的形成方法時，光阻膜上所形成之光阻保護膜為非水溶性，可溶於鹼水溶液(鹼顯像液)，且不會與光阻膜產生混合者，因此可進行良好之浸潤式微影，同時在鹼顯像時，可一次同時進行光阻膜之顯像及剝除保護膜。
〔實施發明之最佳形態〕
本發明之高分子化合物係由下述一般式(1)表示之重複單位所構成。
(式中，R1 、R2 為相同或不同之氫原子或碳數1~12之直鏈、支鏈狀或環狀之烷基，R1 與R2 鍵結可與這些鍵結之碳原子共同形成碳數3~20，特別是3~10之環，特別是脂環，R30 為氫原子或甲基)。
此時本發明之高分子化合物可僅由上述式(1)表示之重複單位所構成，也可含有其他重複單位，但是含有其他重複單位時，較佳為含有下述式(1)-1表示之重複單位。 (式中，R1 、R2 為氫原子或碳數1~12之直鏈、支鏈狀或環狀之烷基，R1 與R2 鍵結可與這些鍵結之碳原子共同形成碳數3~20，特別是3~10之環，特別是脂環，R30 、R40 為氫原子或甲基，R5 為碳數2~10之被至少1個氟原子取代之直鏈或支鏈狀之烷基，0<a<1；0<b<1；0<a+b≦1的範圍)。
a、b係表示各重複單位在高分子化合物中之含有比例，a+b=1係指含有重複單位a、b之高分子化合物中，重複單位a、b之合計量對於全部重複單位之合計量為100莫耳%，a+b<1係指重複單位a、b之合計量對於全部重複單位之合計量未達100莫耳%，除a、b以外尚含有其他重複單位。
此時上述R1 與R2 鍵結可與這些鍵結之碳原子共同形成環，例如有環戊基、環己基、降冰片基等。
上述式(1)之重複單位或上述式(1)－1之重複單位a之具體例有下述所示。
(R30 係與上述相同)
上述式(1)－1之重複單位b之R5 之具體例有下述所示。
a、b係0<a<1；0<b<1；0<a＋b≦1。此時上述高分子化合物必要時可含有後述之重複單位d、e、f、h、i。
但是0≦d≦1、0≦e≦0.9、0≦f≦0.9、0≦h≦0.9、0≦i≦0.9。較佳為0.1≦a≦0.9、0.1≦b≦0.9、0.2≦a＋b≦1.0、0≦d≦0.8、0≦e≦0.6、0≦f≦0.8、0≦h≦0.8、0≦i≦0.8、a＋b＋d＋e＋f＋h＋i＝1。
a＋b＋d＋e＋f＋h＋i＝1係指含有重複單位a、b、d、e、f、h、i的高分子化合物中，這些重複單位之合計量對於全部重複單位之合計量為100莫耳%。
本發明之光阻保護膜材料係特別是在形成於晶圓之光阻層上形成光阻上層膜材料所成之保護膜，在水中曝光後，進行顯像之浸潤式微影的圖型形成方法，適合作為上述光阻上層膜材料使用，添加具有下述一般式(2)表示之部分結構的高分子化合物所成。
(式中，R1 、R2 為氫原子或碳數1~12之直鏈、支鏈狀或環狀之烷基，R1 與R2 鍵結可與這些鍵結之碳原子共同形成碳數3~20，特別是3~10之環。X為－O－或－C(＝O)－O－)。
具有一般式(2)表示之部分結構之高分子化合物的重複單位，較佳為下述一般式(3)所示者。
(式中，R1 、R2 如前述，R3 、R6 係氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。X’為－O－、－C(＝O)－O－或－C(＝O)－O－R7 －C(＝O)－O－。R7 為碳數1~10之直鏈、支鏈狀或環狀之伸烷基。0≦c≦1；0≦d≦1；0<c＋d≦1之範圍)。
此時具有式(2)之部分結構的高分子化合物，較佳為具有式(3)之重複單位的聚合物，使用一般式(3)表示之重複單位的聚合物，對水之溶解速度為0.1/s以下，可形成由2.38質量%氫氧化四甲基銨水溶液所構成之顯像液的溶解速度為300/s以上的光阻保護膜。較佳之鹼溶解速度係1，000/s以上，較佳為2，000/s以上。鹼溶解速度太低時，與光阻之混合層中會產生未溶解物，容易產生橋形缺陷，顯像後之光阻表面產生疏水性化，易產生團狀缺陷(blob defect)」。團狀缺陷係疏水性之光阻表面在清洗之旋轉乾燥之液滴乾燥時所產生的。疏水性表面之水滴之接觸角高，藉由乾燥液滴變小，同時接觸角變小，水滴之內部能量上升，剝取膜之表面或添加酸產生劑等產生凝集，水滴乾燥造成團狀缺陷。
六氟醇基係因氟原子之高電負性而為酸性，溶解於鹼水溶液。但是對鹼水溶液之溶解性低，不導入2個以上之六氟醇基則無法提供充分之鹼溶解性。本發明之六氟醇基係在醇基之β位上鍵結酯，因此因酯基而有電子吸引效果，酸性度高於以往之六氟醇。因此即使1個六氟醇基也可得到充分之鹼溶解性，遂完成本發明。
提供一般式(3)表示之重複單位c的單體，例如有下述所示者。
提供一般式(3)表示之重複單位d的單體，例如有下述所示者。
本發明之光阻保護膜用聚合物之重複單位需要一般式(3)表示之重複單位c及/或d，但是為了鹼溶解性及防止與光阻膜混合時，可與具有羧基之重複單位e共聚。重複單位e例如有下述所示者。
也可與具有一般式(3)表示以外之氟醇的重複單位f共聚。重複單位f例如有下述所示者。
為了防止與光阻膜混合時，可與具有全氟烷基之重複單位g共聚。重複單位g例如有下述所示者。
為了提高水之滑性時，可與不含氟之烷基之重複單位h共聚。重複單位h例如有下述所示者。
也可與具有下述所示之氟烷基與烷基兩者之重複單位i共聚。
也可與具有下述所示之羥基之重複單位j共聚。
上述重複單位c、d、e、f、g、h、i、j之比例係0≦c≦1.0、0≦d≦1.0、0<c＋d≦1.0、0≦e≦0.9、0≦f≦0.9、0≦g≦0.9、0≦h≦0.9、0≦i≦0.9、0≦j≦0.9。較佳為0≦c≦0.8、0≦d≦0.8、0.1≦c＋d≦0.8、0≦e≦0.6、0≦f≦0.8、0≦g≦0.8、0≦h≦0.8、0≦i≦0.8、0≦j≦0.8的範圍，c＋d＋e＋f＋g＋h＋i＋j＝1。
c＋d＋e＋f＋g＋h＋i＋j＝1係指含有重複單位c、d、e、f、g、h、i的高分子化合物中，重複單位c、d、e、f、g、h、i、j之合計量對於全部重複單位之合計量為100莫耳%。
本發明之高分子化合物係以苯乙烯換算使用凝膠滲透層析法(GPC)測定之重量平均分子量為1，000~500，000，較佳為2，000~30，000。重量平均分子量太低時，會與光阻材料材料混合，或容易溶於水。重量平均分子量太高時，旋轉塗佈後之成膜性有問題，鹼溶解性降低。
