TWI381231B - 液晶顯示裝置 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 6
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 6
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 2
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 2
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- OSDXSOSJRPQCHJ-XVNBXDOJSA-N methyl 3-(3,4-dihydroxyphenyl)-3-[(E)-3-(3,4-dihydroxyphenyl)prop-2-enoyl]oxypropanoate Chemical compound C=1C=C(O)C(O)=CC=1C(CC(=O)OC)OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 OSDXSOSJRPQCHJ-XVNBXDOJSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000000475 sunscreen effect Effects 0.000 description 1
- 239000000516 sunscreening agent Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
本發明係關於一種液晶顯示裝置,特別係關於適用於主動矩陣型TFT液晶顯示裝置之有效技術。
本申請案基於2007年10月9日之日本專利申請案2007-263030號主張優先權,其內容併入本申請案中。
先前,於具有於一對基板之間封入液晶材料之液晶顯示面板之液晶顯示裝置中,存在主動矩陣型之TFT液晶顯示裝置。前述主動矩陣型之TFT液晶顯示裝置(以下,簡稱為液晶顯示裝置),例如用於電視或PC(個人電腦)等之螢幕、行動電話終端等之攜帶型電子機器之顯示器。
用於前述液晶顯示裝置之液晶顯示面板,係於前述一對基板中之一方之基板(以下,稱為TFT基板),配置有例如複數條掃描信號線、複數條影像信號線、複數個TFT元件(主動元件)及複數個像素電極,藉由具有前述TFT元件及連接於前述TFT元件之像素電極之像素之集合設定顯示區域。
另,於前述液晶顯示面板之前述一對基板中之另一方之基板(以下,稱為對向基板),配置有例如遮光膜(亦稱為黑色矩陣)及彩色濾光片等。前述遮光膜,例如由將顯示區域分割成每像素之微小區域之網目狀之導體或絕緣體形成,一般而言,延伸於與前述TFT基板之掃描信號線及TFT元件以及影像信號線重疊(對向)的位置。另,彩色濾光片係設於對應於彩色顯示之液晶顯示面板者,例如RGB方式之彩色液晶顯示面板之情形,配置有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之彩色濾光片。
又,前述液晶顯示面板係稱為縱向電場驅動方式之驅動方式(例如,VA方式或TN方式)之情形,與前述像素電極成對之對向電極(亦稱為共通電極),係配置於前述對向基板。另,前述液晶顯示面板係稱為橫向電場驅動方式之驅動方式(例如,IPS方式)之情形,前述對向電極係配置於前述TFT基板。
再者,先前之一般的液晶顯示裝置之情形,1個像素中有效之TFT元件及像素電極,分別各有1個。但,近年之液晶顯示裝置中,提出有例如將1個像素分割成2個副像素,該1個像素中有效之TFT元件及像素電極,分別各配置有2個(例如,參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2006-309239號公報
再者,先前之一般的液晶顯示裝置之情形,前述TFT基板中1個像素所占有之區域,通常等於鄰接之2條掃描信號線與鄰接之2條影像信號線所圍成之區域。此時,1個像素所具有之TFT元件,其閘極連接於前述鄰接之2條掃描信號線中之一方之掃描信號線,汲極(或源極)則連接於前述鄰接之2條影像信號線中之一方之影像信號線。另此時,前述TFT元件之源極(或汲極)連接於像素電極。
