TWI392425B - 內埋式線路板及其製造方法 - Google Patents

Description

內埋式線路板及其製造方法

本發明是有關於一種線路板及其製造方法，且特別是有關於一種內埋式線路板及其製造方法。

線路板是手機、電腦與數位相機等電子裝置(electronic device)，以及電視、洗衣機與冰箱等家電用品所需要的元件。詳言之，線路板能承載及組裝晶片(chip)、被動元件(passive component)與主動元件(active component)等多種電子元件(electronic component)，並讓這些電子元件彼此電性連接。如此，電訊號可以在這些電子元件之間傳遞，而讓上述電子裝置及家電用品運作。

本發明提供一種內埋式線路板，其能與多個電子元件組裝。

本發明提供一種內埋式線路板的製造方法，用來製造上述內埋式線路板。

本發明提供一種內埋式線路板，包括一上線路層、一下線路層、一絕緣層、一第一導電柱以及一第二導電柱。上線路層包括一上接墊，而下線路層包括一下接墊。絕緣層具有一上表面以及一相對上表面的下表面。上線路層位於上表面，而下線路層位於下表面，其中上接墊內埋於上表面，而下接墊內埋於下表面。第一導電柱位於絕緣層內，並具有一被上表面所暴露的端面，其中第一導電柱相對於上表面的高度大於上接墊相對於上表面的厚度。第二導電柱位於絕緣層內，並連接於第一導電柱與下接墊之間。

在本發明一實施例中，上述上線路層更包括一內埋於上表面的走線，第一導電柱相對於上表面的高度大於走線相對於上表面的厚度。

在本發明一實施例中，上述第一導電柱相對於上表面的高度不小於第二導電柱相對於下接墊的高度。

在本發明一實施例中，上述第一導電柱的外徑大於第二導電柱的外徑。

在本發明一實施例中，上述第一導電柱為空心柱體。

在本發明一實施例中，上述內埋式線路板更包括一填充材料，而第一導電柱具有一通孔，其中填充材料填入通孔內。

在本發明一實施例中，上述填充材料為一有機絕緣材料或一無機絕緣材料。

在本發明一實施例中，上述填充材料為一導電材料，其中導電材料為石墨、金屬材料或導電高分子材料。

在本發明一實施例中，上述第二導電柱從第一導電柱朝向下接墊漸縮。

在本發明一實施例中，上述絕緣層包括一高分子材料與多個分佈於高分子材料中的觸媒顆粒(catalyst particles)。

在本發明一實施例中，上述內埋式線路板更包括一配置於下表面的內層基板。

本發明另提供一種內埋式線路板的製造方法。首先，提供一絕緣層與一下線路層，其中絕緣層具有一上表面與一相對上表面的下表面，而下線路層位於下表面，並包括一內埋於下表面的下接墊。接著，於上表面形成一凹槽與一凹刻圖案，其中凹槽相對於上表面的深度大於凹刻圖案相對於上表面的深度。之後，於凹槽的一底面形成一暴露下接墊的盲孔(blind via)。接著，形成一上線路層於凹刻圖案(intaglio pattern)內。接著，形成一第一導電柱於凹槽內，以及形成一第二導電柱於盲孔內，其中第二導電柱連接於第一導電柱與下接墊之間。

