TWI380756B - Circuit structure and process thereof - Google Patents

Description

22790twf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 結構，且特別是有關於一種 製程。 本發明是有__種線路 應用於線路板之線路結構及其 【先前技術】 線路置巾之線路板包括硬式線路板及軟式 線？板。硬式線路板之介電層採用f地強㈣材料，用以 在單-平面上承載及電性連接多個t子元件。軟式線路板 之介電層職料撓性的材料，用以電性連接兩個最終位 於不同平面的電子元件。在空間限制或其他因素下，硬式 線路板及軟式線路板可整合地應用在一起。 硬式線路板（以下簡稱線路板）之製作技術大致包括 璺層法（lamination process )及增層法（build-up process )。 就疊層法而言，將多層線路圖案分別製作在多層介電 層上，再將這些線路圖案、其所依附的介電層及接合用之 介電層對位後一次壓合完成，接著進行導電貫孔 (conductive through via )製程，以製作出多個導電通孔來 電性連接這些位於不同層次的線路圖案。 就增層法而言，將多層線路圖案及多層介電層遂次交 替地製作在一核心層（core)上’並在製作過程中進行導 電盲孔（conductive blind via )製程’以在製作這些線路圖 案及這些介電層的過程中’同時製作出可電性連接不同層 次之線路圖案的導電盲孔。 1380756 22790twf.doc/n 程二

然广)’=次開。的作法將不利於高縱=電(：t ratio)之導電孔的製作。 F 【發明内容】 孔。本發明提供-種線路結構，用以提供高縱橫比之導電 線路結構製程，用以兩段式地製作出 早導電L道以連接不同層次的兩線路圖案。 本發明提供一種線路社播甘 第-線路圖案、至少其包括-第-介電層、- -線路電孔及至少—獨立孔塾。第 第一導電孔穿過第具有至少-第一孔塾。 墊配置在第一介電層之較;離墊連接。獨立孔 第一 I㈣礼較遠離第—孔塾的—端。第二介電層配置於 =二電層之配置有獨立孔塾的表面上。第二導電孔穿過 一 電層’並與獨立孔塾連接。第二線路圖案埋入於第 -，I電層之較遠離獨立孔躺—面，並具有至少—第二孔 墊’其連接第二導電孔。 在本發明之一實施例中，獨立孔墊之外徑可大於一 孔塾之外徑。 、 在本發明之一貫施例中，獨立孔墊之外徑可大於第二 孔墊之外徑。 、

JO 22790twf.d〇c/n 本發明更提供一種綠 複層結構，其包括一第i 程。首先，提供一第-

第-介電層、至少一第=基板、一第-線路圖案、-線路圖案配置在第-承·#孔及至彡m孔墊。第一 塾。第-介㈣配b第祕ϋ，並射至少—第一孔 且第-線路圖案埋入於

離第-孔塾的-端，且立^位於第—導電孔遠 塾。此外，更提供—第複:::=孔墊及第-孔 板及-第二線路構，其包括—第二承載基 上。接著*人二、H路圖案配置在第二承載基板 上接者，壓δ弟一複層結構、一第二介電層及 結構，使第二線路圖案及獨立孔塾埋人 J复^ =介:層接合至第-介電層。接著，移除第-承a基:

-承載基板，以暴露出第—線路圖案及第二線路圖 案三接著，形成至少-第-開口，其貫穿第二介電層，並 暴露出獨立孔^接著，將導電材料填人至第—開口内， 以形成一第二導電孔，其連接獨立孔墊及第二孔墊。在本 發明之一實施例中’獨立孔墊之外徑可大於第一孔墊之外 徑。 在本發明之一實施例中，第二線路圖案可具有一環形 塾，將導電材料填入第一開口内時，填入環形塾中的導電 材料與環形塾*構成一第二孔塾。此外，獨立孔墊之外徑可 大於第二孔塾之外徑。 在本發明之一實施例中，上述提供第一複層結構的製 <5 ) 7 2279〇hvfd〇c/l =如下。形成第一線路圖案於第一承载基板上。形成第— W電層於第一承載基板及第一線路圖案上。 :第-介電層上。形成至少一第二開口，其貫 弟—介電層，並暴露出第-孔塾。將導電材料填入至第二 ^内道以形成第-導電孔，其連接第—孔墊及導電層了 圃粟化導電層，以形成獨立孔墊。 在本發明之-實施射，上述提供第—複層結構的另 如下。形成第-線路圖案於第—承餘板上。形成 一々二電層於第一承載基板及第—線路圖案上。形成至少 :第二開Π ’其貫穿第—介電層，並暴露出第—孔塾。带 成-圖案化罩幕在第-介電層上，並具有—罩幕開口，^ ^露出第二開口。將導電材料填入至第二開口内以形成 苐-導電孔，其連接第-孔塾。將導電材料填人至罩幕 口内，以形成獨立孔墊。移除圖案化罩幕。 在本發明之-實施财，上述提供第二複層結構的另 一製程為形成第二線路圖案於第二承載基板上。 基於上述，本發明乃是通過兩段式的作法來製作單一 ^電通道來電性連接不同層次之兩線路圖案，故可製作出 具有高縱橫tb的導電孔之祕結構，因而增树路之 線路密度朗雜殊設狀祕結構。此外，本發 設計獨立感之外徑大於其上方或下方的孔塾之夕^徑，以 增加獨立孔t*上方及下方之兩線路圖案之_對位裕产， 因而相應地提高麵結構之$程良率，並可提升線路、ς構 之散熱效果。 1380756 22790twf.doc/n 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉一實施例，並配合所附圖式，作詳細說明 如下。 【實施方式] 圖1A至圖繪示本發明之一實施例之一種線路結構 的製程。請參考圖1A，提供一第一複層結構1〇〇 ^第—複 Φ 層結構10〇具有一第一承载基板no及一第一線路圖案 120’其中第—線路圖案12〇配置在第一承載基板11〇上， 並具有至少一第一孔墊122。第一複層結構1〇〇更具有— 第一介電層130，其配置於第一承載基板11〇及第一線路 圖案120上，且第一線路圖案120埋入第一介電層13〇内， 意即第一介電層130分佈至第一線路圖案12〇之其他空 間。第一複層結構1〇〇更具有至少一第一導電孔14〇，其 穿過第一介電層130，並連接第一孔墊122。 第一複層結構100更具有至少一獨立孔墊15〇，其位 釀 於第一導電孔140遠離第一孔塾122的一端，且第一導電 孔140連接獨立孔墊150及第一孔墊122。值得注意的是， 獨立孔墊150是指一個沒有連接到其所在的層次上的任何 導線之孔塾。 請同樣參考圖1A，更提供一第二複層結構2〇〇。第二 複層結構200具有一第二承載基板21〇及一第二線路圖案 220，其中第二線路圖案22〇配置在第二承載基板21〇上。 在本實施例中，可以加成法（additive process)、半加成 22790twfdoc/n prGeess)或減成法（sub㈣ 將弟4路圖案22G製作在第二承載基板21G上。）， ^參考圖1B，壓合第一複層結構100、第二介電展 ^一複層結構雇，使第二線路圖案⑽及 ς 150入埋入第二介電層綱内，且第二介電層·接合至ί =電層⑽。在本實施例中，第二介電層之材質^ =用樹脂材料，並在壓合過程中同時加熱第二介電層 0 \使付獨立孔墊150埋入第二介電層3〇〇之内。均 5月參考圖1C，移除第一承載基板11〇及第二承载基 板2丨〇’以暴露出第一線路圖案120及第二線路圖案22〇二 5月參考圖1D，形成至少一第一開口 232，其貫穿第二 w電層300，並暴露出獨立孔墊15〇。在本實施例中形成 第一開口 232之方式例如是雷射成孔。 ^ 請參考圖1E，將導電材料填入至第一開口 232内以 形成一第二導電孔240，其連接獨立孔墊15〇及第二線路 圖案220。至此’第二導電孔24〇、獨立孔墊15〇及第—導 電孔140可視為一導電通道。在本實施例中，填入導電材 料至第一開口 232内的方式例如是電鍍。 當以電鍍方式填入導電材料至第一開口 232時，將會 在第二介電層300及第二線路圖案220上形成一電鍍層（未 繪示），其必須移除，以避免造成第二線路圖案220之線 路的短路。 請再參考圖1E，在本實施例中，獨立孔墊150之外徑 了製作得大於第一孔墊122之外徑，這可增加第一線路圖 22790twf.doc/n 案no及第二線路圖案220之間的對位裕度（t〇lerance)， 因而相應地提高製程良率。 在本實施例中’第二線路圖案22〇具有一環形墊222, 如圖1D所示。因此，在將導電材料填入第一開口 232内 之後，填入壤形墊222中的導電材料與環形墊222構成一 第二孔墊222’ ，如圖1E所示。此外，獨立孔墊15〇之外 徑可製作得大於第二孔墊222,之外徑’這亦可增加第一 線路圖案120及第二線路圖案22〇之間的對位裕度 (tolerance)’因而相應地提高製程良率。 圖2A至圖2E!會示圖1A之第一複層結構的製程。請 參考圖2A，升>成第一線路圖案120於第一承載基板11〇 上。在本實關巾’可加成法、半加紐或減成法將 第一線路圖案120製作在第一承載基板n〇上。 請參考圖2B，形成第一介電層13〇於第一承載基板 110及第一線路圖案120上’並形成一導電層15〇，於第一 w電層上。在本實施例中，第一介電層及一導電層 150可分別為一玻纖膠片（prepreg)及—銅箔（c〇pper foil)。此外，第一介電層130及—導電層15〇，可為一複 a層例如一背耀·銅治（Resin Coated Copper，簡稱RCC ) 複合層。 ，請參考圖2C，形成一第二開口 132,其貫穿導電層 lf〇及第一介電層130，並暴露出第一孔墊122。在本實 施例中，形成第二開口 132的方式例如是雷射成孔。 請參考圖2D，將導電材料填入至第二開口 132内， 1380756 22790twf.doc/n 以形成弟-導電孔14G，其連接第—孔塾122 娜。在本實施射，填人導電材料之方式例 = 請參考圖2E，圖案化導電層娜，以形成獨立孔又墊 在本實施例中，將導電層15〇，圖案化之