即,先前之一般的液晶顯示裝置之情形,前述TFT基板中,與並列於前述影像信號線之延伸方向之像素個數相同條數之掃描信號線,以與1個像素之前述影像信號線之延伸方向之尺寸大致相同之間隔配置。
另,於各掃描信號線之附近配置有各像素之TFT元件。因此,先前之一般的液晶顯示裝置之情形,設於前述對向基板之遮光膜中之1個開口區域,小於1個像素所占有之區域。
因此,藉由例如液晶顯示裝置之高精細化等,使1個像素所佔有之區域變狹時,存在各像素之開口率減小,畫面變暗之問題。
另,各像素之開口率小之情形,存在為使畫面明亮,有必要設置例如具有高亮度光源之背光之問題。
本發明之目的係在於提供一種可提高例如液晶顯示裝置中各像素之開口率之技術。
本發明之前述及其他目的與新穎特徵,藉由本說明書之記述及添付圖式予以明確。
本申請案所揭示之發明中,代表性特徵之概略說明,如下所述。
(1)一種液晶顯示裝置,其特徵在於:其係具有於第1基板與第2基板間封入液晶材料之液晶顯示面板;前述第1基板,具有複數條掃描信號線、複數條影像信號線、複數個TFT元件與複數個像素電極;前述第2基板,具有於與前述複數條掃描信號線及前述複數條影像信號線重疊之位置延伸之遮光膜;前述液晶顯示面板,係包含由具有前述TFT元件及連接於前述TFT元件之像素電極之像素的集合所設定之顯示區域;且,夾著1條掃描信號線而鄰接的2個像素之前述TFT元件,分別以閘極連接於該1條掃描信號線,且以源極或汲極中之一方連接於不同之影像信號線;鄰接之2條掃描信號線之間,沿前述影像信號線之延伸方向並列有:具有於該2條掃描信號線中之一方之掃描信號線連接以閘極的前述TFT元件之像素,與具有於該2條掃描信號線中之另一方之掃描信號線連接以閘極的前述TFT元件之像素,且該2個TFT元件之源極或汲極中之一方連接於不同之影像信號線。
(2)如前述(1)之液晶顯示裝置,其中沿前述掃描信號線之延伸方向鄰接之2個像素之前述像素電極之間,分別通過有2條影像信號線,且各像素之前述像素電極被鄰接之2條影像信號線夾著;在沿前述影像信號線之延伸方向並列之複數個像素所構成之像素列中,交互配置有:具有於夾著該像素列所包含之像素之像素電極而鄰接的2條影像信號線中之一方的影像信號線上連接以源極或汲極之前述TFT元件之像素,與具有於該2條影像信號線中之另一方之影像信號線上連接以源極或汲極之前述TFT元件之像素。
(3)一種液晶顯示裝置,其特徵在於:其係具有夾持液晶材料之第1基板及第2基板;於前述第1基板上,形成有複數條影像信號線、複數條掃描信號線、複數個TFT元件及連接於該TFT元件之像素電極;前述複數條影像信號線與前述複數條掃描信號線係形成為矩陣狀,由該影像信號線與掃描信號線所圍成之區域為像素區域;前述各像素區域,形成有2個TFT元件、及分別連接於該2個TFT元件中之一者之2個像素電極。
(4)如前述(3)之液晶顯示裝置,其中位於1個前述像素區域中之2個TFT元件,於該像素區域內對向配置之2條掃描信號線上,各形成有1個。
(5)如前述(3)之液晶顯示裝置,其中前述掃描信號線上之夾於前述影像信號線之間,形成有2個TFT元件。
(6)如前述(5)之液晶顯示裝置,其中於夾於前述影像信號線之間之前述掃描信號線上所形成之前述2個TFT元件,分別連接於以該掃描信號線為中心配置於兩側之2個像素區域之像素電極。
(7)如前述(3)之液晶顯示裝置,其中前述像素區域之間之影像信號線,形成有2條。
(8)如前述(3)之液晶顯示裝置,其中於前述像素區域,形成有1個對向電極。
(9)如前述(3)之液晶顯示裝置,其中前述像素區域中之各像素電極,具有複數之狹縫,各像素電極之狹縫其延伸方向有2個方向。
(10)如前述(9)之液晶顯示裝置,其中前述狹縫係延伸於與前述影像信號線及前述掃描信號線均不平行之方向。
(11)如前述(3)之液晶顯示裝置,其中於前述第2基板形成有遮光膜,前述遮光膜係形成於與前述影像信號線及前述掃描信號線重疊之位置。
根據本發明之液晶顯示裝置,可提高各像素之開口率。
以下,關於本發明,參照圖式與實施形態(實施例)一同進行詳細說明。
另,於用以說明實施例之所有圖式中,具有同一功能者賦予同一符號,省略其重複說明。
圖1(a)至圖1(c)係用以說明本發明之液晶顯示裝置之概略構成之一例之模式圖。圖1(a)係顯示液晶顯示裝置之概略構成之一例之模式方塊圖。圖1(b)係顯示液晶顯示面板之概略構成之一例之模式平面圖。圖1(c)係顯示圖1(b)之A-A'線之液晶顯示面板之剖面構成之一例之模式剖面圖。