合成這些高分子化合物時，其中之一的方法係將具有為了得到所用之各重複單位之不飽和鍵之單體，在有機溶劑中，添加自由基引發劑進行加熱聚合，可得到高分子化合物。聚合時所用之有機溶劑例如有甲苯、苯、四氫呋喃、二乙基醚、二噁烷、甲醇、異丙醇等。聚合引發劑例如有2，2’－偶氮雙異丁腈(AIBN)、2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)、二甲基－2，2－偶氮雙(2－甲基丙酸酯)、苯甲醯基過氧化物、月桂醯過氧化等，較佳為可加熱至50℃~80℃進行聚合。反應時間為2~100小時，較佳為5~20小時。單體階段之氟醇基係被乙醯基或乙縮醛等取代，聚合後進行鹼處理或酸處理，也可形成氟醇。
本發明之光阻保護膜材料較佳為將上述高分子化合物溶解於溶劑後再使用。此時從旋轉塗佈法之成膜性的觀點，較佳為使用溶劑使上述高分子化合物成為0.1~20質量%，更佳為0.5~10質量%。
可使用的溶劑無特別限定，但是溶解光阻層的溶劑較佳。例如作為光阻溶劑使用的環己酮、甲基－2－正戊酮等之酮類；3－甲氧基丁醇、3－甲基－3－甲氧基丁醇、1－甲氧基－2－丙醇、1－乙氧基－2－丙醇等醇類；丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚等醚類；丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3－甲氧基丙酸甲酯、3－乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯等酯類等。
不溶解光阻層之溶劑，例如有碳數4以上之高級醇、甲苯、二甲苯、苯甲醚、己烷、環己烷、醚等非極性溶劑。這些當中最佳者為碳數8~12之醚化合物，具體例有二正丁醚、二異丁醚、二第二丁醚、二正戊醚、二異戊醚、二第二戊醚、二第三戊醚、二正己醚等，從引火點觀點，較佳為碳數10~12之醚化合物，最佳為二異戊醚、二正戊醚。碳4以上之高級醇之具體例有1－丁醇、2－丁醇、異丁醇、第三丁醇、1－戊醇、2－戊醇、3－戊醇、第三戊醇、新戊醇、2－甲基－1－丁醇、3－甲基－1－丁醇、3－甲基－3－戊醇、環戊醇、1－己醇、2－己醇、3－己醇、2，3－二甲基－2－丁醇、3，3－二甲基－1－丁醇、3，3－二甲基－2－丁醇、2－乙基－1－丁醇、2－甲基－1－戊醇、2－甲基－2－戊醇、2－甲基－3－戊醇、3－甲基－1－戊醇、3－甲基－2－戊醇、3－甲基－3－戊醇、4－甲基－1－戊醇、4－甲基－2－戊醇、4－甲基－3－戊醇、環己醇。
另外，較佳為使用氟系之溶劑也不溶解光阻層，因此適合使用。這種氟取代的溶劑，例如有2－氟苯甲醚、3－氟苯甲醚、4－氟苯甲醚、2，3－二氟苯甲醚、2，4－二氟苯甲醚、2，5－二氟苯甲醚、5，8－二氟－1，4－苯并二噁烷、2，3－二氟苄基醇、1，3－二氟－2－丙醇、2’，4’－二氟苯丙酮、2，4－二氟甲苯、三氟乙醛乙基半縮醛、三氟乙醯胺、三氟乙醇、2，2，2－三氟乙基丁酸酯、乙基七氟丁酸酯、乙基七氟丁基乙酸酯、乙基六氟戊二酸甲酯、乙基－3－羥基－4，4，4－三氟丁酸酯、乙基－2－甲基－4，4，4－三氟乙醯乙酸酯、乙基五氟苯甲酸酯、乙基五氟丙酸酯、乙基五氟丙烯基乙酸酯、乙基全氟辛酸酯、乙基－4，4，4－三氟乙醯乙酸酯、乙基－4，4，4－三氟丁酸酯、乙基－4，4，4－三氟丁烯酸酯、乙基三氟磺酸酯、乙基－3－(三氟甲基)丁酸酯、乙基三氟丙酮酸酯、S－乙基三氟乙酸酯、氟環己烷、2，2，3，3，4，4，4－七氟－1－丁醇、1，1，1，2，2，3，3－七氟－7，7－二甲基－4，6－辛二酮、1，1，1，3，5，5，5－七氟戊烷－2，4－二酮、3，3，4，4，5，5，5－七氟－2－戊醇、3，3，4，4，5，5，5－七氟－2－戊酮、異丙基－4，4，4－三氟乙醯乙酸酯、甲基全氟迭納酸酯、甲基全氟(2－甲基－3－噁己酸酯)、甲基全氟壬酸酯、甲基全氟辛酸酯、甲基－2，3，3，3－四氟丙酸酯、甲基三氟乙醯乙酸酯、1，1，1，2，2，6，6，6－八氟－2，4－己二酮、2，2，3，3，4，4，5，5－八氟－1－戊醇、1H，1H，2H，2H－全氟－1－癸醇、全氟(2，5－二甲基－3，6－二噁烷陰離子)酸甲基酯、2H－全氟－5－甲基－3，6－二噁壬烷、1H，1H，2H，3H，3H－全氟壬烷－1，2－二醇、1H，1H，9H－全氟－1－壬醇、1H，1H－全氟辛醇、1H，1H，2H，2H－全氟辛醇、2H－全氟－5，8，11，14－四甲基－3，6，9，12，15－五噁十八烷、全氟三丁胺、全氟三己胺、全氟－2，5，8－三甲基－3，6，9－三噁十二酸甲酯、全氟三戊胺、全氟三丙胺、1H，1H，2H，3H，3H－全氟十一烷－1，2－二醇、三氟丁醇－1，1，1－三氟－5－甲基－2，4－己二酮、1，1，1－三氟－2－丙醇、3，3，3－三氟－1－丙醇、1，1，1－三氟－2－丙基乙酸酯、全氟丁基四氫呋喃、全氟十氫萘胺、全氟(1，2－二甲基環己烷)、全氟(1，3－二甲基環己烷)、丙二醇三氟甲基醚乙酸酯、丙二醇甲基醚三氟甲基乙酸酯、三氟甲基乙酸丁酯、3－三氟甲氧基丙酸甲酯、全氟環己酮、丙二醇三氟甲醚、三氟乙酸丁酯、1，1，1－三氟－5，5－二甲基－2，4－己二酮、1，1，1，3，3，3－六氟－2－丙醇、1，1，1，3，3，3－六氟－2－甲基－2－丙醇、2，2，3，4，4，4－六氟－1－丁醇、2－三氟甲基－2－丙醇、2，2，3，3－四氟－1－丙醇、3，3，3－三氟－1－丙、4，4，4－三氟－1－丁醇等；此等可單獨1種或2種以上混合使用，但是不限定於此等。
上述溶劑也可作為2種以上之混合溶劑使用，最佳為使用特別是碳數8~12之醚化合物與碳數4以上，特別是4~10之高級醇之混合溶劑。混合比例係在溶劑整體中，高級醇混合0.1~90質量%，較佳為5~85質量%，更佳為7~80質量%。