。圖3A至圖π繪示®1A之第一複層結構的另 程。凊參考3A，形成第一線路圖案12〇於第— n〇上。在本實施例中，可以加成法、半 ^ 將第-線路圖案！2〇製作在第一承载基板n〇上戈減成法 請參考® 3B，形成第—介電層13 u〇及第一線路圖請上。在本實施例中第形 電層削例如是壓合-玻纖谬片或塗佈一液態介電材料。 請參考圖3C，形成-第二開口 132，，其 電層130，並暴露出第—孔塾122。在本實施例中形成第 —開口 132，的方式例如是雷射成孔。

請參考® 3D，形成—圖案化罩幕彻在第一介電詹 130上，並具有-罩幕開σ搬，其暴露出第二開口 I%，曰。 在本實施射，_化罩幕可為—圖案化光阻層。 凊參考圖3Ε’將導電材料填人至第二開口出，内， =形成第-導電孔14G，其連接第—孔塾122。在本實施例 ，填入導電材料之方式例如是電鍍。 。月 > 考圖3Ε ’將導電材料填入至罩幕開口 4〇2内，以 形成獨立孔塾15〇。在本實施例巾，填人導電材料之方式 例如是電鍵。此外，第—導電孔⑽及獨立孔墊15〇可為 12 1380756 22790twf.doc/n 一體成形。 請參考圖3F，移除圖案化罩幕400 ’而暴露出第一介 電層130較遠離第一孔墊122的一面。 綜上所述，本發明乃是通過兩段式的作法來製作單一 導電通道來電性連接不同層次之兩線路圖案，故可製作出 具有高縱橫比的導電孔之線路結構’因而增加線路結構之 線路密度或因應特殊設計之線路結構。 除此之外，本發明更可設計獨立孔墊之外徑大於其上 方或下方的孔墊之特’以增加獨立孔墊上方及下方之兩 ，，，案之間的對位裕度’因而相應地提 程良率，並可提升線路結狀憾效果。 構之衣 定本::本:施例揭露如上，然其並非用以限 田現後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 的製=Α^1Ε-本發明之—實補之—種線路結構 之第-複層結構的製程。 1不圖1Α之第一複層結構的另_製程。 【主要7L件符號說明】 110 :第一承载基板 100:第-複層結構 13 1380756

22790twf.doc/n 120 :第一線路圖案 210 :第二承載基板 122 :第一孔墊 220 :第二線路圖案 130 :第一介電層 222 :環形墊 132 :第二開口 222’ ：第二孔墊 132’ ：第二開口 232 :第一開口 140 :第一導電孔 240 :第二導電孔 150 :獨立孔墊 300 :第二介電層 150’ ：導電層 400 :圖案化罩幕 200 :第二複層結構 402 :罩幕開口

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Claims (1)