本發明之液晶顯示裝置,例如如圖1(a)所示,具有液晶顯示面板1、資料驅動器2、閘極驅動器3及控制電路基板4。另,雖於圖1(a)中省略,但液晶顯示裝置為透過型或半透過型之情形,除此之外,還具有例如背光單元(光源)等。
液晶顯示面板1,具有複數條掃描信號線GL及複數條影像信號線DL,例如由配置於最外側之2條掃描信號線與配置於最外側之2條影像信號線所圍成之區域,相當於圖像或影像之顯示區域DA(顯示畫面)。另,雖於圖1(a)中省略,但構成顯示區域DA之各像素中,配置有作為主動元件而發揮功能之TFT元件及像素電容(亦稱為液晶電容)。
另,液晶顯示面板1,係例如如圖1(b)及圖1(c)所示,於TFT基板101與對向基板102之間封入液晶材料LC之顯示面板。此時,TFT基板101與對向基板102,以包圍顯示區域DA之環狀密封材103接著,液晶材料LC被密封於TFT基板101、對向基板102及密封材103所圍成之空間。另,圖1(b)所示之液晶顯示面板1中,x方向為各掃描信號線GL之延伸方向,y方向為各影像信號線DL之延伸方向。
另,液晶顯示裝置為透過型或半透過型之情形,於TFT基板101及對向基板102之朝向外側之面,換言之與液晶材料LC相對之面之背面,分別設置有例如下偏光板104及上偏光板105。另此時,TFT基板101與下偏光板104之間、及對向基板102與上偏光板105之間,有時分別設有1層或複數層之相位差板。
另,液晶顯示裝置為反射型之情形,一般不需要下偏光板104,只設有對向基板102側之上偏光板105及相位差板(未圖示)。
資料驅動器2,係進行施加於各影像信號線DL之影像信號之生成及施加時序之控制之驅動電路。另,閘極驅動器3,係進行例如施加於各掃描信號線GL之掃描信號中使TFT元件之閘極為on期間之控制之驅動電路。
另,控制電路基板4,一般係被稱為時序控制器(T-CON)基板之印刷電路基板,具有例如基於從液晶顯示裝置之外部輸入之時鐘信號CS,生成控制資料驅動器2之動作之時鐘信號CS1及控制閘極驅動器3之動作之時鐘信號CS2,向資料驅動器2及閘極驅動器3輸出之電路。另,控制電路基板4,除此之外,還具有例如將從液晶顯示裝置之外部輸入之輸入色階資料Kin轉換成配合顯示形式之輸出色階資料Kout後向資料驅動器2輸出,或將從液晶顯示裝置之外部輸入之電源電壓V之一部分向資料驅動器2及閘極驅動器3供給之電路。
圖2(a)及圖2(b)係顯示先前之液晶顯示面板中之各像素之構成之一例之模式圖。圖2(a)係顯示先前之液晶顯示面板中之各像素之電路構成之一例之模式電路圖。圖2(b)係從對向基板側所見之先前之液晶顯示面板中之各像素之構成之一例之模式平面圖。另,圖2(a)及圖2(b)中,顯示圖1(a)及圖1(b)所示之顯示區域DA之左上角部中之橫2像素×縱4像素之8像素份之電路構成。另,於參照圖2(a)及圖2(b)之說明中,有必要區分複數條之掃描信號線GL之情形,將各掃描信號線之符號標示為GLn
(n為0、1、2、3、4中之任一個),有必要區分複數條之影像信號線DL之情形,將各影像信號線之符號標示為DLm
(m為1、2、3中之任一個)。
先前之主動矩陣型之TFT液晶顯示面板(液晶顯示裝置)中,1個像素所占有之區域,例如如圖2(a)所示,相當於由鄰接之2條掃描信號線GL與鄰接之2條影像信號線DL所圍成之區域(例如由掃描信號線GL1
、GL2
與影像信號線DL1
、DL2
所圍成之區域)。另,圖2(a)所示之掃描信號線GL0
,係為使例如位於掃描信號線GL1
上方之像素與位於該掃描信號線GL1
下方之像素成為同一電路構成而設置之虛擬掃描信號線。
此時,1個像素中,例如TFT元件Tr及像素電容CLC
分別各配置有1個。TFT元件Tr,其閘極連接於鄰接之2條掃描信號線GL中之一方之掃描信號線GL,其汲極連接於鄰接之2條影像信號線DL中之一方之影像信號線DL。另,像素電容CLC
,由連接於TFT元件Tr之源極之像素電極PX、液晶材料LC、設於TFT基板101或對向基板102中任一方之對向電極CT構成。
另,本說明書中,關於TFT元件Tr之源極與汲極,雖將連接於影像信號線DL者稱為汲極,連接於像素電極PX者稱為源極,但與之相反,即亦存在將連接於影像信號線DL者稱為源極,連接於像素電極PX者稱為汲極之情形。另,實際之液晶顯示裝置中,藉由施加於影像信號線DL之影像信號(階調電壓)與施加於對向電極CT之共通電壓之電位關係,使源極與汲極之關係周期性互換。