在本發明一實施例中，形成凹槽的方法包括照射一第一雷射光束(laser beam)於上表面，以燒蝕(ablating)絕緣層。

在本發明一實施例中，上述第一雷射光束的空間能量分布呈高斯分布(Gaussian distribution)。

在本發明一實施例中，上述凹刻圖案是由第一雷射光束燒蝕絕緣層而形成。

在本發明一實施例中，形成盲孔的方法包括照射一第二雷射光束於底面，以燒蝕絕緣層。

在本發明一實施例中，上述第二雷射光束的空間能量分布呈高帽狀(Top-Hat shape)分布。

在本發明一實施例中，上述形成凹槽的方法包括機械鑽孔。

在本發明一實施例中，上述凹槽相對於上表面的深度不小於盲孔相對於下接墊的深度。

在本發明一實施例中，上述凹槽的寬度大於盲孔的孔徑。

在本發明一實施例中，形成上線路層、第一導電柱以及第二導電柱的方法包括無電電鍍(electroless plating)。

在本發明一實施例中，形成上線路層、第一導電柱與第二導電柱的方法更包括有電電鍍(electroplating)。

在本發明一實施例中，上述絕緣層包括一高分子材料與多個分佈於高分子材料中的觸媒顆粒。在形成凹槽、凹刻圖案與盲孔之後，一些觸媒顆粒裸露並活化於凹槽、凹刻圖案與盲孔內。

由於第二導電柱連接於第一導電柱與下接墊之間，因此上線路層與下線路層得以電性導通，而透過上接墊與下接墊，本發明的內埋式線路板能與電子元件組裝。

以下特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1A至圖1E為本發明一實施例的內埋式線路板的製造方法的流程剖面示意圖。請先參閱圖1E，在此先介紹本實施例的內埋式線路板100的結構。內埋式線路板100包括一上線路層110、一下線路層120、一絕緣層130、至少一第一導電柱140以及至少一第二導電柱150。

具體而言，絕緣層130具有一上表面130a以及一下表面130b，而下表面130b相對於上表面130a，其中上線路層110位於上表面130a，而下線路層120位於下表面130b。也就是說，上線路層110與下線路層120分別位於絕緣層130的相對二側。

上線路層110包括至少一上接墊112，而下線路層120包括至少一下接墊122，其中上接墊112內埋於上表面130a，而下接墊122內埋於下表面130b。另外，上線路層110可以更包括多條內埋於上表面130a的走線114，而下線路層120也可以更包括多條走線124，其中至少一條走線114電性連接上接墊112。

雖然圖1E所示的上接墊112與下接墊122二者的數量都是一個，但是在其他未繪示的實施例中，上線路層110所包括的上接墊112的數量可以是多個，而下線路層120所包括的下接墊122的數量也可以是多個。此外，在其他未繪示的實施例中，上線路層110可以僅包括一條走線114，而下線路層120也可以僅包括一條走線124。

第一導電柱140位於絕緣層130內，並具有一端面142，其中絕緣層130的上表面130a暴露端面142，而在本實施例中，端面142可以是實質上與上表面130a切齊。另外，第一導電柱140相對於上表面130a的高度H1大於上接墊112相對於上表面130a的厚度H2，如圖1E所示。

這些走線114相對於上表面130a的厚度實質上也可以等於厚度H2。因此，第一導電柱140相對於上表面130a的高度H1亦大於走線114相對於上表面130a的厚度。此外，在其他未繪示的實施例中，不論上接墊112的厚度H2是否相當於走線114的厚度，高度H1仍大於走線114相對於上表面130a的厚度。

第二導電柱150位於絕緣層130內，並連接於第一導電柱140與下接墊122之間，其中第二導電柱150配置於第一導電柱140與下接墊122之間，而第二導電柱150從第一導電柱140向下延伸至下接墊122。此外，第二導電柱150可以是從第一導電柱140朝向下接墊122漸縮，而第二導電柱150的形狀可以是一種錐狀體。此外，第一導電柱140與第二導電柱150可以是一體成型。

承上述，第一導電柱140相對於上表面130a的高度H1與第二導電柱150相對於下接墊122的高度H3，二者的比值可以大於0.5，例如此比值可不小於0.75，即等於或大於0.75。此外，第一導電柱140相對於上表面130a的高度H1可以不小於第二導電柱150相對於下接墊122的高度H3，即高度H1可以是大於或等於高度H3，例如高度H1與高度H3的比值可以不小於1。當高度H1等於高度H3時，第一導電柱140與第二導電柱150二者的長度(即高度H1與H3)實質上相等。另外，第一導電柱140的外徑W1可以大於第二導電柱150的外徑W2。

