[go: up one dir, main page]

TWI382034B - Polishing pad and manufacturing method thereof - Google Patents

Polishing pad and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
TWI382034B
TWI382034B TW096146036A TW96146036A TWI382034B TW I382034 B TWI382034 B TW I382034B TW 096146036 A TW096146036 A TW 096146036A TW 96146036 A TW96146036 A TW 96146036A TW I382034 B TWI382034 B TW I382034B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
bubble
polyurethane foam
layer
polishing pad
urethane composition
Prior art date
Application number
TW096146036A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200902577A (en
Inventor
福田武司
廣瀨純司
中村賢治
堂浦真人
佐藤彰則
Original Assignee
東洋橡膠工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2007006229A external-priority patent/JP4970963B2/ja
Priority claimed from JP2007006232A external-priority patent/JP4237800B2/ja
Priority claimed from JP2007006224A external-priority patent/JP4986129B2/ja
Priority claimed from JP2007006218A external-priority patent/JP4261586B2/ja
Application filed by 東洋橡膠工業股份有限公司 filed Critical 東洋橡膠工業股份有限公司
Publication of TW200902577A publication Critical patent/TW200902577A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI382034B publication Critical patent/TWI382034B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/001—Manufacture of flexible abrasive materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/22—Rubbers synthetic or natural
    • B24D3/26—Rubbers synthetic or natural for porous or cellular structure
    • H10P52/00—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

研磨墊及其製造方法 發明領域
本發明係關於一種研磨墊及其製造方法，其係可以穩定且高研磨效率進行透鏡、反射鏡等光學材料及矽晶圓、硬碟用玻璃基板、鋁基板、以及要求一般的金屬研磨加工等的高度的表面平坦性之材料之平坦化加工。本發明之研磨墊，特別適用於矽晶圓及玻璃之精研磨。
 發明背景
一般而言，矽晶圓等半導體晶圓、透鏡及玻璃基板等的鏡面研磨上，具有主要用於調整平坦度及面內均勻度之粗研磨及主要用於改善表面粗糙度及去除刮痕之精研磨。
前述精研磨通常係藉由於可旋轉之平盤上貼附由軟質的發泡胺基甲酸酯構成之仿絨面之人工皮革，再於其上一面供給於鹼基水溶液中含有膠體二氧化矽之研磨劑，一面研磨晶圓而進行(專利文獻1)。
作為精研磨中所用之研磨墊，除了上述外，提出有如下者。
有人提出有一種仿絨面之精研磨墊，其係由利用發泡劑於聚胺基甲酸酯樹脂沿厚度方向形成多數之細長的微細的孔(絨毛)之絨毛層、及補強絨毛層之基布所構成(專利文獻2)。
又，有人提出有一種仿絨面、且表面粗糙度以算術平 均粗糙度(Ra)計為5μm以下之精研磨用研磨布(專利文獻3)。
再者，有人提出有一種具備基材部及形成於該基材部上之表面層(絨毛層)，且於前述表面層含有多鹵化乙烯或鹵化乙烯共聚物之精研磨用研磨布(專利文獻4)。
先前之研磨墊係藉由所謂溼式硬化法製造而成。所謂溼式硬化法係將胺基甲酸酯樹脂溶解於二甲基甲醯胺等水溶性有機溶劑中所形成之胺基甲酸酯樹脂溶液塗布於基材上，將其於水中進行處理，使之溼式凝固形成多孔質銀面層，於水洗乾燥後研磨該銀面層表面，形成表面層(絨毛層)之方法。例如於專利文獻5中，藉由溼式硬化法製造具有平均直徑為1~30μm之大致球狀之孔的精研磨用研磨布。
然而，溼式硬化法需要使用不含有金屬雜質之大量純水，且需要巨大的設備投資，具有製造成本非常高之問題。再者，由於必須使用溶劑，亦有環境負擔較大之問題。又，先前之研磨墊，由於氣泡為細長之構造或表面層材料本身之機械強度較低，故存在缺乏耐久性，平坦化特性逐漸惡化、研磨速度之穩定性差之問題。又，先前之研磨墊，存在研磨層與基材層之接著性弱，於界面容易剝離之問題。進而，先前之研磨墊，存在自修整性(self－dress)差，於研磨中容易產生墊表面之孔阻塞之問題。
專利文獻1：日本特開2003－37089號公報 專利文獻2：日本特開2003－100681號公報 專利文獻3：日本特開2004－291155號公報 專利文獻4：日本特開2004－335713號公報 專利文獻5：日本特開2006－75914號公報
 發明概要
第1之本發明之目的係提供一種耐久性優異且研磨層與基材層之接著性良好之研磨墊。第2之本發明之目的係提供一種耐久性優異、自修整性佳且研磨層與基材層之接著性良好之研磨墊。第3之本發明之目的係提供一種低價且容易製造耐久性及研磨速度穩定性非常優異之研磨墊之方法。第4之本發明之目的係提供一種耐久性優異之研磨墊。解決問題之方法
本發明者們為解決前述問題，經反覆銳意研究後，結果發現藉由如下所示之研磨墊及其製造方法可達成上述目的，終完成本發明。
〔第1之本發明〕
即，第1之本發明係關於一種研磨墊，其係於基材層上設有研磨層者，其特徵在於：前述研磨層由具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體構成，前述聚胺基甲酸酯發泡體含有異氰酸酯成分及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有30~85重量%之官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇。
先前之研磨墊，由於氣泡為細長構造或研磨層材料本 身之機械強度較低，故認為於研磨層反覆施加壓力時會產生「永久性疲勞」，變得缺乏耐久性。另一方面，如上所述藉由以具有平均氣泡徑20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體形成研磨層，可使研磨層之耐久性提升。因此，於使用第1之本發明之研磨墊之情形，可長期間維持高的平坦化特性，研磨速度之穩定性亦提升。又，由於具有連續氣泡構造，故漿料之保持性優異。於此，所謂大致球狀係指球狀及橢圓球狀。所謂橢圓球狀之氣泡係長徑L與短徑S之比(L/S)為5以下者，較佳為3以下，更佳為1.5以下。
平均氣泡徑脫離20~300μm之範圍時，研磨速度降低、耐久性降低。
又，作為熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體之形成材料的含活性氫之化合物，含有30~85重量%之官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇。藉由使用特定量之該高分子多元醇，可穩定地形成目標之連續氣泡，且研磨層之機械特性良好。官能基數為5以上時，熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體之交聯度變得過高、過脆，於被研磨材表面容易產生刮痕。於羥價未滿20mgKOH/g時，聚胺基甲酸酯之硬鏈段量變少，耐久性降低，於超過100mgKOH/g時，熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體之交聯度變得過高、過脆，於被研磨材表面容易產生刮痕。
前述高分子量多元醇宜含有20~100重量%之聚合物多元醇，該聚合物多元醇中分散有選自於由聚苯乙烯、聚丙 烯腈及苯乙烯－丙烯腈共聚物所構成之群中之至少一種聚合物粒子。藉由使用特定量之前述聚合物多元醇，氣泡膜變得容易破裂，容易形成目標之連續氣泡。
前述含活性氫之化合物宜含有2~15重量%之羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺。藉由使用羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇及羥價或胺價較高之低分子量多元醇或低分子量聚胺，氣泡膜變得容易破裂，容易形成目標之連續氣泡。羥價未滿400mgKOH/g或胺價未滿400mgKOH/g之情形，無法充分獲得連續氣泡化之提升效果。另一方面，於羥價超過1830mgKOH/g或胺價超過1870mgKOH/g之情形，熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體變得過硬，於被研磨材表面容易產生刮痕。再者，於併用前述低分子量多元醇及低分子量聚胺時，合計使用2~15重量%。
熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體亦可與前述連續氣泡同時含有獨立氣泡，但該聚胺基甲酸酯發泡體之連續氣泡率宜為50%以上，較佳為60%以上。
又，前述含活性氫之化合物宜含有5~60重量%之聚酯系多元醇。藉由添加聚酯系多元醇，研磨層與基材層之接著性大幅提升。於聚酯系多元醇之添加量未滿5重量%時，研磨層與基材層之接著性不易提升，超過60重量%時，研磨層變得過脆，有墊壽命變短之傾向。
又，第1之本發明係關於一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組 成物，前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物含有異氰酸酯成分及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有30~85重量%之官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇；於基材層上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；藉由使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及均勻調整熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層之厚度。
又，第1之本發明係關於一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物含有異氰酸酯成分及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有30~85重量%之官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇；於離型片上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層基材層；一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及剝離熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層下之離型片。
〔第2之本發明〕
另一方面，第2之本發明係關於一種研磨墊，其係於基材層上設有研磨層者，其特徵在於：前述研磨層由具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體構成，前述聚胺基甲酸酯發泡體含有異 氰酸酯成分及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有1~20重量%之官能基數3~8且羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或官能基數3~8且胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺。
如上所述，藉由以具有平均氣泡徑20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體形成研磨層，可使研磨層之耐久性提升。因此，於使用第2之本發明之研磨墊之情形，可長期間維持高的平坦化特性，研磨速度之穩定性亦提升。又，由於具有連續氣泡構造，故漿料之保持性優異。於此，所謂大致球狀係指球狀及橢圓球狀。所謂橢圓球狀之氣泡係長徑L與短徑S之比(L/S)為5以下者，較佳為3以下，更佳為1.5以下。
平均氣泡徑脫離20~300μm之範圍時，研磨速度降低、耐久性降低。
又，作為熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體之形成材料的含活性氫之化合物，含有1~20重量%之官能基數3~8且羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或官能基數3~8且胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺。藉由使用特定量之該低分子量多元醇及/或低分子量聚胺，不僅氣泡膜變得容易破裂，容易形成連續氣泡，且研磨速度之穩定性良好。又，由於使用多官能性之低分子量多元醇及低分子量聚胺，故可形成交聯結構發達之聚胺基甲酸酯，藉此自修整性能提升，於研磨中不易產生墊表面之孔阻塞。
於官能基數未滿3之情形，由於聚胺基甲酸酯之交聯結 構未充分發達，故自修整性能不足，官能基數超過8之情形，由於聚胺基甲酸酯之交聯結構過於發達，故聚胺基甲酸酯變得過脆，對研磨特性帶來不良影響。
羥價未滿400mgKOH/g或胺價未滿400mgKOH/g之情形，無法充分獲得連續氣泡化之提升效果。另一方面，於羥價超過1830mgKOH/g或胺價超過1870mgKOH/g之情形，聚胺基甲酸酯發泡體變得過硬，於被研磨材表面容易產生刮痕。
再者，於併用前述低分子量多元醇及低分子量聚胺時，合計使用1~20重量%。
前述低分子量多元醇宜係選自於由三羥甲基丙烷、丙三醇、二丙三醇、1,2,6－己三醇、三乙醇胺、季戊四醇、四羥甲基環己烷、甲基葡萄糖苷及其等之環氧烷加成物所構成之群中之至少一種，前述低分子量聚胺，宜係選自於由伸乙二胺、甲苯二胺、二苯甲烷二胺及其等之環氧烷加成物所構成之群中之至少一種。
前述含活性氫之化合物宜含有30~85重量%之官能基數2~4且羥價20~150mgKOH/g之高分子量多元醇。藉由使用特定量之該高分子多元醇，可穩定地形成目標之連續氣泡，且研磨層之機械特性良好。