使用本發明之非水溶性且鹼可溶性之光阻保護膜(上層膜)材料的圖型形成方法說明如下。首先，將非水溶性且鹼可溶性之光阻保護膜(上層膜)材料，以旋轉塗佈法等在光阻層上形成膜。膜厚較佳為10~500nm之範圍。曝光方法可為在光阻保護膜與投影透鏡之間為空氣或氮等氣體的乾式曝光，也可為在光阻保護膜與投影透鏡之間充滿液體的浸潤式曝光。浸潤式曝光以使用水為佳。浸潤式曝光為了防止水滲入晶圓內面或自基板溶出時，晶圓邊緣或內面之有無洗淨及其洗淨方法極為重要。例如光阻保護膜在旋轉塗佈後，藉由於40~130℃之範圍烘烤10~300秒使溶劑揮發。光阻膜或乾式曝光時，旋轉塗佈時進行邊緣洗淨，浸潤式曝光時，親水性較高之基板面與水接觸時，在邊緣部份之基板面有時水會殘留，不甚理想。因此，在光阻保護膜之旋轉塗佈時，例如有不進行邊緣洗淨的方法。
形成光阻保護膜後，藉由KrF或ArF浸潤式微影法，在水中曝光。曝光後，進行曝光後烘烤(PEB)，以鹼顯像液進行10~300秒顯像。鹼顯像液一般廣泛使用2.38質量%之氫氧化四甲銨水溶液，同時剝除本發明之光阻保護膜與進行光阻膜之顯像。在PEB之前，有水殘留於光阻保護膜上的情況。在水殘留之狀態下進行PEB時，水通過保護膜吸出光阻中的酸，而不能形成圖型。為了在PEB之前完全去除保護膜上的水，必須藉由PEB前之旋轉乾燥、保護膜表面以乾燥空氣或氮清除、或在曝光後將台上之水回收噴嘴形狀或水回收製程最佳化，使保護膜上之水乾燥或回收(post soaking)。本發明所示之拒水性高之光阻保護膜具有水回收性優異之特徵。
光阻材料種類沒有特別的限制，可為正型或負型，也可為通常之烴系的單層光阻材料，亦可為含矽原子等之雙層光阻材料。在KrF曝光之光阻材料，其基底樹脂較佳為使用聚羥基苯乙烯或聚羥基苯乙烯－(甲基)丙烯酸酯共聚物之羥基或羧基的氫原子之一部份或全部被酸不穩定基取代的聚合物。
ArF曝光之光阻材料，其基底樹脂必須為不含芳香族的構造，具體而言較佳為使用選自聚丙烯酸及其衍生物、降冰片烯衍生物－順丁烯二酸酐交替聚合物及與聚丙烯酸或其衍生物之3或4元共聚物、四環十二烯衍生物－順丁烯二酸酐交替聚合物及與聚丙烯酸或其衍生物之3或4元共聚物、降冰片烯衍生物－順丁烯二酸縮亞胺交替聚合物及與聚丙烯酸或其衍生物之3或4元共聚物、四環十二烯衍生物－順丁烯二酸縮亞胺交替聚合物及與聚丙烯酸或其衍生物之3或4元共聚物、及此等2個以上、或聚降冰片烯及複分解開環聚合物之1種或2種以上的高分子聚合物。
光罩空白基板用之光阻材料主要係使用酚醛清漆、羥基苯乙烯為基底的樹脂。這些樹脂之羥基被酸不穩定基取代者作為正型使用，添加交聯劑者作為負型使用。也可將羥基苯乙烯與(甲基)丙烯酸衍生物、苯乙烯、乙烯基萘、乙烯基蒽、乙烯基芘、羥基乙烯基萘、羥基乙烯基蒽、茚、羥基茚、苊烯、降冰片二烯之1種或2種以上共聚的聚合物為基底。
作為光罩空白基板用光阻保護膜使用時，將光阻塗佈於SiO2 、Cr、CrO、CrN、MoSi等之光罩空白基板上，形成光阻保護膜。也可在光阻與空白基板間形成SOG膜與有機底層膜，形成3層構造。
光阻保護膜材料形成後，在真空中以電子束描繪機曝光。曝光後進行曝光後烘烤(PEB)，以鹼顯像液進行10~300秒顯像。
 實施例
以下以合成例及實施例與比較例具體說明本發明，但是本發明不限於下述實施例。實施例中，GPC係表示凝膠滲透層析法，得到聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)、數均分子量標(Mn)。
合成例使用之單體1~20之結構式如係所示。
〔合成例1〕
在200毫升燒瓶中添加29g之單體1及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物1。
〔合成例2〕
在200毫升燒瓶中添加32g之單體2及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物2。
〔合成例3〕
在200毫升燒瓶中添加20.3g之單體1、4.5g之單體3、2.3g之單體4及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物3。
〔合成例4〕
在200毫升燒瓶中添加20.3g之單體1、9.0g之單體3及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物4。
〔合成例5〕
在200毫升燒瓶中添加24.3g之單體5、6.3g之單體7、3.7g之單體8及20g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至85℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物5。
〔合成例6〕
在200毫升燒瓶中添加24.3g之單體5、3.7g之單體6、9.4g之單體9及20g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至85℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物6。
〔合成例7〕
在200毫升燒瓶中添加22.5g之單體1、5.9g之單體12及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物7。
〔合成例8〕
在200毫升燒瓶中添加30.8g之單體13及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物8。
〔合成例9〕
在200毫升燒瓶中添加33.4g之單體14及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物9。
〔合成例10〕
在200毫升燒瓶中添加14.7g之單體1、15.4g之單體13及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物10。
〔合成例11〕
在200毫升燒瓶中添加14.7g之單體1、16.7g之單體14及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物11。
〔合成例12〕
在200毫升燒瓶中添加20.5g之單體1、9.7g之單體15及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物12。