第一導電柱140可以是空心柱體，並具有一通孔144，而內埋式線路板100可更包括一填充材料160。填充材料160填入通孔144內，且可以是導電材料，其例如是石墨、金屬材料或導電高分子材料，其中金屬材料例如是銀膠等導電膠，或例如是銅膏等導電膏。此外，填充材料160也可以是絕緣材料，其例如是有機絕緣材料或無機絕緣材料。

另外，內埋式線路板100可以更包括一內層基板170，其中內層基板170配置於絕緣層130的下表面130b，而下線路層120位於內層基板170與絕緣層130之間。詳細而言，內層基板170可以是一種線路基板，即內層基板170具有佈線(layout，圖1E未繪示)與多個導電連接結構(conductive connection structure，圖1E未繪示)。

上述導電連接結構例如是導電通孔結構(conductive through hole structure)或導電盲孔結構(conductive blind via structure)，而下線路層120電性連接這些導電連接結構。如此，下線路層120得以電性連接內層基板170，而內埋式線路板100可以是一種包括多層線路的多層線路板(multilayer wiring board)。

然而，必須說明的是，在其他未繪示的實施例中，內埋式線路板100可以是一種雙面線路板(double-side wiring board)。也就是說，內埋式線路板100可以不需要內層基板170，而僅包括上線路層110與下線路層120二層線路。因此，圖1E所示的內層基板170僅供舉例說明，並非限制本發明的技術特徵。

值得一提的是，在圖1E中，絕緣層130可以包括一高分子材料134以及多個分佈於高分子材料134中的觸媒顆粒132。這些觸媒顆粒132可以是多個奈米顆粒，並可具有金屬成分。

詳細而言，這些奈米顆粒的成分含有金屬原子或金屬離子，而這些觸媒顆粒132的材料包括一種金屬配位化合物。此金屬配位化合物例如是金屬氧化物、金屬氮化物、金屬錯合物或金屬螯合物，其中金屬配位化合物的材料例如是選自於鋅、銅、銀、金、鎳、鋁、鈀、鉑、鈷、銠、銥、銦、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、鈦或這些金屬的任意組合。

另外，觸媒顆粒132的材料可以包括多種金屬配位化合物。詳細而言，觸媒顆粒132的材料可以是選自於金屬氧化物、金屬氮化物、金屬錯合物、金屬螯合物或這些化合物的任意組合。

舉例來說，這些觸媒顆粒132可包括金屬氧化物、金屬氮化物或金屬錯合物，或者觸媒顆粒132也可包括金屬氧化物與金屬錯合物等多種金屬配位化合物，其中觸媒顆粒132例如是氮化鋁、氧化銅、氮化鈦、鈷鉬雙金屬氮化物(Co₂ Mo₃ N_x )顆粒或鈀金屬顆粒。

高分子材料134的材料例如是選自於環氧樹脂、改質的環氧樹脂、聚脂(polyester)、丙烯酸酯、氟素聚合物(fluoro-polymer)、聚亞苯基氧化物(polyphenylene oxide)、聚醯亞胺(polyimide)、酚醛樹脂(phenolicresin)、聚碸(polysulfone)、矽素聚合物(silicone polymer)、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹脂(bismaleimide triazine modified epoxy，即所謂的BT樹脂)、氰酸聚酯(cyanate ester)、聚乙烯(polyethylene)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate，PC)、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer，ABS copolymer)、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(polyethylene terephthalate，PET)、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂(polybutylene terephthalate，PBT)、液晶高分子(liquid crystal polymers，LCP)、聚醯胺6(polyamide 6，PA 6)、尼龍(Nylon)、共聚聚甲醛(polyoxymethylene，POM)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、環狀烯烴共聚高分子(cyclic olefin copolymer，COC)或這些材料的任意組合。

這些觸媒顆粒132在內埋式線路板100的製造過程中，能促使上線路層110、下線路層120、第一導電柱140以及第二導電柱150的形成，而有關觸媒顆粒132的作用，將會在後續內容中說明。然而，必須強調的是，在其他未繪示的實施例中，絕緣層130可以是線路板技術領域中常見的半固化膠片(prepreg)或樹脂層，而不需要這些觸媒顆粒132。因此，這些觸媒顆粒132並不是必要元件。