液晶顯示裝置為縱向電場驅動方式之情形,TFT基板101中,配置有例如圖2(a)所示構成中之掃描信號線GL、影像信號線DL、TFT元件Tr及像素電極PX。另,液晶顯示裝置為橫向電場驅動方式之情形,TFT基板101中,配置有例如圖2(a)所示構成中之掃描信號線GL、影像信號線DL、TFT元件Tr、像素電極PX、對向電極CT。另,無論何種情形,掃描信號線GL、影像信號線DL、TFT元件Tr及像素電極PX,其等於TFT基板101上之平面佈局均如反映圖2(a)所示電路構成般地配置。
另,對向基板102中,如前所述,設有延伸於與掃描信號線GL及影像信號線DL重疊(對向)的位置之網目狀之遮光膜。因此,從對向基板102側看液晶顯示面板1時,其構成為例如圖2(b)所示般之構成,於網狀區域設有遮光膜BM。另,圖2(b)中,於x方向延伸之粗虛線及於y方向延伸之虛線,分別為圖2(a)中之掃描信號線GLn
及影像信號線DLm
。又,圖2(b)中,遮光膜BM所圍成之塗白之矩形區域,係為例如透過來自背光單元之光之開口區域,係擔負各像素之灰階顯示之區域。
另,先前之液晶顯示裝置對應彩色顯示之情形,沿影像信號線DL之延伸方向(y方向)排列之複數之像素,擔負該彩色顯示之基本色中之相同顏色之灰階顯示。即,RGB方式之彩色液晶顯示裝置之情形,例如位於鄰接之2條影像信號線DL1
、DL2
之間之複數之像素,分別擔負相同顏色(例如紅色)之灰階顯示。
但,先前之液晶顯示裝置(液晶顯示面板1)中,例如如圖2(b)所示,1個像素中之前述開口區域,橫向(x方向)之尺寸PWx比鄰接之2條掃描信號線GL之間隔GLS小,縱向之尺寸PWy比鄰接之2條影像信號線DL之間隔DLS小。因此,例如藉由高精細化等使鄰接之2條掃描信號線GL之間隔GLS及鄰接之2條影像信號線DL之間隔DLS變窄,則存在各像素之開口區域之面積變小,開口率降低之問題。
圖3(a)及圖3(b)係顯示本發明之一實施例之液晶顯示面板之構成之一例之模式圖。圖3(a)係顯示本實施例之液晶顯示面板中之各像素之電路構成之一例之模式電路圖。圖3(b)係從對向基板側所見之本實施例之液晶顯示面板中之各像素之構成之一例之模式平面圖。另,圖3(a)及圖3(b)中,顯示圖1(a)及圖1(b)所示之顯示區域DA之左上角部中之橫2像素×縱4像素之8像素份之電路構成。另,於參照圖3(a)及圖3(b)之說明中,有必要區分複數條之掃描信號線GL之情形,將各掃描信號線之符號標示為GLn
(n為1、2中之任一個),有必要區分複數條之影像信號線DL之情形,將各影像信號線之符號標示為DLm
(m為1、2、3、4、5中之任一個)。
本實施例之液晶顯示面板1中,將掃描信號線GL之條數例如如圖3(a)所示,減至於影像信號線DL之延伸方向(y方向)排列之像素個數之一半,按於該影像信號線DL之延伸方向排列2個像素配1條掃描信號線GL之比例進行配置。
另,影像信號線DL之條數,增至於掃描信號線GL之延伸方向(x方向)排列之像素個數之2倍。此時,各影像信號線DL配置成,1個像素之像素電極PX由鄰接之2條影像信號線夾著,且在掃描信號線GL之延伸方向上鄰接之2個像素之像素電極PX之間通過2條影像信號線。
另,本實施例之液晶顯示面板1中,亦於1個像素,例如TFT元件Tr及像素電容CLC
分別各配置有1個,1個像素所佔有之區域,相當於藉由1條掃描信號線GL及鄰接於該掃描信號線GL之像素邊界PB,與夾著像素電極PX而鄰接之2條影像信號線DL所圍成之區域。即,本實施例之液晶顯示面板1中,將鄰接之2條掃描信號線GL(例如掃描信號線GL1
、GL2
)與鄰接之2條影像信號線DL(例如影像信號線DL1
、DL2
)所圍成之區域作為1個像素區域,於該1個像素區域中,配置有2個TFT元件Tr與2個像素電極PX。
但,本實施例之液晶顯示面板1中,相對於由沿影像信號線之延伸方向(y方向)排列之複數像素所構成之1個像素列,分配有2條影像信號線DL(例如,影像信號線DL1
、DL2
),該1個像素列中,交互配置有:具有汲極連接於前述2條影像信號線中之一方之TFT元件之像素,與具有汲極連接於前述2條影像信號線中之另一方之TFT元件之像素。
另,前述1個像素列中,夾著1條掃描信號線GL而鄰接之2個像素之TFT元件,各自其閘極連接於同一掃描信號線GL,其汲極連接於不同之影像信號線。