又，於第2之本發明中，作為熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體之形成材料之異氰酸酯成分宜為碳二醯亞胺改性MDI。藉由併用前述低分子量多元醇及/或低分子量聚胺、與碳二醯亞胺改性MDI，研磨層與基材層之接著性可大幅 提升。
又，第2之本發明係關於一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物含有碳二醯亞胺改性MDI及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有1~20重量%之官能基數3~8且羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或官能基數3~8且胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺；於基材層上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；藉由使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及均勻調整熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層之厚度。
又，第2之本發明係關於一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物含有碳二醯亞胺改性MDI及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有1~20重量%之官能基數3~8且羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或官能基數3~8且胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺；於離型片上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層基材層；一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及剝離熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層下之離型片。
〔第3之本發明〕
另一方面，第3之本發明係關於一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於離型片上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層基材層；一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有大致球狀連續氣泡之聚胺基甲酸酯發泡層；及剝離聚胺基甲酸酯發泡層之下面側之離型片。
如上所述，藉由機械發泡法(包含機械起泡法)使空氣等氣體作為微細氣泡分散於原料中，調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，使該氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，可極為容易形成具有大致球狀(球狀及橢圓球狀)之連續氣泡之聚胺基甲酸酯發泡層(研磨層)。再者，本發明之機械發泡法中，空氣等氣體由於不溶解於原料中而分散，故可抑制於均勻調整聚胺基甲酸酯發泡層之厚度之步驟之後產生新的氣泡(後發泡現象)，具有容易控制厚度精度及比重之優點。又，由於不需要使用溶劑或氟碳化合物等發泡劑，故不僅於成本面上為優異，且由環境面來看亦佳。
又，上述聚胺基甲酸酯發泡層，由於具有大致球狀之氣泡，故耐久性優異。因此，使用具有該發泡層之研磨墊研磨被研磨材時，研磨速度之穩定性提升。
進而，第3之本發明之製造方法，其特徵在於：以下面材作為離型片，上面材作為基材層，剝離所獲得之聚胺基甲酸酯發泡層之下面側之離型片。如上所述，藉由機械發 泡法形成聚胺基甲酸酯發泡層時，已知聚胺基甲酸酯發泡層之下面側的氣泡差異比上面側小。由此，藉由以形成之聚胺基甲酸酯發泡層之下面側作為研磨表面，成為氣泡差異較小之研磨表面，故研磨速度之穩定性進一步提升。
於第3之本發明之研磨墊中，設於厚度方向上四等分聚胺基甲酸酯發泡層之各直線，自研磨表面側向基材層方向分別設為第1直線、第2直線及第3直線時，第1直線之氣泡徑分布(氣泡徑最大值/氣泡徑最小值)宜為最小，第3直線之氣泡徑分布宜為最大。即，聚胺基甲酸酯發泡層之氣泡徑分布，宜自研磨表面朝基材層方向變大。又，第1直線之氣泡徑分布宜為3.5以下。第1直線之氣泡徑分布若為3.5以下，可得到充分的研磨速度穩定性。又，自研磨特性之觀點來看，第1~第3直線之平均氣泡徑之平均值宜為35~300μm。
〔第4之本發明〕
另一方面，第4之本發明係關於一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氮氣穿透速度為1×10－7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下之片體A上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於塗布之氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層氮氣穿透速度為1×10－7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下之片體B；及一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層。
如上所述，藉由機械發泡法使空氣等氣體作為微細氣 泡分散於原料中，調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，使該氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，可容易形成氣泡徑極小且具有球狀(包含橢圓球狀)之連續氣泡之聚胺基甲酸酯發泡層(研磨層)。再者，第4之本發明之機械發泡法中，空氣等氣體由於不溶解於原料中而分散，故可抑制於均勻調整熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層之厚度之步驟之後產生新的氣泡(後發泡現象)，具有容易控制厚度精度及比重之優點。又，由於不需要使用溶劑，故不僅於成本面上為優異，且由環境面來看亦佳。
又，於第4之本發明之製造方法中，藉由積層氮氣穿透速度為1×10－7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下之片體A及B，可於氣泡分散胺基甲酸酯組成物中之微細氣泡破泡後形成連續氣泡之際，使微細氣泡內部之氣體預先保持於該組成物中，可防止排出至外部環境。藉此，可抑制氣泡分散胺基甲酸酯組成物之厚度於硬化步驟時改變，可提高硬化後之聚胺基甲酸酯發泡層之表面精度。
於第4之本發明之製造方法中，前述硬化步驟宜至少包含1次硬化及2次硬化，1次硬化之硬化溫度為30~50℃、硬化時間為5~60分鐘，2次硬化之硬化溫度為60~80℃、硬化時間為30分鐘以上。由此，藉由以多階段進行硬化，可形成微細且均勻性高之連續氣泡。以1階段進行硬化時，有氣泡徑容易變大、研磨墊之耐久性降低之傾向。又，於上述硬化條件之範圍外時，無法形成微細且均勻性高之連續氣泡，有研磨速度之穩定性變差之傾向。
又，於第4之本發明中，前述片體A及B宜為聚對苯二甲酸乙二酯片。特別是PET由於氮氣穿透速度較小，故為適合材料。
第4之本發明之研磨墊之研磨層，由於具有球狀之微細氣泡，故耐久性優異。因此，使用該研磨墊研磨被研磨材時，研磨速度之穩定性提升。
進而，第1~4之本發明係關於一種半導體裝置之製造方法，其包含使用前述研磨墊研磨半導體晶圓表面之步驟。
圖式簡單說明
第1圖係顯示於CMP研磨中所使用之研磨裝置之一例之概略構成圖。
第2圖係第3之本發明之實施例1中之研磨墊之顯微鏡照片(SEM照片)。
第3圖係第3之本發明之比較例1中之研磨墊之顯微鏡照片(SEM照片)。
較佳實施例之詳細說明
第1及2之本發明之研磨墊，包含由具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體(以下稱為聚胺基甲酸酯發泡體)構成之研磨層、及基材層。
聚胺基甲酸酯樹脂由於耐摩耗性優異，且藉由改變各種原料組成可輕易得到具有所期望物性之聚合物，又可藉由機械發泡法(包含機械起泡法)輕易形成大致球狀之微細 氣泡，故係適合作為研磨層之形成材料的材料。
聚胺基甲酸酯樹脂係由異氰酸酯成分、及含活性氫之化合物(高分子量多元醇、低分子量多元醇、低分子量聚胺、鏈延長劑等)所構成。
作為異氰酸酯成分，可使用於聚胺基甲酸酯領域中所周知的化合物，並無特別限定。例如可列舉：2,4－甲苯二異氰酸酯、2,6－甲苯二異氰酸酯、2,2’－二苯甲烷二異氰酸酯、2,4’－二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’－二苯甲烷二異氰酸酯、聚合MDI、碳二醯亞胺改性MDI(例如商品名Millionate MTL，日本聚胺基甲酸酯工業製)、1,5－萘二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、間苯二異氰酸酯、對苯二甲二異氰酸酯、間苯二甲二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯類、伸乙基二異氰酸酯、2,2,4－三甲基六亞甲基二異氰酸酯、1,6－六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯類、1,4－環己烷二異氰酸酯、4,4’－二環己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、降茨烷二異氰酸酯等脂環式二異氰酸酯類等。其等可使用1種或併用2種以上。
作為異氰酸酯成分，除了上述二異氰酸酯化合物外，亦可使用3官能以上的多官能聚異氰酸酯化合物。作為多官能的異氰酸酯化合物，有市售的Desmodur N(Bayer公司製)及商品名Duranate(音譯)(日本旭化成工業公司製)之一連串的二異氰酸酯加成體化合物。
上述異氰酸酯成分中，以使用4,4’－二苯甲烷二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯為佳，特別是以使用碳二醯亞胺改 性MDI為佳。
作為高分子量多元醇，可列舉於聚胺基甲酸酯技術領域中通常所使用者。例如：聚四亞甲基醚二醇、以聚乙二醇等為代表之聚醚多元醇；以聚丁烯己二酸酯為代表之聚酯多元醇；聚己內酯多元醇；聚己內酯等聚酯二醇與烷撐碳酸酯之反應物等之聚酯聚碳酸酯多元醇；將碳酸伸乙酯與多元醇反應，接著將所得到的反應混合物與有機二羧酸反應後之聚酯聚碳酸酯多元醇；藉由聚羥基化合物與碳酸芳酯之酯交換反應而獲得之聚碳酸酯多元醇；及使聚合物粒子分散之聚醚多元醇之聚合物多元醇等。其等可單獨或併用2種以上使用。
於第1之本發明中，相對於含活性氫之化合物整體，必須使用30~85重量%之官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇。前述高分子量多元醇之羥價以20~60mgKOH/g為佳，其添加量以35~80重量%為佳。
上述高分子量多元醇中宜使用聚合物多元醇，該聚合物多元醇係分散有選自於由聚苯乙烯、聚丙烯腈及苯乙烯－丙烯腈共聚物所構成之群中之至少一種之聚合物粒子。前述聚合物多元醇之添加量，宜相對於高分子量多元醇整體為20~100重量%，更佳為50~100重量%。又，聚合物多元醇中之聚合物粒子之含量宜為1~20重量%，更佳為1~10重量%。
又，上述高分子量多元醇中宜使用聚酯系多元醇。聚酯系多元醇之添加量，宜相對於含活性氫之化合物整體為 5~60重量%，更佳為10~50重量%。
另一方面，於第2之本發明中，宜使用官能基數2~4且羥價20~150mgKOH/g之高分子量多元醇。更佳為羥價50~120mgKOH/g。於羥價未滿20mgKOH/g時，聚胺基甲酸酯之硬鏈段量變少，有耐久性降低之傾向，於超過150mgKOH/g時，聚胺基甲酸酯發泡體之交聯度變得過高，有變脆之傾向。該高分子量多元醇，宜相對於含活性氫之化合物整體為30~85重量%，更佳為30~60重量%。
另一方面，於第3之本發明中，於使聚胺基甲酸酯發泡層成為連續氣泡構造上，宜使用聚合物多元醇，特別是宜使用分散有由丙烯腈及/或苯乙烯－丙烯腈共聚物所構成之聚合物粒子之聚合物多元醇。該聚合物多元醇，宜於所使用之總高分子量多元醇中佔20~100重量%，更佳為30~60重量%。前述高分子量多元醇(包含聚合物多元醇)，宜於含活性氫之化合物中佔60~85重量%，更佳為70~80重量%。藉由使用特定量之前述高分子量多元醇，氣泡膜容易破裂，容易形成連續氣泡構造。
又，上述高分子量多元醇中，宜使用羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇。更佳為羥價25~60mgKOH/g。於羥價未滿20mgKOH/g時，聚胺基甲酸酯之硬鏈段量變少，有耐久性降低之傾向，於超過100mgKOH/g時，聚胺基甲酸酯發泡體之交聯度變得過高，有變脆之傾向。
另一方面，於第4之本發明中，上述高分子量多元醇 中，宜使用官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇。更佳為羥價25~60mgKOH/g。藉由使用該高分子多元醇，可穩定地形成目標之連續氣泡，且研磨層之機械特性良好。官能基數為5以上時，熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體之交聯度變得過高、過脆，於被研磨材表面容易產生刮痕。於羥價未滿20mgKOH/g時，聚胺基甲酸酯之硬鏈段量變少，耐久性降低，於超過100mgKOH/g時，熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體之交聯度變得過高、過脆，於被研磨材表面容易產生刮痕。
又，亦宜使用聚合物多元醇，特別是宜使用分散有由丙烯腈及/或苯乙烯－丙烯腈共聚物所構成之聚合物粒子之聚合物多元醇。該聚合物多元醇，宜於所使用之總高分子量多元醇中佔20~100重量%，更佳為30~60重量%。
此等特定之高分子量多元醇，宜於含活性氫之化合物中佔60~85重量%，更佳為70~80重量%。藉由使用特定量之上述特定之高分子量多元醇，氣泡膜容易破裂，容易形成目標之連續氣泡。
高分子量多元醇之數平均分子量並無特別限定，但由所得到之聚胺基甲酸酯之彈性特性等觀點來看，以1500~6000為佳。數平均分子量未滿1500時，使用其之聚胺基甲酸酯不具有充分的彈性特性，容易成為脆性之聚合物。因此，由此聚胺基甲酸酯構成之發泡層變得過硬，於晶圓表面容易產生刮痕。另一方面，數平均分子量超過6000時，由於使用其之聚胺基甲酸酯樹脂變得過軟，故有由此 聚胺基甲酸酯構成之發泡層之耐久性變差之傾向
亦可與前述高分子量多元醇一同併用以下等的低分子量多元醇，即：乙二醇、1,2－丙二醇、1,3－丙二醇、1,2－丁二醇、1,3－丁二醇、1,4－丁二醇、2,3－丁二醇、1,6－己二醇、季戊二醇、1,4－環己烷二甲醇、3－甲基－1,5－戊二醇、一縮二乙二醇、二縮三乙二醇、1,4－雙(2－羥基乙氧基)苯、三羥甲基丙烷、丙三醇、1,2,6－己二醇、季戊四醇、四羥甲基環己烷、甲基葡萄糖苷、山梨糖醇、甘露糖醇、甜醇、蔗糖、2,2,6,6－四(羥基甲基)環己醇、二乙醇胺、N－甲基二乙醇胺、及三乙醇胺等。又，亦可併用伸乙二胺、甲苯二胺、二苯甲烷二胺、及二伸乙基三胺等低分子量聚胺。又，於上述低分子量多元醇或低分子量聚胺中，亦可併用加成環氧乙烷或環氧丙烷等環氧烷之多元醇。又，亦可併用單乙醇胺、2－(2－胺乙基胺基)乙醇及單丙醇胺等之醇胺。此等低分子量多元醇、低分子量聚胺等可單獨一種使用，亦可併用二種以上。