〔合成例13〕
在200毫升燒瓶中添加23.5g之單體1、6.6g之單體16及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物13。
〔合成例14〕
在200毫升燒瓶中添加17.6g之單體1、14.4g之單體17及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物14。
〔合成例15〕
在200毫升燒瓶中添加23.5g之單體1、9.7g之單體18及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物15。
〔合成例16〕
在200毫升燒瓶中添加11.8g之單體1、14.4g之單體17、10.0g之單體10及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物16。
〔合成例17〕
在200毫升燒瓶中添加23.5g之單體1、4.2g之單體20及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物17。
〔合成例18〕
在200毫升燒瓶中添加11.8g之單體1、14.4g之單體17、2.6g之羥基乙基甲基丙烯酸酯及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊脂)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為實施例聚合物18。
〔比較合成例1〕
在200毫升燒瓶中添加35g之單體10及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為比較例聚合物1。
〔比較合成例2〕
在200毫升燒瓶中添加28g之單體11及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為比較例聚合物2。
〔比較合成例3〕
在200毫升燒瓶中添加27.3g之單體10、9g之單體3及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為比較例聚合物3。
〔比較合成例4〕
在200毫升燒瓶中添加29.4g之單體19及40g之作為溶劑之甲醇。將此反應容器在氮氣下冷卻至－70℃，減壓脫氣，吹入氮氣，此操作重複3次。升溫至室溫後，添加3g之聚合引發劑：2，2’－偶氮雙(2，4－二甲基戊腈)，升溫至65℃後，反應25小時。使此反應溶液在己烷中結晶析出，將樹脂分離。所得樹脂之組成以1 H－NMR確認，分子量則以GPC確認，作為比較例聚合物4。
〔實施例、比較例〕
實施例聚合物1~18、比較例聚合物1~4係使用上述合成例所示之聚合物。
實施例聚合物1~18、比較例聚合物1~4之0.5g溶解於二異戊基醚16g、2－甲基－1－丁醇2g中，分別以0.2μm之聚丙烯過濾器過濾，製作光阻保護膜溶液(TC－1~6、TC－10~21、比較TC1~4)。光阻保護膜(TC－7~9、TC－22~25)中，TC－7係溶解於二異戊基醚18g中，TC－8係溶解於二異戊基醚12g、3－甲基－1－丁醇8g中，TC－9係溶解於2，2，2－三氟乙基丁酸酯18g中，TC－22係溶解於二異戊基醚12g、4－甲基－2－戊醇8g中，TC－23係溶解於二正丁基醚5g、3－甲基－1－丁醇25g中，TC－24係溶解於二正戊基醚18g、2－甲基－1－丁醇2g中，TC－25係溶解於二異戊基醚16g、2－庚醇2g中，然後同樣製作光阻保護膜溶液。
將光阻保護膜溶液旋轉塗佈於矽基板上，以100℃烘烤60秒後，製作50nm膜厚之光阻保護膜(TC－1~25、比較TC－1~4)，使用J.A.Woollum公司製分光橢偏儀(Ellipsometry)得到波長193nm之保護膜的折射率。結果如表1所示。
其次將上述方法形成光阻保護膜的晶圓以純水清洗5分鐘，觀察膜厚之變動。結果如表2所示。
將上述方法形成光阻保護膜的晶圓以2.38質量%之四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液進行60秒顯像，觀察膜厚之變動。結果如表3所示。
使用協和界面科學製之傾斜法接觸角計Drop Master 500，將50μL之純水滴於以上述方法形成光阻保護膜，保持水平之晶圓上，形成水珠。接著求得將此晶圓慢慢傾斜，水珠開始滑落之晶圓角度(滑落角)與後退接觸角。結果如表4所示。
使用LithoTech Japan(股)製溶解速度監視器(Model RDA－790)計算以上述方法形成光阻保護膜的晶圓在2.38質量%之四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液中之鹼溶解速度。結果如表5所示。
滑落角度小係表示水容易流動，而後退接觸角大表示即使在高速掃描曝光也不易殘留水滴。本發明之具有鹼溶解性基之聚合物，其特徵係具有與具有2個六氟醇基之聚合物相同之鹼溶解速度，且滑落角度小，後退接觸角大，滑水性優。
將以下所示之光阻聚合物5g、PAG1 0.25g、終止劑之三正丁胺0.6g溶解於55g之丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)溶液中，並通過孔徑0.2微米的聚丙烯過濾器，製備光阻溶液。將光阻溶液塗佈於Si基板上所製作之日產化學工業(股)公司製防反射膜ARC－29A之87nm膜厚上，以120℃烘烤60秒製作膜厚150nm之光阻膜。其上塗佈光阻保護膜，以100℃烘烤60秒。為了模擬浸潤式曝光，在曝光後之膜以純水清洗5分鐘。使用Nikon製ArF掃描器S307E(NA 0.85、σ0.93、4/5環形照明、6%半色調相位移光罩)曝光，純水清洗5分鐘同時以110℃進行後曝光烘烤(PEB)60秒，並以2.38質量% TMAH顯像液顯像60秒。
在無保護膜存在的條件下進行純水清洗、PEB、顯像或曝光後不實施純水清洗的一般步驟。
將晶圓切斷比較75nm線與間隙之圖型形狀、感度。結果示於表6所示。
製備以孔徑0.02微米之高密度聚乙烯過濾器進行3次精密過濾，之上述光阻溶液與保護膜溶液。