以上僅介紹內埋式線路板100的結構，接下來將配合圖1A至圖1E，詳細說明內埋式線路板100的製造方法。

請參閱圖1A，關於內埋式線路板100的製造方法，首先，提供絕緣層130與下線路層120，其中下線路層120位於絕緣層130的下表面130b，並包括內埋於下表面130b的下接墊122。絕緣層130可包括高分子材料134與這些觸媒顆粒132，但在其他未繪示的實施例中，絕緣層130可為半固化膠片或樹脂層，且不需要這些觸媒顆粒132。

另外，本實施例更可以提供內層基板170，而內層基板170配置於絕緣層130的下表面130b，且可以是線路基板。詳細而言，在下線路層120與內層基板170二者形成之後，可以形成絕緣層130於內層基板170上，其中絕緣層130全面性覆蓋下線路層120，並且可通過壓合半固化膠片或是含有這些觸媒顆粒132的膠材而形成。

必須說明的是，在其他未繪示的實施例中，並不需要提供內層基板170。詳細而言，絕緣層130可採用空白核心層等質地較硬的絕緣板材，而下線路層120可以事先形成於下表面130b，其中下線路層120可利用無電電鍍或有電電鍍來形成。因此，圖1A至圖1E所示的內層基板170僅供舉例說明，並非限制本發明的技術特徵。

請參閱圖1A與圖1B，接著，於絕緣層130的上表面130a形成至少一凹槽S1與一凹刻圖案S2，其中凹槽S1相對於上表面130a的深度D1大於凹刻圖案S2相對於上表面130a的深度D2，且凹槽S1的深度D1小於絕緣層130的厚度H4，即凹槽S1並不是貫穿絕緣層130而形成。

形成凹槽S1的方法可以是機械鑽孔，或者是照射一第一雷射光束L1於上表面130a，以燒蝕絕緣層130。如此，凹槽S1得以形成。此外，凹刻圖案S2也可以是由第一雷射光束L1燒蝕絕緣層130而形成。或者，凹刻圖案S2也可是由微影(lithography)與蝕刻(etching)方法而形成。

請參閱圖1B與圖1C，接著，於凹槽S1的一底面B1形成一盲孔V1，其中盲孔V1暴露下線路層120的下接墊122。也就是說，盲孔V1是從底面B1延伸至下接墊122。凹槽S1的寬度W3可大於盲孔V1的孔徑W4，且凹槽S1相對於上表面130a的深度D1與盲孔V1相對於下接墊122的深度D3二者的比值可以大於0.5，例如此比值可以不小於0.75，即等於或大於0.75。此外，在其他實施例中，深度D1可以不小於深度D3，即深度D1可以大於或實質上等於深度D3，例如深度D1與深度D3的比值可以不小於1。

形成盲孔V1的方法可以是照射一第二雷射光束L2於底面B1，以燒蝕絕緣層130。如此，盲孔V1得以形成。此外，關於雷射光束L1、L2，二者的波長可以是在可見光、紅外光或紫外光的範圍內。因此，發出雷射光束L1、L2的雷射光源可以是紅外線雷射、紫外線雷射、石榴石雷射(Yttrium Aluminum Garnet，YAG laser)、二氧化碳雷射、準分子雷射(excimer laser)或遠紅外線雷射。

其次，第一雷射光束L1與第二雷射光束L2二者的空間能量分布有所不同。請參閱圖2A與圖2B，其中圖2A繪示第一雷射光束L1的空間能量分布示意圖，而圖2B繪示第二雷射光束L2的空間能量分布示意圖。

在圖2A與圖2B中，橫軸X代表雷射光束在其截面(section)上，相對於光軸(optical axis，亦為雷射光束的中心軸)的距離及位置，而縱軸Y代表雷射光束的能量，其中橫軸X上的原點0代表光軸在截面上的所在位置。