於第1及3之本發明中，其等中，宜使用羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺。羥價為700~1250mgKOH/g為更佳，胺價為400~950mgKOH/g為更佳。於羥價未滿400mgKOH/g或胺價未滿400mgKOH/g時，有無法充分得到提升連續氣泡化之效果之傾向。另一方面，於羥價超過1830mgKOH/g或胺價超過1870mgKOH/g時，有於晶圓表面容易產生刮痕之傾向。特別是，宜使用 一縮二乙二醇、二縮三乙二醇或1,4－丁二醇。
於使聚胺基甲酸酯發泡體(發泡層)成為連續氣泡構造時，低分子量多元醇、低分子量聚胺及醇胺宜於含活性氫之化合物中合計佔2~15重量%，較佳為5~10重量%。藉由使用特定量之上述低分子量多元醇等，氣泡膜變得容易破裂，不僅容易形成目標之連續氣泡，且聚胺基甲酸酯發泡體之機械特性良好。
另一方面，於第2之本發明中，必須與高分子量多元醇一同使用相對於含活性氫之化合物整體，1~20重量%之官能基數3~8且羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或官能基數3~8且胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺。低分子量多元醇及/或低分子量聚胺之添加量以5~15重量%為佳。
作為具有前述官能基數及羥價之低分子量多元醇，例如可列舉：三羥甲基丙烷、丙三醇、二丙三醇、1,2,6－己三醇、三乙醇胺、季戊四醇、四羥甲基環己烷、甲基葡萄糖苷及其等之環氧烷(EO、PO等)加成物。其等可單獨使用，亦可併用二種以上。特別是宜使用三羥甲基丙烷。
作為具有前述官能基數及胺價之低分子量聚胺，例如可列舉：伸乙二胺、甲苯二胺、二苯甲烷二胺及其等之環氧烷(EO、PO等)加成物。其等可單獨使用，亦可併用二種以上。特別是宜使用伸乙二胺之EO加成物。
於藉由預聚物法製造聚胺基甲酸酯樹脂時，於異氰酸酯末端預聚物之硬化上使用鏈延長劑。鏈延長劑係具有至 少2個以上之活性氫基之有機化合物，作為活性氫基可例示羥基、一級或二級胺基、硫醇基(SH)等。具體而言，可列舉：4,4’－亞甲基雙(鄰氯苯胺)(MOCA)、2,6－二氯－對苯二胺、4,4’－亞甲基雙(2,3－二氯苯胺)、3,5－雙(甲硫基)－2,4甲苯二胺、3,5－雙(甲硫基)－2,6－甲苯二胺、3,5－二乙基甲苯－2,4－二胺、3,5－二乙基甲苯－2,6－二胺、三亞甲基二醇－二－對胺基苯甲酸酯、1,2－雙(2－胺基苯硫基)乙烷、4,4’－二胺基－3,3’－二乙基－5,5’－二甲基二苯甲烷、N,N’－二－第二丁基－4,4’－二胺基二苯甲烷、3,3’－二乙基－4,4’－二胺基二苯甲烷、間苯二甲基二胺、N,N’－二－第二丁基－對苯二胺、間苯二胺及對苯二甲基二胺等聚胺類、或者上述低分子量多元醇或低分子量聚胺等。其等可1種或混合2種以上使用。
於第1及4之本發明中，所使用之含活性氫之化合物之平均羥價(OHVav)宜於下式之範圍內。
(350－80×fav－120/fav)≦OHVav≦(350－80×fav＋120/fav)
於上述式中，OHVav及fav(平均官能基數)以下式算出。
於上式中，n為多元醇成分之數，ai為羥價，bi為官能 基數，ci為添加重量部。
例如，使用之含活性氫之化合物係第1~第n多元醇成分時，設第1多元醇成分之羥價為ai、官能基數為bi及添加重量部為ci…、第n多元醇成分之羥價為an、官能基數為bn及添加重量部為cn。其中，關於聚合物多元醇，由於分散有聚合物粒子，故不論於哪一種類，官能基數皆以3計算。
於藉由預聚物法製造聚胺基甲酸酯時，於異氰酸酯末端預聚物之合成時及硬化時所使用之含活性氫之化合物之種類、添加比並無特別限制，但於異氰酸酯末端預聚物合成時，宜於含活性氫之化合物中使用80重量%以上之高分子量多元醇，於異氰酸酯末端預聚物硬化時，則宜於含活性氫之化合物中使用80重量%以上之低分子量多元醇及/或低分子量聚胺。此種含活性氫之化合物之分別使用方法，由所得到之聚胺基甲酸酯之物理特性之穩定性及生產性之觀點來看為較佳之方法。
異氰酸酯成分、含活性氫之化合物的比，可依照各別的分子量或聚胺基甲酸酯發泡體的期望特性等而作各種改變。為了得到具有期望的特性的發泡體，異氰酸酯成分的異氰酸酯基數相對於含活性氫之化合物的合計活性氫基(羥基＋胺基)數，以0.80~1.20為佳，較佳為0.90~1.15。異氰酸酯基數於前述範圍外時，會產生硬化不良，有無法得到所要求的比重、硬度及壓縮率等之傾向。
再者，異氰酸酯末端預聚物之分子量為800~10000左右者，加工性、物理特性等優異，故為佳。又，預聚物於常 溫下為固體時，係預熱熔融至適當溫度後使用。
聚胺基甲酸酯樹脂，可應用熔融法、溶液法等周知的胺基甲酸酯化技術而製造，但考量成本、作業環境等時，宜以熔融法製造。又，聚胺基甲酸酯樹脂的製造可採用預聚物法及一步發泡法中的任一者。
作為研磨層形成材料之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體，係藉由機械發泡法(包含機械起泡法)而製造。
特別是，以使用聚烷基矽氧烷與聚醚之共聚物之矽類界面活性劑之機械性發泡法為佳。該矽類界面活性劑例如宜使用SH－192及L－5340(TORAY．Dow Corning．Silicone公司製)、B8443(Goldschmidt公司製)等化合物。
再者，亦可視需要添加抗氧化劑等穩定劑、滑劑、顏料、填充劑、抗帶電劑、其他添加劑。
以下說明製造構成研磨層之聚胺基甲酸酯發泡體(發泡層)之方法之例。該聚胺基甲酸酯發泡體之製造方法具有以下步驟。
(1)將於使異氰酸酯成分及高分子量多元醇等反應而成之異氰酸酯末端預聚物中添加矽類界面活性劑之第1成分，於非反應性氣體存在下進行機械攪拌，使非反應性氣體作為微細氣泡分散，成為氣泡分散液。然後，於該氣泡分散液中添加包含低分子量多元醇或低分子量聚胺等之含活性氫之化合物之第2成分，混合後調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。於第2成分中添加適當觸媒、碳黑等之填料亦可。
(2)於包含異氰酸酯成分(或異氰酸酯末端預聚物)之 第1成分、及包含含活性氫之化合物之第2成分中之至少一方，添加矽類界面活性劑，將經添加矽類界面活性劑之成分於非反應性氣體存在下進行機械攪拌，使非反應性氣體作為微細氣泡分散，成為氣泡分散液。然後，於該氣泡分散液中添加剩餘的成分，混合後調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。
(3)於包含異氰酸酯成分(或異氰酸酯末端預聚物)之第1成分、及包含含活性氫之化合物之第2成分中之至少一方，添加矽類界面活性劑，將前述第1成分及第2成分於非反應性氣體存在下進行機械攪拌，使非反應性氣體作為微細氣泡分散，調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。
又，氣泡分散胺基甲酸酯組成物亦可以機械泡沫法調製。所謂機械起泡法係將原料成分放入混合頭之混合室內，同時混入非反應性氣體，藉由以Oakes攪拌器等攪拌器進行混合攪拌，使非反應性氣體成為微細氣泡狀態，分散於原料混合物中之方法。機械起泡法由於藉由調節非反應性氣體之混入量，可輕易調整聚胺基甲酸酯發泡體之密度，故為較佳之方法。又，由於可連續形成具有大致球狀之微細氣泡之聚胺基甲酸酯發泡體，故製造效率佳。
作為用以形成前述微細氣泡所使用的非反應性氣體，以不可燃性者為佳，具體而言可例示氮氣、氧氣、碳酸氣體、氦氣或氬氣等稀有氣體或其等之混合氣體，由成本上考量，以使用乾燥後去除水分之空氣為最佳。
作為使非反應性氣體成為微細氣泡狀而分散之攪拌裝 置，可使用周知的攪拌裝置，並無特別限定，具體而言可例示均化器、迴轉圓盤式攪拌器、2軸行星式攪拌器、機械起泡發泡機等。攪拌裝置的攪拌翼的形狀亦無特別限定，但宜使用打蛋器型的攪拌翼，可得到微細氣泡。為了得到目標之聚胺基甲酸酯發泡體，攪拌翼之轉數以500~2000rpm為佳，較佳為800~1500rpm。又，攪拌時間可依照目標之密度而適當調整。
再者，於發泡步驟中的調製氣泡分散液的攪拌、及混合第1成分及第2成分的攪拌，使用不同的攪拌裝置亦為較佳態樣。混合步驟中的攪拌可不為形成氣泡之攪拌，宜使用不會捲入大氣泡的攪拌裝置。作為此種攪拌裝置以行星型攪拌器為佳。調製氣泡分散液之發泡步驟與混合各成分的混合步驟的攪拌裝置使用同一攪拌裝置亦可，亦可視需要進行調整攪拌翼的旋轉速度等攪拌條件之調整。
於第1及2之本發明中，然後將以上述方法調製的氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於基材層上，使該氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，於基材層上直接形成聚胺基甲酸酯發泡層(研磨層)。
另一方面，於第3之本發明中，然後將以上述方法調製的氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於離型片上，於該氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層基材層，之後一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成聚胺基甲酸酯發泡層(研磨層)。
基材層並無特別限制，例如可列舉：尼龍、聚丙烯、 聚乙烯、聚酯及聚氟乙烯等塑膠薄膜；聚酯不織布、尼龍不織布、丙烯酸不織布等纖維不織布；含浸聚胺基甲酸酯之聚酯不織布等含浸樹脂不織布；聚胺基甲酸酯泡沫體、聚乙烯泡沫體等高分子樹脂發泡體；丁二烯橡膠、異戊橡膠等橡膠性樹脂；感光性樹脂等。其等中，宜使用尼龍、聚丙烯、聚乙烯、聚酯及聚氟乙烯等塑膠薄膜、聚胺基甲酸酯泡沫體、聚乙烯泡沫體等高分子樹脂發泡體。又，亦可使用雙面膠帶、單面黏著膠帶(單面之黏著層係用於貼合於平台)。
為了對研磨墊賦予韌性，基材層宜與聚胺基甲酸酯發泡體同等硬度或更高硬度。又，基材層(雙面膠帶及單面黏著膠帶之情形的基材)之厚度並無特別限制，但由強度、可撓性等觀點，以20~1000μm為佳，較佳為50~800μm。
離型片之形成材料並無特別限制，可列舉與前述基材層相同之樹脂或紙等。離型片最好是因熱所產生之尺寸變化較小者。再者，離型片之表面亦可施予離型處理。
另一方面，於第4之本發明中，然後將以上述方法調製之氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於氮氣穿透速度為1×10－7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下之片體A上。片體A之氮氣穿透速度較佳為1×10－8 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下。
作為片體A之形成材料，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、及聚乙烯等。片體A亦可係於由前述材料構成之基材片之兩面具有接著層之雙面膠帶。
片體A(雙面膠帶之情形為基材片)之厚度並無特別限 制，但由抑制內包於聚胺基甲酸酯發泡層中之氣體的穿透性、強度、可撓性等觀點，以0.025~0.3mm為佳，較佳為0.05~0.2mm。
片體A亦可係施予離型處理之離型片。又，片體A亦可於製造聚胺基甲酸酯發泡層(研磨層)後，不剝離而直接作為支持層使用。
作為將氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於基材層、離型片或片體A上之方法，可採用例如凹版式、接觸(kiss)式、刮刀(comma)式等輥塗布、狹縫式、噴泉式等模具塗布、擠壓式塗布、簾幕式塗布等塗布方法，但只要可以於基材層、離型片或片體A上形成均勻的塗膜，使用任何方法皆可。
將氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於基材層、離型片或片體A上、反應至不流動為止之聚胺基甲酸酯發泡體加以加熱、進行後硬化，具有提升聚胺基甲酸酯發泡體之物理特性的效果，極佳。後硬化宜於40~70℃下進行10分鐘~24小時，又，於常壓下進行時由於氣泡形狀穩定，故為佳。
於聚胺基甲酸酯發泡體之製造中，亦可使用三級胺類等周知的促進聚胺基甲酸酯反應之觸媒。觸媒的種類及添加量係考量各成分之混合步驟後，用以塗布於基材片上之流動時間而選擇。
聚胺基甲酸酯發泡層之製造，可採用計算各成分後投入容器中加以機械攪拌之批次方式、或於攪拌裝置連續供給各成分及非反應性氣體，加以機械攪拌，送出氣泡分散胺基甲酸酯組成物，以製造成形品之連續生產方式。
於第1~3之本發明之研磨墊之製造方法中，於基材片上形成聚胺基甲酸酯發泡體後、或形成聚胺基甲酸酯發泡體之同時，必須均勻地調整聚胺基甲酸酯發泡體之厚度。均勻地調整聚胺基甲酸酯發泡體之厚度之方法，並無特別限制，但例如可列舉以研磨材進行拋光之方法、以切片機進行切片之方法、以加壓板進行加壓之方法等。於進行拋光或切片時，可得到於聚胺基甲酸酯發泡體表面不具有表層之研磨層，於加壓時，可得到於聚胺基甲酸酯發泡體表面具有表層之研磨層。加壓時之條件並無特別限制，但宜溫度調節至玻璃轉移點以上。
另一方面，將以上述方法調製之氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於離型片上，於該氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層基材層。之後，亦可一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成聚胺基甲酸酯發泡體。該方法由於可極均勻地控制研磨層之厚度，故為尤其佳之方法。
均勻地調整由離型片、氣泡分散胺基甲酸酯組成物(氣泡分散胺基甲酸酯層)及基材層所構成之夾心結構片的厚度之加壓機構，並無特別限制，但可列舉例如藉由塗布輥、夾輥等壓縮至一定厚度之方法。考量到壓縮後發泡層中的氣泡變大1.2~2倍左右，於壓縮時，宜使(塗布或夾持的間距)－(基材層及離型片的厚度)＝(硬化後的聚胺基甲酸酯發泡體的厚度之50~85%)。又，為了得到比重0.2~0.5之聚胺基甲酸酯發泡體，通過輥之前的氣泡分散胺基甲酸酯組成 物之比重宜為0.24~1。
然後，於使前述夾心結構片的厚度均勻之後，將反應至不流動之聚胺基甲酸酯發泡體加熱，進行後硬化。後硬化之條件與前述相同。
之後，剝離聚胺基甲酸酯發泡體下之離型片。此時，於聚胺基甲酸酯發泡體之表面形成表層。如上所述，藉由機械發泡法形成聚胺基甲酸酯發泡體時，聚胺基甲酸酯發泡體之下面側的氣泡差異比上面側小。由此，藉由以形成之聚胺基甲酸酯發泡體之下面側作為研磨表面，成為氣泡差異較小之研磨表面，故研磨速度之穩定性進一步提升。再者，於剝離離型片後，藉由拋光或切片聚胺基甲酸酯發泡體等而去除表層亦可。
另一方面，於第4之本發明之研磨墊之製造方法中，將氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於片體A上後，於該氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層片體B。然後，一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成聚胺基甲酸酯發泡層。
使用之片體B，其氮氣穿透速度必須為1×10－7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下，較佳為1×10－8 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下。作為滿足該條件之形成材料，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、及聚乙烯等。片體B最好是因熱所產生之尺寸變化較小者。片體B亦可係於由前述材料構成之基材片之兩面具有接著層之雙面膠帶。又，片體B亦可係施予離型處理之離型片。再者，片體B亦可於製造聚胺基甲酸 酯發泡層(研磨層)後，不剝離而直接作為支持層使用。