將光阻溶液塗佈於直徑200mm之Si基板上所製作之日產化學工業(股)公司製防反射膜ARC－29A之87nm膜厚上，以120℃烘烤60秒製作膜厚150nm之光阻膜。其上塗佈光阻保護膜，以100℃烘烤60秒。使用(股)Nikon製ArF掃描器S307E(NA 0.85、σ0.93、4/5環形照明、6%半色調相位移光罩)乾式曝光，以110℃進行後曝光烘烤(PEB)60秒，並以2.38質量% TMAH顯像液顯像60秒，在晶圓全面上形成100nm之線與間隙圖型。使用(股)東京精密製缺陷檢查裝置Win－Win50－1400，以像素尺寸0.165μm觀察缺陷。結果如表7所示。比較TC－4之缺陷大部分為線間連接之橋形缺陷。
電子束描繪評價
描繪評價係使用自由基聚合合成之下述EB用聚合物，將表6所示之組成溶解的丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯(EL)溶液，以0.2μm之過濾器過濾調製正型光阻材料。
將製得之正型光阻材料使用CLEAN TRACK Mark5(東京電子公司製)旋轉塗佈於直徑6英吋之Si基板上，於熱板上以110℃預烘烤60秒，製作200nm之光阻膜。其上塗佈光阻保護膜溶液，以100℃烘烤60秒，製作厚度50nm之光阻保護膜。使用日立製作所製HL－800D以HV電壓50keV下，於真空室內對於該光阻膜進行描繪然後在真空室內放置20小時，變更描繪處，再追加描繪。
描繪後隨即使用CLEAN TRACK Mark5(東京電子公司製)於熱板上，以90℃進行60秒之後烘烤(PEB)後，以2.38質量%之TMAH水溶液進行30秒攪拌顯像得到正型圖型。
所得光阻圖型依下述方式進行評價。
使用日立製作所製之測長SEM(S－7280)在顯像前曝光的場所，測定將0.12μm線與間隙以1：1解像之曝光量下之0.12μm線與間隙之線尺寸，再減去與20小時前曝光場所相同曝光量之0.12μm線與間隙之線尺寸，求得在真空中放置之尺寸變化量。尺寸變化量中，＋表示真空中放置時，光阻感度變為高感度，－表示變成低感度。
當ArF曝光在無保護膜的存在下，進行曝光後純水洗淨時，成為T頂形狀。這是因為生成的酸溶解於水中的緣故。而使用本發明之保護膜時，圖案的形狀保持不變。至於以往僅以六氟醇作為溶解性基之保護膜，在顯像後之光阻形狀為膜減少且成為錐形。
使用具有本發明之醇基之β位上鍵結酯之六氟醇基作為重複單位之高分子化合物的保護膜具有：鹼溶解速度高，乾式曝光之缺陷少，且水滑性優，因此可降低浸潤式曝光之水痕缺陷。
電子線曝光時，藉由使用本發明之光阻保護膜可提高曝光後之真空放置的安定性。

Claims (11)

  1. 一種光阻保護膜材料，其特徵係包含：具有下述一般式(2)表示之部分結構的高分子化合物及作為溶解該高分子化合物之溶劑的碳數8~12之醚化合物， (式中，R1 、R2 為氫原子或碳數1~12之直鏈、支鏈狀或環狀之烷基，R1 與R2 鍵結可與此等鍵結之碳原子共同形成環，X為-O-或-C(=O)-O-)。
  2. 如申請專利範圍第1項之光阻保護膜材料，其中高分子化合物為具有下述一般式(3)表示之重複單位者， (式中，R1 、R2 係如前述，R3 、R6 係氫原子、氟原子、甲 基或三氟甲基，X’為-O-、-C(=O)-O-或-C(=O)-O-R7 -C(=O)-O-，R7 為碳數1~10之直鏈、支鏈狀或環狀之伸烷基，0≦c≦1；0≦d≦1；0<c+d≦1之範圍)。
  3. 如申請專利範圍第2項之光阻保護膜材料，其中高分子化合物具有下述一般式(1)-1表示之重複單位者， (式中，R1 、R2 係如前述，R30 、R40 為氫原子或甲基，R5 為碳數2~10之被至少1個氟原子取代之直鏈或支鏈狀的烷基，0<a<1；0<b<1；0<a+b≦1的範圍)。
  4. 如申請專利範圍第3項之光阻保護膜材料，其中高分子化合物尚具有選自具有羧基之重複單位、具有一般式(3)表示以外之氟醇之重複單位及具有氟烷基或烷基之重複單位之1種或2種以上的重複單位。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之光阻保護膜材料，其中醚化合物為二-正戊醚及/或二-異戊醚。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之光阻保護膜材料，其中溶解該高分子化合物的溶劑除了碳數8~12之醚化合物外，混合有碳數4~10之高級醇0.1~90質量%的溶劑。
  7. 一種圖型之形成方法，其係在形成於晶圓之光阻層上形成由光阻上層膜材料所構成之保護膜，進行曝光後，進行顯像藉由微影形成圖型的方法，其特徵係上述光阻上層膜材料使用申請專利範圍第1~6項中任一項之光阻保護膜材料。
  8. 一種圖型之形成方法，其係在形成於晶圓之光阻層上形成由光阻上層膜材料所構成之保護膜，在水中進行曝光後，進行顯像藉由浸潤式微影形成圖型的方法，其特徵係上述光阻上層膜材料使用申請專利範圍第1~6項中任一項之光阻保護膜材料。
  9. 如申請專利範圍第8項之圖型形成方法，其中該浸潤式微影使用180~250nm之範圍的曝光波長，於投影鏡與晶圓間插入水者。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之圖型形成方法，其中曝光後進行之顯像步驟中，藉由鹼顯像液同時進行光阻層之顯像及光阻上層膜材料之保護膜的剝離。
  11. 一種圖型形成方法，其係形成於光罩空白基板之光阻層上形成由光阻上層膜材料所構成之保護膜，在真空中以電子束進行曝光後，進行顯像藉由微影形成圖型的方法，其特徵係上述光阻上層膜材料使用申請專利範圍第1~6項中任一項之光阻保護膜材料。
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101243405B1 (ko) * 2004-01-15 2013-03-13 제이에스알 가부시끼가이샤 액침용 상층막 형성 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법