承上述，從圖2A所示的能量分布曲線C1來看，圖1A的第一雷射光束L1的空間能量分布是呈現高斯分布，即第一雷射光束L1的能量是從其光軸向外遞減。因此，第一雷射光束L1在其光軸的能量最大，在邊緣處的能量最小。

從圖2B所示的能量分布曲線C2來看，圖1B的第二雷射光束L2的空間能量分布是呈高帽狀分布。也就是說，第二雷射光束L2在其截面的任何地方的能量差異很小，因此第二雷射光束L2的能量在空間上呈現實質上均勻分布。

請參閱圖1C與圖1D，在形成盲孔V1後，形成上線路層110於凹刻圖案S2內，形成第一導電柱140於凹槽S1內，以及形成第二導電柱150於盲孔V1內。形成上線路層110、第一導電柱140與第二導電柱150的方法可採用無電電鍍。至此，基本上內埋式線路板100已製造完成。

由於絕緣層130可包括高分子材料134與這些分佈於高分子材料134中的觸媒顆粒132，因此在形成凹槽S1、凹刻圖案S2與盲孔V1之後，一些觸媒顆粒132裸露並活化於凹槽S1、凹刻圖案S2與盲孔V1內，如圖1C所示。

詳細而言，這些觸媒顆粒132的化學鍵(Chemical bond)可以被雷射光束與電漿(plasma)所打斷，所以活化這些觸媒顆粒132的方法可以是對絕緣層130進行雷射燒蝕或電漿蝕刻。也就是說，雷射光束L1、L2不僅能燒蝕絕緣層130，同時更可以活化位於凹槽S1、凹刻圖案S2與盲孔V1內的這些觸媒顆粒132。

承上述，形成上線路層110、第一導電柱140以及第二導電柱150所採用的無電電鍍，其所使用的化學藥劑能直接與活化後的觸媒顆粒132產生反應，以在凹刻圖案S2、凹槽S1以及盲孔V1內沉積金屬材料，進而形成上線路層110、第一導電柱140以及第二導電柱150。此外，除了無電電鍍，也可以採用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)來形成上線路層110、第一導電柱140與第二導電柱150。

由於在其他未繪示的實施例中，絕緣層130可不包括這些觸媒顆粒132，並可以是半固化膠片或樹脂層，因此形成上線路層110、第一導電柱140以及第二導電柱150的方法可以同時採用無電電鍍及有電電鍍。

詳細而言，可以先進行無電電鍍，在凹刻圖案S2、凹槽S1以及盲孔V1內形成電鍍種子層(electroplate seed layer)。之後，通入電流以進行有電電鍍，並在凹刻圖案S2、凹槽S1以及盲孔V1內沉積金屬材料。如此，上線路層110、第一導電柱140與第二導電柱150得以形成。此外，不論是單採用無電電鍍，或是同時採用無電電鍍及有電電鍍，第一導電柱140與第二導電柱150二者可以同時形成，且第一導電柱140與第二導電柱150可為一體成型。

基於上述內容，深度D1與深度D3(請參考圖1C)的比值可大於0.5，而相較於習知線路板的盲孔，盲孔V1具有較小的縱橫比，所以有利於進行無電電鍍或有電電鍍，讓金屬材料容易沉積在盲孔V1內，提高第二導電柱150的電性品質與內埋式線路板100的良率(yield)。

其次，深度D1與深度D3的比值更可以不小於0.75，或不小於1，而當深度D1與深度D3的比值增加時，第二導電柱150與下接墊122之間的接觸面I的寬度W5與面積亦可增加，進而提高第二導電柱150與下接墊122之間的電性連接品質與信賴度(reliability)。

另外，在其他未繪示的實施例中，可以利用有電電鍍，將凹槽S1與盲孔V1填滿，使得第一導電柱140與第二導電柱150二者成為實心柱體。因此，第一導電柱140不僅可以是空心柱體，在其他未繪示的實施例中，也可以是一種實心柱體。