片體B(雙面膠帶之情形為基材片)之厚度並無特別限制，但由抑制內包於聚胺基甲酸酯發泡層中之氣體的穿透性、強度、可撓性等觀點，以0.025~0.3mm為佳，較佳為0.05~0.2mm。
均勻地調整由片體A、氣泡分散胺基甲酸酯組成物(氣泡分散胺基甲酸酯層)及片體B所構成之夾心結構片的厚度之加壓機構，並無特別限制，但可列舉例如藉由塗布輥、夾輥等壓縮至一定厚度之方法。考量到壓縮後發泡層中的氣泡變大1.2~2倍左右，於壓縮時，宜使(塗布或夾持的間距)－(片體A及B的厚度)＝(硬化後的聚胺基甲酸酯發泡體的厚度之50~85%)。又，為了得到比重0.2~0.7之聚胺基甲酸酯發泡層，通過輥之前的氣泡分散胺基甲酸酯組成物之比重宜為0.24~1。
然後，於使前述夾心結構片的厚度均勻之後，將反應至不流動之聚胺基甲酸酯發泡體加熱，進行後硬化，形成聚胺基甲酸酯發泡層。進行後硬化具有提升聚胺基甲酸酯發泡體之物理特性的效果，極佳。後硬化宜於60~80℃下進行30分鐘以上，又，於常壓下進行時由於氣泡形狀穩定，故為佳。
於第4之本發明中，宜一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面多階段地使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化。此種硬化步驟宜至少包含1次硬化及2次硬化，1次硬化之硬化溫度為30~50℃、硬化時間為5~60分鐘，2次硬化之硬化溫度為 60~80℃、硬化時間為30分鐘以上。再者，亦可於1次硬化後直接升溫，進行2次硬化，亦可於1次硬化後一度冷卻至室溫左右，之後進行2次硬化。
然後，剝離聚胺基甲酸酯發泡層上及/或下之片體(離型片)。此時，於聚胺基甲酸酯發泡層之表面形成表層。再者，於剝離離型片後，藉由拋光或切片聚胺基甲酸酯發泡層等而去除表層亦可。將片體A及B作為支持層使用時，藉由將聚胺基甲酸酯發泡層一分為二，可製作二片於支持層上具有聚胺基甲酸酯發泡層(研磨層)之研磨片。
如上所述，藉由機械發泡法形成聚胺基甲酸酯發泡層時，聚胺基甲酸酯發泡層之下面側的氣泡差異比上面側小。由此，藉由以形成之聚胺基甲酸酯發泡層之下面側作為研磨表面，成為氣泡差異較小之研磨表面，研磨速度之穩定性進一步提升。
聚胺基甲酸酯發泡體之厚度並無特別限制，但以0.2~3mm為佳，0.5~2mm為更佳。
以上述方法製造之聚胺基甲酸酯發泡體主要具有連續氣泡構造，其連續氣泡率為50%以上，較佳為60%以上。
聚胺基甲酸酯發泡體具有於氣泡表面形成圓形孔之大致球狀連續氣泡。再者，該連續氣泡並非藉由壓碎而形成者。
於第1、2及4之本發明中，聚胺基甲酸酯發泡體中之連續氣泡之平均氣泡徑為20~300μm，較佳為50~100μm。又，氣泡表面之圓形孔之平均直徑宜為100μm以下，較佳為 50μm以下。脫離此範圍時，研磨速度降低，耐久性下降。
另一方面，於第3之本發明中，設於厚度方向上四等分聚胺基甲酸酯發泡層(研磨層)之各直線，自研磨表面側向基材層方向分別為第1直線、第2直線及第3直線時，第1~第3直線之平均氣泡徑之平均值宜為35~300μm，較佳為35~100μm，特佳為40~80μm。脫離此範圍時，有研磨速度降低，耐久性下降之傾向。又，聚胺基甲酸酯發泡層藉由連續氣泡構造具有適度的保水性。
又，第1直線之氣泡徑分布(氣泡徑最大值/氣泡徑最小值)宜為最小，第3直線之氣泡徑分布宜為最大。即，聚胺基甲酸酯發泡層之氣泡徑分布，宜自研磨表面朝基材層方向變大。然後，第1直線之氣泡徑分布宜為3.5以下，較佳為3以下。又，第2直線之氣泡徑分布通常為4~6，第3直線之氣泡徑分布通常為7以上。
聚胺基甲酸酯發泡體之比重宜為0.2~0.6，較佳為0.3~0.5。比重未滿0.2時，有氣泡率變過高、耐久性變差之傾向。另一方面，比重超過0.6時，為了具有某一定的彈性率，必須使材料成為低交聯密度。此時，有永久變形增大、耐久性變差之傾向。
聚胺基甲酸酯發泡層之硬度，以ASKER C硬度計宜為10~80度，較佳為15~70度，特佳為15~35度。於ASKER C硬度未滿10度時，有耐久性降低、研磨後之被研磨材之平坦性變差之傾向。另一方面，於超過80度時，於被研磨材表面容易產生刮痕。
本發明之研磨墊之形狀並無特別限制，可為長度5~10m左右之長條狀，亦可為直徑50~150cm左右之圓形狀。
研磨層表面亦可具有用以保持及更新漿料之凹凸構造。由發泡體構成之研磨層，於研磨表面具有多數開口，具有保持及更新漿料之功能，但藉由於研磨表面形成凹凸構造，可進一步有效率地進行漿料的保持及更新，且可防止因與研磨對象物的吸附而破壞研磨對象物。凹凸構造只要是可保持及更新漿料之形狀即可，並無特別限定，例如可列舉X(條紋)溝、XY格子溝、同心圓狀溝、貫通孔、未貫通孔、多角柱、圓柱、螺旋狀溝、偏心圓狀溝、放射狀溝及其等溝之組合者。再者，該等凹凸構造一般而言為具有規則性者，但為了使漿料的保持及更新性成為期望值，亦可於某範圍內改變溝距、溝寬、溝深等。
前述凹凸構造之製作方法並無特別限定，但例如可列舉以下方法，即：使用特定尺寸的刀具等治具，進行機械切削之方法、於具有特定表面形狀的模具內流入樹脂，使其硬化而製成之方法、以具有特定表面形狀之加壓板加壓樹脂而製成之方法、使用光微影成像法製成之方法、使用印刷法製作之方法、使用碳酸氣體雷射等雷射光之製作方法等。
第1~3之本發明之研磨墊亦可係於前述基材層之單面貼合緩衝片者。
第4之本發明之研磨墊亦可係於前述研磨層之單面或前述支持層之單面貼合緩衝片者。
前述緩衝片(緩衝層)係補償研磨層之特性者。緩衝片係 於CMP中用以確保處於抵換(trade－off)關係之平坦性與均勻性之兩者所必要者。所謂平坦性係指研磨具有於圖案形成時所產生的微小凹凸之被研磨材時的圖案部的平坦性，所謂均勻性係指被研磨材整體的均勻性。依照研磨層的特性改善平坦性，依照緩衝片的特性改善均勻性。於本發明之研磨墊中，緩衝片宜使用比研磨層柔軟者。
作為前述緩衝片，例如可列舉聚酯不織布、尼龍不織布、丙烯酸不織布等纖維不織布或含浸聚胺基甲酸酯之聚酯不織布等含浸樹脂不織布、聚胺基甲酸酯泡沫體、聚乙烯泡沫體等高分子樹脂發泡體、丁二烯橡膠、異戊橡膠等橡膠性樹脂、感光性樹脂等。
作為貼合緩衝片的方法，例如可列舉將基材層與緩衝片以雙面膠帶挾持、加壓之方法。
又，本發明之研磨墊亦可於與平台接著的面上設置雙面膠帶。
半導體裝置係經過使用前述研磨墊研磨半導體晶圓的表面之步驟而製造。所謂半導體晶圓係一般於矽晶圓上積層配線金屬及氧化膜者。半導體晶圓之研磨方法、研磨裝置並無特別限制，例如可使用第1圖所示的研磨裝置等進行，該研磨裝置具備：支持研磨墊1的研磨平盤2、支持半導體晶圓4的支持台(拋光頭)5、用以進行朝晶圓的均勻加壓之支持材及研磨劑3的供給機構。研磨墊1例如藉由雙面膠帶的貼附而安裝於研磨平盤2上。研磨平盤2與支持台5配置成分別支持的研磨墊1與半導體晶圓4相對置，且分別具有 旋轉軸6、7。再者，於支持台5側設置有用以將半導體晶圓4壓抵於研磨墊1之加壓機構。研磨時，一面使研磨平盤2與支持台5旋轉，一面將半導體晶圓4壓抵於研磨墊1，一面供給漿料地進行研磨。漿料的流量、研磨荷重、研磨平盤旋轉數及晶圓旋轉數並無特別限定，可適當調整後進行。
藉此，改善半導體晶圓4表面的表面粗糙度，去除刮痕。之後，藉由進行切割、打線、封裝等製成半導體裝置。半導體裝置可使用於運算處理裝置或記憶體等。又，透鏡或硬碟用玻璃基板亦可以前述相同方法進行精研磨。
實施例
以下，以實施例說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
〔測定、評量方法〕
(氮氣穿透速度的測定) 片體之氮氣穿透速度〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕係以ASTM－D－1434為基準測定。具體而言以下列方法測定。將片體切成12cm ψ的大小，製作試樣。以2片具有10cm ψ的氣體穿透面積的板夾住前述試樣，對該試樣的兩面賦予壓力差，由25℃下的氮氣穿透體積相對於時間的變化梯度求出氮氣穿透速度。其中，試樣為樹脂時，令壓力差為0.5MPa，試樣為紙時，令壓力差為0.3MPa。
(平均氣泡徑的測定) 將製成的聚胺基甲酸酯發泡體以剃刀平行地切出厚度盡可能地薄至1mm以下之發泡體，作為試樣。將試樣固定 於玻璃載片上，使用SEM(S－3500N、日立科學系統公司製(股份))以200倍進行觀察。將所獲得的影像以影像解析軟體(WinRoof、三谷商事(股份))測定任意範圍的全氣泡徑，算出平均氣泡徑。其中，橢圓球狀之氣泡之情形，將其面積換算成圓的面積，以投影面積直徑作為氣泡徑。
(第3之本發明中之平均氣泡徑的測定) 使用SEM(S－3500N、日立科學系統公司製(股份))以45倍觀察製成的聚胺基甲酸酯發泡層的剖面。將於厚度方向上四等分聚胺基甲酸酯發泡層的三條直線拉至所獲得的影像上。於該直線的任意2mm之間，測定與氣泡相交的直線的線段長度，求得其平均值。對於三條直線分別求得平均值，將所得到的三個平均值進一步進行平均後之值作為平均氣泡徑。
(氣泡徑分布之測定) 將製成之聚胺基甲酸酯發泡層於厚度方向上四等分之各直線，自研磨表面側向基材層方向分別設為第1直線、第2直線及第3直線。測定各直線內之氣泡徑之最大值及最小值，由下式算出。
氣泡徑分布＝氣泡徑最大值/氣泡徑最小值
(連續氣泡率的測定) 連續氣泡率以ASTM－2856－94－C法為基準測定。其中，將沖孔成圓形的聚胺基甲酸酯發泡體重疊10片後，作為測定試樣。測定器使用空氣比較式比重計930型(Beckman股份有限公司製)。連續氣泡率以下式算出。
連續氣泡率(%)＝〔(V－V1)/V〕×100
V：由試樣尺寸算出的外觀容積(cm3 )
V1：使用空氣比較式比重計測定的試樣之容積(cm3 )
(比重之測定) 以JIS Z8807－1976為基準進行。將製成的聚胺基甲酸酯發泡體切成4cm×8.5cm的短條狀(任意厚度)，作為試樣，於溫度23℃±2℃、溼度50%±5%之環境下靜置16小時。於測定上使用比重計(Sartorius公司製)，測定比重。
(硬度之測定) 以JIS K－7312為基準進行。將製成的聚胺基甲酸酯發泡體切成5cm×5cm(任意厚度)的大小，作為試樣，於溫度23℃±2℃、溼度50%±5%之環境下靜置16小時。於測定時，將試料重疊，使厚度成為10mm以上。使用硬度計(高分子計器公司製、ASKER C型硬度計、加壓面高度：3mm)，使加壓面接觸之後測定30秒後之硬度。
(接著強度之測定) 將製成的研磨墊切成寬25mm、長130mm的大小，剩餘端部長50mm，自基材層剝離聚胺基甲酸酯發泡層。之後，將聚胺基甲酸酯發泡層相對於基材層，以剝離角度180∘、剝離速度50mm/min之條件進行剝離，測定此時之最大應力(N)，以該值作為接著強度(N)。
(修整速度的測定) 將製成的研磨墊表面以鑽石修整器(日本旭鑽石公司製、M型#100、20cmΦ圓形)一面旋轉一面均勻地修整。此 時的修整荷重為100g/cm2 、研磨平盤旋轉數為30rpm、修整器旋轉數為15rpm、修整時間為30min。然後，由修整前後的研磨墊的厚度求出修整速度。
(研磨速度穩定性之評價) 研磨裝置使用SPP600S(日本岡本工作機械公司製)，進行製作之研磨墊之研磨速度穩定性之評價。評價結果示於表1。研磨條件如下。
玻璃板：6英吋ψ、厚度1.1mm(光學玻璃、BK7) 漿料：二氧化鈰漿料(昭和電工GPL C1010) 漿料量：100ml/min 研磨加工壓力：10kPa 研磨平盤旋轉數：55rpm 玻璃板旋轉數：50rpm 研磨時間：10min/片 研磨的玻璃板片數：500片
首先，算出每一片研磨的玻璃板之研磨速度(/min)。算出方法如下。
研磨速度＝〔研磨前後的玻璃板之重量變化量〔g〕/(玻璃板密度〔g/cm3 〕×玻璃板之研磨面積〔cm2 〕×研磨時間〔min〕)〕×108
研磨速度穩定性(%)係求出由第一片玻璃板至處理片數(100片、300片或500片)的最大平均研磨速度、最小平均研磨速度及全平均研磨速度(由第一片至處理片數的各研磨速度的平均值)，將該值代入下式而算出。研磨速度穩定 性(%)的數值愈低，表示即使研磨多數的玻璃板，研磨速度亦不易改變。於本發明中，處理500片之後的研磨速度穩定性宜於15%以內，較佳為10%以內。又，算出處理500片之後的平均研磨速度。
研磨速度穩定性(%)＝{(最大研磨速度－最小研磨速度)/全平均研磨速度}×100
〔第1之本發明〕
實施例1 於容器中放入高分子量多元醇EX－5030(日本旭硝子股份有限公司製、OHV：33、官能基數：3)80重量份、聚三醇己內酯(DAICEL化學(股份)製、PLACCEL305、OHV：305、官能基數：3)5重量份、聚二醇己內酯(DAICEL化學(股份)製、PLACCEL205、OHV：208、官能基數：2)5重量份、一縮二乙二醇(OHV：1057、官能基數：2)10重量份、矽類界面活性劑(SH－192、TORAY．Dow Corning．Silicone公司製)6重量份、及觸媒(No.25、花王製)0.30重量份，加以混合，調製第2成分(40℃)。再者，平均羥價(OHVav)為157.8mgKOH/g(計算值)、平均官能基數(fav)為2.9(計算值)。然後，使用攪拌翼，以旋轉數900rpm激烈地進行約4分鐘攪拌，使氣泡進入反應系統內。之後，於前述第2成分中添加第1成分之碳二醯亞胺改性MDI(日本聚胺基甲酸酯工業(股份)製、Millionate MTL、NCOwt%：29wt%、40℃)44.8重量份(NCO/OH＝1.1)，攪拌約1分鐘，調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。
將調製的氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於經離型處理之離型片(聚對苯二甲酸乙二酯、東洋紡績股份有限公司製、東洋紡酯E7002、厚度：0.05mm)上，形成氣泡分散胺基甲酸酯層。然後，於該氣泡分散胺基甲酸酯層上被覆基材層(聚對苯二甲酸乙二酯、東洋紡績股份有限公司製、東洋紡酯E5001、厚度：0.188mm)。藉由夾輥(間距：1.5mm)使氣泡分散胺基甲酸酯層成為1.6mm厚度，之後以60℃進行60分鐘硬化，形成聚胺基甲酸酯發泡層。然後，剝離聚胺基甲酸酯發泡層下之離型片。之後，使用切片機(FECKEN公司製)使聚胺基甲酸酯發泡層之厚度成為1.3mm，調整厚度精度。然後，使用層壓機於基材層表面貼上雙面膠帶(doubletac膠帶、日本積水化學工業製)，製作研磨墊。以顯微鏡觀察聚胺基甲酸酯發泡層之剖面後，結果發現主要形成有於氣泡表面形成圓形孔之球狀的連續氣泡。
實施例2 除了取代實施例1中之EX－5030，使用分散有由苯乙烯－丙烯腈共聚物構成之聚合物粒子之聚合物多元醇EX－940(日本旭硝子股份有限公司製、OHV：28、官能基數：換算為3)80重量份，且Millionate MTL之添加量從44.8重量份變更為43.7重量份外，以與實施例1相同方法，製成研磨墊。再者，平均羥價(OHVav)為153.8mgKOH/g(計算值)、平均官能基數(fav)為2.9(計算值)。以顯微鏡觀察聚胺基甲酸酯發泡層之剖面後，結果發現主要形成有於氣泡表面形成圓形孔之球狀的連續氣泡。
實施例3 除了取代實施例1中之EX－5030，使用55重量份之EX－940，且將PLACCEL305之添加量從5重量份變更為20重量份，PLACCEL205之添加量從5重量份變更為20重量份，一縮二乙二醇之添加量從10重量份變更為5重量份，No.25之添加量從0.30重量份變更為0.23重量份及Millionate MTL之添加量從44.8重量份變更為48.5重量份外，以與實施例1相同方法，製成研磨墊。再者，平均羥價(OHVav)為170.9mgKOH/g(計算值)、平均官能基數(fav)為2.8(計算值)。以顯微鏡觀察聚胺基甲酸酯發泡層之剖面後，結果發現主要形成有於氣泡表面形成圓形孔之球狀的連續氣泡。