US8323872B2 (en) * 2005-06-15 2012-12-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist protective coating material and patterning process
KR100962951B1 (ko) * 2005-10-27 2010-06-10 제이에스알 가부시끼가이샤 상층막 형성 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법
US7771913B2 (en) * 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7759047B2 (en) * 2006-05-26 2010-07-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist protective film composition and patterning process
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
JP4466881B2 (ja) 2007-06-06 2010-05-26 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法
US8617794B2 (en) * 2007-06-12 2013-12-31 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP4993138B2 (ja) * 2007-09-26 2012-08-08 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5071658B2 (ja) * 2008-02-14 2012-11-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法
JP5573578B2 (ja) * 2009-10-16 2014-08-20 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト材料
KR20110058128A (ko) * 2009-11-25 2011-06-01 제일모직주식회사 레지스트 보호막용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 보호막 조성물
JP5440468B2 (ja) * 2010-01-20 2014-03-12 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5387601B2 (ja) * 2010-03-24 2014-01-15 信越化学工業株式会社 アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5729171B2 (ja) 2010-07-06 2015-06-03 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5533797B2 (ja) 2010-07-08 2014-06-25 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5282781B2 (ja) * 2010-12-14 2013-09-04 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US10008677B2 (en) 2011-01-13 2018-06-26 Universal Display Corporation Materials for organic light emitting diode
TWI506370B (zh) 2011-01-14 2015-11-01 Shinetsu Chemical Co 圖案形成方法及使用於該方法之光阻組成物
JP5884521B2 (ja) 2011-02-09 2016-03-15 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
KR101704474B1 (ko) 2011-12-28 2017-02-09 금호석유화학 주식회사 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP5644788B2 (ja) 2012-02-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5962520B2 (ja) 2013-01-15 2016-08-03 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5910536B2 (ja) 2013-02-22 2016-04-27 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
KR102126894B1 (ko) * 2013-03-11 2020-06-25 주식회사 동진쎄미켐 리소그래피용 레지스트 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
WO2015129486A1 (ja) * 2014-02-26 2015-09-03 日産化学工業株式会社 レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
EP2913838B1 (en) 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
EP2937889B1 (en) 2014-04-25 2017-02-15 IMS Nanofabrication AG Multi-beam tool for cutting patterns