請參閱圖1E，當第一導電柱140為空心柱體時，在形成上線路層110、第一導電柱140與第二導電柱150之後，可以填入填充材料160於第一導電柱140的通孔144內，以填平通孔144，其中填充材料160可以是用印刷的方式來填入通孔144內。

綜上所述，上線路層與下線路層二者經由第一導電柱與第二導電柱而得以電性導通，而利用上接墊與下接墊，本發明的內埋式線路板得以與電子元件組裝，進而讓多個電子元件彼此電性連接。

其次，由於凹槽相對於線路板的上表面的深度大於凹刻圖案相對於此上表面的深度，因此本發明能降低凹槽下方的盲孔的縱橫比。如此，本發明有利於利用無電電鍍或有電電鍍來形成第二導電柱，進而提高第二導電柱的電性品質與內埋式線路板的良率。

其次，與習知技術相比，在本發明的內埋式線路板中，第二導電柱以及與其連接的下接墊之間具有較大的接觸面積。因此，本發明能提高第二導電柱與下接墊之間的電性連接品質以及信賴度。

雖然本發明以前述實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，所作更動與潤飾之等效替換，仍為本發明之專利保護範圍內。

0．．．原點

100．．．內埋式線路板

110．．．上線路層

112．．．上接墊

114、124．．．走線

120．．．下線路層

122．．．下接墊

130．．．絕緣層

130a．．．上表面

130b．．．下表面

132．．．觸媒顆粒

134．．．高分子材料

140．．．第一導電柱

142．．．端面

144．．．通孔

150．．．第二導電柱

160．．．填充材料

170．．．內層基板

B1．．．底面

C1、C2．．．能量分布曲線

D1、D2、D3．．．深度

L1．．．第一雷射光束

L2．．．第二雷射光束

H1、H3．．．高度

H2、H4．．．厚度

I．．．接觸面

S1．．．凹槽

S2．．．凹刻圖案

V1．．．盲孔

W1、W2．．．外徑

W3、W5．．．寬度

W4．．．孔徑

X．．．橫軸

Y．．．縱軸

圖1A至圖1E為本發明一實施例的內埋式線路板的製造方法的流程剖面示意圖。

圖2A是形成圖1B中的凹槽所採用的雷射光束的空間能量分佈示意圖。

圖2B是形成圖1C中的盲孔所採用的雷射光束的空間能量分佈示意圖。

100．．．內埋式線路板

110．．．上線路層

112．．．上接墊

114、124．．．走線

120．．．下線路層

122．．．下接墊

130．．．絕緣層

130a．．．上表面

130b．．．下表面

132．．．觸媒顆粒

134．．．高分子材料

140．．．第一導電柱

142．．．端面

144．．．通孔

150．．．第二導電柱

160．．．填充材料

170．．．內層基板

H1、H3．．．高度

H2．．．厚度

W1、W2．．．外徑

Claims (32)