另,前述1個像素列中,鄰接之2條掃描信號線GL之間,並列有:具有閘極連接於該2條掃描信號線GL中之一方之TFT元件之像素,與具有閘極連接於該2條掃描信號線GL中之另一方之TFT元件之像素。此時,位於鄰接之2條掃描信號線GL之間之2個像素之TFT元件,其汲極連接於不同的影像信號線。
液晶顯示裝置為縱向電場驅動方式之情形,TFT基板101中,例如配置有圖3(a)所示構成中之掃描信號線GL、影像信號線DL、TFT元件Tr及像素電極PX。另,液晶顯示裝置為橫向電場驅動方式之情形,TFT基板101中,例如配置有圖3(a)所示構成中之掃描信號線GL、影像信號線DL、TFT元件Tr、像素電極PX、對向電極CT。另,無論何種情形,掃描信號線GL、影像信號線DL、TFT元件Tr及像素電極PX,其等於TFT基板101上之平面佈局,均如反映圖3(a)所示電路構成般地配置。
此時,對向基板102中,例如如先前般設有於與掃描信號線GL及影像信號線DL重疊(對向)之位置延伸之遮光膜BM,從對向基板102側看液晶顯示面板1時之構成,例如成為如圖3(b)所示般之構成。另,圖3(b)中,亦於網狀區域延伸有遮光膜BM,遮光膜BM所圍成之塗白之矩形區域,係為例如透過來自背光單元之光之開口區域,係擔負各像素之灰階顯示之區域。
本實施例之液晶顯示面板1中,因將掃描信號線GL之條數減至前述1個像素列所含像素個數之一半,故配置於鄰接之2條掃描信號線GL之間之2個像素之邊界(像素邊界PB),未配置有必要遮蔽外光之構成要件(例如TFT元件等)。因此,在與該像素邊界PB對向之位置不必設置遮光膜,相對於鄰接之2條掃描信號線GL之間所配置之2個像素(前述1個像素區域)之開口區域為1個。此時,相對於鄰接之2條掃描信號線GL之間所配置之2個像素之1個開口區域,擴大例如圖2(b)所示之分割該2個像素之遮光膜所消失之部分。因此,本實施例之液晶顯示面板1,可比圖2(b)所示者提高各像素之開口率,防止畫面變暗。
圖4(a)至圖4(d)係顯示本實施例之液晶顯示面板中之TFT基板之構成之一具體例之模式圖。圖4(a)係TFT基板之鄰接之2條掃描信號線所夾持之2個像素之平面佈局之一例之模式平面圖。圖4(b)係顯示圖4(a)之B-B'線之液晶顯示面板之剖面構成之一例之模式剖面圖。圖4(c)係顯示圖4(a)之C-C'線之液晶顯示面板之剖面構成之一例之模式剖面圖。圖4(d)係顯示圖4(a)之D-D'線之液晶顯示面板之剖面構成之一例之模式剖面圖。
將本實施例之液晶顯示面板之電路構成適用於橫向電場驅動方式之液晶顯示面板之情形,TFT基板101之平面佈局及液晶顯示面板之剖面構成,成為例如圖4(a)至圖4(d)所示般之構成。
TFT基板101,係於玻璃基板等絕緣基板SUB1之表面,積層配置掃描信號線GL、影像信號線DL、TFT元件Tr、像素電極PX、對向電極CT、配向膜ORI1之基板,於絕緣基板SUB之表面,首先形成對向電極CT、掃描信號線GL及保持電容線SL。對向電極CT,例如將ITO膜等光透過率高之導電膜蝕刻而形成。掃描信號線GL及保持電容線SL,例如將鋁膜等導電膜蝕刻而形成。此時,對向電極CT、掃描信號線GL及保持電容線SL,例如於絕緣基板SUB之表面整體連續成膜ITO膜及鋁膜後,首先蝕刻鋁膜形成掃描信號線GL及保持電容線SL,然後蝕刻ITO膜形成對向電極CT。
另,對向電極CT、掃描信號線GL及保持電容線SL,亦可例如先進行ITO膜之形成(成膜)及蝕刻以形成對向電極CT後,再進行鋁膜之形成及蝕刻以形成掃描信號線GL及保持電容線SL。
另此外,對向電極CT、掃描信號線GL及保持電容線SL,亦可例如先進行鋁膜之形成及蝕刻以形成掃描信號線GL及保持電容線SL後,再進行ITO膜之形成(成膜)及蝕刻以形成對向電極CT。
於絕緣基板SUB之對向電極CT或掃描信號線GL等所形成之面上,形成具有作為各TFT元件之閘極絕緣膜之功能之第1絕緣層PAS1。第1絕緣層PAS1,例如由矽氧化膜或矽氮化膜成膜而形成。
第1絕緣層PAS1上,形成有各TFT元件之半導體層SC、影像信號線DL、各TFT元件之汲極電極SD1及源極電極SD2。半導體層SC,例如將非晶矽或多晶矽等半導體膜蝕刻而形成。影像信號線DL、各TFT元件之汲極電極SD1及源極電極SD2,例如由鋁膜等導電膜蝕刻而形成。此時,影像信號線DL、各TFT元件之汲極電極SD1及源極電極SD2,形成於半導體層SC之後,汲極電極SD1及源極電極SD2之一部分,從第1絕緣層PAS1之表面觸及半導體層SC。另此時,影像信號線DL與汲極電極SD1,一般為一體形成。