1380756 年 1。1貢8曰修正叫 申請專利範圍： 1. 一種線路結構，包括： 一第一介電層； 一第二線路圖案，埋入於該第-介電層，並具有至少 孔塾t第一導電孔，穿過該第一介電層，並與該第〆 至>、獨立孔塾’自：置在該第— -孔㈣-面上，並連接於㈣心謂之較遂離J弟 整的-端，盆第—導電孔較遠離該第一孔 層； 〃 U孔塾所屬為無線路圖案的獨立孔塾 孔墊的f面丄電f及配置於該第-介電層之配置有該獨立 孔第二導電孔，穿過該第二介電層，並與該獨立 2-如申請專利範圍第j項所述 立孔藝之外徑大於該第—孔墊H、，，°構’其中該獨 3. —種線路結構製程，包括： 提供一第一複層結構，包括： 一第一承載基板； 一第一線路圖案，配置在今 具有至少-第—孔塾； 承載基板上，並 祕：介 15 1380756 101-8-8 層； 至少-第一導電孔，穿過該第一介電層，並 第一孔塾連接；以及 ~ 至少-獨立孔塾，位於該第一導電孔遠離該第一 孔墊的一端，且該第一導電孔連接該獨立孔墊及該 一孔墊； 〆 提供一第二複層結構，包括： 一第二承載基板；以及 一第二線路圖案，配置在該第二承載基板上； 壓合該第一複層結構、一第二介電層及該第二複層結 構，使該第二線路圖案及該獨立孔墊埋入於該第二介電 層，且該第二介電層接合至該第一介電層； 移除該第一承載基板及該第二承載基板，以暴露出讀 第一線路圖案及該第二線路圖案； ^ 形成至少一第一開口’其貫穿該第二介電層’並暴露 出該獨立孔墊；以及 將導電材料填入至該第一開口内，以形成一第二導電 孔，其連接該獨立孔塾。 4. 如申請專利範圍第3項所述之線路結構製程，其中 該獨立孔墊之外徑大於該第一孔墊之外徑。 5. 如申請專利範圍第3項所述之線路結構製程’其中 該第二線路圖案具有一環形墊，將導電材料填入該第一開 1:7内時’填入該環形墊中的導電材料與該環形墊構成一第 一^孑匕t 〇 16 1380756 101-8-8 6. 如申請專利範圍第5項所述之線路結構製程，其中 該獨立孔墊之外徑大於該第二孔墊之外徑。 7. 如申請專利範圍第3項所述之線路結構製程，其中 提供該第一複層結構的步驟包括： 形成該第一線路圖案於該第一承載基板上； 形成該第一介電層於該第一承載基板及該第一線路 圖案上； 形成一導電層於該第一介電層上； 形成至少一第二開口，其貫穿該導電層及該第一介電 層，並暴露出該第一孔塾； 將導電材料填入至該第二開口内，以形成該第一導電 孔，其連接該第一孔墊及該導電層；以及 圖案化該導電層，以形成該獨立孔塾。 8. 如申請專利範圍第3項所述之線路結構製程，其中 提供該第一複層結構的步驟包括： 形成該第一線路圖案於該第一承載基板上； 形成該第一介電層於該第一承載基板及該第一線路 圖案上； 形成至少一第二開口，其貫穿該第一介電層，並暴露 出該第一孔塾； 形成一圖案化罩幕在該第一介電層上，並具有一罩幕 開口，其暴露出該第二開口； 將導電材料填入至該第二開口内，以形成該第一導電 孔，其連接該第一孔墊； 17 1380756 101-8-8 將導電材料填入至該罩幕開口内，以 墊；以及 形成该獨立孔 移除該圖案化罩幕。 9.如申請專利範圍第3項所述之線路結 提供該第二複層結構的步驟包括： ，八中 形成該弟一線路圖案於該第二承載基板上。 1〇.如申凊專利範圍第1項所述之線路結播 第一介電層為一玻纖膠片、一樹脂層或一八該 材料的塗佈層。 言佈一夜態介電 繁一 1如申請專利範圍第1項所述之線路結構，1中今 第導電孔的材料為一電鑛材料。 “中》亥 12.如申請專利範圍第丨或2項所述之 中該獨立孔墊環魏第-導電孔的末端。 、、’。構’其 13·如申請專利範圍第i或2項所述之 中該獨立孔墊與該第一導電孔一體成形。、、〜構，其 笛專利範圍第1項所述之線路結構，I中兮 第一介電層為一體成型之獨立單元。 >、中忒 更包二;申;圍第卜2或14項所述之線路結構， 獨立孔上 \如申請專利範圍第15項所述之線路結構，其中該 獨立孔整之外徑大於該第二孔墊之外徑。 18 1380756 101-8-8 17. 如申請專利範圍第15項所述之線路結構，其中該 第二導電孔穿過該第二孔墊且暴露出來。 18. 如申請專利範圍第15項所述之線路結構，其中該 第二線路圖案與該第二導電孔之間具有一邊界。 19. 如申請專利範圍第15項所述之線路結構，其中該 第一介電層的表面上無配置任何導線。 20. 如申請專利範圍第19項所述之線路結構，其中該 第二線路圖案與該第二導電孔之間具有一邊界。 21. 如申請專利範圍第19項所述之線路結構，其中該 該第二介電層為一體成型之獨立單元。 19