實施例4 除了取代實施例1中之EX－5030，使用35重量份之EX－940，且將PLACCEL305之添加量從5重量份變更為30重量份，PLACCEL205之添加量從5重量份變更為30重量份，一縮二乙二醇之添加量從10重量份變更為5重量份，No.25之添加量從0.30重量份變更為0.10重量份及Millionate MTL之添加量從44.8重量份變更為61.5重量份外，以與實施例1相同方法，製成研磨墊。再者，平均羥價(OHVav)為216.6mgKOH/g(計算值)、平均官能基數(fav)為2.7(計算值)。以顯微鏡觀察聚胺基甲酸酯發泡層之剖面後，結果發現主要形成有於氣泡表面形成圓形孔之球狀的連續氣泡。
比較例1 於容器中放入EX－5030(90重量份)、PLACCEL305(8重 量份)、一縮二乙二醇(2重量份)、SH－192(6重量份)、及觸媒(No.25)0.30重量份，加以混合，調製第2成分(40℃)。再者，平均羥價(OHVav)為75.24mgKOH/g(計算值)、平均官能基數(fav)為2.98(計算值)。然後，使用攪拌翼，以旋轉數900rpm激烈地進行約4分鐘攪拌，使氣泡進入反應系統內。之後，於前述第2成分中添加第1成分之Millionate MTL(21重量份、40℃)(NCO/OH＝1.1)，攪拌約1分鐘，調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。之後，以與實施例1相同方法製作研磨墊。以顯微鏡觀察聚胺基甲酸酯發泡層之剖面後，結果發現幾乎為獨立氣泡。
比較例2 使熱可塑性胺基甲酸酯(Resurmin(音譯)7285、日本大日精化製)1 0重量份溶解於二甲基甲醯胺90重量份，調製胺基甲酸酯溶液。將該胺基甲酸酯溶液塗布於厚度藉由拋光調整至0.8mm之基材層(日本東洋紡績公司製、VOLANS 4211N、ASKER C硬度22)上，形成胺基甲酸酯膜。之後，將胺基甲酸酯膜－基材層浸漬於DMF－水混合液(DMF/水＝30/70)30分鐘，進而於水中浸漬24小時，以水取代二甲基甲醯胺，形成聚胺基甲酸酯發泡層。然後，使用切片機(FECKEN公司製)使聚胺基甲酸酯發泡層之厚度成為1.3mm，調整厚度精度。之後，使用層壓機於基材層表面貼上雙面膠帶(doubletac膠帶、日本積水化學工業製)，製作研磨墊。以顯微鏡觀察聚胺基甲酸酯發泡體之剖面後，可知形成有細長水滴狀的氣泡。
由表1可知，本發明之研磨墊，研磨速度穩定性優異且研磨層與基材層之接著性良好。
〔第2之本發明〕
實施例1 於容器中放入聚四亞甲基醚二醇(日本三菱化學公司製、PTMG1000、官能基數：2、羥價：110mgKOH/g)85重量份、聚己內酯多元醇(DAICEL化學(股份)製、PLACCEL205、官能基數：2、羥價：208mgKOH/g)5重量份、聚己內酯多元醇(DAICEL化學(股份)製、PLACCEL305、官能基數：3、羥價：305mgKOH/g)5重量份、三羥甲基丙烷(官能基數：3、羥價：1245mgKOH/g)5重量份、矽類界面活性劑(Goldschmidt公司製、B8443)6重量份、及觸媒(花王製、Kao No.25)0.3重量份，加以混合。然後，使用攪拌翼，以旋轉數900rpm激烈地進行約4分鐘攪拌，使氣泡進入反應系統內。之後，添加碳二醯亞胺改性MDI(日本聚胺基甲酸酯工業製、Millionate MTL)33重量份，攪拌約1分鐘，調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。
將調製的氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於由經離型處理之PET片(日本東洋紡績公司製、厚度75μm)所構成之離型片上，形成氣泡分散胺基甲酸酯層。然後，於該氣泡分散胺基甲酸酯層上被覆由PET片(日本東洋紡績公司製、厚度188μm)所構成之基材層。藉由夾輥使氣泡分散胺基甲酸酯層成為1.5mm厚度，於40℃進行1次硬化30分鐘後，於70℃進行2次硬化30分鐘，形成聚胺基甲酸酯發泡體(發泡層)。然後，剝離離型片。之後，使用切片機(FECKEN公司製)使聚胺基甲酸酯發泡層之厚度成為1.3mm，調整厚度精度。然後，使用層壓機於基材層表面貼上雙面膠帶(doub1etac膠帶、日本積水化學工業製)，製作研磨墊。
實施例2~6及比較例1 按表2所記載之添加比，藉由與實施例1相同方法製作研磨墊。
比較例2 使熱可塑性胺基甲酸酯(Resurmin(音譯)7285、日本大日精化製)10重量份溶解於二甲基甲醯胺90重量份，調製胺基甲酸酯溶液。將該胺基甲酸酯溶液塗布於厚度藉由拋光調整至0.8mm之基材層(日本東洋紡績公司製、VOLANS 4211N、ASKER C硬度22)上，形成胺基甲酸酯膜。之後，將胺基甲酸酯膜－基材層浸漬於DMF－水混合液(DMF/水＝30/70)30分鐘，進而於水中浸漬24小時，以水取代二甲基甲醯胺，形成聚胺基甲酸酯發泡層。然後，使用切片機(FECKEN公司製)使聚胺基甲酸酯發泡層之厚度成為 1.3mm，調整厚度精度。之後，使用層壓機於基材層表面貼上雙面膠帶(doubletac膠帶、日本積水化學工業製)，製作研磨墊。
由表3可知，本發明之研磨墊，研磨速度穩定性優異、自修整性佳且研磨層與基材層之接著性良好。
〔第3之本發明〕
製造例 於容器中放入POP36/28(日本三井化學股份公司製、聚合物多元醇、羥價：28mgKOH/g)40重量份、ED－37A(日本三井化學股份公司製、聚醚多元醇、羥價：38mgKOH/g)40重量份、PCL305(DAICEL化學(股份)製、聚酯多元醇、羥價：305mgKOH/g)10重量份、一縮二乙二醇10重量份、矽類界面活性劑(SH－192、TORAY．Dow Corning．Silicone公司製)5.5重量份、及觸媒(No.25、花王製)0.25重量份，加以混合。然後，使用攪拌翼，以旋轉數900rpm激烈地進行約4分鐘攪拌，使氣泡進入反應系統內。之後，添加Millionate MTL(日本聚胺基甲酸酯工業製)46.2重量份，攪拌約1分鐘，調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物A。
實施例1 將調製的氣泡分散胺基甲酸酯組成物A塗布於經離型處理之離型片(聚對苯二甲酸乙二酯、厚度：0.2mm)上，形成氣泡分散胺基甲酸酯層。然後，於該氣泡分散胺基甲酸酯層上被覆基材層(日本東洋紡績公司製、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、厚度：0.2mm)。藉由夾輥使氣泡分散胺基甲酸酯層成為1.2mm厚度，之後以70℃進行3小時硬化，形成聚胺基甲酸酯發泡層。然後，剝離聚胺基甲酸酯發泡層之下面側之離型片。之後，使用拋光機(AMITEC公司製)拋光處理聚胺基甲酸酯發泡層的表面，使厚度成為1.0mm，調整厚度精度。然後，使用層壓機於基材層表面貼上雙面膠帶(doubletac膠帶、日本積水化學工業製)，製作研磨墊。於第2圖顯示該研磨墊之剖面之顯微鏡照片。
比較例1 將調製的氣泡分散胺基甲酸酯組成物A塗布於基材層(日本東洋紡績公司製、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、厚度：0.2mm)上，形成氣泡分散胺基甲酸酯層。然後，於該氣泡分散胺基甲酸酯層上被覆經離型處理之離型片(聚對苯二甲酸乙二酯、厚度：0.2mm)。藉由夾輥使氣泡分散胺基甲酸酯層成為1.2mm厚度，之後以70℃進行3小時硬化，形成聚胺基甲酸酯發泡層。然後，剝離聚胺基甲酸酯發泡層上面側之離型片。之後，以與實施例1相同方法製作研磨墊。於第3圖顯示該研磨墊之剖面之顯微鏡照片。
由表4可知，本發明之研磨墊由於研磨表面附近之氣泡差異較小，故研磨速度之穩定性非常優異。
〔第4之本發明〕
實施例1 於容器中放入高分子量多元醇EX－5030(日本旭硝子股份有限公司製、OHV：33、官能基數：3)70重量份、聚三醇己內酯(DAICEL化學(股份)製、PLACCEL305、OHV：305、官能基數：3)30重量份、矽類界面活性劑(L－5340、TORAY．Dow Corning．Silicone公司製)5重量份、及觸媒(No.25、花王製)0.18重量份，加以混合，調製第2成分 (25℃)。再者，平均羥價(OHVav)為114.6mgKOH/g(計算值)、平均官能基數(fav)為3(計算值)。然後，使用攪拌翼，以旋轉數900rpm激烈地進行約4分鐘攪拌，使氣泡進入反應系統內。之後，於前述第2成分中添加第1成分之碳二醯亞胺改性MDI(日本聚胺基甲酸酯工業(股份)製、MillionateMTL、NCOwt%：29wt%、25℃)32.5重量份(NCO/OH＝1.1)，攪拌約1分鐘，調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。
將調製的氣泡分散胺基甲酸酯組成物塗布於經離型處理之離型片(聚對苯二甲酸乙二酯、東洋紡績股份有限公司製、東洋紡酯E7002、厚度：0.05mm、氮氣穿透速度：1.15×10－10 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕)上，形成氣泡分散胺基甲酸酯層。然後，於該氣泡分散胺基甲酸酯層上被覆支持片(聚對苯二甲酸乙二酯、東洋紡績股份有限公司製、東洋紡酯E5001、厚度：0.188mm、氮氣穿透速度：3.72×10－11 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕)。藉由夾輥(間距：1.1mm)使氣泡分散胺基甲酸酯層成為1.3mm厚度，於40℃進行1次硬化10分鐘後，於70℃進行2次硬化2小時，形成聚胺基甲酸酯發泡層。然後，剝離聚胺基甲酸酯發泡層下之離型片。之後，使用帶鋸型的切片機(FECKEN公司製)切片聚胺基甲酸酯發泡層表面，使厚度成為1.0mm，調整厚度精度。然後，使用層壓機於支持片表面貼上雙面膠帶(doubletac膠帶、日本積水化學工業製)，製作研磨墊。
實施例2 除了於實施例1中於70℃進行1次硬化2小時，之後不進 行2次硬化外，以與實施例1相同方法製作研磨墊。
實施例3 除了取代實施例1所記載之離型片，使用離型片(聚丙烯、東洋紡績股份有限公司製、TOYOPEARL(音譯)SSP4256、厚度：0.05mm、氮氣穿透速度：2.33×10－9 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕)以外，以與實施例1相同方法製作研磨墊。
比較例1 除了取代實施例1所記載之離型片及支持片，使用離型片(紙、王子製紙公司製、分隔片70GS、厚度：0.058mm、氮氣穿透速度：1.06×10－6 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕)及支持片(紙、王子製紙公司製、分隔片70GS、厚度：0.058mm、氮氣穿透速度：1.06×10－6 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕)以外，以與實施例1相同方法，製成聚胺基甲酸酯發泡層。然後，剝離聚胺基甲酸酯發泡層上下之離型片及支持片。接著，使用帶鋸型的切片機(FECKEN公司製)切片聚胺基甲酸酯發泡層之兩表面，使厚度成為1.0mm，調整厚度精度。然後，使用層壓機於聚胺基甲酸酯發泡層貼上雙面膠帶(基材：聚對苯二甲酸乙二酯)，製作研磨墊。
由表5可知，本發明之研磨墊，其研磨速度穩定性優異。 如比較例1般使用氮氣穿透速度較大之離型片及支持片時，聚胺基甲酸酯發泡層收縮，且無法成為球狀之氣泡構造。
1‧‧‧研磨墊
2‧‧‧研磨平盤
3‧‧‧研磨劑(漿料)
4‧‧‧被研磨材(半導體晶圓、透鏡、玻璃板)
5‧‧‧支持台(拋光頭)
6‧‧‧旋轉軸
7‧‧‧旋轉軸
第1圖係顯示於CMP研磨中所使用之研磨裝置之一例之概略構成圖。
第2圖係第3之本發明之實施例1中之研磨墊之顯微鏡照片(SEM照片)。
第3圖係第3之本發明之比較例1中之研磨墊之顯微鏡照片(SEM照片)。
1‧‧‧研磨墊
2‧‧‧研磨平盤
3‧‧‧研磨劑(漿料)
4‧‧‧被研磨材(半導體晶圓、透鏡、玻 璃板)
5‧‧‧支持台(拋光頭)
6‧‧‧旋轉軸
7‧‧‧旋轉軸

Claims (23)

  1. 一種研磨墊，其係於基材層上設有研磨層者，其特徵在於：前述研磨層由具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體構成，前述聚胺基甲酸酯發泡體含有異氰酸酯成分及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有30~85重量%之官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g的高分子量多元醇，且前述聚胺基甲酸酯發泡體係自行接著於基材層上。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中前述高分子量多元醇含有20~100重量%之聚合物多元醇，該聚合物多元醇係分散有選自於由聚苯乙烯、聚丙烯腈及苯乙烯-丙烯腈共聚物所構成之群中之至少一種之聚合物粒子。
  3. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中前述含活性氫之化合物含有2~15重量%之羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺。
  4. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中前述含活性氫之化合物含有5~60重量%之聚酯系多元醇。
  5. 一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物含有異氰酸酯成分及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化 合物含有30~85重量%之官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇；於基材層上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；藉由使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，以使其自行接著於基材層上而形成具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及均勻調整熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層之厚度。
  6. 一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物含有異氰酸酯成分及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有30~85重量%之官能基數2~4、羥價20~100mgKOH/g之高分子量多元醇；於離型片上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層基材層；一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，以使其自行接著於基材層上而形成具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及剝離熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層下之離型片。