第1絕緣層PAS1之半導體SC或影像信號線DL等所形成之面上,形成有第2絕緣層PAS2及像素電極PX,像素電極PX,藉由通孔TH連接於源極電極SD2。第2絕緣層PAS2,例如由矽氧化膜或矽氮化膜,或其他有機絕緣膜,或無機絕緣膜成膜而形成。另,像素電極PX,例如由ITO膜等光透過率高之導電膜蝕刻而形成。
另,具有該等剖面構成之橫向電場驅動方式之液晶顯示面板之情形,像素電極PX,例如形成在與對向電極CT平面視重疊之區域設複數條狹縫(開口部)的梳齒狀之平面形狀。
另此時,鄰接之2條掃描信號線GL所夾持之2個像素電極PX之平面形狀,例如如圖4(a)所示,若使像素邊界PB相對於掃描信號線GL之延伸方向為斜向形狀,可使該像素邊界PB附近之一方像素之色(灰階)與另一方像素之色(灰階)之變化平緩。
另一方面,對向基板102,係於玻璃基板等絕緣基板SUB2之表面積層配置有遮光膜BM、彩色濾光片CF、配向膜OR12等之基板,於絕緣基板SUB2之表面,例如首先形成遮光膜BM。遮光膜BM,例如由鉻等遮光性高之導電膜蝕刻而形成。
另,遮光膜BM,例如如圖4(b)及圖4(c)所示,以於對向基板102中延伸於與掃描信號線GL與影像信號線DL重疊(對向)的位置之方式設置。此時,與掃描信號線GL重疊位置之遮光膜BM,例如亦包覆夾著該掃描信號線GL並行之2條保持電容線SL般形成。
另,絕緣基板SUB2之形成有遮光膜BM之面上,例如設有彩色濾光片CF。彩色濾光片CF,例如於影像信號線DL之延伸方向上排列之複數像素之開口區域為同一基本色,於掃描信號線GL之延伸方向上排列之複數像素之開口區域由不同基本色交互排列般形成。即,RGB方式之彩色液晶顯示面板之情形,於影像信號線DL之延伸方向上排列之複數之像素之開口區域,所有開口區域均為紅色(R)之情形、綠色(G)之情形、藍色(B)之情形這3種之一。另,於掃描信號線GL之延伸方向上排列之複數之開口區域,例如按紅色開口區域、綠色開口區域及藍色開口區域之順序重複。
TFT基板101係前述構成之情形,例如如圖4(d)所示,因位於對向基板102之鄰接之2條掃描信號線GL之間之2個像素(像素電極PX)之邊界部分PB即使無遮光膜BM,亦不會對各像素之顯示產生障礙,故可提高該2個像素之開口率。因此,即使例如因液晶顯示面板之高精細化等而使1個像素所佔有之面積減小,亦可維持畫面之亮度。另,因即使不使用高亮度之背光單元亦可維持畫面之亮度,故可抑制消耗電力之增加。
另此外,本實施例之液晶顯示面板1,將掃描信號線GL之條數成為先前之一般液晶顯示面板所使用條數之一半。因此,例如若將使用本實施例之液晶顯示面板1之液晶顯示裝置中之1圖框期間設定為與先前之一般液晶顯示裝置中之1圖框期間相同之時間,則可使向各像素之像素電極PX寫入影像信號(灰階電壓)之時間成為先前之一般液晶顯示裝置之時間之約2倍。因此,使用本實施例之液晶顯示面板1之液晶顯示裝置,例如可降低因寫入不足所導致之畫質不均之產生或畫質之劣化。
另相反,若將使用本實施例之液晶顯示面板1之液晶顯示裝置中之向各像素之像素電極PX寫入影像信號(灰階電壓)之時間,設定為與先前之一般液晶顯示裝置之時間相同之時間,則可使1圖框期間成為先前之一般液晶顯示裝置之1圖框期間之約一半。因此,使用本實施例之液晶顯示面板1之液晶顯示裝置,亦易於對應例如顯示(驅動)之高速化。
圖5係顯示圖4(a)所示之平面佈局之變形例之模式平面圖。
作為本實施例之液晶顯示面板1中之TFT基板101之平面佈局之一例,可舉圖4(a)中,將鄰接之2條掃描信號線GL所夾著之2個像素電極PX之平面形狀成為像素邊界PB相對於掃描信號線GL之延伸方向成斜向之形狀。
但,鄰接之2條掃描信號線GL所夾著之2個像素電極PX之平面形狀,並不局限於此,無疑亦可為例如如圖5所示,像素邊界PB相對於掃描信號線GL之延伸方向大致平行般之形狀。
另,本實施例之TFT基板101中,TFT元件Tr之半導體層SC、汲極電極SD1及源極電極SD2之平面形狀,或像素電極PX之狹縫之朝向及條數等無疑均可適當變更。
另此外,本實施例中,雖以適用於橫向電場驅動方式之液晶顯示面板1之情形之TFT基板101之平面佈局及液晶顯示面板1之剖面構成為例,但並不侷限於此,無疑亦適用於縱向電場驅動方式之液晶顯示面板1。