1. 一種內埋式線路板，包括：一上線路層，包括一上接墊；一下線路層，包括一下接墊；一絕緣層，具有一上表面以及一相對該上表面的下表面，該上線路層位於該上表面，而該下線路層位於該下表面，該上接墊內埋於該上表面，而該下接墊內埋於該下表面；一第一導電柱，位於該絕緣層內，並具有一被該上表面所暴露的端面，其中該第一導電柱相對於該上表面的高度大於該上接墊相對於該上表面的厚度；以及一第二導電柱，位於該絕緣層內，並連接於該第一導電柱與該下接墊之間，其中該第二導電柱具有一頂面，該第一導電柱具有一底面，該頂面連接於該底面，該頂面不高於該底面，且該頂面之一外徑小於該底面之一外徑。
2. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該上線路層更包括一內埋於該上表面的走線，該第一導電柱相對於該上表面的高度大於該走線相對於該上表面的厚度。
3. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該第一導電柱相對於該上表面的高度與該第二導電柱相 對於該下接墊的高度二者的比值大於0.5。
4. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該第一導電柱相對於該上表面的高度不小於該第二導電柱相對於該下接墊的高度。
5. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該第一導電柱的外徑大於該第二導電柱的外徑。
6. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該第一導電柱為空心柱體。
7. 如申請專利範圍第6項所述之內埋式線路板，更包括一填充材料，該第一導電柱具有一通孔，而該填充材料填入該通孔內。
8. 如申請專利範圍第7項所述之內埋式線路板，其中該填充材料為一有機絕緣材料或一無機絕緣材料。
9. 如申請專利範圍第7項所述之內埋式線路板，其中該填充材料為一導電材料，而該導電材料為石墨、金屬材料或導電高分子材料。
10. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該第一導電柱與該第二導電柱為一體成型。
11. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該第一導電柱與該第二導電柱皆為實心柱體。
12. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該第二導電柱從該第一導電柱朝向該下接墊漸縮。
13. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，其中該 絕緣層包括一高分子材料與多個分佈於該高分子材料中的觸媒顆粒。
14. 如申請專利範圍第1項所述之內埋式線路板，更包括一配置於該下表面的內層基板。
15. 一種內埋式線路板的製造方法，包括：提供一絕緣層與一下線路層，其中該絕緣層具有一上表面與一相對該上表面的下表面，而該下線路層位於該下表面，並包括一內埋於該下表面的下接墊；於該上表面形成一凹槽與一凹刻圖案，其中該凹槽相對於該上表面的深度大於該凹刻圖案相對於該上表面的深度；於該凹槽的一底面形成一暴露該下接墊的盲孔；形成一上線路層於該凹刻圖案內，其中該上線路層包括一上接墊；形成一第一導電柱於該凹槽內；以及形成一第二導電柱於該盲孔內，其中該第一導電柱相對於該上表面的高度大於該上接墊相對於該上表面的厚度，該第一導電柱及第二導電柱皆位於該絕緣層內，且該第二導電柱連接於該第一導電柱與該下接墊之間。
16. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中形成該凹槽的方法包括照射一第一雷射光束於該上表面，以燒蝕該絕緣層。
17. 如申請專利範圍第16項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該第一雷射光束的空間能量分布呈高斯分布。
18. 如申請專利範圍第16項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該凹刻圖案是由該第一雷射光束燒蝕該絕緣層而形成。
19. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中形成該盲孔的方法包括照射一第二雷射光束於該底面，以燒蝕該絕緣層。
20. 如申請專利範圍第19項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該第二雷射光束的空間能量分布呈高帽狀分布。
21. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中形成該凹槽的方法包括機械鑽孔。
22. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該凹槽相對於該上表面的深度與該盲孔相對於該下接墊的深度二者的比值大於0.5。
23. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該凹槽相對於該上表面的深度不小於該盲孔相對於該下接墊的深度。
24. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該凹槽的寬度大於該盲孔的孔徑。
25. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造 方法，其中形成該上線路層、該第一導電柱以及該第二導電柱的方法包括無電電鍍。
26. 如申請專利範圍第25項所述之內埋式線路板的製造方法，其中形成該上線路層、該第一導電柱與該第二導電柱的方法更包括有電電鍍。
27. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該絕緣層包括一高分子材料與多個分佈於該高分子材料中的觸媒顆粒，在形成該凹槽、該凹刻圖案與該盲孔之後，一些觸媒顆粒裸露並活化於該凹槽、該凹刻圖案與該盲孔內。
28. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該第一導電柱為空心柱體，而在形成該第二導電柱之後，更包括填入一填充材料於該第一導電柱的一通孔內。
29. 如申請專利範圍第28項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該填充材料是用印刷的方式來填入於該通孔內。
30. 如申請專利範圍第28項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該填充材料為一有機絕緣材料或一無機絕緣材料。
31. 如申請專利範圍第28項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該填充材料為一導電材料，而該導電材料為石墨、金屬材料或導電高分子材料。
32. 如申請專利範圍第15項所述之內埋式線路板的製造方法，其中該第一導電柱與該第二導電柱同時形成。