EP3358599B1 (en) * 2014-05-30 2021-01-27 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using row calibration
JP6890373B2 (ja) 2014-07-10 2021-06-18 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機における結像偏向の補償
JP6384424B2 (ja) 2014-09-04 2018-09-05 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
KR102095314B1 (ko) * 2015-09-30 2020-03-31 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 적층체
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
WO2018180070A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
WO2019167725A1 (ja) 2018-02-28 2019-09-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、樹脂
EP3757676A4 (en) 2018-03-26 2021-04-07 FUJIFILM Corporation LIGHT SENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING THEREFORE, RESIST FILM, METHOD OF MANUFACTURING A PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
WO2020049963A1 (ja) 2018-09-07 2020-03-12 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
TW202128970A (zh) 2019-08-29 2021-08-01 日商富士軟片股份有限公司 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、感光化射線性或感放射線性膜、圖案形成方法及電子裝置之製造方法
CN114303098B (zh) 2019-08-29 2025-04-01 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
JP7376610B2 (ja) 2019-12-09 2023-11-08 富士フイルム株式会社 処理液、パターン形成方法
JP7183315B2 (ja) 2020-02-03 2022-12-05 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー マルチビーム描画機におけるブラー変化の補正
JP7555297B2 (ja) 2020-04-24 2024-09-24 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 荷電粒子源
EP4095882A1 (en) 2021-05-25 2022-11-30 IMS Nanofabrication GmbH Pattern data processing for programmable direct-write apparatus
KR102736404B1 (ko) * 2021-07-01 2024-11-28 삼성에스디아이 주식회사 포토레지스트 패턴 형성방법
US12154756B2 (en) 2021-08-12 2024-11-26 Ims Nanofabrication Gmbh Beam pattern device having beam absorber structure
CN120769581B (zh) * 2025-09-04 2025-11-14 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种cis晶圆的重工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW593274B (en) * 2001-07-24 2004-06-21 Central Glass Co Ltd Fluorine-containing polymerizable monomer and polymer prepared by using same
US20050250898A1 (en) * 2004-03-31 2005-11-10 Central Glass Company, Limited Top coat composition

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6033821A (ja) 1983-08-05 1985-02-21 Nippon Steel Corp 伝熱遮断型鋼材蓄積装置
JPS6262520A (ja) 1985-09-13 1987-03-19 Hitachi Ltd パタ−ン形成方法
JPH0799730B2 (ja) 1985-09-13 1995-10-25 株式会社日立製作所 パターン形成方法
JPH0574700A (ja) 1991-07-17 1993-03-26 Asahi Glass Co Ltd パターン形成方法
US5550004A (en) * 1992-05-06 1996-08-27 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chemically amplified radiation-sensitive composition