以上,雖已對本發明,基於前述實施例進行具體性說明,但本發明並不侷限於前述實施例,在不脫離其要旨之範圍內,無疑可進行各種各樣變更。
例如,前述實施例中,本發明以適用於液晶顯示面板(液晶顯示裝置)為例,但並不侷限於此,與前述液晶顯示面板具有類似構成之顯示面板(例如,有機EL顯示面板)等,亦可適用本發明。
1...液晶顯示面板
2...資料驅動器
3...閘極驅動器
4...控制電路基板
101...TFT基板
102...對向基板
103...密封材
104...下偏光板
105...上偏光板
LC...液晶材料
SUB1、SUB2...絕緣基板
GL、GL0
、GL1
、GL2
、GL3
、GL4
...掃描信號線
DL、DL1
、DL2
、DL3
、DL4
、DL5
...影像信號線
PAS1...第1絕緣層
SC...半導體層
SD1...汲極電極
SD2...源極電極
PAS2...第2絕緣層
PX...像素電極
CT...對向電極
SL...保持電容線
BM...遮光膜
CF...彩色濾光片
ORI1、ORI2...配向膜
Tr...TFT元件
CLC
...像素電容
PB...像素邊界
圖1(a)係顯示液晶顯示裝置之概略構成之一例之模式方塊圖。
圖1(b)係顯示液晶顯示面板之概略構成之一例之模式平面圖。
圖1(c)係顯示圖1(b)之A-A'線之液晶顯示面板之剖面構成之一例之模式剖面圖。
圖2(a)係顯示先前之液晶顯示面板中之各像素之電路構成之一例之模式電路圖。
圖2(b)係顯示從對向基板側所見之先前之液晶顯示面板中之各像素之構成之一例之模式平面圖。
圖3(a)係顯示本實施例之液晶顯示面板中之各像素之電路構成之一例之模式電路圖。
圖3(b)係從對向基板側所見之本實施例之液晶顯示面板中之各像素之構成之一例之模式平面圖。
圖4(a)係顯示TFT基板中之鄰接之2條掃描信號線所夾持之2個像素之平面佈局之一例之模式平面圖。
圖4(b)係顯示圖4(a)之B-B'線之液晶顯示面板之剖面構成之一例之模式剖面圖。
圖4(c)係圖4(a)之C-C'線之液晶顯示面板之剖面構成之一例之模式剖面圖。
圖4(d)係圖4(a)之D-D'線之液晶顯示面板之剖面構成之一例之模式剖面圖。
圖5係顯示圖4(a)所示之平面佈局之變形例之模式平面圖。
CLC
...像素電容
DL1
、DL2
、DL3
、DL4
、DL5
...影像信號線
GL1
、GL2
...掃描信號線
PB...像素邊界
Tr...TFT元件
Claims (4)
- 一種液晶顯示裝置,其特徵在於:具有於第1基板與第2基板間封入液晶材料之液晶顯示面板;前述第1基板具有複數條之掃描信號線、複數條之影像信號線、複數個TFT元件與複數個像素電極;前述第2基板具有延伸於與前述複數條之掃描信號線及前述複數條之影像信號線重疊之位置之遮光膜;前述液晶顯示面板係包含由具有前述TFT元件及連接於前述TFT元件之像素電極之像素的集合所設定之顯示區域;且夾著1條掃描信號線而鄰接的2個像素之前述TFT元件,分別以閘極連接於該1條掃描信號線,且以源極或汲極中之一方連接於不同之影像信號線;鄰接之2條掃描信號線之間,沿前述影像信號線之延伸方向並列有:具有與該2條掃描信號線中之一方之掃描信號線以閘極連接的前述TFT元件之像素,及具有與該2條掃描信號線中之另一方之掃描信號線以閘極連接的前述TFT元件之像素;且該2個TFT元件之源極或汲極中之一方連接於不同之影像信號線;沿前述掃描信號線之延伸方向鄰接之2個像素之前述像素電極之間,分別通過2條影像信號線,且各像素之前述像素電極被鄰接之2條影像信號線夾著;包含沿著前述影像信號線之延伸方向並列之複數個像 素的1個像素列中,交互配置有:具有與夾著該像素列所包含之像素之像素電極而鄰接的2條影像信號線中之一方的影像信號線以源極或汲極連接之前述TFT元件之像素,及具有與該2條影像信號線中之另一方之影像信號線以源極或汲極連接之前述TFT元件之像素;於2條掃瞄信號線之間的鄰接之2個像素中之各個像素電極之間,設有間隙,前述間隙係延伸於與前述影像信號線及前述掃描信號線之任一者均不平行之方向。
- 如請求項1之液晶顯示裝置,其中前述複數條之影像信號線及前述複數條之掃描信號線係形成矩陣狀,而令由該等影像信號線及掃瞄信號線所圍之區域作為像素區域;於前述像素區域,形成有1個對向電極。