  7. 一種研磨墊，其係於基材層上設有研磨層者，其特徵在於：前述研磨層由具有平均氣泡徑為20~300μm之大致 球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡體構成，前述聚胺基甲酸酯發泡體含有異氰酸酯成分及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有1~20重量%之官能基數3~8且羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或官能基數3~8且胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺。
  8. 如申請專利範圍第7項之研磨墊，其中前述低分子量多元醇係選自於由三羥甲基丙烷、丙三醇、二丙三醇、1,2,6-己三醇、三乙醇胺、季戊四醇、四羥甲基環己烷、甲基葡萄糖苷、及其等之環氧烷加成物所構成之群中之至少一種，前述低分子量聚胺係選自於由伸乙二胺、甲苯二胺、二苯甲烷二胺及其等之環氧烷加成物所構成之群中之至少一種。
  9. 如申請專利範圍第7項之研磨墊，其中前述含活性氫之化合物含有30~85重量%之官能基數2~4且羥價20~150mgKOH/g之高分子量多元醇。
  10. 如申請專利範圍第7項之研磨墊，其中前述異氰酸酯成分為碳二醯亞胺改性MDI。
  11. 一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物含有碳二醯亞胺改性MDI及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有1~20重量%之官能基數3~8且羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或官能基數 3~8且胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺；於基材層上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；藉由使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及均勻調整熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層之厚度。
  12. 一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物，前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物含有碳二醯亞胺改性MDI及含活性氫之化合物作為原料成分，前述含活性氫之化合物含有1~20重量%之官能基數3~8且羥價400~1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或官能基數3~8且胺價400~1870mgKOH/g之低分子量聚胺；於離型片上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層基材層；一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有平均氣泡徑為20~300μm之大致球狀連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及剝離熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層下之離型片。
  13. 一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於離型片上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層基材層； 一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，以使其自行接著於基材層上而形成具有大致球狀連續氣泡之聚胺基甲酸酯發泡層；及剝離聚胺基甲酸酯發泡層下面側之離型片。
  14. 一種研磨墊，係藉由申請專利範圍第13項之方法製造者。
  15. 如申請專利範圍第14項之研磨墊，其中將於厚度方向上四等分聚胺基甲酸酯發泡層之各直線，自研磨表面側向基材層方向分別設為第1直線、第2直線及第3直線時，第1直線之氣泡徑分布(氣泡徑最大值/氣泡徑最小值)為最小，第3直線之氣泡徑分布為最大。
  16. 如申請專利範圍第15項之研磨墊，其中第1直線之氣泡徑分布為3.5以下。
  17. 如申請專利範圍第15項之研磨墊，其中第1~第3直線之平均氣泡徑之平均值為35~300μm。
  18. 一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氮氣穿透速度為1×10-7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下之片體A上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於已塗布之氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層氮氣穿透速度為1×10-7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下之片體B；一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有連續氣泡之熱硬化性聚 胺基甲酸酯發泡層；及剝離前述聚胺基甲酸酯發泡層之下面側的片體A，且不剝離片體B而將片體B作為支持層使用。
  19. 一種研磨墊之製造方法，其包含以下步驟：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於氮氣穿透速度為1×10-7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下之片體A上塗布氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於已塗布之氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層氮氣穿透速度為1×10-7 〔cm3 /cm2 ．s．cmHg〕以下之片體B；一面藉由加壓機構使厚度均勻，一面使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，形成具有連續氣泡之熱硬化性聚胺基甲酸酯發泡層；及將前述片體A及B作為支持層使用，且將前述聚胺基甲酸酯發泡層裁切成2片，藉此製作2片在支持層上具有聚胺基甲酸酯發泡層之研磨墊。
  20. 如申請專利範圍第18或19項之研磨墊之製造方法，其中硬化步驟係至少包含1次硬化及2次硬化，1次硬化之硬化溫度為30~50℃、硬化時間為5~60分鐘，2次硬化之硬化溫度為60~80℃、硬化時間為30分鐘以上。
  21. 如申請專利範圍第18或19項之研磨墊之製造方法，其中前述片體A及B為聚對苯二甲酸乙二酯片。
  22. 一種研磨墊，係藉由申請專利範圍第18或19項之方法製造者。
  23. 一種半導體裝置之製造方法，其包含使用申請專利範圍第1、7、14或第22項之研磨墊研磨半導體晶圓表面之步驟。
TW096146036A 2007-01-15 2007-12-04 Polishing pad and manufacturing method thereof TWI382034B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007006229A JP4970963B2 (ja) 2007-01-15 2007-01-15 研磨パッドの製造方法
JP2007006232A JP4237800B2 (ja) 2007-01-15 2007-01-15 研磨パッド
JP2007006224A JP4986129B2 (ja) 2007-01-15 2007-01-15 研磨パッド
JP2007006218A JP4261586B2 (ja) 2007-01-15 2007-01-15 研磨パッドの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200902577A TW200902577A (en) 2009-01-16
TWI382034B true TWI382034B (zh) 2013-01-11

Family

ID=39635803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096146036A TWI382034B (zh) 2007-01-15 2007-12-04 Polishing pad and manufacturing method thereof

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8257153B2 (zh)
KR (1) KR101399516B1 (zh)
CN (1) CN102152232B (zh)
MY (4) MY157714A (zh)
SG (3) SG177961A1 (zh)
TW (1) TWI382034B (zh)
WO (1) WO2008087797A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI641447B (zh) * 2014-03-28 2018-11-21 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 具有硏磨層及窗之化學機械硏磨墊及研磨基材之方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG162794A1 (en) * 2005-07-15 2010-07-29 Toyo Tire & Rubber Co Layered sheets and processes for producing the same
JP4884726B2 (ja) * 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
US20100009611A1 (en) * 2006-09-08 2010-01-14 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Method for manufacturing a polishing pad
KR101181885B1 (ko) * 2006-09-08 2012-09-11 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
WO2008087797A1 (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッド及びその製造方法
JP4593643B2 (ja) * 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
CA2736079A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-11 Iwalk, Inc. Hybrid terrain-adaptive lower-extremity systems
US8303375B2 (en) * 2009-01-12 2012-11-06 Novaplanar Technology, Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization and/or other polishing methods
TWI516340B (zh) * 2009-01-12 2016-01-11 諾發沛拉納科技公司 用於化學機械平坦化之拋光墊及／或其他拋光方法
JP5555460B2 (ja) * 2009-09-02 2014-07-23 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
JP5350309B2 (ja) * 2010-03-31 2013-11-27 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法
TWI510328B (zh) * 2010-05-03 2015-12-01 Iv Technologies Co Ltd 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法
JP5426469B2 (ja) * 2010-05-10 2014-02-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびガラス基板の製造方法
JP5749986B2 (ja) * 2010-08-23 2015-07-15 日東電工株式会社 複合シート
WO2012026361A1 (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 日東電工株式会社 複合シート
WO2012029537A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 日東電工株式会社 発泡体、発泡体の製造方法、および機能性発泡体
US8702479B2 (en) 2010-10-15 2014-04-22 Nexplanar Corporation Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters
JP5687119B2 (ja) 2011-04-15 2015-03-18 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
JP5687118B2 (ja) * 2011-04-15 2015-03-18 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US9079289B2 (en) * 2011-09-22 2015-07-14 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
JP5776491B2 (ja) 2011-10-24 2015-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスク用、レチクル用又はナノインプリント用のガラス基板及びその製造方法
JP5759888B2 (ja) * 2011-12-28 2015-08-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US9144880B2 (en) * 2012-11-01 2015-09-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad
US9238295B2 (en) * 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad
US9233451B2 (en) * 2013-05-31 2016-01-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack
US9238296B2 (en) * 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer
KR101684451B1 (ko) * 2013-07-10 2016-12-08 주식회사 엘지화학 전지 수명을 향상시키는 전극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
US20150056895A1 (en) * 2013-08-22 2015-02-26 Cabot Microelectronics Corporation Ultra high void volume polishing pad with closed pore structure
US8980749B1 (en) * 2013-10-24 2015-03-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing silicon wafers
US9216489B2 (en) * 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US20150306731A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US9314897B2 (en) * 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9238294B2 (en) 2014-06-18 2016-01-19 Nexplanar Corporation Polishing pad having porogens with liquid filler
US9481070B2 (en) * 2014-12-19 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-stability polyurethane polishing pad
US10946495B2 (en) 2015-01-30 2021-03-16 Cmc Materials, Inc. Low density polishing pad
US9484212B1 (en) 2015-10-30 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
US10208154B2 (en) 2016-11-30 2019-02-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Formulations for chemical mechanical polishing pads and CMP pads made therewith
CN111318957A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 聚氨酯研磨垫及其制造方法、及化学机械研磨装置
KR102298111B1 (ko) * 2019-11-15 2021-09-03 에스케이씨솔믹스 주식회사 재생 폴리올을 포함하는 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
CN113999368B (zh) * 2021-11-05 2022-11-11 中国科学院过程工程研究所 一种聚氨酯抛光垫及其制备方法
CN114406895B (zh) * 2022-01-14 2022-09-16 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 高孔隙率高模量抛光层及其制备方法与抛光垫及其应用
CN118578266B (zh) * 2024-07-23 2024-11-01 浙江求是半导体设备有限公司 抛光垫布设装置及布设方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI245050B (en) * 2000-06-13 2005-12-11 Toyo Tire & Rubber Co Process for producing polyurethane foam, polyurethane foam, and abrasive sheet
JP2006334745A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Inoac Corp 研磨用吸着パッド及びその製造方法

Family Cites Families (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3049463A (en) 1959-09-09 1962-08-14 Dennison Mfg Co Decorated foam and method of making the same
BE636018A (zh) 1962-08-13 1900-01-01
US4216177A (en) 1979-05-16 1980-08-05 Rogers Corporation Polyurethane foam product and process of manufacture thereof from thermosetting frothed mixture
JPS6042431A (ja) 1983-08-19 1985-03-06 Mitui Toatsu Chem Inc ポリウレタンフォームシート類及びその多層体の熱加工方法
JPS61187657A (ja) 1985-02-15 1986-08-21 Wako Pure Chem Ind Ltd 新規試薬による螢光検出方法
US4762902A (en) 1985-12-16 1988-08-09 The B. F. Goodrich Company Electron curable polyurethanes
JP2734007B2 (ja) 1988-10-07 1998-03-30 ソニー株式会社 研磨装置および研磨方法
JP2977884B2 (ja) 1990-10-19 1999-11-15 大日本印刷株式会社 研磨テープの製造方法
JP2552954B2 (ja) 1990-11-29 1996-11-13 東京シート株式会社 ウレタンフォーム成形品の製造方法
JPH05329852A (ja) 1992-05-29 1993-12-14 Fuji Kobunshi Kk 発泡ポリウレタン成型物の製造方法
JP3024373B2 (ja) 1992-07-07 2000-03-21 信越半導体株式会社 シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具
JP3549219B2 (ja) 1993-03-15 2004-08-04 セーレン株式会社 フォーム複合体の製造法
US5554686A (en) 1993-08-20 1996-09-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Room temperature curable silane-terminated polyurethane dispersions
EP0692507A1 (en) 1994-07-11 1996-01-17 Basf Corporation Flexible open-cell polyurethane foam
DE19506671C2 (de) 1995-02-25 1999-11-18 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Polyurethan-Schaumstoffen
US6099954A (en) 1995-04-24 2000-08-08 Rodel Holdings, Inc. Polishing material and method of polishing a surface
JPH10329005A (ja) 1997-06-03 1998-12-15 Toshiba Corp 研磨布及び研磨装置
JPH11207758A (ja) 1998-01-28 1999-08-03 Hitachi Chem Co Ltd 化粧面を有する繊維強化ポリウレタンフォームおよびその製造方法
JP2000246620A (ja) 1999-03-03 2000-09-12 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハ研磨用パッド
JP2001062703A (ja) 1999-08-27 2001-03-13 Asahi Chem Ind Co Ltd 多孔性樹脂窓付き研磨パッド
EP1268134A1 (en) 1999-12-14 2003-01-02 Rodel Holdings, Inc. Method of manufacturing a polymer or polymer composite polishing pad
US6656019B1 (en) 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
US6803495B2 (en) 2000-06-28 2004-10-12 World Properties, Inc. Polyurethane foam composition and method of manufacture thereof
DE60141502D1 (de) 2000-07-28 2010-04-22 Woodbridge Foam Corp Verbesserte härteeigenschaften aufweisendes geschäumtes auf isocyanat basierendes polymer und verfahren zur herstellung
JP2002060452A (ja) 2000-08-10 2002-02-26 Toho Chem Ind Co Ltd 吸音・制振材用ポリウレタンフォームの製造方法
KR100857504B1 (ko) 2000-12-01 2008-09-08 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드용 쿠션층
US6561889B1 (en) 2000-12-27 2003-05-13 Lam Research Corporation Methods for making reinforced wafer polishing pads and apparatuses implementing the same
US6572463B1 (en) 2000-12-27 2003-06-03 Lam Research Corp. Methods for making reinforced wafer polishing pads utilizing direct casting and apparatuses implementing the same
US6420448B1 (en) 2001-01-18 2002-07-16 Foamex Lp Energy absorbing foams
JP2002217149A (ja) 2001-01-19 2002-08-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの研磨装置及び研磨方法
JP3455187B2 (ja) 2001-02-01 2003-10-14 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド用ポリウレタン発泡体の製造装置
JP2002226608A (ja) 2001-02-01 2002-08-14 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド用ポリウレタン発泡体の製造方法及びポリウレタン発泡体
JP2002264912A (ja) 2001-03-12 2002-09-18 Shibazaki Seisakusho Ltd 内容液充填方法および閉止装置入り飲料
JP2002307293A (ja) 2001-04-09 2002-10-23 Rodel Nitta Co 研磨クロス
JP3956364B2 (ja) 2001-04-09 2007-08-08 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン組成物および研磨パッド
JP4659273B2 (ja) 2001-05-31 2011-03-30 ニッタ・ハース株式会社 被研磨物保持用のバッキング材の製造方法
JP2003037089A (ja) 2001-07-26 2003-02-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法
JP2003053657A (ja) 2001-08-10 2003-02-26 Ebara Corp 研磨面構成部材及び該研磨面構成部材を用いた研磨装置
JP2003062748A (ja) 2001-08-24 2003-03-05 Inoac Corp 研磨用パッド
JP2003100681A (ja) 2001-09-20 2003-04-04 Memc Japan Ltd 仕上げ研磨パッド
KR100877383B1 (ko) 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
JP3455208B2 (ja) 2001-11-13 2003-10-14 東洋紡績株式会社 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック
TWI222390B (en) 2001-11-13 2004-10-21 Toyo Boseki Polishing pad and its production method
JP2003209079A (ja) 2002-01-15 2003-07-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多孔性プラスチック粒子研磨パッド
JP2003220550A (ja) 2002-01-24 2003-08-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 研磨用パッドおよびその製造方法
JP3774202B2 (ja) 2002-04-03 2006-05-10 三洋化成工業株式会社 軟質ポリウレタンフォームの製造方法
JP4086531B2 (ja) 2002-04-16 2008-05-14 株式会社イノアックコーポレーション クッション体
US20040024719A1 (en) 2002-07-31 2004-02-05 Eytan Adar System and method for scoring messages within a system for harvesting community kowledge
JP2004087647A (ja) 2002-08-26 2004-03-18 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及び方法
JP2004119657A (ja) 2002-09-26 2004-04-15 Toray Ind Inc 研磨パッド、研磨装置、およびそれを用いた研磨方法
JP2004169038A (ja) 2002-11-06 2004-06-17 Kimimasa Asano ポリウレタン・ポリウレア系均一研磨シート材
JP4159084B2 (ja) 2002-11-15 2008-10-01 シチズン電子株式会社 傾斜スイッチ