JPH06273926A (ja) 1993-03-23 1994-09-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料
JP2803549B2 (ja) 1993-12-21 1998-09-24 信越化学工業株式会社 光反射性防止材料及びパターン形成方法
JP3956088B2 (ja) 2000-07-19 2007-08-08 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
KR100733536B1 (ko) 2000-07-19 2007-06-28 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
US20040096757A1 (en) * 2001-03-27 2004-05-20 Hiroyuki Tokuda Photosensitive resin compositon, photosesitive resist for color filter, and process for producing color filter
JP2003045947A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
US6806026B2 (en) * 2002-05-31 2004-10-19 International Business Machines Corporation Photoresist composition
EP1480079A3 (en) * 2002-06-07 2008-02-13 FUJIFILM Corporation Photosensitive resin composition
CN1675179A (zh) * 2002-08-09 2005-09-28 E.I.内穆尔杜邦公司 用作光致抗蚀剂的具有稠合的4－元杂环的多环基团的氟化单体,氟化聚合物和用于微石印术的方法
JP2005099646A (ja) * 2003-03-28 2005-04-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
US7150957B2 (en) * 2003-04-25 2006-12-19 International Business Machines Corporation Fluorinated vinyl ethers, copolymers thereof, and use in lithographic photoresist compositions
JP4265766B2 (ja) * 2003-08-25 2009-05-20 東京応化工業株式会社 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法
US7189493B2 (en) * 2003-10-08 2007-03-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, positive resist composition, and patterning process using the same
US7528929B2 (en) * 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101243405B1 (ko) * 2004-01-15 2013-03-13 제이에스알 가부시끼가이샤 액침용 상층막 형성 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법
JP2006039059A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Toshiba Corp フォトマスクデータの作成方法およびフォトマスクの製造方法
US7544750B2 (en) * 2005-10-13 2009-06-09 International Business Machines Corporation Top antireflective coating composition with low refractive index at 193nm radiation wavelength
US20070087125A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Central Glass Company, Limited. Process for producing top coat film used in lithography
US20070122741A1 (en) * 2005-11-29 2007-05-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist protective coating material and patterning process
JP4895030B2 (ja) * 2006-10-04 2012-03-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW593274B (en) * 2001-07-24 2004-06-21 Central Glass Co Ltd Fluorine-containing polymerizable monomer and polymer prepared by using same
US20050250898A1 (en) * 2004-03-31 2005-11-10 Central Glass Company, Limited Top coat composition

Also Published As

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