- 如請求項1之液晶顯示裝置,其中前述複數條之影像信號線及前述複數條之掃描信號線係形成矩陣狀,而令由該等影像信號線及掃瞄信號線所圍之區域作為像素區域;前述像素區域中之各像素電極,具有複數之狹縫;各像素電極之狹縫其延伸方向有2個方向。
- 如請求項3之液晶顯示裝置,其中前述狹縫係延伸於與前述影像信號線及前述掃描信號線之任一者均不平行之方向。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007263030A JP2009092912A (ja) | 2007-10-09 | 2007-10-09 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200933274A TW200933274A (en) | 2009-08-01 |
| TWI381231B true TWI381231B (zh) | 2013-01-01 |
Family
ID=40220121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097138603A TWI381231B (zh) | 2007-10-09 | 2008-10-07 | 液晶顯示裝置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8154677B2 (zh) |
| EP (1) | EP2048538B1 (zh) |
| JP (1) | JP2009092912A (zh) |
| KR (1) | KR100980540B1 (zh) |
| CN (1) | CN101408702B (zh) |
| TW (1) | TWI381231B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009092912A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101641958B1 (ko) | 2010-03-10 | 2016-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| JP5852793B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| JP5639819B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2014-12-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2013065529A1 (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板及び液晶表示装置 |
| CN103176320B (zh) * | 2011-12-22 | 2015-12-09 | 上海中航光电子有限公司 | 横向排列的像素结构、液晶显示装置及其制作方法 |
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| TW200933274A (en) | 2009-08-01 |
| CN101408702A (zh) | 2009-04-15 |
| KR20090036525A (ko) | 2009-04-14 |
| US20120162562A1 (en) | 2012-06-28 |
| US8154677B2 (en) | 2012-04-10 |
| CN101408702B (zh) | 2010-09-08 |
| US8614773B2 (en) | 2013-12-24 |
| EP2048538A1 (en) | 2009-04-15 |
| US20090091700A1 (en) | 2009-04-09 |
| KR100980540B1 (ko) | 2010-09-06 |
| JP2009092912A (ja) | 2009-04-30 |
| EP2048538B1 (en) | 2013-02-27 |
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