WO2004046216A1 (en) 2002-11-18 2004-06-03 Dong Sung A & T Co., Ltd. Method of fabricating polyurethane foam with micro pores and polishing pad tehrefrom
AU2003284655A1 (en) 2002-11-25 2004-07-09 Sumitomo Bakelite Company Limited Method for producing closed cell cellular material for use in polishing, cellular sheet for polishing, laminate for polishing and polishing method, method for producing laminate for polishing, and grooved polishing pad
JP4078643B2 (ja) 2002-12-10 2008-04-23 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法、研磨パッド、及び半導体デバイスの製造方法
US7066801B2 (en) 2003-02-21 2006-06-27 Dow Global Technologies, Inc. Method of manufacturing a fixed abrasive material
JP4532077B2 (ja) 2003-03-27 2010-08-25 ニッタ・ハース株式会社 仕上げ研磨用研磨布
JP2004335713A (ja) 2003-05-07 2004-11-25 Rodel Nitta Co 仕上げ研磨用研磨布
JP2004337992A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd 固定砥粒研磨パッド，及び固定砥粒研磨パッドを使用したシリコンウェハの研磨方法
JP4373152B2 (ja) 2003-07-17 2009-11-25 東レコーテックス株式会社 研磨シート
JP4189963B2 (ja) 2003-08-21 2008-12-03 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4202215B2 (ja) 2003-09-05 2008-12-24 ミネベア株式会社 回転検出装置
US7074115B2 (en) 2003-10-09 2006-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad
JP2005131720A (ja) 2003-10-29 2005-05-26 Toray Ind Inc 研磨パッドの製造方法
JP4555559B2 (ja) * 2003-11-25 2010-10-06 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布及び研磨布の製造方法
CA2548083A1 (en) 2003-12-05 2005-06-23 Freudenberg Nonwovens, L.P. Process and apparatus to continuously form a uniform sheet for use as a semiconductor polishing pad
US20050171224A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
TWI450911B (zh) 2004-03-11 2014-09-01 東洋橡膠工業股份有限公司 Production method of polishing pad and semiconductor device (1)
JP2005330621A (ja) 2004-05-20 2005-12-02 Nitta Haas Inc 研磨布の製造方法
JP2006035367A (ja) 2004-07-27 2006-02-09 Toray Ind Inc 研磨パッドおよび研磨装置
JP2006075914A (ja) 2004-09-07 2006-03-23 Nitta Haas Inc 研磨布
US20060089095A1 (en) 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
KR101107044B1 (ko) 2004-12-10 2012-01-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 연마 패드의 제조 방법
US7261625B2 (en) 2005-02-07 2007-08-28 Inoac Corporation Polishing pad
JP4862189B2 (ja) 2005-02-14 2012-01-25 日本発條株式会社 研磨パッド用クッション材
JP2006231429A (ja) 2005-02-22 2006-09-07 Inoac Corp 研磨パッドおよびその製造方法
SG160369A1 (en) 2005-03-08 2010-04-29 Toyo Tire & Rubber Co Polishing pad and process for producing the same
JP2006255828A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 Nitta Haas Inc 研磨布およびその製造方法
JP4526987B2 (ja) 2005-03-22 2010-08-18 株式会社イノアックコーポレーション 研磨用バフ材の製造方法
JP4832789B2 (ja) 2005-04-19 2011-12-07 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
JP2006339570A (ja) 2005-06-06 2006-12-14 Toray Ind Inc 研磨パッドおよび研磨装置
JP5308611B2 (ja) 2005-06-07 2013-10-09 日東電工株式会社 粘着剤組成物および粘着シート類
SG162794A1 (en) 2005-07-15 2010-07-29 Toyo Tire & Rubber Co Layered sheets and processes for producing the same
JP4884726B2 (ja) 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
JP2007112032A (ja) 2005-10-21 2007-05-10 Pilot Corporation 開閉蓋付の筆記具
JP5031236B2 (ja) 2006-01-10 2012-09-19 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
WO2007119875A1 (ja) 2006-04-19 2007-10-25 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッドの製造方法
TW200801057A (en) 2006-04-19 2008-01-01 Toyo Tire & Amp Rubber Co Ltd Process for producing polishing pad
JP2007307700A (ja) 2006-04-19 2007-11-29 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッドの製造方法
JP2007283712A (ja) 2006-04-19 2007-11-01 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 溝付き長尺研磨パッドの製造方法
JP5110677B2 (ja) 2006-05-17 2012-12-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP2007307639A (ja) 2006-05-17 2007-11-29 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US7445847B2 (en) 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
JP5315632B2 (ja) 2006-06-29 2013-10-16 住友化学株式会社 ウレタン樹脂で被覆されてなる生物活性物質含有の被覆粒状物
WO2008026451A1 (fr) 2006-08-28 2008-03-06 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Tampon de polissage
KR101181885B1 (ko) 2006-09-08 2012-09-11 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
US20100009611A1 (en) 2006-09-08 2010-01-14 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Method for manufacturing a polishing pad
US7438636B2 (en) 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
JP4943139B2 (ja) 2006-12-25 2012-05-30 株式会社イノアックコーポレーション ポリエステル系ポリウレタン発泡体
WO2008087797A1 (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッド及びその製造方法
US7569268B2 (en) 2007-01-29 2009-08-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
JP4954762B2 (ja) 2007-03-27 2012-06-20 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン発泡体の製造方法
JP5078000B2 (ja) 2007-03-28 2012-11-21 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4971028B2 (ja) 2007-05-16 2012-07-11 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
JP4943233B2 (ja) 2007-05-31 2012-05-30 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
JP4593643B2 (ja) 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5393434B2 (ja) 2008-12-26 2014-01-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI245050B (en) * 2000-06-13 2005-12-11 Toyo Tire & Rubber Co Process for producing polyurethane foam, polyurethane foam, and abrasive sheet
JP2006334745A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Inoac Corp 研磨用吸着パッド及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI641447B (zh) * 2014-03-28 2018-11-21 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 具有硏磨層及窗之化學機械硏磨墊及研磨基材之方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102152232B (zh) 2013-06-26
US20120279138A1 (en) 2012-11-08
US8602846B2 (en) 2013-12-10
KR101399516B1 (ko) 2014-05-27
US20100029185A1 (en) 2010-02-04
WO2008087797A1 (ja) 2008-07-24
SG177961A1 (en) 2012-02-28
MY153331A (en) 2015-01-29
SG177963A1 (en) 2012-02-28
MY161343A (en) 2017-04-14
TW200902577A (en) 2009-01-16
US8257153B2 (en) 2012-09-04
CN102152232A (zh) 2011-08-17
SG177964A1 (en) 2012-02-28
KR20090110818A (ko) 2009-10-22
MY157714A (en) 2016-07-15
MY153842A (en) 2015-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI382034B (zh) Polishing pad and manufacturing method thereof
KR101181885B1 (ko) 연마 패드
CN102227289B (zh) 研磨垫及其制造方法
JP5248152B2 (ja) 研磨パッド
JP4261586B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
KR101177781B1 (ko) 연마 패드의 제조 방법
KR101399520B1 (ko) 연마 패드 및 그 제조 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP4986129B2 (ja) 研磨パッド
JP5528169B2 (ja) 研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法
CN102883857A (zh) 研磨垫及其制造方法以及玻璃基板的制造方法
JP2009214281A (ja) 研磨パッド
JP5377909B2 (ja) 研磨パッド及びその製造方法
JP4237800B2 (ja) 研磨パッド
JP2008307683A (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2009214220A (ja) 研磨パッド
JP4465368B2 (ja) 研磨パッド
JP5132369B2 (ja) 研磨パッド
JP4970963B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2011212794A (ja) 研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法